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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2023-06-26
(45)【発行日】2023-07-04
(54)【発明の名称】表示基板及び表示装置
(51)【国際特許分類】
   G09F 9/302 20060101AFI20230627BHJP
   G09F 9/00 20060101ALI20230627BHJP
   G09G 3/20 20060101ALI20230627BHJP
   G09G 3/30 20060101ALI20230627BHJP
   H10K 59/10 20230101ALI20230627BHJP
【FI】
G09F9/302 C
G09F9/00 338
G09G3/20 642B
G09G3/20 642P
G09G3/30 K
H10K59/10
【請求項の数】 29
(21)【出願番号】P 2019559769
(86)(22)【出願日】2019-03-20
(65)【公表番号】
(43)【公表日】2021-10-21
(86)【国際出願番号】 CN2019078866
(87)【国際公開番号】W WO2019242351
(87)【国際公開日】2019-12-26
【審査請求日】2022-03-14
(31)【優先権主張番号】201810638716.2
(32)【優先日】2018-06-20
(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN
(73)【特許権者】
【識別番号】510280589
【氏名又は名称】京東方科技集團股▲ふん▼有限公司
【氏名又は名称原語表記】BOE TECHNOLOGY GROUP CO.,LTD.
【住所又は居所原語表記】No.10 Jiuxianqiao Rd.,Chaoyang District,Beijing 100015,CHINA
(74)【代理人】
【識別番号】110001243
【氏名又は名称】弁理士法人谷・阿部特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】リー ジェンジェン
(72)【発明者】
【氏名】ホアンフー ルージアン
(72)【発明者】
【氏名】バイ シャンシャン
(72)【発明者】
【氏名】スン クオ
【審査官】石本 努
(56)【参考文献】
【文献】中国特許出願公開第107819020(CN,A)
【文献】中国特許出願公開第107945767(CN,A)
【文献】特開2017-058671(JP,A)
【文献】米国特許出願公開第2016/0027359(US,A1)
【文献】米国特許出願公開第2018/0088260(US,A1)
【文献】中国特許出願公開第107819018(CN,A)
(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
G02F1/133-1/1334
1/1339-1/1341
1/1347
G09F9/00-9/46
H04M1/02-1/23
H05B33/00-33/28
44/00
45/60
H10K50/00-99/00
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
表示基板であって、
前記表示基板の表示領域は、
第1表示サブ領域と、
第2表示サブ領域と、
前記第1表示サブ領域と前記第2表示サブ領域の間に位置し且つ予め設定された幅を有する遷移表示サブ領域と、を備え、
前記第1表示サブ領域、前記遷移表示サブ領域、及び前記第2表示サブ領域は、連続した表示領域を形成し、
前記第1表示サブ領域内の画素分布密度が、前記第2表示サブ領域内の画素分布密度より大きく、
前記遷移表示サブ領域内の画素分布密度が、前記第1表示サブ領域内の画素分布密度より小さく、且つ前記遷移表示サブ領域内の画素分布密度が、前記第2表示サブ領域内の画素分布密度より大きく、
前記第1表示サブ領域内には、隣接して設置された複数の第1画素ユニットと第2画素ユニットを含み、前記第1画素ユニットは、第1サブ画素と第2サブ画素を含み、前記第2画素ユニットは、第3サブ画素と第2サブ画素を含み、
前記第2表示サブ領域内には、複数の第3画素ユニットを含み、前記第3画素ユニットは、隣接して設置された第1サブ画素、第2サブ画素及び第3サブ画素を含み、
前記遷移表示サブ領域内には、複数の第4画素ユニットを含み、前記第4画素ユニットは、隣接して設置された第1サブ画素、第2サブ画素、第3サブ画素を含む、表示基板。
【請求項2】
前記第2表示サブ領域の少なくとも一部の辺が前記表示領域の少なくとも一部の辺と重なり、且つ、前記第2表示サブ領域の残りの部分が前記遷移表示サブ領域で囲まれており、
前記第1表示サブ領域は、前記第2表示サブ領域から離れた前記遷移表示サブ領域の一側に位置する請求項1に記載の表示基板。
【請求項3】
前記第1表示サブ領域、前記遷移表示サブ領域及び前記第2表示サブ領域は、行方向に沿って配列され、又は前記第1表示サブ領域、前記遷移表示サブ領域及び前記第2表示サブ領域は、列方向に沿って配列される請求項に記載の表示基板。
【請求項4】
前記表示領域は、略矩形状であり、前記第2表示サブ領域は、円形状、水滴形状、矩形状及び台形状のうちの1種であり、
前記遷移表示サブ領域は、凹字形であり、
前記遷移表示サブ領域は、前記第2表示サブ領域を囲んで設置され、前記第1表示サブ領域は、前記遷移表示サブ領域を囲んで設置され、
前記第1表示サブ領域、前記遷移表示サブ領域及び前記第2表示サブ領域は、連続した表示領域を形成し、且つ前記表示領域の形状が略矩形状である請求項に記載の表示基板。
【請求項5】
前記遷移表示サブ領域の面積が前記第2表示サブ領域の面積より小さく、前記第2表示サブ領域の面積が前記第1表示サブ領域の面積より小さい請求項1に記載の表示基板。
【請求項6】
前記第2表示サブ領域内のサブ画素は、前記第1表示サブ領域内のサブ画素の一部とは、同一行にあり、
または、
前記第2表示サブ領域内のサブ画素は、前記第1表示サブ領域内のサブ画素の一部とは、同一列にある請求項に記載の表示基板。
【請求項7】
前記遷移表示サブ領域内のサブ画素は、前記第1表示サブ領域内のサブ画素の一部とは、同一行にあり、
または、
前記遷移表示サブ領域内のサブ画素は、前記第1表示サブ領域内のサブ画素の一部とは、同一列にある請求項に記載の表示基板。
【請求項8】
前記予め設定された幅は、前記第4画素ユニットの第1方向に沿う幅より小さくない、請求項に記載の表示基板。
【請求項9】
前記予め設定された幅は、複数の前記第4画素ユニットの前記第1方向に沿う幅より小さくなく、前記遷移表示サブ領域内には、発光面積が異なる少なくとも2つの同色のサブ画素を含む、請求項に記載の表示基板。
【請求項10】
前記遷移表示サブ領域内には、列方向に沿って隣接する2つの前記第4画素ユニットにおけるサブ画素の配列順番が反対である請求項に記載の表示基板。
【請求項11】
前記遷移表示サブ領域内には、行方向に沿って隣接する2つの前記第4画素ユニットにおけるサブ画素の配列順番が同じである請求項に記載の表示基板。
【請求項12】
前記遷移表示サブ領域内の1つの第1サブ画素の発光面積が前記第1表示サブ領域内の1つの第1サブ画素の発光面積に等しく、
前記遷移表示サブ領域内の1つの第2サブ画素の発光面積が前記第1表示サブ領域内の1つの第2サブ画素の発光面積に等しく、
前記遷移表示サブ領域内の1つの第3サブ画素の発光面積が前記第1表示サブ領域内の1つの第3サブ画素の発光面積に等しい、請求項に記載の表示基板。
【請求項13】
前記第2表示サブ領域内の1つの第1サブ画素の発光面積が前記第1表示サブ領域内の1つの第1サブ画素の発光面積より大きく又はそれに等しく、
前記第2表示サブ領域内の1つの第2サブ画素の発光面積が前記第1表示サブ領域内の1つの第2サブ画素の発光面積より大きく又はそれに等しく、
前記第2表示サブ領域内の1つの第3サブ画素の発光面積が前記第1表示サブ領域内の1つの第3サブ画素の発光面積より大きく又はそれに等しい請求項1に記載の表示基板。
【請求項14】
前記遷移表示サブ領域内には、前記第4画素ユニットにおける前記第1サブ画素、前記第2サブ画素及び前記第3サブ画素は、同一行に設置される請求項に記載の表示基板。
【請求項15】
前記第2表示サブ領域内には、複数の前記第3画素ユニットは、マトリクス状に配列され、
または、前記第2表示サブ領域内には、複数の前記第3画素ユニットは、チェッカーボード状に配列される請求項に記載の表示基板。
【請求項16】
前記第2表示サブ領域内の前記第3画素ユニットにおいて、3つのサブ画素は二行に設置される、請求項に記載の表示基板。
【請求項17】
同一前記第3画素ユニットにおいて、前記第1サブ画素の中心と前記第3サブ画素の中心との接続線における前記第2サブ画素の中心の正投影が、前記第1サブ画素の中心と前記第3サブ画素の中心との間にある請求項16に記載の表示基板。
【請求項18】
前記第2表示サブ領域内には、前記第3画素ユニットにおける前記第1サブ画素、前記第2サブ画素及び前記第3サブ画素は、同一行に順次設置されており、
前記第2表示サブ領域内には、行方向に沿って隣接する2つの前記第3画素ユニットにおけるサブ画素の配列順番が同じであり、列方向に沿って隣接する2つの前記第3画素ユニットにおけるサブ画素の配列順番が反対である請求項に記載の表示基板。
【請求項19】
前記第2表示サブ領域内には、前記第3画素ユニットの各々におけるサブ画素の配列順番が同じである請求項に記載の表示基板。
【請求項20】
前記第2表示サブ領域内には、同一列にある前記第3画素ユニットの各々におけるサブ画素の配列順番が同じであり、
隣接する2列分の前記第3画素ユニットのうち、1列の前記第3画素ユニットにおけるサブ画素の配列順番は、他の列の前記第3画素ユニットにおけるサブ画素の配列順番と反対である請求項に記載の表示基板。
【請求項21】
前記第1表示サブ領域内には、前記第1画素ユニットと前記第2画素ユニットが列方向に交互して配列され、前記第1画素ユニットと前記第2画素ユニットが行方向に交互して配列される請求項に記載の表示基板。
【請求項22】
前記第1画素ユニットにおいて、第2サブ画素と第1サブ画素が同一行に配列され、前記第2画素ユニットにおいて、第2サブ画素と第3サブ画素が同一行に配列され、
行方向に沿って隣接する前記第1画素ユニットと前記第2画素ユニットについて、前記第1画素ユニットにおける第2サブ画素と前記第2画素ユニットにおける第2サブ画素が直接隣接しない請求項21に記載の表示基板。
【請求項23】
前記第1表示サブ領域内には、1つの前記第1サブ画素の発光面積、1つの前記第2サブ画素の発光面積及び1つの前記第3サブ画素の発光面積が同じである請求項22に記載の表示基板。
【請求項24】
前記第1画素ユニットにおいて、前記第2サブ画素と前記第1サブ画素が同一行に配列され、前記第2画素ユニットにおいて、前記第2サブ画素と前記第3サブ画素が行及び列をずらして配列され、
列方向に沿って隣接する前記第1画素ユニットと前記第2画素ユニットを1つの画素群とし、同一前記画素群には、前記第1画素ユニットにおける前記第2サブ画素と前記第2画素ユニットにおける前記第2サブ画素が同一列にある請求項21に記載の表示基板。
【請求項25】
前記第1表示サブ領域内には、1つの前記第2サブ画素の発光面積が1つの前記第1サブ画素の発光面積より小さく、1つの前記第2サブ画素の発光面積が1つの前記第3サブ画素の発光面積より小さく、
同一前記画素群には、2つの前記第2サブ画素は、行方向に対して対称的に設置される請求項24に記載の表示基板。
【請求項26】
前記第1表示サブ領域、前記遷移表示サブ領域及び前記第2表示サブ領域のうち、少なくとも1つのサブ領域内には、前記第1サブ画素及び前記第3サブ画素のうちの1種のサブ画素の形状が一致し、
前記第2表示サブ領域及び前記遷移表示サブ領域のうち、少なくとも1つのサブ領域内には、前記第2サブ画素の形状と前記第1表示サブ領域内の第2サブ画素の形状が一致している請求項に記載の表示基板。
【請求項27】
前記第1表示サブ領域、前記遷移表示サブ領域及び前記第2表示サブ領域のうち、少なくとも1つのサブ領域内には、前記第1サブ画素、前記第2サブ画素、前記第3サブ画素の形状が一致している請求項に記載の表示基板。
【請求項28】
前記第1表示サブ領域内には、前記第1画素ユニットの各々におけるサブ画素の配列順番が同じであり、前記第2画素ユニットの各々におけるサブ画素の配列順番が同じである請求項1に記載の表示基板。
【請求項29】
表示装置であって、
請求項1ないし請求項28のいずれか1項に記載の表示基板を備える表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本願は、2018年06月20日に中国特許庁に提出した、出願番号が201810638716.2、発明の名称が「表示基板、その駆動方法、表示装置及び高精度メタルマスク」の中国特許出願の優先権を主張し、その全内容が引用により本願に組み込まれる。
【0002】
本開示は、表示技術分野、特に表示基板及び表示装置に関する。
【背景技術】
【0003】
表示技術の発展に伴い、全画面は、大きな画面占有率、極狭額縁を有するため、一般的な表示画面に比べて、視聴者の視覚効果を大幅に向上させるので、広く注目されている。現在、全画面を用いた携帯電話などの表示装置では、自分撮り、ビデオ通話及び指紋認識の機能を実現するために、表示装置の正面にフロントカメラ、マイク、指紋認識領域又は物理ボタンなどが設置されるのが一般的である。しかしながら、これら欠かせない機能性素子を設置することが画面占有率向上の制約因素の1つとなる。
【発明の概要】
【0004】
本開示の実施例による表示基板であって、
前記表示基板の表示領域は、
第1表示サブ領域と、
第2表示サブ領域と、
前記第1表示サブ領域と前記第2表示サブ領域の間に位置し且つ予め設定された幅を有する遷移表示サブ領域と、を備え、
前記第1表示サブ領域、前記遷移表示サブ領域、及び前記第2表示サブ領域は、連続した表示領域を形成し、
前記第1表示サブ領域内の画素分布密度が、前記第2表示サブ領域内の画素分布密度より大きく、
前記遷移表示サブ領域内の画素分布密度が、前記第1表示サブ領域内の画素分布密度より小さく、且つ前記遷移表示サブ領域内の画素分布密度が、前記第2表示サブ領域内の画素分布密度より大きく、
前記第1表示サブ領域内には、隣接して設置された複数の第1画素ユニットと第2画素ユニットを含み、前記第1画素ユニットは、第1サブ画素と第2サブ画素を含み、前記第2画素ユニットは、第3サブ画素と第2サブ画素を含み、
前記第2表示サブ領域内には、複数の第3画素ユニットを含み、前記第3画素ユニットは、隣接して設置された第1サブ画素、第2サブ画素及び第3サブ画素を含み、
前記遷移表示サブ領域内には、複数の第4画素ユニットを含み、前記第4画素ユニットは、隣接して設置された第1サブ画素、第2サブ画素、第3サブ画素を含む。
【0005】
本開示の実施例では、前記第2表示サブ領域の少なくとも一部の辺が前記表示領域の少なくとも一部の辺と重なり、且つ、前記第2表示サブ領域の残りの部分が前記遷移表示サブ領域で囲まれており、
前記第1表示サブ領域は、前記第2表示サブ領域から離れた前記遷移表示サブ領域の一側に位置するようにしてもよい。
【0006】
本開示の実施例では、前記第1表示サブ領域、前記遷移表示サブ領域及び前記第2表示サブ領域は、行方向に沿って配列され、又は前記第1表示サブ領域、前記遷移表示サブ領域及び前記第2表示サブ領域は、列方向に沿って配列されるようにしてもよい。
【0007】
本開示の実施例では、前記表示領域は、略矩形状であり、前記第2表示サブ領域は、円形状、水滴形状、矩形状及び台形状のうちの1種であるようにしてもよい。
【0008】
本開示の実施例では、前記遷移表示サブ領域は、凹字形であるようにしてもよい。
【0009】
本開示の実施例では、前記遷移表示サブ領域は、前記第2表示サブ領域を囲んで設置され、前記第1表示サブ領域は、前記遷移表示サブ領域を囲んで設置されるようにしてもよい。
【0010】
本開示の実施例では、前記第1表示サブ領域、前記遷移表示サブ領域及び前記第2表示サブ領域は、連続した表示領域を形成し、且つ前記表示領域の形状が略矩形状であるようにしてもよい。
【0011】
本開示の実施例では、前記遷移表示サブ領域の面積が前記第2表示サブ領域の面積より小さく、前記第2表示サブ領域の面積が前記第1表示サブ領域の面積より小さいようにしてもよい。
【0013】
本開示の実施例では、前記第2表示サブ領域内のサブ画素は、前記第1表示サブ領域内のサブ画素の一部とは、同一行にあるようにしてもよい。
【0014】
本開示の実施例では、前記第2表示サブ領域内のサブ画素は、前記第1表示サブ領域内のサブ画素の一部とは、同一列にあるようにしてもよい。
【0015】
本開示の実施例では、前記遷移表示サブ領域内のサブ画素は、前記第1表示サブ領域内のサブ画素の一部とは、同一行にあるようにしてもよい。
【0016】
本開示の実施例では、前記遷移表示サブ領域内のサブ画素は、前記第1表示サブ領域内のサブ画素の一部とは、同一列にあるようにしてもよい。
【0017】
本開示の実施例では、前記予め設定された幅は、少なくとも1つの第4画素の第1方向に沿う幅を含み、前記第1方向が行方向と列方向のうちの1つであるようにしてもよい。
【0018】
本開示の実施例では、前記予め設定された幅は、複数の第4画素ユニットの前記第1方向に沿う幅を含み、且つ前記第1表示サブ領域に近い第4画素ユニットであるほど、それにおける同種類のサブ画素の発光面積が大きいようにしてもよい。
【0019】
本開示の実施例では、前記遷移表示サブ領域内には、列方向に沿って隣接する2つの第4画素ユニットにおけるサブ画素の配列順番が反対であるようにしてもよい。
【0020】
本開示の実施例では、前記遷移表示サブ領域内には、行方向に沿って隣接する2つの第4画素ユニットにおけるサブ画素の配列順番が同じであるようにしてもよい。
【0021】
本開示の実施例では、前記遷移表示サブ領域内の1つの第1サブ画素の発光面積が前記第1表示サブ領域内の1つの第1サブ画素の発光面積に等しく、
前記遷移表示サブ領域内の1つの第2サブ画素の発光面積が前記第1表示サブ領域内の1つの第2サブ画素の発光面積に等しく、
前記遷移表示サブ領域内の1つの第3サブ画素の発光面積が前記第1表示サブ領域内の1つの第3サブ画素の発光面積に等しいようにしてもよい。
【0022】
本開示の実施例では、前記第2表示サブ領域内の1つの第1サブ画素の発光面積が前記第1表示サブ領域内の1つの第1サブ画素の発光面積より大きく又はそれに等しく、
前記第2表示サブ領域内の1つの第2サブ画素の発光面積が前記第1表示サブ領域内の1つの第2サブ画素の発光面積より大きく又はそれに等しく、
前記第2表示サブ領域内の1つの第3サブ画素の発光面積が前記第1表示サブ領域内の1つの第3サブ画素の発光面積より大きく又はそれに等しいようにしてもよい。
【0023】
本開示の実施例では、前記遷移表示サブ領域内には、前記第4画素ユニットにおける前記第1サブ画素、前記第2サブ画素及び前記第3サブ画素は、同一行に設置されるようにしてもよい。
【0024】
本開示の実施例では、前記第2表示サブ領域内には、複数の前記第3画素ユニットは、マトリクス状に配列されるようにしてもよい。
【0025】
本開示の実施例では、前記第2表示サブ領域内には、複数の前記第3画素ユニットは、チェッカーボード状に配列されるようにしてもよい。
【0026】
本開示の実施例では、前記第2表示サブ領域内の第3画素ユニットにおいて、3つのサブ画素は二行に設置されるようにしてもよい。
【0027】
本開示の実施例では、同一前記第3画素ユニットにおいて、前記第1サブ画素の中心と前記第3サブ画素の中心との接続線における前記第2サブ画素の中心の正投影が、前記第1サブ画素の中心と前記第3サブ画素の中心との間にあるようにしてもよい。
【0028】
本開示の実施例では、前記第2表示サブ領域内には、前記第3画素ユニットにおける前記第1サブ画素、前記第2サブ画素及び前記第3サブ画素は、同一行に順次設置されているようにしてもよい。
【0029】
本開示の実施例では、前記第2表示サブ領域内には、行方向に沿って隣接する2つの第3画素ユニットにおけるサブ画素の配列順番が同じであり、列方向に沿って隣接する2つの第3画素ユニットにおけるサブ画素の配列順番が反対であるようにしてもよい。
【0030】
本開示の実施例では、前記第2表示サブ領域内には、前記第3画素ユニットの各々におけるサブ画素の配列順番が同じであるようにしてもよい。
【0031】
本開示の実施例では、前記第2表示サブ領域内には、同一列にある前記第3画素ユニットの各々におけるサブ画素の配列順番が同じであり、
隣接する2列分の前記2第3画素ユニットのうち、1列の前記第3画素ユニットにおけるサブ画素の配列順は、他の列の前記第3画素ユニットにおけるサブ画素の配列順番と反対であるようにしてもよい。
【0032】
本開示の実施例では、前記第1表示サブ領域内には、前記第1画素ユニットと前記第2画素ユニットが列方向に交互して配列され、前記第1画素ユニットと前記第2画素ユニットが行方向に交互して配列されるようにしてもよい。
【0033】
本開示の実施例では、前記第1画素ユニットにおいて、第2サブ画素と第1サブ画素が同一行に配列され、前記第2画素ユニットにおいて、第2サブ画素と第3サブ画素が同一行に配列され、
行方向に沿って隣接する第1画素ユニットと第2画素ユニットについて、前記第1画素ユニットにおける第2サブ画素と前記第2画素ユニットにおける第2サブ画素が直接隣接しないようにしてもよい。
【0034】
本開示の実施例では、前記第1表示サブ領域内には、1つの前記第1サブ画素の発光面積、1つの前記第2サブ画素の発光面積及び1つの前記第3サブ画素の発光面積が同じであるようにしてもよい。
【0035】
本開示の実施例では、前記第1画素ユニットにおいて、前記第2サブ画素と前記第1サブ画素が同一行に配列され、前記第2画素ユニットにおいて、前記第2サブ画素と前記第3サブ画素が行及び列をずらして配列され、
列方向に沿って隣接する第1画素ユニットと第2画素ユニットを1つの画素群とし、同一前記画素群には、前記第1画素ユニットにおける前記第2サブ画素と前記第2画素ユニットにおける前記第2サブ画素が同一列にあるようにしてもよい。
【0036】
本開示の実施例では、前記第1表示サブ領域内には、1つの前記第2サブ画素の発光面積が1つの前記第1サブ画素の発光面積より小さく、1つの前記第2サブ画素の発光面積が1つの前記第3サブ画素の発光面積より小さく、
同一前記画素群には、2つの前記第2サブ画素は、行方向に対して対称的に設置されるようにしてもよい。
【0037】
本開示の実施例では、前記画素群では、前記第1サブ画素と前記第3サブ画素の形状が一致し、且つ2つの前記第2サブ画素の組み合わせの形状が前記第1サブ画素の形状と一致するようにしてもよい。
【0038】
本開示の実施例では、前記第1表示サブ領域、前記遷移表示サブ領域及び前記第2表示サブ領域のうち、少なくとも1つのサブ領域内には、前記第1サブ画素及び前記第3サブ画素のうちの1種のサブ画素の形状が一致し、
前記第2表示サブ領域及び前記遷移表示サブ領域のうち、少なくとも1つのサブ領域内には、前記第2サブ画素の形状と前記第1表示サブ領域内の第2サブ画素の形状が一致しているようにしてもよい。
【0039】
本開示の実施例では、前記第1表示サブ領域、前記遷移表示サブ領域及び前記第2表示サブ領域のうち、少なくとも1つのサブ領域内には、前記第1サブ画素、前記第2サブ画素、前記第3サブ画素の形状が一致しているようにしてもよい。
【0041】
本開示の実施例では、前記第1表示サブ領域内には、前記第1画素ユニットの各々におけるサブ画素の配列順番が同じであり、前記第2画素ユニットの各々におけるサブ画素の配列順番が同じであるようにしてもよい。
【0042】
それに対応して、本開示の実施例は、上記表示基板を備える表示装置をさらに提供する。
【0043】
本開示の実施例では、前記表示基板を駆動するように配置される駆動器を備え、前記駆動器は、
原画像データを受信し、
前記第1表示サブ領域内の各前記サブ画素について、原画像データにおいてそれに対応するサブ画素の初期グレースケール値に基づいて、該サブ画素の目標グレースケール値を決定し、
前記遷移表示サブ領域内の各前記サブ画素について、前記遷移表示サブ領域の画素分布密度、及び原画像データにおいて該サブ画素に対応する領域に対応するサブ画素の初期グレースケール値に基づいて、該サブ画素の目標グレースケール値を決定し、
前記第2表示サブ領域内の各前記サブ画素について、前記サブ画素の発光面積、前記第2表示サブ領域の画素分布密度、及び原画像データにおいて該サブ画素に対応する領域に対応するサブ画素の初期グレースケール値に基づいて、該サブ画素の目標グレースケール値を決定し、
その目標グレースケール値に基づいて表示するように、前記表示基板内の各サブ画素を駆動するように配置されるようにしてもよい。
【0044】
それに対応して、本開示の実施例は、上記表示基板を駆動する駆動方法をさらに提供し、
原画像データを受信するステップと、
前記第1表示サブ領域内の各前記サブ画素について、原画像データにおいてそれに対応するサブ画素の初期グレースケール値に基づいて、該サブ画素の目標グレースケール値を決定するステップと、
前記遷移表示サブ領域内の各前記サブ画素について、前記遷移表示サブ領域の画素分布密度、及び原画像データにおいて該サブ画素が位置する領域に対応するサブ画素の初期グレースケール値に基づいて、該サブ画素の目標グレースケール値を決定するステップと、
前記第2表示サブ領域内の各前記サブ画素について、前記サブ画素の発光面積、前記第2表示サブ領域の画素分布密度、及び原画像データにおいて該サブ画素が位置する領域に対応するサブ画素の初期グレースケール値に基づいて、該サブ画素の目標グレースケール値を決定するステップと、
その目標グレースケール値に基づいて表示するように、前記表示基板内の各サブ画素を駆動するステップと、を含む。
【0045】
本開示の実施例では、前記第1表示サブ領域内の各前記サブ画素について、該サブ画素の目標グレースケール値を決定するステップは、具体的には、
前記第1サブ画素について、式
【0046】
【数1】
【0047】
(式中、Gammaは、表示基板のガンマ値を表し、x1及びx2は、それぞれ原画像データにおいて前記第1サブ画素に対応する2つの第1サブ画素の初期グレースケール値である。)により、それに対応する目標グレースケール値Xを決定することと、
前記第2サブ画素の目標グレースケール値Yが原画像データにおいて前記第2サブ画素に対応する1つの第2サブ画素の初期グレースケール値yに等しいことと、
前記第3サブ画素について、式
【0048】
【数2】
【0049】
(式中、z1及びz2は、それぞれ原画像データにおいて前記第3サブ画素に対応する2つの第3サブ画素の初期グレースケール値である。)により、それに対応する目標グレースケール値Zを決定することと、を含むようにしてもよい。
【0050】
本開示の実施例では、前記第2表示サブ領域内の各前記サブ画素について、該サブ画素の目標グレースケール値を決定するステップは、具体的には、
前記サブ画素について、式
【0051】
【数3】
【0052】
(式中、nは、1~Nの任意の整数であり、Nは、原画像データにおいて前記サブ画素に対応するサブ画素の数であり、Gammaは、表示基板のガンマ値を表し、sは、前記第1表示領域内の前記サブ画素の発光面積と前記第2表示サブ領域内の前記サブ画素の発光面積との比を表し、ρは、前記第1表示サブ領域内の画素分布密度と前記第2表示サブ領域内の画素分布密度との比を表し、kは、誤差調整係数であり、xnは、原画像データにおいて前記サブ画素に対応するn番目のサブ画素の初期グレースケール値である。)により、それに対応する目標グレースケール値Xを決定することを含むようにしてもよい。
【0053】
本開示の実施例では、前記遷移表示サブ領域内の各前記サブ画素について、該サブ画素の目標グレースケール値を決定するステップは、具体的には、
前記サブ画素について、式
【0054】
【数4】
【0055】
(式中、Nは、原画像データにおいて前記サブ画素に対応するサブ画素の数であり、Gammaは、表示基板のガンマ値を表し、sは、前記第1表示領域内の前記サブ画素の発光面積と前記第2表示サブ領域内の前記サブ画素の発光面積との比を表し、ρは、前記第1表示サブ領域内の画素分布密度と前記第2表示サブ領域内の画素分布密度との比を表し、kは、誤差調整係数であり、x1~xNは、それぞれ原画像データにおいて前記サブ画素に対応するN個のサブ画素の初期グレースケール値である。)により、それに対応する目標グレースケール値Xを決定することを含むようにしてもよい。
【0056】
本開示の実施例では、前記遷移表示サブ領域内の各前記サブ画素について、該サブ画素の目標グレースケール値を決定するステップは、具体的には、
前記第1サブ画素について、式
【0057】
【数5】
【0058】
(式中、Gammaは、表示基板のガンマ値を表し、x1及びx2は、それぞれ原画像データにおいて前記第1サブ画素に対応する2つの第1サブ画素の初期グレースケール値である。)により、それに対応する目標グレースケール値Xを決定することと、
前記第1サブ画素について、式
【0059】
【数6】
【0060】
(yは、原画像データにおいて前記第2サブ画素に対応する1つの第2サブ画素の初期グレースケール値yを表す。)により、それに対応する目標グレースケール値Yを決定することと、
前記第3サブ画素について、式
【0061】
【数7】
【0062】
(式中、z1及びz2は、それぞれ原画像データにおいて前記第3サブ画素に対応する2つの第3サブ画素の初期グレースケール値である。sは、前記第1表示領域内の前記サブ画素の発光面積と前記第2表示サブ領域内の前記サブ画素の発光面積との比を表し、ρは、前記第1表示サブ領域内の画素分布密度と前記第2表示サブ領域内の画素分布密度との比を表し、kは、誤差調整係数である。)により、それに対応する目標グレースケール値Zを決定することとを、含むようにしてもよい。
【0063】
それに対応して、本開示の実施例は、上記表示基板を製造するように配置される高精度メタルマスクであって、前記第1サブ画素、第2サブ画素及び第3サブ画素のうち1つのサブ画素の形状及び位置に対応する複数の開口領域を含む高精度メタルマスクをさらに提供する。
【図面の簡単な説明】
【0064】
図1a】本開示の実施例による表示基板の構造模式図1である。
図1b】本開示の実施例による表示基板の構造模式図2である。
図1c】本開示の実施例による表示基板の構造模式図3である。
図1d】本開示の実施例による表示基板の構造模式図4である。
図1e】本開示の実施例による表示基板の構造模式図5である。
図1f】本開示の実施例による表示基板の構造模式図6である。
図1g】本開示の実施例による表示基板の構造模式図7である。
図1h】本開示の実施例による表示基板の構造模式図8である。
図2】本開示の実施例による表示基板の部分構造模式図1である。
図3】本開示の実施例による表示基板の部分構造模式図2である。
図4】本開示の実施例による表示基板の部分構造模式図3である。
図5】本開示の実施例による表示基板の部分構造模式図4である。
図6】本開示の実施例による表示基板の部分構造模式図5である。
図7】本開示の実施例による表示基板の部分構造模式図6である。
図8】本開示の実施例による表示基板の部分構造模式図7である。
図9】本開示の実施例による表示基板の部分構造模式図8である。
図10】本開示の実施例による表示基板の部分構造模式図9である。
図11】本開示の実施例による表示基板の駆動方法の模式的フローチャートである。
図12】本開示の実施例による高精度メタルマスクの構造模式図である。
【発明を実施するための形態】
【0065】
本開示の実施例は、表示基板、その駆動方法、表示装置及び高精度メタルマスクを提供する。本開示の目的、技術案及び利点をより明瞭にするために、以下、図面を参照しながら本開示をさらに詳細に説明するが、明らかなように、説明する実施例は、本開示の実施例の一部に過ぎず、すべての実施例ではない。本開示における実施例に基づいて、当業者が創造的な努力を必要とせずに想到しうるほかのすべての実施例は、本開示の特許範囲に属する。
【0066】
図面における各部材の形状及びサイズが実際な割合ではなく、本開示の内容を模式的に説明するためのものに過ぎない。
【0067】
本開示の実施例による表示基板では、図1a及び図1eに示すように、表示基板の表示領域は、第1表示サブ領域A1、第2表示サブ領域A2、及び第1表示サブ領域A1と第2表示サブ領域A2の間に位置し且つ予め設定された幅を有する遷移表示サブ領域A3を備える。
【0068】
且つ、第1表示サブ領域A1内の画素分布密度が第2表示サブ領域A2内の画素分布密度より大きく、遷移表示サブ領域A3内の画素分布密度が第1表示サブ領域A1内の画素分布密度より小さく、且つ遷移表示サブ領域A3内の画素分布密度が第2表示サブ領域A2内の画素分布密度より大きい。
【0069】
本開示の実施例による表示基板では、表示領域は、画素分布密度が大きな(即ち解像度が高い)第1表示サブ領域と画素分布密度が小さな(即ち解像度が低い)第2表示サブ領域を含むことによって、第2表示サブ領域内の画素分布密度が小さいため、カメラ、センサ、マイクなどの素子を第2表示サブ領域に設置することができ、つまり、局所の画素分布密度を低減させることで画面の光透過率を向上させる方式によって、表示基板の画面占有率を向上させる。且つ第1表示サブ領域と第2表示サブ領域との間には画素分布密度(解像度)が両方の画素分布密度の間にある遷移表示サブ領域を設置することで、第1表示サブ領域の輝度が遷移表示サブ領域を介して第2表示サブ領域に遷移し、それによって第1表示サブ領域に近い第2表示サブ領域の境界に暗縞が生じるという問題を回避する。
【0070】
なお、画素分布密度とは、単位面積に均等に設置された画素の個数をいう。単位面積に設置された画素の個数が多いと、画素分布密度が大きくなり、解像度が高くなる。逆には、単位面積に設置された画素の個数が少ないと、画素分布密度が小さくなり、解像度が低くなる。
【0071】
特定の実施形態では、遷移表示サブ領域を設置しないと、第2表示サブ領域の画素分布密度が第1表示サブ領域の画素分布密度より小さいため、表示する際に、第2表示サブ領域の輝度と第1表示サブ領域の輝度とに有意な差異があることで、第1表示サブ領域と第2表示サブ領域の境界部位に人間の目により視認可能な明らかな暗縞が生じる。暗縞を緩和させるために、本開示の実施例では、第1表示サブ領域と第2表示サブ領域の間には遷移表示サブ領域が設置され、遷移表示サブ領域を利用して第2表示サブ領域の境界での輝度の差異を低減させることで、暗縞を緩和させる。
【0072】
特定の実施形態では、本開示の実施例による表示基板において、第2表示サブ領域は、1つ又は複数であってもよい。且つ、第1表示サブ領域は、連続した領域であってもよく、第1表示サブ領域は、連続していない領域であってもよく、実際の適用場面に応じて設計すればよく、ここで限定しない。
【0073】
さらに、本開示の実施例では、画素分布密度の計算式は、具体的には、
【0074】
【数8】
【0075】
(式中、ρは、画素分布密度を表し、xは、行方向における表示画素の数を表し、yは、列方向における表示画素の数を表し、Sは、画面面積を表す。)である。
【0076】
特定の実施形態では、本開示の実施例による表示基板において、図1a~図1fに示すように、第2表示サブ領域A2の少なくとも一部の辺が表示領域の少なくとも一部の辺と重なり、且つ、第2表示サブ領域A2の残りの部分が遷移表示サブ領域A3で囲まれている。さらに、第1表示サブ領域A1は、第2表示サブ領域A2から離れた遷移表示サブ領域A3の一側に位置する。このようにして、第2表示サブ領域A2と遷移表示サブ領域A3を表示領域の縁部に設置することができる。表示領域は、略矩形状であるようにしてもよく、たとえば、表示領域の頂角がすべて直角である場合、表示領域は、矩形状となる。或いは、表示領域の頂角がアーチ状の角である場合、表示領域の形状が略矩形状となる。さらに、特定の実施形態では、第2表示サブ領域A2の形状を規則的な形状に設置してもよく、たとえば、図1aに示すように、第2表示サブ領域A2を矩形状に設置してもよい。該矩形状の頂角がアーチ状の角であってもよい。図1bに示すように、第2表示サブ領域A2を台形状に設置してもよい。該台形状の頂角がアーチ状の角であってもよい。図1cに示すように、第2表示サブ領域A2を円形状に設置してもよい。勿論、第2表示サブ領域A2の形状を非規則的な形状に設置してもよい。たとえば、図1dに示すように、第2表示サブ領域A2を水滴形状に設置してもよい。勿論、実際に適用する場合、第2表示サブ領域の形状を第2表示サブ領域に設置された素子の形状に応じて設計してもよく、ここで限定しない。
【0077】
特定の実施形態では、本開示の実施例による表示基板において、図1eに示すように、第1表示サブ領域A1、遷移表示サブ領域A3及び第2表示サブ領域A2が行方向に沿って配列されてもよい。第2表示サブ領域A2、遷移表示サブ領域A3及び第1表示サブ領域A1が上方から下方への順番に配列されてもよい。このようにして、第2表示サブ領域A2が位置する領域には、センサ、たとえば、顔認識を行うセンサ(たとえば、赤外線センサなど)が設置されてもよい。
【0078】
特定の実施形態では、本開示の実施例による表示基板において、図1fに示すように、第1表示サブ領域A1、遷移表示サブ領域A3及び第2表示サブ領域A2が列方向に沿って配列されてもよい。第2表示サブ領域A2、遷移表示サブ領域A3及び第1表示サブ領域A1が左から右への順番に配列されてもよい。このようにして、第2表示サブ領域A2が位置する領域には、センサ、たとえば、顔認識を行うセンサ(たとえば、赤外線センサなど)が設置されてもよい。
【0079】
特定の実施形態では、本開示の実施例による表示基板において、図1a~図1dに示すように、遷移表示サブ領域A3を凹字形に設置してもよい。たとえば、図1a及び図1bに示すように、遷移表示サブ領域A3は、6個の辺を有し、この6個の辺には、第2表示サブ領域に隣接する遷移表示サブ領域A3の3個の辺及び第1表示サブ領域に隣接する遷移表示サブ領域A3の3個の辺が含まれる。それによって、第2表示サブ領域、遷移表示サブ領域及び第1表示サブ領域は、補完的な形状となり、矩形状をなす。
【0080】
特定の実施形態では、本開示の実施例による表示基板において、図1e及び図1fに示すように、遷移表示サブ領域A3は、第2表示サブ領域A2を囲んで設置され、第1表示サブ領域A1は、遷移表示サブ領域A2を囲んで設置される。このようにして、第2表示サブ領域A2及び遷移表示サブ領域A3を表示領域の内部に設置することができる。特定の実施形態では、第2表示サブ領域A2の形状を円形状又は楕円形状にすることができ、この場合、遷移表示サブ領域A3の形状を環状に設置できるようにしてもよい。勿論、実際に適用する場合、第2表示サブ領域の形状を第2表示サブ領域に設置された素子の形状に応じて設計してもよく、ここで限定しない。
【0081】
特定の実施形態では、本開示の実施例による表示基板において、図1a~図1fに示すように、第1表示サブ領域A1、遷移表示サブ領域A3及び第2表示サブ領域A2は、連続した表示領域を形成し、且つ表示領域の形状が略矩形状である。
【0082】
なお、本開示の実施例では、矩形状の頂角が直角であってもよく、アーチ状の角であってもよく、ここで限定しない。
【0083】
特定の実施形態では、本開示の実施例による表示基板において、第1表示サブ領域と第2表示サブ領域との相対位置関係及び形状について特に限定がなく、表示基板の画面に応じて設置してもよい。携帯電話を例にすると、図1a~図1dに示すように、第2表示サブ領域A2が第1表示サブ領域A1の中央よりも上側に設置されてもよく、図1eに示すように、第2表示サブ領域A2が第1表示サブ領域A1の中央に設置されてもよく、図1fに示すように、第2表示サブ領域A2が第1表示サブ領域A1の左上隅に設置されてもよく、ここで限定しない。
【0084】
特定の実施形態では、本開示の実施例による表示基板において、図1a~図1fに示すように、遷移表示サブ領域A3の面積を第2表示サブ領域A2の面積より小さく、第2表示サブ領域A2の面積を第1表示サブ領域A1の面積より小さくすることができる。勿論、実際に適用する場合、第2表示サブ領域の面積は、第2表示サブ領域に設置された素子に応じて設計してもよく、ここで限定しない。
【0085】
特定の実施形態では、本開示の実施例による表示基板において、第2表示サブ領域内の画素分布密度が第2表示サブ領域に設置されるべき素子に応じて决定され、ここで限定しない。たとえば、第2表示サブ領域にカメラが設置される場合を例にすると、画素分布密度が大きすぎると、良好な表示効果を確保できるが、撮像の明瞭さに悪影響を及ぼす。画素分布密度が小さすぎると、高い撮像の明瞭さを確保できるが、表示効果を損なう。特定の実施形態では、従来の表示パネルにより達成可能な解像度でも、一般には、第2表示サブ領域の画素分布密度が第1表示サブ領域の画素分布密度の1/4である。たとえば、第2表示サブ領域の画素分布密度が第1表示サブ領域の画素分布密度の1/2、1/3又は1/4である。勿論、表示パネルの解像度をより高くすることができると、第2表示サブ領域の画素分布密度と第1表示サブ領域の画素分布密度との比を小さく設定することができ、ここで特に限定しない。
【0086】
一般に、表示領域には、画素ユニットが設置され、画素ユニットには、複数のサブ画素が設置され、本開示の実施例における画素とは、1つの画素点を独立して表示可能なサブ画素の組み合わせであってもよく、たとえば、1つの画素とは、1つの画素ユニットである。本開示の実施例による表示基板において、図2図9に示すように、第1表示サブ領域A1内には、隣接して設置された複数の第1画素ユニット10と第2画素ユニット20を含み、第1画素ユニット10は、第1サブ画素1と第2サブ画素2を含み、第2画素ユニット20は、第3サブ画素3と第2サブ画素2を含むようにしてもよい。表示する際に、第1表示サブ領域A1内の画素の数が第1画素ユニット10の数と第2画素ユニット20の数との和に等しい。即ち、第1表示サブ領域A1内の画素配列がPantile配列であり、表示する際に、画素ユニットは、隣接する画素ユニットにおけるサブ画素を利用して、物理的解像度よりも高い解像度を実現できる。
【0087】
第2表示サブ領域A2内には、複数の第3画素ユニット30を含み、第3画素ユニット30は、隣接して設置された第1サブ画素1、第2サブ画素2及び第3サブ画素3を含む。表示する際に、第2表示サブ領域A2内の画素の数が第3画素ユニット30の数に等しい。即ち、第2表示サブ領域A2内の画素の物理的解像度がその表示解像度となる。
【0088】
遷移表示サブ領域A3内には、複数の第4画素ユニット40を含み、第4画素ユニット40は、隣接して設置された第1サブ画素1、第2サブ画素2、第3サブ画素3を含む。表示する際に、遷移表示サブ領域A3内の画素の数が第4画素ユニット40の数に等しい。即ち、遷移表示サブ領域A3内の画素の物理的解像度がその表示解像度となる。
【0089】
特定の実施形態では、第1サブ画素、第2サブ画素及び第3サブ画素は、一般に、それぞれ赤色サブ画素、緑色サブ画素及び青色サブ画素のうちの1種である。本開示の実施例による表示基板において、第2サブ画素は、緑色サブ画素であり、第1サブ画素は、赤色又は青色サブ画素であり、第3サブ画素は、青色又は赤色サブ画素であるようにしてもよい。
【0090】
なお、画素ユニットは、1つの画素点を表示するサブ画素の組み合わせであってもよく、たとえば、赤色サブ画素、緑色サブ画素及び青色サブ画素のうちの2個、3個、4個以上のサブ画素の組み合わせである。或いは、画素ユニットは、基本繰り返しユニット又は画素の組み合わせであってもよく、たとえば、赤色サブ画素、緑色サブ画素及び青色サブ画素の組み合わせである。
【0091】
特定の実施形態では、本開示の実施例による表示パネルにおいて、2つのサブ画素が隣接して設置されるとは、該2つのサブ画素の間にほかのサブ画素が存在しないことをいう。
【0092】
なお、本開示の実施例による表示パネルにおいて、表示サブ領域の縁部の空間が制限されるので、第1表示サブ領域内のサブ画素の配置、第2表示サブ領域内のサブ画素の配置及び遷移表示サブ領域内のサブ画素の配置は、主に表示サブ領域の内部のことを意味し、表示領域の縁部では、一部のサブ画素の配置がほかの領域と異なる可能性があり、ここで限定しない。
【0093】
特定の実施形態では、本開示の実施例による表示基板において、第3画素ユニットの配列構造は、第4画素ユニットの配列構造とは、同じであってもよく、異なってもよく、ここで限定しない。
【0094】
本開示の実施例による表示基板において、第3画素ユニットと第4画素ユニットの配列構造が同じであるようにしてもよい。プロセスのパターニングを容易にする一方、表示基板全体のパターニングに有利である。
【0095】
本開示の実施例による表示基板において、図2図5に示すように、第2表示サブ領域A2内のサブ画素は、第1表示サブ領域A1内のサブ画素の一部とは、同一行にあるようにしてもよい。このようにして、第2表示サブ領域A2及び第1表示サブ領域A1内のサブ画素のサブ画素が行方向において行又は列をずらして設置されるのではなく、対応することに相当する。このようにして、製造をするときに、もともと表示領域全体に規則的に配列されたサブ画素マスクのうち、第2表示サブ領域A2内のサブ画素の一部を省略することに相当し、製造プロセスがより容易になる。
【0096】
本開示の実施例による表示基板において、図2図9に示すように、第2表示サブ領域A2内のサブ画素は、第1表示サブ領域A1内のサブ画素の一部とは、同一列にあるようにしてもよい。このようにして、第2表示サブ領域A2及び第1表示サブ領域A1内のサブ画素のサブ画素が列方向において行又は列をずらして設置されるのではなく、対応することに相当する。このようにして、製造をするときに、もともと表示領域全体に規則的に配列されたサブ画素マスクのうち、第2表示サブ領域A2内のサブ画素の一部を省略することに相当し、製造プロセスがより容易になる。
【0097】
本開示の実施例による表示基板において、図2図5に示すように、遷移表示サブ領域A3内のサブ画素は、第1表示サブ領域A1内のサブ画素の一部とは、同一行にあるようにしてもよい。このようにして、遷移表示サブ領域A3内のサブ画素と第1表示サブ領域A1内のサブ画素が、行方向において行又は列をずらして設置されるのではなく、対応することに相当する。このようにして、製造をするときに、もともと表示領域全体に規則的に配列されたサブ画素マスクのうち、遷移表示サブ領域A3内のサブ画素の一部を省略することに相当し、製造プロセスがより容易になる。
【0098】
本開示の実施例による表示基板において、図2図9に示すように、遷移表示サブ領域A3内のサブ画素は、第1表示サブ領域A1内のサブ画素位の一部とは、同一列にあるようにしてもよい。このようにして、遷移表示サブ領域A3内のサブ画素と第1表示サブ領域A1内のサブ画素が、列方向において行又は列をずらして設置されるのではなく、対応することに相当する。このようにして、製造をするときに、もともと表示領域全体に規則的に配列されたサブ画素マスクのうち、遷移表示サブ領域A3内のサブ画素の一部を省略することに相当し、製造プロセスがより容易になる。
【0099】
このようにして、第2表示サブ領域A2及び遷移表示サブ領域A3内のサブ画素と第1表示サブ領域A1内のサブ画素が、行方向又は列方向において行又は列をずらして設置されるのではなく、対応することに相当するようにしてもよい。このようにして、製造をするときに、もともと表示領域全体に規則的に配列されたサブ画素マスクのうち、第2表示サブ領域A2内のサブ画素の一部を省略し、遷移表示サブ領域A3内のサブ画素の一部を省略することに相当し、製造プロセスがより容易になる。たとえば、図2に示すように、第1表示サブ領域A1に比べて遷移表示サブ領域A2が半分の第2サブ画素2を省略するため、その解像度が第1表示サブ領域A1の1/2である。第1表示サブ領域A1に比べて第2表示サブ領域A2が3/4の第2サブ画素2、半分の第1サブ画素1及び半分の第3サブ画素3を省略するため、その解像度が第1表示サブ領域A1の1/4である。
【0100】
特定の実施形態では、遷移表示サブ領域の幅、即ち予め設定された幅は、具体的には、表示効果及び表示基板の画面寸法に応じて設計できる。予め設定された幅は、少なくとも1つの第4画素ユニットの第1方向に沿う幅を含むようにしてもよい。第1方向は、行方向及び列方向のうちの1つであってもよい。たとえば、予め設定された幅は、少なくとも1つの第4画素ユニットの行方向に沿う幅を含んでもよい。特定の実施形態では、遷移表示サブ領域を設置することが表示基板の解像度を犠牲にするため、予め設定された幅は、一般に広すぎてはならない。一般には、1つの第4画素ユニットの行方向に沿う幅であれば、本開示が達成できる効果を実現できる。勿論、表示基板の画面寸法が大きい場合、予め設定された幅も広く設定することができ、たとえば、予め設定された幅は、複数の第4画素ユニットの行方向に沿う幅であってもく、ここで限定しない。なお、予め設定された幅は、少なくとも第4画素ユニットの行方向に沿う幅、及び第4画素ユニットの間の隙間を含んでもよい。
【0101】
特定の実施形態では、予め設定された幅は、少なくとも1つの第4画素ユニットの列方向に沿う幅を含んでもよい。さらに、予め設定された幅は、一般に広すぎてはならない。一般には、1つの第4画素ユニットの列方向に沿う幅であれば、本開示が達成できる効果を実現できる。勿論、表示基板の画面寸法が大きい場合、予め設定された幅も広く設定することができ、たとえば、予め設定された幅は、複数の第4画素ユニットの列方向に沿う幅であってもよく、ここで限定しない。なお、予め設定された幅は、少なくとも1つの第4画素ユニットの列方向に沿う幅、及び第4画素ユニットの間の隙間を含んでもよい。
【0102】
なお、本開示の実施例による表示基板において、予め設定された幅は、行方向に沿う予め設定された幅と、列方向に沿う予め設定された幅のうちの少なくとも1つを含んでもよい。行方向に沿う予め設定された幅は、第4画素ユニットの行方向に沿う幅であってもよく、列方向に沿う予め設定された幅は、第4画素ユニットの列方向に沿う幅であってもよい。たとえば、図2図5に示すように、遷移表示サブ領域A3の行方向に沿う予め設定された幅は、1つの第4画素ユニット40の行方向に沿う幅であり、遷移表示サブ領域A3の列方向に沿う予め設定された幅は、1つの第4画素ユニット40の列方向に沿う幅である。図6に示すように、遷移表示サブ領域A3の列方向に沿う予め設定された幅は、1つの第4画素ユニット40の列方向に沿う幅である。
【0103】
特定の実施形態では、第2表示サブ領域が正常に表示できるように、一般には、第2表示サブ領域の画素分布密度が小さすぎてはならない。第2表示サブ領域の画素分布密度が第1表示サブ領域の画素分布密度の1/4に設定できるようにしてもよい。それによって、遷移表示サブ領域の画素分布密度が第1表示サブ領域の画素分布密度の1/2に設定できる。
【0104】
勿論、特定の実施形態では、第2表示サブ領域と第1表示サブ領域との画素分布密度の差異が大きい場合、遷移表示サブ領域の画素分布密度は、第1表示サブ領域から第2表示サブ領域に向けて減少できる。
【0105】
特定の実施形態では、製造プロセスの観点からは、遷移表示サブ領域内のサブ画素の発光面積が第1表示サブ領域内のサブ画素の発光面積と一致する。即ち、本開示の実施例による表示基板において、図2図9に示すように、遷移表示サブ領域A3内の1つの第1サブ画素1の発光面積が第1表示サブ領域A1内の1つの第1サブ画素1の発光面積にほぼ等しい。遷移表示サブ領域A3内の1つの第2サブ画素2の発光面積が第1表示サブ領域A1内の1つの第2サブ画素2の発光面積にほぼ等しい。遷移表示サブ領域A3内の1つの第3サブ画素3の発光面積が第1表示サブ領域A1内の1つの第3サブ画素3の発光面積にほぼ等しい。実際のプロセスでは、プロセス条件による制限又はほかの因素、たとえば、配線又はビアの設置のため、偏差が生じることがあり、したがって、各サブ画素の発光面積の関係が上記条件を大体満足できれば、本発明の特許範囲に属する。
【0106】
特定の実施形態では、第2表示サブ領域の境界での暗縞を改善する観点からは、本発明の実施例では、図11に示すように、予め設定された幅には複数の第4画素ユニットの幅を含む場合、本開示の実施例による表示基板において、第1表示サブ領域A1に近い第4画素ユニット40であるほど、それにおける同種類のサブ画素の発光面積が大きくなる。このようにして、サブ画素の発光面積を調整することによって、遷移表示サブ領域の輝度を第1表示サブ領域から第2表示サブ領域に向けて減少させることができる。図11に示すように、予め設定された幅には3個の第4画素ユニットの幅、及び第1サブ画素1が含まれる場合を例にして説明すると、3行目の第4画素ユニット40は、第1表示サブ領域A1に最も近いので、その第1サブ画素1の発光面積が最大である。2行目の第4画素ユニット40は、第1表示サブ領域A1から最も離れているので、その第1サブ画素1の発光面積が1行目の第4画素ユニット40におけるサブ画素の発光面積よりも小さくなる。1行目の第4画素ユニット40は、第1表示サブ領域A1から最も離れているので、その第1サブ画素1の発光面積が最小である。且つ、第2サブ画素2及び第3サブ画素3についても同様であるため、ここで詳しく説明しない。
【0107】
特定の実施形態では、本開示の実施例による表示基板において、図11に示すように、遷移表示サブ領域A3内には、列方向に沿って隣接する2つの第4画素ユニット40におけるサブ画素の配列順番が反対している。たとえば、1列目を例にすると、1行目及び3行目にある第4画素ユニット40では、それぞれ第1サブ画素、第2サブ画素及び第3サブ画素は、左から右への順に配列される。2行目にある第4画素ユニット40では、第3サブ画素、第2サブ画素及び第1サブ画素は、左から右への順に配列される。
【0108】
特定の実施形態では、本開示の実施例による表示基板において、図11に示すように、遷移表示サブ領域A3内には、行方向に沿って隣接する2つの第4画素ユニット40におけるサブ画素の配列順番が同じである。たとえば、1行目を例にすると、1列目及び2列目にある第4画素ユニット40では、それぞれ第1サブ画素、第2サブ画素及び第3サブ画素は、左から右への順に配列される。さらに、各行にある各第4画素ユニット40におけるサブ画素の配列順番を同じにしてもよい。たとえば、1行目を例にすると、1列目~6列目にある第4画素ユニット40では、それぞれ第1サブ画素、第2サブ画素及び第3サブ画素は、左から右への順に配列される。
【0109】
特定の実施形態では、本開示の実施例による表示基板において、第4画素ユニットにおける第1サブ画素、第2サブ画素及び第3サブ画素の配列構造は、第1表示領域内には隣接して設置された第1サブ画素、第2サブ画素及び第3サブ画素の配列構造と同じであってもよく、このようにして、プロセスのパターニングが容易になる。同様に、特定の実施形態では、本開示の実施例による表示基板において、第3画素ユニットにおける第1サブ画素、第2サブ画素及び第3サブ画素の配列構造は、第1表示領域には隣接して設置された第1サブ画素、第2サブ画素及び第3サブ画素の配列構造と同じであってもよい。
【0110】
本開示の実施例による表示基板において、図2図10に示すように、遷移表示サブ領域A3内には、第4画素ユニット40における第1サブ画素1、第2サブ画素2及び第3サブ画素3は、同一行に設置されるようにしてもよい。或いは、同一列に順次隣接して設置されてもよく、ここで限定しない。
【0111】
本開示の実施例による表示基板において、第2表示サブ領域内の1つの第1サブ画素の発光面積が第1表示サブ領域内の1つの第1サブ画素の発光面積より大きく又はそれにほぼ等しい。第2表示サブ領域内の1つの第2サブ画素の発光面積が第1表示サブ領域内の1つの第2サブ画素の発光面積より大きく又はそれにほぼ等しい。第2表示サブ領域内の1つの第3サブ画素の発光面積が第1表示サブ領域内の1つの第3サブ画素の発光面積より大きく又はそれにほぼ等しいようにしてもよい。
【0112】
特定の実施形態では、第2表示サブ領域の画素分布密度が第1表示サブ領域の画素分布密度より小さいため、表示する際に、第2表示サブ領域の輝度が第1表示サブ領域の輝度より低く、このため、第1表示サブ領域と第2表示サブ領域の境界部位に人間の目により視認可能な明らかな暗縞が生じる。該暗縞の現象を緩和させるために、本開示の実施例による表示基板において、図9に示すように、第2表示サブ領域A2内の1つの第1サブ画素1の発光面積が第1表示サブ領域A1内の1つの第1サブ画素1の発光面積より大きく、第2表示サブ領域A2内の1つの第2サブ画素2の発光面積が第1表示サブ領域A1内の1つの第2サブ画素2の発光面積より大きく、第2表示サブ領域A2内の1つの第3サブ画素3の発光面積が第1表示サブ領域A1内の1つの第3サブ画素3の発光面積より大きいようにしてもよい。即ち、第2表示サブ領域A2内のサブ画素の発光面積を増大することで第2表示サブ領域A2と第1表示サブ領域A1との輝度の差を低減させ、それにより第2表示サブ領域A2と第1表示サブ領域A1との境界での暗縞を改善する。
【0113】
勿論、本開示の実施例による表示基板において、図2図8に示すように、第2表示サブ領域A2内の1つの第1サブ画素1の発光面積が第1表示サブ領域A1内の1つの第1サブ画素1の発光面積にほぼ等しく、第2表示サブ領域A2内の1つの第3サブ画素3の発光面積が第1表示サブ領域A1内の1つの第3サブ画素3の発光面積にほぼ等しいようにしてもよい。図2図5に示すように、第2表示サブ領域A2内の1つの第2サブ画素2の発光面積が第1表示サブ領域A1内の1つの第2サブ画素2の発光面積にほぼ等しい。勿論、上記発光面積の特定の実施形態については、実際の適用場面に応じて設計してもよく、ここで限定しない。
【0114】
本開示の実施例による表示基板において、図3及び図4に示すように、第2表示サブ領域A2内には、複数の第3画素ユニット30は、マトリクス状に配列されるようにしてもよい。
【0115】
本開示の実施例による表示基板において、図2図5図10に示すように、第2表示サブ領域A2内には、複数の第3画素ユニット30は、チェッカーボード状に配列されるようにしてもよい。即ち、複数の第3画素ユニット30は、行方向において1列おきに設置され、列方向において1行おきに設置される。たとえば、図6に示すように、奇数の行では、第3画素ユニット30は、偶数の列の位置に設置され、偶数の行では、第3画素ユニット30は、奇数の列の位置に設置され、それによって、第3画素ユニット30は、行方向と沿列方向の両方において均等に分布しており、第2表示サブ領域A2での輝度の均一性が確保される。且つ、このようにして、画面の下方におけるカメラで容易に撮像できるとともに、センサが外界環境からの信号を受信することに有利となるように、画素の隙間の透過率を向上できる。また、たとえば、奇数の行では、第3画素ユニット30は、奇数の列の位置に設置され、偶数の行では、第3画素ユニット30は、偶数の列の位置に設置され、それによって、いずれか2つの第3画素ユニットの間に一定の間隔があり、間隔は、たとえば、行方向では少なくとも1つの第3画素ユニットの行方向の長さであり、列方向では少なくとも1つの第3画素ユニットの列方向の長さであり、本開示の実施例では、これらについて限定しない。
【0116】
本開示の実施例による表示基板において、図4に示すように、第2表示サブ領域A2内の第3画素ユニット30において、第1サブ画素1と第3サブ画素3は、同一行に設置され、第2サブ画素2は、第1サブ画素1と第3サブ画素3が位置する行に隣接する行にあり、即ち第2サブ画素2と第1サブ画素1は、行をずらして設置されるようにしてもよい。たとえば、同一第3画素ユニット30において、第1サブ画素1と第3サブ画素3は、1行目にあり、第2サブ画素2は、2行目にある。このようにして、同一第3画素ユニット30における第1サブ画素、第2サブ画素及び第3サブ画素の中心の接続線が1つの三角形をなす。このようにして、第2表示サブ領域A2に横方向の明縞や暗縞が生じることを回避できる。
【0117】
なお、本開示の実施例による表示パネルにおいて、サブ画素の中心とは、サブ画素の発光領域の中心である。OLED表示パネルを例にすると、サブ画素は、一般に、陽極層、発光層及び陰極層から構成される積層構造を含み、表示する際に、該積層構造に対応する発光領域が該サブ画素の発光領域となる。このようにして、発光領域の占める面積を発光面積とすることができる。勿論、発光面積は、たとえば、画素画定層により限定された開口領域の占める面積としてもよく、ここで限定しない。
【0118】
本開示の実施例による表示基板において、図4に示すように、同一第3画素ユニット30において、第1サブ画素1の中心と第3サブ画素3の中心との接続線L1における第2サブ画素2の中心の正投影が、第1サブ画素1の中心と第3サブ画素3の中心との間にあり、たとえば、第1サブ画素1の中心と第3サブ画素3の中心との接続線L1における第2サブ画素2の中心の正投影が、接続線L1と直線L2の交差点にあるようにしてもよい。このようにして、第3画素ユニット30における第2サブ画素2の中心と第1サブ画素1の中心との間隔が、第2サブ画素2の中心と第3サブ画素3の中心との間隔に等しくなり、それにより3個のサブ画素が二等辺三角形状に配列され、第2表示サブ領域A2に縦方向の明縞や暗縞が生じることを回避する。
【0119】
特定の実施形態では、第2サブ画素2の中心と第1サブ画素1の中心との間の間隔及び第2サブ画素2の中心と第3サブ画素3の中心との間隔が完全に同じではない可能性があり、実際のプロセスでは、プロセス条件による制限又はほかの因素のため、たとえば、配線又はビアの設置のため、偏差が生じることがあり、したがって、各サブ画素の形状、位置及び相対位置関係が上記条件を大体満足できれば、本開示の特許範囲に属する。
【0120】
本開示の実施例による表示基板において、図2図3図5図11に示すように、第2表示サブ領域A2内には、第3画素ユニット30における第1サブ画素1、第2サブ画素2及び第3サブ画素3は、同一行に設置されるようにしてもよい。或いは、同一列に設置されてもよく、ここで限定しない。
【0121】
勿論、特定の実施形態では、本開示の実施例による表示基板において、図2図3図5図10に示すように、第3画素ユニット30において、第1サブ画素1、第2サブ画素2及び第3サブ画素3は、同一行に順次設置される。たとえば、第3画素ユニット30において、第1サブ画素1、第2サブ画素2及び第3サブ画素3は、左から右への順に同一行に順次設置される。或いは、同一列に順次設置されてもよく、ここで限定しない。さらに、図2図3図5図11に示すように、第3画素ユニット30において、第1サブ画素1、第2サブ画素2及び第3サブ画素3は、同一行に順次隣接して設置される。或いは、同一列に順次隣接して設置されてもよく、ここで限定しない。
【0122】
本開示の実施例による表示基板において、図3図5図7図10に示すように、第2表示サブ領域A2内には、行方向に沿って隣接する2つの第3画素ユニット30におけるサブ画素の行方向での配列順番が同じであり、列方向に沿って隣接する2つの第3画素ユニット30におけるサブ画素の行方向での配列順番が反対しているようにしてもよい。それによって、第2表示サブ領域A2内には、列方向において第1サブ画素1と第3サブ画素3が交互して配列され、列方向での色偏りの発生が抑えられる。なお、行方向に沿って隣接する2つの第3画素ユニット30におけるサブ画素の行方向での配列順番が同じであるとは、この2つの第3画素ユニット30における第1サブ画素1、第2サブ画素2、第3サブ画素3がすべて同じ順に配列されることを意味してもよい。たとえば、図3に示すように、1行目の第3画素ユニット30を例とすると、行方向において、隣接する2つの第3画素ユニット30における第1サブ画素1、第2サブ画素2、第3サブ画素3は、いずれも左から右へ順次配列される。たとえば、図4に示すように、1行目の第3画素ユニット30を例とすると、行方向において、隣接する2つの第3画素ユニット30における第1サブ画素1、第3サブ画素3、第2サブ画素2は、いずれも逆三角形状に配列される。
【0123】
特定の実施形態では、本開示の実施例による表示基板において、図6に示すように、第2表示サブ領域A2内には、第3画素ユニット30の各々におけるサブ画素の配列順番が同じであるようにすることができる。たとえば、図6に示すように、第3画素ユニット30の各々における第1サブ画素1、第2サブ画素2、第3サブ画素3は、いずれも左から右へ順次配列される。
【0124】
特定の実施形態では、本開示の実施例による表示基板において、図2及び図9に示すように、第2表示サブ領域A2内には、同一列にある第3画素ユニット30の各々におけるサブ画素の配列順番が同じであり、且つ隣接する2列にある第3画素ユニット30におけるサブ画素の配列順番が反対している。たとえば、図2に示すように、1列目及び3列目にある第3画素ユニット30の各々における第3サブ画素3、第2サブ画素2、第1サブ画素1は、いずれも左から右へ順次配列される。2列目及び4列目にある第3画素ユニット30の各々における第1サブ画素1、第2サブ画素2、第3サブ画素3は、いずれも左から右へ順次配列される。
【0125】
本開示の実施例による表示基板において、図2図11に示すように、第1表示サブ領域内には、第1画素ユニット10の各々におけるサブ画素の配列順番が同じであり、第2画素ユニット20の各々におけるサブ画素の配列順番が同じであるようにしてもよい。たとえば、図2図5に示すように、第1画素ユニット10の各々における第1サブ画素1、第2サブ画素2は、いずれも左から右へ順次配列される。第2画素ユニット20の各々における第3サブ画素3、第2サブ画素2は、いずれも左から右へ順次配列される。図6図11に示すように、第1画素ユニット10の各々における第1サブ画素1、第2サブ画素2は、いずれも左から右へ順次配列される。第2画素ユニット20の各々における第3サブ画素3、第2サブ画素2は、左上から右下への方向に順次配列される。
【0126】
本開示の実施例による表示基板において、図2図10に示すように、第1表示サブ領域A1内には、第1画素ユニット10と第2画素ユニット20は、いずれか1種のPantile配列方式で配列されるようにしてもよく、ここで限定しない。
【0127】
本開示の実施例による表示基板において、図2図10に示すように、第1表示サブ領域A1内には、第1画素ユニット10と第2画素ユニット20が列方向に交互して配列され、且つ第1画素ユニット10と第2画素ユニット20が行方向に交互して配列されるようにしてもよい。
【0128】
本開示の実施例による表示基板において、図2図5に示すように、第1画素ユニット10において、第2サブ画素2と第1サブ画素1が同一行に配列され、第2画素ユニット20において、第2サブ画素2と第3サブ画素3が同一行に配列されるようにしてもよい。且つ、行方向に沿って隣接する第1画素ユニット10及び第2画素ユニット20の場合、第1画素ユニット10における第2サブ画素2と第2画素ユニット20における第2サブ画素2が直接隣接しない。たとえば、行方向に沿って隣接する第1画素ユニット10及び第2画素ユニット20の場合、第1画素ユニット10における第1サブ画素1と第2サブ画素2は、左から右へ順次配列され、第2画素ユニット20における第3サブ画素3と第2サブ画素2は、左から右へ順次配列される。
【0129】
本開示の実施例による表示基板において、図2図5に示すように、第1表示サブ領域A1内には、1つの第1サブ画素1の発光面積、1つの第2サブ画素2の発光面積及び1つの第3サブ画素3の発光面積がほぼ同じであるようにしてもよい。
【0130】
本開示の実施例による表示基板において、図6図10に示すように、第1表示サブ領域A1内には、第1画素ユニット10において、第2サブ画素2と第1サブ画素1が同一行に配列され、第2画素ユニット20において、第2サブ画素2と第3サブ画素3が行及び列をずらして配列され、且つ行方向に沿って隣接する第1画素ユニット10と第2画素ユニット20において、2つの第2サブ画素2が隣接しないようにしてもよい。且つ、列方向に沿って隣接する第1画素ユニット10と第2画素ユニット20を1つの画素群100とし、同一画素群100には、第1画素ユニット10における第2サブ画素2と第2画素ユニット20における第2サブ画素2が同一列にある。即ち、隣接する2行の画素ユニットは、列方向において半分の列だけずらしている。
【0131】
本開示の実施例による表示基板において、図6図10に示すように、第1表示サブ領域A1内には、1つの第2サブ画素2の発光面積が1つの第1サブ画素1の発光面積より小さく、1つの第2サブ画素2の発光面積が1つの第3サブ画素3の発光面積より小さいようにしてもよい。それは、第1表示サブ領域A1内には、第1サブ画素1の数が第3サブ画素3の数と同じであり、一方、第2サブ画素2の数が第1サブ画素1の2倍であるため、第2サブ画素2の発光面積を小さくすることができるからである。さらに、同一画素群100には、2つの第2サブ画素2は、行方向に対して対称的に設置できる。即ち、同一画素群100における2つの第2サブ画素2は、ミラーリングして設置できる。さらに、第1表示サブ領域A1内には、第2サブ画素2が緑色サブ画素である場合、2つの第2サブ画素2の発光面積が1つの第1サブ画素1の発光面積より小さく、且つ2つの第2サブ画素2の発光面積が1つの第3サブ画素3の面積より小さく、それは、緑色サブ画素の発光効率がほかの色のサブ画素の発光効率より高いからである。
【0132】
具体的には、本開示の実施例による表示基板において、第1表示サブ領域内には、第1サブ画素、第2サブ画素及び第3サブ画素の形状について限定がなく、規則的な形状としてもよいし、非規則的な形状としてもよい。特定の実施形態では、一般に、プロセスの実現しやすさから、規則的な形状が好適である。
【0133】
具体的には、本開示の実施例による表示基板において、遷移表示サブ領域内には、第1サブ画素、第2サブ画素及び第3サブ画素の形状について限定がなく、規則的な形状としてもよいし、非規則的な形状としてもよい。特定の実施形態では、一般に、プロセスの実現しやすさから、規則的な形状が好適である。
【0134】
具体的には、本開示の実施例による表示基板において、第2表示サブ領域内には、第1サブ画素、第2サブ画素及び第3サブ画素の形状について限定がなく、規則的な形状としてもよいし、非規則的な形状としてもよい。特定の実施形態では、一般に、プロセスの実現しやすさから、規則的な形状が好適である。
【0135】
本開示の実施例による表示基板において、図2図8及び図11に示すように、第1表示サブ領域A1、遷移表示サブ領域A3及び第2表示サブ領域A2のうち、少なくとも1つのサブ領域内には、第1サブ画素1及び第3サブ画素3のうち1種のサブ画素の形状がほぼ一致しているようにしてもよい。たとえば、第1表示サブ領域A1内の各第1サブ画素1と各第3サブ画素3の形状をほぼ一致させてもよい。第1表示サブ領域A1内の各第1サブ画素1の形状をほぼ一致させてもよい。第1表示サブ領域A1内の各第3サブ画素3の形状をほぼ一致させてもよい。遷移表示サブ領域A3内の各第1サブ画素1の形状をほぼ一致させてもよい。遷移表示サブ領域A3内の各第3サブ画素3の形状をほぼ一致させてもよい。遷移表示サブ領域A3内の各第1サブ画素1と各第3サブ画素3の形状をほぼ一致させてもよい。第2表示サブ領域A2内の各第1サブ画素1と各第3サブ画素3の形状をほぼ一致させてもよい。第2表示サブ領域A2内の各第1サブ画素1の形状をほぼ一致させてもよい。第2表示サブ領域A2内の各第3サブ画素3の形状をほぼ一致させてもよい。遷移表示サブ領域A3内の各第1サブ画素1の形状と第1表示サブ領域A1内の各第1サブ画素1の形状をほぼ一致させてもよい。遷移表示サブ領域A3内の各第3サブ画素3の形状と第1表示サブ領域A1内の各第3サブ画素3の形状をほぼ一致させてもよい。遷移表示サブ領域A3内の各第1サブ画素1と各第3サブ画素3の形状、及び第1表示サブ領域A1内の各第1サブ画素1と各第3サブ画素3の形状をほぼ一致させてもよい。残りは同様であるため、ここで詳しく説明しない。
【0136】
本開示の実施例による表示基板において、図2図7に示すように、第2表示サブ領域A2及び遷移表示サブ領域A3のうち、少なくとも1つのサブ領域内の第2サブ画素2の形状は、第1表示サブ領域A1内のそれの形状とほぼ一致しているようにしてもよい。たとえば、第2表示サブ領域A2内の第2サブ画素2の形状と第1表示サブ領域A1内の第2サブ画素2の形状をほぼ一致させてもよい。遷移表示サブ領域A3内の第2サブ画素2の形状と第1表示サブ領域A1内の第2サブ画素2の形状をほぼ一致させている。第2表示サブ領域A2及び遷移表示サブ領域A3のいずれの第2サブ画素2の形状も第1表示サブ領域A1内の第2サブ画素2の形状とほぼ一致させてもよい。
【0137】
本開示の実施例による表示基板において、図2図5に示すように、第1表示サブ領域A1、遷移表示サブ領域A3及び第2表示サブ領域A2のうち、少なくとも1つのサブ領域内には、第1サブ画素1、第2サブ画素2、第3サブ画素3の形状がほぼ一致しているようにしてもよい。たとえば、第1表示サブ領域A1内には、各第1サブ画素1、各第2サブ画素2、各第3サブ画素3の形状をほぼ一致させてもよい。或いは、第2表示サブ領域A2内には、各第1サブ画素1、各第2サブ画素2、各第3サブ画素3の形状をほぼ一致させてもよい。或いは、遷移表示サブ領域A3内には、各第1サブ画素1、各第2サブ画素2、各第3サブ画素3の形状をほぼ一致させてもよい。或いは、第1表示サブ領域A1、遷移表示サブ領域A3及び第2表示サブ領域A2内には、各第1サブ画素1、各第2サブ画素2、各第3サブ画素3の形状をほぼ一致させてもよい。
【0138】
なお、同じサブ領域内の各第1サブ画素1、各第2サブ画素2、各第3サブ画素3の形状がほぼ一致している場合を例とすると、この3種類のサブ画素の形状がほぼ一致し、この場合、この3種類のサブ画素の発光面積が異なってもよい。たとえば、図8及び図11に示すように、第2表示サブ領域A2内には、第2サブ画素2の発光面積が第1サブ画素1の発光面積より小さく、且つ第2サブ画素2の発光面積が第3サブ画素3の発光面積より小さい。且つ、実際に適用する場合、たとえば、青色サブ画素の発光面積>赤色サブ画素の発光面積>緑色サブ画素の発光面積、或いは青色サブ画素の発光面積>緑色サブ画素の発光面積>赤色サブ画素の発光面積という実施形態に基づいて設置してもよく、ここで限定しない。
【0139】
勿論、異なる表示サブ領域におけるサブ画素の形状が一致しなくてもよく、ここで限定しない。
【0140】
本開示の実施例による表示基板において、第1サブ画素の形状は、矩形状及び六角形のうちの少なくとも1種であるようにしてもよい。たとえば、図2図5に示すように、各表示サブ領域における第1サブ画素1の形状が矩形状である。或いは、図6図8及び図11に示すように、各表示サブ領域における第1サブ画素1の形状は、六角形であってもよい。或いは、図9に示すように、第1表示サブ領域A1及び遷移表示サブ領域A3における第1サブ画素1の形状は、六角形であり、第2表示サブ領域A2における第1サブ画素1の形状は、矩形状である。勿論、第1サブ画素の形状は、丸みを帯びたパターン、或いは楕円形状などとしてもよく、ここで限定しない。
【0141】
本開示の実施例による表示基板において、図6図10に示すように、第1表示サブ領域A1内には、第1サブ画素1及び第3サブ画素3のいずれの形状も六角形であり、2つの第2サブ画素2を組み合わせた後の形状が1つの六角形となるようにしてもよい。
【0142】
なお、本開示の実施例による表示パネルにおいて、サブ画素の形状とは、サブ画素の発光領域の形状をいう。勿論、サブ画素の形状は、実際の適用場面に応じて設計してもよく、ここで限定しない。
【0143】
本開示の実施例による表示基板において、図6図8に示すように、第2表示サブ領域A2内には、第2サブ画素2が緑色サブ画素である場合、第2サブ画素2の発光面積が第1サブ画素1の発光面積より小さく、第2サブ画素2の発光面積が第3サブ画素3の発光面積より小さいようにしてもよい。
【0144】
本開示の実施例による表示基板において、図6図10に示すように、遷移表示サブ領域A3内の第1サブ画素1の形状と第1表示サブ領域A1内の第1サブ画素1の形状が一致し、遷移表示サブ領域A3内の第2サブ画素2の形状と第1表示サブ領域A1内の第2サブ画素2の形状が一致し、遷移表示サブ領域A3内の第3サブ画素3の形状と第1表示サブ領域A1内の第3サブ画素3の形状が一致するようにしてもよい。
【0145】
本開示の実施例による表示基板において、図6図10に示すように、遷移表示サブ領域A3内には、第2サブ画素2が緑色サブ画素である場合、第2サブ画素2の発光面積が第1サブ画素1の発光面積より小さく、第2サブ画素2の発光面積が第3サブ画素3の発光面積より小さいようにしてもよい。
【0146】
同じ発明構想に基づいて、本開示の実施例は、上記いずれか1つの表示基板を駆動する駆動方法をさらに提供し、図11に示すように、該駆動方法は、
原画像データを受信するステップ1001(S1001)と、
第1表示サブ領域内の各サブ画素について、原画像データにおいてそれに対応するサブ画素の初期グレースケール値に基づいて、該サブ画素の目標グレースケール値を決定し、遷移表示サブ領域内の各サブ画素について、遷移表示サブ領域の画素分布密度、及び原画像データにおいて該サブ画素が位置する領域に対応するサブ画素の初期グレースケール値に基づいて、該サブ画素の目標グレースケール値を決定し、第2表示サブ領域内の各サブ画素について、サブ画素の発光面積、第2表示サブ領域の画素分布密度、及び原画像データにおいて該サブ画素が位置する領域に対応するサブ画素の初期グレースケール値に基づいて、該サブ画素の目標グレースケール値を決定するステップ(S1002)と、
その目標グレースケール値に基づいて表示するように、表示基板内の各サブ画素を駆動するステップ(S1003)とを、含む。
【0147】
具体的には、第1表示サブ領域内のサブ画素に対しては、第1表示サブ領域内の1つの物理画素が画像データにおける1つの画素に対応する場合、一般に、サブ画素の目標グレースケール値がその初期グレースケール値である。第1表示領域内の物理画素が画像データにおける画素の数より少ない場合、表示する際に、サブ画素を借りる関係が生じ、このため、1つのサブ画素は、画像データにおける2つ以上の画素に対応することができ、したがって、サブ画素の目標グレースケール値は、原画像データにおいてそれに対応するサブ画素の初期グレースケール値に基づいて換算する必要がある。
【0148】
第2表示サブ領域内のサブ画素に対しては、解像度が低いため、表示する際に、1つの物理画素が画像データにおける1つの画素に対応し、一般的には、サブ画素の目標グレースケール値がその初期グレースケール値である。しかしながら、このような場合には、第2表示サブ領域の解像度が低いため、初期グレースケール値に基づいて直接表示すると、第2表示サブ領域と第1表示サブ領域内の輝度には大きさな差が生じて、その結果として第2表示サブ領域と第1表示サブ領域との境界に明らかな暗縞が発生するという問題がある。この該問題を解決するために、本開示の実施例による駆動方法は、サブ画素の発光面積、第2表示サブ領域の画素分布密度に基づいて、第2表示サブ領域内のサブ画素のグレースケールを調整する。たとえば、サブ画素の発光面積が大きいほど、第2表示サブ領域全体の輝度が高くなり、また、第2表示サブ領域に分布しているサブ画素の数が多いほど、第2表示サブ領域全体の輝度が高くなる。
【0149】
遷移表示サブ領域内のサブ画素に対しては、表示する際に、1つの物理画素が画像データにおける1つの画素に対応し、画素分布密度が第2表示サブ領域と第1表示サブ領域との間にあることから、理論的には、輝度が第1表示サブ領域と第2表示サブ領域との間にあり、表示する際に、その画素分布密度に基づいて、サブ画素の輝度は、画像データにおいて対応するサブ画素の輝度の平均値として設定できる。
【0150】
なお、1つの物理画素は、一般に、少なくともRGBの3個のサブ画素を含む。
【0151】
特定の実施形態では、第1表示サブ領域内には、画素配列がPantile配列である場合、第1サブ画素及び第3サブ画素が借りられるため、表示する際に、一般に、1つの第1サブ画素は、画像データにおける2つの画素に対応し、1つの第3サブ画素は、画像データにおける2つの画素に対応し、第2サブ画素が借りられないので、1つの第2サブ画素は、一般に、画像データにおける1つの画素に対応する。したがって、本開示の実施例による駆動方法では、第1表示サブ領域内の各サブ画素について、該サブ画素の目標グレースケール値を決定するステップは、具体的には、
第1サブ画素について、式
【0152】
【数9】
【0153】
(式中、Gammaは、表示基板のガンマ値を表し、x1及びx2は、それぞれ原画像データにおいて第1サブ画素に対応する2つの第1サブ画素の初期グレースケール値である。)により、それに対応する目標グレースケール値Xを決定することと、
第2サブ画素の目標グレースケール値Yが原画像データにおいて第2サブ画素に対応する1つの第2サブ画素の初期グレースケール値yに等しいことと、
第3サブ画素について、式
【0154】
【数10】
【0155】
(式中、z1及びz2は、それぞれ原画像データにおいて第3サブ画素に対応する2つの第3サブ画素の初期グレースケール値である。)により、それに対応する目標グレースケール値Zを決定することと、を含むようにしてもよい。
【0156】
特定の実施形態では、第2表示サブ領域と第1表示サブ領域との境界に生じる暗縞を改善するために、第2表示サブ領域の輝度を適切に調整できる。輝度は、発光面積及び画素分布密度のいずれにも比例する。このため、本開示の実施例による駆動方法では、第2表示サブ領域内の各サブ画素について、該サブ画素の目標グレースケール値を決定するステップは、具体的には、
サブ画素について、式
【0157】
【数11】
【0158】
(式中、nは、1~Nの任意の整数であり、Nは、原画像データにおいてサブ画素に対応するサブ画素の数であり、Gammaは、表示基板のガンマ値を表し、sは、第1表示領域におけるサブ画素の発光面積と第2表示サブ領域におけるサブ画素の発光面積との比を表し、ρは、第1表示サブ領域内の画素分布密度と第2表示サブ領域内の画素分布密度との比を表し、kは、誤差調整係数であり、xnは、原画像データにおいてサブ画素に対応するn番目のサブ画素の初期グレースケール値である。)により、それに対応する目標グレースケール値Xを決定することを含むようにしてもよい。
【0159】
特定の実施形態では、誤差調整係数kは、表示基板の実際の表示効果に応じて調整することができ、ここで限定しない。
【0160】
特定の実施形態では、第2表示サブ領域内には、単位面積あたりm個の第3画素ユニットがあり、対応領域の画像データにはj個の画素があるとすれば、1つの第3画素ユニットは、画像データにおけるj/m個の画素に対応し、即ち、N=j/mである。サブ画素の目標グレースケールを決定するときに、該サブ画素の目標グレースケール値は、それに対応するN個のサブ画素のうちのいずれか1つ又は複数のサブ画素に基づいて決定できる。たとえば、N=4の場合、1つのサブ画素は、それに対応する画素における4個のサブ画素のうちのいずれか1つ又は複数のサブ画素の初期グレースケール値に基づいて決定できる。たとえば、そのうちの1つのサブ画素の初期グレースケール値に基づいて決定する場合、
【0161】
【数12】
【0162】
(ここで、xiは、4個のサブ画素のうちのいずれか1つのサブ画素の初期グレースケール値を表す。)である。たとえば、そのうちの2つのサブ画素の初期グレースケール値に基づいて決定する場合、
【0163】
【数13】
【0164】
(ここで、x1及びx2は、4個のサブ画素のうちのいずれか2つのサブ画素の初期グレースケール値を表す。)である。たとえば、そのうちの3個のサブ画素の初期グレースケール値に基づいて決定する場合、
【0165】
【数14】
【0166】
(ここで、x1、x2及びx3は、4個のサブ画素のうちいずれか3個のサブ画素の初期グレースケール値を表す。)である。たとえば、4個のサブ画素の初期グレースケール値に基づいて決定する場合、
【0167】
【数15】
【0168】
(ここで、x1、x2、x3及びx4は、4個のサブ画素の初期グレースケール値を表す。)である。
【0169】
本開示の実施例による駆動方法では、遷移表示サブ領域内の各サブ画素について、該サブ画素の目標グレースケール値を決定するステップは、具体的には、
サブ画素について、式
【0170】
【数16】
【0171】
(式中、Nは、原画像データにおいてサブ画素に対応するサブ画素の数であり、Gammaは、表示基板のガンマ値を表し、sは、第1表示領域におけるサブ画素の発光面積と第2表示サブ領域におけるサブ画素の発光面積との比を表し、ρは、第1表示サブ領域内の画素分布密度と第2表示サブ領域内の画素分布密度との比を表し、kは、誤差調整係数であり、x1~xNは、それぞれ原画像データにおいてサブ画素に対応するN個のサブ画素の初期グレースケール値である。)により、それに対応する目標グレースケール値Xを決定することを含むようにしてもよい。
【0172】
特定の実施形態では、遷移表示サブ領域内には、単位面積あたりm個の第3画素ユニットがあり、対応領域の画像データにはj個の画素があるとすれば、1つの第4画素ユニットは、画像データにおけるj/m個の画素に対応し、即ち、N=j/mである。サブ画素の目標グレースケールを決定するときに、該サブ画素の目標グレースケール値は、それに対応するN個のサブ画素の初期グレースケール値に基づいて決定できる。
【0173】
或いは、本開示の実施例による駆動方法では、遷移表示サブ領域内の各サブ画素について、該サブ画素の目標グレースケール値を決定するステップは、具体的には、
第1サブ画素について、式
【0174】
【数17】
【0175】
(式中、Gammaは、表示基板のガンマ値を表し、x1及びx2は、それぞれ原画像データにおいて第1サブ画素に対応する2つの第1サブ画素の初期グレースケール値である。)により、それに対応する目標グレースケール値Xを決定することと、
第1サブ画素について、式
【0176】
【数18】
【0177】
(yは、原画像データにおいて第2サブ画素に対応する1つの第2サブ画素の初期グレースケール値yを表す。)により、それに対応する目標グレースケール値Yを決定することと、
第3サブ画素について、式
【0178】
【数19】
【0179】
(式中、z1及びz2は、それぞれ原画像データにおいて第3サブ画素に対応する2つの第3サブ画素の初期グレースケール値である。sは、第1表示領域におけるサブ画素の発光面積と第2表示サブ領域におけるサブ画素の発光面積との比を表し、ρは、第1表示サブ領域内の画素分布密度と第2表示サブ領域内の画素分布密度との比を表し、kは、誤差調整係数である。)により、それに対応する目標グレースケール値Zを決定することと、を含むようにしてもよい。
【0180】
即ち、遷移表示サブ領域内には、サブ画素に対応する目標グレースケール値のアルゴリズムは、第1表示サブ領域内のサブ画素に対応する目標グレースケール値のアルゴリズムを基にして、第1表示領域内の発光面積と第2表示サブ領域におけるサブ画素の発光面積との比、第1表示サブ領域内の画素分布密度と第2表示サブ領域内の画素分布密度との比に基づいて調整するものである。
【0181】
同じ発明構想に基づいて、本開示の実施例は、本開示の実施例による上記いずれか1つの表示基板を備える表示装置をさらに提供する。該表示装置は、携帯電話、タブレット、テレビ、モニター、ラップトップパソコン、デジタルフォトフレーム、ナビゲーターなど、表示機能を有する任意の製品又は部材であってもよい。該表示装置の実施については、上記表示基板の実施例を参照すればよく、ここで重複説明を省略する。
【0182】
本開示の実施例による表示装置では、該表示基板を駆動するように配置される駆動器をさらに備えるようにしてもよく、表示基板の駆動器は、たとえば、IC、或いは外付けCPU、マイクロプロセッサなどとしてもよい。駆動器は、
原画像データを受信し、
第1表示サブ領域内の各サブ画素について、原画像データにおいてそれに対応するサブ画素の初期グレースケール値に基づいて、該サブ画素の目標グレースケール値を決定し、遷移表示サブ領域内の各サブ画素について、遷移表示サブ領域の画素分布密度、及び原画像データにおいて該サブ画素に対応する領域に対応するサブ画素の初期グレースケール値に基づいて、該サブ画素の目標グレースケール値を決定し、第2表示サブ領域内の各サブ画素について、サブ画素の発光面積、第2表示サブ領域の画素分布密度、及び原画像データにおいて該サブ画素に対応する領域に対応するサブ画素の初期グレースケール値に基づいて、該サブ画素の目標グレースケール値を決定し、
その目標グレースケール値に基づいて表示するように、表示基板内の各サブ画素を駆動するように構成されてもよい。
【0183】
本開示の実施例による表示装置では、駆動器は、下記方法によって第1表示サブ領域内の各サブ画素について、該サブ画素の目標グレースケール値を決定するようにしてもよく、具体的には、
第1表示領域内の第1サブ画素について、式
【0184】
【数20】
【0185】
(式中、Gammaは、表示基板のガンマ値を表し、Gammaは、一般に、2.2であり、x1及びx2は、それぞれ原画像データにおいて第1サブ画素に対応する2つの第1サブ画素の初期グレースケール値である。)により、それに対応する目標グレースケール値Xを決定し、
第2サブ画素の目標グレースケール値Yが原画像データにおいて第2サブ画素に対応する1つの第2サブ画素の初期グレースケール値yに等しく、
第1表示領域内の第3サブ画素について、式
【0186】
【数21】
【0187】
(式中、z1及びz2は、それぞれ原画像データにおいて第3サブ画素に対応する2つの第3サブ画素の初期グレースケール値である。)により、それに対応する目標グレースケール値Zを決定する。
【0188】
特定の実施形態では、第2表示サブ領域と第1表示サブ領域との境界に生じる暗縞を改善するために、第2表示サブ領域の輝度を適切に調整できる。輝度は、発光面積及び画素分布密度のいずれにも比例する。このため、本開示の実施例による表示装置では、駆動器は、下記方法によって第2表示サブ領域内の各サブ画素について、該サブ画素の目標グレースケール値を決定するようにしてもよく、具体的には、
サブ画素について、式
【0189】
【数22】
【0190】
(式中、nは、1~Nの任意の整数であり、Nは、原画像データにおいてサブ画素に対応するサブ画素の数であり、Gammaは、表示基板のガンマ値を表し、sは、第1表示領域におけるサブ画素の発光面積と第2表示サブ領域におけるサブ画素の発光面積との比を表し、ρは、第1表示サブ領域内の画素分布密度と第2表示サブ領域内の画素分布密度との比を表し、kは、誤差調整係数であり、xnは、原画像データにおいてサブ画素に対応するn番目のサブ画素の初期グレースケール値である。)により、それに対応する目標グレースケール値Xを決定する。
【0191】
特定の実施形態では、誤差調整係数kは、表示基板の実際の表示効果に応じて調整することができ、ここで限定しない。
【0192】
本開示の実施例による表示装置では、駆動器は、下記方法によって遷移表示サブ領域内の各サブ画素について、該サブ画素の目標グレースケール値を決定するようにしてもよく、具体的には、
サブ画素について、式
【0193】
【数23】
【0194】
(式中、Nは、原画像データにおいてサブ画素に対応するサブ画素の数であり、Gammaは、表示基板のガンマ値を表し、sは、第1表示領域におけるサブ画素の発光面積と第2表示サブ領域におけるサブ画素の発光面積との比を表し、ρは、第1表示サブ領域内の画素分布密度と第2表示サブ領域内の画素分布密度との比を表し、kは、誤差調整係数であり、x1~xNは、それぞれ原画像データにおいてサブ画素に対応するN個のサブ画素の初期グレースケール値である。)により、それに対応する目標グレースケール値Xを決定する。
【0195】
或いは、本開示の実施例による表示装置では、駆動器は、下記方法によって遷移表示サブ領域内の各サブ画素について、該サブ画素の目標グレースケール値を決定するようにしてもよく、具体的には、
第1サブ画素について、式
【0196】
【数24】
【0197】
(式中、Gammaは、表示基板のガンマ値を表し、x1及びx2は、それぞれ原画像データにおいて第1サブ画素に対応する2つの第1サブ画素の初期グレースケール値である。)により、それに対応する目標グレースケール値Xを決定し、
第1サブ画素について、式
【0198】
【数25】
【0199】
(yは、原画像データにおいて第2サブ画素に対応する1つの第2サブ画素の初期グレースケール値yを表す。)により、それに対応する目標グレースケール値Yを決定し、
第3サブ画素について、式
【0200】
【数26】
【0201】
(式中、z1及びz2は、それぞれ原画像データにおいて第3サブ画素に対応する2つの第3サブ画素の初期グレースケール値である。式中、sは、第1表示領域におけるサブ画素の発光面積と第2表示サブ領域におけるサブ画素の発光面積との比を表し、ρは、第1表示サブ領域内の画素分布密度と第2表示サブ領域内の画素分布密度との比を表し、kは、誤差調整係数である。)により、それに対応する目標グレースケール値Zを決定する。
【0202】
具体的には、本開示の実施例による駆動器の駆動方法については、上記表示装置における駆動方法の実施を参照すればよく、ここで詳しく説明しない。
【0203】
特定の実施形態では、本開示の実施例による表示装置では、駆動器は、各サブ領域内のサブ画素の目標グレースケール値のアルゴリズムのすべてをICに集積させている。表示する際に、駆動器は、受信した画像データに基づいて各サブ画素に対応する目標グレースケール値を決定し、目標グレースケール値に基づいて表示するように表示基板を駆動する。
【0204】
さらに、表示基板は、目標グレースケール値に基づいて表示する前に、輝度の均一性を向上させるために、通常Demuraアルゴリズム処理を行う。Demuraアルゴリズムとしては、具体的には、従来技術を参照すればよく、ここで詳しく説明しない。
【0205】
同じ発明構想に基づいて、本開示の実施例は、本開示の実施例による上記いずれか1つの表示基板を製造するように配置される高精度メタルマスクをさらに提供する。図12に示すように、該高精度メタルマスクは、第1サブ画素、第2サブ画素又は第3サブ画素の形状及び位置に対応する複数の開口領域01を含む。
【0206】
特定の実施形態では、サブ画素は、一般に、陽極層、発光層及び陰極層を含み、発光層は、一般に、上記高精度メタルマスクを用いて蒸着するものである。図8に示した表示基板を例にすると、第1サブ画素を形成するように配置される高精度メタルマスクでは、図12に示すように、開口領域01は、表示基板の第1サブ画素1の発光層の形状及び位置に対応する。且つ、プロセスによる制限のため、開口領域01の面積は、一般に、対応する発光層の面積より大きい。第2サブ画素を形成するように配置される高精度メタルマスク及び第3サブ画素を形成するように配置される高精度メタルマスクの原理は、第1サブ画素と類似したため、ここで詳しく説明しない。
【0207】
本開示の実施例による表示基板、その駆動方法、表示装置及び高精度メタルマスクでは、表示領域は、画素分布密度が大きな(即ち解像度が高い)第1表示サブ領域と画素分布密度が小さな(即ち解像度が低い)第2表示サブ領域を含むことによって、第2表示サブ領域内の画素分布密度が小さいため、カメラ、センサ、マイクなどの素子を第2表示サブ領域に設置することができ、つまり、局所の画素分布密度を低減させることで画面の光透過率を向上させる方式によって、表示基板の画面占有率を向上させる。且つ第1表示サブ領域と第2表示サブ領域との間には画素分布密度(解像度)がこの両方の画素分布密度の間にある遷移表示サブ領域を設置することで、第1表示サブ領域の輝度が遷移表示サブ領域を介して第2表示サブ領域に遷移し、それによって第1表示サブ領域に近い第2表示サブ領域の境界に暗縞が生じるという問題を回避する。また、該表示基板が駆動されるとき、第2表示サブ領域内のサブ画素の発光面積と画素分布密度に基づいて第2表示サブ領域のサブ画素のグレースケール値を調整するので、第1表示サブ領域と第2表示サブ画素の画素分布密度のムラによる第2表示サブ領域と第1表示サブ領域内の輝度の大きな差異を補償し、それにより第2表示サブ領域と第1表示サブ領域との境界に存在する暗縞を減少させ、全画面での均一な表示を実現する。
【0208】
勿論、当業者であれば、本開示の精神及び範囲から逸脱することなく本開示について様々な変化及び変形をすることができる。このため、本開示のこのような修正及び変形が本開示の特許請求の範囲及びその等同技術の範囲に属すると、本開示は、これら変化及び変形を含むことを意図する。
図1a
図1b
図1c
図1d
図1e
図1f
図1g
図1h
図2
図3
図4
図5
図6
図7
図8
図9
図10
図11
図12