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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2023-06-28
(45)【発行日】2023-07-06
(54)【発明の名称】高周波伝送装置及び高周波信号伝送方法
(51)【国際特許分類】
H01P 3/08 20060101AFI20230629BHJP
H01P 3/00 20060101ALI20230629BHJP
H01P 3/02 20060101ALI20230629BHJP
H01P 3/06 20060101ALI20230629BHJP
【ＦＩ】
H01P3/08 100
H01P3/08 200
H01P3/00 100
H01P3/02 200
H01P3/06
【請求項の数】
21
(21)【出願番号】P 2020558160
(86)(22)【出願日】2019-10-15
(86)【国際出願番号】 JP2019040518
(87)【国際公開番号】W WO2020110491
(87)【国際公開日】2020-06-04
【審査請求日】2022-05-26
(31)【優先権主張番号】P 2018222287
(32)【優先日】2018-11-28
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(73)【特許権者】
【識別番号】000194918
【氏名又は名称】ホシデン株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100104569
【弁理士】
【氏名又は名称】大西 正夫
(72)【発明者】
【氏名】近藤 快人
(72)【発明者】
【氏名】笹田 浩介
【審査官】赤穂 美香
(56)【参考文献】
【文献】特開２０１３－２２９８５１（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００７－２２１７１３（ＪＰ，Ａ）
【文献】佐伯 拓，焼成ナノ構造金属の特殊な振る舞い－ＭＨｚ体高周波での電気抵抗の消失－，プレリリース資料，日本，関西大学，2018年06月25日
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０１Ｐ ３／０８
Ｈ０１Ｐ ３／００
Ｈ０１Ｐ ３／０２
Ｈ０１Ｐ ３／０６
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
誘電体と、高周波信号を伝送可能な伝送路とを備えており、
前記伝送路の少なくとも一部は、前記誘電体上又は前記誘電体内に位置しており、前記伝送路の少なくとも一部が、微粒子で構成された抵抗低下材料で構成されており、前記抵抗低下材料は、前記伝送路に伝送される高周波信号の周波数が一又は複数の特定周波数帯域にある場合に、交流抵抗値が急激に低下する物性を有しており、
前記伝送路は、少なくとも一部が前記誘電体上又は前記誘電体内に設けられた少なくとも一つの信号導体と、
前記少なくとも一つの信号導体の少なくとも一部に沿って延びる第１グランド導体とを備えており、
前記少なくとも一つの信号導体及び前記第１グランド導体のうちの何れか一方の導体は、前記抵抗低下材料の直流抵抗値よりも小さい直流抵抗値を有する第１導体部と、前記抵抗低下材料で構成されており且つ前記第１導体部に対して他方の導体側に配置された第２導体部とを有している高周波伝送装置。
【請求項2】
誘電体と、高周波信号を伝送可能な伝送路とを備えており、
前記伝送路の少なくとも一部は、前記誘電体上又は前記誘電体内に位置しており、前記伝送路の少なくとも一部が、微粒子で構成された抵抗低下材料で構成されており、前記抵抗低下材料は、前記伝送路に伝送される高周波信号の周波数が一又は複数の特定周波数帯域にある場合に、前記高周波信号により磁場が生じ、前記磁場により前記抵抗低下材料の中心部において生じる誘導起電力（逆起電力）の向きが逆となる物性を有しており、
前記伝送路は、少なくとも一部が前記誘電体上又は前記誘電体内に設けられた少なくとも一つの信号導体と、
前記少なくとも一つの信号導体の少なくとも一部に沿って延びる第１グランド導体とを備えており、
前記少なくとも一つの信号導体及び前記第１グランド導体のうちの何れか一方の導体は、前記抵抗低下材料の直流抵抗値よりも小さい直流抵抗値を有する第１導体部と、前記抵抗低下材料で構成されており且つ前記第１導体部に対して他方の導体側に配置された第２導体部とを有している高周波伝送装置。
【請求項3】
誘電体と、
高周波信号を伝送可能な伝送路とを備えており、
前記伝送路の少なくとも一部は、前記誘電体上又は前記誘電体内に位置しており、前記伝送路の少なくとも一部が、微粒子で構成された抵抗低下材料で構成されており、前記抵抗低下材料は、前記伝送路に伝送される高周波信号の周波数が一又は複数の特定周波数帯域にある場合に、交流抵抗値が急激に低下する物性を有しており、
前記伝送路は、少なくとも一部が前記誘電体に設けられており且つ互いに隣り合うように配置された第１信号導体及び第２信号導体を備えており、
前記第１信号導体及び前記第２信号導体の何れか一方の導体は、前記抵抗低下材料の直流抵抗値よりも小さい直流抵抗値を有する第１導体部と、前記抵抗低下材料で構成されており且つ前記一方の導体の前記第１導体部に対して他方の導体側に配置された第４導体部とを有している高周波伝送装置。
【請求項4】
誘電体と、
高周波信号を伝送可能な伝送路とを備えており、
前記伝送路の少なくとも一部は、前記誘電体上又は前記誘電体内に位置しており、前記伝送路の少なくとも一部が、微粒子で構成された抵抗低下材料で構成されており、前記抵抗低下材料は、前記伝送路に伝送される高周波信号の周波数が一又は複数の特定周波数帯域にある場合に、前記高周波信号により磁場が生じ、前記磁場により前記抵抗低下材料の中心部において生じる誘導起電力（逆起電力）の向きが逆となる物性を有しており、
前記伝送路は、少なくとも一部が前記誘電体に設けられており且つ互いに隣り合うように配置された第１信号導体及び第２信号導体を備えており、
前記第１信号導体及び前記第２信号導体の何れか一方の導体は、前記抵抗低下材料の直流抵抗値よりも小さい直流抵抗値を有する第１導体部と、前記抵抗低下材料で構成されており且つ前記一方の導体の前記第１導体部に対して他方の導体側に配置された第４導体部とを有している高周波伝送装置。
【請求項5】
請求項１～４の何れかに記載の高周波伝送装置において、前記微粒子が導体微粒子であり、
前記抵抗低下材料は、前記導体微粒子で構成された多結晶体で構成されている高周波伝送装置。
【請求項6】
請求項１～４の何れかに記載の高周波伝送装置において、前記微粒子は、半導体微粒子であり、
前記抵抗低下材料は、前記半導体微粒子で構成されている高周波伝送装置。
【請求項7】
請求項１又は２記載の高周波伝送装置において、前記他方の導体は、前記抵抗低下材料の直流抵抗値よりも小さい直流抵抗値を有する第１導体部と、前記抵抗低下材料で構成された第２導体部とを有しており、
前記少なくとも一つの信号導体の前記第２導体部は、当該信号導体の前記第１導体部に対して前記第１グランド導体側に配置されており、
前記第１グランド導体の前記第２導体部は、前記第１グランド導体の前記第１導体部に対して前記少なくとも一つの信号導体側に配置されている高周波伝送装置。
【請求項8】
請求項１、２又は７記載の高周波伝送装置において、前記伝送路は、前記少なくとも一つの信号導体の少なくとも一部に沿って延びる第２グランド導体を更に備えており、
前記第１グランド導体は、前記少なくとも一つの信号導体の一方側に配置され、前記第２グランド導体は、前記少なくとも一つの信号導体の他方側に配置されている高周波伝送装置。
【請求項9】
請求項８記載の高周波伝送装置において、前記少なくとも一つの信号導体は、前記抵抗低下材料で構成された第３導体部を更に有しており、
前記少なくとも一つの信号導体の前記第２導体部は、当該信号導体の前記第１導体部に対して前記第１グランド導体側に配置され、当該信号導体の前記第３導体部は、当該信号導体の前記第１導体部に対して前記第２グランド導体側に配置されている高周波伝送装置。
【請求項10】
請求項８又は９記載の高周波伝送装置において、前記第２グランド導体は、前記抵抗低下材料の直流抵抗値よりも小さい直流抵抗値を有する第１導体部と、前記抵抗低下材料で構成された第２導体部とを有しており、
前記第２グランド導体の前記第２導体部は、前記第２グランド導体の前記第１導体部に対して前記少なくとも一つの信号導体側に配置されている高周波伝送装置。
【請求項11】
請求項１、２、７、８、９又は１０記載の高周波伝送装置において、前記第２導体部は、前記第１導体部の少なくとも一部上に固定されている高周波伝送装置。
【請求項12】
請求項９記載の高周波伝送装置において、前記少なくとも一つの信号導体の前記第３導体部は、当該信号導体の前記第１導体部の少なくとも一部上に固定されている高周波伝送装置。
【請求項13】
請求項１、２又は７記載の高周波伝送装置において、前記第１グランド導体は、その長さ方向に直交する直交方向において断面視略環状であって、前記少なくとも一つの信号導体の周りに配置されており、
前記少なくとも一つの信号導体の前記第２導体部は、前記直交する方向において断面視略環状であって、当該信号導体の前記第１導体部の少なくとも一部の外周面上に設けられている高周波伝送装置。
【請求項14】
請求項１、２又は７記載の高周波伝送装置において、前記第１グランド導体の前記第１導体部は、その長さ方向に直交する直交方向において断面視略環状であって、前記少なくとも一つの信号導体の周りに配置されており、
前記第１グランド導体の前記第２導体部は、前記直交方向において断面視略環状であって、前記第１グランド導体の前記第１導体部の少なくとも一部の内周面上に設けられている高周波伝送装置。
【請求項15】
請求項１、２、７又は１３記載の高周波伝送装置において、前記少なくとも一つの信号導体の前記第１導体部は、当該信号導体の前記第２導体部によって覆われていない接続部を有しており、
前記接続部が、接続対象によって弾性接触又は摺動接触される高周波伝送装置。
【請求項16】
請求項１、２、７又は１３記載の高周波伝送装置において、前記少なくとも一つの信号導体の前記第１導体部は、当該信号導体の前記第２導体部によって覆われていない接続部を有しており、
前記接続部が、接続対象に対して弾性接触可能な構成である高周波伝送装置。
【請求項17】
請求項１、２、７、８、９又は１０記載の高周波伝送装置において、前記少なくとも一つの信号導体は、一対であって、互いに隣り合うように配置された第１信号導体及び第２信号導体を含み、
前記第１信号導体及び前記第２信号導体の何れか一方の導体は、前記抵抗低下材料で構成されており且つ前記第１信号導体及び前記第２信号導体の何れかの前記一方の導体の前記第１導体部に対して前記第１信号導体及び前記第２信号導体の他方の導体側に配置された第４導体部を更に有している高周波伝送装置。
【請求項18】
請求項１、２、７、８、９又は１０記載の高周波伝送装置において、前記少なくとも一つの信号導体は、一対であって、互いに隣り合うように配置された第１信号導体及び第２信号導体を含み、
前記第１信号導体及び前記第２信号導体は、前記抵抗低下材料で構成された第４導体部を各々更に有しており、
前記第１信号導体の前記第４導体部は、当該第１信号導体の前記第１導体部に対して前記第２信号導体側に配置されており、
前記第２信号導体の前記第４導体部は、前記第２信号導体の前記第１導体部に対して
前記第１信号導体側に配置されている高周波伝送装置。
【請求項19】
請求項３又は４記載の高周波伝送装置において、前記他方の導体は、前記抵抗低下材料の直流抵抗値に対して小さい直流抵抗値を有する第１導体部と、前記抵抗低下材料で構成された第４導体部とを有しており、
前記第１信号導体の前記第４導体部は、当該第１信号導体の前記第１導体部に対して前記第２信号導体側に配置されており、
前記第２信号導体の前記第４導体部は、前記第２信号導体の前記第１導体部に対して前記第１信号導体側に配置されている高周波伝送装置。
【請求項20】
請求項１７～１９の何れかに記載の高周波伝送装置において、前記第４導体部は、前記第１導体部の少なくとも一部上に固定されている高周波伝送装置。
【請求項21】
請求項１～２０の何れかに記載の高周波伝送装置を用いて高周波信号を伝送する高周波信号伝送方法であって、前記高周波伝送装置の前記伝送路に前記一又は複数の特定周波数帯域の周波数を有する高周波信号を伝送させることを備えている高周波信号伝送方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、高周波伝送装置及び高周波信号伝送方法に関する。
【背景技術】
【0002】
一般的に、金属に交流電流を流すと、表皮効果によって、交流電流は、当該金属の表面に近いところに流れる一方、当該金属の中心部には殆ど流れず、当該金属の交流抵抗値は高くなる。これは、金属の中心部で逆起電力が生じており、電流が流れ難くなっているためである。高周波信号も交流電流と同じであるため、金属で構成される伝送路に高周波信号を流すと、当該伝送路の交流抵抗値が上昇し、高周波信号の伝送損失（減衰）が生じやすくなる。
【0003】
下記非特許文献１には、鉄ナノ粒子又は金属グレードシリコンナノ粒子で構成された多結晶体が記載されている。鉄ナノ粒子で構成された多結晶体は、高純度の酸化鉄微粉末を液相レーザーアブレーション法により、還元・ナノ粒子化した後、ペースト化し、その鉄ナノペーストを電気ホットプレートを用いて２５０度で焼成することによって得られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【文献】関西大学 システム理工学部 電気電子情報工学科 准教授 佐伯 拓 ”焼成ナノ構造金属の特殊な振る舞い －ＭＨｚ帯高周波での電気抵抗の喪失－”［online］、２０１８年６月２５日発表 ２０１８年１０月２９日検索、インターネット（URL：http://www.microwave.densi.kansai-u.ac.jp/face/%E3%83%97%E3%83%AC%E3%82%B9%E3%83%AA%E3%83%AA%E3%83%BC%E3%82%B920180625v2.pdf）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
上記した鉄ナノ粒子で構成された多結晶体に周波数３ＭＨｚ～５ＭＨｚの交流電流を流したところ、当該多結晶体の交流抵抗値が実質的に０ｍΩとなる計測結果が得られている。すなわち、この多結晶体は、周波数３ＭＨｚ～５ＭＨｚの交流電流が流されたときに、交流抵抗値が実質的に０ｍΩとなる物性を有している。なお、金属グレードシリコンナノ粒子で構成された多結晶体も、上記と同様の製造方法で得られ、同様の物性を有している。
【0006】
本発明は、高周波信号を伝送させるときに、交流抵抗値が急激に低下する物性を有する多結晶体等の抵抗低下材料を用いて、高周波信号の伝送損失を低減できる高周波伝送装置及び高周波信号伝送方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0007】
上記課題を解決するために、本発明の一態様の高周波伝送装置は、誘電体と、高周波信号を伝送可能な伝送路とを備えている。伝送路の少なくとも一部が、誘電体上又は誘電体内に位置している。伝送路の少なくとも一部は、微粒子で構成された抵抗低下材料で構成されている。この抵抗低下材料は、伝送路に伝送される高周波信号の周波数が一又は複数の特定周波数帯域にある場合に、交流抵抗値が急激に低下する物性又は伝送路に伝送される高周波信号の周波数が一又は複数の特定周波数帯域にある場合に、高周波信号により磁場が生じ、その磁場により抵抗低下材料の中心部において生じる誘導起電力（逆起電力）の向きが逆となる物性を有する。
なお、伝送路の誘電体に設けられた少なくとも一部と、伝送路の抵抗低下材料で構成された少なくとも一部とは、同じ部分であっても良いし、異なる部分であっても良い。
なお、伝送路の誘電体に設けられた少なくとも一部と、伝送路の抵抗低下材料で構成された少なくとも一部とは、同じ部分であっても良いし、異なる部分であっても良い。
【0008】
このような態様の高周波伝送装置による場合、伝送路に伝送される高周波信号の周波数が一又は複数の特定周波数帯域にある場合、伝送路の少なくとも一部である抵抗低下材料の交流抵抗値が急激に低下するため、その高周波信号の伝送損失が軽減される。
【0009】
微粒子は、導体微粒子又は半導体微粒子とすることが可能である。前者の場合、抵抗低下材料は、導体微粒子で構成された多結晶体で構成されていても良い。後者の場合、抵抗低下材料は、半導体微粒子で構成されていても良い。
【0010】
伝送路は、少なくとも一部が誘電体に設けられた少なくとも一つの信号導体と、少なくとも一つの信号導体の少なくとも一部に沿って延びる第１グランド導体を備えた構成とすることが可能である。
【0011】
少なくとも一つの信号導体及び第１グランド導体のうちの少なくとも一方の導体が、抵抗低下材料の直流抵抗値よりも小さい直流抵抗値を有する第１導体部と、抵抗低下材料で構成された第２導体部を有する構成とすることが可能である。
【0012】
少なくとも一つの信号導体が、第１導体部及び第２導体部を有する場合、少なくとも一つの信号導体の第２導体部は、第１導体部に対して第１グランド導体（他方の導体）側に配置された構成とすることが可能である。この場合、少なくとも一つの信号導体側で高周波信号の伝送損失が軽減される。また、少なくとも一つの信号導体の直流抵抗値の低い第１導体部に電子部品、コネクタ、ケーブル又はピン等を接続することが可能になるので、少なくとも一つの信号導体の接続信頼性が向上する。
【0013】
第１グランド導体が第１導体部及び第２導体部を有する場合、第１グランド導体の第２導体部は、第１導体部に対して少なくとも一つの信号導体（他方の導体）側に配置された構成とすることが可能である。この場合、第１グランド導体側で高周波信号の伝送損失が軽減される。また、第１グランド導体の直流抵抗値の低い第１導体部をグランド接続することが可能になるので、第１グランド導体の接続信頼性が向上する。
【0014】
伝送路は、第２グランド導体を更に備えた構成とすることが可能である。第２グランド導体は、少なくとも一つの信号導体の少なくとも一部に沿って延びた構成とすることが可能である。この場合、第１グランド導体は、少なくとも一つの信号導体の一方側に配置され、第２グランド導体は、少なくとも一つの信号導体に対して他方側に配置された構成としても良い。
【0015】
少なくとも一つの信号導体は、抵抗低下材料で構成された第３導体部を更に有する構成とすることが可能である。少なくとも一つの信号導体の第２導体部は、当該信号導体の第１導体部に対して第１グランド導体側に配置され、当該信号導体の第３導体部は、当該信号導体の第１導体部に対して第２グランド導体側に配置された構成とすることが可能である。この場合も、少なくとも一つの信号導体側で高周波信号の伝送損失が軽減される。
【0016】
第２グランド導体は、抵抗低下材料の直流抵抗値よりも小さい直流抵抗値を有する第１導体部と、抵抗低下材料で構成された第２導体部とを有する構成とすることが可能である。この第２グランド導体の第２導体部は、第２グランド導体の第１導体部に対して少なくとも一つの信号導体側に配置された構成とすることが可能である。この場合、第２グランド導体側で高周波信号の伝送損失が軽減される。また、第２グランド導体の直流抵抗値の低い第１導体部をグランド接続することが可能になるので、第２グランド導体の接続信頼性が向上する。
【0017】
上記した何れかの態様の第２導体部は、対応する第１導体部の少なくとも一部上に固定されていても良い。少なくとも一つの信号導体の第３導体部は、当該信号導体の前記第１導体部の少なくとも一部上に固定されていても良い。
【0018】
第１グランド導体は、その長さ方向に直交する直交方向において断面視略環状であって、少なくとも一つの信号導体の周りに配置された構成とすることが可能である。この場合、少なくとも一つの信号導体の第２導体部は、直交方向において断面視略環状であって、当該信号導体の第１導体部の少なくとも一部の外周面上に設けられた構成とすることが可能である。
【0019】
第１グランド導体の第１導体部は、その長さ方向に直交する直交方向において断面視略環状であって、少なくとも一つの信号導体の周りに配置された構成とすることが可能である。この場合、第１グランド導体の第２導体部は、直交方向において断面視略環状であって、第１グランド導体の第１導体部の少なくとも一部の内周面上に設けられた構成とすることが可能である。
【0020】
上記少なくとも一つの信号導体の第１導体部は、当該信号導体の第２導体部によって覆われていない接続部を有する構成とすることが可能である。接続部が、接続対象によって弾性接触又は摺動接触される構成とすることが可能である。この場合、少なくとも一つの信号導体の第１導体部の接続部が、接続対象によって弾性接触又は摺動接触されるが、少なくとも一つの信号導体の第１導体部の接続部は、前述の通り、第２導体部によって覆われていないため、抵抗低下材料で構成される第２導体部が摩耗したり破損したりするのを防止できる。又は、接続部が、接続対象に対して弾性接触可能な構成とすることも可能である。この場合、接続部が、接続対象に対して弾性接触するときに、抵抗低下材料で構成される第２導体部が摩耗したり破損したりするのを防止できる。
【0021】
少なくとも一つの信号導体は、一対であって、互いに隣り合うように配置された第１信号導体及び第２信号導体を含む構成とすることが可能である。この場合、上記第１グランド導体及び／又は第２グランド導体を省略するか否かは任意に決定できる。
【0022】
第１信号導体及び第２信号導体の少なくとも一方の導体は、抵抗低下材料で構成された第４導体部を更に有する構成とすることが可能である。又は、第１信号導体及び第２信号導体の少なくとも一方の導体は、第２導体部を有さず、第１導体部及び第４導体部を有する構成とすることが可能である。
【0023】
第１信号導体が第１導体部及び第４導体部を有する場合、第１信号導体の第４導体部は、第１信号導体の第１導体部に対して第２信号導体側に配置された構成とすることが可能である。この場合、第１信号導体側で高周波信号の伝送損失が軽減される。また、第１信号導体の直流抵抗値の低い第１導体部に電子部品、コネクタ、ケーブル又はピン等を接続することが可能になるので、第１信号導体の接続信頼性が向上する。
第２信号導体が第１導体部及び第４導体部を有する場合、第２信号導体の第４導体部は、第２信号導体の第１導体部に対して第１信号導体側に配置された構成とすることが可能である。この場合、第２信号導体側で高周波信号の伝送損失が軽減される。また、第２信号導体の直流抵抗値の低い第１導体部に電子部品、コネクタ、ケーブル又はピン等を接続することが可能になるので、第２信号導体の接続信頼性が向上する。
第２信号導体が第１導体部及び第４導体部を有する場合、第２信号導体の第４導体部は、第２信号導体の第１導体部に対して第１信号導体側に配置された構成とすることが可能である。この場合、第２信号導体側で高周波信号の伝送損失が軽減される。また、第２信号導体の直流抵抗値の低い第１導体部に電子部品、コネクタ、ケーブル又はピン等を接続することが可能になるので、第２信号導体の接続信頼性が向上する。
【0024】
上記何れかの態様の第４導体部は、対応する第１導体部の少なくとも一部上に固定された構成とすることが可能である。
【0025】
本発明の一態様の高周波信号伝送方法は、上記した何れかの態様の高周波伝送装置の伝送路に上記一又は複数の特定周波数帯域の周波数を有する高周波信号を伝送させることを備えている。この高周波信号の伝送は、伝送路の抵抗低下材料の交流抵抗値が急激に低下すること及び／又は高周波信号により磁場が生じ、その磁場により抵抗低下材料の中心部において生じる誘導起電力（逆起電力）の向きが逆となることを含む。
【図面の簡単な説明】
【0026】
【図1A】本発明の実施例１に係る高周波伝送装置の概略的平面図である。
【図2A】本発明の実施例２に係る高周波伝送装置の概略的平面図である。
【図3A】本発明の実施例３に係る高周波伝送装置の概略的平面図である。
【図4A】本発明の実施例４に係る高周波伝送装置の概略的平面図である。
【図5】本発明の実施例５に係る高周波伝送装置の概略的断面図である。
【図6A】前記高周波伝送装置が同軸コネクタである場合の別実施例の断面図である。
【図7】実施例１の高周波伝送装置の設計変形例を示す概略的断面図である。
【図8A】実施例５の高周波伝送装置の第１設計変形例を示す概略的断面図である。
【図8B】実施例５の高周波伝送装置の第２設計変形例を示す概略的断面図である。
【図8C】実施例５の高周波伝送装置の第３設計変形例を示す概略的断面図である。
【図8D】実施例５の高周波伝送装置の第４設計変形例を示す概略的断面図である。
【図8E】第４設計変形例の高周波伝送装置の設計変形例を示す概略的断面図である。
【図9】本発明の二つの高周波伝送装置を接続させた構造を説明するための説明図である。
【発明を実施するための形態】
【0027】
以下、本発明の複数の実施例について説明する。
【実施例1】
【0028】
以下、本発明の実施例１を含む複数の実施例に係る高周波伝送装置Ｄ１について、図１Ａ及び図１Ｂを参照しつつ説明する。高周波伝送装置Ｄ１は、高周波伝送用の基板である。以下、高周波伝送装置Ｄ１を伝送用基板Ｄ１とも称する。図１Ａ及び図１Ｂには、実施例１の伝送用基板Ｄ１が示されている。
【0029】
伝送用基板Ｄ１は誘電体１００を備えている。図１Ｂには、誘電体１００の厚み方向であるＺ－Ｚ’方向が示されており、Ｚ－Ｚ’方向は、Ｚ方向及びその反対側のＺ’方向を含む。誘電体１００は、Ｚ方向側の第１面１０１と、Ｚ’方向側の第２面１０２とを有している。
【0030】
伝送用基板Ｄ１は、高周波信号を伝送可能な伝送路２００を更に備えている。伝送路２００は、信号導体Ｓと、グランド導体Ｇ（第１グランド導体）とを備えている。伝送路２００は、以下の通り、誘電体１００上に位置している。信号導体Ｓは、誘電体１００の第１面１０１上に設けられており且つ当該第１面１０１の任意の第１位置から前記第１位置と異なる第２位置へ延びている。グランド導体Ｇは、誘電体１００の第２面１０２上に設けられ、信号導体Ｓに沿って延びており且つＺ－Ｚ’方向において誘電体１００を挟んで信号導体Ｓに対向している。信号導体Ｓ及びグランド導体Ｇが、高周波信号を伝送可能なマイクロストリップラインを構成している。
【0031】
信号導体Ｓは、その一部又は全部が多結晶体（抵抗低下材料）で構成することが可能である。この場合、グランド導体Ｇは、その一部又は全部が多結晶体で構成、又は、その全部が多結晶体を含まない導体で構成されていると良い。又は、信号導体Ｓの全部が多結晶体を含まない導体で構成することが可能である。この場合、グランド導体Ｇは、その一部又は全部が多結晶体で構成されていると良い。
【0032】
この多結晶体は、導体微粒子で構成されている。導体微粒子は、平均粒径が数ｎｍ～１０数ｎｍの導体ナノ粒子であって、例えば、鉄ナノ粒子、金属グレードシリコンナノ粒子、銅ナノ粒子又はニッケルナノ粒子などである。この導体ナノ粒子は以下の方法で得られる。導体ナノ粒子の原料となる高純度の酸化導体微粉末を溶媒内に配置し、当該酸化導体微粉末に対して液相レーザーアブレーションを行うことにより、当該酸化導体微粉末を還元し、ナノ粒子化する。
なお、導体ナノ粒子は、上記した液相レーザーアブレーション法以外の周知の液相法、又は周知の気相法によっても作成可能である。液相法としては、共沈法、ゾルゲル法、液相還元法又は水熱合成法などがあり、気相法としては、電気炉法、化学炎法、レーザー法又は熱プラズマ法などがある。
上記した何れかの方法で得られた導体ナノ粒子がバインダーに混入され、ペースト化される。この導体ナノ粒子を主成分とする導電ペーストが焼成される。この焼成によって、バインダーが除去されるため、上記多結晶体は導体ナノ粒子で構成されている。
なお、導体ナノ粒子は、上記した液相レーザーアブレーション法以外の周知の液相法、又は周知の気相法によっても作成可能である。液相法としては、共沈法、ゾルゲル法、液相還元法又は水熱合成法などがあり、気相法としては、電気炉法、化学炎法、レーザー法又は熱プラズマ法などがある。
上記した何れかの方法で得られた導体ナノ粒子がバインダーに混入され、ペースト化される。この導体ナノ粒子を主成分とする導電ペーストが焼成される。この焼成によって、バインダーが除去されるため、上記多結晶体は導体ナノ粒子で構成されている。
【0033】
この多結晶体は、伝送路２００に伝送させる高周波信号の周波数が、ＭＨｚ～ＧＨｚ帯域（例えば、１ＭＨｚ～２０ＧＨｚ辺りの帯域等）のうちの一又は複数の特定周波数帯域にある場合に、多結晶体の交流抵抗値が急激に低下する物性を有していると良いが、これに限定されるものではない。この多結晶体の物性は、伝送路２００に伝送させる高周波信号の周波数が、ＴＨｚ以上の帯域のうちの一又は複数の特定周波数帯域にある場合であっても、発現し得る。この多結晶体の物性は、超伝導現象によって、生じるものではなく、環境温度下で生じるものである。この多結晶体の物性は、より具体的には、以下の通り発現される。
環境温度下で、多結晶体に流される高周波信号（高周波電流）の周波数が上記一又は複数の特定周波数帯域以外の周波数帯域にある場合、その高周波信号により磁場が生じ、その磁場により多結晶体の中心部において高周波信号の流れを妨害する方向に誘導起電力（逆起電力）が生じる。この場合、多結晶体の透磁率の実部は正である。一方、多結晶体に流される高周波信号の周波数が上記一又は複数の特定周波数帯域にある場合、その高周波信号により磁場が生じ、その磁場により多結晶体の中心部において生じる誘導起電力（逆起電力）の向きが逆となる。この場合、多結晶体の透磁率の実部は負である。このように多結晶体の中心部において生じる誘導起電力（逆起電力）の向きが高周波信号の流れを妨害する方向に対して逆となることによって、高周波信号の流れを促進するように作用するため、多結晶体に流される高周波信号の周波数が上記一又は複数の特定周波数帯域にある場合、多結晶体に流される高周波信号の周波数が上記一又は複数の特定周波数帯域以外にある場合に比べて、多結晶体の交流抵抗値が急激に低下し、実質的に０Ω又はマイナス抵抗となる。高周波信号の一又は複数の特定周波数帯域は、高周波信号により生じた磁場の作用によって、多結晶体が磁気共鳴を生ずる周波数帯域であると考えられる。
なお、多結晶体の直流抵抗値は、多結晶化前の原料（すなわち、上記導体ナノ粒子の原料）より高い。以下、伝送路２００に一又は複数の特定周波数帯域の高周波信号を伝送させるときを、「高周波信号の伝送時」と称する。
環境温度下で、多結晶体に流される高周波信号（高周波電流）の周波数が上記一又は複数の特定周波数帯域以外の周波数帯域にある場合、その高周波信号により磁場が生じ、その磁場により多結晶体の中心部において高周波信号の流れを妨害する方向に誘導起電力（逆起電力）が生じる。この場合、多結晶体の透磁率の実部は正である。一方、多結晶体に流される高周波信号の周波数が上記一又は複数の特定周波数帯域にある場合、その高周波信号により磁場が生じ、その磁場により多結晶体の中心部において生じる誘導起電力（逆起電力）の向きが逆となる。この場合、多結晶体の透磁率の実部は負である。このように多結晶体の中心部において生じる誘導起電力（逆起電力）の向きが高周波信号の流れを妨害する方向に対して逆となることによって、高周波信号の流れを促進するように作用するため、多結晶体に流される高周波信号の周波数が上記一又は複数の特定周波数帯域にある場合、多結晶体に流される高周波信号の周波数が上記一又は複数の特定周波数帯域以外にある場合に比べて、多結晶体の交流抵抗値が急激に低下し、実質的に０Ω又はマイナス抵抗となる。高周波信号の一又は複数の特定周波数帯域は、高周波信号により生じた磁場の作用によって、多結晶体が磁気共鳴を生ずる周波数帯域であると考えられる。
なお、多結晶体の直流抵抗値は、多結晶化前の原料（すなわち、上記導体ナノ粒子の原料）より高い。以下、伝送路２００に一又は複数の特定周波数帯域の高周波信号を伝送させるときを、「高周波信号の伝送時」と称する。
【0034】
信号導体Ｓ及びグランド導体Ｇの少なくとも一方の導体の一部が多結晶体で構成されている場合、当該少なくとも一方の導体は、第１導体部と、上記多結晶体で構成された第２導体部とを有する構成とすることが可能である。
第１導体部は、上記多結晶体（第２導体部）の直流抵抗値よりも小さい直流抵抗値を有する素材及び抗酸化性などの耐腐食性を有する素材の少なくとも一方の素材で構成されている。第１導体部は、例えば、銅メッキ又は銅箔などで構成されていると良い。第１導体部の直流抵抗値は、第１導体部の長さ及び断面積に応じて適宜設定されると良い。
以下、説明の便宜上、信号導体Ｓの第１導体部に符号Ｓ１を付し、信号導体Ｓの第２導体部に符号Ｓ２を付し、グランド導体Ｇの第１導体部に符号Ｇ１を付し、グランド導体Ｇの第２導体部に符号Ｇ２を付してそれぞれ区別する。
第１導体部は、上記多結晶体（第２導体部）の直流抵抗値よりも小さい直流抵抗値を有する素材及び抗酸化性などの耐腐食性を有する素材の少なくとも一方の素材で構成されている。第１導体部は、例えば、銅メッキ又は銅箔などで構成されていると良い。第１導体部の直流抵抗値は、第１導体部の長さ及び断面積に応じて適宜設定されると良い。
以下、説明の便宜上、信号導体Ｓの第１導体部に符号Ｓ１を付し、信号導体Ｓの第２導体部に符号Ｓ２を付し、グランド導体Ｇの第１導体部に符号Ｇ１を付し、グランド導体Ｇの第２導体部に符号Ｇ２を付してそれぞれ区別する。
【0035】
ところで、高周波信号の伝送時において、表皮効果により、高周波信号の電流密度は、信号導体Ｓのうちのグランド導体Ｇ側の部分（信号導体Ｓのうちのグランド導体Ｇとの電気的な結合が強い部分）及びグランド導体Ｇのうちの信号導体Ｓ側の部分（グランド導体Ｇのうちの信号導体Ｓとの電気的な結合が強い部分）が高くなる。
【0036】
信号導体Ｓが第１導体部Ｓ１及び第２導体部Ｓ２を有する場合、第１導体部Ｓ１及び第２導体部Ｓ２は更に以下の構成とすることが可能である。第２導体部Ｓ２は、誘電体１００の第１面１０１上に設けられており且つ第１位置から第２位置へ延びていると良いが、一又は複数箇所で破断していても良い。第１導体部Ｓ１は、第２導体部Ｓ２のＺ方向側の面上に設けられＺ方向の平面視において第１位置から第２位置へ延びている。このように第２導体部Ｓ２は、第１導体部Ｓ１のＺ’方向側の面の少なくとも一部上に固定されており且つ第１導体部Ｓ１に対してグランド導体Ｇ側に配置されている。換言すると、第２導体部Ｓ２が、高周波信号の伝送時に、信号導体Ｓのうちのグランド導体Ｇとの電気的な結合が強い部分（高周波信号の電流密度が高い部分）を構成している。なお、第１導体部Ｓ１は、第１位置上の第１接続部と、第２位置上の第２接続部を有する。
【0037】
グランド導体Ｇが第１導体部Ｇ１及び第２導体部Ｇ２を有する場合、第１導体部Ｇ１及び第２導体部Ｇ２は更に以下の構成とすることが可能である。第２導体部Ｇ２は、誘電体１００の第２面１０２上に設けられており且つ信号導体Ｓに沿って延びている。第２導体部Ｇ２は、一又は複数箇所で切り欠かれていても良い。第１導体部Ｇ１は、第２導体部Ｇ２のＺ’方向側の面上に設けられている。このように第２導体部Ｇ２は、第１導体部Ｇ１のＺ方向側の面の少なくとも一部上に固定されており且つ第１導体部Ｇ１に対して信号導体Ｓ側に配置されている。換言すると、第２導体部Ｇ２が、高周波信号の伝送時に、グランド導体Ｇのうちの信号導体Ｓとの電気的な結合が強い部分（高周波信号の電流密度が高い部分）を構成している。
【0038】
伝送用基板Ｄ１は送信部３００を更に備えていても良い。送信部３００は、伝送路２００に高周波信号を送信可能なＩＣなどの論理回路、又はプロセッサで処理されるソフトウエアで実現される。送信部３００は、誘電体１００の第１面１０１の第１位置上に実装され、信号導体Ｓに電気的且つ機械的に接続されている。信号導体Ｓが第１導体部Ｓ１を有する場合、送信部３００は、第１導体部Ｓ１の第１接続部に電気的且つ機械的に接続されている。例えば、送信部３００は、第１導体部Ｓ１又は第１導体部Ｓ１の第１接続部に半田接続されている。なお、送信部３００は省略可能である。この場合、伝送用基板Ｄ１が電子機器に搭載された状態で、電子機器の送信部に電気的に接続するために、信号導体Ｓ又は信号導体Ｓの第１導体部Ｓ１が、コネクタ、又は、ケーブルやピンなどの接続手段に接続可能となっていると良い。
【0039】
信号導体Ｓの第２位置上の部分に、コネクタ、ケーブルやピンなどの接続手段、又は高周波信号を受信する受信部などの電子部品が接続可能となっていると良い。信号導体Ｓが第１導体部Ｓ１を有する場合、第１導体部Ｓ１の第２接続部（すなわち、第２位置上の部分）に、コネクタ、接続手段、又は電子部品が電気的且つ機械的に接続可能となっている。
なお、第１導体部Ｓ１の第１接続部及び第２接続部は、Ｚ方向において第２導体部Ｓ２に覆われていない。第１導体部Ｓ１の第１接続部及び第２接続部の少なくとも一方の接続部は、特許請求の範囲の信号導体の第１導体部の接続部に相当する。この少なくとも一方の接続部のＺ方向側の面が、コネクタの端子（接続対象）によって弾性接触又は摺動接触される場合、少なくとも一方の接続部のＺ方向側の面上には第２導体部Ｓ２が設けられていないので、コネクタの端子の弾性接触又は摺動接触による第２導体部Ｓ２の摩耗や破損が防止される。
なお、第１導体部Ｓ１の第１接続部及び第２接続部は、Ｚ方向において第２導体部Ｓ２に覆われていない。第１導体部Ｓ１の第１接続部及び第２接続部の少なくとも一方の接続部は、特許請求の範囲の信号導体の第１導体部の接続部に相当する。この少なくとも一方の接続部のＺ方向側の面が、コネクタの端子（接続対象）によって弾性接触又は摺動接触される場合、少なくとも一方の接続部のＺ方向側の面上には第２導体部Ｓ２が設けられていないので、コネクタの端子の弾性接触又は摺動接触による第２導体部Ｓ２の摩耗や破損が防止される。
【0040】
以下、上記した伝送用基板Ｄ１の製造方法について説明する。誘電体１００を用意する。その後、以下の（１）～（３）の何れかの通り、誘電体１００の第１面１０１上に信号導体Ｓ又は信号導体Ｓの一部を形成し、以下の（４）～（６）の何れかの通り、誘電体１００の第２面１０２上にグランド導体Ｇ又はグランド導体Ｇの一部を形成する。
（１）信号導体Ｓが多結晶体のみで構成されている場合、上記の通り、導体ナノ粒子を主成分とする導電ペーストを用意し、誘電体１００の第１面１０１上に、周知の印刷法（例えば、スクリーン印刷法、インクジェット印刷法又はスプレー印刷法）を用いて導電ペーストを印刷する。
（２）信号導体Ｓが第１導体部Ｓ１及び第２導体部Ｓ２を有する場合、上記の通り、導体ナノ粒子を主成分とする導電ペーストを用意し、誘電体１００の第１面１０１上に、上記周知の印刷法を用いて導電ペーストを印刷する。
（３）信号導体Ｓが多結晶体を含まない構成である場合、誘電体１００の第１面１０１上に、上記周知の印刷法を用いて多結晶体を含まない導体を印刷する。
（４）グランド導体Ｇが多結晶体のみで構成されている場合、上記の通り、導体ナノ粒子を主成分とする導電ペーストを用意し、誘電体１００の第２面１０２上に、上記周知の印刷法を用いて導電ペーストを印刷する。
（５）グランド導体Ｇが第１導体部Ｇ１及び第２導体部Ｇ２を有する場合、上記の通り、導体ナノ粒子を主成分とする導電ペーストを用意し、誘電体１００の第２面１０２上に、上記周知の印刷法を用いて導電ペーストを印刷する。
（６）グランド導体Ｇが多結晶体を含まない構成である場合、誘電体１００の第２面１０２上に、上記周知の印刷法を用いて多結晶体を含まない導体を印刷する。
（１）信号導体Ｓが多結晶体のみで構成されている場合、上記の通り、導体ナノ粒子を主成分とする導電ペーストを用意し、誘電体１００の第１面１０１上に、周知の印刷法（例えば、スクリーン印刷法、インクジェット印刷法又はスプレー印刷法）を用いて導電ペーストを印刷する。
（２）信号導体Ｓが第１導体部Ｓ１及び第２導体部Ｓ２を有する場合、上記の通り、導体ナノ粒子を主成分とする導電ペーストを用意し、誘電体１００の第１面１０１上に、上記周知の印刷法を用いて導電ペーストを印刷する。
（３）信号導体Ｓが多結晶体を含まない構成である場合、誘電体１００の第１面１０１上に、上記周知の印刷法を用いて多結晶体を含まない導体を印刷する。
（４）グランド導体Ｇが多結晶体のみで構成されている場合、上記の通り、導体ナノ粒子を主成分とする導電ペーストを用意し、誘電体１００の第２面１０２上に、上記周知の印刷法を用いて導電ペーストを印刷する。
（５）グランド導体Ｇが第１導体部Ｇ１及び第２導体部Ｇ２を有する場合、上記の通り、導体ナノ粒子を主成分とする導電ペーストを用意し、誘電体１００の第２面１０２上に、上記周知の印刷法を用いて導電ペーストを印刷する。
（６）グランド導体Ｇが多結晶体を含まない構成である場合、誘電体１００の第２面１０２上に、上記周知の印刷法を用いて多結晶体を含まない導体を印刷する。
【0041】
その後、信号導体Ｓ及びグランド導体Ｇの一部又は全部付きの誘電体１００を、電気オーブンなど電気式加熱調理器具や電気炉内に入れ、大気圧下で低温（例えば、２５０℃）で数分～数十分間加熱し、導電ペーストを焼成する。上記（１）の場合、焼成された導電ペーストが上記多結晶体（信号導体Ｓ）となる。上記（２）の場合、焼成された導電ペーストが上記多結晶体（第２導体部Ｓ２）となる。上記（４）の場合、焼成された導電ペーストが上記多結晶体（グランド導体Ｇ）となる。上記（５）の場合、焼成された導電ペーストが上記多結晶体（第２導体部Ｇ２）となる。なお、焼成時間は、バインダーの種類などに応じて任意に変更できる。
【0042】
上記（２）の場合、焼成された第２導体部Ｓ２上に上記周知の印刷法を用いて第１導体部Ｓ１となる導体を印刷する。上記（５）の場合、焼成された第２導体部Ｇ２上に上記周知の印刷法を用いて第１導体部Ｇ１となる導体を印刷する。以上のように、誘電体１００に上記した何れかの態様の信号導体Ｓ及びグランド導体Ｇが形成される。伝送用基板Ｄ１が送信部３００を備えている場合、送信部３００を誘電体１００の第１面１０１上に実装し、信号導体Ｓに電気的且つ機械的に接続する。以上のようにして伝送用基板Ｄ１が製造される。
【0043】
以上のような伝送用基板Ｄ１は、以下の技術的特徴及び効果を奏する。
（Ａ）伝送路２００に伝送させる高周波信号の周波数が一又は複数の特定周波数帯域にあるとき、当該高周波信号の伝送損失（減衰）が軽減される。その理由は以下の通りである。
伝送路２００の信号導体Ｓ及びグランド導体Ｇの少なくとも一方の導体の少なくとも一部を構成する多結晶体の交流抵抗値が、伝送される高周波信号の周波数が一又は複数の特定周波数帯域にある場合、急激に低下するため、高周波信号の伝送損失が軽減される。
また、信号導体Ｓが多結晶体で構成された第２導体部Ｓ２を有する場合、高周波信号の伝送時に、信号導体Ｓにおいて、高周波信号の電流密度が高くなる部分（グランド導体Ｇ側の部分）が第２導体部Ｓ２で構成されている。第２導体部Ｓ２の交流抵抗値は、伝送される高周波信号の周波数が一又は複数の特定周波数帯域にある場合、急激に低下するため、信号導体Ｓ側で高周波信号の伝送損失が軽減される。グランド導体Ｇが多結晶体で構成された第２導体部Ｇ２を有する場合、高周波信号の伝送時に、グランド導体Ｇにおいて、高周波信号の電流密度が高くなる部分（信号導体Ｓ側の部分）が第２導体部Ｇ２で構成されている。第２導体部Ｇ２の交流抵抗値は、伝送される高周波信号の周波数が一又は複数の特定周波数帯域にある場合、急激に低下するため、グランド導体Ｇ側で高周波信号の伝送損失が軽減される。
（Ａ）伝送路２００に伝送させる高周波信号の周波数が一又は複数の特定周波数帯域にあるとき、当該高周波信号の伝送損失（減衰）が軽減される。その理由は以下の通りである。
伝送路２００の信号導体Ｓ及びグランド導体Ｇの少なくとも一方の導体の少なくとも一部を構成する多結晶体の交流抵抗値が、伝送される高周波信号の周波数が一又は複数の特定周波数帯域にある場合、急激に低下するため、高周波信号の伝送損失が軽減される。
また、信号導体Ｓが多結晶体で構成された第２導体部Ｓ２を有する場合、高周波信号の伝送時に、信号導体Ｓにおいて、高周波信号の電流密度が高くなる部分（グランド導体Ｇ側の部分）が第２導体部Ｓ２で構成されている。第２導体部Ｓ２の交流抵抗値は、伝送される高周波信号の周波数が一又は複数の特定周波数帯域にある場合、急激に低下するため、信号導体Ｓ側で高周波信号の伝送損失が軽減される。グランド導体Ｇが多結晶体で構成された第２導体部Ｇ２を有する場合、高周波信号の伝送時に、グランド導体Ｇにおいて、高周波信号の電流密度が高くなる部分（信号導体Ｓ側の部分）が第２導体部Ｇ２で構成されている。第２導体部Ｇ２の交流抵抗値は、伝送される高周波信号の周波数が一又は複数の特定周波数帯域にある場合、急激に低下するため、グランド導体Ｇ側で高周波信号の伝送損失が軽減される。
【0044】
（Ｂ）信号導体Ｓが第１導体部Ｓ１及び第２導体部Ｓ２を有する場合、伝送用基板Ｄ１の送信部３００、上記したコネクタ、電子部品又は接続手段に対する接続信頼性が向上する。その理由は以下の通りである。
第１導体部Ｓ１が、上記多結晶体の直流抵抗値よりも小さい直流抵抗値を有する素材及び抗酸化性などの耐腐食性を有する素材の少なくとも一方の素材で構成されている。第１導体部Ｓ１に、送信部３００、コネクタ、電子部品又は接続手段を電気的且つ機械的に接続させることができるので、送信部３００、コネクタ、電子部品又は接続手段と伝送用基板Ｄ１の接続信頼性が向上する。
グランド導体Ｇが第１導体部Ｇ１及び第２導体部Ｇ２を有する場合、伝送用基板Ｄ１のグランド接続に対する接続信頼性が向上する。その理由は以下の通りである。
第１導体部Ｇ１が、上記多結晶体の直流抵抗値よりも小さい直流抵抗値を有する素材及び抗酸化性などの耐腐食性を有する素材の少なくとも一方の素材で構成されている。第１導体部Ｇ１をグランド接続させることができるので、伝送用基板Ｄ１のグランド接続に対する接続信頼性が向上する。
第１導体部Ｓ１が、上記多結晶体の直流抵抗値よりも小さい直流抵抗値を有する素材及び抗酸化性などの耐腐食性を有する素材の少なくとも一方の素材で構成されている。第１導体部Ｓ１に、送信部３００、コネクタ、電子部品又は接続手段を電気的且つ機械的に接続させることができるので、送信部３００、コネクタ、電子部品又は接続手段と伝送用基板Ｄ１の接続信頼性が向上する。
グランド導体Ｇが第１導体部Ｇ１及び第２導体部Ｇ２を有する場合、伝送用基板Ｄ１のグランド接続に対する接続信頼性が向上する。その理由は以下の通りである。
第１導体部Ｇ１が、上記多結晶体の直流抵抗値よりも小さい直流抵抗値を有する素材及び抗酸化性などの耐腐食性を有する素材の少なくとも一方の素材で構成されている。第１導体部Ｇ１をグランド接続させることができるので、伝送用基板Ｄ１のグランド接続に対する接続信頼性が向上する。
【実施例2】
【0045】
以下、本発明の実施例２を含む複数の実施例に係る高周波伝送装置Ｄ２について、図２Ａ及び図２Ｂを参照しつつ説明する。高周波伝送装置Ｄ２は、高周波伝送用の基板である。以下、高周波伝送装置Ｄ２を伝送用基板Ｄ２とも称する。図２Ａ及び図２Ｂには、実施例２の伝送用基板Ｄ２が示されている。伝送用基板Ｄ２は、伝送路２００’が、信号導体Ｓ’及びグランド導体Ｇ（第１グランド導体）に加えて、グランド導体Ｇ’（第２グランド導体）を備え且つ信号導体Ｓ’が誘電体１００’の内部に設けられている点で相違する以外、伝送用基板Ｄ１と同様の構成である。以下、その相違点について詳しく説明し、伝送用基板Ｄ１と重複する説明は省略する。なお、図２Ｂにも、Ｚ－Ｚ’方向が示されている。
【0046】
伝送用基板Ｄ２の誘電体１００’は、多層基板であって、Ｚ方向側の第１面１０１’と、Ｚ’方向側の第２面１０２’とを有している。なお、説明の便宜上、誘電体１００’の信号導体Ｓ’に対してＺ方向側の部分を上層部、誘電体１００’の信号導体Ｓ’に対してＺ’方向側の部分を下層部と称する。
【0047】
伝送用基板Ｄ２の伝送路２００’の信号導体Ｓ’、グランド導体Ｇ及びグランド導体Ｇ’が、高周波信号を伝送可能なストリップラインを構成している。以下、伝送路２００’に一又は複数の特定周波数帯域の高周波信号を伝送させるときを、「高周波信号の伝送時」と称する。伝送路２００’ は、以下の通り、誘電体１００’上及び誘電体１００’内に位置している。信号導体Ｓ’は、誘電体１００’の内部に設けられており且つ当該内部の任意の第１位置から前記第１位置と異なる第２位置へ延びている。グランド導体Ｇは、誘電体１００’の第２面１０２’上に設けられ、信号導体Ｓ’に沿って延びており且つ誘電体１００’の下層部を挟んで信号導体Ｓ’のＺ’方向側（一方側）に配置されている。グランド導体Ｇ’は、誘電体１００’の第１面１０１’上に設けられ、信号導体Ｓ’に沿って延びており且つ誘電体１００’の上層部を挟んで信号導体Ｓ’のＺ方向側（他方側）に配置されている。
【0048】
信号導体Ｓ’は、その一部又は全部が上記多結晶体で構成することが可能である。この場合、グランド導体Ｇ及びグランド導体Ｇ’は、以下の（ア）～（ウ）の何れかの構成とすること可能である。
（ア）グランド導体Ｇ及びグランド導体Ｇ’は、その一部又は全部が多結晶体で構成されている。
（イ）グランド導体Ｇは、その一部又は全部が多結晶体で構成されており、且つ、グランド導体Ｇ’は、その全部が多結晶体を含まない導体で構成されている。又は、その逆としても良い。
（ウ）グランド導体Ｇ及びグランド導体Ｇ’は、その全部が多結晶体を含まない導体で構成されている。
又は、信号導体Ｓ’は、その全部が多結晶体を含まない導体で構成することが可能である。この場合、グランド導体Ｇ及びグランド導体Ｇ’は、以下の（エ）又は（オ）の構成とすること可能である。
（エ）グランド導体Ｇ及びグランド導体Ｇ’が、その一部又は全部が多結晶体で構成されている。
（オ）グランド導体Ｇが、その一部又は全部が多結晶体で構成されており、且つ、グランド導体Ｇ’は、その全部が多結晶体を含まない導体で構成されている。又は、その逆としても良い。
（ア）グランド導体Ｇ及びグランド導体Ｇ’は、その一部又は全部が多結晶体で構成されている。
（イ）グランド導体Ｇは、その一部又は全部が多結晶体で構成されており、且つ、グランド導体Ｇ’は、その全部が多結晶体を含まない導体で構成されている。又は、その逆としても良い。
（ウ）グランド導体Ｇ及びグランド導体Ｇ’は、その全部が多結晶体を含まない導体で構成されている。
又は、信号導体Ｓ’は、その全部が多結晶体を含まない導体で構成することが可能である。この場合、グランド導体Ｇ及びグランド導体Ｇ’は、以下の（エ）又は（オ）の構成とすること可能である。
（エ）グランド導体Ｇ及びグランド導体Ｇ’が、その一部又は全部が多結晶体で構成されている。
（オ）グランド導体Ｇが、その一部又は全部が多結晶体で構成されており、且つ、グランド導体Ｇ’は、その全部が多結晶体を含まない導体で構成されている。又は、その逆としても良い。
【0049】
ところで、高周波信号の伝送時において、表皮効果により、高周波信号の電流密度は、信号導体Ｓ’のうちのグランド導体Ｇ側の部分（信号導体Ｓ’のうちのグランド導体Ｇとの電気的な結合が強い部分）、信号導体Ｓ’のうちのグランド導体Ｇ’側の部分（信号導体Ｓ’のうちのグランド導体Ｇ’との電気的な結合が強い部分）、グランド導体Ｇのうちの信号導体Ｓ’側の部分（グランド導体Ｇのうちの信号導体Ｓ’との電気的な結合が強い部分）及びグランド導体Ｇ’のうちの信号導体Ｓ’側の部分（グランド導体Ｇ’のうちの信号導体Ｓ’との電気的な結合が強い部分）が高くなる。
【0050】
信号導体Ｓ’の一部が多結晶体で構成されている場合、信号導体Ｓ’は、第１導体部Ｓ１’及び第２導体部Ｓ２’を有する構成、第１導体部Ｓ１’及び第３導体部Ｓ３’を有する構成、又は、第１導体部Ｓ１’、第２導体部Ｓ２’及び第３導体部Ｓ３’を有する構成とすることが可能である。
第１導体部Ｓ１’、第２導体部Ｓ２’は、次の点を除き、伝送用基板Ｄ１の信号導体Ｓの第１導体部Ｓ１、第２導体部Ｓ２と同様の構成である。第１導体部Ｓ１’は、Ｚ方向の平面視において誘電体１００’内部の第１位置から第２位置へ延びている。
第２導体部Ｓ２’は、第１導体部Ｓ１’のＺ’方向側の面上に設けられており且つＺ方向の平面視において誘電体１００’内部の第１位置から第２位置へ延びていると良いが、一又は複数箇所で破断していても良い。すなわち、第２導体部Ｓ２’は、第１導体部Ｓ１’のＺ’方向側の面の少なくとも一部上に固定されており且つ第１導体部Ｓ１’に対してグランド導体Ｇ側に配置されている。
第３導体部Ｓ３’は、多結晶体で構成されており、第１導体部Ｓ１’のＺ方向側の面上に設けられており且つＺ方向の平面視において誘電体１００’内部の第１位置から第２位置へ延びていると良いが、一又は複数箇所で破断していても良い。すなわち、第３導体部Ｓ３’は、第１導体部Ｓ１’のＺ方向側の面の少なくとも一部上に固定されており且つ第１導体部Ｓ１’に対してグランド導体Ｇ’側に配置されている。
上記の通り、伝送路２００’は、誘電体１００’の内部に設けられているため、上記した「Ｚ方向の平面視」は、その対象が伝送用基板Ｄ２のＺ方向側から看者によって現実に視認されるわけではないことに留意されたい。
なお、第１導体部Ｓ１’の第１位置上の第１接続部及び第２位置上の第２接続部には、第２導体部Ｓ２’及び／又は第３導体部Ｓ３’が設けられていない。
第１導体部Ｓ１’、第２導体部Ｓ２’は、次の点を除き、伝送用基板Ｄ１の信号導体Ｓの第１導体部Ｓ１、第２導体部Ｓ２と同様の構成である。第１導体部Ｓ１’は、Ｚ方向の平面視において誘電体１００’内部の第１位置から第２位置へ延びている。
第２導体部Ｓ２’は、第１導体部Ｓ１’のＺ’方向側の面上に設けられており且つＺ方向の平面視において誘電体１００’内部の第１位置から第２位置へ延びていると良いが、一又は複数箇所で破断していても良い。すなわち、第２導体部Ｓ２’は、第１導体部Ｓ１’のＺ’方向側の面の少なくとも一部上に固定されており且つ第１導体部Ｓ１’に対してグランド導体Ｇ側に配置されている。
第３導体部Ｓ３’は、多結晶体で構成されており、第１導体部Ｓ１’のＺ方向側の面上に設けられており且つＺ方向の平面視において誘電体１００’内部の第１位置から第２位置へ延びていると良いが、一又は複数箇所で破断していても良い。すなわち、第３導体部Ｓ３’は、第１導体部Ｓ１’のＺ方向側の面の少なくとも一部上に固定されており且つ第１導体部Ｓ１’に対してグランド導体Ｇ’側に配置されている。
上記の通り、伝送路２００’は、誘電体１００’の内部に設けられているため、上記した「Ｚ方向の平面視」は、その対象が伝送用基板Ｄ２のＺ方向側から看者によって現実に視認されるわけではないことに留意されたい。
なお、第１導体部Ｓ１’の第１位置上の第１接続部及び第２位置上の第２接続部には、第２導体部Ｓ２’及び／又は第３導体部Ｓ３’が設けられていない。
【0051】
グランド導体Ｇの一部が多結晶体で構成されている場合、グランド導体Ｇが第１導体部Ｇ１及び第２導体部Ｇ２を有する構成とすることが可能である。第１導体部Ｇ１、第２導体部Ｇ２は、伝送用基板Ｄ１のグランド導体Ｇの第１導体部Ｇ１、第２導体部Ｇ２と同様の構成である。
【0052】
グランド導体Ｇ’の一部が多結晶体で構成されている場合、グランド導体Ｇ’が第１導体部Ｇ１’及び第２導体部Ｇ２’を有する構成とすることが可能である。第２導体部Ｇ２’は、誘電体１００’の第１面１０１’上に設けられている以外、第２導体部Ｇ２と同様の構成である。第１導体部Ｇ１’は、第２導体部Ｇ２’のＺ方向側の面上に設けられている以外、第１導体部Ｇ１と同様の構成である。すなわち、第２導体部Ｇ２’は、第１導体部Ｇ１’のＺ’方向側の面の少なくとも一部上に固定されており且つ第１導体部Ｇ１’に対して信号導体Ｓ’側に配置されている。
【0053】
伝送用基板Ｄ２が送信部３００を更に備えている場合、送信部３００は、誘電体１００’の第１面１０１’上に実装され、信号導体Ｓ’の第１位置上の部分に電気的且つ機械的に接続されている。信号導体Ｓ’が第１導体部Ｓ１’を有する場合、送信部３００は、第１導体部Ｓ１’の第１接続部に電気的且つ機械的に接続されている。なお、送信部３００は、伝送用基板Ｄ１と同様に、省略可能である。
【0054】
以下、上記した伝送用基板Ｄ２の製造方法について説明する。誘電体１００’の下層部を用意する。その後、上記（１）～（３）及び下記（７）の何れかの通り、誘電体１００’の下層部のＺ方向側の面上に信号導体Ｓを形成し、上記（４）～（６）の何れかの通り、誘電体１００’の下層部の第２面１０２’上にグランド導体Ｇを形成する。
（７）信号導体Ｓが第１導体部Ｓ１’及び第３導体部Ｓ３’を有する場合、上記の通り、導体ナノ粒子を主成分とする導電ペーストを用意し、誘電体１００’の下層部のＺ方向側の面上に、上記周知の印刷法を用いて第１導体部Ｓ１’となる導体を印刷し、第１導体部Ｓ１’上に、上記周知の印刷法を用いて導電ペーストを印刷する。
（７）信号導体Ｓが第１導体部Ｓ１’及び第３導体部Ｓ３’を有する場合、上記の通り、導体ナノ粒子を主成分とする導電ペーストを用意し、誘電体１００’の下層部のＺ方向側の面上に、上記周知の印刷法を用いて第１導体部Ｓ１’となる導体を印刷し、第１導体部Ｓ１’上に、上記周知の印刷法を用いて導電ペーストを印刷する。
【0055】
その後、（１）～（３）及び（７）の何れかの工程、（４）～（６）の何れかの工程を経て得られた信号導体Ｓ’、及びグランド導体Ｇの一部又は全部付きの誘電体１００’の下層部を、上記電気式加熱調理器具や上記電気炉内に入れ、上記の通り導電ペーストを焼成する。上記（１）の場合、焼成された導電ペーストが上記多結晶体（信号導体Ｓ’）となる。上記（２）の場合、焼成された導電ペーストが上記多結晶体（第２導体部Ｓ２’）となる。上記（７）の場合、焼成された導電ペーストが上記多結晶体（第３導体部Ｓ３’）となる。上記（４）の場合、焼成された導電ペーストが上記多結晶体（グランド導体Ｇ）となる。上記（５）の場合、焼成された導電ペーストが上記多結晶体（第２導体部Ｇ２）となる。
【0056】
上記（２）の場合、焼成された導電ペースト（第２導体部Ｓ２’）上に上記周知の印刷法を用いて第１導体部Ｓ１’となる導体を印刷する。上記（２）の場合において、信号導体Ｓ’が第３導体部Ｓ３’を有する場合、上記の通り、導体ナノ粒子を主成分とする導電ペーストを用意し、第１導体部Ｓ１’上に、上記周知の印刷法を用いて導電ペーストを印刷し、当該導電ペーストを上記の通り焼成する。焼成された導電ペーストが上記多結晶体（第３導体部Ｓ３’）となる。上記（５）の場合、焼成された第２導体部Ｇ２上に上記周知の印刷法を用いて第１導体部Ｇ１となる導体を印刷する。
【0057】
その後、誘電体１００’の下層部上に上層部を形成する。これにより、信号導体Ｓ’が誘電体１００’の内部に配置される。その後、下記（８）～（１０）の何れか通り、誘電体１００’の第１面１０１’上にグランド導体Ｇ’又はグランド導体Ｇ’の一部を形成する。
（８）グランド導体Ｇ’が多結晶体のみで構成されている場合、上記の通り、導体ナノ粒子を主成分とする導電ペーストを用意し、誘電体１００’の第１面１０１’上に、上記周知の印刷法を用いて導電ペーストを印刷する。
（９）グランド導体Ｇ’が第１導体部Ｇ１’及び第２導体部Ｇ２’を有する場合、上記の通り、導体ナノ粒子を主成分とする導電ペーストを用意し、誘電体１００’の第１面１０１’上に、上記周知の印刷法を用いて導電ペーストを印刷する。
（１０）グランド導体Ｇ’が多結晶体を含まない構成である場合、誘電体１００’の第１面１０１’上に、上記周知の印刷法を用いて多結晶体を含まない導体を印刷する。
（８）グランド導体Ｇ’が多結晶体のみで構成されている場合、上記の通り、導体ナノ粒子を主成分とする導電ペーストを用意し、誘電体１００’の第１面１０１’上に、上記周知の印刷法を用いて導電ペーストを印刷する。
（９）グランド導体Ｇ’が第１導体部Ｇ１’及び第２導体部Ｇ２’を有する場合、上記の通り、導体ナノ粒子を主成分とする導電ペーストを用意し、誘電体１００’の第１面１０１’上に、上記周知の印刷法を用いて導電ペーストを印刷する。
（１０）グランド導体Ｇ’が多結晶体を含まない構成である場合、誘電体１００’の第１面１０１’上に、上記周知の印刷法を用いて多結晶体を含まない導体を印刷する。
【0058】
上記（８）又は（９）の工程の後、グランド導体Ｇ’の一部又は全部付きの誘電体１００’を、上記電気式加熱調理器具や上記電気炉内に入れ、上記の通り導電ペーストを焼成する。上記（８）の場合、焼成された導電ペーストが上記多結晶体（グランド導体Ｇ’）となる。上記（９）の場合、焼成された導電ペーストが上記多結晶体（第２導体部Ｇ２’）となる。この焼成された第２導体部Ｇ２’上に上記周知の印刷法を用いて第１導体部Ｇ１’となる導体を印刷する。以上のように、誘電体１００’に上記した何れかの態様の信号導体Ｓ’、グランド導体Ｇ及びグランド導体Ｇ’が形成される。伝送用基板Ｄ２が送信部３００を備えている場合、送信部３００を誘電体１００’の第１面１０１’上に実装し、信号導体Ｓ’に電気的且つ機械的に接続する。以上のようにして伝送用基板Ｄ２が製造される。
【0059】
以上のような伝送用基板Ｄ２は、伝送路２００’に伝送される高周波信号の周波数が一又は複数の特定周波数帯域にある場合、当該高周波信号の伝送損失（減衰）が軽減される。その理由は以下の通りである。
伝送路２００’の信号導体Ｓ’、グランド導体Ｇ及びグランド導体Ｇ’のうちの少なくとも一つの導体の少なくとも一部を構成する多結晶体の交流抵抗値が、伝送される高周波信号の周波数が一又は複数の特定周波数帯域にある場合、急激に低下するため、高周波信号の伝送損失が軽減される。
また、信号導体Ｓ’が多結晶体で構成された第２導体部Ｓ２’及び／又は第３導体部Ｓ３’を有する場合、高周波信号の伝送時に、信号導体Ｓ’において、高周波信号の電流密度が高くなる部分（グランド導体Ｇ側の部分及び／又はグランド導体Ｇ’側の部分）が第２導体部Ｓ２’及び／又は第３導体部Ｓ３’で構成されている。第２導体部Ｓ２’及び／又は第３導体部Ｓ３’の交流抵抗値は、伝送される高周波信号の周波数が一又は複数の特定周波数帯域にある場合、急激に低下するため、信号導体Ｓ’側で高周波信号の伝送損失が軽減される。
グランド導体Ｇが多結晶体で構成された第２導体部Ｇ２を有する場合、高周波信号の伝送時に、グランド導体Ｇにおいて、高周波信号の電流密度が高くなる部分（信号導体Ｓ’側の部分）が第２導体部Ｇ２で構成されている。第２導体部Ｇ２の交流抵抗値は、伝送される高周波信号の周波数が一又は複数の特定周波数帯域にある場合、急激に低下するため、グランド導体Ｇ側で高周波信号の伝送損失が軽減される。
グランド導体Ｇ’が多結晶体で構成された第２導体部Ｇ２’を有する場合、高周波信号の伝送時に、グランド導体Ｇ’において、高周波信号の電流密度が高くなる部分（信号導体Ｓ’側の部分）が第２導体部Ｇ２’で構成されている。第２導体部Ｇ２’の交流抵抗値は、伝送される高周波信号の周波数が一又は複数の特定周波数帯域にある場合、急激に低下するため、グランド導体Ｇ’側で高周波信号の伝送損失が軽減される。
なお、伝送用基板Ｄ２は、伝送用基板Ｄ１の上記（Ｂ）と同様の技術的特徴及び効果も奏する。
伝送路２００’の信号導体Ｓ’、グランド導体Ｇ及びグランド導体Ｇ’のうちの少なくとも一つの導体の少なくとも一部を構成する多結晶体の交流抵抗値が、伝送される高周波信号の周波数が一又は複数の特定周波数帯域にある場合、急激に低下するため、高周波信号の伝送損失が軽減される。
また、信号導体Ｓ’が多結晶体で構成された第２導体部Ｓ２’及び／又は第３導体部Ｓ３’を有する場合、高周波信号の伝送時に、信号導体Ｓ’において、高周波信号の電流密度が高くなる部分（グランド導体Ｇ側の部分及び／又はグランド導体Ｇ’側の部分）が第２導体部Ｓ２’及び／又は第３導体部Ｓ３’で構成されている。第２導体部Ｓ２’及び／又は第３導体部Ｓ３’の交流抵抗値は、伝送される高周波信号の周波数が一又は複数の特定周波数帯域にある場合、急激に低下するため、信号導体Ｓ’側で高周波信号の伝送損失が軽減される。
グランド導体Ｇが多結晶体で構成された第２導体部Ｇ２を有する場合、高周波信号の伝送時に、グランド導体Ｇにおいて、高周波信号の電流密度が高くなる部分（信号導体Ｓ’側の部分）が第２導体部Ｇ２で構成されている。第２導体部Ｇ２の交流抵抗値は、伝送される高周波信号の周波数が一又は複数の特定周波数帯域にある場合、急激に低下するため、グランド導体Ｇ側で高周波信号の伝送損失が軽減される。
グランド導体Ｇ’が多結晶体で構成された第２導体部Ｇ２’を有する場合、高周波信号の伝送時に、グランド導体Ｇ’において、高周波信号の電流密度が高くなる部分（信号導体Ｓ’側の部分）が第２導体部Ｇ２’で構成されている。第２導体部Ｇ２’の交流抵抗値は、伝送される高周波信号の周波数が一又は複数の特定周波数帯域にある場合、急激に低下するため、グランド導体Ｇ’側で高周波信号の伝送損失が軽減される。
なお、伝送用基板Ｄ２は、伝送用基板Ｄ１の上記（Ｂ）と同様の技術的特徴及び効果も奏する。
【実施例3】
【0060】
以下、本発明の実施例３を含む複数の実施例に係る高周波伝送装置Ｄ３について、図３Ａ及び図３Ｂを参照しつつ説明する。高周波伝送装置Ｄ３は、高周波伝送用の基板である。以下、高周波伝送装置Ｄ３を伝送用基板Ｄ３とも称する。図３Ａ及び図３Ｂには、実施例３の伝送用基板Ｄ３が示されている。伝送用基板Ｄ３は、伝送路２００’’が、信号導体Ｓ’’及び一対のグランド導体Ｇ’’を備えている点で相違する以外、伝送用基板Ｄ１と同様の構成である。その相違点について詳しく説明し、伝送用基板Ｄ１と重複する説明は省略する。なお、図３Ｂには、Ｚ－Ｚ’方向に加えて、信号導体Ｓ’’の短手方向であるＸ－Ｘ’方向が示されている。
【0061】
伝送路２００’’の信号導体Ｓ’’及び一対のグランド導体Ｇ’’は、高周波信号を伝送可能なコプレーナーラインを構成している。以下、伝送路２００’’に一又は複数の特定周波数帯域の高周波信号を伝送させるときを、「高周波信号の伝送時」と称する。伝送路２００’’は、以下の通り、誘電体１００上に位置している。信号導体Ｓ’’は、誘電体１００の第１面１０１上に設けられ、第１位置から第２位置へ延びている。一対のグランド導体Ｇ’’は、第１グランド導体Ｇ’’及び第２グランド導体Ｇ’’を含む。第１グランド導体Ｇ’’は、誘電体１００の第１面１０１上に設けられ、信号導体Ｓ’’に沿って延びており且つ信号導体Ｓ’’のＸ方向側（一方側）に間隔をあけて配置されている。第２グランド導体Ｇ’’は、誘電体１００の第１面１０１上に設けられ、信号導体Ｓ’’に沿って延びており且つ信号導体Ｓ’’のＸ’方向側（他方側）に間隔をあけて配置されている。
【0062】
信号導体Ｓ’’は、その一部又は全部が多結晶体で構成することが可能である。この場合、第１グランド導体Ｇ’’及び第２グランド導体Ｇ’’は、以下の（ア）～（ウ）の何れかの構成とすると良い。
（ア）第１グランド導体Ｇ’’及び第２グランド導体Ｇ’’は、その一部又は全部が多結晶体で構成されている。
（イ）第１グランド導体Ｇ’’は、その一部又は全部が多結晶体で構成されており、且つ第２グランド導体Ｇ’’は、その全部が多結晶体を含まない導体で構成されている。又は、その逆としても良い。
（ウ）第１グランド導体Ｇ’’及び第２グランド導体Ｇ’’は、その全部が多結晶体を含まない導体で構成されている。
又は、信号導体Ｓ’’は、その全部が多結晶体を含まない導体で構成することが可能である。この場合、第１グランド導体Ｇ’’及び第２グランド導体Ｇ’’は、以下の（エ）又は（オ）の構成とすること可能である。
（エ）第１グランド導体Ｇ’’及び第２グランド導体Ｇ’’が、その一部又は全部が多結晶体で構成されている。
（オ）第１グランド導体Ｇ’’が、その一部又は全部が多結晶体で構成されており、且つ、第２グランド導体Ｇ’’は、その全部が多結晶体を含まない導体で構成されている。又は、その逆としても良い。
（ア）第１グランド導体Ｇ’’及び第２グランド導体Ｇ’’は、その一部又は全部が多結晶体で構成されている。
（イ）第１グランド導体Ｇ’’は、その一部又は全部が多結晶体で構成されており、且つ第２グランド導体Ｇ’’は、その全部が多結晶体を含まない導体で構成されている。又は、その逆としても良い。
（ウ）第１グランド導体Ｇ’’及び第２グランド導体Ｇ’’は、その全部が多結晶体を含まない導体で構成されている。
又は、信号導体Ｓ’’は、その全部が多結晶体を含まない導体で構成することが可能である。この場合、第１グランド導体Ｇ’’及び第２グランド導体Ｇ’’は、以下の（エ）又は（オ）の構成とすること可能である。
（エ）第１グランド導体Ｇ’’及び第２グランド導体Ｇ’’が、その一部又は全部が多結晶体で構成されている。
（オ）第１グランド導体Ｇ’’が、その一部又は全部が多結晶体で構成されており、且つ、第２グランド導体Ｇ’’は、その全部が多結晶体を含まない導体で構成されている。又は、その逆としても良い。
【0063】
ところで、高周波信号の伝送時において、表皮効果により、高周波信号の電流密度は、信号導体Ｓ’’のうちの第１グランド導体Ｇ’’側の部分（信号導体Ｓ’’のうちの第１グランド導体Ｇ’’との電気的な結合が強い部分）、信号導体Ｓ’’のうちの第２グランド導体Ｇ’’側の部分（信号導体Ｓ’’のうちの第２グランド導体Ｇ’’との電気的な結合が強い部分）、及び第１、第２グランド導体Ｇ’’のうちの信号導体Ｓ’’側 の部分（第１、第２グランド導体Ｇ’’のうちの信号導体Ｓ’’との電気的な結合が強い部分）が高くなる。
【0064】
信号導体Ｓ’’の一部が多結晶体で構成されている場合、信号導体Ｓ’’は、第１導体部Ｓ１’’及び第２導体部Ｓ２’’を有する構成、第１導体部Ｓ１’’及び第３導体部Ｓ３’’を有する構成、又は、第１導体部Ｓ１’’、第２導体部Ｓ２’’及び第３導体部Ｓ３’’を有する構成とすることが可能である。
第１導体部Ｓ１’’は、誘電体１００の第１面１０１上に設けられており且つ第１位置から第２位置へ延びている以外、伝送用基板Ｄ１の第１導体部Ｓ１と同様の構成である。
第２導体部Ｓ２’’は多結晶体で構成されている。第２導体部Ｓ２’’は、誘電体１００の第１面１０１上に設けられ、第１導体部Ｓ１’’のＸ方向側の面の少なくとも一部上に固定されており且つ第１導体部Ｓ１’’に対して第１グランド導体Ｇ’’側に配置されている。第２導体部Ｓ２’’は、第１導体部Ｓ１’’のＸ方向側の面に沿って第１位置から第２位置へ延びていると良いが、一又は複数箇所で破断していても良い。すなわち、第２導体部Ｓ２’’が、高周波信号の伝送時に、信号導体Ｓ’’のうちの第１グランド導体Ｇ’’との電気的な結合が強い部分（高周波信号の電流密度が高い部分）を構成している。
第３導体部Ｓ３’’は多結晶体で構成されている。第３導体部Ｓ３’’は、誘電体１００の第１面１０１上に設けられ、第１導体部Ｓ１’’のＸ’方向側の面の少なくとも一部上に固定されており且つ第１導体部Ｓ１’’に対して第２グランド導体Ｇ’’側に配置されている。第３導体部Ｓ３’’は、第１導体部Ｓ１’’のＸ’方向側の面に沿って第１位置から第２位置へ延びていると良いが、一又は複数箇所で破断していても良い。すなわち、第３導体部Ｓ３’’が、高周波信号の伝送時に、信号導体Ｓ’’のうちの第２グランド導体Ｇ’’との電気的な結合が強い部分（高周波信号の電流密度が高い部分）を構成している。
なお、第１導体部Ｓ１’’の第１接続部及び第２接続部は、Ｚ方向において第２導体部Ｓ２’’及び第３導体部Ｓ３’’に覆われていない。よって、第１導体部Ｓ１’’の第１接続部及び第２接続部の少なくとも一方の接続部は、特許請求の範囲の信号導体の第１導体部の接続部に相当する。この少なくとも一方の接続部のＺ方向側の面が、コネクタの端子（接続対象）によって弾性接触又は摺動接触される場合、少なくとも一方の接続部のＺ方向側の面上には第２導体部Ｓ２’’及び第３導体部Ｓ３’’が設けられていないので、コネクタの端子の弾性接触又は摺動接触による第２導体部Ｓ２’’及び第３導体部Ｓ３’’の摩耗や破損が防止される。
第１導体部Ｓ１’’は、誘電体１００の第１面１０１上に設けられており且つ第１位置から第２位置へ延びている以外、伝送用基板Ｄ１の第１導体部Ｓ１と同様の構成である。
第２導体部Ｓ２’’は多結晶体で構成されている。第２導体部Ｓ２’’は、誘電体１００の第１面１０１上に設けられ、第１導体部Ｓ１’’のＸ方向側の面の少なくとも一部上に固定されており且つ第１導体部Ｓ１’’に対して第１グランド導体Ｇ’’側に配置されている。第２導体部Ｓ２’’は、第１導体部Ｓ１’’のＸ方向側の面に沿って第１位置から第２位置へ延びていると良いが、一又は複数箇所で破断していても良い。すなわち、第２導体部Ｓ２’’が、高周波信号の伝送時に、信号導体Ｓ’’のうちの第１グランド導体Ｇ’’との電気的な結合が強い部分（高周波信号の電流密度が高い部分）を構成している。
第３導体部Ｓ３’’は多結晶体で構成されている。第３導体部Ｓ３’’は、誘電体１００の第１面１０１上に設けられ、第１導体部Ｓ１’’のＸ’方向側の面の少なくとも一部上に固定されており且つ第１導体部Ｓ１’’に対して第２グランド導体Ｇ’’側に配置されている。第３導体部Ｓ３’’は、第１導体部Ｓ１’’のＸ’方向側の面に沿って第１位置から第２位置へ延びていると良いが、一又は複数箇所で破断していても良い。すなわち、第３導体部Ｓ３’’が、高周波信号の伝送時に、信号導体Ｓ’’のうちの第２グランド導体Ｇ’’との電気的な結合が強い部分（高周波信号の電流密度が高い部分）を構成している。
なお、第１導体部Ｓ１’’の第１接続部及び第２接続部は、Ｚ方向において第２導体部Ｓ２’’及び第３導体部Ｓ３’’に覆われていない。よって、第１導体部Ｓ１’’の第１接続部及び第２接続部の少なくとも一方の接続部は、特許請求の範囲の信号導体の第１導体部の接続部に相当する。この少なくとも一方の接続部のＺ方向側の面が、コネクタの端子（接続対象）によって弾性接触又は摺動接触される場合、少なくとも一方の接続部のＺ方向側の面上には第２導体部Ｓ２’’及び第３導体部Ｓ３’’が設けられていないので、コネクタの端子の弾性接触又は摺動接触による第２導体部Ｓ２’’及び第３導体部Ｓ３’’の摩耗や破損が防止される。
【0065】
一対のグランド導体Ｇ’’の少なくとも一方の導体の一部が多結晶体で構成されている場合、少なくとも一方の導体が第１導体部Ｇ１’’及び第２導体部Ｇ２’’を有する構成とすることが可能である。
第１、第２グランド導体Ｇ’’の第１導体部Ｇ１’’は、誘電体１００の第１面１０１上で信号導体Ｓ’’に沿って延びており且つ信号導体Ｓ’’のＸ方向側、Ｘ’方向側に間隔をあけて配置されている。第１、第２グランド導体Ｇ’’の第２導体部Ｇ２’’は、誘電体１００の第１面１０１上に設けられ、第１、第２グランド導体Ｇ’’の第１導体部Ｇ１’’のＸ’方向側の面、Ｘ方向側の面の少なくとも一部上に固定されており且つ当該第１導体部Ｇ１’’よりも信号導体Ｓ’’側に配置されている。第１、第２グランド導体Ｇ’’の第２導体部Ｇ２’’は、信号導体Ｓ’’のＸ方向側、Ｘ’方向側に間隔をあけて配置されている。第１、第２グランド導体Ｇ’’の第２導体部Ｇ２’’は、第１導体部Ｇ１’’のＸ’方向側の面、Ｘ方向側の面に沿って第１位置から第２位置へ延びていると良いが、一又は複数箇所で破断していても良い。すなわち、第１、第２グランド導体Ｇ’’の第２導体部Ｇ２’’は、高周波信号の伝送時に、第１、第２グランド導体Ｇ’’のうちの信号導体Ｓ’’との電気的な結合が強い部分（高周波信号の電流密度が高い部分）を構成している。
第１、第２グランド導体Ｇ’’の第１導体部Ｇ１’’は、誘電体１００の第１面１０１上で信号導体Ｓ’’に沿って延びており且つ信号導体Ｓ’’のＸ方向側、Ｘ’方向側に間隔をあけて配置されている。第１、第２グランド導体Ｇ’’の第２導体部Ｇ２’’は、誘電体１００の第１面１０１上に設けられ、第１、第２グランド導体Ｇ’’の第１導体部Ｇ１’’のＸ’方向側の面、Ｘ方向側の面の少なくとも一部上に固定されており且つ当該第１導体部Ｇ１’’よりも信号導体Ｓ’’側に配置されている。第１、第２グランド導体Ｇ’’の第２導体部Ｇ２’’は、信号導体Ｓ’’のＸ方向側、Ｘ’方向側に間隔をあけて配置されている。第１、第２グランド導体Ｇ’’の第２導体部Ｇ２’’は、第１導体部Ｇ１’’のＸ’方向側の面、Ｘ方向側の面に沿って第１位置から第２位置へ延びていると良いが、一又は複数箇所で破断していても良い。すなわち、第１、第２グランド導体Ｇ’’の第２導体部Ｇ２’’は、高周波信号の伝送時に、第１、第２グランド導体Ｇ’’のうちの信号導体Ｓ’’との電気的な結合が強い部分（高周波信号の電流密度が高い部分）を構成している。
【0066】
以下、上記した伝送用基板Ｄ３の製造方法について説明する。誘電体１００を用意する。その後、以下の（１）～（５）の何れかの通り、誘電体１００の第１面１０１上に信号導体Ｓ’’を形成し、以下の（６）～（８）の何れかの通り、誘電体１００の第２面１０２上にグランド導体Ｇ’’を形成する。
（１）信号導体Ｓ’’が多結晶体のみで構成されている場合、上記の通り、導体ナノ粒子を主成分とする導電ペーストを用意し、誘電体１００の第１面１０１上に、周知の印刷法（例えば、スクリーン印刷法、インクジェット印刷法又はスプレー印刷法）を用いて導電ペーストを印刷する。
（２）信号導体Ｓ’’が第１導体部Ｓ１’’及び第２導体部Ｓ２’’を有する場合、上記の通り、導体ナノ粒子を主成分とする導電ペーストを用意し、誘電体１００の第１面１０１上に、上記周知の印刷法を用いて、第１導体部Ｓ１’’となる導体及びそのＸ方向側に第２導体部Ｓ２’’となる導電ペーストをそれぞれ印刷する。
（３）信号導体Ｓ’’が第１導体部Ｓ１’’及び第３導体部Ｓ３’’を有する場合、上記の通り、導体ナノ粒子を主成分とする導電ペーストを用意し、誘電体１００の第１面１０１上に、上記周知の印刷法を用いて、第１導体部Ｓ１’’となる導体及びそのＸ’方向側に第３導体部Ｓ３’’となる導電ペーストをそれぞれ印刷する。
（４）信号導体Ｓ’’が第１導体部Ｓ１’’、第２導体部Ｓ２’’及び第３導体部Ｓ３’’を有する場合、上記の通り、導体ナノ粒子を主成分とする導電ペーストを用意し、誘電体１００の第１面１０１上に、上記周知の印刷法を用いて、第１導体部Ｓ１’’となる導体、当該導体のＸ方向側に第２導体部Ｓ２’’となる導電ペースト及び当該導体のＸ’方向側に第３導体部Ｓ３’’となる導電ペーストをそれぞれ印刷する。
（５）信号導体Ｓ’’が多結晶体を含まない構成である場合、誘電体１００の第１面１０１上に、上記周知の印刷法を用いて多結晶体を含まない導体を印刷する。
（６）第１グランド導体Ｇ’’及び／又は第２グランド導体Ｇ’’が多結晶体のみで構成されている場合、上記の通り、導体ナノ粒子を主成分とする導電ペーストを用意し、誘電体１００の第１面１０１上に、上記周知の印刷法を用いて導電ペーストを印刷する。
（７）第１グランド導体Ｇ’’及び／又は第２グランド導体Ｇ’’が第１導体部Ｇ１’’及び第２導体部Ｇ２’’を有する場合、上記の通り、導体ナノ粒子を主成分とする導電ペーストを用意し、誘電体１００の第１面１０１上に、上記周知の印刷法を用いて、第１導体部Ｇ１’’となる導体及びそのＸ’方向側及び／又はＸ方向側に第２導体部Ｇ２’’となる導電ペーストをそれぞれ印刷する。
（８）第１グランド導体Ｇ’’及び／又は第２グランド導体Ｇ’’が多結晶体を含まない構成である場合、誘電体１００の第２面１０２上に、上記周知の印刷法を用いて多結晶体を含まない導体を印刷する。
（１）信号導体Ｓ’’が多結晶体のみで構成されている場合、上記の通り、導体ナノ粒子を主成分とする導電ペーストを用意し、誘電体１００の第１面１０１上に、周知の印刷法（例えば、スクリーン印刷法、インクジェット印刷法又はスプレー印刷法）を用いて導電ペーストを印刷する。
（２）信号導体Ｓ’’が第１導体部Ｓ１’’及び第２導体部Ｓ２’’を有する場合、上記の通り、導体ナノ粒子を主成分とする導電ペーストを用意し、誘電体１００の第１面１０１上に、上記周知の印刷法を用いて、第１導体部Ｓ１’’となる導体及びそのＸ方向側に第２導体部Ｓ２’’となる導電ペーストをそれぞれ印刷する。
（３）信号導体Ｓ’’が第１導体部Ｓ１’’及び第３導体部Ｓ３’’を有する場合、上記の通り、導体ナノ粒子を主成分とする導電ペーストを用意し、誘電体１００の第１面１０１上に、上記周知の印刷法を用いて、第１導体部Ｓ１’’となる導体及びそのＸ’方向側に第３導体部Ｓ３’’となる導電ペーストをそれぞれ印刷する。
（４）信号導体Ｓ’’が第１導体部Ｓ１’’、第２導体部Ｓ２’’及び第３導体部Ｓ３’’を有する場合、上記の通り、導体ナノ粒子を主成分とする導電ペーストを用意し、誘電体１００の第１面１０１上に、上記周知の印刷法を用いて、第１導体部Ｓ１’’となる導体、当該導体のＸ方向側に第２導体部Ｓ２’’となる導電ペースト及び当該導体のＸ’方向側に第３導体部Ｓ３’’となる導電ペーストをそれぞれ印刷する。
（５）信号導体Ｓ’’が多結晶体を含まない構成である場合、誘電体１００の第１面１０１上に、上記周知の印刷法を用いて多結晶体を含まない導体を印刷する。
（６）第１グランド導体Ｇ’’及び／又は第２グランド導体Ｇ’’が多結晶体のみで構成されている場合、上記の通り、導体ナノ粒子を主成分とする導電ペーストを用意し、誘電体１００の第１面１０１上に、上記周知の印刷法を用いて導電ペーストを印刷する。
（７）第１グランド導体Ｇ’’及び／又は第２グランド導体Ｇ’’が第１導体部Ｇ１’’及び第２導体部Ｇ２’’を有する場合、上記の通り、導体ナノ粒子を主成分とする導電ペーストを用意し、誘電体１００の第１面１０１上に、上記周知の印刷法を用いて、第１導体部Ｇ１’’となる導体及びそのＸ’方向側及び／又はＸ方向側に第２導体部Ｇ２’’となる導電ペーストをそれぞれ印刷する。
（８）第１グランド導体Ｇ’’及び／又は第２グランド導体Ｇ’’が多結晶体を含まない構成である場合、誘電体１００の第２面１０２上に、上記周知の印刷法を用いて多結晶体を含まない導体を印刷する。
【0067】
その後、信号導体Ｓ’’及びグランド導体Ｇ’’付きの誘電体１００を、上記電気式加熱調理器具や上記電気炉内に入れ、上記の通り導電ペーストを焼成する。上記（１）の場合、焼成された導電ペーストが上記多結晶体（信号導体Ｓ’’）となる。上記（２）の場合、焼成された導電ペーストが上記多結晶体（第２導体部Ｓ２’’）となる。上記（３）の場合、焼成された導電ペーストが上記多結晶体（第３導体部Ｓ３’’）となる。上記（４）の場合、焼成されたＸ方向側、Ｘ’方向側の導電ペーストが上記多結晶体（第２導体部Ｓ２’’、第３導体部Ｓ３’’）となる。上記（６）の場合、焼成された導電ペーストが上記多結晶体（第１グランド導体Ｇ’’及び／又は第２グランド導体Ｇ’’）となる。上記（７）の場合、焼成された導電ペーストが上記多結晶体（第１グランド導体Ｇ’’及び／又は第２グランド導体Ｇ’’の第２導体部Ｇ２’’）となる。以上のように、誘電体１００に上記した何れかの態様の信号導体Ｓ’’及び一対のグランド導体Ｇ’’が形成される。伝送用基板Ｄ３が送信部３００を備えている場合、送信部３００を誘電体１００の第１面１０１上に実装し、信号導体Ｓ’’に電気的且つ機械的に接続する。以上のようにして伝送用基板Ｄ３が製造される。
【0068】
以上のような伝送用基板Ｄ３は、伝送路２００’’に伝送される高周波信号の周波数が一又は複数の特定周波数帯域にある場合、当該高周波信号の伝送損失（減衰）が軽減される。その理由は以下の通りである。
伝送路２００’’の信号導体Ｓ’’、 第１グランド導体Ｇ’’及び第２グランド導体Ｇ’’のうちの少なくとも一つの導体の少なくとも一部を構成する多結晶体の交流抵抗値が、伝送される高周波信号の周波数が一又は複数の特定周波数帯域にある場合、急激に低下するため、高周波信号の伝送損失が軽減される。
また、信号導体Ｓ’’が多結晶体で構成された第２導体部Ｓ２’’及び／又は第３導体部Ｓ３’’を有する場合、高周波信号の伝送時に、信号導体Ｓ’’において、高周波信号の電流密度が高くなる部分（第１グランド導体Ｇ’’側の部分及び／又は第２グランド導体Ｇ’’側の部分）が第２導体部Ｓ２’’及び／又は第３導体部Ｓ３’’で構成されている。第２導体部Ｓ２’’及び／又は第３導体部Ｓ３’’の交流抵抗値は、伝送される高周波信号の周波数が一又は複数の特定周波数帯域にある場合、急激に低下するため、信号導体Ｓ’’側で高周波信号の伝送損失が軽減される。
第１グランド導体Ｇ’’及び／又は第２グランド導体Ｇ’’が多結晶体で構成された第２導体部Ｇ２’’を有する場合、高周波信号の伝送時に、第１グランド導体Ｇ’’及び／又は第２グランド導体Ｇ’’において、高周波信号の電流密度が高くなる部分（信号導体Ｓ’’側の部分）が第２導体部Ｇ２’’で構成されている。第２導体部Ｇ２’’の交流抵抗値は、伝送される高周波信号の周波数が一又は複数の特定周波数帯域にある場合、急激に低下するため、第１グランド導体Ｇ’’及び／又は第２グランド導体Ｇ’’側で高周波信号の伝送損失が軽減される。
なお、伝送用基板Ｄ３は、伝送用基板Ｄ１の上記（Ｂ）と同様の技術的特徴及び効果も奏する。
伝送路２００’’の信号導体Ｓ’’、 第１グランド導体Ｇ’’及び第２グランド導体Ｇ’’のうちの少なくとも一つの導体の少なくとも一部を構成する多結晶体の交流抵抗値が、伝送される高周波信号の周波数が一又は複数の特定周波数帯域にある場合、急激に低下するため、高周波信号の伝送損失が軽減される。
また、信号導体Ｓ’’が多結晶体で構成された第２導体部Ｓ２’’及び／又は第３導体部Ｓ３’’を有する場合、高周波信号の伝送時に、信号導体Ｓ’’において、高周波信号の電流密度が高くなる部分（第１グランド導体Ｇ’’側の部分及び／又は第２グランド導体Ｇ’’側の部分）が第２導体部Ｓ２’’及び／又は第３導体部Ｓ３’’で構成されている。第２導体部Ｓ２’’及び／又は第３導体部Ｓ３’’の交流抵抗値は、伝送される高周波信号の周波数が一又は複数の特定周波数帯域にある場合、急激に低下するため、信号導体Ｓ’’側で高周波信号の伝送損失が軽減される。
第１グランド導体Ｇ’’及び／又は第２グランド導体Ｇ’’が多結晶体で構成された第２導体部Ｇ２’’を有する場合、高周波信号の伝送時に、第１グランド導体Ｇ’’及び／又は第２グランド導体Ｇ’’において、高周波信号の電流密度が高くなる部分（信号導体Ｓ’’側の部分）が第２導体部Ｇ２’’で構成されている。第２導体部Ｇ２’’の交流抵抗値は、伝送される高周波信号の周波数が一又は複数の特定周波数帯域にある場合、急激に低下するため、第１グランド導体Ｇ’’及び／又は第２グランド導体Ｇ’’側で高周波信号の伝送損失が軽減される。
なお、伝送用基板Ｄ３は、伝送用基板Ｄ１の上記（Ｂ）と同様の技術的特徴及び効果も奏する。
【実施例4】
【0069】
以下、本発明の実施例４を含む複数の実施例に係る高周波伝送装置Ｄ４について、図４Ａ及び図４Ｂを参照しつつ説明する。高周波伝送装置Ｄ４は、高周波伝送用の基板である。以下、高周波伝送装置Ｄ４を伝送用基板Ｄ４とも称する。図４Ａ及び図４Ｂには、実施例４の伝送用基板Ｄ４が示されている。伝送用基板Ｄ４は、伝送路２００’’’が、一対の信号導体Ｓ’’’を備えている点で相違する以外、伝送用基板Ｄ１と同様の構成である。その相違点について詳しく説明し、伝送用基板Ｄ１と重複する説明は省略する。なお、図４Ｂには、Ｚ－Ｚ’方向に加えて、信号導体Ｓ’’’の短手方向であるＸ－Ｘ’方向が示されている。
【0070】
伝送路２００’’’は、以下の通り、誘電体１００上に位置している。伝送路２００’’’の一対の信号導体Ｓ’’’は、誘電体１００の第１面１０１上に設けられ、誘電体１００の第１面１０１の第１位置から第２位置にかけて延びており且つＸ－Ｘ’方向に間隔をあけて配置されている。一対の信号導体Ｓ’’’は、高周波信号を伝送可能な差動対をなした第１信号導体Ｓ’’’及び第２信号導体Ｓ’’’を含む。第１信号導体Ｓ’’’は、その一部又は全部が多結晶体で構成とすることが可能である。この場合、第２信号導体Ｓ’’’は、その一部又は全部が多結晶体で構成、又は、その全部が多結晶体を含まない導体で構成されていると良い。又は、第１信号導体Ｓ’’’は、その全部が多結晶体を含まない導体で構成することが可能である。この場合、第２信号導体Ｓ’’’は、その一部又は全部が多結晶体で構成されていると良い。以下、第１信号導体Ｓ’’’及び第２信号導体Ｓ’’’に一又は複数の特定周波数帯域の高周波信号を伝送させるときを、「高周波信号の伝送時」と称する。
【0071】
ところで、高周波信号の伝送時において、表皮効果により、高周波信号の電流密度は、第１信号導体Ｓ’’’のうちの第２信号導体Ｓ’’’側の部分（第１信号導体Ｓ’’’のうちの第２信号導体Ｓ’’’との電気的な結合が強い部分）及び第２信号導体Ｓ’’’のうちの第１信号導体Ｓ’’’側の部分（第２信号導体Ｓ’’’のうちの第１信号導体Ｓ’’’との電気的な結合が強い部分）が高くなる。
【0072】
第１信号導体Ｓ’’’及び／又は第２信号導体Ｓ’’’の一部が多結晶体で構成されている場合、第１導体部Ｓ１’’’及び第４導体部Ｓ４’’’を有する構成とすることが可能である。
第１信号導体Ｓ’’’及び／又は第２信号導体Ｓ’’’の第１導体部Ｓ１’’’は、誘電体１００の第１面１０１上に設けられており且つ第１位置から第２位置へ延びている以外、伝送用基板Ｄ１の第１導体部Ｓ１と同様の構成である。
第１信号導体Ｓ’’’及び／又は第２信号導体Ｓ’’’の第４導体部Ｓ４’’’は多結晶体で構成されている。
第１信号導体Ｓ’’’の第４導体部Ｓ４’’’は、誘電体１００の第１面１０１上に設けられ、第１信号導体Ｓ’’’の第１導体部Ｓ１’’’のＸ’方向側の面の少なくとも一部上に固定されており且つ当該第１導体部Ｓ１’’’に対して第２信号導体Ｓ’’’側に配置されている。このように第１信号導体Ｓ’’’の第４導体部Ｓ４’’’が、高周波信号の伝送時に、第１信号導体Ｓ’’’のうちの第２信号導体Ｓ’’’との電気的な結合が強い部分（高周波信号の電流密度が高い部分）を構成している。第１信号導体Ｓ’’’の第４導体部Ｓ４’’’は、第１信号導体Ｓ’’’の第１導体部Ｓ１’’’のＸ’方向側の面に沿って第１位置から第２位置へ延びていると良いが、一又は複数箇所で破断していても良い。
第２信号導体Ｓ’’’の第４導体部Ｓ４’’’は、誘電体１００の第１面１０１上に設けられ、第２信号導体Ｓ’’’の第１導体部Ｓ１’’’のＸ方向側の面の少なくとも一部上に固定されており且つ当該第１導体部Ｓ１’’’に対して第１信号導体Ｓ’’’側に配置されている。このように第２信号導体Ｓ’’’の第４導体部Ｓ４’’’が、高周波信号の伝送時に、第２信号導体Ｓ’’’のうちの第１信号導体Ｓ’’’との電気的な結合が強い部分（高周波信号の電流密度が高い部分）を構成している。第２信号導体Ｓ’’’の第４導体部Ｓ４’’’は、第２信号導体Ｓ’’’の第１導体部Ｓ１’’’のＸ方向側の面に沿って第１位置から第２位置へ延びていると良いが、一又は複数箇所で破断していても良い。
なお、第１導体部Ｓ１’’’の第１接続部及び第２接続部は、Ｚ方向において第４導体部Ｓ４’’’に覆われていない。よって、第１導体部Ｓ１’’’の第１接続部及び第２接続部の少なくとも一方の接続部は、特許請求の範囲の信号導体の第１導体部の接続部に相当する。この少なくとも一方の接続部のＺ方向側の面が、コネクタの端子（接続対象）によって弾性接触又は摺動接触される場合、少なくとも一方の接続部のＺ方向側の面上には第４導体部Ｓ４’’’が設けられていないので、コネクタの端子の弾性接触又は摺動接触による第４導体部Ｓ４’’’の摩耗や破損が防止される。
第１信号導体Ｓ’’’及び／又は第２信号導体Ｓ’’’の第１導体部Ｓ１’’’は、誘電体１００の第１面１０１上に設けられており且つ第１位置から第２位置へ延びている以外、伝送用基板Ｄ１の第１導体部Ｓ１と同様の構成である。
第１信号導体Ｓ’’’及び／又は第２信号導体Ｓ’’’の第４導体部Ｓ４’’’は多結晶体で構成されている。
第１信号導体Ｓ’’’の第４導体部Ｓ４’’’は、誘電体１００の第１面１０１上に設けられ、第１信号導体Ｓ’’’の第１導体部Ｓ１’’’のＸ’方向側の面の少なくとも一部上に固定されており且つ当該第１導体部Ｓ１’’’に対して第２信号導体Ｓ’’’側に配置されている。このように第１信号導体Ｓ’’’の第４導体部Ｓ４’’’が、高周波信号の伝送時に、第１信号導体Ｓ’’’のうちの第２信号導体Ｓ’’’との電気的な結合が強い部分（高周波信号の電流密度が高い部分）を構成している。第１信号導体Ｓ’’’の第４導体部Ｓ４’’’は、第１信号導体Ｓ’’’の第１導体部Ｓ１’’’のＸ’方向側の面に沿って第１位置から第２位置へ延びていると良いが、一又は複数箇所で破断していても良い。
第２信号導体Ｓ’’’の第４導体部Ｓ４’’’は、誘電体１００の第１面１０１上に設けられ、第２信号導体Ｓ’’’の第１導体部Ｓ１’’’のＸ方向側の面の少なくとも一部上に固定されており且つ当該第１導体部Ｓ１’’’に対して第１信号導体Ｓ’’’側に配置されている。このように第２信号導体Ｓ’’’の第４導体部Ｓ４’’’が、高周波信号の伝送時に、第２信号導体Ｓ’’’のうちの第１信号導体Ｓ’’’との電気的な結合が強い部分（高周波信号の電流密度が高い部分）を構成している。第２信号導体Ｓ’’’の第４導体部Ｓ４’’’は、第２信号導体Ｓ’’’の第１導体部Ｓ１’’’のＸ方向側の面に沿って第１位置から第２位置へ延びていると良いが、一又は複数箇所で破断していても良い。
なお、第１導体部Ｓ１’’’の第１接続部及び第２接続部は、Ｚ方向において第４導体部Ｓ４’’’に覆われていない。よって、第１導体部Ｓ１’’’の第１接続部及び第２接続部の少なくとも一方の接続部は、特許請求の範囲の信号導体の第１導体部の接続部に相当する。この少なくとも一方の接続部のＺ方向側の面が、コネクタの端子（接続対象）によって弾性接触又は摺動接触される場合、少なくとも一方の接続部のＺ方向側の面上には第４導体部Ｓ４’’’が設けられていないので、コネクタの端子の弾性接触又は摺動接触による第４導体部Ｓ４’’’の摩耗や破損が防止される。
【0073】
以下、上記した伝送用基板Ｄ４の製造方法について説明する。誘電体１００を用意する。その後、以下の（１）又は（２）の通り、誘電体１００の第１面１０１上に第１信号導体Ｓ’’’を形成し、以下の（３）又は（４）の通り、誘電体１００の第１面１０１上に第２信号導体Ｓ’’’を形成する。
（１）第１信号導体Ｓ’’’が多結晶体のみで構成されている場合、上記の通り、導体ナノ粒子を主成分とする導電ペーストを用意し、誘電体１００の第１面１０１上に、周知の印刷法（例えば、スクリーン印刷法、インクジェット印刷法又はスプレー印刷法）を用いて導電ペーストを印刷する。
（２）第１信号導体Ｓ’’’が第１導体部Ｓ１’’’及び第４導体部Ｓ４’’’を有する場合、上記の通り、導体ナノ粒子を主成分とする導電ペーストを用意し、誘電体１００の第１面１０１上に、上記周知の印刷法を用いて、第１導体部Ｓ１’’’となる導体及びそのＸ’方向側に第４導体部Ｓ４’’’となる導電ペーストをそれぞれ印刷する。
（３）第２信号導体Ｓ’’’が多結晶体のみで構成されている場合、上記の通り、導体ナノ粒子を主成分とする導電ペーストを用意し、誘電体１００の第１面１０１上に、周知の印刷法（例えば、スクリーン印刷法、インクジェット印刷法又はスプレー印刷法）を用いて導電ペーストを印刷する。
（４）第２信号導体Ｓ’’’が第１導体部Ｓ１’’’及び第４導体部Ｓ４’’’を有する場合、上記の通り、導体ナノ粒子を主成分とする導電ペーストを用意し、誘電体１００の第１面１０１上に、上記周知の印刷法を用いて、第１導体部Ｓ１’’’となる導体及びそのＸ方向側に第４導体部Ｓ４’’’となる導電ペーストをそれぞれ印刷する。
（１）第１信号導体Ｓ’’’が多結晶体のみで構成されている場合、上記の通り、導体ナノ粒子を主成分とする導電ペーストを用意し、誘電体１００の第１面１０１上に、周知の印刷法（例えば、スクリーン印刷法、インクジェット印刷法又はスプレー印刷法）を用いて導電ペーストを印刷する。
（２）第１信号導体Ｓ’’’が第１導体部Ｓ１’’’及び第４導体部Ｓ４’’’を有する場合、上記の通り、導体ナノ粒子を主成分とする導電ペーストを用意し、誘電体１００の第１面１０１上に、上記周知の印刷法を用いて、第１導体部Ｓ１’’’となる導体及びそのＸ’方向側に第４導体部Ｓ４’’’となる導電ペーストをそれぞれ印刷する。
（３）第２信号導体Ｓ’’’が多結晶体のみで構成されている場合、上記の通り、導体ナノ粒子を主成分とする導電ペーストを用意し、誘電体１００の第１面１０１上に、周知の印刷法（例えば、スクリーン印刷法、インクジェット印刷法又はスプレー印刷法）を用いて導電ペーストを印刷する。
（４）第２信号導体Ｓ’’’が第１導体部Ｓ１’’’及び第４導体部Ｓ４’’’を有する場合、上記の通り、導体ナノ粒子を主成分とする導電ペーストを用意し、誘電体１００の第１面１０１上に、上記周知の印刷法を用いて、第１導体部Ｓ１’’’となる導体及びそのＸ方向側に第４導体部Ｓ４’’’となる導電ペーストをそれぞれ印刷する。
【0074】
その後、一対の信号導体Ｓ’’’付きの誘電体１００を、上記電気式加熱調理器具や上記電気炉内に入れ、上記の通り導電ペーストを焼成する。上記（１）の場合、焼成された導電ペーストが上記多結晶体（第１信号導体Ｓ’’’）となる。上記（２）の場合、焼成された導電ペーストが上記多結晶体（第１信号導体Ｓ’’’の第４導体部Ｓ４’’’）となる。上記（３）の場合、焼成された導電ペーストが上記多結晶体（第２信号導体Ｓ’’’）となる。上記（４）の場合、焼成された導電ペーストが上記多結晶体（第２信号導体Ｓ’’’の第４導体部Ｓ４’’’）となる。以上のように、誘電体１００に上記した何れかの態様の一対の信号導体Ｓ’’’が形成される。伝送用基板Ｄ４が送信部３００を備えている場合、送信部３００を誘電体１００の第１面１０１上に実装し、一対の信号導体Ｓ’’’に電気的且つ機械的に接続する。以上のようにして伝送用基板Ｄ４が製造される。
【0075】
以上のような伝送用基板Ｄ４は、伝送路２００’’’に伝送される高周波信号の周波数が一又は複数の特定周波数帯域にある場合、当該高周波信号の伝送損失（減衰）が軽減される。その理由は以下の通りである。
伝送路２００’’’の一対の信号導体Ｓ’’’のうちの少なくとも一方の導体の少なくとも一部を構成する多結晶体の交流抵抗値が、伝送される高周波信号の周波数が一又は複数の特定周波数帯域にある場合、急激に低下するため、高周波信号の伝送損失が軽減される。
また、第１信号導体Ｓ’’’及び／又は第２信号導体Ｓ’’’が多結晶体で構成された第４導体部Ｓ４’’’を有する場合、高周波信号の伝送時に、第１信号導体Ｓ’’’及び／又は第２信号導体Ｓ’’’において、高周波信号の電流密度が高くなる部分（第２信号導体Ｓ’’’及び／又は第１信号導体Ｓ’’’側の部分）が第４導体部Ｓ４’’’で構成されている。第１信号導体Ｓ’’’及び／又は第２信号導体Ｓ’’’の第４導体部Ｓ４’’’の交流抵抗値は、伝送される高周波信号の周波数が一又は複数の特定周波数帯域にある場合、急激に低下するため、第１信号導体Ｓ’’’及び／又は第２信号導体Ｓ’’’側で高周波信号の伝送損失が軽減される。
なお、伝送用基板Ｄ４は、伝送用基板Ｄ１の上記（Ｂ）と同様の技術的特徴及び効果も奏する。
伝送路２００’’’の一対の信号導体Ｓ’’’のうちの少なくとも一方の導体の少なくとも一部を構成する多結晶体の交流抵抗値が、伝送される高周波信号の周波数が一又は複数の特定周波数帯域にある場合、急激に低下するため、高周波信号の伝送損失が軽減される。
また、第１信号導体Ｓ’’’及び／又は第２信号導体Ｓ’’’が多結晶体で構成された第４導体部Ｓ４’’’を有する場合、高周波信号の伝送時に、第１信号導体Ｓ’’’及び／又は第２信号導体Ｓ’’’において、高周波信号の電流密度が高くなる部分（第２信号導体Ｓ’’’及び／又は第１信号導体Ｓ’’’側の部分）が第４導体部Ｓ４’’’で構成されている。第１信号導体Ｓ’’’及び／又は第２信号導体Ｓ’’’の第４導体部Ｓ４’’’の交流抵抗値は、伝送される高周波信号の周波数が一又は複数の特定周波数帯域にある場合、急激に低下するため、第１信号導体Ｓ’’’及び／又は第２信号導体Ｓ’’’側で高周波信号の伝送損失が軽減される。
なお、伝送用基板Ｄ４は、伝送用基板Ｄ１の上記（Ｂ）と同様の技術的特徴及び効果も奏する。
【実施例5】
【0076】
以下、本発明の実施例５を含む複数の実施例に係る高周波伝送装置Ｄ５について、図５、図６Ａ及び図６Ｂを参照しつつ説明する。高周波伝送装置Ｄ５は、高周波伝送用のコネクタである。以下、高周波伝送装置Ｄ５をコネクタＤ５とも称する。図５には、実施例５のコネクタＤ５の概略図が示されており、図６Ａ及び図６Ｂには、実施例５のコネクタＤ５が同軸コネクタである場合の別の実施例が示されている。なお、図５及び図６Ａには、Ｚ－Ｚ’方向及びＹ－Ｙ’方向が示されており、図６Ｂには、Ｚ－Ｚ’方向及びＸ－Ｘ’方向が示されている。Ｚ－Ｚ’方向は、コネクタＤ５の高さ方向に相当し、Ｙ－Ｙ’方向はＺ－Ｚ’方向に略直交し、Ｘ－Ｘ’方向は、Ｚ－Ｚ’方向及びＹ－Ｙ’方向に略直交している。
【0077】
コネクタＤ５は、絶縁樹脂製のボディである誘電体４００と、高周波信号を伝送可能な伝送路５００とを備えている。以下、伝送路５００に一又は複数の特定周波数帯域の高周波信号を伝送させるときを、「高周波信号の伝送時」と称する。伝送路５００は、高周波信号を伝送可能な信号導体５００Ｓ及びグランド導体５００Ｇ（第１グランド導体）を備えている。伝送路５００の信号導体５００Ｓは、その少なくとも一部が誘電体４００に保持されたコネクタＤ５の端子である。すなわち、信号導体５００Ｓの少なくとも一部が誘電体４００内に位置している。伝送路５００のグランド導体５００Ｇは、信号導体５００Ｓを保持した誘電体４００を収容保持するコネクタＤ５のシェルである。グランド導体５００Ｇは、収容した信号導体５００Ｓの少なくとも一部に沿って延びている。
【0078】
信号導体５００Ｓは、その一部又は全部が上記多結晶体で構成することが可能である。この場合、グランド導体５００Ｇは、その一部又は全部が上記多結晶体で構成、又は、その全部が上記多結晶体を含まない導体で構成されていると良い。又は、信号導体５００Ｓは、その全部が上記多結晶体を含まない導体で構成することが可能である。この場合、グランド導体５００Ｇは、その一部又は全部が上記多結晶体で構成されていると良い。
【0079】
信号導体５００Ｓの一部が多結晶体で構成されている場合、信号導体５００Ｓは、第１導体部５１０Ｓ及び第２導体部５２０Ｓを有する構成とすることが可能である。第１導体部５１０Ｓは、端子本体であって、上記多結晶体の直流抵抗値よりも小さい直流抵抗値を有する素材及び抗酸化性などの耐腐食性を有する素材の少なくとも一方の素材で構成されている。第１導体部５１０Ｓは、例えば、金属板などで構成されている。
【0080】
第１導体部５１０Ｓは、先端部５１１Ｓと、中間部５１２Ｓと、テール部５１３Ｓとを有している。中間部５１２Ｓは、Ｙ－Ｙ’方向に延びており且つその少なくとも一部が誘電体４００に保持されていると良い。先端部５１１Ｓは、中間部５１２ＳからＹ方向に延びており且つ誘電体４００から突出又は露出していれば良い。先端部５１１Ｓは、第１導体部５１０Ｓの第１接続部であって、図示しない相手方コネクタの端子に接触可能になっている。テール部５１３Ｓは、中間部５１２ＳからＹ’方向及びＺ’方向の少なくとも一方の方向の成分を含む方向に延びており且つ誘電体４００から突出又は露出していれば良い。テール部５１３Ｓは、第１導体部５１０Ｓの第２接続部であって、図示しない基板又はケーブルの信号導体に電気的且つ機械的に接続可能になっている。
第２導体部５２０Ｓは、上記多結晶体で構成されており且つ第１導体部５１０Ｓの少なくとも一部の外周面の上に設けられており且つ第１導体部５１０Ｓに対してグランド導体５００Ｇ側に位置している。例えば、第２導体部５２０Ｓは、図５に示されるように、第１導体部５１０Ｓの中間部５１２Ｓの外周面に設けられており且つＺ－Ｚ’方向において断面視略環状体をなしていても良い。
第２導体部５２０Ｓは、上記多結晶体で構成されており且つ第１導体部５１０Ｓの少なくとも一部の外周面の上に設けられており且つ第１導体部５１０Ｓに対してグランド導体５００Ｇ側に位置している。例えば、第２導体部５２０Ｓは、図５に示されるように、第１導体部５１０Ｓの中間部５１２Ｓの外周面に設けられており且つＺ－Ｚ’方向において断面視略環状体をなしていても良い。
【0081】
グランド導体５００Ｇの一部が多結晶体で構成されている場合、グランド導体５００Ｇは、第１導体部５１０Ｇ及び第２導体部５２０Ｇを有する構成とすることが可能である。
第１導体部５１０Ｇは、シェル本体であって、上記多結晶体の直流抵抗値よりも小さい直流抵抗値を有する素材及び抗酸化性などの耐腐食性を有する素材の少なくとも一方の素材で構成されている。第１導体部５１０Ｇは、例えば、金属板などで構成されている。
第２導体部５２０Ｇは、上記多結晶体で構成され、第１導体部５１０Ｇの少なくとも一部の内周面の上に設けられており且つ第１導体部５１０Ｇに対して信号導体５００Ｓ側に位置している。例えば、図５に示されるように、第１導体部５１０ＧがＹ－Ｙ’方向に延びた筒部を有している場合、第２導体部５２０Ｇは、第１導体部５１０Ｇの筒部の内周面に設けられており且つＺ－Ｚ’方向において断面視略環状体をなしていても良い。
第１導体部５１０Ｇは、第２導体部５２０Ｇに覆われていない接続部を更に有していても良い。この第１導体部５１０Ｇ接続部は、例えば、シェル本体の脚部やシェル本体のＹ’方向の端部などであって、上記基板又はケーブルのグランド導体に接続可能となっていると良い。
第１導体部５１０Ｇは、シェル本体であって、上記多結晶体の直流抵抗値よりも小さい直流抵抗値を有する素材及び抗酸化性などの耐腐食性を有する素材の少なくとも一方の素材で構成されている。第１導体部５１０Ｇは、例えば、金属板などで構成されている。
第２導体部５２０Ｇは、上記多結晶体で構成され、第１導体部５１０Ｇの少なくとも一部の内周面の上に設けられており且つ第１導体部５１０Ｇに対して信号導体５００Ｓ側に位置している。例えば、図５に示されるように、第１導体部５１０ＧがＹ－Ｙ’方向に延びた筒部を有している場合、第２導体部５２０Ｇは、第１導体部５１０Ｇの筒部の内周面に設けられており且つＺ－Ｚ’方向において断面視略環状体をなしていても良い。
第１導体部５１０Ｇは、第２導体部５２０Ｇに覆われていない接続部を更に有していても良い。この第１導体部５１０Ｇ接続部は、例えば、シェル本体の脚部やシェル本体のＹ’方向の端部などであって、上記基板又はケーブルのグランド導体に接続可能となっていると良い。
【0082】
【0083】
信号導体５００Ｓは、誘電体４００に保持されたコネクタＤ５の端子であって、誘電体４００と共にグランド導体５００Ｇ内に収容されて同軸ラインの中心導体をなしている。この信号導体５００Ｓの第１導体部５１０Ｓは、以下の（ａ）～（ｄ）の何れかの構成とすることが可能である。
（ａ）図６Ａ及び図６Ｂに示すように、中間部５１２Ｓは、Ｙ－Ｙ’方向に延びる筒状である。先端部５１１Ｓは、中間部５１２ＳからＹ方向に延びた一対のアーム（図示一つ）を有する。テール部５１３Ｓは、中間部５１２ＳからＹ’方向に延びた略Ｌ字状の板である。この場合、先端部５１１Ｓのアームの内面が第１導体部５１０Ｓの第１接続部であり、テール部５１３Ｓの後端部が第１導体部５１０Ｓの第２接続部となっている。第１導体部５１０Ｓの第１接続部は、アーム間に挿入される図示しない相手方コネクタの端子の先端部に弾性接触可能な部分であり、第１導体部５１０Ｓの第２接続部は、図示しない基板に電気的且つ機械的に接続可能な部分である。
（ｂ）第１導体部５１０Ｓの先端部５１１Ｓ及び中間部５１２Ｓは、Ｙ－Ｙ’方向に延びた直線状の棒又は平板であり、第１導体部５１０Ｓのテール部５１３Ｓは、中間部５１２ＳからＹ’方向に延びた略Ｌ字状の棒又は板である。この場合、先端部５１１Ｓの外周面が第１導体部５１０Ｓの第１接続部であり、テール部５１３Ｓの後端部が第１導体部５１０Ｓの第２接続部となっている。
（ｃ）テール部５１３Ｓが、略Ｌ字状の板ではなく、Ｙ’方向に延びた直線状である以外、第１導体部５１０Ｓは、上記（ａ）の構成と同様の構成である。
（ｄ）テール部５１３Ｓは、略Ｌ字状の板ではなく、Ｙ’方向に延びた直線状である以外、第１導体部５１０Ｓは、上記（ｂ）の構成と同様の構成である。
なお、（ｃ）及び（ｄ）の場合、第１導体部５１０Ｓの第２接続部は、基板ではなく、ケーブルなどに接続可能な部分となる。
（ａ）図６Ａ及び図６Ｂに示すように、中間部５１２Ｓは、Ｙ－Ｙ’方向に延びる筒状である。先端部５１１Ｓは、中間部５１２ＳからＹ方向に延びた一対のアーム（図示一つ）を有する。テール部５１３Ｓは、中間部５１２ＳからＹ’方向に延びた略Ｌ字状の板である。この場合、先端部５１１Ｓのアームの内面が第１導体部５１０Ｓの第１接続部であり、テール部５１３Ｓの後端部が第１導体部５１０Ｓの第２接続部となっている。第１導体部５１０Ｓの第１接続部は、アーム間に挿入される図示しない相手方コネクタの端子の先端部に弾性接触可能な部分であり、第１導体部５１０Ｓの第２接続部は、図示しない基板に電気的且つ機械的に接続可能な部分である。
（ｂ）第１導体部５１０Ｓの先端部５１１Ｓ及び中間部５１２Ｓは、Ｙ－Ｙ’方向に延びた直線状の棒又は平板であり、第１導体部５１０Ｓのテール部５１３Ｓは、中間部５１２ＳからＹ’方向に延びた略Ｌ字状の棒又は板である。この場合、先端部５１１Ｓの外周面が第１導体部５１０Ｓの第１接続部であり、テール部５１３Ｓの後端部が第１導体部５１０Ｓの第２接続部となっている。
（ｃ）テール部５１３Ｓが、略Ｌ字状の板ではなく、Ｙ’方向に延びた直線状である以外、第１導体部５１０Ｓは、上記（ａ）の構成と同様の構成である。
（ｄ）テール部５１３Ｓは、略Ｌ字状の板ではなく、Ｙ’方向に延びた直線状である以外、第１導体部５１０Ｓは、上記（ｂ）の構成と同様の構成である。
なお、（ｃ）及び（ｄ）の場合、第１導体部５１０Ｓの第２接続部は、基板ではなく、ケーブルなどに接続可能な部分となる。
【0084】
第１導体部５１０Ｓが上記（ａ）又は（ｃ）の構成である場合、第２導体部５２０Ｓは、先端部５１１Ｓのアームの外面、中間部５１２Ｓの外周面及びテール部５１３Ｓの第２接続部以外の部分の外周面上、又は、中間部５１２Ｓの外周面及びテール部５１３Ｓの第２接続部以外の部分の外周面上に設けられている。前者の場合、先端部５１１Ｓのアームの内面及び中間部５１２Ｓの内周面は、第２導体部５２０Ｓに覆われていない。後者の場合、先端部５１１Ｓのアームの内面、先端部５１１Ｓのアームの外面及び中間部５１２Ｓの内周面は、第２導体部５２０Ｓに覆われていない。
何れの態様による場合であっても、信号導体５００Ｓの先端部５１１Ｓのアームの第１接続部は、第２導体部５２０Ｓに覆われていない。この信号導体５００Ｓの先端部５１１Ｓの第１接続部が、特許請求の範囲の信号導体の第１導体部の接続部に相当する。信号導体５００Ｓの先端部５１１Ｓのアームが、その間に相手方コネクタの端子の先端部が挿入されることによって、当該端子の先端部に弾性接触するが、信号導体５００Ｓの先端部５１１Ｓのアームの第１接続部上には第２導体部５２０Ｓが設けられていないので、相手方コネクタの端子の先端部による第２導体部５２０Ｓの摩耗や破損が防止される。信号導体５００Ｓの先端部５１１Ｓのアームの外面も第２導体部５２０Ｓに覆われていない場合、信号導体５００Ｓの先端部５１１Ｓのアームが弾性変形することによって、第２導体部５２０Ｓが破損しない。
何れの態様による場合であっても、信号導体５００Ｓの先端部５１１Ｓのアームの第１接続部は、第２導体部５２０Ｓに覆われていない。この信号導体５００Ｓの先端部５１１Ｓの第１接続部が、特許請求の範囲の信号導体の第１導体部の接続部に相当する。信号導体５００Ｓの先端部５１１Ｓのアームが、その間に相手方コネクタの端子の先端部が挿入されることによって、当該端子の先端部に弾性接触するが、信号導体５００Ｓの先端部５１１Ｓのアームの第１接続部上には第２導体部５２０Ｓが設けられていないので、相手方コネクタの端子の先端部による第２導体部５２０Ｓの摩耗や破損が防止される。信号導体５００Ｓの先端部５１１Ｓのアームの外面も第２導体部５２０Ｓに覆われていない場合、信号導体５００Ｓの先端部５１１Ｓのアームが弾性変形することによって、第２導体部５２０Ｓが破損しない。
【0085】
第１導体部５１０Ｓが上記（ｂ）又は（ｄ）の構成である場合、第２導体部５２０Ｓは、先端部５１１Ｓの第１接続部を除く部分の外周面、中間部５１２Ｓの外周面及びテール部５１３Ｓの第２接続部を除く部分の外周面上に設けられている。
この場合、信号導体５００Ｓの先端部５１１Ｓの第１接続部は、第２導体部５２０Ｓに覆われていない。すなわち、この信号導体５００Ｓの先端部５１１Ｓの第１接続部は、特許請求の範囲の信号導体の第１導体部の接続部に相当する。信号導体５００Ｓの先端部５１１Ｓの第１接続部が、相手方コネクタの端子によって弾性接触又は摺動接触されることになるが、信号導体５００Ｓの先端部５１１Ｓの第１接続部上には第２導体部５２０Ｓが設けられていないので、相手方コネクタの端子の弾性接触又は摺動接触による第２導体部５２０Ｓの摩耗や破損が防止される。
この場合、信号導体５００Ｓの先端部５１１Ｓの第１接続部は、第２導体部５２０Ｓに覆われていない。すなわち、この信号導体５００Ｓの先端部５１１Ｓの第１接続部は、特許請求の範囲の信号導体の第１導体部の接続部に相当する。信号導体５００Ｓの先端部５１１Ｓの第１接続部が、相手方コネクタの端子によって弾性接触又は摺動接触されることになるが、信号導体５００Ｓの先端部５１１Ｓの第１接続部上には第２導体部５２０Ｓが設けられていないので、相手方コネクタの端子の弾性接触又は摺動接触による第２導体部５２０Ｓの摩耗や破損が防止される。
【0086】
グランド導体５００Ｇは、誘電体４００を収容保持するコネクタＤ５の筒状のシェルであって、同軸ラインの中心導体の少なくとも一部に沿って延び、当該同軸ラインの外側導体をなしている。グランド導体５００Ｇの第１導体部５１０Ｓが上記（ａ）又は（ｃ）の構成である場合、第１導体部５１０Ｇは、側面視略Ｌ字状の筒とすると良い（図６Ａ及び図６Ｂ参照）。第１導体部５１０Ｓが上記（ｂ）又は（ｄ）の構成である場合、第１導体部５１０Ｇは、Ｙ－Ｙ’方向に延びる直線状の筒とすると良い。何れの場合も、第１導体部５１０Ｇは、少なくともＺ－Ｚ’方向において略環状であると良い。Ｚ－Ｚ’方向は、特許請求の範囲の直交方向に相当している。
【0087】
グランド導体５００Ｇの第２導体部５２０Ｇは、上記した何れかの態様の第１導体部５１０Ｇの一部の内周面に設けられた筒、又は、上記した何れかの態様の第１導体部５１０Ｇの内周面の略全領域に設けられた筒である。何れの態様の場合も、第２導体部５２０Ｇは、少なくともＺ－Ｚ’方向において略環状であって、第１導体部５１０Ｇに対して信号導体５００Ｓ側に位置している。
【0088】
以下、上記したコネクタＤ５の製造方法について説明する。まず、信号導体５００Ｓを、以下の（１）～（３）の何れかの通り得る。
（１）信号導体５００Ｓが多結晶体のみで構成されている場合、上記の通り、導体ナノ粒子を主成分とする導電ペーストを用意し、図示しない金型に導電ペーストを充填し、当該金型を上記電気式加熱調理器具や上記電気炉で上記の通り加熱し、導電ペーストを焼成する。その後、金型から焼成された導電ペーストを取り外す。この焼成された導電ペーストが上記多結晶体（信号導体５００Ｓ）となる。
（２）信号導体５００Ｓが第１導体部５１０Ｓ及び第２導体部５２０Ｓを有する場合、第１導体部５１０Ｓを用意する。そして、上記の通り、導体ナノ粒子を主成分とする導電ペーストを用意し、第１導体部５１０Ｓの少なくとも一部の外周面上に導電ペーストを塗布、吹きつけ又は印刷する。その後、導電ペースト付きの第１導体部５１０Ｓを上記電気式加熱調理器具や上記電気炉で上記の通り加熱し、導電ペーストを焼成する。焼成された導電ペーストが上記多結晶体（第２導体部５２０Ｓ）となる。
（３）信号導体５００Ｓが多結晶体を含まない構成である場合、信号導体５００Ｓを周知の端子の製造方法を用いて得る。
（１）信号導体５００Ｓが多結晶体のみで構成されている場合、上記の通り、導体ナノ粒子を主成分とする導電ペーストを用意し、図示しない金型に導電ペーストを充填し、当該金型を上記電気式加熱調理器具や上記電気炉で上記の通り加熱し、導電ペーストを焼成する。その後、金型から焼成された導電ペーストを取り外す。この焼成された導電ペーストが上記多結晶体（信号導体５００Ｓ）となる。
（２）信号導体５００Ｓが第１導体部５１０Ｓ及び第２導体部５２０Ｓを有する場合、第１導体部５１０Ｓを用意する。そして、上記の通り、導体ナノ粒子を主成分とする導電ペーストを用意し、第１導体部５１０Ｓの少なくとも一部の外周面上に導電ペーストを塗布、吹きつけ又は印刷する。その後、導電ペースト付きの第１導体部５１０Ｓを上記電気式加熱調理器具や上記電気炉で上記の通り加熱し、導電ペーストを焼成する。焼成された導電ペーストが上記多結晶体（第２導体部５２０Ｓ）となる。
（３）信号導体５００Ｓが多結晶体を含まない構成である場合、信号導体５００Ｓを周知の端子の製造方法を用いて得る。
【0089】
次に、グランド導体５００Ｇを、以下の（４）～（６）の何れかの通り得る。
（４）グランド導体５００Ｇが多結晶体のみで構成されている場合、上記の通り、導体ナノ粒子を主成分とする導電ペーストを用意し、図示しない金型に導電ペーストを充填し、当該金型を上記電気式加熱調理器具や上記電気炉で上記の通り加熱し、導電ペーストを焼成する。その後、金型から焼成された導電ペーストを取り外す。この焼成された導電ペーストが上記多結晶体（グランド導体５００Ｇ）となる。
（５）グランド導体５００Ｇが第１導体部５１０Ｇ及び第２導体部５２０Ｇを有する場合、第１導体部５１０Ｇを用意する。そして、上記の通り、導体ナノ粒子を主成分とする導電ペーストを用意し、第１導体部５１０Ｇの少なくとも一部の内周面上に導電ペーストを塗布、吹きつけ又は印刷する。その後、導電ペースト付きの第１導体部５１０Ｇを上記電気式加熱調理器具や上記電気炉で上記の通り加熱し、導電ペーストを焼成する。焼成された導電ペーストが上記多結晶体（第２導体部５２０Ｇ）となる。
（６）グランド導体５００Ｇが多結晶体を含まない構成である場合、グランド導体５００Ｇを周知のシェルの製造方法を用いて得る。
（４）グランド導体５００Ｇが多結晶体のみで構成されている場合、上記の通り、導体ナノ粒子を主成分とする導電ペーストを用意し、図示しない金型に導電ペーストを充填し、当該金型を上記電気式加熱調理器具や上記電気炉で上記の通り加熱し、導電ペーストを焼成する。その後、金型から焼成された導電ペーストを取り外す。この焼成された導電ペーストが上記多結晶体（グランド導体５００Ｇ）となる。
（５）グランド導体５００Ｇが第１導体部５１０Ｇ及び第２導体部５２０Ｇを有する場合、第１導体部５１０Ｇを用意する。そして、上記の通り、導体ナノ粒子を主成分とする導電ペーストを用意し、第１導体部５１０Ｇの少なくとも一部の内周面上に導電ペーストを塗布、吹きつけ又は印刷する。その後、導電ペースト付きの第１導体部５１０Ｇを上記電気式加熱調理器具や上記電気炉で上記の通り加熱し、導電ペーストを焼成する。焼成された導電ペーストが上記多結晶体（第２導体部５２０Ｇ）となる。
（６）グランド導体５００Ｇが多結晶体を含まない構成である場合、グランド導体５００Ｇを周知のシェルの製造方法を用いて得る。
【0090】
その後、信号導体５００Ｓを誘電体４００の孔に挿入し、信号導体５００Ｓを誘電体４００に保持させる。又は、信号導体５００Ｓを樹脂にインサート成形し、信号導体５００Ｓを誘電体４００に保持させる。その後、誘電体４００をグランド導体５００Ｇ内に収容させ、保持させる。このようにしてコネクタＤ５が製造される。
【0091】
以上のようなコネクタＤ５は、以下の技術的特徴及び効果を奏する。
（Ａ）伝送路５００に伝送される高周波信号の周波数が一又は複数の特定周波数帯域にある場合、当該高周波信号の伝送損失（減衰）が軽減される。その理由は以下の通りである。
伝送路５００の信号導体５００Ｓ及びグランド導体５００Ｇの少なくとも一方の導体の少なくとも一部を構成する多結晶体の交流抵抗値が、伝送される高周波信号の周波数が一又は複数の特定周波数帯域にある場合、急激に低下するため、高周波信号の伝送損失が軽減される。
また、信号導体５００Ｓが多結晶体で構成された第２導体部５２０Ｓを有する場合、高周波信号の伝送時に、信号導体５００Ｓにおいて、高周波信号の電流密度が高くなる部分（グランド導体５００Ｇ側の部分）が第２導体部５２０Ｓで構成されている。第２導体部５２０Ｓの交流抵抗値は、伝送される高周波信号の周波数が一又は複数の特定周波数帯域にある場合、急激に低下するため、信号導体５００Ｓ側で高周波信号の伝送損失が軽減される。
グランド導体５００Ｇが多結晶体で構成された第２導体部５２０Ｇを有する場合、高周波信号の伝送時に、グランド導体５００Ｇにおいて、高周波信号の電流密度が高くなる部分（信号導体５００Ｓ側の部分）が第２導体部５２０Ｇで構成されている。第２導体部５２０Ｇの交流抵抗値は、伝送される高周波信号の周波数が一又は複数の特定周波数帯域にある場合、急激に低下するため、グランド導体５００Ｇ側で高周波信号の伝送損失が軽減される。
（Ａ）伝送路５００に伝送される高周波信号の周波数が一又は複数の特定周波数帯域にある場合、当該高周波信号の伝送損失（減衰）が軽減される。その理由は以下の通りである。
伝送路５００の信号導体５００Ｓ及びグランド導体５００Ｇの少なくとも一方の導体の少なくとも一部を構成する多結晶体の交流抵抗値が、伝送される高周波信号の周波数が一又は複数の特定周波数帯域にある場合、急激に低下するため、高周波信号の伝送損失が軽減される。
また、信号導体５００Ｓが多結晶体で構成された第２導体部５２０Ｓを有する場合、高周波信号の伝送時に、信号導体５００Ｓにおいて、高周波信号の電流密度が高くなる部分（グランド導体５００Ｇ側の部分）が第２導体部５２０Ｓで構成されている。第２導体部５２０Ｓの交流抵抗値は、伝送される高周波信号の周波数が一又は複数の特定周波数帯域にある場合、急激に低下するため、信号導体５００Ｓ側で高周波信号の伝送損失が軽減される。
グランド導体５００Ｇが多結晶体で構成された第２導体部５２０Ｇを有する場合、高周波信号の伝送時に、グランド導体５００Ｇにおいて、高周波信号の電流密度が高くなる部分（信号導体５００Ｓ側の部分）が第２導体部５２０Ｇで構成されている。第２導体部５２０Ｇの交流抵抗値は、伝送される高周波信号の周波数が一又は複数の特定周波数帯域にある場合、急激に低下するため、グランド導体５００Ｇ側で高周波信号の伝送損失が軽減される。
【0092】
（Ｂ）信号導体５００Ｓが第１導体部５１０Ｓ及び第２導体部５２０Ｓを有する場合、コネクタＤ５の相手方コネクタとの接続信頼性が向上する。その理由は以下の通りである。第１導体部５１０Ｓが、上記多結晶体の直流抵抗値よりも小さい直流抵抗値を有する素材及び抗酸化性などの耐腐食性を有する素材の少なくとも一方の素材で構成されている。第１導体部５１０Ｓの第１接続部を、相手方コネクタの端子に接触させて電気的に接続させることができ、且つ、第１導体部５１０Ｓの第２接続部を、基板又はケーブルに電気的且つ機械的に接続させることができる。
グランド導体５００Ｇが第１導体部５１０Ｇ及び第２導体部５２０Ｇを有する場合、コネクタＤ５のグランド接続に対する接続信頼性が向上する。その理由は以下の通りである。
第１導体部５１０Ｇが、上記多結晶体の直流抵抗値よりも小さい直流抵抗値を有する素材及び抗酸化性などの耐腐食性を有する素材の少なくとも一方の素材で構成されている。第１導体部５１０Ｇをグランド接続させることができる。
グランド導体５００Ｇが第１導体部５１０Ｇ及び第２導体部５２０Ｇを有する場合、コネクタＤ５のグランド接続に対する接続信頼性が向上する。その理由は以下の通りである。
第１導体部５１０Ｇが、上記多結晶体の直流抵抗値よりも小さい直流抵抗値を有する素材及び抗酸化性などの耐腐食性を有する素材の少なくとも一方の素材で構成されている。第１導体部５１０Ｇをグランド接続させることができる。
【0093】
なお、上記した高周波伝送装置は、上記実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲の記載範囲において任意に設計変更することが可能である。以下、詳しく述べる。
【0094】
上記した何れかの態様の伝送用基板Ｄ１において、誘電体１００の第１面１０１上に伝送用基板Ｄ３の上記何れかの態様の一対のグランド導体Ｇ’’が設けられており且つグランド導体Ｇ’’の間に信号導体Ｓが配置された構成とすることが可能である。この場合、信号導体Ｓは、第１導体部Ｓ１及び第２導体部Ｓ２に加えて、第２導体部Ｓ２’’及び／又は第３導体部Ｓ３’’を有していても良い。
【0095】
上記した何れかの態様の伝送用基板Ｄ２において、誘電体１００’の内部に伝送用基板Ｄ３の上記何れかの態様の一対のグランド導体Ｇ’’が設けられており且つグランド導体Ｇ’’の間に信号導体Ｓ’が配置された構成とすることが可能である。この場合、信号導体Ｓ’は、第１導体部Ｓ１’、第２導体部Ｓ２’及び第３導体部Ｓ３’に加えて、第２導体部Ｓ２’’及び／又は第３導体部Ｓ３’’を有していても良い。
【0096】
上記した何れかの態様の伝送用基板Ｄ１～Ｄ２において、上記した何れかの態様の信号導体が、誘電体に複数設けられていても良い。この信号導体は、その短手方向に互いに間隔を開けて配置された第１信号導体及び第２信号導体を含んでいても良い。例えば、伝送用基板Ｄ１は、図７に示す伝送用基板Ｄ１’のように設計変更することが可能である。伝送用基板Ｄ１’は、誘電体１００’’及び伝送路を備えている。誘電体１００’’は、第１面１０１’’及びその反対側の第２面１０２’’を有している。伝送路は、高周波信号を伝送可能な第１信号導体Ｓ’’’’、第２信号導体Ｓ’’’’及びグランド導体Ｇ’’’を備えている。第１信号導体Ｓ’’’’及び第２信号導体Ｓ’’’’は、誘電体１００’’の第１面１０１’’上に設けられており且つグランド導体Ｇ’’’に対してＺ方向側に位置している。第１信号導体Ｓ’’’’及び第２信号導体Ｓ’’’’は、第１導体部Ｓ１’’’’、第２導体部Ｓ２’’’’及び第４導体部Ｓ４’’’’を各々有している。第１信号導体Ｓ’’’’及び第２信号導体Ｓ’’’’の第２導体部Ｓ２’’’’は、誘電体１００’’の第１面１０１’’上に設けられており且つ第１導体部Ｓ１’’’’に対してグランド導体Ｇ’’’側に配置されている。第１信号導体Ｓ’’’’及び第２信号導体Ｓ’’’’の第１導体部Ｓ１’’’’は、第２導体部Ｓ２’’’’上に固定されている。第１信号導体Ｓ’’’’の第４導体部Ｓ４’’’’は、当該第１信号導体Ｓ’’’’の第１導体部Ｓ１’’’’に対して第２信号導体Ｓ’’’’側に配置され、第２信号導体Ｓ’’’’の第４導体部Ｓ４’’’’は、当該第２信号導体Ｓ’’’’の第１導体部Ｓ１’’’’に対して第１信号導体Ｓ’’’’側に配置されている。グランド導体Ｇ’’’は、誘電体１００’’の内部に設けられていても良いし、誘電体１００’’の第２面１０２上設けられていても良い。グランド導体Ｇ’’’は、第１導体部Ｇ１’’’及び第２導体部Ｇ２’’’を有している。第２導体部Ｇ２’’’は、第１導体部Ｇ１’’’に対して第１信号導体Ｓ’’’’及び第２信号導体Ｓ’’’’側に配置されている。第１導体部Ｇ１’’’は、第２導体部Ｇ２’’’上に固定されている。
【0097】
上記した何れかの態様の伝送用基板において、誘電体上の信号導体及び／又は誘電体上のグランド導体は、誘電体内に設けられていても良い（図７を借りて参照）。信号導体及びグランド導体が誘電体内に設けられている場合、伝送路の全てが、誘電体内に位置していることになる。
【0098】
本発明の伝送用基板は、複数の層を有する多層基板である誘電体と、高周波信号を伝送可能な伝送路とを備えており、伝送路が、複数のグランド導体と、信号導体とを備えており、複数のグランド導体は、誘電体の複数の層に設けられたベタ導体であって、各々が開口を有しており、信号導体は、複数のグランド導体の開口内に位置するように、誘電体内に設けられたバイアホールである構成とすることが可能である。この信号導体が、第１導体部及び第２導体部を有する場合、第１導体部は筒状であり、第２導体部は第１導体部の少なくとも一部の外周面上に設けられた筒状であって、第１導体部に対して複数のグランド導体側に配置された構成とすることが可能である。各グランド導体が、第１導体部及び第２導体部を有する場合、第１導体部は、対応するグランド導体の開口の縁部以外の部分であり、第２導体部が開口の環状の縁部であって、第１導体部に対して信号導体側に配置された構成とすることが可能である。
【0099】
上記した何れかの態様のコネクタＤ５において、板状のグランド導体を備えた構成とすることが可能である。この場合、コネクタは、伝送用基板Ｄ１～Ｄ３に対応した構成とすることが可能である。以下、伝送用基板Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３に対応するコネクタを、第１、第２、第３設計変更コネクタと称する。
【0100】
第１設計変更コネクタにおいては、図８Ａに示されるように、伝送路５００’の板状のグランド導体５００Ｇ’が誘電体４００内に設けられ、信号導体５００Ｓ’に対してＺ’方向側に配置され且つ信号導体５００Ｓ’の少なくとも一部に沿って延びている。グランド導体５００Ｇ’と信号導体５００Ｓ’がマイクロストリップラインを構成している。信号導体５００Ｓ’が第１導体部５１０Ｓ及び第２導体部５２０Ｓを有する場合、第２導体部５２０Ｓが第１導体部５１０ＳのＺ’方向側（板状のグランド導体側）に設けられていると良い。グランド導体５００Ｇ’は、第１導体部５１０Ｇ’及び第２導体部５２０Ｇ’を有する構成とすることが可能である。第２導体部５２０Ｇ’は、第１導体部５１０Ｇ’のＺ方向側（信号導体５００Ｓ’）に設けられていると良い。
【0101】
第１設計変更コネクタにおいて、誘電体４００内に第１、第２グランド導体が更に設けられており且つ第１、第２グランド導体が上記した何れかの態様の信号導体５００Ｓ’のＸ方向側、Ｘ’方向側に配置されていても良い。この第１、第２グランド導体も、信号導体５００Ｓ’の少なくとも一部に沿って延びている。信号導体５００Ｓ’が、第１導体部５１０Ｓ及び第２導体部５２０Ｓに加えて、伝送用基板Ｄ３と同様に、第２導体部Ｓ２’’及び／又は第３導体部Ｓ３’’を有していても良い。第２導体部Ｓ２’’は、第１導体部５１０ＳのＸ方向側（第１グランド導体側）に設けられ、第３導体部Ｓ３’’は、第１導体部５１０ＳのＸ’方向側（第２グランド導体側）に設けられていると良い。第１、第２グランド導体のうちの少なくとも一方の導体は、伝送用基板Ｄ３と同様に、第１導体部Ｇ１’’及び第２導体部Ｇ２’’を有する構成とすることが可能である。
【0102】
第２設計変更コネクタにおいては、図８Ｂに示されるように、伝送路５００’’の板状のグランド導体５００Ｇ’が一対であり、この一対のグランド導体５００Ｇ’が誘電体４００内に設けられている。一対のグランド導体５００Ｇ’が第１、第２グランド導体５００Ｇ’を含む。第１グランド導体５００Ｇ’が、信号導体５００Ｓ’’に対してＺ’方向側に配置され且つ信号導体５００Ｓ’’の少なくとも一部に沿って延びており、第２グランド導体５００Ｇ’が信号導体５００Ｓ’’に対してＺ方向側に配置され且つ信号導体５００Ｓ’’の少なくとも一部に沿って延びている。一対のグランド導体５００Ｇ’と信号導体５００Ｓ’’がストリップラインを構成している。信号導体５００Ｓ’’は、第１導体部５１０Ｓ、第２導体部５２０Ｓ及び第３導体部５３０Ｓを有する構成とすることが可能である。第２導体部５２０Ｓが第１導体部５１０ＳのＺ’方向側（第１グランド導体５００Ｇ’側）に設けられ、第３導体部５３０Ｓが第１導体部５１０ＳのＺ方向側（第２グランド導体５００Ｇ’側）に設けられていると良い。第１グランド導体５００Ｇ’及び／又は第２グランド導体５００Ｇ’は、第１導体部５１０Ｇ’及び第２導体部５２０Ｇ’を有する構成とすることが可能である。第１グランド導体５００Ｇ’の第２導体部５２０Ｇ’は、第１グランド導体５００Ｇ’の第１導体部５１０Ｇ’のＺ方向側（信号導体５００Ｓ’’）に設けられていると良い。第２グランド導体５００Ｇ’の第２導体部５２０Ｇ’は、第２グランド導体５００Ｇ’の第１導体部５１０Ｇ’のＺ’方向側（信号導体５００Ｓ’’）に設けられていると良い。
【0103】
第２設計変更コネクタにおいて、誘電体４００’内に第３、第４グランド導体が更に設けられており且つ第３、第４グランド導体が上記した何れかの態様の信号導体５００Ｓ’’のＸ方向側、Ｘ’方向側に配置されていても良い。この第３、第４グランド導体も、信号導体５００Ｓ’’の少なくとも一部に沿って延びている。信号導体５００Ｓ’’が、第１導体部５１０Ｓ、第２導体部５２０Ｓ及び第３導体部５３０Ｓに加えて、伝送用基板Ｄ３と同様に、第２導体部Ｓ２’’及び／又は第３導体部Ｓ３’’を有していても良い。第２導体部Ｓ２’’は、第１導体部５１０ＳのＸ方向側（第３グランド導体側）に設けられ、第３導体部Ｓ３’’は、第１導体部５１０ＳのＸ’方向側（第４グランド導体側）に設けられていると良い。第３グランド導体及び第４グランド導体のうちの少なくとも一方の導体は、伝送用基板Ｄ３と同様に、第１導体部Ｇ１’’及び第２導体部Ｇ２’’を有する構成とすることが可能である。
【0104】
第３設計変更コネクタにおいて、図８Ｃに示されるように、伝送路５００’’’の板状のグランド導体５００Ｇ’’が一対であり、この一対のグランド導体５００Ｇ’’が誘電体４００の内部に設けられている。一対のグランド導体５００Ｇ’’は、第１グランド導体５００Ｇ’’及び第２グランド導体５００Ｇ’’を含む。第１グランド導体５００Ｇ’’が、信号導体５００Ｓ’’’に対してＸ方向側に配置され且つ信号導体５００Ｓ’’’の少なくとも一部に沿って延びており、第２グランド導体５００Ｇ’’が信号導体５００Ｓ’’’に対してＸ’方向側に配置され且つ信号導体５００Ｓ’’’の少なくとも一部に沿って延びている。一対のグランド導体５００Ｇ’’と信号導体５００Ｓ’’’がコプレーナーラインを構成している。信号導体５００Ｓ’’’は、第１導体部５１０Ｓ、第２導体部５２０Ｓ及び第３導体部５３０Ｓを有する構成とすることが可能である。第２導体部５２０Ｓが第１導体部５１０ＳのＸ方向側（第１グランド導体５００Ｇ’’側）に設けられ、第３導体部５３０Ｓが第１導体部５１０ＳのＸ’方向側（第２グランド導体５００Ｇ’’側）に設けられていると良い。第１グランド導体５００Ｇ’’及び／又は第２グランド導体５００Ｇ’’は、第１導体部５１０Ｇ’’及び第２導体部５２０Ｇ’’を有する構成とすることが可能である。第１グランド導体５００Ｇ’’の第２導体部５２０Ｇ’’は、第１グランド導体５００Ｇ’’の第１導体部５１０Ｇ’’のＸ’方向側（信号導体５００Ｓ’’’）に設けられていると良い。第２グランド導体５００Ｇ’’の第２導体部５２０Ｇ’’は、第２グランド導体５００Ｇ’’の第１導体部５１０Ｇ’’のＸ方向側（信号導体５００Ｓ’’’）に設けられていると良い。
【0105】
上記した何れかの態様のコネクタにおいて、上記した何れかの態様の信号導体を複数としても良い。この場合、複数の信号導体は、誘電体に保持され、グランド導体５００Ｇ内に収容されている。この複数の信号導体は、Ｘ－Ｘ’方向に間隔をあけて配置された第１信号導体及び第２信号導体を含んでいても良い。グランド導体５００Ｇは、収容した複数の信号導体の少なくとも一部に沿って延びている。なお、このグランド導体５００Ｇに代えて、少なくとも一つのグランド導体５００Ｇ’を誘電体に設けることが可能である。
【0106】
本発明のコネクタは、伝送用基板Ｄ４と同様に、誘電体４００及び伝送路５００’’’’の差動対をなす第１、第２信号導体５００Ｓ’’’’を備えた構成とすることが可能である(図８Ｄ参照)。第１、第２信号導体５００Ｓ’’’’は、少なくとも一部が誘電体４００内に設けられており且つＸ－Ｘ’方向に間隔をあけて配置されている。第１、第２信号導体５００Ｓ’’’’の少なくとも一方の導体は、第１導体部５１０Ｓ及び第４導体部５４０Ｓを有する構成とすることが可能である。第１信号導体５００Ｓは、第４導体部５４０Ｓが第１導体部５１０Ｓの第２信号導体５００Ｓ’’’’側に設けられた構成とすることが可能である。第２信号導体５００Ｓ’’’’は、第４導体部５４０Ｓが第１導体部５１０Ｓの第１信号導体５００Ｓ’’’’側に設けられた構成とすることが可能である。
この第４設計変更コネクタは、図８Ｅに示すように、伝送路５００’’’’’が、第１、第２信号導体５００Ｓ’’’’のＺ’方向側に配置される上記グランド導体５００Ｇ’を更に備えており、第１、第２信号導体５００Ｓ’’’’の各々が、上記第２導体部５２０Ｓを更に備えた構成とすることが可能である。
この第４設計変更コネクタは、図８Ｅに示すように、伝送路５００’’’’’が、第１、第２信号導体５００Ｓ’’’’のＺ’方向側に配置される上記グランド導体５００Ｇ’を更に備えており、第１、第２信号導体５００Ｓ’’’’の各々が、上記第２導体部５２０Ｓを更に備えた構成とすることが可能である。
【0107】
上記した何れの態様の第１信号導体及び第２信号導体は差動対を構成しても良いが、これに限定されるものではない。上記した何れの設計変更例の信号導体の第１導体部は、上記第１接続部及び／又は上記第２接続部を更に有していても良い。
【0108】
本発明の一態様の接続構造は、図９に示すように、上記（ａ）又は上記（ｃ）に係る構成を有する信号導体５００Ｓを備えたコネクタ（図示左側のコネクタ（以下、第１コネクタと称する。））と、上記（ｂ）又は上記（ｄ）に係る構成を有する信号導体５００Ｓを備えたコネクタ（図示右側のコネクタ（以下、第２コネクタと称する。））とを備えた構成とすることが可能である。この場合、第１コネクタの信号導体５００Ｓの先端部５１１Ｓの一対のアーム間に、第２コネクタの信号導体５００Ｓの先端部５１１Ｓが挿入される。これにより、第１コネクタの信号導体５００Ｓの先端部５１１Ｓの一対のアームが離間するように弾性変形する。これにより、第１コネクタの信号導体５００Ｓの先端部５１１Ｓの一対のアームの内面（第１接続部）が第２コネクタの信号導体５００Ｓの先端部５１１Ｓの外周面（第１接続部）に弾性接触する。
第１コネクタの信号導体５００Ｓの先端部５１１Ｓの一対のアームは、その内面が第２導体部５２０Ｓに覆われていない。第２コネクタの信号導体５００Ｓの先端部５１１Ｓも、その外周面が第２導体部５２０Ｓに覆われていない。そのため、第１コネクタの信号導体５００Ｓの先端部５１１Ｓの一対のアームの内面が第２コネクタの信号導体５００Ｓの先端部５１１Ｓの外周面に弾性接触したとしても、第２導体部５２０Ｓが摩耗したり破損したりしない。
更に、第１コネクタの信号導体５００Ｓの先端部５１１Ｓの一対のアームは、その外面も第２導体部５２０Ｓに覆われていない場合、当該アームが弾性変形したとしても、第２導体部５２０Ｓが破損することもない。
第１コネクタの信号導体５００Ｓの先端部５１１Ｓの一対のアームは、その内面が第２導体部５２０Ｓに覆われていない。第２コネクタの信号導体５００Ｓの先端部５１１Ｓも、その外周面が第２導体部５２０Ｓに覆われていない。そのため、第１コネクタの信号導体５００Ｓの先端部５１１Ｓの一対のアームの内面が第２コネクタの信号導体５００Ｓの先端部５１１Ｓの外周面に弾性接触したとしても、第２導体部５２０Ｓが摩耗したり破損したりしない。
更に、第１コネクタの信号導体５００Ｓの先端部５１１Ｓの一対のアームは、その外面も第２導体部５２０Ｓに覆われていない場合、当該アームが弾性変形したとしても、第２導体部５２０Ｓが破損することもない。
【0109】
本発明の別の態様の接続構造は、上記（ｂ）又は上記（ｄ）に係る構成を有する信号導体５００Ｓを備えたコネクタ（以下、第３コネクタと称する。）と、上記（ｂ）又は上記（ｄ）に係る構成を有する信号導体５００Ｓを備えたコネクタ（以下、第４コネクタと称する。）とを備えた構成とすることが可能である。この場合、第３コネクタの信号導体５００Ｓの先端部５１１Ｓが、第４コネクタの信号導体５００Ｓの先端部５１１Ｓに摺動接触又は弾性接触する。第３、第４コネクタの信号導体５００Ｓの先端部５１１Ｓの少なくとも接触面（第１接続部）が第２導体部５２０Ｓに覆われていない。そのため、第３コネクタの信号導体５００Ｓの先端部５１１Ｓが、第４コネクタの信号導体５００Ｓの先端部５１１Ｓに摺動接触又は弾性接触しても、第３、第４コネクタの信号導体５００Ｓの第２導体部５２０Ｓが摩耗したり破損したりしない。
【0110】
本発明において、上記した何れかの態様の信号導体及びグランド導体の少なくとも一方の導体は、第２導体部と誘電体との間に設けられており且つ上記多結晶体を含まない第５導体部を更に備えていても良い。本発明において、上記した何れかの態様の信号導体及びグランド導体の少なくとも一方の導体は、第１、第２導体部の間に設けられた第６導体部を更に備えていても良い。
【0111】
本発明の導体微粒子は、平均粒径が数ｎｍ～１０数ｎｍの導体ナノ粒子であるとしたが、平均粒径が数μｍ以下の導体微粒子であれば良い。本発明の導体ナノ粒子の平均粒径は、サブｎｍ～１００ｎｍであっても良い。
【0112】
本発明の抵抗低下材料は、微粒子で構成されており、且つ伝送路に伝送される高周波信号の周波数が一又は複数の特定周波数帯域にある場合に、交流抵抗値が急激に低下する物性を有していれば良い。換言すると、抵抗低下材料は、当該抵抗低下材料に流される高周波信号（高周波信号）の周波数が上記一又は複数の特定周波数帯域以外の周波数帯域にある場合（前者の場合）、その高周波信号により磁場が生じ、その磁場により抵抗低下材料の中心部において高周波信号の流れを妨害する方向に誘導起電力（逆起電力）が生じる一方、当該抵抗低下材料に流される高周波信号の周波数が上記一又は複数の特定周波数帯域（抵抗低下材料に磁気共鳴が生じる周波数帯域）にある場合（後者の場合）、その高周波信号により磁場が生じ、その磁場により抵抗低下材料の中心部において生じる誘導起電力（逆起電力）の向きが逆となる物性を有する構成とすることが可能である。ここでも、前者の場合、抵抗低下材料の透磁率の実部が正である。後者の場合、抵抗低下材料の透磁率の実部が負である。高周波信号の一又は複数の特定周波数帯域は、高周波信号により生じた磁場の作用によって、抵抗低下材料が磁気共鳴を生ずる周波数帯域であれば良い。
【0113】
例えば、本発明の抵抗低下材料は、環境温度下で、前述の物性を発現し得る半導体微粒子で構成することが可能である。この半導体微粒子は、平均粒径が１ｎｍ～１００ｎｍであると良いが、これに限定されるものではない。この半導体微粒子は、真性半導体微粒子であっても良い。真性半導体微粒子は、例えば、シリコン微粒子、ゲルマニウム微粒子、ダイアモンド微粒子、シリコンゲルマニウム微粒子又は化合物半導体微粒子等であるが、これに限定されるものではない。なお、真性導体微粒子は、単結晶であっても良いし、多結晶であっても良いし、非晶質であっても良い。また、半導体微粒子は、前記真性半導体に不純物をドーピングした不純物半導体であっても良い。
【0114】
半導体微粒子で構成された抵抗低下材料は、上記した何れかの態様の多結晶体に代えて用いることが可能である。半導体微粒子で構成された抵抗低下材料は、上記した何れかの態様の多結晶体と同様の方法で作成可能である。この場合、半導体微粒子を導体ナノ粒子に置換すると良い。上記した何れかの態様の第２導体部は、半導体微粒子で構成された抵抗低下材料で構成可能である。この場合、上記した何れかの態様の第１導体部は、前記第２導体部の直流抵抗値よりも小さい直流抵抗値を有する素材及び抗酸化性などの耐腐食性を有する素材の少なくとも一方の素材で構成されていると良い。本発明の如何なる態様の抵抗低下材料の交流抵抗値は、伝送路に伝送される高周波信号の周波数が一又は複数の特定周波数帯域にある場合に、実質的に０Ω又はマイナス抵抗になるものに限定されない。本発明の第１導体部は、第１接続部及び／又は第２接続部のみに設けられていても良い。
【0115】
なお、上記実施例の各態様及び設計変形例における高周波伝送装置の各構成要素を構成する素材、形状、寸法、数、数値及び配置等はその一例を説明したものであって、同様の機能を実現し得る限り任意に設計変更することが可能である。上記した実施例の各態様及び設計変更例は、互いに矛盾しない限り、相互に組み合わせることが可能である。本発明における「略環状」とは、円環状、多角環状、円環状の一部が切り欠かれたもの、および多角環状の一部が切り欠かれたものを含む概念である。
【符号の説明】
【0116】
Ｄ１～Ｄ４：高周波伝送装置（伝送用基板）
１００、１００’：誘電体
１０１、１０１’：第１面
１０２、１０２’：第１面
２００、２００’、２００’’、２００’’’：伝送路
Ｓ、Ｓ’、Ｓ’’、Ｓ’’’：信号導体
Ｓ１、Ｓ１’、Ｓ１’’、Ｓ１’’’：信号導体の第１導体部
Ｓ２、Ｓ２’、Ｓ２’’：信号導体の第２導体部
Ｓ３’、Ｓ３’’：信号導体の第３導体部
Ｓ４’’’：信号導体の第４導体部
Ｇ：グランド導体（第１グランド導体）
Ｇ’：グランド導体（第２グランド導体）
Ｇ’’：グランド導体（第１、第２グランド導体）
Ｇ１、Ｇ１’、Ｇ１’’：グランド導体の第１導体部
Ｇ２、Ｇ２’、Ｇ２’’：グランド導体の第２導体部
３００：送信部
Ｄ５：高周波伝送装置（コネクタ）
４００：誘電体
５００：伝送路
５００Ｓ：信号導体
５１０Ｓ：信号導体の第１導体部
５２０Ｓ：信号導体の第２導体部
５００Ｇ：グランド導体
５１０Ｇ：グランド導体の第１導体部
５２０Ｇ：グランド導体の第２導体部
１００、１００’：誘電体
１０１、１０１’：第１面
１０２、１０２’：第１面
２００、２００’、２００’’、２００’’’：伝送路
Ｓ、Ｓ’、Ｓ’’、Ｓ’’’：信号導体
Ｓ１、Ｓ１’、Ｓ１’’、Ｓ１’’’：信号導体の第１導体部
Ｓ２、Ｓ２’、Ｓ２’’：信号導体の第２導体部
Ｓ３’、Ｓ３’’：信号導体の第３導体部
Ｓ４’’’：信号導体の第４導体部
Ｇ：グランド導体（第１グランド導体）
Ｇ’：グランド導体（第２グランド導体）
Ｇ’’：グランド導体（第１、第２グランド導体）
Ｇ１、Ｇ１’、Ｇ１’’：グランド導体の第１導体部
Ｇ２、Ｇ２’、Ｇ２’’：グランド導体の第２導体部
３００：送信部
Ｄ５：高周波伝送装置（コネクタ）
４００：誘電体
５００：伝送路
５００Ｓ：信号導体
５１０Ｓ：信号導体の第１導体部
５２０Ｓ：信号導体の第２導体部
５００Ｇ：グランド導体
５１０Ｇ：グランド導体の第１導体部
５２０Ｇ：グランド導体の第２導体部
【図1A】
【図1B】
【図2A】
【図2B】
【図3A】
【図3B】
【図4A】
【図4B】
【図5】
【図6A】
【図6B】
【図7】
【図8A】
【図8B】
【図8C】
【図8D】
【図8E】
【図9】
