特許 7305735 基板処理装置及び基板処理方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2023-06-30

(45)【発行日】2023-07-10

(54)【発明の名称】基板処理装置及び基板処理方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/027 20060101AFI20230703BHJP

【ＦＩ】

H01L21/30 563

【請求項の数】 19

(21)【出願番号】P 2021206177

(22)【出願日】2021-12-20

(65)【公開番号】P2022104883

(43)【公開日】2022-07-12

【審査請求日】2021-12-20

(31)【優先権主張番号】10-2020-0187533

(32)【優先日】2020-12-30

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(73)【特許権者】

【識別番号】518162784

【氏名又は名称】セメス カンパニー，リミテッド

(74)【代理人】

【識別番号】100114775

【弁理士】

【氏名又は名称】高岡 亮一

(74)【代理人】

【識別番号】100121511

【弁理士】

【氏名又は名称】小田 直

(74)【代理人】

【識別番号】100202751

【弁理士】

【氏名又は名称】岩堀 明代

(74)【代理人】

【識別番号】100208580

【弁理士】

【氏名又は名称】三好 玲奈

(74)【代理人】

【識別番号】100191086

【弁理士】

【氏名又は名称】高橋 香元

(72)【発明者】

【氏名】キム，ヒュン ミン

(72)【発明者】

【氏名】アン，ヤン セオ

【審査官】植木 隆和

(56)【参考文献】

【文献】特開平０６－００５５０５（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開平０６－２４４１００（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開平１１－２１４２８６（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００７－０９０５６４（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００７－２３００８１（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２１／０２７

Ｇ０３Ｆ ７／２０

Ｇ０３Ｆ ７／１６

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板を処理する装置において、
内部に処理空間を有する工程チャンバーと、
前記処理空間内に位置して基板を支持する支持部材と、
前記処理空間に表面改質ガスを供給するガス供給ユニットを含み、
前記ガス供給ユニットは、
液状のアルキン系ケミカルを格納する収容空間が提供され、前記収容空間に不活性ガスを供給することによって前記アルキン系ケミカルをバブリングして前記表面改質ガスを生成するバブラータンクと、
前記バブラータンクに格納された前記アルキン系ケミカルを第１温度に加熱するヒーターと、
前記工程チャンバーと前記バブラータンクとの間に結合されて前記処理空間に前記表面改質ガスを供給し、第１バルブが設置されたガス供給ラインを含み、
前記第１温度は、前記アルキン系ケミカルが沸点に到達する直前の温度である、
基板処理装置。

【請求項2】

前記ガス供給ユニットは、
前記表面改質ガスを構成する前記アルキン系ケミカルの濃度を調節する濃度調節ガスを供給する濃度調節ユニットをさらに含む請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項3】

前記濃度調節ユニットは、
前記ガス供給ラインに連結されて前記ガス供給ラインに濃度調節ガスを供給する濃度調節ガス供給ラインを含む請求項２に記載の基板処理装置。

【請求項4】

前記濃度調節ユニットは、
前記ガス供給ラインに設置されて前記表面改質ガスの濃度を測定する濃度測定部材をさらに含む請求項３に記載の基板処理装置。

【請求項5】

前記濃度測定部材は、
前記濃度調節ガス供給ラインが前記ガス供給ラインに連結される地点より下流の位置で前記ガス供給ラインに提供される請求項４に記載の基板処理装置。

【請求項6】

前記ガス供給ユニットは、
前記バブラータンクに結合されて前記バブラータンクに前記不活性ガスを供給するキャリヤーガス供給ラインをさらに含む請求項３に記載の基板処理装置。

【請求項7】

前記ガス供給ユニットを制御する制御器をさらに含み、
前記制御器は、
前記バブラータンクに格納された前記アルキン系ケミカルを前記第１温度に加熱されるように前記ヒーターを制御し、
前記第１温度に加熱された前記アルキン系ケミカルに前記不活性ガスを供給するように制御して前記表面改質ガスを生成する請求項６に記載の基板処理装置。

【請求項8】

前記制御器は、前記濃度調節ユニットをさらに制御し、
前記表面改質ガスが前記処理空間に供給される途中に前記ガス供給ラインに前記濃度調節ガスを供給して前記表面改質ガスの濃度を調節するように前記ガス供給ユニット及び前記濃度調節ユニットを制御する請求項７に記載の基板処理装置。

【請求項9】

前記第１温度は、前記アルキン系ケミカルの沸点より３０℃乃至５℃低い温度である請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項10】

前記アルキン系ケミカルは、
３,５－Ｄｉｍｅｔｈｙｌ－１－ｈｅｘｙｎ－３－ｏｌである請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項11】

前記第１温度は、１２０℃乃至１４５℃である請求項１０に記載の基板処理装置。

【請求項12】

前記支持部材に置かれる基板を加熱するように提供された加熱部材と、
前記処理空間を排気する排気ユニットと、をさらに含む請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項13】

前記濃度調節ユニットを制御する制御器をさらに含み、
前記制御器は、
前記濃度測定部材の測定値に基づいて前記濃度調節ガスの単位時間当たり供給流量を調節し、
前記濃度測定部材の測定値が設定値より高い場合、前記濃度調節ガスの単位時間当たり供給流量を増加させる請求項４に記載の基板処理装置。

【請求項14】

前記濃度調節ガスと前記不活性ガスは、同一なガスである請求項２に記載の基板処理装置。

【請求項15】

前記濃度調節ガスと前記不活性ガスは、窒素である請求項１４に記載の基板処理装置。

【請求項16】

基板を処理する方法において、
基板に感光液を塗布する前に前記感光液の付着力を向上させる表面改質ガスを基板が提供された処理空間に供給して基板を処理し、
前記表面改質ガスはアルキン系ケミカル及び不活性ガスの混合ガスで提供され、
前記表面改質ガスは、
前記アルキン系ケミカルを液相で格納するバブラータンクで前記アルキン系ケミカルが第１温度に加熱された状態で前記不活性ガスを供給して生成され、
前記第１温度は、前記アルキン系ケミカルが沸点に到達する直前の温度である、
基板処理方法。

【請求項17】

前記表面改質ガスが前記処理空間に供給される途中で前記表面改質ガスの濃度が変更されて前記基板に供給される請求項１６に記載の基板処理方法。

【請求項18】

前記アルキン系ケミカルは、３,５－Ｄｉｍｅｔｈｙｌ－１－ｈｅｘｙｎ－３－ｏｌであり、前記第１温度は、１２０℃乃至１４５℃である請求項１６に記載の基板処理方法。

【請求項19】

基板を処理する装置において、
内部に処理空間を有する工程チャンバーと、
前記処理空間内に位置して基板を支持する支持部材と、
前記処理空間にアルキン系ケミカル及び不活性ガスの混合ガスで提供される表面改質ガスを供給するガス供給ユニットと、
前記表面改質ガスを構成する前記アルキン系ケミカルの濃度を調節する濃度調節ガスを供給する濃度調節ユニットと、
前記ガス供給ユニット及び前記濃度調節ユニットを制御する制御器と、を含み、
前記ガス供給ユニットは、
液状のアルキン系ケミカルを格納する収容空間が提供され、前記収容空間に不活性ガスを供給することによって前記アルキン系ケミカルをバブリングして前記表面改質ガスを生成するバブラータンクと、
前記バブラータンクに結合されて前記バブラータンクに前記不活性ガスを供給するキャリヤーガス供給ラインと、
前記バブラータンクに格納された前記アルキン系ケミカルを第１温度に加熱するヒーターと、
前記工程チャンバーと前記バブラータンクとの間に結合されて前記処理空間に前記表面改質ガスを供給し、第１バルブが設置されたガス供給ラインと、を含み、
前記制御器は、
前記第１温度に加熱された前記アルキン系ケミカルに前記不活性ガスを供給するように制御して前記表面改質ガスを生成し、
前記表面改質ガスが前記処理空間に供給される途中に前記ガス供給ラインに前記濃度調節ガスを供給して前記表面改質ガスの濃度を調節するように前記ガス供給ユニット及び前記濃度調節ユニットを制御し、
前記第１温度は、前記アルキン系ケミカルが沸点に到達する直前の温度である、
基板処理装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は基板を処理する装置及び基板を処理する方法に関り、より具体的に基板に表面改質ガスを供給して基板を処理する基板処理装置及び基板処理方法に係る。

【背景技術】

【0002】

半導体製造工程の中で写真工程（ｐｈｏｔｏ－ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ ｐｒｏｃｅｓｓ）はウエハ上に望むパターンを形成させる工程である。一般的に、写真工程は露光設備が連結されて塗布工程、露光工程、そして現像工程を連続的に処理する基板処理設備で進行される。このような基板処理設備はヘキサメチルジシラザン（Ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌ ｄｉｓｉｌａｚａｎｅ、以下、ＨＭＤＳとする）処理工程、塗布工程、露光工程、ベーク工程、そして現像工程を順次的に遂行する。
上述したＨＭＤＳ処理工程は感光液（ＰＲ：Ｐｈｏｔｏ－ｒｅｓｉｓｔ）の密着効率を上昇させるために感光液を塗布する前にウエハ上にＨＭＤＳを供給する工程である。しかし、露光工程に使用される光源がＡｒＦのようなエキシマレーザー光源でＥＵＶ（ｅｘｔｒｅｍｅ ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ；極紫外線）光源であって、技術が発展しながら、パターンサイズ（Ｐａｔｔｅｒｎ Ｓｉｚｅ）が５ｎｍ以下に減少することに応じて基板でＨＭＤＳがコーティング（Ｃｏａｔｉｎｇ）されない領域でのパターン崩壊が発生し、このような問題を解決するための方法が必要である。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】国際特許公開第ＷＯ２０１４１６８３３１Ａ１号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本発明の一目的は基板を効率的に処理することができる基板処理装置及び基板処理方法を提供することにある。

【0005】

本発明の一目的は基板と感光液の付着力を高めることができる表面改質ガスを提供する基板処理装置及び基板処理方法を提供することにある。

【0006】

本発明の一目的は基板に表面改質ガスを供給して処理する工程を効率的に遂行することができる基板処理装置及び基板処理方法を提供することにある。

【0007】

本発明が解決しようとする課題はここに制限されなく、言及されないその他の課題は下の記載から当業者に明確に理解されるべきである。

【課題を解決するための手段】

【0008】

本発明は基板を処理する装置を提供する。一実施形態において、基板処理装置は、内部に処理空間を有する工程チャンバーと、前記処理空間内に位置して基板を支持する支持部材と、前記処理空間に表面改質ガスを供給するガス供給ユニットと、を含み、前記ガス供給ユニットは、液状のアルキン系ケミカルを格納する収容空間が提供され、前記収容空間に不活性ガスを供給にしたがって前記アルキン系ケミカルをバブリングして前記表面改質ガスを生成するバブラータンクと、前記バブラータンクに格納された前記アルキン系ケミカルを第１温度に加熱するヒーターと、前記工程チャンバーと前記バブラータンクとの間に結合されて前記処理空間に前記表面改質ガスを供給し、第１バルブが設置されたガス供給ラインを含む。

【0009】

一実施形態において、前記ガス供給ユニットは、前記表面改質ガスを構成する前記アルキン系ケミカルの濃度を調節する濃度調節ガスを供給する濃度調節ユニットをさらに含むことができる。

【0010】

一実施形態において、前記濃度調節ユニットは、前記ガス供給ラインに連結されて前記ガス供給ラインに濃度調節ガスを供給する濃度調節ガス供給ラインを含むことができる。

【0011】

一実施形態において、前記濃度調節ユニットは、前記ガス供給ラインに設置されて前記表面改質ガスの濃度を測定する濃度測定部材をさらに含むことができる。

【0012】

一実施形態において、前記濃度測定部材は、前記処理ガス供給ラインと前記濃度調節ガス供給ラインが前記処理ガス供給ラインに連結される地点より下流の位置で前記処理ガス供給ラインに提供されることができる。

【0013】

一実施形態において、前記ガス供給ユニットは、前記バブラータンクに結合されて前記バブラータンクに前記不活性ガスを供給するキャリヤーガス供給ラインをさらに含むことができる。

【0014】

一実施形態において、前記ガス供給ユニットを制御する制御器をさらに含み、前記制御器は、前記バブラータンクに格納された前記アルキン系ケミカルを前記第１温度に加熱するように前記ヒーターを制御し、前記第１温度に加熱された前記アルキン系ケミカルに前記不活性ガスを供給するように制御して前記表面改質ガスを生成することができる。

【0015】

一実施形態において、前記制御器は、前記濃度調節ユニットをさらに制御し、前記表面改質ガスが前記処理空間に供給される途中前記ガス供給ラインに前記濃度調節ガスを供給して前記表面改質ガスの濃度を調節するように前記ガス供給ユニット及び前記濃度調節ユニットを制御することができる。

【0016】

一実施形態において、前記第１温度は前記アルキン系ケミカルが沸点に到達する直前の温度であり得る。

【0017】

一実施形態において、前記第１温度は前記アルキン系ケミカルが沸点より３０℃乃至５℃が低い温度であり得る。

【0018】

一実施形態において、前記アルキン系ケミカルは、３,５－Ｄｉｍｅｔｈｙｌ－１－ｈｅｘｙｎ－３－ｏｌであり得る。

【0019】

一実施形態において、前記第１温度は１２０℃乃至１４５℃であり得る。

【0020】

一実施形態において、前記支持部材に置かれる基板を加熱するように提供された加熱部材と、前記処理空間を排気する排気ユニットと、をさらに含むことができる。

【0021】

一実施形態において、前記制御器は、前記濃度測定部材の測定値に基づいて前記濃度調節ガスの単位時間当たり供給流量を調節し、前記濃度測定部材の測定値が設定値より高い場合、前記濃度調節ガスの単位時間当たり供給流量を増加させることができる。

【0022】

一実施形態において、前記濃度調節ガスと前記不活性ガスは同一なガスであり得る。

【0023】

一実施形態において、前記濃度調節ガスと前記不活性ガスは窒素であり得る。
また、本発明は基板を処理する方法を提供する。 一実施形態において、基板を処理する方法において、基板に感光液を塗布する前に前記感光液の付着力を向上させる表面改質ガスを基板が提供された処理空間に供給して基板を処理し、前記表面改質ガスはアルキン系ケミカル及び不活性ガスの混合ガスで提供され、前記表面改質ガスは、前記アルキン系ケミカルを液相で格納するバブラータンクで前記アルキン系ケミカルが第１温度に加熱された状態で前記不活性ガスを供給して生成される。

【0024】

一実施形態において、前記表面改質ガスが前記処理空間に供給される途中に前記表面改質ガスの濃度を変更させて前記基板に供給することができる。

【0025】

一実施形態において、前記アルキン系ケミカルは３，５－Ｄｉｍｅｔｈｙｌ－１－ｈｅｘｙｎ－３－ｏｌであり、前記第１温度は１２０℃乃至１４５℃であり得る。

【0026】

本発明の他の観点にしたがう実施形態の基板処理装置は、内部に処理空間を有する工程チャンバーと、前記処理空間内に位置して基板を支持する支持部材と、前記処理空間にアルキン系ケミカル及び不活性ガスの混合ガスに提供される表面改質ガスを供給するガス供給ユニットと、前記表面改質ガスを構成する前記アルキン系ケミカルの濃度を調節する濃度調節ガスを供給する濃度調節ユニットと、前記ガス供給ユニット及び前記濃度調節ユニットを制御する制御器と、を含み、前記ガス供給ユニットは、液状のアルキン系ケミカルを格納する収容空間が提供され、前記収容空間に不活性ガスを供給にしたがって前記アルキン系ケミカルをバブリングして前記表面改質ガスを生成するバブラータンクと、前記バブラータンクに結合されて前記バブラータンクに前記不活性ガスを供給するキャリヤーガス供給ラインと；前記バブラータンクに格納された前記アルキン系ケミカルを第１温度に加熱するヒーターと、前記工程チャンバーと前記バブラータンクとの間に結合されて前記処理空間に前記表面改質ガスを供給し、第１バルブが設置されたガス供給ラインと、を含み、前記制御器は、前記第１温度に加熱された前記アルキン系ケミカルに前記不活性ガスを供給するように制御して前記表面改質ガスを生成し、前記表面改質ガスが前記処理空間に供給される途中に前記ガス供給ラインに前記濃度調節ガスを供給して前記表面改質ガスの濃度を調節するように前記ガス供給ユニット及び前記濃度調節ユニットを制御する。

【発明の効果】

【0027】

本発明の実施形態によれば、基板を効率的に処理することができる。

【0028】

本発明の実施形態によれば、基板と感光液の付着力を高めることができる表面改質ガスが提供されることができる。

【0029】

本発明の実施形態によれば、基板に表面改質ガスを供給して処理する工程を効率的に遂行することができる。

【0030】

本発明の効果が上述した効果によって限定されることはなく、言及されなかった効果は本明細書及び添付された図面から本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に明確に理解されることができる。

【図面の簡単な説明】

【0031】

【図1】本発明の一実施形態に係る基板処理装置を概略的に示す斜視図である。

【図2】図１の塗布ブロック又は現像ブロックを示す基板処理装置の断面図である。

【図3】図１の基板処理装置の平面図である。

【図4】図３の搬送ロボットのハンドの一例を示す図面である。

【図5】図３の熱処理チャンバーの一例を概略的に示す平断面図である。

【図6】図５の熱処理チャンバーの正断面図である。

【図7】図６の加熱ユニットに提供される基板処理装置を示す断面図である。

【図8】基板を処理する工程の順序を示すフローチャートである。

【発明を実施するための形態】

【0032】

以下では添付した図面を参考として本発明の実施形態に対して本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳細に説明する。しかし、本発明は様々な異なる形態に具現されることができ、ここで説明する実施形態に限定されない。また、本発明の好ましい実施形態を詳細に説明することにおいて、関連された公知機能又は構成に対する具体的な説明が本発明の要旨を不必要に曖昧にすることができていると判断される場合にはその詳細な説明を省略する。また、類似な機能及び作用をする部分に対しては図面の全体に亘って同一な符号を使用する。

【0033】

ある構成要素を‘含む’ということは、特別に反対になる記載がない限り、他の構成要素を除外することではなく、他の構成要素をさらに含むことができることを意味する。具体的に、“含む”又は“有する”等の用語は明細書上に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品、又はこれらを組み合わせたものが存在することを指定しようとすることがであり、１つ又はそれ以上の他の特徴や数字、段階、動作、構成要素、部品、又はこれらを組み合わせたものの存在又は付加可能性を予め排除しないことと理解されなければならない。

【0034】

単数の表現は文脈の上に明確に異なりに表現しない限り、複数の表現を含む。また、図面で要素の形状及びサイズ等はより明確な説明のために誇張されることができる。

【0035】

第１、第２等の用語は多様な構成要素を説明するために使用されることができるが、前記構成要素は前記用語によって限定されてはならない。前記用語は１つの構成要素を他の構成要素から区別する目的として使用されることができる。例えば、本発明の権利範囲から離脱されないまま、第１構成要素は第２構成要素と称されることができ、類似に第２構成要素とも第１構成要素と称されることができる。

【0036】

ある構成要素が他の構成要素に“連結されて”あるか、或いは“接続されて”いると言及された時には、その他の構成要素に直接的に連結されているか、又は接続されているが、中間に他の構成要素が存在することもあると理解されるべきである。反面に、ある構成要素が他の構成要素に“直接連結されて”いるか、或いは“直接接続されて”いると言及された時には、中間に他の構成要素が存在しないことと理解されるべきである。構成要素間の関係を説明する他の表現、即ち“～間に”と“すぐ～間に”又は“～に隣接する”と“～に直接隣接する“等も同様に解析されなければならない。

【0037】

異なりに定義されない限り、技術的であるか、或いは科学的な用語を含んで、ここで使用されるすべての用語は本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者によって一般的に理解されることと同一な意味である。一般的に使用される事前に定義されていることと同一の用語は関連技術の文脈の上に有する意味と一致する意味であることと解析されるべきであり、本出願で明確に定義しない限り、理想的であるか、或いは過度に形式的な意味として解釈されない。

【0038】

図１は本発明の一実施形態に係る基板処理装置を概略的に示す斜視図であり、図２は図１の塗布ブロック又は現象ブロックを示す基板処理装置の断面図であり、図３は図１の基板処理装置の平面図である。

【0039】

図１乃至図３を参照すれば、基板処理装置１はインデックスモジュール２０（ｉｎｄｅｘ ｍｏｄｕｌｅ）、処理モジュール３０（ｔｒｅａｔｉｎｇ ｍｏｄｕｌｅ）、そしてインターフェイスモジュール４０（ｉｎｔｅｒｆａｃｅ ｍｏｄｕｌｅ）を含む。一実施形態によれば、インデックスモジュール２０、処理モジュール３０、そしてインターフェイスモジュール４０は順次的に一列に配置される。以下、インデックスモジュール２０、処理モジュール３０、そしてインターフェイスモジュール４０が配列された方向をＸ軸方向１２とし、上部から見る時、Ｘ軸方向１２と垂直になる方向をＹ軸方向１４とし、Ｘ軸方向１２及びＹ軸方向１４に全て垂直になる方向をＺ軸方向１６とする。

【0040】

インデックスモジュール２０は基板Ｗが収納された容器１０から基板Ｗを処理モジュール３０に搬送し、処理が完了された基板Ｗを容器１０に収納する。インデックスモジュール２０の長さ方向はＹ軸方向１４に提供される。インデックスモジュール２０はロードポート２２とインデックスフレーム２４を有する。インデックスフレーム２４を基準にロードポート２２は処理モジュール３０の反対側に位置される。基板Ｗが収納された容器１０はロードポート２２に置かれる。ロードポート２２は複数が提供されることができ、複数のロードポート２２はＹ軸方向１４に沿って配置されることができる。

【0041】

容器１０としては前面開放一体型ポッド（Ｆｒｏｎｔ Ｏｐｅｎ Ｕｎｉｆｉｅｄ Ｐｏｄ：ＦＯＵＰ）のような密閉用容器１０が使用されることができる。容器１０はオーバーヘッドトランスファー（Ｏｖｅｒｈｅａｄ Ｔｒａｎｓｆｅｒ）、オーバーヘッドコンベア（Ｏｖｅｒｈｅａｄ Ｃｏｎｖｅｙｏｒ）、又は自動案内車両（Ａｕｔｏｍａｔｉｃ Ｇｕｉｄｅｄ Ｖｅｈｉｃｌｅ）のような移送手段（図示せず）や作業者によってロードポート２２に置かれることができる。

【0042】

インデックスフレーム２４の内部にはインデックスロボット２２００が提供される。インデックスフレーム２４内には長さ方向がＹ軸方向１４に提供されたガイドレール２３００が提供され、インデックスロボット２２００はガイドレール２３００上で移動可能に提供されることができる。インデックスロボット２２００は基板Ｗが置かれるハンド２２２０を含み、ハンド２２２０は前進及び後進移動、Ｚ軸方向１６を軸とした回転、そしてＺ軸方向１６を沿って移動可能に提供されることができる。

【0043】

処理モジュール３０は基板Ｗに対して塗布工程及び現像工程を遂行する。処理モジュール３０は塗布ブロック３０ａ及び現像ブロック３０ｂを有する。塗布ブロック３０ａは基板Ｗに対して塗布工程を遂行し、現像ブロック３０ｂは基板Ｗに対して現像工程を遂行する。塗布ブロック３０ａは複数が提供され、これらは互いに積層されるように提供される。現像ブロック３０ｂは複数が提供され、現像ブロック３０ｂは互いに積層されるように提供される。図２の実施形態によれば、塗布ブロック３０ａは２つが提供され、現像ブロック３０ｂは２つが提供される。塗布ブロック３０ａは現像ブロック３０ｂの下に配置されることができる。一例によれば、２つの塗布ブロック３０ａは互いに同一な工程を実行し、互いに同一な構造で提供されることができる。また、２つの現像ブロック３０ｂは互いに同一な工程を実行し、互いに同一な構造で提供されることができる。

【0044】

図３を参照すれば、塗布ブロック３０ａは熱処理チャンバー３２００、搬送チャンバー３４００、液処理チャンバー３６００、そしてバッファチャンバー３８００を有する。熱処理チャンバー３２００は基板Ｗに対して熱処理工程を遂行する。熱処理工程は冷却工程及び加熱工程を含むことができる。液処理チャンバー３６００は基板Ｗ上に液を供給して液膜を形成する。液膜はフォトレジスト膜又は反射防止膜であり得る。搬送チャンバー３４００は塗布ブロック３０ａ内で熱処理チャンバー３２００と液処理チャンバー３６００との間に基板Ｗを搬送する。

【0045】

搬送チャンバー３４００はその長さ方向がＸ軸方向１２と平行に提供される。搬送チャンバー３４００には搬送ユニット３４２０が提供される。搬送ユニット３４２０は熱処理チャンバー３２００、液処理チャンバー３６００、そしてバッファチャンバー３８００の間に基板を搬送する。一例によれば、搬送ユニット３４２０は基板Ｗが置かれるハンドＡを有し、ハンドＡは前進及び後進移動、Ｚ軸方向１６を軸とした回転、そしてＺ軸方向１６に沿って移動可能に提供されることができる。搬送チャンバー３４００内にはその長さ方向がＸ軸方向１２と平行に提供されるガイドレール３３００が提供され、搬送ユニット３４２０はガイドレール３３００上で移動可能に提供されることができる。

【0046】

図４は図３の搬送ロボットのハンドの一例を示す図面である。図５を参照すれば、ハンドＡはベース３４２８及び支持突起３４２９を有する。ベース３４２８は円周の一部が切断された環状のリング形状を有することができる。ベース３４２８は基板Ｗの直径より大きい内径を有する。支持突起３４２９はベース３４２８からその内側に延長される。支持突起３４２９は複数が提供され、基板Ｗの縁領域を支持する。一実施形態によれば、支持突起３４２９は等間隔に４つが提供されることができる。

【0047】

再び図２と図３を参照すれば、熱処理チャンバー３２００は複数に提供される。熱処理チャンバー３２００はＸ軸方向１２に沿って並べに配置される。熱処理チャンバー３２００は搬送チャンバー３４００の一側に位置される。

【0048】

図５は図３の熱処理チャンバーの一例を概略的に示す平断面図であり、図６は図５の熱処理チャンバーの正断面図である。熱処理チャンバー３２００はハウジング３２１０、冷却ユニット３２２０、加熱ユニット５０００、そして搬送プレート３２４０を有する。

【0049】

ハウジング３２１０は大体に直方体の形状に提供される。ハウジング３２１０の側壁には、基板Ｗが出入される搬入口（図示せず）が形成される。搬入口は開放された状態に維持されることができる。選択的に搬入口を開閉するようにドア（図示せず）が提供されることができる。冷却ユニット３２２０、加熱ユニット５０００、そして搬送プレート３２４０はハウジング３２１０内に提供される。冷却ユニット３２２０及び加熱ユニット５０００はＹ軸方向１４に沿って平行に提供される。一例によれば、冷却ユニット３２２０は加熱ユニット５０００に比べて搬送チャンバー３４００にさらに近く位置されることができる。

【0050】

冷却ユニット３２２０は冷却板３２２２を有する。冷却板３２２２は上部から見る時、大体に円形の形状を有することができる。冷却板３２２２には冷却部材３２２４が提供される。一実施形態によれば、冷却部材３２２４は冷却板３２２２の内部に形成され、冷却流体が流れる流路として提供されることができる。

【0051】

搬送プレート３２４０は大体に円板形状を提供され、基板Ｗと対応される直径を有する。搬送プレート３２４０の縁にはノッチ３２４４が形成される。ノッチ３２４４は上述した搬送ロボット３４２０のハンドＡに形成された突起３４２９と対応される形状を有することができる。また、ノッチ３２４４はハンドＡに形成された突起３４２９と対応される数に提供され、突起３４２９と対応される位置に形成される。ハンドＡと搬送プレート３２４０が上下方向に整列された位置でハンドＡと搬送プレート３２４０の上下位置が変更すれば、ハンドＡと搬送プレート３２４０との間に基板Ｗの伝達が行われる。搬送プレート３２４０はガイドレール３２４９上に装着され、駆動器３２４６によってガイドレール３２４９に沿って移動される。搬送プレート３２４０にはスリット形状のガイド溝３２４２が複数が提供される。ガイド溝３２４２は搬送プレート３２４０の終端で搬送プレート３２４０の内部まで延長される。ガイド溝３２４２はその長さ方向がＹ軸方向１４に沿って提供され、ガイド溝３２４２はＸ軸方向１２に沿って互いに離隔されるように位置される。ガイド溝３２４２は搬送プレート３２４０と加熱ユニット５０００との間に基板Ｗの引受引渡が行われる時、搬送プレート３２４０とリフトピンが互いに干渉されることを防止する。

【0052】

熱処理チャンバー３２００の中で一部の熱処理チャンバー３２００に提供された加熱ユニット５０００は基板Ｗ加熱中にガスを供給してフォトレジストの基板Ｗ付着力を向上させることができる。一例によれば、ガスは表面改質ガスであり得る。以下では、熱処理チャンバー３２００に提供された加熱ユニット５０００の中で基板にフォトレジストの付着力を向上させるガスを供給する装置を説明する。

【0053】

図７は図６の加熱ユニットに提供される基板処理装置を示す断面図である。以下、図７を参照すれば、加熱ユニット５０００に提供される基板処理装置は、工程チャンバー５０１０、シーリング部材５０２０、支持部材５０３０、ガス供給ユニット５０５０、濃度調節ユニット５０６０、排気ユニット５０７０、そして制御器５０９０を含む。

【0054】

工程チャンバー５０１０は内部に処理空間５００１を提供する。工程チャンバー５０１０は円筒形状に提供されることができる。これと異なりに、工程チャンバー５０１０は直方体形状等設計によって様々な形状に提供されることができる。工程チャンバー５０１０は上部チャンバー５０１１と下部チャンバー５０１３を含むことができる。上部チャンバー５０１０と下部チャンバー５０１３は互いに組み合わせて内部に処理空間５００１を有することができる。

【0055】

上部チャンバー５０１１は上部から見る時、円形の形状に提供されることができる。下部チャンバー５０１３は上部チャンバー５０１１の下部に位置することができる。下部チャンバー５０１３は上部から見る時、円形の形状に提供されることができる。

【0056】

駆動器５０１５は上部チャンバー５０１１と結合することができる。駆動器５０１５は上部チャンバー５０１１を上下に昇下降させることができる。駆動器５０１５は工程チャンバー５０１０の内部に基板Ｗを搬入する時、上部チャンバー５０１１を上部に移動させて工程チャンバー５０１０の内部を開放することができる。駆動器５０１５は基板Ｗを処理する工程の時、上部チャンバー５０１１を下部チャンバー５０１３と接触させて工程チャンバー５０１０の内部を密閉させることができる。本実施形態では駆動器５０１５が上部チャンバー５０１１と連結されて提供されることを例として挙げたが、これと異なりに駆動器５０１５は下部チャンバー５０１３と連結されて下部チャンバー５０１３を昇下降させることができる。

【0057】

シーリング部材５０２０は処理空間５００１の外部から密閉させる。シーリング部材５０２０は上部チャンバー５０１１と下部チャンバー５０１３の接触面に設置される。一例として、シーリング部材５０２０は下部チャンバー５０１３の接触面で設置されることができる。

【0058】

支持部材５０３０は基板Ｗを支持することができる。支持部材５０３０は処理空間５００１内で基板Ｗを支持することができる。支持部材５０３０は上部から見る時、円形の形状に提供されることができる。支持部材５０３０の上面は基板Ｗより大きい断面積を有することができる。支持部材５０３０は熱導電性が良い材質で提供されることができる。支持部材５０３０は耐熱性が優れた材質で提供されることができる。

【0059】

支持部材５０３０は基板Ｗを昇下降させるリフトピンモジュール５０３２を含むことができる。リフトピンモジュール５０３２は工程チャンバー５０１０外部の搬送手段から基板Ｗを引き受けて支持部材５０３０上に下げ置くか、或いは基板Ｗを持ち上げて工程チャンバー５０１０の外部の搬送手段に引く渡すことができる。一例によれば、リフトピンモジュール５０３２のリフトピンは３つが提供されることができる。３つのリフトピンは１２０°（ｄｅｇ）の等間隔に配置されることができる。

【0060】

また、支持部材５０３０は支持部材５０３０に置かれる基板Ｗを加熱する加熱部材５０４０を含むことができる。例えば、加熱部材５０４０は支持部材５０３０の内部に位置することができる。一例として、加熱部材５０４０はヒーターで提供されることができる。ヒーターは支持部材５０３０の内部に複数に提供されることができる。

【0061】

ガス供給ユニット５０５０は処理空間５００１内に位置した基板Ｗに表面改質ガスを供給することができる。一例として、表面改質ガスはアルキン（Ａｌｋｙｎｅ）系ガスを含む。表面改質ガスは基板Ｗの表面性質を親水性から疎水性に変化させることができる。また、表面改質ガスはアルキン（Ａｌｋｙｎｅ）系ガスとキャリヤーガスの混合ガスで提供されることができる。キャリヤーガスは不活性ガスで提供されることができる。一例として、非活性ガスは窒素ガスであり得る。

【0062】

ガス供給ユニット５０５０はガス供給管５０５１、ガス供給ライン５０５３、そして、バブラータンク５０５４を含むことができる。ガス供給管５０５１は上部チャンバー５０１１の中央領域に連結されることができる。ガス供給管５０５１はガス供給ライン５０５３から伝達された表面改質ガスを基板Ｗに供給することができる。ガス供給管５０５１が供給する表面改質ガスの供給位置は基板Ｗの中央上部領域と対向されるように位置することができる。
ガス供給ライン５０５３はバブラータンク５０５４と連結されることができる。ガス供給ライン５０５３はバブラータンク５０５４で発生させる表面改質ガスをガス供給管５０５１に伝達することができる。また、ガス供給ライン５０５３には第１バルブ５０５６が設置されることができる。第１バルブ５０５６はオン／オフバルブであるか、或いは流量調節バルブであり得る。

【0063】

バブラータンク５０５４はアルキン系ケミカルが収容された内部空間を有することができる。また、バブラータンク５０５４にはキャリヤーガスを供給するキャリヤーガス供給ライン５０５５が連結されることができる。キャリヤーガス供給ライン５０５５はバブラータンク５０５４の内部空間にキャリヤーガスを給してアルキン系ケミカルをバブリングする。これによって、アルキン系ケミカルは蒸気化される。蒸気化されたアルキン系ガスはキャリヤーガスと混合されて表面改質ガスとしてガス供給ライン５０５３伝達されることができる。一例で、キャリヤーガスは不活性ガスで提供されることができる。一例として、非活性ガスは窒素ガスであり得る。バブラータンク５０５４にはヒーター５０５８が提供される。ヒーター５０５８はバブラータンク５０５４をなすハウジングに内装されることができる。ヒーター５０５８はアルキン系ケミカルを設定温度に加熱する。

【0064】

濃度調節ユニット５０６０は処理空間５００１に供給される表面改質ガスの濃度を調節することができる。濃度調節ユニット５０６０は濃度調節ガス供給ラインと濃度測定部材を含むことができる。濃度調節ガス供給ラインはガス供給ライン５０５３と連結されることができる。例えば、濃度調節ガス供給ラインは第１バルブ５０５６が設置された地点より下流で連結されることができる。濃度調節ガス供給ラインはバブラータンク５０５４で発生された表面改質ガスが処理空間５００１に供給される途中にガス供給ライン５０５３に濃度調節ガスを供給することができる。したがって、処理空間５００１に供給される表面改質ガスの濃度を調節することができる。濃度調節ガスは不活性ガスであり得る。一例として、濃度調節ガスは窒素ガスであり得る。また濃度調節ガスはキャリヤーガスと同一なガスであり得る．

【0065】

また、濃度調節ガス供給ラインには流量調節バルブが設置されて、流量調節バルブの開放率を調節してガス供給ライン５０５３に供給する濃度調節ガスの単位時間当たり供給流量を変更することができる。

【0066】

濃度測定部材は処理空間５００１に供給される表面改質ガスの濃度を測定することができる。ここで、表面改質ガスの濃度は表面改質ガスに含まれたアルキン系ガスの濃度を意味する。濃度測定部材はガス供給ライン５０５３と濃度調節ガス供給ラインが連結される地点より下流の位置に提供されることができる。濃度測定部材は気体の濃度を測定するための公知の装置が適用されることができる。

【0067】

排気ユニット５０７０は処理空間５００１を排気する。排気ユニット５０７０は排気ライン５０７３、メーン排気ライン５０７５、そして減圧部材５０７７を含むことができる。

【0068】

排気ライン５０７３は処理空間５００１を排気することができる。排気ライン５０７３は工程チャンバー５０１０の下壁に形成された排気ポート５０７４と連結されることができる。したがって、排気ライン５０７３は処理空間５００１の雰囲気を下方向に排気することができる。排気ポート５０７４は下部チャンバー５０１３に形成されることができる。排気ポート５０７４は支持部材５０３０の外側に位置することができる。排気ポート５０７４は複数に提供されることができる。排気ライン５０７３は排気ポート５０７４と対応される数に提供されることができる。

【0069】

メーン排気ライン５０７５は排気ライン５０７３を統合して連結する。メーン排気ライン５０７５は排気ライン５０７３の排気物が外部に排出されるように提供される。

【0070】

減圧部材５０７７は処理空間５００１及び処理空間５００１の周辺を排気する時、減圧を提供する。減圧部材５０７７はメーン排気ライン５０７５に設置されて提供されることができる。一例として、減圧部材５０７７はポンプで提供されることができる。これとは異なりに、減圧を提供する公知された他の種類の装置に提供されることができる。

【0071】

制御器５０９０はガス供給ユニット５０５０と濃度調節ユニット５０６０とヒーター５０５８を制御することができる。制御器５０９０は基板Ｗに処理ガスを供給する時に供給される表面改質ガスの濃度を調節するように濃度調節ユニット５０６０を制御することができる。例えば、制御器５０９０はバブラータンク５０５４で発生された表面改質ガスが処理空間５００１に供給される途中にガス供給ライン５０５３に濃度調節ガスを供給して表面改質ガスの濃度を変更することができる。制御器５０９０はヒーター５０５８を制御してバブラータンク５０５４に格納されたアルキン系ケミカルを加熱することができる。

【0072】

以下では、本発明の一実施形態に係る基板処理装置を利用して基板を処理する方法を説明する。

【0073】

アルキン（Ａｌｋｙｎｅ）系ガスの場合、［表１］で説明されるＨＭＤＳと比較して蒸気圧（Ｖａｐｏｒ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ）が低い短所が存在する。蒸気圧（Ｖａｐｏｒ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ）と関連して常温（２０℃）で蒸気圧が高いほど、液体状態の物質は揮発性を有する。アルキン系ガスの低い蒸気圧（Ｖａｐｏｒ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ）を改善するためにバブラータンク５０５４に提供されたヒーター５０５８はアルキン系ケミカルを加熱する。一実施形態に係るアルキン系ガスは３,５－Ｄｉｍｅｔｈｙｌ－１－ｈｅｘｙｎ－３－ｏｌで提供される。

【表1】

【0074】

制御器５０９０はヒーター５０５８を制御してアルキン系ケミカルを沸点に到達する直前の温度まで加熱する。沸点に到達する直前の温度とは、沸点より３０℃乃至５℃が低い温度、好ましくは１０℃乃至５℃が低い温度を意味するが、数学的に限定しようとすることではない。一実施形態によれば、ヒーター５０５８はバブラータンク５０５４に提供された３,５－Ｄｉｍｅｔｈｙｌ－１－ｈｅｘｙｎ－３－ｏｌを１２０℃乃至１４５℃まで加熱する。

【0075】

制御器５０９０はバブラータンク５０５４で加熱されたアルキン系ガスにキャリヤーガスを供給する。キャリヤーガスはアルキン系ケミカルをバブリングする。これによって、加熱されたアルキン系ケミカルは蒸気化される。蒸気化されたアルキン系ガスはキャリヤーガスと混合されてガス供給ライン５０５３を通じて処理空間５００１に供給される。この時、ガス供給ライン５０５３に設置された第１バルブ５０５６は開放される。

【0076】

制御器５０９０はバブラータンク５０５４で発生された表面改質ガスが処理空間５００１に供給される途中に表面改質ガスに含まれたアルキン系ガスの濃度を調節するように濃度調節ユニット５０６０を制御することができる。例えば、濃度調節ガス供給ラインを通じてガス供給ライン５０５３に濃度調節ガスを追加に供給することができる。濃度調節ガスは不活性ガスであり得る。一例として、濃度調節ガスは窒素ガスであり得る。また、濃度調節ガスはキャリヤーガスと同一なガスであり得る。供給された濃度調節ガスによって、表面改質ガスの濃度は低くなることができる。

【0077】

他の実施形態として、制御器５０９０はガス供給ライン５０５３に設置された濃度測定部材が測定した表面改質ガスの濃度測定値に基づいて、ガス供給ライン５０５３に追加に供給される濃度調節ガスの単位時間当たり供給流量を調節することができる。例えば、濃度測定部材の測定値が設定値より高い場合、濃度調節ガスの単位時間当たり供給流量を増加させることができる。これによって、処理空間５００１に供給されるアルキン系ガスの濃度は低くなる。

【0078】

図８は基板を処理する工程の順序を示すフローチャートである。図８を参照すれば、基板を処理する工程は上述して処理された表面改質ガスを基板Ｗに供給して基板を処理する処理段階（Ｓ０１）と、処理段階の後に処理空間に残留する表面改質ガスを排気するパージ段階（Ｓ０２）を含むことができる。

【0079】

処理段階（Ｓ０１）で、処理空間５００１の内部は設定された温度に加熱される。その後、上部チャンバー５０１１が上昇して処理空間５００１が外部に開放される。基板Ｗが処理空間５００１内に搬入された後、基板Ｗは支持ユニット５０３０に安着する。基板Ｗが支持ユニット５０３０に安着された後、工程チャンバー５０１０は上部チャンバー５０１１の下降によって密閉される。処理空間５００１が密閉された後、ガス供給ユニット５０５０では表面改質ガスを供給する。

【0080】

パージ段階（Ｓ０２）で制御器５０９０は第１バルブ５０５６は閉め、処理空間５００１にパージガスを供給することができる。パージガスは不活性ガスであり得る。一例として、非活性ガスは窒素ガスであり得る。処理空間５００１に流入されたパージガスは、排気ユニット５０７０が処理空間５００１に残留する表面改質ガスを効果的に排気することができるようにする。本発明の一実施形態によれば、パージガスの供給は濃度調節ラインを通じて成されることができる。濃度調節ラインは処理段階（Ｓ０１）で処理ガスの濃度を調節することのみならず、パージ段階（Ｓ０２）で処理空間５００１に残留する処理ガスを処理空間５００１の外部に排気することができるようにする。したがって、処理段階（Ｓ０１）とパージ段階（Ｓ０２）を各々遂行する別個のガス供給ラインの設置が要求されないので、基板処理装置を単純化することができ、装置の製作費用を節減することができる。

【0081】

本発明の実施形態によれば、バブラータンク５０５８でアルキン系ケミカルを加熱することに応じて、アルキン系溶液の低い蒸気圧を改善して過度なバブリングが要求されないので、工程タイムの改善と共に、アルキン系ガスの濃度を高めることができるにつれ、付着力（Ａｄｈｅｓｉｏｎ）が向上されることができる。また、濃度調節ユニット５０６０を利用して供給される表面改質ガスに含まれたアルキン系ガスの濃度を制御して付着力を向上させ、表面改質に所要される時間を改善することができる。

【0082】

再び、図３及び図４を参照すれば、バッファチャンバー３８００は複数に提供される。バッファチャンバー３８００の中で一部はインデックスモジュール２０と搬送チャンバー３４００との間に配置される。以下、これらのバッファチャンバーを前段バッファ３８０２（ｆｒｏｎｔ ｂｕｆｆｅｒ）と称する。前段バッファ３８０２は複数に提供され、上下方向に沿って互いに積層されるように位置される。バッファチャンバー３８０２、３８０４の中で他の一部は搬送チャンバー３４００とインターフェイスモジュール４０との間に配置される。以下、これらのバッファチャンバーを後段バッファ３８０４（ｒｅａｒ ｂｕｆｆｅｒ）と称する。後段バフファ３８０４は複数に提供され、上下方向に沿って互いに積層されるように位置される。前段バッファ３８０２及びリアーバフファ３８０４の各々は複数の基板がＷを一時的に保管する。前段バッファ３８０２に保管された基板Ｗはインデックスロボット２２００及び搬送ロボット３４２０によって搬入又は搬出される。後段バッファ３８０４に保管された基板Ｗは搬送ロボット３４２０及び第１ロボット４６０２によって搬入又は搬出される。

【0083】

現像ブロック３０ｂは熱処理チャンバー３２００、搬送チャンバー３４００、そして液処理チャンバー３６００を有する。現像ブロック３０ｂの熱処理チャンバー３２００、搬送チャンバー３４００、そして液処理チャンバー３６００は塗布ブロック３０ａの熱処理チャンバー３２００、搬送チャンバー３４００、そして液処理チャンバー３６００と大体に類似な構造及び配置に提供するので、これに対する説明は省略する。但し、現像ブロック３０ｂで液処理チャンバー３６００は全て同様に現像液を供給して基板を現像処理する現像チャンバー３６００で提供される。

【0084】

インターフェイスモジュール４０は処理モジュール３０を外部の露光装置５０と連結する。インターフェイスモジュール４０はインターフェイスフレーム４１００、付加工程チャンバー４２００、インターフェイスバッファ４４００、そして搬送部材４６００を有する。

【0085】

インターフェイスフレーム４１００の上端には内部に下降気流を形成するファンフィルターユニットが提供されることができる。付加工程チャンバー４２００、インターフェイスバッファ４４００、そして搬送部材４６００はインターフェイスフレーム４１００の内部に配置される。付加工程チャンバー４２００は塗布ブロック３０ａから工程が完了された基板Ｗが露光装置５０に搬入される前に所定の付加工程を遂行することができる。選択的に、付加工程チャンバー４２００は露光装置５０から工程が完了された基板Ｗが現像ブロック３０ｂに搬入される前に所定の付加工程を遂行することができる。一実施形態によれば、付加工程は基板Ｗのエッジ領域を露光するエッジ露光工程、又は基板Ｗの上面を洗浄する上面洗浄工程、又は基板Ｗの下面を洗浄する下面洗浄工程である。付加工程チャンバー４２００は複数が提供され、これらは互いに積層されるように提供されることができる。付加工程チャンバー４２００は全て同一な工程を遂行するように提供されることができる。選択的に、付加工程チャンバー４２００の中で一部は互いに異なる工程を遂行するように提供されることができる。

【0086】

インターフェイスバッファ４４００は塗布ブロック３０ａ、付加工程チャンバー４２００、露光装置５０、そして現像ブロック３０ｂとの間に搬送される基板Ｗが搬送される途中に一時的に留まる空間を提供する。インターフェイスバッファ４４００は複数が提供され、複数のインターフェイスバッファ４４００は互いに積層されるように提供されることができる。

【0087】

一実施形態によれば、搬送チャンバー３４００の長さ方向の延長線を基準として一側面には付加工程チャンバー４２００が配置し、他の側面にはインターフェイスバッファ４４００が配置されることができる。

【0088】

搬送部材４６００は塗布ブロック３０ａ、付加工程チャンバー４２００、露光装置５０、そして現像ブロック３０ｂとの間に基板Ｗを搬送する。搬送部材４６００は１つ又は複数のロボットが提供されることができる。一実施形態によれば、搬送部材４６００は第１ロボット４６０２及び第２ロボット４６０６を有する。第１ロボット４６０２は塗布ブロック３０ａ、付加工程チャンバー４２００、そしてインターフェイスバッファ４４００との間に基板Ｗを搬送し、インターフェイスロボット４６０６はインターフェイスバッファ４４００と露光装置５０との間に基板Ｗを搬送し、第２ロボット４６０４はインターフェイスバッファ４４００と現像ブロック３０ｂとの間に基板Ｗを搬送するように提供されることができる。

【0089】

第１ロボット４６０２及び第２ロボット４６０６は各々基板Ｗが置かれるハンドを含み、ハンドは前進及び後進移動、Ｚ軸方向１６に平行である軸を基準とした回転、そしてＺ軸方向１６に沿って移動可能に提供されることができる。

【0090】

上述した例では本発明の一実施形態に係る基板処理装置に基づいて詳細に説明した。しかし、本発明は上述した例に限定されなく、基板を処理するすべての装置に適用可能である。

【0091】

上述した例では、上部排気ホール５０７３が下部チャンバー５０１３に形成されることを例として説明した。しかし、これと異なりに上部排気ホール５０７３は上部チャンバー５０１１に形成されることができる。

【0092】

上述した例では、ガス供給ライン５０５３に供給される濃度調節ガスの単位時間当たり供給流量を流量調節バルブを通じて調節することを例として説明した。これと異なりに、濃度調節ガスの単位時間当たり供給流量の調節は、ガスの単位時間当たり供給流量を調節することができる公知の装置によっても可能である。

【0093】

制御器５０９０は基板処理装置を制御することができる。制御器５０９０は上述したように基板を設定工程に応じて処理されるように基板処理装置５０００の構成要素を制御することができる。また、制御器５０９０は基板処理装置の制御を実行するマイクロプロセッサー（コンピュータ）で成されるプロセスコントローラと、オペレータが基板処理装置を管理するためにコマンド入力操作等を行うキーボードや、基板処理装置の稼動状況を可視化して表示するディスプレイ等に成されるユーザインターフェイスと、基板処理装置で実行される処理をプロセスコントローラの制御で実行するための制御プログラムや、各種データ及び処理条件に応じて各構成部に処理を実行させるためのプログラム、即ち処理レシピが格納された格納部を具備することができる。また、ユーザインターフェイス及び格納部はプロセスコントローラに接続されていることができる。処理レシピは記憶部の中で記憶媒体に記憶されていることができ、記憶媒体は、ハードディスクであってもよく、ＣＤ－ＲＯＭ、ＤＶＤ等の可搬性ディスクや、フラッシュメモリ等の半導体メモリであってもよい。

【0094】

以上の詳細な説明は本発明を例示するものである。また、前述した内容は本発明の好ましい実施形態を例として説明することであり、本発明は多様な他の組合、変更、及び環境で使用することができる。即ち、本明細書に開示された発明の概念の範囲、前述した開示内容と均等な範囲、及び／又は当業界の技術又は知識の範囲内で変更又は修正が可能である。前述した実施形態は本発明の技術的思想を具現するための最善の状態を説明することであり、本発明の具体的な適用分野及び用途で要求される様々な変更も可能である。したがって、以上の発明の詳細な説明は開示された実施状態に本発明を制限しようとする意図ではない。添付された請求の範囲は他の実施状態も含むことと解析されなければならない。

【符号の説明】

【0095】

５０１０ 工程チャンバー
５０２０ シーリング部材
５０３０ 支持部材
５０５０ ガス供給ユニット
５０６０ 濃度調節ユニット
５０７０ 排気ユニット
５０９０ 制御器

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】