▶ グァンドン オッポ モバイル テレコミュニケーションズ コーポレーション リミテッドの特許一覧
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2023-07-03
(45)【発行日】2023-07-11
(54)【発明の名称】ハウジングアセンブリ、アンテナアセンブリ及び電子デバイス
(51)【国際特許分類】
H04B 1/38 20150101AFI20230704BHJP
H01Q 15/10 20060101ALI20230704BHJP
【ＦＩ】
H04B1/38
H01Q15/10
【請求項の数】
15
(21)【出願番号】P 2021576172
(86)(22)【出願日】2020-06-17
(65)【公表番号】
(43)【公表日】2022-08-24
(86)【国際出願番号】 CN2020096621
(87)【国際公開番号】W WO2021000733
(87)【国際公開日】2021-01-07
【審査請求日】2021-12-20
(31)【優先権主張番号】201910588886.9
(32)【優先日】2019-06-30
(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN
(73)【特許権者】
【識別番号】516227559
【氏名又は名称】オッポ広東移動通信有限公司
【氏名又は名称原語表記】ＧＵＡＮＧＤＯＮＧ ＯＰＰＯ ＭＯＢＩＬＥ ＴＥＬＥＣＯＭＭＵＮＩＣＡＴＩＯＮＳ ＣＯＲＰ．， ＬＴＤ．
【住所又は居所原語表記】Ｎｏ． １８ Ｈａｉｂｉｎ Ｒｏａｄ，Ｗｕｓｈａ， Ｃｈａｎｇ’ａｎ，Ｄｏｎｇｇｕａｎ， Ｇｕａｎｇｄｏｎｇ ５２３８６０ Ｃｈｉｎａ
(74)【代理人】
【識別番号】100091487
【弁理士】
【氏名又は名称】中村 行孝
(74)【代理人】
【識別番号】100120031
【弁理士】
【氏名又は名称】宮嶋 学
(74)【代理人】
【識別番号】100107582
【弁理士】
【氏名又は名称】関根 毅
(74)【代理人】
【識別番号】100152205
【弁理士】
【氏名又は名称】吉田 昌司
(74)【代理人】
【識別番号】100137523
【弁理士】
【氏名又は名称】出口 智也
(72)【発明者】
【氏名】チア、ユーフー
【審査官】対馬 英明
(56)【参考文献】
【文献】米国特許出願公開第２０１７／０２０１０１４（ＵＳ，Ａ１）
【文献】米国特許出願公開第２０１７／０３５２９４８（ＵＳ，Ａ１）
【文献】中国実用新案第２０５３０３６７６（ＣＮ，Ｕ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０４Ｂ １／３８－１／５８
Ｈ０１Ｑ １５／００－１９／３２
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
ハウジングアセンブリであって、誘電体基板と電波透過構造を含み、
前記誘電体基板は、予め設定された周波数帯の無線周波数（ＲＦ）信号に対して第一等価波動インピーダンスを有し、前記第一等価波動インピーダンスは自由空間の波動インピーダンスとは第一差値の差があり、
前記電波透過構造は前記誘電体基板に載せられ、且つ少なくとも前記誘電体基板の一部をカバーし、前記誘電体基板の上にある前記電波透過構造は、前記予め設定された周波数帯の前記ＲＦ信号に励磁され、前記予め設定された周波数帯の前記ＲＦ信号に基づいて前記予め設定された周波数帯と同じ周波数帯のＲＦ信号を生成し、前記電波透過構造によって生成される前記ＲＦ信号及び前記予め設定された周波数帯の前記ＲＦ信号は、前記誘電体基板を通過して前記自由空間に放射され、
前記ハウジングアセンブリは、前記電波透過構造に対応するところにおいて、前記予め設定された周波数帯のＲＦ信号に対して第二等価波動インピーダンスを有し、前記第二等価波動インピーダンスは自由空間の波動インピーダンスとは第二差値の差があり、前記第二差値は前記第一差値より小さい、
ことを特徴とするハウジングアセンブリ。
【請求項2】
前記ハウジングアセンブリは接着剤層をさらに含み、前記電波透過構造を前記誘電体基板に接着させるために、前記接着剤層は前記電波透過構造と前記誘電体基板の間に配置されている、ことを特徴とする請求項１に記載のハウジングアセンブリ。
【請求項3】
前記ハウジングアセンブリはベアリングフィルムをさらに含み、前記ベアリングフィルムは前記電波透過構造を載せるように構成されており、前記ベアリングフィルムは前記接着剤層から遠い前記電波透過構造の片側に配置されている、ことを特徴とする請求項２に記載のハウジングアセンブリ。
【請求項4】
前記誘電体基板は第一表面と、前記第一表面に対向する第二表面とを含み、
前記電波透過構造は前記第一表面に配置されており、
又は、前記電波透過構造は第二表面に配置されており、
又は、前記電波透過構造は前記誘電体基板に埋め込まれている、
ことを特徴とする請求項１に記載のハウジングアセンブリ。
【請求項5】
前記電波透過構造は第一方向に沿って隔てて配列された複数の導電線と、第二方向に沿って隔てて配列された複数の導電線とを含み、前記第一方向に沿って隔てて配列された導電線と前記第二方向に沿って隔てて配列された導電線は交差して配置され、且つアレイ状に配置された複数のグリッド構造を共に形成する、
ことを特徴とする請求項１に記載のハウジングアセンブリ。
【請求項6】
前記電波透過構造はアレイ状に配置された複数のグリッド構造を含み、各前記グリッド構造は少なくとも一つの導電線に囲まれて形成され、隣接する二つの前記グリッド構造は少なくとも前記導電線の一部を共有する、ことを特徴とする請求項１に記載のハウジングアセンブリ。
【請求項7】
アンテナアセンブリであって、アンテナモジュールと請求項１～６のいずれか一項に記載のハウジングアセンブリを含み、
前記アンテナモジュールは予め設定された方向範囲内で、予め設定された周波数帯の無線周波数（ＲＦ）信号を受送信するように構成されており、
前記ハウジングアセンブリにおける電波透過構造の少なくとも一部は前記予め設定された方向範囲内に位置する、
ことを特徴とするアンテナアセンブリ。
【請求項8】
電子デバイスであって、請求項７に記載のアンテナアセンブリを含み、
前記誘電体基板は前記電子デバイスの電池カバーを含み、前記電子デバイスの電池カバーはリアプレートと、前記リアプレートの外縁から曲げられて延長されたフレームとを含み、
前記電波透過構造は前記リアプレートに対応して配置されており、又は、前記電波透過構造は前記フレームに対応して配置されており、
又は、前記誘電体基板は前記電子デバイスの画面を含み、前記画面は画面本体と、前記画面本体の外縁から曲げられて延長された延長部とを含み、
前記電波透過構造は前記画面本体に対応して配置されており、又は、前記電波透過構造は前記延長部に対応して配置されている、
ことを特徴とする電子デバイス。
【請求項9】
前記誘電体基板は前記電子デバイスの画面を含み、前記画面は積層配置される表示パネル及びカバープレートを含み、前記電波透過構造は前記カバープレートの上に配置されている、ことを特徴とする請求項８に記載の電子デバイス。
【請求項10】
前記電波透過構造は、前記表示パネルと対向する前記カバープレートの表面に配置されている、ことを特徴とする請求項９に記載の電子デバイス。
【請求項11】
前記表示パネルはカラーフィルター基板を含み、前記カラーフィルター基板の上にカラーレジストユニットがマトリクス状に配置されており、隣接するカラーレジストユニットの間にブラックマトリクスが配置されており、
前記電波透過構造の少なくとも一部は前記ブラックマトリクスに対応して配置されている、
ことを特徴とする請求項１０に記載の電子デバイス。
【請求項12】
電子デバイスであって、第一アンテナモジュール、誘電体基板、及び第一電波透過構造を含み、
前記第一アンテナモジュールは、第一予め設定された方向範囲内で、第一周波数帯の第一無線周波数（ＲＦ）信号を受送信するように構成されており、
前記誘電体基板は前記第一アンテナモジュールと隔てて配置されており、且つ前記誘電体基板の少なくとも一部は、前記第一予め設定された方向範囲内に位置し、前記第一予め設定された方向範囲内に位置する一部の前記誘電体基板は、前記第一周波数帯の第一ＲＦ信号に対して第一等価波動インピーダンスを有し、前記第一等価波動インピーダンスは自由空間の波動インピーダンスとは第一差値の差があり、
前記第一電波透過構造は前記誘電体基板に載せられ、且つ、第一電波透過構造の少なくとも一部は第一予め設定された方向範囲内に位置し、前記誘電体基板の上にある前記第一電波透過構造は、前記第一周波数帯の前記第一ＲＦ信号に励磁され、前記第一周波数帯の前記第一ＲＦ信号に基づいて前記第一周波数帯と同じ周波数帯のＲＦ信号を生成し、前記第一電波透過構造によって生成される前記ＲＦ信号及び前記第一周波数帯の前記第一ＲＦ信号は、前記誘電体基板を通過して前記自由空間に放射され、
前記電子デバイスは前記第一電波透過構造に対応するところで、前記第一周波数帯の第一ＲＦ信号に対して第二等価波動インピーダンスを有し、前記第二等価波動インピーダンスは自由空間の波動インピーダンスとは第二差値の差があり、前記第二差値は前記第一差値より小さい、
ことを特徴とする電子デバイス。
【請求項13】
前記電子デバイスは第二アンテナモジュールと第二電波透過構造をさらに含み、前記第二アンテナモジュールは前記第一アンテナモジュールと隔てて配置されており、且つ前記第二アンテナモジュールは前記第一予め設定された方向範囲以外のところに位置し、前記第二アンテナモジュールは第二予め設定された方向範囲内で、第二周波数帯の第二ＲＦ信号を受送信するように構成されており、
前記誘電体基板は前記第二アンテナモジュールと隔てて配置されており、且つ前記誘電体基板の少なくとも一部は、第二予め設定された方向範囲内に位置し、前記第二予め設定された方向範囲内に位置する一部の前記誘電体基板は、前記第二周波数帯の第二ＲＦ信号に対して第三等価波動インピーダンスを有し、前記第三等価波動インピーダンスは自由空間の波動インピーダンスとは第三差値の差があり、
前記第二電波透過構造は前記誘電体基板に載せられ、且つ前記第二電波透過構造の少なくとも一部は前記第二予め設定された方向範囲内に位置し、前記誘電体基板の上にある前記第二電波透過構造は、前記第二周波数帯の前記第二ＲＦ信号に励磁され、前記第二周波数帯の前記第二ＲＦ信号に基づいて前記第二周波数帯と同じ周波数帯のＲＦ信号を生成し、前記第二電波透過構造によって生成される前記ＲＦ信号及び前記第二周波数帯の前記第二ＲＦ信号は、前記誘電体基板を通過して前記自由空間に放射され、
前記電子デバイスは前記第二電波透過構造に対応するところで、前記第二周波数帯の第二ＲＦ信号に対して第四等価波動インピーダンスを有し、前記第四等価波動インピーダンスは自由空間の波動インピーダンスとは第四差値の差があり、前記第四等価波動インピーダンスは前記第三等価波動インピーダンスより小さい、
ことを特徴とする請求項１２に記載の電子デバイス。
【請求項14】
前記誘電体基板は前記電子デバイスの電池カバーを含み、前記電子デバイスの電池カバーはリアプレートと、前記リアプレートの外縁から曲げられて延長されたフレームとを含み、前記第一アンテナモジュールと前記第二アンテナモジュールはいずれも前記リアプレートに対応して配置されており、
又は、前記第一アンテナモジュールと前記第二アンテナモジュールはいずれも前記フレームに対応して配置されており、
又は、前記第一アンテナモジュールは前記リアプレートに対応して配置されており、前記第二アンテナモジュールは前記フレームに対応して配置されている、
ことを特徴とする請求項１３に記載の電子デバイス。
【請求項15】
前記誘電体基板は前記電子デバイスの画面を含み、前記画面は画面本体と、前記画面本体の外縁から曲げられて延長された延長部とを含み、前記第一アンテナモジュールと前記第二アンテナモジュールはいずれも前記画面本体に対応して配置されており、
又は、前記第一アンテナモジュールと前記第二アンテナモジュールはいずれも前記延長部に対応して配置されており、
又は、前記第一アンテナモジュールは前記画面本体に対応して配置されており、前記第二アンテナモジュールは前記延長部に対応して配置されている、
ことを特徴とする請求項１３に記載の電子デバイス。
【発明の詳細な説明】
【関連出願の参照】
【0001】
本出願は、発明の名称を「ハウジングアセンブリ、アンテナアセンブリ及び電子デバイス」とする、２０１９年６月３０日に出願された中国特許出願第２０１９１０５８８８８６．９号の優先権を主張し、そのすべての内容が参照として本出願に組み込まれる。
【技術分野】
【0002】
本出願は、電子デバイス分野に関し、特にハウジングアセンブリ、アンテナアセンブリ及び電子デバイスに関する。
【背景技術】
【0003】
移動通信技術の発展に伴い、従来の第４世代（４ｔｈ－Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ、４Ｇ）移動通信は既に人々のニーズを満たせない。第５世代（５ｔｈ－Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ、５Ｇ）移動通信は高い通信速度を有するため、ユーザーに好まれている。例えば、５Ｇ移動通信におけるデータ送信速度は、４Ｇ移動通信におけるデータ送信速度より百倍速い。ミリ波信号は５Ｇ移動通信を実現する主な手段である。しかしながら、ミリ波アンテナが電子デバイスに応用される場合、ミリ波アンテナは通常、電子デバイスの内部の収容空間に配置されており、電子デバイスから放射されるミリ波信号アンテナの透過率が低く、アンテナ放射の要求を満たせない。又は、電子デバイスを通過する外部のミリ波信号の透過率が低い。従って、従来の技術では、５Ｇミリ波通信の性能が悪い。
【発明の概要】
【0004】
従来のミリ波信号の通信性能が悪いという技術課題を解決するために、本出願はハウジングアセンブリ（ｈｏｕｓｉｎｇ ａｓｓｅｍｂｌｙ）、アンテナアセンブリ（ａｎｔｅｎｎａ ａｓｓｅｍｂｌｙ）及び電子デバイスを提供する。
【0005】
第一様態において、本出願はハウジングアセンブリを提供する。
ハウジングアセンブリは誘電体基板と電波透過構造を含む。
誘電体基板は、予め設定された周波数帯の無線周波数（ＲＦ）信号に対して第一等価波動インピーダンス（ｅｑｕｉｖａｌｅｎｔ ｗａｖｅ ｉｍｐｅｄａｎｃｅ）を有し、第一等価波動インピーダンスは自由空間の波動インピーダンスとは第一差値の差がある。
電波透過構造は誘電体基板に載せられ、且つ少なくとも誘電体基板の一部をカバーする。
ハウジングアセンブリは、電波透過構造に対応するところにおいて、予め設定された周波数帯のＲＦ信号に対して第二等価波動インピーダンスを有し、第二等価波動インピーダンスは自由空間の波動インピーダンスとは第二差値の差があり、第二差値は第一差値より小さい。
ハウジングアセンブリは誘電体基板と電波透過構造を含む。
誘電体基板は、予め設定された周波数帯の無線周波数（ＲＦ）信号に対して第一等価波動インピーダンス（ｅｑｕｉｖａｌｅｎｔ ｗａｖｅ ｉｍｐｅｄａｎｃｅ）を有し、第一等価波動インピーダンスは自由空間の波動インピーダンスとは第一差値の差がある。
電波透過構造は誘電体基板に載せられ、且つ少なくとも誘電体基板の一部をカバーする。
ハウジングアセンブリは、電波透過構造に対応するところにおいて、予め設定された周波数帯のＲＦ信号に対して第二等価波動インピーダンスを有し、第二等価波動インピーダンスは自由空間の波動インピーダンスとは第二差値の差があり、第二差値は第一差値より小さい。
【0006】
第二様態において、本出願はアンテナアセンブリをさらに提供する。
アンテナアセンブリはアンテナモジュールと上記ハウジングアセンブリを含む。
アンテナモジュールは予め設定された方向範囲内で、予め設定された周波数帯の無線周波数（ＲＦ）信号を受送信するように構成されている。ハウジングアセンブリにおける電波透過構造の少なくとも一部は予め設定された方向範囲内に位置する。
アンテナアセンブリはアンテナモジュールと上記ハウジングアセンブリを含む。
アンテナモジュールは予め設定された方向範囲内で、予め設定された周波数帯の無線周波数（ＲＦ）信号を受送信するように構成されている。ハウジングアセンブリにおける電波透過構造の少なくとも一部は予め設定された方向範囲内に位置する。
【0007】
第三様態において、本出願は電子デバイスをさらに提供する。
電子デバイスは上記アンテナアセンブリを含む。誘電体基板は電子デバイスの電池カバー又は画面を含む。
電子デバイスは上記アンテナアセンブリを含む。誘電体基板は電子デバイスの電池カバー又は画面を含む。
【0008】
第四様態において、本出願は電子デバイスをさらに提供する。
電子デバイスは、第一アンテナモジュール、誘電体基板、及び第一電波透過構造を含む。
第一アンテナモジュールは、第一予め設定された方向範囲内で、第一周波数帯の第一無線周波数（ＲＦ）信号を受送信するように構成されている。
誘電体基板は、第一アンテナモジュールと隔てて配置されており、且つ誘電体基板の少なくとも一部は、第一予め設定された方向範囲内に位置する。第一予め設定された方向範囲内に位置する一部の誘電体基板は、第一周波数帯の第一ＲＦ信号に対して第一等価波動インピーダンスを有し、第一等価波動インピーダンスは自由空間の波動インピーダンスとは第一差値の差がある。
第一電波透過構造は誘電体基板に載せられ、また、第一電波透過構造の少なくとも一部は第一予め設定された方向範囲内に位置する。
電子デバイスは第一電波透過構造に対応するところで、第一周波数帯の第一ＲＦ信号に対して第二等価波動インピーダンスを有する。第二等価波動インピーダンスは自由空間の波動インピーダンスとは第二差値の差がある。第二差値は第一差値より小さい。
電子デバイスは、第一アンテナモジュール、誘電体基板、及び第一電波透過構造を含む。
第一アンテナモジュールは、第一予め設定された方向範囲内で、第一周波数帯の第一無線周波数（ＲＦ）信号を受送信するように構成されている。
誘電体基板は、第一アンテナモジュールと隔てて配置されており、且つ誘電体基板の少なくとも一部は、第一予め設定された方向範囲内に位置する。第一予め設定された方向範囲内に位置する一部の誘電体基板は、第一周波数帯の第一ＲＦ信号に対して第一等価波動インピーダンスを有し、第一等価波動インピーダンスは自由空間の波動インピーダンスとは第一差値の差がある。
第一電波透過構造は誘電体基板に載せられ、また、第一電波透過構造の少なくとも一部は第一予め設定された方向範囲内に位置する。
電子デバイスは第一電波透過構造に対応するところで、第一周波数帯の第一ＲＦ信号に対して第二等価波動インピーダンスを有する。第二等価波動インピーダンスは自由空間の波動インピーダンスとは第二差値の差がある。第二差値は第一差値より小さい。
【図面の簡単な説明】
【0009】
本出願の実施形態の技術方案を明らかに説明するために、以下、実施形態の説明に必要な図面を簡単に紹介する。明らかに、説明される図面は本出願のいくつかの実施形態にすぎず、当業者にとって、創造的な努力なしに、これらの図面によって他の図面を得ることができる。
【発明を実施するための形態】
【0010】
第一様態において、本出願はハウジングアセンブリを提供する。
ハウジングアセンブリは誘電体基板と電波透過構造を含み、
誘電体基板は、予め設定された周波数帯の無線周波数（ＲＦ）信号に対して第一等価波動インピーダンスを有し、第一等価波動インピーダンスは自由空間の波動インピーダンスとは第一差値の差があり、
電波透過構造は誘電体基板に載せられ、且つ少なくとも誘電体基板の一部をカバーし、
ハウジングアセンブリは、電波透過構造に対応するところにおいて、予め設定された周波数帯のＲＦ信号に対して第二等価波動インピーダンスを有し、第二等価波動インピーダンスは自由空間の波動インピーダンスとは第二差値の差があり、第二差値は第一差値より小さい。
ハウジングアセンブリは誘電体基板と電波透過構造を含み、
誘電体基板は、予め設定された周波数帯の無線周波数（ＲＦ）信号に対して第一等価波動インピーダンスを有し、第一等価波動インピーダンスは自由空間の波動インピーダンスとは第一差値の差があり、
電波透過構造は誘電体基板に載せられ、且つ少なくとも誘電体基板の一部をカバーし、
ハウジングアセンブリは、電波透過構造に対応するところにおいて、予め設定された周波数帯のＲＦ信号に対して第二等価波動インピーダンスを有し、第二等価波動インピーダンスは自由空間の波動インピーダンスとは第二差値の差があり、第二差値は第一差値より小さい。
【0011】
第一様態の第一実施形態において、ハウジングアセンブリは接着剤層をさらに含み、電波透過構造を誘電体基板に接着させるために、接着剤層は電波透過構造と誘電体基板の間に配置されている。
【0012】
第一様態の第一実施形態と結びつけて、第二実施形態において、ハウジングアセンブリはベアリングフィルムをさらに含み、ベアリングフィルムは電波透過構造を載せるように構成されており、ベアリングフィルムは接着剤層から遠い電波透過構造の片側に配置されている。
【0013】
第一様態の第二実施形態と結びつけて、第三実施形態において、ベアリングフィルムが厚ければ厚いほど、予め設定された周波数帯は低周波へ移る。
【0014】
第一様態の第四実施形態において、誘電体基板は第一表面と、第一表面に対向する第二表面とを含む。電波透過構造は第一表面に配置されており、又は、電波透過構造は第二表面に配置されており、又は、電波透過構造は誘電体基板に埋め込まれている。
【0015】
第一様態の第五実施形態において、電波透過構造は第一方向に沿って隔てて配列された複数の導電線と、第二方向に沿って隔てて配列された複数の導電線とを含み、第一方向に沿って隔てて配列された導電線と第二方向に沿って隔てて配列された導電線は交差して配置され、且つアレイ状に配置された複数のグリッド構造を共に形成する。
【0016】
第一様態の第六実施形態において、電波透過構造はアレイ状に配置された複数のグリッド構造を含み、各グリッド構造は少なくとも一つの導電線に囲まれて形成され、隣接する二つのグリッド構造は少なくとも導電線の一部を共有する。
【0017】
第一様態の第六実施形態と結びつけて、第七実施形態において、グリッド構造の形は円形、矩形、三角形、多角形、楕円形のうちの任意の一つである。
【0018】
第一様態の第五実施形態から第七実施形態までの任意の一つの実施形態と結びつけて、第八実施形態において、導電線の幅が小さければ小さいほど、予め設定された周波数は低周波へ移り、且つ帯域幅が広くなり、
グリッド構造の辺長又は内径が大きければ大きいほど、予め設定された周波数は低周波へ移り、且つ帯域幅が広くなり、
誘電体基板が厚ければ厚いほど、予め設定された周波数は低周波へ移り、且つ帯域幅が狭くなる。
グリッド構造の辺長又は内径が大きければ大きいほど、予め設定された周波数は低周波へ移り、且つ帯域幅が広くなり、
誘電体基板が厚ければ厚いほど、予め設定された周波数は低周波へ移り、且つ帯域幅が狭くなる。
【0019】
第二様態において、本出願はアンテナアセンブリを提供する。アンテナアセンブリはアンテナモジュールと第一様態、又は第一様態における第一実施形態から第八実施形態までの任意の一つの実施形態に記載のハウジングアセンブリとを含み、アンテナモジュールは予め設定された方向範囲内で、予め設定された周波数帯の無線周波数（ＲＦ）信号を受送信するように構成されており、ハウジングアセンブリにおける電波透過構造の少なくとも一部は予め設定された方向範囲内に位置する。
【0020】
第三様態において、本出願は電子デバイスを提供する。電子デバイスは第二様態に記載のアンテナアセンブリを含み、誘電体基板は電子デバイスの電池カバー又は画面を含む。
【0021】
第三様態の第一実施形態において、誘電体基板は電子デバイスの電池カバーを含み、電子デバイスの電池カバーはリアプレートと、リアプレートの外縁から曲げられて延長されたフレームとを含み、
電波透過構造はリアプレートに対応して配置されており、又は、電波透過構造はフレームに対応して配置されている。
電波透過構造はリアプレートに対応して配置されており、又は、電波透過構造はフレームに対応して配置されている。
【0022】
第三様態の第二実施形態において、誘電体基板は電子デバイスの画面を含み、画面は画面本体と、画面本体の外縁から曲げられて延長された延長部とを含み、
電波透過構造は画面本体に対応して配置されており、又は、電波透過構造は延長部に対応して配置されている。
電波透過構造は画面本体に対応して配置されており、又は、電波透過構造は延長部に対応して配置されている。
【0023】
第三様態の第三実施形態において、誘電体基板は電子デバイスの画面を含み、画面は積層配置される表示パネル及びカバープレートを含み、電波透過構造はカバープレートの上に配置されている。
【0024】
第三様態の第三実施形態と結びつけて、第四実施形態において、電波透過構造は、表示パネルと対向するカバープレートの表面に配置されている。
【0025】
第三様態の第四実施形態と結びつけて、第五実施形態において、表示パネルはカラーフィルター基板を含み、カラーフィルター基板の上にカラーレジストユニットがマトリクス状に配置されており、
隣接するカラーレジストユニットの間にブラックマトリクスが配置されており、
電波透過構造の少なくとも一部はブラックマトリクスに対応して配置されている。
隣接するカラーレジストユニットの間にブラックマトリクスが配置されており、
電波透過構造の少なくとも一部はブラックマトリクスに対応して配置されている。
【0026】
第四様態において、本出願は電子デバイスを提供する。
電子デバイスは第一アンテナモジュール、誘電体基板、及び第一電波透過構造を含み、
第一アンテナモジュールは、第一予め設定された方向範囲内で、第一周波数帯の第一無線周波数（ＲＦ）信号を受送信するように構成されており、
誘電体基板は第一アンテナモジュールと隔てて配置されており、且つ誘電体基板の少なくとも一部は、第一予め設定された方向範囲内に位置し、第一予め設定された方向範囲内に位置する一部の誘電体基板は、第一周波数帯の第一ＲＦ信号に対して第一等価波動インピーダンスを有し、第一等価波動インピーダンスは自由空間の波動インピーダンスとは第一差値の差があり、
第一電波透過構造は誘電体基板に載せられ、また、第一電波透過構造の少なくとも一部は第一予め設定された方向範囲内に位置し、
電子デバイスは第一電波透過構造に対応するところで、第一周波数帯の第一ＲＦ信号に対して第二等価波動インピーダンスを有し、第二等価波動インピーダンスは自由空間の波動インピーダンスとは第二差値の差があり、第二差値は第一差値より小さい。
電子デバイスは第一アンテナモジュール、誘電体基板、及び第一電波透過構造を含み、
第一アンテナモジュールは、第一予め設定された方向範囲内で、第一周波数帯の第一無線周波数（ＲＦ）信号を受送信するように構成されており、
誘電体基板は第一アンテナモジュールと隔てて配置されており、且つ誘電体基板の少なくとも一部は、第一予め設定された方向範囲内に位置し、第一予め設定された方向範囲内に位置する一部の誘電体基板は、第一周波数帯の第一ＲＦ信号に対して第一等価波動インピーダンスを有し、第一等価波動インピーダンスは自由空間の波動インピーダンスとは第一差値の差があり、
第一電波透過構造は誘電体基板に載せられ、また、第一電波透過構造の少なくとも一部は第一予め設定された方向範囲内に位置し、
電子デバイスは第一電波透過構造に対応するところで、第一周波数帯の第一ＲＦ信号に対して第二等価波動インピーダンスを有し、第二等価波動インピーダンスは自由空間の波動インピーダンスとは第二差値の差があり、第二差値は第一差値より小さい。
【0027】
第四様態の第一実施形態において、
電子デバイスは第二アンテナモジュールと第二電波透過構造をさらに含み、
第二アンテナモジュールは第一アンテナモジュールと隔てて配置されており、且つ第二アンテナモジュールは第一予め設定された方向範囲以外のところに位置し、第二アンテナモジュールは第二予め設定された方向範囲内で、第二周波数帯の第二ＲＦ信号を受送信するように構成されており、
誘電体基板は第二アンテナモジュールと隔てて配置されており、且つ誘電体基板の少なくとも一部は、第二予め設定された方向範囲内に位置し、第二予め設定された方向範囲内に位置する一部の誘電体基板は、第二周波数帯の第二ＲＦ信号に対して第三等価波動インピーダンスを有し、第三等価波動インピーダンスは自由空間の波動インピーダンスとは第三差値の差があり、
第二電波透過構造は誘電体基板に載せられ、且つ第二電波透過構造の少なくとも一部は第二予め設定された方向範囲内に位置し、
電子デバイスは第二電波透過構造に対応するところで、第二周波数帯の第二ＲＦ信号に対して第四等価波動インピーダンスを有し、第四等価波動インピーダンスは自由空間の波動インピーダンスとは第四差値の差があり、第四等価波動インピーダンスは第三等価波動インピーダンスより小さい。
電子デバイスは第二アンテナモジュールと第二電波透過構造をさらに含み、
第二アンテナモジュールは第一アンテナモジュールと隔てて配置されており、且つ第二アンテナモジュールは第一予め設定された方向範囲以外のところに位置し、第二アンテナモジュールは第二予め設定された方向範囲内で、第二周波数帯の第二ＲＦ信号を受送信するように構成されており、
誘電体基板は第二アンテナモジュールと隔てて配置されており、且つ誘電体基板の少なくとも一部は、第二予め設定された方向範囲内に位置し、第二予め設定された方向範囲内に位置する一部の誘電体基板は、第二周波数帯の第二ＲＦ信号に対して第三等価波動インピーダンスを有し、第三等価波動インピーダンスは自由空間の波動インピーダンスとは第三差値の差があり、
第二電波透過構造は誘電体基板に載せられ、且つ第二電波透過構造の少なくとも一部は第二予め設定された方向範囲内に位置し、
電子デバイスは第二電波透過構造に対応するところで、第二周波数帯の第二ＲＦ信号に対して第四等価波動インピーダンスを有し、第四等価波動インピーダンスは自由空間の波動インピーダンスとは第四差値の差があり、第四等価波動インピーダンスは第三等価波動インピーダンスより小さい。
【0028】
第四様態の第一実施形態と結びつけて、第二実施形態において、誘電体基板は電子デバイスの電池カバーを含み、電子デバイスの電池カバーはリアプレートと、リアプレートの外縁から曲げられて延長されたフレームとを含み、第一アンテナモジュールと第二アンテナモジュールはいずれもリアプレートに対応して配置されており、又は、第一アンテナモジュールと第二アンテナモジュールはいずれもフレームに対応して配置されており、又は、第一アンテナモジュールはリアプレートに対応して配置されており、第二アンテナモジュールはフレームに対応して配置されている。
【0029】
第四様態の第一実施形態と結びつけて、第三実施形態において、誘電体基板は電子デバイスの画面を含み、画面は画面本体と、画面本体の外縁から曲げられて延長された延長部とを含み、第一アンテナモジュールと第二アンテナモジュールはいずれも画面本体に対応して配置されており、又は、第一アンテナモジュールと第二アンテナモジュールはいずれも延長部に対応して配置されており、又は、第一アンテナモジュールは画面本体に対応して配置されており、第二アンテナモジュールは延長部に対応して配置されている。
【0030】
以下、本出願の実施形態の図面を参照しながら本出願の実施形態の技術方案を明晰に、全面的に説明する。明らかに、説明される実施形態は、本出願の一部の実施形態だけのものであり、全ての実施形態ではない。本出願に記載された実施形態に基づいて、当業者が創造的な努力なしに得ることができるすべての別の実施形態は、皆本出願の保護範囲に属する。
【0031】
図１を参照すると、図１は、本出願の第一実施形態に係るハウジングアセンブリの構造を示す概略図である。ハウジングアセンブリ１００は、誘電体基板１１０と電波透過構造１２０を含む。誘電体基板１１０は、予め設定された周波数帯の無線周波数（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ、ＲＦ）信号に対して第一等価波動インピーダンス（ｅｑｕｉｖａｌｅｎｔ ｗａｖｅ ｉｍｐｅｄａｎｃｅ）を有する。第一等価波動インピーダンスは自由空間の波動インピーダンスとは第一差値の差がある。電波透過構造１２０は誘電体基板１１０に載せられ、且つ少なくとも誘電体基板１１０の一部をカバーする。ハウジングアセンブリ１００は、電波透過構造１２０に対応するところにおいて、予め設定された周波数帯のＲＦ信号に対して第二等価波動インピーダンスを有する。第二等価波動インピーダンスは自由空間の波動インピーダンスとは第二差値の差がある。第二差値は第一差値より小さい。
【0032】
図１では、例示として、電波透過構造１２０は誘電体基板１１０の全部をカバーする。上記ＲＦ信号は、ミリ波周波数帯のＲＦ信号、又はテラヘルツ周波数帯のＲＦ信号であることができるが、これらに限られていない。現在、第五世代無線通信システム（５ｔｈ ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ ｗｉｒｅｌｅｓｓ ｓｙｓｔｅｍｓ）では、３ＧＰＰ ＴＳ３８．１０１プロトコルの規定において、５Ｇニューラディオ（ｎｅｗ ｒａｄｉｏ、ＮＲ）は主に、周波数帯（ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｒａｎｇｅ、ＦＲ）１と周波数帯（ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｒａｎｇｅ、ＦＲ）２を用いる。ＦＲ１はサブ６ＧＨｚ帯とも呼ばれ、周波数帯の範囲が４５０ＭＨｚ～６ＧＨｚである。ＦＲ２はミリ波(ｍｍ Ｗａｖｅ)周波数帯に属し、周波数帯の範囲が２４．２５ＧＨｚ～５２．６ＧＨｚである。３ＧＰＰリリース１５バージョンに、５Ｇミリ波周波数帯は現在、ｎ２５７(２６．５～２９．５ＧＨｚ)、ｎ２５８(２４．２５～２７．５ＧＨｚ)、ｎ２６１(２７．５～２８．３５ＧＨｚ)とｎ２６０(３７～４０ＧＨｚ)を含むと定められている。
【0033】
電波透過構造１２０は単一周波数単一偏波（ｓｉｎｇｌｅ－ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｓｉｎｇｌｅ－ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ）、単一周波数二重偏波（ｓｉｎｇｌｅ－ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｄｕａｌ－ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ）、二周波数二重偏波（ｄｕａｌ－ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｄｕａｌ－ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ）、二周波数単一偏波（ｄｕａｌ－ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｓｉｎｇｌｅ－ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ）、広帯域単一偏波（ｗｉｄｅ－ｂａｎｄ ｓｉｎｇｌｅ－ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ）、広帯域二重偏波（ｗｉｄｅ－ｂａｎｄ ｄｕａｌ－ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ）などの特性のうちの任意の一つを有することができる。従って、電波透過構造１２０は、二周波数共振応答（ｄｕａｌ－ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｒｅｓｏｎａｎｃｅ ｒｅｓｐｏｎｓｅ）、又は単一周波数共振応答（ｓｉｎｇｌｅ－ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｒｅｓｏｎａｎｃｅ ｒｅｓｐｏｎｓ）、又は広帯域共振応答（ｗｉｄｅ－ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｒｅｓｏｎａｎｃｅ ｒｅｓｐｏｎｓｅ）、又は多重周波数共振応答（ｍｕｌｔｉ－ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｒｅｓｏｎａｎｃｅ ｒｅｓｐｏｎｓｅ）のうちの任意の一つを有することができる。電波透過構造１２０は、金属材料で作られてもよく、非金属の導電性材料で作られてもよい。
【0034】
一方、誘電体基板１１０の上にある電波透過構造１２０は、予め設定された周波数帯のＲＦ信号に励磁され、電波透過構造１２０は、予め設定された周波数帯のＲＦ信号に基づいて、予め設定された周波数帯と同じ周波数帯のＲＦ信号を生成する。電波透過構造１２０によって生成されるＲＦ信号は、誘電体基板１１０を通過して自由空間に放射される。電波透過構造１２０は励磁され、且つ予め設定された周波数帯と同じ周波数帯のＲＦ信号を生成するため、誘電体基板１１０を通過して自由空間に放射される予め設定された周波数帯のＲＦ信号の量が増える。
【0035】
他方、ハウジングアセンブリ１００は電波透過構造１２０及び誘電体基板１１０を含む。そのため、ハウジングアセンブリ１００の誘電率は、予め設定された材料の誘電率に相当する。誘電率を有する予め設定された材料は予め設定された周波数帯のＲＦ信号に対する透過率が高く、且つ予め設定された材料の等価波動インピーダンス（ｅｑｕｉｖａｌｅｎｔ ｗａｖｅ ｉｍｐｅｄａｎｃｅ）は自由空間の波動インピーダンスに等しい又はほぼ等しい。
【0036】
本出願に係るハウジングアセンブリ１００は、電波透過構造１２０が誘電体基板１１０に載せられることによって、電波透過構造１２０の働きで、ハウジングアセンブリ１００の予め設定された周波数帯のＲＦ信号に対する等価波動インピーダンスと自由空間の波動インピーダンスとの差を下げることができる。それによって、ハウジングアセンブリ１００の予め設定された周波数帯のＲＦ信号に対する透過率を上げることができる。ハウジングアセンブリ１００が電子デバイスに応用される場合、ハウジングアセンブリ１００の内部に配置されたアンテナモジュールの放射性能に対するハウジングアセンブリ１００の影響を低減することができる。これで、電子デバイスの通信性能を高めることができる。
【0037】
さらに、誘電体基板１１０は第一表面１１０ａと、第一表面１１０ａに対向する第二表面１１０ｂとを含む。電波透過構造１２０は第一表面１１０ａに配置されている。ハウジングアセンブリ１００が電子デバイスに応用される場合、電子デバイスはアンテナモジュール２００をさらに含む。第二表面１１０ｂと比べて、第一表面１１０ａはアンテナモジュール２００からより遠く配置されている。
【0038】
ハウジングアセンブリ１００は接着剤層１４０をさらに含む。電波透過構造１２０を誘電体基板１１０に接着させるために、接着剤層１４０は電波透過構造１２０と誘電体基板１１０の間に配置されている。本実施形態の図において、例示として、電波透過構造１２０は接着剤層１４０を介して、誘電体基板１１０の第一表面１１０ａに接着され且つ第一表面１１０ａの全部をカバーする。他の実施形態において、電波透過構造１２０は誘電体基板１１０の第一表面１１０ａの上に直接に配置されてもよく、又は、誘電体基板１１０の第二表面１１０ｂの上に直接に配置されてもよい。他の実施形態において、電波透過構造１２０は誘電体基板１１０に埋め込まれてもよい。
【0039】
図２を参照すると、図２は、本出願の第二実施形態に係るハウジングアセンブリの構造を示す概略図である。ハウジングアセンブリ１００は、誘電体基板１１０と電波透過構造１２０を含む。誘電体基板１１０は、予め設定された周波数帯のＲＦ信号に対して第一等価波動インピーダンスを有する。第一等価波動インピーダンスは自由空間の波動インピーダンスとは第一差値の差がある。電波透過構造１２０は誘電体基板１１０に載せられ、且つ少なくとも誘電体基板１１０の一部をカバーする。ハウジングアセンブリ１００は、電波透過構造１２０に対応するところにおいて、予め設定された周波数帯のＲＦ信号に対して第二等価波動インピーダンスを有する。第二等価波動インピーダンスは自由空間の波動インピーダンスとは第二差値の差がある。第二差値は第一差値より小さい。さらに、本実施形態において、電波透過構造１２０は第二表面１１０ｂに配置されている。ハウジングアセンブリ１００が電子デバイスに応用される場合、電子デバイスはアンテナモジュール２００をさらに含む。第二表面１１０ｂと比べて、第一表面１１０ａはアンテナモジュール２００からより遠く配置されている。
【0040】
図３を参照すると、図３は、本出願の第三実施形態に係るハウジングアセンブリの構造を示す概略図である。ハウジングアセンブリ１００は、誘電体基板１１０と電波透過構造１２０を含む。誘電体基板１１０は、予め設定された周波数帯のＲＦ信号に対して第一等価波動インピーダンスを有する。第一等価波動インピーダンスは自由空間の波動インピーダンスとは第一差値の差がある。電波透過構造１２０は誘電体基板１１０に載せられ、且つ少なくとも誘電体基板１１０の一部をカバーする。ハウジングアセンブリ１００は、電波透過構造１２０に対応するところにおいて、予め設定された周波数帯のＲＦ信号に対して第二等価波動インピーダンスを有する。第二等価波動インピーダンスは自由空間の波動インピーダンスとは第二差値の差がある。第二差値は第一差値より小さい。本実施形態において、電波透過構造１２０は誘電体基板１１０に埋め込まれている。ハウジングアセンブリ１００が電子デバイス１に応用される場合、電子デバイス１はアンテナモジュール２００をさらに含む。第二表面１１０ｂと比べて、第一表面１１０ａはアンテナモジュール２００からより遠く配置されている。
【0041】
図４を参照すると、図４は、本出願の第四実施形態に係るハウジングアセンブリの構造を示す概略図である。ハウジングアセンブリ１００は、誘電体基板１１０と電波透過構造１２０を含む。誘電体基板１１０は、予め設定された周波数帯のＲＦ信号に対して第一等価波動インピーダンスを有する。第一等価波動インピーダンスは自由空間の波動インピーダンスとは第一差値の差がある。電波透過構造１２０は誘電体基板１１０に載せられ、且つ少なくとも誘電体基板１１０の一部をカバーする。ハウジングアセンブリ１００は、電波透過構造１２０に対応するところにおいて、予め設定された周波数帯のＲＦ信号に対して第二等価波動インピーダンスを有する。第二等価波動インピーダンスは自由空間の波動インピーダンスとは第二差値の差がある。第二差値は第一差値より小さい。ハウジングアセンブリ１００はベアリングフィルム（ｂｅａｒｉｎｇ ｆｉｌｍ）１３０をさらに含む。ベアリングフィルム１３０は電波透過構造１２０を載せるように構成されている。ベアリングフィルム１３０は接着剤層１４０から遠い電波透過構造１２０の片側に配置されている。ベアリングフィルム１３０は、プラスチック（例えば、ポリエチレンテレフタレート（Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ、ＰＥＴ））フィルム、フレキシブル回路基板（ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｃｉｒｃｕｉｔ ｂｏａｒｄ）、プリント回路基板（ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ ｂｏａｒｄ）であることができるが、これらに限られていない。ＰＥＴフィルムはカラーフィルム（ｃｏｌｏｒ ｆｉｌｍ）、防爆フィルム（ｅｘｐｌｏｓｉｏｎ－ｐｒｏｏｆ ｆｉｌｍ）であることができるが、これらに限られていない。具体的に、電波透過構造１２０は、ベアリングフィルム１３０の上に配置される。電波透過構造１２０の作成プロセスにおいて、ベアリングフィルム１３０は電波透過構造１２０の支持体として機能することができる。作成後、電波透過構造１２０は接着剤層１４０を介して誘電体基板１１０に接着されることができる。ベアリングフィルム１３０が接着剤層１４０から遠い電波透過構造１２０の片側に配置されることで、電波透過構造１２０を保護することができる。さらに、誘電体基板１１０は第一表面１１０ａと、第一表面１１０ａに対向する第二表面１１０ｂとを含む。第二表面１１０ｂと比べて、第一表面１１０ａはアンテナモジュール２００からより遠く配置されている。本実施形態の図において、例示として、電波透過構造１２０は接着剤層１４０を介して、第一表面１１０ａに接着されている。他の実施形態において、電波透過構造１２０は接着剤層１４０を介して第二表面１１０ｂに接着されてもよい。実験によると、ベアリングフィルム１３０が厚ければ厚いほど、予め設定された周波数帯は低周波へ移る。
【0042】
図５を参照すると、図５は、本出願の第一実施形態に係る電波透過構造を示す概略図である。電波透過構造１２０は一つ又は複数の電波透過層１２０ａを含む。電波透過構造１２０が複数の電波透過層１２０ａを含む場合、複数の電波透過層１２０ａは予め設定された方向に隔てて積層配置される。電波透過構造１２０が複数の電波透過層１２０ａを含む場合、隣接する二つの電波透過層１２０ａの間に誘電体層１１０cが配置され、誘電体基板１１０は全ての誘電体層１１０cによって構成される。図５では、例示として、電波透過構造１２０は三つの電波透過層１２０ａ、二つの誘電体層１１０cを含む。さらに、予め設定された方向は上記ＲＦ信号の主極の放射方向と平行する。主極とは、ＲＦ信号における放射強度が最大のビームである。
【0043】
図６を参照すると、図６は、本出願の第五実施形態に係るハウジングアセンブリの構造を示す概略図である。誘電体基板１１０は第一表面１１０ａと、第一表面１１０ａに対向する第二表面１１０ｂとを含む。電波透過構造１２０の一部は第一表面１１０ａに配置されており、電波透過構造１２０の残りの部分は誘電体基板１１０に埋め込まれている。ハウジングアセンブリ１００が電子デバイスに応用される場合、電子デバイスはアンテナモジュール２００をさらに含む。第二表面１１０ｂと比べて、第一表面１１０ａはアンテナモジュール２００からより遠く配置されている。
【0044】
上記任意の実施形態に係るハウジングアセンブリ１００において、電波透過構造１２０は、金属材料で作られてもよく、非金属の導電性材料で作られてもよい。
【0045】
上記任意の実施形態に係るハウジングアセンブリ１００において、誘電体基板１１０の材料はプラスチック、グラス、サファイア（ｓａｐｐｈｉｒｅ）、セラミック（ｃｅｒａｍｉｃ）のうちの一つ又は複数の組み合わせであることができる。
【0046】
図７を参照すると、図７は、本出願の第二実施形態に係る電波透過構造を示す概略図である。電波透過構造１２０は、上記任意の実施形態に係るハウジングアセンブリ１００に応用されることができる。電波透過構造１２０は複数の共振素子１２０ｂを含む。共振素子１２０ｂは周期的に配置されている。
【0047】
図８を参照すると、図８は、本出願の第三実施形態に係る電波透過構造を示す概略図である。電波透過構造１２０は、上記任意の実施形態に係るハウジングアセンブリ１００に応用されることができる。電波透過構造１２０は複数の共振素子１２０ｂを含む。共振素子１２０ｂは非周期的に配置されている。
【0048】
図９、図１０と図１１を参照すると、図２０は、本出願の第四実施形態に係る電波透過断面構造図である。図１０は、本出願の第四実施形態に係る電波透過構造における第一電波透過層の構造を示す概略図である。図１１は、本出願の第四実施形態に係る電波透過構造における第二電波透過層の構造を示す概略図である。電波透過構造１２０は、上記任意の実施形態に係るハウジングアセンブリ１００に応用されることができる。電波透過構造１２０は隔てて配置されている第一電波透過層１２１、第二電波透過層１２２と第三電波透過層１２３を含む。誘電体基板１１０は第一誘電体層１１１と第二誘電体層１１２を含む。第一電波透過層１２１、第一誘電体層１１１、第二電波透過層１２２、第二誘電体層１１２と第三電波透過層１２３は順に積層配置されている。第一電波透過層１２１はアレイ状に配置された複数の第一パッチ（ｐａｔｃｈ）１２１１を含む。第二電波透過層１２２は周期的に配置されたグリッド構造１２２１を含む。第三電波透過層１２３はアレイ状に配置された複数の第二パッチ１２３１を含む。第一パッチ１２１１又は第二パッチ１２３１のサイズＬ１が小さければ小さいほど、予め設定された周波数帯は低周波へ移り、且つ帯域幅が狭くなる。第二電波透過層１２２におけるグリッド構造１２２１の導電線の幅Ｗ１が小さければ小さいほど、予め設定された周波数帯は低周波へ移り、且つ帯域幅が広くなる。電波透過構造１２０の周期Ｐが大きければ大きいほど、予め設定された周波数帯は高周波へ移り、且つ帯域幅が広くなる。電波透過構造１２０が厚ければ厚いほど、予め設定された周波数帯は低周波へ移り、帯域幅が狭くなる。誘電体基板１１０の誘電率が大きければ大きいほど、予め設定された周波数帯は低周波へ移り、且つ帯域幅が狭くなる。本実施形態において、一つのグリッド構造１２２１は四つの第一パッチ１２１１に対応し、四つの第二パッチ１２３１に対応し、且つ電波透過構造１２０の一つの周期とされる。
【0049】
図１２を参照すると、図１２は、本出願の第四実施形態に係る電波透過構造の等価回路図を示す図である。この等価回路図では、予め設定された周波数帯への影響が小さい要素を考慮に入れなかった。例えば、第一電波透過層１２１のインダクタンス（ｉｎｄｕｃｔａｎｃｅ）、第三電波透過層１２３のインダクタンス、及び第二電波透過層１２２のキャパシタンス（ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）が挙げられる。第一電波透過層１２１はキャパシタ（ｃａｐａｃｉｔｏｒ）Ｃ１に相当し、第二電波透過層１２２はキャパシタＣ２に相当し、第一電波透過層１２１と第二電波透過層１２２の結合容量はキャパシタＣ３に相当し、第三電波透過層１２３はインダクタ（ｉｎｄｕｃｔｏｒ）Ｌに相当する。Ｚ０は自由空間のインピーダンス（ｉｍｐｅｄａｎｃｅ）を示し、Ｚ１は誘電体基板１１０のインピーダンスを示し、Ｚ１＝Ｚ０/(Ｄｋ)１/２。予め設定された周波数帯は中心周波数ｆ０を有し、ｆ０＝１/[２π/(ＬＣ)１/２]。帯域幅Δｆと中心周波数ｆ０の比率は、(Ｌ/Ｃ)１/２に正比例する。第一パッチ１２１１又は第二パッチ１２３１のサイズが小さければ小さいほど、予め設定された周波数帯は低周波へ移り、且つ帯域幅が狭くなる。第二電波透過層１２２におけるグリッド構造１２２１の幅が小さければ小さいほど、予め設定された周波数帯は低周波へ移り、且つ帯域幅が広くなる。電波透過層１２０ａの周期が大きければ大きいほど、予め設定された周波数帯は高周波へ移り、且つ帯域幅が広くなる。電波透過層１２０ａが厚ければ厚いほど、予め設定された周波数帯は低周波へ移り、帯域幅が狭くなる。誘電体基板１１０の誘電率が大きければ大きいほど、予め設定された周波数帯は低周波へ移り、且つ帯域幅が狭くなる。
【0050】
第一誘電体層１１１と第二誘電体層１１２の材料がガラスである場合、ガラスの誘電率は通常６～７．６の範囲にある。予め設定された周波数帯が２０～３５ＧＨｚの範囲にある場合、第一パッチ１２１１のサイズは通常０．５～０．８ｍｍの範囲にある。第二電波透過構造１２８におけるグリッドの実体の部分の幅は通常０．１～０．５ｍｍの範囲にある。一つの周期の長さは通常１．５～３．０ｍｍの範囲にある。電波透過構造１２０が電子デバイスの電池カバーに応用される場合、アンテナモジュール２００の上部表面と電池カバーの内表面の間の距離は通常、零以上であればいい。本出願では、通常は０．５～１．２ｍｍの範囲にある。
【0051】
図１３を参照すると、図１３は、本出願の第一実施形態に係るアンテナアセンブリの構造を示す概略図である。アンテナアセンブリ１０はアンテナモジュール２００とハウジングアセンブリ１００を含む。アンテナモジュール２００は予め設定された方向範囲内で、予め設定された周波数帯のＲＦ信号を受送信するように構成されている。ハウジングアセンブリ１００における電波透過構造１２０の少なくとも一部は予め設定された方向範囲内に位置する。ハウジングアセンブリ１００については、上記各実施形態で説明されたハウジングアセンブリ１００を参照することができる。ここでは繰り返さない。説明を簡単にするために、本実施形態に示されたアンテナアセンブリ１０は、第一実施形態に示されたハウジングアセンブリ１００を例示とする。
【0052】
図１４を参照すると、図１４は、アンテナモジュールが従来の０．７ｍｍのガラス製電池カバーの下に配置される場合に、アンテナモジュールから放射される２０～３４ＧＨｚの無線周波数（ＲＦ）信号に対する反射係数の曲線及び透過係数の曲線を示す概略図である。従来のガラス製電池カバーには本出願の電波透過構造１２０が配置されていない。図１４では、横軸はＧＨｚを単位とする周波数を示し、縦軸はｄＢを単位とするゲインを示す。曲線（１）が反射係数の曲線である。曲線（１）から見ると、２０～３４ＧＨｚの周波数帯において、ゲインが－１０ｄＢ以上であり、即ち、ＲＦ信号に対する反射が比較的に大きく、且つ周波数が高ければ高いほど、反射が大きくなる。曲線（２）は透過係数の曲線である。曲線（２）から見ると、２２～３０ＧＨｚの周波数帯において、ゲイン損失が－２．３ｄＢ以上に達した。曲線（１）及び曲線（２）から見ると、アンテナモジュールが従来のガラス製電池カバーの下に配置される場合に、反射且つ透過損失が比較的に大きい。
【0053】
図１５及び図１６を参照すると、図１５は、アンテナモジュールが電波透過構造を備えた電池カバーの下に配置される場合の反射係数の曲線を示す概略図である。図１６は、アンテナモジュールが電波透過構造を備えた電池カバーの下に配置される場合の透過係数の曲線を示す概略図である。図１５では、横軸はＧＨｚを単位とする周波数を示し、縦軸はｄＢを単位とするゲインを示す。ゲインが－１０ｄＢ以下である周波数帯域において、電池カバーは比較的に小さい反射係数を有する。そのため、通常、ゲインが－１０ｄＢ以下である周波数帯域はアンテナモジュールの動作周波数帯域と定義される。図１５の曲線から見ると、アンテナモジュール２００の動作周波数帯域は２２．２８８～３０．５１１ＧＨｚである。図１６では、横軸はＧＨｚを単位とする周波数を示し、縦軸はｄＢを単位とするゲインを示す。ゲインが－１ｄＢより大きい周波数帯域において、電池カバーは比較的に大きい反射係数を有する。図１６の曲線から見ると、２２．１４８～２９．５３８ＧＨｚの周波数帯域において、電池カバーは比較的に大きい反射係数を有する。
【0054】
図１７及び図１８を参照すると、図１７は、本出願の第一実施形態に係る電子デバイスの構造を示す概略図である。図１８は、図１７のＩ－Ｉ線に沿った断面構造図である。電子デバイス１はアンテナアセンブリ１０を含む。アンテナアセンブリ１０については、上記内容を参照することができる。ここでは繰り返さない。誘電体基板１１０は電子デバイス１の電池カバー３０を含む。収容空間は電池カバー３０と画面（ｓｃｒｅｅｎ）４０に囲まれて形成される。上記収容空間は電子デバイス１の機能要素を収容するために用いられる。電子デバイス１は上記任意の実施形態に記載されたアンテナアセンブリ１０を含む。
【0055】
図１７及び図１８を参照すると、誘電体基板１１０は電子デバイス１の電池カバー３０を含み、電子デバイス１の電池カバー３０はリアプレート（ｒｅａｒ ｐｌａｔｅ）３１０と、リアプレート３１０の外縁から曲げられて延長されたフレーム３２０とを含む。電波透過構造１２０はリアプレート３１０に対応して配置されている。
【0056】
電子デバイス１はスマートフォン、携帯インターネット機器（ｍｏｂｉｌｅ ｉｎｔｅｒｎｅｔ ｄｅｖｉｃｅ、ＭＩＤ）、電子書籍、ＰＳＰ（ｐｌａｙ ｓｔａｔｉｏｎ ｐｏｒｔａｂｌｅ）、又はパーソナルデジタルアシスタント（Ｐｅｒｓｏｎａｌ Ｄｉｇｉｔａｌ Ａｓｓｉｓｔａｎｔ、ＰＤＡ）などのようなブレスライト（ｂｒｅａｔｈｉｎｇ ｌｉｇｈｔ）機能を有する電子デバイス１を含むが、これらに限られていない。以下、本出願に係る電子デバイス１を詳しく説明する。
【0057】
図１９及び図２０を参照すると、図１９は、自由空間におけるアンテナモジュールの定在波を示す概略図である。図２０は、自由空間におけるアンテナモジュールのアンテナ指向性図（ｒａｄｉａｔｉｏｎ ｐａｔｔｅｒｎ）である。図１９と図２０において、アンテナモジュール２００が２×２アレイを有することを例としてシミュレーションを行う。図１９では、横軸はＧＨｚを単位とする周波数を示し、縦軸はｄＢを単位とするゲインを示す。定在波の曲線において、ゲインが－１０ｄＢ以下である周波数帯域はアンテナモジュールの動作周波数帯域とされる。図１９から見ると、アンテナモジュールの動作周波数帯域は２６．７１－～２９．９７４ＧＨｚである。図２０から見ると、２７ＧＨｚ、２８ＧＨｚ及び２９ＧＨｚの周波数において、アンテナモジュールは比較的に高いゲインを有する。２７ＧＨｚの周波数において、アンテナモジュール２００は９．７３ｄＢのゲインを有する。２８ＧＨｚの周波数において、アンテナモジュール２００は１０．１ｄＢのゲインを有する。２９ＧＨｚの周波数において、アンテナモジュール２００は１０．３ｄＢのゲインを有する。２７ＧＨｚ、２８ＧＨｚ、及び２９ＧＨｚの周波数において、アンテナモジュール２００は比較的に大きいゲインを有することが分かる。２×２アレイのアンテナモジュール２００が対称的に設計されているため、自由空間において、２×２アレイのアンテナモジュール２００における四つのアンテナ素子の定在波パラメータの曲線が重なる。図１９に示されたＳ１１、Ｓ２２、Ｓ３３、Ｓ４４はそれぞれ２×２アレイのアンテナモジュール２００における四つのアンテナ素子のリターンロスを表す。
【0058】
図２１及び図２２を参照すると、図２１は、従来の電池カバーの下に配置されるアンテナモジュールの定在波を示す概略図である。図２２は、従来の電池カバーの下に配置されるアンテナモジュールのアンテナ指向性図である。図２１と図２２において、アンテナモジュール２００が２×２アレイを有することを例としてシミュレーションを行う。図２１では、横軸はＧＨｚを単位とする周波数を示し、縦軸はｄＢを単位とするゲインを示す。定在波の曲線において、ゲインが－１０ｄＢ以下である周波数帯域はアンテナモジュールの動作周波数帯域とされる。図２１から見ると、２４～３２ＧＨｚの周波数帯域におけるＲＦ信号の定在波は全部－１０ｄＢ以上であり、即ち、２４～３２ＧＨｚの周波数帯域におけるＲＦ信号に対する反射が大きいことが分かる。図２２から見ると、２７ＧＨｚの周波数において、アンテナモジュール２００は５．５８ｄＢのゲインを有する。２８ＧＨｚの周波数において、アンテナモジュール２００は６．６８ｄＢのゲインを有する。２９ＧＨｚの周波数において、アンテナモジュール２００は７．１２ｄＢのゲインを有する。アンテナモジュールが従来の電池カバーの下に配置される場合、反射係数が比較的に大きい且つゲインが比較的に小さいことが分かる。
【0059】
２×２アレイのアンテナモジュール２００が対称的に設計されているため、図２１において、２×２アレイのアンテナモジュール２００において、定在波パラメータの曲線Ｓ１１と定在波パラメータのＳ３３とが重なる。定在波パラメータの曲線Ｓ２２と定在波パラメータのＳ４４とが重なる。図２１に示されたＳ１１、Ｓ２２、Ｓ３３、Ｓ４４はそれぞれ２×２アレイのアンテナモジュール２００における四つのアンテナ素子のリターンロスを表す。
【0060】
図２３及び図２４を参照すると、図２３は、本出願の電池カバーの下に配置されるアンテナモジュールの定在波を示す概略図である。図２４は、本出願の電池カバーの下に配置されるアンテナモジュールのアンテナ指向性図である。図２３と図２４において、アンテナモジュール２００が２×２アレイを有することを例としてシミュレーションを行う。図２３では、横軸はＧＨｚを単位とする周波数を示し、縦軸はｄＢを単位とするゲインを示す。定在波の曲線において、ゲインが－１０ｄＢ以下である周波数帯域はアンテナモジュールの動作周波数帯域とされる。図２３の定在波曲線から見ると、アンテナモジュール２００は比較的に広い動作周波数帯域を有する。図２４から見ると、２７ＧＨｚの周波数において、アンテナモジュール２００は９．５５ｄＢのゲインを有する。２８ＧＨｚの周波数において、アンテナモジュール２００は１０．１ｄＢのゲインを有する。２９ＧＨｚの周波数において、アンテナモジュール２００は１０．６ｄＢのゲインを有する。本出願の電池カバー３０の下に配置される場合、アンテナモジュール２００は比較的に広い動作周波数帯域と比較的に高いゲインを有し、それらはそれぞれアンテナモジュール２００の自由空間における動作周波数帯域と自由空間におけるゲインとほぼ同じであることが分かる。
【0061】
２×２アレイのアンテナモジュール２００が対称的に設計されているため、図２３において、２×２アレイのアンテナモジュール２００において、定在波パラメータの曲線Ｓ１１と定在波パラメータのＳ３３とが重なる。定在波パラメータの曲線Ｓ２２と定在波パラメータのＳ４４とが重なる。図２３に示されたＳ１１、Ｓ２２、Ｓ３３、Ｓ４４はそれぞれ２×２アレイのアンテナモジュール２００における四つのアンテナ素子のリターンロスを表す。
【0062】
図２５を参照すると、図２５は、本出願の第五実施形態に係る電波透過構造における第一電波透過層の構造を示す概略図である。本実施形態に係る電波透過構造１２０は第四実施形態に係る電波透過構造１２０と大体同じである。しかしながら、下記のところが違う。第四実施形態では、第一パッチ１２１１は矩形パッチであり、本実施形態では、第一電波透過層１２１はアレイ状に配置された複数の第一パッチ１２１１を含み、第一パッチ１２１１は円形である。選択的に、円形の第一パッチ１２１１の直径Ｄの範囲は０．５～０．８ｍｍである。
【0063】
本実施形態において、第三電波透過層１２３はアレイ状に配置された複数の第二パッチ１２３１を含む。第二パッチ１２３１は円形である。選択的に、円形の第二パッチ１２３１の直径Ｄの範囲は０．５～０．８ｍｍである。第三電波透過層１２３の構造は第一電波透過層１２１の構造と同じであることができる。
【0064】
図２６を参照すると、図２６は、本出願の第六実施形態に係る電波透過構造における第一電波透過層の構造を示す概略図である。本実施形態に係る電波透過構造１２０は第四実施形態に係る電波透過構造１２０と大体同じである。しかしながら、下記のところが違う。第四実施形態では、第一パッチ１２１１は矩形パッチであり、本実施形態では、第一電波透過層１２１はアレイ状に配置された複数の第一パッチ１２１１を含み、第一パッチ１２１１は環状である。第一パッチ１２１１は環状で且つ材料が金属である場合、電波透過構造１２０の透明度（可視光透過率）は上げられることができる。環状の第一パッチ１２１１は外径Ｄｏと内径Ｄｉを有する。外径Ｄｏは通常０．５～０．８ｍｍの範囲にある。一般的に、外径Ｄｏと内径Ｄｉの差（即ち、Ｄｏ－Ｄｉ）の値が小さければ小さいほど、電波透過構造１２０の可視光透過率が高くなるが、挿入損失が大きくなる。電波透過構造１２０の可視光透過率と挿入損失のバランスを考慮に入れて、Ｄｏ－Ｄｉの値は通常０．５ｍｍ以上である。第三電波透過層１２３の構造は第一電波透過層１２１の構造と同じであることができる。
【0065】
図２７を参照すると、図２７は、本出願の第七実施形態に係る電波透過構造における第一電波透過層の構造を示す概略図である。本実施形態に係る電波透過構造１２０は第四実施形態に係る電波透過構造１２０と大体同じである。しかしながら、下記のところが違う。第四実施形態では、第一パッチ１２１１は矩形パッチであり、本実施形態では、第一電波透過層１２１はアレイ状に配置された複数の第一パッチ１２１１を含み、第一パッチ１２１１は正方形の環状である。正方形の環状の第一パッチ１２１１は外側の辺長Ｌｏと内側の辺長Ｌｉを有する。外側の辺長Ｌｏは通常０．５～０．８ｍｍの範囲にある。一般的に、外側の辺長Ｌｏと内側の辺長Ｌｉの差（即ち、Ｌｏ－Ｌｉ）の値が小さければ小さいほど、電波透過構造１２０の可視光透過率が高くなるが、挿入損失が大きくなる。電波透過構造１２０の可視光透過率と挿入損失のバランスを考慮に入れて、Ｌｏ－Ｌｉの値は通常０．５ｍｍ以上である。第三電波透過層１２３の構造は第一電波透過層１２１の構造と同じであることができる。
【0066】
図２８を参照すると、図２８は、本出願の第八実施形態に係る電波透過構造における第一電波透過層の構造を示す概略図である。本実施形態に係る電波透過構造１２０はアレイ状に配置された複数の第一パッチ１２１１を含む。各第一パッチ１２１１はいずれも正方形の金属メッシュグリッド（ｍｅｓｈ ｇｒｉｄ）パッチである。具体的に、第一パッチ１２１１は複数の第一ブランチ１２１２と複数の第二ブランチ１２１３を含む。複数の第一ブランチ１２１２は隔てて配列されており、複数の第二ブランチ１２１３は隔てて配列されており、且つ第二ブランチ１２１３と第一ブランチ１２１２は交差して接続される。選択的に、第一ブランチ１２１２は第一方向に沿って延長し、且つ複数の第一ブランチ１２１２は第二方向に沿って隔てて配列される。選択的に、第二ブランチ１２１３は第一ブランチ１２１２と垂直に交差する。選択的に、第一パッチ１２１１の辺長は０．５～０．８ｍｍの範囲にある。
【0067】
図２９を参照すると、図２９は、本出願の第九実施形態に係る電波透過構造を示す概略図である。本実施形態において、電波透過構造１２０は第一方向に沿って隔てて配列された複数の導電線１５１と、第二方向に沿って隔てて配列された複数の導電線１６１とを含む。第一方向に沿って隔てて配列された導電線１５１と第二方向に沿って隔てて配列された導電線１６１は交差して配置され、且つアレイ状に配置された複数のグリッド構造１６３を共に形成する。
【0068】
具体的に、第一方向に沿って隔てて配列された二つの導電線１５１と第二方向に沿って隔てて配列された二つの導電線１６１は交差して一つのグリッド構造１６３を形成する。一つの実施形態において、第一方向は第二方向に対して垂直である。他の実施形態において、第一方向は第二方向に対して垂直ではない。第一方向に沿って隔てて配列された複数の導電線１５１において、隣接する二つの導電線１５１の間の距離は同じであってもよく、同じではなくてもよい。相応に、第二方向に沿って隔てて配列された複数の導電線１６１において、隣接する二つの導電線１６１の間の距離は同じであってもよく、同じではなくてもよい。隣接する二つの導電線１５１の間の距離と隣接する二つの導電線１６１の間の距離は同じであってもよく、同じではなくてもよい。図２９において、例示として、第一方向は第二方向に対して垂直であり、且つ隣接する二つの導電線１５１の間の距離は隣接する二つの導電線１６１の間の距離に等しい。
【0069】
さらに、導電線１５１（１６１）の幅が小さければ小さいほど、予め設定された周波数は低周波へ移り、且つ帯域幅が広くなる。グリッド構造１６３の辺長又は内径が大きければ大きいほど、予め設定された周波数は低周波へ移り、且つ帯域幅が広くなる。電波透過構造１２０が配置された誘電体基板１１０が厚ければ厚いほど、予め設定された周波数は低周波へ移り、且つ帯域幅が狭くなる。
【0070】
図３０を参照すると、図３０は、本出願の第十実施形態に係る電波透過構造を示す概略図である。電波透過構造１２０はアレイ状に配置された複数のグリッド構造１６３を含む。各グリッド構造１６３は少なくとも一つの導電線１５１に囲まれて形成される。隣接する二つのグリッド構造１６３は少なくとも導電線１５１の一部を共有する。
【0071】
具体的に、グリッド構造１６３の形は円形、矩形、三角形、多角形、楕円形のうちの任意の一つであることができるが、これらに限られていない。グリッド構造１６３の形は多角形である場合、グリッド構造１６３の辺の数は３より大きい正の整数である。図３０では、例示として、グリッド構造１６３の形は三角形である。
【0072】
さらに、導電線１５１（１６１）の幅が小さければ小さいほど、予め設定された周波数は低周波へ移り、且つ帯域幅が広くなる。グリッド構造１６３の辺長又は内径が大きければ大きいほど、予め設定された周波数は低周波へ移り、且つ帯域幅が広くなる。電波透過構造１２０が配置された誘電体基板１１０が厚ければ厚いほど、予め設定された周波数は低周波へ移り、且つ帯域幅が狭くなる。
【0073】
グリッド構造１６３の形は三角形である場合、グリッド構造１６３的周期はグリッド構造１６３の辺長に等しい。グリッド構造１６３は多角形である場合、グリッド構造１６３の周期はグリッド構造１６３の内径に等しい。
【0074】
図３１を参照すると、図３１は、本出願の第十一実施形態に係る電波透過構造を示す概略図である。図３１では、例示として、グリッド構造１６３の形は正六角形である。さらに、導電線１５１（１６１）の幅が小さければ小さいほど、予め設定された周波数は低周波へ移り、且つ帯域幅が広くなる。グリッド構造１６３の辺長又は内径が大きければ大きいほど、予め設定された周波数は低周波へ移り、且つ帯域幅が広くなる。電波透過構造１２０が配置された誘電体基板１１０が厚ければ厚いほど、予め設定された周波数は低周波へ移り、且つ帯域幅が狭くなる。
【0075】
図３２及び図３３を参照すると、図３２は、本出願の第二実施形態に係る電子デバイスの構造を示す概略図である。図３３は、図３２のＩＩ－ＩＩ線に沿った断面構造図である。電子デバイス１はアンテナアセンブリ１０を含む。アンテナアセンブリ１０については、上記内容を参照することができる。ここでは繰り返さない。誘電体基板１１０は電子デバイス１の電池カバー３０を含む。電子デバイス１の電池カバー３０はリアプレート３１０と、リアプレート３１０の外縁から曲げられて延長されたフレーム３２０とを含む。電波透過構造１２０はフレーム３２０に対応して配置されている。
【0076】
図３４と図３５を参照すると、図３４は、本出願の第三実施形態に係る電子デバイスの構造を示す概略図である。図３５は、図３４のＩＩＩ－ＩＩＩ線に沿った断面構造図である。電子デバイス１はアンテナアセンブリ１０を含む。アンテナアセンブリ１０については、上記内容を参照することができる。ここでは繰り返さない。本実施形態において、誘電体基板１１０は電子デバイス１の画面４０を含む。
【0077】
誘電体基板１１０は電子デバイス１の画面４０を含む場合、画面４０は画面本体４１０と、画面本体４１０の外縁から曲げられて延長された延長部４２０とを含む。電波透過構造１２０は画面本体４１０に対応して配置されている。
【0078】
図３６と図３７を参照すると、図３６は、本出願の第四実施形態に係る電子デバイスの構造を示す概略図である。図３７は、図３６のＩＶ－ＩＶ線に沿った断面構造図である。電子デバイス１はアンテナアセンブリ１０を含む。アンテナアセンブリ１０については、上記内容を参照することができる。ここで繰り返さない。本実施形態において、誘電体基板１１０は電子デバイス１の画面４０を含む。画面４０は画面本体４１０と、画面本体４１０の外縁から曲げられて延長された延長部４２０とを含む。電波透過構造１２０は延長部４２０に対応して配置されている。
【0079】
図３８及び図３９を参照すると、図３８は、本出願の第五実施形態に係る電子デバイスの構造を示す概略図である。図３９は、図３８のＶ－Ｖ線に沿った断面構造図である。電子デバイス１はアンテナアセンブリ１０を含む。アンテナアセンブリ１０については、上記内容を参照することができる。ここでは繰り返さない。電子デバイス１は電池カバー３０及び保護カバー５０を含む。保護カバー５０は電池カバー３０の表面をカバーして電池カバー３０を保護する。誘電体基板１１０は保護カバー５０を含むことができる。電波透過構造１２０は保護カバー５０に対応して配置されることができる。
【0080】
図４０を参照すると、図４０は、本出願の一つの実施形態に係るアンテナモジュールの断面構造図である。アンテナモジュール２００は、無線周波数（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ、ＲＦ）チップ２３０、絶縁基板２４０、及び一つ又は複数の第一アンテナ放射体２５０を含む。ＲＦチップ２３０は励磁信号（ＲＦ信号とも呼ばれる）を生成するように構成されている。一つ又は複数の第一アンテナ放射体２５０と比べて、ＲＦチップ２３０は電波透過構造１２０からより遠く配置されている。絶縁基板２４０は一つ又は複数の第一アンテナ放射体２５０を載せるように構成されている。ＲＦチップ２３０は、絶縁基板２４０に埋め込まれる伝送線を介して、一つ又は複数の第一アンテナ放射体２５０と電気的に結合する。具体的に、絶縁基板２４０は第三表面２４０ａと、第三表面２４０ａに対向する第四表面２４０ｂとを含む。一つ又は複数の第一アンテナ放射体２５０は第三表面２４０ａに配置されている。又は、一つ又は複数の第一アンテナ放射体２５０は絶縁基板２４０に埋め込まれる。図４０では、例示として、一つ又は複数の第一アンテナ放射体２５０は第三表面２４０ａに配置されており、ＲＦチップ２３０は第四表面２４０ｂに配置されている。ＲＦチップ２３０によって生成された励磁信号は、絶縁基板２４０に埋め込まれる伝送線を介して、一つ又は複数の第一アンテナ放射体２５０に送信される。ＲＦチップ２３０は絶縁基板２４０にはんだ付けされることができる。これで、励磁信号は絶縁基板２４０に埋め込まれる伝送線を介して、第一アンテナ放射体２５０に送信される。第一アンテナ放射体２５０は励磁信号を受信し、且つ励磁信号に基づいてミリ波信号を生成する。第一アンテナ放射体２５０はパッチアンテナであることができるが、これに限られていない。
【0081】
さらに、第一アンテナ放射体２５０と比べて、ＲＦチップ２３０は電波透過構造１２０からより遠く配置されている。且つＲＦチップ２３０が励磁信号を出力する出力端子は、電波透過構造１２０から遠い絶縁基板２４０の片側に配置されている。即ち、ＲＦチップ２３０は絶縁基板２４０の第四表面２４０ｂに隣接して絶縁基板２４０の第三表面２４０ａから遠く配置されている。
【0082】
さらに、各第一アンテナ放射体２５０は少なくとも一つの給電点２５１を含む。各給電点２５１は伝送線を介して、ＲＦチップ２３０と電気的に結合する。各給電点２５１と各給電点２５１に対応する第一アンテナ放射体２５０の中心との間の距離は予め設定された距離より大きい。給電点２５１の位置を調整することで、第一アンテナ放射体２５０の入力インピーダンスを変えることができる。本実施形態において、各給電点２５１と各給電点２５１に対応する第一アンテナ放射体２５０の中心との間の距離を予め設定された距離より大きく設定することで、第一アンテナ放射体２５０の入力インピーダンスを調整する。第一アンテナ放射体２５０の入力インピーダンスとＲＦチップ２３０の出力インピーダンスがマッチするように、第一アンテナ放射体２５０の入力インピーダンスを調整する。第一アンテナ放射体２５０の入力インピーダンスとＲＦチップ２３０の出力インピーダンスがマッチする場合、ＲＦ信号によって生成された励磁信号の反射量が最小である。
【0083】
図４１を参照すると、図４１は、本出願の別の実施形態に係るアンテナモジュールの断面構造図である。本実施形態に係るアンテナモジュール２００は第一実施形態に係るアンテナモジュール２００と大体同じである。しかしながら、下記のところが違う。本実施形態では、アンテナモジュール２００は第二アンテナ放射体２６０をさらに含む。即ち、本実施形態では、アンテナモジュール２００は、ＲＦチップ２３０、絶縁基板２４０、一つ又は複数の第一アンテナ放射体２５０、及び第二アンテナ放射体２６０を含む。ＲＦチップ２３０は励磁信号を生成するように構成されている。絶縁基板２４０は第三表面２４０ａと、第三表面２４０ａに対向する第四表面２４０ｂとを含む。一つ又は複数の第一アンテナ放射体２５０は第三表面２４０ａに配置されている。ＲＦチップ２３０は第四表面２４０ｂに配置されている。ＲＦチップ２３０によって生成された励磁信号は、絶縁基板２４０に埋め込まれる伝送線を介して、一つ又は複数の第一アンテナ放射体２５０に送信される。ＲＦチップ２３０は絶縁基板２４０にはんだ付けされることができる。これで、励磁信号は絶縁基板２４０に埋め込まれる伝送線を介して、第一アンテナ放射体２５０に送信される。第一アンテナ放射体２５０は励磁信号を受信し、且つ励磁信号に基づいてミリ波信号を生成する。
【0084】
さらに、第一アンテナ放射体２５０と比べて、ＲＦチップ２３０は電波透過構造１２０からより遠く配置されている。且つＲＦチップ２３０が励磁信号を出力する出力端子は、電波透過構造１２０から遠い絶縁基板２４０の片側に配置されている。
【0085】
さらに、各第一アンテナ放射体２５０は少なくとも一つの給電点２５１を含む。各給電点２５１は伝送線を介して、ＲＦチップ２３０と電気的に結合する。各給電点２５１と各給電点２５１に対応する第一アンテナ放射体２５０の中心との間の距離は予め設定された距離より大きい。
【0086】
本実施形態において、第二アンテナ放射体２６０は、絶縁基板２４０に埋め込まれる。第二アンテナ放射体２６０は第一アンテナ放射体２５０と隔てて配置されている。且つ第二アンテナ放射体２６０は第一アンテナ放射体２５０と結合して積層アンテナを形成する。第二アンテナ放射体２６０が第一アンテナ放射体２５０と結合して積層アンテナを形成する場合、第一アンテナ放射体２５０はＲＦチップ２３０と電気的に結合し、且つ第二アンテナ放射体２６０はＲＦチップ２３０と電気的に結合しない。第二アンテナ放射体２６０は、第一アンテナ放射体２５０によって放射されるミリ波信号と結合する。また、第二アンテナ放射体２６０は、結合した第一アンテナ放射体２５０によって放射されるミリ波信号に基づいて新しいミリ波信号を生成する。
【0087】
具体的に、以下、アンテナモジュール２００が高密度相互接続（ｈｉｇｈ ｄｅｎｓｉｔｙ ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ、ＨＤＩ）プロセスで製造されることを例として説明する。絶縁基板２４０はコア層２４１、及びコア層２４１の対向する両側に積層配置されている複数の配線層２４２を含む。コア層２４１は絶縁層であり、一般的に、各配線層２４２の間に絶縁層２４３が配置されている。電波透過構造１２０に隣接するコア層２４１の片側に、且つコア層２４１から一番遠く配置された配線層２４２の外表面は、絶縁基板２４０の第三表面２４０ａを形成する。電波透過構造１２０から遠いコア層２４１の片側に、且つコア層２４１から一番遠く配置された配線層２４２の外表面は、絶縁基板２４０の第四表面２４０ｂを形成する。第一アンテナ放射体２５０は第三表面２４０ａに配置されている。第二アンテナ放射体２６０は絶縁基板２４０に埋め込まれる。即ち、第二アンテナ放射体２６０は、アンテナ放射体を配列するために用いられる他の配線層２４２に配置されることができる。且つ第二アンテナ放射体２６０は、絶縁基板２４０の表面に配置されていない。
【0088】
本実施形態では、例示として、絶縁基板２４０は８層構造である。他の実施形態において、絶縁基板２４０は別の層数を有することができる。絶縁基板２４０はコア層２４１、第一配線層ＴＭ１、第二配線層ＴＭ２、第三配線層ＴＭ３、第四配線層ＴＭ４、第五配線層ＴＭ５、第六配線層ＴＭ６、第七配線層ＴＭ７、及び第八配線層ＴＭ８を含む。第一配線層ＴＭ１、第二配線層ＴＭ２、第三配線層ＴＭ３、及び第四配線層ＴＭ４はコア層２４１の一つの表面に順に積層配置されている。また、第四配線層ＴＭ４と比べて、第一配線層ＴＭ１はコア層２４１からより遠く配置されている。コア層２４１から遠い第一配線層ＴＭ１の表面は絶縁基板２４０的第三表面２４０ａである。第五配線層ＴＭ５、第六配線層ＴＭ６、第七配線層ＴＭ７、及び第八配線層ＴＭ８はコア層２４１の一つの表面に順に積層配置されている。また、第五配線層ＴＭ５と比べて、第八配線層ＴＭ８はコア層２４１からより遠く配置されている。コア層２４１から遠い第八配線層ＴＭ８の表面は絶縁基板２４０の第四表面２４０ｂである。通常では、第一配線層ＴＭ１、第二配線層ＴＭ２、第三配線層ＴＭ３、及び第四配線層ＴＭ４はアンテナ放射体が配置された配線層であり、第五配線層ＴＭ５は接地電極が配置された接地層であり、第六配線層ＴＭ６、第七配線層ＴＭ７、及び第八配線層ＴＭ８はアンテナモジュール２００における給電系統及び制御線が配置された配線層である。本実施形態において、第一アンテナ放射体２５０はコア層２４１から遠い第一配線層ＴＭ１の表面に配置され、第二アンテナ放射体２６０は第三配線層ＴＭ３に配置されることができる。図４１では、例示として、第一アンテナ放射体２５０は第一配線層ＴＭ１の表面に配置されており、第二アンテナ放射体２６０は第三配線層ＴＭ３に配置されている。他の実施形態において、第一アンテナ放射体２５０はコア層２４１から遠い第一配線層ＴＭ１の表面に配置されることができ、第二アンテナ放射体２６０は第二配線層ＴＭ２に配置されることができ、又は第二アンテナ放射体２６０は第四配線層ＴＭ４に配置されることができる。
【0089】
さらに、絶縁基板２４０における第一配線層ＴＭ１、第二配線層ＴＭ２、第三配線層ＴＭ３、第四配線層ＴＭ４、第六配線層ＴＭ６、第七配線層ＴＭ７、及び第八配線層ＴＭ８はいずれも第五配線層ＴＭ５における接地電極と電気的に結合する。具体的に、絶縁基板２４０における第一配線層ＴＭ１、第二配線層ＴＭ２、第三配線層ＴＭ３、第四配線層ＴＭ４、第六配線層ＴＭ６、第七配線層ＴＭ７、及び第八配線層ＴＭ８はいずれもスルーホールを有する。スルーホールに金属材料を配置することによって第五配線層ＴＭ５における接地電極と電気的に結合する。これで、各配線層２４２におけるコンポーネントが接地する。
【0090】
さらに、第七配線層ＴＭ７及び第八配線層ＴＭ８には、電力線２７１と制御線２７２が配置されている。電力線２７１と制御線２７２はそれぞれＲＦチップ２３０と電気的に結合する。電力線２７１はＲＦチップ２３０に必要な電力を提供するために用いられる。制御線２７２は、制御信号をＲＦチップ２３０に送信することによって、ＲＦチップ２３０の作動をコントロールするために用いられる。
【0091】
さらに、図４２を参照すると、図４２は、本出願の一つの実施形態に係るＭ×Ｎ個のアンテナアセンブリで構築された無線周波数アンテナアレイを示す概略図である。電子デバイス１はＭ×Ｎ個のアンテナアセンブリ１０で構築された無線周波数（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ、ＲＦ）アンテナアレイを含む。Ｍは正の整数であり、Ｎは正の整数である。図４２では、４×１個のアンテナアセンブリ１０で構築されたアンテナアレイを示した。アンテナアセンブリ１０におけるアンテナモジュール２００において、絶縁基板２４０は複数の金属化ビアホールグリッド（ｍｅｔａｌｌｉｚｅｄ ｖｉａ ｈｏｌｅ ｇｒｉｄ）２４４をさらに含む。金属化ビアホールグリッド２４４が各第一アンテナ放射体２５０を囲んで配置されることによって、隣接する二つの第一アンテナ放射体２５０の間のアイソレイション（ｉｓｏｌａｔｉｏｎ）を高める。図４３を参照すると、図４３は、本出願の一つの実施形態に係るパッケージ化されたアンテナモジュールで構築された無線周波数アンテナアレイの構造を示す概略図である。金属化ビアホールグリッド２４４は複数のアンテナモジュール２００でＲＦアンテナアレイを形成するために用いられる場合、金属化ビアホールグリッド２４４は隣接するアンテナモジュール２００の間のアイソレイションを高めるために用いられる。これで、各アンテナモジュール２００によって生成されたミリ波信号の干渉を低減し、さらに回避する。
【0092】
上記アンテナモジュール２００については、アンテナモジュール２００がパッチアンテナ、又は積層アンテナであることを例として説明した。アンテナモジュール２００はダイポールアンテナ、磁気電気ダイポールアンテナアレイ、準八木アンテナなどをさらに含むことができる。アンテナアセンブリ１０はパッチアンテナ、積層アンテナ、ダイポールアンテナ、磁気電気ダイポールアンテナアレイ、準八木アンテナのうちの少なくとも一つ又は複数の組み合わせを含む。さらに、Ｍ×Ｎ個のアンテナアセンブリ１０における誘電体基板１１０は互いに接続されて統合構造になることができる。
【0093】
図４４を参照すると、図４４は、本出願の第六実施形態に係る電子デバイスの構造を示す概略図である。電子デバイス１は第一アンテナモジュール２１０、誘電体基板１１０、及び第一電波透過構造１２７を含む。第一アンテナモジュール２１０は、第一予め設定された方向範囲内で、第一周波数帯の第一無線周波数（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ、ＲＦ）信号を受送信するように構成されている。誘電体基板１１０は第一アンテナモジュール２１０と隔てて配置されており、且つ誘電体基板１１０の少なくとも一部は、第一予め設定された方向範囲内に位置する。第一予め設定された方向範囲内に位置する一部の誘電体基板１１０は、第一周波数帯の第一ＲＦ信号に対して第一等価波動インピーダンスを有する。第一等価波動インピーダンスは自由空間の波動インピーダンスとは第一差値の差がある。第一電波透過構造１２７は誘電体基板１１０に載せられる。また、第一電波透過構造１２７の少なくとも一部は第一予め設定された方向範囲内に位置する。電子デバイス１は第一電波透過構造１２７に対応するところで、第一周波数帯の第一ＲＦ信号に対して第二等価波動インピーダンスを有する。第二等価波動インピーダンスは自由空間の波動インピーダンスとは第二差値の差がある。第二差値は第一差値より小さい。図４４では、例示として、破線ａ１と破線ｂ１の間の範囲は第一予め設定された方向範囲とされる。
【0094】
図４５を参照すると、図４５は、本出願の第七実施形態に係る電子デバイスの構造を示す概略図である。電子デバイス１は第二アンテナモジュール２２０と第二電波透過構造１２８をさらに含む。第二アンテナモジュール２２０は第一アンテナモジュール２１０と隔てて配置されており、且つ第二アンテナモジュール２２０は第一予め設定された方向範囲以外のところに位置する。第二アンテナモジュール２２０は第二予め設定された方向範囲内で、第二周波数帯の第二ＲＦ信号を受送信するように構成されている。誘電体基板１１０は第二アンテナモジュール２２０と隔てて配置されており、且つ誘電体基板１１０の少なくとも一部は、第二予め設定された方向範囲内に位置する。第二予め設定された方向範囲内に位置する一部の誘電体基板１１０は、第二周波数帯の第二ＲＦ信号に対して第三透過率を有する。第二電波透過構造１２８は誘電体基板１１０に載せられる。また、第二電波透過構造１２８の少なくとも一部は第二予め設定された方向範囲内に位置する。電子デバイス１は第二電波透過構造１２８に対応するところで、第二周波数帯の第二ＲＦ信号に対して第四透過率を有する。第四透過率は第三透過率より大きい。図４５では、例示として、破線ａ１と破線ｂ１の間の範囲は第一予め設定された方向範囲とされ、破線ａ２と破線ｂ２の間の範囲は第二予め設定された方向範囲とされる。
【0095】
図４６を参照すると、図４６は、本出願の第八実施形態に係る電子デバイスの構造を示す概略図である。誘電体基板１１０は電子デバイス１の電池カバー３０を含む場合、電子デバイス１の電池カバー３０はリアプレート３１０と、リアプレート３１０の外縁から曲げられて延長されたフレーム３２０とを含む。第一アンテナモジュール２１０と第二アンテナモジュール２２０はいずれもリアプレート３１０に対応して配置されている。相応に、第一電波透過構造１２７と第二電波透過構造１２８はいずれもリアプレート３１０に対応して配置されている。
【0096】
図４７を参照すると、図４７は、本出願の第九実施形態に係る電子デバイスの構造を示す概略図である。本実施形態に係る電子デバイス１は第八実施形態に係る電子デバイス１と大体同じである。しかしながら、下記のところが違う。第九実施形態において、第一アンテナモジュール２１０と第二アンテナモジュール２２０はいずれもフレーム３２０に対応して配置されている。相応に、第一電波透過構造１２７と第二電波透過構造１２８はいずれもフレーム３２０に対応して配置されている。図４７では、例示として、第一電波透過構造１２７と第二電波透過構造１２８は対向して配置されている。
【0097】
図４８を参照すると、図４８は、本出願の第十実施形態に係る電子デバイスの構造を示す概略図である。第十実施形態に係る電子デバイス１は第八実施形態に係る電子デバイス１と大体同じである。しかしながら、下記のところが違う。第十実施形態において、第一アンテナモジュール２１０はリアプレート３１０に対応して配置されており、第二アンテナモジュール２２０はフレーム３２０に対応して配置されている。相応に、第一電波透過構造１２７はリアプレート３１０に対応して配置されており、第二電波透過構造１２８ははフレーム３２０に対応して配置されている。
【0098】
図４９を参照すると、図４９は、本出願の第十一実施形態に係る電子デバイスの構造を示す概略図である。誘電体基板１１０は電子デバイス１の画面４０を含む場合、画面４０は画面本体４１０と、画面本体４１０の外縁から曲げられて延長された延長部４２０とを含む。第一アンテナモジュール２１０と第二アンテナモジュール２２０はいずれも画面本体４１０に対応して配置されている。相応に、第一電波透過構造１２７と第二電波透過構造１２８はいずれも画面本体４１０に対応して配置されている。
【0099】
図５０を参照すると、図５０は、本出願の第十二実施形態に係る電子デバイスの構造を示す概略図である。第一アンテナモジュール２１０と第二アンテナモジュール２２０はいずれも延長部４２０に対応して配置されている。相応に、第一電波透過構造１２７と第二電波透過構造１２８はいずれも延長部４２０に対応して配置されている。
【0100】
図５１を参照すると、図５１は、本出願の第十三実施形態に係る電子デバイスの構造を示す概略図である。第一アンテナモジュール２１０は画面本体４１０に対応して配置されており、第二アンテナモジュール２２０は延長部４２０に対応して配置されている。相応に、第一電波透過構造１２７は画面本体４１０に対応して配置されており、第二電波透過構造１２８は延長部４２０に対応して配置されている。
【0101】
図５２を参照すると、図５２は、本出願の第十四実施形態に係る電子デバイスにおける画面の構造を示す概略図である。本実施形態において、誘電体基板１１０は電子デバイス１の画面４０を含む。画面４０は積層配置される表示パネル４３０及びカバープレート４４０を含む。電波透過構造１２０はカバープレート４４０の上に配置されている。
【0102】
画面４０は電子デバイス１における表示機能を実行するコンポーネントである。表示パネル４３０は、液晶ディスプレイであってもよく、有機発光ダイオード（ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ、ＯＬＥＤ）ディスプレイであってもよい。カバープレート４４０は表示パネル４３０の上に配置されており、表示パネル４３０を保護するために用いられる。本実施形態では、電波透過構造１２０はカバープレート４４０の上に配置されている。電波透過構造１２０は、表示パネル４３０に近いカバープレート４４０の表面に配置されてもよい。又は、電波透過構造１２０は、表示パネル４３０から遠いカバープレート４４０の表面に配置されてもよい。又は、電波透過構造１２０は、カバープレート４４０に埋め込まれてもよい。カバープレート４４０が独立なコンポーネントであるため、電波透過構造１２０はカバープレート４４０の上に配置されており、且つ電波透過構造１２０は、表示パネル４３０に近いカバープレート４４０の表面に配置されており、又は電波透過構造１２０は、表示パネル４３０から遠いカバープレート４４０の表面に配置されている場合、電波透過構造１２０とカバープレート４４０を結びつける難易度は下げられることができる。図５２では、例示として、電波透過構造１２０はカバープレート４４０の全部をカバーし、且つ電波透過構造１２０は、表示パネル４３０に近いカバープレート４４０の表面に直接に配置されている。
【0103】
さらに、表示パネル４３０はカラーフィルター基板４３１、アレイ基板４３３、及び液晶層４３２を含む。カラーフィルター基板４３１とアレイ基板４３３は隔てて対向配置されている。液晶層４３２はカラーフィルター基板４３１及びアレイ基板４３３の間に挟まれている。
【0104】
さらに、カラーフィルター基板４３１の上にカラーレジストユニット（ｃｏｌｏｒ ｒｅｓｉｓｔ ｕｎｉｔ）４３１ａがマトリクス状に配置されている。隣接するカラーレジストユニット４３１ａの間にブラックマトリクス（ｂｌａｃｋ ｍａｔｒｉｘ）４３１ｂが配置されている。電波透過構造１２０の少なくとも一部はブラックマトリクス４３１ｂに対応して配置されている。
【0105】
本実施形態において、電波透過構造１２０の少なくとも一部がブラックマトリクス４３１ｂに対応して配置されることにより、電波透過構造１２０の配置が表示パネル４３０の光透過率に与える影響を低減することができる。
【0106】
以上、本出願の実施形態を示し、説明したが、上記実施形態は例示的であり、本出願を限定するものであると理解されるべきではない。当業者であれば、本出願の範囲内で、上記実施形態を変更、修正、置換及び変形することができる。これらの改善と潤色も本出願の保護範囲に属すべきである。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【図32】
【図33】
【図34】
【図35】
【図36】
【図37】
【図38】
【図39】
【図40】
【図41】
【図42】
【図43】
【図44】
【図45】
【図46】
【図47】
【図48】
【図49】
【図50】
【図51】
【図52】