特許 7308253 表示装置と、これを利用したマルチスクリーン表示装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2023-07-05

(45)【発行日】2023-07-13

(54)【発明の名称】表示装置と、これを利用したマルチスクリーン表示装置

(51)【国際特許分類】

   G09F 9/30 20060101AFI20230706BHJP

   H10K 59/00 20230101ALI20230706BHJP

   H10K 50/00 20230101ALI20230706BHJP

【ＦＩ】

G09F9/30 330

G09F9/30 310

G09F9/30 309

G09F9/30 338

H10K59/00

H10K50/00

【請求項の数】 20

(21)【出願番号】P 2021202354

(22)【出願日】2021-12-14

(65)【公開番号】P2022096631

(43)【公開日】2022-06-29

【審査請求日】2021-12-14

(31)【優先権主張番号】10-2020-0177154

(32)【優先日】2020-12-17

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(73)【特許権者】

【識別番号】501426046

【氏名又は名称】エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド

(74)【代理人】

【識別番号】100094112

【弁理士】

【氏名又は名称】岡部 讓

(74)【代理人】

【識別番号】100106183

【弁理士】

【氏名又は名称】吉澤 弘司

(74)【代理人】

【識別番号】100114915

【弁理士】

【氏名又は名称】三村 治彦

(74)【代理人】

【識別番号】100125139

【弁理士】

【氏名又は名称】岡部 洋

(74)【代理人】

【識別番号】100209808

【弁理士】

【氏名又は名称】三宅 高志

(72)【発明者】

【氏名】張 永 仁

(72)【発明者】

【氏名】金 ▲キョン▼ ▲ミン▼

(72)【発明者】

【氏名】朴 恩 智

【審査官】新井 重雄

(56)【参考文献】

【文献】米国特許出願公開第２０１８／０１９０６３１（ＵＳ，Ａ１）

【文献】米国特許出願公開第２０２０／００１３８４６（ＵＳ，Ａ１）

【文献】米国特許出願公開第２０１６／０３０７９７１（ＵＳ，Ａ１）

【文献】中国特許出願公開第１１１４６２６４０（ＣＮ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｇ０９Ｆ ９／３０

Ｈ１０Ｋ ５０／００

Ｈ０５Ｂ ３３／０４

Ｈ０５Ｂ ３３／０６

Ｈ０５Ｂ ３３／２２

Ｈ０５Ｂ ３３／１２

Ｈ１０Ｋ ５９／００

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

最外側面を含む外面の中の少なくとも１つに隣接した縁部分を含む基板、
表示領域を定義する前記基板上の複数の画素、
前記複数の画素に結合された複数の信号ライン、
前記複数の画素のそれぞれに含まれた発光素子層、
前記発光素子層上の封止層、および
前記基板上の前記縁部分に延長され、前記基板の最外側面を少なくとも部分的に覆う複数のルーティングラインを含み、
前記複数のルーティングラインは、前記基板の前記縁部分に隣接し、前記封止層上にある、表示装置。

【請求項2】

前記基板の前記縁部分は、前記表示領域内に配置された、請求項１に記載の表示装置。

【請求項3】

前記封止層と前記複数のルーティングラインの中の少なくとも１つは、前記縁部分で互いに重畳する、請求項１に記載の表示装置。

【請求項4】

前記複数のルーティングラインの中の少なくとも１つは、前記基板の最外側面上にあり、前記基板の最外側面に接触する、請求項１に記載の表示装置。

【請求項5】

前記複数のルーティングラインの中の少なくとも１つは、前記基板の前記縁部分に配置された前記封止層を通過して延長された、請求項１に記載の表示装置。

【請求項6】

前記発光素子層を断絶させるために前記基板の前記縁部分にある断絶壁をさらに含み、
前記封止層は、前記断絶壁上にあり、
前記複数のルーティングラインの中の少なくとも１つは、前記封止層と前記断絶壁の内に延長された、請求項１に記載の表示装置。

【請求項7】

前記発光素子層を断絶させるために前記基板の前記縁部分にある断絶壁、および前記断絶壁に隣接した前記基板の前記縁部分にあるダム部をさらに含み、
前記ダム部は、前記断絶壁と異なる高さを有し、
前記複数のルーティングラインの中の少なくとも１つは、前記封止層と前記ダム部の内に延長された、請求項１に記載の表示装置。

【請求項8】

前記封止層は、
前記発光素子層と前記ダム部上に配置された第１封止層、および
前記第１封止層上に配置され、前記ダム部を超えて延長されない第２封止層を含み、
前記複数のルーティングラインは、前記第２封止層と重畳する、請求項７に記載の表示装置。

【請求項9】

前記複数のルーティングラインに隣接した複数の補助ラインをさらに含み、
前記複数の補助ラインは、前記断絶壁と重畳する第１金属層を含み、
前記第１金属層は、前記複数のルーティングラインと電気的に結合された、請求項６に記載の表示装置。

【請求項10】

前記複数の補助ラインは、前記第１金属層上にあり、前記断絶壁と重畳する第２金属層をさらに含み、
前記第２金属層は、前記複数のルーティングラインと電気的に結合された、請求項９に記載の表示装置。

【請求項11】

エッジに隣接した第１面を有する第１基板、
エッジに隣接しながら前記第１基板の前記第１面に隣接した第２面を有し、前記第１基板と対向する第２基板、
前記第１基板上の複数の画素、
前記複数の画素に結合された複数の信号ライン、
前記複数の画素と前記第１基板のエッジのそれぞれの上にある発光素子層、および
前記第１基板から延長された複数のルーティングラインを含み、
前記複数のルーティングラインの中の少なくとも１つは、前記第１基板と前記第２基板との間に電気的な連結を形成するために、前記第１基板の前記第１面と前記第２基板の前記第２面上に延長された、表示装置。

【請求項12】

表示領域を定義する前記第１基板上の複数の画素は、前記第１基板のエッジに延長された、請求項１１に記載の表示装置。

【請求項13】

前記発光素子層上にある封止層をさらに含み、
前記複数のルーティングラインは、前記第１基板のエッジに隣接し、前記封止層上にある、請求項１２に記載の表示装置。

【請求項14】

前記複数の画素の中の最外郭画素に隣接した前記第１基板上にあるコンタクトパターン部をさらに含み、
前記コンタクトパターン部は、前記複数の信号ラインと電気的に結合され、
前記複数のルーティングラインの中の少なくとも１つは、前記コンタクトパターン部と結合されるように、前記封止層を通過して延長された、請求項１３に記載の表示装置。

【請求項15】

前記発光素子層を断絶させるために前記第１基板のエッジに隣接した断絶壁をさらに含み、
前記断絶壁は、前記コンタクトパターン部上にあり、
前記複数のルーティングラインの中の少なくとも１つは、前記コンタクトパターン部と結合されるように、前記封止層と前記断絶壁を通過して延長された、請求項１４に記載の表示装置。

【請求項16】

前記断絶壁に隣接したダムをさらに含み、
前記ダムは、前記断絶壁と異なる高さを有し、
前記複数のルーティングラインの中の少なくとも１つは、前記コンタクトパターン部と結合されるように、前記封止層と前記ダムを通過して延長された、請求項１５に記載の表示装置。

【請求項17】

前記コンタクトパターン部上にある第１金属層をさらに含み、
前記第１金属層は、前記断絶壁および前記ダムのいずれかの位置に重畳し、
前記複数のルーティングラインの中の少なくとも１つは、前記第１金属層と結合されるように、前記封止層を通過して延長された、請求項１６に記載の表示装置。

【請求項18】

前記コンタクトパターン部上にある第２金属層をさらに含み、
前記第２金属層は、前記第１金属層上にあり、前記断絶壁および前記ダムのいずれかの位置に重畳し、
前記複数のルーティングラインの中の少なくとも１つは、前記第１及び第２金属層と結合されるように、前記封止層を通過して延長された、請求項１７に記載の表示装置。

【請求項19】

第１方向および前記第１方向を横切る第２方向の中の少なくとも１方向に沿って配置された複数の表示装置を含み、
前記複数の表示装置のそれぞれは、請求項１～１８のいずれか一項の表示装置を含む、マルチスクリーン表示装置。

【請求項20】

前記複数の表示装置のそれぞれにおいて、前記複数の画素は、前記第１方向および前記第２方向に沿って画素ピッチを有するように配置され、
前記画素ピッチは、前記第１方向および前記第２方向のそれぞれに沿って互いに隣接して２つの画素の中心部の間の距離であり、
前記第１方向および前記第２方向のそれぞれに沿って互いに隣接して第１表示装置と第２表示装置において、前記第１表示装置の最外郭画素の中心部と前記第２表示装置の最外郭画素の中心部との間の距離は、前記画素ピッチと同じか小さい、請求項１９に記載のマルチスクリーン表示装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本明細書は、発光表示装置と、これを利用したマルチスクリーン表示装置に関するものである。

【背景技術】

【0002】

発光表示装置は、自己発光型表示装置であり、液晶表示装置とは異なり、別途の光源を必要としないので軽量薄型に製造可能である。また、発光表示装置は、低電圧駆動により消費電力の面で有利であるのみならず、色相の実現、応答速度、視野角、コントラスト比にも優れるため、次世代表示装置として脚光を浴びている。

【0003】

発光表示装置は、２つの電極間に介在した発光層を含む発光素子層の発光を通じて映像を表示する。ここで、発光層での発光によって発生する光は、発光素子層の上部または下部を通って外部に放出され得る。

【0004】

発光表示装置は、映像を表示するように実現された表示パネルを含む。表示パネルは、画像を表示するための複数の画素を有する表示領域、および表示領域を囲むベゼル領域を含むことができる。

【0005】

従来の発光表示装置は、表示パネルの枠（または縁部分）に配置されたベゼル領域を隠すためのベゼル（または機構物）を必要とし、ベゼルの幅により、ベゼル幅（bezel width）が増加し得る。また、発光表示装置のベゼル幅が極限に減少する場合、水分の透湿による発光層の劣化により発光層の信頼性が低下し得る。

【0006】

最近では、発光表示装置をブロック状に配列して大画面を実現するマルチスクリーン表示装置が実用化されている。

【0007】

しかし、従来のマルチスクリーン表示装置は、複数の表示装置のそれぞれのベゼル領域またはベゼルにより、隣接する表示装置の間にシーム（seam）と呼ばれる境界部分が存在することになる。このような境界部分は、マルチスクリーン表示装置の画面全体に１つの映像を表示する際に、画像の断絶感（または不連続性）を与えるので映像の没入度を低下させる。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0008】

本明細書のいくつかの実施例は、水分の透湿による発光素子の信頼性の低下を防止することができる発光表示装置及びこれを含むマルチスクリーン表示装置を提供することを課題とする。

【0009】

本明細書のいくつかの実施例は、ゼロベゼルを有しながらも、水分の透湿による発光素子の信頼性の低下が防止することができる発光表示装置及びこれを含むマルチスクリーン表示装置を提供することを課題とする。

【0010】

本明細書のいくつかの実施例は、画面全体に１つの映像を表示する際、画像を断絶感なしに表示することができる表示装置及びこれを含むマルチスクリーン表示装置を提供することができる。

【0011】

本明細書の例による解決しようとする課題は、上記の課題に限定されず、言及されていないまた他の課題は、下記の記載内容から、本明細書の技術思想が属する技術分野で通常の知識を有する者に明確に理解され得るだろう。

【課題を解決するための手段】

【0012】

本明細書の実施例に係る表示装置は、最外側面を含む外面の中の少なくとも１つに隣接した縁部分を含む基板、表示領域を定義する基板上の複数の画素、複数の画素に結合された複数の信号ライン、複数の画素のそれぞれに含まれた発光素子層、発光素子層上の封止層、および基板上の縁部分に延長され、基板の最外側面を少なくとも部分的に覆う複数のルーティングラインを含む。

【0013】

本明細書の実施例によるマルチスクリーン表示装置は、第１方向および第１方向を横切る第２方向の中の少なくとも１方向に沿って配置された複数の表示装置を含み、複数の表示装置のそれぞれは、表示装置を含み、表示装置は、最外側面を含む外面の中の少なくとも１つに隣接した縁部分を含む基板、表示領域を定義する基板上の複数の画素、複数の画素に結合された複数の信号ライン、複数の画素のそれぞれに含まれた発光素子層、発光素子層上の封止層、および基板上の縁部分に延長され、基板の最外側面を少なくとも部分的に覆う複数のルーティングラインを含む。

【0014】

上述した課題の解決手段以外の本明細書の様々な形状に係る具体的な事項は、以下の記載内容及び図に含まれている。

【発明の効果】

【0015】

本明細書の実施例は、水分の透湿による発光素子の信頼性の低下を防止することができる発光表示装置及びこれを含むマルチスクリーン表示装置を提供することができる。

【0016】

本明細書の実施例は、ゼロベゼルを有しながらも、水分の透湿による発光素子の信頼性の低下を防止することができる発光表示装置及びこれを含むマルチスクリーン表示装置を提供することができる。

【0017】

上述した解決しようとする課題、課題解決手段、効果の内容は、特許請求の範囲の本質的な特徴を特定することはなく、請求の範囲の権利範囲は、発明の概要に記載された事項によって制限されない。

【図面の簡単な説明】

【0018】

【図1】本明細書の一実施例に係る発光表示装置を示す平面図である。

【図2】本明細書の一実施例に係る発光表示装置を示す側面図である。

【図3A】図１に示した一実施例による１つの画素を示す図である。

【図3B】図１に示した他の実施例に係る１つの画素を示す図である。

【図4】図１に示した「Ｂ１」部分の拡大図である。

【図5】図１および図４に示した１つの画素の等価回路図である。

【図6】図４に示した表示部内に実現されたゲート駆動回路を示す図である。

【図7】本明細書の一実施例に係る発光表示装置を示す背面斜視図である。

【図8】本明細書の他の実施例に係る発光表示装置を示す背面斜視図である。

【図9】本明細書の一実施例に係る画素駆動ラインとルーティング部の間の連結構造を説明するための図である。

【図10】図９に示した線Ｉ－Ｉ’の断面図である。

【図11】図１０に示した「Ｂ２」部分の拡大図である。

【図12】図１０に示した「Ｂ３」部分の拡大図である。

【図13】本明細書の他の実施例に係る画素駆動ラインとルーティング部の間の連結構造を説明するための図である。

【図14】図１３に示した「Ｂ４」部分の拡大図である。

【図15】図１４に示した線ＩＩ－ＩＩ’の断面図である。

【図16A】図１５に示した「Ｂ５」部分の拡大図である。

【図16B】本明細書の他の実施例に係る図１５に示した「Ｂ５」部分の拡大図である。

【図16C】本明細書のまた他の実施例に係る図１５に示した「Ｂ５」部分の拡大図である。

【図17】図１４に示した線ＩＩＩ－ＩＩＩ’の断面図である。

【図18】本明細書のまた他の実施例に係る画素駆動ラインとルーティング部及び補助ライン部との間の連結構造を説明するための図である。

【図19】図１８に示した線ＩＶ－ＩＶ’の断面図である。

【図20】図１８に示した線Ｖ－Ｖ’の断面図である。

【図21】図１８に示した線ＶＩ－ＶＩ’の断面図である。

【図22】図１８に示した線ＶＩＩ－ＶＩＩ’の断面図である。

【図23】本明細書のまた他の実施例に係る画素駆動ラインとルーティング部及び補助ライン部との間の連結構造を説明するための図である。

【図24】本明細書のまた他の実施例に係る画素駆動ラインとルーティング部及び補助ライン部との間の連結構造を説明するための図である。

【図25】図２４に示した「Ｂ６」部分の拡大図である。

【図26】図２５に示した線ＶＩＩＩ－ＶＩＩＩ’の断面図である。

【図27】本明細書のまた他の実施例による発光表示装置を説明するための図である。

【図28】図２７に示した線ＩＸ－ＩＸ’の断面図である。

【図29】図２８に示した「Ｂ７」部分の拡大図である。

【図30】本明細書のまた他の実施例による発光表示装置を説明するための図である。

【図31】図３０に示した線Ｘ－Ｘ’の断面図である。

【図32】図３１に示した「Ｂ８」部分の拡大図である。

【図33】本明細書の一実施例によるマルチスクリーン表示装置を示す図である。

【図34】図３３に示した線ＸＩ－ＸＩ’の断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0019】

本明細書の利点および特徴とそれらを達成する方法は、添付の図に基づいて詳細に後述する実施例を参照すれば明らかになるであろう。しかし、本明細書は以下で開示する実施例に限定されるものではなく、互いに異なる多様な形状で実現可能であり、本明細書の実施例等は、単に本明細書の開示を完全にし、本明細書の発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に知らせるために提供するものであり、本明細書の発明は、請求範囲の範疇によってのみ定義される。

【0020】

本明細書の実施例を説明するために図に開示した形状、大きさ、比率、角度、個数などは、例示的なものであって、本明細書が図に示した事項に限定されるものではない。明細書全体にわたって同一参照符号は、同一の構成要素を指す。また、本明細書を説明するにおいて、関連する公知技術に対する具体的な説明が本発明の要旨を不必要に曖昧にすると判断された場合、その詳細な説明は省略する。本明細書で言及した「含む」、「有する」、「からなる」などが使用される場合、「～だけ」が使用されていない限り、他の部分を追加することができる。構成要素を単数で表現した場合に特に明示的な記載事項がない限り、複数を含む場合を含む。

【0021】

構成要素の解釈において、別途の明示的な記載がなくても誤差範囲を含むものと解釈する。

【0022】

位置関係についての説明である場合、例えば、「～上に」、「～上部に」、「～下部に」、「～横に」などで２つの部分の位置関係が説明されている場合、「すぐに」または「直接」が使用されていない限り、二つの部分の間に１つ以上の他の部分が位置することもできる。

【0023】

時間の関係についての説明である場合、「～後に」、「～に続いて」、「～次に」、「～前に」などで時間的前後関係が説明されている場合、「すぐに」または「直接」が使用されていない以上、連続的でない場合も含むことができる。

【0024】

第１、第２などが多様な構成要素を記述するために使用されるが、このような構成要素はこのような用語によって制限されない。このような用語は、単に１つの構成要素を他の構成要素と区別するために使用されるものである。したがって、以下で言及される第１構成要素は、本発明の技術的思想内で第２構成要素であることもあり得る。

【0025】

本明細書の構成要素を説明するにあたって、第１、第２、Ａ、Ｂ、（ａ）、（ｂ）などの用語を用いることができる。このような用語は、その構成要素を他の構成要素と区別するためのもので、その用語によって、その構成要素の本質、順序、順番または個数などが限定されない。ある構成要素が他の構成要素に「連結」「結合」または「接続」すると記載した場合、その構成要素は、その他の構成要素に直接連結されるか、または接続し得るが、特に明示的な記載事項がない間接的に連結されるか、または接続し得る各構成要素の間に、他の構成要素が「介在」することもあり得ると理解されなければならない。

【0026】

「少なくとも１つ」は、連関した構成要素の１つ以上のすべての組み合わせを含むものと理解されなければならない。例えば、「第１、第２、および第３構成要素の中の少なくとも１つ」の意味は、第１、第２、または第３構成要素だけではなく、第１、第２、および第３構成要素の中から二つ以上のすべての構成要素の組み合わせを含むとすることができる。

【0027】

本明細書の多様な例のそれぞれの技術的特徴は、部分的に又は全体的に互いに結合又は組合せ可能であり、技術的に多様な連動および駆動が可能であり、各例が互いに対して独立的に実施することもでき、連関関係で一緒に実施することもできる。

【0028】

以下、添付した図及び実施例を介して本明細書の実施例を詳しく見ると、次の通りである。図に示した構成要素のスケールは、説明の便宜上、実際と異なるスケールを有するので、図に示したスケールに限定されない。

【0029】

図１は、本明細書の実施例に係る発光表示装置を示す平面図であり、図２は、本明細書の実施例に係る発光表示装置を示す側面図である。

【0030】

図１及び図２を参照すると、本明細書の実施例に係る発光表示装置（または発光表示パネル）１０は、表示部（ＡＡ）を有する基板１００、及び基板１００の表示部（ＡＡ）上に複数の画素（Ｐ）を含むことができる。

【0031】

基板１００は、第１基板、ベース基板、または画素アレイ基板で表現することができる。例えば、基板１００は、ガラス基板、曲がったり撓み得る薄型ガラス基板やプラスチック基板であり得る。

【0032】

本明細書の一実施例に係る基板１００は、第１面（エッジに隣接する）１００ａ、第２面１００ｂ、および外側面（ＯＳ）を含むことができる。基板１００の第１面１００ａは、発光表示装置の前面（または前方）に向かう前面（front surface）（またはフロント）、上面、または上部面と定義することができる。基板１００の第２面１００ｂは、発光表示装置の後面（または後方）に向かう後面（back surface）、背面（rear surface）、下面、または下部面と定義することができる。基板１００の外側面（ＯＳ）は、発光表示装置の側面（lateral surface）（または側方）に向きながら、空気中に露出する横面、側面または側壁と定義することができる

【0033】

表示部（ＡＡ）は、映像が表示される領域であり、活性部、活性領域、または表示領域で表現することもできる。表示部（ＡＡ）の大きさは、基板（または発光表示装置）１０の大きさと同じであり得る。例えば、表示部（ＡＡ）の大きさは、基板１００の第１面１００ａの全体の大きさと同じであり得る。これにより、表示部（ＡＡ）は、基板１００の前面全体に実現（または配置）されることにより、基板１００は、表示部（ＡＡ）全体を囲むように第１面１００ａの縁部分に沿って設けられる不透明な非表示領域を含まない。縁部分は、基板１００の外側面（ＯＳ）に隣接し、表示部（ＡＡ）内に配置され得る。したがって、発光表示装置の前面全体は、表示部（ＡＡ）を実現することができる。

【0034】

表示部（ＡＡ）の先端（または最外郭部または側面（lateral surface））（ＡＡａ）は、基板１００の外側面（ＯＳ）と重畳したり、基板１００の外側面（ＯＳ）に整列（align）され得る。例えば、表示部（ＡＡ）の先端（ＡＡａ）は、基板１００の外側面（ＯＳ）と実質的に同一平面上にあり得る。例えば、発光表示装置の厚さ方向（Ｚ）を基準に、表示部（ＡＡ）の先端（ＡＡａ）は、基板１００の外側面（ＯＳ）から垂直に延長した垂直延長線（ＶＬ）に配置され得る。表示部（ＡＡ）の側面（ＡＡａ）は、別途の機構物によって囲まれずに、ただ空気（ａｉｒ）によってのみ囲まれ得る。つまり、表示部（ＡＡ）のすべての側面（ＡＡａ）は、別途の機構物によって囲まれずに、空気（air）と直接接触する構造になり得る。したがって、表示部（ＡＡ）の先端（ＡＡａ）と該当する基板１００の外側面（ＯＳ）が空気によってのみ囲まれることで、本明細書に係る発光表示装置は、表示部（ＡＡ）の先端（ＡＡａ）（または側面）が不透明な非表示領域ではない空気（air）によって囲まれるエアベゼル（air-bezel）構造またはベゼルがない（またはゼロ化されたベゼル）構造を有することができる。

【0035】

複数の画素（Ｐ）は、基板１００の表示部（ＡＡ）に第１間隔（Ｄ１）に沿って配列（または配置）され得る。複数の画素（Ｐ）は、基板１００の表示部（ＡＡ）上に第１方向（Ｘ）と第２方向（Ｙ）のそれぞれに沿って、第１間隔（Ｄ１）を有するように配列（または配置）され得る。例えば、第１方向（Ｘ）は、第２方向（Ｙ）と交差することができる。第１方向（Ｘ）は、横方向または水平方向または基板１００または発光表示装置の第１長さ方向（例えば、横の長さ方向）であり得る。第２方向（Ｙ）は、縦方向または垂直方向、または基板１００または発光表示装置の第２長さ方向（例えば、縦の長さ方向）であり得る。

【0036】

複数の画素（Ｐ）のそれぞれは、基板１００の表示部（ＡＡ）上に定義された複数の画素領域上に実現され得る。複数の画素領域のそれぞれは、第１方向（Ｘ）と平行な第１長さ（Ｌ１）、及び第２方向（Ｙ）と平行な第２長さ（Ｌ２）を有することができる。第１長さ（Ｌ１）は、第２長さ（Ｌ２）と同一か、または第１間隔（Ｄ１）と同じであり得る。第１長さ（Ｌ１）と第２長さ（Ｌ２）は、第１間隔（Ｄ１）と同じであり得る。これにより、複数の画素（または画素領域）（Ｐ）は、すべて同じ大きさを有することができる。例えば、第１長さ（Ｌ１）は、第１幅、横の長さ、または横幅で表現することもできる。第２長さ（Ｌ２）は、第２幅、縦の長さ、または縦幅で表現することもできる。

【0037】

第１方向（Ｘ）と第２方向（Ｙ）のそれぞれに沿って隣接する２つの画素（Ｐ）は、製造工程上の誤差の範囲内で同じ第１間隔（Ｄ１）を有することができる。第１間隔（Ｄ１）は、隣接する２つの画素（Ｐ）の間のピッチ（pitch）（または画素ピッチ）であり得る。例えば、第１間隔（または画素ピッチ）（Ｄ１）は、隣接する２つの画素（Ｐ）のそれぞれの中心部の間の距離（または長さ）であり得る。例えば、第１間隔（または画素ピッチ）（Ｄ１）は、隣接する２つの画素（Ｐ）のそれぞれの中心部の間の最短距離（または最短の長さ）であり得る。

【0038】

複数の画素（Ｐ）のそれぞれは、基板１００上の画素領域に実現された画素回路を含む回路層、および回路層上に配置されて画素回路に連結された発光素子層を含むことができる。画素回路は、画素領域に配置された画素駆動ラインから供給されるデータ信号とスキャン信号に応答してデータ信号に該当するデータ電流を出力する。発光素子層は、画素回路から供給されるデータ電流によって発光する発光層を含むことができる。このような画素駆動ライン、画素回路、及び発光素子層については後述する。

【0039】

複数の画素（Ｐ）は、最外郭画素（Ｐｏ）および内部画素（Ｐｉ）に区分され得る。

【0040】

最外郭画素（Ｐｏ）は、複数の画素（Ｐ）のうち、基板１００の外側面（ＯＳ）に最も隣接して配置された画素であり得る。例えば、最外郭画素（Ｐｏ）は、第１画素で表現することもできる。

【0041】

最外郭画素（Ｐｏ）の中心部と基板１００の外側面（ＯＳ）の間の第２間隔（Ｄ２）は、第１間隔（Ｄ１）の半分または半分以下であり得る。例えば、第２間隔（Ｄ２）は、最外郭画素（Ｐｏ）の中心部と基板１００の外側面（ＯＳ）との間の最短距離（または最短の長さ）であり得る。

【0042】

第２間隔（Ｄ２）が第１間隔（Ｄ１）の半分を超えたとき、基板１００は、第１間隔（Ｄ１）の半分と第２間隔（Ｄ２）の差だけ、表示部（ＡＡ）より大きな大きさを有しなければならず、これにより、最外郭画素（Ｐｏ）の先端と基板１００の外側面（ＯＳ）との間の領域は、表示部（ＡＡ）全体を囲む非表示領域で構成され得る。例えば、第２間隔（Ｄ２）が第１間隔（Ｄ１）の半分を超えたとき、基板１００は、表示部（ＡＡ）全体を囲む非表示領域によるベゼル領域を必然的に含むことになる。これとは異なり、第２間隔（Ｄ２）が第１間隔（Ｄ１）の半分、または半分以下の場合、最外郭画素（Ｐｏ）の先端が基板１００の外側面（ＯＳ）に配置されるか、または表示部（ＡＡ）の先端（ＡＡａ）が、基板１００の外側面（ＯＳ）に配置され得、これによって、表示部（ＡＡ）は、基板１００の前面全体に実現（または配置）され得る。

【0043】

内部画素（Ｐｉ）は、複数の画素（Ｐ）の中の最外郭画素（Ｐｏ）を除いた残りの画素又は複数の画素（Ｐ）のうちで最外郭画素（Ｐｏ）によって囲まれる画素であり得る。内部画素（Ｐｉ）は、第２画素で表現され得る。このような内部画素（Ｐｉ）は、最外郭画素（Ｐｏ）と異なる構成または構造に実現され得る。

【0044】

本明細書の一実施例に係る発光表示装置１０は、断絶部１１５をさらに含むことができる。例えば、断絶部１１５は、断絶壁１１５のように表現することもできる。

【0045】

断絶部１１５は、基板１００の縁部分に沿って配置され得る。断絶部１１５は、基板１００の縁部分に閉ループ形状で実現され得る。例えば、図９は、断絶部１１５が閉ループ方式で基板１００の縁部分で基板１００を連続的に囲まれることを示している。断絶部１１５は、最外郭画素（Ｐｏ）に含まれたり、最外郭画素（Ｐｏ）の縁部分に配置され得る。例えば、断絶部１１５は、最外郭画素（Ｐｏ）の中心部と基板１００の外側面（ＯＳ）との間に配置され得る。最外郭画素（Ｐｏ）は、断絶部１１５を含むことにより、内部画素（Ｐｉ）と異なる構成または異なる構造に実現され得る。本明細書の実施例に係る発光表示装置１０は、断絶部１１５が最外郭画素の（Ｐｏ）に含まれたり、配置されることにより、ゼロベゼル構造（またはエアベゼル構造）を有することができ、これによって基板１００の前面全体が表示部（ＡＡ）として実現され得る。

【0046】

断絶部１１５は、基板１００の縁部分に形成される発光層を少なくとも１回断絶させ、これにより、基板１００の側面方向を伝播する側面透湿を遮断して側面透湿による発光層の劣化を防止したり、発光層の信頼性の低下を防止することができる。本明細書の一実施例に係る断絶部１１５は、互いに並んで配置された複数の断絶部を含むことができる。このような断絶部１１５については、後述する。

【0047】

本明細書の実施例に係る発光表示装置１０は、ダム部１１７、及び発光素子層とダム部１１７上に配置された封止層をさらに含むことができる。

【0048】

ダム部１１７は、基板１００の縁部分に沿って配置され得る。ダム部１１７は、基板１００の縁部分に閉ループ形状態で実現され得る。ダム部１１７は、最外郭画素（Ｐｏ）に含まれたり、最外郭画素（Ｐｏ）の縁部分に配置され得る。例えば、ダム部１１７は、最外郭画素（Ｐｏ）の中心部と基板１００の外側面（ＯＳ）との間に配置され得る。ダム部１１７は、断絶部１１５によって囲まれ得る。最外郭画素（Ｐｏ）は、ダム部１１７を含むことにより、内部画素（Ｐｉ）と異なる構成または異なる構造に実現され得る。本明細書の実施例に係る発光表示装置１０は、断絶部１１５とダム部１１７が最外郭画素の（Ｐｏ）に含まれたり、配置されることにより、ゼロベゼル構造（またはエアベゼル構造）を有することができり、これによって基板１００の前面全体が表示部（ＡＡ）として実現され得る。

【0049】

封止層は、発光素子層を囲むよう実現され得る。本明細書の一実施例に係る封止層は、発光素子層とダム部１１７上に配置された第１無機封止層（または第１封止層）、第１無機封止層上に配置された第２無機封止層（または第３封止層）、およびダム部１１７によって囲まれる発光素子層上に配置された第１封止層と第２封止層の間に介在した有機封止層（または第２封止層）を含むことができる。このような封止層については、後述する。

【0050】

ダム部１１７は、発光素子層の前面（または上面）を覆う有機封止層の配置領域（または形成領域）を定義したり、限定することができる。ダム部１１７は、有機封止層のオーバーフロー（over flow）を遮断したり、防止することができる。

【0051】

本明細書の一実施例に係る発光表示装置１０は、ルーティング部４００をさらに含むことができる。

【0052】

ルーティング部４００は、基板１００の縁部分の中の一側縁部分（または第１縁部分）と基板１００の一側面を包むか、または囲むように実現され得る。ルーティング部４００は、基板１００の一側縁部分に配置された最外郭画素（Ｐｏ）に含まれたり、基板１００の一側縁部分に配置された最外郭画素（Ｐｏ）の縁部分に配置され得る。基板１００の一側縁部分に配置された最外郭画素（Ｐｏ）は、ルーティング部４００を含むことにより、内部画素（Ｐｉ）と異なる構成または異なる構造に実現され得る。ルーティング部４００は、サイドルーティング部またはプリンティングライン部で表現することができる。

【0053】

ルーティング部４００は、基板１００の縁部分に配置された封止層と回路層を通過して画素（Ｐ）を駆動するための画素駆動ラインと電気的に連結され得る。本明細書の一実施例に係るルーティング部４００は、封止層と断絶部１１５および回路層を順に通過して画素駆動ラインと電気的に連結され得る。本明細書の一実施例に係るルーティング部４００は、封止層とダム部１１７および回路層を順に通過して画素駆動ラインと電気的に連結され得る。本明細書の一実施例に係るルーティング部４００は、封止層と断絶部１１５および回路層を順に通過して画素駆動ラインと電気的に連結されると同時に、封止層とダム部１１７および回路層を順に通過して、画素駆動ラインと電気的に連結され得る。このようなルーティング部４００については、後述する。

【0054】

本明細書の実施例に係る発光表示装置１０は、断絶部１１５とダム部１１７およびルーティング部４００が、最外郭画素（Ｐｏ）に含まれたり、配置されることにより、ゼロベゼル構造（またはエアベゼル構造）を有することができ、これによって、基板１００の前面全体が表示部（ＡＡ）として実現され得る。

【0055】

図３Ａは、図１に示した一実施例による１つの画素を示す図であり、図３Ｂは、図１に示した他の実施例に係る１つの画素を示す図である。

【0056】

図１及び図３Ａを参照すると、本明細書の一実施例に係る１つの画素（または単位画素）（Ｐ）は、画素領域（ＰＡ）に配置された第１～第４副画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３、ＳＰ４）を含むことができる。

【0057】

第１副画素（ＳＰ１）は、画素領域（ＰＡ）の第１副画素領域に配置され、第２副画素（ＳＰ２）は、画素領域（ＰＡ）の第２副画素領域に配置され、第３副画素（ＳＰ３）は、画素領域（ＰＡ）の第３副画素領域に配置され、第４副画素（ＳＰ４）は、画素領域（ＰＡ）の第４副画素領域に配置され得る。

【0058】

本明細書の一実施例として、第１副画素（ＳＰ１）は、第１色の光、第２副画素（ＳＰ２）は、第２色の光、第３副画素（ＳＰ３）は、第３色の光、及び第４副画素（ＳＰ４）は、第４色の光をそれぞれ放出するように実現され得る。第１～第４色のそれぞれは、のそれぞれ異なり得る。例えば、第１色は赤色、第２色は青色、第３色は白色、及び第４色は緑色であり得る。

【0059】

本明細書の他の実施例として、第１～第４色の中の一部は、同じであり得る。例えば、第１色は赤色、第２色は第１緑色、第３色は第２緑色、及び第４色は青色であり得る。

【0060】

第１～第４副画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３、ＳＰ４）のそれぞれは、発光領域（ＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３、ＥＡ４）および回路領域（ＣＡ１、ＣＡ２、ＣＡ３、ＣＡ４）を含むことができる。

【0061】

発光領域（ＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３、ＥＡ４）は、副画素領域内で画素（Ｐ）の中心部（ＣＰ）の方に偏って配置され得る。例えば、発光領域（ＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３、ＥＡ４）は、開口領域、開口部、または発光部で表現することができる。

【0062】

本明細書の一実施例に係る第１～第４副画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３、ＳＰ４）のそれぞれの発光領域（ＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３、ＥＡ４）は、互いに同じ大きさを有することができる。例えば、第１～第４副画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３、ＳＰ４）のそれぞれの発光領域（ＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３、ＥＡ４）は、均等クワッド構造または均等ストライプ構造を有することができる。例えば、均等クワッド構造または均等ストライプ構造を有する第１～第４副画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３、ＳＰ４）において、発光領域（ＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３、ＥＡ４）は、画素（Ｐ）の４等分の大きさよりも小さい大きさを有しながら副画素領域内で画素（Ｐ）の中心部（ＣＰ）の方に偏って配置されたり、画素（Ｐ）の中心部（ＣＰ）に集中して配置され得る。

【0063】

図１及び図３Ｂを参照すると、他の実施例に係る第１～第４副画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３、ＳＰ４）のそれぞれは、異なる大きさを有する非均等クワッド構造または非均等ストライプ構造を有することができる。例えば、第１～第４副画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３、ＳＰ４）のそれぞれの発光領域（ＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３、ＥＡ４）は、非均等クワッド構造または非均等ストライプ構造を有することができる。

【0064】

非均等クワッド構造（または非均等ストライプ構造）を有する第１～第４副画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３、ＳＰ４）のそれぞれの大きさは、解像度、発光効率、または画質などによって設定され得る。本明細書の一実施例として、発光領域（ＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３、ＥＡ４）が、非均等クワッド構造（または非均等ストライプ構造）を有するとき、第１～第４副画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３、ＳＰ４）のそれぞれの発光領域（ＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３、ＥＡ４）のうち、第４副画素（ＳＰ４）の発光領域（ＥＡ４）が最も小さい大きさを有することができ、第３副画素（ＳＰ３）の発光領域（ＥＡ３）が最も大きい大きさを有することができる。例えば、非均等クワッド構造（または非均等ストライプ構造）を有する発光領域（ＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３、ＥＡ４）は、画素（Ｐ）の中心部（ＣＰ）の周辺に集中して配置され得る。

【0065】

第１～第４副画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３、ＳＰ４）のそれぞれの回路領域（ＣＡ１、ＣＡ２、ＣＡ３、ＣＡ４）は、該当する発光領域（ＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３、ＥＡ４）の周辺に配置され得る。回路領域（ＣＡ１、ＣＡ２、ＣＡ３、ＣＡ４）は、該当する副画素を発光させるための回路と画素駆動ラインを含むことができる。例えば、回路領域（ＣＡ１、ＣＡ２、ＣＡ３、ＣＡ４）は、非発光領域、非開口領域、非発光部、非開口部、または周辺部で表現され得る。

【0066】

代替的に、発光領域（ＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３、ＥＡ４）の大きさに対応する副画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３、ＳＰ４）の開口率を増加させたり、画素（Ｐ）の高解像度化に伴い画素ピッチ（Ｄ１）を減少させるために、第１～第４副画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３、ＳＰ４）のそれぞれの発光領域（ＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３、ＥＡ４）は、回路領域（ＣＡ１、ＣＡ２、ＣＡ３、ＣＡ４）の一部または全体と重畳するよう回路領域（ＣＡ１、ＣＡ２、ＣＡ３、ＣＡ４）上に拡張され得る。例えば、第１～第４副画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３、ＳＰ４）のそれぞれの発光領域（ＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３、ＥＡ４）は、該当する回路領域（ＣＡ１、ＣＡ２、ＣＡ３、ＣＡ４）と重畳するように基板１００上に実現され得る。この場合、発光領域（ＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３、ＥＡ４）は、回路領域（ＣＡ１、ＣＡ２、ＣＡ３、ＣＡ４）と同じか、広い大きさを有することができる。

【0067】

代替的に、他の実施例に係る複数の画素（Ｐ）のそれぞれは、第１～第３副画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３）を含むことができる。

【0068】

第１～第３副画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３）のそれぞれの発光領域（ＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３）は、第１方向（Ｘ）と平行な短辺と第２方向（Ｙ）と平行な長辺を有する長方形の形状を有し、例えば、１×３形状または１×３ストライプ（stripe）形状で配置され得る。例えば、第１副画素（ＳＰ１）は赤色副画素、第２副画素（ＳＰ２）は青色副画素、及び第３副画素（ＳＰ３）は緑色副画素であり得る。

【0069】

図４は、図１に示した「Ｂ１」部分の拡大図であり、図５は、図１と図４に示した１つの画素の等価回路図である。

【0070】

図１、図４、及び図５を参照すると、本明細書の一実施例に係る基板１００は、画素駆動ライン（ＤＬ、ＧＬ、ＰＬ、ＣＶＬ、ＲＬ、ＧＣＬ）、複数の画素（Ｐ）、共通電極（ＣＥ）は、複数の共通電極連結部（ＣＥＣＰ）、コンタクトパターン部１１０、および断絶部１１５を含むことができる。

【0071】

画素駆動ライン（ＤＬ、ＧＬ、ＰＬ、ＣＶＬ、ＲＬ、ＧＣＬ）は、複数のデータライン（ＤＬ）、複数のゲートライン（ＧＬ）、複数の画素駆動電源ライン（ＰＬ）、複数の画素共通電圧ライン（ＣＶＬ）、複数のリファレンス電圧ライン（ＲＬ）、および複数のゲート制御ライン（ＧＣＬ）を含むことができる。

【0072】

複数のデータライン（ＤＬ）のそれぞれは、第２方向（Ｙ）に沿って長く延長され、第１方向（Ｘ）に沿ってあらかじめ定められた間隔を有するように、基板１００の表示部（ＡＡ）上に配置され得る。例えば、複数のデータライン（ＤＬ）の中で、奇数番目のデータライン（ＤＬｏ）は、第２方向（Ｙ）に沿って基板１００上に配列された複数の画素領域（ＰＡ）のそれぞれの第１縁部分に配置され得、偶数番目のデータライン（ＤＬｅ）は、第２方向（Ｙ）に沿って基板１００上に配列された複数の画素領域（ＰＡ）のそれぞれの第２縁部分に配置され得るが、これに限定されるものではない。

【0073】

複数のゲートライン（ＧＬ）のそれぞれは、第１方向（Ｘ）に沿って長く延長され、第２方向（Ｙ）に沿ってあらかじめ定められた間隔を有するように、基板１００の表示部（ＡＡ）上に配置され得る。例えば、複数のゲートライン（ＧＬ）の中で、奇数番目のゲートライン（ＧＬｏ）は、第１方向（Ｘ）に沿って基板１００上に配列された複数の画素領域（ＰＡ）のそれぞれの第３縁部分に配置され得、偶数番目のゲートライン（ＧＬｅ）は、第１方向（Ｘ）に沿って基板１００上に配列された複数の画素領域（ＰＡ）のそれぞれの第４縁部分に配置され得るが、これに限定されるものではない。

【0074】

複数の画素駆動電源ライン（ＰＬ）のそれぞれは、第２方向（Ｙ）に沿って長く延長され、第１方向（Ｘ）に沿ってあらかじめ定められた間隔を有するように、基板１００の表示部（ＡＡ）上に配置され得る。例えば、複数の画素駆動電源ライン（ＰＬ）の中で、奇数番目画素駆動電源ライン（ＰＬ）は、第１方向（Ｘ）に沿って、奇数番目の画素領域（ＰＡ）の第１縁部分に配置され得、偶数番目画素駆動電源ライン（ＰＬ）は、第１方向（Ｘ）を基準に、偶数番目の画素領域（ＰＡ）の第２縁部分に配置され得るが、これに限定されるものではない。

【0075】

複数の画素駆動電源ライン（ＰＬ）の中の隣接した２つの画素駆動電源ライン（ＰＬ）は、第２方向（Ｙ）に沿って配列された各画素領域（ＰＡ）に配置された複数の電源共有ライン（ＰＳＬ）を介して、互いに連結され得る。例えば、複数の画素駆動電源ライン（ＰＬ）は、複数の電源共有ライン（ＰＳＬ）によって互いに電気的に連結されることによって、はしご構造を有するか、メッシュ構造を有することができる。複数の画素駆動電源ライン（ＰＬ）が、はしご構造を有するか、メッシュ構造を有することにより、画素駆動電源ライン（ＰＬ）のライン抵抗による画素駆動電源の電圧降下（IR drop）が防止されるか最小限に抑えることができ、これにより、本例に係る発光表示装置は、表示部（ＡＡ）に配列された各画素（Ｐ）に供給される画素駆動電源の偏差に因る画質不良を防止したり最小化することができる。

【0076】

複数の電源共有ライン（ＰＳＬ）のそれぞれは、第１方向（Ｘ）と平行に隣接した画素駆動電源ライン（ＰＬ）から分岐され、各画素領域（ＰＡ）の中間領域に配置され得るが、これに限定されるわけではない。

【0077】

複数の画素共通電圧ライン（ＣＶＬ）のそれぞれは、第２方向（Ｙ）に沿って長く延長され、第１方向（Ｘ）に沿ってあらかじめ定められた間隔を有するように、基板１００の表示部（ＡＡ）上に配置され得る。例えば、複数の画素共通電圧ライン（ＣＶＬ）のそれぞれは、第１方向（Ｘ）を基準に、偶数番目の画素領域（ＰＡ）の第１縁部分に配置され得るが、これに限定されるものではない。

【0078】

複数のリファレンス電圧ライン（ＲＬ）のそれぞれは、第２方向（Ｙ）に沿って長く延長され、第１方向（Ｘ）に沿ってあらかじめ定められた間隔を有するように、基板１００の表示部（ＡＡ）上に配置され得る。複数のリファレンス電圧ライン（ＲＬ）のそれぞれは、第２方向（Ｙ）に沿って配列されている各画素領域（ＰＡ）の中心領域に配置され得るが、これに限定されるものではない。

【0079】

複数のリファレンス電圧ライン（ＲＬ）のそれぞれは、各画素領域（ＰＡ）で第１方向（Ｘ）に沿って隣接した２つの副画素（（ＳＰ１、ＳＰ２）（ＳＰ３、ＳＰ４））に共有され得る。このため、複数のリファレンス電圧ライン（ＲＬ）のそれぞれは、リファレンス分岐ライン（ＲＤＬ）を含むことができる。リファレンス分岐ライン（ＲＤＬ）は、各画素領域（ＰＡ）で第１方向（Ｘ）に沿って隣接した２つの副画素（（ＳＰ１、ＳＰ２）（ＳＰ３、ＳＰ４））の方に分岐（または突出）して、隣接した２つの副画素（（ＳＰ１、ＳＰ２）（ＳＰ３、ＳＰ４））に電気的に連結され得る。

【0080】

複数のゲート制御ライン（ＧＣＬ）のそれぞれは、第２方向（Ｙ）に沿って長く延長され、第１方向（Ｘ）に沿ってあらかじめ定められた間隔を有するように、基板１００の表示部（ＡＡ）上に配置され得る。例えば、複数のゲート制御ライン（ＧＣＬ）のそれぞれは、第１方向（Ｘ）を基準に、複数の画素領域（ＰＡ）間、または隣接した２つの画素領域（ＰＡ）間の境界部に配置され得る。

【0081】

複数の画素（Ｐ）のそれぞれは、少なくとも３つの副画素を含むことができる。例えば、複数の画素（Ｐ）のそれぞれは、第１～第４副画素（ＳＰ１～ＳＰ４）を含むことができる。

【0082】

第１～第４副画素（ＳＰ１～ＳＰ４）のそれぞれは、画素回路（ＰＣ）および発光素子層を含むことができる。

【0083】

本明細書の一実施例に係る画素回路（ＰＣ）は、画素領域（ＰＡ）の回路領域に配置され、隣接したゲートライン（ＧＬｏ、ＧＬｅ）とデータライン（ＤＬｏ、ＤＬｅ）、および画素駆動電源ライン（ＰＬ）に連結され得る。例えば、第１副画素（ＳＰ１）に配置された画素回路（ＰＣ）は、奇数番目のデータライン（ＤＬｏ）と奇数番目のゲートライン（ＧＬｏ）に連結され得、第２副画素（ＳＰ２）に配置された画素回路（ＰＣ）は、偶数番目のデータライン（ＤＬｅ）と奇数番目のゲートライン（ＧＬｏ）に連結され得、第３副画素（ＳＰ３）に配置された画素回路（ＰＣ）は、奇数番目のデータライン（ＤＬｏ）と偶数番目のゲートライン（ＧＬｅ）に連結され得、第４副画素（ＳＰ４）に配置された画素回路（ＰＣ）は、偶数番目のデータライン（ＤＬｅ）と偶数番目のゲートライン（ＧＬｅ）に連結され得る。

【0084】

第１～第４副画素（ＳＰ１～ＳＰ４）のそれぞれの画素回路（ＰＣ）は、該当するゲートライン（ＧＬｏ、ＧＬｅ）から供給されるスキャン信号に応答して、該当するデータライン（ＤＬｏ、ＤＬｅ）から供給されるデータ信号をサンプリングし、サンプリングしたデータ信号に基づいて、画素駆動電源ライン（ＰＬ）から発光素子層に流れる電流を制御することができる。

【0085】

本明細書の一実施例に係る画素回路（ＰＣ）は、第１スイッチング薄膜トランジスタ（Ｔｓｗ１）、第２スイッチング薄膜トランジスタ（Ｔｓｗ２）、駆動薄膜トランジスタ（Ｔｄｒ）、およびストレージキャパシタ（Ｃｓｔ）を含むことができ、これに限定されるものではない。以下の説明では、薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor）を「ＴＦＴ」と称することにする。

【0086】

第１スイッチングＴＦＴ（Ｔｓｗ１）は、隣接したゲートライン（ＧＬｏ、ＧＬｅ）に接続したゲート電極、隣接したデータライン（ＤＬｏ、ＤＬｅ）に接続した第１ソース／ドレイン電極、及び駆動ＴＦＴ（Ｔｄｒ）のゲートノード（ｎ１）に接続した第２ソース／ドレイン電極を含むことができる。このような第１スイッチングＴＦＴ（Ｔｓｗ１）は、該当するゲートライン（ＧＬｏ）に供給される第１スキャン信号によって該当するデータライン（ＤＬ）から供給されるデータ電圧を駆動ＴＦＴ（Ｔｄｒ）のゲートノード（ｎ１）に供給することができる。一例によると、第１副画素（ＳＰ１）と第２副画素（ＳＰ２）のそれぞれの画素回路（ＰＣ）に配置された第１スイッチングＴＦＴ（Ｔｓｗ１）のゲート電極は、奇数番目のゲートライン（ＧＬｏ）に連結され得、第３副画素（ＳＰ３）と第４副画素（ＳＰ４）のそれぞれの画素回路（ＰＣ）に配置された第１スイッチングＴＦＴ（Ｔｓｗ１）のゲート電極は、偶数番目のゲートライン（ＧＬｏ）に連結され得る。第１副画素（ＳＰ１）と第３副画素（ＳＰ３）のそれぞれの画素回路（ＰＣ）に配置された第１スイッチングＴＦＴ（Ｔｓｗ１）の第１ソース／ドレイン電極は、奇数番目のデータライン（ＤＬｏ）に連結され得、第２副画素（ＳＰ２）と第４副画素（ＳＰ４）のそれぞれの画素回路（ＰＣ）に配置された第１スイッチングＴＦＴ（Ｔｓｗ１）の第１ソース／ドレイン電極は、偶数番目のデータライン（ＤＬｅ）に連結され得る。

【0087】

第２スイッチングＴＦＴ（Ｔｓｗ２）は、隣接したゲートライン（ＧＬｏ、ＧＬｅ）に接続したゲートノード、駆動ＴＦＴ（Ｔｄｒ）のソースノード（ｎ２）に接続した第１ソース／ドレイン電極、および隣接したリファレンス電圧ライン（ＲＬ）に接続した第２ソース／ドレイン電極を含むことができる。このような第２スイッチングＴＦＴ（Ｔｓｗ２）は、偶数番目のゲートライン（ＧＬｅ）に供給される第２スキャン信号によってリファレンス電圧ライン（ＲＬ）に供給されるリファレンス電圧を駆動ＴＦＴ（Ｔｄｒ）のソースノード（ｎ２）に供給ことができる。一例によると、第１副画素（ＳＰ１）と第２副画素（ＳＰ２）のそれぞれの画素回路（ＰＣ）に配置された第２スイッチングＴＦＴ（Ｔｓｗ２）のゲート電極は、奇数番目のゲートライン（ＧＬｏ）に連結され得、第３副画素（ＳＰ３）と第４副画素（ＳＰ４）のそれぞれの画素回路（ＰＣ）に配置された第２スイッチングＴＦＴ（Ｔｓｗ２）のゲート電極は、偶数番目のゲートライン（ＧＬｏ）に連結され得る。第１～第４副画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３、ＳＰ４）のそれぞれの画素回路（ＰＣ）に配置された第２スイッチングＴＦＴ（Ｔｓｗ２）の第２ソース／ドレイン電極は、リファレンス分岐ライン（ＲＤＬ）を介して、隣接したリファレンス電圧ライン（ＲＬ）に共通して連結され得る。

【0088】

ストレージキャパシタ（Ｃｓｔ）は、駆動ＴＦＴ（Ｔｄｒ）のゲートノード（ｎ１）とソースノード（ｎ２）の間に形成され得る。本明細書の一実施例に係るストレージキャパシタ（Ｃｓｔ）は、駆動ＴＦＴ（Ｔｄｒ）のゲートノード（ｎ１）に連結された第１キャパシタ電極、駆動ＴＦＴ（Ｔｄｒ）のソースノード（ｎ２）に連結された第２キャパシタ電極、及び第１キャパシタ電極と第２キャパシタ電極の重畳領域に形成された誘電体層を含むことができる。このようなストレージキャパシタ（Ｃｓｔ）は、駆動ＴＦＴ（Ｔｄｒ）のゲートノード（ｎ１）とソースノード（ｎ２）の間の差電圧を充電した後、充電した電圧によって駆動ＴＦＴ（Ｔｄｒ）をスイッチングさせる。

【0089】

駆動薄膜トランジスタ（Ｔｄｒ）は、第１スイッチングＴＦＴ（Ｔｓｗ１）の第２ソード／ドレイン電極とストレージキャパシタ（Ｃｓｔ）の第１キャパシタ電極に共通に接続したゲート電極（またはゲートノード（ｎ１））、第２スイッチングＴＦＴ（Ｔｓｗ２）の第１ソード／ドレイン電極とストレージキャパシタ（Ｃｓｔ）の第２キャパシタ電極および発光素子層の画素電極（ＰＥ）に共通して連結された第１ソース／ドレイン電極（またはソースノード（ｎ２））、および隣接した画素駆動電源ライン（ＰＬ）に連結された第２ソース／ドレイン電極（またはドレインノード）を含むことができる。このような駆動ＴＦＴ（Ｔｄｒ）は、ストレージキャパシタ（Ｃｓｔ）の電圧によってターンオンすることにより、画素駆動電源ライン（ＰＬ）から発光素子層に流れる電流量を制御することができる。

【0090】

本明細書の他の実施例に係る第１～第４副画素（ＳＰ１～ＳＰ４）のそれぞれの画素回路（ＰＣ）は、半導体製造工程によって画素駆動チップの形状で実現され、該当する画素領域（ＰＡ）の回路領域に配置されて隣接したゲートライン（ＧＬｏ、ＧＬｅ）とデータライン（ＤＬｏ、ＤＬｅ）、および画素駆動電源ライン（ＰＬ）に連結され得る。例えば、画素駆動チップは、最小単位のマイクロチップ（microchip）または１つのチップセット（chip set）とし、２つ以上のトランジスタと１つ以上のキャパシタを有する１つの微細な大きさを有する半導体パッケージ素子であり得る。このような画素駆動チップは、該当するゲートライン（ＧＬｏ、ＧＬｅ）から供給されるスキャン信号に応答して、該当するデータライン（ＤＬｏ、ＤＬｅ）から供給されるデータ信号をサンプリングし、サンプリングしたデータ信号に基づいて、画素駆動電源ライン（ＰＬ）から発光素子層に流れる電流を制御することができる。

【0091】

発光素子層は、画素領域（ＰＡ）の発光領域（ＥＡ）に配置されて画素回路（ＰＣ）と電気的に連結され得る。本明細書の一実施例に係る発光素子層は、画素回路（ＰＣ）と電気的に連結された画素電極（ＰＥ）、画素共通電圧ライン（ＣＶＬ）に電気的に連結された共通電極（ＣＥ）、および画素電極（ＰＥ）と共通電極（ＣＥ）の間に介在した発光層（ＥＬ）を含むことができる。

【0092】

本明細書の一実施例に係る発光層（ＥＬ）は、少なくとも１つの有機発光層を含むことができる。発光層（ＥＬ）は、有機発光層に正孔を提供する正孔機能層、および有機発光層に電子を提供する電子機能層をさらに含むことができる。このような発光層（ＥＬ）は、画素回路（ＰＣ）から供給されるデータ電流によって発光して、データ電流に対応する輝度の光を放出することができる。

【0093】

共通電極（ＣＥ）は、基板１００の表示部（ＡＡ）上に配置され、複数の画素（Ｐ）のそれぞれの発光層（ＥＬ）と電気的に連結され得る。例えば、共通電極（ＣＥ）は、基板１００に配置されたコンタクトパターン部１１０を除いた残りの基板１００の表示部（ＡＡ）上に配置され得る。

【0094】

複数の共通電極連結部（ＣＥＣＰ）のそれぞれは、複数の画素共通電圧ライン（ＣＶＬ）のそれぞれと重畳する複数の画素（Ｐ）の間で、共通電極（ＣＥ）を複数の画素共通電圧ライン（ＣＶＬ）のそれぞれに電気的に連結させる。本明細書の一実施例に係る複数の共通電極連結部（ＣＥＣＰ）のそれぞれは、第２方向（Ｙ）を基準に、複数の画素（Ｐ）間、または複数の画素間の境界部で複数の画素共通電圧ライン（ＣＶＬ）のそれぞれと電気的に連結され、共通電極（ＣＥ）の一部と電気的に連結されることで、共通電極（ＣＥ）を複数の画素共通電圧ライン（ＣＶＬ）のそれぞれと電気的に連結させることができる。

【0095】

複数の共通電極連結部（ＣＥＣＰ）のそれぞれは、複数の画素（Ｐ）間毎に配置され、複数の画素共通電圧ライン（ＣＶＬ）のそれぞれと共通電極（ＣＥ）を電気的に連結することにより、共通電極（ＣＥ）の面抵抗による画素共通電圧の電圧降下（IR drop）を防止したり、最小限に抑えることができ、これによって本例に係る発光表示装置は、表示部（ＡＡ）に配列された各画素（Ｐ）に供給される画素共通電圧の偏差に因る画質不良を防止したり最小化することができる。

【0096】

本明細書の一実施例によると、複数の共通電極連結部（ＣＥＣＰ）のそれぞれは、複数の画素共通電圧ライン（ＣＶＬ）のそれぞれと電気的に連結されるように、少なくとも２層構造からなる画素電極（ＰＥ）と一緒に形成され得る。複数の共通電極連結部（ＣＥＣＰ）のそれぞれは、「（」または「＜」形状の断面構造を有するサイドコンタクト構造を介して共通電極（ＣＥ）と電気的に連結され得る。例えば、複数の共通電極連結部（ＣＥＣＰ）のそれぞれが、第１および第２金属層からなるとき、複数の共通電極連結部（ＣＥＣＰ）のそれぞれは、第１および第２金属層間のエッチング速度によって、第１金属層の側面に形成されるアンダーカット構造またはテーパー構造に対応するサイドコンタクト構造を有することができる。例えば、複数の共通電極連結部（ＣＥＣＰ）のそれぞれが、第１～第３金属層からなるとき、複数の共通電極連結部（ＣＥＣＰ）のそれぞれは、第１～第３金属層間のエッチング速度によって、第１金属層と第２金属層の側面に形成されるアンダーカット構造またはテーパー構造に対応するサイドコンタクト構造を有することができる。

【0097】

コンタクトパターン部１１０は、第１方向（Ｘ）と平行な基板１００の第１面のうち、第１縁部分（または一側縁部分）に配置され得る。コンタクトパターン部１１０は、基板１００の第１縁部分に配置されている最外郭画素領域（ＰＡｏ）内に含まれる（または配置される）ことにより、基板１００上には、コンタクトパターン部１１０による非表示領域（またはベゼル領域）が形成されないか、または存在しない。例えば、コンタクトパターン部１１０は、基板１００の第１縁部分に配置されている最外郭画素領域（ＰＡｏ）の第３縁部分に配置され得る。

【0098】

コンタクトパターン部１１０は、回路層１１１に配置され、画素駆動ライン（ＤＬ、ＧＬ、ＰＬ、ＣＶＬ、ＲＬ、ＧＣＬ）に連結されたコンタクトパターン（ＰＣＰ、ＤＣＰ、ＲＣＰ、ＧＣＰ、ＣＣＰ）を含むことができる。コンタクトパターン部１１０は、基板１００の第１縁部分上に第１方向（Ｘ）に沿って、回路層１１１に互いに並んで配置されたコンタクトパターン（ＰＣＰ、ＤＣＰ、ＲＣＰ、ＧＣＰ、ＣＣＰ）を含むことができる。本明細書の一実施例に係るコンタクトパターン部１１０は、５種類のコンタクトパターン（ＰＣＰ、ＤＣＰ、ＲＣＰ、ＧＣＰ、ＣＣＰ）を含むことができる。コンタクトパターン部１１０は、データコンタクトパターン（ＤＣＰ）、画素駆動電源コンタクトパターン（ＰＣＰ）、画素共通電圧コンタクトパターン（ＣＣＰ）、リファレンス電圧コンタクトパターン（ＲＣＰ）、およびゲートコンタクトパターン（ＧＣＰ）を含むことができるが、これに限定されるものではない。

【0099】

データコンタクトパターン（ＤＣＰ）は、データ信号を受信するためのもので、第１コンタクトパターンであり得る。本明細書の一実施例に係るデータのコンタクトパターン（ＤＣＰ）のそれぞれは、データライン（ＤＬ）と同じ層に配置され、基板１００の一側縁部分に位置したデータライン（ＤＬ）のそれぞれの先端から相対的に広い幅を有するように、基板１００の外側面（ＯＳ）の方に延長（または拡張）され得る。本明細書の他の実施例に係るデータのコンタクトパターン（ＤＣＰ）のそれぞれは、基板１００の一側縁部分に位置したデータライン（ＤＬ）のそれぞれの先端と重畳するようデータライン（ＤＬ）の下層に相対的に広い幅を有するように配置され、内部コンタクトホールを介してデータライン（ＤＬ）のそれぞれの先端と電気的に連結され得る。

【0100】

画素駆動電源コンタクトパターン（ＰＣＰ）は、画素駆動電源を受信するためのものであり、第２コンタクトパターンであり得る。本明細書の一実施例に係る画素駆動電源コンタクトパターン（ＰＣＰ）のそれぞれは、画素駆動電源ライン（ＰＬ）と同じ層に配置され、基板１００の一側縁部分に位置した画素駆動電源ライン（ＰＬ）のそれぞれの先端から相対的に広い幅を有するように、基板１００の外側面（ＯＳ）の方に延長（または拡張）され得る。本明細書の他の実施例に係る画素駆動電源コンタクトパターン（ＰＣＰ）のそれぞれは、基板１００の一側縁部分に位置した画素駆動電源ライン（ＰＬ）のそれぞれの先端と重畳するように画素駆動電源ライン（ＰＬ）の下層に相対的に広い幅を有するように配置され、内部コンタクトホールを介して画素駆動電源ライン（ＰＬ）のそれぞれの先端と電気的に連結され得る。

【0101】

画素共通電圧コンタクトパターン（ＣＣＰ）は、画素共通電圧を受信するためのものであり、第３コンタクトパターンであり得る。本明細書の一実施例に係る画素共通電圧コンタクトパターン（ＣＣＰ）のそれぞれは、画素の共通電圧ライン（ＣＶＬ）と同じ層に配置され、基板１００の一側縁部分に位置した画素の共通電圧ライン（ＣＶＬ）のそれぞれの先端から相対的に広い幅を有するように、基板１００の外側面（ＯＳ）の方に延長（または拡張）され得る。本明細書の他の実施例に係る画素共通電圧コンタクトパターン（ＣＣＰ）のそれぞれは、基板１００の一側縁部分に位置した画素共通電圧ライン（ＣＶＬ）のそれぞれの先端と重畳するように画素共通電圧ライン（ＣＶＬ）の下層に相対的に広い幅を有するように配置され、内部コンタクトホールを介して画素共通電圧ライン（ＣＶＬ）のそれぞれの先端と電気的に連結され得る。

【0102】

リファレンス電圧コンタクトパターン（ＲＣＰ）は、リファレンス電圧を受信するためのものであり、第４コンタクトパターンであり得る。本明細書の一実施例に係るリファレンス電圧コンタクトパターン（ＲＣＰ）のそれぞれは、リファレンス電圧ライン（ＲＬ）と同じ層に配置され、基板１００の一側縁部分に位置したリファレンス電圧ライン（ＲＬ）のそれぞれの先端から相対的に広い幅を有するように、基板１００の外側面（ＯＳ）の方に延長（または拡張）され得る。本明細書の他の実施例に係るリファレンス電圧コンタクトパターン（ＲＣＰ）のそれぞれは、基板１００の一側縁部分に位置したリファレンス電圧ライン（ＲＬ）のそれぞれの先端と重畳するようにリファレンス電圧ライン（ＲＬ）の下層に相対的に広い幅を有するように配置され、内部コンタクトホールを介してリファレンス電圧ライン（ＲＬ）のそれぞれの先端と電気的に連結され得る。

【0103】

ゲートコンタクトパターン（ＧＣＰ）は、ゲート制御信号を受信するためのものであり、第５コンタクトパターンであり得る。本明細書の一実施例に係るゲートコンタクトパターン（ＧＣＰ）のそれぞれは、ゲート制御ライン（ＧＣＬ）と同じ層に配置され、基板１００の一側縁部分に位置したゲート制御ライン（ＧＣＬ）のそれぞれの先端から相対的に広い幅を有するように、基板１００の外側面（ＯＳ）の方に延長（または拡張）され得る。本明細書の他の実施例に係るゲートコンタクトパターン（ＧＣＰ）のそれぞれは、基板１００の一側縁部分に位置したゲート制御ライン（ＧＣＬ）のそれぞれの先端と重畳するようゲート制御ライン（ＧＣＬ）の下層に相対的に広い幅を有するように配置され、内部コンタクトホールを介してゲート制御ライン（ＧＣＬ）のそれぞれの先端と電気的に連結され得る。

【0104】

本明細書の一実施例に係るコンタクトパターン部１１０は、複数のコンタクトパターングループ（ＣＰＧ）を含むことができる。複数のコンタクトパターングループ（ＣＰＧ）の中の２以上のコンタクトパターングループ（ＣＰＧ）は、少なくとも１つのデータコンタクトパターンと、少なくとも１つのゲートコンタクトパターンを含むことができる。

【0105】

本明細書の一実施例によると、コンタクトパターン部１１０は、第１コンタクトパターングループ（ＣＰＧ１）及び第２コンタクトパターングループ（ＣＰＧ２）を含むことができる。

【0106】

第１コンタクトパターングループ（ＣＰＧ１）は、第１方向（Ｘ）に沿って配置されている最外郭画素（Ｐｏ）の奇数番目の最外郭画素に配置され得る。例えば、第１コンタクトパターングループ（ＣＰＧ１）は、１つの画素駆動電源コンタクトパターン（ＰＣＰ）、２つのデータコンタクトパターン（ＤＣＰ）、１つのリファレンス電圧コンタクトパターン（ＲＣＰ）、および１つのゲートコンタクトパターン（ＧＣＰ）を含むことができる。例えば、第１コンタクトパターングループ（ＣＰＧ１）に属したコンタクトパターン（ＰＣＰ、ＤＣＰ、ＲＣＰ、ＧＣＰ）は、第１方向（Ｘ）に沿って画素駆動電源コンタクトパターン（ＰＣＰ）、データコンタクトパターン（ＤＣＰ）、リファレンス電圧コンタクトパターン（ＲＣＰ）、データコンタクトパターン（ＤＣＰ）、およびゲートコンタクトパターン（ＧＣＰ）の順で配置され得るが、これに限定されるものではない。

【0107】

第２コンタクトパターングループ（ＣＰＧ２）は、第１方向（Ｘ）に沿って配置されている最外郭画素（Ｐｏ）の偶数番目の最外郭画素に配置することができる。例えば、第２コンタクトパターングループ（ＣＰＧ２）は、１つの画素駆動電源コンタクトパターン（ＰＣＰ）、２つのデータコンタクトパターン（ＤＣＰ）、１つのリファレンス電圧コンタクトパターン（ＲＣＰ）、および１つの画素共通電圧コンタクトパターン（ＣＣＰ）を含むことができる。例えば、第２コンタクトパターングループ（ＣＰＧ２）に属したコンタクトパターン（ＰＣＰ、ＤＣＰ、ＲＣＰ、ＣＣＰ）は、第１方向（Ｘ）に沿って画素共通電圧コンタクトパターン（ＣＣＰ）、データコンタクトパターン（ＤＣＰ）、リファレンス電圧コンタクトパターン（ＲＣＰ）、データコンタクトパターン（ＤＣＰ）、および画素共通電圧コンタクトパターン（ＣＣＰ）の順で配置され得る、これに限定されるものではない。

【0108】

本明細書の一実施例に係る基板１００は、複数の画素共通電源補助ライン（ＣＳＰＬ）および複数の画素共通補助ライン連結部（ＳＬＣＰ）をさらに含むことができる。

【0109】

複数の画素共通電源補助ライン（ＣＳＰＬ）のそれぞれは、第２方向（Ｙ）に沿って長く延長され、複数の画素共通電圧ライン（ＣＶＬ）のそれぞれに隣接して配置され得る。複数の画素共通電源補助ライン（ＣＳＰＬ）のそれぞれは、画素共通電圧コンタクトパターン（ＣＣＰ）と電気的に連結されず、隣接した画素共通電圧ライン（ＣＶＬ）に電気的に連結されることで、隣接した画素共通電圧ライン（ＣＶＬ）から画素共通電圧の供給を受けることができる。そのため、本明細書に係る基板１００は、互いに隣接した画素共通電圧ライン（ＣＶＬ）と画素共通電源補助ライン（ＣＳＰＬ）を電気的に連結する複数のライン連結パターン（ＬＣＰ）をさらに含むことができる。

【0110】

複数のライン連結パターン（ＬＣＰ）のそれぞれは、互いに隣接した画素共通電圧ライン（ＣＶＬ）と画素共通電源補助ライン（ＣＳＰＬ）を交差するように、基板１００上に配置され、ラインジャンピング構造を介して互いに隣接した画素共通電圧ライン（ＣＶＬ）と画素共通電源補助ライン（ＣＳＰＬ）を電気的に連結することができる。例えば、複数のライン連結パターン（ＬＣＰ）のそれぞれの一側は、画素共通電源補助ライン（ＣＳＰＬ）上の絶縁層に形成された第１ラインコンタクトホールを介して画素共通電源補助ライン（ＣＳＰＬ）の一部と電気的に連結され、複数のライン連結パターン（ＬＣＰ）のそれぞれの他側は、画素共通電圧ライン（ＣＶＬ）上の絶縁層に形成された第２ラインコンタクトホールを介して画素共通電圧ライン（ＣＶＬ）の一部と電気的に連結され得る。

【0111】

複数の画素共通補助ライン連結部（ＳＬＣＰ）のそれぞれは、複数の画素共通電源補助ライン（ＣＳＰＬ）のそれぞれと重畳する複数の画素（Ｐ）間で共通電極（ＣＥ）を、複数の画素共通電源補助ライン（ＣＳＰＬ）のそれぞれに電気的に連結させる。本明細書の一実施例に係る複数の画素共通補助ライン連結部（ＳＬＣＰ）のそれぞれは、第２方向（Ｙ）を基準に、複数の画素（Ｐ）間、または複数の画素間の境界部で複数の画素共通電源補助ライン（ＣＳＰＬ）のそれぞれと電気的に連結され、共通電極（ＣＥ）の一部と電気的に連結されることで、共通電極（ＣＥ）を複数の画素共通電源補助ライン（ＣＳＰＬ）のそれぞれと電気的に連結させることができる。これにより、共通電極（ＣＥ）は、複数の画素共通補助ライン連結部（ＳＬＣＰ）を介して、複数の画素共通電源補助ライン（ＣＳＰＬ）のそれぞれに追加で連結され得る。これにより、本例に係る発光表示装置は、表示部（ＡＡ）に配列された各画素の（Ｐ）に供給される画素共通電圧の偏差に因る画質不良をさらに防止したり、さらに最小化することができる。そして、本例に係る発光表示装置は、複数の画素共通電源補助ライン（ＣＳＰＬ）のそれぞれに連結される画素共通電圧コンタクトパターン（ＣＣＰ）を追加で配置（または形成）しなくても、画素共通電圧ライン（ＣＶＬ）と複数のライン連結パターン（ＬＣＰ）のそれぞれを介して、複数の画素共通電源補助ライン（ＣＳＰＬ）のそれぞれに画素共通電圧を供給することができる。

【0112】

断絶部１１５は、基板１００の第１領域を囲む第２領域に配置され得る。例えば、基板１００の第２領域は、基板１００の縁部分または最外郭画素（Ｐｏ）の縁部分であり得る。基板１００の第１領域は、第２領域を除いた残りの部分であり得る。断絶部１１５は、基板１００の縁部分に閉ループ形状で実現され得る。本明細書の一実施例によると、断絶部１１５は、コンタクトパターン部１１０上に配置され得る。例えば、断絶部１１５は、第１方向（Ｘ）に沿ってコンタクトパターン部１１０のコンタクトパターン（ＰＣＰ、ＤＣＰ、ＲＣＰ、ＧＣＰ、ＣＣＰ）を横切るように配置され得る。

【0113】

断絶部１１５は、基板１００の縁部分に沿って配置された最外郭画素（Ｐｏ）内で発光層（ＥＬ）を少なくとも１回断絶（または分離）させるように実現され得る。断絶部１１５は、基板１００の縁部分に形成される発光層を少なくとも１回断絶させ、これにより、基板１００の側面方向を伝播する側面透湿を遮断して側面透湿による発光層の劣化を防止したり、発光層の信頼性の低下を防止することができる。本明細書の一実施例に係る断絶部１１５は、互いに並んで配置された複数の断絶パターン部を含むことができる。例えば、断絶部１１５は、互いに並んで配置された少なくとも３つの断絶パターン部を含むことができる。

【0114】

本明細書の一実施例に係る基板１００は、ダム部１１７をさらに含むことができる。

【0115】

ダム部１１７は、基板１００の縁部分に沿って配置され得る。ダム部１１７は、基板１００の縁部分に閉ループ形状で実現され得る。ダム部１１７は、最外郭画素（Ｐｏ）に含まれたり、最外郭画素（Ｐｏ）の縁部分に配置され得る。例えば、ダム部１１７は、最外郭画素（Ｐｏ）の中心部と基板１００の外側面（ＯＳ）の間に配置され得る。ダム部１１７は、断絶部１１５によって囲まれ得る。例えば、ダム部１１７は、複数の断絶パターン部中の内部画素（Ｐｉ）に最も隣接して配置された断絶パターン部を囲むように実現され得る。本明細書の一実施例によると、ダム部１１７は、コンタクトパターン部１１０上に配置され得る。例えば、ダム部１１７は、第１方向（Ｘ）に沿ってコンタクトパターン部１１０のコンタクトパターン（ＰＣＰ、ＤＣＰ、ＲＣＰ、ＧＣＰ、ＣＣＰ）を横切るように配置され得る。

【0116】

図６は、図４に示した表示部内に実現されたゲート駆動回路を示す図である。

【0117】

図４及び図６を参照すると、本明細書の実施例に係る発光表示装置は、基板１００上の表示部（ＡＡ）内に配置されたゲート駆動回路１５０をさらに含むことができる。

【0118】

ゲート駆動回路１５０は、基板１００の表示部（ＡＡ）内に実現（または内蔵）され、コンタクトパターン部１１０とゲート制御ライン（ＧＣＬ）を介して供給されるゲート制御信号に基づいてスキャン信号を生成して、複数のゲートライン（ＧＬ）に順に供給することができる。

【0119】

ゲート制御ライン（ＧＣＬ）は、スタート信号ライン、複数のシフトクロックライン、少なくとも１つのゲート駆動電圧ライン、および少なくとも１つのゲート共通電圧ラインを含むことができる。ゲート制御ライン（ＧＣＬ）は、第２方向（Ｙ）に沿って長く延長され、第１方向（Ｘ）に沿ってあらかじめ定められた間隔を有するように、基板１００の表示部（ＡＡ）上に配置され得る。例えば、ゲート制御ライン（ＧＣＬ）は、第１方向（Ｘ）に沿って少なくとも１つの画素（Ｐ）との間に配置され得る。

【0120】

本明細書の一実施例に係るゲート駆動回路１５０は、複数のステージ回路部１５０１～１５０ｍを含むシフトレジスタで実現され得る。

【0121】

複数のステージ回路部１５０１～１５０ｍのそれぞれは、第１方向（Ｘ）に沿って基板１００の第１面１００ａ上の各水平ラインに個別に配置され、第２方向（Ｙ）に沿って互いに従属的に連結され得る。複数のステージ回路部１５０１～１５０ｍのそれぞれは、コンタクトパターン部１１０とゲート制御ライン（ＧＣＬ）を介して供給されるゲート制御信号に応答して定められた順序に従ってスキャン信号を生成して、該当するゲートライン（ＧＬ）に供給することができる。

【0122】

本明細書の一実施例に係る複数のステージ回路部１５０１～１５０ｍのそれぞれは、複数のブランチ回路１５１１～１５１ｎおよびブランチネットワーク１５３を含むことができる。

【0123】

複数のブランチ回路１５１１～１５１ｎのそれぞれは、ブランチネットワーク１５３を介してゲート制御ライン（ＧＣＬ）に選択的に連結され、ブランチネットワーク１５３を介して互いに電気的に連結され得る。このような複数のブランチ回路１５１１～１５１ｎのそれぞれは、ゲート制御ライン（ＧＣＬ）を介して供給されるゲート制御信号とブランチネットワーク１５３の電圧によってスキャン信号を生成して、該当するゲートライン（ＧＬ）に供給ことができる。

【0124】

複数のブランチ回路１５１１～１５１ｎのそれぞれは、１つのステージ回路部１５０１～１５０ｍを構成する複数のＴＦＴのうち少なくとも１つのＴＦＴを含むことができる。複数のブランチ回路１５１１～１５１ｎの中のいずれか１つは、ゲートライン（ＧＬ）に連結されたプルアップＴＦＴを含むことができる。複数のブランチ回路１５１１～１５１ｎの中の他の１つは、ゲートライン（ＧＬ）に連結されたプルダウンＴＦＴを含むことができる。

【0125】

本明細書の一実施例に係る複数のブランチ回路１５１１～１５１ｎのそれぞれは、基板１００の各水平ラインで、隣接した２つの画素（Ｐ）間の回路領域に配置されたり、隣接した少なくとも２つの画素（Ｐ）間の回路領域に配置され得るが、これに限定されない。例えば、複数のブランチ回路１５１１～１５１ｎのそれぞれは、１つのステージ回路部１５０１～１５０ｍを構成するＴＦＴの個数と１つの水平ラインに配置された画素（Ｐ）の個数によって、隣接した少なくとも１つの画素（Ｐ）間の回路領域（または境界部）に配置され得る。

【0126】

ブランチネットワーク１５３は、基板１００の各水平ラインに配置され、複数のブランチ回路１５１１～１５１ｎを互いに電気的に連結することができる。本明細書の一実施例に係るブランチネットワーク１５３は、複数の制御ノードと複数のネットワークラインを含むことができる。

【0127】

複数の制御ノードは、基板１００の各水平ラインに配置され、１つの水平ライン上で複数のブランチ回路１５１１～１５１ｎと選択的に連結され得る。例えば、複数の制御ノードは、基板１００の各水平ラインに配置されている画素領域のうち、上側の縁領域（または下側の縁領域）に配置され得る。

【0128】

複数のネットワークラインは、基板１００に配置されたゲート制御ライン（ＧＣＬ）と選択的に連結され、複数のブランチ回路１５１１～１５１ｎと選択的に連結され得る。例えば、複数のネットワークラインは、ゲート制御ライン（ＧＣＬ）から供給されるゲート制御信号を、該当するブランチ回路１５１１～１５１ｎに供給して、複数のブランチ回路１５１１～１５１ｎ間の信号を伝達することができる。

【0129】

本明細書の一実施例に係る複数のステージ回路部１５０１～１５０ｍのそれぞれは、第１制御ノード、第２制御ノードに、第１及び第２制御ノードのそれぞれの電圧を制御するノード制御回路、第１制御ノードの電圧によって第２制御ノードの電圧を制御するインバータ回路、及び第１制御ノードの電圧によってスキャンクロックに対応するスキャン信号とキャリークロックに対応するキャリー信号を出力し、第２制御ノードの電圧によってゲートオフ電圧レベルに対応するスキャン信号とキャリー信号を出力する出力バッファ回路を含むことができる。例えば、ノード制御回路とインバータ回路、および出力バッファ回路は、複数のブランチ回路１５１１～１５１ｎの中の２以上のブランチ回路を含むことができる。例えば、複数のブランチ回路１５１１～１５１ｎは、ノード制御回路とインバータ回路、および出力バッファ回路のそれぞれに分類され得る。

【0130】

このように、本例によると、ゲート駆動回路１５０が、基板１００の表示部（ＡＡ）内に配置されるため、最外郭画素領域（ＰＡｏ）の中心部と基板１００の外側面（ＯＳ）との間の第２間隔（Ｄ２）は、隣接した画素領域（ＰＡ）間の第１間隔（または画素ピッチ）（Ｄ１）の半分以下を有することができる。例えば、ゲート駆動回路１５０が、基板１００の表示部（ＡＡ）内に配置されずに、基板１００の縁部分に配置されるとき、第２間隔（Ｄ２）は、第１間隔（Ｄ１）の半分以下を有することができない。したがって、本明細書の実施例に係る発光表示装置は、ゲート駆動回路１５０が、基板１００の表示部（ＡＡ）内に配置されることにより、第２間隔（Ｄ２）が第１間隔（Ｄ１）の半分以下で実現され得る。

【0131】

図７は、本明細書の一実施例に係る発光表示装置を示す背面斜視図である。

【0132】

図１、図４、及び図７を参照すると、本明細書の一実施例に係る発光表示装置は、基板１００の背面（または後面）１００ｂに配置された第１パッド部２１０をさらに含むことができる。

【0133】

第１パッド部２１０は、基板１００の前面（第１面）１００ａに配置されたコンタクトパターン部１１０と重畳する基板１００の背面（第２面）１００ｂの中の一側縁部分（または第１背面縁部分）に配置され得る。

【0134】

第１パッド部２１０は、第１方向（Ｘ）に沿って一定の間隔で配置され、コンタクトパターン部１１０のコンタクトパターンのそれぞれと重畳した複数の第１パッド（またはルーティングパッド）を含むことができる。

【0135】

本明細書の一実施例に係る第１パッド部２１０は、画素駆動電源コンタクトパターン（ＰＣＰ）のそれぞれと重畳する第１画素駆動電源パッド、データコンタクトパターン（ＤＣＰ）のそれぞれと重畳する第１データパッド、リファレンス電圧コンタクトパターン（ＲＣＰ）のそれぞれと重畳する第１リファレンス電圧パッド、ゲートコンタクトパターン（ＧＣＰ）のそれぞれと重畳する第１ゲートパッド、および画素共通電圧コンタクトパターン（ＣＣＰ）のそれぞれと重畳する第１画素共通電圧パッドを含むことができる。

【0136】

本明細書の実施例に係る発光表示装置は、基板１００の背面１００ｂ上に配置された第２パッド部２３０およびリンクライン部２５０をさらに含むことができる。

【0137】

第２パッド部（または入力パッド部）２３０は、基板１００の背面１００ｂに配置され得る。例えば、第２パッド部２３０は、基板１００の背面１００ｂの中の一側縁部分に隣接した中間部分に配置され得る。本明細書の一実施例に係る第２パッド部２３０は、一定の間隔を有するように互いに離隔した複数の第２パッド（または入力パッド）を含むことができる。例えば、第２パッド部２３０は、第２画素駆動電源パッド、第２データパッド、第２リファレンス電圧パッド、第２ゲートパッド、及び第２画素共通電圧パッドを含むことができる。

【0138】

リンクライン部（link line portion）２５０は、第１パッド部２１０と第２パッド部２３０の間に配置された複数のリンクラインを含むことができる。

【0139】

本明細書の一実施例に係るリンクライン部２５０は、第１画素駆動電源パッドと第２画素駆動電源パッドを個別（または一対一）で連結する画素駆動電源リンクライン、第１データパッドと第２データパッドを個別（または一対一）で連結するデータリンクライン、第１リファレンス電圧パッドと第２リファレンス電圧パッドを個別（または一対一）で連結するリファレンス電圧リンクライン、第１ゲートパッドと第２ゲートパッドを個別（または一対一）で連結するゲートリンクライン、及び第１画素共通電圧パッドと第２画素共通電圧パッドを連結する画素共通電圧リンクラインを含むことができる。

【0140】

画素共通電圧リンクラインは、第１パッド部２１０と第２パッド部２３０の間に配置され、第１画素共通電圧パッドに共通に連結された第１共通リンクライン２５１、及び第２画素共通電圧パッドに共通に連結し、第１共通リンクライン２５１に電気的に連結された第２共通リンクライン２５３を含むことができる。第２共通リンクライン２５３は、第１共通リンクライン２５１と異なる層に配置されて、ビアホールを介して第１共通リンクライン２５１と電気的に連結され得る。第２共通リンクライン２５３の大きさは、画素共通電圧の電圧降下を最小限に抑えるために、第２パッド部２３０から基板１００の縁部分の方に行くほど次第に増大することができる。

【0141】

ルーティング部（routing portion）４００は、基板１００のコンタクトパターン部１１０と外側面（ＯＳ）及び第１パッド部２１０を覆うように配置され得る。本明細書の一実施例に係るルーティング部４００は、複数のルーティングライン（routing line）４１０を含むことができる。複数のルーティングライン４１０のそれぞれは、第１方向（Ｘ）に沿って一定の間隔で配置され、基板１００のコンタクトパターン部１１０と外側面（ＯＳ）及び第１パッド部２１０を覆うように形成され、コンタクトパターン部１１０と第１パッド部２１０に電気的に一対一で連結され得る。本明細書の一実施例によれば、複数のルーティングライン４１０のそれぞれは、導電性ペーストを用いたプリント工程により形成され得る。本明細書の他の実施例によると、複数のルーティングライン４１０のそれぞれは、軟性材質の転写パッドに導電性ペーストのパターンを転写して導電性ペーストのパターンをルーティング部４００に転写する転写工程によって形成され得る。例えば、導電性ペーストは、銀（Ａｇ）ペーストを含むことができるが、これに限定されるものではない。

【0142】

複数のルーティングライン４１０のそれぞれは、基板１００の縁部分に配置された封止層を通過して、コンタクトパターン部１１０のコンタクトパターン（ＰＣＰ、ＤＣＰ、ＲＣＰ、ＧＣＰ、ＣＣＰ）と電気的に連結され得る。また、複数のルーティングライン４１０のそれぞれは、第１パッド部２１０に配置されているパッドと電気的に連結され得る。

【0143】

本明細書の一実施例に係る複数のルーティングライン４１０は、画素電圧ルーティングライン４１１、データルーティングライン４１３、リファレンス電圧ルーティングライン４１５、ゲートルーティングライン４１７、および画素共通電圧ルーティングライン４１９に分類（または区分）することができる。

【0144】

画素電圧ルーティングライン４１１のそれぞれは、基板１００のコンタクトパターン部１１０と外側面（ＯＳ）及び第１パッド部２１０を覆うように形成され、コンタクトパターン部１１０の画素駆動電源コンタクトパターン（ＰＣＰ）と第１パッド部２１０の第１画素駆動電源パッドに電気的に一対一で連結され得る。

【0145】

データルーティングライン４１３のそれぞれは、基板１００のコンタクトパターン部１１０と外側面（ＯＳ）及び第１パッド部２１０を覆うように形成され、コンタクトパターン部１１０のデータコンタクトパターン（ＤＣＰ）と第１パッド部２１０の第１データパッドに電気的に一対一で連結され得る。

【0146】

リファレンス電圧ルーティングライン４１５のそれぞれは、基板１００のコンタクトパターン部１１０と外側面（ＯＳ）及び第１パッド部２１０を覆うように形成され、コンタクトパターン部１１０のリファレンス電圧コンタクトパターン（ＲＣＰ）と第１パッド部２１０の第１リファレンス電圧パッドに電気的に一対一で連結され得る。

【0147】

ゲートルーティングライン４１７のそれぞれは、基板１００のコンタクトパターン部１１０と外側面（ＯＳ）及び第１パッド部２１０を覆うように形成され、コンタクトパターン部１１０のゲートコンタクトパターン（ＧＣＰ）と第１パッド部２１０の第１ゲートパッドに電気的に一対一で連結され得る。

【0148】

画素共通電圧ルーティングライン４１９のそれぞれは、基板１００のコンタクトパターン部１１０と外側面（ＯＳ）及び第１パッド部２１０を覆うように形成され、コンタクトパターン部１１０の画素共通電圧コンタクトパターン（ＣＣＰ）と第１パッド部２１０の第１画素共通電圧パッドに電気的に一対一で連結され得る。

【0149】

本明細書の一実施例に係る発光表示装置は、駆動回路部５００をさらに含むことができる。

【0150】

駆動回路部５００は、ディスプレイ駆動システムから供給されるデジタル映像データと同期信号に基づいて、基板１００上に配置された画素（Ｐ）を駆動（または発光）させることで、映像データに対応する映像を表示部（ＡＡ）に表示することができる。駆動回路部５００は、基板１００の背面１００ｂに配置された第２パッド部２３０に連結し、基板１００上に配置された画素（Ｐ）を駆動（または発光）させるためのデータ信号とゲート制御信号および駆動電源を第２パッド部２３０に出力することができる。

【0151】

本明細書の一実施例に係る駆動回路部５００は、フレキシブル回路フィルム５１０、駆動集積回路５３０、プリント回路基板５５０、タイミングコントローラ５７０、および電源回路部５９０を含むことができる。

【0152】

フレキシブル回路フィルム５１０は、基板１００の背面１００ｂに配置された第２パッド部２３０と連結され得る。

【0153】

駆動集積回路５３０は、フレキシブル回路フィルム５１０に実装される。駆動集積回路５３０は、タイミングコントローラ５７０から提供される副画素データとデータ制御信号を受信し、データ制御信号によって副画素データをアナログ形式のデータ信号に変換して出力することができる。データ信号は、フレキシブル回路フィルム５１０を介して第２パッド部２３０に配置された第３データパッドに供給され得る。

【0154】

駆動集積回路５３０は、基板１００上に配置された複数のリファレンス電圧ライン（ＲＬ）を介して、副画素（ＳＰ）に配置された駆動薄膜トランジスターの特性値をセンシングし、副画素別センシング値に対応する副画素別センシングローデータ（sensing raw data）を生成してタイミングコントローラ５７０に提供することができる。例えば、本明細書に係る発光表示装置は、韓国公開特許公報第１０－２０１６－００９３１７９号、第１０－２０１７－００５４６５４号、または第１０－２０１８－０００２０９９号に開示されたセンシングモードを介して、各副画素（ＳＰ）に配置された駆動ＴＦＴの特性値をセンシングすることができるので、これに対する説明は省略する。

【0155】

プリント回路基板５５０は、フレキシブル回路フィルム５１０の他側端部分に連結され得る。プリント回路基板５５０は、駆動回路部５００の構成間の信号および電源を伝達する役割をする。

【0156】

タイミングコントローラ５７０は、プリント回路基板５５０に実装され、プリント回路基板５５０に配置されたユーザコネクタを介してディスプレイ駆動システムから提供されるデジタル映像データとタイミング同期信号を受信する。代案として、タイミングコントローラ５７０は、プリント回路基板５５０に実装せずにディスプレイ駆動システムに実現したり、プリント回路基板５５０とディスプレイ駆動システムの間に連結された別途のコントロールボードに実現することもできる。

【0157】

タイミングコントローラ５７０は、タイミング同期信号に基づいてデジタル映像データを表示部（ＡＡ）に配置された画素配列構造に適合するように整列して画素データを生成し、生成した画素データを駆動集積回路５３０に提供する。

【0158】

タイミングコントローラ５７０は、タイミング同期信号に基づいてデータ制御信号とゲート制御信号のそれぞれを生成し、データ制御信号を介して駆動集積回路５３０の駆動タイミングを制御し、ゲート制御信号を介してゲート駆動回路１５０の駆動タイミングを制御することができる。

【0159】

本明細書の一実施例に係るデータ制御信号は、ソーススタートパルス、ソースシフトクロック、およびソース出力信号などを含むことができる。本明細書の一実施例に係るゲート制御信号は、スタート信号（またはゲートスタートパルス）、複数のシフトクロック、正方向前方駆動信号、および逆方向駆動信号を含むことができる。ゲート制御信号は、フレキシブル回路フィルム５１０を介して第２パッド部２３０に配置された第３ゲートパッドに供給され得る。

【0160】

電源回路部５９０は、プリント回路基板５５０に実装され、外部から供給される入力電源を用いて、画素（Ｐ）に映像を表示するために必要な各種の電源電圧を生成し、該当する回路に提供する。例えば、電源回路部５９０は、タイミングコントローラ５７０と駆動集積回路５３０のそれぞれの駆動に必要なロジック電源電圧、駆動集積回路５３０に提供される複数の基準ガンマ電圧、ゲート駆動回路１５０の駆動に必要な少なくとも１つのゲート駆動電源および、少なくとも１つのゲート共通電源を生成して出力することができる。また、電源回路部５９０は、画素駆動電源と画素共通電圧を生成して出力することができるが、これに限定されない。例えば、駆動集積回路５３０は、複数の基準ガンマ電圧に基づいて画素駆動電源と画素共通電圧のそれぞれを生成して出力することができる。

【0161】

図８は、本明細書の他の実施例による発光表示装置を示す背面斜視図であり、これは図１～図７に示した発光表示装置に配線基板を追加で構成したものである。

【0162】

図８を参照すると、本明細書の他の実施例に係る発光表示装置は、第１基板１００、第２基板２００、結合部材３００、およびルーティング部４００を含むことができる。

【0163】

第１基板１００は、表示基板、画素アレイ基板、上部基板、前面基板、またはベース基板で表現することもできる。第１基板１００は、ガラス基板、曲がったり撓み得る薄型ガラス基板またはプラスチック基板であり得る。

【0164】

第１基板１００は、図１～図７に示した発光表示装置の基板１００と実質的に同じなので、これについては同一の符号を付与し、それに対する重複説明は省略する。

【0165】

第２基板２００は、配線基板、ライン基板、リンク基板、下部基板、背面基板、またはリンクグラスで表現することもできる。第２基板２００は、ガラス基板、曲がったり撓み得る薄型ガラス基板またはプラスチック基板であり得る。例えば、第２基板２００は、第１基板１００と同一の物質からなり得る。第２基板２００は、第１基板１００と同じ大きさを有することができるが、これに限定されず、第１基板１００よりも小さい大きさを有することができる。例えば、第２基板２００は、第１基板１００の剛性を維持または剛性を確保するために、第１基板１００と同じ大きさを有することが好ましい。

【0166】

第２基板２００は、第１パッド部２１０と第２パッド部２３０およびリンクライン部２５０を含むことができる。第１パッド部２１０と第２パッド部２３０およびリンクライン部２５０のそれぞれは、第２基板２００の背面（または後面）２００ｂに配置されることを除いては、図７で説明した第１パッド部２１０と第２パッド部２３０およびリンクライン部２５０のそれぞれと実質的に同じなので、これについては同一の符号を付与し、それに対する重複説明は省略する。

【0167】

第２基板２００は、結合部材３００を介して、第１基板１００の第２面１００ｂと結合（または連結）することができる。結合部材３００は、第１基板１００と第２基板２００との間に介在される。これにより、第１基板１００と第２基板２００は、結合部材３００を介して互いに対向合着され得る。

【0168】

ルーティング部４００は、サイドルーティング部またはプリントライン部と表現することができる。ルーティング部４００は、第１基板１００の外側面（ＯＳ１ａ）と第２基板２００の外側面（ＯＳ１ｂ）を覆うように配置される。本明細書の一実施例に係るルーティング部４００は、第１基板１００の外側面（ＯＳ）のうち、第１外側面（または一側面）（ＯＳ１ａ）と第２基板２００の外側面（ＯＳ）の第１外側面（または一側面）（ＯＳ１ｂ）のそれぞれに配置された複数のルーティングライン４１０を含むことができる。このようなルーティング部４００は、複数のルーティングライン４１０のそれぞれが、第１基板１００のコンタクトパターン部１１０と第１外側面（ＯＳ１ａ）、及び第２基板２００の第１パッド部２１０と第１外側面（ＯＳ１ｂ）を覆うように配置されることを除いては、図７で説明したルーティング部４００と実質的に同じなので、これについては同一の符号を付与し、それに対する重複説明は省略する。

【0169】

本明細書の他の実施例に係る発光表示装置は、駆動回路部５００をさらに含むことができる。

【0170】

駆動回路部５００は、フレキシブル回路フィルム５１０、駆動集積回路５３０、プリント回路基板５５０、タイミングコントローラ５７０、および電源回路５９０を含むことができる。このような駆動回路部５００は、フレキシブル回路フィルム５１０が、第２基板２００の背面２００ｂに配置された第２パッド部２３０に連結することを除いては、図７で説明した駆動回路部５００と実質的に同じなので、これについては同一の符号を付与し、それに対する重複説明は省略する。

【0171】

図９は、本明細書の一実施例に係る画素駆動ラインとルーティング部の間の連結構造を説明するための図であり、図１０は、図９に示した線Ｉ－Ｉ’の断面図であり、図１１は、図１０に示した「Ｂ２」部分の拡大図であり、図１２は、図１０に示した「Ｂ３」部分の拡大図である。図９～図１２を説明するにおいて、図１～図８の構成要素と同一または対応する構成要素については同一の符号を付与し、それに対する重複説明は省略または簡略にする。

【0172】

図４、図９、図１０、及び図１１を参照すると、本明細書の一実施例に係る発光表示装置は、第１基板１００を含むことができる。

【0173】

第１基板１００は、第１領域と第１領域を囲む第２領域を含む表示部（ＡＡ）を含むことができる。第１基板１００の第２領域は、第１基板１００の縁部分または最外郭画素の縁部分であり得る。第１基板１００の第１領域は、第２領域を除いた残りの部分であり得る。

【0174】

第１基板１００は、回路層１１１、平坦化層１１２、発光素子層１１３、バンク１１４、断絶部１１５、ダム部１１７、および封止層１１９を含むことができる。

【0175】

回路層１１１は、第１基板１００の前面１００ａ上に配置され得る。回路層１１１は、画素アレイ層またはＴＦＴアレイ層で表現することもできる。

【0176】

本明細書の一実施例に係る回路層１１１は、バッファ層１１１ａ、および回路アレイ層１１１ｂを含むことができる。

【0177】

バッファ層１１１ａは、ＴＦＴの製造工程の中の高温工程時、第１基板１００に含まれる水素などの物質が回路アレイ層１１１ｂに拡散することを遮断する役割をする。また、バッファ層１１１ａは、外部の水分や湿気が発光素子層１１３の方に浸透することを防止する役割もすることができる。本明細書の一実施例に係るバッファ層１１１ａは、第１基板１００の前面１００ａ上に配置された窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）の第１バッファ層（ＢＬ１）、及び第１バッファ層（ＢＬ１）上に配置されたシリコン酸化物（ＳｉＯｘ）の第２バッファ層（ＢＬ２）を含むことができる。このようなバッファ層１１１ａは、少なくとも１つの絶縁層によって覆うことができる。

【0178】

回路アレイ層１１１ｂは、バッファ層１１１ａ上の各画素領域（ＰＡ）に配置された駆動ＴＦＴ（Ｔｄｒ）を有する画素回路（ＰＣ）を含むことができる。

【0179】

各画素領域（ＰＡ）の回路領域（ＣＡ）に配置された駆動ＴＦＴ（Ｔｄｒ）は、活性層（ＡＣＴ）、ゲート絶縁膜（ＧＩ）、ゲート電極（ＧＥ）、層間絶縁層１１１ｃ、第１ソース／ドレイン電極（ＳＤ１）、第２ソース／ドレイン電極（ＳＤ２）、およびパッシベーション層１１１ｄを含むことができる。

【0180】

活性層（ＡＣＴ）は、各画素領域（ＰＡ）上のバッファ層１１１ａ上に配置され得る。活性層（ＡＣＴ）は、ゲート電極（ＧＥ）と重畳するチャネル領域、およびチャネル領域を挟んで互いに平行な第１ソース／ドレイン領域と第２ソース／ドレイン領域を含むことができる。活性層（ＡＣＴ）は、導体化工程によって導体化されることにより、表示部（ＡＡ）内でライン間を直接に連結するか、互いに異なる層に配置されたラインを電気的に連結するジャンピング構造物のブリッジラインに用いることができる。

【0181】

ゲート絶縁膜（ＧＩ）は、活性層（ＡＣＴ）のチャネル領域上に配置され得る。ゲート絶縁膜（ＧＩ）は、活性層（ＡＣＴ）とゲート電極（ＧＥ）を絶縁させる機能をする。

【0182】

ゲート電極（ＧＥ）は、ゲート絶縁膜（ＧＩ）上に配置され、ゲートラインと連結され得る。ゲート電極（ＧＥ）は、ゲート絶縁膜（ＧＩ）を間に置いて、活性層（ＡＣＴ）のチャネル領域と重畳し得る。

【0183】

層間絶縁層１１１ｃは、ゲート電極（ＧＥ）と活性層（ＡＣＴ）を覆うように、第１基板１００上に配置され得る。層間絶縁層１１１ｃは、ゲート電極（ＧＥ）とソース／ドレイン電極（ＳＤ１、ＳＤ２）を電気的に絶縁（または分離）させる機能をする。例えば、層間絶縁層１１１ｃは、絶縁層または第１絶縁層で表現され得る。

【0184】

第１ソース／ドレイン電極（ＳＤ１）は、活性層（ＡＣＬ）の第１ソース／ドレイン領域と重畳する層間絶縁層１１１ｃ上に配置され、層間絶縁層１１１ｃに配置された第１ソース／ドレインコンタクトホールを介して活性層（ＡＣＬ）の第１ソース／ドレイン領域と電気的に連結され得る。例えば、第１ソース／ドレイン電極（ＳＤ１）は、駆動ＴＦＴ（Ｔｄｒ）のソース電極であり、活性層（ＡＣＬ）の第１ソース／ドレイン領域は、ソース領域であり得る。

【0185】

第２ソース／ドレイン電極（ＳＤ２）は、活性層（ＡＣＬ）の第２ソース／ドレイン領域と重畳する層間絶縁層１１１ｃ上に配置され、層間絶縁層１１１ｃに配置された第２ソース／ドレインコンタクトホールを介して活性層（ＡＣＬ）の第２ソース／ドレイン領域と電気的に連結され得る。例えば、第２ソース／ドレイン電極（ＳＤ２）は、駆動ＴＦＴ（Ｔｄｒ）のドレイン電極であり、活性層（ＡＣＬ）の第２ソース／ドレイン領域は、ドレイン領域であり得る。

【0186】

本明細書の一実施例に係るソース／ドレイン電極（ＳＤ１、ＳＤ２）の電極物質は、第１基板１００上に第１方向（Ｘ）に沿って長く延長される信号ラインに用いることができる。例えば、ソース／ドレイン電極（ＳＤ１、ＳＤ２）は、ゲートライン（ＧＬ）と一緒に実現され得る。

【0187】

パッシベーション層１１１ｄは、駆動ＴＦＴ（Ｔｄｒ）を含む画素回路（ＰＣ）を覆うように、第１基板１００上に配置され得る。本明細書の一実施例に係るパッシベーション層１１１ｄは、シリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）、シリコン酸窒化膜（ＳｉＯＮ）、またはこれらの多重層であり得るが、必ずしもこれに限定されるものではない。パッシベーション層１１１ｄは、保護層または第２絶縁層で表現され得る。

【0188】

画素回路（ＰＣ）を構成する第１および第２スイッチングＴＦＴ（Ｔｓｗ１、Ｔｓｗ２）のそれぞれは、駆動ＴＦＴ（Ｔｄｒ）と一緒に形成されるので、これに対する説明は省略する。

【0189】

本明細書の一実施例に係る回路層１１１は、第１基板１００とバッファ層１１１ａの間に配置された下部金属層（ＢＭＬ）をさらに含むことができる。

【0190】

下部金属層（ＢＭＬ）は、画素回路（ＰＣ）を構成するＴＦＴ（Ｔｄｒ、Ｔｓｗ１、Ｔｓｗ２）の活性層（ＡＣＴ）の下に配置された遮光パターン（ＬＳＰ）をさらに含むことができる。

【0191】

遮光パターン（ＬＳＰ）は、第１基板１００と活性層（ＡＣＴ）の間に島形状で配置することができる。遮光パターン（ＬＳＰ）は、第１基板１００を介して活性層（ＡＣＴ）の方に入射する光を遮断することにより、外部光によるＴＦＴのしきい値電圧の変化を最小限に抑えたり防止する。選択的に、遮光パターン（ＬＳＰ）は、ＴＦＴの第１ソース／ドレイン電極（ＳＤ１）に電気的に連結されることで、該当するＴＦＴの下部ゲート電極の役割をすることもでき、この場合、光による特性変化だけでなく、バイアス電圧によるＴＦＴのしきい値電圧の変化を最小限に抑えたり防止することができる。

【0192】

下部金属層（ＢＭＬ）は、第１基板１００上で第１方向（Ｘ）に沿って互いに離隔しながら第２方向（Ｙ）に沿って長く延長される画素駆動ライン（ＰＬ、ＤＬ、ＲＬ、ＧＣＬ、ＣＶＬ）を実現する金属層として用いることができる。また、下部金属層（ＢＭＬ）は、コンタクトパターン部１１０のコンタクトパターン（ＰＣＰ、ＤＣＰ、ＲＣＰ、ＧＣＰ、ＣＣＰ）を実現する金属層として用いることができる。

【0193】

本明細書の一実施例によると、下部金属層（ＢＭＬ）は、第１基板１００の前面１００ａ上に全面蒸着された後、パターニング工程によって遮光パターン（ＬＳＰ）、画素駆動電源ライン（ＰＬ）、データライン（ＤＬ）、リファレンス電圧ライン（ＲＬ）、ゲート制御ライン（ＧＣＬ）、画素共通電圧ライン（ＣＶＬ）、およびコンタクトパターン（ＰＣＰ、ＤＣＰ、ＲＣＰ、ＧＣＰ、ＣＣＰ）のそれぞれにパターニングされ得る。

【0194】

平坦化層１１２は、第１基板１００上に配置され、回路層１１１上に平坦面を提供することができる。平坦化層１１２は、各画素領域（ＰＡ）に配置された駆動ＴＦＴ（Ｔｄｒ）を含む回路層１１１を覆う。本明細書の一実施例に係る平坦化層１１２は、アクリル系樹脂（acrylic resin）、エポキシ樹脂（epoxy resin）、フェノール樹脂（phenolic resin）、ポリアミド系樹脂（polyamides resin）、またはポリイミド系樹脂（polyimides resin）などの有機物質からなり得るが、これに限定されない。

【0195】

本明細書の一実施例に係る平坦化層１１２は、第１基板１００の縁部分を除いた回路層１１１を覆うように形成され得る。これにより、第１基板１００の縁部分に配置された回路層１１１のパッシベーション層１１１ｄは、平坦化層１１２によって覆われてなく露出し得る。

【0196】

発光素子層１１３は、平坦化層１１２上に配置され得る。本明細書の一実施例に係る発光素子層１１３は、画素電極（ＰＥ）、発光層（ＥＬ）、および共通電極（ＣＥ）を含むことができる。

【0197】

画素電極（ＰＥ）は、アノード電極、反射電極、下部電極、または第１電極と表現することもできる。

【0198】

画素電極（ＰＥ）は、各画素領域（ＰＡ）の発光領域（ＥＡ）と重畳する平坦化層１１２上に配置され得る。画素電極（ＰＥ）は、島の形状でパターニングされ、各画素領域（ＰＡ）内に配置され、該当する画素回路（ＰＣ）の駆動ＴＦＴ（Ｔｄｒ）の第１ソース／ドレイン電極（ＳＤ１）と電気的に連結され得る。画素電極（ＰＥ）の一側は、平坦化層１１２に設けられた電極コンタクトホール（ＥＣＨ）を介して駆動ＴＦＴ（Ｔｄｒ）の第１ソース／ドレイン電極（ＳＤ１）と電気的に連結され得る。

【0199】

画素電極（ＰＥ）は、仕事関数が低く、反射効率に優れた金属材質を含むことができるが、これに限定されるものではない。

【0200】

本明細書の一実施例に係る画素電極（ＰＥ）は、第１画素電極層（ＰＥＬ１）（または第１金属層）及び第２画素電極層（ＰＥＬ２）（または第２金属層）を含む２層構造を有することができる。第１および２画素電極層（ＰＥＬ１、ＰＥＬ２）は、平坦化層１１２上に順に蒸着された後、同時にパターニングされ得る。

【0201】

第１画素電極層（ＰＥＬ１）は、平坦化層１１２上に配置され得る。第２画素電極層（ＰＥＬ２）は、第１画素電極層（ＰＥＬ１）上に配置（または積層）され得る。例えば、第１画素電極層（ＰＥＬ１）は、平坦化層１１２との接着層の役割と発光層（ＥＬ）の補助電極の役割をすることができ、ＩＴＯ材質またはＩＺＯ材質からなり得るが、これに限定されるものではない。例えば、第２画素電極層（ＰＥＬ２）は、反射板の役割と画素電極（ＰＥ）の抵抗を減少させる役割をすることができ、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、およびモリブデンチタン合金（ＭｏＴｉ）のなかのいずれか１つの材質からなり得るが、これに限定されるものではない。例えば、一例に係る画素電極（ＰＥ）は、ＩＴＯ／ＭｏＴｉの２層構造で構成されたり、ＩＺＯ／ＭｏＴｉの２層構造からなり得る。

【0202】

本明細書の他の実施例に係る画素電極（ＰＥ）は、第１画素電極層（ＰＥＬ１）、第１画素電極層（ＰＥＬ１）上の第２画素電極層（ＰＥＬ２）、及び第２画素電極層（ＰＥＬ２）上の第３画素電極層（または第３金属層）を含む３層構造を有することができる。例えば、第３画素電極層は、発光層（ＥＬ）の電極の役割をするもので、ＩＴＯ材質またはＩＺＯ材質からなり得る。例えば、他の例に係る画素電極（ＰＥ）は、ＩＺＯ／ＭｏＴｉ／ＩＴＯまたはＩＴＯ／ＭｏＴｉ／ＩＴＯの３層構造からなり得る。

【0203】

本明細書の他の実施例に係る画素電極（ＰＥ）は、第１画素電極層（ＰＥＬ１）、第１画素電極層（ＰＥＬ１）上の第２画素電極層（ＰＥＬ２）、第２画素電極層（ＰＥＬ２）上の第３画素電極層（または第３金属層）、及び第３画素電極層上の第４画素電極層（または第４金属層）を含む４層構造を有することができる。

【0204】

４層構造の画素電極（ＰＥ）で、第１画素電極層は、平坦化層１１２との接着層の役割と発光層（ＥＬ）の補助電極の役割をすることができ、ＩＴＯ、モリブデン（Ｍｏ）、およびモリブデンチタン合金（ＭｏＴｉ）の中のいずれか１つの材質からなり得る。第２画素電極層は、画素電極（ＰＥ）の抵抗を減少させる役割をすることができ、銅（Ｃｕ）材質からなり得る。第３画素電極層は、反射板の役割をすることができ、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタニウム（Ｔｉ）、およびモリブデンチタン合金（ＭｏＴｉ）の中のいずれか１つの材質からなり得る。第４画素電極層は、発光層（ＥＬ）の電極の役割をすることができ、ＩＴＯ材質またはＩＺＯ材質からなり得る。例えば、他の実施例に係る画素電極（ＰＥ）は、ＩＴＯ／Ｃｕ／ＭｏＴｉ／ＩＴＯの４層構造からなり得る。

【0205】

本明細書の他の実施例に係る画素電極（ＰＥ）は、ＩＴＯ材質の第１画素電極層、モリブデン、チタン合金（ＭｏＴｉ）材質の第２画素電極層、ＩＴＯ材質の第３画素電極層、銀（Ａｇ）材質の第４画素電極層、及びＩＴＯ材質の第５画素電極層を含む５層構造からなり得る。

【0206】

発光層（ＥＬ）は、基板１００の第１領域上に配置され、第１基板１００の第２領域の一部に配置され得る。発光層（ＥＬ）は、画素電極（ＰＥ）上に形成されて画素電極（ＰＥ）と直接に接触し得る。画素電極（ＰＥ）は、発光層（ＥＬ）の下に配置され得る。例えば、画素電極（ＰＥ）は、平坦化層１１２と発光層（ＥＬ）の間に配置され得る。

【0207】

本明細書の一実施例に係る発光層（ＥＬ）は、副画素別に区分されずに、副画素に共通に形成される共通層であり得る。発光層（ＥＬ）は、画素電極（ＰＥ）と共通電極（ＣＥ）の間に流れる電流に反応して白色光（または青色光）を放出することができる。本明細書の一実施例に係る発光層（ＥＬ）は、有機発光層を含むか、有機発光層と量子ドット発光層の積層または混合構造を含むことができる。

【0208】

本明細書の一実施例に係る発光層（ＥＬ）は、白色光を放出するための２以上の有機発光層を含むことができる。例えば、発光層（ＥＬ）は、第１光と第２光の混合により白色光を放出するための第１有機発光層と第２有機発光層を含むことができる。ここで、第１有機発光層は、青色発光層、緑色発光層、赤色発光層、黄色発光層、および黄緑色発光層のうち少なくとも１つを含むことができる。第２有機発光層は、青色発光層、緑色発光層、赤色発光層、黄色発光層、および黄緑色発光層のうち、第１有機発光層から放出される第１光と混合して白色光を作ることができる第２光を放出するための少なくとも１つの発光層を含むことができる。

【0209】

本明細書の一実施例に係る有機発光層は、発光効率および／または寿命などを向上させるための少なくとも１つ以上の機能層をさらに含むことができる。例えば、有機発光層は、正孔機能層と電子機能層の間に介在し得る。

【0210】

共通電極（ＣＥ）は、カソード電極、透明電極、上部電極、陰極、または第２電極で表現され得る。共通電極（ＣＥ）は、発光層（ＥＬ）上に形成されて発光素子層と直接に接触されるか、または電気的に直接に接触し得る。共通電極（ＣＥ）は、発光層（ＥＬ）から放出される光が透過することができるように、透明導電性材質を含むことができる。

【0211】

本明細書の一実施例に係る共通電極（ＣＥ）は、仕事関数が相対的に高い透明導電性材質またはグラフェン（graphene）のうち少なくとも１つの単層構造または複層構造からなり得る。例えば、共通電極（ＣＥ）は、ＩＴＯまたはＩＺＯなどのような金属酸化物、ＺｎＯ：ＡｌまたはＳｎＯ_２：Ｓｂなどの金属と酸化物の混合物からなり得る。

【0212】

さらに、発光素子層１１３は、共通電極（ＣＥ）上に配置されたキャッピング層（capping layer）をさらに含むことができる。キャッピング層は、共通電極（ＣＥ）上に配置され、発光層（ＥＬ）から発光した光の屈折率を調節して光の出光効率を向上させることができる。

【0213】

バンク１１４は、平坦化層１１２上に配置され、第１基板１００上に画素領域（ＰＡ）を定義することができる。バンク１１４は、画素電極（ＰＥ）の縁部分を覆うように平坦化層１１２上に配置され得る。バンク１１４は、副画素のそれぞれの発光領域（または開口部）（ＥＡ）を定義し、隣接した副画素に配置された画素電極（ＰＥ）を電気的に分離することができる。バンク１１４は、各画素領域（ＰＡ）に配置された電極コンタクトホール（ＥＣＨ）を覆うように形成され得る。バンク１１４は、発光素子層１１３の発光層（ＥＬ）によって覆われ得る。例えば、発光層（ＥＬ）は、副画素（ＳＰ）のそれぞれの画素電極（ＰＥ）だけでなく、バンク１１４上に配置され得る。

【0214】

本明細書の一実施例に係るバンク１１４は、透明材質の透明バンクまたはブラック顔料を含むブラックバンクであり得る。

【0215】

図４、図９、図１０、及び図１２を参照すると、本明細書の一実施例に係る断絶部１１５は、第１基板１００の第２領域上に配置され得る。断絶部１１５は、平面的に表示部（ＡＡ）を囲む閉ループ形状（または閉ループライン形状）を有するように、第１基板１００の縁部分に配置するか、または最外郭画素（Ｐｏ）の縁部分に配置され得る。断絶部１１５は、第１基板１００の縁部分でバッファ層１１１ａまたは層間絶縁層１１１ｃ上に実現され得る。例えば、層間絶縁層１１１ｃは、第１基板１００の縁部分を除いた残りの部分に配置され得、この場合、断絶部１１５は、バッファ層１１１ａ上に実現され得る。

【0216】

本明細書の一実施例に係る断絶部１１５は、第１基板１００の第２領域上に配置された発光素子層１１３を少なくとも１回断絶（または分離）させるように実現され得る。これにより、断絶部１１５は、分離部、分離ライン部、断線部、または断線ライン部で表現することもできる。

【0217】

本明細書の一実施例に係る断絶部１１５は、閉ループライン形状を有する少なくとも１つの断絶構造物１１５ａ、１１５ｂ、１１５ｃ、１１５ｄを含むことができる。例えば、断絶部１１５が、複数の断絶構造物１１５ａ、１１５ｂ、１１５ｃ、１１５ｄを有するとき、断絶部１１５は、ダム部１１７の外側周辺に配置された外部断絶部、およびダム部１１７の内側の周辺に配置された内部断絶部を含むことができる。本明細書の一実施例によると、断絶部１１５は、第１～第４断絶構造物１１５ａ、１１５ｂ、１１５ｃ、１１５ｄを含むことができ、この場合、外部断絶部は、第１～第３断絶構造物１１５ａ、１１５ｂ、１１５ｃを含むことができ、内部断絶部は、第４断絶構造物１１５ｄを含むことができる。例えば、第１～第３断絶構造物１１５ａ、１１５ｂ、１１５ｃは、複数の外側断絶構造で表現することができ、第４断絶構造物１１５ｄは、少なくとも１つの内部断絶構造で表現することができる。

【0218】

本明細書の一実施例による第１～第４断絶構造物１１５ａ、１１５ｂ、１１５ｃ、１１５ｄのそれぞれは、第１トレンチ構造物（ＴＳ１）及び第２トレンチ構造物（ＴＳ２）を含むことができる。

【0219】

本明細書の一実施例に係る第１トレンチ構造物（ＴＳ１）は、層間絶縁層１１１ｃとパッシベーション層１１１ｄの積層構造で実現され得る。第１トレンチ構造物（ＴＳ１）は、第１基板１００の第２領域に配置されている層間絶縁層１１１ｃとパッシベーション層１１１ｄのパターニング工程によって形成され得る。例えば、第１トレンチ構造物（ＴＳ１）は、第１構造物、第１分離構造物、第１テーパー構造物、または下部構造物などの用語で表現することができる。

【0220】

本明細書の一実施例に係る第１トレンチ構造物（ＴＳ１）の側面は、傾斜した構造または正テーパー構造で実現され得る。第１トレンチ構造物（ＴＳ１）の下面は、バッファ層１１１ａの上面（または表面）と直接に接触することができ、第１トレンチ構造物（ＴＳ１）の上面は、第１トレンチ構造物（ＴＳ１）の下面上に配置され、下面より狭い幅を有することができる。第１トレンチ構造物（ＴＳ１）の側面は、上面と下面の間に傾斜するように形成され得る。第１トレンチ構造物（ＴＳ１）において、下面と側面の間の夾角は鋭角であり得、上面と側面の間の夾角は鈍角であり得る。例えば、幅方向に沿って切った第１トレンチ構造物（ＴＳ１）の断面は、上辺が下辺より狭い台形形状の断面構造を有することができる。

【0221】

本明細書の他の実施例に係る第１トレンチ構造物（ＴＳ１）は、層間絶縁層１１１ｃが第１基板１００の縁部分に配置されない場合、パッシベーション層１１１ｄのみで実現され得る。第１トレンチ構造物（ＴＳ１）は、第１基板１００の第２領域に配置されているパッシベーション層１１１ｄのパターニング工程によって形成され得る。

【0222】

第２トレンチ構造物（ＴＳ２）は、第１トレンチ構造物（ＴＳ１）上に配置され得る。例えば、第２トレンチ構造物（ＴＳ２）は、第２構造物、第２分離構造物、第２テーパー構造物、または上部構造物などの用語で表現することができる。

【0223】

第２トレンチ構造物（ＴＳ２）は、第１トレンチ構造物（ＴＳ１）の上面よりも広い幅を有することができる。第２トレンチ構造物（ＴＳ２）は、第１トレンチ構造物（ＴＳ１）の下面と同一または広い幅を有することができる。例えば、第２トレンチ構造物（ＴＳ２）の側面は、傾斜した構造または正テーパー構造に実現され得る。例えば、幅方向に沿って切った第２トレンチ構造物（ＴＳ２）は、第１トレンチ構造物（ＴＳ１）と同じ台形形状の断面構造を有することができる。幅方向を基準として、第２トレンチ構造物（ＴＳ２）の一側縁部分と他側端部分のそれぞれは、第１トレンチ構造物（ＴＳ１）の側面外部に突出し得る。

【0224】

第２トレンチ構造物（ＴＳ２）は、有機物質を含むことができる。本明細書の一実施例に係る第２トレンチ構造物（ＴＳ２）は、バンク１１４と同一の物質からなり得るが、これに限定されるものではない。例えば、第２トレンチ構造物（ＴＳ２）は、バンク物質のパターニング工程時にパターニング（または削除）されずに、第１トレンチ構造物（ＴＳ１）上に残存するバンク物質で実現され得る。第２トレンチ構造物（ＴＳ２）は、バンク１１４と同じ高さ（または厚さ）で実現され得る。

【0225】

第１トレンチ構造物（ＴＳ１）の側面は、第２トレンチ構造物（ＴＳ２）に対してアンダーカット（under cut）構造を有することができる。例えば、断絶部１１５は、第１トレンチ構造物（ＴＳ１）と第２トレンチ構造物（ＴＳ２）の間の境界部または第１トレンチ構造物（ＴＳ１）の上部側面に配置されたアンダーカット領域を含むことができる。第２トレンチ構造物（ＴＳ２）は、第１トレンチ構造物（ＴＳ１）のアンダーカット構造によって、第１トレンチ構造物（ＴＳ１）の側面外部に突出することにより、第１トレンチ構造物（ＴＳ１）の側面を覆うことができる。これにより、第２トレンチ構造物（ＴＳ２）は、第１トレンチ構造物（ＴＳ１）に対して軒構造を有することができる。

【0226】

本明細書の一実施例に係る第１～第４断絶構造物１１５ａ、１１５ｂ、１１５ｃ、１１５ｄを含む断絶部１１５は、発光層（ＥＬ）を断絶（または分離）させたり、発光層（ＥＬ）と共通電極（ＣＥ）を断絶（または分離）させることができる。例えば、断絶部１１５上に形成（または蒸着）される発光層（ＥＬ）は、別途の断絶工程なしに、第１～第４断絶構造物１１５ａ、１１５ｂ、１１５ｃ、１１５ｄのそれぞれのアンダーカット構造（または軒構造）によって蒸着工程中に自動的に断絶（または分離）され得る。これにより、第１基板１００上に配置される発光層（ＥＬ）は、第１基板１００の第２領域で４回断絶（または分離）され得、４つの断絶領域（または分離領域）を含むことができる。例えば、発光層（ＥＬ）の蒸着物質は、直進性を有するので、第１～第４断絶構造物１１５ａ、１１５ｂ、１１５ｃ、１１５ｄのそれぞれのアンダーカット構造（または軒構造）によって、第２トレンチ構造物（ＴＳ２）によって覆われる第１トレンチ構造物（ＴＳ１）の側面に蒸着されない。これにより、第１～第４断絶構造物１１５ａ、１１５ｂ、１１５ｃ、１１５ｄ上に形成（または蒸着）される発光層（ＥＬ）は、第１トレンチ構造物（ＴＳ１）と第２トレンチ構造物（ＴＳ２）の間で断絶（または分離）され得る。したがって、発光層（ＥＬ）は、蒸着工程時に断絶部１１５の第１～第４断絶構造物１１５ａ、１１５ｂ、１１５ｃ、１１５ｄによって自動的に断絶（または分離）され得、これにより、側面透湿を防止するために、第１基板１００の縁部分に配置された発光層（ＥＬ）を断絶（または断線）させるための別途のパターニング工程が省略され得る。

【0227】

選択的に、発光層（ＥＬ）上に配置された共通電極（ＣＥ）は、蒸着方式による蒸着工程時、断絶部１１５の第１～第４断絶構造物１１５ａ、１１５ｂ、１１５ｃ、１１５ｄによって自動的に断絶（または分離）されたり、第２トレンチ構造物（ＴＳ２）によって覆われる第１トレンチ構造物（ＴＳ１）の側面にも蒸着され、断絶（または分離）されずに断絶領域なしに連続的につながるように形成され得る。

【0228】

ダム部１１７は、第１基板１００の第２領域上に、閉ループラインの形状を有するように回路層１１１上に配置され得る。本明細書の一実施例に係るダム部１１７は、回路層１１１のパッシベーション層１１１ｄ上に配置され得る。例えば、ダム部１１７は、断絶部１１５によって囲まれ得る。例えば、ダム部１１７は、第３断絶構造物１１５ｃと第４断絶構造物１１５ｄの間に配置され得る。ダム部１１７は、第３断絶構造物１１５ｃによって囲まれ、第４断絶構造物１１５ｄを囲むことができる。このようなダム部１１７は、封止層１１９の広がりまたはオーバーフローを遮断する役割をする。

【0229】

本明細書の一実施例に係るダム部１１７は、平坦化層１１２と一緒に同じ物質で形成され得る。ダム部１１７は、平坦化層１１２と同じ高さ（または厚さ）を有するか、または平坦化層１１２よりも高い高さを有することができる。例えば、ダム部１１７の高さ（または厚さ）は、平坦化層１１２の高さ（または厚さ）の２倍であり得る。

【0230】

本明細書の他の実施例に係るダム部１１７は、平坦化層１１２と一緒に同じ物質で形成された第１ダム（または下部ダム）１１７ａ、及び第１ダム１１７ａ上にバンク１１４と同じ物質で積層された第２ダム（または上部ダム）１１７ｂを含むことができる。第１ダム１１７ａは、平坦化層１１２と同じ高さ（または厚さ）を有するか、平坦化層１１２よりも高い高さを有することができる。例えば、第１ダム１１７ａの高さ（または厚さ）は、平坦化層１１２の高さ（または厚さ）の２倍であり得る。

【0231】

封止層１１９（encapsulation layer）は、発光素子層１１３上に配置され得る。例えば、封止層１１９は、発光素子層１１３の前面（front surface）と側面（lateral surface）の両方を囲むように実現され得る。

【0232】

本明細書の一実施例に係る封止層１１９は、第１～第３封止層１１９ａ、１１９ｂ、１１９ｃを含むことができる。

【0233】

第１封止層１１９ａは、酸素または水分が発光素子層１１３に浸透することを遮断するように実現され得る。第１封止層１１９ａは、共通電極（ＣＥ）上に配置された発光素子層１１３を囲むことができる。これにより、発光素子層１１３の前面（front surface）と側面（lateral surface）の両方は、第１封止層１１９ａによって囲まれ得る。例えば、第１封止層１１９ａは、断絶部１１５とダム部１１７および断絶部１１５の外郭部のそれぞれで、パッシベーション層１１１ｄの上面に直接に接触することで、共通電極（ＣＥ）とパッシベーション層１１１ｄの間の境界部（または界面）を覆うことで側面透湿を防止したり、最小限に抑えることができる。本明細書の一実施例に係る第１封止層１１９ａは、無機物質からなり得る。例えば、第１封止層１１９ａは、第１無機封止層で表現され得る。

【0234】

第２封止層１１９ｂは、第１封止層１１９ａより相対的に厚い厚さを有するように、第１封止層１１９ａ上に実現され得る。第２封止層１１９ｂは、第１封止層１１９ａ上に存在するか、存在し得る異物（または不必要な材質または不必要な構造体）を十分に覆うことができる厚さを有することができる。このような第２封止層１１９ｂは、相対的に厚い厚さにより、第１基板１００の縁部分に広がり得るが、このような第２封止層１１９ｂの広がりは、ダム部１１７によって遮断され得る。例えば、第２封止層１１９ｂは、第１封止層１１９ａ上に配置され、ダム部１１７を超えて延長されない。

【0235】

本明細書の一実施例によると、第２封止層１１９ｂは、第１封止層１１９ａ上に配置されダム部１１７によって囲まれ得る。第２封止層１１９ｂの先端は、ダム部１１７上の第１封止層１１９ａと直接に接触することができる。このような、第２封止層１１９ｂは、異物カバー層または有機封止層で表現され得る。本明細書の一実施例に係る第２封止層１１９ｂは、シリコンオキシカーボン（ＳｉＯＣｚ）アクリルまたはエポキシ系の樹脂（Resin）などの有機物質からなり得る。

【0236】

第３封止層１１９ｃは、酸素または水分が発光素子層１１３に浸透することを一次的に遮断するように実現され得る。第３封止層１１９ｃは、第２封止層１１９ｂとダム部１１７上の第１封止層１１９ａ上に配置され得る。第３封止層１１９ｃは、第２封止層１１９ｂ及び第２封止層１１９ｂによって覆われない第１封止層１１９ａの両方を囲むように実現され得る。例えば、第２封止層１１９ｂは、ダム部１１７によって囲まれる発光素子層１１３上に配置された第１封止層１１９ａと第３封止層１１９ｃの間に介在し得る。本明細書の一実施例に係る第３封止層１１９ｃは、無機物質からなり得る。例えば、第３封止層１１９ｃは、第２無機封止層で表現され得る。

【0237】

本明細書の一実施例による第１基板１００は、第２領域に定義された第１マージン領域（ＭＡ１）と第２マージン領域（ＭＡ２）およびダム領域（ＤＡ）を含むことができる。

【0238】

第１マージン領域（ＭＡ１）は、最外郭画素（Ｐｏ）の発光領域（ＥＡ）とダム部１１７の間に配置され得る。第１マージン領域（ＭＡ１）は、水分の側面透湿による発光素子層１１３の信頼性マージンを基に、最外郭画素（Ｐｏ）の発光領域（ＥＡ）（またはバンク１１４）の先端とダム部１１７との間に第１幅を有することができる。これにより、ダム部１１７は、第１方向（Ｘ）を基準に、発光領域（ＥＡ）の先端から第１幅の第１マージン領域（ＭＡ１）だけ離隔するように実現され得る。

【0239】

第２マージン領域（ＭＡ２）は、第１基板１００の外側面（ＯＳ）とダム部１１７との間に配置され得る。第２マージン領域（ＭＡ２）は、水分の側面透湿による発光素子層１１３の信頼性マージンを基に、第１基板１００の外側面（ＯＳ）とダム部１１７との間に第２幅を有することができる。これにより、ダム部１１７は、第１方向（Ｘ）を基準に、第１基板１００の外側面（ＯＳ）から第２幅の第２マージン領域（ＭＡ２）だけ離隔するように実現され得る。

【0240】

ダム領域（ＤＡ）は、第１マージン領域（ＭＡ１）と第２マージン領域（ＭＡ２）の間に配置され得る。ダム領域（ＤＡ）は、ダム部１１７の最下位底面（または下面）の幅と対応する第３幅を有することができる。

【0241】

第１方向（Ｘ）を基準に、第１マージン領域（ＭＡ１）と第２マージン領域（ＭＡ２）およびダム領域（ＤＡ）のそれぞれの幅は、最外郭画素（Ｐｏ）の中央部と第１基板１００の外側面（ＯＳ）との間の第２間隔（Ｄ２）が、画素ピッチの半分以下になるよう実現され得る。

【0242】

本明細書の実施例に係る発光表示装置は、第１基板１００上に配置された波長変換層１２１をさらに含むことができる。

【0243】

波長変換層１２１は、各画素領域（ＰＡ）の発光領域（ＥＡ）から入射する光の波長を変換させる。例えば、波長変換層１２１は、発光領域（ＥＡ）から入射する白色光（または青色光）を副画素に該当するカラー光に変換させたり、副画素に該当するカラー光のみを通過させることができる。例えば、波長変換層１２１は、波長変換部材とカラーフィルター層のうち少なくとも１つを含むことができる。

【0244】

本明細書の一実施例に係る波長変換層１２１は、複数の波長変換部材１２１ａおよびオーバーコート層１２１ｂを含むことができる。

【0245】

本明細書の一実施例に係る複数の波長変換部材１２１ａは、各副画素領域の発光領域（ＥＡ）上の封止層１１９上に配置され得る。例えば、複数の波長変換部材１２１ａは、各副画素領域の発光領域（ＥＡ）と同一または広い大きさを有することができる。

【0246】

オーバーコート層（または保護層）１２１ｂは、波長変換部材１２１ａを覆いながら波長変換部材１２１ａ上に平坦面を提供するように実現され得る。例えば、オーバーコート層１２１ｂは、波長変換部材１２１ａ、および波長変換部材１２１ａが配置されない封止層１１９を覆うように配置され得る。本明細書の一実施例に係るオーバーコート層１２１ｂは、有機物質を含むことができる。選択的に、オーバーコート層１２１ｂは、水分および／または酸素を吸着することができるゲッター（getter）材質をさらに含むことができる。

【0247】

選択的に、一実施例に係る波長変換層１２１は、波長変換部材１２１ａと封止層１１９の間に介在した量子ドット部材をさらに含むことができる。量子ドット部材は、発光素子層１１３から入射する白色光または青色光によって再発光して副画素に設定された色の光を再放出するように構成され得る。

【0248】

代替的に、波長変換層１２１は、シート形状を有する波長変換シートに変更して封止層１１９上に配置することもできる。この場合、波長変換シート（または量子ドットシート）は、一対のフィルム間に介在した波長変換部材１２１ａを含むことができる。波長変換シートの波長変換部材１２１ａは、発光素子層１１３から入射する白色光または青色光によって再発光して副画素に設定された色の光を再放出するように構成された量子ドット部材を含むことができる。

【0249】

本明細書の実施例に係る発光表示装置または基板１００は、機能性フィルム１２３をさらに含むことができる。

【0250】

機能性フィルム１２３は、波長変換層１２１上に配置され得る。例えば、機能性フィルム１２３は、透明接着部材１２２を介して波長変換層１２１上に結合され得る。

【0251】

本明細書の一実施例に係る機能性フィルム１２３は、外部光の反射を防止し、発光表示装置１０に表示される映像に対する屋外視認性とコントラスト比を向上させるための反射防止層（または反射防止フィルム）を含むことができる。例えば、反射防止層は、第１基板１００上に配置されたＴＦＴおよび／または画素駆動ラインによって反射し、再び外部に進行する反射光を遮断する円偏光層（または円偏光フィルム）を含むことができる。

【0252】

本明細書の一実施例に係る機能性フィルム１２３は、水分または酸素の浸透を１次的に防止するためのバリア層（またはバリアフィルム）をさらに含むことができ、バリア層は、水分透湿度が低い材質、例を挙げるとポリマー材料からなり得る。

【0253】

本明細書の一実施例に係る機能性フィルム１２３は、各画素（Ｐ）から外部の方に出光する光の経路を制御する光経路制御層（または光経路制御フィルム）をさらに含むことができる。光経路制御層は、高屈折層と低屈折層が交互に積層した構造を含むことにより、各画素（Ｐ）から入射する光の経路を変更して、視野角によるカラーシフト現象を最小化することができる。

【0254】

本明細書の一実施例に係る発光表示装置や基板１００は、側面シール部材１２５をさらに含むことができる。

【0255】

側面シール部材１２５は、第１基板１００と機能性フィルム１２３の間に形成され、回路層１１１と平坦化層１１２および波長変換層１２１のそれぞれの側面のすべてを覆うことができる。つまり、側面シール部材１２５は、機能性フィルム１２３と基板１００の間で発光表示装置１０の外部に露出した回路層１１１と平坦化層１１２および波長変換層１２１のそれぞれの側面のすべて覆うことができる。例えば、第１基板１００の最外郭外側面と側面シール部材１２５の外側面および機能性フィルム１２３の外側面のそれぞれは、互いに同じ垂直延長線（ＶＬ）上に位置することができる。

【0256】

本明細書の一実施例による側面シール部材１２５は、シリコン系または紫外線（ＵＶ）硬化系のシーリング剤（または樹脂（Resin））からなり得るが、工程タクトタイム（Tact Time or takt time）を考慮すると、紫外線（ＵＶ）硬化系のシーリング剤からなることが好ましい。また、前記側面シール部材１２５は、有色（例えば、青色、赤色、シアン、または黒色）であり得るが、これに限定されず、側面光漏れを防止するための有色樹脂または光遮断樹脂からなることが好ましい。選択的に、側面シール部材１２５は、水分および／または酸素を吸着することができるゲッター（getter）材質をさらに含むことができる。

【0257】

本明細書の一実施例に係る発光表示装置は、第１基板１００の背面に配置された第２基板２００をさらに含むことができる。

【0258】

第２基板２００は、金属パターン層、および金属パターン層を絶縁する絶縁層を含むことができる。

【0259】

金属パターン層（または導電性パターン層）は、複数の金属層を含むことができる。本明細書の一実施例に係る金属パターン層は、第１金属層２０１、第２金属層２０３、及び第３金属層を含むことができる。絶縁層は、複数の絶縁層を含むことができる。例えば、絶縁層は、第１絶縁層２０２、第２絶縁層２０４、及び第３絶縁層２０６を含むことができる。絶縁層は、背面絶縁層またはパターン絶縁層で表現することもできる。

【0260】

第１金属層２０１と第２金属層２０３及び第３金属層は、第２基板２００の背面２００ｂに配置された第１パッド部２１０のパッド２１１、第２パッド部２３０のパッド、およびリンクライン部２５０のリンクラインとして用いることができる。例えば、第１金属層２０１は、複数のリンクラインの中の一部のリンクラインに用いることができ、第３金属層は、複数のリンクラインの残りの部分のリンクラインおよびパッド２１１に用いることができる。第２金属層２０３は、互いに異なる層に配置されたリンクラインを電気的に連結するためのジャンピングライン（またはブリッジライン）として用いることができる。

【0261】

第１絶縁層２０２は、第１金属層２０１を覆うように、第２基板２００の背面２００ｂ上に実現され得る。第２絶縁層２０４は、第２金属層２０３を覆うように、第２基板２００の背面２００ｂ上に実現され得る。第３絶縁層２０６は、第３金属層を覆うように、第２基板２００の背面２００ｂ上に実現され得る。

【0262】

第２基板２００は、結合部材３００を介して、第１基板１００の背面に結合することができる。

【0263】

結合部材３００は、第１基板１００と第２基板２００の間に介在する。本明細書の一実施例による結合部材３００は、ＯＣＡ（optically clear adhesive）またはOCR（optically clear resin）を含む透明接着部材であるか、両面テープであり得る。本明細書の他の実施例による結合部材３００は、ガラス繊維を含むことができる。

【0264】

本明細書の一実施例に係る結合部材３００は、第１基板１００と第２基板２００の間の空間全体に配置され得る。例えば、第１基板１００の背面全体は、結合部材３００の一面全体と結合し得、第２基板２００の前面全体は、結合部材３００の他面全体と結合し得る。

【0265】

本明細書の他の実施例による結合部材３００は、第１基板１００と第２基板２００の間にパターン構造で配置され得る。例えば、結合部材３００は、中間パターン構造またはメッシュパターンの構造を有することができる。メッシュパターンの構造は、第１基板１００と第２基板２００の合着時、第１基板１００と第２基板２００の間に発生する気泡が外部に排出され得るベント部をさらに含むことができる。

【0266】

本明細書の一実施例に係る発光表示装置は、ルーティング部４００をさらに含むことができる。

【0267】

ルーティング部４００は、第１基板１００の一側縁部分に配置されたコンタクトパターン部１１０のコンタクトパターン（ＰＣＰ、ＤＣＰ、ＲＣＰ、ＧＣＰ、ＣＣＰ）と第２基板２００の一側縁部分に配置された第１パッド部２１０のパッド２１１を、電気的に一対一で連結することができる。ルーティング部４００は、第１基板１００のコンタクトパターン部１１０と外側面（ＯＳ１ａ）、及び第２基板２００の第１パッド部２１０と外側面（ＯＳ１ａ）を覆うように実現され、これにより、コンタクトパターン部１１０のコンタクトパターン（ＰＣＰ、ＤＣＰ、ＲＣＰ、ＧＣＰ、ＣＣＰ）と、第１パッド部２１０のパッド２１１を電気的に直接に連結（または接続）することができる。このようなルーティング部４００は、第１及び第２基板１００、２００の一側縁部分に配置され、ダム部１１７または断絶部１１５とダム部１１７の両方を介してコンタクトパターン部１１０と電気的に直接に連結されることで、第１基板１００の最外郭縁部分に配置されるパッド部を代替（または代わり）することができ、これにより本明細書に係る発光表示装置は、第１基板１００の最外郭端部分に配置されるパッド部が不必要で、これにより、ベゼル領域がないエアベゼル構造を有することができる。

【0268】

本明細書の一実施例に係るルーティング部４００は、コンタクトパターン部１１０上に配置されるダム部１１７および断絶部１１５の中の少なくとも１つを貫通するルーティングコンタクトホール（ＣＨ）を介してコンタクトパターン部１１０と電気的に連結され得る。

【0269】

第１例によるルーティング部４００は、コンタクトパターン部１１０上に配置されている第３封止層１１９ｃと、第１封止層１１９ａおよびダム部１１７を通過して、コンタクトパターン部１１０と電気的に連結され得る。例えば、第１例によるルーティング部４００は、コンタクトパターン部１１０上に配置されているダム部１１７を貫通するルーティングコンタクトホール（ＣＨ）を介して、コンタクトパターン部１１０と電気的に連結され得る。例えば、第１例によるルーティング部４００は、コンタクトパターン部１１０上に配置されている第３封止層１１９ｃ、第１封止層１１９ａ、断絶した発光素子層１１３、ダム部１１７、および回路層１１１の順に貫通するルーティングコンタクトホール（ＣＨ）を介して、コンタクトパターン部１１０と電気的に連結され得る。

【0270】

第２例によるルーティング部４００は、コンタクトパターン部１１０上に配置されている第３封止層１１９ｃと、第１封止層１１９ａおよび断絶部１１５を通過して、コンタクトパターン部１１０と電気的に連結され得る。例えば、第２例によるルーティング部４００は、コンタクトパターン部１１０上に配置されている断絶部１１５を貫通するルーティングコンタクトホール（ＣＨ）を介して、コンタクトパターン部１１０と電気的に連結され得る。例えば、第２例によるルーティング部４００は、コンタクトパターン部１１０上に配置されている第３封止層１１９ｃ、第１封止層１１９ａ、断絶した発光素子層１１３、断絶部１１５、および回路層１１１の順に貫通するルーティングコンタクトホール（ＣＨ）を介して、コンタクトパターン部１１０と電気的に連結され得る。

【0271】

第３例によるルーティング部４００は、コンタクトパターン部１１０上に配置されているダム部１１７と断絶部１１５のそれぞれを貫通するルーティングコンタクトホール（ＣＨ）を介して、コンタクトパターン部１１０と電気的に連結され得る。

【0272】

ルーティングコンタクトホール（ＣＨ）は、第１基板１００のコンタクトパターン部１１０上に配置されている層をパターニングして、コンタクトパターン（ＰＣＰ、ＤＣＰ、ＲＣＰ、ＧＣＰ、ＣＣＰ）の少なくとも一部を露出させる少なくとも１回のホールパターニング工程によって実現され得る。本明細書の一実施例に係るルーティングコンタクトホール（ＣＨ）は、少なくとも１つの第１～第５ルーティングコンタクトホール（ＣＨ１、ＣＨ２、ＣＨ３、ＣＨ４、ＣＨ５）を含むことができる。

【0273】

少なくとも１つの第１ルーティングコンタクトホール（ＣＨ１）は、断絶部１１５の第１断絶構造物１１５ａを貫通するように実現され得る。少なくとも１つの第２ルーティングコンタクトホール（ＣＨ２）は、断絶部１１５の第２断絶構造物１１５ｂを貫通するように実現され得る。少なくとも１つの第３ルーティングコンタクトホール（ＣＨ３）は、断絶部１１５の第３断絶構造物１１５ｃを貫通するように実現され得る。少なくとも１つの第４ルーティングコンタクトホール（ＣＨ４）は、断絶部１１５の第４断絶構造物１１５ｄを貫通するように実現され得る。少なくとも１つの第５ルーティングコンタクトホール（ＣＨ５）は、ダム部１１７を貫通するように実現され得る。

【0274】

少なくとも１つの第１～第４ルーティングコンタクトホール（ＣＨ１、ＣＨ２、ＣＨ３、ＣＨ４）は、断絶部１１５の第１～第４断絶構造物１１５ａ、１１５ｂ、１１５ｃ、１１５ｄのそれぞれと封止層１１９を含むコンタクトパターン部１１０上の層を貫通するように実現され得る。本明細書の一実施例に係る少なくとも１つの第１～第４ルーティングコンタクトホール（ＣＨ１、ＣＨ２、ＣＨ３、ＣＨ４）のそれぞれは、コンタクトパターン部１１０のコンタクトパターン（ＰＣＰ、ＤＣＰ、ＲＣＰ、ＧＣＰ、ＣＣＰ）の少なくとも一部を露出させるために、コンタクトパターン部１１０上に配置されているオーバーコート層１２１ｂ、封止層１１９の第２無機封止層１１９ｃと、第１無機封止層１１９ａ、発光素子層１１３の断絶した共通電極（ＣＥａ）と発光層（ＥＬａ）、断絶構造物１１５ａ、１１５ｂ、１１５ｃ、１１５ｄ、およびバッファ層１１１ａを、順に貫通するように実現され得る。例えば、少なくとも１つの第２ルーティングコンタクトホール（ＣＨ２）は、データコンタクトパターン（ＤＣＰ）の少なくとも一部を露出させるために、コンタクトパターン部１１０上に配置されているオーバーコート層１２１ｂ、封止層１１９の第２無機封止層１１９ｃと第１無機封止層１１９ａ、発光素子層１１３の断絶した共通電極（ＣＥａ）と発光層（ＥＬａ）、断絶構造物１１５ａ、１１５ｂ、１１５ｃ、１１５ｄ、およびバッファ層１１１ａを、順に貫通するように実現され得る。

【0275】

少なくとも１つの第５ルーティングコンタクトホール（ＣＨ５）は、ダム部１１７と封止層１１９を含むコンタクトパターン部１１０上の層を貫通するように実現され得る。本明細書の一実施例に係る少なくとも１つの第５ルーティングコンタクトホール（ＣＨ５）は、コンタクトパターン部１１０のコンタクトパターン（ＰＣＰ、ＤＣＰ、ＲＣＰ、ＧＣＰ、ＣＣＰ）の少なくとも一部を露出させるために、コンタクトパターン部１１０上に配置されているオーバーコート層１２１ｂ、封止層１１９の第２無機封止層１１９ｃと第１無機封止層１１９ａ、発光素子層１１３の断絶した共通電極（ＣＥａ）と発光層（ＥＬａ）、ダム部１１７、およびバッファ層１１１ａを、順に貫通するように実現され得る。

【0276】

本明細書の一実施例に係るルーティング部４００は、複数のルーティングライン４１０を含むことができる。複数のルーティングライン４１０のそれぞれは、第１方向（Ｘ）に沿って一定の間隔で配置され、第１基板１００のコンタクトパターン部１１０と外側面（ＯＳ１ａ）、及び第２基板２００の第１パッド部１１０と外側面（ＯＳ１ｂ）を覆うように実現され得る。例えば、複数のルーティングライン４１０のそれぞれは、導電性ペーストを用いたプリント方式によって形成することができる。例えば、導電性ペーストは、銀（Ａｇ）ペーストを含むことができるが、これに限定されるものではない。

【0277】

複数のルーティングライン４１０のそれぞれは、第１基板１００のコンタクトパターン部１１０上に配置された第１部分（または前面部）４１０ａ、第２基板２００の第１パッド部２１０上に配置された第２部分（または背面部）４１０ｂ、及び第１部分４１０ａと第２部分４１０ｂの間の第１基板１００の外側面（ＯＳ１ａ）と第２基板２００の外側面（ＯＳ１ｂ）に配置された第３部分（または側面部または中間部）４１０ｃを含むことができる。

【0278】

複数のルーティングライン４１０のそれぞれの第１部分４１０ａと第２部分４１０ｂ及び第３部分４１０ｃのそれぞれは、導電性ペーストを用いたプリント方式によって同時に実現され得る。

【0279】

複数のルーティングライン４１０のそれぞれの第１部分４１０ａは、ルーティングコンタクトホール（ＣＨ）を介してコンタクトパターン部１１０のコンタクトパターン（ＰＣＰ、ＤＣＰ、ＲＣＰ、ＧＣＰ、ＣＣＰ）と直接に連結され得る。

【0280】

本明細書の一実施例に係る第１部分４１０ａは、ルーティングコンタクトホール（ＣＨ）を介してコンタクトパターン部１１０のコンタクトパターン（ＰＣＰ、ＤＣＰ、ＲＣＰ、ＧＣＰ、ＣＣＰ）と直接に連結され得る。例えば、第１部分４１０ａは、１つのコンタクトパターン（ＰＣＰ、ＤＣＰ、ＲＣＰ、ＧＣＰ、ＣＣＰ）と直接に連結されるように、少なくとも１つの第１～第５ルーティングコンタクトホール（ＣＨ１、ＣＨ２、ＣＨ３、ＣＨ５）に満たされた少なくとも５つの接続部（または接触部）を含むことができる。

【0281】

複数のルーティングライン４１０のそれぞれの第２部分４１０ｂは、第２基板２００の背面２００ｂに配置された第１パッド部２１０上に配置され、第１パッド部２１０のパッド２１１と電気的に直接に連結され得る。複数のルーティングライン４１０のそれぞれの第３部分４１０ｃは、第１部分４１０ａと第２部分４１０ｂの間に配置され、第１基板１００の外側面（ＯＳ１ａ）と第２基板２００の外側面（ＯＳ１ｂ）を包むか、または囲むことができる。

【0282】

コンタクトパターン部１１０のコンタクトパターン（ＰＣＰ、ＤＣＰ、ＲＣＰ、ＧＣＰ、ＣＣＰ）は、ルーティングライン４１０の第１部分４１０ａと第３部分４１０ｃ及び第２部分４１０ｂを介して、第１パッド部２１０のパッド２１１と電気的に連結され得る。

【0283】

本明細書の一実施例によれば、複数のルーティングライン４１０は、画素駆動電圧ルーティングライン４１１、データルーティングライン４１３、リファレンス電圧ルーティングライン４１５、ゲートルーティングライン４１７、および画素共通電圧ルーティングライン４１９に分類（または区分）することができる。

【0284】

画素駆動電圧ルーティングライン４１１のそれぞれは、封止層１１９と断絶部１１５および回路層１１１を順に貫通するルーティングコンタクトホール（ＣＨ）を介して、コンタクトパターン部１１０の画素駆動電源コンタクトパターン（ＰＣＰ）のそれぞれと電気的に直接に連結され、第１パッド部２１０の第１画素駆動電源パッドのそれぞれと電気的に連結され得る。これにより、駆動回路部から出力する画素駆動電源は、第２画素駆動電源パッド、画素駆動電源リンクライン、第１画素駆動電源パッド、画素駆動電圧ルーティングライン４１１、および画素駆動電源コンタクトパターン（ＰＣＰ）を介して画素駆動電源ライン（ＰＬ）にそれぞれ供給され得る。

【0285】

データルーティングライン４１３のそれぞれは、封止層１１９と断絶部１１５および回路層１１１を順に貫通するルーティングコンタクトホール（ＣＨ）を介して、コンタクトパターン部１１０のデータコンタクトパターン（ＤＣＰ）のそれぞれと電気的に直接に連結され、第１パッド部２１０の第１データパッドのそれぞれと電気的に連結され得る。これにより、駆動回路部から出力するデータ信号は、第２データパッド、データリンクライン、第１データパッド、データルーティングライン４１３、およびデータコンタクトパターン（ＤＣＰ）を介してデータライン（ＤＬ）のそれぞれに供給され得る。

【0286】

リファレンス電圧ルーティングライン４１５のそれぞれは、封止層１１９と断絶部１１５および回路層１１１を順に貫通するルーティングコンタクトホール（ＣＨ）を介して、コンタクトパターン部１１０のリファレンス電圧コンタクトパターン（ＲＣＰ）のそれぞれと電気的に直接に連結され、コンタクトパターン部１１０のリファレンス電圧コンタクトパターン（ＲＣＰ）と、第１パッド部２１０の第１リファレンス電圧パッドのそれぞれと電気的に連結され得る。これにより、駆動回路部から出力するリファレンス電圧は、第２リファレンス電圧パッド、リファレンス電圧リンクライン、第１リファレンス電圧パッド、リファレンス電圧ルーティングライン４１５、およびリファレンス電圧コンタクトパターン（ＲＣＰ）を介してリファレンス電圧ライン（ＲＬ）のそれぞれに供給され得る。

【0287】

ゲートルーティングライン４１７のそれぞれは、封止層１１９と断絶部１１５および回路層１１１を順に貫通するルーティングコンタクトホール（ＣＨ）を介して、コンタクトパターン部１１０のゲートコンタクトパターン（ＧＣＰ）のそれぞれと電気的に直接に連結され、第１パッド部２１０の第１ゲートパッドのそれぞれと電気的に連結され得る。これにより、駆動回路部から出力するゲート制御信号は、第２ゲートパッド、ゲートリンクライン、第１ゲートパッド、ゲートルーティングライン４１７、およびゲートコンタクトパターン（ＧＣＰ）を介してゲート制御ライン（ＧＣＬ）のそれぞれに供給され得る。

【0288】

画素共通電圧ルーティングライン４１９のそれぞれは、封止層１１９と断絶部１１５および回路層１１１を順に貫通するルーティングコンタクトホール（ＣＨ）を介して、コンタクトパターン部１１０の画素共通電圧コンタクトパターン（ＣＣＰ）のそれぞれと電気的に直接に連結され、第１パッド部２１０の第１画素共通電圧パッドのそれぞれと電気的に連結され得る。これにより、駆動回路部から出力する画素共通電圧は、第２画素共通電圧パッド、画素共通電圧リンクライン、第１画素共通電圧パッド、画素共通電圧ルーティングライン４１９、および画素共通電圧コンタクトパターン（ＣＣＰ）を介して画素共通電圧ライン（ＣＶＬ）のそれぞれに供給され得る。

【0289】

図１０～図１２において、ルーティング部４００のルーティングライン４１０が、断絶部１１５の第１～第４断絶構造物１１５ａ、１１５ｂ、１１５ｃ、１１５ｄのそれぞれに形成された少なくとも１つの第１～第４ルーティングコンタクトホール（ＣＨ１、ＣＨ２、ＣＨ３、ＣＨ４）およびダム部１１７に形成された少なくとも１つの第５ルーティングコンタクトホール（ＣＨ５）すべてを通じてコンタクトパターン（ＰＣＰ、ＤＣＰ、ＲＣＰ、ＧＣＰ、ＣＣＰ）と電気的に直接に連結されることして説明したが、これに限定されない。例えば、ルーティング部４００のルーティングライン４１０は、第１～第５ルーティングコンタクトホール（ＣＨ１、ＣＨ２、ＣＨ３、ＣＨ４、ＣＨ５）の中の少なくとも１つを介して、コンタクトパターン（ＰＣＰ、ＤＣＰ、ＲＣＰ、ＧＣＰ、ＣＣＰ）と電気的に直接に連結され得る。

【0290】

図１０～図１２で説明した第１基板１００の背面に配置された第２基板２００は、省略することができ、この場合、第２基板２００に配置された第１パッド部２１０と第２パッド部２３０およびリンクライン部２５０のそれぞれは、図７に示したように、基板１００の背面１００ｂに配置され得、ルーティング部４００のルーティングライン４１０は、基板１００の前面の一側縁部分と外側面（ＯＳ）および基板１００の背面の一側縁部分を覆うように形成され、コンタクトパターン部１１０のコンタクトパターン（ＰＣＰ、ＤＣＰ、ＲＣＰ、ＧＣＰ、ＣＣＰ）と、第１パッド部２１０のパッド２１１に電気的に一対一で連結されることを除いては、実質的に同じなので、これに対する重複説明は省略する。

【0291】

本明細書の一実施例に係るルーティング部４００は、エッジコーティング層４５０をさらに含むことができる。

【0292】

エッジコーティング層４５０は、複数のルーティングライン４１０を覆うように実現され得る。本明細書の一実施例に係るエッジコーティング層４５０は、複数のルーティングライン４１０だけでなく、第１基板１００の第１縁部分と第１外側面（ＯＳ１ａ）、及び第２基板２００の第１縁部分と第１外側面（ＯＳ１ｂ）全体を覆うように実現され得る。このようなエッジコーティング層４５０は、金属材質からなる複数のルーティングライン４１０のそれぞれの腐食や複数のルーティングライン４１０間の電気的ショートを防止することができる。また、エッジコーティング層４５０は、複数のルーティングライン４１０と第１パッド部１１０のパッドによって外部光の反射を防止したり、最小限に抑えることができる。本明細書の一実施例に係るエッジコーティング層４５０は、ブラックインクを含む光遮断物質からなり得る。

【0293】

第１基板１００の第１面１００ａ上に配置されるエッジコーティング層４５０の上部面は、側面シール部材１２５によって覆うことができる。

【0294】

エッジコーティング層４５０の外側面は、第１基板１００の最外郭外側面であり得、これにより、第１基板１００の最外郭外側面と側面シール部材１２５の外側面および機能性フィルム１２３の外側面のそれぞれは、互いに同じ垂直延長線（ＶＬ）上に位置することができる。

【0295】

このように、本明細書の実施例に係る発光表示装置は、第１基板（または基板）１００の端部分に配置されたコンタクトパターンと直接に連結されたルーティング部４００を含むことにより、第１基板（または基板）１００の最外郭端部分に配置されるパッド部が不必要で、これにより、ベゼル領域がないエアベゼル構造を有することができる。また、本明細書の実施例に係る発光表示装置は、断絶部１１５によって、第１基板（または基板）１００の端部分に配置される発光層（ＥＬ）が少なくとも１回断絶（または分離）されることにより、側面透湿による発光層（ＥＬ）の劣化および／または信頼性の低下を防止したり最小限に抑えることができる。

【0296】

図１３は、本明細書の他の実施例に係る画素駆動ラインとルーティング部の間の連結構造を説明するための図であり、図１４は、図１３に示した「Ｂ４」部分の拡大図であり、図１５は、図１４に示した線ＩＩ－ＩＩ’の断面図であり、図１６Ａは、図１５に示した「Ｂ５」部分の拡大図であり、図１６Ｂは、本明細書の他の実施例に係る図１５に示した「Ｂ５」部分の拡大図であり、図１６Ｃは、本明細書のまた他の実施例に係る図１５に示した「Ｂ５」部分の拡大図であり、図１７は、図１４に示した線ＩＩＩ－ＩＩＩ’の断面図であり、これは、図９～図１２に示した発光表示装置に補助ライン部を追加で構成したものである。図１３～図１６を説明することにおいて、補助ライン部およびこれに関連する構成についてのみ説明することにして、残りの構成には、図９～図１２と同一の符号を付与し、それに対する重複説明は省略することにする。

【0297】

図１３～図１６を参照すると、本明細書の他の実施例に係る発光表示装置は、画素駆動ライン（ＰＬ、ＤＬ、ＲＬ、ＧＣＬ、ＣＶＬ）に連結されたコンタクトパターン部１１０とルーティング部４００との間に配置された補助パターン部１１６をさらに含むことができる。

【0298】

補助パターン部１１６は、中間金属部または信号伝達部で表現され得る。本明細書の一実施例に係る補助パターン部１１６は、コンタクトパターン部１１０のコンタクトパターン（ＰＣＰ、ＤＣＰ、ＲＣＰ、ＧＣＰ、ＣＣＰ）とルーティング部４００のルーティングライン４１０との間に電気的に連結された第１～第５中間パターン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄ、１１６ｅを含むことができる。例えば、第１～第５中間パターン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄ、１１６ｅのそれぞれは、補助パターン、導電性補助パターン、または導電性中間パターンで表現され得る。

【0299】

第１～第４中間パターン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄのそれぞれは、断絶部１１５に配置され得る。例えば、第１中間パターン１１６ａは、断絶部１１５の第１断絶構造物１１５ａに配置され得る。第２中間パターン１１６ｂは、断絶部１１５の第２断絶構造物１１５ｂに配置され得る。第３中間パターン１１６ｃは、断絶部１１５の第３断絶構造物１１５ｃに配置され得る。第４中間パターン１１６ｄは、断絶部１１５の第４断絶構造物１１５ｄに配置され得る。

【0300】

第５中間パターン１１６ｅは、ダム領域（ＤＡ）に配置され得る。例えば、第５中間パターン１１６ｅは、ダム部１１７の下に配置され得る。例えば、第５中間パターン１１６ｅは、ダム部１１７と回路層１１１の間に配置され得る。

【0301】

第１～第５中間パターン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄ、１１６ｅのそれぞれは、コンタクトパターン（ＰＣＰ、ＤＣＰ、ＲＣＰ、ＧＣＰ、ＣＣＰ）とルーティングライン４１０の間に介在した中間金属層またはシグナル伝達層の役割をすることができる。第１～第５中間パターン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄ、１１６ｅのそれぞれは、コンタクトパターン（ＰＣＰ、ＤＣＰ、ＲＣＰ、ＧＣＰ、ＣＣＰ）とルーティングライン４１０の間の距離によって発生し得るコンタクトパターン（ＰＣＰ、ＤＣＰ、ＲＣＰ、ＧＣＰ、ＣＣＰ）とルーティングライン４１０の間の電気的な、または物理的なコンタクト不良を防止することができる。また、第１～第５中間パターン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄ、１１６ｅのそれぞれは、断絶部１１５の第１～第４断絶構造物１１５ａ、１１５ｂ、１１５ｃ、１１５ｄのそれぞれの第１トレンチ構造物（ＴＳ１）と第２トレンチ構造物（ＴＳ２）の間に介在することで、第１トレンチ構造物（ＴＳ１）と第２トレンチ構造物（ＴＳ２）の間の接着力を向上させることができる。

【0302】

第１～第４中間パターン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄのそれぞれは、コンタクトパターン（ＰＣＰ、ＤＣＰ、ＲＣＰ、ＧＣＰ、ＣＣＰ）のそれぞれと重畳した断絶部１１５の第１～第４断絶構造物１１５ａ、１１５ｂ、１１５ｃ、１１５ｄのそれぞれに配置され、コンタクトパターン（ＰＣＰ、ＤＣＰ、ＲＣＰ、ＧＣＰ、ＣＣＰ）とルーティング部４００のルーティングライン４１０との間に電気的に連結され得る。例えば、第１～第４中間パターン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄのそれぞれは、データコンタクトパターン（ＤＣＰ）と重畳する第１～第４断絶構造物１１５ａ、１１５ｂ、１１５ｃ、１１５ｄのそれぞれに配置され、データコンタクトパターン（ＤＣＰ）とデータルーティングライン４１３の間に電気的に連結され得る。例えば、第１～第４中間パターン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄのそれぞれは、データコンタクトパターン（ＤＣＰ）と共通して連結し、データルーティングライン４１３の第１部分４１０ａと共通して連結され得る。

【0303】

第５中間パターン１１６ｅは、コンタクトパターン（ＰＣＰ、ＤＣＰ、ＲＣＰ、ＧＣＰ、ＣＣＰ）のそれぞれの重畳するダム部１１７に配置され、コンタクトパターン（ＰＣＰ、ＤＣＰ、ＲＣＰ、ＧＣＰ、ＣＣＰ）とルーティング部４００のルーティングライン４１０との間に電気的に連結され得る。例えば、第５中間パターン１１６ｅは、データコンタクトパターン（ＤＣＰ）と重畳するダム部１１７に配置され、データコンタクトパターン（ＤＣＰ）とデータルーティングライン４１３の間に電気的に連結され得る。

【0304】

図１３～図１６において、補助パターン部１１６は、第１～第５中間パターン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄ、１１６ｅを含むものとして説明したが、これに限定されない。例えば、補助パターン部１１６は、第１～第５中間パターン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄ、１１６ｅの中の少なくとも１つを含むことができる。例えば、補助パターン部１１６は、コンタクトパターン（ＰＣＰ、ＤＣＰ、ＲＣＰ、ＧＣＰ、ＣＣＰ）のそれぞれと重畳するダム部１１７に配置され、コンタクトパターン（ＰＣＰ、ＤＣＰ、ＲＣＰ、ＧＣＰ、ＣＣＰ）とルーティング部４００のルーティングライン４１０との間に電気的に連結された１つの中間パターン１１６ｅだけを含むことができる。例えば、補助パターン部１１６は、コンタクトパターン（ＰＣＰ、ＤＣＰ、ＲＣＰ、ＧＣＰ、ＣＣＰ）のそれぞれと重畳する断絶部１１５に配置され、コンタクトパターン（ＰＣＰ、ＤＣＰ、ＲＣＰ、ＧＣＰ、ＣＣＰ）とルーティング部４００のルーティングライン４１０との間に電気的に連結された第１～第４中間パターン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄの中の少なくとも１つを含むことができる。

【0305】

本明細書の一実施例に係る第１～第５中間パターン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄ、１１６ｅのそれぞれは、第１金属層（ＭＬａ）と第２金属層（ＭＬｂ）を含むことができる。

【0306】

第１金属層（ＭＬａ）は、コンタクトパターン（ＰＣＰ、ＤＣＰ、ＲＣＰ、ＧＣＰ、ＣＣＰ）と重畳する回路層１１１に配置され得る。例えば、第１金属層（ＭＬａ）は、断絶部１１５とダム部１１７のそれぞれとコンタクトパターン（ＰＣＰ、ＤＣＰ、ＲＣＰ、ＧＣＰ、ＣＣＰ）の間に配置され得る。例えば、第１金属層（ＭＬａ）は、コンタクトパターン（ＰＣＰ、ＤＣＰ、ＲＣＰ、ＧＣＰ、ＣＣＰ）と層間絶縁層１１１ｃの間に配置され得る。

【0307】

本明細書の一実施例に係る第１金属層（ＭＬａ）は、コンタクトパターン（ＰＣＰ、ＤＣＰ、ＲＣＰ、ＧＣＰ、ＣＣＰ）と電気的に連結されるようにバッファ層１１１ａ上に実現され得る。例えば、第１金属層（ＭＬａ）は、コンタクトパターン（ＰＣＰ、ＤＣＰ、ＲＣＰ、ＧＣＰ、ＣＣＰ）と重畳するバッファ層１１１ａ上に配置され、バッファ層１１１ａを貫通する第１ビアホール（または下部ビアホール）（ＶＨ１）を介して、コンタクトパターン（ＰＣＰ、ＤＣＰ、ＲＣＰ、ＧＣＰ、ＣＣＰ）と電気的に連結され得る。例えば、第１金属層（ＭＬａ）は、バッファ層１１１ａ上に配置された少なくとも１つの絶縁層によって覆われ得る。例えば、第１金属層（ＭＬａ）は、層間絶縁層１１１ｃによって覆うことができる。

【0308】

本明細書の一実施例に係る第１～第４中間パターン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄの第１金属層（ＭＬａ）は、断絶部１１５の下に配置されたバッファ層１１１ａを貫通する第１ビアホール（ＶＨ１）を介して、コンタクトパターン（ＰＣＰ、ＤＣＰ、ＲＣＰ、ＧＣＰ、ＣＣＰ）と電気的に連結され得る。

【0309】

本明細書の一実施例に係る第５中間パターン１１６ｅの第１金属層（ＭＬａ）は、ダム部１１７の下に配置されたバッファ層１１１ａを貫通する第１ビアホール（ＶＨ１）を介して、コンタクトパターン（ＰＣＰ、ＤＣＰ、ＲＣＰ、ＧＣＰ、ＣＣＰ）と電気的に連結され得る。

【0310】

本明細書の一実施例に係る第１金属層（ＭＬａ）は、コンタクトパターン（ＰＣＰ、ＤＣＰ、ＲＣＰ、ＧＣＰ、ＣＣＰ）と重畳する点形状で実現するか、第１方向（Ｘ）に沿ってコンタクトパターン（ＰＣＰ、ＤＣＰ、ＲＣＰ、ＧＣＰ、ＣＣＰ）と交差するライン形状で実現され得る。例えば、第５中間パターン１１６ｅの第１金属層（ＭＬａ）は、ダム部１１７に配置されるので、第１～第４中間パターン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄの第１金属層（ＭＬａ）より相対的に大きい大きさを有することができるが、これに限定されるものではない。

【0311】

本明細書の一実施例に係る第１金属層（ＭＬａ）は、画素領域（ＰＡ）に配置されたＴＦＴ（Ｔｄｒ）のゲート電極と一緒に実現、またはソース／ドレイン電極と一緒に実現され得る。例えば、第１金属層（ＭＬａ）は、ＴＦＴ（Ｔｄｒ）のゲート電極と同一の物質と構造で実現、またはソース／ドレイン電極と同一の物質と構造で実現され得る。

【0312】

第２金属層（ＭＬｂ）は、第１金属層（ＭＬａ）とルーティングライン４１０の間に電気的に連結されるように実現され得る。例えば、第２金属層（ＭＬｂ）は、第１金属層（ＭＬａ）と重畳するパッシベーション層１１１ｄ上に配置され、パッシベーション層１１１ｄと層間絶縁層１１１ｃを順に貫通する第２ビアホール（または上部ビアホール）（ＶＨ２）を介して、第１金属層（ＭＬａ）と電気的に連結され得る。

【0313】

本明細書の一実施例に係る第１～第４中間パターン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄの第２金属層（ＭＬｂ）は、第１金属層（ＭＬａ）と重畳する断絶部１１５の第１～第４断絶構造物１１５ａ、１１５ｂ、１１５ｃ、１１５ｄのそれぞれの第１トレンチ構造物（ＴＳ１）上に配置され、第１金属層（ＭＬａ）とルーティングライン４１０の間に電気的に連結され得る。例えば、第１～第４中間パターン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄの第２金属層（ＭＬｂ）は、断絶部１１５の第１～第４断絶構造物１１５ａ、１１５ｂ、１１５ｃ、１１５ｄのそれぞれの第１トレンチ構造物（ＴＳ１）と第２トレンチ構造物（ＴＳ２）の間に配置され、第１トレンチ構造物（ＴＳ１）のパッシベーション層１１１ｄと層間絶縁層１１１ｃを順に貫通する第２ビアホール（または上部ビアホール）（ＶＨ２）を介して、第１金属層（ＭＬａ）と電気的に連結され得る。例えば、第１～第４中間パターン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄの第２金属層（ＭＬｂ）は、第１トレンチ構造物（ＴＳ１）と第２トレンチ構造物（ＴＳ２）の間に配置されることで、第１トレンチ構造物（ＴＳ１）と第２トレンチ構造物（ＴＳ２）の間の接着力を向上させることができる。

【0314】

本明細書の一実施例に係る第５中間パターン１１６ｅの第２金属層（ＭＬｂ）は、ダム部１１７の第１ダム１１７ａと第１金属層（ＭＬａ）との間に配置され、第１金属層（ＭＬａ）とルーティングライン４１０の間に電気的に連結され得る。例えば、第５中間パターン１１６ｅの第２金属層（ＭＬｂ）は、ダム部１１７の第１ダム１１７ａとパッシベーション層１１１ｄとの間に配置され、第１ダム１１７ａの下のパッシベーション層１１１ｄと層間絶縁層１１１ｃを順に貫通する第２ビアホール（または上部ビアホール）（ＶＨ２）を介して、第１金属層（ＭＬａ）と電気的に連結され得る。例えば、第５中間パターン１１６ｅの第２金属層（ＭＬｂ）は、パッシベーション層１１１ｄと第１ダム１１７ａの間に配置されることによって、パッシベーション層１１１ｄと第１ダム１１７ａとの間の接着力を向上させることができる。

【0315】

本明細書の一実施例に係る第２金属層（ＭＬｂ）は、第１金属層（ＭＬａ）と同じ点の形状で実現されるか、またはラインの形状で実現され得る。例えば、第５中間パターン１１６ｅの第２金属層（ＭＬｂ）は、ダム部１１７に配置されるので、第１～第４中間パターン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄの第２金属層（ＭＬｂ）より相対的に大きい大きさを有することができるが、これに限定されるものではない。

【0316】

本明細書の一実施例に係る第２金属層（ＭＬａ）は、画素領域（ＰＡ）に配置された画素電極（ＰＥ）と一緒に実現され得る。例えば、第２金属層（ＭＬｂ）は、画素電極（ＰＥ）と同一の物質と構造で実現され得る。

【0317】

図１３、図１４及び図１７を参照すると、本明細書の他の実施例に係る発光表示装置は、第１基板１００の一側縁部分を除いた残りの縁部分に配置されている断絶部１１５とダム部１１７のそれぞれに配置された補助ライン部１１８をさらに含むことができる。

【0318】

補助ライン部１１８は、導電性ライン部で表現され得る。本明細書の一実施例に係る補助ライン部１１８は、断絶部１１５とダム部１１７に配置された第１～第５補助ライン１１８ａ、１１８ｂ、１１８ｃ、１１８ｄ、１１８ｅを含むことができる。例えば、第１～第５補助ライン１１８ａ、１１８ｂ、１１８ｃ、１１８ｄ、１１８ｅのそれぞれは、導電性ライン、電気的フローティングライン、導電性補助ライン、または電気的フローティング補助ラインで表現され得る。

【0319】

第１～第５補助ライン１１８ａ、１１８ｂ、１１８ｃ、１１８ｄ、１１８ｅのそれぞれは、画素領域（ＰＡ）に配置された画素電極（ＰＥ）と同一の物質と構造で実現され得る。例えば、第１～第５補助ライン１１８ａ、１１８ｂ、１１８ｃ、１１８ｄ、１１８ｅのそれぞれは、補助パターン部１１６の第２金属層（ＭＬｂ）と一緒に形成され得る。

【0320】

第１～第４補助ライン１１８ａ、１１８ｂ、１１８ｃ、１１８ｄのそれぞれは、ライン形状を有するように断絶部１１５の第１～第４断絶構造物１１５ａ、１１５ｂ、１１５ｃ、１１５ｄのそれぞれに配置され得る。例えば、第１補助ライン１１８ａは、断絶部１１５の第１断絶構造物１１５ａに配置され得る。第２補助ライン１１８ｂは、断絶部１１５の第２断絶構造物１１５ｂに配置され得る。第３補助ライン１１８ｃは、断絶部１１５の第３断絶構造物１１５ｃに配置され得る。第４補助ライン１１８ｄは、断絶部１１５の第４断絶構造物１１５ｄに配置され得る。

【0321】

本明細書の一実施例に係る第１～第４補助ライン１１８ａ、１１８ｂ、１１８ｃ、１１８ｄのそれぞれは、断絶部１１５の第１～第４断絶構造物１１５ａ、１１５ｂ、１１５ｃ、１１５ｄのそれぞれと重畳するパッシベーション層１１１ｄ上に配置され得る。例えば、第１～第４補助ライン１１８ａ、１１８ｂ、１１８ｃ、１１８ｄのそれぞれは、断絶部１１５の第１～第４断絶構造物１１５ａ、１１５ｂ、１１５ｃ、１１５ｄのそれぞれの第１トレンチ構造物（ＴＳ１）と第２トレンチ構造物（ＴＳ２）の間に配置されることで、第１トレンチ構造物（ＴＳ１）と第２トレンチ構造物（ＴＳ２）の間の接着力を向上させることができる。

【0322】

断絶部１１５の第１～第４断絶構造物１１５ａ、１１５ｂ、１１５ｃ、１１５ｄのそれぞれの第１トレンチ構造物（ＴＳ１）は、第１～第４補助ライン１１８ａ、１１８ｂ、１１８ｃ、１１８ｄのそれぞれと重畳する第３ビアホール（ＶＨ３）を含むことができる。例えば、第３ビアホール（ＶＨ３）は、第１トレンチ構造物（ＴＳ１）を実現するパッシベーション層１１１ｄと層間絶縁層１１１ｃの順に貫通することができる。例えば、第３ビアホール（ＶＨ３）は、補助パターン部１１６の第１ビアホール（ＶＨ１）と一緒に形成され得る。これにより、第１～第４補助ライン１１８ａ、１１８ｂ、１１８ｃ、１１８ｄのそれぞれは、第１トレンチ構造物（ＴＳ１）のパッシベーション層１１１ｄ上に配置され、第３ビアホール（ＶＨ３）に挿入され得る。

【0323】

第５補助ライン１１８ｅは、ライン形状を有するようにダム領域（ＤＡ）に配置され得る。例えば、第５補助ライン１１８ｅは、ダム部１１７の下に配置され得る。例えば、第５補助ライン１１８ｅは、ダム部１１７と回路層１１１の間に配置され得る。

【0324】

本明細書の一実施例に係る第５補助ライン１１８ｅは、ダム部１１７と重畳するパッシベーション層１１１ｄ上に配置され得る。例えば、第５補助ライン１１８ｅは、パッシベーション層１１１ｄとダム部１１７の第１ダム１１７ａとの間に配置されることによって、パッシベーション層１１１ｄと第１ダム１１７ａの間の接着力を向上させることができる。

【0325】

ダム領域（ＤＡ）またはダム部１１７は、第５補助ライン１１８ｅと重畳する第４ビアホール（ＶＨ４）を含むことができる。例えば、第４ビアホール（ＶＨ４）は、ダム部１１７の第１ダム１１７ａの下に配置されたパッシベーション層１１１ｄと層間絶縁層１１１ｃの順に貫通することができる。例えば、第４ビアホール（ＶＨ４）は、補助パターン部１１６の第１ビアホール（ＶＨ２）と一緒に形成され得る。これにより、第５補助ライン１１８ｅは、ダム部１１７の下のパッシベーション層１１１ｄ上に配置され、第４ビアホール（ＶＨ４）に挿入され得る。

【0326】

このような本明細書の他の実施例に係る発光表示装置は、一実施例に係る発光表示装置と同様に、ベゼル領域がないエアベゼル構造を有することができ、側面透湿による発光層（ＥＬ）の劣化および／または信頼性の低下を防止、または最小限に抑えることができる。また、本明細書の他の実施例に係る発光表示装置は、コンタクトパターン（ＰＣＰ、ＤＣＰ、ＲＣＰ、ＧＣＰ、ＣＣＰ）とルーティングライン４１０の間に配置された補助パターン部１１６をさらに含むことにより、コンタクトパターン（ＰＣＰ、ＤＣＰ、ＲＣＰ、ＧＣＰ、ＣＣＰ）とルーティングライン４１０の間の電気的なまたは物理的なコンタクト不良を防止することができる。また、本明細書の他の実施例に係る発光表示装置は、断絶部１１５の第１～第４断絶構造物１１５ａ、１１５ｂ、１１５ｃ、１１５ｄのそれぞれの第１トレンチ構造物（ＴＳ１）と第２トレンチ構造（ＴＳ２）の間に配置され、ダム部１１７と回路層１１１の間に配置された補助ライン部１１８をさらに含むことにより、第１トレンチ構造物（ＴＳ１）と第２トレンチ構造物（ＴＳ２）の間の接着力を向上させることができ、ダム部１１７と回路層１１１の間の接着力を向上させることができる。

【0327】

図１６Ｂ及び図１６Ｃを参照すると、これは、図１６Ａに示した実施例の変形例である。図１６Ａにおいて、ルーティングラインは、コンタクトホール（ＣＨ）（例えば、ＣＨ１～ＣＨ５）の内部に延長される。しかし、本明細書のいくつかの実施例に係るルーティングラインは、コンタクトホール（ＣＨ）の中のいずれか１つだけの内部に延長され得る。例えば、図１６Ｂは、第１コンタクトホール（ＣＨ１）の内部に延長されるルーティングラインを示す実施例である。一方、図１６Ｃは、第５コンタクトホール（ＣＨ５）の内部に延長されるルーティングラインを示す実施例である。回路の設計と特定回路の配置に対する必要性によって、コンタクトホールを介して延長されるルーティングラインの様々な結合（または組み合わせ）が可能である。例えば、本明細書の一実施例に係る回路配置によると、ルーティングラインは、２つのコンタクトホール（例えば、ＣＨ２、ＣＨ４）を介して延長され得る。本明細書の他の実施例に係る回路配置によると、ルーティングラインは、３つのコンタクトホール（例えば、ＣＨ１、ＣＨ３、ＣＨ４）を介して延長され得る。例えば、すべてのコンタクトホール（ＣＨ１～ＣＨ５）のそれぞれを介して延長されるよう、ルーティングラインを配列することができ、これは発光表示装置の安定的な駆動（または動作）を保証する技術的な利点を提供することができる。例えば、製造工程での誤謬と使用者の過失などのさまざまな理由で、ルーティングラインの一部が断線した場合にも、発光表示装置は、信号の電気的な断線なしに安定的な動作を維持することができ、さらに表示装置内でコンタクト抵抗を減少させることができる。

【0328】

図１６Ｃに示したように、ダム部１１７を介して接触する技術的な利点がある。つまり、ダム部１１７は、隣接するように位置した断絶部１１５より相対的に大きく、高い大きさを有することができる。これにより、ルーティングラインが、断絶部１１５を介してコンタクトパターン部と電気的に連結されることよりも、ダム部１１７を介してコンタクトパターン部と電気的に連結されることが相対的に容易であり得る。このような技術的な利点に基づいて、ルーティングラインのさまざまな連結方法が考慮され得る。図１６Ｂに示したように、ルーティングラインが、表示部から最も遠く離隔したコンタクトホール（例えば、第１コンタクトホール（ＣＨ１））を介して延長されることによって、ルーティングラインに使用される材料の使用量を減らす利点だけでなく、抵抗の観点からもメリットがある。図１４を参照すると、図１４は、「Ｂ４」部分の内部に示したように、信号ラインの一部が断絶することを示している。特定のライン（例えば、ＥＶＤＤ、Ｒｅｆ、Ｄａｔａ、ＥＶＳＳ、など）を連結するのに必要な特定の回路構成を基に、一部の信号ラインは断絶され得、他の信号ラインの電気的な連結は、必要に応じてコンタクトホールを使用してなすことができる。この技術分野の通常の技術者であれば、ホールを介して延長されるルーティングラインの連結、配置（または配列）、および個数に基づいて、技術的な利点を容易に理解できるだろう。

【0329】

図１８は、本明細書のまた他の実施例に係る画素駆動ラインとルーティング部及び補助ライン部との間の連結構造を説明するための図であり、図１９は、図１８に示した線ＩＶ－ＩＶ’の断面図であり、図２０は、図１８に示した線Ｖ－Ｖ’の断面図であり、図２１は、図１８に示した線ＶＩ－ＶＩ’の断面図であり、図２２は、図１８に示した線ＶＩＩ－ＶＩＩ’の断面図であり、これは、図１３～図１７に示した補助ライン部を信号供給ラインで構成したものである。図１８～図２２を説明するにおいて、補助ライン部およびこれに関連する構成についてのみ説明することにして、残りの構成には、図１３～図１７と同一の符号を付与し、それに対する重複説明は省略することにする。

【0330】

図１８を参照すると、本明細書の他の実施例に係る補助ライン部１１８は、断絶部１１５とダム部１１７に配置された第１～第５補助ライン１１８ａ、１１８ｂ、１１８ｃ、１１８ｄ、１１８ｅを含むことができる

【0331】

第１補助ライン１１８ａは、第１基板１００上に、閉ループラインの形状を有するように形成することができる。例えば、第１基板１００の一側縁部分に配置された補助パターン部１１６の第１中間パターンと、第１基板１００の一側縁部分を除いた残りの縁部分に配置された補助ライン部１１８の第１補助ライン１１８ａは、閉ループラインの形状を有するように形成され電気的に互いに連結され得る。例えば、第１補助ライン１１８ａは、第１閉ループ補助ラインまたは第１導電性閉ループラインで表現され得る。

【0332】

第１基板１００の一側縁部分に配置された第１補助ライン１１８ａは、第１方向（Ｘ）に沿ってコンタクトパターン部１１０を横切るように配置され得る。例えば、第１基板１００の一側縁部分に配置された第１補助ライン１１８ａは、コンタクトパターン部１１０とルーティング部４００の間の第１断絶構造物１１５ａに配置され得る。

【0333】

第１補助ライン１１８ａは、第１基板１００の一側縁部分から画素共通電圧ライン（ＣＶＬ）と電気的に連結され得る。また、第１補助ライン１１８ａは、ルーティング部４００に配置された複数のルーティングライン４１１、４１３、４１５、４１７、４１９のうち画素共通電圧ルーティングライン４１９のみと電気的に連結され得る。例えば、第１補助ライン１１８ａは、少なくとも１つの第１ルーティングコンタクトホール（ＣＨ１）を介して、画素共通電圧ルーティングライン４１９のそれぞれの第１部分４１０ａと電気的に（または共通に）連結され得る。

【0334】

付加的に、第１補助ライン１１８ａは、第１基板１００の一側縁部分と平行な第１基板１００の他側端部分で画素共通電圧ライン（ＣＶＬ）のそれぞれと電気的に連結され得る。例えば、第１補助ライン１１８ａは、第１基板１００の他側端部分で第５ビアホール（ＶＨ５）を介して、画素共通電圧ライン（ＣＶＬ）のそれぞれの他側と電気的に（または共通に）連結され得る。

【0335】

第１補助ライン１１８ａは、第１基板１００の最外郭端部分に配置され、画素共通電圧ライン（ＣＶＬ）と同じ電位に維持され得、これにより、外部から表示部（ＡＡ）の内部の方に流入する静電気を１次的に遮断して、静電気による不良を防止することができる。例えば、第１補助ライン１１８ａは、外部から流入する静電気を画素共通電圧ルーティングライン４１９および／または画素共通電圧ライン（ＣＶＬ）に放電させることで、静電気による不良を防止することができる。

【0336】

第２および第３補助ライン１１８ｂ、１１８ｃのそれぞれは、第１基板１００の一側縁部分を除いた残りの縁部分に配置され得る。第２および第３補助ライン１１８ｂ、１１８ｃのそれぞれは、第１基板１００の一側縁部分の一側（または一側の角部分）と他側（または他側の角部分）で、画素駆動電源ライン（ＰＬ）の中の最初と最後の画素駆動電源ライン（ＰＬ）と電気的に連結され得る。また、第２および第３補助ライン１１８ｂ、１１８ｃのそれぞれは、少なくとも１つのルーティングコンタクトホール（ＣＨ２、ＣＨ３）を介して、画素駆動電圧ルーティングライン４１１の中の最初と最後の画素駆動電圧ルーティングライン４１１のそれぞれの第１部分４１０ａと電気的に連結され得る。

【0337】

付加的に、第２および第３補助ライン１１８ｂ、１１８ｃのそれぞれは、第１基板１００の他側端部分で画素駆動電源ライン（ＰＬ）と電気的に（または共通に）連結され得る。例えば、第２および第３補助ライン１１８ｂ、１１８ｃのそれぞれは、第１基板１００の他側端部分で第５ビアホール（ＶＨ５）を介して、画素駆動電源ライン（ＰＬ）の他側と電気的に（または共通に）連結され得る。

【0338】

第２および第３補助ライン１１８ｂ、１１８ｃのそれぞれは、画素駆動電源ライン（ＰＬ）と同じ電位に維持され得る。第２および第３補助ライン１１８ｂ、１１８ｃのそれぞれは、画素駆動電源ライン（ＰＬ）と電気的に連結されることで、画素駆動電源ライン（ＰＬ）のライン抵抗による画素駆動電源の電圧降下（IR drop）を減少させることができる。

【0339】

第４補助ライン１１８ｄは、第１基板１００上に、閉ループラインの形状を有するように形成され得る。例えば、第１基板１００の一側縁部分に配置された補助パターン部１１６の第４中間パターンと、第１基板１００の一側縁部分を除いた残りの縁部分に配置された補助ライン部１１８の第４補助ライン１１８ｄは、閉ループラインの形状を有するように形成され電気的に互いに連結され得る。例えば、第４補助ライン１１８ｄは、第２閉ループ補助ラインまたは第２導電性閉ループラインで表現され得る。

【0340】

第１基板１００の一側縁部分に配置された第４補助ライン１１８ｄは、第１方向（Ｘ）に沿ってコンタクトパターン部１１０を横切るように配置され得る。例えば、第１基板１００の一側縁部分に配置された第４補助ライン１１８ｄは、コンタクトパターン部１１０とルーティング部４００の間の断絶部１１５の第４断絶構造物１１５ｄに配置され得る。

【0341】

第４補助ライン１１８ｄは、第１基板１００の一側縁部分で画素共通電圧ライン（ＣＶＬ）と電気的に連結され得る。また、第４補助ライン１１８ｄは、ルーティング部４００に配置された複数のルーティングライン４１１、４１３、４１５、４１７、４１９のうち、画素共通電圧ルーティングライン４１９のみと電気的に連結され得る。例えば、第４補助ライン１１８ｄは、少なくとも１つの第４ルーティングコンタクトホール（ＣＨ４）を介して、画素共通電圧ルーティングライン４１９のそれぞれの第１部分４１０ａと電気的に（または共通に）連結され得る。

【0342】

付加的に、第４補助ライン１１８ｄは、第１基板１００の他側端部分で画素共通電圧ライン（ＣＶＬ）のそれぞれと電気的に（または共通に）連結され得る。例えば、第４補助ライン１１８ｄは、第１基板１００の他側端部分で第５ビアホール（ＶＨ５）を介して、画素共通電圧ライン（ＣＶＬ）のそれぞれの他側と電気的に（または共通に）連結され得る。

【0343】

第４補助ライン１１８ｄは、ダム部１１７の内側部分に配置されて画素共通電圧ライン（ＣＶＬ）と同じ電位に維持され得、これにより、外部から表示部（ＡＡ）の内部の方に流入する静電気を２次的に遮断して、静電気による不良を防止することができる。例えば、第４補助ライン１１８ｄは、外部から流入する静電気を画素共通電圧ルーティングライン４１９および／または画素共通電圧ライン（ＣＶＬ）に放電させることで、静電気による不良を防止することができる。

【0344】

第５補助ライン１１８ｅは、第１基板１００の一側縁部分を除いた残りの縁部分に配置され得る。第５補助ライン１１８ｅは、第１基板１００の一側縁部分の一側（または一側の角部分）と他側（または他側の角部分）で、画素駆動電源ライン（ＰＬ）の最初と最後の画素駆動電源ライン（ＰＬ）と電気的に連結され得る。また、第５補助ライン１１８ｅは、少なくとも１つの第５ルーティングコンタクトホール（ＣＨ５）を介して、画素駆動電圧ルーティングライン４１１の中の最初と最後の画素駆動電圧ルーティングライン４１１のそれぞれの第１部分４１０ａと電気的に連結され得る。

【0345】

付加的に、第５補助ライン１１８ｅは、第１基板１００の他側端部分で画素駆動電源ライン（ＰＬ）と電気的に（または共通に）連結され得る。例えば、第５補助ライン１１８ｅは、第１基板１００の他側端部分で第６ビアホール（ＶＨ６）を介して、画素駆動電源ライン（ＰＬ）の他側と電気的に（または共通に）連結され得る。

【0346】

第５補助ライン１１８ｅは、画素駆動電源ライン（ＰＬ）と同じ電位に維持され得る。第５補助ライン１１８ｅは、画素駆動電源ライン（ＰＬ）と電気的に連結されることで、画素駆動電源ライン（ＰＬ）のライン抵抗による画素駆動電源の電圧降下（IR drop）を減少させることができる。

【0347】

図１８及び図１９を参照すると、本明細書のまた他の実施例では、第１補助ライン１１８ａは、コンタクトパターン部１１０に配置されている画素共通電圧コンタクトパターン（ＣＣＰ）上で、少なくとも１つの第１ルーティングコンタクトホール（ＣＨ１）を介して、ルーティング部４００の画素共通電圧ルーティングライン４１９のそれぞれの第１部分４１０ａと電気的に連結され得る。また、第１補助ライン１１８ａは、画素共通電圧コンタクトパターン（ＣＣＰ）上に配置されているバッファ層１１１ａに形成された第１ビアホール（ＶＨ１）を介して、画素共通電圧コンタクトパターン（ＣＣＰ）と電気的に連結され得る。付加的に、第１補助ライン１１８ａは、バッファ層１１１ａの第１ビアホール（ＶＨ１）に配置された金属層（ＭＬａ）を介して、画素共通電圧コンタクトパターン（ＣＣＰ）と電気的に連結され得る。

【0348】

本明細書のまた他の実施例では、第４補助ライン１１８ｄは、コンタクトパターン部１１０に配置されている画素共通電圧コンタクトパターン（ＣＣＰ）上で、少なくとも１つの第４ルーティングコンタクトホール（ＣＨ４）を介して、ルーティング部４００の画素共通電圧ルーティングライン４１９のそれぞれの第１部分４１０ａと電気的に連結され得る。また、第４補助ライン１１８ｄは、画素共通電圧コンタクトパターン（ＣＣＰ）上に配置されているバッファ層１１１ａに形成された第１ビアホール（ＶＨ１）を介して、画素共通電圧コンタクトパターン（ＣＣＰ）と電気的に連結され得る。付加的に、第４補助ライン１１８ｄは、バッファ層１１１ａの第１ビアホール（ＶＨ１）に配置された金属層（ＭＬａ）を介して、画素共通電圧コンタクトパターン（ＣＣＰ）と電気的に連結され得る。

【0349】

ルーティング部４００に配置されている画素共通電圧ルーティングライン４１９のそれぞれの第１部分４１０ａは、少なくとも１つの第１ルーティングコンタクトホール（ＣＨ１）を介して、第１補助ライン１１８ａと少なくとも１つの第４ルーティングコンタクトホール（ＣＨ４）を介して、第４補助ライン１１８ｄに電気的に（または共通に）連結され、第１補助ライン１１８ａと第４補助ライン１１８ｄを介して、画素共通電圧コンタクトパターン（ＣＣＰ）に電気的に（または共通に）連結され得る。また、ルーティング部４００に配置されている画素共通電圧ルーティングライン４１９のそれぞれの第１部分４１０ａは、少なくとも１つの第２ルーティングコンタクトホール（ＣＨ２）と少なくとも１つの第３ルーティングコンタクトホール（ＣＨ３）および少なくとも１つの第４ルーティングコンタクトホール（ＣＨ４）のすべてを介して、第２、第３、及び第５中間パターン１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｅに電気的に（または共通に）連結され、第２、第３、及び第５中間パターン１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｅを介して、画素共通電圧コンタクトパターン（ＣＣＰ）に電気的に（または共通に）連結され得る。

【0350】

したがって、本明細書のまた他の実施例に係る発光表示装置は、第１基板１００の表示部（ＡＡ）に配置された画素共通電圧ライン（ＣＶＬ）に、より均一な画素共通電圧を供給することができ、これにより画素共通電圧の均一度を向上させることができる。また、本明細書のまた他の実施例に係る発光表示装置は、第１基板１００上に、閉ループライン形状を有する第１および第４補助ライン１１８ａ、１１８ｄが、画素共通電圧ライン（ＣＶＬ）と電気的に連結されることによって、外部から流入する静電気による不良が防止されたり最小化され得る。

【0351】

図１８及び図２０を参照すると、本明細書のまた他の実施例では、第１補助ライン１１８ａは、第１基板１００の他側端部分で少なくとも１つの第５ビアホール（ＶＨ５）を介して画素共通電圧ライン（ＣＶＬ）の他側と電気的に（または共通に）連結され得る。少なくとも１つの第５ビアホール（ＶＨ５）は、画素共通電圧ライン（ＣＶＬ）のそれぞれの他側と第１補助ライン１１８ａの交差領域の間に配置されているバッファ層１１１ａに形成され得る。少なくとも１つの第５ビアホール（ＶＨ５）は、少なくとも１つの第１ビアホールと一緒に形成され得る。付加的に、第１補助ライン１１８ａは、バッファ層１１１ａの第５ビアホール（ＶＨ５）に配置された金属層（ＭＬａ）を介して、画素共通電圧ライン（ＣＶＬ）の他側と電気的に（または共通に）連結され得る。

【0352】

第４補助ライン１１８ｄは、第１基板１００の他側端部分で少なくとも１つの第５ビアホール（ＶＨ５）を介して画素共通電圧ライン（ＣＶＬ）のそれぞれの他側と電気的に（または共通に）連結され得る。少なくとも１つの第５ビアホール（ＶＨ５）は、画素共通電圧ライン（ＣＶＬ）のそれぞれの他側と第４補助ライン１１８ｄの交差領域の間に配置されているバッファ層１１１ａに形成され得る。付加的に、第４補助ライン１１８ｄは、バッファ層１１１ａの第５ビアホール（ＶＨ５）に配置された金属層（ＭＬａ）を介して、画素共通電圧ライン（ＣＶＬ）の他側と電気的に（または共通に）連結され得る。

【0353】

本明細書の他の実施例による発光表示装置は、第１補助コンタクトパターン（ＳＣＣＰ）をさらに含むことができる。例えば、第１補助コンタクトパターン（ＳＣＣＰ）は、画素共通電圧補助コンタクトパターンで表現され得る。

【0354】

本明細書の一実施例に係る第１補助コンタクトパターン（ＳＣＣＰ）は、画素共通電圧ライン（ＣＶＬ）と同じ層に配置され、基板１００の他側端部分に位置した画素の共通電圧ライン（ＣＶＬ）のそれぞれの先端から相対的に広い幅を有するように、基板１００の外側面（ＯＳ）の方に延長（または拡張）され得る。本明細書の他の実施例に係る第１補助コンタクトパターン（ＳＣＣＰ）のそれぞれは、基板１００の他側端部分に位置した画素の共通電圧ライン（ＣＶＬ）のそれぞれの先端と重畳するよう画素共通電圧ライン（ＣＶＬ）の下層に相対的に広い幅を有するように配置され、内部コンタクトホールを介して画素共通電圧ライン（ＣＶＬ）のそれぞれの先端と電気的に連結され得る。

【0355】

第１補助ライン１１８ａは、第１基板１００の他側端部分で少なくとも１つの第５ビアホール（ＶＨ５）を介して、第１補助コンタクトパターン（ＳＣＣＰ）と電気的に（または共通に）連結され得る。付加的に、第１補助ライン１１８ａは、バッファ層１１１ａの第５ビアホール（ＶＨ５）に配置された金属層（ＭＬａ）を介して、第１補助コンタクトパターン（ＳＣＣＰ）と電気的に（または共通に）連結され得る。

【0356】

第４補助ライン１１８ｄは、第１基板１００の他側端部分で少なくとも１つの第５ビアホール（ＶＨ５）を介して第１補助コンタクトパターン（ＳＣＣＰ）と電気的に（または共通に）連結され得る。付加的に、第４補助ライン１１８ｄは、バッファ層１１１ａの第５ビアホール（ＶＨ５）に配置された金属層（ＭＬａ）を介して、第１補助コンタクトパターン（ＳＣＣＰ）と電気的に（または共通に）連結され得る。

【0357】

したがって、本明細書のまた他の実施例に係る発光表示装置は、閉ループライン形状を有する第１および第４補助ライン１１８ａ、１１８ｄのそれぞれを介して、画素共通電圧を画素共通電圧ライン（ＣＶＬ）の一側と他側のそれぞれに同時に供給することができ、これにより画素共通電圧の均一度をさらに向上させることができる。また、本明細書のまた他の実施例に係る発光表示装置は、第１基板１００上に、閉ループライン形状を有する第１および第４補助ライン１１８ａ、１１８ｄが、画素共通電圧ライン（ＣＶＬ）の一側と他側に電気的に連結されることによって、外部から流入する静電気による不良がさらに防止されたり、さらに抑えられ得る。

【0358】

図１８及び図２１を参照すると、本明細書のまた他の実施例では、第２補助ライン１１８ｂは、コンタクトパターン部１１０に配置されている最初と最後の画素駆動電源コンタクトパターン（ＰＣＰ）上で、少なくとも１つの第２ルーティングコンタクトホール（ＣＨ２）を介して、ルーティング部４００の最初と最後の画素駆動電圧ルーティングライン４１１のそれぞれの第１部分４１０ａと電気的に連結され得る。また、第２補助ライン１１８ｂは、最初と最後の画素駆動電源コンタクトパターン（ＰＣＰ）上に配置されているバッファ層１１１ａに形成された第１ビアホール（ＶＨ１）を介して、最初と最後の画素駆動電源コンタクトパターン（ＰＣＰ）と電気的に連結され得る。付加的に、第２補助ライン１１８ｂは、バッファ層１１１ａの第１ビアホール（ＶＨ１）に配置された金属層（ＭＬａ）を介して、最初と最後の画素駆動電源コンタクトパターン（ＰＣＰ）と電気的に連結され得る。

【0359】

第３補助ライン１１８ｃは、コンタクトパターン部１１０に配置されている最初と最後の画素駆動電源コンタクトパターン（ＰＣＰ）上で、少なくとも１つの第３ルーティングコンタクトホール（ＣＨ３）を介して、ルーティング部４００の最初と最後の画素駆動電圧ルーティングライン４１１のそれぞれの第１部分４１０ａと電気的に連結され得る。また、第３補助ライン１１８ｃは、最初と最後の画素駆動電源コンタクトパターン（ＰＣＰ）上に配置されているバッファ層１１１ａに形成された第１ビアホール（ＶＨ１）を介して、最初と最後の画素駆動電源コンタクトパターン（ＰＣＰ）と電気的に連結され得る。付加的に、第３補助ライン１１８ｃは、バッファ層１１１ａの第１ビアホール（ＶＨ１）に配置された金属層（ＭＬａ）を介して、最初と最後の画素駆動電源コンタクトパターン（PCP）と電気的に連結され得る。

【0360】

第５補助ライン１１８ｅは、コンタクトパターン部１１０に配置されている最初と最後の画素駆動電源コンタクトパターン（ＰＣＰ）上で、少なくとも１つの第５ルーティングコンタクトホール（ＣＨ５）を介して、ルーティング部４００の最初と最後の画素駆動電圧ルーティングライン４１１のそれぞれの第１部分４１０ａと電気的に連結され得る。また、第５補助ライン１１８ｅは、最初と最後の画素駆動電源コンタクトパターン（ＰＣＰ）上に配置されているバッファ層１１１ａに形成された第１ビアホール（ＶＨ１）を介して、最初と最後の画素駆動電源コンタクトパターン（ＰＣＰ）と電気的に連結され得る。付加的に、第５補助ライン１１８ｅは、バッファ層１１１ａの第１ビアホール（ＶＨ１）に配置された金属層（ＭＬａ）を介して、最初と最後の画素駆動電源コンタクトパターン（ＰＣＰ）と電気的に連結され得る。

【0361】

したがって、本明細書のまた他の実施例に係る発光表示装置は、第１基板１００の表示部（ＡＡ）に配置された最初と最後の画素駆動電圧ライン（ＰＬ）が、第２、第３、及び第５補助ライン１１８ｂ、１１８ｃ、１１８ｅのそれぞれと電気的に連結されることによって、画素駆動電源ライン（ＰＬ）のライン抵抗による画素駆動電源の電圧降下（ＩＲ ｄｒｏｐ）が減少され得る。

【0362】

図１８及び図２２を参照すると、本明細書のまた他の実施例では、第２補助ライン１１８ｂは、第１基板１００の他側端部分に少なくとも１つの第５ビアホール（ＶＨ５）を介して、画素駆動電源ライン（ＰＬ）の他側と電気的に（または共通に）連結され得る。少なくとも１つの第５ビアホール（ＶＨ５）は、画素駆動電源ライン（ＰＬ）の他側と第２補助ライン１１８ｂの交差領域の間に配置されているバッファ層１１１ａに形成され得る。付加的に、第２補助ライン１１８ｂは、バッファ層１１１ａの第５ビアホール（ＶＨ５）に配置された金属層（ＭＬａ）を介して、画素駆動電源ライン（ＰＬ）の他側と電気的に（または共通に）連結され得る。

【0363】

第３補助ライン１１８ｃは、第１基板１００の他側端部分に少なくとも１つの第５ビアホール（ＶＨ５）を介して、画素駆動電源ライン（ＰＬ）の他側と電気的に（または共通に）連結され得る。少なくとも１つの第５ビアホール（ＶＨ５）は、画素駆動電源ライン（ＰＬ）の他側と第３補助ライン１１８ｃの交差領域の間に配置されているバッファ層１１１ａに形成され得る。付加的に、第３補助ライン１１８ｃは、バッファ層１１１ａの第５ビアホール（ＶＨ５）に配置された金属層（ＭＬａ）を介して、画素駆動電源ライン（ＰＬ）の他側と電気的に（または共通に）連結され得る。

【0364】

第５補助ライン１１８ｅは、第１基板１００の他側端部分に少なくとも１つの第６ビアホール（ＶＨ６）を介して、画素駆動電源ライン（ＰＬ）の他側と電気的に（または共通に）連結され得る。少なくとも１つの第６ビアホール（ＶＨ６）は、画素駆動電源ライン（ＰＬ）の他側と第５補助ライン１１８ｅの交差領域の間に配置されているバッファ層１１１ａに形成され得る。少なくとも１つの第６ビアホール（ＶＨ６）は、少なくとも１つの第５ビアホール（ＶＨ５）と一緒に形成することができる。付加的に、第５補助ライン１１８ｅは、バッファ層１１１ａの第６ビアホール（ＶＨ６）に配置された金属層（ＭＬａ）を介して、画素駆動電源ライン（ＰＬ）の他側と電気的に（または共通に）連結され得る。

【0365】

本明細書のまた他の実施例による発光表示装置は、第２補助コンタクトパターン（ＳＰＣＰ）をさらに含むことができる。例えば、第２補助コンタクトパターン（ＳＰＣＰ）は、画素駆動電源補助コンタクトパターンで表現され得る。

【0366】

本明細書の一実施例に係る第２補助コンタクトパターン（ＳＰＣＰ）は、画素駆動電源ライン（ＰＬ）と同じ層に配置され、基板１００の他側端部分に位置した画素駆動電源ラインら（ＰＬ）のそれぞれの先端から相対的に広い幅を有するように、基板１００の外側面（ＯＳ）の方に延長（または拡張）され得る。また他の実施例に係る第２補助コンタクトパターン（ＳＰＣＰ）のそれぞれは、基板１００の他側端部分に位置した画素駆動電源ライン（ＰＬ）のそれぞれの先端と重畳するよう画素駆動電源（ＰＬ）の下層に相対的に広い幅を有するように配置され、内部コンタクトホールを介して、画素駆動電源ライン（ＰＬ）のそれぞれの先端と電気的に連結され得る。

【0367】

第２補助ライン１１８ｂは、第１基板１００の他側端部分に少なくとも１つの第５ビアホール（ＶＨ５）を介して、第２補助コンタクトパターン（ＳＰＣＰ）と電気的に（または共通に）連結され得る。付加的に、第２補助ライン１１８ｂは、バッファ層１１１ａの第５ビアホール（ＶＨ５）に配置された金属層（ＭＬａ）を介して、第２補助コンタクトパターン（ＳＰＣＰ）と電気的に（または共通に）連結され得る。

【0368】

第３補助ライン１１８ｃは、第１基板１００の他側端部分に少なくとも１つの第５ビアホール（ＶＨ５）を介して、第２補助コンタクトパターン（ＳＰＣＰ）と共通して連結され得る。付加的に、第３補助ライン１１８ｃは、バッファ層１１１ａの第５ビアホール（ＶＨ５）に配置された金属層（ＭＬａ）を介して、第２補助コンタクトパターン（ＳＰＣＰ）と電気的に（または共通に）連結され得る。

【0369】

第５補助ライン１１８ｅは、第１基板１００の他側端部分に少なくとも１つの第６ビアホール（ＶＨ６）を介して、第２補助コンタクトパターン（ＳＰＣＰ）と共通して連結され得る。付加的に、第５補助ライン１１８ｅは、バッファ層１１１ａの第６ビアホール（ＶＨ６）に配置された金属層（ＭＬａ）を介して、第２補助コンタクトパターン（ＳＰＣＰ）と電気的に（または共通に）連結され得る。

【0370】

したがって、本明細書のまた他の実施例に係る発光表示装置は、画素駆動電源を画素駆動電源ライン（ＰＬ）の一側と他側のそれぞれに同時に供給することができ、これにより画素駆動電源ライン（ＰＬ）のライン抵抗による画素駆動電源の電圧降下（IR drop）をさらに減少させ、これにより、画素駆動電源の均一度をさらに向上させることができる。

【0371】

付加的に、図１８～図２２において、第３補助ライン１１８ｃは、画素駆動電源ライン（ＰＬ）と電気的に連結されず、第１および第４補助ライン１１８ｄと同様に閉ループライン形状に形成され、画素共通電圧ライン（ＣＶＬ）と電気的に連結されるように実現され得る。

【0372】

図２３は、本明細書のまた他の実施例に係る画素駆動ラインとルーティング部及び補助ライン部との間の連結構造を説明するための図であり、これが、図１８～図２２に示した第５補助ラインを変更したものである。図２３を説明するにおいて、第５補助ラインとこれに関連する構成のみを説明することにして、残りの構成には、図１８～図２２と同一の符号を付与し、それに対する重複説明は省略する。

【0373】

図２３を参照すると、本明細書のまた他の実施例では、第５補助ライン１１８ｅは、リファレンス電圧ライン（ＲＬ）のリファレンス電圧を補助的に供給するためのリファレンス電圧供給ラインに用いることができる。

【0374】

本明細書の一実施例に係る第５補助ライン１１８ｅは、コンタクトパターン部１１０に配置されているリファレンスコンタクトパターン（ＲＣＰ）の中の最初と最後のリファレンス電圧コンタクトパターン（ＲＣＰ）と電気的に連結されるように形成され得る。

【0375】

第５補助ライン１１８ｅは、少なくとも１つの第５ルーティングコンタクトホール（ＣＨ５）を介して、リファレンス電圧ルーティングライン４１５の中の最初と最後のリファレンス電圧ルーティングライン４１５のそれぞれの第１部分と電気的に連結され得る。また、第５補助ライン１１８ｅは、最初と最後のリファレンス電圧コンタクトパターン（ＲＣＰ）上に配置されているバッファ層１１１ａに形成された第１ビアホールを介して、最初と最後のリファレンス電圧コンタクトパターン（ＲＣＰ）と電気的に連結され得る。付加的に、第５補助ライン１１８ｅは、バッファ層１１１ａの第１ビアホールに配置された金属層を介して、最初と最後のリファレンス電圧コンタクトパターン（ＲＣＰ）と電気的に連結され得る。

【0376】

付加的に、第５補助ライン１１８ｅは、第１基板１００の他側端部分でリファレンス電圧ライン（ＲＬ）と電気的に（または共通に）連結され得る。例えば、第５補助ライン１１８ｅは、第１基板１００の他側端部分で第６ビアホール（ＶＨ６）を介して、リファレンス電圧ライン（ＲＬ）の他側と電気的に（または共通に）連結され得る。

【0377】

第５補助ライン１１８ｅは、リファレンス電圧ライン（ＲＬ）と同じ電位に維持され得る。第５補助ライン１１８ｅは、リファレンス電圧ライン（ＲＬ）と電気的に連結されることで、リファレンス電圧ライン（ＲＬ）のライン抵抗によるリファレンス電圧の電圧降下（ＩＲ ｄｒｏｐ）を減少させることができる。

【0378】

本明細書のまた他の実施例による発光表示装置は、第３補助コンタクトパターン（ＳＲＣＰ）をさらに含むことができる。例えば、第３補助コンタクトパターン（ＳＲＣＰ）は、リファレンス電圧補助コンタクトパターンで表現され得る。

【0379】

本明細書の一実施例に係る第３補助コンタクトパターン（ＳＲＣＰ）は、リファレンス電圧ライン（ＲＬ）と同じ層に配置され、基板１００の他側端部分に位置したリファレンス電圧ライン（ＲＬ）のそれぞれの先端から相対的に広い幅を有するように、基板１００の外側面（ＯＳ）の方に延長（または拡張）され得る。また他の実施例に係る第３補助コンタクトパターン（ＳＲＣＰ）のそれぞれは、基板１００の他側端部分に位置したリファレンス電圧ライン（ＲＬ）のそれぞれの先端と重畳するようにリファレンス電圧ライン（ＲＬ）の下層に相対広い幅を有するように配置され、内部コンタクトホールを介してリファレンス電圧ライン（ＲＬ）のそれぞれの先端と電気的に連結され得る。

【0380】

第５補助ライン１１８ｅは、第１基板１００の他側端部分に少なくとも１つの第６ビアホール（ＶＨ６）を介して、第３補助コンタクトパターン（ＳＲＣＰ）と共通して連結され得る。付加的に、第５補助ライン１１８ｅは、バッファ層１１１ａの第６ビアホール（ＶＨ６）に配置された金属層を介して、第３補助コンタクトパターン（ＳＲＣＰ）と電気的に（または共通に）連結され得る。

【0381】

したがって、本明細書のまた他の実施例に係る発光表示装置は、リファレンス電圧をリファレンス電圧ライン（ＲＬ）の一側と他側のそれぞれに同時に供給することができ、これによりリファレンス電圧ライン（ＲＬ）のライン抵抗によるリファレンス電圧の電圧降下（IR drop）をさらに減少させ、これにより、リファレンス電圧の均一度をさらに向上させることができる。

【0382】

図２４は、本明細書のまた他の実施例に係る画素駆動ラインとルーティング部及び補助ライン部との間の連結構造を説明するための図であり、図２５は、図２４に示した「Ｂ６」部分の拡大図であり、図２６は、図２５に示した線ＶＩＩＩ－ＶＩＩＩ’の断面図であり、これは、図１３～図１７に示した補助ラインを画素共通電圧供給ラインで構成したものである。図２４～図２６を説明するにおいて、補助ライン部およびこれに関連する構成についてのみ説明することにして、残りの構成には、図１３～図１７と同一の符号を付与し、それに対する重複説明は省略することにする。

【0383】

図２４～図２６を参照すると、本明細書のまた他の実施例による発光表示装置は、第１基板１００上に配置された少なくとも１つの補助連結ライン（ＳＣＬ）をさらに含むことができる。

【0384】

少なくとも１つの補助連結ライン（ＳＣＬ）は、第２方向（Ｙ）と並んで配置され、補助ライン部１１８を横切るように配置され得る。例えば、少なくとも１つの補助連結ライン（ＳＣＬ）は、第２方向（Ｙ）と並んで配置され、補助ライン部１１８の第１～第５補助ライン１１８ａ、１１８ｂ、１１８ｃ、１１８ｄ、１１８ｅを横切るように配置され得る。

【0385】

少なくとも１つの補助連結ライン（ＳＣＬ）は、画素共通電圧ライン（ＣＶＬ）と同じ層に配置され得る。

【0386】

少なくとも１つの補助連結ライン（ＳＣＬ）は、補助ライン部１１８の第１～第５補助ライン１１８ａ、１１８ｂ、１１８ｃ、１１８ｄ、１１８ｅのそれぞれと電気的に（または共通に）連結され得る。

【0387】

少なくとも１つの補助連結ライン（ＳＣＬ）は、少なくとも１つの第５ビアホール（ＶＨ５）を介して、第１～第４補助ライン１１８ａ、１１８ｂ、１１８ｃ、１１８ｄのそれぞれと電気的に（または共通で）連結され得る。少なくとも１つの第５ビアホール（ＶＨ５）は、第１～第４補助ライン１１８ａ、１１８ｂ、１１８ｃ、１１８ｄのそれぞれと少なくとも１つの補助連結ライン（ＳＣＬ）の交差領域の間に配置されているバッファ層１１１ａに形成され得る。少なくとも１つの第５ビアホール（ＶＨ５）は、少なくとも１つの第１ビアホール（ＶＨ１）と一緒に形成され得る。付加的に、少なくとも１つの補助連結ライン（ＳＣＬ）は、バッファ層１１１ａの第５ビアホール（ＶＨ５）に配置された金属層（ＭＬａ）を介して、第１～第４補助ライン１１８ａ、１１８ｂ、１１８ｃ、１１８ｄのそれぞれと電気的に（または共通に）連結され得る。

【0388】

少なくとも１つの補助連結ライン（ＳＣＬ）は、少なくとも１つの第６ビアホール（ＶＨ６）を介して、第５補助ライン１１８ｅと電気的に連結され得る。少なくとも１つの第６ビアホール（ＶＨ６）は、少なくとも１つの第５ビアホール（ＶＨ５）と一緒に形成することができる。付加的に、少なくとも１つの補助連結ライン（ＳＣＬ）は、バッファ層１１１ａの第６ビアホール（ＶＨ６）に配置された金属層（ＭＬａ）を介して、第５補助ライン１１８ｅと電気的に連結され得る。

【0389】

本明細書のまた他の実施例では、第４補助ライン１１８ｄは、第１基板１００上に、閉ループラインの形状を有するように形成され得る。例えば、第１基板１００の一側縁部分に配置された補助パターン部１１６の第４中間パターンと、第１基板１００の一側縁部分を除いた残りの縁部分に配置された補助ライン部１１８の第４補助ライン１１８ｄは、閉ループラインの形状を有するように形成され電気的に互いに連結され得る。このような第４補助ライン１１８ｄは、図１８及び図１９で説明した第４補助ライン１１８ｄと実質的に同じなので、これに対する重複説明は省略する。例えば、本例では、第４補助ライン１１８ｄは、閉ループ補助ラインまたは導電性閉ループラインで表現され得る。

【0390】

補助ライン部１１８の第１～第５補助ライン１１８ａ、１１８ｂ、１１８ｃ、１１８ｄ、１１８ｅのそれぞれは、画素共通電圧ライン（ＣＶＬ）と同じ電位に維持され得、これにより、外部から表示部（ＡＡ）の内部の方に流入する静電気を遮断して、静電気による不良を防止することができる。

【0391】

本明細書のまた他の実施例では、補助ライン部１１８の第１～第５補助ライン１１８ａ、１１８ｂ、１１８ｃ、１１８ｄ、１１８ｅのそれぞれは、第１基板１００の他側端部分で画素共通電圧ライン（ＣＶＬ）の他側と電気的に（または共通に）連結され得る。

【0392】

第１～第４補助ライン１１８ａ、１１８ｂ、１１８ｃ、１１８ｄのそれぞれは、第１基板１００の他側端部分で少なくとも１つの第５ビアホール（ＶＨ５）を介して、画素共通電圧ライン（ＣＶＬ）の他側と電気的に（または共通に）連結され得る。少なくとも１つの第５ビアホール（ＶＨ５）は、画素共通電圧ライン（ＣＶＬ）のそれぞれの他側と第１～第４補助ライン１１８ａ、１１８ｂ、１１８ｃ、１１８ｄのそれぞれの交差領域の間に配置されているバッファ層１１１ａに形成され得る。付加的に、第１～第４補助ライン１１８ａ、１１８ｂ、１１８ｃ、１１８ｄのそれぞれは、バッファ層１１１ａの第５ビアホール（ＶＨ５）に配置された金属層を介して、画素共通電圧ライン（ＣＶＬ）の他側と電気的に（または共通に）連結され得る。

【0393】

第５補助ライン１１８ｅは、第１基板１００の他側端部分に少なくとも１つの第６ビアホール（ＶＨ６）を介して、画素共通電圧ライン（ＣＶＬ）の他側と電気的に（または共通に）連結され得る。少なくとも１つの第６ビアホール（ＶＨ６）は、画素共通電圧ライン（ＣＶＬ）のそれぞれの他側と第５補助ライン１１８ｅのそれぞれの交差領域の間に配置されているバッファ層１１１ａに形成され得る。付加的に、第５補助ライン１１８ｅは、バッファ層１１１ａの第６ビアホール（ＶＨ６）に配置された金属層を介して、画素共通電圧ライン（ＣＶＬ）の他側と電気的に（または共通に）連結され得る。

【0394】

したがって、本明細書のまた他の実施例に係る発光表示装置は、補助ライン部１１８を介して、画素共通電圧を画素共通電圧ライン（ＣＶＬ）の一側と他側のそれぞれに同時に供給することができ、これにより画素共通電圧の均一度をさらに向上させることができる。また、本明細書のまた他の実施例に係る発光表示装置は、第１基板１００上に、閉ループライン形状を有する第５補助ライン１１８ｅと第５補助ライン１１８ｅに電気的に連結された第１～第４補助ライン１１８ａ、１１８ｂ、１１８ｃ、１１８ｄを含むことにより、外部から流入する静電気による不良がさらに防止されたり、さらに抑えられ得る。

【0395】

図２７は、本明細書のまた他の実施例による発光表示装置を説明するための図であり、図２８は、図２７に示した線ＩＸ－ＩＸ’の断面図であり、図２９は、図２８に示した「Ｂ７」部分の拡大図であり、これは、図９～図１２に示した発光表示装置でダム部を変更したものである。図２７～図２９を説明するにおいて、ダム部とこれに関連する構成についてのみ説明することにして、残りの構成には、図９～図１２と同一の符号を付与し、それに対する重複説明は省略することにする。

【0396】

図２７～図２９を参照すると、本明細書のまた他の実施例に係る発光表示装置では、ダム部１１７は、互いに並んで配置された第１ダム部１１７－１及び第２ダム部１１７－２を含むことができる。

【0397】

第１ダム部１１７－１は、第１基板１００の第２領域上に、閉ループラインの形状を有するように回路層１１１上に配置され得る。本明細書の一実施例に係る第１ダム部１１７－１は、回路層１１１のバッファ層１１１ａ上に配置され得る。第１ダム部１１７－１は、封止層１１９の広がりやオーバーフローを１次的に遮断する役割をする。また、第１ダム部１１７－１は、発光素子層１１３を断絶（または分離）させる役割を兼ねることができる。

【0398】

第２ダム部１１７－２は、第１基板１００の第２領域上の第１ダム部１１７－１を囲む閉ループラインの形状を有するように回路層１１１上に配置することができる。本明細書の一実施例に係る第２ダム部１１７－２は、回路層１１１のバッファ層１１１ａ上に配置され得る。第２ダム部１１７－２は、封止層１１９の広がりやオーバーフローを２次的に遮断する役割をする。また、第１ダム部１１７－１は、発光素子層１１３をさらに断絶（または分離）させる役割を兼ねることができる。

【0399】

本明細書の一実施例に係る第１ダム部１１７－１と第２ダム部１１７－２のそれぞれは、ダムトレンチ構造物（ＤＴＳ）、第１ダム１１７ａ、及び第２ダム１１７ｂを含むことができる。

【0400】

ダムトレンチ構造物（ＤＴＳ）は、回路層１１１に配置され得る。本明細書の一実施例に係るダムトレンチ構造物（ＤＴＳ）は、第１基板１００のダム領域（ＤＡ）に配置されている層間絶縁層１１１ｃとパッシベーション層１１１ｄの積層構造で実現され得る。ダムトレンチ構造物（ＤＴＳ）は、層間絶縁層１１１ｃとパッシベーション層１１１ｄのパターニング工程によって形成され得る。

【0401】

本明細書の一実施例に係るダムトレンチ構造物（ＤＴＳ）の側面は、傾斜した構造または正テーパー構造に実現され得る。ダムトレンチ構造物（ＤＴＳ）の下面は、バッファ層１１１ａの上面（または表面）と直接に接触することができ、ダムトレンチ構造物（ＤＴＳ）の上面は、ダムトレンチ構造物（ＤＴＳ）の下面上に配置され、下面より狭い幅を有することができる。ダムトレンチ構造物（ＤＴＳ）の側面は、上面と下面の間に傾斜するように形成することができる。ダムトレンチ構造物（ＤＴＳ）において、下面と側面の間の夾角は鋭角であり得、上面と側面の間の夾角は鈍角であり得る。例えば、幅方向に沿って切断したダムトレンチ構造物（ＤＴＳ）の断面は、上辺が下辺より狭い台形形状の断面構造を有することができる。

【0402】

また他の実施例に係るダムトレンチ構造物（ＤＴＳ）は、層間絶縁層１１１ｃが第１基板１００の縁部分に配置されない場合、パッシベーション層１１１ｄのみで実現され得る。ダムトレンチ構造物（ＤＴＳ）は、第１基板１００の第２領域に配置されているパッシベーション層１１１ｄのパターニング工程によって形成され得る。

【0403】

第１ダム（または下部ダム）１１７ａは、ダムトレンチ構造物（ＤＴＳ）上に配置され得る。第１ダム１１７ａは、ダムトレンチ構造物（ＤＴＳ）の上面よりも広い幅を有することができる。第１ダム１１７ａは、ダムトレンチ構造物（ＤＴＳ）の下面と同一または広い幅を有することができる。例えば、第１ダム１１７ａの側面は、傾斜した構造または正テーパー構造に実現され得る。例えば、幅方向に沿って切断した第１ダム１１７ａは、ダムトレンチ構造物（ＤＴＳ）と同じ台形形状の断面構造を有することができる。幅方向を基準に、第１ダム１１７ａの一側縁部分と他側端部分のそれぞれは、ダムトレンチ構造物（ＤＴＳ）の側面外部に突出し得る。

【0404】

本明細書の一実施例によると、ダムトレンチ構造物（ＤＴＳ）の側面は、第１ダム１１７ａに対してアンダーカット（under cut）構造を有することができる。例えば、第１ダム部１１７－１と第２ダム部１１７－２のそれぞれは、ダムトレンチ構造物（ＤＴＳ）と第１ダム１１７ａとの間の境界部またはダムトレンチ構造物（ＤＴＳ）の上部側面に配置されたアンダーカット領域を含むことができる。第１ダム１１７ａは、ダムトレンチ構造物（ＤＴＳ）のアンダーカット構造によってダムトレンチ構造物（ＤＴＳ）の側面外部に突出することにより、ダムトレンチ構造物（ＤＴＳ）の側面を覆うことができる。これにより、第１ダム１１７ａは、ダムトレンチ構造物（ＤＴＳ）に対して軒構造を有することができる。

【0405】

本明細書の一実施例に係る第１ダム１１７ａは、平坦化層１１２と同じ高さ（または厚さ）を有するか、または平坦化層１１２よりも高い高さを有することができる。例えば、第１ダム１１７ａの高さ（または厚さ）は、平坦化層１１２の高さ（または厚さ）の２倍であり得る。

【0406】

第２ダム（または上部ダム）１１７ｂは、第１ダム１１７ａ上に配置され得る。本明細書の一実施例に係る第２ダム１１７ｂは、バンク１１４と同一の物質で第１ダム１１７ａ上に積層され得る。例えば、第２ダム１１７ｂの側面は、傾斜した構造または正テーパー構造に実現され得る。例えば、幅方向に沿って切断した第２ダム１１７ｂは、第１ダム１１７ａと同じ台形形状の断面構造を有することができる。

【0407】

本明細書の一実施例に係る第１ダム部１１７－１と第２ダム部１１７－２のそれぞれは、発光素子層１１３の発光層（ＥＬ）を断絶（または分離）させたり、発光層（ＥＬ）と共通電極（ＣＥ）を断絶（または分離）させることができる。例えば、ダム部１１７上に形成（または蒸着）される発光層（ＥＬ）は、別途の断絶工程なしに、第１ダム部１１７－１と第２ダム部１１７－２のそれぞれのアンダーカット構造（または軒構造）によって、蒸着工程中に自動的に断絶（または分離）され得る。これにより、第１基板１００上に配置される発光層（ＥＬ）は、第１基板１００のダム領域（ＤＡ）で２回断絶（または分離）され得、２つの断絶領域（または分離領域）を含むことができる。例えば、発光層（ＥＬ）の蒸着物質は、直進性を有するので、第１ダム部１１７－１と第２ダム部１１７－２のそれぞれのアンダーカット構造（または軒構造）によって、第１ダム１１７ａによって覆われるダムトレンチ構造物（ＤＴＳ）の側面に蒸着しない。これにより、第１ダム部１１７－１と第２ダム部１１７－２上に形成（または蒸着）される発光層（ＥＬ）は、ダムトレンチ構造物（ＤＴＳ）と第１ダム１１７ａの間で断絶（または分離）され得る。したがって、発光層（ＥＬ）は、蒸着工程時、ダム部１１７の第１ダム部１１７－１と第２ダム部１１７－２によって自動的に断絶（または分離）され得、これにより、側面透湿を防止するために、第１基板１００の縁部分に配置された発光層（ＥＬ）を断絶（または断線）させるための別途のパターニング工程が省略され得る。

【0408】

選択的に、発光層（ＥＬ）上に配置された共通電極（ＣＥ）は、蒸着方式による蒸着工程時、ダム部１１７の第１ダム部１１７－１と第２ダム部１１７－２によって自動的に断絶（または分離）されたり、第１ダム１１７ａによって覆われるダムトレンチ構造物（ＤＴＳ）の側面にも蒸着して断絶（または分離）されず、断絶領域なしに連続的につながるように形成され得る。

【0409】

本明細書のまた他の実施例に係る発光表示装置では、断絶部１１５は、第１基板１００の第２領域上に配置された発光素子層１１３を少なくとも１回断絶（または分離）させるように実現され得る。

【0410】

本明細書の一実施例に係る断絶部１１５は、閉ループライン形状を有しながらダム部１１７を囲む第１断絶部１１５ａ、およびダム部１１７によって囲まれる閉ループライン形状の第２断絶部１１５ｂを含むことができる。

【0411】

第１断絶部１１５ａは、第１トレンチ構造物（ＴＳ１）及び第２トレンチ構造物（ＴＳ２）を含むことができる。このような第１断絶部１１５ａは、図９～図１２で説明した第１断絶部１１５ａと実質的に同じなので、これについて同一の符号を付与し、これに対する重複説明は省略する。

【0412】

第２断絶部１１５ｂは、第１トレンチ構造物（ＴＳ１）及び第２トレンチ構造物（ＴＳ２）を含むことができる。このような第２断絶部１１５ｂは、図９～図１２で説明した第４断絶部１１５ｄと実質的に同じなので、これに対する重複説明は省略する。

【0413】

本明細書のまた他の実施例に係る発光表示装置では、ルーティング部４００は、コンタクトパターン部１１０上に配置されているダム部１１７と断絶部１１５の中の少なくとも１つを貫通するルーティングコンタクトホール（ＣＨ）を介して、コンタクトパターン部１１０と電気的に連結され得る。このようなルーティング部４００は、ダム部１１７の第１ダム部１１７－１と第２ダム部１１７－２、および断絶部１１５の第１および第２断絶部１１５ａ、１１５ｂのそれぞれを貫通するルーティングコンタクトホール（ＣＨ１、ＣＨ２、ＣＨ３、ＣＨ４）を介して、コンタクトパターン部１１０のコンタクトパターン（ＰＣＰ、ＤＣＰ、ＲＣＰ、ＧＣＰ、ＣＣＰ）と電気的に連結されることを除いては、図９～図１２で説明したルーティング部４００と実質的に同じなので、これに対する重複説明は省略する。

【0414】

付加的に、ルーティング部４００は、ダム部１１７の第１ダム部１１７－１と第２ダム部１１７－２のそれぞれを貫通する第１及び第２ルーティングコンタクトホール（ＣＨ１、ＣＨ２）を介してのみ、コンタクトパターン部１１０のコンタクトパターン（ＰＣＰ、ＤＣＰ、ＲＣＰ、ＧＣＰ、ＣＣＰ）と電気的に連結され得、この場合、断絶部１１５の第１および第２断絶部１１５ａ、１１５ｂのそれぞれを貫通する第３及び第４ルーティングコンタクトホール（ＣＨ３、ＣＨ４）のそれぞれは、省略することができる。

【0415】

このように、本明細書のまた他の実施例に係る発光表示装置は、ダム部１１７の第１ダム部１１７－１と第２ダム部１１７－２によって、封止層１１９のオーバーフローがより確実に防止され得、ダム部１１７の第１ダム部１１７－１と第２ダム部１１７－２のそれぞれのアンダーカット構造により、発光素子層１１３が断絶（または分離）され得、これにより断絶部１１５の個数を最小限に抑えることができる。

【0416】

図３０は、本明細書のまた他の実施例による発光表示装置を説明するための図であり、図３１は、図３０に示した線Ｘ－Ｘ’の断面図であり、図３２は、図３１に示した「Ｂ８」部分の拡大図であり、これは、図２７～図２９に示した発光表示装置に補助ライン部を追加で構成したものである。図３０～図３２を説明するにおいて、補助ライン部とこれに関連する構成についてのみ説明することにして、残りの構成には、図２７～図２９と同一の符号を付与し、それに対する重複説明は省略することにする。

【0417】

図３０～図３２を参照すると、本明細書のまた他の実施例に係る発光表示装置は、画素駆動ライン（ＰＬ、ＤＬ、ＲＬ、ＧＣＬ、ＣＶＬ）に連結されたコンタクトパターン部１１０とルーティング部４００の間に配置された補助パターン部１１６をさらに含むことができる。このような補助パターン部１１６は、図１３～図１６に示した補助パターン部１１６と実質的に同じ構造を有するので、これに対する重複説明は省略または簡略にする。

【0418】

本実施令に係る補助パターン部１１６は、第１基板１００の一側縁部分に配置され、コンタクトパターン部１１０のコンタクトパターン（ＰＣＰ、ＤＣＰ、ＲＣＰ、ＧＣＰ、ＣＣＰ）とルーティング部４００のルーティングライン４１０との間に電気的に連結された第１～第４中間パターン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄを含むことができる。

【0419】

第１および第２中間パターン１１６ａ、１１６ｂのそれぞれは、ダム部１１７に配置され得る。

【0420】

第１中間パターン１１６ａは、ダム部１１７の第１ダム部１１７－１に配置され得る。例えば、第１中間パターン１１６ａは、第１ダム部１１７－１のダムトレンチ構造物（ＤＴＳ）と第１ダム１１７ａとの間に配置され、コンタクトパターン（ＰＣＰ、ＤＣＰ、ＲＣＰ、ＧＣＰ、ＣＣＰ）とルーティングライン４１０の間に電気的に連結され得る。

【0421】

第２中間パターン１１６ｂは、ダム部１１７の第２ダム部１１７－２に配置され得る。例えば、第２中間パターン１１６ｂは、第２ダム部１１７－２のダムトレンチ構造物（ＤＴＳ）と第１ダム１１７ａとの間に配置され、コンタクトパターン（ＰＣＰ、ＤＣＰ、ＲＣＰ、ＧＣＰ、ＣＣＰ）とルーティングライン４１０の間に電気的に連結され得る。

【0422】

第３及び第４中間パターン１１６ｃ、１１６ｄのそれぞれは、断絶部１１５に配置され得る。

【0423】

第３中間パターン１１６ｃは、断絶部１１５の第１断絶構造物１１５ａに配置され得る。例えば、第３中間パターン１１６ｃは、第１断絶構造物１１５ａの第１トレンチ構造物（ＴＳ１）上に配置されてコンタクトパターン（ＰＣＰ、ＤＣＰ、ＲＣＰ、ＧＣＰ、ＣＣＰ）とルーティングライン４１０の間に電気的に連結され得る。

【0424】

第４中間パターン１１６ｄは、断絶部１１５の第２断絶構造物１１５ｂに配置され得る。例えば、第４中間パターン１１６ｄは、第２断絶構造物１１５ｂの第１トレンチ構造物（ＴＳ１）上に配置され、コンタクトパターン（ＰＣＰ、ＤＣＰ、ＲＣＰ、ＧＣＰ、ＣＣＰ）とルーティングライン４１０の間に電気的に連結され得る。

【0425】

第１～第４中間パターン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄのそれぞれは、コンタクトパターン（ＰＣＰ、ＤＣＰ、ＲＣＰ、ＧＣＰ、ＣＣＰ）とルーティングライン４１０の間の距離によって発生し得るコンタクトパターン（ＰＣＰ、ＤＣＰ、ＲＣＰ、ＧＣＰ、ＣＣＰ）とルーティングライン４１０の間の電気的または物理的なコンタクト不良を防止することができる。

【0426】

本形状に係る第１～第４中間パターン１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄのそれぞれは、第１金属層（ＭＬａ）と第２金属層（ＭＬｂ）を含むことができる。

【0427】

本明細書の一実施例に係る第１金属層（ＭＬａ）は、コンタクトパターン（ＰＣＰ、ＤＣＰ、ＲＣＰ、ＧＣＰ、ＣＣＰ）と電気的に連結されるようにバッファ層１１１ａ上に実現され得る。例えば、第１金属層（ＭＬａ）は、コンタクトパターン（ＰＣＰ、ＤＣＰ、ＲＣＰ、ＧＣＰ、ＣＣＰ）と重畳するバッファ層１１１ａ上に配置され、バッファ層１１１ａを貫通する第１ビアホール（ＶＨ１）を介して、コンタクトパターン（ＰＣＰ、ＤＣＰ、ＲＣＰ、ＧＣＰ、ＣＣＰ）と電気的に連結され得る。本明細書の一実施例に係る第１金属層（ＭＬａ）は、コンタクトパターン（ＰＣＰ、ＤＣＰ、ＲＣＰ、ＧＣＰ、ＣＣＰ）と重畳する点形状で実現されるか、第１方向（Ｘ）に沿ってコンタクトパターン（ＰＣＰ、ＤＣＰ、ＲＣＰ、ＧＣＰ、ＣＣＰ）と交差するライン形状で実現され得る。本明細書の一実施例に係る第１金属層（ＭＬａ）は、画素領域（ＰＡ）に配置されたＴＦＴの（Ｔｄｒ）のゲート電極と同一の物質と構造で実現されたり、ソース／ドレイン電極と同一の物質と構造で実現され得る。

【0428】

第２金属層（ＭＬｂ）は、第１金属層（ＭＬａ）とルーティングライン４１０の間に電気的に連結されるように実現され得る。例えば、第２金属層（ＭＬｂ）は、第１金属層（ＭＬａ）と重畳するパッシベーション層１１１ｄ上に配置され、パッシベーション層１１１ｄと層間絶縁層１１１ｃを順に貫通する第２ビアホール（ＶＨ２）を介して、第１金属層（ＭＬａ）と電気的に連結され得る。本明細書の一実施例に係る第２金属層（ＭＬｂ）は、第１金属層（ＭＬａ）と同じ点形状で実現されるか、ライン形状で実現され得る。本明細書の一実施例に係る第２金属層（ＭＬａ）は、画素領域（ＰＡ）に配置された画素電極（ＰＥ）と同一の物質と構造で実現され得る。

【0429】

第１および第２中間パターン１１６ａ、１１６ｂのそれぞれの第２金属層（ＭＬｂ）は、ダム部１１７のダムトレンチ構造物（ＤＴＳ）と第１ダム１１７ａとの間の接着力を向上させることができる。第３及び第４中間パターン１１６ｃ、１１６ｄのそれぞれの第２金属層（ＭＬｂ）は、断絶部１１５の第１トレンチ構造物（ＴＳ１）と第２トレンチ構造物（ＴＳ２）との間の接着力を向上させることができる。

【0430】

本明細書の他の実施例に係る発光表示装置は、第１基板１００の一側縁部分を除いた残りの縁部分に配置されている断絶部１１５とダム部１１７のそれぞれに配置された補助ライン部１１８をさらに含むことができる。このような補助ライン部１１８は、図１３、図１４、及び図１７に示した補助ライン部１１８と実質的に同じ構造を有するので、これに対する重複説明は省略または簡略にする。

【0431】

本例に係る補助ライン部１１８は、断絶部１１５とダム部１１７に配置された第１～第４補助ライン１１８ａ、１１８ｂ、１１８ｃ、１１８ｄを含むことができる。

【0432】

第１～第４補助ライン１１８ａ、１１８ｂ、１１８ｃ、１１８ｄのそれぞれは、電気的にフローティングされ得る。本明細書の一実施例に係る第１～第４補助ライン１１８ａ、１１８ｂ、１１８ｃ、１１８ｄのそれぞれは、画素領域（ＰＡ）に配置された画素電極（ＰＥ）と同一の物質と構造で実現され得る。例えば、第１～第４補助ライン１１８ａ、１１８ｂ、１１８ｃ、１１８ｄのそれぞれは、補助パターン部１１６の第２金属層（ＭＬｂ）と一緒に形成され得る。

【0433】

第１および第２補助ライン１１８ａ、１１８ｂのそれぞれは、ダム部１１７に配置され得る。

【0434】

第１補助ライン１１８ａは、ダム部１１７の第１ダム部１１７－１に配置され得る。例えば、第１補助ライン１１８ａは、第１ダム部１１７－１のダムトレンチ構造物（ＤＴＳ）と第１ダム１１７ａとの間に配置され得る。

【0435】

第２補助ライン１１８ｂは、ダム部１１７の第２ダム部１１７－２に配置され得る。例えば、第２補助ライン１１８ｂは、第２ダム部１１７－２のダムトレンチ構造物（ＤＴＳ）と第１ダム１１７ａとの間に配置され得る。

【0436】

第１および第２補助ライン１１８ａ、１１８ｂは、ダム部１１７のダムトレンチ構造物（ＤＴＳ）と第１ダム１１７ａとの間の接着力を向上させることができる。

【0437】

第３及び第４補助ライン１１８ｃ、１１８ｄのそれぞれは、断絶部１１５に配置され得る。

【0438】

第３補助ライン１１８ｃは、断絶部１１５の第１断絶構造物１１５ａに配置され得る。例えば、第３補助ライン１１８ｃは、第１断絶構造物１１５ａの第１トレンチ構造物（ＴＳ１）上に配置され得る。

【0439】

第４補助ライン１１８ｄは、断絶部１１５の第２断絶構造物１１５ｂに配置され得る。例えば、第４補助ライン１１８ｄは、第２断絶構造物１１５ｂの第１トレンチ構造物（ＴＳ１）上に配置され得る。

【0440】

第３及び第４補助ライン１１８ｃ、１１８ｄのそれぞれは、断絶部１１５の第１トレンチ構造物（ＴＳ１）と第２トレンチ構造物（ＴＳ２）との間の接着力を向上させることができる。

【0441】

このように、本明細書のまた他の実施例による発光表示装置は、コンタクトパターン（ＰＣＰ、ＤＣＰ、ＲＣＰ、ＧＣＰ、ＣＣＰ）とルーティングライン４１０との間に配置された補助パターン部１１６をさらに含むことにより、コンタクトパターン（ＰＣＰ、ＤＣＰ、ＲＣＰ、ＧＣＰ、ＣＣＰ）とルーティングライン４１０との間の電気的または物理的なコンタクト不良を防止することができる。

【0442】

付加的に、本明細書のまた他の実施例に係る発光表示装置で、補助ライン部１１８は、図１８～図２６に示した発光表示装置のように、信号供給ラインに用いられ得る。

【0443】

本明細書の一実施例によると、第１及び第２補助ライン１１８ａ、１１８ｂのそれぞれは、図１８～図２２に示したように、第１基板１００の一側縁部分の一側（または一側の角部分）と他側（または他側の角部分）で、画素駆動電源ライン（ＰＬ）の中の最初と最後の画素駆動電源ライン（ＰＬ）と電気的に連結され、少なくとも１つのルーティングコンタクトホール（ＣＨ１、ＣＨ２）を介して、画素駆動電圧ルーティングライン４１１の中の最初と最後の画素駆動電圧ルーティングライン４１１のそれぞれの第１部分４１０ａと電気的に連結され得る。付加的に、第１および第２補助ライン１１８ａ、１１８ｂのそれぞれは、第１基板１００の他側端部分で画素駆動電源ライン（ＰＬ）の他側と電気的に（または共通に）連結され得る。これにより、画素駆動電源ライン（ＰＬ）が、第１及び第２補助ライン１１８ａ、１１８ｂに連結されることによって、画素駆動電源ライン（ＰＬ）のライン抵抗による画素駆動電圧の電圧降下（IR drop）が減少し、これにより画素駆動電源の均一度が向上し得る。

【0444】

本明細書の一実施例によると、第３及び第４補助ライン１１８ｃ、１１８ｄのそれぞれは、図１８～図２２に示したように、第１基板１００上に閉ループラインの形状を有するように形成され得る。第３及び第４補助ライン１１８ｃ、１１８ｄのそれぞれは、第１基板１００の一側縁部分で画素共通電圧ライン（ＣＶＬ）と電気的に連結され、少なくとも１つのルーティングコンタクトホール（ＣＨ３、ＣＨ４）を介して、画素共通電圧ルーティングライン４１９のそれぞれの第１部分４１０ａのみに電気的に連結され得る。付加的に、第３および第４補助ライン１１８ｃ、１１８ｄのそれぞれは、第１基板１００の他側端部分で画素共通電圧ライン（ＣＶＬ）の他側と電気的に（または共通に）連結され得る。これにより、第３及び第４補助ライン１１８ｃ、１１８ｄのそれぞれは、画素共通電圧ライン（ＣＶＬ）と同じ電位に維持され得、これにより、外部から表示部（ＡＡ）の内部の方に流入する静電気を遮断して、静電気による不良を防止することができる。

【0445】

本明細書の一実施例によると、第１及び第２補助ライン１１８ａ、１１８ｂのいずれか１つ、または第４補助ライン１１８ｄは、図２３に示したように、コンタクトパターン部１１０に配置されている複数のリファレンスコンタクトパターン（ＲＣＰ）の最初と最後のリファレンス電圧コンタクトパターン（ＲＣＰ）と電気的に連結されるように形成され得る。付加的に、第１および第２補助ライン１１８ａ、１１８ｂのいずれか１つ、または第４補助ライン１１８ｄは、第１基板１００の他側端部分でリファレンス電圧ライン（ＲＬ）の他側と電気的に（または共通に）連結され得る。これにより、リファレンス電圧ライン（ＲＬ）が、第１及び第２補助ライン１１８ａ、１１８ｂのいずれか１つ、または第４補助ライン１１８ｄに連結されることによって、リファレンス電圧ライン（ＲＬ）のライン抵抗によるリファレンス電圧の電圧降下（IR drop）が減少し、これによりリファレンス電圧の均一度が向上し得る。

【0446】

本明細書の一実施例によると、第１～第４補助ライン１１８ａ、１１８ｂ、１１８ｃ、１１８ｄのそれぞれは、図２４～図２６に示したように、補助連結ライン（ＳＣＬ）を介して互いに電気的に（または共通に）連結され得る。また、第４補助ライン１１８ｄは、第１基板１００上に、閉ループラインの形状を有するように形成され、コンタクトパターン部１１０に配置されている画素共通電圧コンタクトパターン（ＣＣＰ）のみに電気的に連結されるように形成され得る。これにより、第１～第４補助ライン１１８ａ、１１８ｂ、１１８ｃ、１１８ｄのそれぞれは、画素共通電圧ライン（ＣＶＬ）と同じ電位に維持され得、これにより、外部から表示部（ＡＡ）の内部の方に流入する静電気を遮断して、静電気による不良を防止することができる。

【0447】

図３３は、本明細書の一実施例によるマルチスクリーン表示装置を示した図であり、図３４は、図３３に示した線ＸＩ－ＸＩ’の断面図であり、これは、図１～図３０に示した本明細書の実施例に係る発光表示装置をタイリングして実現したマルチスクリーン表示装置を示したものである。

【0448】

図３３及び図３４を参照すると、本明細書の一実施例によるマルチスクリーン表示装置（またはタイリング表示装置）は、複数の表示装置（ＤＭ１、ＤＭ２、ＤＭ３、ＤＭ４）を含むことことができる

【0449】

複数の表示装置（ＤＭ１、ＤＭ２、ＤＭ３、ＤＭ４）のそれぞれは、個別の画像を表示したり、１つの映像を分割して表示することができる。このような複数の表示装置（ＤＭ１、ＤＭ２、ＤＭ３、ＤＭ４）のそれぞれは、図１～図３０に示した本明細書の実施例に係る発光表示装置を含むもので、これに対する重複説明は省略することができる。図３４に示した複数の表示装置（ＤＭ１、ＤＭ２、ＤＭ３、ＤＭ４）のそれぞれは、図１３～図１７に示した発光表示装置を示したもので、これに限定されるものではない。

【0450】

複数の表示装置（ＤＭ１、ＤＭ２、ＤＭ３、ＤＭ４）のそれぞれは、側面同士接触するように別途のタイリングフレームにタイリングすることができる。例えば、複数の表示装置（ＤＭ１、ＤＭ２、ＤＭ３、ＤＭ４）のそれぞれは、Ｎ×Ｍの形状を有するようにタイリングすることで、大画面のマルチスクリーン表示装置を実現することができる。例えば、Ｎは１以上の正の整数であり、Ｍは２以上の正の整数であり得る。例えば、Ｎは２以上の正の整数であり、Ｍは１以上の正の整数であり得る。

【0451】

複数の表示装置（ＤＭ１、ＤＭ２、ＤＭ３、ＤＭ４）のそれぞれは、映像が表示される表示部（ＡＡ）全体を囲むベゼル領域（または非表示領域）を含まず、表示部（ＡＡ）が空気によって囲まれるエアベゼル構造を有する。つまり、複数の表示装置（ＤＭ１、ＤＭ２、ＤＭ３、ＤＭ４）のそれぞれは、第１基板１００の第１面全体が表示部（ＡＡ）として実現され得る。

【0452】

本明細書の一実施例によると、複数の表示装置（ＤＭ１、ＤＭ２、ＤＭ３、ＤＭ４）のそれぞれにおいて、最外郭画素（Ｐｏ）の中心部（ＣＰ）と第１基板１００の最外郭外側面（ＶＬ）との間の第２間隔（Ｄ２）は、隣接した画素間の第１間隔（Ｄ１）（または画素ピッチ）の半分以下で実現される。これにより、側面結合方式によって、第１方向（Ｘ）と第２方向（Ｙ）に沿って側面同士連結（または接触）した隣接した２つの表示装置（ＤＭ１、ＤＭ２、ＤＭ３、ＤＭ４）で、隣接した最外郭画素（Ｐｏ）間の間隔（Ｄ２＋Ｄ２）は、隣接した２つの画素間の第１間隔（Ｄ１）と同一または小さくなる。

【0453】

図３４を例にとると、第２方向（Ｙ）に沿って側面同士連結（または接触）した第１表示装置（ＤＭ１）と第３表示装置（ＤＭ３）において、第１表示装置（ＤＭ１）の最外郭画素（Ｐｏ）の中心部（ＣＰ）と第３表示装置（ＤＭ３）の最外郭画素（Ｐｏ）の中心部（ＣＰ）との間の間隔（Ｄ２＋Ｄ２）は、第１表示装置（ＤＭ１）と第３表示装置（ＤＭ３）のそれぞれに配置された隣接した２つの画素間の第１間隔（Ｄ１）（または画素ピッチ）と同じか小さくすることができる。

【0454】

したがって、第１方向（Ｘ）と第２方向（Ｙ）に沿って側面同士連結（または接触）した隣接した２つの表示装置（ＤＭ１、ＤＭ２、ＤＭ３、ＤＭ４）のそれぞれの最外郭画素（Ｐｏ）の中心部（ＣＰ）間の間隔（Ｄ２＋Ｄ２）が、各表示装置（ＤＭ１、ＤＭ２、ＤＭ３、ＤＭ４）に配置された隣接した２つの画素間の第１間隔（Ｄ１）と同一または小さいので、隣接した２つの表示装置（ＤＭ１、ＤＭ２、ＤＭ３、ＤＭ４）間の境界部分またはシーム（seam）が存在せず、これにより複数の表示装置（ＤＭ１、ＤＭ２、ＤＭ３、ＤＭ４）間に設けられる境界部分による暗部領域が存在しない。その結果、複数の表示装置（ＤＭ１、ＤＭ２、ＤＭ３、ＤＭ４）がＮ×Ｍの形状でタイリングされたマルチスクリーン表示装置に表示される映像は、複数の表示装置（ＤＭ１、ＤＭ２、ＤＭ３、ＤＭ４）間の境界部分で断絶感（または不連続性）なしに、連続的に表示され得る。

【0455】

図３３及び図３４は、複数の表示装置（ＤＭ１、ＤＭ２、ＤＭ３、ＤＭ４）が２×２の形状でタイリングされたことを示したが、これに限定されず、複数の表示装置（ＤＭ１、ＤＭ２、ＤＭ３、ＤＭ４）は、ｘ×１形状、１×ｙ形状、またはｘ×ｙ形状でタイリングされ得る。ここで、ｘとｙは互いに同一または異なる２以上の自然数であり得る。

【0456】

このように、本明細書に係るマルチスクリーン表示装置は、複数の表示装置（ＤＭ１、ＤＭ２、ＤＭ３、ＤＭ４）のそれぞれの表示部（ＡＡ）を１つの画面にして、１つの映像を表示するとき、複数の表示装置（ＤＭ１、ＤＭ２、ＤＭ３、ＤＭ４）間の境界部分で断絶せず、連続的につながった映像を表示することができ、これによって、マルチスクリーン表示装置に表示される映像を視聴する視聴者の映像没入度を向上させることができる。

【0457】

本明細書の実施例に係る発光表示装置と、これを利用したマルチスクリーン表示装置は、以下のように説明することができる。

【0458】

本明細書の実施例に係る発光表示装置は、基板、基板上に配置された画素領域を有する表示部、画素領域に配置された画素駆動ラインを含む回路層、画素領域の回路層上に配置された発光層を含む発光素子層、発光素子層上に配置された封止層、および基板の前面の縁部分と外側面を囲み、基板の前面の縁部分に配置された封止層を通過し、画素駆動ラインに連結されたルーティングラインを有するルーティング部を含むことができる。

【0459】

本明細書のいくつかの実施例によると、発光表示装置は、回路層に配置され、画素駆動ラインに連結されたコンタクトパターンを含むコンタクトパターン部をさらに含み、ルーティングラインは、基板の縁部分に配置された封止層を通過し、コンタクトパターンに電気的に直接連結され得る。

【0460】

本明細書のいくつかの実施例によると、コンタクトパターンは、画素駆動ラインと同一層に配置され、画素駆動ラインから延長され得る。

【0461】

本明細書のいくつかの実施例によると、発光表示装置は、コンタクトパターンとルーティングラインとの間で電気的に連結された補助パターンをさらに含むことができる。

【0462】

本明細書のいくつかの実施例によると、補助パターンは、コンタクトパターンと電気的に連結された第１金属層、および第１金属層上に配置され、ルーティングラインと電気的に連結された第２金属層を含むことができる。

【0463】

本明細書のいくつかの実施例によると、回路層は、画素駆動ラインとコンタクトパターン上に配置されたバッファ層、およびバッファ層上に配置された少なくとも１つの絶縁層をさらに含み、補助パターンは、コンタクトパターンと重畳するバッファ層上に配置され、バッファ層に形成された第１ビアホールを通じてコンタクトパターンと電気的に連結された第１金属層、および第１金属層と重畳する少なくとも１つの絶縁層上に配置され、少なくとも１つの絶縁層に形成された第２ビアホールを介して第１金属層と電気的に連結された第２金属層を含み、ルーティングラインは、封止層を通過するルーティングコンタクトホールを介して補助パターンの第２金属層と電気的に連結され得る

【0464】

本明細書のいくつかの実施例によると、発光表示装置は、基板の縁部分に沿って回路層上に配置されたダム部をさらに含み、封止層は、発光素子層とダム部上に配置された第１封止層、第１封止層上に配置され、ダム部によって囲まれる第２封止層、および第２封止層とダム部上の第１封止層上に配置された第３封止層を含み、ルーティングラインは、第３封止層と第１封止層およびダム部を通過するルーティングコンタクトホールを介してコンタクトパターンと電気的に連結され得る。

【0465】

本明細書のいくつかの実施例によると、発光表示装置は、ダム部に配置され、コンタクトパターンとルーティングラインとの間に電気的に連結された補助パターンをさらに含むことができる。

【0466】

本明細書のいくつかの実施例によると、ダム部は、基板の縁部分に沿って回路層上に配置された第１ダム部、および第１ダム部を囲むように回路層上に配置された第２ダム部を含み、ルーティングラインは、第３封止層と第１封止層および第１ダム部を通過する少なくとも１つの第１ルーティングコンタクトホールを介してコンタクトパターンと電気的に連結され、第３封止層と第１封止層および第２ダム部を通過する少なくとも１つの第２ルーティングコンタクトホールを介してコンタクトパターンと電気的に連結され得る。

【0467】

本明細書のいくつかの実施例によると、発光表示装置は、第１ダム部と第２ダム部のそれぞれに配置され、コンタクトパターンとルーティングラインとの間に電気的に連結された補助パターンをさらに含むことができる。

【0468】

本明細書のいくつかの実施例によると、第１ダム部と第２ダム部のそれぞれは、回路層に配置されたダムトレンチ構造物、ダムトレンチ構造物上に配置された第１ダム、第１ダム上に配置された第２ダム、およびダムトレンチ構造物と第１ダムとの間の境界部に配置されたアンダーカット領域を含むことができる。

【0469】

本明細書のいくつかの実施例によると、発光表示装置は、基板の縁部分に沿って回路層上に配置されたダム部、および基板の縁部分に沿って回路層上に配置され、発光層を断絶させる断絶部をさらに含み、封止層は、発光素子層とダム部および断絶部上に配置された第１封止層、第１封止層上に配置され、ダム部によって囲まれる第２封止層、および第２封止層とダム部上の第１封止層上に配置された第３封止層を含み、ルーティングラインは、第３封止層と第１封止層を通過し、ダム部と断絶部の中の少なくとも１つをさらに通過するルーティングコンタクトホールを介してコンタクトパターンと電気的に連結され得る。

【0470】

本明細書のいくつかの実施例によると、断絶部は、基板の縁部分に沿って回路層上に配置された少なくとも１つの断絶構造物を含み、少なくとも１つの断絶構造物は、回路層に配置された第１トレンチ構造物、第１トレンチ構造物上に配置された第２トレンチ構造物、および第１トレンチ構造物と第２トレンチ構造物との間の境界部に配置されたアンダーカット領域を含むことができる。

【0471】

本明細書のいくつかの実施例によると、発光表示装置は、ダム部と断絶部の中の少なくとも１つに配置され、コンタクトパターンとルーティングラインとの間に電気的に連結された補助パターンをさらに含むことができる。

【0472】

本明細書のいくつかの実施例によると、補助パターンは、コンタクトパターンと電気的に連結された第１金属層、および第１金属層上に配置され、ルーティングラインと電気的に連結された第２金属層を含むことができる。

【0473】

本明細書のいくつかの実施例によると、発光表示装置は、コンタクトパターンが配置されている基板の一側縁部分を除いた残りの縁部分に配置された補助ライン部をさらに含み、補助ライン部は、ダム部と断絶部の中の少なくとも１つに配置された補助ラインを含むことができる。

【0474】

本明細書のいくつかの実施例によると、画素駆動ラインは、データラインと画素駆動電源ラインおよび画素共通電圧ラインを含み、補助ラインは、画素駆動電源ラインまたは画素共通電圧ラインと電気的に連結され得る。

【0475】

本明細書のいくつかの実施例によると、発光表示装置は、基板の縁部分に配置された補助ライン部をさらに含み、補助ライン部は、コンタクトパターンが配置されている基板の一側縁部分を除いた残りの縁部分に配置された複数の補助ライン、および基板の縁部分に沿って閉ループライン形状に配置された少なくとも１つの閉ループラインを含むことができる。

【0476】

本明細書のいくつかの実施例によると、画素駆動ラインは、データラインと画素駆動電源ラインおよび画素共通電圧ラインを含み、少なくとも１つの閉ループラインは、画素共通電圧ラインと電気的に連結され得る。

【0477】

本明細書のいくつかの実施例によると、少なくとも１つの閉ループラインは、画素駆動電源ラインと電気的に連結され得る。

【0478】

本明細書のいくつかの実施例によると、発光表示装置は、複数の補助ラインと少なくとも１つの閉ループラインに共通して連結された補助連結ラインをさらに含むことができる。

【0479】

本明細書のいくつかの実施例によると、表示部の大きさは、基板の大きさと同じであり得る。

【0480】

本明細書の実施例に係るマルチスクリーン表示装置は、第１方向および第１方向を横切る第２方向の中の少なくとも１方向に沿って配置された複数の表示装置を含み、複数の表示装置のそれぞれは、発光表示装置を含み、発光表示装置は、基板、基板上に配置された画素領域を有する表示部、画素領域に配置された画素駆動ラインを含む回路層、画素領域の回路層上に配置された発光層を含む発光素子層、発光素子層上に配置された封止層、および基板の前面の縁部分と外側面を囲み、基板の前面の縁部分に配置された封止層を通過し、画素駆動ラインに連結されたルーティングラインを有するルーティング部を含むことができる。

【0481】

本明細書のいくつかの実施例によると、複数の表示装置のそれぞれにおいて、表示部は、第１方向および第２方向に沿って画素ピッチを有するように配置された複数の画素を含み、画素ピッチは、第１方向および第２方向に沿って互いに隣接して２つの画素の中心部の間の距離である、第１方向および第２方向に沿って互いに隣接して第１表示装置と第２表示装置において、第１表示装置の最外郭画素の中心部と第２表示装置の最外郭画素の中心部との間の距離は、画素ピッチと同じか小さくても良い。

【0482】

本明細書の実施例に係る表示装置は、最外側面を含む外面の中の少なくとも１つに隣接した縁部分を含む基板、表示領域を定義する基板上の複数の画素、複数の画素に結合された複数の信号ライン、複数の画素のそれぞれに含まれた発光素子層、発光素子層上の封止層、および基板上の縁部分に延長され、基板の最外側面を少なくとも部分的に覆う複数のルーティングラインを含むことができる。

【0483】

本明細書のいくつかの実施例によると、基板の縁部分は、表示領域内に配置され得る。

【0484】

本明細書のいくつかの実施例によると、封止層と複数のルーティングラインの中の少なくとも１つは、縁部分で互いに重畳することができる。

【0485】

本明細書のいくつかの実施例によると、複数のルーティングラインの中の少なくとも１つは、基板の最外側面上にあり、基板の最外側面に接触することができる。

【0486】

本明細書のいくつかの実施例によると、複数のルーティングラインの中の少なくとも１つは、基板の縁部分に配置された封止層を通過して延長され得る。

【0487】

本明細書のいくつかの実施例によると、表示装置は、発光素子層を断絶させるために基板の縁部分にある断絶壁をさらに含み、封止層は、断絶壁上にあり、複数のルーティングラインの中の少なくとも１つは、封止層と断絶壁の内に延長され得る。

【0488】

本明細書のいくつかの実施例によると、表示装置は、発光素子層を断絶させるために基板の縁部分にある断絶壁、および断絶壁に隣接した基板の縁部分にあるダム部をさらに含み、ダム部は、断絶壁と異なる高さを有し、複数のルーティングラインの中の少なくとも１つは、封止層とダム部の内に延長され得る。

【0489】

本明細書のいくつかの実施例によると、封止層は、発光素子層とダム部上に配置された第１封止層、および第１封止層上に配置され、ダム部を超えて延長されない第２封止層を含み、複数のルーティングラインは、第２封止層と重畳し得る。

【0490】

本明細書のいくつかの実施例によると、表示装置は、複数のルーティングラインに隣接した複数の補助ラインをさらに含み、複数の補助ラインは、断絶壁と重畳する第１導電性構造物を含み、第１導電性構造物は、複数のルーティングラインと電気的に結合され得る。

【0491】

本明細書のいくつかの実施例によると、複数の補助ラインは、第１導電性構造物上にあり、断絶壁と重畳する第２導電性構造物をさらに含み、第２導電性構造物は、複数のルーティングラインと電気的に結合され得る。

【0492】

本明細書の実施例に係る表示装置は、エッジに隣接した第１面を有する第１基板、エッジに隣接しながら第１基板の第１面に隣接した第２面を有し、第１基板と対向する第２基板、第１基板上の複数の画素、複数の画素に結合された複数の信号ライン、複数の画素と第１基板のエッジのそれぞれの上にある発光素子層、および第１基板から延長された複数のルーティングラインを含み、複数のルーティングラインの中の少なくとも１つは、第１基板と第２基板との間に電気的な連結を形成するために、第１基板の第１面と第２基板の第２面上に延長され得る。

【0493】

本明細書のいくつかの実施例によると、表示領域を定義する第１基板上の複数の画素は、第１基板のエッジに延長され得る。

【0494】

本明細書のいくつかの実施例によると、表示装置は、発光素子層上にある封止層をさらに含み、複数のルーティングラインは、第１基板のエッジに隣接し、封止層上にありうる。

【0495】

本明細書のいくつかの実施例によると、表示装置は、複数の画素の中の最外郭画素に隣接した第１基板上にあるコンタクトパターン部をさらに含み、コンタクトパターン部は、複数の信号ラインと電気的に結合され、複数のルーティングラインの中の少なくとも１つは、コンタクトパターン部と結合されるように、封止層を通過して延長され得る。

【0496】

本明細書のいくつかの実施例によると、表示装置は、発光素子層を断絶させるために第１基板のエッジに隣接した断絶壁をさらに含み、断絶壁は、コンタクトパターン部上にあり、複数のルーティングラインの中の少なくとも１つは、コンタクトパターン部と結合されるように、封止層と断絶壁を通過して延長され得る。

【0497】

本明細書のいくつかの実施例によると、表示装置は、断絶壁に隣接したダムをさらに含み、ダムは、断絶壁と異なる高さを有し、複数のルーティングラインの中の少なくとも１つは、コンタクトパターン部と結合されるように、封止層とダムを通過して延長され得る。

【0498】

本明細書のいくつかの実施例によると、表示装置は、コンタクトパターン部上にある第１補助導電性構造物をさらに含み、第１補助導電性構造物は、断絶壁およびダムのいずれかの位置に重畳し、複数のルーティングラインの中の少なくとも１つは、第１補助導電性構造物と結合されるように、封止層を通過して延長され得る。

【0499】

本明細書のいくつかの実施例によると、表示装置は、コンタクトパターン部上にある第２補助導電性構造物をさらに含み、第２補助導電性構造物は、第１補助導電性構造物上にあり、断絶壁およびダムのいずれかの位置に重畳し、複数のルーティングラインの中の少なくとも１つは、第１及び第２補助導電性構造物と結合されるように、封止層を通過して延長され得る。

【0500】

本明細書の実施例に係るマルチスクリーン表示装置は、第１方向および第１方向を横切る第２方向の中の少なくとも１方向に沿って配置された複数の表示装置を含み、複数の表示装置のそれぞれは、表示装置を含み、表示装置は、最外側面を含む外面の中の少なくとも１つに隣接した縁部分を含む基板、表示領域を定義する基板上の複数の画素、複数の画素に結合された複数の信号ライン、複数の画素のそれぞれに含まれた発光素子層、発光素子層上の封止層、および基板上の縁部分に延長され、基板の最外側面を少なくとも部分的に覆う複数のルーティングラインを含むことができる。

【0501】

本明細書のいくつかの実施例によると、複数の表示装置のそれぞれにおいて、複数の画素は、第１方向および第２方向のそれぞれに沿って画素ピッチを有するように配置され、画素ピッチは、第１方向および第２方向に沿って互いに隣接して２つの画素の中心部の間の距離であり得、第１方向および第２方向のそれぞれに沿って互いに隣接して第１表示装置と第２表示装置において、第１表示装置の最外郭画素の中心部と第２表示装置の最外郭画素の中心部との間の距離は、画素ピッチと同じか小さくても良い。

【0502】

本明細書の例による発光表示装置は、発光表示パネルを含むすべての電子機器に適用することができる。例えば、本明細書に係る発光表示装置は、モバイルデバイス、映像電話、スマートウォッチ（smart watch）、ウォッチフォン（watch phone）、ウェアラブル機器（wearable device）、フォルダブル機器（foldable device）、ローラブル機器（rollable device）、ベンダブル機器（bendable device）、フレキシブルデバイス（flexible device）、カーブ・ド・機器（curved device）、電子手帳、電子ブック、PMP（portable multimedia player）、PDA（personal digital assistant）、MP３プレーヤー、モバイル医療機器、デスクトップPC（desktop PC）、ラップトップPC（laptop PC）、ネットブックコンピュータ（netbook computer）、ワークステーション、（workstation）、ナビゲーション、車両用ナビゲーション、車両用表示装置、テレビ、ウオールペーパー（wallpaper）表示機器、サイネージ（signage）機器、ゲーム機器、ノートパソコン、モニター、カメラ、ビデオカメラ、および家電機器などに適用することができる。

【0503】

上述した本明細書の様々な例で説明した特徴、構造、効果などは、本明細書の少なくとも１つの例に含まれ、必ずしも１つの例のみに限定されるものではない。さらに、本明細書の少なくとも１つの例で例示した特徴、構造、効果などは、本明細書の技術思想が属する分野の通常の知識を有する者によって、また他の実施例にも組み合わせ、または変形して実施可能である。したがって、このような組み合わせと変形に係る内容は、本明細書の技術範囲または権利範囲に含まれるものと解釈されなければならない。

【0504】

以上で説明した本明細書では、前述した実施例及び添付した図に限定されるものではなく、本明細書の技術的思想を逸脱しない範囲内で、複数の置換、変形及び変更が可能であることが本明細書が属する技術分野で通常の知識を有する者にとって明らかであろう。したがって、本明細書の範囲は、後述する特許請求の範囲によって示され、請求範囲の意味及び範囲そしてその等価概念から導き出されるすべての変更または変形された形状が、本明細書の範囲に含まれるものと解釈されなければならない。

【符号の説明】

【0505】

１０：発光表示装置
１００：基板または第１基板
１１０：コンタクトパターン部
１１１：回路層
１１１ａ：バッファ層
１１１ｃ：層間絶縁層
１１１ｄ：パッシベーション層
１１２：平坦化層
１１３：発光素子層
１１４：バンク
１１５：断絶部
１１６：補助パターン部
１１７：ダム部
１１８：補助ライン部
１１９：封止層
２００：第２基板
２１０：第１パッド部
２３０：第２パッド部
３００：結合部材
５００：駆動回路部

【図1】

【図2】

【図3A】

【図3B】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16A】

【図16B】

【図16C】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】

【図22】

【図23】

【図24】

【図25】

【図26】

【図27】

【図28】

【図29】

【図30】

【図31】

【図32】

【図33】

【図34】