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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2023-07-10
(45)【発行日】2023-07-19
(54)【発明の名称】リードフレーム
(51)【国際特許分類】
H01L 23/50 20060101AFI20230711BHJP
【ＦＩ】
H01L23/50 N
H01L23/50 R
H01L23/50 K
【請求項の数】
3
(21)【出願番号】P 2019182463
(22)【出願日】2019-10-02
(65)【公開番号】P2021061266
(43)【公開日】2021-04-15
【審査請求日】2022-07-13
(73)【特許権者】
【識別番号】517363861
【氏名又は名称】大口マテリアル株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110001405
【氏名又は名称】弁理士法人篠原国際特許事務所
(74)【代理人】
【識別番号】100065824
【弁理士】
【氏名又は名称】篠原 泰司
(74)【代理人】
【識別番号】100104983
【弁理士】
【氏名又は名称】藤中 雅之
(74)【代理人】
【識別番号】100166394
【弁理士】
【氏名又は名称】鈴木 和弘
(72)【発明者】
【氏名】久保田 覚史
(72)【発明者】
【氏名】福崎 潤
【審査官】豊島 洋介
(56)【参考文献】
【文献】特開２０１９－０４７００４（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１６－０８２２２２（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１２－１０９４５９（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１９－０４７０６１（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１９－０２１８１２（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０１Ｌ ２３／５０
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
外部機器と接続する側の面及び側面に露出する外部接続用端子を複数備える半導体パッケージに用いられるリードフレームであって、前記外部接続用端子となる端子部を有するリードの該外部接続用端子となる端子部がダムバーに接続されて、個々のリードフレームが多列配置され、
前記半導体パッケージにおける外部機器と接続する側の面において、
前記ダムバーにおける前記外部接続用端子となる端子部と交差しない位置での全領域と、前記リードにおける前記外部接続用端子となる端子部を除いた領域と、を有する第１の領域が、ハーフエッチング加工された薄肉部をなすとともに、
前記外部接続用端子となる端子部と、前記ダムバーにおける前記外部接続用端子となる端子部と交差する位置での全領域と、を合わせてなる第２の領域の内側に、前記ダムバーを跨り、且つ、個々の半導体パッケージに切断するための切断領域の境界線よりも前記ダムバーから離れた所定位置に及ぶ所定形状の開口を有する凹部が形成され、
少なくとも一つの前記凹部の開口が、
前記ダムバーを跨いで前記外部接続用端子となる端子部の前記切断領域の境界線よりも前記ダムバーから離れた所定位置に端部を有する第１の矩形部分と、
前記切断領域の境界線を跨いで前記第１の矩形部分と垂直に交差する第２の矩形部分と、
により形成されるＴ字形状又は略十文字形状の輪郭を有していることを特徴とするリードフレーム。
【請求項2】
個々の前記凹部における前記第１の矩形部分の前記ダムバーを跨いで前記第２の矩形部分との境界近傍の所定位置に及ぶ領域の板厚が、当該凹部における前記第２の矩形部分の板厚に比べて厚いことを特徴とする請求項１に記載のリードフレーム。
【請求項3】
個々の前記凹部における、前記第２の矩形部分の、前記ダムバーの長手方向に対して平行な辺同士の間隔が、前記第１の矩形部分の、前記ダムバーの長手方向に対して垂直な辺同士の間隔に比べて短くなっていることを特徴とする請求項１に記載のリードフレーム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、裏面側の外部接続用端子がプリント基板等の外部機器と接続されるタイプの半導体パッケージの製造に用いられるリードフレームに関する。
【背景技術】
【0002】
半導体パッケージの外部機器への組み込みに際し、半導体パッケージと、外部機器との半田接続状態の良・不良を目視で検査できるように、半田接続部分の可視化が求められている。
【0003】
しかるに、従来、外周部にアウターリードがない、例えば、ＱＦＮ（Quad-Flat No-leaded）タイプの半導体パッケージは、半導体パッケージの裏面側に外部接続用端子が配列され、半導体パッケージの裏面側に露出している複数の外部接続用端子をプリント基板等の外部機器と接続する構造となっていたため、正常に半田接続されているか否かを目視検査することが困難であった。
【0004】
しかし、半田接続部分の目視検査ができないと、半田接続作業時に内在する接続不良が見逃され、その後の通電検査等で接続不良が発見されるまでの作業コストが余計にかかってしまう。また、半田接続部分は、Ｘ線装置を用いて透視検査することは可能ではあるが、それでは、Ｘ線装置の設備コストが増大してしまう。
【0005】
そこで、従来、ＱＦＮタイプの半導体パッケージの半田接続部分における半田接続状態の良・不良を目視検査できるようにするための技術として、例えば、次の特許文献１には、リードフレームにおけるリードの裏面側の外部接続用端子となる端子部の切断位置に、リードを横断する溝を形成することで、個々に切断されたときの半導体パッケージの裏面に露出する外部接続用端子に、端縁部にかけて空間部を設け、空間部に半田を介在させるようにして、半導体パッケージの側面に露出した外部接続用端子から半田接続部分を目視可能にすることが提案されている。
【0006】
また、例えば、次の特許文献２には、リードフレームの裏面に凹部を設け、表面側を樹脂封止後に、凹部を含む所定領域を封止樹脂側からハーフカット加工を施すことで、凹部を設けていた部位にスルーホールを形成し、次に、ハーフカット加工の幅より狭い幅でフルカット加工を施すことで、外部接続用端子を側方に突出させ、側方の突出部に、半田接続部分を目視可能にするためのスルーホールやスリットを設けることが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0007】
【文献】特開２０００－２９４７１５号公報
【文献】特開２０１１－１２４２８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0008】
しかし、特許文献１に記載のリードを横断する溝を形成する技術では、樹脂封止の際に溝に樹脂が入り込み、半田接続部分を目視可能にするための空間部が形成されず、半導体パッケージ製品の歩留まりが悪くなる虞がある。
【0009】
また、特許文献２に記載の技術では、樹脂封止後に、ブレードを用いたハーフカットとフルカットの２回の切断工程が必要となり、生産効率が悪くなる。また、外部接続用端子が側方へ突出する形態となるため、半導体パッケージの小型化に不利となる。
【0010】
このように、裏面側に露出している複数の外部接続用端子をプリント基板等の外部機器と接続するタイプの半導体パッケージにおける、半田接続部分を目視可能とするための従来技術には、半導体パッケージ製品の歩留まりや、生産効率、製品の小型化の点で問題があった。
【0011】
そこで、本発明者らは、これらの問題を解決しうる半田接続部分を目視可能とするための技術について試行錯誤を重ね、特許文献１に記載の技術を改良し、リードフレームにおけるリードの裏面側の外部接続用端子となる端子部における、ダムバー近傍の、個々の半導体パッケージに切断するための切断領域に及ぶ位置に凹部を形成し、半導体素子を搭載し樹脂で封止後に切断して個々の半導体パッケージを製造した際に、半導体パッケージの側面に露出している外部接続用端子の端縁部が門形状に形成され、門形状の端縁部に囲まれた領域から半田付け部分を目視確認できるようにすることを着想し、検討を行った。
【0012】
また、本発明者らが検討する過程において、この種のリードフレームにおいては、外部接続用端子を有するリードの樹脂との密着性や、個々の半導体パッケージに切断するブレードの寿命についての課題があることが判明した。
【0013】
また、近年、小型化が求められている半導体パッケージにおいては、半田接続部分の目視検査をし易くするために、リードフレームにおける半田接続部分を目視可能とする部位の幅や高さを極力増大させることが望まれる。
【0014】
そこで、本発明者らが、外部接続用端子を有するリードの樹脂との密着性や、個々の半導体パッケージに切断するブレードの寿命についての課題も含めた上記課題を解決しうる半田接続部分を目視可能とするための技術について、更なる試行錯誤を重ねたところ、半田接続部分の目視検査をし易くするために、半田接続部分を目視可能とする部位の幅や高さを極力増大させたリードフレームをエッチング加工により形成しようとした場合、ダムバーの強度が低下してリードフレームが変形する虞や、リードフレームが貫通してしまう虞があることが判明した。
【0015】
本発明は、上記従来の課題を鑑みてなされたものであり、半導体パッケージ製品の歩留まりや、生産効率が向上し、小型化にも対応でき、半田接続部分における半田接続状態の良・不良を目視検査可能であり、しかも、リードの樹脂との密着性を向上させ、個々の半導体パッケージに切断するブレードの寿命を延ばし、且つ、ダムバーの強度低下によるリードフレームの変形やリードフレームの貫通を防止すると同時に、半田接続部分を目視可能とする部位の幅や高さを極力増大させることが可能なリードフレームを提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【0016】
上記目的を達成するため、本発明によるリードフレームは、外部機器と接続する側の面及び側面に露出する外部接続用端子を複数備える半導体パッケージに用いられるリードフレームであって、前記外部接続用端子となる端子部を有するリードの該外部接続用端子となる端子部がダムバーに接続されて、個々のリードフレームが多列配置され、前記半導体パッケージにおける外部機器と接続する側の面において、前記ダムバーにおける前記外部接続用端子となる端子部と交差しない位置での全領域と、前記リードにおける前記外部接続用端子となる端子部を除いた領域と、を有する第１の領域が、ハーフエッチング加工された薄肉部をなすとともに、前記外部接続用端子となる端子部と、前記ダムバーにおける前記外部接続用端子となる端子部と交差する位置での全領域と、を合わせてなる第２の領域の内側に、前記ダムバーを跨り、且つ、個々の半導体パッケージに切断するための切断領域の境界線よりも前記ダムバーから離れた所定位置に及ぶ所定形状の開口を有する凹部が形成され、少なくとも一つの前記凹部の開口が、前記ダムバーを跨いで前記外部接続用端子となる端子部の前記切断領域の境界線よりも前記ダムバーから離れた所定位置に端部を有する第１の矩形部分と、前記切断領域の境界線を跨いで前記第１の矩形部分と垂直に交差する第２の矩形部分と、により形成されるＴ字形状又は略十文字形状の輪郭を有していることを特徴とする。
【0017】
また、本発明のリードフレームにおいては、個々の前記凹部における前記第１の矩形部分の前記ダムバーを跨いで前記第２の矩形部分との境界近傍の所定位置に及ぶ領域の板厚が、当該凹部における前記第２の矩形部分の板厚に比べて厚いのが好ましい。
【0018】
また、本発明のリードフレームにおいては、個々の前記凹部における、前記第２の矩形部分の、前記ダムバーの長手方向に対して平行な辺同士の間隔が、前記第１の矩形部分の、前記ダムバーの長手方向に対して垂直な辺同士の間隔に比べて短くなっているのが好ましい。
【発明の効果】
【0019】
本発明によれば、半導体パッケージ製品の歩留まりや、生産効率が向上し、小型化にも対応でき、半田接続部分における半田接続状態の良・不良を目視検査可能であり、しかも、リードの樹脂との密着性を向上させ、個々の半導体パッケージに切断するブレードの寿命を延ばし、且つ、ダムバーの強度低下によるリードフレームの変形やリードフレームの貫通を防止すると同時に、半田接続部分を目視可能とする部位の幅や高さを極力増大させることが可能なリードフレームが得られる。
【図面の簡単な説明】
【0020】
【図1】本発明の第１実施形態に係るリードフレームの要部構成を示す説明図で、(a)は外部機器と接続する側からみた図、(b)は(a)のリードフレームにおける外部接続用端子となる端子部を示すＩ－Ｉ断面図、(c)は(a)のリードフレームにおける外部接続用端子となる端子部を示すＪ－Ｊ断面図である。
【図2】図１のリードフレームにおける個々のリードの外部接続用端子となる端子部に形成された凹部の説明図で、(a)はダムバーに接続した一部のリードを外部機器と接続する側からみた、凹部の開口形状の一例を示す図、(b)は(a)のＫ－Ｋ断面図、(c)は(a)の開口形状における第１の矩形部分を示す図、(d)は(a)の開口形状における第２の矩形部分を示す図、(e)は凹部の開口形状の他の例を示す図、(f)は凹部の開口形状のさらに他の例を示す図である。
【図3】本発明者らが本発明を導出する前段階の試行段階のリードフレームと、本発明のリードフレームとにおける、外部接続用端子となる端子部に形成された凹部の長さ方向及び幅方向の夫々の方向に沿う各位置でのエッチング深さを示す説明図で、(a-1)は本発明を導出する前段階の試行段階のリードフレームにおける、外部接続用端子となる端子部に形成された凹部の開口形状を示す図、(a-2)は(a-1)に示す凹部の長さ方向に沿う各位置でのエッチング深さを示すグラフ、(a-3)は(a-1)に示す凹部の幅方向に沿う各位置でのエッチング深さを示すグラフ、(b-1)は本発明の実施形態のリードフレームにおける、外部接続用端子となる端子部に形成された凹部の開口形状を示す図、(b-2)は(b-1)に示す凹部の長さ方向に沿う各位置でのエッチング深さを示すグラフ、(b-3)は(b-1)に示す凹部の幅方向に沿う各位置でのエッチング深さを示すグラフである。
【図8】半導体パッケージの半田接続部分を目視可能にするための従来技術の一例を示す説明図で、(a)は半導体パッケージに用いるリードフレームの外部機器と接続する側からみた図、(b)は(a)のリードフレームを用いて組み立てた半導体パッケージにおける(a)のＡ－Ａ断面図、(c)は(b)の半導体パッケージの外部接続用端子を外部機器に半田接続した状態を示す図、(d)は(a)のリードフレームにおける外部接続用端子となる端子部を示すＢ－Ｂ断面図である。
【図9】本発明者らが本発明を導出する前段階において検討した、リードフレームの要部構成の一例を示す説明図で、(a)は外部機器と接続する側からみた図、(b)は(a)のリードフレームにおける外部接続用端子となる端子部を示すＣ－Ｃ断面図、(d)は(a)のリードフレームにおける外部接続用端子となる端子部を示すＤ－Ｄ断面図である。
【図10】図９のリードフレームにおける個々のリードの外部接続用端子となる端子部に形成された凹部の説明図で、(a)はダムバーに接続した一部のリードを外部機器と接続する側からみた、凹部の開口形状の一例を示す図、(b)は(a)のＥ－Ｅ断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0021】
実施形態の説明に先立ち、本発明を導出するに至った経緯及び本発明の作用効果について説明する。
まず、本発明者らは、半導体パッケージの半田接続部分を目視可能にするための従来技術である特許文献１に記載の技術について検討・考察した。
特許文献１に記載の技術について図８を用いて説明する。
まず、本発明者らは、半導体パッケージの半田接続部分を目視可能にするための従来技術である特許文献１に記載の技術について検討・考察した。
特許文献１に記載の技術について図８を用いて説明する。
【0022】
図８(a)に示すリードフレームは、リードの裏面側の外部接続用端子となる端子部５１の切断位置（図８(a)における一点鎖線上の位置）に、リードを横断する溝５１ｂが形成されている。
そして、リードフレームのパッド部５２に半導体素子６０を搭載し、内部接続用端子となる端子部と半導体素子６０とをボンディングワイヤ６１で接続し、樹脂７０で封止した状態の半導体パッケージを切断位置に沿って切断することによって、図８(b)に示すように、個々に切断された半導体パッケージの裏面に露出するリードの外部接続用端子５１に、端縁部にかけて空間部５１ａが設けられる。
このように形成された半導体パッケージは、図８(c)に示すように、半田９０は外部接続用端子５１の裏面から端縁部にかけて形成されている空間部５１ａに介在する。このため、半導体パッケージの外部機器８０との半田接続状態の良・不良を目視検査できる。
そして、リードフレームのパッド部５２に半導体素子６０を搭載し、内部接続用端子となる端子部と半導体素子６０とをボンディングワイヤ６１で接続し、樹脂７０で封止した状態の半導体パッケージを切断位置に沿って切断することによって、図８(b)に示すように、個々に切断された半導体パッケージの裏面に露出するリードの外部接続用端子５１に、端縁部にかけて空間部５１ａが設けられる。
このように形成された半導体パッケージは、図８(c)に示すように、半田９０は外部接続用端子５１の裏面から端縁部にかけて形成されている空間部５１ａに介在する。このため、半導体パッケージの外部機器８０との半田接続状態の良・不良を目視検査できる。
【0023】
しかし、図８に記載の技術のように、リードを横断する溝５１ｂを形成すると、樹脂封止の際に、端子部の溝５１ｂに樹脂が入り込み、半田接続部分を目視可能にするための空間部５１ａが形成されない虞がある。
一般に、リードフレームの半導体素子搭載側を樹脂封止する際には、リードフレームの裏面に樹脂が入り込まないようにするためにリードフレームの裏面には、シート状のテープを貼り付ける。しかし、図８に記載の技術では、樹脂封止する際にシート状のテープと溝５１ｂの面との隙間から樹脂が回り込んで、端子部５１の溝５１ｂに樹脂が入り込み、半田接続部分を目視検査可能にするための空間部が形成されず、半導体パッケージ製品の歩留まりが悪くなる虞がある。
一般に、リードフレームの半導体素子搭載側を樹脂封止する際には、リードフレームの裏面に樹脂が入り込まないようにするためにリードフレームの裏面には、シート状のテープを貼り付ける。しかし、図８に記載の技術では、樹脂封止する際にシート状のテープと溝５１ｂの面との隙間から樹脂が回り込んで、端子部５１の溝５１ｂに樹脂が入り込み、半田接続部分を目視検査可能にするための空間部が形成されず、半導体パッケージ製品の歩留まりが悪くなる虞がある。
【0024】
次に、特許文献２に記載の技術では、上述したように、樹脂封止後に、ブレードを用いてハーフカットとフルカットの２回の切断工程が必要となり、生産効率が悪くなり、しかも、外部接続用端子が横方向へ突出する形態となるため、半導体パッケージの小型化に不利となる。
【0025】
ここで、本発明者らは、外部接続用端子となる端子部の切断位置に凹部を形成したリードフレームを用いて、半導体素子を搭載し樹脂で封止後に切断して、個々の半導体パッケージを製造した際に、半導体パッケージの側面に露出している外部接続用端子の端縁部が門形状に形成され、半田付け部分を目視確認できるようにすることについて検討を行った。
【0026】
また、本発明者らは、上記の検討過程において、この種のリードフレームには、外部接続用端子となる端子部を有するリードの樹脂との密着性や、個々の半導体パッケージに切断するブレードの寿命についての課題があることが判明した。
詳しくは、本発明者らが検討したこの種のリードフレームにおいて、外部接続用端子となる端子部を有するリードは、両側面と半導体素子を搭載する側の面を樹脂に囲まれた状態で樹脂と接しているが、半導体素子を封止する封止樹脂との密着性が弱く離脱し易いことが判明した。また、本発明者らが検討したこの種のリードフレームにおいて、リードを接続するダムバーの厚さが厚くなっていると、個々の半導体パッケージに切断する対象となる金属の量（ダムバーの体積）が増えて、ブレードの寿命が短くなってしまうことが懸念された。
詳しくは、本発明者らが検討したこの種のリードフレームにおいて、外部接続用端子となる端子部を有するリードは、両側面と半導体素子を搭載する側の面を樹脂に囲まれた状態で樹脂と接しているが、半導体素子を封止する封止樹脂との密着性が弱く離脱し易いことが判明した。また、本発明者らが検討したこの種のリードフレームにおいて、リードを接続するダムバーの厚さが厚くなっていると、個々の半導体パッケージに切断する対象となる金属の量（ダムバーの体積）が増えて、ブレードの寿命が短くなってしまうことが懸念された。
【0027】
そこで、本発明者らは、リードの樹脂との密着性や、個々の半導体パッケージに切断するブレードの寿命についての課題も含めて、上記課題を解決しうる半田接続部分を目視可能とするための技術について、更なる検討を行った。
【0028】
図９は本発明者らが本発明を導出する前段階において検討した、リードフレームの要部構成の一例を示す説明図である。
【0029】
図９のリードフレームは、半導体パッケージにおける外部機器と接続する側の面において、ダムバー１３における外部接続用端子となる端子部１１－２と交差しない位置での全領域と、リードにおける外部接続用端子となる端子部１１－２を除いた領域１１－１と、を有する第１の領域が、ハーフエッチング加工された薄肉部となっている。図９の例では、パッド部１４の周縁部及びサポートリード１５も半導体パッケージにおける外部機器と接続する側の面において、第１の領域をなし、ハーフエッチング加工された薄肉部となっている。
また、外部接続用端子となる端子部１１－２と、ダムバー１３における外部接続用端子となる端子部１１－２と交差する位置での全領域と、を合わせてなる第２の領域の内側に、ダムバー１３を跨り、且つ、個々の半導体パッケージに切断するための切断領域の境界線（図９(a)においては、二点鎖線で示してある。）よりもダムバー１３から離れた所定位置に及ぶ、外部接続用端子となる端子部１１－２の幅の５０％程度で一定の、ダムバーの長手方向に対して垂直な辺同士の間隔を有する矩形形状の開口を有する凹部１１－２ｂ’が形成されている。
凹部１１－２ｂ’は、周囲を外部接続用端子となる端子部１１－２及びダムバー１３に囲まれている。そして、図９(a)において、二点鎖線の位置で切断されることによって半導体パッケージの側面に露出する外部接続用端子１１－２の断面形状（即ち、外部接続用端子１１－２の端縁部１１－２ａ’の端面形状）は、図９(b)に示すように、門形状に形成されるようになっている。
また、外部接続用端子となる端子部１１－２と、ダムバー１３における外部接続用端子となる端子部１１－２と交差する位置での全領域と、を合わせてなる第２の領域の内側に、ダムバー１３を跨り、且つ、個々の半導体パッケージに切断するための切断領域の境界線（図９(a)においては、二点鎖線で示してある。）よりもダムバー１３から離れた所定位置に及ぶ、外部接続用端子となる端子部１１－２の幅の５０％程度で一定の、ダムバーの長手方向に対して垂直な辺同士の間隔を有する矩形形状の開口を有する凹部１１－２ｂ’が形成されている。
凹部１１－２ｂ’は、周囲を外部接続用端子となる端子部１１－２及びダムバー１３に囲まれている。そして、図９(a)において、二点鎖線の位置で切断されることによって半導体パッケージの側面に露出する外部接続用端子１１－２の断面形状（即ち、外部接続用端子１１－２の端縁部１１－２ａ’の端面形状）は、図９(b)に示すように、門形状に形成されるようになっている。
【0030】
図９に示すリードフレームは、図８に示したリードフレームとは異なり、凹部１１－２ｂ’の周囲を外部接続用端子となる端子部１１－２又はダムバー１３を構成する金属材料が囲んでおり、凹部１１－２ｂ’の周囲を囲む金属材料の面は平坦となっている。
このため、凹部１１－２ｂ’の周囲の金属材料の面を、シート状のテープに密着させることができ、リードフレームの半導体素子搭載側を樹脂封止する際に、樹脂の凹部１１－２ｂ’への入り込みを防止することができる。
このため、凹部１１－２ｂ’の周囲の金属材料の面を、シート状のテープに密着させることができ、リードフレームの半導体素子搭載側を樹脂封止する際に、樹脂の凹部１１－２ｂ’への入り込みを防止することができる。
【0031】
また、図９に示すリードフレームは、ダムバー１３における外部接続用端子となる端子部１１－２と交差しない位置での全領域と、リードにおける外部接続用端子となる端子部１１－２を除いた領域１１－１と、（さらには、パッド部１４の周縁部及びサポートリード１５）を有する第１の領域が、ハーフエッチング加工された薄肉部となっているため、リードフレームの半導体素子搭載側を樹脂封止する際に、樹脂を第１の領域における外部接続側の空間領域に入り込ませることができる。その結果、多列型半導体パッケージ製造段階においては、樹脂が第１の領域を上下左右の方向から包囲して固化し、個々の半導体パッケージの製造段階においても、樹脂がリードにおける外部接続用端子となる端子部１１－２を除いた領域１１－１を上下左右の方向から包囲して固化した状態を保つため、個々の半導体パッケージ製品における外部接続用端子を有するリードの樹脂との密着性が格段と向上し、樹脂からの離脱を防止できる。
【0032】
また、図９に示すリードフレームは、ダムバー１３における外部接続用端子となる端子部１１－２と交差しない位置での全領域が、ハーフエッチング加工された薄肉部となっており、また、外部接続用端子となる端子部１１－２と、ダムバー１３における外部接続用端子となる端子部１１－２と交差する位置での全領域と、を合わせてなる第２の領域の内側に、凹部１１－２ｂ’が形成されているため、個々の半導体パッケージに切断する際の切断対象となる金属の量（ダムバー１３の体積）を格段に減らすことができ、ブレードの寿命を格段に延ばすことができる。
【0033】
しかし、本発明者らが、更に検討を重ねたところ、図９に示すリードフレームにおいて、図１０(a)に示すように、凹部１１－２ｂ’が、外部接続用端子となる端子部１１－２の幅の５０％程度で一定の、ダムバーの長手方向に対して垂直な辺同士の間隔を有する矩形形状の開口を有している構成では、図１０(b)に示すように、全体的にエッチングの深さが深くなり難く、しかも、開口の端部に近づくにしたがってエッチングの深さが浅くなってエッチング面が傾斜し易いというエッチングの特性の影響を受けて、端部近傍に位置する、切断領域の境界線上の位置における凹部１１－２ｂ’の深さが浅くなってしまい易いことが判明した。
切断領域の境界線上の位置における凹部１１－２ｂ’の深さが浅いと、図９(a)において、二点鎖線の位置で切断されることによって半導体パッケージの側面に露出する外部接続用端子１１－２の断面形状（即ち、外部接続用端子１１－２の端縁部１１－２ａ’の端面形状）における端縁部１１－２ａ’の高さが低くなり、その分、半田接続状態を視認するための面積が小さくなってしまう。
切断領域の境界線上の位置における凹部１１－２ｂ’の深さが浅いと、図９(a)において、二点鎖線の位置で切断されることによって半導体パッケージの側面に露出する外部接続用端子１１－２の断面形状（即ち、外部接続用端子１１－２の端縁部１１－２ａ’の端面形状）における端縁部１１－２ａ’の高さが低くなり、その分、半田接続状態を視認するための面積が小さくなってしまう。
【0034】
そこで、本発明者らは、次に、半田接続部分の目視検査をし易くするために、図９に示したリードフレームにおける凹部１１－２ｂ’の、ダムバー１３の長手方向に対して垂直な辺同士の間隔と、切断領域の境界線上の位置における深さと、を増大させた図１１に示すリードフレームについて、検討した。
【0035】
図１１のリードフレームは、外部接続用端子となる端子部１１－２と、ダムバー１３における外部接続用端子となる端子部１１－２と交差する位置での全領域と、を合わせてなる第２の領域の内側に、ダムバー１３を跨り、且つ、個々の半導体パッケージに切断するための切断領域の境界線（図１１(a)においては、二点鎖線で示してある。）よりもダムバー１３から離れた所定位置に及ぶ、外部接続用端子となる端子部１１－２の幅の５０％超（図１１の例では６０％程度）で一定の、ダムバーの長手方向に対して垂直な辺同士の間隔を有する矩形形状の開口を有する凹部１１－２ｂ’’が形成されている。その他の構成は、図９のリードフレームと略同じである。
【0036】
図１１のリードフレームのように、凹部１１－２ｂ’’が外部接続用端子となる端子部１１－２の幅の５０％超で一定の、ダムバーの長手方向に対して垂直な辺同士の間隔を有する矩形形状の開口を有している構成にすると、図１１(a)において、二点鎖線の位置で切断されることによって半導体パッケージの側面に露出する外部接続用端子１１－２の断面形状（即ち、外部接続用端子１１－２の端縁部１１－２ａ’’の端面形状）における端縁部１１－２ａ’’の内側の空間領域を形成する凹部端面の水平方向の長さが増大し、その分、半田接続状態を視認するための面積が増大して、半田接続部分の目視検査がし易くなる。
【0037】
しかし、図１１のリードフレームにした場合、図１２(b)に示すように、凹部１１－２ｂ’’におけるダムバー１３と交差する領域部分のエッチングが深くなり過ぎ、当該部位における金属材料の厚さが薄くなり過ぎてしまい易い。凹部１１－２ｂ’’におけるダムバー１３と交差する領域部分における金属材料の厚さが薄くなり過ぎると、ダムバー１３における他の薄肉部と相俟って、ダムバー１３の強度が低下し、それに伴い、リードフレームにおけるダムバー１３と接続する、外部接続用端子となる端子部を有するリード等の変形が生じる虞がある。
さらには、図１２(b)に示す、凹部１１－２ｂ’’におけるダムバー１３と交差する領域部分のエッチングが深くなり過ぎて、（外部接続用端子となる端子部１１－２と、ダムバー１３における外部接続用端子となる端子部１１－２と交差する位置での全領域と、を合わせてなる）第２の領域を貫通してしまう虞がある。
さらには、図１２(b)に示す、凹部１１－２ｂ’’におけるダムバー１３と交差する領域部分のエッチングが深くなり過ぎて、（外部接続用端子となる端子部１１－２と、ダムバー１３における外部接続用端子となる端子部１１－２と交差する位置での全領域と、を合わせてなる）第２の領域を貫通してしまう虞がある。
【0038】
図９や図１１に示すリードフレームにおける、凹部１１－２ｂ’、１１－２ｂ’’は、ダムバーの長手方向に対して垂直な辺同士の間隔が狭い矩形形状の開口を有する凹部を形成対象としたハーフエッチング加工ではエッチングの深さが浅く形成され、ダムバーの長手方向に対して垂直な辺同士の間隔が広い矩形形状の開口を有する凹部を形成対象としたハーフエッチング加工ではエッチングの深さが深く形成され易い。
また、ハーフエッチング加工を施すことにより凹部を形成する場合、凹部の端部近傍はエッチングの深さが浅くなり易い。
このため、凹部の端部近傍に位置する、切断領域の境界線上の位置における深さを、半田接続部分の目視検査をし易くする程度、確保するためには、ダムバーの長手方向に対して垂直な辺同士の間隔が一定の矩形形状の開口をなす凹部におけるダムバーの長手方向に対して垂直な辺同士の間隔を相当程度増大するように設計する必要がある。
そして、図１１に示すリードフレームは、凹部１１－２ｂ’’のダムバーの長手方向に対して垂直な辺同士の間隔が、図９に示すリードフレームの凹部１１－２ｂ’に比べて大きいため、ハーフエッチング加工によるエッチングの進行度が矩形形状の中央領域で大きくなる。その結果、ダムバーの強度を維持できなくなったり、第２の領域を貫通したりする虞が大きくなる。
しかし、半導体パッケージを製造する顧客からは、凹部端面の水平方向の長さを外部接続用端子となる端子部の幅の５０％超とすることが要求されている。このため、切断領域の境界線上での凹部の、ダムバーの長手方向に対して垂直な辺同士の間隔を端子部の幅の５０％以下とすることはできない。
また、ハーフエッチング加工を施すことにより凹部を形成する場合、凹部の端部近傍はエッチングの深さが浅くなり易い。
このため、凹部の端部近傍に位置する、切断領域の境界線上の位置における深さを、半田接続部分の目視検査をし易くする程度、確保するためには、ダムバーの長手方向に対して垂直な辺同士の間隔が一定の矩形形状の開口をなす凹部におけるダムバーの長手方向に対して垂直な辺同士の間隔を相当程度増大するように設計する必要がある。
そして、図１１に示すリードフレームは、凹部１１－２ｂ’’のダムバーの長手方向に対して垂直な辺同士の間隔が、図９に示すリードフレームの凹部１１－２ｂ’に比べて大きいため、ハーフエッチング加工によるエッチングの進行度が矩形形状の中央領域で大きくなる。その結果、ダムバーの強度を維持できなくなったり、第２の領域を貫通したりする虞が大きくなる。
しかし、半導体パッケージを製造する顧客からは、凹部端面の水平方向の長さを外部接続用端子となる端子部の幅の５０％超とすることが要求されている。このため、切断領域の境界線上での凹部の、ダムバーの長手方向に対して垂直な辺同士の間隔を端子部の幅の５０％以下とすることはできない。
【0039】
この問題を解決するために、本発明者らは、更なる試行錯誤を重ね、半導体パッケージ製品の歩留まりや、生産効率が向上し、小型化にも対応でき、半田接続部分における半田接続状態の良・不良を目視検査可能であり、しかも、外部接続用端子を有するリードの樹脂との密着性を向上させ、個々の半導体パッケージに切断するブレードの寿命を延ばし、且つ、ダムバーの強度低下によるリードフレームの変形やリードフレームの貫通を防止すると同時に、半田接続部分を目視可能とする部位の幅や高さを極力増大させることを可能にする本発明のリードフレームを導出するに至った。
【0040】
本発明のリードフレームは、外部機器と接続する側の面及び側面に露出する外部接続用端子を複数備える半導体パッケージに用いられるリードフレームであって、外部接続用端子となる端子部を有するリードの外部接続用端子となる端子部がダムバーに接続されて、個々のリードフレームが多列配置され、半導体パッケージにおける外部機器と接続する側の面において、ダムバーにおける外部接続用端子となる端子部と交差しない位置での全領域と、リードにおける外部接続用端子となる端子部を除いた領域と、を有する第１の領域が、ハーフエッチング加工された薄肉部をなすとともに、外部接続用端子となる端子部と、ダムバーにおける外部接続用端子となる端子部と交差する位置での全領域と、を合わせてなる第２の領域の内側に、ダムバーを跨り、且つ、個々の半導体パッケージに切断するための切断領域の境界線よりもダムバーから離れた所定位置に及ぶ所定形状の開口を有する凹部が形成され、少なくとも一つの凹部の開口が、ダムバーを跨いで外部接続用端子となる端子部の切断領域の境界線よりもダムバーから離れた所定位置に端部を有する第１の矩形部分と、切断領域の境界線を跨いで第１の矩形部分と垂直に交差する第２の矩形部分と、により形成されるＴ字形状又は略十文字形状の輪郭を有している。
【0041】
本発明のリードフレームのように、第２の領域の内側に、ダムバーを跨り、且つ、個々の半導体パッケージに切断するための切断領域の境界線よりもダムバーから離れた所定位置に及ぶ所定形状の開口を有する凹部が形成された構成にすれば、外部接続用端子となる端子部の断面形状が門形状となり、半導体パッケージを外部機器に半田接続したときの半田接続部分を、外部接続用端子における門形状の端面の側から目視確認でき、半導体パッケージの外部機器との半田接続状態の良・不良を目視検査できる。
【0042】
また、本発明のリードフレームのように、第２の領域の内側に形成された第１の矩形部分と、第２の矩形部分と、により形成されるＴ字形状又は略十文字形状の輪郭を有した構成にすれば、第１の矩形部分と第２の矩形部分とが交差する領域において、ハーフエッチング加工によるエッチングの進行度が大きくなる。しかるに、第２の矩形部分は、長手方向が外部接続用端子となる端子部の幅の制約を受けて、大部分の領域で第１の矩形部分と交差する形態となり易い。このため、第１の矩形部分と垂直に交差する第２の矩形部分により、切断領域の境界線上に位置する金属を深くエッチングすることができる。
また、第２の矩形部分と交差しない、第１の矩形部分の、ダムバーの長手方向に対して垂直な辺同士の間隔を増大させずに済む。
そして、第２の矩形部分と交差しない、第１の矩形部分の、ダムバーの長手方向に対して垂直な辺同士の間隔を増大させずに済むことから、当該領域において、エッチングの深さを浅くすることができる。その結果、ダムバーの強度を保持でき、ダムバーと交差する領域における凹部の貫通を防止することが可能となる。
また、ダムバーと交差する領域における第１の矩形部分の、ダムバーの長手方向に対して垂直な辺同士の間隔を狭めることで、当該領域の形状安定性が向上する。このため、第２の矩形部分におけるダムバーの長手方向に対して垂直な辺同士の間隔を増大させて、第２の矩形部分の側方の、ダムバーの長手方向に対して平行な方向に残存する部位の肉厚を薄くしても、第２の矩形部分におけるダムバーの長手方向に対して平行な辺同士の間隔を増大させないことによって、リードにおける第２の矩形部分が形成された部位の形状安定性を保つことができる。
このため、本発明のリードフレームのようにすれば、ダムバーの強度低下によるリードフレームの変形やリードフレームの貫通を防止しながら、半田接続部分を目視可能とする部位の幅や高さを極力増大させることが可能となる。
例えば、第１の矩形部分における、ダムバーの長手方向に対して垂直な辺同士の間隔を、外部接続用端子となる端子部の幅の５０％以下（例えば、４０％程度）にするとともに、第２の矩形部分における、ダムバーの長手方向に対して垂直な辺同士の間隔を、外部接続用端子となる端子部の幅の７５％程度にすることが可能となる。
また、第２の矩形部分と交差しない、第１の矩形部分の、ダムバーの長手方向に対して垂直な辺同士の間隔を増大させずに済む。
そして、第２の矩形部分と交差しない、第１の矩形部分の、ダムバーの長手方向に対して垂直な辺同士の間隔を増大させずに済むことから、当該領域において、エッチングの深さを浅くすることができる。その結果、ダムバーの強度を保持でき、ダムバーと交差する領域における凹部の貫通を防止することが可能となる。
また、ダムバーと交差する領域における第１の矩形部分の、ダムバーの長手方向に対して垂直な辺同士の間隔を狭めることで、当該領域の形状安定性が向上する。このため、第２の矩形部分におけるダムバーの長手方向に対して垂直な辺同士の間隔を増大させて、第２の矩形部分の側方の、ダムバーの長手方向に対して平行な方向に残存する部位の肉厚を薄くしても、第２の矩形部分におけるダムバーの長手方向に対して平行な辺同士の間隔を増大させないことによって、リードにおける第２の矩形部分が形成された部位の形状安定性を保つことができる。
このため、本発明のリードフレームのようにすれば、ダムバーの強度低下によるリードフレームの変形やリードフレームの貫通を防止しながら、半田接続部分を目視可能とする部位の幅や高さを極力増大させることが可能となる。
例えば、第１の矩形部分における、ダムバーの長手方向に対して垂直な辺同士の間隔を、外部接続用端子となる端子部の幅の５０％以下（例えば、４０％程度）にするとともに、第２の矩形部分における、ダムバーの長手方向に対して垂直な辺同士の間隔を、外部接続用端子となる端子部の幅の７５％程度にすることが可能となる。
【0043】
また、本発明のリードフレームのように、第１の領域が、ハーフエッチング加工された薄肉部をなす構成にすれば、リードフレームの半導体素子搭載側を樹脂封止する際に、樹脂を第１の領域の外部接続側の空間領域に入り込ませることができる。その結果、多列型半導体パッケージ製造段階においては、樹脂が第１の領域を上下左右の方向から包囲して固化し、また、個々の半導体パッケージの製造段階においても、樹脂がリードにおける外部接続用端子となる端子部１１－２を除いた領域１１－１を上下左右の方向から包囲して固化した状態を保つため、個々の半導体パッケージ製品における外部接続用端子を有するリードの樹脂との密着性が格段と向上し、樹脂からの離脱を防止できる。
【0044】
また、本発明のリードフレームにおいて、ダムバーにおける外部接続用端子となる端子部と交差しない位置での全領域が、ハーフエッチング加工された薄肉部をなし、また、第２の領域の内側に、凹部が形成された構成にすれば、個々の半導体パッケージに切断する際の切断対象となる金属の量（ダムバーの体積）を格段に減らすことができ、ブレードの寿命を格段に延ばすことができる。
【0045】
また、本発明のリードフレームにおいて、好ましくは、外部接続用端子となる端子部を有する全てのリードにおける、第２の領域の内側に形成された凹部の開口が、第１の矩形部分と、切断領域の境界線を跨いで第１の矩形部分と垂直に交差する第２の矩形部分と、により形成されるＴ字形状又は略十文字形状の輪郭を有している。
このようにすれば、リードフレームに備わる全てのリードに対して、ダムバーの強度を保持でき、ダムバーと交差する領域における凹部の貫通を防止すると同時に半田接続部分を目視可能とする部位の幅や高さを極力増大させることが可能となる本発明の効果を最大限に発揮することができる。
このようにすれば、リードフレームに備わる全てのリードに対して、ダムバーの強度を保持でき、ダムバーと交差する領域における凹部の貫通を防止すると同時に半田接続部分を目視可能とする部位の幅や高さを極力増大させることが可能となる本発明の効果を最大限に発揮することができる。
【0046】
また、本発明のリードフレームにおいて、好ましくは、第２の領域の内側に形成された凹部の開口は、第２の矩形部分が、第１の矩形部分における、端部よりもダムバーに近い所定位置からダムバーとの境界近傍の所定位置にかけて、第１の矩形部分と垂直に交差することにより形成される略十文字形状の輪郭を有している。
このようにすれば、半導体パッケージにおいて外部接続用端子に形成される凹部が、切断領域近傍部では半田接続状態を目視確認できる最大限の幅と高さ（深さ）を有し、切断領域から離れた部位に断続的又は連続的に、深さが浅くなるか又は幅が狭くなる領域を有するようになる。
その結果、凹部に半田付けしたときに、半田が凹部の内部の空間領域に一様には濡れ広がらず、凹部において深さが相対的に深く、幅が相対的に広い切断領域近傍に濡れ広がり易くなる一方、深さが相対的に浅く、幅が相対的に狭い領域に濡れ広がり難くなる。
その結果、本発明のリードフレームを用いて製造した半導体パッケージを、半田を介して外部機器へ接続した際に、凹部の内部の空間領域の半田が切断領域近傍に偏って濡れ広がり、外部接続用端子の切断面での目視検査しうる半田のはみ出し量を増加させることができ、しかも、切断領域とは反対側の領域での半田ブリードが生じ難くなり、外部接続用端子のショート不良を防止することができる。
このようにすれば、半導体パッケージにおいて外部接続用端子に形成される凹部が、切断領域近傍部では半田接続状態を目視確認できる最大限の幅と高さ（深さ）を有し、切断領域から離れた部位に断続的又は連続的に、深さが浅くなるか又は幅が狭くなる領域を有するようになる。
その結果、凹部に半田付けしたときに、半田が凹部の内部の空間領域に一様には濡れ広がらず、凹部において深さが相対的に深く、幅が相対的に広い切断領域近傍に濡れ広がり易くなる一方、深さが相対的に浅く、幅が相対的に狭い領域に濡れ広がり難くなる。
その結果、本発明のリードフレームを用いて製造した半導体パッケージを、半田を介して外部機器へ接続した際に、凹部の内部の空間領域の半田が切断領域近傍に偏って濡れ広がり、外部接続用端子の切断面での目視検査しうる半田のはみ出し量を増加させることができ、しかも、切断領域とは反対側の領域での半田ブリードが生じ難くなり、外部接続用端子のショート不良を防止することができる。
【0047】
なお、本発明のリードフレームにおいては、第２の領域の内側に形成された凹部の開口は、第２の矩形部分が、第１の矩形部分における、端部の位置からダムバーとの境界近傍の所定位置にかけて、第１の矩形部分と垂直に交差することにより形成されるＴ字形状の輪郭を有していてもよい。
【0048】
また、本発明のリードフレームにおいて、好ましくは、個々の凹部における第１の矩形部分のダムバーを跨いで第２の矩形部分との境界近傍の所定位置に及ぶ領域の板厚が、当該凹部における第２の矩形部分の板厚に比べて厚い。
このようにすれば、ダムバーの強度を保持でき、ダムバーと交差する領域における凹部の貫通を防止すると同時に半田接続部分を目視可能とする部位の幅や高さを極力増大させることが可能となる本発明の効果を十分に発揮することができる。
このようにすれば、ダムバーの強度を保持でき、ダムバーと交差する領域における凹部の貫通を防止すると同時に半田接続部分を目視可能とする部位の幅や高さを極力増大させることが可能となる本発明の効果を十分に発揮することができる。
【0049】
また、本発明のリードフレームにおいて、好ましくは、個々の凹部における、第２の矩形部分の、ダムバーの長手方向に対して平行な辺同士の間隔が、第１の矩形部分の、ダムバーの長手方向に対して垂直な辺同士の間隔に比べて短くなっている。
このようにすれば、第２の矩形部分と交差しない、ダムバーと交差する領域における第１の矩形部分の、ダムバーの長手方向に対して垂直な辺同士の間隔を狭めるとともに、第２の矩形部分におけるダムバーの長手方向に対して垂直な辺同士の間隔を増大させて、外部接続用端子となる端子部における第２の矩形部分の側方の、ダムバーの長手方向に対して平行な方向に残存する部位の肉厚を薄くした場合において、リードにおける第２の矩形部分が形成された部位の形状安定性を保つことができる。
また、外部接続用端子となる端子部における半田接続領域を端子接続部から極力遠ざけることができ、切断領域とは反対側の領域での半田ブリードによる半田の侵入を抑えて、外部接続用端子のショート不良をより確実に防止できる。
例えば、第１の矩形部分における、ダムバーの長手方向に対して垂直な辺同士の間隔を、外部接続用端子となる端子部の幅の５０％以下（例えば、４０％程度）にするとともに、第２の矩形部分における、ダムバーの長手方向に対して垂直な辺同士の間隔を、外部接続用端子となる端子部の幅の７５％程度にするような場合に、上記構成は有効である。
このようにすれば、第２の矩形部分と交差しない、ダムバーと交差する領域における第１の矩形部分の、ダムバーの長手方向に対して垂直な辺同士の間隔を狭めるとともに、第２の矩形部分におけるダムバーの長手方向に対して垂直な辺同士の間隔を増大させて、外部接続用端子となる端子部における第２の矩形部分の側方の、ダムバーの長手方向に対して平行な方向に残存する部位の肉厚を薄くした場合において、リードにおける第２の矩形部分が形成された部位の形状安定性を保つことができる。
また、外部接続用端子となる端子部における半田接続領域を端子接続部から極力遠ざけることができ、切断領域とは反対側の領域での半田ブリードによる半田の侵入を抑えて、外部接続用端子のショート不良をより確実に防止できる。
例えば、第１の矩形部分における、ダムバーの長手方向に対して垂直な辺同士の間隔を、外部接続用端子となる端子部の幅の５０％以下（例えば、４０％程度）にするとともに、第２の矩形部分における、ダムバーの長手方向に対して垂直な辺同士の間隔を、外部接続用端子となる端子部の幅の７５％程度にするような場合に、上記構成は有効である。
【0050】
そして、このような本発明のリードフレームは、金属板の一方の面に、全面を覆う第１のエッチング用レジストマスクを形成するとともに、金属板の他方の面における、外部接続用端子となる端子部と、ダムバーにおける外部接続用端子となる端子部と交差する位置での全領域と、を合わせてなる第２の領域に対応する部位の内側に、ダムバーを跨いで外部接続用端子となる端子部の個々の半導体パッケージに切断するための切断領域の境界線よりもダムバーから離れた所定位置に端部を有する第１の矩形部分と、切断領域の境界線を跨いで第１の矩形部分と垂直に交差する第２の矩形部分と、により形成されるＴ字形状又は略十文字形状の開口を有し、それ以外の部位を覆う第１のエッチング用レジストマスクを形成する工程と、金属板の他方の面側からハーフエッチングを施し、金属板における第１のエッチング用レジストマスクの開口から露出する部位に、Ｔ字形状又は略十文字形状の開口を有する凹部を形成する工程と、金属板に形成した第１のエッチング用レジストマスクを除去する工程と、金属板の一方の面におけるリードフレームを構成する部位を覆い、それ以外の部位を露出させた第２のエッチング用レジストマスクを形成するとともに、金属板の他方の面における、ダムバーにおける外部接続用端子となる端子部と交差しない位置での全領域と、リードにおける外部接続用端子となる端子部を除いた領域と、を有する第１の領域に対応する部位に開口を有し、それ以外の部位を覆う第２のエッチング用レジストマスクを形成する工程と、金属板の両方の面側からエッチングを施し、金属板における第２のエッチング用レジストマスクの開口から露出する部位を薄肉化するとともに、個々のリードフレームの領域がダムバーに連結される多列型リードフレームを、個々の半導体パッケージに切断されたときの外部接続用端子となる端子部の断面形状が門形状となるように形成する工程と、金属板に形成した第２のエッチング用レジストマスクを除去する工程と、を有することによって製造できる。
【0051】
従って、本発明によれば、半導体パッケージ製品の歩留まりや、生産効率が向上し、小型化にも対応でき、半田接続部分における半田接続状態の良・不良を目視検査可能であり、しかも、外部接続用端子を有するリードの樹脂との密着性を向上させ、個々の半導体パッケージに切断するブレードの寿命を延ばし、且つ、ダムバーの強度低下によるリードフレームの変形やリードフレームの貫通を防止すると同時に、半田接続部分を目視可能とする部位の幅や高さを極力増大させることが可能なリードフレームが得られる。
【0052】
以下、図面を参照して、本発明を実施するための形態の説明を行うこととする。
【0053】
【0054】
第１実施形態のリードフレーム１は、図１(a)に示すように、外部接続用端子となる端子部１１－２と、ダムバー１３における外部接続用端子となる端子部１１－２と交差する位置での全領域と、を合わせてなる第２の領域の内側に形成された凹部１１－２ｂを有している。
凹部１１－２ｂの開口は、図２(a)～図２(c)に示すように、ダムバー１３を跨いで外部接続用端子となる端子部１１－２の切断領域の境界線よりもダムバー１３から離れた所定位置に端部を有する第１の矩形部分１１－２ｂ１と、第１の矩形部分１１－２ｂ１における、端部よりもダムバー１３に近い所定位置からダムバー１３との境界近傍の所定位置にかけて、切断領域の境界線を跨いで第１の矩形部分１１－２ｂ１と垂直に交差する第２の矩形部分１１－２ｂ２とにより形成される略十文字形状の輪郭を有している。
また、第１実施形態のリードフレーム１は、図２(b)に示すように、個々の凹部１１－２ｂにおける第１の矩形部分１１－２ｂ１のダムバー１３を跨いで第２の矩形部分１１－２ｂ２との境界近傍の所定位置に及ぶ領域の板厚が、当該凹部１１－２ｂにおける第２の矩形部分１１－２ｂ２の板厚に比べて厚くなっている。
また、図２(a)に示すように、個々の凹部１１－２ｂにおける、第２の矩形部分１１－２ｂ２の、ダムバー１３の長手方向に対して垂直な方向の辺の長さが、第１の矩形部分１１－２ｂ１の、ダムバー１３の長手方向に対して平行な方向の辺の長さに比べて短くなっている。
その他の構成は、図９及び図１１の構成と略同じである。
凹部１１－２ｂの開口は、図２(a)～図２(c)に示すように、ダムバー１３を跨いで外部接続用端子となる端子部１１－２の切断領域の境界線よりもダムバー１３から離れた所定位置に端部を有する第１の矩形部分１１－２ｂ１と、第１の矩形部分１１－２ｂ１における、端部よりもダムバー１３に近い所定位置からダムバー１３との境界近傍の所定位置にかけて、切断領域の境界線を跨いで第１の矩形部分１１－２ｂ１と垂直に交差する第２の矩形部分１１－２ｂ２とにより形成される略十文字形状の輪郭を有している。
また、第１実施形態のリードフレーム１は、図２(b)に示すように、個々の凹部１１－２ｂにおける第１の矩形部分１１－２ｂ１のダムバー１３を跨いで第２の矩形部分１１－２ｂ２との境界近傍の所定位置に及ぶ領域の板厚が、当該凹部１１－２ｂにおける第２の矩形部分１１－２ｂ２の板厚に比べて厚くなっている。
また、図２(a)に示すように、個々の凹部１１－２ｂにおける、第２の矩形部分１１－２ｂ２の、ダムバー１３の長手方向に対して垂直な方向の辺の長さが、第１の矩形部分１１－２ｂ１の、ダムバー１３の長手方向に対して平行な方向の辺の長さに比べて短くなっている。
その他の構成は、図９及び図１１の構成と略同じである。
【0055】
なお、凹部１１－２ｂの開口は、第２の矩形部分１１－２ｂ２が、第１の矩形部分１１－２ｂ１における、端部の位置からダムバーとの境界近傍の所定位置にかけて、図２(e)、図２(f)に示すように、第１の矩形部分１１－２ｂ１と垂直に交差することにより形成されるＴ字形状の輪郭を有する構成であってもよい。
また、図１(a)に示したリードフレームにおいては、全ての凹部１１－２ｂの開口が、第１の矩形部分１１－２ｂ１と、第２の矩形部分１１－２ｂ２と、により形成される略十文字形状の輪郭を有する構成としたが、少なくとも一つの凹部１１－２ｂの開口が、略十文字形状の輪郭を有する構成であってもよい。
また、凹部の開口を形成する第１の矩形部分１１－２ｂ１、第２の矩形部分１１－２ｂ２の角部は、丸みを帯びていても良い。
また、図１(a)に示したリードフレームにおいては、全ての凹部１１－２ｂの開口が、第１の矩形部分１１－２ｂ１と、第２の矩形部分１１－２ｂ２と、により形成される略十文字形状の輪郭を有する構成としたが、少なくとも一つの凹部１１－２ｂの開口が、略十文字形状の輪郭を有する構成であってもよい。
また、凹部の開口を形成する第１の矩形部分１１－２ｂ１、第２の矩形部分１１－２ｂ２の角部は、丸みを帯びていても良い。
【0056】
次に、図１のように構成される本実施形態のリードフレームの製造工程の一例を、図４、図５を用いて説明する。
なお、図４及び図５では、説明の便宜上、主に外部機器と接続する側について示すこととし、半導体素子を搭載する側については一部を省略して示すこととする。
まず、銅または銅合金の金属板１０をリードフレーム材料として準備する（図４(a)、図５(a)参照）。
次に、金属板１０にハーフエッチング加工を施すことで、凹部１１－２ｂを形成する。詳しくは、金属板１０の両面にドライフィルムレジスト等の第１のレジスト層Ｒ１を形成する（図４(b)、図５(b)参照）。次いで、金属板１０の一方の側の第１のレジスト層Ｒ１を露光するとともに、金属板１０の他方の面における、外部接続用端子となる端子部と、ダムバーにおける外部接続用端子となる端子部と交差する位置での全領域と、を合わせてなる第２の領域に対応する部位の内側に、外部接続用端子となる端子部の個々の半導体パッケージに切断するための切断領域の境界線よりもダムバーから離れた所定位置に端部を有する第１の矩形部分と、切断領域の境界線を跨いで第１の矩形部分と垂直に交差する第２の矩形部分と、により形成される略十文字形状の開口に対応するパターンが描画されたガラスマスクを用いて、金属板１０の他方の側の第１のレジスト層Ｒ１を露光し、現像を行い、第２の領域に対応する部位の内側に、略十文字形状の開口を有し、それ以外の部位を覆う第１のエッチング用レジストマスク３１を形成する（図４(c)、図５(c)参照）。次いで、エッチング液を用いてハーフエッチング加工を施し、金属板１０の他方の側に凹部１１－２ｂを形成する（図４(d)、図５(d)参照）。このとき、ハーフエッチング加工を施すことにより形成された凹部１１－２ｂの深さは、図２(b)に示した第２の矩形部分１１－２ｂ２の底面が、凹部１１－２ｂにおける第１の矩形部分１１－２ｂ１のダムバー１３を跨いで第２の矩形部分１１－２ｂ２との境界近傍の所定位置に及ぶ領域の面に比べて深くなる。次いで、第１のエッチング用レジストマスク３１を除去する（図４(e)、図５(e)参照）。
なお、図４及び図５では、説明の便宜上、主に外部機器と接続する側について示すこととし、半導体素子を搭載する側については一部を省略して示すこととする。
まず、銅または銅合金の金属板１０をリードフレーム材料として準備する（図４(a)、図５(a)参照）。
次に、金属板１０にハーフエッチング加工を施すことで、凹部１１－２ｂを形成する。詳しくは、金属板１０の両面にドライフィルムレジスト等の第１のレジスト層Ｒ１を形成する（図４(b)、図５(b)参照）。次いで、金属板１０の一方の側の第１のレジスト層Ｒ１を露光するとともに、金属板１０の他方の面における、外部接続用端子となる端子部と、ダムバーにおける外部接続用端子となる端子部と交差する位置での全領域と、を合わせてなる第２の領域に対応する部位の内側に、外部接続用端子となる端子部の個々の半導体パッケージに切断するための切断領域の境界線よりもダムバーから離れた所定位置に端部を有する第１の矩形部分と、切断領域の境界線を跨いで第１の矩形部分と垂直に交差する第２の矩形部分と、により形成される略十文字形状の開口に対応するパターンが描画されたガラスマスクを用いて、金属板１０の他方の側の第１のレジスト層Ｒ１を露光し、現像を行い、第２の領域に対応する部位の内側に、略十文字形状の開口を有し、それ以外の部位を覆う第１のエッチング用レジストマスク３１を形成する（図４(c)、図５(c)参照）。次いで、エッチング液を用いてハーフエッチング加工を施し、金属板１０の他方の側に凹部１１－２ｂを形成する（図４(d)、図５(d)参照）。このとき、ハーフエッチング加工を施すことにより形成された凹部１１－２ｂの深さは、図２(b)に示した第２の矩形部分１１－２ｂ２の底面が、凹部１１－２ｂにおける第１の矩形部分１１－２ｂ１のダムバー１３を跨いで第２の矩形部分１１－２ｂ２との境界近傍の所定位置に及ぶ領域の面に比べて深くなる。次いで、第１のエッチング用レジストマスク３１を除去する（図４(e)、図５(e)参照）。
【0057】
次に、リードフレームにおけるリードの内部接続用端子となる端子部の面、半導体素子を搭載するパッド部の面、外部接続用端子となる端子部の面及び外部接続用端子となる端子部の内側に形成した凹部１１－２ｂの面に、めっき加工を施す。詳しくは、金属板１０の両面にドライフィルムレジスト等の第２のレジスト層Ｒ２を形成する（図４(f)、図５(f)参照）。次いで、リードの外部接続用端子となる端子部、内部接続用端子となる端子部、パッド部に対応するパターンが描画されたガラスマスクを用いて、金属板１０の両側の第２のレジスト層Ｒ２を露光し、現像を行い、リードの外部接続用端子となる端子部、内部接続用端子となる端子部、パッド部に対応する部位を開口し、それ以外の部位を覆っためっき用レジストマスク３２を形成する（図４(g)、図５(g)参照）。次いで、めっき用レジストマスク３２から露出した部位に、例えば、Ｎｉ、Ｐｄ、Ａｕの順でめっきを施す（図４(h)、図５(h)参照）。これにより、リードの内部接続用端子となる端子部の面、パッド部の面にＮｉ／Ｐｄ／Ａｕめっき層（不図示）が形成されるとともに、外部接続用端子となる端子の面及び凹部の面にＮｉ／Ｐｄ／Ａｕめっき層１２が形成される。
なお、めっき層の表面は、粗化処理を施すのが良い。めっき層の表面を粗化処理する場合、例えば、めっき層の形成をＮｉめっきで終えて、Ｎｉめっき層を粗化めっきで形成しても良い。また、例えば、平滑なＮｉめっき層を形成した後に、Ｎｉめっき層の表面をエッチングにて粗化処理しても良い。また、例えば、めっき層の形成をＣｕめっきで終えて、Ｃｕめっき層の表面を陽極酸化処理又はエッチングにて粗化処理してもよい。さらに、例えば、粗化めっき層形成後に、順に、Ｐｄ／Ａｕめっき層を積層してもよい。
次いで、めっき用レジストマスク３２を除去する（図４(i)、図５(i)参照）。
なお、めっき層の表面は、粗化処理を施すのが良い。めっき層の表面を粗化処理する場合、例えば、めっき層の形成をＮｉめっきで終えて、Ｎｉめっき層を粗化めっきで形成しても良い。また、例えば、平滑なＮｉめっき層を形成した後に、Ｎｉめっき層の表面をエッチングにて粗化処理しても良い。また、例えば、めっき層の形成をＣｕめっきで終えて、Ｃｕめっき層の表面を陽極酸化処理又はエッチングにて粗化処理してもよい。さらに、例えば、粗化めっき層形成後に、順に、Ｐｄ／Ａｕめっき層を積層してもよい。
次いで、めっき用レジストマスク３２を除去する（図４(i)、図５(i)参照）。
【0058】
次に、金属板１０にハーフエッチング加工を施すことで、ダムバーにおける外部接続用端子となる端子部と交差しない位置での全領域と、リードにおける外部接続用端子となる端子部を除いた領域と、を有する第１の領域に薄肉部を形成する。詳しくは、金属板の両面にドライフィルムレジスト等の第３のレジスト層Ｒ３を形成する（図４(j)、図５(j)参照）。次いで、リードフレームを構成するパターンが描かれたガラスマスクを用いて金属板１０の一方の側の第３のレジスト層Ｒ３を露光し、現像を行い、金属板１０の一方の側の面に、ダムバー、外部接続用端子となる端子部を有するリード、内部接続用端子となる端子部を有するリード、パッド部、その他のリードフレームを構成するリードに対応する部位を覆い、それ以外の部位を露出させた第２のエッチング用レジストマスク３３を形成するとともに、金属板１０の他方の面における、ダムバーにおける外部接続用端子となる端子部と交差しない位置での全領域と、リードにおける外部接続用端子となる端子部を除いた領域と、を有する第１の領域に対応するパターンが描画されたガラスマスクを用いて、金属板１０の他方の側の第３のレジスト層Ｒ３を露光し、現像を行い、金属板１０の他方の側の面に、第１の領域に対応する部位に開口を有し、それ以外の部位を覆う第２のエッチング用レジストマスク３３を形成する（図４(k)、図５(k)参照）。次いで、エッチング液を用いて金属板１０の両方の面側からエッチングを施し、金属板１０における第２のエッチング用レジストマスク３３の開口から露出する部位を薄肉化するとともに、個々のリードフレームの領域がダムバーに連結される多列型リードフレームを、個々の半導体パッケージに切断されたときの外部接続用端子となる端子部１１の断面形状が門形状となるように形成する（図４(l)、図５(l)参照）。
次いで、第２のエッチング用レジストマスク３３を除去する（図４(m)、図５(m)参照）。
これにより、本発明の実施形態のリードフレーム１が出来上がる。
次いで、第２のエッチング用レジストマスク３３を除去する（図４(m)、図５(m)参照）。
これにより、本発明の実施形態のリードフレーム１が出来上がる。
【0059】
なお、めっき工程（図４(f)～図４(i)、図５(f)～図５(i)参照）は、外部接続用端子となる端子部の面及び外部接続用端子となる端子部の内側に形成した凹部の面やパッド部の面に対し、省略することも可能である。
また、エッチング加工を施すことによるリードフレーム１の形成時には、リードの中間部分やその他の必要箇所にハーフエッチング加工を施しても良い。
また、エッチング加工を施すことによるリードフレーム１の形成時には、リードの中間部分やその他の必要箇所にハーフエッチング加工を施しても良い。
【0060】
次に、本実施形態のリードフレームを用いた半導体装置の製造手順を、図６を用いて説明する。なお、説明の便宜上、後述する、半導体素子搭載側の内部接続用端子部、半田ボール、半導体素子は、図示を省略する。
まず、ダイボンドを介してパッド部に半導体素子を搭載するとともに、半導体素子の電極と所定の内部接続用端子部とをワイヤーボンディング接続する（図示省略）。
次に、外部機器との接続側にシート状のマスキングテープｍ１を貼り付け（図６(a)参照）、図示しないモールド金型をセットし、半導体素子搭載側を樹脂２１で封止する（図６(b)参照）、このとき、凹部１１－２ｂは、周囲を外部接続用端子となる端子部１１－２と、ダムバー１３における外部接続用端子となる端子部１１－２と交差する位置での全領域と、を合わせてなる第２の領域の外縁部に囲まれており、外部機器との接続側の第２の領域の外縁部がシート状のマスキングテープｍ１に密着し、凹部１１－２ｂの内部は密閉された状態となる。このため、封止樹脂形成時に、凹部１１－２ｂには、樹脂２１が浸入することがなく、凹部１１－２ｂは、外部機器との接続側の外部接続用端子となる端子部１１－２と同様、露出した状態に仕上がる。
次に、マスキングテープｍ１を除去し（図６(c)参照）、所定の半導体装置４０の寸法に切断する（図６(d)参照）。これにより、本実施形態のリードフレームを用いた半導体装置４０が完成する（図６(e)参照）。
まず、ダイボンドを介してパッド部に半導体素子を搭載するとともに、半導体素子の電極と所定の内部接続用端子部とをワイヤーボンディング接続する（図示省略）。
次に、外部機器との接続側にシート状のマスキングテープｍ１を貼り付け（図６(a)参照）、図示しないモールド金型をセットし、半導体素子搭載側を樹脂２１で封止する（図６(b)参照）、このとき、凹部１１－２ｂは、周囲を外部接続用端子となる端子部１１－２と、ダムバー１３における外部接続用端子となる端子部１１－２と交差する位置での全領域と、を合わせてなる第２の領域の外縁部に囲まれており、外部機器との接続側の第２の領域の外縁部がシート状のマスキングテープｍ１に密着し、凹部１１－２ｂの内部は密閉された状態となる。このため、封止樹脂形成時に、凹部１１－２ｂには、樹脂２１が浸入することがなく、凹部１１－２ｂは、外部機器との接続側の外部接続用端子となる端子部１１－２と同様、露出した状態に仕上がる。
次に、マスキングテープｍ１を除去し（図６(c)参照）、所定の半導体装置４０の寸法に切断する（図６(d)参照）。これにより、本実施形態のリードフレームを用いた半導体装置４０が完成する（図６(e)参照）。
【0061】
第１実施形態のリードフレームによれば、第２の領域の内側に、ダムバー１３を跨り、且つ、個々の半導体パッケージに切断するための切断領域の境界線よりもダムバー１３から離れた所定位置に及ぶ所定形状の開口を有する凹部１１－２ｂが形成された構成にしたので、外部接続用端子となる端子部１１－２の断面形状（例えば、図１(b)に示す端縁部１１－２ａの形状）が門形状となり、図７に示すように、半導体パッケージ４０の外部接続用端子１１－２を外部機器８０の端子８１に半田接続したときの半田９０の接続部分を、外部接続用端子１１－２における門形状の端縁部１１－２ａの側から目視確認でき、半導体パッケージの外部機器との半田接続状態の良・不良を目視検査できる。
【0062】
また、本実施形態のリードフレームによれば、第２の領域の内側に形成された第１の矩形部分１１－２ｂ１と、第２の矩形部分１１－２ｂ２と、により形成される略十文字形状の輪郭を有した構成にしたので、半田接続部分を目視可能とする部位（例えば、図１(b)に示す外部接続用端子となる端子部１１－２の端縁部１１－２ａ）の幅や高さを極力増大させることが可能となる。
また、第２の矩形部分１１－２ｂ２と交差しない、第１の矩形部分１１－２ｂ１の、ダムバー１３の長手方向に対して垂直な辺同士の間隔を増大させずに済み、当該領域において、エッチングの深さを浅くすることができる。その結果、ダムバー１３の強度を保持でき、ダムバー１３と交差する領域における凹部１１－２ｂの貫通を防止することが可能となる。
また、第２の矩形部分１１－２ｂ２と交差しない、第１の矩形部分１１－２ｂ１の、ダムバー１３の長手方向に対して垂直な辺同士の間隔を増大させずに済み、当該領域において、エッチングの深さを浅くすることができる。その結果、ダムバー１３の強度を保持でき、ダムバー１３と交差する領域における凹部１１－２ｂの貫通を防止することが可能となる。
【0063】
この点に関し、図３を用いて補足説明する。
図３は本発明者らが本発明を導出する前段階の試行段階のリードフレームと、本発明のリードフレームとにおける、外部接続用端子となる端子部に形成された凹部の長さ方向及び幅方向の夫々の方向に沿う各位置でのエッチング深さを示している。
図３は本発明者らが本発明を導出する前段階の試行段階のリードフレームと、本発明のリードフレームとにおける、外部接続用端子となる端子部に形成された凹部の長さ方向及び幅方向の夫々の方向に沿う各位置でのエッチング深さを示している。
【0064】
上述したように、一定幅の矩形形状の開口を有する凹部を形成対象としてハーフエッチングを行う場合、狭い幅の矩形形状の開口を有する凹部を形成対象としたハーフエッチング加工ではエッチングの深さが浅く形成され、広い幅の矩形形状の開口を有する凹部を形成対象としたハーフエッチング加工ではエッチングの深さが深く形成され易い。
また、ハーフエッチング加工を施すことにより凹部を形成する場合、凹部の端部近傍はエッチングの深さが浅くなり易い。
また、ハーフエッチング加工を施すことにより凹部を形成する場合、凹部の端部近傍はエッチングの深さが浅くなり易い。
【0065】
そして、図１１に示したリードフレームのように、図３(a-1)に示す矩形形状の開口を有する凹部１１－２ｂ’’の、ダムバー１３の長手方向に対して垂直な辺同士の間隔を、切断領域の境界線上の位置で半田接続部分の目視検査をし易くできるエッチング深さが得られるように広げると、図３(a-2)に示すように、切断領域の境界線上の位置Ｐ１、Ｐ２間において、ハーフエッチング加工によるエッチングの進行度が長さ方向の中央領域で大きくなり、半田接続部分の目視検査をし易くすることの可能な深さを超える。その結果、ダムバーの強度を維持できなくなってダムバーに接続するリードフレーム（のリード）が変形したり、第２の領域を貫通したりする虞が大きくなる。
【0066】
これに対し、本実施形態のリードフレームのように、凹部１１－２ｂの開口を、第１の矩形部分１１－２ｂ１と、第２の矩形部分１１－２ｂ２と、により形成される略十文字形状の輪郭を有した構成にした場合、第１の矩形部分１１－２ｂ１と第２の矩形部分１１－２ｂ２とが交差する領域において、ハーフエッチング加工によるエッチングの進行度が大きくなる。このため、第１の矩形部分１１－２ｂ１と垂直に交差する第２の矩形部分１１－２ｂ２により、切断領域の境界線上に位置する金属を深くエッチングすることができる。そして、図３(b-2)に示すように、切断領域の境界線上の位置Ｐ１、Ｐ２でのエッチングの深さを、リードフレームの変形や貫通の虞なく、半田接続部分の目視検査をし易くすることの可能な深さにすることができる。また、第２の矩形部分１１－２ｂ２により、切断領域の境界線上に位置する金属をエッチングするダムバー１３の長手方向に対して垂直な辺同士の間隔が広がる。
一方、第１の矩形部分１１－２ｂ１は、第２の矩形部分１１－２ｂ２により、切断領域の境界線上に位置する金属を深くエッチングすることができることから、ダムバー１３の長手方向に対して垂直な辺同士の間隔を広くする必要がない。このため、第２の矩形部分１１－２ｂ２と交差しない、第１の矩形部分１１－２ｂ１の、ダムバー１３の長手方向に対して垂直な辺同士の間隔を増大させずに済み、図３(b-1)に示すように、図３(a-1)に示したリードフレームにおける凹部１１－２ｂ’’のダムバー１３の長手方向に対して垂直な辺同士の間隔よりも狭い、ダムバー１３の長手方向に対して垂直な辺同士の間隔にすることができる。第２の矩形部分１１－２ｂ２と交差しない第１の矩形部分１１－２ｂ１の、ダムバー１３の長手方向に対して垂直な辺同士の間隔を狭くすれば、その分、エッチングの進行が抑えられて、エッチングの深さが浅くなる。その結果、図３(b-2)に示すように、切断領域の境界線上の位置Ｐ１、Ｐ２間におけるエッチングの深さを、リードフレームの変形や貫通の虞なく、半田接続部分の目視検査をし易くすることの可能な深さよりも浅くすることができる。
また、ダムバー１３と交差する領域における第１の矩形部分１１－２ｂ１の、ダムバー１３の長手方向に対して垂直な辺同士の間隔を狭めることで、当該領域の形状安定性が向上する。このため、第２の矩形部分１１－２ｂ２におけるダムバー１３の長手方向に対して垂直な辺同士の間隔を増大させて、第２の矩形部分１１－２ｂ２の側方の、ダムバー１３の長手方向に対して平行な方向に残存する部位の肉厚を薄くしても、第２の矩形部分１１－２ｂ２におけるダムバー１３の長手方向に対して平行な辺同士の間隔を増大させないことによって、リードにおける第２の矩形部分１１－２ｂ２が形成された部位の形状安定性を保つことができる。
したがって、本実施形態のリードフレームによれば、半田接続部分を目視可能とする部位（例えば、図１(b)に示す外部接続用端子となる端子部１１－２の端縁部１１－２ａ）の幅や高さを極力増大させ、同時に、ダムバー１３の強度を保持でき、第２の矩形部分１１－２ｂ２と交差しない、ダムバー１３と交差する領域における凹部１１－２ｂの貫通を防止し、さらにはリードフレームの変形を防止することが可能となる。
一方、第１の矩形部分１１－２ｂ１は、第２の矩形部分１１－２ｂ２により、切断領域の境界線上に位置する金属を深くエッチングすることができることから、ダムバー１３の長手方向に対して垂直な辺同士の間隔を広くする必要がない。このため、第２の矩形部分１１－２ｂ２と交差しない、第１の矩形部分１１－２ｂ１の、ダムバー１３の長手方向に対して垂直な辺同士の間隔を増大させずに済み、図３(b-1)に示すように、図３(a-1)に示したリードフレームにおける凹部１１－２ｂ’’のダムバー１３の長手方向に対して垂直な辺同士の間隔よりも狭い、ダムバー１３の長手方向に対して垂直な辺同士の間隔にすることができる。第２の矩形部分１１－２ｂ２と交差しない第１の矩形部分１１－２ｂ１の、ダムバー１３の長手方向に対して垂直な辺同士の間隔を狭くすれば、その分、エッチングの進行が抑えられて、エッチングの深さが浅くなる。その結果、図３(b-2)に示すように、切断領域の境界線上の位置Ｐ１、Ｐ２間におけるエッチングの深さを、リードフレームの変形や貫通の虞なく、半田接続部分の目視検査をし易くすることの可能な深さよりも浅くすることができる。
また、ダムバー１３と交差する領域における第１の矩形部分１１－２ｂ１の、ダムバー１３の長手方向に対して垂直な辺同士の間隔を狭めることで、当該領域の形状安定性が向上する。このため、第２の矩形部分１１－２ｂ２におけるダムバー１３の長手方向に対して垂直な辺同士の間隔を増大させて、第２の矩形部分１１－２ｂ２の側方の、ダムバー１３の長手方向に対して平行な方向に残存する部位の肉厚を薄くしても、第２の矩形部分１１－２ｂ２におけるダムバー１３の長手方向に対して平行な辺同士の間隔を増大させないことによって、リードにおける第２の矩形部分１１－２ｂ２が形成された部位の形状安定性を保つことができる。
したがって、本実施形態のリードフレームによれば、半田接続部分を目視可能とする部位（例えば、図１(b)に示す外部接続用端子となる端子部１１－２の端縁部１１－２ａ）の幅や高さを極力増大させ、同時に、ダムバー１３の強度を保持でき、第２の矩形部分１１－２ｂ２と交差しない、ダムバー１３と交差する領域における凹部１１－２ｂの貫通を防止し、さらにはリードフレームの変形を防止することが可能となる。
【0067】
また、本実施形態のリードフレームによれば、第１の領域が、ハーフエッチング加工された薄肉部をなす構成にしたので、リードフレームの半導体素子搭載側を樹脂封止する際に、樹脂を第１の領域の外部接続側の空間領域に入り込ませることができる。その結果、多列型半導体パッケージ製造段階においては、樹脂が第１の領域を上下左右の方向から包囲して固化し、また、個々の半導体パッケージの製造段階においても、樹脂がリードにおける外部接続用端子となる端子部１１－２を除いた領域１１－１を上下左右の方向から包囲して固化した状態を保つため、個々の半導体パッケージ製品における外部接続用端子を有するリードの樹脂との密着性が格段と向上し、樹脂からの離脱を防止できる。
【0068】
また、本実施形態のリードフレームによれば、ダムバー１３における外部接続用端子となる端子部１１－２と交差しない位置での全領域が、ハーフエッチング加工された薄肉部をなし、また、第２の領域の内側に、凹部１１－２ｂが形成された構成にしたので、個々の半導体パッケージに切断する際の切断対象となる金属の量（ダムバーの体積）を格段に減らすことができ、ブレードの寿命を格段に延ばすことができる。
【0069】
また、本実施形態のリードフレームによれば、外部接続用端子となる端子部１１－２を有する全てのリードにおける、第２の領域の内側に形成された凹部１１－２ｂの開口が、第１の矩形部分１１－２ｂ１と、切断領域の境界線を跨いで第１の矩形部分１１－２ｂ１と垂直に交差する第２の矩形部分１１－２ｂ２と、により形成される略十文字形状の輪郭を有した構成としたので、リードフレームに備わる全てのリードに対して、ダムバー１３の強度を保持でき、ダムバー１３と交差する領域における凹部１１－２ｂの貫通を防止すると同時に半田接続部分を目視可能とする部位（例えば、図１(b)に示す外部接続用端子となる端子部１１－２の端縁部１１－２ａ）の幅や高さを極力増大させることが可能となる本発明の効果を最大限に発揮することができる。
【0070】
また、本実施形態のリードフレームによれば、第２の領域の内側に形成された凹部の開口は、第２の矩形部分１１－２ｂ２が、第１の矩形部分１１－２ｂ１における、端部よりもダムバー１３に近い所定位置からダムバー１３との境界近傍の所定位置にかけて、第１の矩形部分１１－２ｂ１と垂直に交差することにより形成される略十文字形状の輪郭を有した構成としたので、半導体パッケージにおいて外部接続用端子に形成される凹部が、切断領域近傍部では半田接続状態を目視確認できる最大限の幅と高さ（深さ）を有し、切断領域から離れた部位に断続的又は連続的に、深さが浅くなるか又は幅が狭くなる領域を有するようになる。
その結果、凹部に半田付けしたときに、半田が凹部の内部の空間領域に一様には濡れ広がらず、凹部において深さが相対的に深く、幅が相対的に広い切断領域近傍に濡れ広がり易くなる一方、深さが相対的に浅く、幅が相対的に狭い領域に濡れ広がり難くなる。
その結果、本実施形態のリードフレームを用いて製造した半導体パッケージを、半田を介して外部機器へ接続した際に、凹部の内部の空間領域の半田が切断領域近傍に偏って濡れ広がり、外部接続用端子の切断面での目視検査しうる半田のはみ出し量を増加させることができ、しかも、切断領域とは反対側の領域での半田ブリードが生じ難くなり、外部接続用端子のショート不良を防止することができる。
その結果、凹部に半田付けしたときに、半田が凹部の内部の空間領域に一様には濡れ広がらず、凹部において深さが相対的に深く、幅が相対的に広い切断領域近傍に濡れ広がり易くなる一方、深さが相対的に浅く、幅が相対的に狭い領域に濡れ広がり難くなる。
その結果、本実施形態のリードフレームを用いて製造した半導体パッケージを、半田を介して外部機器へ接続した際に、凹部の内部の空間領域の半田が切断領域近傍に偏って濡れ広がり、外部接続用端子の切断面での目視検査しうる半田のはみ出し量を増加させることができ、しかも、切断領域とは反対側の領域での半田ブリードが生じ難くなり、外部接続用端子のショート不良を防止することができる。
【0071】
また、本実施形態のリードフレームによれば、個々の凹部における第１の矩形部分１１－２ｂ１のダムバー１３を跨いで第２の矩形部分１１－２ｂ２との境界近傍の所定位置に及ぶ領域の板厚が、当該凹部における第２の矩形部分１１－２ｂ２の板厚に比べて厚い構成としたので、ダムバー１３の強度を保持でき、ダムバー１３と交差する領域における凹部１１－２ｂの貫通を防止すると同時に半田接続部分を目視可能とする部位（例えば、図１(b)に示す外部接続用端子となる端子部１１－２の端縁部１１－２ａ）の幅や高さを極力増大させることが可能となる本発明の効果を十分に発揮することができる。
【0072】
また、本実施形態のリードフレームによれば、個々の凹部における、第２の矩形部分１１－２ｂ２の、ダムバー１３の長手方向に対して平行な辺同士の間隔が、第１の矩形部分１１－２ｂ１の、ダムバー１３の長手方向に対して垂直な辺同士の間隔に比べて短くなっている構成としたので、第２の矩形部分１１－２ｂ２と交差しない、ダムバー１３と交差する領域における第１の矩形部分１１－２ｂ１のダムバー１３の長手方向に対して垂直な辺同士の間隔を狭めるとともに、第２の矩形部分１１－ｂ２におけるダムバーの長手方向に対して垂直な辺同士の間隔を増大させて、外部接続用端子となる端子部１１－２における第２の矩形部分１１－２ｂ２の側方の、ダムバー１３の長手方向に対して平行な方向に残存する部位の肉厚を薄くした場合において、リードにおける第２の矩形部分１１－２ｂ２が形成された部位の形状安定性を保つことができる。
また、外部接続用端子となる端子部１１－２における半田接続領域を端子接続部から極力遠ざけることができ、切断領域とは反対側の領域での半田ブリードによる半田の侵入を抑えて、外部接続用端子のショート不良をより確実に防止できる。
また、外部接続用端子となる端子部１１－２における半田接続領域を端子接続部から極力遠ざけることができ、切断領域とは反対側の領域での半田ブリードによる半田の侵入を抑えて、外部接続用端子のショート不良をより確実に防止できる。
【0073】
従って、本実施形態によれば、半導体パッケージ製品の歩留まりや、生産効率が向上し、小型化にも対応でき、半田接続部分における半田接続状態の良・不良を目視検査可能であり、しかも、外部接続用端子を有するリードの樹脂との密着性を向上させ、個々の半導体パッケージに切断するブレードの寿命を延ばし、且つ、ダムバーの強度低下によるリードフレームの変形やリードフレームの貫通を防止すると同時に、半田接続部分を目視可能とする部位の幅や高さを極力増大させることが可能なリードフレームが得られる。
【実施例】
【0074】
次に、本発明のリードフレームとその製造方法の実施例を説明する。
実施例１
まず、金属板１０として、厚さ０．２ｍｍの銅系材料を準備し（図４(a)、図５(a)参照）、両面に第１のレジスト層Ｒ１として、ドライフィルムレジストをラミネートした（図４(b)、図５(b)参照）。
次に、所定のパターンが描画されたガラスマスクを用いて両面に露光を行い、現像して、一方の面を覆い、他方の面における、第２の領域に対応する部位の内側に、外部接続用端子となる端子部の幅の５０％の、ダムバーの長手方向に対して垂直な辺同士の間隔を有する第１の矩形部分１１－２ｂ１と、切断領域の境界線を跨いで第１の矩形部分と垂直に交差する、外部接続用端子となる端子部の幅の７５％の、ダムバーの長手方向に対して垂直な辺同士の間隔を有する第２の矩形部分１１－２ｂ２と、を重ね合わせることにより形成される略十文字形状の開口を有し、それ以外の部位を覆う第１のエッチング用レジストマスク３１を形成した（図４(c)、図５(c)参照）。なお、実施例１では、外部接続用端子となる端子部は、幅０．４０ｍｍ、長さ１．１５ｍｍ、第１の矩形部分１１－２ｂ１は、幅０．１６ｍｍ、長さ０．６２ｍｍ、第２の矩形部分１１－２ｂ２は、幅０．１５ｍｍ、長さ０．３０ｍｍに設計した。次に、エッチング液を用いて金属板１０の他方の面側から深さ０．１５０ｍｍのハーフエッチング加工を施し、金属板１０の他方の側に凹部１１－２ｂを形成した（図４(d)、図５(d)参照）。なお、エッチング液は、塩化第二鉄液を使用した。このとき、ハーフエッチング加工を施すことにより形成された凹部１１－２ｂの深さは、図２(b)に示した第２の矩形部分１１－２ｂ２の底面が、凹部１１－２ｂにおける第１の矩形部分１１－２ｂ１のダムバー１３を跨いで第２の矩形部分１１－２ｂ２との境界近傍の所定位置に及ぶ領域の面に比べて深くなった。
次に、第１のエッチング用レジストマスク３１を剥離した（図４(e)、図５(e)参照）。
実施例１
まず、金属板１０として、厚さ０．２ｍｍの銅系材料を準備し（図４(a)、図５(a)参照）、両面に第１のレジスト層Ｒ１として、ドライフィルムレジストをラミネートした（図４(b)、図５(b)参照）。
次に、所定のパターンが描画されたガラスマスクを用いて両面に露光を行い、現像して、一方の面を覆い、他方の面における、第２の領域に対応する部位の内側に、外部接続用端子となる端子部の幅の５０％の、ダムバーの長手方向に対して垂直な辺同士の間隔を有する第１の矩形部分１１－２ｂ１と、切断領域の境界線を跨いで第１の矩形部分と垂直に交差する、外部接続用端子となる端子部の幅の７５％の、ダムバーの長手方向に対して垂直な辺同士の間隔を有する第２の矩形部分１１－２ｂ２と、を重ね合わせることにより形成される略十文字形状の開口を有し、それ以外の部位を覆う第１のエッチング用レジストマスク３１を形成した（図４(c)、図５(c)参照）。なお、実施例１では、外部接続用端子となる端子部は、幅０．４０ｍｍ、長さ１．１５ｍｍ、第１の矩形部分１１－２ｂ１は、幅０．１６ｍｍ、長さ０．６２ｍｍ、第２の矩形部分１１－２ｂ２は、幅０．１５ｍｍ、長さ０．３０ｍｍに設計した。次に、エッチング液を用いて金属板１０の他方の面側から深さ０．１５０ｍｍのハーフエッチング加工を施し、金属板１０の他方の側に凹部１１－２ｂを形成した（図４(d)、図５(d)参照）。なお、エッチング液は、塩化第二鉄液を使用した。このとき、ハーフエッチング加工を施すことにより形成された凹部１１－２ｂの深さは、図２(b)に示した第２の矩形部分１１－２ｂ２の底面が、凹部１１－２ｂにおける第１の矩形部分１１－２ｂ１のダムバー１３を跨いで第２の矩形部分１１－２ｂ２との境界近傍の所定位置に及ぶ領域の面に比べて深くなった。
次に、第１のエッチング用レジストマスク３１を剥離した（図４(e)、図５(e)参照）。
【0075】
次に、金属板１０の両面に第２のレジスト層Ｒ２として、ドライフィルムレジストをラミネートした（図４(f)、図５(f)参照）。
次に、図１(a)のリードフレームに対応する所定のパターンが描画されたガラスマスクを用いて両面に露光を行い、現像して、リードの外部接続用端子となる端子部、内部接続用端子となる端子部、パッド部に対応する部位を開口し、それ以外の部位を覆っためっき用レジストマスク３２を形成した（図４(g)、図５(g)参照）。次に、めっき用レジストマスク３２から露出した部位に、Ｎｉを１．０μｍ、Ｐｄを０．０３μｍ、Ａｕを０．０１μｍの設定厚さで順次めっきを施し、めっき層１２を形成した（図４(h)、図５(h)参照）。
次に、めっき用レジストマスク３２を剥離した（図４(i)、図５(i)参照）。
次に、図１(a)のリードフレームに対応する所定のパターンが描画されたガラスマスクを用いて両面に露光を行い、現像して、リードの外部接続用端子となる端子部、内部接続用端子となる端子部、パッド部に対応する部位を開口し、それ以外の部位を覆っためっき用レジストマスク３２を形成した（図４(g)、図５(g)参照）。次に、めっき用レジストマスク３２から露出した部位に、Ｎｉを１．０μｍ、Ｐｄを０．０３μｍ、Ａｕを０．０１μｍの設定厚さで順次めっきを施し、めっき層１２を形成した（図４(h)、図５(h)参照）。
次に、めっき用レジストマスク３２を剥離した（図４(i)、図５(i)参照）。
【0076】
次に、金属板１０の両面に第３のレジスト層Ｒ３として、ドライフィルムレジストをラミネートした（図４(j)、図５(j)参照）。
次に、所定のパターンが描画されたガラスマスクを用いて両面に露光を行い、現像して、金属板１０の一方の側の面に、ダムバー、外部接続用端子となる端子部を有するリード、内部接続用端子となる端子部を有するリード、パッド部、その他のリードフレームを構成するリードに対応する部位を覆い、それ以外の部位を露出させた第２のエッチング用レジストマスク３３を形成するとともに、金属板１０の他方の側の面に、第１の領域に対応する部位に開口を有し、それ以外の部位を覆う第２のエッチング用レジストマスク３３を形成した（図４(k)、図５(k)参照）。
次に、エッチング液を用いて金属板１０の両方の面側からエッチングを施し、金属板１０における第２のエッチング用レジストマスク３３の開口から露出する部位を薄肉化するとともに、個々のリードフレームの領域がダムバーに連結される多列型リードフレームを、個々の半導体パッケージに切断されたときの外部接続用端子となる端子部１１の断面形状が門形状となるように形成した（図４(l)、図５(l)参照）。
次に、第２のエッチング用レジストマスク３３を剥離した（図４(m)、図５(m)参照）。なお、エッチング液は、塩化第二鉄液を使用した。
これにより、実施例１のリードフレームを得た。
次に、所定のパターンが描画されたガラスマスクを用いて両面に露光を行い、現像して、金属板１０の一方の側の面に、ダムバー、外部接続用端子となる端子部を有するリード、内部接続用端子となる端子部を有するリード、パッド部、その他のリードフレームを構成するリードに対応する部位を覆い、それ以外の部位を露出させた第２のエッチング用レジストマスク３３を形成するとともに、金属板１０の他方の側の面に、第１の領域に対応する部位に開口を有し、それ以外の部位を覆う第２のエッチング用レジストマスク３３を形成した（図４(k)、図５(k)参照）。
次に、エッチング液を用いて金属板１０の両方の面側からエッチングを施し、金属板１０における第２のエッチング用レジストマスク３３の開口から露出する部位を薄肉化するとともに、個々のリードフレームの領域がダムバーに連結される多列型リードフレームを、個々の半導体パッケージに切断されたときの外部接続用端子となる端子部１１の断面形状が門形状となるように形成した（図４(l)、図５(l)参照）。
次に、第２のエッチング用レジストマスク３３を剥離した（図４(m)、図５(m)参照）。なお、エッチング液は、塩化第二鉄液を使用した。
これにより、実施例１のリードフレームを得た。
【0077】
次に、ダイボンドし（図示省略）、外部機器との接続側に、シート状のマスキングテープｍ１として耐熱性の接着剤付きポリイミドフィルムを貼付け（図６(a)参照）、図示しないモールド金型をセットし、半導体素子搭載側を樹脂２１で封止した（図６(b)参照）。
【0078】
このとき、凹部１１－２ｂは、第２の領域の外縁部に囲まれており、外部機器との接続側の第２の領域の外縁部がシート状のマスキングテープｍ１に密着し、凹部１１－２ｂの内部は密閉された状態となるため、封止樹脂形成時には、凹部１１－２ｂは、外部機器との接続側の外部接続用端子となる端子部１１－２と同様、樹脂２１が浸入することなく露出した状態に仕上がった。
次に、マスキングテープｍ１を除去し（図６(c)参照）、所定の半導体パッケージ４０の寸法に切断した（図６(d)参照）。これにより、本実施例のリードフレーム１を用いた半導体パッケージ４０を得た（図６(e)参照）。
次に、本実施例のリードフレーム１を用いた半導体パッケージ４０の外部接続用端子１１をプリント基板８０の端子８１に半田接続して、プリント基板に装着した。このとき、半田９０は外部接続用端子１１－２の裏面から門形状に端縁部１１－２ａにかけて形成されている空間部に濡れ広がり、半導体パッケージ４０の側面に露出した外部接続用端子１１－２の半田接続部分を目視確認でき、半導体パッケージ４０の外部機器８０との半田接続状態の良・不良を目視検査できる状態となった。
次に、マスキングテープｍ１を除去し（図６(c)参照）、所定の半導体パッケージ４０の寸法に切断した（図６(d)参照）。これにより、本実施例のリードフレーム１を用いた半導体パッケージ４０を得た（図６(e)参照）。
次に、本実施例のリードフレーム１を用いた半導体パッケージ４０の外部接続用端子１１をプリント基板８０の端子８１に半田接続して、プリント基板に装着した。このとき、半田９０は外部接続用端子１１－２の裏面から門形状に端縁部１１－２ａにかけて形成されている空間部に濡れ広がり、半導体パッケージ４０の側面に露出した外部接続用端子１１－２の半田接続部分を目視確認でき、半導体パッケージ４０の外部機器８０との半田接続状態の良・不良を目視検査できる状態となった。
【0079】
比較例１
まず、金属板として、厚さ０．２ｍｍの銅系材料を準備し、両面に第１のレジスト層として、ドライフィルムレジストをラミネートした。
次に、図９(a)に対応する所定のパターンが描画されたガラスマスクを用いて両面に露光を行い、現像して、一方の面を覆い、他方の面における、第２の領域に対応する部位の内側に、外部接続用端子となる端子部の幅の５０％の一定幅を有する矩形形状の開口を有し、それ以外の部位を覆う第１のエッチング用レジストマスクを形成した。なお、比較例１では、外部接続用端子となる端子部は、幅０．４０ｍｍ、長さ１．１５ｍｍ、矩形形状の開口は、幅０．２４ｍｍ、長さ０．６２ｍｍに設計した。次に、エッチング液を用いて金属板の他方の面側から深さ０．１５０ｍｍのハーフエッチング加工を施し、金属板の他方の側に凹部１１－２ｂ’を形成した。なお、エッチング液は、塩化第二鉄液を使用した。このとき、ハーフエッチング加工を施すことにより形成された凹部１１－２ｂ’の深さは、図１０(b)に示すように、端部近傍に位置する、切断領域の境界線上の位置において浅くなった。
次に、第１のエッチング用レジストマスクを剥離した。以降、実施例１と略同様の内容及び手順で、比較例１のリードフレームを得た。
まず、金属板として、厚さ０．２ｍｍの銅系材料を準備し、両面に第１のレジスト層として、ドライフィルムレジストをラミネートした。
次に、図９(a)に対応する所定のパターンが描画されたガラスマスクを用いて両面に露光を行い、現像して、一方の面を覆い、他方の面における、第２の領域に対応する部位の内側に、外部接続用端子となる端子部の幅の５０％の一定幅を有する矩形形状の開口を有し、それ以外の部位を覆う第１のエッチング用レジストマスクを形成した。なお、比較例１では、外部接続用端子となる端子部は、幅０．４０ｍｍ、長さ１．１５ｍｍ、矩形形状の開口は、幅０．２４ｍｍ、長さ０．６２ｍｍに設計した。次に、エッチング液を用いて金属板の他方の面側から深さ０．１５０ｍｍのハーフエッチング加工を施し、金属板の他方の側に凹部１１－２ｂ’を形成した。なお、エッチング液は、塩化第二鉄液を使用した。このとき、ハーフエッチング加工を施すことにより形成された凹部１１－２ｂ’の深さは、図１０(b)に示すように、端部近傍に位置する、切断領域の境界線上の位置において浅くなった。
次に、第１のエッチング用レジストマスクを剥離した。以降、実施例１と略同様の内容及び手順で、比較例１のリードフレームを得た。
【0080】
比較例２
まず、金属板として、厚さ０．２ｍｍの銅系材料を準備し、両面に第１のレジスト層として、ドライフィルムレジストをラミネートした。
次に、図１１(a)に対応する所定のパターンが描画されたガラスマスクを用いて両面に露光を行い、現像して、一方の面を覆い、他方の面における、第２の領域に対応する部位の内側に、外部接続用端子となる端子部の幅の６０％の一定幅を有する矩形形状の開口を有し、それ以外の部位を覆う第１のエッチング用レジストマスクを形成した。なお、比較例２では、外部接続用端子となる端子部は、幅０．４０ｍｍ、長さ１．１５ｍｍ、矩形形状の開口は、幅０．３０ｍｍ、長さ０．６２ｍｍに設計した。次に、エッチング液を用いて金属板の他方の面側から深さ０．１５０ｍｍのハーフエッチング加工を施し、金属板の他方の側に凹部１１－２ｂ’’を形成した。なお、エッチング液は、塩化第二鉄液を使用した。このとき、ハーフエッチング加工を施すことにより形成された凹部１１－２ｂ’’の深さは、図１２(b)に示すように、凹部１１－２ｂ’’におけるダムバー１３と交差する領域部分のエッチングが深くなり過ぎ、当該部位における金属材料の厚さが薄くなり過ぎてしまった。
次に、第１のエッチング用レジストマスクを剥離した。以降、実施例１と略同様の内容及び手順で、比較例２のリードフレームを得た。
まず、金属板として、厚さ０．２ｍｍの銅系材料を準備し、両面に第１のレジスト層として、ドライフィルムレジストをラミネートした。
次に、図１１(a)に対応する所定のパターンが描画されたガラスマスクを用いて両面に露光を行い、現像して、一方の面を覆い、他方の面における、第２の領域に対応する部位の内側に、外部接続用端子となる端子部の幅の６０％の一定幅を有する矩形形状の開口を有し、それ以外の部位を覆う第１のエッチング用レジストマスクを形成した。なお、比較例２では、外部接続用端子となる端子部は、幅０．４０ｍｍ、長さ１．１５ｍｍ、矩形形状の開口は、幅０．３０ｍｍ、長さ０．６２ｍｍに設計した。次に、エッチング液を用いて金属板の他方の面側から深さ０．１５０ｍｍのハーフエッチング加工を施し、金属板の他方の側に凹部１１－２ｂ’’を形成した。なお、エッチング液は、塩化第二鉄液を使用した。このとき、ハーフエッチング加工を施すことにより形成された凹部１１－２ｂ’’の深さは、図１２(b)に示すように、凹部１１－２ｂ’’におけるダムバー１３と交差する領域部分のエッチングが深くなり過ぎ、当該部位における金属材料の厚さが薄くなり過ぎてしまった。
次に、第１のエッチング用レジストマスクを剥離した。以降、実施例１と略同様の内容及び手順で、比較例２のリードフレームを得た。
【0081】
凹部の深さの測定
実施例１及び比較例１、２のリードフレームの夫々における、設計値０．１５ｍｍでのハーフエッチングにより、夫々のリードフレームに備わる、複数のリードの外部接続用端子となる端子部１１に形成された凹部１１－２ｂ、１１－２ｂ’、１１－２ｂ’’の深さを、切断領域の境界線上の位置と、ダムバーを跨いで切断領域の境界線近傍に及ぶ領域とにおいて測定した。
測定結果を表１に示す。
実施例１及び比較例１、２のリードフレームの夫々における、設計値０．１５ｍｍでのハーフエッチングにより、夫々のリードフレームに備わる、複数のリードの外部接続用端子となる端子部１１に形成された凹部１１－２ｂ、１１－２ｂ’、１１－２ｂ’’の深さを、切断領域の境界線上の位置と、ダムバーを跨いで切断領域の境界線近傍に及ぶ領域とにおいて測定した。
測定結果を表１に示す。
【0082】
【表1】
【0083】
表１に示すように、実施例１のリードフレームは、凹部１１－２ｂの深さが、第２の矩形部分１１－２ｂ２における切断領域の境界線上で０．１５ｍｍ、第１の矩形部分１１－２ｂ１におけるダムバー１３を跨いで第２の矩形部分１１－２ｂ２との境界近傍の所定位置に及ぶ領域で０．１２ｍｍ～０．１４ｍｍとなり、リードフレームにおける半田接続部分を目視可能とする部位（例えば、図１(b)に示す外部接続用端子となる端子部１１－２の端縁部１１－２ａ）の幅や高さが極力増大したことが認められるとともに、ダムバーの強度低下によるリードフレームの変形やリードフレームの貫通の虞がないことが認められる結果となった。
【0084】
これに対し、比較例１のリードフレームは、凹部１１－２ｂ’の深さが、切断領域の境界線上で０．１２ｍｍ、ダムバー１３を跨いで切断領域の境界線近傍の所定位置に及ぶ領域で０．１２ｍｍ～０．１４ｍｍとなり、ダムバーの強度低下によるリードフレームの変形やリードフレームの貫通の虞がないことは認められたものの、リードフレームにおける半田接続部分を目視可能とする部位（例えば、図９(b)に示す外部接続用端子となる端子部１１－２の端縁部１１－２ａ’）の幅や高さを増大させることができないことが認められる結果となった。
【0085】
また、比較例２のリードフレームは、凹部１１－２ｂ’’の深さが、切断領域の境界線上で０．１５ｍｍに留まる一方、ダムバー１３を跨いで切断領域の境界線近傍の所定位置に及ぶ領域で０．１５ｍｍを大きく超え、ダムバー１３の幅方向中央位置では０．１８ｍｍにも及び、リードフレームにおける半田接続部分を目視可能とする部位（例えば、図１１(b)に示す外部接続用端子となる端子部１１－２の端縁部１１－２ａ’’）の高さを増大させ難いことが認められ、また、ダムバーの強度低下によるリードフレームの変形やリードフレームの貫通の虞が懸念される結果となった。
【0086】
リードフレームの変形、貫通の有無検査
実施例１、比較例１、２の夫々のリードフレームに関し、夫々縦１０個、横４０個配列された多列型リードフレームのシートを１０００枚作製し、各シートに形成されたリードフレームの変形、貫通の有無を検査した。
リードフレームの変形の有無は、２０倍の実体顕微鏡を用いて行った。
また、リードフレームの貫通の有無は、２００倍の金属顕微鏡を用いて行った。
検査結果を表２に示す。
実施例１、比較例１、２の夫々のリードフレームに関し、夫々縦１０個、横４０個配列された多列型リードフレームのシートを１０００枚作製し、各シートに形成されたリードフレームの変形、貫通の有無を検査した。
リードフレームの変形の有無は、２０倍の実体顕微鏡を用いて行った。
また、リードフレームの貫通の有無は、２００倍の金属顕微鏡を用いて行った。
検査結果を表２に示す。
【0087】
【表2】
【0088】
表２に示すように、実施例１、比較例１のリードフレームにおいては、変形、貫通の認められたものは０個であった。
これに対し、比較例２のリードフレームにおいては、変形の認められたものが２２５個、貫通の認められたものが１６１個あり、製品としての歩留まりが著しく低下することが認められる結果となった。
これに対し、比較例２のリードフレームにおいては、変形の認められたものが２２５個、貫通の認められたものが１６１個あり、製品としての歩留まりが著しく低下することが認められる結果となった。
【0089】
以上、本発明の好ましい実施形態及び実施例について詳説したが、本発明は、上述した実施形態及び実施例に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、上述した実施形態及び実施例に種々の変形及び置換を加えることができる。
【0090】
例えば、上記の実施形態及び実施例では、パッド部やパッド部を支持するサポートリードを備えたタイプのリードフレームを示したが、パッド部やサポートリードを備えずに、ダムバーと外部接続用端子となる端子部を有するリードとを備え、リードの半導体素子搭載側で半導体素子とフリップチップ接続するタイプのリードフレームにおいても本発明の構成は適用可能である。
【符号の説明】
【0091】
１ リードフレーム
１０ 金属板
１１ 外部接続用端子となる端子部を有するリード
１１－１ リードにおける外部接続用端子となる端子部１１－２を除いた領域
１１－２、５１ 外部接続用端子となる端子部（または外部接続用端子）
１１－２ａ、１１－２ａ’、１１－２ａ’’ 門形状の端縁部
１１－２ｂ、１１－２ｂ’、１１－２ｂ’’ 凹部
１１－２ｂ１ 第１の矩形部分
１１－２ｂ２ 第２の矩形部分
１２ めっき層
１３ ダムバー
１４ パッド部
１５ サポートリード
２１ 封止樹脂
３１ 第１のエッチング用レジストマスク
３２ めっき用レジストマスク
３３ 第２のエッチング用レジストマスク
４０ 半導体パッケージ
５１ａ 空間部
５１ｂ 溝
５２ パッド部
５３ ダムバー
６０ 半導体素子
６１ ボンディングワイヤ
７０ 封止樹脂
８０ 外部機器
８１ 端子
９０ 半田
ｍ１ マスキングテープ
Ｒ１ 第１のレジスト層
Ｒ２ 第２のレジスト層
Ｒ３ 第３のレジスト層
１０ 金属板
１１ 外部接続用端子となる端子部を有するリード
１１－１ リードにおける外部接続用端子となる端子部１１－２を除いた領域
１１－２、５１ 外部接続用端子となる端子部（または外部接続用端子）
１１－２ａ、１１－２ａ’、１１－２ａ’’ 門形状の端縁部
１１－２ｂ、１１－２ｂ’、１１－２ｂ’’ 凹部
１１－２ｂ１ 第１の矩形部分
１１－２ｂ２ 第２の矩形部分
１２ めっき層
１３ ダムバー
１４ パッド部
１５ サポートリード
２１ 封止樹脂
３１ 第１のエッチング用レジストマスク
３２ めっき用レジストマスク
３３ 第２のエッチング用レジストマスク
４０ 半導体パッケージ
５１ａ 空間部
５１ｂ 溝
５２ パッド部
５３ ダムバー
６０ 半導体素子
６１ ボンディングワイヤ
７０ 封止樹脂
８０ 外部機器
８１ 端子
９０ 半田
ｍ１ マスキングテープ
Ｒ１ 第１のレジスト層
Ｒ２ 第２のレジスト層
Ｒ３ 第３のレジスト層
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】