特許 7311442 太陽電池の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2023-07-10

(45)【発行日】2023-07-19

(54)【発明の名称】太陽電池の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 31/0224 20060101AFI20230711BHJP

【ＦＩ】

H01L31/04 260

【請求項の数】 4

(21)【出願番号】P 2020033012

(22)【出願日】2020-02-28

(65)【公開番号】P2021077848

(43)【公開日】2021-05-20

【審査請求日】2020-02-28

【審判番号】

【審判請求日】2021-11-09

(31)【優先権主張番号】201911090236.8

(32)【優先日】2019-11-08

(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN

(73)【特許権者】

【識別番号】598098331

【氏名又は名称】ツィンファ ユニバーシティ

(73)【特許権者】

【識別番号】500080546

【氏名又は名称】鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司

【氏名又は名称原語表記】ＨＯＮ ＨＡＩ ＰＲＥＣＩＳＩＯＮ ＩＮＤＵＳＴＲＹ ＣＯ．，ＬＴＤ．

【住所又は居所原語表記】６６，Ｃｈｕｎｇ Ｓｈａｎ Ｒｏａｄ，Ｔｕ－Ｃｈｅｎｇ Ｎｅｗ Ｔａｉｐｅｉ，２３６（ＴＷ）

(74)【代理人】

【識別番号】110002848

【氏名又は名称】弁理士法人ＮＩＰ＆ＳＢＰＪ国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】張 金

(72)【発明者】

【氏名】魏 洋

(72)【発明者】

【氏名】▲ハン▼ 守善

【合議体】

【審判長】山村 浩

【審判官】吉野 三寛

【審判官】金高 敏康

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１８－１９８３１３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１８－６７５４（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００５－１１６６１８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００４－１７１９０３（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

H01L 31/00-31/0392

H01L 31/08-31/119

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

背面電極、半導体構造体及び前面電極を含み、
前記半導体構造体は互いに対向する第一表面及び第二表面を有し、前記半導体構造体はｎ型半導体層及びｐ型半導体層を含み、前記ｎ型半導体層及び前記ｐ型半導体層は積層されて設置され、
前記背面電極は前記半導体構造体の第一表面に設置され、前記背面電極は一本の第一カーボンナノチューブからなり、
前記前面電極は前記半導体構造体の第二表面に設置され、前記前面電極は一本の第二カーボンナノチューブからなり、
前記第一カーボンナノチューブ及び前記第二カーボンナノチューブは交差して設置され、前記第一カーボンナノチューブ、前記半導体構造体及び前記第二カーボンナノチューブは順に積層して設置されて、多層構造体が形成され、
前記太陽電池の有効部分を構成するｐ－ｎヘテロ接合が前記第一カーボンナノチューブと前記第二カーボンナノチューブの交差点に点状に、前記半導体構造体に形成され、
前記ｐ－ｎヘテロ接合における前記ｐ型半導体層と前記ｎ型半導体層とが積層される方向が、前記第一表面に垂直であり、
前記第一カーボンナノチューブ及び前記第二カーボンナノチューブは内殻カーボンナノチューブである太陽電池の製造方法であって、
長さが１５０ミクロン以上の超長二層カーボンナノチューブまたは超長多層カーボンナノチューブの両端を伸ばすことによって前記内殻カーボンナノチューブを得るステップであり、具体的に、長さが１５０ミクロン以上の超長二層カーボンナノチューブまたは超長多層カーボンナノチューブの両端を伸ばして、超長二層カーボンナノチューブまたは超長多層カーボンナノチューブの外壁はすべて破損しており、超長二層カーボンナノチューブまたは超長多層カーボンナノチューブの中央部にある最も内側の一層のカーボンナノチューブのみが残され、最も内側の一層のカーボンナノチューブが内殻カーボンナノチューブであるステップと、
前記内殻カーボンナノチューブを用いて前記太陽電池を製造するステップと、
を備えることを特徴とする太陽電池の製造方法。

【請求項2】

前記第一カーボンナノチューブ及び前記第二カーボンナノチューブは金属性のカーボンナノチューブであることを特徴とする、請求項１に記載の太陽電池の製造方法。

【請求項3】

前記多層構造体の横方向断面の面積は１ｎｍ^２～１００ｎｍ^２であることを特徴とする、請求項１に記載の太陽電池の製造方法。

【請求項4】

前記第一カーボンナノチューブの延伸方向と前記第二カーボンナノチューブの延伸方向とは互いに垂直であることを特徴とする、請求項１に記載の太陽電池の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、太陽電池に関する。

【背景技術】

【0002】

太陽電池は、半導体材料の光起電原理を使用して作られる。半導体光電変換材料の種類に応じて、太陽電池はシリコンベース太陽電池、ヒ化ガリウム太陽電池、及び有機薄膜太陽電池に分類できる。現在、太陽電池は主にシリコンベース太陽電池である。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0003】

しかしながら、従来の太陽電池の前面電極と背面電極の材料は、ほとんどが金属、導電性ポリマー、または酸化インジウムスズである。これらの材料は光を著しく吸収または反射し、太陽電池の光電変換効率にさらに影響して、太陽電池の光電変換効率は低くなる。

【0004】

したがって、優れた光電変換効率を有するナノサイズの太陽電池の製造方法を提供する必要がある。

【課題を解決するための手段】

【0005】

背面電極、半導体構造体及び前面電極を含む太陽電池において、前記半導体構造体は互いに対向する第一表面及び第二表面を有し、前記半導体構造体はｎ型半導体層及びｐ型半導体層を含み、前記ｎ型半導体層及び前記ｐ型半導体層は積層されて設置され、前記背面電極は前記半導体構造体の第一表面に設置され、前記背面電極は一本の第一カーボンナノチューブからなり、前記前面電極は前記半導体構造体の第二表面に設置され、前記前面電極は一本の第二カーボンナノチューブからなり、前記第一カーボンナノチューブ及び前記第二カーボンナノチューブは交差して設置され、前記第一カーボンナノチューブ、前記半導体構造体及び前記第二カーボンナノチューブは順に積層して設置されて、多層構造体が形成される。

【0006】

前記第一カーボンナノチューブ及び前記第二カーボンナノチューブは金属性のカーボンナノチューブである。

【0007】

前記第一カーボンナノチューブ及び前記第二カーボンナノチューブは内殻カーボンナノチューブである。

【0008】

前記多層構造体の横方向断面の面積は１ｎｍ^２～１００ｎｍ^２である。

【0009】

前記第一カーボンナノチューブの延伸方向と前記第二カーボンナノチューブの延伸方向とは互いに垂直である

【発明の効果】

【0010】

従来技術と比べて、本発明の一態様の太陽電池は、２本のカーボンナノチューブが交差して２次元半導体構造体を挟み込んで形成される。２本のカーボンナノチューブの直径はそれぞれナノスケールであり、２本のカーボンナノチューブの交差部では、２本のカーボンナノチューブと半導体構造体とが重なり合ってナノメートルの多層構造体が形成される。これにより、ナノサイズのｐｎ接合が形成され、太陽電池のサイズをナノスケールに縮小でき、太陽電池の応用分野がより広範になる。さらに、太陽電池における二つの電極は、それぞれ一本のカーボンナノチューブのみからなる。従来の電極と比較して、カーボンナノチューブが光を吸収または反射することは無視でき、且つカーボンナノチューブがよい光透過率を持つ。これにより、本発明の一態様の太陽電池は、従来の電極を用いた太陽電池に比べて光電変換効率が高くなる。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】本発明の第一実施例の太陽電池の構造を示す図である。

【図2】本発明の第一実施例の太陽電池の側面を示す図である。

【図3】本発明の第二実施例の太陽電池の構造を示す図である。

【図4】本発明の第二実施例の太陽電池の側面を示す図である。

【0012】

以下、図面を参照して、本発明の実施例について説明する。

【0013】

図１を参照すると、本発明の第一実施例は、太陽電池１００を提供する。太陽電池１００は、背面電極１０２、半導体構造体１０４及び前面電極１０６を含む。半導体構造体１０４は、互いに対向する第一表面（図示せず）および第二表面（図示せず）を有する。 背面電極１０２は、半導体構造体１０４の第一表面に設置され、且つ第一表面と直接に接触される。前面電極１０６は、半導体構造体１０４の第二表面に設置され、第二表面と直接に接触される。半導体構造体１０４は、背面電極１０２と前面電極１０６との間に設置される。背面電極１０２は一本の第一カーボンナノチューブからなり、前面電極１０６は一本の第二カーボンナノチューブからなる。第一カーボンナノチューブの延伸方向と第二カーボンナノチューブの延伸方向とは交差して設置される。半導体構造体１０４は、ｎ型半導体層１０４２とｐ型半導体層１０４４を含む。ｎ型半導体層１０４２及びｐ型半導体層１０４４は、積層されて半導体構造体１０４を形成する。

【0014】

背面電極１０２は一本の第一カーボンナノチューブからなる。半導体構造体１０４の第一表面に一本の第一カーボンナノチューブのみが設置される。第一カーボンナノチューブが金属性のカーボンナノチューブである。第一カーボンナノチューブは、単層カーボンナノチューブ、二層カーボンナノチューブ、または多層カーボンナノチューブであってもよい。第一カーボンナノチューブの直径は制限されず、０．５ｎｍ～１００ｎｍであってもよい。一つの例において、第一カーボンナノチューブの直径は０．５ｎｍ～１０ｎｍである。 好ましくは、第一カーボンナノチューブは単層カーボンナノチューブであり、その直径が０．５ｎｍ～２ｎｍである。本実施例において、第一カーボンナノチューブの直径が１ｎｍである。

【0015】

本実施例において、カーボンナノチューブは内殻カーボンナノチューブである。内殻カーボンナノチューブとは、二層カーボンナノチューブまたは多層カーボンナノチューブの最も内側のカーボンナノチューブを指す。内殻カーボンナノチューブは、超長二層カーボンナノチューブまたは超長多層カーボンナノチューブから引き抜くことにより得られる。超長二層カーボンナノチューブまたは超長多層カーボンナノチューブとは、二層カーボンナノチューブまたは多層カーボンナノチューブの長さが１５０ミクロン以上のものである。好ましくは、二層カーボンナノチューブまたは多層カーボンナノチューブの長さは１５０ミクロン～３００ミクロンである。具体的に、超長二層カーボンナノチューブまたは超長多層カーボンナノチューブの両端を伸ばして、超長二層カーボンナノチューブまたは超長多層カーボンナノチューブの外壁はすべて破損しており、超長二層カーボンナノチューブまたは超長多層カーボンナノチューブの中央部にある最も内側の一層のカーボンナノチューブ（すなわち、内殻カーボンナノチューブ）のみが残される。内殻カーボンナノチューブの表面はきれいであり、その表面に不純物がないため、第一カーボンナノチューブ１０２は半導体構造体１０４と良好に接触することができる。もちろん、第一カーボンナノチューブ１０２は内殻カーボンナノチューブに制限されず、他の単層カーボンナノチューブ、二層カーボンナノチューブまたは多層カーボンナノチューブであってもよい。

【0016】

前面電極１０６は一本の第二カーボンナノチューブからなる。半導体構造体１０４の第二表面に一本の第二カーボンナノチューブのみが設置される。第二カーボンナノチューブが金属性のカーボンナノチューブである。第二カーボンナノチューブは、単層カーボンナノチューブ、二層カーボンナノチューブ、または多層カーボンナノチューブであってもよい。第二カーボンナノチューブの直径は制限されず、０．５ｎｍ～１００ｎｍであってもよい。一つの例において、第二カーボンナノチューブの直径は０．５ｎｍ～１０ｎｍである。好ましくは、第二カーボンナノチューブは単層カーボンナノチューブであり、その直径が０．５ｎｍ～２ｎｍである。本実施例において、第二カーボンナノチューブの直径が１ｎｍである。本実施例において、第二カーボンナノチューブは内殻カーボンナノチューブである。内殻カーボンナノチューブの表面はきれいであり、その表面に不純物がないため、第二カーボンナノチューブは半導体構造体１０４と良好に接触することができる。もちろん、第二カーボンナノチューブ１０６は内殻カーボンナノチューブに制限されず、他の単層カーボンナノチューブ、二層カーボンナノチューブまたは多層カーボンナノチューブであってもよい。第二カーボンナノチューブの直径と第一カーボンナノチューブの直径とは同じでも異なってもよい。

【0017】

第一カーボンナノチューブの延伸方向と第二カーボンナノチューブの延伸方向とは交差して角度が形成される。この角度は、０°～９０°（０°は含まず）である。本実施例において、第一カーボンナノチューブの延伸方向と第二カーボンナノチューブの延伸方向とは互いに垂直であり、すなわち、角度は９０°である。

【0018】

ｐ型半導体層１０４４及びｎ型半導体層１０４２が積層して設置され、半導体構造体１０４に垂直な方向にｐｎ接合が形成される。ｐ型半導体層１０４４及びｎ型半導体層１０４２がそれぞれ二次元材料である。二次元材料とは、電子がナノメートルスケール（１～１００ｎｍ）の二次元のみで自由に移動（平面移動）できる材料を指す。例えば、二次元材料は、ナノフィルム、超格子、量子井戸などであってもよい。半導体構造体１０４は、ナノメートル厚の二次元層状構造体である。好ましくは、半導体構造体１０４の厚さが１ナノメートル～２００ナノメートルである。好ましくは、ｎ型半導体層１０４２の厚さが０．５ナノメートル～１００ナノメートルである。好ましくは、ｐ型半導体層１０４４の厚さが０．５ナノメートル～１００ナノメートルである。さらに好ましくは、ｎ型半導体層１０４２の厚さが０．５ナノメートル～５０ナノメートルであり、ｐ型半導体層１０４４の厚さが０．５ナノメートル～５０ナノメートルである。

【0019】

本実施例において、ｎ型半導体層１０４２は前面電極１０６と直接に接触され、ｐ型半導体層１０４４は背面電極１０２と直接に接触される。他の実施例では、ｎ型半導体層１０４２は背面電極１０２と直接に接触され、ｐ型半導体層１０４４は前面電極１０６と直接に接触される。ｐ型半導体層１０４４及びｎ型半導体層１０４２の材料は制限されず、無機化合物半導体、元素半導体、有機半導体又はこれらの材料がドープされた材料でもよい。本実施例において、ｐ型半導体層１０４４の材料がセレン化タングステン（ＷＳｅ_２）であり、その厚さが１４ナノメートルであり、ｎ型半導体層１０４２の材料が硫化モリブデン（Ｍ_ＯＳ_２）であり、その厚さが１６ナノメートルである。もう一つの例において、ｐ型半導体層１０４４の材料がセレン化タングステン（ＷＳｅ_２）であり、その厚さが７６ナノメートルであり、ｎ型半導体層１０４２の材料が硫化モリブデン（Ｍ_ＯＳ_２）であり、その厚さが７６ナノメートルである。

【0020】

図２を参照して、第一カーボンナノチューブと第二カーボンナノチューブの交差点で、半導体構造体１０４に垂直な方向で、第一カーボンナノチューブ、半導体構造体１０４、及び第二カーボンナノチューブが積層して設置されて、多層構造体１０８が形成される。多層構造体１０８は、横方向断面及び縦方向断面を定義して、横方向断面が半導体構造体１０４の表面に平行する断面であり、縦方向断面が半導体構造体１０４の表面に垂直する断面である。半導体構造体１０４に対する第一カーボンナノチューブ及び第二カーボンナノチューブのサイズは小さく、半導体構造体１０４の表面には第一カーボンナノチューブ及び一つの第二カーボンナノチューブのみが設置されるため、横方向断面の面積が第一カーボンナノチューブ又は第二カーボンナノチューブの直径によって決まる。第一カーボンナノチューブ及び第二カーボンナノチューブの直径は両方ともナノメートルであるため、多層構造体１０８の横方向断面の面積もナノメートルである。縦方向断面の面積は、第一カーボンナノチューブ、第二カーボンナノチューブの直径および半導体構造体１０４の厚さによって決定される。第一カーボンナノチューブ及び第二カーボンナノチューブの直径はともにナノスケールであり、半導体構造体１０４の厚さもナノスケールであるため、多層構造体１０８の縦方向断面の面積もナノスケールである。好ましくは、多層構造体１０８の横方向断面の面積は１ｎｍ^２～１００ｎｍ^２である。第一カーボンナノチューブと第二カーボンナノチューブと半導体構造体１０４とは、多層構造体１０８に垂直ｐ－ｎヘテロ接合を形成する。ｐ－ｎヘテロ接合はファンデルワールスヘテロ接合である。

【0021】

太陽電池１０が応用される時には、ｎ型半導体層１０４２とｐ型半導体層１０４４との接触面にｐ－ｎ接合が形成される。複数の電子－正孔対を生成するとき、複数の電子－正孔対は内部電界の作用によって分離した後、ｎ型半導体層１０４２の電子は前面電極１０６に向かって移動し、ｐ型半導体層１０４４の正孔は背面電極１０２に向かって移動する。ｎ型半導体層１０４２の電子は前面電極１０６によって収集され、ｐ型半導体層１０４４の正孔は背面電極１０２によって収集され、電流が形成される。電流経路は、多層構造体１０８を通る断面であり、太陽電池１００の有効部分は多層構造体１０８である。太陽電池１００の全体サイズは、多層構造体１０８の体積よりも大きくなるように確保するだけでよい。太陽電池１００は多層構造体１０８を含むことを確保するだけでよい。したがって、太陽電池１００は小さなサイズを有することができる。太陽電池１００は、ナノスケールの太陽電池であってもよい。太陽電池１００は、ナノスケールのサイズ及びより高い集積度を有する。

【0022】

本発明の太陽電池は以下の効果がある。第一に、太陽電池は、２本のカーボンナノチューブが交差して２次元半導体構造体を挟み込んで形成される。２本のカーボンナノチューブチューブの直径はそれぞれナノスケールであり、２本のカーボンナノチューブチューブの交差部では、２本のカーボンナノチューブと半導体構造体が重なり合ってナノメートルの多層構造体（ナノサイズのｐｎ接合）が形成される。これにより、太陽電池のサイズをナノスケールに縮小でき、太陽電池の応用分野がより広範になる。第二に、太陽電池における二つの電極は、それぞれ一本のカーボンナノチューブのみからなる。従来の電極と比較して、カーボンナノチューブが光を吸収しまたは反射することは無視でき、且つカーボンナノチューブがよい光透過率を持つ。これにより、本発明の太陽電池は、従来の電極を用いた太陽電池に比べて光電変換効率が高まる。第三に、カーボンナノチューブは優れた導電性と機械的特性を備えるため、太陽電池の光電変換効率及び耐久性を高め、抵抗が均一にさせることができ、太陽電池の性能を向上させる。

【0023】

図３を参照すると、本発明の第二実施例は、太陽電池２００を提供する。太陽電池２００は、第一電極２０２、第二電極２０４、太陽電池ユニット２０６、ゲート電極２０８及び絶縁層２１０を含む。太陽電池ユニット２０６の構造が第一実施例の太陽電池１００の構造と同じであり、ここでは詳しく説明しない。即ち、第一実施例の太陽電池１００と比べて、本実施例の太陽電池２００は、更に第一電極２０２、第二電極２０４、ゲート電極２０８及び絶縁層２１０を含む。具体的には、太陽電池ユニット２０６が絶縁層２１０を通じて、ゲート電極２０８と絶縁して設置され、第一電極２０２が背面電極１０２と電気的に接続され、第二電極２０４が前面電極１０６と電気的に接続され、ゲート電極２０８が絶縁層２１０を通じて、背面電極１０２、半導体構造体１０４、前面電極１０６、第一電極２０２及び第二電極２０４と絶縁して設置される。

【0024】

太陽電池２００において、ゲート電極２０８及び絶縁層２１０が積層して設置され、太陽電池ユニット２０６が絶縁層２１０の表面に設置され、絶縁層２１０をゲート電極２０８と太陽電池ユニット２０６との間に位置させる。太陽電池２００において、背面電極１０２としての第一カーボンナノチューブが絶縁層２１０の表面に直接的に設置され、半導体構造体１０４が第一カーボンナノチューブの上方に設置され、第一カーボンナノチューブを半導体構造体１０４と絶縁層２１０との間に位置させ、前面電極１０６としての第二カーボンナノチューブが半導体構造体１０４の上方に位置する。本実施例において、第一カーボンナノチューブは、絶縁層２１０の表面に直接的に設置され、ゲート電極２０８に接近して、ゲート電極２０８が太陽電池ユニット２０６を制御することができる。また、第二カーボンナノチューブがゲート電極２０８から離れるので、第二カーボンナノチューブは半導体構造体１０４及びゲート電極２０８に遮蔽効果を生成することができず、太陽電池２００が作動できないことを防止できる。本実施例において、第二カーボンナノチューブがｎ型半導体層１０４２の表面に設置され、第一カーボンナノチューブがｐ型半導体層１０４４の表面に設置され、ｐ型半導体層１０４４は、厚さが１４ナノメートルであるＷＳｅ_２であり、ｎ型半導体層１０４２は、厚さが１６ナノメートルであるＭｏＳ_２である。

【0025】

第一電極２０２及び第二電極２０４が導電材料からなり、導電材料が金属、ＩＴＯ、ＡＴＯ、導電銀テープ、導電性ポリマー又は導電カーボンナノチューブ等である。金属材料がアルミニウム、銅、タングステン、モリブデン、金、チタン、パラジウム又は任意の組み合わせの合金である。第一電極２０２及び第二電極２０４も導電フィルムであってもよく、導電フィルムの厚さが２ナノメートル～１００マイクロメートルである。本実施例において、第一電極２０２及び第二電極２０４が金及びチタンからなる金属複合構造体である。具体的には、金属複合構造体が銅層及びチタン層からなり、銅層がチタン層の表面に設置される。チタン層の厚さが５ナノメートルであり、銅層の厚さが６０ナノメートルである。本実施例において、第一電極２０２は、第一カーボンナノチューブと電気的に接続され、第一カーボンナノチューブの一端に設置され、第一カーボンナノチューブの表面と緊密に接触される。チタン層が第一カーボンナノチューブの表面に設置され、銅層がチタン層の表面に設置される。第二電極２０４は、第二カーボンナノチューブと電気的に接続され、第二カーボンナノチューブの一端に設置され、第二カーボンナノチューブの表面と緊密に接触される。チタン層が第二カーボンナノチューブの表面に設置され、銅層がチタン層の表面に設置される。

【0026】

絶縁層２１０の材料が絶縁材料であり、例えば、窒化ケイ素や酸化シリコンなどの硬質材料、またはベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）、ポリエステル、アクリル樹脂などの可撓性材料であってもよい。絶縁層２１０の厚さが２ナノメートル～１００マイクロメートルである。本実施例において、絶縁層の材料が酸化シリコンであり、その厚さは５０ナノメートルである。

【0027】

ゲート電極２０８が導電材料からなり、導電材料が金属、ＩＴＯ、ＡＴＯ、導電銀テープ、導電性ポリマー又は導電カーボンナノチューブ等である。金属材料がアルミニウム、銅、タングステン、モリブデン、金、チタン、パラジウム又は任意の組み合わせの合金である。本実施例において、ゲート電極２０８が層状の構造体であり、絶縁層２１０がゲート電極２０８の表面に設置され、第一電極２０２、第二電極２０４及び太陽電池ユニット２０６が絶縁層２１０に設置され、ゲート電極２０８及び絶縁層２１０に支持される。

【0028】

本実施例の太陽電池２００が応用される時には、半導体構造体１０４に照射され、半導体構造体１０４と、第一カーボンナノチューブと、第二カーボンナノチューブとは、ファンデルワールスヘテロ接合構造を形成するので、光起電力効果を生成して、光エネルギーを電気エネルギーに変換する。

【符号の説明】

【0029】

１００ 太陽電池
１０２ 背面電極
１０４ 半導体構造体
１０４２ ｎ型半導体層
１０４４ ｐ型半導体層
１０６ 前面電極
１０８ 多層構造体
２００ 太陽電池
２０２ 第一電極
２０４ 第二電極
２０６ 太陽電池ユニット
２０８ ゲート電極
２１０ 絶縁層

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】