特許 7314413 金属セラミック基板および該金属セラミック基板の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2023-07-14

(45)【発行日】2023-07-25

(54)【発明の名称】金属セラミック基板および該金属セラミック基板の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H05K 7/20 20060101AFI20230718BHJP

   H01L 23/13 20060101ALI20230718BHJP

   H05K 1/02 20060101ALI20230718BHJP

   H05K 3/00 20060101ALI20230718BHJP

【ＦＩ】

H05K7/20 B

H01L23/12 C

H05K1/02 F

H05K3/00 X

【請求項の数】 13

(21)【出願番号】P 2022531608

(86)(22)【出願日】2020-10-19

(65)【公表番号】

(43)【公表日】2023-02-28

(86)【国際出願番号】 EP2020079346

(87)【国際公開番号】W WO2021121728

(87)【国際公開日】2021-06-24

【審査請求日】2022-05-27

(31)【優先権主張番号】102019135146.4

(32)【優先日】2019-12-19

(33)【優先権主張国・地域又は機関】DE

(73)【特許権者】

【識別番号】515063390

【氏名又は名称】ロジャーズ ジャーマニー ゲーエムベーハー

【氏名又は名称原語表記】Ｒｏｇｅｒｓ Ｇｅｒｍａｎｙ ＧｍｂＨ

【住所又は居所原語表記】Ａｍ Ｓｔａｄｔｗａｌｄ ２， Ｄ－９２６７６ Ｅｓｃｈｅｎｂａｃｈ， Ｇｅｒｍａｎｙ

(74)【代理人】

【識別番号】100116322

【弁理士】

【氏名又は名称】桑垣 衛

(72)【発明者】

【氏名】ギル、ビタリ

(72)【発明者】

【氏名】マチュー、オリヴィエ

(72)【発明者】

【氏名】ポルスター、セバスチャン

【審査官】齊藤 健一

(56)【参考文献】

【文献】特開２００４－２２９１４（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００４－１１５３３７（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００８－２１８９３８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１１－１６６１２２（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１３－６２５０６（ＪＰ，Ａ）

【文献】特表２０１４－５３４９４６（ＪＰ，Ａ）

【文献】特表２０１５－５３４２８０（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第２０１９／１６６２５９（ＷＯ，Ａ１）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２３／１３―２３／１５

Ｈ０１Ｌ ２３／３６―２３／３７３

Ｈ０５Ｋ １／００―３／４６

Ｈ０５Ｋ ７／２０

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

電気部品用のキャリア基板（１）であって、
セラミックを含む材料または１つ以上のセラミック層を含む複合材料を好ましくは有する絶縁層（１０）と、
部品側（ＢＳ）に形成されて第１の一次構造（２１）を有する部品メタライゼーション（２０）と、
前記部品側（ＢＳ）の反対の冷却側（ＫＳ）に形成されて第２の一次構造（３１）を有する冷却部メタライゼーション（３０）と
を備え、
前記絶縁層（１０）、前記部品メタライゼーション（２０）、および前記冷却部メタライゼーション（３０）は、積層方向（Ｓ）に沿って上下に配置され、
前記第１の一次構造（２１）および前記第２の一次構造（３１）は、前記積層方向（Ｓ）から見て、少なくとも部分的に一致して延びている、キャリア基板（１）において、
前記冷却部メタライゼーション（３０）は、前記冷却構造の特に一部である第２の二次構造（３２）を有し、
前記第２の一次構造（３１）は、第２の深さ（Ｔ２）および第２の幅（Ｂ２）を有し、前記第２の二次構造（３２）は、別の第２の深さ（Ｔ２’）および別の第２の幅（Ｂ２’）を有し、前記第２の深さ（Ｔ２）は、前記別の第２の深さ（Ｔ２’）よりも大きいかまたは小さいことと、
前記第２の幅（Ｂ２）は、前記別の第２の幅（Ｂ２’）よりも大きいかまたは小さいことと
のうち少なくとも一方を備えることを特徴とするキャリア基板（１）。

【請求項2】

前記第２の一次構造（３１）は冷却構造の一部である、請求項１に記載のキャリア基板（１）。

【請求項3】

前記部品メタライゼーション（２０）は、前記積層方向（Ｓ）に寸法が定められた第１の厚さ（Ｄ１）を有し、前記第１の厚さ（Ｄ１）は少なくとも１ｍｍ、好ましくは１．３ｍｍより大きく、より好ましくは１．５ｍｍから３ｍｍの間である、請求項１または２に記載のキャリア基板（１）。

【請求項4】

前記冷却部メタライゼーション（２０）は第２の厚さ（Ｄ２）を有し、前記第２の厚さ（Ｄ２）に対する前記第１の厚さ（Ｄ１）の比は、０．２から０．９、好ましくは０．５から０．８、より好ましくは０．６から０．７５の値をとる、請求項１乃至３のいずれか一項に記載のキャリア基板（１）。

【請求項5】

前記第２の一次構造（３１）は残留金属厚さ（ＲＤ）を有し、前記第２の厚さ（Ｄ２）に対する前記残留金属厚さ（ＲＤ）の比は、０．０１から０．７の間、好ましくは０．０５から０．４の間、より好ましくは０．１から０．３の間の値を好ましくはとる、請求項１乃至４のいずれか一項に記載のキャリア基板（１）。

【請求項6】

前記第２の厚さ（Ｄ２）と前記第２の深さ（Ｔ２）との間の差は第１の厚さ（Ｄ１）に実質的に等しい、請求項１乃至５のいずれか一項に記載のキャリア基板（１）。

【請求項7】

前記冷却部メタライゼーション（３０）は、前記絶縁層（１０）に対して直接的に接合されている、請求項１乃至６のいずれか一項に記載のキャリア基板（１）。

【請求項8】

前記第１の一次構造（２１）および前記第２の一次構造（３１）間の前記積層方向（Ｓ）に寸法が定められた一致部分に対する、前記積層方向（Ｓ）に寸法が定められた非一致部分の第１の割合の比は、０．６未満、好ましくは０．４未満、より好ましくは０．２未満である、請求項１乃至７のいずれか一項に記載のキャリア基板（１）。

【請求項9】

前記第２の一次構造（３１）は、前記絶縁層（１０）に面する端部が角形、例えば矩形状もしくは三角形状、放物線状、または円形の終端を有する、請求項１乃至８のいずれか一項に記載のキャリア基板（１）。

【請求項10】

前記第２の一次構造（３１）は、該第２の一次構造（３１）の延在方向に沿って、主延長面（ＨＳＥ）に垂直に延びる方向に少なくとも部分的に変化し、特に周期的に調整されている、請求項１乃至９のいずれか一項に記載のキャリア基板（１）。

【請求項11】

前記キャリア基板は、電気部品用の金属セラミック基板である、請求項１乃至１０のいずれか一項に記載のキャリア基板（１）。

【請求項12】

部品メタライゼーション（２０）は、前記第１の一次構造（２１）に加えて、例えば、接続および導体トラックのうち少なくとも一方が前記部品側で選択的に形成される第１の二次構造を有する、請求項１乃至１１のいずれか一項に記載のキャリア基板。

【請求項13】

請求項１乃至１２のいずれか一項に記載のキャリア基板（１）を製造する方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、金属セラミック基板および該金属セラミック基板の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

例えば金属セラミック基板の形状の電気部品用のキャリア基板は、例えば、プリント回路基板または回路基板として、例えば、特許文献１、特許文献２、および特許文献３により、従来から公知である。通常、電気部品と導体トラックとの接続領域は、金属セラミック基板の部品側に配置され、電気回路を形成するように電気部品と導体トラックを相互に接続することが可能である。金属セラミック基板の実質的な構成要素は、好ましくはセラミック製の絶縁層と、絶縁層に対して接合された金属層および／または部品メタライゼーションとを含む。比較的高い絶縁強度により、セラミック製の絶縁層は、パワーエレクトロニクスにおいて特に効果的である。金属層を構造化すると、電気部品用の導体トラックおよび／または接続領域を実現することができる。

【0003】

このようなキャリア基板、特に金属セラミック基板に関しては、一方の絶縁層と他方のメタライゼーションとの材料選択が異なることにより熱膨張係数が異なるという問題がある。これは、例えば、キャリア基板の動作中または製造中に熱が発生した際に熱機械的応力を誘発または引き起こすため、キャリア基板の曲がり又は損傷につながりかねない。したがって、従来技術では、積層方向の熱膨張係数に関して対応する対称性で曲げを打ち消すために、部品メタライゼーションとは反対側の絶縁層の側に裏面メタライゼーションを提供することが確立されている。しかしながら、部品メタライゼーションは一般に０．８ｍｍより厚くならないため、裏面メタライゼーションの対称的な設計では、対応して形成された裏面のメタライゼーションが非常に薄くなるため、過負荷の状況においてバッファを提供するよう特に所望されるような必要な熱容量を提供しない結果となる。これにもかかわらず、先行技術では、裏面メタライゼーションを構造化しないのは、銅の含有量が減少するために、主延長面に平行な方向および垂直な方向の熱流路を妨害または劣化させ、その後、空気またはフィラーで置換しなければならないためである。さらに、キャリア基板の裏面にある絶縁トレンチが満たされずに絶縁層まで伸びている場合、電気的な問題が発生し得る。

【0004】

さらに、従来技術には、冷却構造、例えばフィン状のヒートシンクがあり、これは、通常、裏面メタライゼーションに対して接合されることで、動作中または製造中に適切な放熱を提供する。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【文献】独国特許出願公開第１０２０１３１０４７３９号明細書

【文献】独国特許発明第１９９２７０４６号明細書

【文献】独国特許出願公開第１０２００９０３３０２９号明細書

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

従来技術に関して、本発明は、特に熱またはエネルギの除去の効率に関して、および熱機械的に誘発された歪みを打ち消す手段に関して、従来技術で周知のキャリア基板から改善されたキャリア基板を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本目的は、請求項１に記載の電気部品用のキャリア基板および請求項１５に記載のキャリア基板の製造方法によって達成される。本発明のさらなる効果および特性は、詳細な説明および添付の図面と共に、従属請求項によりもたらされる。

【0008】

本発明の第１の態様によれば、電気部品用のキャリア基板、特に電気部品用の金属セラミック基板が提供される。キャリア基板は、
好ましくはセラミックを含む材料または１つ以上のセラミック層を含む複合材料を有する絶縁層と、
部品側に形成されて第１の一次構造を有する部品メタライゼーションと、
部品側の反対の冷却側に形成されて第２の一次構造を有する冷却部メタライゼーションと、を備え、
絶縁層、部品メタライゼーション、および冷却部メタライゼーションは、積層方向に沿って上下に配置され、第１の一次構造および第２の一次構造は、積層方向から見て、少なくとも部分的に一致して延びる。

【0009】

従来技術から周知のキャリア基板と比較して、本発明は、第１の一次構造および第２の一次構造が、積層方向から見て少なくとも部分的に一致する。これにより部品メタライゼーションと冷却部メタライゼーションとの間の対称的な設計が大幅に向上し、キャリア基板の歪みを有利に打ち消す。換言すれば、部品メタライゼーションと裏面メタライゼーションとの間の対称的な設計は、それぞれの厚さの対応する設計に排他的に限定されるのではなく、好ましくは、第１および第２の一次構造の一致配置を設定することによって具体的に実施されるかまたは支持される。これは、部品メタライゼーションと冷却部メタライゼーションとの間の対称性を有利に増大させ、歪みを効果的に打ち消し得る。

【0010】

ここで、構造、特に第１の一次構造および第２の一次構造は、それぞれのメタライゼーション、すなわち、冷却側メタライゼーションまたは部品メタライゼーションの外側に形成される凹部または窪みを意味する。ここで、対応する凹部、すなわち、第１の一次構造および／または第２の一次構造は、主延長面に実質的に平行な延長方向に沿って延びることが好ましい。さらに、絶縁層、部品メタライゼーション、および冷却部メタライゼーションは、それぞれ主延長面に沿って延び、また主延長面に垂直な積層方向に上下に配置される。特に、冷却部メタライゼーションは、例えば、ＤＣＢまたはＡＭＢプロセスを介して、絶縁層、特に絶縁層の冷却側に対して直接的に接合される。冷却メタライゼーションは、例えば、その後に形成されてもよい。例えば、裏面メタライゼーションは、例えば、ＤＣＢまたはＡＭＢプロセスによってこの目的のために形成され、その後、網状のピン要素が裏面メタライゼーションに接合されることで、冷却部メタライゼーションを形成するフィン構造を形成する。部分的に一致した経路を参照する限り、特に第１の一次構造および第２の一次構造のそれぞれの延在方向に沿って少なくとも部分的に一致した配置が理解される。例えば、第１の一次構造、第２の一次構造、第１の二次構造、および／または第２の二次構造の構造は、エッチング、フライス加工、スタンピング、押出成形、押出し、冷間押出し、またはこれらのプロセスの組み合わせによって形成される。

【0011】

構造、すなわち第１および第２の一次構造の一致配置によって、積層方向から見た場合、構造、すなわち、冷却側メタライゼーションおよび部品メタライゼーションにおける凹部または窪みは、少なくとも部分的に重なって配置されていると理解されることが好ましい。換言すれば、積層方向から見た場合、第１の一次構造および第２の一次構造の突部が重なる。ここでは、第１の一次構造および第２の一次構造は実質的に同じ幅を有し、積層方向から見た場合に構造は完全に重なる、すなわち、第１の一次構造および第２の一次構造の境界も互いに一致するよう配置されるとも考えられる。第１の一次構造および第２の一次構造の一致配置は、第１および第２の一次構造が積層方向で部分的にのみ互いに重なり合って配置されているものとしても理解され得る。例えば、第１の一次構造および第２の一次構造の中心点または中心は、積層方向から見た場合に、上下に配置されているか、または互いにずれているとも考えられる。好ましくは、中心が互いにずれる距離は、２つの構造（すなわち、第１の一次構造または第２の一次構造）の狭い方の幅よりも小さく、好ましくは、２つの構造の狭い方の幅の５０％未満であり、より好ましくは２つの構造の狭い方の幅の２５％未満である。中心点は、冷却側メタライゼーションおよび／または部品メタライゼーションにおける構造の横方向の境界の間の中心として理解される。

【0012】

さらに、第１の一次構造または第２の一次構造の幅、好ましくは、２つの構造（すなわち、第１の一次構造および第２の一次構造）のより狭いほうまたはより広いほうに対する、積層方向から見た第１の一次構造および第２の一次構造の重なり合う領域の割合は、５０％を超える、好ましくは７５％を超える、より好ましくは９０％を超えるとも考えられる。

【0013】

さらに、積層方向から見た場合に、複数の第１の一次構造は第２の一次構造に一致して配置されるか、または積層方向で見た場合に、複数の第２の一次構造は第１の一次構造に一致して配置されることが考えられる。

【0014】

さらに、絶縁層は、セラミック層、特に単一のセラミック層で形成されることが好ましい。絶縁層は多層であり、例えば、セラミックで形成された一次層および二次層を有し、一次層と二次層との間に金属中間層が配置され、積層方向で計測した場合に、金属中間層は、一次層および／または二次層よりもより厚い、および／または１ｍｍより大きいことが考えられる。この場合、熱の分割はすでに絶縁層でサポートされ得るため放熱が促進される。したがって、本出願の趣旨の範囲内における絶縁層は、複数層から形成され得る複合体であると当業者によって理解される。また、絶縁層は、第１のセラミック材料の第１の層と第２のセラミック材料の第２の層とが積層方向に沿って上下に配置されて絶縁層を形成するハイブリッドセラミック層であるとも考えられる。

【0015】

さらに、部品メタライゼーションおよび／または冷却部メタライゼーションは、例えば、ＤＣＢプロセス、ＡＭＢプロセスによって、または薄膜技術によって、直接的にそのまま絶縁層に接合される。さらに、金属セラミック基板は、例えば、冷却側メタライゼーションまたは部品メタライゼーションの一部として、セラミック層の外側に接合される、１つ以上の金属層または金属部分を含む。金属層およびセラミック層は、主延長面に沿って延在しかつ主延長面に垂直に延在する積層方向に沿って上下に配置される。メタライゼーションまたは金属部分の材料としては、銅、アルミニウム、モリブデン、および／またはそれらの合金およびＣｕＷ、ＣｕＭｏ、ＣｕＡｌ、ＡｌＣｕおよび／またはＣｕＣｕなどのラミネート、特に第１の銅層および第２の銅層を有しかつ第１の銅層の粒径が第２の銅層とは異なる銅サンドイッチ構造が考えられる。さらに、１つ以上のメタライゼーション、特に部品メタライゼーションが表面改質されていることが好ましい。考えられる表面改質は、例えば、貴金属、特に銀および／もしくは金、もしくはＥＮＩＧ（「無電解ニッケル置換金メッキ」）によるシーリング、または亀裂の形成または膨張を抑制するための第１または第２のメタライゼーション層のエッジカプセル化である。

【0016】

好ましくは、セラミック層は、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＡｌＮ、ＨＰＳＸセラミック（すなわち、ＺｒＯ_２のｘパーセント部分を含むＡｌ_２Ｏ_３基質を有するセラミック、例えば、９％のＺｒＯ_２＝ＨＰＳ９を有するＡｌ_２Ｏ_３または２５％のＺｒＯ_２＝ＨＰＳ２５を有するＡｌ_２Ｏ_３）、ＳｉＣ、ＢｅＯ、ＭｇＯ、高密度ＭｇＯ（理論密度の９０％以上）、ＴＳＺ（正方安定化酸化ジルコニウム（ｔｅｔｒａｇｏｎａｌｌｙ ｓｔａｂｉｌｉｚｅｄ ｚｉｒｃｏｎｉｕｍ ｏｘｉｄｅ））、またはＺＴＡをセラミックの材料として含む。また、さまざまな所望の特性を組み合わせるために、材料組成が異なる複数のセラミック層を重ね合わせて接合することで絶縁層を形成する複合セラミックまたはハイブリッドセラミックとして絶縁層を設計することも考えられる。好ましくは、可能な限り低い熱抵抗のために、可能な限り伝熱性を有するセラミックが使用される。

【0017】

好ましくは、メタライゼーションは、ＡＭＢプロセスおよび／またはＤＣＢプロセスによって絶縁層に接合される。
「ＤＣＢプロセス」（銅直接接合技術（ｄｉｒｅｃｔ ｃｏｐｐｅｒ ｂｏｎｄ ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ））または「ＤＡＢプロセス」（アルミニウム直接接合技術（ｄｉｒｅｃｔ ａｌｕｍｉｎｕｍ ｂｏｎｄ ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ））は、表面側に層またはコーティング（融合層）を有する金属もしくは銅のシートまたは金属もしくは銅の箔を使用して、例えば、金属層またはシート（例えば、銅のシートもしくは箔またはアルミニウムのシートもしくは箔）を互いにおよび／またはセラミックあるいはセラミック層に接合するために使用されるようなプロセスであると当業者に理解されている。このプロセスでは、例えば米国特許第３７４４１２０号明細書または独国特許発明第２３１９８５４号明細書に記載されているように、この層またはコーティング（融合層）は、金属（例えば銅）の溶融温度より低い溶融温度で共晶を形成するため、セラミック上に箔を載せて全ての層を加熱することによって、すなわち、実質的に融合層または酸化物層の領域だけで金属または銅を溶融させることで、それらを互いに接合できる。

【0018】

特に、ＤＣＢプロセスは例えば以下の工程を有する。
・均一な酸化銅層が形成されるように銅箔を酸化する工程と、
・銅箔をセラミック層上に載せる工程と、
・複合物を１０２５°Ｃから１０８３°Ｃの間のプロセス温度、例えば約１０７１℃まで加熱する工程と、
・室温まで冷却する工程。

【0019】

例えば金属層または金属箔、特に銅層または銅箔をセラミック材料に接合するアクティブはんだ付けプロセスは、特に金属セラミック基板の製造にも使用されるプロセスを意味する。接合は、銅、銀、および／または金などの主成分に加えて活性金属も含むろう付け合金を使用して、約６００から１０００°Ｃの間の温度で金属箔（例えば銅箔）とセラミック基板（例えば窒化アルミニウムセラミック）との間に発生する。例えばＨｆ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｃｅのうちの１つ以上の元素であるこの活性金属は、化学反応によってろう付け合金とセラミックとの間の連結を確立する一方、ろう付け合金と金属との間の連結は金属ろうによる連結である。あるいは、厚膜プロセスも接合のために考えられる。

【0020】

特に好ましい実施形態によれば、第２の一次構造は冷却構造の一部である。これにより、第２の一次構造に二重の機能が与えられる。つまり、一方ではキャリア基板の対称性を増加させ、他方では冷却流体、例えば冷却液や冷却ガスを絶縁層に比較的近くに案内することで冷却流体と冷却部メタライゼーションとの間の接触面積も増加させる。これは、冷却部メタライゼーションの冷却効率に良い影響を与える。

【0021】

本発明の別の実施形態によれば、冷却部メタライゼーションは、冷却構造の特に一部である第２の二次構造を有し、第２の一次構造は、第２の深さおよび第２の幅を有し、第２の二次構造は、別の第２の深さおよび別の第２の幅を有し、
第２の深さは、別の第２の深さよりも大きいかまたは小さく、
第２の幅は、別の第２の幅よりも大きいかまたは小さい。

【0022】

特に、冷却部メタライゼーションにおける第２の二次構造は、動作中に冷却流体によって囲まれるフィン構造を提供する。第２の一次構造および第２の二次構造は、冷却流体が両方に供給される、および／またはそれに沿って冷却流体が案内される共通の冷却構造を形成することが特に好ましい。あるいは、第２の一次構造および第２の二次構造には、それぞれ、別個に冷却流体が供給されることも考えられる。第２の二次構造の別の第２の深さよりも大きい第２の深さを形成することにより、第２の一次構造は、冷却部メタライゼーションに深く突出するため、冷却流体を絶縁層の非常に近くに案内する。さらに、第２の二次構造、すなわち、第２の二次構造によって形成される特にフィン構造が、積層方向から見て、部品メタライゼーションの金属部分の下に配置されることが特に好ましく、部品メタライゼーションの金属部分は、第１の一次構造によって固定されおよび／または区切られる。各構造が深さおよび／または幅に関して調節および／または変化する限り、有効な深さまたは幅は、好ましくは、延在方向または延在方向に垂直な方向に沿ったその平均をとる。さらに、第２の深さは、１０ｍｍよりも小さい、好ましくは８ｍｍよりも小さい、特に好ましくは７．５ｍｍよりも小さい、あるいは１から５ｍｍの間の値をとることが考えられる。好ましくは、第２の深さは、１から２０ｍｍの間、好ましくは１．５から１５ｍｍの間、より好ましくは３．５から１０ｍｍの間の値をとる。

【0023】

さらに、部品メタライゼーションは、第１の一次構造に加えて、例えば、接続および／または導体トラックが部品側で選択的に生成される第１の二次構造を有することが考えられる。したがって、第２の一次構造および第２の二次構造について説明したように、第１の一次構造および第１の二次構造の深さおよび幅に関する比がここで適用される。したがって、第１の一次構造および第１の二次構造は、特に、電子モジュールおよび／またはキャリア基板内の個々のモジュール部分を互いに分離するのに役立つ。

【0024】

好ましくは、第１の一次構造は第１の幅を有し、第２の幅は第１の幅よりも大きく、特に第１の幅と第２の幅の比は、０．６から１の間、好ましくは０．７から１の間、より好ましくは、０．８から１の間の値をとる。第１の幅よりも大きい第２の幅の対応する設計により、第１の一次構造によって分離および／または制限された金属部分の真下の第２の一次構造の部分においても、冷却流体を案内することが可能である。これにより、冷却効率を上げることが可能である。あるいは、第２の幅は第１の幅よりも小さいことも考えられる。好ましくは、第２の幅と第１の幅の比は、０．６から１の間、好ましくは０．７から１の間、より好ましくは、０．８から１の間の値をとる。特に、０．８から１の間の比において、効果的な放熱および歪みに対する効果的な打ち消しの両方を誘発できるおよび／または条件付けられると分かった。好ましくは、第１の幅および／または第２の幅は、１から１０ｍｍの間、好ましくは１から８ｍｍの間、より好ましくは１から２ｍｍの間の値をとる。例えば、第１の幅および／または第２の幅は、１．４ｍｍの値をとる。好ましくは、別の第２の幅は、１ｍｍよりも大きい、好ましくは１．２よりも大きい、より好ましくは１．５ｍｍよりも大きい値をとる。

【0025】

特に好ましくは、部品メタライゼーションは、積層方向に寸法が定められた第１の厚さを有し、第１の厚さは少なくとも１ｍｍ、好ましくは１．３ｍｍより大きく、より好ましくは１．５ｍｍから３ｍｍの間または２ｍｍから４ｍｍの間である。例えば、第１の厚さは２ｍｍである。対応する比較的大きい第１の厚さにより、熱拡散は、部品メタライゼーションにおいてすでに起こり得るが、これは、キャリア基板の全体的な冷却効率に有利な効果を有する。対応する厚さ比の対称性からの逸脱は、比較的迅速におよび／または容易にキャリア基板の歪みにつながり得るため、部品メタライゼーションの対応する比較的厚い第１の厚さにより、一致する第１および第２の一次構造の設計は、特に有利である。したがって、一方での第１および第２の一次構造の一致配置と、他方での比較的大きい第１の厚さとの組み合わせは、特に有利である。

【0026】

好ましくは、冷却部メタライゼーションは第２の厚さを有し、好ましくは、第１の厚さと第２の厚さの比は、０．２から０．９の間、好ましくは０．５から０．８の間、より好ましくは０．５から０．７５の間の値をとる。および／または、第２の一次構造は、残留金属厚さを有し、第２の厚さに対する残留金属厚さの比は、０．０１から０．７の間、好ましくは０．０５から０．４の間、より好ましくは０．１から０．３の間の値をとる。第２の厚さに対する第１の厚さの比は、少なくとも１、好ましくは１から１５の間、より好ましくは１から１０の間、特に好ましくは１．５から７の間の値をとることも考えられる。

【0027】

好ましくは、残留金属厚さは、０．１から１．５ｍｍの間、好ましくは０．２から０．７の間、より好ましくは０．３から０．５ｍｍの間の値をとる。ここで、残留金属の厚さは、好ましくは、第２の厚さと別の第２の深さとの間の差とちょうど同じ厚さかまたは薄い。第２の厚さと別の第２の深さとの間の差は、第２の二次構造の領域における冷却構造の連続的に延在する部分を決定するため、絶縁層と第２の二次構造の終端との間の距離によって決定される。好ましくは、第２の厚さと別の第２の深さとの間の差は、１ｍｍよりも大きい、および／または第１の厚さよりも大きいかまたは小さい。第２の厚さと第２の深さとの間の差は第１の厚さに実質的に等しいことも考えられる。好ましくは、第２の厚さと別の第２の深さとの間の差は、０．２ｍｍから５ｍｍの間、好ましくは０．５から３．５ｍｍの間、より好ましくは１．５から２．５ｍｍの間の値をとる。

【0028】

特に、冷却部メタライゼーションにおける第２の一次構造の領域に残留金属厚さを形成することにより、冷却側の対応する熱容量を増加させることが考えられる。同時に、一致して配置された第１の一次構造および第２の一次構造の領域において、冷却側および部品側の分離が、絶縁層のみを通して行われることが回避される。これは、一致して配置されたの一次構造、すなわち第１の一次構造および第２の一次構造の領域において基板を有利に強化する。

【0029】

さらに、第２の深さと別の第２の深さとの間の差は、０．５から１．９ｍｍの間、好ましくは１．３から１．８ｍｍの間、より好ましくは１．５から１．７の間の値をとると考えられる。第２の深さと別の第２の深さとの差は、特に２つの第１の二次構造の間で連続的に延びる、冷却構造および／または冷却側メタライゼーションの固体部分の厚さを表す。

【0030】

好ましくは、別の第２の深さおよび残留厚さの合計に対する第１の厚さの比は、少なくとも０．７５、好ましくは少なくとも１、より好ましくは少なくとも２の値をとる。さらに、好ましくは、別の第２の深さおよび残留厚さの合計に対する第１の厚さの比は、０．７５から１０の間、好ましくは１から８の間、より好ましくは１．５から５の間の値をとる。

【0031】

別の第２の深さは、例えば、０．５ｍｍから３０ｍｍの間、好ましくは２から１５ｍｍの間、より好ましくは３ｍｍから１０ｍｍの間、さらには１から５ｍｍの間の値をとる。ここで、別の第２の深さは、好ましくは、フィンおよび／またはピンの長さによって決定される。別の第２の深さが１０ｍｍよりも大きいことも考えられる。

【0032】

冷却部メタライゼーションは、絶縁層に対して直接的に接合されることが好ましい。例えば、冷却部メタライゼーションの直接的な適用は、ＤＣＢまたはＡＭＢプロセスによって実施される。対応する方法で、裏面メタライゼーションが省略され、第２の一次構造および第２の二次構造を有する冷却部メタライゼーションが絶縁層に直接的に接合される。

【0033】

好ましくは、第１の一次構造および第２の一次構造間の積層方向に寸法が定められた一致部分に対する、積層方向に寸法が定められた非一致部分の第１の割合の比は、０．６未満、好ましくは０．４未満、より好ましくは０．２未満である。一致部分の対応する大部分は、キャリア基板全体にわたって対称設計を有利に支持し、それにより、キャリア基板の広い領域にわたる歪みを回避することができる。

【0034】

好ましくは、第２の一次構造は、絶縁層に面する端部が角形、例えば矩形状もしくは三角形状、放物線状、波状、または円形の終端を有する。特に、キャリア基板の意図される用途に具体的に応じて、終端が対応して形成されることが考えられる。したがって、例えば、終端の形状は、歪みおよび／または放熱効率の特性に影響を与える可能性がある。

【0035】

好ましくは、第２の一次構造は、その延在方向に沿って、主延長面に垂直に延びる方向、すなわち、延長方向に沿って少なくとも部分的に変化し、特に周期的に調整（ｐｅｒｉｏｄｉｓｃｈ ｍｏｄｕｌｉｅｒｔ）されている。このようにして別の措置をとることで、熱容量および／または歪みに対する特定の適応および／または歪みの低減を行うことができ、好ましくは、キャリア基板の計画された使用に応じて実施される。

【0036】

第２の一次構造および／または第２の二次構造は、好ましくは、例えば、絶縁層に接合する前または後に、メタライゼーションおよび／または金属部分を機械加工することによって実施することができる。構造は、エッチング、フライス加工、スタンピング、押出し、冷間押出し等により製造されると考えられる。

【0037】

本発明の別の目的は、本発明によるキャリア基板、特に電気部品用の金属セラミック基板を製造するための方法である。キャリア基板について説明した全ての特徴は、同様に方法にも当てはまり、方法について説明した全ての特徴は、同様にキャリア基板にも当てはまる。

【図面の簡単な説明】

【0038】

【図1】従来技術の実施形態によるキャリア基板の図。

【図2】別の従来技術の実施形態によるキャリア基板の図。

【図3】本発明の第１実施形態よるキャリア基板の図。

【図4】図３のキャリア基板を部品側および冷却側において上面図で見た図。

【図5a】本発明の別の例示的な実施形態による、別のキャリア基板の図。

【図5b】本発明の別の例示的な実施形態による、別のキャリア基板の図。

【図5c】本発明の別の例示的な実施形態による、別のキャリア基板の図。

【図5d】本発明の別の例示的な実施形態による、別のキャリア基板の図。

【図5e】本発明の別の例示的な実施形態による、別のキャリア基板の図。

【図5f】本発明の別の例示的な実施形態による、別のキャリア基板の図。

【図5g】本発明の別の例示的な実施形態による、別のキャリア基板の図。

【図5h】本発明の別の例示的な実施形態による、別のキャリア基板の図。

【図6a】本発明の別の例示的な実施形態による、別のキャリア基板の図。

【図6b】本発明の別の例示的な実施形態による、別のキャリア基板の図。

【図6c】本発明の別の例示的な実施形態による、別のキャリア基板の図。

【図6d】本発明の別の例示的な実施形態による、別のキャリア基板の図。

【図7】本発明の例示的な第２実施形態よるキャリア基板の図。

【図8】本発明の例示的な第３実施形態よるキャリア基板の図。

【発明を実施するための形態】

【0039】

さらなる効果および特徴は、添付の図面を参照に、本発明の対象の好ましい実施形態の以下の説明から明らかになる。ここで、個々の実施形態の個々の特徴は、本発明の範囲内で互いに組み合わせることができる。

【0040】

図１は、従来技術の実施形態によるキャリア基板１を示している。電気または電子部品用のこのようなキャリア基板１の実質的な構成要素は、絶縁層１０である。絶縁層１０は、部品メタライゼーション２０が接続されている部品側ＢＳまで、実質的に主延長面ＨＳＥに沿って延びる。特に第１の一次構造２１の形状で部品メタライゼーション２０に対応する構造によって、部品メタライゼーション２０が、特に金属表面および／または導体トラックの形状で、互いに絶縁された個々の金属部分を有することが確実になる。この目的のために、一次構造２１は、絶縁層１０まで延在する。特に、第１の一次構造２１、または一般的な用語である構造は、対応するメタライゼーションにおける凹部または溝の形成を意味すると当業者によって理解される。部品メタライゼーション２０内の第１の一次構造２１の場合、第１の一次構造２１は、一次構造２１によって互いに離間されている個々の金属部分を互いに絶縁する絶縁トレンチである。次に、電気または電子部品を、部品メタライゼーション層２１の個々の金属部分に接続することができる。

【0041】

特に絶縁層１０および部品メタライゼーション２０に起因する異なる熱膨張係数のために、例えば、キャリア基板１の製造プロセス中および／または動作中に起こる熱発生の場合に、歪みが発生する可能性がある。これは、キャリア基板１の歪みにつながる可能性があり、場合によってはキャリア基板１の損傷または破損にさえつながる可能性がある。これを防ぐために、対応する曲がりを打ち消す裏面メタライゼーション２５を適用することが従来技術から知られている。部品メタライゼーション２０に通常使用される第１の厚さＤ１、例えば最大０．８ｍｍで、特に厚さに関して部品メタライゼーション２０に対称に裏面メタライゼーション２５を設計することが特に有利である。キャリア基板１の製造プロセス中および／または動作中に発生する熱は、特に例えばＡＭＢプロセスまたはＤＣＢプロセスによって裏面メタライゼーション２５に接続された冷却構造を介して、最終的に部品側ＢＳから伝導される。さらに、部品メタライゼーション２０、絶縁層１０、および冷却部メタライゼーション３０は、特に主延長面ＨＳＥに対して垂直である積層方向Ｓに沿って上下に配置される。ただし、対称性に必要な裏面メタライゼーション２５は、特に裏面メタライゼーション２５がバッファ層として機能することを目的とした過負荷の場合、厚みが薄いために熱インピーダンスに対する熱容量の点で不十分であることが多い。

【0042】

図２は、別の先行技術の実施形態による別のキャリア基板１を示す。図２に示される例示的な実施形態は、部品メタライゼーション２０および冷却部メタライゼーション３０が、絶縁層１０の両側で絶縁層１０に対して直接的にまたは垂直に接合されたキャリア基板１を示している。ここでは、部品メタライゼーション２０は、少なくとも１ｍｍ、好ましくは１．３ｍｍを超える、より好ましくは１．５から３ｍｍの値をとる第１の厚さＤ１を有する。さらに、部品側ＢＳの反対側のキャリア基板１の冷却側ＫＳにおいて、冷却部メタライゼーション３０は、図１の例示的な実施形態における裏面メタライゼーション２５よりも大きく、好ましくは第１の厚さＤ１に実質的に相当する第２の厚さＤ２を有する。この比較的大きな冷却側メタライゼーション３０は、十分なバッファおよび所望の熱容量を提供するが、部品メタライゼーション２０および冷却側メタライゼーション３０のこのような実施形態では、キャリア基板１全体の歪みを回避するための対称性の要件が増大する。

【0043】

図３は、本発明の第１の例示的な実施形態によるキャリア基板１を示す。図示された実施形態において、キャリア基板１は、部品側ＢＳ上の第１の一次構造２１に加えて、キャリア基板１の冷却側ＫＳ上の第２の一次構造３１を有する。特に、第１の一次構造２１および第２の一次構造３１は、積層方向Ｓから見て、少なくとも部分的に、例えば、積層方向Ｓに対して垂直に延びる方向に沿って、互いに一致するよう配置される。図３に示される実施形態では、冷却部メタライゼーション３０は、第２の一次構造３１に加えて第２の二次構造３２を有する。特に、第２の二次構造３２は、金属部分の下に第１の一次構造２１によって区画され、および／または少なくとも部分的に境界が定められたフィン構造を形成する。ここでは、第２の二次構造３２は別の第２の深さＴ２’を有し、第２の一次構造３１は第２の深さＴ２を有し、第２の深さＴ２は別の第２の深さＴ２’よりも大きい。換言すれば、第２の一次構造３１は、第２の二次構造３２よりも冷却部メタライゼーション３０の奥深くまで延びる。

【0044】

さらに、第２の一次構造３１は第２の幅Ｂ２を有し、第２の二次構造３２は別の第２の幅Ｂ２’を有し、第２の幅Ｂ２は別の第２の幅Ｂ２’よりも大きい。さらに、特に好ましくは、部品メタライゼーション２０とは対照的に、冷却部メタライゼーション３０において、第２の一次構造３１は、絶縁層１０まで突出および／または延在しない。換言すれば、第１の一次構造２１および第２の一次構造３１の一致領域または部分において、絶縁層１０に面する第２の一次構造３１の端部に残留メタライゼーションが形成される。結果として、冷却部メタライゼーションの第２の深さＴ２は、冷却部メタライゼーション３０の第２の厚さＤ２よりも小さい。好ましくは、第２の厚さＤ２と第２の深さＴ２との間の差は、残留金属厚さＲＤに一致し、第２の厚さＤ２に対する残留金属厚さＲＤの比は、０．０１から０．７の間、好ましくは０．０５から０．４の間、より好ましくは、０．１から０．３の間の値をとる。

【0045】

特に、残留金属厚さＲＤを選択的に調整することにより、キャリア基板１の冷却側ＫＳの冷却効率をキャリア基板１の計画された要件に適合させることができる。第１の一次構造２１および第２の一次構造３１の一致配置により、有利な方法で、特に比較的大きな第１の厚さＤ１、すなわち、第１の厚さＤ１が１ｍｍより大きく、好ましくは１．３ｍｍより大きく、より好ましくは１．５から３ｍｍの間を有するそのようなキャリア基板１の場合、対応する歪みを打ち消すように、部品側ＢＳと冷却側ＫＳとの間の対称性を改善することがさらに可能である。

【0046】

特に、部品メタライゼーション２０において、第１の厚さＤ１は、第１の一次構造２１の第１の深さＴ１に一致する。さらに、部品メタライゼーション２０は、第１の一次構造２１に加えて、第１の二次構造（図示せず）も有することも考えられる。この場合、特に、第２の一次構造３１および第２の二次構造３２について説明した幅と深さとの比は、第１の一次構造２１および第１の二次構造に同様に適用される。

【0047】

特に、第２の一次構造３１は、キャリア基板１を冷却するために使用される冷却構造の一部である。ここで、特に第２の一次構造３１は、第２の二次構造３２と共に共通の冷却構造を形成する。ここで、動作中に、冷却構造、すなわち、特に第２の一次構造３１は、適切な放熱を与えるよう冷却流体を案内するために使用される。特に別の第２の深さＴ２’よりも大きい第２の深さＴ２を有する第２の一次構造３１を冷却部メタライゼーション３０に導入することにより、キャリア基板１の歪みを打ち消す、必要な対称性を実現することと、同時に、放熱流体と冷却部メタライゼーション２０との間の接触面積が増加することを確実にすることの両方が有利な方法で可能になる。これは、キャリア基板１の冷却効率に良い影響を与える。

【0048】

さらに、いわゆる「プルバック」、すなわち、主延長面ＨＳＥに平行に延びる方向における部品メタライゼーション２０または冷却部メタライゼーション３０の最外縁に対する絶縁層１０の突部が提供される。ここで、部品側ＢＳの突起は、冷却部側ＫＳの突起と異なってもよい。好ましくは、特に部品側ＢＳの突部は、０．５ｍｍを超える第１の長さＬ１にわたって延在する。これにより、部品側ＢＳと冷却部側ＫＳの間の電気的フラッシュオーバーが防止される。

【0049】

図４では、図３のキャリア基板１が、部品側ＢＳ（上）および冷却側ＫＳ（下）の上面図に示される。部品メタライゼーション２０は、第１の一次構造２１によって矩形状の金属部分に分割されることが分かる。ここで、部品メタライゼーション２０の金属部分は、大きな表面積を有するが第１の二次構造を有さない。さらに、第２の二次構造３２を有する部分は、第１の一次構造２１によって互いに離間されている金属部分の積層方向Ｓから見て下に配置される。さらに、第２の一次構造３１は、冷却部メタライゼーション３０の全幅にわたって、積層方向Ｓに対して垂直な短手方向に延在することが分かる。

【0050】

図５Ａ乃至５Ｈは、本発明の別の例示的な実施形態による別のキャリア基板１を示す。例えば、図５Ａは、第１の一次構造２１および第２の一次構造３１の両方がそれぞれ絶縁層１０まで延在および／または到達するキャリア基板１を示す。すなわち、この例示的な実施形態では、第２の一次構造３１の第２の深さＴ２は、冷却部メタライゼーション３０の第２の厚さＤ２に一致する。

【0051】

これに対して、図５Ｂでは、残留金属厚さＲＤが、図示の実施形態の第２の一次構造３１に与えられている。例えば図５Ａに示すように、残留金属厚さＲＤを完全に無くした場合、特に対称度が比較的大きくなる。第２の一次構造３１の残留金属厚さＲＤにより、対応する残留金属厚さＲＤもまた、キャリア基板１の冷却効率に寄与することができる。

【0052】

図５Ｃでは、残留金属厚さＲＤは図５Ａよりも大きい。これにより、冷却部メタライゼーション３０の冷却効率および／または熱容量特性が向上する。そのような例では、対称性の喪失を適切に補償するために、第２の厚さＤ２が減少し、および／または別の第２の深さＴ２’が減少することが特に好ましい。

【0053】

図５Ｄの例示的な実施形態では、第２の一次構造３１の第２の幅Ｂ２は、第１の一次構造２１の第１の幅Ｂ１よりも大きいが、図５Ｅの例示的な実施形態では、第２の幅Ｂ２は、第１の幅Ｂ１よりも小さい。

【0054】

図５Ｆは、特に絶縁層１０の方向に先細りになる第２の一次構造３１を示す。例えば、絶縁層１０に面する端部は、三角形および／または先細端部を形成する。特にこの場合、積層方向Ｓから見て、別の第２の深さＴ２’の後またはそれと共に、すなわちフィン構造の後で先細りが始まる。さらに、終端が直線および／または湾曲した部分を有することも考えられる。

【0055】

図５Ｇでは、第２の一次構造３１は、絶縁層１０に面するその端部が放物線状および／または円形である。
図５Ｈでは、冷却側ＫＳに面する第２の一次構造３１に加えて、冷却部メタライゼーション３０と絶縁層１０との間に自由空間または自由領域２８が与えられている。特に、示される実施形態では、自由領域２８は、積層方向Ｓに平行および、特に、第２の一次構造３１の延長方向に垂直な断面において三角形の断面を有する。そのような自由領域２８は、特に冷却部メタライゼーション３０の接合前に冷却メタライゼーション３０に入れることができ、その結果、冷却部メタライゼーション３０の絶縁層１０への接合プロセスの後に、対応する自由領域２８が冷却部メタライゼーション３０と絶縁層１０との間に形成される。自由領域２８に関連する断面は、第２の一次構造３１に関連する断面よりも小さいまたは大きい。

【0056】

図６Ａ乃至６Ｄは、本発明の別の例示的な実施形態による別のキャリア基板１を示す。特に、異なる実施形態においては、積層方向Ｓに垂直なその延在方向に沿った第２の一次構造３１の構成が異なる。例えば、図６Ａの部品側ＢＳおよび／または部品側ＢＳの上面図は、第２の一次構造３１がその延在長さおよび／または方向に沿って中断することなく、特に冷却部メタライゼーション３０の全幅（ここでは第１の一次構造２１の延在長さに沿って測定される）にわたる第２の幅Ｂ２（一般的な延在方向に垂直に測定される）を変更することなく延在し、および／または冷却部メタライゼーション３０の全長にわたって延在することを示す。

【0057】

図６Ｂに示される実施形態では、第２の一次構造３１は、その延在長さに沿って、特に積層方向Ｓに垂直に延びる方向に沿って中断される。これにより、第２の一次構造３１の比較的短い領域を形成し、延長方向に対して垂直に寸法が定められた第２の幅Ｂ２は、延長方向に対して平行に寸法が定められた長さよりも大きい。これにより、冷却部メタライゼーション２０の割合が増加し、冷却部メタライゼーション２０の熱容量が増加する。

【0058】

図６Ｃおよび図６Ｄでは、第２の一次構造３１は周期的に調整されており、主延長面ＨＳＥに平行な面において、図６Ｃにおいては円形または楕円形の断面を形成し、および／または図６Ｄにおいては菱形の断面を形成する。第２の一次構造３１の幾何学的形状が異なることによって、特に、キャリア基板１の意図された使用のための対称性および熱容量に関する所望の要件へ簡単に適応することが可能になる。

【0059】

図７は、本発明の第２の例示的な実施形態によるキャリア基板１を示す。図７に示す例示的な実施形態は、主延長面ＨＳＥに平行に延びる方向において、裏面メタライゼーション２５または冷却部メタライゼーション３０が絶縁層１０に対して突出している点で異なる。ここで、裏面メタライゼーション２５または冷却部メタライゼーション３０は、構造、特に、絶縁層１０に対して部分が突出および／または張り出している裏面メタライゼーション２５または冷却部メタライゼーション３０の第２の一次構造３１および第２の一次構造３２を継続することが好ましい。このような張り出しは、特にキャリア基板１の縁領域において、熱拡散に有利な効果を有し、また流体案内を裏面メタライゼーション２５または冷却部メタライゼーション３０に接続することが可能なシーリング要素、例えばシールリングを封止または受容するために使用可能であることが好ましい。さらに、主延長平面ＨＳＥに平行な方向において、突出する第２の二次構造３２を有する部分は、２つの第２の一次構造３１の間の非突出の第２の二次構造３２よりも短い。

【0060】

第２の一次構造３１の１つは、主延長面ＨＳＥに垂直な方向で部品メタライゼーション２０の最外縁と一致および／または面一になるように設計されることが好ましい。これにより、例えば、部品メタライゼーション２０の最外縁領域に誘発された応力を、裏面メタライゼーション２５または冷却部メタライゼーション３０および／またはキャリア基板１から分離するまたは弱めることが可能になる。

【0061】

図８は、本発明の第３の例示的な実施形態によるキャリア基板１を示す。ここで、図８の実施形態は、絶縁層１０がマルチパートである、すなわち、主延長面ＨＳＥに平行に延在する平面に互いに隣接して配置された複数の絶縁層１０であるという点で、特に図２または７の実施形態とは異なる。例えば、連続する絶縁層１０は、この目的のために複数の別個の部分に分割される。さらに、第２の三次構造３３は、２つの隣接する、特に直接的に隣接する別個の絶縁層１０の間の分離領域の下に一致するよう設けられる。ここで、第２の三次構造３３は、第２の深さＴ２に一致する深さを有する。第２の三次構造３３の深さは、第２の深さＴ２または別の第２の深さＴ２’よりも大きいかまたは小さいことも考えられる。同じことが、第２の三次構造３３に与えられる幅にも同様に当てはまる。さらに、第２の三次構造３３の幅は、２つの隣接する絶縁層１０の間の距離よりも小さい。

【符号の説明】

【0062】

１ キャリア基板
１０ 絶縁層
２０ 部品メタライゼーション
２１ 第１の一次構造
２５ 裏面メタライゼーション
２８ 自由領域
３０ 冷却部メタライゼーション
３１ 第２の一次構造
３２ 第２の二次構造
３３ 第２の三次構造
ＫＳ 冷却側
ＢＳ 部品側
Ｄ１ 第１の厚さ
Ｄ２ 第２の厚さ
ＲＤ 残留金属厚さ
Ｂ１ 第１の幅
Ｂ２ 第２の幅
Ｂ２’ 別の第２の幅
Ｔ１ 第１の深さ
Ｔ２ 第２の深さ
Ｔ２’ 別の第２の深さ
Ｌ１ 第１の長さ
Ｓ 積層方向
ＨＳＥ 主延長面

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5A】

【図5B】

【図5C】

【図5D】

【図5E】

【図5F】

【図5G】

【図5H】

【図6A】

【図6B】

【図6C】

【図6D】

【図7】

【図8】