優れた高耐熱性と電気特性を有する材料として、ＰＩの低誘電率化が提案されている。ＰＩはそのモノマーであるジアミンの設計の多様性から、低誘電率化の分子設計には魅力的な材料である。ＰＩの低誘電率化の基本的な考えは、高誘電率に寄与するイミド基濃度をどのように希釈（低減）していくかにある。ＰＩ中のイミド基濃度を下げるには，芳香族ジアミンとして代表的なオキシジアニリンのような二核体に代え、三核以上の芳香環を有するジアミンを採用するのが有効である。しかし、イミド基濃度を下げる分、ＰＩの耐熱性を損なうことになる。イミド基濃度を下げ、なおかつ耐熱性を損なわないようにするには、芳香環に嵩高い炭化水素を導入し、芳香族アミン部位のエーテル結合や、イミド環と芳香環との単結合の自由回転を規制し、ポリイミド主鎖の一次運動を阻害するのが有効である。

本発明者らは、のようなビス（アミノフェノキシ）ベンゼンの問題点を鋭意検討した結果、アミノフェノキシ又はニトロフェノキシを有し三核体である、ビス（アミノ又はニトロフェノキシ）ベンゼン化合物であって、３つの芳香環が夫々少なくとも１のアルキル基又はアルコキシ基を有する新規の化合物を製造し、本発明を成すに至った。