特許 7316331 基板処理装置および基板処理方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2023-07-19

(45)【発行日】2023-07-27

(54)【発明の名称】基板処理装置および基板処理方法

(51)【国際特許分類】

   B05C 5/02 20060101AFI20230720BHJP

   B05C 11/00 20060101ALI20230720BHJP

   B05C 13/02 20060101ALI20230720BHJP

   B05D 1/26 20060101ALI20230720BHJP

   B05D 3/00 20060101ALI20230720BHJP

【ＦＩ】

B05C5/02

B05C11/00

B05C13/02

B05D1/26 Z

B05D3/00 D

【請求項の数】 11

(21)【出願番号】P 2021142953

(22)【出願日】2021-09-02

(65)【公開番号】P2023036124

(43)【公開日】2023-03-14

【審査請求日】2022-04-14

(73)【特許権者】

【識別番号】000207551

【氏名又は名称】株式会社ＳＣＲＥＥＮホールディングス

(74)【代理人】

【識別番号】100105935

【弁理士】

【氏名又は名称】振角 正一

(74)【代理人】

【識別番号】100136836

【弁理士】

【氏名又は名称】大西 一正

(72)【発明者】

【氏名】柏野 翔伍

(72)【発明者】

【氏名】大宅 宗明

(72)【発明者】

【氏名】高村 幸宏

(72)【発明者】

【氏名】西岡 賢太郎

(72)【発明者】

【氏名】塩田 明仁

【審査官】横山 敏志

(56)【参考文献】

【文献】特開２０００－０２４５７１（ＪＰ，Ａ）

【文献】韓国公開特許第１０－２０１０－００７２６１７（ＫＲ，Ａ）

【文献】特開２００２－００１１９５（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００６－２２４０８９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００６－１６７６１０（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０２０－０３２３６２（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１８－０４３２００（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０２１－０４５７２１（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｂ０５Ｃ １／００－２１／００

Ｂ０５Ｄ １／００－ ７／２６

Ｊａｐｉｏ－ＧＰＧ／ＦＸ

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板の表面に処理液を塗布する基板処理装置であって、
スリット状の吐出口を有するスリットノズルと、

前記基板に対して前記スリットノズルを相対的に移動させる移動機構と、

前記移動機構により前記スリットノズルが前記基板に対して相対的に進行するノズル進行方向において前記スリットノズルの前方側に配置され、前記スリットノズルと一体的に移動するノズルガードと、

前記スリットノズルと前記ノズルガードを一体的に昇降させる昇降機構と、

前記スリットノズルによる前記処理液の塗布が開始される前に、前記昇降機構により下降する前記ノズルガードの先端が前記基板の表面側で上方に突出して前記処理液の塗布を阻害する突出物に衝突したことを検知する衝突検知部と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。

【請求項2】

請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記衝突検知部は、前記ノズルガードの先端が前記突出物に衝突したときに、前記ノズルガードおよび前記スリットノズルの少なくとも一方に印加される応力または上下方向への振動に基づいて前記ノズルガードの前記突出物への衝突を検知する基板処理装置。

【請求項3】

請求項２に記載の基板処理装置であって、
前記衝突検知部は、前記ノズルガードおよび前記スリットノズルの少なくとも一方に取り付けられて上方に印加される応力を検知するロードセルを有する基板処理装置。

【請求項4】

請求項２に記載の基板処理装置であって、
前記衝突検知部は、前記ノズルガードおよび前記スリットノズルの少なくとも一方に取り付けられて上下方向の振動を検知する振動センサを有する基板処理装置。

【請求項5】

請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記ノズルガードの後端部を前記スリットノズルに対して支持するガード支持部を備え、
前記ノズルガードは、前記スリットノズルと一体的に下降している途中で前記ノズルガードの前記先端が前記突出物に衝突するのに応じて変位可能に前記ガード支持部に支持され、
前記衝突検知部は、前記ノズルガードの上方への変位に基づいて前記ノズルガードの前記突出物への衝突を検知する基板処理装置。

【請求項6】

請求項５に記載の基板処理装置であって、
前記ノズルガードは、上下方向においてスライド自在に前記ガード支持部に支持され、
前記衝突検知部は、前記ノズルガードの前記先端が前記突出物に衝突するのに応じて前記ノズルガードが上方に変位するのを検知する位置センサを有する基板処理装置。

【請求項7】

請求項５に記載の基板処理装置であって、
前記ノズルガードは、前記後端部が前記ガード支持部に回転自在に軸支された軸支点を中心に、揺動自在に前記ガード支持部に支持され、
前記衝突検知部は、前記ノズルガードの前記先端が前記突出物に衝突するのに応じて前記ノズルガードが前記軸支点まわりに揺動した角度を検知する角度検知センサを有する基板処理装置。

【請求項8】

請求項１に記載の基板処理装置であって、
ステージ面に設けた気体孔を通る気体流により前記ステージ面上に形成した圧力気体層によって前記基板を浮上させる浮上部を備え、
前記スリットノズルは前記ステージ面の上方に配置され、
前記移動機構は、前記浮上部により前記ステージ面から浮上された前記基板を、前記スリットノズルおよび前記ノズルガードと前記ステージ面とで挟まれた塗布領域を通過するように移動させ、
前記衝突検知部は、前記塗布領域における前記基板の浮上量の変化に基づいて前記ノズルガードの前記突出物への衝突を検知する基板処理装置。

【請求項9】

請求項８に記載の基板処理装置であって、
前記衝突検知部は、前記浮上量を計測する浮上量計測部を有し、前記ノズルガードの前記先端が前記突出物に衝突するのに応じて前記浮上量計測部により計測される前記浮上量の変化を検知する基板処理装置。

【請求項10】

請求項８に記載の基板処理装置であって、
前記衝突検知部は、前記気体流の圧力を計測する圧力計測部を有し、前記ノズルガードの前記先端の前記突出物への衝突に伴う前記浮上量の変化に対応する前記圧力計測部により計測される前記圧力の変化を検知する基板処理装置。

【請求項11】

スリットノズルの吐出口を基板の表面に近接させた状態で前記吐出口から処理液を吐出しながら前記基板に対して前記スリットノズルを相対的に移動させることで、前記基板の表面に前記処理液を塗布する基板処理方法であって、
前記スリットノズルによる前記処理液の塗布が開始される前に、前記スリットノズルが前記基板に対して相対的に進行するノズル進行方向において前記スリットノズルの前方側に配置された、ノズルガードと一体的に前記スリットノズルを下降させて前記吐出口を前記基板の表面に近接させる下降工程と、
前記下降工程において、前記ノズルガードの先端が前記基板の表面側で上方に突出して前記処理液の塗布を阻害する突出物に衝突したか否かを検知する衝突検知工程と、
を備えることを特徴とする基板処理方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

この発明は、液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置等のＦＰＤ用ガラス基板、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、カラーフィルター用基板、記録ディスク用基板、太陽電池用基板、電子ペーパー用基板等の精密電子装置用基板、半導体パッケージ用基板（以下、単に「基板」と称する）にスリットノズルから処理液を供給して塗布する基板処理技術に関するものである。

【背景技術】

【0002】

スリット状の吐出口を有するスリットノズルを基板に対して相対移動させつつスリットノズルから処理液を吐出することで、基板に処理液を塗布する基板処理装置が知られている。例えば特許文献１に記載の装置では、ステージのステージ面で基板を保持したまま当該ステージ面の上方でスリットノズルを移動させて処理液を塗布する。一方、特許文献２に記載の装置では、ステージのステージ面の上方でスリットノズルを所定の塗布位置に位置させたまま、いわゆる浮上方式で基板を移動させる。より詳しくは、ステージ面に設けた気体孔を通る気体流によりステージ面上に形成した圧力気体層によって基板を浮上させながら当該基板をスリットノズルとステージ面とで挟まれた塗布領域を通過するように移動させて処理液を塗布する。このように基板の搬送方式が異なるものの、いずれの装置においても、ノズルガードが設けられている。これは、基板の表面側で上方に異物や隆起物などが突出していることがあるのを考慮したものである。すなわち、これらの突出物が存在したまま処理液の塗布を実行すると、スリットノズルが突出物に衝突することで、処理液の塗布が阻害される。つまり、上記衝突により、塗布した処理液やスリットノズルに悪影響が及ぶことがある。そこで、上記従来装置では、スリットノズルが基板に対して相対的に進行するノズル進行方向においてスリットノズルの前方側にノズルガードが配置されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開２００６－１０２６０９号公報

【文献】特開２０１１－２１２５４４号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

上記基板処理装置では、基板に対してスリットノズルを相対移動させて塗布処理を実行する前に、スリットノズルが基板から上方に離れた位置から塗布位置に下降して吐出口を基板の表面近傍に位置する。このとき、スリットノズルと一体的に昇降するノズルガードも、スリットノズルと一体的に下降し、ノズルガードの先端（下端）が基板の表面近傍に位置する。このノズルガードの直下位置に異物や隆起物などの突出物が存在すると、ノズルガードが突出物を上方から衝突して踏み付けることがある。

【0005】

しかしながら、従来技術では、上記踏み付けを検知することは考慮していない。つまり、突出物の存在を検知することができないケースがあり、突出物を踏み付けたままノズルガードがスリットノズルと一体的に基板に対して相対移動することがある。その結果、基板やスリットノズルに悪影響を与えることがある。

【0006】

この発明は上記課題に鑑みなされたものであり、スリットノズルと一体的に下降するノズルガードが突出物を踏み付けて基板への処理液の塗布に悪影響を及ぼすのを未然に防止することができる基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本発明の一態様は、基板の表面に処理液を塗布する基板処理装置であって、スリット状の吐出口を有するスリットノズルと、
基板に対してスリットノズルを相対的に移動させる移動機構と、 移動機構によりスリットノズルが基板に対して相対的に進行するノズル進行方向においてスリットノズルの前方側に配置され、スリットノズルと一体的に移動するノズルガードと、
スリットノズルとノズルガードを一体的に昇降させる昇降機構と、スリットノズルによる処理液の塗布が開始される前に、 昇降機構により下降するノズルガードの先端が基板の表面側で上方に突出して処理液の塗布を阻害する突出物に衝突したことを検知する衝突検知部と、を備えることを特徴としている。

【0008】

また、本発明の他の態様は、スリットノズルの吐出口を基板の表面に近接させた状態で吐出口から処理液を吐出しながら基板に対してスリットノズルを相対的に移動させることで、基板の表面に処理液を塗布する基板処理方法であって、スリットノズルによる処理の塗布が開始される前に、スリットノズルが基板に対して相対的に進行するノズル進行方向においてスリットノズルの前方側に配置された、ノズルガードと一体的にスリットノズルを下降させて吐出口を基板の表面に近接させる下降工程と、下降工程において、ノズルガードの先端が基板の表面側で上方に突出して処理液の塗布を阻害する突出物に衝突したか否かを検知する衝突検知工程と、を備えることを特徴としている。

【0009】

このように構成された発明では、スリットノズルの下降中にノズルガードも一体的に下降する。ここで、ノズルガードの下方側に突出物が存在していると、ノズルガードの先端が突出物と衝突して踏み付けてしまう。本明細書でいうところの「突出物」とは、基板の表面に付着した異物や基板の一部が上方に隆起した隆起物などであり、これらをノズルガードが踏み付けたまま処理液の塗布を継続すると、処理液の塗布を阻害する要因となる物体を意味している。そこで、本発明では、上記下降中に、ノズルガードの先端が基板の表面側で上方に突出している突出物に衝突したことを検知可能に構成している。

【発明の効果】

【0010】

以上のように、本発明によれば、スリットノズルと一体的に下降するノズルガードが突出物を踏み付けて基板への処理液の塗布に悪影響を及ぼすのを未然に防止することができる。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】本発明に係る基板処理装置の第１実施形態である塗布装置の全体構成を模式的に示す図である。

【図2A】浮上部の平面図である。

【図2B】浮上部と塗布機構との関係を模式的に示す側面図である。

【図3】図１に示す基板処理装置で採用されているスリットノズルおよびノズルガードの全体構成を示す斜視図である。

【図4】スリットノズルおよびノズルガードを幅方向から見た側面図である。

【図5】基板処理装置の従来技術の一例を示す図である。

【図6】図１に示す塗布装置により実行される塗布動作を示すフローチャートである。

【図7】本発明に係る基板処理装置の第２実施形態の部分拡大図である。

【図8】本発明に係る基板処理装置の第３実施形態の部分拡大図である。

【図9A】本発明に係る基板処理装置の第４実施形態の部分拡大図である。

【図9B】本発明に係る基板処理装置の第４実施形態の部分拡大図である。

【図10】本発明に係る基板処理装置の第５実施形態の部分拡大図である。

【図11】本発明に係る基板処理装置の第６実施形態の部分拡大図である。

【発明を実施するための形態】

【0012】

＜第１実施形態＞
図１は、本発明に係る基板処理装置の第１実施形態である塗布装置の全体構成を模式的に示す図である。この塗布装置１は、図１の左手側から右手側に向けて水平姿勢で搬送される基板Ｓの表面Ｓｆに塗布液を塗布するスリットコータである。例えば、ガラス基板や半導体基板等各種の基板Ｓの表面Ｓｆに、レジスト膜の材料を含む塗布液、電極材料を含む塗布液等、各種の処理液を塗布し均一な塗布膜を形成する目的に、この塗布装置１を好適に利用することができる。

【0013】

なお、以下の各図において装置各部の配置関係を明確にするために、図１に示すように右手系ＸＹＺ直交座標を設定する。基板Ｓの搬送方向を「Ｘ方向」とし、図１の左手側から右手側に向かう水平方向を「＋Ｘ方向」と称し、逆方向を「－Ｘ方向」と称する。また、Ｘ方向と直交する水平方向Ｙのうち、装置の正面側（図において手前側）を「－Ｙ方向」と称するとともに、装置の背面側を「＋Ｙ方向」と称する。さらに、鉛直方向Ｚにおける上方向および下方向をそれぞれ「＋Ｚ方向」および「－Ｚ方向」と称する。

【0014】

まず図１を用いてこの塗布装置１の構成および動作の概要を説明し、その後で本発明の技術的特徴を備える衝突検知部の構成および動作について説明する。塗布装置１では、基板Ｓの搬送方向Ｄｔ、つまり（＋Ｘ方向）に沿って、入力コンベア１００、入力移載部２、浮上部３、出力移載部４、出力コンベア１１０がこの順に近接して配置されており、以下に詳述するように、これらにより略水平方向に延びる基板Ｓの搬送経路が形成されている。

【0015】

処理対象である基板Ｓは図１の左手側から入力コンベア１００に搬入される。入力コンベア１００は、コロコンベア１０１と、これを回転駆動する回転駆動機構１０２とを備えており、コロコンベア１０１の回転により基板Ｓは水平姿勢で下流側、つまり（＋Ｘ）方向に搬送される。入力移載部２は、コロコンベア２１と、これを回転駆動する機能および昇降させる機能を有する回転・昇降駆動機構２２とを備えている。コロコンベア２１が回転することで、基板Ｓはさらに（＋Ｘ）方向に搬送される。また、コロコンベア２１が昇降することで基板Ｓの鉛直方向位置が変更される。このように構成された入力移載部２により、基板Ｓは入力コンベア１００から浮上部３に移載される。

【0016】

図２Ａは浮上部の平面図であり、図２Ｂは浮上部と塗布機構との関係を模式的に示す側面図である。なお、これらの図面では、浮上部３を構成する３つのステージのうち中央浮上ステージ３Ｂの全部と、上流浮上ステージ３Ａおよび下流浮上ステージ３Ｃの一部分とを模式的に示している。

【0017】

上流浮上ステージ３Ａおよび下流浮上ステージ３Ｃは、ともに多数の空気の噴出孔３１が１枚の板状のステージ面３３の全面にわたってマトリックス状に分散して形成されている。そして、各噴出孔３１に対して圧縮空気が与えられることで、各噴出孔３１からの圧縮空気の噴出による気体流によって基板Ｓを浮上させる。これによって、上流浮上ステージ３Ａおよび下流浮上ステージ３Ｃでは、基板Ｓは上記ステージ面３３から所定の浮上高さ、例えば１０～５００マイクロメートルだけ浮上する。各噴出孔３１に圧縮空気を供給するために、図１および図２Ｂに示すように、浮上制御機構３５が設けられている。浮上制御機構３５については、３つの浮上ステージ３Ａ～３Ｃを説明した後で説明する。

【0018】

また、図２Ａおよび図２Ｂへの図示を省略しているが、下流浮上ステージ３Ｃは上記噴出孔３１以外に複数のリフトピンを有している。また、図２Ｂに示すように、リフトピンを昇降させるために、リフトピン駆動機構３４が設けられている。複数のリフトピンは噴出孔３１の合間を縫って所定間隔をおいて、基板Ｓの裏面Ｓｂ全体に対向可能に設けられている。そして、リフトピンはステージ面３３の下方に設置されたリフトピン駆動機構３４によって、鉛直方向（Ｚ軸方向）に昇降駆動される。つまり、下降時はリフトピンの先端が下流浮上ステージ３Ｃのステージ面３３よりも（－Ｚ）方向側に下降し、上昇時はリフトピンの先端が基板Ｓを移載ロボット（図示省略）に受け渡す位置まで上昇する。こうして上昇したリフトピンによって基板Ｓの下面は支持され、持ち上げられるので、基板Ｓは下流浮上ステージ３Ｃのステージ面３３から上昇する。これによって、移載ロボットによる基板Ｓの塗布装置１からのアンローディングが可能となる。

【0019】

一方、中央浮上ステージ３Ｂは、次のように構成されて、上流浮上ステージ３Ａおよび下流浮上ステージ３Ｃよりも高い浮上精度を有している。すなわち、中央浮上ステージ３Ｂは、矩形形状の板状のステージ面３３を有している。このステージ面３３には、上流浮上ステージ３Ａおよび下流浮上ステージ３Ｃに設けられた噴出孔３１よりも狭いピッチで複数の孔がマトリックス状に分散して設けられている。また、上流浮上ステージ３Ａおよび下流浮上ステージ３Ｃと異なり、中央浮上ステージ３Ｂでは、孔のうち半分は圧縮空気の噴出孔３４ａとして機能し、残りの半分は吸引孔３４ｂとして機能する。つまり、噴出孔３４ａから圧縮空気を基板Ｓの裏面Ｓｂに向けて噴出してステージ面３３と基板Ｓの裏面Ｓｂとの間の空間ＳＰ（図２Ｂ）に圧縮空気を送り込む。一方、吸引孔３４ｂを介して空間ＳＰから空気を吸引するように構成されている。このように上記空間ＳＰに対して空気の噴出と吸引とが行われることで、上記空間ＳＰでは各噴出孔３４ａから噴出された圧縮空気の気体流は水平方向に広がった後、当該噴出孔３４ａに隣接する吸引孔３４ｂから吸引されることになり、上記空間ＳＰに広がる空気層（圧力気体層）における圧力バランスは、より安定的となり、基板Ｓの浮上高さを高精度に、しかも安定して制御することができる。なお、各噴出孔３４ａへの圧縮空気の供給および吸引孔３４ｂからの空気の吸引については、次に説明する浮上制御機構３５が制御する。

【0020】

浮上制御機構３５は、上記した３つの浮上ステージ３Ａ～３Ｃにおける空気の供給流路と吸引流路とを有している。空気の供給流路は、図２Ｂに示すように、コンプレッサなどの圧縮機構３５１で圧縮された空気が、温調ユニット３５２で所定の温度に達せられた後で、３つに分岐され、それぞれ浮上ステージ３Ａ～３Ｃに供給される。温調ユニット３５２により空気が所定の温度に設定されるのは、外気温に関係なく空気を一定の温度状態に保つためである。分岐後の空気は、それぞれ上流空気供給部３５３Ａ、中央空気供給部３５３Ｂおよび下流空気供給部３５３Ｃを経由して浮上ステージ３Ａ～３Ｃに圧送される。これら３つの空気供給部３５３Ａ～３５３Ｃは同一構成を有しているが、それぞれ個別に制御ユニット９により制御される。すなわち、空気供給部３５３Ａ～３５３Ｃでは、フィルタ３５３ａを通って清浄化され、ニードル弁３５３ｂで圧力を調節された後で流量計３５３ｃ、圧力計３５３ｄ、エアオペレーションバルブ３５３ｅを通過して噴出孔３４ａに圧送される。空気の供給の開始および停止は、エアオペレーションバルブ３５３ｅの開閉を制御ユニット９（図１）からの指令信号によって行うことで実行される。各空気供給部３５３Ａ～３５３Ｃでは、圧力計３５３ｄによって供給流路中の圧力を測定可能となっている。そして、圧力計３５３ｄの計測結果に基づいて制御ユニット９は圧縮空気の圧力制御を行う。

【0021】

また、浮上制御機構３５では、吸引孔３４ｂからの空気の吸引を行うために、空気吸引部３５４が設けられている。この空気吸引部３５４では、空気の吸引手段として、ブロワ３５４ａが用いられており、駆動モータ（図示せず）がインバータ制御されている。中央浮上ステージ３Ｂのステージ面３３に設けられた吸引孔３４ｂからの吸引流路中には、圧力計３５４ｂが設置されており、吸引流路中の圧力を測定可能となっている。また、吸引流路中にはリリーフ弁３５４ｃが設置されている。これにより、ブロワ３５４ａの回転によって得られる吸引圧力よりも吸引流路内の圧力が高い場合に、リリーフ弁３５４ｃから吸引流路内の空気を外部に放出することで、吸引流路内の圧力を一定に保つための微調整を行うことが可能となっている。

【0022】

図１に戻って説明を続ける。入力移載部２を介して浮上部３に搬入される基板Ｓは、コロコンベア２１の回転により（＋Ｘ）方向への推進力を付与されて、上流浮上ステージ３Ａ上に搬送される。上流浮上ステージ３Ａ、中央浮上ステージ３Ｂおよび下流浮上ステージ３Ｃは基板Ｓを浮上状態に支持するが、基板Ｓを水平方向に移動させる機能を有していない。浮上部３における基板Ｓの搬送は、上流浮上ステージ３Ａ、中央浮上ステージ３Ｂおよび下流浮上ステージ３Ｃの下方に配置された基板搬送部５により行われる。

【0023】

基板搬送部５は、基板Ｓの下面周縁部に部分的に当接することで基板Ｓを下方から支持するチャック機構５１と、チャック機構５１上端の吸着部材に設けられた吸着パッド（図示省略）に負圧を与えて基板Ｓを吸着保持させる機能およびチャック機構５１をＸ方向に往復走行させる機能を有する吸着・走行制御機構５２とを備えている。チャック機構５１が基板Ｓを保持した状態では、基板Ｓの裏面Ｓｂは浮上部３の各ステージの表面よりも高い位置に位置している。したがって、基板Ｓは、チャック機構５１により周縁部を吸着保持されつつ、浮上部３から付与される浮力により全体として水平姿勢を維持する。なお、チャック機構５１により基板Ｓの裏面Ｓｂを部分的に保持した段階で基板Ｓの表面の鉛直方向位置を検出するために板厚測定用のセンサ６１がコロコンベア２１の近傍に配置されている。このセンサ６１の直下位置に基板Ｓを保持していない状態のチャック（図示省略）が位置することで、センサ６１は吸着部材の表面、つまり吸着面の鉛直方向位置を検出可能となっている。

【0024】

入力移載部２から浮上部３に搬入された基板Ｓをチャック機構５１が保持し、この状態でチャック機構５１が（＋Ｘ）方向に移動することで、基板Ｓが上流浮上ステージ３Ａの上方から中央浮上ステージ３Ｂの上方を経由して下流浮上ステージ３Ｃの上方へ搬送される。搬送された基板Ｓは、下流浮上ステージ３Ｃの（＋Ｘ）側に配置された出力移載部４に受け渡される。

【0025】

出力移載部４は、コロコンベア４１と、これを回転駆動する機能および昇降させる機能を有する回転・昇降駆動機構４２とを備えている。コロコンベア４１が回転することで、基板Ｓに（＋Ｘ）方向への推進力が付与され、基板Ｓは搬送方向Ｄｔに沿ってさらに搬送される。また、コロコンベア４１が昇降することで基板Ｓの鉛直方向位置が変更される。出力移載部４により、基板Ｓは下流浮上ステージ３Ｃの上方から出力コンベア１１０に移載される。

【0026】

出力コンベア１１０は、コロコンベア１１１と、これを回転駆動する回転駆動機構１１２とを備えており、コロコンベア１１１の回転により基板Ｓはさらに（＋Ｘ）方向に搬送され、最終的に塗布装置１外へと払い出される。なお、入力コンベア１００および出力コンベア１１０は塗布装置１の構成の一部として設けられてもよいが、塗布装置１とは別体のものであってもよい。また例えば、塗布装置１の上流側に設けられる別ユニットの基板払い出し機構が入力コンベア１００として用いられてもよい。また、塗布装置１の下流側に設けられる別ユニットの基板受け入れ機構が出力コンベア１１０として用いられてもよい。

【0027】

図３は、図１に示す基板処理装置で採用されているスリットノズルおよびノズルガードの全体構成を示す斜視図である。図４は、スリットノズルおよびノズルガードを幅方向から見た側面図である。上記のようにして搬送される基板Ｓの搬送経路上に、基板Ｓの表面Ｓｆに塗布液を塗布するための塗布機構７が配置される。塗布機構７はスリットノズル７１を有している。また、スリットノズル７１には、図１に示すように、ノズル駆動機構８が接続されており、ノズル駆動機構８によりスリットノズル７１は中央浮上ステージ３Ｂの上方の塗布位置（図１および図４において実線で示される位置Ｐｃ）、塗布位置から上方に離れた上方位置（図４中の1点鎖線で示される位置）やメンテナンス位置に位置決めされる。さらに、スリットノズル７１には、図示を省略する塗布液供給機構が接続されており、塗布液供給機構から塗布液が供給され、ノズル下部に下向きに開口する吐出口７１１から塗布液が処理液として吐出される。

【0028】

このスリットノズル７１は、その吐出口７１１がＹ方向に延設され、かつ、鉛直下方（－Ｚ側）に向けて塗布液を吐出可能にノズル支持部（図示省略）によって支持される。ノズル支持部はノズル駆動機構８と接続されている。特に、スリットノズル７１により塗布液を基板Ｓの表面Ｓｆに供給する際には、スリットノズル７１は、図４中の１点鎖線で示すように、吐出口７１１が塗布位置Ｐｃの上方位置に移動された後で、吐出口７１１と基板Ｓとの間隔（ギャップ）が所定値に達するまで下降する。これによって、スリットノズル７１が塗布位置Ｐｃに位置決めされる。その後で、当該位置決め状態のまま吐出口７１１から塗布液を基板Ｓの表面Ｓｆに向けて吐出する一方、基板Ｓは（＋Ｘ）方向に搬送される。つまり、スリットノズル７１は、基板Ｓに対して相対的に（－Ｘ）方向に移動して塗布処理を実行する。つまり、本実施形態では、（－Ｘ）方向が本発明の「ノズル進行方向」に相当している。

【0029】

このように構成されたスリットノズル７１に対して所定のメンテナンスを行うために、図１に示すように、塗布機構７にはノズル洗浄待機ユニット７９が設けられている。ノズル洗浄待機ユニット７９は、主にローラ７９１、洗浄部７９２、ローラバット７９３などを有している。そして、スリットノズル７１がメンテナンス位置に位置決めされた状態で、これらによってノズル洗浄や予備吐出処理を適宜、行い、スリットノズル７１の吐出口を次の塗布処理に適した状態に整える。

【0030】

塗布処理中では、既述のように基板Ｓの表面側に存在する異物や隆起物などの突出物が基板搬送に伴って塗布位置Ｐｃに移動してスリットノズル７１に達すると、塗布済の塗布液やスリットノズル７１に悪影響が及ぶことがある。そこで、スリットノズル７１には、ノズルガード７２が取り付けられている。

【0031】

ここで、ノズルガード７２としては、例えば図５に示すように、特許文献１に記載された装置に装備されたものを使用することができる。すなわち、ノズルガード７２は、基板ＳのＹ方向のサイズよりも長い長尺状で非可撓性を有する非透明材料、例えば
金属、セラミックス等の突出物と接触しても破損しない程度の比較的堅い材質の部材で構成される。ノズルガード７２は、図５に示すように、スリットノズル７１から（－Ｘ）方向に延びるガード支持部７３により支持されている。より詳しくは、ノズルガード７２が、Ｙ方向に沿った支持軸７４を中心にＸＺ平面において揺動可能に、当該支持軸７４を介してガード支持部７３に対して支持される。つまり、支持軸７４が設けられた位置が本発明の「軸支点」に相としている。

【0032】

また、ノズルガード７２の後端部、つまり支持軸７４よりも上方部分はバネ７５によって（－Ｘ）方向側へ付勢されるとともに、ノズルガード７２の先端部、つまり支持軸７４の下方部分はストッパ７６によって（－Ｘ）方向側への回転が規制されている。これにより、ノズルガード７２の先端は（－Ｘ）方向側（塗布処理中におけるスリットノズル７１のノズル進行方向においてスリットノズル７１の前方側）で（＋Ｘ）方向にのみ回転が可能に構成されている。したがって、ノズルガード７２と突出物ＰＳ２との非接触状態では、ノズルガード７２はバネ７５による付勢力により鉛直方向Ｚに沿った状態に保持される。その一方で、塗布処理中にノズルガード７２と突出物ＰＳ２とが接触すると、ノズルガード７２の先端が、バネ７５による付勢力に逆らって（＋Ｘ）方向側へ、スリットノズル７１に対して相対的に回転移動する。それを回転検知センサ（図示省略）により上記回転移動を検出することで、突出物ＰＳ１がスリットノズル７１に到達する前に、突出物ＰＳ１の存在を検知することができる。

【0033】

しかしながら、図５中の点線で示すように、突出物ＰＳ２が塗布位置Ｐｃまたはその近傍位置に存在すると、既述の問題が発生することがある。つまり、吐出口７１１と基板Ｓとの間隔（ギャップ）が所定値に達するまでスリットノズル７１を下降させるとき、ノズルガード７２も一緒に下降し、その先端が突出物ＰＳ２に対して上方から衝突して踏み付けることがある。しかしながら、図５に示す従来構成では、上記踏み付けを検知することができない。

【0034】

そこで、本実施形態では、図５に示す従来構成に対し、ノズルガード７２にロードセルなどの応力検知センサ７０１が本発明の「衝突検知部」の一例として追加的に取り付けられている。より詳しくは、図４に示すように、スリットノズル７１下降と一体的に下降中のノズルガード７２の先端が突出物ＰＳ２に衝突したときに、応力検知センサ７０１はノズルガード７２に印加される応力を検知し、突出物ＰＳ２を踏み付けた旨の信号を制御ユニット９に出力する。また、塗布位置Ｐｃから離れた位置に存在する突出物ＰＳ１（図５）については、従前と同様にして、突出物ＰＳ１を検知した旨の信号が回転検知センサから制御ユニット９に出力する。

【0035】

上記のように構成された塗布装置１の各部を制御するために、制御ユニット９が設けられている。この制御ユニット９は、図１に示すように、各種演算処理を行う演算部９１（例えば、ＣＰＵなど）、基本プログラムおよび各種情報を記憶する記憶部９２（例えば、ＲＯＭやＲＡＭなど）をバスラインに接続した一般的なコンピュータシステムの構成となっている。バスラインはさらに塗布プログラムなどの記憶を行う固定ディスク９３（例えば、ハードディスクドライブなど）と、各種情報を表示する表示部９４（例えばディスプレイなど）、操作者からの入力を受け付ける入力部９５（例えば、キーボードおよびマウスなど）が接続されている。なお、例えば表示部９４と入力部９５との機能が一体となったタッチパネルディスプレイなどを用いても良い。さらに、図示を省略するインターフェイスを介して上記応力検知センサ７０１や回転検知センサなどから送られてくる信号を受け取り、制御ユニット９の演算部９１が塗布プログラムにしたがって装置各部を制御し、以下の説明する塗布処理を実行する。

【0036】

図６は、図１に示す塗布装置により実行される塗布動作を示すフローチャートである。この塗布装置１では、塗布処理に使用されるスリットノズル７１をメンテナンス位置に移動させて予備吐出処理を実行する。また、浮上部３における圧縮空気の噴出および吸引を開始して、搬入される基板Ｓを浮上させることができるように準備する（ステップＳ１）。なお、予備吐出処理に先立ってスリットノズル７１の洗浄処理が行われてもよい。

【0037】

次に、塗布装置１への基板Ｓの搬入を開始する（ステップＳ２）。上流側の別の処理ユニット、搬送ロボット等により処理対象となる基板Ｓが入力コンベア１００に載せられ、コロコンベア１０１が回転することで基板Ｓが（＋Ｘ）方向に搬送される。入力コンベア１００と、コロコンベア２１の上面が入力コンベア１００のコロコンベア１０１と同じ高さ位置に位置決めされた入力移載部２とが協働することにより、基板Ｓは圧縮空気の噴出により基板Ｓに浮力を与える上流浮上ステージ３Ａの上部まで搬送されてくる。基板Ｓが上流浮上ステージ３Ａまで搬入されると、上流浮上ステージ３Ａに設けられたリフトピンがリフトピン駆動機構３４によりその上端が上流浮上ステージ３Ａの上面よりも上方に突出する上方位置に位置決めされる。これにより、基板Ｓ、より具体的にはリフトピンが当接する基板ＳのＹ方向両端部が持ち上げられる。

【0038】

そして、チャック機構５１が（－Ｘ）方向に移動し、基板Ｓ直下の搬送開始位置まで移動してくる（ステップＳ３）。これに続いて、基板Ｓがチャック機構５１に移載される。それに続いて、チャック機構５１が基板Ｓの周縁部を吸着保持し、その状態のまま（＋Ｘ）方向に移動する。これによって、基板Ｓが塗布位置Ｐｃまで搬送される（ステップＳ４）。また、これと並行してスリットノズル７１の予備吐出位置から塗布位置Ｐｃへの移動位置決めが行われる（ステップＳ５）。より具体的には、図４中の１点鎖線で示すように、スリットノズル７１はノズル駆動機構８により塗布位置Ｐｃの上方位置に移動する（ステップＳ５１）。それに続いて、スリットノズル７１の下降が開始される（ステップＳ５２）。そして、ステップＳ５３でスリットノズル７１と一体的に下降するノズルガード７２による突出物ＰＳ２の踏付を監視しながら、スリットノズル７１が塗布位置に到達していない間（ステップＳ５４で「ＮＯ」）、ステップＳ５３に戻ってスリットノズル７１の下降が継続される。

【0039】

こうしたスリットノズル７１の下降中に、ノズルガード７２が突出物ＰＳ２に衝突したことが応力検知センサ７０１により検知されると、それに関連する信号が制御ユニット９に送られる。これを受けた制御ユニット９の演算部９１は、ノズルガード７２による突出物ＰＳ２の踏み付けが発生したと判断し（ステップＳ５３で「ＹＥＳ」）、塗布処理をその時点において強制的に停止する（ステップＳ６）。すなわち、スリットノズル７１からの塗布液の吐出、及び、基板Ｓの浮上搬送が停止される。さらに、警報として、制御ユニット９の表示部９４に塗布位置の近傍で突出物ＰＳ２が検出されたことを示す警告画面が表示される（ステップＳ７）。

【0040】

一方、ステップＳ５４で「ＹＥＳ」と判断された時点で、スリットノズル７１は塗布位置に位置決めされる。しかも、位置決めされるまでの間、応力検知センサ７０１から衝突を示す信号が入力されておらず（ステップＳ５３で「ＮＯ」）、これによって上記突出物ＰＳ２の踏付は発生していないことが確認される。つまり、ノズルガード７２による突出物ＰＳ２の踏付を発生させることなく、スリットノズル７１は適正に塗布位置に位置決めされている。そこで、塗布動作を開始する（ステップＳ８）。すなわち、スリットノズル７１の吐出口７１１から吐出される塗布液が基板Ｓの表面Ｓｆに着液する。また、チャック機構５１が基板Ｓをノズルガード７２およびスリットノズル７１とステージ面３３とで挟まれた塗布領域を通過するように定速で搬送することにより、スリットノズル７１が基板Ｓの表面Ｓｆに塗布液を塗布する塗布動作が実行され、基板Ｓの表面Ｓｆには塗布液による一定厚さの塗布膜が形成される。なお、こうして塗布動作を実行している間に、回転検知センサが突出物ＰＳ１を検知すると、応力検知センサ７０１により突出物ＰＳ２が検知されたときと同様に、塗布処理が強制的に停止される。そして、スリットノズル７１からの塗布液の吐出停止、基板Ｓの浮上搬送の停止および警告画面の表示が実行される。

【0041】

塗布動作は、塗布を終了させるべき終了位置に基板Ｓが搬送されるまで継続される（ステップＳ９）。基板Ｓが終了位置に到達すると（ステップＳ８において「ＹＥＳ」）、スリットノズル７１は塗布位置から離脱してメンテナンス位置に戻され、再び予備吐出処理が実行される。また、基板Ｓの下流側端部が出力移載部４上に位置する搬送終了位置にチャック機構５１が到達する時点で、チャック機構５１の移動は停止され、吸着保持が解除される。そして、下流浮上ステージ３Ｃおよび出力移載部４を介して基板Ｓは（＋Ｘ）方向に搬出され（ステップＳ１０）、最終的に下流側ユニットに払い出される。処理すべき次の基板がある場合（ステップＳ１１で「ＹＥＳ」）には上記と同様の処理を繰り返し、なければ（ステップＳ１１で「ＮＯ」）処理を終了する。

【0042】

以上のように、第１実施形態によれば、ノズルガード７２の設置により突出物ＰＳ１を検知するだけでなく、塗布動作の開始時点で塗布位置Ｐｃやその近傍に存在する突出物ＰＳ２を確実に検知することができる。このため、突出物ＰＳ２を踏み付けて基板Ｓへの塗布液（処理液）の塗布に悪影響を及ぼすのを未然に防止することができる。つまり、突出物ＰＳ２の検知時点で塗布処理を強制的に停止することができ、ノズルガード７２が踏み付けた突出物ＰＳ２を引きずったまま塗布動作が継続されることで突出物ＰＳ２により基板Ｓへの塗布液の塗布が阻害されるのを確実に防止することができる。

【0043】

また、第１実施形態によれば、ノズルガード７２の下降先に存在している突出物ＰＳ２、および当該下降先よりも（－Ｘ）方向側に存在する突出物ＰＳ１の両方を確実に検知することができ、従来技術よりも高い精度で突出物による塗布処理への悪影響を未然に防止することができる。

【0044】

上記した第１実施形態では、吸着・走行制御機構５２が本発明の「移動機構」の一例に相当している。（－Ｘ）方向側が本発明の「スリットノズルの前方側」に相当している。ノズル駆動機構８が本発明の「昇降機構」の一例に相当している。応力検知センサ７０１が「衝突検知部」の一例に相当している。ステップＳ５２、Ｓ５３がそれぞれ本発明の「下降工程」および「衝突検知工程」の一例に相当している。

【0045】

なお、第１実施形態では、ノズルガード７２に作用する応力を応力検知センサ７０１によって直接的に検知しているが、応力検知センサ７０１の取り付け位置はこれに限定されるものではない。つまり、ノズルガード７２が突出物ＰＳ２を踏み付けた際に発生する応力はガード支持部７３やスリットノズル７１に伝播する。したがって、応力検知センサ７０１をガード支持部７３やスリットノズル７１に取り付け、上記応力を間接的に検知してもよい。

【0046】

＜第２実施形態＞
ノズルガード７２が突出物ＰＳ２を踏み付けた際の衝撃によって、ノズルガード７２、ガード支持部７３およびスリットノズル７１は一体的に上下方向Ｚに振動する。そこで、応力検知センサ７０１の代わりに、上下振動を検知する振動センサをノズルガード７２、ガード支持部７３およびスリットノズル７１のいずれかに取り付けてもよい。

【0047】

図７は、本発明に係る基板処理装置の第２実施形態の部分拡大図である。この第２実施形態が第１実施形態と大きく相違する点は、応力検知センサ７０１の代わりに、振動センサ７０２がスリットノズル７１に取り付けられている点である。その他の構成は第１実施形態と同一である。

【0048】

第２実施形態においても、第１実施形態と同様に、スリットノズル７１の予備吐出位置から塗布位置Ｐｃへの移動位置決めは、２段階で行われる。つまり、スリットノズル７１はノズル駆動機構８により塗布位置Ｐｃの上方位置に移動する（ステップＳ５１）。それに続いて、スリットノズル７１がノズルガード７２と一体的に下降する（ステップＳ５２）。この下降中、仮にノズルガード７２が突出物ＰＳ２に衝突すると、それに起因してスリットノズル７１が上下方向Ｚに振動する。当該振動を振動センサ７０２が検知し、それに関連する信号が制御ユニット９に送られる。これを受けた制御ユニット９の演算部９１は、ノズルガード７２による突出物ＰＳ２の踏み付けが発生したと判断し（ステップＳ５３で「ＹＥＳ」）、塗布処理をその時点において強制的に停止する（ステップＳ６）。

【0049】

このように第２実施形態では、振動センサ７０２が本発明の「衝突検知部」の一例に相当しており、第１実施形態と同様の作用効果を奏する。つまり、振動センサ７０２による上下振動を検知することで、突出物ＰＳ２を踏み付けて基板Ｓへの塗布液（処理液）の塗布に悪影響を及ぼすのを未然に防止することができる。その結果、ノズルガード７２が踏み付けた突出物ＰＳ２を引きずったまま塗布動作が継続されることで突出物ＰＳ２により基板Ｓへの塗布液の塗布が阻害されるのを確実に防止することができる。

【0050】

なお、第２実施形態では、応力検知センサ７０１の代わりに振動センサ７０２を設けているが、これら２種類のセンサを併用してもよい。

【0051】

＜第３実施形態＞
図８は、本発明に係る基板処理装置の第３実施形態の部分拡大図である。この第３実施形態が第１実施形態と大きく相違する点は、応力検知センサ７０１により衝撃を検知する代わりに、衝撃に伴うノズルガード７２の上下移動を検知するように構成している点である。つまり、第３実施形態では、ノズルガード７２が上下方向Ｚに延設された長孔７２１に沿ってスライド自在にガード支持部７３に取り付けられている。また、上下方向Ｚにおけるノズルガード７２の変位量を検知する位置センサ７０３が設けられている。その他の構成は第１実施形態と同一である。

【0052】

第３実施形態においても、第１実施形態と同様に、スリットノズル７１の予備吐出位置から塗布位置Ｐｃへの移動位置決めは、２段階で行われる。つまり、スリットノズル７１はノズル駆動機構８により塗布位置Ｐｃの上方位置に移動する（ステップＳ５１）。それに続いて、スリットノズル７１がノズルガード７２と一体的に下降する（ステップＳ５２）。この下降中、仮にノズルガード７２が突出物ＰＳ２に衝突して下降動作が規制される。そのため、上下方向Ｚにおけるスリットノズル７１に対するノズルガード７２の相対位置が変位し、その変位量に対応する信号が位置センサ７０３から制御ユニット９に送られる。これを受けた制御ユニット９の演算部９１は、ノズルガード７２による突出物ＰＳ２の踏み付けが発生したと判断し（ステップＳ５３で「ＹＥＳ」）、塗布処理をその時点において強制的に停止する（ステップＳ６）。

【0053】

このように第３実施形態では、位置センサ７０３が本発明の「衝突検知部」の一例に相当しており、第１実施形態と同様の作用効果を奏する。つまり、位置センサ７０３によるスリットノズル７１に対するノズルガード７２の相対位置の変位を検知することで、突出物ＰＳ２を踏み付けて基板Ｓへの塗布液（処理液）の塗布に悪影響を及ぼすのを未然に防止することができる。その結果、ノズルガード７２が踏み付けた突出物ＰＳ２を引きずったまま塗布動作が継続されることで突出物ＰＳ２により基板Ｓへの塗布液の塗布が阻害されるのを確実に防止することができる。

【0054】

＜第４実施形態＞
図９Ａおよび図９Ｂは、本発明に係る基板処理装置の第４実施形態の部分拡大図である。この第４実施形態が第１実施形態と大きく相違する点は、ノズルガード７２が予め傾いた状態でガード支持部７３に取り付けられている点と、応力検知センサ７０１の代わりにノズルガード７２の回転量を検知するロータリーエンコーダなどの角度検知センサ７０４が設けられている点と、である。その他の構成は第１実施形態と同一である。

【0055】

第４実施形態では、ノズルガード７２の先端が支持軸７４（軸支点）よりも（＋Ｘ）方向側に位置しながら角度θａだけ傾いた傾斜姿勢でノズルガード７２の後端部、つまり支持軸７４よりも上方部分はバネ７５によって（＋Ｚ）方向側へ付勢されるとともに、ストッパ７６によって（＋Ｘ）方向側への回転が規制されている。これにより、図９Ａに示すように、スリットノズル７１は、塗布位置Ｐｃの上方位置に位置している際には、ノズルガード７２は角度θａだけ傾いた傾斜姿勢を維持する。一方、図９Ｂに示すように、スリットノズル７１とともにノズルガード７２が下降すると、その先端の突出物ＰＳ２への接触に応じてノズルガード７２は支持軸７４を揺動中心として揺動し、その結果、同図紙面において反時計回りに揺動して傾斜角が角度θｂに広がる。この角度変化を角度検知センサ７０４は検知可能となっており、それに対応する信号を制御ユニット９に送る。

【0056】

第４実施形態においても、第１実施形態と同様に、スリットノズル７１の予備吐出位置から塗布位置Ｐｃへの移動位置決めは、２段階で行われる。つまり、スリットノズル７１はノズル駆動機構８により塗布位置Ｐｃの上方位置に移動する（ステップＳ５１）。それに続いて、スリットノズル７１がノズルガード７２と一体的に下降する（ステップＳ５２）。この下降中、ノズルガード７２は角度θａの傾斜姿勢を保っている。ここで、ノズルガード７２が突出物ＰＳ２に衝突した後、さらにスリットノズル７１の下降が進行すると、その進行分だけノズルガード７２が揺動し、ノズルガード７２の傾斜角は角度θａから角度θｂとなる。この角度変位を角度検知センサ７０４が検知し、それに関連する信号が制御ユニット９に送られる。これを受けた制御ユニット９の演算部９１は、ノズルガード７２による突出物ＰＳ２の踏み付けが発生したと判断し（ステップＳ５３で「ＹＥＳ」）、塗布処理をその時点において強制的に停止する（ステップＳ６）。

【0057】

このように第４実施形態では、角度検知センサ７０４が本発明の「衝突検知部」の一例に相当しており、第１実施形態と同様の作用効果を奏する。つまり、角度検知センサ７０４によるノズルガード７２の揺動を検知することで、突出物ＰＳ２を踏み付けて基板Ｓへの塗布液（処理液）の塗布に悪影響を及ぼすのを未然に防止することができる。その結果、ノズルガード７２が踏み付けた突出物ＰＳ２を引きずったまま塗布動作が継続されることで突出物ＰＳ２により基板Ｓへの塗布液の塗布が阻害されるのを確実に防止することができる。

【0058】

＜第５実施形態＞
ところで、浮上方式の塗布装置１では、基板Ｓをステージ面３３から所定の浮上量だけ浮上させた状態で基板Ｓを搬送しながら基板Ｓの表面Ｓｆに処理液を供給して塗布する。そして、ノズルガード７２が突出物ＰＳ２を踏み付けた際には、塗布領域における浮上量が減少する。そこで、浮上量の変化に基づいてノズルガード７２の突出物ＰＳ２への衝突を検知してもよい（第５実施形態）。

【0059】

図１０は、本発明に係る基板処理装置の第５実施形態の部分拡大図である。この第５実施形態が第１実施形態と大きく相違する点は、応力検知センサ７０１の代わりに、塗布領域におけるステージ面３３からの基板Ｓの浮上量を計測する浮上量計測部７０５を設けている点である。その他の構成は第１実施形態と同一である。

【0060】

第５実施形態では、浮上量計測部７０５は、スリットノズル７１に取り付けられて基板Ｓの表面Ｓｆまでの距離を計測する変位計７０５ａと、中央浮上ステージ３Ｂの下方で固定配置されて基板Ｓの裏面Ｓｂまでの距離を計測する変位計７０５ｂとを有している。これら変位計７０５ａ、７０５ｂによる計測された距離に関連する信号が制御ユニット９に送られる。

【0061】

第５実施形態においても、第１実施形態と同様に、スリットノズル７１の予備吐出位置から塗布位置Ｐｃへの移動位置決めは、２段階で行われる。つまり、スリットノズル７１はノズル駆動機構８により塗布位置Ｐｃの上方位置に移動する（ステップＳ５１）。それに続いて、スリットノズル７１がノズルガード７２と一体的に下降する（ステップＳ５２）。こうしたスリットノズル７１の下降中に、ノズルガード７２が突出物ＰＳ２に衝突して踏み付けると、図１０に示すように、塗布領域の一部、より具体的にはノズルガード７２の先端近傍において基板Ｓの浮上量が減少し、それが変位計７０５ａ、７０５ｂによる計測結果を反映した信号が制御ユニット９に送られる。これを受けた制御ユニット９の演算部９１は、ノズルガード７２による突出物ＰＳ２の踏み付けが発生したと判断し（ステップＳ５３で「ＹＥＳ」）、塗布処理をその時点において強制的に停止する（ステップＳ６）。

【0062】

このように第５実施形態では、浮上量計測部７０５が本発明の「衝突検知部」の一例に相当しており、第１実施形態と同様の作用効果を奏する。つまり、浮上量計測部７０５により浮上量の変化を検知することで、突出物ＰＳ２を踏み付けて基板Ｓへの塗布液（処理液）の塗布に悪影響を及ぼすのを未然に防止することができる。その結果、ノズルガード７２が踏み付けた突出物ＰＳ２を引きずったまま塗布動作が継続されることで突出物ＰＳ２により基板Ｓへの塗布液の塗布が阻害されるのを確実に防止することができる。

【0063】

なお、第５実施形態では、浮上量計測部７０５は、上方からの距離計測を行う変位計７０５ａと下方からの距離計測を行う変位計７０５ｂとの２種類により構成しているが、さらに別の距離測定、例えばスリットノズル７１からステージ面３３までの距離を計測する変位計を追加してもよい。逆に、浮上量計測部７０５を変位計７０５ｂのみで構成してもよい。

【0064】

また、第５実施形態では、変位計７０５ａ、７０５ｂにより浮上量の変化を検知しているが、その他の手法、例えば塗布領域をＹ方向から撮像した画像に基づいて浮上量の変化を検知してもよい。

【0065】

＜第６実施形態＞
また、浮上方式の塗布装置１では、ステージ面３３に設けた気体孔（噴出孔３４ａ、吸引孔３４ｂ）を通る気体流によりステージ面３３上に形成した圧力気体層によって基板Ｓを浮上させている。したがって、ノズルガード７２が突出物ＰＳ２を踏み付けた際には、塗布領域における圧力気体層の厚みが減少するとともに、気体流に乱れが生じ、それを反映して圧力計３５３ｄ、３５４ｂにより計測される圧力が変化する。そこで、圧力計３５３ｄ、３５４ｂの出力変化に基づいてノズルガード７２の突出物ＰＳ２への衝突を検知してもよい（第６実施形態）。

【0066】

図１１は、本発明に係る基板処理装置の第６実施形態の部分拡大図である。この第６実施形態が第１実施形態と大きく相違する点は、応力検知センサ７０１の代わりに、圧力計３５３ｄ、３５４ｂにより計測される圧力に関連する信号を制御ユニット９に送っている点である。その他の構成は第１実施形態と同一である。

【0067】

第６実施形態においても、第１実施形態と同様に、スリットノズル７１の予備吐出位置から塗布位置Ｐｃへの移動位置決めは、２段階で行われる。つまり、スリットノズル７１はノズル駆動機構８により塗布位置Ｐｃの上方位置に移動する（ステップＳ５１）。それに続いて、スリットノズル７１がノズルガード７２と一体的に下降する（ステップＳ５２）。こうしたスリットノズル７１の下降中に、ノズルガード７２が突出物ＰＳ２に衝突して踏み付けると、図１１に示すように、塗布領域の一部、より具体的にはノズルガード７２の先端近傍において基板Ｓが下方に押し込まれ、浮上量が変化する。このとき、圧力気体層を構成する気体流に乱れが生じる。それに応じて圧力計３５３ｄ、３５４ｂによる計測結果を反映した信号が制御ユニット９に送られる。これを受けた制御ユニット９の演算部９１は、ノズルガード７２による突出物ＰＳ２の踏み付けが発生したと判断し（ステップＳ５３で「ＹＥＳ」）、塗布処理をその時点において強制的に停止する（ステップＳ６）。

【0068】

このように第６実施形態では、圧力計３５３ｄ、３５４ｂが本発明の「衝突検知部」および「圧力計測部」の一例に相当しており、第１実施形態と同様の作用効果を奏する。つまり、圧力計３５３ｄ、３５４ｂにより圧力変化を検知することで、突出物ＰＳ２を踏み付けて基板Ｓへの塗布液（処理液）の塗布に悪影響を及ぼすのを未然に防止することができる。その結果、ノズルガード７２が踏み付けた突出物ＰＳ２を引きずったまま塗布動作が継続されることで突出物ＰＳ２により基板Ｓへの塗布液の塗布が阻害されるのを確実に防止することができる。

【0069】

第６実施形態では、噴出系の圧力計３５３ｄと吸引系の圧力計３５４ｂとを本発明の「衝突検知部」として用いているが、いずれか一方のみを「衝突検知部」として用いてもよい。

【0070】

なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば第１実施形態ないし第４実施形態では、いわゆる浮上方式の基板処理装置に対して本発明を適用しているが、本発明の適用対象はこれに限定されるものではなく、例えば特許文献１に記載された基板処理装置、つまりスリットノズルを基板に対して相対移動させつつスリットノズルから処理液を吐出する基板処理装置に対しても本発明を適用することができる。

【0071】

また、上記実施形態では、基板ＳのＹ方向のサイズよりも長い長尺状で非可撓性を有する非透明材料によりノズルガード７２が構成されているが、特許文献１にも記載されているように短尺状の部材を複数個をＹ方向に配列したものを用いてもよい。この場合、部材毎に応力検知センサ７０１、位置センサ７０３、角度検知センサ７０４などが設けるのが好適である。

【産業上の利用可能性】

【0072】

この発明は、基板にスリットノズルから処理液を供給して塗布する基板処理技術全般に適用可能である。

【符号の説明】

【0073】

１…塗布装置（基板処理装置）
３…浮上部
３Ａ…上流浮上ステージ
３Ｂ…中央浮上ステージ
３Ｃ…下流浮上ステージ
７…塗布機構
９…制御ユニット
３１、３４ａ…噴出孔（気体孔）
３３…ステージ面
３４ｂ…吸引孔（気体孔）
５２…吸着・走行制御機構（移動機構）
７１…スリットノズル
７２…ノズルガード
７３…ガード支持部
７４…支持軸
９１…演算部
３５３ｄ，３５４ｂ…圧力計（衝突検知部、圧力計測部）
７０１…応力検知センサ（衝突検知部）
７０２…振動センサ（衝突検知部）
７０３…位置センサ（衝突検知部）
７０４…角度検知センサ（衝突検知部）
７０５…浮上量計測部（衝突検知部）
７０５ａ，７０５ｂ…変位計（衝突検知部）
７１１…（スリットノズルの）吐出口
Ｄｔ…搬送方向
ＰＳ２…突出物
Ｓ…基板
Ｓｆ…（基板の）表面
Ｚ…上下方向

【図1】

【図2A】

【図2B】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9A】

【図9B】

【図10】

【図11】