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  • 特許-磁気式位置検出装置 図1
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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2023-07-20
(45)【発行日】2023-07-28
(54)【発明の名称】磁気式位置検出装置
(51)【国際特許分類】
   G01D 5/245 20060101AFI20230721BHJP
【FI】
G01D5/245 110M
G01D5/245 R
【請求項の数】 1
(21)【出願番号】P 2019196939
(22)【出願日】2019-10-30
(65)【公開番号】P2021071334
(43)【公開日】2021-05-06
【審査請求日】2022-10-12
(73)【特許権者】
【識別番号】314012076
【氏名又は名称】パナソニックIPマネジメント株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100106116
【弁理士】
【氏名又は名称】鎌田 健司
(74)【代理人】
【識別番号】100131495
【弁理士】
【氏名又は名称】前田 健児
(72)【発明者】
【氏名】田川 正孝
(72)【発明者】
【氏名】谷川 秀之
(72)【発明者】
【氏名】大林 正彦
【審査官】菅藤 政明
(56)【参考文献】
【文献】特開2012-98190(JP,A)
【文献】特開平6-229708(JP,A)
【文献】特開平8-29660(JP,A)
(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
G01D 5/245
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
N極およびS極が交互に着磁された磁気スケールと、前記磁気スケールと対向する磁気センサとを備え、
前記磁気スケールの着磁方向における前記N極の中心部と隣り合う前記N極の中心部の間の長さをλとしたとき、前記N極と前記S極の幅は略同一でそれぞれλ/2であり、
前記磁気センサは、第1の磁気センサと第2の磁気センサとで構成され、
前記第1の磁気センサは、電気的に直列に接続された第1の磁気抵抗素子、第2の磁気抵抗素子と、前記第1の磁気抵抗素子と前記第2の磁気抵抗素子との間に接続された第1の出力端子とを有し、
前記第2の磁気センサは、電気的に直列に接続された第3の磁気抵抗素子、第4の磁気抵抗素子と、前記第3の磁気抵抗素子と前記第4の磁気抵抗素子との間に接続された第2の出力端子とを有し、
さらに、前記第1の磁気抵抗素子および前記第3の磁気抵抗素子に接続された電圧印加端子と、前記第2の磁気抵抗素子および前記第4の磁気抵抗素子に接続されたグランド端子とを有し、
前記磁気スケールの着磁方向において、前記第1の磁気抵抗素子と第2の磁気抵抗素子との距離、前記第3の磁気抵抗素子と前記第4の磁気抵抗素子との距離はそれぞれλ/4、前記第1の磁気抵抗素子と前記第3の磁気抵抗素子との距離、前記第2の磁気抵抗素子と前記第4の磁気抵抗素子との距離がそれぞれλ/8で、
前記磁気スケールまたは前記磁気センサは、
前記磁気センサが前記磁気スケールの長辺に対して下記式(1)の関係を満たす
【数1】
θの角度に直線的に移動するように構成された磁気式位置検出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、光学機器のレンズ等のリニアの位置を検出する磁気式位置検出装置に関する。
【背景技術】
【0002】
従来のこの種の磁気式位置検出装置は、固定側の物体と移動側の物体のうち一方にN極とS極とを交互に着磁した磁気スケールを配置し、他方にこの磁気スケールからの磁気を検知する磁気センサを配置するようにしていた。
【0003】
そして、磁気スケールからの磁界の変化を磁気センサで検出することによって、移動体の移動量や位置を検出するようにしていた。
【0004】
なお、この出願の発明に関する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献1が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【文献】特開平8-29660号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
上記従来の磁気式位置検出装置は、磁気スケールのN極の着磁方向の中央部から磁力線が両隣のS極に向い、S極は着磁方向の中央部に両隣のN極からの磁力線が向かっているため、複数のN極とS極とを交互に着磁した磁気スケールを移動させた場合、磁気センサでは正弦波が検出され、その移動に対する検出位置が一義的に決定されず、これにより、磁気スケールの絶対移動距離(位置)の検出が困難であるという課題を有していた。
【0007】
本発明は上記従来の課題を解決するもので、絶対的位置検出が可能な磁気式位置検出装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0008】
第1の態様に係る磁気式位置検出装置は、N極およびS極が交互に着磁された磁気スケールと、前記磁気スケールと対向する磁気センサとを備え、前記磁気スケールの着磁方向における前記N極の中心部と隣り合う前記N極の中心部の間の長さをλとしたとき、前記N極と前記S極の幅は略同一でそれぞれλ/2であり、前記磁気センサは、第1の磁気センサと第2の磁気センサとで構成され、前記第1の磁気センサは、電気的に直列に接続された第1の磁気抵抗素子、第2の磁気抵抗素子と、前記第1の磁気抵抗素子と前記第2の磁気抵抗素子との間に接続された第1の出力端子とを有し、前記第2の磁気センサは、電気的に直列に接続された第3の磁気抵抗素子、第4の磁気抵抗素子と、前記第3の磁気抵抗素子と前記第4の磁気抵抗素子との間に接続された第2の出力端子とを有し、さらに、前記第1の磁気抵抗素子および前記第3の磁気抵抗素子に接続された電圧印加端子と、前記第2の磁気抵抗素子および前記第4の磁気抵抗素子に接続されたグランド端子とを有し、前記磁気スケールの着磁方向において、前記第1の磁気抵抗素子と第2の磁気抵抗素子との距離、前記第3の磁気抵抗素子と前記第4の磁気抵抗素子との距離はそれぞれλ/4、前記第1の磁気抵抗素子と前記第3の磁気抵抗素子との距離、前記第2の磁気抵抗素子と前記第4の磁気抵抗素子との距離がそれぞれλ/8で、前記磁気スケールまたは前記磁気センサは、前記磁気センサが前記磁気スケールの着磁方向に対してλ/2移動しながら
着磁方向と直交する方向に移動するように直線状に移動可能となっている。
【発明の効果】
【0009】
磁気スケールの移動距離と磁気センサの出力との関係に直線性を持たせることができるため、磁気スケールの絶対的位置の検出が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【0010】
図1】本開示の一実施の形態における磁気式位置検出装置の模式図
図2】同磁気式検出装置における磁気センサの移動距離と出力との関係図
図3】同磁気式検出装置における磁気センサの移動距離と出力との関係図
【発明を実施するための形態】
【0011】
図1は、本開示の一実施の形態における磁気式位置検出装置の模式図である。
【0012】
本開示の一実施の形態における磁気式位置検出装置は、図1に示すように、N極1およびS極2が交互に等間隔で着磁された矩形状の磁気スケール3と、磁気スケール3と移動可能に対向する磁気センサ4とを備えている絶対位置検出装置である。
【0013】
前記磁気スケール3には、その一辺(短辺)3aと平行な方向に沿ってN極1と、N極1と隣接するS極2とが交互に着磁されている。すなわち、磁気スケール3の一辺3aと直交する他辺(長辺)3bにはN極1のみが形成またはS極2のみが形成される。
【0014】
また、着磁方向(一辺3aと平行な短手方向)のN極1の幅の寸法とS極2の幅の寸法は略同一でλ/2となっている。したがって、磁気スケール3において着磁方向におけるN極1の中心部と隣り合うN極1の中心部の間の長さがλとなる。
【0015】
前記磁気センサ4は、磁気スケール3と対向し、磁気スケール3に対して相対的に移動可能であり、磁気スケール3からの磁界に応じて抵抗値が変化する第1~第4の磁気抵抗素子5~8を備えている。
【0016】
第1~第4の磁気抵抗素子5~8は、その平面方向の磁界によって抵抗値が低くなるよう変化し、その厚み方向の磁界では抵抗値が変化しないMRセンサまたはGMRセンサである。第1~第4の磁気抵抗素子5~8は、それぞれ実際には磁気スケール3の、一辺3a、他辺3bと直交する垂直方向に磁気スケール3と対向して配置されている。
【0017】
そして、磁気センサ4は、第1の磁気センサ9と第2の磁気センサ10とで構成されている。
【0018】
第1の磁気センサ9は、電気的に直列に接続された第1の磁気抵抗素子5、第2の磁気抵抗素子6と、第1の磁気抵抗素子5と第2の磁気抵抗素子6との間に接続された第1の出力端子11とを有し、第2の磁気センサ10は、電気的に直列に接続された第3の磁気抵抗素子7、第4の磁気抵抗素子8と、第3の磁気抵抗素子7と第4の磁気抵抗素子8との間に接続された第2の出力端子12とを有している。
【0019】
さらに、第1の磁気抵抗素子5および第3の磁気抵抗素子7の両方に接続された電圧印加端子13と、第2の磁気抵抗素子6および第4の磁気抵抗素子8の両方に接続されたグランド端子14とを有している。
【0020】
なお、第1~第4の磁気抵抗素子5~8、第1の出力端子11、第2の出力端子12、電圧印加端子13、グランド端子14は1つの基板(図示せず)の表面に設けられている
【0021】
第1の磁気抵抗素子5と第2の磁気抵抗素子6は、磁気スケール3の一辺3aと互いに略平行になるように配置され、第3の磁気抵抗素子7と第4の磁気抵抗素子8は、磁気スケール3の一辺3aと互いに略平行になるように配置されている。
【0022】
また、磁気スケール3の着磁方向において、第1の磁気センサ9の第1の磁気抵抗素子5と第2の磁気抵抗素子6との中心間距離、第2の磁気センサ10の第3の磁気抵抗素子7と第4の磁気抵抗素子8との中心間距離はそれぞれλ/4である。
【0023】
第1の磁気抵抗素子5と第3の磁気抵抗素子7との距離、第2の磁気抵抗素子6と第4の磁気抵抗素子8との距離はそれぞれλ/8である。すなわち、第1の磁気センサ9と第2の磁気センサ10とは磁気スケール3の着磁方向にλ/8ずれている。
【0024】
なお、磁気スケール3の他辺3b方向(長手方向)における第1の磁気センサ9と第2の磁気センサ10との距離は、極力短くし、例えばλ/8とされる。
【0025】
図1においては、磁気センサ4は紙面左右方向(矢印方向)に移動させ、磁気スケール3は紙面上下方向に着磁されている。また、図1に、断面方向(垂直方向)における磁力線もあわせて図示している。図中の破線矢印は磁力線を示している。磁力線は、N極1からS極2に向かい、N極1、S極2の中心部では垂直方向に出入りする。さらに、磁気センサ4は磁気スケール3の着磁方向および磁気スケール3の他辺3b方向(長手方向)に対して斜めに移動させる。
【0026】
ここで、図1において磁気スケール3、磁気センサ4の位置と出力との関係について説明する。
【0027】
第1の磁気センサ9が紙面の最も左側に位置しているときは、第1の磁気抵抗素子5の中心部はN極1とS極2の境界部分、第2の磁気抵抗素子6の中心部はN極1の中央部分に位置し、この場合は、第1の磁気抵抗素子5が磁気スケール3の磁界によって抵抗値が最も低くなるよう変化し、第2の磁気抵抗素子6の抵抗値は変化しない。よって、第1の出力端子11から出力される電圧は最も大きくなる。なお、この場所が始点(原点)となる。
【0028】
紙面の右側に移動すると、第1の磁気抵抗素子5の抵抗値が高く、第2の磁気抵抗素子6の抵抗値が低く変化していくため、出力される電圧は徐々に低くなっていく。
【0029】
第1の磁気センサ9が紙面の中央部に位置しているときは、第1の磁気抵抗素子5の中心部はS極2の中央部分に位置し、第2の磁気抵抗素子6の中心部はN極1とS極2の境界部分に位置し、この場合は、第1の磁気抵抗素子5の抵抗値は変化せず、第2の磁気抵抗素子6の抵抗値は最も低くなるように変化する。よって、第1の出力端子11から出力される電圧は最も低くなる。
【0030】
紙面の右側にさらに移動すると、第1の磁気抵抗素子5の抵抗値が低く、第2の磁気抵抗素子6の抵抗値が高く変化していくため、出力される電圧は徐々に大きくなっていく。
【0031】
第1の磁気センサ9が紙面の最も右側に位置しているときは、第1の磁気抵抗素子5の中心部はN極1とS極2の境界部分、第2の磁気抵抗素子6の中心部はS極2の中央部分に位置し、この場合は、第1の磁気抵抗素子5が磁気スケール3の磁界によって抵抗値が最も低くなるよう変化し、第2の磁気抵抗素子6の抵抗値は変化しない。よって、第1の
出力端子11から出力される電圧は最も大きくなる。なお、この場所が終点となる。
【0032】
この結果、第1の磁気センサ9の第1の出力端子11から出力される信号(電圧値)は、図2のVout1のように、余弦波形(cosφ)になる。
【0033】
第2の磁気センサ10が紙面の最も左側に位置しているときは、第3の磁気抵抗素子7の中心部と第4の磁気抵抗素子8の中心部は、N極1の中心部分を介して同一距離離れている。この場合は、第3の磁気抵抗素子7が磁気スケール3の磁界による抵抗値変化と、第4の磁気抵抗素子8の抵抗値変化は同一なので、第2の出力端子12から出力される電圧は変動しない(電圧印加端子13から印加される電圧の1/2)。なお、この場所が始点(原点)となる。
【0034】
紙面の右側に移動し、第3の磁気抵抗素子7の中心部がN極1とS極2の境界部分に位置し、第4の磁気抵抗素子8の中心部がN極1の中央部分に位置すると、第3の磁気抵抗素子7の抵抗値は最も低くなるよう変化し、第4の磁気抵抗素子8の抵抗値は変化しない。よって、出力される電圧は最も高くなる。
【0035】
さらに紙面の右側に移動し、第2の磁気センサ10が紙面の中央部に位置しているときは、第3の磁気抵抗素子7の中心部と第4の磁気抵抗素子8の中心部は、N極1とS極2の境界部分を介して同一距離離れている。この場合は、第3の磁気抵抗素子7が磁気スケール3の磁界による抵抗値変化と、第4の磁気抵抗素子8の抵抗値変化は同一なので、第2の出力端子12から出力される電圧は変動しない。
【0036】
紙面の右側にさらに移動し、第3の磁気抵抗素子7の中心部がS極2の中央部分に位置し、第4の磁気抵抗素子8の中心部がN極1とS極2の境界部分に位置すると、第3の磁気抵抗素子7の抵抗値は変化せず、第4の磁気抵抗素子8の抵抗値は最も低くなるよう変化する。よって、出力される電圧は最も低くなる。
【0037】
さらに紙面の右側に移動し、第2の磁気センサ10が紙面の最も右側に位置しているときは、第3の磁気抵抗素子7の中心部と第4の磁気抵抗素子8の中心部は、S極2の中心部分を介して同一距離離れている。この場合は、第3の磁気抵抗素子7の抵抗値変化と、第4の磁気抵抗素子8の抵抗値変化は同一なので、第2の出力端子12から出力される電圧は変動しない。なお、この場所が終点となる。
【0038】
この結果、第2の磁気センサ10の第2の出力端子12から出力される信号(電圧値)は、図2のVout2ように、正弦波形(sinφ)になる。
【0039】
なお、磁気スケール3における始点と終点との間隔の寸法が、磁気センサ4で位置検出される部分の長さL(ストローク長)となる。
【0040】
このとき、磁気センサ4は他辺3b(長手方向)に沿ってLの距離を移動しながら、他辺3bと直交する一辺3a(着磁方向)に沿ってλ/2移動する。この移動は直線的である。例えば、第1の磁気抵抗素子5が磁気スケール3のN極1とS極2の境界に配置されている状態から、隣接するN極1とS極2の境界に配置される状態まで斜めに直線的に移動する。
【0041】
そして、磁気センサ4は、磁気スケール3の他辺3b(長辺)に対して、下記式(1)の関係を満たす傾斜角θで移動する。
【数1】
【0042】
上述したように、第1、第2の出力端子11、12から、位相が90°ずれた正弦波形、余弦波形の2つの信号が出力されるため、磁気センサ4の検出位置を一義的に決定することが可能になる。
【0043】
さらに、上述した第1、第2の出力端子11、12からそれぞれ出力される2つの信号(sinφ、cosφ)について、第1の出力端子11から出力される信号の逆正接と第2の出力端子12から出力される信号の逆正接との差を演算処理することによって、図3に示すように、磁気スケール3の移動距離に対する磁気センサ4の出力の変化量は直線状になる。
【0044】
このとき、逆正接で演算処理しているため、出力温特をキャンセルできる。
【0045】
本一実施の形態における磁気式位置検出装置は、磁気スケール3の着磁方向におけるN極1の中心部と隣り合うN極1の中心部の間の長さをλとしたとき、磁気スケール3の着磁方向において、第1の磁気抵抗素子5と第2の磁気抵抗素子6との距離、第3の磁気抵抗素子7と第4の磁気抵抗素子8との距離をそれぞれλ/4とし、第1の磁気抵抗素子5と第3の磁気抵抗素子7との距離、第2の磁気抵抗素子6と第4の磁気抵抗素子8との距離をそれぞれλ/8とし、磁気センサ4は磁気スケール3の着磁方向に対してλ/2移動しながら着磁方向と直交する方向に移動するように直線状に移動可能となっているため、第1、第2の出力端子11、12からそれぞれ出力される2つの信号は正弦波、余弦波(sinφ、cosφ)となり、これにより、逆正接演算処理することによって、磁気スケール3の移動距離に対する磁気センサ4の出力との関係に直線性を持たせることができる。この結果、磁気スケール3の移動に対する検出位置が一義的に決定され、磁気スケール3の絶対的位置の検出が可能になるという効果が得られる。
【0046】
また、シート状の磁気スケール3に従来のようにN極1とS極2とを交互に着磁するだけで、容易に絶対位置検出ができる。
【0047】
なお、上記一実施の形態における磁気式位置検出装置では、磁気スケール3を固定し、磁気センサ4を移動する場合について説明したが、磁気センサ4を固定し、磁気スケール3を移動させるようにしてもよい。
【産業上の利用可能性】
【0048】
本発明に係る磁気式位置検出装置は、磁気スケールの絶対的位置検出が可能になるという効果を有するものであり、特にカメラ等の光学機器のレンズ等のリニアの位置を検出する磁気式位置検出装置等として有用である。
【符号の説明】
【0049】
1 N極
2 S極
3 磁気スケール
4 磁気センサ
5 第1の磁気抵抗素子
6 第2の磁気抵抗素子
7 第3の磁気抵抗素子
8 第4の磁気抵抗素子
9 第1の磁気センサ
10 第2の磁気センサ
11 第1の出力端子
12 第2の出力端子
13 電圧印加端子
14 グランド端子
図1
図2
図3