特許 7316877 真空プロセス装置および真空プロセス装置におけるプロセス対象物の冷却方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2023-07-20

(45)【発行日】2023-07-28

(54)【発明の名称】真空プロセス装置および真空プロセス装置におけるプロセス対象物の冷却方法

(51)【国際特許分類】

   C23C 14/50 20060101AFI20230721BHJP

   C23C 14/24 20060101ALI20230721BHJP

   H01L 21/203 20060101ALI20230721BHJP

【ＦＩ】

C23C14/50 E

C23C14/24 K

H01L21/203 Z

【請求項の数】 4

(21)【出願番号】P 2019149770

(22)【出願日】2019-08-19

(65)【公開番号】P2021031694

(43)【公開日】2021-03-01

【審査請求日】2022-04-12

(73)【特許権者】

【識別番号】300075751

【氏名又は名称】株式会社オプトラン

(74)【代理人】

【識別番号】100135828

【弁理士】

【氏名又は名称】飯島 康弘

(72)【発明者】

【氏名】張 詠麟

(72)【発明者】

【氏名】範 賓

(72)【発明者】

【氏名】臼杵 亨

(72)【発明者】

【氏名】鄭 国富

(72)【発明者】

【氏名】長家 武彦

【審査官】安齋 美佐子

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１４－０９８２０５（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００９－２３８８６９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００５－１０１０２５（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００４－２３１９９３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１２－１１９６２６（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第２０１１／１３５６６７（ＷＯ，Ａ１）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｃ２３Ｃ １４／００－１４／５８

Ｃ２３Ｃ １６／００－１６／５６

Ｈ０１Ｌ ２１／２０３，２１／３０６５，２１／６８３

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

プロセス対象面と、その反対側の非プロセス対象面と、をそれぞれ有する複数のプロセス対象物にプロセス材料を供給する真空プロセス装置であって、
前記複数のプロセス対象物を収容する真空チャンバと、
前記真空チャンバ内に配置されたプロセス材料供給部の前記プロセス材料を加熱して供給する加熱源と、
前記プロセス対象面が前記プロセス材料供給部側に臨むように前記複数のプロセス対象物を保持する保持部と、前記複数のプロセス対象物の前記非プロセス対象面に対向する第１面と、を有し、前記真空チャンバ内に位置している冷却プレートと
前記第１面に配置された、輻射率が０．５以上の熱放射シートと、
を有し、
前記冷却プレートは、前記第１面の平面視で当該冷却プレートの中央側の回転中心の回りに回転可能に、前記真空チャンバに軸シールされて設けられており、
前記保持部は、前記非プロセス対象面と前記熱放射シート面との間に間隙が形成されるように、前記複数のプロセス対象物の外縁部を保持する、
真空プロセス装置。

【請求項2】

前記熱放射シートは、粘着剤により前記第１面に貼り付けられている
請求項１記載の真空プロセス装置。

【請求項3】

前記冷却プレートには、冷媒が循環する冷媒循環路が形成されている
請求項１または２記載の真空プロセス装置。

【請求項4】

請求項１～３のいずれか１項に記載の真空プロセス装置におけるプロセス対象物の冷却方法であって、
前記熱放射シートにより、前記複数のプロセス対象物の少なくとも輻射熱を吸収して前記冷却プレート側に熱放射して前記複数のプロセス対象物を冷却する
真空プロセス装置におけるプロセス対象物の冷却方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、たとえば半導体製造装置において、真空チャンバ内で、ガラス基板等のプロセス対象物に対して蒸着等により薄膜形成等の所定のプロセス処理を行う真空プロセス装置および真空プロセス装置におけるプロセス対象物の冷却方法に関するものである。

【背景技術】

【0002】

半導体デバイスの製造プロセスには多くの微細加工、薄膜形成技術が適用されている。
それらの装置は、真空プロセス装置とも総称され、真空中での物理、化学的現象が利用されている。

【0003】

真空によって生み出される物理的、化学的加工原理としては、放電、イオン化、スパッタリング現象等を挙げることができる。
これらの現象は、プラズマエッチング（Plasma Etching）、プラズマＣＶＤ（Plasma Chemical Vapor Deposition）、イオン打ち込み(Ion Implantation)、スパッタリングデポジッション(Sputtering Deposition)などに適用されている。

【0004】

これらの現象が適用される真空プロセス装置においては、プロセスの途中、いわゆるプラズマ源、ヒータ源などの加熱源を用いることから、プロセス対象物に加熱による影響等により蓄積された反りや材料変質などの現象が発生してしまう。

【0005】

たとえば、真空蒸着では、蒸着材料を気化させるために、蒸着材料の温度および蒸着材料を収容するるつぼの温度が高温となる。
そして、蒸着材料をプロセス対象物である基板に蒸着させるため、高温のるつぼの上方に基板が配置される。
蒸着中は、主に、以下の理由により基板の温度が上昇する。
高温のるつぼおよび溶融した蒸着材料の表面からも輻射熱により基板の温度が上昇する。

【0006】

そこで、真空プロセス装置においては、温度上昇に伴うプロセス対象物（たとえば基板）における反りや材料変質を抑制するために、プロセス対象物の温度を制御する冷却装置（冷却システム）が採用されている（たとえば特許文献１参照）。

【0007】

特許文献１に開示された冷却装置は、真空チャンバ内に設けられ、プロセス対象物である基板の走行を案内する冷却されたロールと、ロール周辺の真空チャンバ内の空間を、蒸着を行う第１圧力室と、第１圧力室より高い所定圧力を有する第２圧力室とに分離する分離部を有し、ロールは、第２圧力室にて基板を巻き付け、基板とロールとの間にガス層を形成する。
この冷却装置は、所定圧力を有する第２圧力室にて基板をロールに巻き付けると、基板とロールとが接触し始める部分の周囲に所定圧力のガスが存在するので、基板とロールとの間の微小な間隙にガスが自然に巻き込まれてガス層が形成される。
そして、このガス層が熱伝達に寄与し、基板の冷却効果をもたらすことになる。

【0008】

つまり、この冷却装置は、冷たいロールが冷却プレートとして機能し、真空中において、この冷却プレートとプロセス対象物としての基板との間にガスが貯まり、たとえば１００Ｐａ以上のガスであると、真空中の冷媒として機能し、プロセス対象物としての基板の熱を冷却プレートとしてのローラに放熱する。
この冷却方法は、ガス冷媒冷却法、あるいは、接触冷却法ということができる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0009】

【文献】特開２００６－８９７８２号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0010】

しかしながら、上述したようないわゆるガス冷媒冷却法を採用することは、シールの維持やプロセス真空度の維持が困難である。

【0011】

また、量産用の真空プロセス装置においては、分布歩留まり向上や時間短縮効率化のため、プロセス中の対象物が真空チャンバ内で高速回転や高速移動することなどが必要になる。
しかしその際に、一般的に考えられる接触冷却法を適用することは効率が著しく低下する。

【0012】

本発明は、シールの維持やプロセス真空度の維持が容易で、プロセス対象物が真空チャンバ内で高速回転や高速移動をする場合にも効率よく適用でき、しかも効率の良い冷却を実現することが可能な真空プロセス装置および真空プロセス装置におけるプロセス対象物の冷却方法を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0013】

本発明の第１の観点の真空プロセス装置は、真空チャンバと、前記真空チャンバ内に配置されたプロセス材料供給部のプロセス材料を加熱して供給する加熱源と、前記真空チャンバ内に、プロセス対象面が前記プロセス材料供給部側に臨むように配置され、前記プロセス材料が供給されて所定の対象物が形成されるプロセス対象物と、第１面と第２面とを有し、前記真空チャンバ内に、前記第１面が前記プロセス対象物のプロセス対象面と反対側の非プロセス対象面と対向するように配置された冷却プレートと、前記冷却プレートの第１面に配置された熱放射シートとを有する。

【0014】

好適には、前記熱放射シートは、粘着剤により前記冷却プレートの第１面に貼り付けられている。

【0015】

また、好適には、前記冷却プレートには、冷媒が循環する冷媒循環路が形成されている。

【0016】

また、好適には、前記冷却プレートは、複数枚のプロセス対象物を前記プロセス対象面が前記プロセス材料供給部側に臨むように保持し、円板形状を有して円板の中心を回転中心として回転可能に前記真空チャンバに軸シールされて設けられている。

【0017】

また、好適には、前記冷却プレートは、前記第１面に設けられ、前記プロセス対象物の非プロセス対象面と前記熱放射シート面との間に間隙が形成されるように、前記プロセス対象物の外縁部を保持する保持部を有する。

【0018】

本発明の第２の観点は、真空チャンバと、前記真空チャンバ内に配置されたプロセス材料供給部のプロセス材料を加熱して供給する加熱源と、前記真空チャンバ内に、プロセス対象面が前記プロセス材料供給部側に臨むように配置され、前記プロセス材料が供給されて所定のプロセス対象物が形成されるプロセス対象物と、を有する真空プロセス装置におけるプロセス対象物の冷却方法であって、第１面と第２面とを有し、当該第１面に熱放射シートを貼り付けた冷却プレートを、前記真空チャンバ内に、前記第１面が前記プロセス対象物のプロセス対象面と反対側の非プロセス対象面と対向するように配置し、前記冷却プレートの第１面に貼り付けられた前記熱放射シートにより、前記プロセス対象物の少なくとも輻射熱を吸収して前記冷却プレート側に熱放射して前記プロセス対象物を冷却する。

【発明の効果】

【0019】

本発明によれば、シールの維持やプロセス真空度の維持が容易で、プロセス対象物が真空チャンバ内で高速回転や高速移動をする場合にも効率よく適用でき、しかも効率の良い冷却を実現することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【0020】

【図1】図１は、本発明の第１の実施形態に係る真空プロセス装置を採用した真空成膜装置であるイオンビームアシスト真空蒸着装置を模式的に示す構成図である。

【図2】図２は、本第１の実施形態に係る真空プロセス装置を採用した真空蒸着装置におけるプロセス対象物の冷却システムの一構成例を模式的に示す図である。

【図3】図３は、プロセス対象物の冷却システムにおいて、熱放射シートがある場合とない場合の冷却効果を理論的計算により導いた結果を示す図である。

【図4】図４は、本第２の実施形態に係る真空プロセス装置を採用した真空蒸着装置におけるプロセス対象物の冷却システムの構成例を模式的に示す図である。

【図5】図５は、図４の真空蒸着装置の回転される冷却プレートの外周部に円状に保持された複数枚のプロセス対象物および複数の加熱源の配置例の様子を模式的に示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0021】

以下に、本発明の真空プロセス装置の一例としての真空成膜装置とそれを用いたプロセス対象物の冷却方法の実施の形態について、図面に関連付けて説明する。

【0022】

（第１の実施形態）
［真空成膜装置の構成］
図１は、本発明の第１の実施形態に係る真空プロセス装置を採用した真空成膜装置であるイオンビームアシスト真空蒸着装置を模式的に示す構成図である。

【0023】

本第１の実施形態の真空蒸着装置１においては、たとえば、成膜チャンバである真空チャンバ１０に、図示しない排気管および真空ポンプが接続されており、内部が所定の圧力に減圧可能となっている。真空蒸着による成膜時における真空チャンバ１０内の背圧は、たとえば１０^－２～１０^－５Ｐａ程度である。

【0024】

真空チャンバ１０の内部には、下方から上方に向かって、プロセス材料供給部のプロセス材料を加熱して供給する加熱源２０、光学ガラス基板等により形成される成膜対象基板としてのプロセス対象物３０、およびプロセス対象物３０を冷却するための冷却プレート４０が、所定間隔をおいて配置されている。
冷却プレート４０の第１面４０１には、プロセス対象物３０の少なくとも輻射熱を吸収して冷却プレート４０側に熱放射する熱放射シート５０が配置されている。熱放射シート５０は、たとえば冷却プレート４０の第１面４０１に対して粘着剤６０により貼り付けられている。
そして、真空チャンバ１０の外部には、冷却プレート４０内に形成される冷媒循環路と連結され、熱交換を行う熱交換器７０が配置されている。

【0025】

加熱源２０は、プロセス材料供給部２００として、たとえば第１真空蒸発源２１０および第２真空蒸着源２２０が配置されている。第１真空蒸発源２１０の内部に第１蒸着材料２１１が収容されており、また、第２真空蒸発源２２０の内部に第２蒸着材料２２１が収容されている。
第１蒸着材料２１１はたとえばＳｉＯ_２であり、第２蒸着材料２２１はたとえばＴｉＯ_２あるいはＴａ_２Ｏ_５である。
各真空蒸着源２１０，２２０には、たとえば不図示の抵抗加熱、電子ビーム加熱、レーザービーム加熱、電子銃などの加熱手段が設けられており、真空蒸発源において蒸着材料が加熱されて気化すると蒸着材料の蒸気が噴出する。

【0026】

たとえば、真空チャンバ１０内には、第１真空蒸発源２１０および第２真空蒸着源２２０の蒸着材料の蒸気を噴出する方向に、石英ガラスなどの光学基板である成膜対象基板としてのプロセス対象物３０を膜形成面としてのプロセス対象面３０１がプロセス材料供給部２００側に臨むように保持する基板ホルダ３１が設けられている。
基板ホルダ３１は、たとえば冷却プレート４０の第１面４０１側に形成され、真空チャンバ１０の上方からプロセス対象物３０の外縁部を保持しかつ支持するように構成されている。

【0027】

なお、図１では、真空蒸着源を２つ設けて２種類の薄膜の多層膜を形成する例を示しているが、真空蒸着源を３つ設けて３種類の薄膜の多層膜を形成する等、種々の態様が可能である。
３つの真空蒸着源を用いる場合、たとえば第１蒸着材料はＳｉＯ_２であり、第２蒸着材料はＳｉ_３Ｎ_４であり、第３蒸着材料はａ－ＳｉＮ：Ｈである。

【0028】

また、たとえば、真空チャンバ１０内に酸素イオンなどのイオンをプロセス対象物３０に照射するイオンソース２３０が設けられており、イオンビームアシスト真空蒸着を行うことができる。
イオンソース２３０からイオンを成膜対象基板としてのプロセス対象物３０の膜形成面に照射することで、プロセス材料供給部２００から供給される蒸着物質により成膜されて膜厚が厚くなるプロセスと、既に成膜された膜の表面近傍の一部領域が、イオンソース２３０から照射されるイオンによりスパッタされて膜厚が薄くなるプロセスとを同時に進行させながら成膜できる。

【0029】

［プロセス対象物３０の冷却システム］
図２は、本第１の実施形態に係る真空蒸着装置１におけるプロセス対象物３０の冷却システムの一構成例を模式的に示す図である。

【0030】

冷却プレート４０は、第１面４０１と第２面４０２とを有し、真空チャンバ１０内に、第１面４０１がプロセス対象物３０のプロセス対象面３０１と反対側の非プロセス対象面３０２と対向するように配置されている。

【0031】

冷却プレート４０には、冷媒が循環する冷媒循環路４１０が形成されている。
冷媒循環路４１０は、熱交換器７０の冷たい冷媒の供給路７１０と第１側面（図２の例では右側面）４０３側で連結され、第１面４０１に沿うように配置された第１冷媒路４１１と、第２側面（図２の例では左側面）４０４側で折り返すための折り返し路４１２と、折り返し路４１２に連結され、暖められた熱い冷媒を熱交換器７０側に送り返す、熱交換器７０の熱い冷媒の排出路７２０と第１側面（図２の例では右側面）４０３側で連結された第２冷媒路４１３と、により形成されている。

【0032】

冷却プレート４０は、この熱交換器７０の熱交換作用により、たとえば０°Ｃ～６０°Ｃ程度に保持される。

【0033】

熱放射シート５０は、冷却プレート４０の第１面４０１に粘着剤６０により貼り付けられ、プロセス対象物３０の少なくとも輻射熱を吸収して冷却シート４０側、具体的には第１面４０１側に熱放射する。

【0034】

熱放射シート５０は、たとえば加熱源２０により所定の熱量の熱を受けて温度Ｔｇが２００°Ｃ程度に上昇したプロセス対象物３０による輻射熱を吸収してその熱を電磁波（たとえば遠赤外線）に変換し、外部、すなわち、熱交換システムで冷却される冷却プレート４０の第１面４０１側に熱放射する。

【0035】

ここで、冷却プレート４０の温度をＴｃ、熱放射シート５０の温度をＴｓ、熱放射シート５０の輻射率をεｓ、プロセス対象物の温度をＴｇ、プロセス対象物３０の輻射率をεｇ、加熱源２０からプロセス対処物３０までの過熱量をＱｈ、Ｓｔｅｆａｎ－Ｂｏｌｔｚｍａｎｎ定数をσとして表すと、プロセス対象物３０の温度は次式で与えられる。

【0036】

【数1】

【0037】

図３は、プロセス対象物３０の冷却システムにおいて、熱放射シートがある場合とない場合の冷却効果を理論的計算により導いた結果を示す図である。
図１３において、横軸は冷却プレート４０の温度Ｔｃを、縦軸はプロセス対象物３０の温度Ｔｇを表している。
また、Ａで示す曲線が熱放射シート５０の輻射率εｓが０．２のときのプロセス対象物３０の温度Ｔｇを、Ｂで示す曲線が熱放射シート５０の輻射率εｓが０．５０のときのプロセス対象物３０の温度Ｔｇを、Ｃで示す曲線が熱放射シート５０の輻射率εｓが０．９のときのプロセス対象物３０の温度Ｔｇを示している。
なお、熱放射シート５０の輻射率εｓが０．２のときのとは、熱放射シートがない場合に相当する。
また、冷却プレート４０の温度Ｔｃは、熱交換器７０の性能により異なる。

【0038】

計算条件は以下の通りである。
・Ｔｃ＝Ｔｓ
・εｓ ：０．２/ ０．５ / ０．９
・εg＝０．９
・Ｑｈ＝０．０４４Ｗ・ｃｍ^-２
・σ＝５．６７×１０^-８Ｗ・ｍ^-２・Ｋ^-４

【0039】

結果、図３に示すように、熱放射シート５０が無く輻射率εsが０．２の場合、プロセス対象物３０の温度Ｔｃは１９３度である。
熱放射シート５０の輻射率εsが０．５の場合、プロセス対象物３０の温度Ｔｃは１１９．８度に下がる。
熱放射シート５０の輻射率εsが０．９の場合、プロセス対象物３０の温度Ｔｃは８２．７度に下がる。

【0040】

このように、本第１の実施形態の真空プロセス装置において、冷却プレート４０は、第１面４０１と第２面４０２とを有し、真空チャンバ１０内に、第１面４０１がプロセス対象物３０のプロセス対象面３０１と反対側の非プロセス対象面３０２と対向するように配置されており、熱放射シート５０が、冷却プレート４０の第１面４０１に粘着剤６０により貼り付けられており、熱放射シート５０がプロセス対象物３０の少なくとも輻射熱を吸収して冷却シート４０側に熱放射することから、熱放射シートがない場合に比べて、真空内のプロセス対象物３０に対する冷却効果を向上させることができ、効率的な冷却システムを実現することが可能となる。

【0041】

以上説明したように、本第１の実施形態によれば、真空プロセス装置は、真空チャンバ１０と、真空チャンバ１０内に配置されたプロセス材料供給部２００のプロセス材料を加熱して供給する加熱源２０と、真空チャンバ１０内に、プロセス対象面３０１がプロセス材料供給部２００側に臨むように配置され、プロセス材料が供給されて所定の対象物が形成されるプロセス対象物３０と、第１面４０１と第２面４０２とを有し、真空チャンバ１０内に、第１面４０１がプロセス対象物３０のプロセス対象面３０１と反対側の非プロセス対象面３０２と対向するように配置された冷却プレート４０と、冷却プレート４０の第１面４０１に配置された熱放射シート５０と、を有する。

【0042】

したがって、本第１の実施形態によれば、以下の効果を得ることができる。
シールの維持やプロセス真空度の維持が容易で、プロセス対象物が真空チャンバ内で高速回転や高速移動をする場合にも効率よく適用でき、しかも効率の良い冷却を実現することが可能となる。
より具体的には、熱放射シート５０が、冷却プレート４０の第１面４０１に粘着剤６０により貼り付けられており、熱放射シート５０がプロセス対象物３０の少なくとも輻射熱を吸収して冷却シート４０側に熱放射することから、熱放射シートがない場合に比べて、真空内のプロセス対象物３０に対する冷却効果を向上させることができ、効率的な冷却システムを実現することが可能となる。

【0043】

（第２の実施形態）
図４は、本第２の実施形態に係る真空プロセス装置を採用した真空蒸着装置におけるプロセス対象物の冷却システムの構成例を模式的に示す図である。
図５（Ａ）および（Ｂ）は、図４の真空蒸着装置の回転される冷却プレート４０Ａの外周部に円状に保持された複数枚のプロセス対象物および複数の加熱源２０－１，２０－２，２０－３の配置例の様子を模式的に示す図である。

【0044】

本第２の実施形態に係る真空蒸着装置１Ａが第１の実施形態に係る真空蒸着装置１と異なる点は以下の通りである。
本第２の実施形態に係る真空蒸着装置１Ａにおいて、冷却プレート４０Ａは、真空チャンバ１０Ａ内に、プロセス材料供給部の蒸着源を含む真空蒸発源のプロセス材料の蒸気を噴出する方向に、複数枚のプロセス対象物３０をプロセス対象面３０１が加熱源２０のプロセス材料供給部側に臨むように保持し、平面円板形状（またはドーム状の形状）を有して平面円板の中心を回転中心として図示しないモータの駆動により回転可能に、真空チャンバ１０Ａに軸シールされて設けられている。
また、冷却プレート４０Ａにおける冷媒循環路７１０Ａは、図２に示す２つの冷媒循環路７１０が連結された冷却プレート内で循環可能に構成されている。

【0045】

また、冷却プレート４０Ａは、第１面４０１に設けられ、プロセス対象物３０の非プロセス対象面３０２と熱放射シート５０Ａの放射面５０１との間に間隙が形成されるように、プロセス対象物３０の外縁部を保持する保持部４２０を有する。

【0046】

本第２の実施形態によれば、複数のプロセス対象物３０は、それぞれ保持部４２０によって回転可能な冷却プレート４０Ａに固定され、固定された状態において、プロセス対象物３０の非プロセス対象面３０２と熱放射シート５０Ａの放射面５０１との間に間隙が形成されることから、冷却プレート４０Ａに回転に伴い、図５（Ａ）中、矢印Ｙで示すように、円環となる空冷路が形成され、ある領域に熱がこもってしまう等の不具合の発生が防止され、さらに効率の良い冷却システムを実現することが可能となる。

【0047】

さらに、本第２の実施形態によれば、以下の効果を得ることができる。
すなわち、本第２の実施形態によれば、複数のプロセス対象物３０は、それぞれ保持部４２０によって回転可能な冷却プレート４０Ａに固定されることから、真空プロセスにおいて、量産化に対応しながら歩留まりを向上させることができる。

【0048】

本発明は上記の説明に限定されない。
たとえば、イオンビームアシスト真空蒸着装置および方法に限らず、その他の真空成膜装置および方法に適用可能である。さらに、真空成膜以外にスパッタリングによる成膜あるいはＣＶＤ（化学気相成長）による成膜など、その他の薄膜形成装置および方法にも適用可能である。
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。

【符号の説明】

【0049】

１０，１０Ａ・・・真空チャンバ、２０，２０Ａ，２０－１，２０－２，２０－３・・・加熱源、２００・・・プロセス材料供給部、２１０・・・第１真空蒸着源、２１１・・・第１蒸着材料、２２０・・・第２真空蒸着源、２２１・・・第２蒸着材料、２３０・・・イオンソース、３０・・・プロセス対象物、３０１・・・プロセス対象面、３０２・・・非プロセス対象面、４０，４０Ａ・・・冷却プレート、４０１・・・第１面、４０２・・・第２面、４１０・・・第１冷媒路、４２０・・・折り返し路、４３０・・・第２冷媒路、５０，５０Ａ・・・熱放射シート、６０・・・粘着剤、７０・・・熱交換器、７１０，７１０Ａ・・・冷媒循環路。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】