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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2023-07-21
(45)【発行日】2023-07-31
(54)【発明の名称】基板処理装置および基板処理方法
(51)【国際特許分類】
H01L 21/26 20060101AFI20230724BHJP
H01L 21/02 20060101ALI20230724BHJP
H01L 21/67 20060101ALI20230724BHJP
【ＦＩ】
H01L21/26 T
H01L21/26 J
H01L21/02 Z
H01L21/68 Z
【請求項の数】
2
(21)【出願番号】P 2019194048
(22)【出願日】2019-10-25
(65)【公開番号】P2021068835
(43)【公開日】2021-04-30
【審査請求日】2022-06-17
(73)【特許権者】
【識別番号】000207551
【氏名又は名称】株式会社ＳＣＲＥＥＮホールディングス
(74)【代理人】
【識別番号】100088672
【弁理士】
【氏名又は名称】吉竹 英俊
(74)【代理人】
【識別番号】100088845
【弁理士】
【氏名又は名称】有田 貴弘
(72)【発明者】
【氏名】中島 往馬
(72)【発明者】
【氏名】瀬川 聡
(72)【発明者】
【氏名】大森 麻央
【審査官】宇多川 勉
(56)【参考文献】
【文献】特開２００２－１２３３０１（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００８－１２６２５２（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００９－２７１８３３（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１２－０４４１０３（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０１Ｌ ２１／２６
Ｈ０１Ｌ ２１／０２
Ｈ０１Ｌ ２１／６７
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板に所定の処理を行う基板処理装置であって、前記基板処理装置の全体を制御する第１制御部と、
前記基板処理装置に設けられ、前記第１制御部による制御の対象となる複数の制御対象機器と、
前記第１制御部と前記複数の制御対象機器の一部との間の情報伝達を管理する第２制御部と、
前記第１制御部に設けられ、前記第１制御部にて実行されるソフトウェアの動作を監視する第１監視部と、
前記第２制御部に設けられ、前記ソフトウェアの動作を監視する第２監視部と、
を備え、
前記第１監視部は、前記ソフトウェアによって前記第１制御部が実行することとなる複数のタスクのうちの第１のタスクからクリア信号を一定時間受信しなかったときに前記複数の制御対象機器の全てを停止し、
前記第２監視部は、前記複数のタスクのうちの第２のタスクからクリア信号を一定時間受信しなかったときに前記複数の制御対象機器の前記一部を停止することを特徴とする基板処理装置。
【請求項2】
基板に所定の処理を行う基板処理方法であって、基板処理装置の全体を制御する第１制御部が前記基板処理装置に設けられた複数の制御対象機器を制御する制御工程と、
前記第１制御部に設けられた第１監視部が前記第１制御部にて実行されるソフトウェアの動作を監視する第１監視工程と、
前記第１制御部と前記複数の制御対象機器の一部との間の情報伝達を管理する第２制御部に設けられた第２監視部が前記ソフトウェアの動作を監視する第２監視工程と、
を備え、
前記第１監視工程では、前記ソフトウェアによって前記第１制御部が実行することとなる複数のタスクのうちの第１のタスクから前記第１監視部がクリア信号を一定時間受信しなかったときに前記複数の制御対象機器の全てを停止し、
前記第２監視工程では、前記複数のタスクのうちの第２のタスクから前記第２監視部がクリア信号を一定時間受信しなかったときに前記複数の制御対象機器の前記一部を停止することを特徴とする基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、半導体ウェハー等の薄板状精密電子基板（以下、単に「基板」と称する）に熱処理等の所定の処理を行う基板処理装置および基板処理方法に関する。
【背景技術】
【0002】
半導体デバイスの製造プロセスにおいて、極めて短時間で半導体ウェハーを加熱するフラッシュランプアニール（ＦＬＡ）が注目されている。フラッシュランプアニールは、キセノンフラッシュランプ（以下、単に「フラッシュランプ」とするときにはキセノンフラッシュランプを意味する）を使用して半導体ウェハーの表面にフラッシュ光を照射することにより、半導体ウェハーの表面のみを極めて短時間（数ミリ秒以下）に昇温させる熱処理技術である。
【0003】
キセノンフラッシュランプの放射分光分布は紫外域から近赤外域であり、従来のハロゲンランプよりも波長が短く、シリコンの半導体ウェハーの基礎吸収帯とほぼ一致している。よって、キセノンフラッシュランプから半導体ウェハーにフラッシュ光を照射したときには、透過光が少なく半導体ウェハーを急速に昇温することが可能である。また、数ミリ秒以下の極めて短時間のフラッシュ光照射であれば、半導体ウェハーの表面近傍のみを選択的に昇温できることも判明している。
【0004】
このようなフラッシュランプアニールは、極短時間の加熱が必要とされる処理、例えば典型的には半導体ウェハーに注入された不純物の活性化に利用される。イオン注入法によって不純物が注入された半導体ウェハーの表面にフラッシュランプからフラッシュ光を照射すれば、当該半導体ウェハーの表面を極短時間だけ活性化温度にまで昇温することができ、不純物を深く拡散させることなく、不純物活性化のみを実行することができるのである。
【0005】
特許文献１には、半導体ウェハーを収容するチャンバーの下側にハロゲンランプを設けるとともに、上側にフラッシュランプを設けたフラッシュランプアニール装置が開示されている。特許文献１に開示の装置においては、チャンバー内にて石英のサセプタに保持した半導体ウェハーの下方からハロゲンランプが光を照射して予備加熱を行った後に、半導体ウェハーの表面にフラッシュランプからフラッシュ光を照射して当該表面を所定の処理温度に加熱している。また、特許文献１に開示の装置においては、ハロゲンランプ等の装置に搭載された機器の動作を制御部によって制御している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
【文献】特開２０１８－４９９６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
従来より、上述したフラッシュランプアニール装置等の基板処理装置には、制御部で実行されているソフトウェア（ＯＳまたはアプリケーション）が暴走等によって動作不能となったときに、その動作不能を検知して制御を停止させる監視システム（ウォッチドッグシステム）が設けられている。しかしながら、制御部が正常に動作していないときには、監視システムも正常に機能せずに機器の動作を停止できないことがあった。
【0008】
例えば、制御部によってハロゲンランプの点灯が制御されているときには、その制御は監視システムに監視されており、制御用ソフトウェアの暴走等によって制御不能となった場合には、監視システムがハロゲンランプの点灯を停止させることとなる。しかし、制御部が制御不能で監視システムが正常に機能していない場合には、ハロゲンランプが点灯し続けるという不具合が生じることとなる。
【0009】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、制御不能となった場合でも制御対象機器の動作を確実に停止させることができる基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0010】
上記課題を解決するため、請求項１の発明は、基板に所定の処理を行う基板処理装置において、前記基板処理装置の全体を制御する第１制御部と、前記基板処理装置に設けられ、前記第１制御部による制御の対象となる複数の制御対象機器と、前記第１制御部と前記複数の制御対象機器の一部との間の情報伝達を管理する第２制御部と、前記第１制御部に設けられ、前記第１制御部にて実行されるソフトウェアの動作を監視する第１監視部と、前記第２制御部に設けられ、前記ソフトウェアの動作を監視する第２監視部と、を備え、前記第１監視部は、前記ソフトウェアによって前記第１制御部が実行することとなる複数のタスクのうちの第１のタスクからクリア信号を一定時間受信しなかったときに前記複数の制御対象機器の全てを停止し、前記第２監視部は、前記複数のタスクのうちの第２のタスクからクリア信号を一定時間受信しなかったときに前記複数の制御対象機器の前記一部を停止することを特徴とする。
【0012】
また、請求項２の発明は、基板に所定の処理を行う基板処理方法において、基板処理装置の全体を制御する第１制御部が前記基板処理装置に設けられた複数の制御対象機器を制御する制御工程と、前記第１制御部に設けられた第１監視部が前記第１制御部にて実行されるソフトウェアの動作を監視する第１監視工程と、前記第１制御部と前記複数の制御対象機器の一部との間の情報伝達を管理する第２制御部に設けられた第２監視部が前記ソフトウェアの動作を監視する第２監視工程と、を備え、前記第１監視工程では、前記ソフトウェアによって前記第１制御部が実行することとなる複数のタスクのうちの第１のタスクから前記第１監視部がクリア信号を一定時間受信しなかったときに前記複数の制御対象機器の全てを停止し、前記第２監視工程では、前記複数のタスクのうちの第２のタスクから前記第２監視部がクリア信号を一定時間受信しなかったときに前記複数の制御対象機器の前記一部を停止することを特徴とする。
【発明の効果】
【0014】
請求項１の発明によれば、基板処理装置の全体を制御する第１制御部に設けられ、第１制御部にて実行されるソフトウェアの動作を監視する第１監視部と、第１制御部と複数の制御対象機器の一部との間の情報伝達を管理する第２制御部に設けられ、ソフトウェアの動作を監視する第２監視部と、を備えるため、第１監視部および第２監視部によってソフトウェアの暴走を２重に監視することにより、ソフトウェアの一部が防止して制御対象機器の制御が不能となった場合であっても、制御対象機器の動作を確実に停止させることができる。
【0015】
請求項２の発明によれば、基板処理装置の全体を制御する第１制御部に設けられた第１監視部が第１制御部にて実行されるソフトウェアの動作を監視する第１監視工程と、第１制御部と複数の制御対象機器の一部との間の情報伝達を管理する第２制御部に設けられた第２監視部がソフトウェアの動作を監視する第２監視工程と、を備えるため、第１監視部および第２監視部によってソフトウェアの暴走を２重に監視することにより、ソフトウェアの一部が防止して制御対象機器の制御が不能となった場合であっても、制御対象機器の動作を確実に停止させることができる。
【図面の簡単な説明】
【0016】
【図1】本発明に係る基板処理装置の一例である熱処理装置の構成を示す縦断面図である。
【図2】保持部の全体外観を示す斜視図である。
【図3】サセプタの平面図である。
【図4】サセプタの断面図である。
【図5】移載機構の平面図である。
【図6】移載機構の側面図である。
【図7】複数のハロゲンランプの配置を示す平面図である。
【図8】制御部の周辺構成を示す図である。
【図9】主制御部が実行する複数のタスクの概念を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0017】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【0018】
図１は、本発明に係る基板処理装置の一例である熱処理装置１の構成を示す縦断面図である。図１の熱処理装置１は、基板として円板形状の半導体ウェハーＷに対してフラッシュ光照射を行うことによってその半導体ウェハーＷを加熱するフラッシュランプアニール装置である。処理対象となる半導体ウェハーＷのサイズは特に限定されるものではないが、例えばφ３００ｍｍやφ４５０ｍｍである（本実施形態ではφ３００ｍｍ）。なお、図１および以降の各図においては、理解容易のため、必要に応じて各部の寸法や数を誇張または簡略化して描いている。
【0019】
熱処理装置１は、半導体ウェハーＷを収容するチャンバー６と、複数のフラッシュランプＦＬを内蔵するフラッシュ加熱部５と、複数のハロゲンランプＨＬを内蔵するハロゲン加熱部４と、を備える。チャンバー６の上側にフラッシュ加熱部５が設けられるとともに、下側にハロゲン加熱部４が設けられている。また、熱処理装置１は、チャンバー６の内部に、半導体ウェハーＷを水平姿勢に保持する保持部７と、保持部７と装置外部との間で半導体ウェハーＷの受け渡しを行う移載機構１０と、を備える。さらに、熱処理装置１は、ハロゲン加熱部４、フラッシュ加熱部５およびチャンバー６に設けられた各動作機構を制御して半導体ウェハーＷの熱処理を実行させる制御部３を備える。
【0020】
チャンバー６は、筒状のチャンバー側部６１の上下に石英製のチャンバー窓を装着して構成されている。チャンバー側部６１は上下が開口された概略筒形状を有しており、上側開口には上側チャンバー窓６３が装着されて閉塞され、下側開口には下側チャンバー窓６４が装着されて閉塞されている。チャンバー６の天井部を構成する上側チャンバー窓６３は、石英により形成された円板形状部材であり、フラッシュ加熱部５から出射されたフラッシュ光をチャンバー６内に透過する石英窓として機能する。また、チャンバー６の床部を構成する下側チャンバー窓６４も、石英により形成された円板形状部材であり、ハロゲン加熱部４からの光をチャンバー６内に透過する石英窓として機能する。
【0021】
また、チャンバー側部６１の内側の壁面の上部には反射リング６８が装着され、下部には反射リング６９が装着されている。反射リング６８，６９は、ともに円環状に形成されている。上側の反射リング６８は、チャンバー側部６１の上側から嵌め込むことによって装着される。一方、下側の反射リング６９は、チャンバー側部６１の下側から嵌め込んで図示省略のビスで留めることによって装着される。すなわち、反射リング６８，６９は、ともに着脱自在にチャンバー側部６１に装着されるものである。チャンバー６の内側空間、すなわち上側チャンバー窓６３、下側チャンバー窓６４、チャンバー側部６１および反射リング６８，６９によって囲まれる空間が熱処理空間６５として規定される。
【0022】
チャンバー側部６１に反射リング６８，６９が装着されることによって、チャンバー６の内壁面に凹部６２が形成される。すなわち、チャンバー側部６１の内壁面のうち反射リング６８，６９が装着されていない中央部分と、反射リング６８の下端面と、反射リング６９の上端面とで囲まれた凹部６２が形成される。凹部６２は、チャンバー６の内壁面に水平方向に沿って円環状に形成され、半導体ウェハーＷを保持する保持部７を囲繞する。チャンバー側部６１および反射リング６８，６９は、強度と耐熱性に優れた金属材料（例えば、ステンレススチール）にて形成されている。
【0023】
また、チャンバー側部６１には、チャンバー６に対して半導体ウェハーＷの搬入および搬出を行うための搬送開口部（炉口）６６が形設されている。搬送開口部６６は、ゲートバルブ１８５によって開閉可能とされている。搬送開口部６６は凹部６２の外周面に連通接続されている。このため、ゲートバルブ１８５が搬送開口部６６を開放しているときには、搬送開口部６６から凹部６２を通過して熱処理空間６５への半導体ウェハーＷの搬入および熱処理空間６５からの半導体ウェハーＷの搬出を行うことができる。また、ゲートバルブ１８５が搬送開口部６６を閉鎖するとチャンバー６内の熱処理空間６５が密閉空間とされる。
【0024】
さらに、チャンバー側部６１には、貫通孔６１ａおよび貫通孔６１ｂが穿設されている。貫通孔６１ａは、後述するサセプタ７４に保持された半導体ウェハーＷの上面から放射された赤外光を上部放射温度計２５の赤外線センサー２９に導くための円筒状の孔である。一方、貫通孔６１ｂは、半導体ウェハーＷの下面から放射された赤外光を下部放射温度計２０の赤外線センサー２４に導くための円筒状の孔である。貫通孔６１ａおよび貫通孔６１ｂは、それらの貫通方向の軸がサセプタ７４に保持された半導体ウェハーＷの主面と交わるように、水平方向に対して傾斜して設けられている。貫通孔６１ａの熱処理空間６５に臨む側の端部には、上部放射温度計２５が測定可能な波長領域の赤外光を透過させるフッ化カルシウム材料からなる透明窓２６が装着されている。また、貫通孔６１ｂの熱処理空間６５に臨む側の端部には、下部放射温度計２０が測定可能な波長領域の赤外光を透過させるフッ化バリウム材料からなる透明窓２１が装着されている。
【0025】
また、チャンバー６の内壁上部には熱処理空間６５に処理ガスを供給するガス供給孔８１が形設されている。ガス供給孔８１は、凹部６２よりも上側位置に形設されており、反射リング６８に設けられていても良い。ガス供給孔８１はチャンバー６の側壁内部に円環状に形成された緩衝空間８２を介してガス供給管８３に連通接続されている。ガス供給管８３は処理ガス供給源８５に接続されている。また、ガス供給管８３の経路途中にはバルブ８４が介挿されている。バルブ８４が開放されると、処理ガス供給源８５から緩衝空間８２に処理ガスが送給される。緩衝空間８２に流入した処理ガスは、ガス供給孔８１よりも流体抵抗の小さい緩衝空間８２内を拡がるように流れてガス供給孔８１から熱処理空間６５内へと供給される。処理ガスとしては、例えば窒素（Ｎ２）等の不活性ガス、または、水素（Ｈ２）、アンモニア（ＮＨ３）等の反応性ガス、或いはそれらを混合した混合ガスを用いることができる（本実施形態では窒素ガス）。
【0026】
一方、チャンバー６の内壁下部には熱処理空間６５内の気体を排気するガス排気孔８６が形設されている。ガス排気孔８６は、凹部６２よりも下側位置に形設されており、反射リング６９に設けられていても良い。ガス排気孔８６はチャンバー６の側壁内部に円環状に形成された緩衝空間８７を介してガス排気管８８に連通接続されている。ガス排気管８８は排気部１９０に接続されている。また、ガス排気管８８の経路途中にはバルブ８９が介挿されている。バルブ８９が開放されると、熱処理空間６５の気体がガス排気孔８６から緩衝空間８７を経てガス排気管８８へと排出される。なお、ガス供給孔８１およびガス排気孔８６は、チャンバー６の周方向に沿って複数設けられていても良いし、スリット状のものであっても良い。また、処理ガス供給源８５および排気部１９０は、熱処理装置１に設けられた機構であっても良いし、熱処理装置１が設置される工場のユーティリティであっても良い。
【0027】
また、搬送開口部６６の先端にも熱処理空間６５内の気体を排出するガス排気管１９１が接続されている。ガス排気管１９１はバルブ１９２を介して排気部１９０に接続されている。バルブ１９２を開放することによって、搬送開口部６６を介してチャンバー６内の気体が排気される。
【0028】
図２は、保持部７の全体外観を示す斜視図である。保持部７は、基台リング７１、連結部７２およびサセプタ７４を備えて構成される。基台リング７１、連結部７２およびサセプタ７４はいずれも石英にて形成されている。すなわち、保持部７の全体が石英にて形成されている。
【0029】
基台リング７１は円環形状から一部が欠落した円弧形状の石英部材である。この欠落部分は、後述する移載機構１０の移載アーム１１と基台リング７１との干渉を防ぐために設けられている。基台リング７１は凹部６２の底面に載置されることによって、チャンバー６の壁面に支持されることとなる（図１参照）。基台リング７１の上面に、その円環形状の周方向に沿って複数の連結部７２（本実施形態では４個）が立設される。連結部７２も石英の部材であり、溶接によって基台リング７１に固着される。
【0030】
サセプタ７４は基台リング７１に設けられた４個の連結部７２によって支持される。図３は、サセプタ７４の平面図である。また、図４は、サセプタ７４の断面図である。サセプタ７４は、保持プレート７５、ガイドリング７６および複数の基板支持ピン７７を備える。保持プレート７５は、石英にて形成された略円形の平板状部材である。保持プレート７５の直径は半導体ウェハーＷの直径よりも大きい。すなわち、保持プレート７５は、半導体ウェハーＷよりも大きな平面サイズを有する。
【0031】
保持プレート７５の上面周縁部にガイドリング７６が設置されている。ガイドリング７６は、半導体ウェハーＷの直径よりも大きな内径を有する円環形状の部材である。例えば、半導体ウェハーＷの直径がφ３００ｍｍの場合、ガイドリング７６の内径はφ３２０ｍｍである。ガイドリング７６の内周は、保持プレート７５から上方に向けて広くなるようなテーパ面とされている。ガイドリング７６は、保持プレート７５と同様の石英にて形成される。ガイドリング７６は、保持プレート７５の上面に溶着するようにしても良いし、別途加工したピンなどによって保持プレート７５に固定するようにしても良い。或いは、保持プレート７５とガイドリング７６とを一体の部材として加工するようにしても良い。
【0032】
保持プレート７５の上面のうちガイドリング７６よりも内側の領域が半導体ウェハーＷを保持する平面状の保持面７５ａとされる。保持プレート７５の保持面７５ａには、複数の基板支持ピン７７が立設されている。本実施形態においては、保持面７５ａの外周円（ガイドリング７６の内周円）と同心円の周上に沿って３０°毎に計１２個の基板支持ピン７７が立設されている。１２個の基板支持ピン７７を配置した円の径（対向する基板支持ピン７７間の距離）は半導体ウェハーＷの径よりも小さく、半導体ウェハーＷの径がφ３００ｍｍであればφ２７０ｍｍ～φ２８０ｍｍ（本実施形態ではφ２７０ｍｍ）である。それぞれの基板支持ピン７７は石英にて形成されている。複数の基板支持ピン７７は、保持プレート７５の上面に溶接によって設けるようにしても良いし、保持プレート７５と一体に加工するようにしても良い。
【0033】
図２に戻り、基台リング７１に立設された４個の連結部７２とサセプタ７４の保持プレート７５の周縁部とが溶接によって固着される。すなわち、サセプタ７４と基台リング７１とは連結部７２によって固定的に連結されている。このような保持部７の基台リング７１がチャンバー６の壁面に支持されることによって、保持部７がチャンバー６に装着される。保持部７がチャンバー６に装着された状態においては、サセプタ７４の保持プレート７５は水平姿勢（法線が鉛直方向と一致する姿勢）となる。すなわち、保持プレート７５の保持面７５ａは水平面となる。
【0034】
チャンバー６に搬入された半導体ウェハーＷは、チャンバー６に装着された保持部７のサセプタ７４の上に水平姿勢にて載置されて保持される。このとき、半導体ウェハーＷは保持プレート７５上に立設された１２個の基板支持ピン７７によって支持されてサセプタ７４に保持される。より厳密には、１２個の基板支持ピン７７の上端部が半導体ウェハーＷの下面に接触して当該半導体ウェハーＷを支持する。１２個の基板支持ピン７７の高さ（基板支持ピン７７の上端から保持プレート７５の保持面７５ａまでの距離）は均一であるため、１２個の基板支持ピン７７によって半導体ウェハーＷを水平姿勢に支持することができる。
【0035】
また、半導体ウェハーＷは複数の基板支持ピン７７によって保持プレート７５の保持面７５ａから所定の間隔を隔てて支持されることとなる。基板支持ピン７７の高さよりもガイドリング７６の厚さの方が大きい。従って、複数の基板支持ピン７７によって支持された半導体ウェハーＷの水平方向の位置ずれはガイドリング７６によって防止される。
【0036】
また、図２および図３に示すように、サセプタ７４の保持プレート７５には、上下に貫通して開口部７８が形成されている。開口部７８は、下部放射温度計２０が半導体ウェハーＷの下面から放射される放射光（赤外光）を受光するために設けられている。すなわち、下部放射温度計２０が開口部７８およびチャンバー側部６１の貫通孔６１ｂに装着された透明窓２１を介して半導体ウェハーＷの下面から放射された光を受光して当該半導体ウェハーＷの温度を測定する。さらに、サセプタ７４の保持プレート７５には、後述する移載機構１０のリフトピン１２が半導体ウェハーＷの受け渡しのために貫通する４個の貫通孔７９が穿設されている。
【0037】
図５は、移載機構１０の平面図である。また、図６は、移載機構１０の側面図である。移載機構１０は、２本の移載アーム１１を備える。移載アーム１１は、概ね円環状の凹部６２に沿うような円弧形状とされている。それぞれの移載アーム１１には２本のリフトピン１２が立設されている。移載アーム１１およびリフトピン１２は石英にて形成されている。各移載アーム１１は水平移動機構１３によって回動可能とされている。水平移動機構１３は、一対の移載アーム１１を保持部７に対して半導体ウェハーＷの移載を行う移載動作位置（図５の実線位置）と保持部７に保持された半導体ウェハーＷと平面視で重ならない退避位置（図５の二点鎖線位置）との間で水平移動させる。水平移動機構１３としては、個別のモータによって各移載アーム１１をそれぞれ回動させるものであっても良いし、リンク機構を用いて１個のモータによって一対の移載アーム１１を連動させて回動させるものであっても良い。
【0038】
また、一対の移載アーム１１は、昇降機構１４によって水平移動機構１３とともに昇降移動される。昇降機構１４が一対の移載アーム１１を移載動作位置にて上昇させると、計４本のリフトピン１２がサセプタ７４に穿設された貫通孔７９（図２，３参照）を通過し、リフトピン１２の上端がサセプタ７４の上面から突き出る。一方、昇降機構１４が一対の移載アーム１１を移載動作位置にて下降させてリフトピン１２を貫通孔７９から抜き取り、水平移動機構１３が一対の移載アーム１１を開くように移動させると各移載アーム１１が退避位置に移動する。一対の移載アーム１１の退避位置は、保持部７の基台リング７１の直上である。基台リング７１は凹部６２の底面に載置されているため、移載アーム１１の退避位置は凹部６２の内側となる。なお、移載機構１０の駆動部（水平移動機構１３および昇降機構１４）が設けられている部位の近傍にも図示省略の排気機構が設けられており、移載機構１０の駆動部周辺の雰囲気がチャンバー６の外部に排出されるように構成されている。
【0039】
図１に戻り、チャンバー６の上方に設けられたフラッシュ加熱部５は、筐体５１の内側に、複数本（本実施形態では３０本）のキセノンフラッシュランプＦＬからなる光源と、その光源の上方を覆うように設けられたリフレクタ５２と、を備えて構成される。また、フラッシュ加熱部５の筐体５１の底部にはランプ光放射窓５３が装着されている。フラッシュ加熱部５の床部を構成するランプ光放射窓５３は、石英により形成された板状の石英窓である。フラッシュ加熱部５がチャンバー６の上方に設置されることにより、ランプ光放射窓５３が上側チャンバー窓６３と相対向することとなる。フラッシュランプＦＬはチャンバー６の上方からランプ光放射窓５３および上側チャンバー窓６３を介して熱処理空間６５にフラッシュ光を照射する。
【0040】
複数のフラッシュランプＦＬは、それぞれが長尺の円筒形状を有する棒状ランプであり、それぞれの長手方向が保持部７に保持される半導体ウェハーＷの主面に沿って（つまり水平方向に沿って）互いに平行となるように平面状に配列されている。よって、フラッシュランプＦＬの配列によって形成される平面も水平面である。
【0041】
キセノンフラッシュランプＦＬは、その内部にキセノンガスが封入されその両端部にコンデンサーに接続された陽極および陰極が配設された棒状のガラス管（放電管）と、該ガラス管の外周面上に付設されたトリガー電極とを備える。キセノンガスは電気的には絶縁体であることから、コンデンサーに電荷が蓄積されていたとしても通常の状態ではガラス管内に電気は流れない。しかしながら、トリガー電極に高電圧を印加して絶縁を破壊した場合には、コンデンサーに蓄えられた電気がガラス管内に瞬時に流れ、そのときのキセノンの原子あるいは分子の励起によって光が放出される。このようなキセノンフラッシュランプＦＬにおいては、予めコンデンサーに蓄えられていた静電エネルギーが０．１ミリセカンドないし１００ミリセカンドという極めて短い光パルスに変換されることから、ハロゲンランプＨＬの如き連続点灯の光源に比べて極めて強い光を照射し得るという特徴を有する。すなわち、フラッシュランプＦＬは、１秒未満の極めて短い時間で瞬間的に発光するパルス発光ランプである。なお、フラッシュランプＦＬの発光時間は、フラッシュランプＦＬに電力供給を行うランプ電源のコイル定数によって調整することができる。
【0042】
また、リフレクタ５２は、複数のフラッシュランプＦＬの上方にそれら全体を覆うように設けられている。リフレクタ５２の基本的な機能は、複数のフラッシュランプＦＬから出射されたフラッシュ光を熱処理空間６５の側に反射するというものである。リフレクタ５２はアルミニウム合金板にて形成されており、その表面（フラッシュランプＦＬに臨む側の面）はブラスト処理により粗面化加工が施されている。
【0043】
チャンバー６の下方に設けられたハロゲン加熱部４は、筐体４１の内側に複数本（本実施形態では４０本）のハロゲンランプＨＬを内蔵している。ハロゲン加熱部４は、複数のハロゲンランプＨＬによってチャンバー６の下方から下側チャンバー窓６４を介して熱処理空間６５への光照射を行って半導体ウェハーＷを加熱する。
【0044】
図７は、複数のハロゲンランプＨＬの配置を示す平面図である。４０本のハロゲンランプＨＬは上下２段に分けて配置されている。保持部７に近い上段に２０本のハロゲンランプＨＬが配設されるとともに、上段よりも保持部７から遠い下段にも２０本のハロゲンランプＨＬが配設されている。各ハロゲンランプＨＬは、長尺の円筒形状を有する棒状ランプである。上段、下段ともに２０本のハロゲンランプＨＬは、それぞれの長手方向が保持部７に保持される半導体ウェハーＷの主面に沿って（つまり水平方向に沿って）互いに平行となるように配列されている。よって、上段、下段ともにハロゲンランプＨＬの配列によって形成される平面は水平面である。
【0045】
また、図７に示すように、上段、下段ともに保持部７に保持される半導体ウェハーＷの中央部に対向する領域よりも周縁部に対向する領域におけるハロゲンランプＨＬの配設密度が高くなっている。すなわち、上下段ともに、ランプ配列の中央部よりも周縁部の方がハロゲンランプＨＬの配設ピッチが短い。このため、ハロゲン加熱部４からの光照射による加熱時に温度低下が生じやすい半導体ウェハーＷの周縁部により多い光量の照射を行うことができる。
【0046】
また、上段のハロゲンランプＨＬからなるランプ群と下段のハロゲンランプＨＬからなるランプ群とが格子状に交差するように配列されている。すなわち、上段に配置された２０本のハロゲンランプＨＬの長手方向と下段に配置された２０本のハロゲンランプＨＬの長手方向とが互いに直交するように計４０本のハロゲンランプＨＬが配設されている。
【0047】
ハロゲンランプＨＬは、ガラス管内部に配設されたフィラメントに通電することでフィラメントを白熱化させて発光させるフィラメント方式の光源である。ガラス管の内部には、窒素やアルゴン等の不活性ガスにハロゲン元素（ヨウ素、臭素等）を微量導入した気体が封入されている。ハロゲン元素を導入することによって、フィラメントの折損を抑制しつつフィラメントの温度を高温に設定することが可能となる。したがって、ハロゲンランプＨＬは、通常の白熱電球に比べて寿命が長くかつ強い光を連続的に照射できるという特性を有する。すなわち、ハロゲンランプＨＬは少なくとも１秒以上連続して発光する連続点灯ランプである。また、ハロゲンランプＨＬは棒状ランプであるため長寿命であり、ハロゲンランプＨＬを水平方向に沿わせて配置することにより上方の半導体ウェハーＷへの放射効率が優れたものとなる。
【0048】
また、ハロゲン加熱部４の筐体４１内にも、２段のハロゲンランプＨＬの下側にリフレクタ４３が設けられている（図１）。リフレクタ４３は、複数のハロゲンランプＨＬから出射された光を熱処理空間６５の側に反射する。
【0049】
図１に示すように、チャンバー６には、上部放射温度計２５および下部放射温度計２０の２つの放射温度計（本実施形態ではパイロメーター）が設けられている。上部放射温度計２５は、サセプタ７４に保持された半導体ウェハーＷの斜め上方に設置され、その半導体ウェハーＷの上面から放射された赤外光を受光して上面の温度を測定する。上部放射温度計２５の赤外線センサー２９は、フラッシュ光が照射された瞬間の半導体ウェハーＷの上面の急激な温度変化に対応できるように、ＩｎＳｂ（インジウムアンチモン）の光学素子を備えている。一方、下部放射温度計２０は、サセプタ７４に保持された半導体ウェハーＷの斜め下方に設けられ、その半導体ウェハーＷの下面から放射された赤外光を受光して下面の温度を測定する。
【0050】
制御部３は、熱処理装置１に設けられた上記の種々の動作機構を制御する。図８は、制御部３の周辺構成を示す図である。制御部３は、主制御部（第１制御部）３１を備える。主制御部３１は、熱処理装置１の全体を制御する。すなわち、上述したハロゲンランプＨＬに電力を供給するランプ電源およびバルブ８４，８９等は主制御部３１による制御の対象となる制御対象機器である。主制御部３１は、一般的なコンピュータと同様のハードウェア構成を備えており、各種演算処理を行う回路であるＣＰＵ（図示省略）等を備える。
【0051】
また、制御部３は、入出力制御部（第２制御部）３２を含む。入出力制御部３２は、熱処理装置１に搭載された複数の制御対象機器の一部と主制御部３１との間の情報伝達を管理する。入出力制御部３２は子機３５と回線によって接続され、子機３５はハロゲンランプＨＬのランプ電源４９やバルブ８４，８９等を含む複数の制御対象機器と接続されている。入出力制御部３２は、ランプ電源４９等の複数の制御対象機器に対する情報の入出力を管理する。主制御部３１は、入出力制御部３２を介してランプ電源４９等の複数の制御対象機器に対して情報の送受信を行うことによってそれら制御対象機器を制御する。
【0052】
主制御部３１は、ＣＰＵが所定のソフトウェア（ＯＳおよびアプリケーションを含む）を実行することによって、複数の制御対象機器を制御する。本実施形態においては、主制御部３１には第１監視部３６が設けられるとともに、入出力制御部３２には第２監視部３７が設けられている。第１監視部３６および第２監視部３７はともにいわゆるウォッチドッグシステムを含む。すなわち、第１監視部３６は、タイマ（ウォッチドッグタイマ）を備えており、主制御部３１にて実行されているソフトウェアからクリア信号を一定時間受信しなかったときに熱処理装置１に搭載された全ての制御対象機器の動作を停止させる。また、第２監視部３７も、タイマを備えており、主制御部３１にて実行されているソフトウェアからクリア信号を一定時間受信しなかったときに入出力制御部３２に接続されている制御対象機器の動作を停止させる。第１監視部３６および第２監視部３７の動作についてはさらに後述する。
【0053】
また、制御部３には液晶のタッチパネル３３が接続されている。タッチパネル３３は、種々の情報を表示するとともに、種々のコメントやパラメータの入力を受け付ける。すなわち、タッチパネル３３は、表示部および入力部の双方の機能を併せ持つＧＵＩ(Graphical User Interface)として機能するものである。熱処理装置１のオペレータは、タッチパネル３３に表示された情報を確認しつつ、タッチパネル３３からコマンドやパラメータを入力することができる。なお、タッチパネル３３に代えて、キーボードやマウス等の入力部と液晶ディスプレイ等の表示部との組み合わせを用いるようにしても良い。
【0054】
上記の構成以外にも熱処理装置１は、半導体ウェハーＷの熱処理時にハロゲンランプＨＬおよびフラッシュランプＦＬから発生する熱エネルギーによるハロゲン加熱部４、フラッシュ加熱部５およびチャンバー６の過剰な温度上昇を防止するため、様々な冷却用の構造を備えている。例えば、チャンバー６の壁体には水冷管（図示省略）が設けられている。また、ハロゲン加熱部４およびフラッシュ加熱部５は、内部に気体流を形成して排熱する空冷構造とされている。また、上側チャンバー窓６３とランプ光放射窓５３との間隙にも空気が供給され、フラッシュ加熱部５および上側チャンバー窓６３を冷却する。
【0055】
次に、熱処理装置１における処理動作について説明する。ここではまず、製品となる通常の半導体ウェハー（プロダクトウェハー）Ｗに対する熱処理動作について説明する。以下に説明する半導体ウェハーＷの処理手順は、制御部３の主制御部３１が熱処理装置１の各動作機構を制御することにより進行する。
【0056】
まず、半導体ウェハーＷの処理に先立って給気のためのバルブ８４が開放されるとともに、排気用のバルブ８９が開放されてチャンバー６内に対する給排気が開始される。バルブ８４が開放されると、ガス供給孔８１から熱処理空間６５に窒素ガスが供給される。また、バルブ８９が開放されると、ガス排気孔８６からチャンバー６内の気体が排気される。これにより、チャンバー６内の熱処理空間６５の上部から供給された窒素ガスが下方へと流れ、熱処理空間６５の下部から排気される。
【0057】
また、バルブ１９２が開放されることによって、搬送開口部６６からもチャンバー６内の気体が排気される。さらに、図示省略の排気機構によって移載機構１０の駆動部周辺の雰囲気も排気される。なお、熱処理装置１における半導体ウェハーＷの熱処理時には窒素ガスが熱処理空間６５に継続的に供給されており、その供給量は処理工程に応じて適宜変更される。
【0058】
続いて、ゲートバルブ１８５が開いて搬送開口部６６が開放され、装置外部の搬送ロボットにより搬送開口部６６を介して処理対象となる半導体ウェハーＷがチャンバー６内の熱処理空間６５に搬入される。このときには、半導体ウェハーＷの搬入にともなって装置外部の雰囲気を巻き込むおそれがあるが、チャンバー６には窒素ガスが供給され続けているため、搬送開口部６６から窒素ガスが流出して、そのような外部雰囲気の巻き込みを最小限に抑制することができる。
【0059】
搬送ロボットによって搬入された半導体ウェハーＷは保持部７の直上位置まで進出して停止する。そして、移載機構１０の一対の移載アーム１１が退避位置から移載動作位置に水平移動して上昇することにより、リフトピン１２が貫通孔７９を通ってサセプタ７４の保持プレート７５の上面から突き出て半導体ウェハーＷを受け取る。このとき、リフトピン１２は基板支持ピン７７の上端よりも上方にまで上昇する。
【0060】
半導体ウェハーＷがリフトピン１２に載置された後、搬送ロボットが熱処理空間６５から退出し、ゲートバルブ１８５によって搬送開口部６６が閉鎖される。そして、一対の移載アーム１１が下降することにより、半導体ウェハーＷは移載機構１０から保持部７のサセプタ７４に受け渡されて水平姿勢にて下方より保持される。半導体ウェハーＷは、保持プレート７５上に立設された複数の基板支持ピン７７によって支持されてサセプタ７４に保持される。また、半導体ウェハーＷは、被処理面である表面を上面として保持部７に保持される。複数の基板支持ピン７７によって支持された半導体ウェハーＷの裏面（表面とは反対側の主面）と保持プレート７５の保持面７５ａとの間には所定の間隔が形成される。サセプタ７４の下方にまで下降した一対の移載アーム１１は水平移動機構１３によって退避位置、すなわち凹部６２の内側に退避する。
【0061】
半導体ウェハーＷが石英にて形成された保持部７のサセプタ７４によって水平姿勢にて下方より保持された後、ハロゲン加熱部４の４０本のハロゲンランプＨＬが一斉に点灯して予備加熱（アシスト加熱）が開始される。ハロゲンランプＨＬから出射されたハロゲン光は、石英にて形成された下側チャンバー窓６４およびサセプタ７４を透過して半導体ウェハーＷの下面に照射される。ハロゲンランプＨＬからの光照射を受けることによって半導体ウェハーＷが予備加熱されて温度が上昇する。なお、移載機構１０の移載アーム１１は凹部６２の内側に退避しているため、ハロゲンランプＨＬによる加熱の障害となることは無い。
【0062】
ハロゲンランプＨＬからの光照射によって昇温する半導体ウェハーＷの温度は下部放射温度計２０によって測定される。測定された半導体ウェハーＷの温度は制御部３に伝達される。制御部３の主制御部３１は、ハロゲンランプＨＬからの光照射によって昇温する半導体ウェハーＷの温度が所定の予備加熱温度Ｔ１に到達したか否かを監視しつつ、ハロゲンランプＨＬの出力を制御する。すなわち、主制御部３１は、下部放射温度計２０による測定値に基づいて、半導体ウェハーＷの温度が予備加熱温度Ｔ１となるようにハロゲンランプＨＬの出力をフィードバック制御する。
【0063】
半導体ウェハーＷの温度が予備加熱温度Ｔ１に到達した後、主制御部３１は半導体ウェハーＷをその予備加熱温度Ｔ１に暫時維持する。具体的には、下部放射温度計２０によって測定される半導体ウェハーＷの温度が予備加熱温度Ｔ１に到達した時点にて主制御部３１がハロゲンランプＨＬの出力を調整し、半導体ウェハーＷの温度をほぼ予備加熱温度Ｔ１に維持している。
【0064】
このようなハロゲンランプＨＬによる予備加熱を行うことによって、半導体ウェハーＷの全体を予備加熱温度Ｔ１に均一に昇温している。ハロゲンランプＨＬによる予備加熱の段階においては、より放熱が生じやすい半導体ウェハーＷの周縁部の温度が中央部よりも低下する傾向にあるが、ハロゲン加熱部４におけるハロゲンランプＨＬの配設密度は、半導体ウェハーＷの中央部に対向する領域よりも周縁部に対向する領域の方が高くなっている。このため、放熱が生じやすい半導体ウェハーＷの周縁部に照射される光量が多くなり、予備加熱段階における半導体ウェハーＷの面内温度分布を均一なものとすることができる。
【0065】
半導体ウェハーＷの温度が予備加熱温度Ｔ１に到達して所定時間が経過した時点でフラッシュ加熱部５のフラッシュランプＦＬがサセプタ７４に保持された半導体ウェハーＷの表面にフラッシュ光照射を行う。このとき、フラッシュランプＦＬから放射されるフラッシュ光の一部は直接にチャンバー６内へと向かい、他の一部は一旦リフレクタ５２により反射されてからチャンバー６内へと向かい、これらのフラッシュ光の照射により半導体ウェハーＷのフラッシュ加熱が行われる。
【0066】
フラッシュ加熱は、フラッシュランプＦＬからのフラッシュ光（閃光）照射により行われるため、半導体ウェハーＷの表面温度を短時間で上昇することができる。すなわち、フラッシュランプＦＬから照射されるフラッシュ光は、予めコンデンサーに蓄えられていた静電エネルギーが極めて短い光パルスに変換された、照射時間が０．１ミリセカンド以上１００ミリセカンド以下程度の極めて短く強い閃光である。そして、フラッシュランプＦＬからのフラッシュ光照射によりフラッシュ加熱される半導体ウェハーＷの表面温度は、瞬間的に１０００℃以上の処理温度Ｔ２まで上昇した後、急速に下降する。
【0067】
フラッシュ加熱処理が終了した後、所定時間経過後にハロゲンランプＨＬが消灯する。これにより、半導体ウェハーＷが予備加熱温度Ｔ１から急速に降温する。降温中の半導体ウェハーＷの温度は下部放射温度計２０によって測定され、その測定結果は制御部３に伝達される。制御部３の主制御部３１は、下部放射温度計２０の測定結果より半導体ウェハーＷの温度が所定温度まで降温したか否かを監視する。そして、半導体ウェハーＷの温度が所定以下にまで降温した後、移載機構１０の一対の移載アーム１１が再び退避位置から移載動作位置に水平移動して上昇することにより、リフトピン１２がサセプタ７４の上面から突き出て熱処理後の半導体ウェハーＷをサセプタ７４から受け取る。続いて、ゲートバルブ１８５により閉鎖されていた搬送開口部６６が開放され、リフトピン１２上に載置された半導体ウェハーＷが装置外部の搬送ロボットによりチャンバー６から搬出され、半導体ウェハーＷの加熱処理が完了する。
【0068】
上述のような半導体ウェハーＷに対する一連の処理は、制御部３の主制御部３１が熱処理装置１に搭載されたランプ電源４９等の複数の制御対象機器を制御することによって行われる。主制御部３１は、主制御部３１のＣＰＵが所定のソフトウェアを実行することによって複数の制御対象機器を制御する。ここで、主制御部３１が所定のソフトウェアを実行する際には、ＣＰＵを時分割して複数のタスク（プロセス）を順次に実行することとなる。
【0069】
図９は、主制御部３１が実行する複数のタスクの概念を示す図である。同図において、横軸は時間軸である。図９の例では、熱処理装置１における半導体ウェハーＷの処理時に主制御部３１が５つのタスクを順次に繰り返して実行している。主制御部３１が１つのタスクを実行している時間は極めて短い。主制御部３１が実行する５つのタスクのうち第１のタスク９１は、熱処理装置１の全体の管理に関するタスクである。また、５つのタスクのうち第２のタスク９２は、複数の制御対象機器に対する入出力に関するタスクである。
【0070】
主制御部３１にてソフトウェアが正常に動作している間は、主制御部３１が第１のタスク９１を実行しているときに第１のタスク９１から第１監視部３６にクリア信号が送信される。第１のタスク９１からのクリア信号を受信した第１監視部３６はタイマをリセットしてタイマのカウントを再スタートさせる。ソフトウェアが正常に動作している間は、第１のタスク９１から第１監視部３６にクリア信号が一定間隔で繰り返して送信されることとなり、その都度第１監視部３６のタイマのカウントがリセットされることとなる。第１監視部３６は、タイマがタイムアップしていない間はソフトウェアが正常に動作していると判定して制御対象機器の動作を停止させることはない。
【0071】
一方、ソフトウェアが暴走したときには主制御部３１が制御不能状態となって第１のタスク９１から第１監視部３６にクリア信号が送信されなくなる。そうすると、第１監視部３６のタイマがリセットされずに一定時間経過後にタイマのカウントがタイムアップする。第１監視部３６は、タイマのカウントがタイムアップするとソフトウェアが暴走して主制御部３１が制御不能状態になったと判定して熱処理装置１に搭載された全ての制御対象機器の動作を停止させる。すなわち、第１監視部３６は、第１のタスク９１からクリア信号を一定時間受信しなかったときに複数の制御対象機器の全てを停止させるのである。このときに、第１監視部３６はタッチパネル３３にエラー発生を発報するようにしても良い。
【0072】
同様に、主制御部３１にてソフトウェアが正常に動作している間は、主制御部３１が第２のタスク９２を実行しているときに第２のタスク９２から第２監視部３７にクリア信号が送信される。第２のタスク９２からのクリア信号を受信した第２監視部３７はタイマをリセットしてタイマのカウントを再スタートさせる。ソフトウェアが正常に動作している間は、第２のタスク９２から第２監視部３７にクリア信号が一定間隔で繰り返して送信されることとなり、その都度第２監視部３７のタイマのカウントがリセットされることとなる。第２監視部３７は、タイマがタイムアップしていない間はソフトウェアが正常に動作していると判定して制御対象機器の動作を停止させることはない。
【0073】
一方、ソフトウェアが暴走したときには主制御部３１が制御不能状態となって第２のタスク９２から第２監視部３７にクリア信号が送信されなくなる。そうすると、第２監視部３７のタイマがリセットされずに一定時間経過後にタイマのカウントがタイムアップする。第２監視部３７は、タイマのカウントがタイムアップするとソフトウェアが暴走して主制御部３１が制御不能状態になったと判定して入出力制御部３２に接続されている制御対象機器の動作を停止させる。すなわち、第２監視部３７は、第２のタスク９２からクリア信号を一定時間受信しなかったときに入出力制御部３２に接続されている制御対象機器の動作を停止させるのである。このときに、第２監視部３７はタッチパネル３３にエラー発生を発報するようにしても良い。
【0074】
ここで、ソフトウェアが暴走したときには複数のタスクのうちの一部のみが暴走することがある。例えば、図９の例において、５つのタスクのうち第１のタスク９１は正常に動作しているのに、第２のタスク９２のみが暴走する場合がある。このような場合に、仮に第２監視部３７が設けられておらず、第１監視部３６のみが設けられていたとする。第１のタスク９１は正常に動作しているため、第１のタスク９１から第１監視部３６にクリア信号が送信され、第１監視部３６のタイマのカウントがリセットされる。第１監視部３６は、タイマがタイムアップしないため、ソフトウェアが正常に動作していると判定して制御対象機器の動作を停止させることはない。
【0075】
ところが、実際には第２のタスク９２が暴走しているため、例えばハロゲンランプＨＬのランプ電源４９に対する制御が不能となっている。このため、ハロゲンランプＨＬが点灯し続けて半導体ウェハーＷやチャンバー６内の構造物が過熱状態となる。すなわち、ソフトウェアが暴走しているにもかかわらず、第１監視部３６はソフトウェアが正常に動作していると判定してランプ電源４９による電力供給を停止しないため、ハロゲンランプＨＬが点灯し続けることとなるのである。
【0076】
そこで、本実施形態においては、第１監視部３６に加えて入出力制御部３２に第２監視部３７を設けている。これにより、５つのタスクのうち第２のタスク９２のみが暴走していた場合、第１のタスク９１から第１監視部３６にクリア信号が送信されるものの、第２のタスク９２から第２監視部３７にはクリア信号が送信されなくなる。第２監視部３７は、第２のタスク９２からクリア信号を一定時間受信しなかったときにソフトウェアが暴走していると判定して入出力制御部３２に接続されている制御対象機器の動作を停止させる。これによって、ランプ電源４９による電力供給が停止され、ハロゲンランプＨＬが消灯することとなる。すなわち、５つのタスクのうち第２のタスク９２のみが暴走していたとしても、第２監視部３７がその暴走を検知してハロゲンランプＨＬへの電力供給を確実に停止してハロゲンランプＨＬを消灯させるのである。
【0077】
本実施形態においては、第１監視部３６に加えて第２監視部３７を設け、主制御部３１におけるソフトウェアの暴走を２重に監視している。これにより、ソフトウェアが暴走して制御対象機器の制御が不能となっているにもかかわらず第１監視部３６がその暴走を検知できなかった場合でも、第２監視部３７が暴走を検知して制御不能となっている制御対象機器の動作を停止させることができる。すなわち、第１監視部３６および第２監視部３７によってソフトウェアの暴走を２重に監視することにより、ソフトウェアの一部が防止して制御対象機器の制御が不能となった場合であっても、制御対象機器の動作を確実に停止させることができる。
【0078】
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記実施形態において、第１監視部３６または第２監視部３７が主制御部３１におけるソフトウェアの暴走を検知して制御対象機器の動作を停止させた後に、主制御部３１の再起動を行うようにしても良い。主制御部３１の再起動は熱処理装置１のオペレータが手動で行うようにしても良い。
【0079】
また、上記実施形態においては、入出力制御部３２に第２監視部３７を設けていたが、これに限定されるものではなく、第２監視部３７は他の構成に設けるようにしても良い。
【0080】
また、上記実施形態においては、ソフトウェアが暴走したときに、第２監視部３７がその暴走を検知してハロゲンランプＨＬを消灯させていたが、他の制御対象機器の動作を停止させても良い。例えば、第２監視部３７がバルブ８４を閉止してチャンバー６へのガス供給を停止させるようにしても良い。
【0081】
また、第１監視部３６および第２監視部３７はハードウェアによって実現されても良いし、ソフトウェアによって実現されても良い。
【0082】
また、上記実施形態においては、フラッシュ加熱部５に３０本のフラッシュランプＦＬを備えるようにしていたが、これに限定されるものではなく、フラッシュランプＦＬの本数は任意の数とすることができる。また、フラッシュランプＦＬはキセノンフラッシュランプに限定されるものではなく、クリプトンフラッシュランプであっても良い。また、ハロゲン加熱部４に備えるハロゲンランプＨＬの本数も４０本に限定されるものではなく、任意の数とすることができる。
【0083】
また、上記実施形態においては、１秒以上連続して発光する連続点灯ランプとしてフィラメント方式のハロゲンランプＨＬを用いて半導体ウェハーＷの予備加熱を行っていたが、これに限定されるものではなく、ハロゲンランプＨＬに代えて放電型のアークランプ（例えば、キセノンアークランプ）を連続点灯ランプとして用いて予備加熱を行うようにしても良い。
【0084】
また、熱処理装置１によって処理対象となる基板は半導体ウェハーに限定されるものではなく、液晶表示装置などのフラットパネルディスプレイに用いるガラス基板や太陽電池用の基板であっても良い。
【0085】
また、本発明に係る技術の対象となるのはフラッシュランプアニールを行う熱処理装置１に限定されるものではなく、制御部によって複数の制御対象機器の制御を行う基板処理装置であれば良い。このような基板処理装置としては、例えば、半導体ウェハーＷの洗浄処理を行う基板洗浄装置および半導体ウェハーＷにレジスト塗布を行うとともに現像処理を行うコータ・デベロッパ等が挙げられる。
【符号の説明】
【0086】
１ 熱処理装置
３ 制御部
４ ハロゲン加熱部
５ フラッシュ加熱部
６ チャンバー
７ 保持部
１０ 移載機構
２０ 下部放射温度計
２５ 上部放射温度計
３１ 主制御部
３２ 入出力制御部
３６ 第１監視部
３７ 第２監視部
４９ ランプ電源
６３ 上側チャンバー窓
６４ 下側チャンバー窓
６５ 熱処理空間
７４ サセプタ
ＦＬ フラッシュランプ
ＨＬ ハロゲンランプ
Ｗ 半導体ウェハー
３ 制御部
４ ハロゲン加熱部
５ フラッシュ加熱部
６ チャンバー
７ 保持部
１０ 移載機構
２０ 下部放射温度計
２５ 上部放射温度計
３１ 主制御部
３２ 入出力制御部
３６ 第１監視部
３７ 第２監視部
４９ ランプ電源
６３ 上側チャンバー窓
６４ 下側チャンバー窓
６５ 熱処理空間
７４ サセプタ
ＦＬ フラッシュランプ
ＨＬ ハロゲンランプ
Ｗ 半導体ウェハー
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】