特許 7320045 立体パッケージを実現する基板製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2023-07-25

(45)【発行日】2023-08-02

(54)【発明の名称】立体パッケージを実現する基板製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 23/12 20060101AFI20230726BHJP

   H05K 3/46 20060101ALI20230726BHJP

   H05K 1/18 20060101ALI20230726BHJP

【ＦＩ】

H01L23/12 Q

H01L23/12 B

H01L23/12 N

H05K3/46 N

H05K3/46 Q

H05K1/18 S

H05K1/18 R

【請求項の数】 10

(21)【出願番号】P 2021198603

(22)【出願日】2021-12-07

(65)【公開番号】P2022092596

(43)【公開日】2022-06-22

【審査請求日】2021-12-07

(31)【優先権主張番号】202011433687.X

(32)【優先日】2020-12-10

(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN

(73)【特許権者】

【識別番号】520350546

【氏名又は名称】珠海越亜半導体股▲分▼有限公司

【氏名又は名称原語表記】ＺＨＵＨＡＩ ＡＣＣＥＳＳ ＳＥＭＩＣＯＮＤＵＣＴＯＲ ＣＯ．， ＬＴＤ

(74)【代理人】

【識別番号】100112737

【弁理士】

【氏名又は名称】藤田 考晴

(74)【代理人】

【識別番号】100136168

【弁理士】

【氏名又は名称】川上 美紀

(74)【代理人】

【識別番号】100196117

【弁理士】

【氏名又は名称】河合 利恵

(72)【発明者】

【氏名】陳 先明

(72)【発明者】

【氏名】洪 業傑

(72)【発明者】

【氏名】黄 本霞

(72)【発明者】

【氏名】馮 磊

【審査官】井上 和俊

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１５－０１５３１１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１７－０６３１０２（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１１－１５５１９９（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第２０１６／１８９６０９（ＷＯ，Ａ１）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２３／１２

Ｈ０５Ｋ ３／４６

Ｈ０５Ｋ １／１８

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

立体パッケージを実現する基板製造方法であって、
底板（１００）を用意するステップであって、前記底板（１００）は、誘電体材料層（１１０）と、前記誘電体材料層（１１０）内に設置される第１側壁パッド（１２０）と、第１ビアポスト（１３０）と、前記誘電体材料層（１１０）の両面を貫通するキャビティとを含み、前記キャビティ内に第１金属ブロック（１４１）が充填され、前記第１金属ブロック（１４１）と前記誘電体材料層（１１０）との間、および前記第１金属ブロック（１４１）の底部にはいずれもエッチング防止バリア層（１４２）が設けられ、前記キャビティは、少なくとも１つの平面状側壁を有し、前記第１側壁パッド（１２０）は前記平面状側壁の一側に位置しかつ前記エッチング防止バリア層（１４２）に接続されるステップと、
前記底板（１００）上に第１配線層および第２配線層を加工により形成するステップであって、前記第１配線層は第１裏当て板（２１０）および第２金属ブロック（２２０）を含み、前記第２配線層は第２裏当て板（２３０）および複数のピンパッド（２４０）を含み、前記第１裏当て板（２１０）および前記第２裏当て板（２３０）の位置はいずれも前記第１ビアポスト（１３０）に適合し、前記第２金属ブロック（２２０）は前記キャビティの上方を被覆し、複数の前記ピンパッド（２４０）はいずれも前記キャビティの底部に位置するステップと、
前記第１配線層上に層間ビアポストを加工により形成して積層圧合するステップであって、前記層間ビアポストは第１層間ビアポスト（３１０）、第２層間ビアポスト（３２０）、第３層間ビアポスト（３３０）および第４層間ビアポスト（３４０）を含み、前記第１層間ビアポスト（３１０）は前記第１裏当て板（２１０）上に設置され、前記第２層間ビアポスト（３２０）は前記第２金属ブロック（２２０）上に設置され、前記第３層間ビアポスト（３３０）は前記第２裏当て板（２３０）に設置され、前記第４層間ビアポスト（３４０）は少なくとも１つの前記ピンパッド（２４０）に設置されるステップと、
積層圧合後に得られた半製品上に第３配線層と第４配線層を加工により形成するステップであって、前記第３配線層は第２側壁パッド（４１０）を含み、前記第２側壁パッド（４１０）の位置は、前記第１側壁パッド（１２０）に適合し、かつ前記第２側壁パッド（４１０）は、前記第１層間ビアポスト（３１０）に接続され、前記第４配線層は配線線路（４２０）を含み、前記配線線路（４２０）はそれぞれ前記第３層間ビアポスト（３３０）および前記第４層間ビアポスト（３４０）に接続されるステップと、
前記第２層間ビアポスト（３２０）、前記第２金属ブロック（２２０）、前記第１金属ブロック（１４１）、および前記エッチング防止バリア層（１４２）をそれぞれエッチング処理して、前記第１側壁パッド（１２０）、前記第２側壁パッド（４１０）、および前記ピンパッド（２４０）を露出させるステップと、を含むことを特徴とする立体パッケージを実現する基板製造方法。

【請求項2】

前記底板（１００）上に前記第１配線層と前記第２配線層を加工により形成するステップは、
前記底板（１００）上に第１シード層（５１０）を作成するステップと、
前記第１シード層（５１０）上にパターン転写およびパターンメッキという方法によって前記第１配線層および前記第２配線層を加工により形成するステップと、を含むことを特徴とする請求項１に記載の立体パッケージを実現する基板製造方法。

【請求項3】

前記第１配線層上に前記層間ビアポストを加工により形成するステップは、
前記第１配線層と前記第２配線層上にパターン転写とパターンメッキという方法によって前記層間ビアポストを加工により形成するステップと、
前記第１配線層および前記第２配線層に適合する線路パターンを得るように、前記第１シード層（５１０）をエッチングするステップと、を含むことを特徴とする請求項２に記載の立体パッケージを実現する基板製造方法。

【請求項4】

積層圧合後に得られた半製品上に前記第３配線層と前記第４配線層を加工により形成するステップは、
積層圧合後に得られた半製品上に第２シード層（５２０）を作成するステップと、
前記第２シード層（５２０）上にパターン転写およびパターンメッキという方法によって前記第３配線層および前記第４配線層を加工により形成するステップと、を含むことを特徴とする請求項１に記載の立体パッケージを実現する基板製造方法。

【請求項5】

前記第２層間ビアポスト（３２０）、前記第２金属ブロック（２２０）、前記第１金属ブロック（１４１）および前記エッチング防止バリア層（１４２）をそれぞれエッチング処理するステップの後、
前記第３配線層および前記第４配線層にソルダーレジスト処理を行うステップと、
前記第１側壁パッド（１２０）、前記第２側壁パッド（４１０）、および前記ピンパッド（２４０）に金属表面処理を行うステップと、をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の立体パッケージを実現する基板製造方法。

【請求項6】

前記第３配線層および前記第４配線層に前記ソルダーレジスト処理を行うステップの後、
前記キャビティの側壁に受動素子（８１０）を溶接するステップであって、前記受動素子（８１０）のピンはそれぞれ前記第１側壁パッド（１２０）および前記第２側壁パッド（４１０）に接続されるステップと、
前記キャビティ内に能動素子（８２０）を溶接するステップであって、前記能動素子（８２０）のピンはそれぞれ前記ピンパッド（２４０）に接続されるステップと、
前記受動素子（８１０）および前記能動素子（８２０）が溶接された前記キャビティをパッケージするステップと、をさらに含むことを特徴とする請求項５に記載の立体パッケージを実現する基板製造方法。

【請求項7】

前記底板（１００）の製造方法は、
両面銅箔基板（１０００）を用意し、前記両面銅箔基板（１０００）上に第３シード層（１０４０）を作成するステップと、
前記第３シード層（１０４０）が加工により形成された前記両面銅箔基板（１０００）に前記第１側壁パッド（１２０）と前記第１ビアポスト（１３０）を加工により形成するステップと、
前記第１側壁パッド（１２０）と前記第１ビアポスト（１３０）が加工により形成された前記両面銅箔基板（１０００）上に感光遮蔽層を作成して前記キャビティを形成し、かつ前記キャビティ内に前記エッチング防止バリア層（１４２）を電気メッキするステップと、
前記エッチング防止バリア層（１４２）上に電気メッキを施して前記第１金属ブロック（１４１）を形成するステップと、
前記感光遮蔽層を除去し、誘電体材料を積層して前記誘電体材料層（１１０）を得るステップと、
前記誘電体材料層（１１０）を薄くした後、プレート分離を行い、前記底板（１００）を得るステップと、を含むことを特徴とする請求項１に記載の立体パッケージを実現する基板製造方法。

【請求項8】

前記両面銅箔基板（１０００）上に前記第３シード層（１０４０）を作成するステップは、
前記両面銅箔基板（１０００）上にニッケルをメッキして保護金属層（１０３０）を得るステップと、
前記保護金属層（１０３０）上に銅をメッキして、前記第３シード層（１０４０）を得るステップと、を含む請求項７に記載の立体パッケージを実現する基板製造方法。

【請求項9】

前記第１側壁パッド（１２０）は、断面が方形の銅柱であることを特徴とする請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の立体パッケージを実現する基板製造方法。

【請求項10】

前記第１ビアポスト（１３０）は、円筒形の銅柱であることを特徴とする請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の立体パッケージを実現する基板製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は配線板技術の分野に関し、特に立体パッケージを実現する基板製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

電子技術がますます発展するにつれて、電子製品の性能要件はますます高まっている。電子製品の多機能と高性能を実現するために、複数の機能の異なる能動受動素子をパッケージングしてより強大な機能を実現するチップモジュールは現在および未来の一定時期の発展傾向であり、これは電子製品の空間を縮小するだけでなく、異なる素子間の距離を短縮し、チップの演算速度を向上させる。

【0003】

現在、能動素子パッケージの技術は、複数のチップを並べ拡げてパッケージする水平パッケージ構造と、複数のチップを垂直方向に積み重ねてパッケージする垂直パッケージ構造とを含む。しかし、水平パッケージ構造であっても垂直パッケージ構造であっても、以下の欠点がある。

【0004】

１）配線板基板上のパッドはすべて同一配線層であるため、設計自由度が制限される。
２）配線板基板に対する占有面積が大きく、パッケージの小型化、高集積化の発展傾向を制限する。
３）素子が片面に密集して配置されたり、積み重ねられたりして、放熱効果を低下させる。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

本発明は、従来技術に存在する技術的問題の少なくとも１つを解決することを目的とする。そのため、本発明は、パッケージの空間利用率を向上させることができる立体パッケージを実現する基板製造方法を提案する。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明の実施例による立体パッケージを実現する基板製造方法は、
底板を用意するステップであって、前記底板は、誘電体材料層と、前記誘電体材料層内に設置される第１側壁パッドと、第１ビアポストと、前記誘電体材料層の両面を貫通するキャビティとを含み、前記キャビティ内に第１金属ブロック（１４１）が充填され、前記第１金属ブロックと前記誘電体材料層との間、および前記第１金属ブロックの底部にはいずれもエッチング防止バリア層が設けられ、前記キャビティは、少なくとも１つの平面状側壁を有し、前記第１側壁パッドは前記平面状側壁の一側に位置しかつ前記エッチング防止バリア層に接続されるステップと、
前記底板上に第１配線層および第２配線層を加工により形成するステップであって、前記第１配線層は第１裏当て板および第２金属ブロックを含み、前記第２配線層は第２裏当て板および複数のピンパッドを含み、前記第１裏当て板および前記第２裏当て板の位置はいずれも前記第１ビアポストに適合し、前記第２金属ブロックは前記キャビティの上方を被覆し、複数の前記ピンパッドはいずれも前記キャビティの底部に位置するステップと、
前記第１配線層上に層間ビアポストを加工により形成して積層圧合するステップであって、前記層間ビアポストは第１層間ビアポスト、第２層間ビアポスト、第３層間ビアポストおよび第４層間ビアポストを含み、前記第１層間ビアポストは前記第１裏当て板上に設置され、前記第２層間ビアポストは前記第２金属ブロック上に設置され、前記第３層間ビアポストは前記第２裏当て板に設置され、前記第４層間ビアポストは少なくとも１つの前記ピンパッドに設置されるステップと、
積層圧合後に得られた半製品上に第３配線層と第４配線層を加工により形成するステップであって、前記第３配線層は第２側壁パッドを含み、前記第２側壁パッドの位置は、前記第１側壁パッドに適合し、かつ前記第２側壁パッドは、前記第１層間ビアポストに接続され、前記第４配線層は配線線路を含み、前記配線線路はそれぞれ前記第３層間ビアポストおよび前記第４層間ビアポストに接続されるステップと、
前記第２層間ビアポスト、前記第２金属ブロック、前記第１金属ブロック、および前記エッチング防止バリア層をそれぞれエッチング処理して、前記第１側壁パッド、第２側壁パッド、および前記ピンパッドを露出させるステップと、を含む。

【0007】

本発明の実施例による立体パッケージを実現する基板製造方法は、少なくとも以下の有益な効果を有する：本発明はキャビティの側壁に例えば第１側壁パッドと第２側壁パッドのような側面パッドを形成することができ、これによって、パッドを同一の配線層内に制限する必要がなく、製品の配線設計に高い自由度を与え、能動受動素子をキャビティ内にパッケージすることができ、パッケージの空間を効果的に縮小し、パッケージの空間利用率を向上させる。

【0008】

本発明のいくつかの実施例によれば、前記底板上に第１配線層と第２配線層を加工により形成するステップは、
前記底板上に第１シード層を作成するステップと、
前記第１シード層上にパターン転写およびパターンメッキという方法によって前記第１配線層および前記第２配線層を加工により形成するステップと、を含む。

【0009】

本発明のいくつかの実施例によれば、前記第１配線層上に層間ビアポストを加工により形成するステップは、
前記第１配線層と前記第２配線層上にパターン転写とパターンメッキという方法によって前記層間ビアポストを加工により形成するステップと、
前記第１配線層および前記第２配線層に適合する線路パターンを得るように、前記第１シード層をエッチングするステップと、を含む。

【0010】

本発明のいくつかの実施例によれば、積層圧合後に得られた半製品上に第３配線層と第４配線層を加工により形成するステップは、
積層圧合後に得られた半製品上に第２シード層を作成するステップと、
前記第２シード層上にパターン転写およびパターンメッキという方法によって前記第３配線層および前記第４配線層を加工により形成するステップと、を含む。

【0011】

本発明のいくつかの実施例によれば、前記第２層間ビアポスト、前記第２金属ブロック、前記第１金属ブロックおよび前記エッチング防止バリア層をそれぞれエッチング処理するステップの後、
前記第３配線層および前記第４配線層にソルダーレジスト処理を行うステップと、
前記第１側壁パッド、前記第２側壁パッド、および前記ピンパッドに金属表面処理を行うステップと、をさらに含む。

【0012】

本発明のいくつかの実施例によれば、前記第３配線層および前記第４配線層にソルダーレジスト処理を行うステップの後、
前記キャビティの側壁に受動素子を溶接するステップであって、前記受動素子のピンはそれぞれ前記第１側壁パッドおよび前記第２側壁パッドに接続されるステップと、
前記キャビティ内に能動素子を溶接するステップであって、前記能動素子のピンはそれぞれ前記ピンパッドに接続されるステップと、
前記受動素子および前記能動素子が溶接されたキャビティをパッケージするステップと、をさらに含む。

【0013】

本発明のいくつかの実施例によれば、前記底板の製造方法は、
両面銅箔基板を用意し、両面銅箔基板上に第３シード層を作成するステップと、
前記第３シード層が加工により形成された両面銅箔基板上に前記第１側壁パッドと前記第１ビアポストを加工により形成するステップと、
前記第１側壁パッドと前記第１ビアポストが加工により形成された両面銅箔基板上に感光遮蔽層を作成して前記キャビティを形成し、かつ前記キャビティ内にエッチング防止バリア層を電気メッキするステップと、
前記エッチング防止バリア層上に電気メッキを施して前記第１金属ブロックを形成するステップと、
前記感光遮蔽層を除去し、誘電体材料を積層して前記誘電体材料層を得るステップと、
前記誘電体材料層を薄くした後、プレート分離を行い、前記底板を得るステップと、を含む。

【0014】

本発明のいくつかの実施例によれば、両面銅箔基板上に第３シード層を作成するステップは、
前記両面銅箔基板上にニッケルをメッキして保護金属層を得るステップと、
前記保護金属層上に銅をメッキして、前記第３シード層を得るステップと、を含む。

【0015】

本発明のいくつかの実施例によれば、前記第１側壁パッドは断面が方形の銅柱である。

【0016】

本発明のいくつかの実施例によれば、前記第１ビアポストは円筒形の銅柱である。

【0017】

本発明のさらなる態様および利点は、以下の説明において部分的に与えられ、以下の説明から部分的に明らかになるか、または本発明の実施から理解されるであろう。

【図面の簡単な説明】

【0018】

【図1】本発明の実施例に係る立体パッケージを実現する基板製造方法のフローチャートである。

【図2】本発明の実施例に係る立体パッケージを実現する基板製造方法の底板の平面図である。

【図3】第１シード層を加工により形成した後の図２に示す底板の半製品の概略構成図である。

【図4】層間ビアポストを加工により形成した後の図３に示す半製品の概略構成図である。

【図5】積層圧合後の図４に示す半製品の概略構成図である。

【図6】感光遮蔽材を貼り付けた後の図５に示す半製品の概略構成図である。

【図7】パターンメッキ後の図６に示す半製品の概略構成図である。

【図8】感光遮蔽材を貼り付けた後の図７に示す半製品の概略構成図である。

【図9】第２層間ビアポスト、第２金属ブロックおよび第１金属ブロックをエッチングした後の図８に示す半製品の概略構成図である。

【図10】第１シード層をエッチングした後の図９に示す半製品の概略構成図である。

【図11】ソルダーレジスト加工および金属表面処理後の図１０に示す半製品の概略構成図である。

【図12】受動素子を溶接した後の図１１に示す半製品の概略構成図である。

【図13】能動素子溶接とパッケージ後の図１２に示す半製品の概略構成図である。

【図14】本発明の実施例に係る立体パッケージを実現する基板製造方法の両面銅箔基板の概略構成図である。

【図15】第３シード層を加工により形成した後の図１４に示す両面銅箔基板の半製品の概略構成図である。

【図16a】感光遮蔽材を貼り付けた後の図１５に示す半製品の概略構成図である。

【図16b】図１６ａに示す半製品の概略平面図である。

【図17】図１６ａに示す半製品のパターンメッキ後の概略構成図である。

【図18a】エッチング防止バリア層をメッキした後の図１７に示す半製品の概略構成図である。

【図18b】図１８ａに示す半製品の概略平面図である。

【図19】第１金属ブロックを加工により形成した後の図１８ａに示す半製品の概略構成図である。

【図20】積層圧合後の図１９に示す半製品の概略構成図である。

【発明を実施するための形態】

【0019】

以下、本発明の実施例を詳細に説明し、前記実施例の例は図面に示されるが、同一または類似する符号は、常に、同一または類似の素子、あるいは、同一または類似の機能を有する素子を表す。以下、図面を参照しながら説明する実施例は例示的なものであり、本発明を説明することのみを目的とし、本発明を制限するものとして理解すべきではない。

【0020】

本発明の説明では、「上」、「下」などで示される方位または位置関係は、図面に基づく方位または位置関係であり、単に本明細書を容易に説明し且つ説明を簡素化するためのものにすぎず、本明細書に記載される装置または素子が特定の方位を有し、特定の方位で構成され且つ操作されなければならないことを指示または暗示するものではないため、本明細書への制限として理解すべきではない。

【0021】

本発明の説明において、「いくつか」の意味は１つまたは複数であり、「複数」の意味は２つ以上であり、「より大きい」、「より小さい」、「超える」などはこの値を含まないと理解され、「以上」、「以下」、「以内」などはこの値を含むと解釈されるべきである。「第１」、「第２」に言及すると、技術的特徴を区別するためのものに過ぎず、相対的重要性を提示又は暗示し、あるいは示される技術特徴の数量または示される技術的特徴の前後関係を暗黙的に示すものとして理解すべきではない。

【0022】

本発明の説明では、特に明確に限定されない限り、「設置」、「取り付け」、「接続」などの用語は広く理解されるべきであり、当業者は、技術的解決手段の具体的な内容に関連して上記用語の本発明での具体的な意味を合理的に決定することができる。

【0023】

本発明の説明において、方法のステップに連続的な参照番号を付けるのは、審査および理解を容易にするためであり、本発明の全体的な技術的解決手段および各ステップ間の論理関係に合わせて、ステップ間の実施順序を調整することは、本発明の技術的解決手段によって達成される技術的効果に影響を及ぼさない。

【0024】

図１を参照すると、本実施例は立体パッケージを実現する基板製造方法を開示し、ここでは、パターン転写、フォトレジストの堆積、露光およびその後の除去工程、パターンメッキなどのようないくつかの製造ステップが本明細書では詳細に説明されていない。なぜなら、これらのステップにおける材料およびプロセスフローは周知の技術であり、本明細書で詳細に説明すると、本説明は非常に煩雑になるからである。正確には、当業者は、特定の製品のための対応するステップを設計する際に、例えば、生産バッチ、基板の複雑さ、および素子の解像度などのパラメータに基づいて、様々な代替材料および製造プロセスから適切な選択を行うことができる。

【0025】

本実施例の立体パッケージを実現する基板製造方法は、以下のステップを含む。

【0026】

Ｓ１００では、図２および図３に示すように、底板１００を用意し、底板１００は、誘電体材料層１１０と、誘電体材料層１１０内に設置される第１側壁パッド１２０と、第１ビアポスト１３０と、誘電体材料層１１０の両面を貫通するキャビティとを含み、キャビティ内に第１金属ブロック１４１が充填され、第１金属ブロック１４１と誘電体材料層１１０との間、および第１金属ブロック１４１の底部にはいずれもエッチング防止バリア層１４２が設けられ、キャビティは、少なくとも１つの平面状側壁を有し、第１側壁パッド１２０は平面状側壁の一側に位置しかつエッチング防止バリア層１４２に接続される。

【0027】

なお、このステップにおいて、第１側壁パッド１２０は、後続の受動素子８１０（例えば、抵抗器、コンデンサ）はんだ付けのためのパッドの一つとして機能し、第１ビアポスト１３０は、異なる配線層を導通させるための導体として機能し、第１金属ブロック１４１は、後続のエッチングによるキャビティの形成を容易にする。ここでは、第１側壁パッド１２０、第１ビアポスト１３０、および第１金属ブロック１４１の数は、製造データに基づいて１つまたは複数に設計され得る。図に示す底板１００は、両側対称構造であり、ここでは、第１側壁パッド１２０の数は２個であり、第１ビアポスト１３０の数は４個であり、第１金属ブロック１４１の数は１個である。なお、以下では、説明の便宜上、底板１００の一側の構成を参照して説明する。

【0028】

ステップ２００では、図３と図４に示すように、底板１００上に第１配線層と第２配線層を加工により形成し、第１配線層と第２配線層はそれぞれ底板１００の上下面に位置し、第１配線層は、第１裏当て板２１０と第２金属ブロック２２０とを含み、第２配線層は、第２裏当て板２３０と、複数のピンパッド２４０とを含み、第１裏当て板２１０および第２裏当て板２３０の両方の位置は、第１ビアポスト１３０に適合し、例えば、第１裏当て板２１０は第１ビアポスト１３０の真上に位置し、第２裏当て板２３０は、第１ビアポスト１３０の真下に位置し、第１裏当て板２１０および第２裏当て板２３０の寸法は、第１裏当て板２１０および第２裏当て板２３０における層間ビアポストの後続の加工を容易にして異なる配線層間の導通を達成するために、配線板の裏当て板設計寸法要件を満たす。第２金属ブロック２２０は、キャビティの上方を被覆し、複数のピンパッド２４０は、キャビティの底部に位置し、ここでは、ピンパッド２４０の位置および寸法は、後続の溶接すべき能動素子８２０（例えば集積チップ）のピンに適合する。

【0029】

図３および図４を参照して、上述したステップＳ２００において、底板１００上に第１配線層および第２配線層を加工により形成するステップは以下のステップを含む。

【0030】

Ｓ２１０では、底板１００上に第１シード層５１０を作成し、ここでは、第１シード層５１０はイオンスパッタリングまたは化学堆積などの方法で作成することができる。

【0031】

Ｓ２２０では、第１シード層５１０上にパターン転写およびパターンメッキという方法によって第１配線層および第２配線層を加工により形成し、第１シード層５１０は、底板１００上の第１配線層と第２配線層との間の接合力を向上させるのに役立つ。

【0032】

Ｓ３００では、第１配線層上に層間ビアポストを加工により形成して積層圧合し、図４と図５に示すように、層間ビアポストは第１層間ビアポスト３１０、第２層間ビアポスト３２０、第３層間ビアポスト３３０および第４層間ビアポスト３４０を含み、第１層間ビアポスト３１０は第１裏当て板２１０上に設置され、第２層間ビアポスト３２０は第２金属ブロック２２０上に設置され、第３層間ビアポスト３３０は第２裏当て板２３０に設置され、第４層間ビアポスト３４０は少なくとも１つのピンパッド２４０に設置される。第１層間ビアポスト３１０、第１ビアポスト１３０と第３層間ビアポスト３３０は協働して異なる層の線路を導通させることができる。第４層間ビアポスト３４０と対応するピンパッド２４０との間が導通することで、後に配線線路４２０を介して能動素子８２０と受動素子８１０との間の信号伝送を可能にする。加工して層間ビアポストを得た後、積層設計要件に応じて、誘電体材料（例えば半硬化シート）により積層圧合を行って、第１圧合層６１０と第２圧合層６２０を得て、積層圧合後に研削などの方法により薄くして層間ビアポストを露出させることができる。なお、層間ビアポストの層数は１層または複数層であってもよく、図５に示す層間ビアポストの層数は１層であり、異なる受動素子の寸法要件に応じて、当業者は前の層間ビアポストに積層接合をもとに、設計の厚さ要求を満たすまで次の層間ビアポストを加工により形成することができる。

【0033】

上記ステップＳ３００では、第１配線層上に層間ビアポストを加工により形成するステップは以下のステップを含む。

【0034】

Ｓ３１０では、第１配線層と第２配線層上にパターン転写およびパターンメッキという方法によって層間ビアポストを加工により形成する。

【0035】

Ｓ３２０では、第１シード層５１０をエッチングして、第１配線層および第２配線層に適合する配線パターンを得る。

【0036】

Ｓ４００では、積層圧合後に得られた半製品に第３配線層と第４配線層を加工により形成する。図６と図７を参照すると、第３配線層は第２側壁パッド４１０を含み、第２側壁パッド４１０の位置は第１側壁パッド１２０に適合し、かつ第２側壁パッド４１０は第１層間ビアポスト３１０に接続され、第４配線層は配線線路４２０を含み、配線線路４２０は第３層間ビアポスト３３０と第４層間ビアポスト３４０にそれぞれ接続される。なお、本実施例の第２側壁パッド４１０は、第１層間ビアポスト３１０に直接接続されてもよく、または対応する配線を介して第１層間ビアポスト３１０に間接的に接続されてもよい。

【0037】

図５および図６を参照して、上記ステップＳ４００では、積層圧合後に得られた半製品に第３配線層および第４配線層を加工により形成するステップは以下のステップを含む。

【0038】

Ｓ４１０では、積層圧合後に得られた半製品上に第２シード層５２０を作成する。

【0039】

Ｓ４２０では、第２シード層５２０上にパターン転写およびパターンメッキという方法によって第３配線層および第４配線層を加工により形成し、パターンメッキが完了して第３配線層および第４配線層を得た後、第２シード層５２０をエッチング処理して、第３配線層および第４配線層に適合する配線パターンを得る。

【0040】

具体的には、図６および図７を参照して、第３配線層および第４配線層に第１感光遮蔽材７１０を貼り付け、パターン転写およびパターンメッキという方法によって第２側壁パッド４１０および配線線路４２０の予備パターンを得た後、第１感光遮蔽材７１０を除去し、第２シード層５２０をエッチングして第２側壁パッド４１０および配線線路４２０を得る。

【0041】

Ｓ５００では、第２層間ビアポスト３２０、第２金属ブロック２２０、第１金属ブロック１４１およびエッチング防止バリア層１４２をそれぞれエッチング処理して、第１側壁パッド１２０、第２側壁パッド４１０およびピンパッド２４０を露出させる。具体的には、図８、図９および図１０を参照して、第３配線層および第４配線層に第２感光遮蔽材７２０を貼り付けて、パターンの製作を行って、第２層間ビアポスト３２０に窓を開けることを容易にし、第２層間ビアポスト３２０、第２金属ブロック２２０および第１金属ブロック１４１を、エッチング防止バリア層１４２が露出するまで、第１エッチング薬液によってエッチング処理し、その後、第２エッチング薬液を用いてエッチング防止バリア層１４２をエッチング処理した後、第２感光遮蔽材７２０を除去する。なお、本実施例の第２層間ビアポスト３２０、第２金属ブロック２２０および第１金属ブロック１４１はいずれも銅ブロックであり、エッチング防止バリア層１４２はニッケル合金を採用しているので、第１エッチング薬液および第２エッチング薬液はいずれも配線板加工プロセスで常用される薬液を採用することができ、その具体的な型番および成分は省略する。

【0042】

上述の実施例では、第２側壁パッド４１０は、第１側壁パッド１２０と協働して受動素子接続のためのパッドとして使用することができ、複数のピンパッド２４０の協働は能動素子８２０の溶接に使用され、第１層間ビアポスト３１０と、第１ビアポスト１３０と、第３層間ビアポスト３３０と、第４層間ビアポスト３４０と、配線線路４２０とでピンパッド２４０と第２側壁パッド４１０との間の導電回路を形成し、後続の溶接の受動素子と能動素子との間の信号伝送を実現できる。本実施例の第１側壁パッド１２０と第２側壁パッド４１０はそれぞれ異なる配線層に位置し、配線板のパッド設計は同一の配線層に制限する必要がなく、製品の線路設計に高い自由度を与え、能動受動素子をキャビティ内にパッケージングすることができ、パッケージの空間を効果的に縮小し、パッケージの空間利用率を向上させ、かつキャビティおよびパッドの寸法を合理的に設計することによって、能動受動素子の水平、垂直パッケージを併存させ、さらにパッケージ体積を縮小することができる。

【0043】

上記ステップＳ５００において、第２層間ビアポスト３２０、第２金属ブロック２２０、第１金属ブロック１４１およびエッチング防止バリア層１４２に対してそれぞれエッチング処理を行い、その後に、以下のステップを含む。

【0044】

Ｓ６１０では、第３配線層と第４配線層にソルダーレジスト処理を行う。図１１を参照し、図中のソルダーレジスト層７３０は外層線路、すなわち第３配線層と第４配線層を覆って線路を保護することができる。

【0045】

Ｓ６２０では、第１側壁パッド１２０、第２側壁パッド４１０およびピンパッド２４０に金属表面処理を行って、表面保護層７４０を得る。金属表面処理は酸化防止、ニッケルパラジウム金メッキ、錫メッキまたは銀メッキなどを含む。

【0046】

上記ステップＳ６２０は、第３配線層と第４配線層とをソルダーレジスト処理した後、以下のステップをさらに含む。

【0047】

Ｓ７１０では、図１２を参照して、キャビティの側壁に受動素子８１０を溶接し、受動素子８１０のピンはそれぞれ第１側壁パッド１２０および第２側壁パッド４１０に接続する。

【0048】

Ｓ７２０では、図１３を参照して、キャビティ内に能動素子８２０を溶接し、能動素子８２０のピンはそれぞれピンパッド２４０に接続する。

【0049】

Ｓ７３０では、受動素子８１０と能動素子８２０が溶接されたキャビティをパッケージしてパッケージ層７５０を得ることで、受動素子８１０と能動素子８２０を保護し、製品の美観度を向上させる。

【0050】

上記実施例において、底板１００の製造方法は、以下のステップを含む。

【0051】

Ｓ１１０では、両面銅箔基板１０００を用意し、両面銅箔基板１０００上に第３シード層１０４０を作成する。図１４を参照して、本実施例は両面銅箔基板１０００を出発層として採用し、上下両面に同時に２枚の底板１００を作成することができ、生産効率の向上に有利である。本実施例の両面銅箔基板１０００は、各面に２層の銅箔、すなわち第１銅箔層１０１０と第２銅箔層１０２０が設けられており、銅箔の厚さは異なる応用ニーズに応じて決定され、本実施例のシード層は銅層であり、化学メッキという方法によって加工することができ、銅層の厚さは実際のニーズに応じて決定することができ、本実施例の銅層の厚さは３μｍである。

【0052】

図１５を参照して、上記ステップＳ１１０では、両面銅箔基板１０００上に第３シード層１０４０を作成するステップは以下のステップを含む。

【0053】

Ｓ１１１では、両面銅箔基板１０００にニッケルメッキを行って、保護金属層１０３０を得る。

【0054】

Ｓ１１２では、保護金属層１０３０上に銅をメッキして第３シード層１０４０を得て、第３シード層１０４０は後続層の接合力を向上させることができ、保護金属層１０３０は後続プレート分離工程後に第３シード層１０４０のエッチング時に基板のパターンを保護し、過度のエッチングを防止することができる。

【0055】

Ｓ１２０では、第３シード層１０４０が加工により形成された両面銅箔基板１０００上に第１側壁パッド１２０および第１ビアポスト１３０を加工により形成する。具体的には、図１６ａおよび図１６ｂを参照して、第３シード層１０４０上に第３感光遮蔽材１０５０を貼り付け、パターン転写により第３シード層１０４０上に第１側壁パッド１２０および第１ビアポスト１３０にそれぞれ対応する第１パターン孔１２０ａおよび第２パターン孔１３０ａを加工により形成し、パターンメッキという方法によって両面銅箔基板１０００上に第１側壁パッド１２０および第１ビアポスト１３０を加工により形成し、図示の第１側壁パッド１２０は断面が方形の銅柱であり、平坦な溶接面を形成しやすく、後続の受動素子の溶接に有利である。第１ビアポスト１３０は円筒形の銅柱であり、後続の第１裏当て板２１０、第２裏当て板２３０の寸法設計の難易度を低下させるのに有利である。

【0056】

Ｓ１３０では、図１７、図１８ａおよび図１８ｂを参照して、第１側壁パッド１２０および第１ビアポスト１３０が加工により形成された両面銅箔基板１０００に第４感光遮蔽材１０６０を貼り付けて感光遮蔽層を作成して、それによりキャビティを形成する。キャビティ内にエッチング防止バリア層１４２を電気メッキし、具体的には、本実施例のエッチング防止バリア層１４２はニッケル合金メッキという方法によって成形する。

【0057】

Ｓ１４０では、図１９を参照して、エッチング防止バリア層１４２に電気メッキを施して第１金属ブロック１４１を形成し、底板１００の表面を平坦化し、その後の各層の加工を容易にする。

【0058】

Ｓ１５０では、図２０を参照して、感光遮蔽層を除去し、誘電体材料を積層して誘電体材料層１１０を得る。

【0059】

Ｓ１６０では、誘電体材料層１１０を薄くした後、プレート分離を行い、底板１００を得る。ここで、底板１００上の第１ビアポスト１３０と第１金属ブロック１４１を露出させるために、研削で誘電体材料層１１０を薄くすることができる。

【0060】

以上、図面を参照しながら本発明の実施例について詳細に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、当業者が備える知識の範囲内において、本発明の趣旨を逸脱することなく種々の変更が可能である。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16a】

【図16b】

【図17】

【図18a】

【図18b】

【図19】

【図20】