フォトマスクの製造を行うには、透明基板上に少なくとも１つの光学膜を形成したフォトマスク基板（例えばフォトマスクブランク）に対し、フォトリソグラフィを適用して所望のパターンを形成する。 特許文献１の方法は、遮光膜の上層に反射防止層を形成する際、反射防止層に取り込まれた異物の脱落により反射防止層の表面に窪みが生じても、十分な光学濃度の遮光膜が得られるという利点がある。しかしながら、フォトマスクの光学膜厚が０．５μｍ未満、より典型的には０．１μｍ未満（反射防止膜を含む遮光膜であれば、５００～２０００Å程度）であるのに対し、成膜中に生じる異物のサイズは、後述する発生原因に関係し、光学膜厚より相当に大きいものが多く、１μｍを超えるものも少なくない。成膜工程においてこうした異物が膜中に取り込まれた後、フォトマスク製造工程又はフォトマスク使用工程においてこのような異物が脱落することがある。このような異物の脱落が生じると、たとえ遮光膜の光学濃度を特許文献１が提案するように調整しても、欠落欠陥（白欠陥）となるリスクを効果的に低減することはできない。

の課題を解決するため、本発明の第１の態様に係るフォトマスク基板の修正方法は、透明基板の一方の主表面に、転写用パターンを形成するための光学膜が形成されたフォトマスク基板を用意する工程と、前記光学膜に生じた欠落欠陥に対して、修正膜を形成する修正工程とを有する。前記修正工程は、前記フォトマスク基板の前記光学膜が形成された第１主表面における前記欠落欠陥の位置の近傍に原料ガスを供給するとともに、前・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る