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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2023-08-14
(45)【発行日】2023-08-22
(54)【発明の名称】表示基板及びその製造方法、表示装置
(51)【国際特許分類】
G09F 9/30 20060101AFI20230815BHJP
H10K 59/10 20230101ALI20230815BHJP
H10K 50/10 20230101ALI20230815BHJP
G09F 9/00 20060101ALI20230815BHJP
【ＦＩ】
G09F9/30 309
H10K59/10
H10K50/10
G09F9/30 365
G09F9/00 308E
G09F9/00 342
【請求項の数】
25
(21)【出願番号】P 2020563401
(86)(22)【出願日】2019-03-26
(65)【公表番号】
(43)【公表日】2022-08-03
(86)【国際出願番号】 CN2019079717
(87)【国際公開番号】W WO2020191623
(87)【国際公開日】2020-10-01
【審査請求日】2022-03-23
(73)【特許権者】
【識別番号】510280589
【氏名又は名称】京東方科技集團股▲ふん▼有限公司
【氏名又は名称原語表記】ＢＯＥ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ ＧＲＯＵＰ ＣＯ．，ＬＴＤ．
【住所又は居所原語表記】Ｎｏ．１０ Ｊｉｕｘｉａｎｑｉａｏ Ｒｄ．，Ｃｈａｏｙａｎｇ Ｄｉｓｔｒｉｃｔ，Ｂｅｉｊｉｎｇ １０００１５，ＣＨＩＮＡ
(73)【特許権者】
【識別番号】511121702
【氏名又は名称】成都京東方光電科技有限公司
【氏名又は名称原語表記】ＣＨＥＮＧＤＵ ＢＯＥ ＯＰＴＯＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ ＣＯ．，ＬＴＤ．
【住所又は居所原語表記】Ｎｏ．１１８８，Ｈｅｚｕｏ Ｒｄ．，（Ｗｅｓｔ Ｚｏｎｅ），Ｈｉ－ｔｅｃｈ Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ Ｚｏｎｅ，Ｃｈｅｎｇｄｕ，Ｓｉｃｈｕａｎ，６１１７３１，Ｐ．Ｒ．ＣＨＩＮＡ
(74)【代理人】
【識別番号】100108453
【弁理士】
【氏名又は名称】村山 靖彦
(74)【代理人】
【識別番号】100110364
【弁理士】
【氏名又は名称】実広 信哉
(72)【発明者】
【氏名】黄 ▲ウェイ▼▲ユン▼
(72)【発明者】
【氏名】高 永 益
(72)【発明者】
【氏名】姜 尚▲勲▼
(72)【発明者】
【氏名】胡 文博
【審査官】新井 重雄
(56)【参考文献】
【文献】米国特許出願公開第２０１７／０１４８８５６（ＵＳ，Ａ１）
【文献】中国特許出願公開第１０９３６０８４３（ＣＮ，Ａ）
【文献】米国特許出願公開第２０１７／００６２７５５（ＵＳ，Ａ１）
【文献】米国特許出願公開第２０１６／０１４９１５５（ＵＳ，Ａ１）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｇ０９Ｆ ９／３０
Ｈ１０Ｋ ５９／１０
Ｈ１０Ｋ ５０／１０
Ｈ０５Ｂ ３３／１０
Ｈ０５Ｂ ３３／０２
Ｈ０５Ｂ ３３／０４
Ｇ０９Ｆ ９／００
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
開孔領域と、前記開孔領域を囲む表示領域とを有する表示基板であって、前記表示領域と前記開孔領域との間には、前記開孔領域を囲む第１のバリア壁を含み、前記第１のバリア壁は、前記開孔領域を囲む少なくとも１つの側面に凹部を有する第１の金属層構造を含み、
前記表示基板は、ベース基板をさらに含み、
前記第１の金属層構造は、
前記ベース基板の第１の側にある第１の金属サブ層と、
前記第１の金属サブ層の前記ベース基板から離れる側にある第２の金属サブ層と、を含み、
前記第１の金属サブ層の前記ベース基板への正射影は、前記第２の金属サブ層の前記ベース基板上への正射影内に位置することにより、前記凹部が形成される、表示基板。
【請求項2】
前記表示領域は、第２の金属層構造を含む電極パターンを含み、前記第１の金属層構造と前記第２の金属層構造とは、同じ構造を有するとともに、同じ材料を含む、請求項１に記載の表示基板。
【請求項3】
前記第１の金属層構造は、前記ベース基板の前記第１の側に位置する第３の金属サブ層をさらに含み、前記第１の金属サブ層は、前記第３の金属サブ層の前記ベース基板から離れる側にあり、前記第１の金属サブ層の前記ベース基板への正射影は、前記第３の金属サブ層の前記ベース基板への正射影内に位置する、請求項１に記載の表示基板。
【請求項4】
前記第２の金属サブ層の前記ベース基板への正射影は、前記第３の金属サブ層の前記ベース基板への正射影内に位置する、請求項３に記載の表示基板。
【請求項5】
前記第１の金属サブ層の厚さは、前記第２の金属サブ層の厚さ及び前記第３の金属サブ層の厚さよりも大きい、請求項３に記載の表示基板。
【請求項6】
前記第１の金属サブ層の厚さは１５０ｎｍ－９００ｎｍであり、前記第２の金属サブ層の厚さは３０ｎｍ－３００ｎｍであり、前記第３の金属サブ層の厚さは３０ｎｍ－３００ｎｍである、請求項５に記載の表示基板。
【請求項7】
前記凹部の開口方向は、前記ベース基板に平行となる、請求項１から請求項６の何れかに記載の表示基板。
【請求項8】
前記表示領域と前記開孔領域との間には第２のバリア壁をさらに含み、前記第２のバリア壁は、前記開孔領域を囲み、前記第１のバリア壁と同じ構造を有し、前記第１のバリア壁の前記開孔領域から離れる側に設けられる、請求項１に記載の表示基板。
【請求項9】
前記表示領域は、発光素子を形成するための第１の電極層と、第２の電極層と、第１の電極層と第２の電極層との間にある有機機能層とをさらに含み、前記有機機能層は、前記第１のバリア壁の前記凹部を有する側面で分断されている、請求項１に記載の表示基板。
【請求項10】
前記第２の電極層は陰極層であり、前記陰極層は、前記第１のバリア壁の前記凹部を有する側面で分断されている、請求項９に記載の表示基板。
【請求項11】
イメージセンサおよび／または赤外線センサをさらに含み、前記イメージセンサおよび／または赤外線センサは、前記ベース基板に接合されるとともに、前記ベース基板への正射影が前記開孔領域と少なくとも部分的に重なる、請求項１に記載の表示基板。
【請求項12】
前記第１の金属層構造をエッチングして形成するためのエッチング液の作用により、前記第１の金属サブ層の材料がエッチングされる速度は、前記第２の金属サブ層の材料がエッチングされる速度よりも大きい、請求項１に記載の表示基板。
【請求項13】
前記第１の金属サブ層の材料はアルミニウム又は銅を含み、前記第２の金属サブ層の材料はチタン又はモリブデンを含む、請求項１２に記載の表示基板。
【請求項14】
前記第１のバリア壁は、前記ベース基板の前記第１の側に位置する絶縁層構造をさらに含み、前記第１の金属層構造は、前記絶縁層構造の前記ベース基板から離れる側にある、請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の表示基板。
【請求項15】
前記絶縁層構造は、複数のサブ絶縁層を含む、請求項１４に記載の表示基板。
【請求項16】
開孔領域と、前記開孔領域を囲む表示領域とを形成するステップと、前記表示領域と前記開孔領域との間に第１のバリア壁を形成するステップであって、前記第１のバリア壁は、前記開孔領域を囲み、前記開孔領域を囲む少なくとも１つの側面に凹部を有する第１の金属層構造を含むステップと、を含む、表示基板の製造方法であって、
前記製造方法が、ベース基板を提供するステップをさらに含み、
前記第１の金属層構造は、
前記ベース基板の第１の側にある第１の金属サブ層と、
前記第１の金属サブ層の前記ベース基板から離れる側にある第２の金属サブ層と、を含み、
前記第１の金属サブ層の前記ベース基板への正射影は、前記第２の金属サブ層の前記ベース基板上への正射影内に位置することにより、前記凹部が形成される、表示基板の製造方法。
【請求項17】
前記開孔領域は、レーザー切断または機械的打抜きにより形成される、請求項１６に記載の製造方法。
【請求項18】
前記表示領域を形成するステップは、第１の金属層構造の形成と同時に電極パターンを形成するステップを含み、前記電極パターンは、第２の金属層構造を含み、前記第１の金属層構造と前記第２の金属層構造とは、同じ膜層で形成する、請求項１６に記載の製造方法。
【請求項19】
前記第１のバリア壁を形成するステップは、前記ベース基板の第１の側に第１の金属材料層を形成し、前記第１の金属材料層の前記ベース基板から離れる側に第２の金属材料層を形成するステップと、
前記電極パターン及び初期バリア壁を形成するように、前記第１の金属材料層と前記第２の金属材料層に対して第１のエッチングを行うステップと、
前記第１のバリア壁を形成するように、前記バリア壁に対して第２のエッチングを行うステップであって、前記第２のエッチングはウェットエッチングであり、且つ使用されるエッチング液により前記第１の金属材料層がエッチングされる速度は、前記第２の金属材料層がエッチングされる速度よりも大きくすることにより、前記凹部が形成されるステップと、を含む、請求項１８に記載の製造方法。
【請求項20】
前記第１のバリア壁を形成するステップは、前記ベース基板の第１の側に第３の金属材料層、第１の金属材料層および第２の金属材料層を順に形成するステップと、
前記電極パターン及び初期バリア壁を形成するように、前記第３の金属材料層、第１の金属材料層および第２の金属材料層に対して第１のエッチングを行うステップと、
前記第１のバリア壁を形成するように、前記初期バリア壁に対して第２のエッチングを行うステップであって、前記第２のエッチングはウェットエッチングであり、且つ使用されるエッチング液により前記第１の金属材料層がエッチングされる速度は、前記第２の金属材料層および前記第３の金属材料層がエッチングされる速度よりも大きくすることにより、前記凹部が形成されるステップと、を含む、請求項１８に記載の製造方法。
【請求項21】
前記第１のエッチングは、ドライエッチングである、請求項１９または請求項２０に記載の製造方法。
【請求項22】
前記表示領域を形成するステップは、発光素子に用いられる第１の電極層と、第２の電極層と、第１の電極層と第２の電極層との間にある有機機能層とを形成するステップをさらに含み、前記第２のエッチングに用いられるエッチング液は、前記第１の電極層をエッチングして形成するのに用いられるエッチング液と同じであり、前記有機機能層は、前記第１のバリア壁の前記凹部を有する側面で分断されている、請求項１９または請求項２０に記載の製造方法。
【請求項23】
前記第１のバリア壁を形成するステップは、前記ベース基板の第１の側に第１の金属材料層を形成するステップと、
前記第１の金属材料層の前記ベース基板から離れる側に第２の金属材料層を形成するステップと、
前記第１の金属材料層と前記第２の金属材料層に対してウェットエッチングを１回行い、前記ウェットエッチングに用いられるエッチング液により、前記第１の金属材料層をエッチングする速度は、前記第２の金属材料層をエッチングする速度よりも大きいステップと、を含む、請求項１８に記載の製造方法。
【請求項24】
前記表示領域と前記開孔領域との間には第２のバリア壁をさらに形成し、前記第２のバリア壁は前記開孔領域を囲むとともに前記第１のバリア壁の前記開孔領域から離れる側に形成され、前記第２のバリア壁と前記第１のバリア壁とが同じ膜層で形成される、請求項１６に記載の製造方法。
【請求項25】
請求項１から請求項１５のいずれか一項に記載の表示基板を含む、表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示の実施例は、表示基板及びその製造方法、表示装置に関する。
【背景技術】
【0002】
現在、表示デバイスのディスプレイが大画面化、全画面化の方向に進んでいる。一般的に、表示デバイス（例えば、携帯電話、タブレットコンピュータ等）は、撮像装置（又は、イメージング装置）を有し、該撮像装置が一般的にディスプレイ表示領域外の側に設置される。しかしながら、撮像装置を取り付けるのに一定の位置を必要とするため、ディスプレイのフルスクリーン化や狭額縁化の設計にとって不利になる。例えば、撮像装置をディスプレイの表示領域に組み合わせて、表示領域において撮像装置用の予備位置を残しておくことで、ディスプレイの表示領域を最大化するようにする。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【0003】
本開示の少なくとも１つの実施例は、開孔領域と、前記開孔領域を囲む表示領域とを有する表示基板であって、前記表示領域と前記開孔領域との間には、前記開孔領域を囲む第１のバリア壁を含み、前記第１のバリア壁は、前記開孔領域を囲む少なくとも１つの側面に凹部を有する第１の金属層構造を含む。
【0004】
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板においては、前記表示領域は、第２の金属層構造を含む電極パターンを含み、前記第１の金属層構造と前記第２の金属層構造は、同じ構造を有するとともに、同じ材料を含む。
【0005】
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板は、ベース基板をさらに含み、前記第１の金属層構造は、前記ベース基板の第１の側にある第１の金属サブ層と、前記第１の金属サブ層の前記ベース基板から離れる側にある第２の金属サブ層とを含み、前記第１の金属サブ層の前記ベース基板への正射影は、前記第２の金属サブ層の前記基板への正射影内に位置することにより、前記凹部が形成される。
【0006】
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板において、前記第１の金属層構造は、前記ベース基板の前記第１の側に位置する第３の金属サブ層をさらに含み、前記第１の金属サブ層は、前記第３の金属サブ層の前記ベース基板から離れる側にあり、前記第１の金属サブ層の前記ベース基板への正射影は、前記第３の金属サブ層の前記基板への正射影内に位置する。
【0007】
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板において、前記第２の金属サブ層の前記ベース基板への正射影は、前記第３の金属サブ層の前記ベース基板への正射影内に位置する。
【0008】
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板において、前記第１の金属サブ層の厚さは、前記第２の金属サブ層の厚さ及び前記第３の金属サブ層の厚さよりも大きい。
【0009】
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板において、前記第１の金属サブ層の厚さは１５０ｎｍ－９００ｎｍであり、前記第２の金属サブ層の厚さは３０ｎｍ－３００ｎｍであり、前記第３の金属サブ層の厚さは３０ｎｍ－３００ｎｍである。
【0010】
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板において、前記凹部の開口方向は、前記ベース基板に平行となる。
【0011】
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板において、前記表示領域と前記開孔領域との間には第２のバリア壁をさらに含み、
前記第２のバリア壁は、前記開孔領域を囲み、前記第１のバリア壁と同じ構造を有し、前記第１のバリア壁の前記開孔領域から離れる側に設けられる。
前記第２のバリア壁は、前記開孔領域を囲み、前記第１のバリア壁と同じ構造を有し、前記第１のバリア壁の前記開孔領域から離れる側に設けられる。
【0012】
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板において、前記表示領域は、発光素子の形成に用いられる第１の電極層と、第２の電極層と、第１の電極層と第２の電極層との間にある有機機能層とをさらに含み、前記有機機能層は、前記第１のバリア壁の前記凹部を有する側面で分断されている。
【0013】
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板において、前記第２の電極層は陰極層であり、前記陰極層は、前記第１のバリア壁の前記凹部を有する側面で分断されている。
【0014】
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板は、イメージセンサおよび／または赤外線センサをさらに含み、前記イメージセンサおよび／または赤外線センサは、前記ベース基板に接合されるとともに、前記ベース基板への正射影が前記開孔領域と少なくとも部分的に重なる。
【0015】
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板において、前記第１の金属層構造をエッチングして形成するためのエッチング液の作用により、前記第１の金属サブ層の材料がエッチングされる速度は、前記第２の金属サブ層の材料がエッチングされる速度よりも大きい。
【0016】
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板において、前記第１の金属サブ層の材料はアルミニウム又は銅を含み、前記第２の金属サブ層の材料はチタン又はモリブデンを含む。
【0017】
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板において、前記第１のバリア壁は、前記ベース基板の前記第１の側に位置する絶縁層構造をさらに含み、前記第１の金属層構造は、前記絶縁層構造の前記ベース基板から離れる側にある。
【0018】
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板において、前記絶縁層構造は、複数のサブ絶縁層を含む。
【0019】
本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板の製造方法は、開孔領域と前記開孔領域を囲む表示領域とを形成するステップと、前記表示領域と前記開孔領域との間に第１のバリア壁を形成するステップであって、前記第１のバリア壁は、前記開孔領域を囲み、前記開孔領域を囲む少なくとも１つの側面に凹部を有する第１の金属層構造を含むステップと、を含む。
【0020】
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る製造方法において、前記開孔領域は、レーザー切断または機械的打抜きにより形成される。
【0021】
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る製造方法において、前記表示領域を形成するステップは、第１の金属層構造の形成と同時に電極パターンを形成するステップを含み、前記電極パターンは、前記第１の金属層の構造と同じ膜層で形成される第２の金属層構造を含む。
【0022】
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る製造方法において、前記第１のバリア壁を形成するステップは、ベース基板の第１の側に第１の金属材料層を形成し、前記第１の金属材料層の前記ベース基板から離れる側に第２の金属材料層を形成するステップと、前記電極パターン及び初期バリア壁を形成するように前記第１の金属材料層及び前記第２の金属材料層に対して第１のエッチングを行うステップと、前記第１のバリア壁を形成するように前記初期バリア壁に対して第２のエッチングを行うステップであって、前記第２のエッチングはウェットエッチングであり、使用されるエッチング液により、前記第１の金属材料層がエッチングされる速度は前記第２の金属材料層がエッチングされる速度よりも大きくすることにより、前記凹部が形成されるステップと、を含む。
【0023】
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る製造方法において、前記第１のバリア壁を形成するステップは、ベース基板の第１の側に第３の金属材料層、第１の金属材料層および第２の金属材料層を順に形成するステップと、前記電極パターン及び初期バリア壁を形成するように前記第３の金属材料層、第１の金属材料層および第２の金属材料層に対して第１のエッチングを行うステップと、前記第１のバリア壁を形成するように前記初期バリア壁に対して第２のエッチングを行うステップであって、前記第２のエッチングはウェットエッチングであり、使用されるエッチング液により、前記第１の金属材料層がエッチングされる速度が前記第２の金属材料層および前記第３の金属材料層がエッチングされる速度よりも大きくすることにより、前記凹部が形成されるステップと、を含む。
【0024】
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る製造方法において、前記第１のエッチングは、ドライエッチングである。
【0025】
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る製造方法において、前記表示領域を形成するステップは、発光素子に用いられる第１の電極層と、第２の電極層と、第１の電極層と第２の電極層との間にある有機機能層とを形成するステップをさらに含み、前記第２のエッチングに用いられるエッチング液は、前記第１の電極層をエッチング形成するのに用いられるエッチング液と同じであり、前記有機機能層は、前記第１のバリア壁の前記凹部を有する側面で分断されている。
【0026】
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る製造方法において、前記第１のバリア壁を形成するステップは、ベース基板の第１の側に第１の金属材料層を形成するステップと、前記第１の金属材料層の前記ベース基板から離れる側に第２の金属材料層を形成するステップと、前記第１の金属材料層と前記第２の金属材料層に対してウェットエッチングを１回行うステップであって、前記ウェットエッチングに用いられるエッチング液により前記第１の金属材料層がエッチングされる速度は、前記第２の金属材料層がエッチングされる速度よりも大きいステップと、を含む。
【0027】
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る製造方法において、前記表示領域と前記開孔領域との間に第２のバリア壁を形成するステップをさらに含み、前記第２のバリア壁は、前記開孔領域を囲むとともに、前記第１のバリア壁の前記開孔領域から離れる側に形成され、前記第１のバリア壁と同じ膜層で形成される。
【0028】
本開示の少なくとも１つの実施例は上記いずれかの表示基板を含む表示装置を提供する。
【図面の簡単な説明】
【0029】
本発明の実施例の技術案をより明確に説明するために、以下に実施例の図面を簡単に説明するが、以下の説明における図面は、本発明の一部の実施例のみに関連するものであることが明らかであり、本開示を限定するものではない。
【0030】
【発明を実施するための形態】
【0031】
本発明の実施例の目的、技術案および利点をより明確にするために、本発明の実施例の技術案を、本発明の実施例の図面を参照して以下に明確かつ完全に説明する。記載された実施例は、本開示の一部の実施形態であって、全ての実施形態ではないことは明らかである。記載された本開示の実施例に基づいて、当業者が創造的な労力を必要とせずに得られる他の全ての実施例は、全て本開示の範囲内である。
【0032】
他に定義されない限り、本開示で使用される技術用語または科学用語は、当業者にとって理解される一般的な意味であるべきである。本開示において使用される「第１」、「第２」、および類似の用語は、順序、数、または重要性を意味するものではなく、単に異なる構成要素を区別するために使用される。「含む」又は「備える」等の類似の用語は、他の要素又は物品を除外することなく、当該用語の前に存在する要素又は物品が、用語の後に列挙された要素又は物品及びそれらの同等物を包含することを意味する。「接続」又は「連結」などの類似の用語は、物理的または機械的接続に限定されず、直接的または間接的ないずれかの電気的接続を含むことができる。「上」、「下」、「左」、「右」等は相対位置関係を示すものに過ぎず、説明する対象の絶対位置が変わると、該相対位置関係も変わる。
【0033】
表示装置の表示領域を最大化するために、表示装置に備える撮像装置（イメージング装置）を表示領域に組み込んで、撮像装置を表示領域に配置してもよい。
【0034】
例えば、図１Ａは表示装置に用いられる表示基板の平面模式図を示し、図１Ｂは図１Ａにおける表示基板のＡ－Ａ線に沿った断面模式図である。図１Ａに示すように、表示基板１００は、表示領域１０１を含み、表示領域１０１は、画素アレイを含み画素アレイにある開孔１０１１を有し、この開孔１０１１は撮像装置（図示せず）の予備位置となり、撮像装置がこの表示基板１００の表示側とは反対側である裏側に設けられて、撮像装置が開孔１０１１を介して画像を取得する。これにより、撮像装置を表示基板１００の表示領域１０１に組み込んでいる。
【0035】
表示領域１０１は、表示のための発光素子を有し、この発光素子は、例えば有機発光ダイオードであり、表示領域１０１の全部または一部における複数の発光素子が有する有機機能層１０３および電極層１０４は、通常、表示領域１０１において全面に亘って形成され、したがって、封止層１０５を用いて封止する場合、開孔１０１１の近傍に位置する領域が封止されることは困難であったり、封止されていてもこの領域の封止効果を確保することが困難である場合が多い。このとき、図１Ｂに示すように、例えば、水、酸素等の不純物が、開孔１０１１から、全面に亘って形成された有機機能層１０３及び電極層１０４に沿って表示領域１０１の内部に侵入することがあり、表示領域１０１の機能材料を汚染した結果、これらの機能材料の性能を悪化させ、ひいては表示領域１０１の表示効果表示効果を損なってしまう。
【0036】
本開示の少なくとも１つの実施例は、開孔領域と、開孔領域を囲む表示領域とを有する表示基板であって、表示領域と開孔領域との間には開孔領域を囲む第１のバリア壁を含み、第１のバリア壁は、開孔領域を囲む少なくとも１つの側面に凹部を有する第１の金属層構造を含む、表示基板を提供する。
【0037】
本開示の少なくとも１つの実施例は、表示領域と、開孔領域とを形成するステップと、表示領域と開孔領域との間において第１のバリア壁を形成するステップとを含む表示基板の製造方法であって、表示領域は開孔領域を囲み、第１のバリア壁は、開孔領域を囲み、且つ第１の金属層構造を含み、第１の金属層構造の開孔領域を囲む少なくとも１つの側面には凹部が形成される表示基板の製造方法を提供する。
【0038】
本開示の少なくとも１つの実施例は上記の表示基板を含む表示装置を提供する。
【0039】
以下、本開示のいくつかの実施例に係る表示基板およびその製造方法、表示装置について、いくつかの具体的な実施例により説明する。
【0040】
【0041】
表示基板２００は、図２Ａと図２Ｂに示すように、開孔領域２０１１と、開孔領域２０１１を囲む表示領域２０１とを含み、表示領域２０１と開孔領域２０１１との間には、開孔領域２０１１を囲む第１のバリア壁２０１２を含み、第１のバリア壁２０１２は、開孔領域２０１１を囲む少なくとも１つの側面に凹部２０１２Ａを有する第１の金属層構造を含む。この開孔領域２０１１は、表示基板の表示側（図２Ｂにおける上側）からの光が伝送して表示基板を透過し、表示基板の裏側（図２Ｂにおける下側）に到達することを可能とする。
【0042】
例えば、図２Ｂに示す第１の金属層構造では、第１の金属層構造の開孔領域２０１１に向かう側面と、開孔領域２０１１と反対側の側面のいずれにも凹部２０１２Ａを有するが、本実施形態の他の例では、第１の金属層構造の１つの側面に凹部２０１２Ａを有していてもよい。
【0043】
例えば、本実施例では、表示領域２０１は、表示操作を行うための画素アレイを含み、この画素アレイは、複数の画素ユニットがアレイ状に配列されてなり、画素ユニットは、駆動回路や発光回路等を含み、したがって、この表示領域２０１は、電極パターンをさらに含み、この電極パターンは、第１の金属層構造と同じ構造で同じ材料を有する第２の金属層構造を含む。例えば、第１の金属層構造と第２の金属層構造とは、製造プロセスにおいて同一層で形成されかつ同じ多層構造を有することができ、さらに第１の金属層構造と第２の金属層構造とにおける対応する層の材料がいずれも同一であるので、同じ膜層で形成することができる。
【0044】
例えば、表示領域２０１は、図２Ｂに示すように、画素アレイを含み、画素アレイにおける複数の画素ユニットが複数の表示用発光素子と、これらの発光素子を駆動する駆動回路とを含む。例えば、この発光素子は、電極層や有機機能層等の構成を含み、この駆動回路は、薄膜トランジスタやコンデンサ等の構成を含む。
【0045】
発光素子は、図２Ｂに示すように、第１の電極層２１８と、第２の電極層２０４と、第１の電極層２１８と第２の電極層２０４との間にある有機機能層とを含み、有機機能層は、例えば、有機発光材料層２２０と補助発光層２０３とを含み、補助発光層２０３は、例えば、電子輸送層または電子注入層などである。複数の画素ユニットにおける発光素子に用いられる有機機能層の少なくとも一部、例えば補助発光層２０３、及び第２の電極層２０４は、通常、表示領域２０１において全面に亘って形成されており、このとき、有機機能層は、第１のバリア壁２０１２の凹部２０１２Ａを有する側面で分断されている。例えば、第１の電極層２１８は陽極層（又は画素電極層とも呼ばれる）であり、第２の電極層２０４は陰極層であり、陰極層も第１のバリア壁２０１２の凹部１０１２Ａを有する側面で分断されている。これにより、開孔領域２０１１に近い側に位置する有機機能層と第２の電極層２０４とが水、酸素等の不純物で汚染された場合、有機機能層と第２の電極層２０４とが第１のバリア壁２０１２によって遮断されるため、これらの汚染不純物が有機機能層と第２の電極層２０４における発光素子の発光に用いられる部分にまで広がらない。例えば、第１のバリア壁２０１２の頂部にも、有機機能層の一部と第２の電極層２０４の一部とが形成されているが、これらの部分は他の部分から分離されている。
【0046】
例えば、薄膜トランジスタは、ゲート電極２１１及びソースドレイン電極２１２等の構成を含み、コンデンサは、第１の電極２１３、第２の電極２１４、及び第１の電極２１３と第２の電極２１４との間の第１の絶縁層２１５を含む。例えば、ゲート電極２１１またはソースドレイン電極２１２は、第２の金属層構造を有する電極パターンとして実現することができる。例えば、図２Ｂには、ソースドレイン電極２１２が第２の金属層構造を含むように示されている。このとき、第１のバリア壁２０１２の第１の金属層構造は、ソースドレイン電極２１２の第２の金属層構造と同じであり、同じ材料を含んでおり、例えば、第１のバリア壁２０１２の第１の金属層構造とソースドレイン電極２１２の第２の金属層構造とが同一層で形成され且つ同一の多層構造を有することにより、第１のバリア壁２０１２の第１の金属層構造とソースドレイン電極２１２の第２の金属層構造を、表示基板２００の製造プロセスにおいて同じ膜層を用いて形成することができる。例えば、いくつかの例では、第１の金属層構造と第２の金属層構造とは、いずれも２層構造または３層構造などの多層構造を有する。
【0047】
例えば、図２Ｂに示すように、表示基板２００は、ベース基板２０２をさらに含み、表示領域２０１は、ベース基板２０２にあり、ベース基板２０２は、開孔領域２０１１に位置する開孔２０２１を有する。例えば、第１のバリア壁２０１２の第１の金属層構造における凹部の開口方向は、ベース基板２０２と平行になる。例えば、図２Ｂの実施例では、ベース基板２０２は水平方向に配置され、凹部の開口方向は水平方向である。
【0048】
例えば、一例では、図３に示すように、第１のバリア壁２０１２の第１の金属層構造は、第１の金属サブ層２０１２１と第２の金属サブ層２０１２２との２層金属層構造を含む。第１の金属サブ層２０１２１は、ベース基板２０２の第１の側（発光素子が形成される側、図示では上側）にあり、第２の金属サブ層２０１２２は、第１の金属サブ層２０１２１のベース基板２０２から離れる側（図示では上側）にあり、第１の金属サブ層２０１２１のベース基板２０２への正射影は、第２の金属サブ層２０１２２のベース基板２０２への正射影内に位置しており、これにより、このような２層の積層の側面に凹部２０１２Ａが形成される。このとき、第１のバリア壁２０１２が形成されたベース基板２０２に有機機能層および第２の電極層２０４を形成する際には、有機機能層及び第２の電極層２０４を第１のバリア壁２０１２で分断させることができるため、水や酸素等の不純物が表示領域２０１の内部に入り込む経路が遮断される。
【0049】
例えば、一例では、図４に示すように、第１のバリア壁２０１２の第１の金属層構造は、第１の金属サブ層２０１２１、第２の金属サブ層２０１２２及び第３の金属サブ層２０１２３の３層の金属層構造を含み、第３の金属サブ層２０１２３は、ベース基板２０２の第１の側（図示では上側）にあり、第１の金属サブ層２０１２１は、第３の金属サブ層２０１２３のベース基板２０２から離れる側（図示では上側）にあり、第２の金属サブ層２０１２２は、第１の金属サブ層２０１２１のベース基板２０２から離れる側（図示では上側）にあり、第１の金属サブ層２０１２１のベース基板２０２への正射影は、第２の金属サブ層２０１２２のベース基板２０２への正射影内に位置し、且つ第１の金属サブ層２０１２１のベース基板２０２への正射影も、第３の金属サブ層２０１２３のベース基板２０２への正射影内に位置しており、これにより、このような３層の積層の側面に凹部２０１２Ａが形成される。このとき、第１のバリア壁２０１２が形成されたベース基板２０２に有機機能層および第２の電極層２０４を形成する際には、有機機能層と第２の電極層２０４とを第１のバリア壁２０１２で分断させることができるため、水や酸素等の不純物が表示領域２０１の内部に入り込む経路が遮断される。
【0050】
例えば、いくつかの例では、第２の金属サブ層２０１２２のベース基板２０２への正射影は、第３の金属サブ層２０１２３のベース基板２０２への正投影内に位置する。このとき、第３の金属サブ層２０１２３のベース基板２０２への正射影が最大となることにより、第１のバリア壁２０１２の第１の金属層構造と表示基板との接合強度が増大され、第１の金属層構造の安定性が向上され、有機機能層と第２の電極層２０４とが第１のバリア壁２０１２で分断されるのに役立つ。
【0051】
例えば、図２Ｂに示すものは、このような３層の金属層構造を有する例であり、このときのソースドレイン電極２１２が有する第２の金属層構造は、第３の金属サブ層２０１２３と同一層にある金属サブ層２１２３と、第１の金属サブ層２０１２１と同一層にある金属サブ層２１２１と、第２の金属サブ層２０１２２と同一層にある金属サブ層２１２２とを含む。
【0052】
図２Ｂに示す場合、薄膜トランジスタにおけるソースドレイン電極２１２の第２の金属層構造は、第１の金属層構造と同一層で形成され且つ同じ多層構造、すなわち３層の金属層構造を有する。これにより、第１のバリア壁２１１２の第１の金属層構造とソースドレイン電極２１２の第２の金属層構造とを、表示基板２００の製造プロセスにおいて同じ膜層を用いて同一の製造プロセスで形成することができ、工程の簡略化を図ることができる。
【0053】
例えば、第１のバリア壁２０１２の第１の金属層構造では、第１の金属サブ層２０１２１の厚さは、第２の金属サブ層２０１２２の厚さ及び第３の金属サブ層２０１２３の厚さよりも大きいため、凹部の形成が容易になり、有機材料層２０３と第２の電極層２０４とを第１のバリア壁２０１２で分断させることが容易となり、それによって、第１のバリア壁２０１２のバリア効果をさらに向上させることができる。例えば、第１の金属サブ層２０１２１の厚さは、１５０ｎｍ－９００ｎｍ、例えば、２００ｎｍ、４００ｎｍ、６００ｎｍ又は８００ｎｍ等であり、第２の金属サブ層２０１２２の厚さは、３０ｎｍ－３００ｎｍ、例えば、１００ｎｍ、１５０ｎｍ又は２００ｎｍ等であり、第２の金属サブ層２０１２３の厚さは、３０ｎｍ－３００ｎｍ、例えば１００ｎｍ、１５０ｎｍ又は２００ｎｍ等である。例えば、一例では、第１の金属サブ層２０１２１の厚さは６００ｎｍであり、第２の金属サブ層２０１２２の厚さは２００ｎｍであり、第３の金属サブ層２０１２３の厚さは２００ｎｍであり、この場合、第１のバリア壁２０１２はバリア効果を十分に発揮することができる。
【0054】
例えば、本開示のいくつかの実施例では、第２の金属サブ層２０１２２の材料と第３の金属サブ層２０１２３の材料とは、同じであってもよく、第１の金属サブ層２０１２１の材料と第２の金属サブ層２０１２２の材料とは、エッチング時のエッチングレートが異なる。例えば、第１の金属層構造をエッチングして形成するためのエッチング液の作用により、第１の金属サブ層２０１２１の材料がエッチングされる速度を、第２の金属サブ層２０１２２の材料がエッチングされる速度よりも大きくすることで、製造時に凹部２０１２Ａを有する第１の金属層構造を容易に形成することができる。
【0055】
例えば、いくつかの実施例では、第１の金属サブ層２０１２１の材料は、アルミニウムまたは銅などの金属またはその合金を含み、第２の金属サブ層２０１２２の材料は、チタンまたはモリブデンなどの金属またはその合金を含み、第３の金属サブ層２０１２３の材料は、第２の金属サブ層２０１２２の材料と同じであり、チタンやモリブデンなどの金属またはその合金を含む。表示基板の電極構造、例えば第２の電極層２０４をエッチングして形成するためのエッチング液の作用により、アルミニウム又は銅がエッチングされる速度は、チタン又はモリブデンがエッチングされる速度よりも大きくなる。これにより、第２の電極層２０４等の電極構造をエッチング形成しながら、第１の金属サブ層２０１２１、第２の金属サブ層２０１２２、第３の金属サブ層２０１２３をエッチングして凹部２０１２Ａを形成することができる。
【0056】
例えば、いくつかの例では、第１の金属層構造が２層構造を採用する場合に、第１の金属サブ層２０１２１及び第２の金属サブ層２０１２２の材料の組み合わせには、アルミニウム／チタン、アルミニウム／モリブデン、銅／チタン、銅／モリブデン等が挙げられ、第１の金属層構造が３層構造を採用する場合に、第３の金属サブ層２０１２３、第１の金属サブ層２０１２１及び第２の金属サブ層２０１２２の材料の組み合わせには、チタン／アルミニウム／チタン、モリブデン／アルミニウム／モリブデン、チタン／銅／チタン、またはモリブデン／銅／モリブデンなどであってもよい。
【0057】
例えば、本開示のいくつかの実施例では、図２Ｂに示すように、表示基板２００は、イメージセンサおよび／または赤外線センサをさらに含み、イメージセンサおよび／または赤外線センサは、ベース基板２０２、例えばベース基板２０２の発光素子から離れる側に接合され、且つ、ベース基板２０２への正射影が開孔領域２０１１と少なくとも部分的に重なっており、例えばイメージセンサおよび／または赤外線センサが図中の符号２１０で示す位置に設けられる。これにより、イメージセンサおよび／または赤外線センサは、開孔領域２０１１を介してグラフィックギャザリング、顔認識、赤外線センシング等の機能を実現することができる。
【0058】
なお、本実施例のいくつかの例では、表示基板２００は、コンデンサを覆う第２の絶縁層２１６、駆動回路を平坦化する平坦層２１７、画素アレイを画定する画素定義層２１９、封止空間を形成する柱状スペーサ２０８、密閉のための封止層２０５、及び封止効果をより高めるための第２の封止層２０６、第３の封止層２０７等の構成をさらに含むが、本開示の実施例ではこれらについて説明を省略する。この実施例の例では、薄膜トランジスタのソースドレイン電極２１２の一方が第１の電極層２１８に接続されているため、この薄膜トランジスタを駆動トランジスタとすることができ、すなわち、印加されたデータ信号に応じて発光素子に流れる発光電流の大きさを制御することにより、表示時における画素ユニットの階調を制御する。
【0059】
例えば、封止層２０５は、酸化シリコン、窒化シリコン等の材料を含む無機封止層であり、第２の封止層２０６は、ポリイミド等の有機材料を含む有機封止層であり、第３の封止層２０７は、酸化ケイ素、窒化ケイ素などの材料を含む無機封止層である。例えば、図２Ｂの例では、封止層２０５、第２の封止層２０６および第３の封止層２０７は、いずれも第１のバリア壁２０１２の開孔領域２０１１に近い側まで延びており、そのため、これらの３つの封止層のいずれも第１のバリア壁２０１２を封止する。他の例では、図２Ｃに示すように、封止層２０５は、第１のバリア壁２０１２の開孔領域２０１１に近い側まで延び、第２の封止層２０６と第３の封止層２０７とはいずれも第１のバリア壁２０１２の表示領域２０１に近い側で終止する。また、有機材料の水や酸素を遮断する能力が比較的弱いため、有機材料を含む第２の封止層２０６は、第２の封止層２０６を介して表示領域２０１の内部に水や酸素等の不純物が侵入することを避けるために、開孔領域２０１から遠く離れた位置で終止する。例えば、いくつかの例では、封止層２０５及び第３の封止層２０７は、第１のバリア壁２０１２の開孔領域２０１１に近い側まで延び、第２の封止層２０６のみは第１のバリア壁２０１２の表示領域２０１に近い側で終止する。この例も同様に、有機材料を含む第２の封止層２０６を介して表示領域２０１の内部に水や酸素等の不純物が侵入することを避けることができる。本開示の実施例は、封止層２０５、第２の封止層２０６および第３の封止層２０７の具体的な設置方式を限定するものではない。
【0060】
本開示のいくつかの実施例では、例えば、表示パネルの開孔領域２０１１の周囲には、一つ以上のバリア壁を設けてもよく、即ち、バリア効果を高めるために、二つ、三つ、四つ、五つ等のような複数のバリア壁を含んでもよい。
【0061】
【0062】
図５Ａと図５Ｂに示すように、表示基板３００は、開孔領域３０１１を囲む表示領域３０１と開孔領域３０１１とを含み、表示領域３０１と開孔領域３０１１との間には、第１のバリア壁３０１２と第２のバリア壁３０１３とを含み、第１のバリア壁３０１２と第２のバリア壁３０１３とは、開孔領域３０１１を囲む。第２のバリア壁３０１３は、所定の距離を隔て第１のバリア壁３０１２の開孔領域３０１１から離れる側に設けられている。第１のバリア壁３０１２と第２のバリア壁３０１３とは、いずれも第１の金属層構造を含み、第１のバリア壁３０１２の第１の金属層構造の開孔領域３０１１を囲む少なくとも１つの側面は凹部３０１２Ａを有し、第２のバリア壁３０１３の第１の金属層構造の開孔領域３０１１を囲む少なくとも１つの側面は凹部３０１３Ａを有する。
【0063】
表示領域３０１は、上記実施例と同様に、第２の金属層構造を含む電極パターンを含み、第１のバリア壁３０１２と第２のバリア壁３０１３の第１の金属層構造は、この第２の金属層構造と同じであり、同じ材料を含む。例えば、第１のバリア壁３０１２および第２のバリア壁３０１３における第１の金属層構造および第２の金属層構造は、同一層で形成され、同じ多層構造を有する。
【0064】
例えば、表示領域３０１は、画素アレイを含み、この画素アレイにおける複数の画素ユニットが、複数の表示用発光素子と、これらの発光素子を駆動する駆動回路とを含む。例えば、この駆動回路は、薄膜トランジスタやコンデンサ等の構成を含む。
【0065】
図５Ｂに示すように、発光素子は、第１の電極層３１８と、第２の電極層３０４と、第１の電極層３２０と第２の電極層との間にある有機機能層とを含む。有機機能層は、例えば、有機発光材料層２１０と補助発光層３０３とを含む。有機機能層の少なくとも一部、例えば補助発光層３０３、および第２の電極層３０４は、通常、表示領域３０１において全面に亘って形成されており、この場合、有機機能層は、第１のバリア壁３０１２及び第２のバリア壁３０１３の凹部３０１２Ａ／３０１３Ａを有する側面で分断されている。例えば、第１の電極層３１８は陽極層（又は画素電極層とも呼ばれる）であり、第２の電極層３０４は陰極層であり、陰極層も第１のバリア壁２０１２及び第２のバリア壁３０１３の凹部１０１２Ａ／３０１３Ａを有する側面で分断されている。これにより、開孔領域３０１１に近い側に位置する有機機能層と第２の電極層３０４とが水、酸素等の不純物で汚染される場合、有機機能層と第２の電極層３０４とが第１のバリア壁３０１２によって遮断されるため、この汚染が有機機能層および第２の電極層３０４における発光素子の発光に用いられる部分にまで広がらないようにする。例えば、第１のバリア壁３０１２にも有機機能層と第２の電極層３０４とが形成されているが、これらの部分は他の部分から分離されている。
【0066】
同様に、薄膜トランジスタは、ゲート電極３１１、ソースドレイン電極３１２等の構成を含み、コンデンサは、第１の電極３１３、第２の電極３１４、及び第１の電極３１３と第２の電極３１４との間の第１の絶縁層３１５を含む。例えば、ゲート電極３１１またはソースドレイン電極３１２は、第２の金属層構造を有する電極パターンとして実現することができる。例えば、図５Ｂに示すように、ソースドレイン電極３１２は第２の金属層構造を含み、且つ、第１のバリア壁３０１２及び第２のバリア壁３０１３の第１の金属層構造は、ソースドレイン電極３１２の第２の金属層構造とは同一層で形成され、同一の多層構造を有しており、そのため、第１のバリア壁３０１２及び第２のバリア壁３０１３の第１の金属層構造とソースドレイン電極３１２の第２の金属層構造とを、表示基板３００の製造プロセスにおいて、同じ膜層を用いて形成することができる。例えば、いくつかの例では、第１の金属層構造と第２の金属層構造とが、いずれも２層構造または３層構造などの多層構造を有する。
【0067】
本実施例では、図６と図７に示すように、第１のバリア壁３０１２および第２のバリア壁３０１３の第１の金属層構造は、上記実施例と基本的に同様であり、具体的な説明は上記実施例を参照することができ、なお、類似の符号は同一構成を示すものであり、本実施例ではその説明を省略する。
【0068】
図５Ｂに示すように、表示基板３００は、ベース基板３０２をさらに含み、ベース基板３０２は開孔領域３０１１に位置する開孔３０２１を有する。例えば、第１のバリア壁３０１２及び第２のバリア壁３０１３の第１の金属層構造における凹部の開口方向は、ベース基板２０２と平行になる。
【0069】
例えば、表示基板３００は、イメージセンサおよび／または赤外線センサをさらに含む。イメージセンサおよび／または赤外線センサは、ベース基板３０２、例えばベース基板３０２の発光素子から離れる側に接合され、且つ、ベース基板３０２への正射影が開孔領域３０１１と少なくとも部分的に重なっており、例えば、イメージセンサおよび／または赤外線センサが図中の符号３１０で示す位置に設けられる。これにより、イメージセンサおよび／または赤外線センサは、開孔領域３０１１を介してグラフィックギャザリング、顔認識、赤外線センシング等の機能を実現することができる。
【0070】
同様に、本実施例のいくつかの例では、表示基板３００は、コンデンサを覆う第２の絶縁層３１６、駆動回路を平坦化する平坦層３１７、画素アレイを定義する画素定義層３１９、封止空間を形成する柱状スペーサ３０８、密閉のための封止層３０５、及び封止効果をより高めるための第２の封止層３０６、第３の封止層３０７等の構成をさらに含むが、本開示の実施例ではそれらの説明を省略する。この実施例の例では、薄膜トランジスタのソースドレイン電極３１２の一方が第１の電極層３１８に接続されているため、この薄膜トランジスタを駆動トランジスタとすることができ、すなわち、印加されたデータ信号に応じて発光素子に流れる発光電流の大きさを制御することにより、表示時における画素ユニットの階調を制御する。
【0071】
例えば、封止層３０５は、酸化シリコンや窒化シリコン等の材料を含む無機封止層であり、第２の封止層３０６は、ポリイミド等の有機材料を含む有機封止層であり、第３の封止層３０７は、酸化ケイ素や窒化ケイ素などの材料を含む無機封止層である。例えば、図５Ｂの例では、封止層３０５、第２の封止層３０６および第３の封止層３０７は、いずれも第１のバリア壁３０１２の開孔領域３０１１に近い側まで延びているので、この３つの封止層がいずれも第１のバリア壁３０１２と第２のバリア壁３０１３とを封止する。他の例では、図５Ｃに示すように、封止層３０５は、第１のバリア壁３０１２の開孔領域３０１１に近い側まで延び、第２の封止層３０６及び第３の封止層３０７は、いずれも第１のバリア壁３０１２及び第２のバリア壁３０１３との間で終止する。例えば、いくつかの例では、封止層３０５及び第３の封止層３０７は第１のバリア壁３０１２の開孔領域３０１１に近い側まで延び、第２の封止層３０６のみは第１のバリア壁３０１２と第２のバリア壁３０１３との間に止めてもよい。例えば、いくつかの例では、封止層３０５及び第３の封止層３０７は、第１のバリア壁３０１２の開孔領域３０１１に近い側まで延び、第２の封止層３０６のみは第２のバリア壁３０１３の表示領域３０１に近い側に止めてもよい。本開示の実施例は、各封止層の具体的な設置を限定するものではない。
【0072】
本開示のいくつかの実施例では、第１のバリア壁は、上述した第１の金属層構造に加えて、例えば絶縁層構造をさらに含み、第１の金属層構造は、絶縁層構造に積層されて、より多層構造を有する第１のバリア壁が形成されるので、バリア効果を高めるようにする。
【0073】
例えば、図８Ａと図８Ｂに示す表示基板は、第１の金属層構造と絶縁層構造とを有する第１のバリア壁を含み、図８Ａは、この表示基板の平面模式図であり、図８Ｂは、図８Ａにおける表示基板のＤ－Ｄ線に沿った断面模式図である。
【0074】
図８Ａと図８Ｂに示すように、表示基板４００は、開孔領域４０１と表示領域４０１１とを含み、表示領域４０１と開孔領域４０１１との間には第１のバリア壁４０１２を含み、表示領域４０１は開孔領域４０１１を囲み、第１のバリア壁４０１２は開孔領域４０１１を囲み、第１のバリア壁４０１２は、第１の金属層構造と絶縁層構造とを含み、第１の金属層構造は、開孔領域４０１１を囲む少なくとも１つの側面に凹部４０１２Ａを有する。
【0075】
一例では、図９に示すように、第１のバリア壁４０１２は、第１の金属層構造４０１２Ｂと絶縁層構造４０１２Ｃとを含む。第１の金属層構造４０１２Ｂの構造は、上述実施例と基本的に同様であり、なお、類似の符号は同一構成を示すものであり、ここでは説明を省略する。絶縁層構造４０１２Ｃは、少なくとも１つの絶縁層を含み、この絶縁層は、例えば、第１の金属層構造４０１２Ｂの下方に形成された絶縁層をエッチングすることによって得られる。図９に示すように、絶縁層構造４０１２Ｃは、断面が長方形に形成されており、このとき、第１のバリア壁４０１２の後に形成された有機機能層の少なくとも一部４０３及び第２の電極層４０４は、第１のバリア壁３０１２の絶縁層構造４０１２Ｃの側面で分断さればよい。
【0076】
一例では、図１０に示すように、工程の都合上、第１のバリア壁４０１２の絶縁層構造４０１２Ｃの断面を正台形状に形成してもよく、このとき、第１のバリア壁４０１２の後に形成された有機機能層及び第２の電極層４０４は、第１のバリア壁３０１２の絶縁層構造４０１２Ｃの側面に沿って第１の金属層構造４０１２Ｂまで延び、その後、第１の金属層構造４０１２Ｂの側面で分断される。この場合、第２の電極層４０４上に形成される封止層４０５と第２の電極層４０４との接触面積がより大きくなるため、封止層４０５による封止効果が向上される。
【0077】
一方、絶縁層構造４０１２Ｃは、通常、無機材料（例えば、窒化シリコン、酸化シリコン等）を含み、このとき、開孔領域４０１１の縁に無機絶縁層を有すると、この無機絶縁層は開孔領域４０１１を形成する際にクラックが発生しやすく、また、このクラックは、表示基板の表示領域の内部に広がりやすい。本実施例では、第１の金属層構造４０１２Ｂの下方に形成された絶縁層をエッチングして第１のバリア壁４０１２の絶縁層構造４０１２Ｃを形成することで、開孔領域４０１１の縁に無機絶縁層がなくなるようにし、または、開孔領域４０１１の縁に位置する無機絶縁層の材料を減少させる。これにより、クラックの広がり経路を減少させることができ、また、形成された第１のバリア壁４０１２は、クラックのそれ以上の広がりを防止することができる。
【0078】
例えば、図８Ｂに示す表示基板は、図１０に示すような第１のバリア壁４０１２を有し、また、第１のバリア壁４０１２の絶縁層構造４０１２Ｃは、複数のサブ絶縁層を含み、例えば、第１の絶縁層４１５と第２の絶縁層４１６と同一層にあるサブ絶縁層などを含む。例えば、他のいくつかの実施例では、絶縁層構造４０１２Ｃは、ベース基板４０１２の上方のバッファ層４０２０と同一層にあるサブ絶縁層をさらに含んでもよく、このとき、バッファ層４０２０がさらにエッチングされて、ベース基板４０２の表面の一部を露出させて、この露出された表面の一部が、後に形成される有機機能層と直接接触することができる。例えば、他のいくつかの実施例では、絶縁層構造４０１２Ｃは、バッファ層４０２０の上方のゲート絶縁層４３０と同一層にあるサブ絶縁層をさらに含んでもよい。例えば、他のいくつかの実施例では、絶縁層構造４０１２Ｃは、１層または２層のサブ絶縁層のみを含んでもよく、本開示の実施例は、絶縁層構造４０１２Ｃの層数を特に限定しない。
【0079】
また、表示領域４０１は、上記実施例と同様に、電極パターンをさらに含み、電極パターンは、第１の金属層構造と同じ構造を有し且つ同じ材料を含む第２の金属層構造を含む。例えば、第１の金属層構造と第２の金属層構造とは同一層で形成し、且つ同じ多層構造を有している。
【0080】
例えば、表示領域４０１は、画素アレイを含み、この画素アレイにおける複数の画素ユニットが、複数の表示用発光素子と、これらの発光素子を駆動する駆動回路とを含む。例えば、この駆動回路は薄膜トランジスタ、コンデンサ等の構成を含む。
【0081】
図８Ｂに示すように、発光素子は、第１の電極層４１８と、第２の電極層４０４と、第１の電極層４２０と第２の電極層４０４との間にある有機機能層とを含み、有機機能層は有機発光材料層４２０と補助発光層４０３とを含み、有機機能層の少なくとも一部、例えば補助発光層４０３、及び第２の電極層４０４は、通常、表示領域４０１において全面に亘って形成されており、このとき、有機機能層は、第１のバリア壁４０１２の凹部４０１２Ａを有する側面で分断されている。例えば、第１の電極層４１８は陽極層であり、第２の電極層４０４は陰極層であり、陰極層も第１のバリア壁４０１２の凹部４０１２Ａを有する側面で分断されている。例えば、第１のバリア壁４０１２の頂部にも、一部の有機機能層と第２の電極層４０４とが形成されているが、これらの部分は他の部分から分離されている。
【0082】
同様に、薄膜トランジスタは、ゲート電極４１１、ソースドレイン電極４１２等の構造を含み、コンデンサは、第１の電極４１３、第２の電極４１４、及び第１の電極４１３と第２の電極４１４との間の第１の絶縁層４１５を含む。例えば、ゲート電極４１１またはソースドレイン電極４１２は、第２の金属層構造を有する電極パターンとして実現することができる。例えば、図８Ｂに示すように、ソースドレイン電極４１２は第２の金属層構造を含み、且つソースドレイン電極４１２の第２の金属層構造は、第１のバリア壁４０１２の第１の金属層構造とは同一層で形成され同一の多層構造を有しており、そのため、表示基板４００の製造プロセスにおいて、第１のバリア壁４０１２の第１の金属層構造とソースドレイン電極４１２の第２の金属層構造とを、同じ膜層を用いて形成することができる。例えば、いくつかの例では、第１の金属層構造と第２の金属層構造とが、いずれも２層構造または３層構造などの多層構造を有する。
【0083】
図８Ｂに示すように、表示基板４００は、ベース基板４０２をさらに含み、ベース基板４０２は開孔領域４０１１に位置する開孔４０２１を有する。
【0084】
例えば、表示基板４００は、イメージセンサおよび／または赤外線センサをさらに含み、イメージセンサおよび／または赤外線センサは、ベース基板４０２、例えば、ベース基板４０２の発光素子から離れる側に接合され、また、ベース基板４０２への正射影が開孔領域４０１１と少なくとも部分的に重なっており、例えば、イメージセンサおよび／または赤外線センサが図中の符号４１０で示す位置に設けられる。これにより、イメージセンサおよび／または赤外線センサは、開孔領域４０１１を介してグラフィックギャザリング、顔認識、赤外線センシング等の機能を実現することができる。
【0085】
同様に、本実施例のいくつかの例では、表示基板４００は、コンデンサを覆う第２の絶縁層４１６、駆動回路を平坦化する平坦層４１７、画素アレイを限定する画素定義層４１９、封止空間を形成する柱状スペーサ４０８、密閉のための封止層４０５、及び封止効果をより高めるための第２の封止層４０６、第３の封止層４０７等の構成をさらに含むが、本開示の実施例では説明を省略する。この実施例の例では、薄膜トランジスタのソースドレイン電極４１２の一方が第１の電極層４１８に接続されているため、この薄膜トランジスタを駆動トランジスタとすることができ、すなわち、印加されたデータ信号に応じて発光素子に流れる発光電流の大きさを制御することにより、表示時における画素ユニットの階調を制御する。例えば、封止層４０５、第２の封止層４０６および第３の封止層４０７の設置は上述の実施例を参照することができ、ここでは説明を省略する。
【0086】
例えば、この実施例の他の例では、表示基板４００は、一つの以上のバリア壁、すなわち、複数のバリア壁を含むように形成されてもよく、図５Ａと図１１を参照するように、この多層バリア壁は、表示領域４０１への保護を多重化することができる。
【0087】
本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板の製造方法は、表示領域と開孔領域とを形成するステップと、表示領域と開孔領域との間に第１のバリア壁を形成するステップとを含む。形成される表示領域は、開孔領域を囲む。第１のバリア壁は、開孔領域を囲み、且つ開孔領域を囲む少なくとも１つの側面に凹部を有する第１の金属層構造を含む。
【0088】
例えば、一例では、表示領域を形成するステップは、第１の金属層構造の形成と同時に電極パターンを形成するステップを含み、電極パターンが第２の金属層構造を含み、第１の金属層構造と第２の金属層構造とが同じ膜層を用いて形成される。例えば、第１の金属層構造及び第２の金属層構造は、２層、３層等の多層電極構造である。
【0089】
例えば、第１の金属層構造と第２の金属層構造を２層電極構造として形成する場合には、第１のバリア壁の形成と同時に電極パターンを形成するステップは、ベース基板の第１の側に第１の金属材料層を形成し、第１の金属材料層のベース基板から離れる側に第２の金属材料層を形成するステップと、電極パターン及び初期バリア壁を形成するように第１の金属材料層と第２の金属材料層に対して第１のエッチングを行うステップと、次ぎに、第１のバリア壁を形成するように、初期バリア壁に対して第２のエッチングを行うステップと、を含み、第２のエッチングはウェットエッチングであり、また、使用されるエッチング液により第１の金属材料層がエッチングされる速度は、第２の金属材料層がエッチングされる速度よりも大きくすることにより、凹部が形成される。
【0090】
例えば、第１の金属層構造と第２の金属層構造を３層電極構造として形成する場合には、第１のバリア壁の形成と同時に電極パターンを形成するステップは、ベース基板の第１の側に第３の金属材料層、第１の金属材料層および第２の金属材料層を順に形成するステップと、電極パターン及び初期バリア壁を形成するように第３の金属材料層、第１の金属材料層および第２の金属材料層に対して第１のエッチングを行うステップと、第１のバリア壁を形成するように初期バリア壁に対して第２のエッチングを行うステップと、を含み、第２のエッチングはウェットエッチングであり、また、使用されるエッチング液により第１の金属材料層がエッチングされる速度は、第２の金属材料層および第３の金属材料層をエッチングされる速度よりも大きくすることにより、凹部が形成される。
【0091】
例えば、表示領域を形成するステップは、表示領域に位置する発光素子に用いられる第１の電極層と、第２の電極層と、第１の電極層と第２の電極層との間にある有機機能層とを形成するステップをさらに含み、第２のエッチングに用いられるエッチング液は、第１の電極層をエッチングして形成するのに用いられるエッチング液と同じでる。これにより、第１のバリア壁は、電極パターンと第１の電極層との形成と同時に形成することができるので、従来のプロセス工程を増加させることがない。
【0092】
例えば、他のいくつかの実施例では、第１の金属層構造及び第２の金属層構造は、１回のウェットエッチング工程を用いて形成することができる。例えば、第１のバリア壁の形成と同時に電極パターンを形成するステップは、ベース基板の第１の側に第１の金属材料層を形成するステップと、第１の金属材料層のベース基板から離れる側に第２の金属材料層を形成するステップと、第１の金属材料層及び第２の金属材料層に対してウェットエッチングを１回行うステップと、を含み、このウェットエッチングに用いられるエッチング液により第１の金属材料層がエッチングされる速度は、第２の金属材料層がエッチングされる速度よりも大きくすることにより、１回のウェットエッチングで凹部が形成される。この方法は、３層構造を有する第１の金属層構造及び第２の金属層構造の形成にも同様に適用可能であり、ここでは説明を省略する。
【0093】
【0094】
図１２Ａに示すように、まず、表示領域２０１と開孔領域２０１１を形成する。開孔領域２０１１は位置２０１１１において開孔することにより形成される。
【0095】
図１３Ａ－図１３Ｃに示すように、表示領域２０１の形成には、画素アレイに用いられる発光素子、および発光素子を駆動する駆動回路等の構成の形成が含まれる。例えば、表示領域２０１と開孔領域２０１１との間に形成された第１のバリア壁２０１２は、表示領域２０１における複数の機能層と同一層に形成されている。本開示の実施例は、画素アレイの発光素子および発光素子を駆動する駆動回路等の具体的な構造を限定するものではない。
【0096】
図１２Ａに示すように、まず、ベース基板２０２に駆動回路層を形成し、薄膜トランジスタと蓄積コンデンサ等の構成を形成することを含む。例えば、パターニングプロセスにより、ベース基板２０２に薄膜トランジスタ及び蓄積コンデンサ等の構成の各膜層を順に形成する。１回のパターニングプロセスには、例えば、フォトレジストの形成、露光、現像、およびエッチング等の工程が含まれる。
【0097】
例えば、薄膜トランジスタのゲート電極２１１と蓄積コンデンサの第１の電極２１３とを同一膜層で同一パターニングプロセスで形成することにより、製造プロセスを簡略化する。例えば、ゲート電極２１１および蓄積コンデンサの第１の電極２１３は、アルミニウム、チタン、コバルトなどの金属または合金材料を含む。まず、スパッタ法や蒸着法等によりゲート電極材料層を１層形成した後、このゲート電極材料層に対してパターニングを行って、パターニングされたゲート電極２１１と蓄積コンデンサの第１の電極２１３とを形成するようにする。
【0098】
例えば、薄膜トランジスタのソースドレイン電極２１２は、チタン材料層、アルミニウム材料層及びチタン材料層を、例えばスパッタリングや蒸着等により順に形成した多層電極構造として形成することができ、次に、３層の材料層を同一パターニングプロセスによりパターニングして、ソースドレイン電極２１２を構成するチタン２１２１／アルミニウム２１２２／チタン２１２３の３層電極構造を形成するとともに、開孔領域２０１１が形成される位置２０１１１を囲む初期第１のバリア壁２０１２０を形成する。例えば、上記パターニングプロセスで用いられるエッチングは、ドライエッチングであり、それにより、形成されたソースドレイン電極２１２及び初期第１のバリア壁２０１２０の側面は平坦である。
【0099】
図１３Ｂに示すように、薄膜トランジスタ及び蓄積コンデンサの各膜層の形成が完了した後、平坦層２１７、第１の電極層２１８、画素定義層２１９を形成し、そして、画素定義層２１９の開口に、有機発光材料層２２０および補助発光層２０３などを含む有機機能層を形成する。
【0100】
例えば、平坦層２１７は、樹脂材料等の有機材料や、窒化シリコン、酸化シリコン等の無機材料を用いてパターニングプロセスにより形成することができ、形成された平坦層２１７にはビアを有することで、後に形成される第１の電極層２１８がこのビアを介してソースドレイン電極２１２に接続される。
【0101】
例えば、第１の電極層２１８は、パターニングプロセスにより平坦層２１７に形成される。例えば、第１の電極層２１８は陽極層であり、第１の電極層２１８の材料はＩＴＯ、ＩＺＯ等の金属酸化物、またはＡｇ、Ａｌ、Ｍｏ等の金属またはその合金を含む。例えば、平坦層２１７に第１の電極層２１８をパターニングプロセスにより形成し、第１の電極層２１８が平坦層２１７におけるビアを介してソースドレイン電極２１２に接続される。
【0102】
例えば、第１の電極層２１８をパターニングするエッチング工程では、用いられるエッチング液は初期第１のバリア壁２０１２０を同時にエッチングする。このエッチング液により、第１のバリア壁２０１２０を構成するチタン／アルミニウム／チタンの３層電極構造における中間層に位置するアルミニウムがエッチングされるレートは、上下両側に位置するチタンがエッチングされるレートよりも大きくすることにより、初期第１のバリア壁２０１２０の側面に凹部が形成される。
【0103】
例えば、第１の電極層２１８に、第１の電極層２１８を露出する画素定義層２１９をパターニングプロセスにより形成する。例えば、画素定義層２１９の材料は、樹脂材料等の有機材料や、窒化シリコン、酸化シリコン等の無機材料を含み、後に形成される発光素子の有機機能層と第２の電極層２０４のため、形成された画素定義層２１９には開口を有する。
【0104】
例えば、図１３Ｂに示すように、画素定義層２１９の開口には有機発光材料層２２０をインクジェット記録法や蒸着法等により形成することができる。次に、図１３Ｃに示すように、有機発光材料層２２０が形成された画素定義層２１９に、柱状スペーサ２０８、補助発光層２０３および第２の電極層２０４を形成する。
【0105】
例えば、柱状スペーサ２０８は、樹脂材料等の有機材料や、窒化シリコン、酸化シリコン等の無機材料を用いてパターニングプロセスにより形成することができ、柱状スペーサ２０２６は、後に形成される封止層のため、封止空間を形成する。
【0106】
例えば、補助発光層２０３および第２の電極層２０４は、蒸着、堆積又はインクジェット印刷等により全面に亘って形成されている。有機発光材料層２２０は、赤、緑、青等の色に発光可能な発光材料を含み、補助発光層２０３は、例えば、電子注入層や電子輸送層等である。第２の電極層２０４は、例えば陰極層であり、第２の電極層２０４の材料は、例えばＭｇ、Ｃａ、ＬｉまたはＡｌなどの金属またはその合金、あるいはＩＺＯ、ＺＴＯなどの金属酸化物、あるいはＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（ポリ３，４－エチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸塩）等の導電性能を有する有機材料を含む。このとき、全面に亘って形成された有機機能層および第２の電極層２０４は、第１のバリア壁２０１２の凹部を有する側面で分断されており、図における第１のバリア壁２０１２の両側にいずれも凹部を有するため、有機機能層および第２の電極層２０４が第１のバリア壁２０１２によって完全に遮断される。
【0107】
これにより、有機機能層及び第２の電極層２０４が第１のバリア壁２０１２の開孔領域２０１１に近い部分で汚染されると、第１のバリア壁２０１２のバリア作用により、水、酸素等の不純物が有機機能層及び第２の電極層２０４の発光用の部分までに拡散、延在することはない。例えば、第１のバリア壁２０１２の上にも、有機機能層および第２の電極層２０４が形成される。
【0108】
例えば、封止層２０５は、化学蒸着、物理蒸着、コーティング法等により第２の電極層２０４上に形成することができる。封止層２０５は、表示領域に位置する機能構造を封止して保護することができる。例えば、封止層２０５上には、第２の封止層２０６及び第３の封止層２０７を形成してもよい。第２の封止層２０６は、封止層２０５を平坦化することができ、第３の封止層２０７は、外層の封止として形成することができる。例えば、封止層２０５及び第３の封止層２０７には、例えば、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコン等の無機材料が用いられ、第２の封止層２０６には、例えば、ポリイミド（ＰＩ）、エポキシ樹脂等の有機材料が用いられる。これにより、封止層２０５、第２の封止層２０６と第３の封止層２０７は、表示領域の機能構造を多重に保護する複合封止層として形成され、より良好な封止効果を有する。
【0109】
本開示のいくつかの実施例では、必要に応じて、表示領域２０１に他の必要な機能膜層を形成してもよく、これらの膜層は従来の方法で形成することができるので、ここでは説明を省略する。
【0110】
例えば、表示領域の形成が完了した後、図１２Ｂに示すように、位置２０１１１内に開孔領域２０１１を形成する。例えば、位置２０１１１は、レーザー切断または機械的打抜きによって開孔されて、開孔領域２０１１を形成する。
【0111】
例えば、開孔領域２０１１は、ベース基板２０２を貫通しているため、ベース基板２０２上にも開孔が形成されている。この開孔位置には、イメージセンサ、赤外線センサ等の構成が取り付けられ、例えば中央処理装置等に信号で接続されていてもよい。例えば、このイメージセンサや赤外線センサ等の構成は、ベース基板２０２の発光構造から離れる側（すなわち表示基板の非表示側）に設けられていてもよく、開孔領域２０１１を介して写真撮影、顔認識、赤外線センシングなどの多様な機能を実現することができる。
【0112】
なお、本発明の実施例では、薄膜トランジスタをトップゲート型として示したが、本発明の実施例はこれに限定されるものではなく、例えばボトムゲート型としてもよい。例えば、駆動回路は、トップゲート型であってもボトムゲート型であってもよく、Ｎ型であってもＰ型であってもよい複数の薄膜トランジスタを含んでもよく、本開示の実施例はこれに限定されるものではない。
【0113】
本開示のいくつかの実施例では、発光素子は、有機発光ダイオードまたは量子ドット発光ダイオードであり、例えば、この有機発光ダイオードはトップゲート発光型、ボトム発光型、または両面発光型であってもよく、また、有機発光ダイオードの有機機能層は、有機発光材料層及び電子注入層、電子輸送層、正孔輸送層、正孔注入層等の他の補助発光層を含む複合層であってもよい。本開示の実施例は、有機発光ダイオードの具体的な構造や種類について限定するものではない。
【0114】
例えば、本開示のいくつかの実施例の製造方法は、図５Ａと図５Ｂに示すような表示基板を形成することも可能であるが、上記の例とは異なる点は、図５Ａと図５Ｂに示すような表示基板を形成する時に、表示基板の表示領域と開孔領域との間には第２のバリア壁がさらに形成され、この第２のバリア壁は開孔領域を囲むとともに第１のバリア壁の開孔領域から離れる側に形成されており、このとき、第２のバリア壁は、第１のバリア壁と同じ膜層を用いて形成することができ、よって、工程のステップを増加せずに形成された多層バリア壁は、より良好なバリア効果を発揮することができる。
【0115】
例えば、本開示のいくつかの実施例の製造方法は、図８Ａと図８Ｂに示すような表示基板を形成することも可能であるが、上記の例とは異なる点は、図８Ａと図８Ｂに示すような表示基板を形成する時に、第１のバリア壁を形成するステップは、第１のバリア壁の第１の金属層構造の下方に位置する絶縁層をエッチングするステップをさらに含み、このエッチングは、第１の金属層構造を形成する前に行ってもよく、第１の金属層構造を形成した後に行ってもよく、他の絶縁層のエッチング（例えばソースドレイン電極４１２が位置するビアのエッチング）と同時に行ってもよく、よって、工程ステップを増加させることなく、より良好なバリア効果を有する第１のバリア壁を得ることができる。
【0116】
本開示の少なくとも１つの実施例は表示装置をさらに提供し、図１４に示すように、表示装置５００は、本開示の実施例に係るいずれかの表示基板を含み、図には表示装置２００として示されている。この表示装置５００は、タブレット、テレビ、ディスプレイ、ノートパソコン、デジタルフォトフレーム、ナビゲーションなど、表示機能を有する任意の製品または部品であってよく、本開示の実施例は、これに限定されない。
【0117】
また、以下の点について説明する必要がある。
【0118】
（１）本開示の実施例の図面は本開示の実施例に関する構造だけに係り、その他の構造について通常設計を参照すればよい。
【0119】
（２）明瞭にするために、本開示の実施例を説明する図面において、層又は領域の厚さは拡大又は縮小されており、すなわち、これら図面は実際の縮尺で作成するものではない。例えば、層、膜、領域又は基板のような素子が別の素子「上」又は「下」に位置すると表現する際、該素子は、別の素子の「上」又は「下」に「直接に」位置してもよく、又は中間素子が介在されてもよいことは、理解できる。
【0120】
（３）矛盾がない限り、本開示の実施例及び実施例における特徴を互いに組み合わせて新たな実施例を得ることができる。
【0121】
上記述べたのは、本開示の具体的な実施形態のみであるが、本開示の範囲はこれに限定されるものではなく、当業者であれば、本開示に開示された技術的範囲内における変更または代替は、本開示の保護範囲内であることが容易に理解されるべきである。したがって、本開示の保護範囲は、請求の範囲の保護範囲に準じるべきである。
【符号の説明】
【0122】
２０１ 表示領域
２００ 表示基板
３００ 表示基板
３０１ 表示領域
４００ 表示基板
４０１ 表示領域
２０１１ 開孔領域
２０１２ 第１のバリア壁
２０１２Ａ 凹部
３０１１ 開孔領域
３０１２ 第１のバリア壁
３０１２Ａ 凹部
４０１１ 開孔領域
４０１２ 第１のバリア壁
４０１２Ａ 凹部
２００ 表示基板
３００ 表示基板
３０１ 表示領域
４００ 表示基板
４０１ 表示領域
２０１１ 開孔領域
２０１２ 第１のバリア壁
２０１２Ａ 凹部
３０１１ 開孔領域
３０１２ 第１のバリア壁
３０１２Ａ 凹部
４０１１ 開孔領域
４０１２ 第１のバリア壁
４０１２Ａ 凹部
【図1A】
【図1B】
【図2A】
【図2B】
【図2C】
【図3】
【図4】
【図5A】
【図5B】
【図5C】
【図6】
【図7】
【図8A】
【図8B】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12A】
【図12B】
【図13A】
【図13B】
【図13C】
【図14】