(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2023-08-14
(45)【発行日】2023-08-22
(54)【発明の名称】表示パネル及び表示装置
(51)【国際特許分類】
G09F 9/30 20060101AFI20230815BHJP
G09F 9/302 20060101ALI20230815BHJP
H10K 59/10 20230101ALI20230815BHJP
【ＦＩ】
G09F9/30 349C
G09F9/30 349Z
G09F9/30 365
G09F9/302 C
H10K59/10
【請求項の数】
9
(21)【出願番号】P 2022528706
(86)(22)【出願日】2021-03-24
(65)【公表番号】
(43)【公表日】2023-01-19
(86)【国際出願番号】 CN2021082771
(87)【国際公開番号】W WO2021208691
(87)【国際公開日】2021-10-21
【審査請求日】2022-05-17
(31)【優先権主張番号】202010307757.0
(32)【優先日】2020-04-17
(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN
(73)【特許権者】
【識別番号】515179325
【氏名又は名称】昆山国顕光電有限公司
【氏名又は名称原語表記】ＫＵＮＳＨＡＮ ＧＯ－ＶＩＳＩＯＮＯＸ ＯＰＴＯ－ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ ＣＯ．， ＬＴＤ．
【住所又は居所原語表記】Ｂｕｉｌｄｉｎｇ ４， Ｎｏ． １， Ｌｏｎｇｔｅｎｇ Ｒｏａｄ， Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ Ｚｏｎｅ Ｋｕｎｓｈａｎ， Ｊｉａｎｇｓｕ， Ｐｅｏｐｌｅ’ｓ Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ Ｃｈｉｎａ
(74)【代理人】
【識別番号】100112656
【弁理士】
【氏名又は名称】宮田 英毅
(74)【代理人】
【識別番号】100089118
【弁理士】
【氏名又は名称】酒井 宏明
(72)【発明者】
【氏名】張露
(72)【発明者】
【氏名】宋艷芹
(72)【発明者】
【氏名】許傳志
(72)【発明者】
【氏名】胡思明
(72)【発明者】
【氏名】韓珍珍
【審査官】石本 努
(56)【参考文献】
【文献】中国特許出願公開第１１０５０４２８９（ＣＮ，Ａ）
【文献】中国特許出願公開第１１０７８３３８４（ＣＮ，Ａ）
【文献】中国特許出願公開第１０７８１９０１８（ＣＮ，Ａ）
【文献】中国特許出願公開第１０９８０１９５０（ＣＮ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｇ０９Ｆ９／００－９／４６
Ｈ０５Ｂ３３／００－３３／２８
４４／００
４５／６０
Ｈ１０Ｋ５０／００－９９／００
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１の表示領域、第２の表示領域、及び前記第１の表示領域と前記第２の表示領域との間に位置する遷移表示領域を有し、前記第１の表示領域の透光率が前記第２の表示領域の透光率より大きい表示パネルであって、前記第１の表示領域に設けられる複数の第１のサブ表示画素と、
前記遷移表示領域に設けられる複数の第２のサブ表示画素と、
前記遷移表示領域に設けられ、且つ前記第１のサブ表示画素及び前記第２のサブ表示画素を駆動するために用いられる複数の第１の画素駆動回路と、
前記第１の表示領域において複数の前記第１のサブ表示画素のうちの少なくとも一部に対応して設けられる複数の遮断ブロックと、
を含み、
前記遷移表示領域における前記複数の第２のサブ表示画素に隣接して設けられる各前記第１のサブ表示画素には、それぞれ対応して少なくとも一つの前記遮断ブロックが設けられる、
表示パネル。
【請求項2】
前記複数の第１の画素駆動回路は第１の密度で分布され、前記複数の遮断ブロックは第２の密度で分布され、前記第１の密度は前記第２の密度を超えるか又は前記第２の密度と等しい、請求項１に記載の表示パネル。
【請求項3】
前記複数の遮断ブロックは、前記複数の第１のサブ表示画素の個数と同じであり且つ一対一で対応して設けられる、請求項１に記載の表示パネル。
【請求項4】
各前記第１のサブ表示画素は、第１の電極、前記第１の電極上に位置する第１の発光素子、及び前記第１の発光素子上に位置する第２の電極を含み、前記第１の電極は、前記第１の画素駆動回路に接続され、前記第１の電極及び前記第２の電極の配列方向において、各前記遮断ブロックの正投影は前記第１の電極の正投影により覆われ、及び／又は、各前記第２のサブ表示画素は、第３の電極、前記第３の電極に位置する第２の発光素子、及び前記第２の発光素子に位置する第４の電極を含み、前記第３の電極は、前記第１の画素駆動回路に接続される、
請求項１乃至３のいずれか一項に記載の表示パネル。
【請求項5】
前記複数の第１のサブ表示画素における同一色の前記第１のサブ表示画素の前記第１の電極は、互いに電気的に接続され、且つ一つの前記第１の画素駆動回路により駆動される、及び／又は、前記複数の第２のサブ表示画素における同一色の前記第２のサブ表示画素の前記第３の電極は、互いに電気的に接続され、且つ一つの前記第１の画素駆動回路により駆動される、
請求項４に記載の表示パネル。
【請求項6】
前記第１の画素駆動回路は、半導体層、第１の金属層、第２の金属層、第３の金属層、及び層間絶縁層を含み、前記複数の遮断ブロックは、前記半導体層、前記第１の金属層、前記第２の金属層、前記第３の金属層、及び前記層間絶縁層のうちの少なくとも一つと同一層に設けられる、
請求項１乃至３のいずれか一項に記載の表示パネル。
【請求項7】
前記遮断ブロックは、トランジスタ構造体である、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の表示パネル。
【請求項8】
前記表示パネルは、前記第２の表示領域に設けられる複数の第３のサブ表示画素をさらに含み、前記複数の第３のサブ表示画素は第３の密度で分布され、複数の前記第１のサブ表示画素は第４の密度で分布され、前記第３の密度は前記第４の密度より大きく、前記表示パネルは、前記第２の表示領域に分布される複数の第２の画素駆動回路をさらに含み、前記第２の画素駆動回路は、前記第３のサブ表示画素を駆動するために用いられる、
請求項１乃至３のいずれか一項に記載の表示パネル。
【請求項9】
請求項１乃至８に記載の表示パネルを含む表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本願は、２０２０年４月１７日に提出された「表示パネル及び表示装置」というの発明の名称の中国特許出願第２０２０１０３０７７５７．０号の優先権を主張し、当該出願の全ての内容は本明細書に援用される。
【0002】
本願は、表示技術分野に関し、特に、表示パネル及び表示装置に関する。
【背景技術】
【0003】
電子機器の急速な発展に伴い、スクリーン占有率に対するユーザーの要求特性がますます高くなり、電子機器のフルスクリーン表示が業界でますます多く注目されている。
【0004】
携帯電話、タブレットコンピュータ等のような電子機器は、フロントカメラ、受話器及び赤外線感知素子等を集積する必要があるため、相応の領域の光線透過率を増加させる必要がある。そのため、ますます多くのメーカーは表示パネルにおけるフロントカメラ等のデバイスに対応する領域の構造を改善して、ある程度でフロントカメラ等のデバイスの感光要求特性を満たすことができるが、表示パネルに不均一な表示の欠陥が存在する。
【0005】
したがって、新たな表示パネル及び表示装置を必要とする。
【発明の概要】
【0006】
本願の実施例は、表示パネル及び表示装置を提供して、フロントカメラ等のデバイスの感光要求特性を満たすことができると同時に、表示パネルの表示時の均一性を向上させることができる。
【0007】
一様態において、本願の実施例は、表示パネルを提供し、当該表示パネルは、第１の表示領域、第２の表示領域、及び第１の表示領域と第２の表示領域との間に位置する遷移表示領域を有し、第１の表示領域の透光率は、第２の表示領域の透光率より大きく、ここで、表示パネルは、第１の表示領域に設けられる複数の第１のサブ表示画素と、遷移表示領域に設けられる複数の第２のサブ表示画素と、遷移表示領域に設けられ、且つ第１のサブ表示画素及び第２のサブ表示画素を駆動するために用いられる複数の第１の画素駆動回路と、第１の表示領域において複数の第１のサブ表示画素のうちの少なくとも一部に対応して設けられる複数の遮断ブロックと、を含む。
【0008】
他の様態において、本願の実施例は、上記の表示パネルを含む表示装置を提供する。
【0009】
本願の実施例に係る表示パネル及び表示装置によれば、表示パネルは、第１の表示領域、第２の表示領域、及び第１の表示領域と第２の表示領域との間に位置する遷移表示領域を有し、第１の表示領域の透光率は第２の表示領域の透光率より大きく、使用時に、フロントカメラ等のデバイスを第１の表示領域の下方に設けることができるため、表示パネルのフルスクリーン表示要求特性を満たすことができ、また、第１の表示領域がより高い透光率を有するため、カメラ等のデバイスの感光要求特性を保証することができる。
【0010】
表示パネルが、第１の表示領域に位置する第１のサブ表示画素と、遮断ブロックと、遷移表示領域に位置する第２のサブ表示画素及び第１の画素駆動回路と、を含むため、第１の画素駆動回路により、第１の表示領域に位置する第１のサブ表示画素及び遷移表示領域に位置する第２のサブ表示画素の駆動を実現することができ、また、遮断ブロックの配置により第１の表示領域における図形分布状況と遷移表示領域に設けられる第１の画素駆動回路の図形分布状況とをより近接させることができ、遷移表示領域における第１の表示領域に近接する第１の画素駆動回路の図形の均一性を改善することができるため、表示パネルの表示の均一性を保証することができる。
【図面の簡単な説明】
【0011】
以下、図面を参照して本願の例示的な実施例の特徴、利点及び技術的効果を説明する。
【0012】
【図1】本願の表示パネルの一実施例の構造平面図である。
【図4】本願の表示パネルの別の実施例の部分構造断面図である。
【図5】本願の表示パネルのさらに別の実施例の部分構造断面図である。
【図6】本願の表示パネルのまた別の実施例の部分構造断面図である。
【図7】本願の表示装置の一実施例の構造平面図である。
【符号の説明】
【0013】
１ 表示パネル、ＡＡ１ 第１の表示領域、ＡＡ２ 遷移表示領域、ＡＡ３ 第２の表示領域、
１０ 第１のサブ表示画素、１１ 第１の電極、１２ 第１の発光素子、１３ 第２の電極、
２０ 第２のサブ表示画素、２１ 第３の電極、２２ 第２の発光素子、２３ 第４の電極、
３０ 第１の画素駆動回路、３１ 半導体層、３２ 第１の金属層、３３ 第２の金属層、３４ 第３の金属層、３５ 第１の層間絶縁層、３６ 第２の層間絶縁層、３７ 第３の層間絶縁層、
４０ 遮断ブロック、５０ 第３のサブ表示画素、６０ 第２の画素駆動回路、
２ 感光アセンブリ、Ｘ 配列方向。
１０ 第１のサブ表示画素、１１ 第１の電極、１２ 第１の発光素子、１３ 第２の電極、
２０ 第２のサブ表示画素、２１ 第３の電極、２２ 第２の発光素子、２３ 第４の電極、
３０ 第１の画素駆動回路、３１ 半導体層、３２ 第１の金属層、３３ 第２の金属層、３４ 第３の金属層、３５ 第１の層間絶縁層、３６ 第２の層間絶縁層、３７ 第３の層間絶縁層、
４０ 遮断ブロック、５０ 第３のサブ表示画素、６０ 第２の画素駆動回路、
２ 感光アセンブリ、Ｘ 配列方向。
【0014】
図面において、同じ部材に対しては同じ符号を使用する。図面は実際の比率に応じて描かれていない。
【発明を実施するための形態】
【0015】
以下、本願の各態様の特徴及び例示的な実施例を詳細に説明する。以下、本願の目的、技術的解決手段及び利点をより明確にするために、図面及び具体的な実施例を参照して、本願をさらに詳細に説明する。理解すべきことは、ここで説明される具体的な実施例は本願を説明するためのものであって、本願を限定するものではない。当業者にとって、本願はこれらの具体的な細部のうちのいくつかの細部を必要とせずに実施することができる。実施例に対する以下の説明は、本願の例を示すことにより本願をよりよく理解するためのものである。
【0016】
なお、本明細書において、第１及び第２等のような関係用語は一つのエンティティ又は操作を他のエンティティ又は操作と区別するために用いられ、必ずしもこれらのエンティティ又は操作の間にいかなる実際の関係又は順序が存在することを要求するか又は暗示するものではない。また、「含む」や「備える」、「有する」という用語又はその任意の他の変形は非排他的な包含をカバーすることを意図するため、一連の要素を含む過程、方法、物品又は装置は、それらの要素を含むだけでなく、明確に列挙されていない他の要素も含むか、又は、このような過程、方法、物品又は装置に固有の要素をさらに含む。より多くの制限がない場合、「……を含む」という語句により限定される要素は、前記要素を含む過程、方法、物品又は装置に他の同じ要素が存在することを排除しない。
【0017】
理解すべきことは、部材の構造を説明する際に、一層、一つの領域が他の層、他の領域の「上面」又は「上方」に位置すると記載する場合、他の層、他の領域の上面に直接位置することを指すか、又は、他の層、他の領域との間にさらに他の層又は領域を含むことを指す。また、部品を反転すれば、当該一層、一つの領域は他の層、他の領域の「下面」又は「下方」に位置する。
【0018】
携帯電話及びタブレットコンピュータ等のような電子機器において、表示パネルを設ける側にフロントカメラ、赤外線センサ、近接光センサ等の感光部品を集積する必要がある。いくつかの実施例において、上記電子機器に透明表示領域を配置し、感光アセンブリを透明表示領域の背面に設けることができ、感光アセンブリの正常動作を保証する状況で、電子機器のフルスクリーン表示を実現する。
【0019】
透明表示領域の配線数を減少するために、一般的に透明表示領域の画素駆動回路を透明表示領域の周辺の遷移表示領域に設けるが、透明表示領域の画素構造又は配線位置の変更に伴い、表示パネルのプロセス製造でエッジ効果が現れ、主に、遷移表示領域における透明表示領域エッジに近接する画素駆動回路の図形及び特性と他の領域の駆動回路の図形及び特性とは差異があり、これは不均一な表示を引き起こす。
【0020】
【0021】
【0022】
表示パネル１は、第１の表示領域ＡＡ１、第２の表示領域ＡＡ３、及び第１の表示領域ＡＡ１と第２の表示領域ＡＡ３との間に位置する遷移表示領域ＡＡ２を含み、第１の表示領域ＡＡ１の透光率は、第２の表示領域ＡＡ３の透光率より大きい。
【0023】
選択可能に、第１の表示領域ＡＡ１の透光率は１５％以上であるか、又はさらに４０％を超えるか、又はより高い透光率を有する。そのため、本願の一つ又は複数の実施例において、表示パネル１の各機能膜層の透光率はいずれも８０％より大きく、さらに少なくとも一部の機能膜層の透光率はいずれも９０％より大きい。
【0024】
本願の実施例の表示パネル１によれば、第１の表示領域ＡＡ１の透光率は第２の表示領域ＡＡ３の透光率より大きく、これにより、表示パネル１は第１の表示領域ＡＡ１の背面に感光アセンブリを集積することができ、例えばカメラのような感光アセンブリ２の画面下の集積を実現すると同時に、第１の表示領域ＡＡ１が画面を表示することができるため、表示パネル１の表示面積を向上させ、表示装置のフルスクリーン設計を実現する。
【0025】
選択可能な実施形態として、表示パネル１は、複数の第１のサブ表示画素１０、複数の第２のサブ表示画素２０、複数の第１の画素駆動回路３０、及び複数の遮断ブロック４０を含む。複数の第１のサブ表示画素１０は、第１の表示領域ＡＡ１に設けられ、複数の第２のサブ表示画素２０は、遷移表示領域ＡＡ２に設けられる。複数の第１の画素駆動回路３０は、遷移表示領域ＡＡ２に設けられ、且つ第１のサブ表示画素１０及び第２のサブ表示画素２０を駆動するために用いられ、複数の遮断ブロック４０は、第１の表示領域ＡＡ１において複数の第１のサブ表示画素１０のうちの少なくとも一部に対応して設けられる。
【0026】
本願の実施例に係る表示パネル１において、第１の画素駆動回路３０を遷移表示領域ＡＡ２に配置し且つ第１のサブ表示画素１０及び第２のサブ表示画素２０を制御するために用いることにより、第１のサブ表示画素１０及び第２のサブ表示画素２０の表示機能を効果的に保証することができる。また、第１の表示領域ＡＡ１内の配線を減少させ、第１の表示領域ＡＡ１の透光率を向上させ、カメラ等のデバイスの画面下の集積要求特性を満たすことができる。第１の表示領域ＡＡ１に設けられる遮断ブロック４０により、第１の表示領域ＡＡ１における図形分布状況又はデバイスの図形分布状況と遷移表示領域ＡＡ２に設けられる第１の画素駆動回路３０の図形分布状況とがより近接するようにし、遷移表示領域ＡＡ２における第１の表示領域ＡＡ１に近接する第１の画素駆動回路３０の図形の均一性を改善し、さらに、表示パネル１の表示の均一性を改善する。
【0027】
いくつかの選択可能な実施例において、表示パネルの複数の第１の画素駆動回路３０は、第１の密度で分布し、複数の遮断ブロック４０は、第２の密度で分布し、第１の密度は、第２の密度以上である。上記配置により、遷移表示領域ＡＡ２に位置する第１の画素駆動回路３０の分布図形密度と他の領域、特に第１の表示領域ＡＡ１における図形密度とが一致する傾向があるようにできるだけ保証することができ、第１の画素駆動回路３０の図形分布の均一性を改善し、表示効果を保証することができる。
【0028】
選択可能な実施形態として、本願の実施例に係る表示パネル１において、遷移表示領域ＡＡ２における複数の第２のサブ表示画素２０に隣接して設けられる各第１のサブ表示画素１０にそれぞれ対応して少なくとも一つの遮断ブロック４０が設けられる。第１の表示領域ＡＡ１に位置する第１のサブ表示画素１０を駆動するための第１の画素駆動回路３０を遷移表示領域ＡＡ２に配置し、遷移表示領域ＡＡ２における第１の表示領域ＡＡ１に近接するエッジ位置にエッジ効果が発生しやすいため、遷移表示領域ＡＡ２における第２のサブ表示画素２０に隣接して設けられる各第１のサブ表示画素１０にそれぞれ対応して少なくとも一つの遮断ブロック４０を設けることにより、遷移表示領域ＡＡ２における第１の画素駆動回路３０の分布図形と隣接する領域との差異を効果的に低減し、さらに、遷移表示領域ＡＡ２に現れるエッジ効果を最適化し、表示効果を保証することができる。
【0029】
なお、上記実施例で言及した遷移表示領域ＡＡ２における第２のサブ表示画素２０に隣接して設けられる各第１のサブ表示画素１０における「隣接して設けられる」とは、第２のサブ表示画素２０の側に直接設けられ且つその間に他のサブ画素がない全ての第１のサブ表示画素１０を指す。
【0030】
例えば、図２において、破線枠内の１列の第１のサブ表示画素１０は、第２のサブ表示画素２０に対応する側に設けられ且つその間に他のサブ画素がなく、当該列の第１のサブ表示画素１０と遷移表示領域ＡＡ２における第２のサブ表示画素２０とは、隣接して設けられ且つ少なくとも一つの遮断ブロック４０がそれぞれ対応して設けられる。また、図面を明確に示すために、図２において、第１の表示領域ＡＡ１に位置する一つの第１のサブ表示画素１０と遷移表示領域ＡＡ２に位置する第１の画素駆動回路３０との接続により例示される。第１のサブ表示画素１０を駆動するための他の第１の画素駆動回路３０は、遷移表示領域ＡＡ２において要求特性に応じて設けることができるが、隣接する第２のサブ表示画素２０の間の空白領域に位置してもよく、当然のことながら、相応の第２のサブ表示画素２０の下方に位置してもよく、駆動要求特性を満たすことができればよく、図面には逐一描画されていない。
【0031】
図２、図３に示すように、いくつかの選択可能な実施例において、本願の実施例に係る表示パネル１において、複数の遮断ブロック４０の個数は複数の第１のサブ表示画素１０の個数と同じであり、且つ一対一で対応して設けられてもよい。上記配置により、遷移表示領域ＡＡ２における第１の画素駆動回路３０の分布図形と隣接する領域との差異を効果的に減少させ、第１の画素駆動回路３０の図形分布の均一性を改善し、さらに、第１の画素駆動回路３０の特性の均一性を改善することができる。
【0032】
選択可能な実施形態として、上記各実施例に係る表示パネル１において、各第１のサブ表示画素１０は、第１の電極１１と、第１の電極１１に位置する第１の発光素子１２と、第１の発光素子１２に位置する第２の電極１３と、を含み、第１の電極１１は第１の画素駆動回路３０に接続され、第１の画素駆動回路３０により、接続された第１のサブ表示画素１０を駆動することができる。第１の電極１１及び第２の電極１３の配列方向Ｘにおいて、各遮断ブロック４０の正投影は第１の電極１１の正投影により覆われる。
【0033】
上記配置により、遷移表示領域ＡＡ２における第１の画素駆動回路３０の分布図形と隣接する領域との差異を減少させることを保証し、第１の画素駆動回路３０の図形分布の均一性を効果的に改善した上で、さらに、遮断ブロック４０が第１の表示領域ＡＡ１における光線の回折に影響を与えないようにすることができる。第１の表示領域ＡＡ１の透光要求特性を保証し、さらに、フロントカメラ等のデバイスの感光要求特性を満たす。
【0034】
選択可能な実施形態として、本願の実施例に係る表示パネル１において、第１の電極１１及び第２の電極１３の配列方向Ｘにおいて、各遮断ブロック４０の正投影はそれに対応する第１の電極１１の正投影により完全に覆われる。
【0035】
いくつかの選択可能な実施例において、上記各実施例に係る表示パネル１において、各第２のサブ表示画素２０は、第３の電極２１、第３の電極２１に位置する第２の発光素子２２、及び第２の発光素子２２に位置する第４の電極２３を含み、第３の電極２１は第１の画素駆動回路３０に接続される。第１の画素駆動回路３０により、接続された第２のサブ表示画素２０を駆動することができる。
【0036】
いくつかの選択可能な実施例において、第１の電極１１及び第３の電極２１は陽極であり、第２の電極１３及び第４の電極２３は陰極である。
【0037】
選択可能な実施形態として、第１の画素駆動回路３０の個数を減少するために、遷移表示領域ＡＡ２の透光率が第１の表示領域ＡＡ１と第２の表示領域ＡＡ３との間にあることを保証し、選択可能に、複数の第１のサブ表示画素１０における同一色の複数の第１のサブ表示画素１０の第１の電極１１は、互いに電気的に接続され且つ一つの第１の画素駆動回路３０により駆動される。選択可能に、複数の第２のサブ表示画素２０における同一色の複数の第２のサブ表示画素２０の第３の電極２１は、互いに電気的に接続され且つ一つの第１の画素駆動回路３０により駆動される。上記配置により、第１の画素駆動回路３０の個数を効果的に減少することができると同時に、第１の表示領域ＡＡ１及び遷移表示領域ＡＡ２の配線数を減少することができ、さらに、第１の表示領域ＡＡ１の透光率の要求特性をよりよく保証することができる。
【0038】
いくつかの選択可能な実施例において、上記各実施例に係る表示パネル１において、その遮断ブロック４０は導電性材料で製造されてもよく、勿論、非導電性材料で製造されてもよく、選択可能に、それは金属材料で製造されてもよく、勿論、非金属材料で製造されてもよい。選択可能に、遮断ブロック４０は非透明構造であってもよく、その形状は要求特性に応じて配置することができ、遷移表示領域ＡＡ２における第１の画素駆動回路３０の分布図形と隣接する領域との差異を減少する要件をよりよく満たすことができればよい。
【0039】
選択可能な実施形態として、上記各実施例に係る表示パネル１において、第１の画素駆動回路３０は複数のトランジスタ及びコンデンサを有し、選択可能に、第１の画素駆動回路３０は、半導体層３１、第１の金属層３２、第２の金属層３３、第３の金属層３４、及び層間絶縁層を含み、そのうち、遮断ブロック４０は、半導体層３１、第１の金属層３２、第２の金属層３３、第３の金属層３４、及び層間絶縁層のうちの少なくとも一つと同一層に設けられる。上記配置により、遮断ブロック４０の成形を容易にすることができ、且つ表示パネル１の成形時の工程を効果的に簡略化することができると同時に、表示パネル１の駆動、表示性能に影響を与えることを回避することができる。
【0040】
選択可能に、層間絶縁層は、第１の層間絶縁層３５（ゲート絶縁層とも呼ばれる）、第２の層間絶縁層３６、及び第３の層間絶縁層３７を含み、第１の層間絶縁層３５は、半導体層３１を覆って設けられ、第２の層間絶縁層３６は、第１の金属層３２を覆って設けられ、第３の層間絶縁層３７は、第２の金属層３３を覆って設けられる。
【0041】
いくつかの選択可能な実施例において、表示パネル１を成形する時に、複数の遮断ブロック４０と半導体層３１とを同一層に設けることができ、即ち、遷移表示領域ＡＡ２の相応の位置にトランジスタのアクティブ領域を成形する時に、第１の表示領域ＡＡ１において各第１のサブ表示画素１０に対応する領域にアクティブ領域材料と一致する構造を同期的に成形することにより、本願の上記実施例における遮断ブロック４０を形成することができる。これは、遮断ブロック４０の成形要求特性を満たすことができ、且つ表示パネル１に成形工程を増加させることはない。選択可能に、遮断ブロック４０の形状は、トランジスタの相応のアクティブ領域の形状と一致してもよい。
【0042】
いくつかの他の実施例において、図４に示すように、表示パネル１を成形する時に、複数の遮断ブロック４０と第１の画素駆動回路３０の第１の金属層３２とを同一層に設けることができ、即ち、遷移表示領域ＡＡ２の相応の位置に第１の金属層３２を成形する時に、例えばトランジスタのゲート電極を成形する時に、第１の表示領域ＡＡ１における各第１のサブ表示画素１０に対応する領域にゲート電極材料と一致する構造を同期的に成形することにより、本願の上記実施例における遮断ブロック４０を形成することができる。これは、遮断ブロック４０の成形要求特性を満たすことができ、且つ表示パネル１に成形工程を増加させることはない。選択可能に、遮断ブロック４０の形状は、相応のゲート電極の形状と一致してもよい。
【0043】
図５に示すように、いくつかの他の例において、表示パネル１を成形する時に、複数の遮断ブロック４０は、層間絶縁層（Ｉｎｔｅｒ－Ｌａｙｅｒ Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ、ＩＬＤ）と同一層に配置してもよく、選択可能に、具体的には、第１の層間絶縁層３５、第２の層間絶縁層３６、又は第３の層間絶縁層３７と同一層に設けることができ、理解しやすくするために、以下では第３の層間絶縁層３７と同一層に設けられることを例として説明する。表示パネル１は成形する時に、第１の表示領域ＡＡ１、遷移表示領域ＡＡ２、及び第２の表示領域ＡＡ３に第３の層間絶縁層３７を成形した後、エッチング等のプロセスにより、第１の表示領域ＡＡ１に位置する第３の層間絶縁層３７に複数の孔溝を形成し、その後、相応の孔溝内に蒸着、堆積等のプロセスにより成形且つ充填して各孔溝を形成することにより、複数の遮断ブロック４０を成形する。同じく、遮断ブロック４０の要求特性を満たすことができる。
【0044】
なお、上記の遮断ブロック４０と第１の画素駆動回路３０の半導体層３１、第１の金属層３２、又は第３の層間絶縁層３７とを同一層に設けることは、本願の実施例に係る表示パネル１をよりよく理解するために行われる例示であり、これは３種類の選択可能な実施例であるが、上記実施例に限定されるものではなく、いくつかの他の例において、複数の遮断ブロック４０は、第２の金属層３３、第３の金属層３４、第１の層間絶縁層３５、及び第２の層間絶縁層３６のうちの少なくとも一つと同一層に設けられてもよく、ここでは一々例示しない。例えば、それは、第１の層間絶縁層３５、第２の層間絶縁層３６、及び第３の層間絶縁層３７の三者と同時に同一層に設けられてもよく、この場合も、表示パネル１の性能要求特性を満たすことができる。
【0045】
本願のいくつかの実施例によれば、複数の遮断ブロック４０と第１の画素駆動回路３０の少なくとも一つの層構造とを同一層に設けることは、いくつかの選択可能な実施形態に過ぎない。図６に示すように、いくつかの他の例において、遮断ブロック４０の構造をトランジスタ構造体としてもよく、例えば、第１の画素駆動回路３０に含まれる任意のトランジスタ構造と同じであってもよい。このような配置方式も同じ効果をもたらすことができ、遷移表示領域ＡＡ２における第１の表示領域ＡＡ１の領域エッジに近接する第１の画素駆動回路３０の図形密度と他の領域とをより近接させ、第１の画素駆動回路３０の図形の均一性を改善し、さらに、第１の画素駆動回路３０の特性の均一性を改善することができる。
【0046】
選択可能な実施形態として、上記各実施例に係る表示パネル１において、その複数の遮断ブロック４０は行列の形に分布される。上記配置により、第１の画素駆動回路３０の特性の均一性を改善することができ、同時に、上記配置により、さらに、遮断ブロック４０の成形を容易にすることができると同時に、遮断ブロック４０が対応する第１のサブ表示画素１０の第１の電極１１に覆われることを容易にし、第１の表示領域ＡＡ１の光線に対する遮断ブロック４０の影響を低減又は回避することができる。
【0047】
選択可能な実施形態として、上記各実施例の表示パネル１は、第２の表示領域ＡＡ３に設けられる複数の第３のサブ表示画素５０をさらに含み、複数の第３のサブ表示画素５０は第３の密度で分布され、複数の第１のサブ表示画素１０は第４の密度で分布され、第３の密度は第４の密度より大きく、上記配置により、第１の表示領域ＡＡ１の透光率が第２の表示領域ＡＡ３の透光率より大きい要求特性をよりよく実現することができる。
【0048】
図２乃至図６に示すように、選択可能な実施形態として、上記各実施例に係る表示パネル１は、第２の表示領域ＡＡ３に分布される複数の第２の画素駆動回路６０をさらに含み、第２の画素駆動回路６０は、第３のサブ表示画素５０を駆動するために用いられる。上記配置により、第２の表示領域ＡＡ３の表示要求特性をよりよく満たすことができると同時に、遷移表示領域ＡＡ２における第１の表示領域ＡＡ１の領域エッジに近接する第１の画素駆動回路３０の図形密度と他の領域例えば第１の表示領域ＡＡ１及び第２の表示領域ＡＡ３とをさらに近接させることができ、表示パネル１の表示効果を最適化することができる。
【0049】
いくつかの選択可能な実施例において、第１の画素駆動回路３０及び第２の画素駆動回路６０のうちの少なくとも一つは、２Ｔ１Ｃ回路、７Ｔ１Ｃ回路、７Ｔ２Ｃ回路、又は９Ｔ１Ｃ回路のうちのいずれか一種類であってもよい。本明細書において、「２Ｔ１Ｃ回路」とは、画素回路に２つのトランジスタ（Ｔ）及び１つのコンデンサ（Ｃ）を含む画素回路を指し、他の「７Ｔ１Ｃ回路」、「７Ｔ２Ｃ回路」、「９Ｔ１Ｃ回路」等は、このように類推する。
【0050】
本願の実施例に係る表示パネル１が、第１の表示領域ＡＡ１、第２の表示領域ＡＡ３、及び第１の表示領域ＡＡ１と第２の表示領域ＡＡ３との間に位置する遷移表示領域ＡＡ２を含み、第１の表示領域ＡＡ１の透光率が第２の表示領域ＡＡ３の透光率より大きいため、使用時に、フロントカメラ等のデバイスを第１の表示領域ＡＡ１の下方に設けることができ、表示パネル１のフルスクリーン表示の要求特性を満たすことができ、また、第１の表示領域ＡＡ１がより高い透光率を有するため、カメラ等のデバイスの感光要求特性をよりよく保証することができる。
【0051】
表示パネル１が、第１の表示領域ＡＡ１に位置する第１のサブ表示画素１０と、遮断ブロック４０と、遷移表示領域ＡＡ２に位置する第２のサブ表示画素２０及び第１の画素駆動回路３０と、を含むため、第１の画素駆動回路３０により第１の表示領域ＡＡ１に位置する第１のサブ表示画素１０及び遷移表示領域ＡＡ２に位置する第２のサブ表示画素２０の駆動を実現することができ、また、遮断ブロック４０の配置により、第１の表示領域ＡＡ１における図形分布状況と遷移表示領域ＡＡ２に設けられる第１の画素駆動回路３０の図形分布状況とをより近接させることができるため、遷移表示領域ＡＡ２における第１の表示領域ＡＡ１に近接する第１の画素駆動回路３０の図形の均一性を改善し、さらに、表示パネル１の表示の均一性を改善することができる。
【0052】
選択可能な実施形態として、本願の実施例は、さらに、上記のいずれかの実施例の表示パネル１を含む表示装置を提供する。表示パネル１は、第１の表示領域ＡＡ１、遷移表示領域ＡＡ２、及び第２の表示領域ＡＡ３を有し、第１の表示領域ＡＡ１の透光率は、第２の表示領域ＡＡ３の透光率より大きい。表示パネル１は、対向する第１の表面Ｓ１及び第２の表面Ｓ２を含み、ここで、第１の表面Ｓ１は表示面である。表示装置は、感光アセンブリ２をさらに含み、当該感光アセンブリ２は、表示パネル１の第２の表面Ｓ２側に位置し、感光アセンブリ２は、第１の表示領域ＡＡ１の位置に対応する。
【0053】
感光アセンブリ２は、外部画像情報を収集するために用いられる画像収集装置であってもよい。本実施例において、感光アセンブリ２は、相補型金属酸化物半導体（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ、ＣＭＯＳ）画像収集装置であってもよく、他のいくつかの実施例において、感光アセンブリ２は、電荷結合素子（Ｃｈａｒｇｅ－Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ、ＣＣＤ）画像収集装置等の他の形態の画像収集装置であってもよく、例えばフロントカメラ等である。なお、感光アセンブリ２は、画像収集装置に限定されず、例えば、いくつかの実施例において、感光アセンブリ２は、赤外線センサ、近接センサ、赤外線レンズ、フラッドライト感知素子、環境光センサ、及びドットマトリクス投影器等の光センサであってもよい。また、表示装置は、表示パネル１の第２の表面に、例えば受話器、スピーカ等の他の部材をさらに集積することができる。
【0054】
本願の実施例の表示装置によれば、第１の表示領域ＡＡ１の透光率は、第２の表示領域ＡＡ３の透光率より大きく、これにより、表示パネル１は第１の表示領域ＡＡ１の背面に感光アセンブリ２を集積することができ、例えば、画像収集装置の感光アセンブリ２の画面下の集積を実現することができる。第１の表示領域ＡＡ１が画面を表示することができるため、表示パネル１の表示面積を向上させ、表示装置のフルスクリーン設計を実現することができる。
【0055】
表示パネル１が、第１の表示領域ＡＡ１に位置する第１のサブ表示画素１０と、遮断ブロック４０と、遷移表示領域ＡＡ２に位置する第２のサブ表示画素２０及び第１の画素駆動回路３０と、を含むため、第１の画素駆動回路３０により、第１の表示領域ＡＡ１に位置する第１のサブ表示画素１０及び遷移表示領域ＡＡ２に位置する第２のサブ表示画素２０に対する駆動要求特性を実現することができる。また、遮断ブロック４０の配置により、第１の表示領域ＡＡ１における図形分布状況と遷移表示領域ＡＡ２に設けられる第１の画素駆動回路３０の図形分布状況とをより近接させ、遷移表示領域ＡＡ２における第１の表示領域ＡＡ１に近接する第１の画素駆動回路３０の図形の均一性を改善し、さらに、表示装置の表示の均一性を保証することができる。
【0056】
好ましい実施例を参照して本願を説明したが、本願の範囲から逸脱することなく、それに様々な変化を行うことができ且つ均等物でそのうちの部材を取り替えることができる。特に、構造的衝突が存在しない限り、各実施例に言及される各技術的特徴はいずれも任意の方式で組み合わせることができる。本願は本明細書に開示の特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に属する全ての技術的解決手段を含む。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】