特許7334305IP Force 特許公報全文掲載

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 本技術の実施形態によるＳＳＤウェハデバイスを形成するためのフローチャートである。
【図2】 本技術の実施形態による、第１の半導体ウェハ、及び第１の半導体ウェハからの半導体ダイの平面図である。
【図3】 本技術の実施形態による、切り欠きが形成された後の第１の半導体ウェハの平面図である。
【図4】 本技術の実施形態による、第２の半導体ウェハ、及び第２の半導体ウェハからの端子のグループの平面図である。
【図5】 本技術の実施形態による第２のウェハの一部分の断面端視図である。
【図6】 本技術の実施形態による、第１のウェハと接合するために反転された第２のウェハを示す平面図である。
【図7】 本技術の実施形態によるＳＳＤウェハデバイスの斜視図である。
【図8】 本技術の実施形態によるＳＳＤウェハデバイスの平面図である。
【図9】 本技術の実施形態による、一緒に接合されている第１のウェハ及び第２のウェハの第１の部分の断面端視図である。
【図10】 本技術の実施形態による、一緒に接合された第１のウェハ及び第２のウェハの第１の部分の線ＣＳ－１（図８）に沿う断面端視図である。
【図11】 本技術の実施形態による、一緒に接合されている第１のウェハ及び第２のウェハの第２の部分の断面端視図である。
【図12】 本技術の実施形態による、一緒に接合された第１のウェハ及び第２のウェハの第２の部分の線ＣＳ－２（図８）に沿う断面端視図である。
【図13】 本技術の実施形態によるＳＳＤウェハデバイスの平面図である。
【図14】 本技術の実施形態による、ＳＳＤコントローラを含むＳＳＤウェハデバイスの平面図である。
【図15】 本技術の実施形態による、ＳＳＤウェハデバイスの一部分の断面端視図である。
【図16】 本技術の代替実施形態に従って製作された第２の半導体ウェハの断面端視図である。
【図17】 本技術の代替実施形態に従って製作された第２の半導体ウェハの断面端視図である。
【図18】 本技術の代替実施形態に従って製作された第２の半導体ウェハの断面端視図である。
【図19】 本技術の代替実施形態に従って製作された第２の半導体ウェハの平面図である。
【図20】 本技術の代替実施形態による、一緒に接合されている第１のウェハ及び第２のウェハの一部分の断面端視図である。
【図21】 本技術の代替実施形態による、一緒に接合された第１のウェハ及び第２のウェハの一部分の断面端視図である。
【図22】 本技術の代替実施形態によるＳＳＤウェハデバイスの斜視図である。
【図23】 本技術の代替実施形態による、ＳＳＤコントローラを含むＳＳＤウェハデバイスの平面図である。
【図24】 本技術の実施形態によるＳＳＤウェハデバイスと共に動作するデータセンターの概略図である。

代表図 図1本件の代表的な図

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