特許 7336409 表示装置およびタッチパネル

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2023-08-23

(45)【発行日】2023-08-31

(54)【発明の名称】表示装置およびタッチパネル

(51)【国際特許分類】

   G06F 3/041 20060101AFI20230824BHJP

   G06F 3/044 20060101ALI20230824BHJP

【ＦＩ】

G06F3/041 512

G06F3/044 129

G06F3/041 430

【請求項の数】 12

(21)【出願番号】P 2020059621

(22)【出願日】2020-03-30

(65)【公開番号】P2021157689

(43)【公開日】2021-10-07

【審査請求日】2022-11-07

(73)【特許権者】

【識別番号】502356528

【氏名又は名称】株式会社ジャパンディスプレイ

(74)【代理人】

【識別番号】110000350

【氏名又は名称】ポレール弁理士法人

(72)【発明者】

【氏名】藤沢 晃彦

(72)【発明者】

【氏名】安部 大智

(72)【発明者】

【氏名】伊藤 薫

【審査官】赤坂 祐樹

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１５－００７９２４（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１７－２２８１６２（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２０１４／０２５３４７３（ＵＳ，Ａ１）

【文献】特開２０１７－１８７８８５（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｇ０６Ｆ ３／０４１－３／０４７

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

複数の駆動電極と複数の検出電極とを有するタッチパネルと、
複数の周辺配線と、
おのおのの検出電極と対応する周辺配線との間に接続された複数のスイッチ素子と、を含み、
前記タッチパネルは、前記複数の駆動電極と前記複数の検出電極とによりミューチュアル検出方式で検出を行い、
前記複数のスイッチ素子がオフ状態の時に前記周辺配線に、所定の電圧を印加した状態で、前記複数の駆動電極の電圧を変化させ、その後に、前記周辺配線からの検出を可能な状態とし、前記複数のスイッチ素子をオフ状態からオン状態へ切り換える、
表示装置。

【請求項2】

請求項１に記載の表示装置において、
前記複数の駆動電極と前記複数の検出電極とは、表示領域に配置され、
前記複数の周辺配線は、前記表示領域の外側の周辺領域に配置され、
前記複数の周辺配線と前記複数の検出電極との間に、前記複数のスイッチ素子が配置される、表示装置。

【請求項3】

請求項１に記載の表示装置において、
前記複数の駆動電極は、第２方向に延在し、前記第２方向と異なる第１方向に配列され、
前記複数の検出電極は、前記第１方向に延在し、前記第２方向に配列され、
前記複数の周辺配線は、前記第２方向に延在し、前記第１方向に配列され、
前記複数のスイッチ素子は、前記複数の周辺配線と前記複数の検出電極との間において、前記第２方向に配列されている、表示装置。

【請求項4】

請求項３に記載の表示装置において、
前記タッチパネルの一端に配列され、前記複数の周辺配線に接続された複数の端子を含み、
前記複数の端子に制御回路が接続される、表示装置。

【請求項5】

請求項４に記載の表示装置において、
前記複数の端子は、前記第１方向に配列される、表示装置。

【請求項6】

請求項４に記載の表示装置において、
前記複数の端子は、前記第２方向に配列される、表示装置。

【請求項7】

複数の駆動電極と、
複数の検出電極と、
複数の周辺配線と、
おのおのの検出電極と対応する周辺配線との間に接続されたスイッチ素子と、を含み、
前記複数の駆動電極と前記複数の検出電極とによりミューチュアル検出方式で検出を行い、
前記複数のスイッチ素子がオフ状態の時に、検出する検出電極に接続された周辺配線に、所定の電圧を印加した状態で、前記複数の駆動電極の電圧を変化させ、その後に、前記スイッチ素子をオフ状態からオン状態へ切り換える、
タッチパネル。

【請求項8】

請求項７に記載のタッチパネルにおいて、
前記複数の駆動電極と前記複数の検出電極とは、検出領域に配置され、
前記複数の周辺配線は、前記検出領域の外側の周辺領域に配置され、
前記複数の周辺配線と前記複数の検出電極との間に、複数の前記スイッチ素子が配置される、タッチパネル。

【請求項9】

請求項７に記載のタッチパネルにおいて、
前記複数の駆動電極は、第２方向に延在し、前記第２方向と異なる第１方向に配列され、
前記複数の検出電極は、前記第１方向に延在し、前記第２方向に配列され、
前記複数の周辺配線は、前記第２方向に延在し、前記第１方向に配列される、タッチパネル。

【請求項10】

請求項９に記載のタッチパネルにおいて、
基板を含み、
前記基板は、前記基板の一端に配列され、前記複数の周辺配線に接続された複数の端子を含み、
前記複数の端子に制御回路が接続される、タッチパネル。

【請求項11】

請求項１０に記載のタッチパネルにおいて、
前記複数の端子は、前記第１方向に配列される、タッチパネル。

【請求項12】

請求項１０に記載のタッチパネルにおいて、
前記複数の端子は、前記第２方向に配列される、タッチパネル。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、タッチパネルおよびタッチパネルを備えた表示装置に関する。

【背景技術】

【0002】

携帯電話などに利用される表示装置には、タッチパネルが設けられる場合がある。タッチパネルは、複数の駆動電極と、複数の検出電極と、複数の検出電極に接続された複数の引出し配線とを有する。複数の駆動電極と複数の検出電極と間の電界変化、すなわち、相互容量の変化を検出することで、タッチされた位置座標を特定する相互容量検出方式（ミューチュアル検出方式）が有る。

【0003】

タッチパネルを有する表示装置として、たとえば、特開２０１６－２０６８６７号公報が提案されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【文献】特開２０１６－２０６８６７号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

複数の駆動配線の内の、最外端の駆動電極と複数の引出し配線（周辺配線）との間にフリンジ電界が形成される場合がある。このフリンジ電界が、指などの導体物によって遮蔽されると、タッチノイズとなり、タッチ誤検出が発生することが分かった。

【0006】

本開示の目的は、タッチ検出精度を向上することが可能な技術を提供することにある。

【0007】

その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。

【課題を解決するための手段】

【0008】

本発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記の通りである。

【0009】

すなわち、実施形態に係る表示装置は、
複数の駆動電極と複数の検出電極とを有するタッチパネルと、
複数の周辺配線と、
おのおのの検出電極と対応する周辺配線との間に接続されたスイッチ素子と、を含み、
前記タッチパネルは、前記複数の駆動電極と前記複数の検出電極とによりミューチュアル検出方式で検出を行い、
前記複数のスイッチ素子がオフ状態の時に前記周辺配線に、所定の電圧を印加した状態で、前記複数の駆動電極の電圧を変化させ、その後に、前記周辺配線からの検出を可能な状態とし、前記スイッチ素子をオフ状態からオン状態へ切り換える。

【0010】

また、実施形態に係るタッチパネルは、
複数の駆動電極と、
複数の検出電極と、
複数の周辺配線と、
おのおのの検出電極と対応する周辺配線との間に接続されたスイッチ素子と、を含み、
前記複数の駆動電極と前記複数の検出電極とによりミューチュアル検出方式で検出を行い、
前記複数のスイッチ素子がオフ状態の時に、検出する検出配線に接続された周辺配線に、所定の電圧を印加した状態で、前記複数の駆動電極の電圧を変化させ、その後に、前記スイッチ素子をオフ状態からオン状態へ切り換える。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】図１は、実施形態に係る表示装置の外観を概念的に示す平面図である。

【図2】図２は、画素ＰＸの基本構成及び表示パネルの等価回路を示す図である。

【図3】図３は、図１のＡ－Ａ線に沿う表示装置の断面図を概念的に示す図である。

【図4】図４は、センサパネルのタッチ検出ノードを説明する図である。

【図5】図５は、タッチ位置検出回路の構成例を示す図である。

【図6】図６は、検出回路の構成を説明する回路図である。

【図7】図７は、比較例に係るタッチ位置検出回路の構成例を示す図である。

【図8】図８は、比較例に係るタッチ位置検出時における駆動方法を説明する波形図である。

【図9】図９は、実施形態に係るタッチ位置検出時における駆動方法を説明する波形図である。

【図10】図１０は、センサパネルの構成例１を説明する図である。

【図11】図１１は、センサパネルの構成例２を説明する図である。

【図12】図１２は、実施形態に係るタッチ検出と指紋検出とが可能なセンサパネルの構成例を示す図である。

【図13】図１３は、図１２の領域Ａの構成例を示す回路図である。

【図14】図１４は、図１２の領域Ｂの構成例を示す回路図である。

【図15】図１５は、図１２のセンサパネルの動作を説明する波形図である。

【図16】図１６は、図１５のタッチ検出モードを詳細に示す波形図である。

【発明を実施するための形態】

【0012】

以下に、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。

【0013】

なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。

【0014】

また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。

【0015】

本実施形態においては、表示装置の一例として、液晶表示装置を開示する。この液晶表示装置は、例えば、スマートフォン、タブレット端末、携帯電話端末、パーソナルコンピュータ、テレビ受像装置、車載装置、ゲーム機器等の種々の装置に用いることができる。

【0016】

なお、本明細書及び特許請求の範囲において、図面を説明する際の「上」、「下」などの表現は、着目する構造体と他の構造体との相対的な位置関係を表現している。具体的には、側面から見た場合において、第１基板（アレイ基板）から第２基板（対向基板）に向かう方向を「上」と定義し、その逆の方向を「下」と定義する。

【0017】

また、「内側」及び「外側」とは、２つの部位における、表示領域を基準とした相対的な位置関係を示す。すなわち、「内側」とは、一方の部位に対し相対的に表示領域に近い側を指し、「外側」とは、一方の部位に対し相対的に表示領域から遠い側を指す。ただし、ここで言う「内側」及び「外側」の定義は、液晶表示装置を折り曲げていない状態におけるものとする。

【0018】

「表示装置」とは、表示パネルを用いて映像を表示する表示装置全般を指す。「表示パネル」とは、電気光学層を用いて映像を表示する構造体を指す。例えば、表示パネルという用語は、電気光学層を含む表示セルを指す場合もあるし、表示セルに対して他の光学部材（例えば、偏光部材、バックライト、タッチパネル等）を装着した構造体を指す場合もある。ここで、「電気光学層」には、技術的な矛盾を生じない限り、液晶層、エレクトロクロミック（ＥＣ）層、マイクロＬＥＤなどが含まれ得る。したがって、後述する実施形態について、表示パネルとして、液晶層を含む液晶パネルを例示して説明するが、上述した他の電気光学層を含む表示パネルへの適用を排除するものではない。

【0019】

（実施の形態）
（表示装置の全体構成例）
図１は、実施形態に係る表示装置の外観を概念的に示す平面図である。表示装置ＤＳＰは、カバーガラスＣＧと、表示パネルＰＮＬと、センサパネルＳＰＮＬと、フレキシブルプリント回路基板ＦＰＣ１と、表示駆動ＩＣチップＤＤＩＣと、フレキシブルプリント回路基板ＦＰＣ２と、センサＩＣチップＳＩＣと、を備えている。センサパネルＳＰＮＬは、タッチパネルと言い換えることも可能である。

【0020】

表示パネルＰＮＬは、第１基板（アレイ基板ともいう）ＳＵＢ１と、第２基板（対向基板ともいう）ＳＵＢ２と、後述する液晶層ＬＣと、後述するシール材ＳＥと、を備えている。第２基板ＳＵＢ２は、第１基板ＳＵＢ１に対向している。第１基板ＳＵＢ１は、第２基板ＳＵＢ２よりも第２方向Ｙに延出した実装部ＭＡ１を有している。後述する図３で説明するシール材ＳＥは、非表示部ＮＤＡに位置し、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とを接着するとともに、液晶層ＬＣを封止している。第１基板ＳＵＢ１の下側には、下偏光板やバックライト装置が設けられてもよい。

【0021】

フレキシブルプリント回路基板ＦＰＣ１の一端は実装部ＭＡ１に接続され、フレキシブルプリント回路基板ＦＰＣ１の他端は、図示されないが、ホスト装置が搭載されるプリント回路基板に接続されている。表示駆動ＩＣチップＤＤＩＣは、この例では、実装部ＭＡ１に実装されている。表示駆動ＩＣチップＤＤＩＣは、フレキシブルプリント回路基板ＦＰＣ１に実装されてもよい。表示駆動ＩＣチップＤＤＩＣは、画像を表示する表示モードにおいて画像表示に必要な信号を表示パネルＰＮＬへ出力する。

【0022】

フレキシブルプリント回路基板ＦＰＣ２の一端は、センサパネルＳＰＮＬの実装部ＭＡ２に接続されている。センサＩＣチップＳＩＣは、この例では、フレキシブルプリント回路基板ＦＰＣ２に実装されている。センサＩＣチップＳＩＣは、センサモードにおいて、検出に必要な駆動信号をセンサパネルＳＰＮＬへ出力するとともに、検出信号をセンサパネルＳＰＮＬから受信する。

【0023】

表示パネルＰＮＬは、画像を表示する表示部（表示領域）ＤＡと、表示部ＤＡを囲む額縁状の非表示部（非表示領域、周辺領域）ＮＤＡと、を備えている。表示部ＤＡは、第１方向Ｘ及び第１方向Ｘと交差する第２方向Ｙ（または、第１方向Ｘと異なる第２方向Ｙ）にマトリクス状に配置された複数の画素ＰＸを備えている。

【0024】

センサパネルＳＰＮＬは、画像を表示する表示部ＤＡに重畳する様ように設けられたセンサ活性領域（検出領域、活性領域、以下、活性領域という）ＡＡと、活性領域ＡＡを囲む額縁状の非活性領域ＮＡＡ（非検出領域）と、を備えている。活性領域ＡＡは、第１方向Ｘに延在し、第２方向Ｙに配置された複数の検出電極Ｒｘと、第２方向Ｙに延在し、第１方向Ｘに配置された複数の駆動電極Ｔｘと、を備えている。

【0025】

カバーガラスＣＧは、表示パネルＰＮＬおよびセンサパネルＳＰＮＬを覆う様に、設けられている。カバーガラスＣＧは、一例では、透明なガラス部材などにより構成することができる。

【0026】

本実施形態の表示パネルＰＮＬは、第１基板ＳＵＢ１の背面側からの光を選択的に透過させることで画像を表示する透過表示機能を備えた透過型、第２基板ＳＵＢ２の前面側からの光を選択的に反射させることで画像を表示する反射表示機能を備えた反射型、あるいは、透過表示機能及び反射表示機能を備えた半透過型のいずれであってもよい。

【0027】

表示パネルＰＮＬは、基板主面の法線に沿った縦電界を利用する表示モード、基板主面に対して斜め方向に傾斜した傾斜電界を利用する表示モード、さらには、上記の横電界、縦電界、及び、傾斜電界を適宜組み合わせて利用する表示モードに対応したいずれの構成を備えていてもよい。

【0028】

（表示装置の回路構成例）
図２は、画素ＰＸの基本構成及び表示パネルの等価回路を示す図である。複数の画素ＰＸは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにマトリクス状に配置されている。複数本の走査線Ｇ（Ｇ１、Ｇ２・・・）は、走査線駆動回路ＧＤに電気的に接続されている。複数本の信号線Ｓ（Ｓ１、Ｓ２・・・）は、信号線駆動回路ＳＤに電気的に接続されている。複数本の共通電極ＣＥ（ＣＥ１、ＣＥ２・・・）は、コモン電圧（Ｖｃｏｍ）の電圧供給部ＣＤに電気的に接続され、複数の画素ＰＸに亘って配置されている。１つの画素ＰＸは、１本の走査線と、１本の信号線と、１本の共通電極ＣＥと、に電気的に接続されている。なお、走査線Ｇ及び信号線Ｓは、必ずしも直線的に延出していなくてもよく、それらの一部が屈曲していてもよい。例えば、信号線Ｓは、その一部が屈曲していたとしても、全体的に第２方向Ｙに延出しているものとする。

【0029】

各画素ＰＸは、スイッチング素子ＳＷ、画素電極ＰＥ、共通電極ＣＥ、液晶層ＬＣ等を備えている。スイッチング素子ＳＷは、例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）によって構成され、走査線Ｇ及び信号線Ｓと電気的に接続されている。走査線Ｇは、第１方向Ｘに並んだ画素ＰＸの各々におけるスイッチング素子ＳＷと電気的に接続されている。信号線Ｓは、第２方向Ｙに並んだ画素ＰＸの各々におけるスイッチング素子ＳＷと電気的に接続されている。画素電極ＰＥは、スイッチング素子ＳＷと電気的に接続されている。画素電極ＰＥの各々は、共通電極ＣＥと対向し、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に生じる電界によって液晶層ＬＣを駆動している。保持容量ＣＳＳは、例えば、共通電極ＣＥと同電位の電極、及び、画素電極ＰＥと同電位の電極の間に形成される。

【0030】

（表示装置の断面構成例）
図３は、図１のＡ－Ａ線に沿う表示装置の断面図を概念的に示す図である。第１基板ＳＵＢ１の下には下偏光板２００が貼り付けられ、第２基板ＳＵＢ２の上側には上偏光板２０１が貼り付けられている。シール材ＳＥは、非表示部ＮＤＡに位置し、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とを接着するとともに、液晶層ＬＣを封止している。第１基板ＳＵＢ１、第２基板ＳＵＢ２、下偏光板２００、上偏光板２０１、シール材ＳＥおよび液晶層ＬＣの組み合わせを、表示パネルＰＮＬと呼ぶ。表示パネルＰＮＬは自身では発光しないので、表示パネルＰＮＬの背面側である下偏光板２００の下に、バックライト２０２が配置されている。尚、自発光画素を用いる表示パネルではバックライト２０２は不要とされる。

【0031】

上偏光板２０１の上には、センサ基板ＳＳＵＢの裏面が接着層２０３によって貼り付けられている。センサ基板ＳＳＵＢの上には、第１金属配線層２０４によって構成された駆動電極Ｔｘが設けられ、駆動電極Ｔｘを覆う様に、第１絶縁膜２０５が設けられる。第１絶縁膜２０５の上には、第２金属配線層２０６によって構成された複数の検出電極Ｒｘが設けられ、複数の検出電極Ｒｘを覆う様に、第２絶縁膜２０７が設けられる。第２絶縁膜２０７の上には、カバーガラスＣＧが接着層２０８によって貼り付けられている。センサ基板ＳＳＵＢ、駆動電極Ｔｘ、第１絶縁膜２０５、検出電極Ｒｘおよび第２絶縁膜２０７の組み合わせを、センサパネルＳＰＮＬと呼ぶ。

【0032】

第１金属配線層２０４および第２金属配線層２０６は、たとえば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）やインジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）等の透明な導電材料によって構成することができる。第１絶縁膜２０５および第２絶縁膜２０７は、たとえば、アクリル樹脂などの有機絶縁材料によって形成された有機絶縁膜によって構成することができる。なお、第２絶縁膜２０７は、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸窒化物などの無機絶縁材料によって形成された無機絶縁膜によって構成することができる。

【0033】

次に、センサパネルＳＰＮＬの構成例を説明する。

【0034】

（タッチ検出ノードの構成例）
図４は、センサパネルのタッチ検出ノードを説明する図である。この例では、センサパネルＳＰＮＬおよび活性領域ＡＡが矩形形状の場合を代表例として説明する。図４に示す様に、センサパネルＳＰＮＬは、平面視において、矩形形状の活性領域ＡＡを有しており、活性領域ＡＡの内部には、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙにマトリックス状に設けられた複数のタッチ検出ノード（領域）ＴＮが仮想的に設けられているものとする。図４では、一例として、９個のタッチ検出ノード（領域）ＴＮ１～ＴＮ９が設けられた状態を示している。タッチ検出ノード（領域）ＴＮ１～ＴＮ９のおのおのは、この例では、矩形形状とされている。

【0035】

実際のセンサパネルＳＰＮＬでは、タッチ検出ノード（領域）は９個以上の数で構成されている。また、実際のセンサパネルＳＰＮＬでは、活性領域ＡＡの４つの角部が、円弧状にラウンドしている構成のセンサパネルＳＰＮＬも存在している。この場合には、４つ角部に位置するタッチ検出ノードは、活性領域ＡＡの円弧状にラウンドした各角部の形状に対応する様に、円弧状にラウンドした形状になる。本開示は、この様な４つの角部が円弧状にラウンドした活性領域ＡＡを有するセンサパネルＳＰＮＬにも適用可能である。

【0036】

（タッチ位置検出回路の構成例）
図５は、タッチ位置検出回路の構成例を示す図である。図５は、図４に示すタッチ検出ノードＴＮ１～ＴＮ９に、複数の駆動電極Ｔｘと複数の検出電極Ｒｘとを設けた場合が示されている。なお、図面の複雑さを避けるため、図４で示したタッチ検出ノードＴＮ１～ＴＮ９の参照番号は、図５には記載されていないが、図４で示したタッチ検出ノードＴＮ１～ＴＮ９の参照番号を用いて説明する。

【0037】

タッチ検出ノードＴＮ１、ＴＮ２、ＴＮ３には、Ｌ個（本）の検出電極が第１方向Ｘに延在して設けられている。一例では、３本の検出電極Ｒｘ１ａ、Ｒｘ１ｂ、Ｒｘ１ｃが設けられる。３本の検出電極Ｒｘ１ａ、Ｒｘ１ｂ、Ｒｘ１ｃは、活性領域ＡＡの外部（外側）に設けられた３つのスイッチ素子ＴＲＳＷによって束ねられて、活性領域ＡＡの外部（外側）に設けられた引出し配線（周辺配線）Ｒ１に電気的に接続される。つまり、タッチ位置検出時において、３本の検出電極Ｒｘ１ａ、Ｒｘ１ｂ、Ｒｘ１ｃは、オン状態の３つのスイッチ素子ＴＲＳＷによって束ねられ、１つの検出電極Ｒｘ１として機能することになる。

【0038】

タッチ検出ノードＴＮ４、ＴＮ５、ＴＮ６には、Ｌ個（本）の検出電極が第１方向Ｘに延在して設けられている。一例では、３本の検出電極Ｒｘ２ａ、Ｒｘ２ｂ、Ｒｘ２ｃが設けられる。検出電極Ｒｘ２ａ、Ｒｘ２ｂ、Ｒｘ２ｃは、活性領域ＡＡの外部に設けられた３つのスイッチ素子ＴＲＳＷによって束ねられて、活性領域ＡＡの外部（外側）に設けられた引出し配線Ｒ２に電気的に接続される。つまり、タッチ位置検出時において、３本の検出電極Ｒｘ２ａ、Ｒｘ２ｂ、Ｒｘ２ｃは、オン状態の３つのスイッチ素子ＴＲＳＷによって束ねられ、１つの検出電極Ｒｘ２として機能することになる。

【0039】

タッチ検出ノードＴＮ７、ＴＮ８、ＴＮ９には、Ｌ個（本）の検出電極が第１方向Ｘに延在して設けられている。一例では、３本の検出電極Ｒｘ３ａ、Ｒｘ３ｂ、Ｒｘ３ｃが設けられる。検出電極Ｒｘ３ａ、Ｒｘ３ｂ、Ｒｘ３ｃは、活性領域ＡＡの外部に設けられた３つのスイッチ素子ＴＲＳＷによって束ねられて、活性領域ＡＡの外部（外側）に設けられた引出し配線Ｒ３に電気的に接続される。つまり、タッチ位置検出時において、３本の検出電極Ｒｘ３ａ、Ｒｘ３ｂ、Ｒｘ３ｃは、オン状態の３つのスイッチ素子ＴＲＳＷによって束ねられ、１つの検出電極Ｒｘ３として機能することになる。

【0040】

タッチ検出ノードＴＮ１、ＴＮ４、ＴＮ７には、Ｎ個（本）の駆動電極が第２方向Ｙに延在して設けられている。一例では、９本の駆動電極Ｔｘ１ａ～Ｔｘ１ｉが設けられる。駆動電極Ｔｘ１ａ～Ｔｘ１ｉは、活性領域ＡＡの外部（外側）に設けられた９つのスイッチ素子ＴＴＳＷによって束ねられて、１つの駆動電極Ｔｘ１とされる。つまり、タッチ位置検出時において、９本の駆動電極Ｔｘ１ａ～Ｔｘ１ｉは、オン状態の９つのスイッチ素子ＴＴＳＷによって束ねられ、１つの駆動電極Ｔｘ１として機能することになる。

【0041】

タッチ検出ノードＴＮ２、ＴＮ５、ＴＮ８には、Ｎ個（本）の駆動電極が第２方向Ｙに延在して設けられている。一例では、９本の駆動電極Ｔｘ２ａ～Ｔｘ２ｉが設けられる。駆動電極Ｔｘ２ａ～Ｔｘ２ｉは、活性領域ＡＡの外部（外側）に設けられた９つのスイッチＴＴＳＷによって束ねられて、１つの駆動電極Ｔｘ２とされる。つまり、タッチ位置検出時において、９本の駆動電極Ｔｘ２ａ～Ｔｘ２ｉは、オン状態の９つのスイッチ素子ＴＴＳＷによって束ねられ、１つの駆動電極Ｔｘ２として機能することになる。

【0042】

タッチ検出ノードＴＮ３、ＴＮ６、ＴＮ９には、Ｎ個（本）の駆動電極が第２方向Ｙに延在して設けられている。一例では、９本の駆動電極Ｔｘ３ａ～Ｔｘ３ｉが設けられる。駆動電極Ｔｘ３ａ～Ｔｘ３ｉは、活性領域ＡＡの外部（外側）に設けられた９つのスイッチＴＴＳＷによって束ねられて、駆動電極Ｔｘ３とされる。つまり、タッチ位置検出時において、９本の駆動電極Ｔｘ３ａ～Ｔｘ３ｉは、オン状態の９つのスイッチ素子ＴＴＳＷによって束ねられ、１つの駆動電極Ｔｘ３として機能することになる。

【0043】

駆動電極Ｔｘ１～Ｔｘ３は、センサＩＣチップＳＩＣのタッチ位置検出用の駆動回路ＴＰＳＴｘＤｒに電気的に接続される。また、引出し配線Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は、タッチ位置検出用の検出回路ＴＰＳＤＴに電気的に接続される。

【0044】

スイッチ素子ＴＲＳＷ、ＴＴＳＷは、センサＩＣチップＳＩＣから出力されるスイッチ信号Ｓ１１、Ｓ１２によって、オン状態およびオフ状態が制御される。スイッチ素子ＴＲＳＷ、ＴＴＳＷは、たとえは、タッチ位置検出時において、スイッチ信号Ｓ１１、Ｓ１２のハイレベルによってオン状態とされ、タッチ位置検出時以外において、スイッチ信号Ｓ１１、Ｓ１２のロウレベルによってオフ状態とされる。スイッチ素子ＴＲＳＷ、ＴＴＳＷのおのおのは、たとえば、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）により構成することができる。スイッチ信号Ｓ１１は、後述する様に、タッチ位置検出時において、ハイレベルとロウレベルとに変化する様に、センサＩＣチップＳＩＣによりその電位レベルが制御されることになる。

【0045】

次に、タッチ位置検出時における動作を説明する。ここでは、タッチ位置検出の方式としてミューチュアル検出方式を例として説明するが、セルフ（Ｓｅｌｆ）検出方式を利用することも可能である。

【0046】

駆動電極Ｔｘ１～Ｔｘ３と検出電極Ｒｘ１～Ｒｘ３は、図３に示す様に、第１絶縁膜２０５の膜厚による所定の間隔を置いて配置される。このため、駆動電極Ｔｘ１～Ｔｘ３と検出電極Ｒｘ１～Ｒｘ３との間には、基本的に相互容量（静電容量）が存在する。

【0047】

ミューチャル検出方式では、駆動回路ＴＰＳＴｘＤｒによって、駆動電極Ｔｘ１～Ｔｘ３が所定の周期で駆動パルスＳｉｇ１により走査される。今、ユーザの指が検出電極Ｒｘ２と駆動電極Ｔｘ２の交差部（タッチ検出ノードＴＮ５に対応する）に近接して存在するものとする。この時、駆動電極Ｔｘ２に駆動パルスＳｉｇ１が供給されると検出電極Ｒｘ２にはパルス状の波形が得られ、検出電極Ｒｘ２からは、他の検出電極Ｒｘ１，Ｒｘ３から得られる検出パルスよりも振幅レベルの低い検出パルスが得られる。検出電極Ｒｘ１，Ｒｘ２，Ｒｘ３は駆動電極Ｔｘ１，Ｔｘ２、Ｔｘ３からのフリンジ電界を監視しており、指のような導電物が近接すると、このフリンジ電界を遮蔽する効果がある。フリンジ電界が遮蔽されることで、検出電極Ｒｘの検出電位が低下する。駆動パルスＳｉｇ１による電極駆動タイミングと検出パルスの出力タイミングとにより、センサパネルＳＰＮＬの活性領域ＡＡの平面上における指の２次元上の位置を検出することができる。

【0048】

ここで、タッチ検出ノードＴＮ１～ＴＮ９のおのおのにおける相互容量（静電容量）について説明する。図５に示す様に、タッチ検出ノードＴＮ１～ＴＮ９のおのおのにおいて、３本の検出電極（Ｒｘｎａ、Ｒｘｎｂ、Ｒｘｎｃ：ｎ＝１、２、３）と９本の駆動電極（Ｔｘｎａ～Ｔｘｎｉ：ｎ＝１、２、３）が交差している。３本の検出電極（Ｒｘｎａ、Ｒｘｎｂ、Ｒｘｎｃ：ｎ＝１、２、３）と９本の駆動電極（Ｔｘｎａ～Ｔｘｎｉ：ｎ＝１、２、３）との交差部の面積が相互容量の容量値を主に規定していることになる。したがって、図５に示すタッチ検出ノードＴＮ１～ＴＮ９のおのおのは、実質的に、同一の相互容量の容量値を有するものと見做すことができる。

【0049】

（検出回路ＴＰＳＤＴの構成例）
図６は、検出回路ＴＰＳＤＴの構成を説明する回路図である。図６には、検出回路ＴＰＳＤＴに含まれる複数の制御回路ＡＦＥの内の１つの制御回路ＡＦＥの構成例が示されている。複数の制御回路ＡＦＥは、複数の引出し配線Ｒｎ（ｎ＝１、２、３・・）のおのおのに接続されている。制御回路ＡＦＥは、引出し配線Ｒｎ（ｎ＝１、２、３・・）が電気的に接続される入力端子ＩＮと、増幅回路ＡＭＰと、容量素子Ｃと、リセットスイッチ素子ＲＳＷと、により構成される。制御回路ＡＦＥの出力信号ＡＦＥＯＵＴはアナログデジタル変換回路ＡＤＣへ供給される。

【0050】

入力端子ＩＮは、増幅回路ＡＭＰの反転入力端子（－）に電気的に接続され、増幅回路ＡＭＰの非反転入力端子（＋）には、所定の電圧とされた基準電圧Ｖｒｅｆが印加されるように構成されている。容量素子Ｃとリセットスイッチ素子ＲＳＷのおのおのは、増幅回路ＡＭＰの反転入力端子（－）と増幅回路ＡＭＰの第１出力端子との間に電気的に接続される。増幅回路ＡＭＰの第１出力端子と第２出力端子とは、アナログデジタル変換回路ＡＤＣの一対の入力端子に電気的に接続される。

【0051】

リセットスイッチ素子ＲＳＷがオフ状態とさている時、入力端子ＩＮから入力されたアナログ検出信号は、増幅回路ＡＭＰと容量素子Ｃとにより積分される。積分された出力信号ＡＦＥＯＵＴはアナログデジタル変換回路ＡＤＣに入力されてサンプリングされて、デジタル信号へ変換され、変換されたデジタル信号ＤＯＵＴがアナログデジタル変換回路ＡＤＣから出力される。リセットスイッチ素子ＲＳＷがオン状態とさている時、入力端子ＩＮと第１出力端子および第２出力端子は基準電圧Ｖｒｅｆに設定される。

【0052】

（比較例）
図７は、比較例に係るタッチ位置検出回路の構成例を示す図である。図７が図５と異なる点は、図７において、スイッチ素子ＴＲＳＷが３本の検出電極（Ｒｘｎａ、Ｒｘｎｂ、Ｒｘｎｃ：ｎ＝１、２、３）と引出し配線Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３との間に設けられていない点と、スイッチ素子ＴＲＳＷｒが引出し配線Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３と検出回路ＴＰＳＤＴ内の各制御回路ＡＦＥの入力端子との間に設けられている点である。図7の他の構成は、図５と同じであるので、繰り返しの説明は省略する。図７の検出回路ＴＰＳＤＴには、図６の制御回路ＡＦＥが設けられている。

【0053】

図７において、複数の駆動配線Ｔｘ１，Ｔｘ２，Ｔｘ３の内の、最外端の駆動電極Ｔｘ１と複数の引出し配線Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３との間にフリンジ電界が形成される場合がある。このフリンジ電界が、指などの導体物によって遮蔽されると、タッチノイズとなり、タッチ誤検出が発生することが分かった。

【0054】

（比較例に係るタッチ位置検出時における駆動方法）
図８は、比較例に係るタッチ位置検出時における駆動方法を説明する波形図である。なお、図８において、スイッチ素子ＴＴＳＷは、タッチ位置検出時に、常時、オン状態を維持するものとして説明する。

【0055】

時刻ｔ１前において、スイッチ素子ＴＲＳＷｒはオフ状態とされ、リセットスイッチ素子ＲＳＷはオン状態とさており、制御回路ＡＦＥの入力端子ＩＮの電位がリセット電位である基準電圧Ｖｒｅｆに設定される。

【0056】

時刻ｔ１ｒにおいて、リセットスイッチ素子ＲＳＷがオン状態からオフ状態へ変化し、リセット状態が解除される。また、スイッチ素子ＴＲＳＷｒがオフ状態からオン状態とされる。

【0057】

時刻ｔ２ｒにおいて、駆動配線Ｔｘｎがロウレベルからハイレベルへ駆動される。これにより、検出電極Ｒｘｎ（Ｒｘ１、Ｒｘ２，Ｒｘ３）の電位変化が、引出し配線Ｒｎ（Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３）を介して、制御回路ＡＦＥの入力端子ＩＮへ供給されるようになっている。

【0058】

時刻ｔ３ｒにおいて、スイッチ素子ＴＲＳＷｒがオン状態からオフ状態とされ、リセットスイッチ素子ＲＳＷがオフ状態からオン状態へ変化し、制御回路ＡＦＥの入力端子ＩＮの電位がリセット電位である基準電圧Ｖｒｅｆに設定される。

【0059】

時刻ｔ４ｒにおいて、リセットスイッチ素子ＲＳＷがオン状態からオフ状態へ変化し、リセット状態が解除される。また、スイッチ素子ＴＲＳＷｒがオフ状態からオン状態とされる。

【0060】

時刻ｔ５ｒにおいて、駆動配線Ｔｘｎがハイレベルからロウレベルへ駆動される。これにより、検出電極Ｒｘｎの電位変化が、引出し配線Ｒｎを介して、制御回路ＡＦＥの入力端子ＩＮへ供給されるようになっている。

【0061】

そして、時刻ｔ６ｒにおいて、時刻ｔ３ｒと同様に、スイッチ素子ＴＲＳＷｒがオン状態からオフ状態とされ、リセットスイッチ素子ＲＳＷがオフ状態からオン状態へ変化し、制御回路ＡＦＥの入力端子ＩＮの電位がリセット電位である基準電圧Ｖｒｅｆに設定される。

【0062】

時刻ｔ７ｒ、ｔ８ｒ、ｔ９ｒの動作は、時刻ｔ１ｒ、ｔ２ｒ、ｔ３ｒと同様な動作であるので繰り返しの説明は省略する。

【0063】

つまり、リセットスイッチ素子ＲＳＷがオフ状態で、スイッチ素子ＴＲＳＷｒがオン状態のとき、最外端の駆動電極Ｔｘ１が変化すると、その影響が引出し配線Ｒｎに現れて、タッチ誤検出が発生することになる。

【0064】

（実施形態に係るタッチ位置検出時における駆動方法）
図９は、実施形態に係るタッチ位置検出時における駆動方法を説明する波形図である。なお、図８と同様に、スイッチ素子ＴＴＳＷは、タッチ位置検出時に、常時、オン状態を維持するものとして説明する。

【0065】

時刻ｔ１において、駆動配線Ｔｘｎがロウレベルからハイレベルへ駆動される。リセットスイッチ素子ＲＳＷはオン状態であり、スイッチ素子ＴＲＳＷはオフ状態である。リセットスイッチ素子ＲＳＷのオン状態によって、引出し配線Ｒｎ（Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３）および各制御回路ＡＦＥの入力端子ＩＮの電位はリセット電位である基準電圧Ｖｒｅｆに設定されている。スイッチ素子ＴＲＳＷがオフ状態のときは、検出電極Ｒｘｎ（Ｒｘ１、Ｒｘ２，Ｒｘ３）はフローティングあるいは高抵抗にてバイアス電圧が印加されている。このため、スイッチ素子ＴＲＳＷはオフ状態のときに駆動配線Ｔｘｎがロウレベルからハイレベルへ駆動されると、駆動配線Ｔｘｎと検出電極Ｒｘｎとの間のフリンジ電界により、検出電極Ｒｘｎもロウレベルからハイレベルに変化する。

【0066】

時刻ｔ２において、リセットスイッチ素子ＲＳＷはオン状態からオフ状態へ変化する。スイッチ素子ＴＲＳＷはオフ状態である。

【0067】

時刻ｔ３において、スイッチ素子ＴＲＳＷはオフ状態からオン状態へ変化し、制御回路ＡＦＥの積分期間が開始される。これにより、検出電極Ｒｘｎ（Ｒｘ１、Ｒｘ２，Ｒｘ３）の電位変化が、引出し配線Ｒｎを介して、各制御回路ＡＦＥの入力端子ＩＮへ供給される。制御回路ＡＦＥから出力信号ＡＦＥＯＵＴが出力される。

【0068】

時刻ｔ４において、アナログデジタル変換回路ＡＤＣは出力信号ＡＦＥＯＵＴをサンプリングし、サンプリングされた出力信号ＡＦＥＯＵＴのアナログ電位はデジタル信号へ変換されることになる。

【0069】

時刻ｔ５において、リセットスイッチ素子ＲＳＷはオフ状態からオン状態へ変化する。これにより、各制御回路ＡＦＥの入力端子ＩＮと出力端子および引出し配線Ｒｎはリセット電位である基準電圧Ｖｒｅｆにされる。なお、時刻ｔ３から時刻ｔ５の間は、制御回路ＡＦＥの積分期間に対応している。

【0070】

時刻ｔ６において、スイッチ素子ＴＲＳＷはオン状態からオフ状態へ変化する。このとき、引出し配線Ｒｎ（Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３）はリセット電位である基準電圧Ｖｒｅｆが維持されている。

【0071】

時刻ｔ７において、駆動配線Ｔｘｎがハイレベルからロウレベルへ駆動される。このときは、スイッチ素子ＴＲＳＷはオフであるため、検出電極Ｒｘｎ（Ｒｘ１、Ｒｘ２，Ｒｘ３）もハイレベルからロウレベルへ変化する。

【0072】

時刻ｔ８において、リセットスイッチ素子ＲＳＷはオン状態からオフ状態へ変化する。

【0073】

時刻ｔ９において、時刻ｔ３と同様に、スイッチ素子ＴＲＳＷはオフ状態からオン状態へ変化し、制御回路ＡＦＥの積分期間が開始される。これにより、時刻ｔ７において変化していた検出電極Ｒｘｎ（Ｒｘ１、Ｒｘ２，Ｒｘ３）の電位が、引出し配線Ｒｎを介して、各制御回路ＡＦＥの入力端子ＩＮへ供給される。制御回路ＡＦＥから出力信号ＡＦＥＯＵＴが出力される。

【0074】

時刻ｔ１０において、アナログデジタル変換回路ＡＤＣは出力信号ＡＦＥＯＵＴをサンプリングし、サンプリングされた出力信号ＡＦＥＯＵＴのアナログ電位はデジタル信号へ変換されることになる。

【0075】

時刻ｔ１１において、リセットスイッチ素子ＲＳＷはオフ状態からオン状態へ変化する。これにより、各制御回路ＡＦＥの入力端子ＩＮと出力端子および引出し配線Ｒｎはリセット電位である基準電圧Ｖｒｅｆにされる。

【0076】

時刻ｔ１２において、スイッチ素子ＴＲＳＷはオン状態からオフ状態へ変化する。このとき、引出し配線Ｒｎ（Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３）はリセット電位である基準電圧Ｖｒｅｆが維持される。また、駆動配線Ｔｘｎがロウレベルからハイレベルへ駆動される。

【0077】

時刻ｔ１２と時刻ｔ１３の間において、駆動配線Ｔｘｎがロウレベルからハイレベルに変化すると、駆動配線Ｔｘｎと出電極Ｒｘｎとの間のフリンジ電界により、検出電極Ｒｘｎもロウレベルからハイレベルに変化する。

【0078】

時刻ｔ１３において、リセットスイッチ素子ＲＳＷはオン状態からオフ状態へ変化する。

【0079】

時刻ｔ１４において、スイッチ素子ＴＲＳＷはオフ状態からオン状態へ変化し、制御回路ＡＦＥの積分期間が開始される。これにより、時刻ｔ１２と時刻ｔ１３の間において、駆動配線Ｔｘｎの変化に伴ってロウレベルからハイレベルに変化していた検出電極Ｒｘｎ（Ｒｘ１、Ｒｘ２，Ｒｘ３）の電位が、引出し配線Ｒｎを介して、各制御回路ＡＦＥの入力端子ＩＮへ供給される。制御回路ＡＦＥから出力信号ＡＦＥＯＵＴが出力される。

【0080】

時刻１５において、アナログデジタル変換回路ＡＤＣは出力信号ＡＦＥＯＵＴをサンプリングし、サンプリングされた出力信号ＡＦＥＯＵＴのアナログ電位はデジタル信号へ変換されることになる。

【0081】

時刻ｔ１６において、リセットスイッチ素子ＲＳＷはオフ状態からオン状態へ変化する。これにより、各制御回路ＡＦＥの入力端子ＩＮと出力端子および周辺配線Ｒｎはリセット電位である基準電圧Ｖｒｅｆにされる。

【0082】

時刻ｔ１７において、スイッチ素子ＴＲＳＷはオン状態からオフ状態へ変化し、引出し配線Ｒｎ（Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３）はリセット電位である基準電圧Ｖｒｅｆに設定される。また、駆動配線Ｔｘｎがハイレベルからロウレベルへ駆動される。

【0083】

つまり、図９の駆動方法は、以下の特徴を有している。

【0084】

１）制御回路ＡＦＥの積分期間に入る前まで、スイッチ素子ＴＲＳＷはオフ状態にされ、引出し配線Ｒｎ（Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３）がリセット電位である基準電圧Ｖｒｅｆに設定される。

【0085】

２）駆動配線Ｔｘｎの駆動後に、リセットスイッチ素子ＲＳＷはオン状態からオフ状態へ変化させ、その後、リセットスイッチ素子ＲＳＷはオフ状態からオン状態へ変化させる。

【0086】

これにより、活性領域ＡＡ内に配置された検出電極Ｒｘｎと非活性領域ＮＡＡに配置された引出し配線Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３とを接続する複数のスイッチ素子ＴＲＳＷを活性領域ＡＡの近傍に配置し、その複数のスイッチ素子ＴＲＳＷがオフ状態かつ、引出し配線Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３がリセット電位（ＶＲｅｆ）に固定されている状態で、駆動配線Ｔｘｎをトグルする。これにより、最外周の駆動配線Ｔｘ１と引出し配線Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３とのカップリングの影響をなくすことができる。これにより、タッチ検出精度を向上することができる。

【0087】

（センサパネルＳＰＮＬの構成例）
次に、図１０および図１１を用いて、センサパネルＳＰＮＬの構成例を説明する。なお、図１０および図１１において、図面の簡素化の為、３本の検出電極Ｒｘ１ａ、Ｒｘ１ｂ、Ｒｘ１ｃは検出電極Ｒｘ１、検出電極Ｒｘ２ａ、Ｒｘ２ｂ、Ｒｘ２ｃは検出電極Ｒｘ２、３本の検出電極Ｒｘ３ａ、Ｒｘ３ｂ、Ｒｘ３ｃは検出電極Ｒｘ３と示して説明する。同様に、９本の駆動電極Ｔｘ１ａ～Ｔｘ１ｉは駆動電極Ｔｘ１、９本の駆動電極Ｔｘ２ａ～Ｔｘ２ｉは駆動電極Ｔｘ２、９本の駆動電極Ｔｘ３ａ～Ｔｘ３ｉは駆動電極Ｔｘ３と示して説明する。引出し配線（周辺配線）Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は、Ｒ１、Ｒ２～Ｒｎと示して説明する。また、スイッチ素子ＴＲＳＷ、ＴＴＳＷも、同様に、簡素化して示して説明する。

【0088】

（センサパネルＳＰＮＬの構成例１）
図１０は、センサパネルの構成例１を説明する図である。図１０に示す様に、センサパネルＳＰＮＬは、センサ基板ＳＳＵＢを有し、センサ基板ＳＳＵＢには、活性領域ＡＡと実装部ＭＡ２とが設けられている。検出電極Ｒｘ１～Ｒｘｎ、および、駆動電極Ｔｘ１～Ｔｘｎは、センサパネルＳＰＮＬの活性領域ＡＡに配置されている。検出電極Ｒｘ１～Ｒｘｎは、第１方向Ｘに延在し、第１方向Ｘと異なる第２方向Ｙに配列されている。駆動電極Ｔｘ１～Ｔｘｎは、第２方向Ｙに延在し、第１方向Ｘに配列されている。引出し配線Ｒ１、Ｒ２～Ｒｎは、センサパネルＳＰＮＬの活性領域ＡＡの外側の周辺領域に配置されている。引出し配線Ｒ１、Ｒ２～Ｒｎは、第２方向Ｙに延在し、第１方向Ｘに配列されている。

【0089】

引出し配線Ｒ１、Ｒ２～Ｒｎと検出電極Ｒｘ１～Ｒｘｎとの間に、複数のスイッチ素子ＴＲＳＷが配置されている。複数のスイッチ素子ＴＲＳＷは、引出し配線Ｒ１、Ｒ２～Ｒｎと検出電極Ｒｘ１～Ｒｘｎとの間において、第２方向Ｙに配列されている。スイッチ素子ＴＲＳＷは、一例では、活性領域ＡＡの外側の周辺領域に配置されている。なお、スイッチ素子ＴＲＳＷの一部は、活性領域ＡＡの内部に配置されていても良い。

【0090】

複数のスイッチ素子ＴＴＳＷが、センサパネルＳＰＮＬの活性領域ＡＡの外側の周辺領域に配置されている。複数のスイッチ素子ＴＴＳＷのおのおのは、駆動電極Ｔｘ１～Ｔｘｎの対応する駆動電極の一端に接続されている。

【0091】

実装部ＭＡ２には、複数の外部接続端子ＥＸＴが第１方向Ｘに配列されている。複数の外部接続端子ＥＸＴは、引出し配線Ｒ１、Ｒ２～Ｒｎに接続された複数の第１外部接続端子ＥＸＴ１と、複数のスイッチ素子ＴＴＳＷに接続された複数の第２外部接続端子ＥＸＴ２と、を含む。複数の第１外部接続端子ＥＸＴ１は、他方において、検出回路ＴＰＳＤＴの入力端子ＩＮに接続される。複数の第２外部接続端子ＥＸＴ２は、他方において、駆動回路ＴＰＳＴｘＤｒに接続される。

【0092】

（センサパネルＳＰＮＬの構成例２）
図１１は、センサパネルの構成例２を説明する図である。図１１のセンサパネルＳＰＮＬの構成例が図１０と異なる点は、検出電極Ｒｘ１～Ｒｘｎが第２方向Ｙに延在し、第２方向Ｙと異なる第１方向Ｘに配列されている点と、駆動電極Ｔｘ１～Ｔｘｎが第１方向Ｘに延在し、第２方向Ｙに配列されている点である。これに伴い、引出し配線Ｒ１、Ｒ２～Ｒｎは、第２方向Ｙに延在し、第１方向Ｘに配列されている。複数のスイッチ素子ＴＲＳＷは、引出し配線Ｒ１、Ｒ２～Ｒｎと検出電極Ｒｘ１～Ｒｘｎとの間において、第１方向Ｘに配列されている。実装部ＭＡ２には、複数の外部接続端子ＥＸＴ（複数の第１外部接続端子ＥＸＴ１，複数の第２外部接続端子ＴＸＴ２）が第１方向Ｘに配列されている。

【0093】

したがって、図１１において、複数の第１外部接続端子ＥＸＴ１の配列方向（第１方向Ｘ）は、検出電極Ｒｘ１～Ｒｘｎの配列方向（第１方向Ｘ）とは同じであるが、図１０においては、複数の第１外部接続端子ＥＸＴ１の配列方向（第１方向Ｘ）は、検出電極Ｒｘ１～Ｒｘｎの配列方向（第２方向Ｙ）とは異なっている。

【0094】

ここで、図１１の第１方向Ｘと第２方向Ｙとを入れ替えて、検出電極Ｒｘ１～Ｒｘｎの配列方向を図１０と図１１とにおいて同じ方向（第２方向Ｙ）とすると、複数の第１外部接続端子ＥＸＴ１の配列方向は第２方向Ｙであるとみなすことができる。

【0095】

（タッチ検出と指紋検出とが可能なセンサパネルの構成例）
図１２は、タッチ検出と指紋検出とが可能なセンサパネルの構成例を示す図である。図１３は、図１２の領域Ａの構成例を示す回路図である。図１４は、図１２の領域Ｂの構成例を示す回路図である。図１２、図１３、図１４に示すセンサパネルＳＰＮＬは、図１に示すセンサパネルＳＰＮＬの基本的な構成例を示すものである。なお、図面の複雑さを避けるため、図４で示したタッチ検出ノードＴＮ１～ＴＮ９の参照番号は、図１２には記載されていないが、図４で示したタッチ検出ノードＴＮ１～ＴＮ９の参照番号を用いて説明する。

【0096】

タッチ検出ノードＴＮ１、ＴＮ２、ＴＮ３には、複数の検出電極が第１方向Ｘに延在して設けられている。一例では、図５で説明した３本の検出電極Ｒｘ１ａ、Ｒｘ１ｂ、Ｒｘ１ｃと、さらに、４本の検出電極Ｒｘ１ｄ、Ｒｘ１ｅ、Ｒｘ１ｆ、Ｒｘ１ｇが設けられる。７本の検出電極Ｒｘ１ａ～Ｒｘ１ｇは、活性領域ＡＡの外部に設けられたスイッチ回路ＳＷＣ２１に電気的に接続される。スイッチ回路ＳＷＣ２１は、また、活性領域ＡＡの外部に設けられた７本の引出し配線Ｒ１～Ｒ７に電気的に接続される。

【0097】

タッチ検出ノードＴＮ４、ＴＮ５、ＴＮ６には、複数の検出電極が第１方向Ｘに延在して設けられている。一例では、図５で説明した３本の検出電極Ｒｘ２ａ、Ｒｘ２ｂ、Ｒｘ２ｃと、さらに、４本の検出電極Ｒｘ２ｄ、Ｒｘ２ｅ、Ｒｘ２ｆ、Ｒｘ２ｇが設けられる。７本の検出電極Ｒｘ２ａ～Ｒｘ２ｇは、活性領域ＡＡの外部に設けられたスイッチ回路ＳＷＣ２２に電気的に接続される。スイッチ回路ＳＷＣ２２は、また、活性領域ＡＡの外部に設けられた７本の引出し配線Ｒ１～Ｒ７に電気的に接続される。

【0098】

タッチ検出ノードＴＮ７、ＴＮ８、ＴＮ９には、複数の検出電極が第１方向Ｘに延在して設けられている。一例では、図５で説明した３本の検出電極Ｒｘ３ａ、Ｒｘ３ｂ、Ｒｘ３ｃと、さらに、４本の検出電極Ｒｘ３ｄ、Ｒｘ３ｅ、Ｒｘ３ｆ、Ｒｘ３ｇが設けられる。７本の検出電極Ｒｘ３ａ～Ｒｘ３ｇは、活性領域ＡＡの外部に設けられたスイッチ回路ＳＷＣ２３に電気的に接続される。スイッチ回路ＳＷＣ２３は、また、活性領域ＡＡの外部に設けられた７本の引出し配線Ｒ１～Ｒ７に電気的に接続される。

【0099】

タッチ検出ノードＴＮ１、ＴＮ４、ＴＮ７には、複数の駆動電極が第２方向Ｙに延在して設けられている。一例では、９本の駆動電極Ｔｘ１ａ～Ｔｘ１ｉが設けられる。タッチ検出ノードＴＮ２、ＴＮ５、ＴＮ８には、複数の駆動電極が第２方向Ｙに延在して設けられている。一例では、９本の駆動電極Ｔｘ２ａ～Ｔｘ２ｉが設けられる。タッチ検出ノードＴＮ３、ＴＮ６、ＴＮ９には、複数の駆動電極が第２方向Ｙに延在して設けられている。一例では、９本の駆動電極Ｔｘ３ａ～Ｔｘ３ｉが設けられる。

【0100】

９本の駆動電極Ｔｘ１ａ～Ｔｘ１ｉ、９本の駆動電極Ｔｘ２ａ～Ｔｘ２ｉ、および、９本の駆動電極Ｔｘ３ａ～Ｔｘ３ｉは、図１４で説明する様に、センサＩＣチップＳＩＣの指紋検出用の駆動回路ＦＰＳＴｘＤｒに電気的に接続される。また、引出し配線Ｒ１～Ｒ７は、図１３で説明する様に、センサＩＣチップＳＩＣの指紋検出用の検出回路ＦＰＳＤＴに電気的に接続される。

【0101】

図１２に示す様に、図５と比較して、検出電極の本数を多くするとこにより、指紋のような細かい凹凸を正確に検出することが可能になる。

【0102】

図１３において、スイッチ回路ＳＷＣ２１～ＳＷＣ２３のおのおのには、スイッチ回路ＳＷＣ２１に代表として示す様に、図５で説明された３つのスイッチ素子ＴＲＳＷが設けられている。スイッチ回路ＳＷＣ２２、ＳＷＣ２３の構成は、スイッチ回路ＳＷＣ２１の構成とほぼ同じであるが、図５で説明した様に、３つのスイッチ素子ＴＲＳＷの接続先が異なる。つまり、スイッチ回路ＳＷＣ２１に設けられた３つのスイッチ素子ＴＲＳＷは、検出電極Ｒｘ１ａ、Ｒｘ１ｂ、Ｒｘ１ｃを束ねて引出し配線Ｒ１に電気的に接続するために設けられる。スイッチ回路ＳＷＣ２２に設けられた３つのスイッチ素子ＴＲＳＷは、検出電極Ｒｘ２ａ、Ｒｘ２ｂ、Ｒｘ２ｃを束ねて引出し配線Ｒ２に電気的に接続するために設けられる。スイッチ回路ＳＷＣ２３に設けられた３つのスイッチ素子ＴＲＳＷは、検出電極Ｒｘ３ａ、Ｒｘ３ｂ、Ｒｘ３ｃを束ねて引出し配線Ｒ３に電気的に接続するために設けられる。

【0103】

スイッチ素子ＴＲＳＷのおのおのは、図５で説明されたように、タッチ位置検出時において、センサＩＣチップＳＩＣから出力されるハイレベルのスイッチ信号Ｓ１１によって、オン状態およびオフ状態が制御される。一方、スイッチ素子ＴＲＳＷのおのおのは、指紋検出時において、センサＩＣチップＳＩＣから出力されるロウレベルのスイッチ信号Ｓ１１によって、オフ状態にされる。

【0104】

スイッチ回路ＳＷＣ２１～ＳＷＣ２３のおのおのは、図１３のスイッチ回路ＳＷＣ２１に代表として示す様に、検出電極Ｒｘｎａ、Ｒｘｎｂ、Ｒｘｎｃ（ｎ＝１、２、３）に接続される３つのスイッチ素子ＤＳＷ１と、検出電極Ｒｘｎｄ、Ｒｘｎｅ、Ｒｘｎｆ、Ｒｘｎｇ（ｎ＝１、２、３）に接続される４つのスイッチ素子ＤＳＷと、引出し配線Ｒ１～Ｒ７と検出電極Ｒｘ１ａ～Ｒｘ１ｇとの間に接続された７つのスイッチ素子ＦＳＷと、を有する。スイッチ素子ＦＳＷ、ＤＳＷ、ＤＳＷ１のおのおのは、たとえば、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）により構成することができる。

【0105】

スイッチ素子ＤＳＷ１とスイッチ素子ＤＳＷとは、タッチ検出時における動作が異なっている。指紋検出時において、スイッチ素子ＤＳＷ１とスイッチ素子ＤＳＷとは、同時に、オン状態またはオフ状態とされる。一方、タッチ検出時において、スイッチ素子ＤＳＷ１はオフ状態とされ、スイッチ素子ＤＳＷはオン状態とされる。

【0106】

７個のスイッチ素子ＦＳＷは、７本の検出電極（Ｒｘｎａ～Ｒｘｎｇ：ｎ＝１、２、３）と７本の引出し配線Ｒ１～Ｒ７との間に設けられている。７個のスイッチ素子ＦＳＷは、センサＩＣチップＳＩＣから出力されるスイッチ信号Ｓ２ｎによって、オン状態およびオフ状態が制御される。７個のスイッチ素子ＦＳＷは、たとえは、スイッチ信号Ｓ２ｎのハイレベルによってオン状態とされ、スイッチ信号Ｓ２ｎのロウレベルによってオフ状態とされる。７個のスイッチ素子ＦＳＷのオン状態によって、７本の検出電極（Ｒｘｎａ～Ｒｘｎｇ：ｎ＝１、２、３）と７本の引出し配線Ｒ１～Ｒ７とがそれぞれ電気的に接続される。

【0107】

スイッチ素子ＤＳＷ、ＤＳＷ１は、７本の検出電極（Ｒｘｎａ～Ｒｘｎｇ：ｎ＝１、２、３）と配線Ｌｄｃとの間に設けられている。配線Ｌｄｃには、接地電位（０Ｖ）の様な所定の直流電位ＶＤＣが供給されている。スイッチ素子ＤＳＷは、スイッチ信号Ｓ３ｎによって、オン状態およびオフ状態が制御される。スイッチ素子ＤＳＷは、たとえは、スイッチ信号Ｓ３ｎのハイレベルによってオン状態とされ、スイッチ信号Ｓ３ｎのロウレベルによってオフ状態とされる。スイッチ素子ＤＳＷ１は、スイッチ信号Ｓ４ｎによって、オン状態およびオフ状態が制御される。スイッチ素子ＤＳＷ１は、たとえは、スイッチ信号Ｓ４ｎのハイレベルによってオン状態とされ、スイッチ信号Ｓ４ｎのロウレベルによってオフ状態とされる。スイッチ素子ＤＳＷ、ＤＳＷ１のオン状態によって、７本の検出電極（Ｒｘｎａ～Ｒｘｎｇ：ｎ＝１、２、３）が直流電位ＶＤＣに設定される。

【0108】

次に、センサＩＣチップＳＩＣから出力されるスイッチ信号Ｓ２ｎ、Ｓ３ｎ、Ｓ４ｎについて説明する。

【0109】

スイッチ信号Ｓ２ｎ（ｎ＝１、２、３）において、スイッチ信号Ｓ２１（ｎ＝１の場合に対応する）はスイッチ回路ＳＷＣ２１の複数のスイッチ素子ＦＳＷに供給され、スイッチ信号Ｓ２２（ｎ＝２の場合に対応する）はスイッチ回路ＳＷＣ２２の複数のスイッチ素子ＦＳＷに供給され、スイッチ信号Ｓ２２（ｎ＝３の場合に対応する）はスイッチ回路ＳＷＣ２３の複数のスイッチ素子ＦＳＷに供給される。

【0110】

タッチ検出ノードＴＮ１～ＴＮ９におけるタッチ検出を行う場合、スイッチ回路ＳＷＣ２１、ＳＷＣ２２、ＳＷＣ２３の複数のスイッチ素子ＦＳＷは、ロウレベルのスイッチ信号Ｓ２１、Ｓ２２、Ｓ２３によってオフ状態にされる。

【0111】

タッチ検出ノードＴＮ１、ＴＮ２、ＴＮ３における指紋検出を行う場合、スイッチ回路ＳＷＣ２１の複数のスイッチ素子ＦＳＷはハイレベルのスイッチ信号Ｓ２１によってオン状態とされる。一方、スイッチ回路ＳＷＣ２２の複数のスイッチ素子ＦＳＷはロウレベルのスイッチ信号Ｓ２２によってオフ状態とされ、スイッチ回路ＳＷＣ２３の複数のスイッチ素子ＦＳＷはロウレベルのスイッチ信号Ｓ２３によってオフ状態とされる。

【0112】

タッチ検出ノードＴＮ４、ＴＮ５、ＴＮ６における指紋検出を行う場合、スイッチ回路ＳＷＣ２２の複数のスイッチ素子ＦＳＷはハイレベルのスイッチ信号Ｓ２２によってオン状態とされる。一方、スイッチ回路ＳＷＣ２１の複数のスイッチ素子ＦＳＷはロウレベルのスイッチ信号Ｓ２１によってオフ状態とされ、スイッチ回路ＳＷＣ２３の複数のスイッチ素子ＦＳＷはロウレベルのスイッチ信号Ｓ２３によってオフ状態とされる。

【0113】

タッチ検出ノードＴＮ７、ＴＮ８、ＴＮ９における指紋検出を行う場合、スイッチ回路ＳＷＣ２３の複数のスイッチ素子ＦＳＷはハイレベルのスイッチ信号Ｓ２２によってオン状態とされる。一方、スイッチ回路ＳＷＣ２１の複数のスイッチ素子ＦＳＷはロウレベルのスイッチ信号Ｓ２１によってオフ状態とされ、スイッチ回路ＳＷＣ２３の複数のスイッチ素子ＦＳＷはロウレベルのスイッチ信号Ｓ２３によってオフ状態とされる。

【0114】

スイッチ信号Ｓ３ｎ（ｎ＝１、２、３）において、スイッチ信号Ｓ３１（ｎ＝１の場合に対応する）はスイッチ回路ＳＷＣ２１の複数のスイッチ素子ＤＳＷに供給され、スイッチ信号Ｓ３２（ｎ＝２の場合に対応する）はスイッチ回路ＳＷＣ２２の複数のスイッチ素子ＤＳＷに供給され、スイッチ信号Ｓ３３（ｎ＝３の場合に対応する）はスイッチ回路ＳＷＣ２３の複数のスイッチ素子ＤＳＷに供給される。

【0115】

スイッチ信号Ｓ４ｎ（ｎ＝１、２、３）において、スイッチ信号Ｓ４１（ｎ＝１の場合に対応する）はスイッチ回路ＳＷＣ２１の複数のスイッチ素子ＤＳＷ１に供給され、スイッチ信号Ｓ４２（ｎ＝２の場合に対応する）はスイッチ回路ＳＷＣ２２の複数のスイッチ素子ＤＳＷ１に供給され、スイッチ信号Ｓ４３（ｎ＝３の場合に対応する）はスイッチ回路ＳＷＣ２３の複数のスイッチ素子ＤＳＷ１に供給される。

【0116】

タッチ検出ノードＴＮ１～ＴＮ９におけるタッチ検出を行う場合、スイッチ回路ＳＷＣ２１、ＳＷＣ２２、ＳＷＣ２３の複数のスイッチ素子ＤＳＷは、ハイレベルのスイッチ信号Ｓ３１、Ｓ３２、Ｓ３３によってオン状態にされる。一方、スイッチ回路ＳＷＣ２１、ＳＷＣ２２、ＳＷＣ２３の複数のスイッチ素子ＤＳＷ１は、ロウレベルのスイッチ信号Ｓ４１、Ｓ４２、Ｓ４３によってオフ状態にされる。

【0117】

タッチ検出ノードＴＮ１、ＴＮ２、ＴＮ３における指紋検出を行う場合、スイッチ回路ＳＷＣ２１の複数のスイッチ素子ＤＳＷ、ＤＳＷ１はロウレベルのスイッチ信号Ｓ３１、Ｓ４１によってオフ状態とされる。一方、スイッチ回路ＳＷＣ２２の複数のスイッチ素子ＤＳＷ、ＤＳＷ１はハイレベルのスイッチ信号Ｓ３２、Ｓ４２によってオン状態とされ、スイッチ回路ＳＷＣ２３の複数のスイッチ素子ＤＳＷ、ＤＳＷ１はハイレベルのスイッチ信号Ｓ３３、Ｓ４３によってオン状態とされる。

【0118】

タッチ検出ノードＴＮ４、ＴＮ５、ＴＮ６における指紋検出を行う場合、スイッチ回路ＳＷＣ２２の複数のスイッチ素子ＤＳＷ、ＤＳＷ１はロウレベルのスイッチ信号Ｓ３２、Ｓ４２によってオフ状態とされる。一方、スイッチ回路ＳＷＣ２１の複数のスイッチ素子ＤＳＷ、ＤＳＷ１はハイレベルのスイッチ信号Ｓ３１、Ｓ４１によってオン状態とされ、スイッチ回路ＳＷＣ２３の複数のスイッチ素子ＤＳＷ、ＤＳＷ１はハイレベルのスイッチ信号Ｓ３３、Ｓ４３によってオン状態とされる。

【0119】

タッチ検出ノードＴＮ７、ＴＮ８、ＴＮ９における指紋検出を行う場合、スイッチ回路ＳＷＣ２３の複数のスイッチ素子ＤＳＷ、ＤＳＷ１はロウレベルのスイッチ信号Ｓ３３、Ｓ４３によってオフ状態とされる。一方、スイッチ回路ＳＷＣ２１の複数のスイッチ素子ＤＳＷ、ＤＳＷ１はハイレベルのスイッチ信号Ｓ３１、Ｓ４１によってオン状態とされ、スイッチ回路ＳＷＣ２２の複数のスイッチ素子ＤＳＷ、ＤＳＷ１はハイレベルのスイッチ信号Ｓ３２、Ｓ４２によってオン状態とされる。

【0120】

センサＩＣチップＳＩＣには、引出し配線Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３が電気的に接続されるタッチ位置検出用の検出回路ＴＰＳＤＴと、引出し配線Ｒ１～Ｒ７が電気的に接続される指紋検出用の検出回路ＦＰＳＤＴと、が設けられる。タッチ位置検出用の検出回路ＴＰＳＤＴはタッチ位置検出時に活性化され、タッチ位置の検出を行う。指紋検出用の検出回路ＦＰＳＤＴは指紋検出時に活性化され、指紋の検出を行う。

【0121】

図１４において、スイッチ回路ＳＷＣ３２、ＳＷＣ３３は、スイッチ回路ＳＷＣ３１とほぼ同じ構成とされている。スイッチ回路ＳＷＣ３１、ＳＷＣ３２、ＳＷＣ３３には、図５で説明された複数のスイッチ素子ＴＴＳＷが設けられている。スイッチ回路ＳＷＣ３１の複数のスイッチ素子ＴＴＳＷは、駆動電極Ｔｘ１ａ～Ｔｘ１ｉを束ねて、１つの駆動電極Ｔｘ１とするために設けられる。スイッチ回路ＳＷＣ３２の複数のスイッチ素子ＴＴＳＷは、駆動電極Ｔｘ２ａ～Ｔｘ２ｉを束ねて、１つの駆動電極Ｔｘ２とするために設けられる。スイッチ回路ＳＷＣ３３の複数のスイッチ素子ＴＴＳＷは、駆動電極Ｔｘ３ａ～Ｔｘ３ｉを束ねて、１つの駆動電極Ｔｘ１とするために設けられる。

【0122】

スイッチ回路ＳＷＣ３１、ＳＷＣ３２、ＳＷＣ３３のおのおののスイッチ素子ＴＴＳＷは、センサＩＣチップＳＩＣから出力されるスイッチ信号Ｓ１によって、オン状態およびオフ状態が制御される。おのおののスイッチ素子ＴＴＳＷは、タッチ位置検出時において、スイッチ信号Ｓ１２のハイレベルによってオン状態とされ、指紋検出時において、スイッチ信号Ｓ１２のロウレベルによってオフ状態とされる。

【0123】

センサＩＣチップＳＩＣは、タッチ位置検出用の駆動回路ＴＰＳＴｘＤｒと、指紋検出用の駆動回路ＦＰＳＴｘＤｒとを含む。駆動電極Ｔｘ１～Ｔｘ３は、タッチ位置検出用の駆動回路ＴＰＳＴｘＤｒに電気的に接続される。駆動電極Ｔｘ１ａ～Ｔｘ１ｉ、Ｔｘ２ａ～Ｔｘ２ｉ、および、Ｔｘ３ａ～Ｔｘ３ｉは、指紋検出用の駆動回路ＦＰＳＴｘＤｒに電気的に接続される。また、タッチ位置検出時は指紋検出用の駆動回路ＦＰＳＴｘＤｒの出力はハイインピーダンスとなる。

【0124】

（センサパネルＳＰＮＬの動作） 次に、図１５を用いて、センサパネルＳＰＮＬの動作を説明する。図１５は、センサパネルＳＰＮＬの動作を説明する波形図である。センサパネルＳＰＮＬのセンサモード（Ｍｏｄｅ）は、指紋検出モードＦＰとタッチ検出モードＴＰとを有する。図１５では、指紋検出モードＦＰにされて指紋検出が行われ、その後、タッチ検出モードＴＰへ移行し、タッチ検出が行われる動作を示している。

【0125】

（指紋検出モードＦＰ）
時刻Ｔ１～時刻Ｔ４の期間は指紋検出モードＦＰの期間であり、時刻Ｔ４～時刻Ｔ５の期間はタッチ検出モードＴＰの期間である。指紋検出モードＦＰにおいて、最初に、タッチ検出ノードＴＮ１、ＴＮ２、ＴＮ３における指紋検出を行い、次に、タッチ検出ノードＴＮ４、ＴＮ５、ＴＮ６における指紋検出を行い、そして、タッチ検出ノードＴＮ７、ＴＮ８、ＴＮ９における指紋検出を行うものとする。実際のセンサパネルＳＰＮＬでは、活性領域ＡＡ内に、９個以上の複数のタッチ検出ノードが設けられているので、指紋検出は、活性領域ＡＡの上側部分または下側部分の様に部分的な領域を用いて行うことができる。つまり、活性領域ＡＡの全域において指紋検出を行うことも可能であるが、活性領域ＡＡの全域において指紋検出を行う必要は無い。

【0126】

時刻Ｔ１～時刻Ｔ２において、タッチ検出ノードＴＮ１、ＴＮ２、ＴＮ３における指紋検出を行う。スイッチ回路ＳＷＣ２１において、スイッチ素子ＦＳＷはオン状態とされ、スイッチ素子ＤＳＷ、ＤＳＷ１、ＴＲＳＷはオフ状態とされる。スイッチ回路ＳＷＣ２２、ＳＷＣ２３において、スイッチ素子ＦＳＷ、ＴＲＳＷはオフ状態とされ、スイッチ素子ＤＳＷ、ＤＳＷ１はオン状態とされる。また、スイッチ回路ＳＷＣ３１～ＳＷＣ３３のスイッチ素子ＴＴＳＷはオフ状態にされる。この状態で、指紋検出用の駆動回路ＦＰＳＴｘＤｒにより、駆動電極Ｔｘ１ａ～Ｔｘ１ｉ、Ｔｘ２ａ～Ｔｘ２ｉ、Ｔｘ３ａ～Ｔｘ３ｉのおのおのが所定の周期で駆動パルスＳｉｇ２により順次駆動（走査）される。これにより、タッチ検出ノードＴＮ１、ＴＮ２、ＴＮ３に設けられた７本の検出電極Ｒｘ１ａ～Ｒｘ１ｇにおける検出信号ＤＳのおのおのが引出し配線Ｒ１～Ｒ７に出力されて、検出回路ＦＰＳＤＴに入力される。

【0127】

時刻Ｔ２～時刻Ｔ３において、タッチ検出ノードＴＮ４、ＴＮ５、ＴＮ６における指紋検出を行う。スイッチ回路ＳＷＣ２２において、スイッチ素子ＦＳＷはオン状態とされ、スイッチ素子ＤＳＷ、ＤＳＷ１、ＴＲＳＷはオフ状態とされる。スイッチ回路ＳＷＣ２１、ＳＷＣ２３において、スイッチ素子ＦＳＷ、ＴＲＳＷはオフ状態とされ、スイッチ素子ＤＳＷ、ＤＳＷ１はオン状態とされる。また、スイッチ回路ＳＷＣ３１～ＳＷＣ３３のスイッチ素子ＴＴＳＷはオフ状態にされる。この状態で、指紋検出用の駆動回路ＦＰＳＴｘＤｒにより、駆動電極Ｔｘ１ａ～Ｔｘ１ｉ、Ｔｘ２ａ～Ｔｘ２ｉ、Ｔｘ３ａ～Ｔｘ３ｉのおのおのが所定の周期で駆動パルスＳｉｇ２により順次駆動（走査）される。これにより、タッチ検出ノードＴＮ４、ＴＮ５、ＴＮ６に設けられた７本の検出電極Ｒｘ２ａ～Ｒｘ２ｇにおける検出信号ＤＳのおのおのが引出し配線Ｒ１～Ｒ７に出力されて、検出回路ＦＰＳＤＴに入力される。

【0128】

時刻Ｔ３～時刻Ｔ４において、タッチ検出ノードＴＮ７、ＴＮ８、ＴＮ９における指紋検出を行う。スイッチ回路ＳＷＣ２３において、スイッチ素子ＦＳＷはオン状態とされ、スイッチ素子ＤＳＷ、ＤＳＷ１、ＴＲＳＷはオフ状態とされる。スイッチ回路ＳＷＣ２１、ＳＷＣ２２において、スイッチ素子ＦＳＷ、ＴＲＳＷはオフ状態とされ、スイッチ素子ＤＳＷはオン状態とされる。また、スイッチ回路ＳＷＣ３１～ＳＷＣ３３のスイッチ素子ＴＴＳＷはオフ状態にされる。この状態で、指紋検出用の駆動回路ＦＰＳＴｘＤｒにより、駆動電極Ｔｘ１ａ～Ｔｘ１ｉ、Ｔｘ２ａ～Ｔｘ２ｉ、Ｔｘ３ａ～Ｔｘ３ｉのおのおのが所定の周期で駆動パルスＳｉｇ２により順次駆動（走査）される。これにより、タッチ検出ノードＴＮ７、ＴＮ８、ＴＮ９に設けられた７本の検出電極Ｒｘ２ａ～Ｒｘ２ｇにおける検出信号ＤＳのおのおのが引出し配線Ｒ１～Ｒ７に出力されて、検出回路ＦＰＳＤＴに入力される。

【0129】

（タッチ検出モードＴＰ） 時刻Ｔ４～時刻Ｔ５において、タッチ検出ノードＴＮ１～ＴＮ９におけるタッチ検出を行う。スイッチ回路ＳＷＣ２１、ＳＷＣ２２、ＳＷＣ２３において、スイッチ素子ＦＳＷ、ＤＳＷ１はオフ状態にされ、スイッチ素子ＤＳＷはオン状態にされ、スイッチ素子ＴＲＳＷはオン状態またはオフ状態にされる。また、スイッチ回路ＳＷＣ３１～ＳＷＣ３３のスイッチ素子ＴＴＳＷはオン状態にされる。図１６は、タッチ検出モードＴＰを詳細に示す波形図である。図１６において、スイッチ素子ＦＳＷ、ＤＳＷ、ＤＳＷ１の状態が示されているが、時刻Ｔ４～Ｔ５の間に示される時刻ｔ１～ｔ１７の各信号（ＴＲＳＷ、ＲＳＷ、Ｔｎｘ、Ｒｎ、ＡＦＥＯＵＴ、ｓａｍｐｌｉｎｇ）の波形の変化は、図９の時刻ｔ１～ｔ１７の波形の変化と同じであるので、繰り返しの説明は省略する。

【0130】

実施形態によれば、最外周の駆動配線Ｔｘ１と引出し配線Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３とのカップリングの影響をなくすことができるので、タッチ検出精度を向上することができる。

【0131】

本発明の実施の形態として上述した表示装置およびタッチパネルを基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての表示装置およびタッチパネルも、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。

【0132】

本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。例えば、上述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除もしくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。

【0133】

また、本実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について本明細書記載から明らかなもの、又は当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。

【0134】

上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。

【符号の説明】

【0135】

ＤＳＰ：表示装置
ＰＮＬ：表示パネル
ＳＰＮＬ：センサパネル
ＤＡ：表示領域
ＮＤＡ：非表示領域（周辺領域）
ＡＡ：活性領域（検出領域）
ＮＡＡ：非活性領域
ＳＵＢ１：第１基板
ＳＵＢ２：第２基板
ＳＳＵＢ：センサ基板
ＭＡ１、ＭＡ２：実装部
ＥＸＴ：外部接続端子
ＤＤＩＣ：表示駆動ＩＣチップ
ＳＩＣ：センサＩＣチップ
Ｒｘ１、Ｒｘ２、Ｒｘ３：検出電極
Ｔｘ１、Ｔｘ２、Ｔｘ３：駆動電極
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３：引出し配線（周辺配線）
ＴＲＳＷ、ＴＴＳＷ、ＦＳＷ、ＤＳＷ、ＤＳＷ１：スイッチ素子
ＴＰＳＤＴ：タッチ位置検出用の検出回路
ＴＰＳＴｘＤｒ：タッチ位置検出用の駆動回路
ＡＦＥ：制御回路
ＲＳＷ：リセットスイッチ素子
ＳＷＣ２１，ＳＷＣ２２、ＳＷＣ２３：スイッチ回路
ＦＰＳＴｘＤｒ：指紋検出用の駆動回路
ＦＰＳＤＴ：指紋検出用の検出回路

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】