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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2023-08-28
(45)【発行日】2023-09-05
(54)【発明の名称】ヒートシンク付き絶縁回路基板及び電子機器
(51)【国際特許分類】
H01L 23/36 20060101AFI20230829BHJP
H01L 23/40 20060101ALI20230829BHJP
【ＦＩ】
H01L23/36 C
H01L23/40 F
【請求項の数】
4
(21)【出願番号】P 2019224419
(22)【出願日】2019-12-12
(65)【公開番号】P2021093483
(43)【公開日】2021-06-17
【審査請求日】2022-09-30
(73)【特許権者】
【識別番号】000006264
【氏名又は名称】三菱マテリアル株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100101465
【弁理士】
【氏名又は名称】青山 正和
(72)【発明者】
【氏名】青木 慎介
(72)【発明者】
【氏名】大井 宗太郎
(72)【発明者】
【氏名】大開 智哉
【審査官】豊島 洋介
(56)【参考文献】
【文献】特開２０１９－１４０１９８（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１６－１８１５４９（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開昭５９－１３２６３３（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開平７－９９２６８（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１８－１８２１７５（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１４－２９９７４（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００７－１７３４９６（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０２０－１４５３６１（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０１Ｌ２１／５４
Ｈ０１Ｌ２３／００ －２３／０４
Ｈ０１Ｌ２３／０６ －２３／２６
Ｈ０１Ｌ２３／２９
Ｈ０１Ｌ２３／３４ －２３／３６
Ｈ０１Ｌ２３／３７３－２３／４２７
Ｈ０１Ｌ２３／４４
Ｈ０１Ｌ２３／４６７－２３／４７３
Ｈ０５Ｋ ７／２０
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
セラミックス基板の一方の面に回路層が形成されているとともに、前記セラミックス基板の他方の面に金属層が形成されてなる絶縁回路基板における前記金属層と、中央部に前記絶縁回路基板の少なくとも一部が収容される収容凹部が形成されたヒートシンクにおける前記収容凹部の底面とがろう付けされたヒートシンク付き絶縁回路基板であって、前記収容凹部の周壁部の内側側面の少なくとも一部にろう溜まり凹部が形成されており、前記ろう溜まり凹部は、前記セラミックス基板よりも前記収容凹部の底面側に位置していることを特徴とするヒートシンク付き絶縁回路基板。
【請求項2】
前記ろう溜まり凹部の底面は、前記収容凹部の底面と一致していることを特徴とする請求項１に記載のヒートシンク付き絶縁回路基板。
【請求項3】
前記ろう溜まり凹部は、前記周壁部の内側側面の全周にわたって形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のヒートシンク付き絶縁回路基板。
【請求項4】
請求項１から３のいずれか一項に記載のヒートシンク付き絶縁回路基板と、前記絶縁回路基板の前記回路層上に設けられる電子部品と、
前記電子部品上及び前記収容凹部内にモールドされた樹脂材と、を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、ヒートシンク付き絶縁回路基板及びこれを用いた電子機器に関する。
【背景技術】
【0002】
絶縁回路基板として、窒化アルミニウムを始めとするセラミックス基板からなる絶縁層の一方の面に回路層が形成されるとともに、他方の面に金属層を介してヒートシンクが接合されたヒートシンク付き絶縁回路基板が知られている。
例えば、特許文献１に開示されているヒートシンク付き絶縁回路基板は、セラミックス基板の一方の面に回路層が形成されるとともに、セラミックス基板の他方の面に放熱層を介してヒートシンクが接合されてなり、ヒートシンクには、絶縁回路基板が収容される収容凹部が形成されている。
例えば、特許文献１に開示されているヒートシンク付き絶縁回路基板は、セラミックス基板の一方の面に回路層が形成されるとともに、セラミックス基板の他方の面に放熱層を介してヒートシンクが接合されてなり、ヒートシンクには、絶縁回路基板が収容される収容凹部が形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【文献】特開２０１６－１８１５４９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
ところで、上記特許文献１に開示されている絶縁回路基板をヒートシンクに接合する際には、ろう材を絶縁回路基板とヒートシンクとの間に挟んで、加圧しながら加熱する。このようなろう材としては、アルミニウム系ろう材が用いられ、特に、マグネシウム（Ｍｇ）を含むアルミニウム合金クラッド材を用いて接合すると、比較的低温で接合することが可能である。
【0005】
しかしながら、Ｍｇを含むアルミニウム合金クラッド材を用いると、余剰な溶融ろうがヒートシンクにおける収容凹部の底部から該収容凹部の内側側面を這い上がり、収容凹部の外周に位置する周壁部の天面にまで達することがある。この内側側面及び周壁部の天面に這い上がった溶融ろうは、これらの表面で固化する。この場合、固化した溶融ろう（以下、残存ろうという）は、Ａｌ－Ｍｇ系合金となり、表面にＭｇが拡散し、酸化被膜がＭｇＯを含む多孔質な被膜となるため、収容凹部に樹脂（例えば、エポキシ樹脂などの樹脂材）を注入してモールドした場合、樹脂材と周壁部との密着性が低下する。
【0006】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、ヒートシンク付き絶縁回路基板におけるヒートシンクの周壁部の樹脂密着性を向上できるヒートシンク付き絶縁回路基板及び電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明のヒートシンク付き絶縁回路基板は、セラミックス基板の一方の面に回路層が形成されているとともに、前記セラミックス基板の他方の面に金属層が形成されてなる絶縁回路基板における前記金属層と、中央部に前記絶縁回路基板の少なくとも一部が収容される収容凹部が形成されたヒートシンクにおける前記収容凹部の底面とがろう付けされたヒートシンク付き絶縁回路基板であって、前記収容凹部の周壁部の内側側面の少なくとも一部にろう溜まり凹部が形成されており、前記ろう溜まり凹部は、前記セラミックス基板よりも収容凹部の底面側に位置している。
【0008】
周壁部の内側側面において、ろう溜まり凹部がセラミックス基板よりも収容凹部の底面とは反対側（セラミックス基板より上側）に形成されていると、周壁部における溶融ろうが這い上がる領域（残存ろうが固定される領域）が広くなるため、樹脂密着性が低下する。
一般に、セラミックス基板の周縁部は、回路層や金属層の周縁部より外方に張り出して形成される。このため、収容凹部が樹脂材によりモールドされた場合、セラミックス基板の周縁部は、冷熱サイクル時において樹脂材への応力が最も高くなる。また、周壁部における残存ろうが固定された領域は、残存ろうが固定されていない領域に比べて樹脂密着性が低いことから、ろう溜まり凹部を周壁部の内側側面におけるセラミックス基板の周縁部と対向する位置に形成すると、樹脂密着性が低い部分と、応力が最もかかる部分とが近接することとなるので、モールドされた樹脂材が剥がれやすくなる。
一般に、セラミックス基板の周縁部は、回路層や金属層の周縁部より外方に張り出して形成される。このため、収容凹部が樹脂材によりモールドされた場合、セラミックス基板の周縁部は、冷熱サイクル時において樹脂材への応力が最も高くなる。また、周壁部における残存ろうが固定された領域は、残存ろうが固定されていない領域に比べて樹脂密着性が低いことから、ろう溜まり凹部を周壁部の内側側面におけるセラミックス基板の周縁部と対向する位置に形成すると、樹脂密着性が低い部分と、応力が最もかかる部分とが近接することとなるので、モールドされた樹脂材が剥がれやすくなる。
【0009】
本発明では、セラミックス基板よりも収容凹部の底面側に位置するろう溜まり凹部に溶融ろうが溜まることから、周壁部の内側側面における溶融ろうが這い上がる領域を小さくできる。このため、収容凹部が樹脂材によりモールドされた場合の樹脂密着性を向上できる。特に、固化した溶融ろう（残存ろう）に樹脂密着性を低下させるマグネシウムなどの元素が含まれている場合に有用である。また、セラミックス基板の周縁部と同じ高さに収容凹部が形成されないことから、樹脂への応力が最も高くなる部分と樹脂密着性が低い部分とが近接することがないので、収容凹部から樹脂が剥がれることを抑制できる。
【0010】
本発明のヒートシンク付き絶縁回路基板の好ましい態様としては、前記ろう溜まり凹部の底面は、前記収容凹部の底面と一致しているとよい。
上記態様では、絶縁回路基板とヒートシンクとを接合する際に生じた余剰な溶融ろうは、収容凹部の底面を伝って、直接ろう溜まり凹部へと流入し、ろう溜まり凹部内に溜め置かれる。このため、溶融ろうの周壁部の内側側面への這い上がりを確実に抑制できる。また、周壁部の内側側面の一部分にのみ残存ろうが固定されるので、収容凹部が樹脂材によりモールドされた場合における樹脂密着性をより向上できる。
上記態様では、絶縁回路基板とヒートシンクとを接合する際に生じた余剰な溶融ろうは、収容凹部の底面を伝って、直接ろう溜まり凹部へと流入し、ろう溜まり凹部内に溜め置かれる。このため、溶融ろうの周壁部の内側側面への這い上がりを確実に抑制できる。また、周壁部の内側側面の一部分にのみ残存ろうが固定されるので、収容凹部が樹脂材によりモールドされた場合における樹脂密着性をより向上できる。
【0011】
本発明のヒートシンク付き絶縁回路基板の好ましい態様としては、前記ろう溜まり凹部は、前記周壁部の内側側面の全周にわたって形成されているとよい。
上記態様では、ろう溜まり凹部が周壁部の内側側面の全周にわたって形成されているので、ヒートシンクにおける収容凹部の底面と絶縁回路基板の金属層とをろう材を用いて接合する際に生じる余剰な溶融ろうをろう溜まり凹部に確実に溜めることができ、ヒートシンクの周壁部の樹脂密着性をより高めることができる。
上記態様では、ろう溜まり凹部が周壁部の内側側面の全周にわたって形成されているので、ヒートシンクにおける収容凹部の底面と絶縁回路基板の金属層とをろう材を用いて接合する際に生じる余剰な溶融ろうをろう溜まり凹部に確実に溜めることができ、ヒートシンクの周壁部の樹脂密着性をより高めることができる。
【0012】
本発明の電子機器は、上記ヒートシンク付き絶縁回路基板と、前記絶縁回路基板の前記回路層上に設けられる電子部品と、前記電子部品上及び前記収容凹部内にモールドされた樹脂材と、を備える。
【0013】
本発明では、ヒートシンクの周壁部の内側側面における残存ろうが固定される領域を小さくすることで、収容凹部の内側側面と樹脂との密着性を高めることができ、信頼性の高い電子機器を提供できる。
【発明の効果】
【0014】
本発明によれば、ヒートシンク付き絶縁回路基板におけるヒートシンクの周壁部の樹脂密着性を向上でき、かつ、信頼性の高い電子機器を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【0015】
【図1】本発明の第１実施形態に係るヒートシンク付き絶縁回路基板を用いたパワーモジュールを示す断面図である。
【図5】上記実施形態におけるヒートシンク付き絶縁回路基板の平面図である。
【図6】上記実施形態におけるパワーモジュールのケースへの取り付け例を示す分解斜視図である。
【図7】本発明の第２実施形態に係るヒートシンク付き絶縁回路基板を用いたパワーモジュールを示す断面図である。
【図8】本発明の第３実施形態に係るヒートシンク付き絶縁回路基板の一部を拡大して示す図である。
【図9】上記第３実施形態に係るヒートシンク付き絶縁回路基板の側面を示す側面図である。
【図10】本発明の第４実施形態に係るヒートシンク付き絶縁回路基板の一部を拡大して示す図である。
【図11】上記第４実施形態に係るヒートシンク付き絶縁回路基板の側面を示す側面図である。
【発明を実施するための形態】
【0016】
［第１実施形態］
以下、本発明の第１実施形態について、図面を参照しながら説明する。
以下、本発明の第１実施形態について、図面を参照しながら説明する。
【0017】
［ヒートシンク付き絶縁回路基板の概略構成］
本発明のヒートシンク付き絶縁回路基板１は、図１に示すように、絶縁回路基板１０に、複数のフィンが立設されたフィン一体型のヒートシンク２０が接合されたものである。
本発明のヒートシンク付き絶縁回路基板１は、図１に示すように、絶縁回路基板１０に、複数のフィンが立設されたフィン一体型のヒートシンク２０が接合されたものである。
【0018】
［パワーモジュールの構成］
そして、このヒートシンク付き絶縁回路基板１の表面に半導体チップ等の電子部品３０が搭載され、その上に樹脂材６０がモールドされることにより、パワーモジュール１００（電子機器）が製造される。
なお、フィン一体型のヒートシンク２０を備えるパワーモジュール１００は、例えば図５に示すようなケース４０に取り付けられた状態で使用される。このケース４０は、複数のピン状フィン２５を内部に挿入状態として取り付けるための開口部４１が形成されるとともに、その開口部４１の周囲を囲むようにパッキン収容溝４２が形成されている。そして、パッキン収容溝４２の外側にねじ穴４３が形成されており、ヒートシンク２０をピン状フィン２５が下方を向くように配置することにより開口部４１内に挿入し、開口部４１の周囲にパッキン５０を介して密接させ、ねじ止めにより固定する構成とされる。
図５に示す例では、２個のヒートシンク付き絶縁回路基板１（パワーモジュール１００）が取り付けられるようになっており、白抜き矢印で示すように、ケース４０の内部に冷却媒体が流通して挿入状態のピン状フィン２５を冷却するようになっている。
そして、このヒートシンク付き絶縁回路基板１の表面に半導体チップ等の電子部品３０が搭載され、その上に樹脂材６０がモールドされることにより、パワーモジュール１００（電子機器）が製造される。
なお、フィン一体型のヒートシンク２０を備えるパワーモジュール１００は、例えば図５に示すようなケース４０に取り付けられた状態で使用される。このケース４０は、複数のピン状フィン２５を内部に挿入状態として取り付けるための開口部４１が形成されるとともに、その開口部４１の周囲を囲むようにパッキン収容溝４２が形成されている。そして、パッキン収容溝４２の外側にねじ穴４３が形成されており、ヒートシンク２０をピン状フィン２５が下方を向くように配置することにより開口部４１内に挿入し、開口部４１の周囲にパッキン５０を介して密接させ、ねじ止めにより固定する構成とされる。
図５に示す例では、２個のヒートシンク付き絶縁回路基板１（パワーモジュール１００）が取り付けられるようになっており、白抜き矢印で示すように、ケース４０の内部に冷却媒体が流通して挿入状態のピン状フィン２５を冷却するようになっている。
【0019】
［絶縁回路基板の構成］
ヒートシンク付き絶縁回路基板を構成する絶縁回路基板１０は、セラミックス基板１１と、セラミックス基板１１の一方の面に形成された回路層１２と、セラミックス基板１１の他方の面に形成された金属層１３とを備える。
セラミックス基板１１は、回路層１２と金属層１３の間の電気的接続を防止する絶縁材であって、例えば窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）等により形成され、矩形板状に形成されている。このセラミックス基板１１は、回路層１２及び金属層１３よりも若干大きく形成され、その板厚は０．２ｍｍ～１．２ｍｍである。
ヒートシンク付き絶縁回路基板を構成する絶縁回路基板１０は、セラミックス基板１１と、セラミックス基板１１の一方の面に形成された回路層１２と、セラミックス基板１１の他方の面に形成された金属層１３とを備える。
セラミックス基板１１は、回路層１２と金属層１３の間の電気的接続を防止する絶縁材であって、例えば窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）等により形成され、矩形板状に形成されている。このセラミックス基板１１は、回路層１２及び金属層１３よりも若干大きく形成され、その板厚は０．２ｍｍ～１．２ｍｍである。
【0020】
［回路層の構成］
回路層１２は、セラミックス基板１１よりも若干小さい矩形板状に形成されている。この回路層１２は、図１に示す例では、２つの小回路層により構成され、その上にそれぞれ電子部品３０が配置されている。なお、回路層１２は、２つの小回路層に限らず、３つ以上の小回路層から構成されてもよいし、１つの回路層からなってもよい。
このような回路層１２は、セラミックス基板１１に接合された第１回路層１２１と、第１回路層１２１の上面に接合された第２回路層１２２とを備えている。
回路層１２は、セラミックス基板１１よりも若干小さい矩形板状に形成されている。この回路層１２は、図１に示す例では、２つの小回路層により構成され、その上にそれぞれ電子部品３０が配置されている。なお、回路層１２は、２つの小回路層に限らず、３つ以上の小回路層から構成されてもよいし、１つの回路層からなってもよい。
このような回路層１２は、セラミックス基板１１に接合された第１回路層１２１と、第１回路層１２１の上面に接合された第２回路層１２２とを備えている。
【0021】
これらのうち第１回路層１２１は、純度９９質量％以上の純アルミニウムが用いられ、ＪＩＳ規格では１０００番台の純アルミニウム、特に１Ｎ９０（純度９９．９質量％以上：いわゆる３Ｎアルミニウム）又は１Ｎ９９（純度９９．９９質量％以上：いわゆる４Ｎアルミニウム）を用いることができる。一方、第２回路層１２２は、Ａ６０６３系等のアルミニウム合金が用いられている。例えば、第１回路層１２１の厚さは、０．４ｍｍ～１．６ｍｍに設定され、第２回路層１２２の厚さは、０．５ｍｍ～１．５ｍｍに設定されている。
【0022】
［金属層の構成］
金属層１３は、セラミックス基板１１よりも若干小さい矩形状に形成されている。この金属層１３には、純度９９質量％以上の純アルミニウム又はアルミニウム合金が用いられ、ＪＩＳ規格では１０００番台のアルミニウム、特に１Ｎ９９（純度９９．９９質量％以上：いわゆる４Ｎアルミニウム）を用いることができる。例えば、金属層１３の厚さは、０．４ｍｍ～１．６ｍｍに設定されている。
金属層１３は、セラミックス基板１１よりも若干小さい矩形状に形成されている。この金属層１３には、純度９９質量％以上の純アルミニウム又はアルミニウム合金が用いられ、ＪＩＳ規格では１０００番台のアルミニウム、特に１Ｎ９９（純度９９．９９質量％以上：いわゆる４Ｎアルミニウム）を用いることができる。例えば、金属層１３の厚さは、０．４ｍｍ～１．６ｍｍに設定されている。
【0023】
［ヒートシンクの構成］
この絶縁回路基板１０に接合されるヒートシンク２０は、Ａ６０６３系等のアルミニウム合金からなる板材により形成される。そして、金属層１３に接合されるヒートシンクの中央部２１に、絶縁回路基板１０の少なくとも一部が収容される収容凹部２２が形成され、収容凹部２２の外周側に厚肉部分が残されることにより周壁部２３が形成されている。この収容凹部２２の底面に絶縁回路基板１０の金属層１３が、アルミニウム系のろう材箔１４（図３参照）を介して積層し、これらを積層方向に加圧して加熱することにより絶縁回路基板１０にヒートシンク２０が接合される。
例えば、ヒートシンク２０の中央部２１は、平面視で７７ｍｍ×６７ｍｍ、周壁部２３の外径は、平面視で１００ｍｍ×８０ｍｍとされ、絶縁回路基板１０は、平面視で７５ｍｍ×６５ｍｍとされている。
この絶縁回路基板１０に接合されるヒートシンク２０は、Ａ６０６３系等のアルミニウム合金からなる板材により形成される。そして、金属層１３に接合されるヒートシンクの中央部２１に、絶縁回路基板１０の少なくとも一部が収容される収容凹部２２が形成され、収容凹部２２の外周側に厚肉部分が残されることにより周壁部２３が形成されている。この収容凹部２２の底面に絶縁回路基板１０の金属層１３が、アルミニウム系のろう材箔１４（図３参照）を介して積層し、これらを積層方向に加圧して加熱することにより絶縁回路基板１０にヒートシンク２０が接合される。
例えば、ヒートシンク２０の中央部２１は、平面視で７７ｍｍ×６７ｍｍ、周壁部２３の外径は、平面視で１００ｍｍ×８０ｍｍとされ、絶縁回路基板１０は、平面視で７５ｍｍ×６５ｍｍとされている。
【0024】
また、ヒートシンク２０は、中央部２１の厚み寸法（収容凹部２２の底面部分の厚み寸法）が周壁部２３の厚み寸法よりも薄く形成されている。本実施形態においては、ヒートシンク２０がＡ６０６３系アルミニウム合金からなる総厚２．１ｍｍ～６．８ｍｍの板材により形成され、周壁部２３の厚み寸法が２．１ｍｍ～６．８ｍｍ、収容凹部２２の底面部分の厚み寸法が０．５ｍｍ～１．５ｍｍに設定されている。このヒートシンク２０の中央部２１の下面２１ｂには、複数のピン状フィン２５が立設され、このピン状フィン２５の先端位置は水平面上に揃えられ、下面２１ｂの表面からほぼ等しい立設高さとなるように形成されている。
【0025】
さらに、ヒートシンク２０の収容凹部２２の周壁部２３の内側側面２３０にろう溜まり凹部２３１が形成されている。ろう溜まり凹部２３１は、図１及び２に示すように、内側側面２３０におけるセラミックス基板１１よりも下側（セラミックス基板１１よりも収容凹部２２の底面側）に位置している。
【0026】
また、ろう溜まり凹部２３１は、図５に示すように、周壁部２３の内側側面２３０の全周にわたって形成される溝部により構成されている。また、ろう溜まり凹部２３１の縦幅ｗ１は、絶縁回路基板１０とヒートシンク２０とを接合する際に用いられるろう材箔１４（図３参照）の厚さよりも大きく形成され、例えば、その厚さは０．０５ｍｍ～０．５ｍｍに設定されている。このろう溜まり凹部２３１の縦幅ｗ１がろう材箔１４の厚さより小さいと、余剰なろう材を保持できなくなる可能性がある。
また、ろう溜まり凹部２３１は、ヒートシンク２０に絶縁回路基板１０をろう付けする際に生じた余剰な溶融ろうを溜めおく必要があるため、その深さｈ１は、例えば、０．０５ｍｍ～１０ｍｍに設定されている。
また、ろう溜まり凹部２３１は、ヒートシンク２０に絶縁回路基板１０をろう付けする際に生じた余剰な溶融ろうを溜めおく必要があるため、その深さｈ１は、例えば、０．０５ｍｍ～１０ｍｍに設定されている。
【0027】
例えば、図３に示すろう材箔１４の平面視における縦寸法がＸｍｍ、横寸法がＹｍｍに形成され、絶縁回路基板１０とヒートシンク２０との接合に最低必要なろう材箔１４の厚さが０．０１ｍｍであると推定される場合、上記接合に必要なろう材箔１４の体積は、０．０１・Ｘ・Ｙｍｍ３となる。この場合において、ろう材箔１４の厚さが０．０３ｍｍである場合、余剰となるろう材の体積は０．０２・Ｘ・Ｙｍｍ３となる。このため、ろう溜まり凹部２３１の体積は、０．０２・Ｘ・Ｙｍｍ３以上であることが好ましい。
この場合、接合に必要なろう材箔の厚さより大きい厚さである０．０３ｍｍの厚さのろう材箔１４を用いるのは、最低必要な厚さである０．０１ｍｍであるとした場合、絶縁回路基板１０とヒートシンク２０との位置ずれ等により、これらの接合が安定せず、接合率が低下するおそれがあるためである。
ろう溜まり凹部２３１の体積が上記のように設定されているので、このろう溜まり凹部２３１には、図２に示すように、上記ろう付けの際に周壁部２３の内側側面２３０を這い上がった溶融ろうが確実に流入し、固化する。
この場合、接合に必要なろう材箔の厚さより大きい厚さである０．０３ｍｍの厚さのろう材箔１４を用いるのは、最低必要な厚さである０．０１ｍｍであるとした場合、絶縁回路基板１０とヒートシンク２０との位置ずれ等により、これらの接合が安定せず、接合率が低下するおそれがあるためである。
ろう溜まり凹部２３１の体積が上記のように設定されているので、このろう溜まり凹部２３１には、図２に示すように、上記ろう付けの際に周壁部２３の内側側面２３０を這い上がった溶融ろうが確実に流入し、固化する。
【0028】
なお、このようなヒートシンク２０の外周縁には、例えば図６に示すように、ケース４０等の各種機器への取り付けの際にねじ止めを行うための締結穴２６が形成されている。
また、ヒートシンク２０に立設されるフィンの形状は特に限定されるものではなく、本実施形態のようなピン状フィン２５の他、ひし形フィンや帯板状のフィン等を形成することもできる。
また、ヒートシンク２０に立設されるフィンの形状は特に限定されるものではなく、本実施形態のようなピン状フィン２５の他、ひし形フィンや帯板状のフィン等を形成することもできる。
【0029】
なお、パワーモジュール１００を構成する電子部品３０は、必ずしも限定されるものではないが、回路層１２の表面に形成されたＮｉめっき（不図示）上に、Ｓｎ－Ａｇ－Ｃｕ系、Ｚｎ－Ａｌ系、Ｓｎ－Ａｇ系、Ｓｎ－Ｃｕ系、Ｓｎ－Ｓｂ系もしくはＰｂ－Ｓｎ系等のはんだ材を用いて接合される。また、電子部品３０と回路層１２の端子部との間は、アルミニウムからなるボンディングワイヤ（不図示）により接続される。
【0030】
［ヒートシンク付き絶縁回路基板の製造方法］
次に、本実施形態のヒートシンク付き絶縁回路基板１の製造方法について説明する。
その製造方法は、セラミックス基板１１に回路層１２及び金属層１３を接合して絶縁回路基板１０を形成する絶縁回路基板形成工程と、絶縁回路基板１０にヒートシンク２０を接合するヒートシンク接合工程とからなる。以下、この工程順に説明する。
次に、本実施形態のヒートシンク付き絶縁回路基板１の製造方法について説明する。
その製造方法は、セラミックス基板１１に回路層１２及び金属層１３を接合して絶縁回路基板１０を形成する絶縁回路基板形成工程と、絶縁回路基板１０にヒートシンク２０を接合するヒートシンク接合工程とからなる。以下、この工程順に説明する。
【0031】
（絶縁回路基板形成工程）
第１回路層１２１、セラミックス基板１１、金属層１３を、それぞれＡｌ－Ｓｉ系、Ａｌ－Ｇｅ系、Ａｌ－Ｃｕ系、Ａｌ－Ｍｇ系、Ａｌ－Ｍｎ系、又はＡｌ－Ｓｉ－Ｍｇ系ろう材箔を介して積層し、その積層体を積層方向に加圧した状態で加熱した後、冷却することにより、セラミックス基板１１の一方の面１１ａに第１回路層１２１、他方の面１１ｂに金属層１３が接合される。
このときの接合条件は、必ずしも限定されるものではないが、真空雰囲気中で、積層方向の加圧力が０．３ＭＰａ～１．５ＭＰａで、６３０℃以上６５５℃以下の加熱温度に２０分以上１２０分以下保持するのが好適である。
第１回路層１２１、セラミックス基板１１、金属層１３を、それぞれＡｌ－Ｓｉ系、Ａｌ－Ｇｅ系、Ａｌ－Ｃｕ系、Ａｌ－Ｍｇ系、Ａｌ－Ｍｎ系、又はＡｌ－Ｓｉ－Ｍｇ系ろう材箔を介して積層し、その積層体を積層方向に加圧した状態で加熱した後、冷却することにより、セラミックス基板１１の一方の面１１ａに第１回路層１２１、他方の面１１ｂに金属層１３が接合される。
このときの接合条件は、必ずしも限定されるものではないが、真空雰囲気中で、積層方向の加圧力が０．３ＭＰａ～１．５ＭＰａで、６３０℃以上６５５℃以下の加熱温度に２０分以上１２０分以下保持するのが好適である。
【0032】
そして、第１回路層１２１上にアルミニウム系ろう材箔を介して積層し、その積層体を積層方向に加圧した状態で加熱した後、冷却することにより、第１回路層１２１と第２回路層１２２とを強固に接合する。このろう材箔は、例えば、Ａｌ－Ｓｉ系やＡｌ－Ｓｉ－Ｍｇ系ろう材箔を用いることもできるが、好適には、Ａ３００３等のアルミニウム合金の両面にＡｌ－Ｓｉ－Ｍｇ系ろう材（一例として、Ａｌ－１０．５質量％Ｓｉ－１．５質量％Ｍｇ）が形成されたアルミニウム合金クラッド材を用いるとよい。このような、クラッド材を用いると、比較的固相線温度の低いアルミニウム合金からなる第２回路層１２２を比較的低温で接合することができる。この積層方向の加圧力は、０．１ＭＰａ～０．５ＭＰａで、５９０℃以上６１５℃以下の加熱温度に３分以上２０分以下保持するのが好適である。
これにより、セラミックス基板１１の一方の面に回路層１２（第１回路層１２１及び第２回路層１２２）が形成され、他方の面に金属層１３が形成された絶縁回路基板１０が形成される。
これにより、セラミックス基板１１の一方の面に回路層１２（第１回路層１２１及び第２回路層１２２）が形成され、他方の面に金属層１３が形成された絶縁回路基板１０が形成される。
【0033】
（ヒートシンク接合工程）
そして、図３に示すように、絶縁回路基板１０の金属層１３の下面と、ヒートシンク２０の収容凹部２２の底面（中央部２１）との間にアルミニウム系ろう材箔１４を介在させ、積層方向に加圧した状態で加熱することにより、金属層１３とヒートシンク２０とを接合する。なお、アルミニウム系ろう材箔１４としては、例えば、Ａｌ－Ｓｉ系やＡｌ－Ｓｉ－Ｍｇ系ろう材箔を用いることもできるが、ヒートシンクが比較的の固相線温度が低いアルミニウム合金から構成されることから、Ａ３００３等のアルミニウム合金の両面にＡｌ－Ｓｉ－Ｍｇ系ろう材が形成されたアルミニウム合金クラッド材を用いることが好適である。
これにより、絶縁回路基板１０にヒートシンク２０が接合され、図４に示すヒートシンク付き絶縁回路基板１が形成される。
なお、この積層方向の加圧力は、０．１ＭＰａ～０．５ＭＰａで、５９０℃以上６１５℃以下の加熱温度に３分以上２０分以下保持するのが好適である。
そして、図３に示すように、絶縁回路基板１０の金属層１３の下面と、ヒートシンク２０の収容凹部２２の底面（中央部２１）との間にアルミニウム系ろう材箔１４を介在させ、積層方向に加圧した状態で加熱することにより、金属層１３とヒートシンク２０とを接合する。なお、アルミニウム系ろう材箔１４としては、例えば、Ａｌ－Ｓｉ系やＡｌ－Ｓｉ－Ｍｇ系ろう材箔を用いることもできるが、ヒートシンクが比較的の固相線温度が低いアルミニウム合金から構成されることから、Ａ３００３等のアルミニウム合金の両面にＡｌ－Ｓｉ－Ｍｇ系ろう材が形成されたアルミニウム合金クラッド材を用いることが好適である。
これにより、絶縁回路基板１０にヒートシンク２０が接合され、図４に示すヒートシンク付き絶縁回路基板１が形成される。
なお、この積層方向の加圧力は、０．１ＭＰａ～０．５ＭＰａで、５９０℃以上６１５℃以下の加熱温度に３分以上２０分以下保持するのが好適である。
【0034】
なお、第１回路層１２１と第２回路層１２２との接合と、ヒートシンク接合工程は同時に行うことが可能である。この場合、同じアルミニウム系ろう材箔１４を用いることが好ましい。すなわち、第１回路層１２１とセラミックス基板１１と金属層１３の接合体に対し、第１回路層１２１上にアルミニウム系ろう材箔１４を介して第２回路層１２２を積層するとともに、ヒートシンク２０上にアルミニウム系ろう材箔１４を介して金属層１３が接触するように積層し、この積層体を積層方向に加圧しながら加熱して、第１回路層１２１と第２回路層１２２とを接合するとともに、ヒートシンク２０と金属層１３とを接合してヒートシンク付き絶縁回路基板１を製造することができる。なお、この積層方向の加圧力は、０．１ＭＰａ～０．５ＭＰａで、５９０℃以上６１５℃以下の加熱温度に３分以上２０分以下保持するのが好適である。
【0035】
そして、上記製造方法により製造されたヒートシンク付き絶縁回路基板１の回路層１２の表面に半導体チップ等の電子部品３０が搭載され、その上に樹脂材６０がモールドされることにより、パワーモジュール１００が製造される。
【0036】
ここで、ヒートシンク接合工程において、アルミニウム系ろう材箔１４を用いて絶縁回路基板１０をヒートシンク２０に接合すると、余剰な溶融ろうがヒートシンク２０における収容凹部２２の底面から周壁部２３の内側側面２３０を這い上がる。特に、アルミニウム系ろう材箔にＭｇを含む場合や、上述した、Ａ３００３等のアルミ合金の両面にＡｌ－Ｓｉ－Ｍｇ系ろう材が形成されたアルミニウム合金クラッド材を用いた場合には、ろう材が溶融しやすいため、このような這い上がりが顕著に生じる。
周壁部２３の内側側面２３０において、このような残存ろう１４ａが固定された領域は、残存ろうが固定されていない領域に比べて樹脂密着性が低いため、収容凹部２２内に樹脂材６０を注入してモールドした場合、樹脂材６０と周壁部２３との密着性が低下する。特に、アルミニウム系ろう材箔１４がＭｇを多く含んでいると、残存ろう１４ａの表面にＭｇが拡散し、酸化被膜がＭｇＯを含む多孔質な被膜となるため、収容凹部２２内に樹脂材６０を注入してモールドした場合、樹脂材６０と周壁部２３との密着性がより低下する。
周壁部２３の内側側面２３０において、このような残存ろう１４ａが固定された領域は、残存ろうが固定されていない領域に比べて樹脂密着性が低いため、収容凹部２２内に樹脂材６０を注入してモールドした場合、樹脂材６０と周壁部２３との密着性が低下する。特に、アルミニウム系ろう材箔１４がＭｇを多く含んでいると、残存ろう１４ａの表面にＭｇが拡散し、酸化被膜がＭｇＯを含む多孔質な被膜となるため、収容凹部２２内に樹脂材６０を注入してモールドした場合、樹脂材６０と周壁部２３との密着性がより低下する。
【0037】
本実施形態では、内側側面２３０にろう溜まり凹部２３１が形成されているので、図２に示すように、ヒートシンク２０における収容凹部２２の底面と絶縁回路基板１０の金属層１３とを上記ろう材箔１４を用いて接合する際に生じる余剰な溶融ろうは、ろう溜まり凹部２３１に溜まる。そして、積層体の加熱が終了して、これが冷却されると、溶融ろうが固化して残存ろう１４ａとなり、この残存ろう１４ａが内側側面２３０のセラミックス基板１１よりも下側の一部及びろう溜まり凹部２３１内に固定される。
【0038】
この点、周壁部２３の内側側面２３０において、ろう溜まり凹部２３１がセラミックス基板１１よりも収容凹部２２の底面とは反対側（セラミックス基板１１より上側）に形成されていると、周壁部２３における溶融ろうが這い上がる領域が広くなるため、樹脂密着性が低下する。
また、本実施形態では、セラミックス基板１１の周縁部は、回路層１２や金属層１３の周縁部より外方に張り出して形成されている。このため、収容凹部２２が樹脂材６０によりモールドされた場合、セラミックス基板１１の周縁部は、冷熱サイクル時において樹脂材６０への応力が最も高くなる。また、周壁部２３における残存ろう１４ａが固定された領域は、残存ろう１４ａが固定されていない領域に比べて樹脂密着性が低いことから、ろう溜まり凹部２３１を周壁部２３の内側側面２３０におけるセラミックス基板１１の周縁部と対向する位置に形成すると、樹脂密着性が低い部分と応力が最もかかる部分とが近接することとなるので、モールドされた樹脂材６０が剥がれやすくなる。
このため、本実施形態では、周壁部２３の内側側面２３０におけるセラミックス基板１１よりも下側にろう溜まり凹部２３１を形成している。
また、本実施形態では、セラミックス基板１１の周縁部は、回路層１２や金属層１３の周縁部より外方に張り出して形成されている。このため、収容凹部２２が樹脂材６０によりモールドされた場合、セラミックス基板１１の周縁部は、冷熱サイクル時において樹脂材６０への応力が最も高くなる。また、周壁部２３における残存ろう１４ａが固定された領域は、残存ろう１４ａが固定されていない領域に比べて樹脂密着性が低いことから、ろう溜まり凹部２３１を周壁部２３の内側側面２３０におけるセラミックス基板１１の周縁部と対向する位置に形成すると、樹脂密着性が低い部分と応力が最もかかる部分とが近接することとなるので、モールドされた樹脂材６０が剥がれやすくなる。
このため、本実施形態では、周壁部２３の内側側面２３０におけるセラミックス基板１１よりも下側にろう溜まり凹部２３１を形成している。
【0039】
本実施形態のヒートシンク付き絶縁回路基板１では、周壁部２３の内側側面２３０におけるセラミックス基板１１よりも収容凹部２２の底面側に位置するろう溜まり凹部２３１に溶融ろうが溜まることから、周壁部２３の内側側面２３０における溶融ろうが這い上がる領域を小さくできる。このため、残存ろう１４ａに樹脂密着性を低下させるマグネシウムが含まれている場合でも、収容凹部２２が樹脂材６０によりモールドされた場合の樹脂密着性を向上できる。また、セラミックス基板１１の周縁部と同じ高さにろう溜まり凹部２３１が形成されないことから、セラミックス基板１１の樹脂材６０への応力が最も高くなる部位とは離れた位置に残存ろう１４ａが固定されるので、収容凹部２２から樹脂材がはがれることを抑制できる。さらに、ろう溜まり凹部２３１が周壁部２３の内側側面２３０の全周にわたって形成されているので、余剰な溶融ろうを、ろう溜まり凹部２３１に確実に溜めることができる。
また、ヒートシンク付き絶縁回路基板１を用いたパワーモジュール１００は、周壁部２３の内側側面２３０における残存ろう１４ａが固定される領域を小さくすることで、周壁部２３の内側側面２３０と樹脂との密着性を高めることができ、信頼性の高いパワーモジュールを提供できる。
なお、周壁部２３の内側側面２３０にろう溜まり凹部２３１が形成されているので、周壁部２３の上面２４に溶融ろうが這い上がることがないため、その外観も合わせて向上できる。
また、ヒートシンク付き絶縁回路基板１を用いたパワーモジュール１００は、周壁部２３の内側側面２３０における残存ろう１４ａが固定される領域を小さくすることで、周壁部２３の内側側面２３０と樹脂との密着性を高めることができ、信頼性の高いパワーモジュールを提供できる。
なお、周壁部２３の内側側面２３０にろう溜まり凹部２３１が形成されているので、周壁部２３の上面２４に溶融ろうが這い上がることがないため、その外観も合わせて向上できる。
【0040】
［第２実施形態］
図７は、第２実施形態に係るヒートシンク付き絶縁回路基板１Ａを示す断面図である。なお、以下の説明では、第１実施形態と同一又は略同一の構成については、同じ番号を付し、説明を省略又は簡略化して説明する。
本実施形態では、ろう溜まり凹部２３１Ａは、周壁部２３の内側側面２３０における収容凹部２２の底面側の端部に形成されている。具体的には、収容凹部２２の底面とろう溜まり凹部２３１Ａの底面とが一致している。このため、絶縁回路基板１０とヒートシンク２０とを接合する際に生じた余剰な溶融ろうは、収容凹部２２の底面を伝って、直接ろう溜まり凹部２３１Ａへと流入し、ろう溜まり凹部２３１Ａ内に溜められることとなる。
図７は、第２実施形態に係るヒートシンク付き絶縁回路基板１Ａを示す断面図である。なお、以下の説明では、第１実施形態と同一又は略同一の構成については、同じ番号を付し、説明を省略又は簡略化して説明する。
本実施形態では、ろう溜まり凹部２３１Ａは、周壁部２３の内側側面２３０における収容凹部２２の底面側の端部に形成されている。具体的には、収容凹部２２の底面とろう溜まり凹部２３１Ａの底面とが一致している。このため、絶縁回路基板１０とヒートシンク２０とを接合する際に生じた余剰な溶融ろうは、収容凹部２２の底面を伝って、直接ろう溜まり凹部２３１Ａへと流入し、ろう溜まり凹部２３１Ａ内に溜められることとなる。
【0041】
ここで、第１実施形態のように、ろう溜まり凹部２３１が周壁部２３の内側側面２３０の中間部（セラミックス基板１１よりも下側の中間部）に形成されている場合、内側側面２３０におけるろう溜まり凹部２３１に達するまでの領域には、残存ろう１４ａが固定されることとなる。
これに対し、本実施形態では、ろう溜まり凹部２３１Ａが周壁部２３の内側側面２３０における底面側の端部に形成されているので、溶融ろうの内側側面２３０の這い上がりを確実に抑制できる。また、内側側面２３０の大部分に残存ろう１４ａが固定されることがないので、収容凹部２２内に樹脂材６０をモールドした際における樹脂密着性をさらに向上できる。
これに対し、本実施形態では、ろう溜まり凹部２３１Ａが周壁部２３の内側側面２３０における底面側の端部に形成されているので、溶融ろうの内側側面２３０の這い上がりを確実に抑制できる。また、内側側面２３０の大部分に残存ろう１４ａが固定されることがないので、収容凹部２２内に樹脂材６０をモールドした際における樹脂密着性をさらに向上できる。
【0042】
［第３実施形態］
図８は、第３実施形態に係るヒートシンク付き絶縁回路基板１Ｂの一部を拡大して示す断面図であり、図９は、第３実施形態に係るヒートシンク付き絶縁回路基板１Ｂの側面を示す側面図である。
本実施形態では、ろう溜まり凹部２３１Ｂは、図８に示すように、上記第１実施形態と同様に周壁部２３の内側側面２３０におけるセラミックス基板１１よりも収容凹部２２の底面側に形成されている。このろう溜まり凹部２３１Ｂは、図９に示すように、複数（例えば、２０個）の細長い溝部からなり、例えば、１つの溝部の縦幅ｗ１が０．２ｍｍ、横寸法ｗ２が５ｍｍ、深さ寸法ｈ１が５ｍｍとされる。これら複数の溝部のそれぞれは、所定の間隔をあけて断続的に配置され、隣り合う溝部の間隔ｗ３は、例えば、０．０５ｍｍ～１０ｍｍとされる。また、このろう溜まり凹部２３１Ｂを構成する複数の溝部の体積の総和は、絶縁回路基板１０とヒートシンク２０とを接合する際に生じた余剰な溶融ろうの体積よりも大きく設定されている。
図８は、第３実施形態に係るヒートシンク付き絶縁回路基板１Ｂの一部を拡大して示す断面図であり、図９は、第３実施形態に係るヒートシンク付き絶縁回路基板１Ｂの側面を示す側面図である。
本実施形態では、ろう溜まり凹部２３１Ｂは、図８に示すように、上記第１実施形態と同様に周壁部２３の内側側面２３０におけるセラミックス基板１１よりも収容凹部２２の底面側に形成されている。このろう溜まり凹部２３１Ｂは、図９に示すように、複数（例えば、２０個）の細長い溝部からなり、例えば、１つの溝部の縦幅ｗ１が０．２ｍｍ、横寸法ｗ２が５ｍｍ、深さ寸法ｈ１が５ｍｍとされる。これら複数の溝部のそれぞれは、所定の間隔をあけて断続的に配置され、隣り合う溝部の間隔ｗ３は、例えば、０．０５ｍｍ～１０ｍｍとされる。また、このろう溜まり凹部２３１Ｂを構成する複数の溝部の体積の総和は、絶縁回路基板１０とヒートシンク２０とを接合する際に生じた余剰な溶融ろうの体積よりも大きく設定されている。
【0043】
このため、本実施形態においても絶縁回路基板１０とヒートシンク２０とを接合する際に生じた余剰な溶融ろうは、収容凹部２２の底面及び周壁部２３を伝って、ろう溜まり凹部２３１Ｂ（複数の溝部）へと流入し、ろう溜まり凹部２３１Ｂ内に溜められることとなることから、周壁部２３の内側側面２３０における溶融ろうが這い上がる領域を小さくできる。
【0044】
［第４実施形態］
図１０は、第４実施形態に係るヒートシンク付き絶縁回路基板１Ｃの一部を拡大して示す断面図であり、図１１は、第４実施形態に係るヒートシンク付き絶縁回路基板１Ｃの側面を示す側面図である。
本実施形態では、ろう溜まり凹部２３２は、図１０に示すように、周壁部２３の内側側面２３０におけるセラミックス基板１１よりも収容凹部２２の底面側に形成されている。このろう溜まり凹部２３２は、図１１に示すように、複数（例えば、３２個）の貫通孔からなり、例えば、１つの貫通孔の径ｗ１が０．２ｍｍとされる。これら複数の貫通孔のそれぞれは、所定の間隔をあけて断続的に配置され、隣り合う貫通孔の間隔ｗ４は、例えば、０．０５ｍｍ～１０ｍｍとされる。
なお、本実施形態では、ろう溜まり凹部２３２が複数の貫通孔により構成されているため、複数の貫通孔の体積の総和は、絶縁回路基板１とヒートシンク２０とを接合する際に生じた余剰な溶融ろうの体積よりも大きくする必要はない。
図１０は、第４実施形態に係るヒートシンク付き絶縁回路基板１Ｃの一部を拡大して示す断面図であり、図１１は、第４実施形態に係るヒートシンク付き絶縁回路基板１Ｃの側面を示す側面図である。
本実施形態では、ろう溜まり凹部２３２は、図１０に示すように、周壁部２３の内側側面２３０におけるセラミックス基板１１よりも収容凹部２２の底面側に形成されている。このろう溜まり凹部２３２は、図１１に示すように、複数（例えば、３２個）の貫通孔からなり、例えば、１つの貫通孔の径ｗ１が０．２ｍｍとされる。これら複数の貫通孔のそれぞれは、所定の間隔をあけて断続的に配置され、隣り合う貫通孔の間隔ｗ４は、例えば、０．０５ｍｍ～１０ｍｍとされる。
なお、本実施形態では、ろう溜まり凹部２３２が複数の貫通孔により構成されているため、複数の貫通孔の体積の総和は、絶縁回路基板１とヒートシンク２０とを接合する際に生じた余剰な溶融ろうの体積よりも大きくする必要はない。
【0045】
このため、本実施形態では、絶縁回路基板１０とヒートシンク２０とを接合する際に生じた余剰な溶融ろうは、収容凹部２２の底面及び周壁部２３を伝って、ろう溜まり凹部２３２（複数の貫通孔）へと流入し、ろう溜まり凹部２３２内に溜まるか、若しくは、周壁部２３の外周面側へと流れ出ることから、周壁部２３の内側側面２３０における溶融ろうが這い上がる領域を小さくできる。
【0046】
その他、細部構成は実施形態の構成のものに限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、上記各実施形態では、第２回路層１２２は、Ａ６０６３系等のアルミニウム合金が用いられることとしたが、これに限らず、銅又は銅合金を用いてもよい。また、回路層１２は、第１回路層１２１及び第２回路層１２２を備えることとしたが、これに限らず、純アルミニウム又はアルミニウム合金からなる１層構造であってもよい。
例えば、上記各実施形態では、第２回路層１２２は、Ａ６０６３系等のアルミニウム合金が用いられることとしたが、これに限らず、銅又は銅合金を用いてもよい。また、回路層１２は、第１回路層１２１及び第２回路層１２２を備えることとしたが、これに限らず、純アルミニウム又はアルミニウム合金からなる１層構造であってもよい。
【0047】
また、上記実施形態では、金属層１３を純アルミニウム又はアルミニウム合金からなる１層構造であることとしたが、回路層１２のように第１金属層及び第２金属層を有する２層構造であってもよい。この場合、第１金属層及び第２金属層を第１回路層１２１及び第２回路層１２２と同じ組成としてもよいし、第１金属層を純アルミニウム又はアルミニウム合金により形成し、第２金属層を銅又は銅合金により形成してもよい。
【0048】
上記第３実施形態及び第４実施形態では、ろう溜まり凹部２３１Ｂ，２３２は、第１実施形態と同じ位置に形成されていることとしたが、これに限らず、ろう溜まり凹部２３１Ｂ，２３２の底面と収容凹部２２の底面とを一致させるよう形成にしてもよい。
【0049】
上記実施形態では、ヒートシンク付き絶縁回路基板１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃを用いた電子機器としてパワーモジュール１００を例示したが、これに限らず、ヒートシンク付き絶縁回路基板１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃは、例えば、ＬＥＤモジュール等、その他の電子機器にも適用できる。
【符号の説明】
【0050】
１ １Ａ １Ｂ １Ｃ ヒートシンク付き絶縁回路基板
１０ 絶縁回路基板
１１ セラミックス基板
１２ 回路層
１２１ 第１回路層
１２２ 第２回路層
１３ 金属層
１４ アルミニウム系ろう材箔
１４ａ 残存ろう
２０ ヒートシンク
２１ 中央部
２２ 収容凹部
２３ 周壁部
２３０ 内側側面
２３１ ２３１Ａ ２３１Ｂ ろう溜まり凹部
２３２ ろう溜まり凹部
２４ 上面
２５ ピン状フィン
２６ 締結穴
３０ 電子部品
４０ ケース
４１ 開口部
４２ パッキン収容溝
４３ ねじ穴
５０ パッキン
６０ 樹脂材
１００ パワーモジュール（電子機器）
１０ 絶縁回路基板
１１ セラミックス基板
１２ 回路層
１２１ 第１回路層
１２２ 第２回路層
１３ 金属層
１４ アルミニウム系ろう材箔
１４ａ 残存ろう
２０ ヒートシンク
２１ 中央部
２２ 収容凹部
２３ 周壁部
２３０ 内側側面
２３１ ２３１Ａ ２３１Ｂ ろう溜まり凹部
２３２ ろう溜まり凹部
２４ 上面
２５ ピン状フィン
２６ 締結穴
３０ 電子部品
４０ ケース
４１ 開口部
４２ パッキン収容溝
４３ ねじ穴
５０ パッキン
６０ 樹脂材
１００ パワーモジュール（電子機器）
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】