特許7339559IP Force 特許公報全文掲載

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技術分野

発光素子

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

このような発光素子において、発光部における活性層の面積を確保しつつ発光分布を改善することが望まれる。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の一発光素子は、上面視形状が四角形の基板と、前記基板上に設けられた第１発光部及び第２発光部であって、前記第１発光部及び前記第２発光部のそれぞれは、第１導電型の第１半導体層と、第２導電型の第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に位置する活性層と、を含む前記第１発光部及び前記第２発光部と、前記第１発光部及び前記第２発光部を覆い、前記第１発光部及び前記第２発光・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の一発光素子によれば、発光部における活性層の面積を確保しつつ発光分布が改善された発光素子を提供できる。

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 第１発光素子を示す模式上面図である。
【図2A】 図１のＩＩＡ－ＩＩＡ線における模式断面図である。
【図2B】 図１のＩＩＢ－ＩＩＢ線における模式断面図である。
【図2C】 第１発光素子を示す模式上面図である。
【図3A】 第２発光素子を示す模式上面図である。
【図3B】 第２発光素子の第１変形例を示す模式断面図である。
【図3C】 図３Ｂの発光素子の回路構成図である。
【図3D】 第２発光素子の第２変形例を示す模式断面図である。
【図4】 第３発光素子を示す模式上面図である。
【図5】 第４発光素子を示す模式上面図である。
【図6A】 第１発光素子を用いた発光装置を示す模式斜視図である。
【図6B】 第１発光素子を用いた発光装置を示す模式斜視図である。
【図7】 図６ＢのＶＩＩ－ＶＩＩ線における模式断面図である。
【図8A】 第１発光素子を用いた発光装置を示す模式斜視図である。
【図8B】 第１発光素子を用いた発光装置を示す模式斜視図である。
【図9】 図８ＢのＩＸ－ＩＸ線における模式断面図である。
【図10】 第２第２変形例の発光素子を用いた発光装置を示す模式断面図である。

代表図 図1本件の代表的な図

１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｂ１、１０Ｂ２、１０Ｃ、１０Ｄ 発光素子 １１ 基板 １１Ｒ 露出部 １２Ａ 第１発光部 １２Ｂ 第２発光部 １２ｎ 第１半導体層 １２ｎａ 第１部分 １２ｎｂ 第２部分 １２ａ 活性層 １２ｐ 第２半導体層 １３ 光反射性電極 １４ 絶縁層 １４ｎ 第１開口部 １４ｐ 第２開口部 １５ 第１電極 １５１ 第１配線部 １５２ 第１外部接続部 １６ 第２電極 １６１ 第２配線部 １６２ 第２外部接続部 １７ 第３電極 １７ａ 露出部 １８ シード電極 １８ａ 金属層 ２１ 第１対角線 ２２ 第２対角線 ３０ 保護膜 ３０ｎ 第３開口部 ３０ｐ 第４開口部 ４０ 被覆部材 ５０ 第１反射部材 ６０ 透光部材 ７０ 第２反射部材 １００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃ 発光装置

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