特許 7340693出願番号特願 2022-513419
圧電アセンブリおよび圧電アセンブリを形成する方法

出願人テーデーカー　エレクトロニクス　アーゲー（識別番号 518379278）

2026年特許公開件数ランキング 1448位 11件（※）

2026年特許取得件数ランキング 1656位 8件（※）

公報発行日　2023年9月7

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7340693　ログイン済みの方はこのURLへ

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※ 共同出願を含む

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本願は、圧電アセンブリおよび圧電アセンブリを形成する方法

シリコンウェハ基板の問題のため、安価な金属基板上へのペロブスカイト材料に基づく圧電膜の調製が試されており、いくつかの例は、文献に認められる。

の問題は、本願の請求項1の主題によって解決される。さらに有利な従属請求項に記載されている。また、前述の問題を解決する圧電アセンブリを形成するプロセスが特許請求される。

【図1】概略的断面図における圧電アセンブリの第1の例示的な実施形態を示した図である。

【図2】概略的断面図における圧電アセンブリの第2の例示的な実施形態を示した図である。

【図3】概略的断面図における圧電アセンブリの第3の例示的な実施形態を示した図である。

【図4】圧電アセンブリの第3の例示的な実施形態の一部の断面の走査型電子顕微鏡像を示した図である。

【図5】概略的な断面図における圧電アセンブリの第4の例示的な実施形態を示した図である。

【図6】曲がった状態の概略的な断面における圧電アセンブリの第4の例示的な実施形態を示した図である。

【図7】概略的な断面図における圧電アセンブリの第5の例示的な実施形態を示した図である。

【図8】概略的な断面図における圧電アセンブリの第6の例示的な実施形態を示した図である。

【図9】厚さ20μmの基板上および厚さ500μmの基板上の圧電アセンブリのX線回折パターンを示した図である。

【図10】厚さ20μmのステンレス鋼基板を有する圧電アセンブリの電気分極（図10A）および異なるDCバイアス電場における誘電率の実部（図10B）の電場依存性を示した図である。

【図11】 500μmの厚さの基板（図11A）および20μmの厚さの基板（図11C）についての相対歪み（S）の電場依存性と、500μmの基板（図11B）および20μmの厚さの基板（図11D）上の圧電膜についての異なるDCバイアス場における長手方向の圧電係数（d33）を示した図である。

1 圧電アセンブリ 2 基板 21 主基板表面 21’ 第2の基板表面 3 第1の配向層 3’ 配向層 31 緻密な配向サブ層 32 多孔質配向サブ層 33 緻密な配向サブ層 4 第1の圧電層 4’ 圧電層 5 電極 5’ 電極 6 第2の配向層 7 第2の圧電層 8 電極

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