特許 7340817 電解コンデンサおよびその製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2023-08-31

(45)【発行日】2023-09-08

(54)【発明の名称】電解コンデンサおよびその製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01G 9/07 20060101AFI20230901BHJP

   H01G 9/052 20060101ALI20230901BHJP

   H01G 9/02 20060101ALI20230901BHJP

   H01G 9/00 20060101ALI20230901BHJP

【ＦＩ】

H01G9/07

H01G9/052 509

H01G9/02

H01G9/00 290C

H01G9/00 290A

H01G9/00 290D

【請求項の数】 8

(21)【出願番号】P 2020503446

(86)(22)【出願日】2019-02-21

(86)【国際出願番号】 JP2019006441

(87)【国際公開番号】W WO2019167773

(87)【国際公開日】2019-09-06

【審査請求日】2022-01-25

(31)【優先権主張番号】P 2018035678

(32)【優先日】2018-02-28

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(73)【特許権者】

【識別番号】314012076

【氏名又は名称】パナソニックＩＰマネジメント株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110002745

【氏名又は名称】弁理士法人河崎特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】吉村 満久

(72)【発明者】

【氏名】青山 達治

(72)【発明者】

【氏名】栗原 直美

(72)【発明者】

【氏名】小川 美和

【審査官】木下 直哉

(56)【参考文献】

【文献】特開２００８－０４５１９０（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１７－１７５０９１（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第２０１７／１５４４６１（ＷＯ，Ａ１）

【文献】国際公開第２０１３／０４６８６９（ＷＯ，Ａ１）

【文献】国際公開第２０１７／１６３７２５（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特開２０１３－０５１２４４（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第９９／０６５０４３（ＷＯ，Ａ１）

【文献】国際公開第２０１５／１１８９０１（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特開２０１０－１６１１５１（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｇ ９／０７

Ｈ０１Ｇ ９／０５２

Ｈ０１Ｇ ９／０２

Ｈ０１Ｇ ９／００

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

電極箔を用いた陽極体と、セパレータと、陰極体とをこの順で積層した積層体を備え、
前記電極箔は、
多孔体部分を有する基材部を備える陽極用電極体と、
前記多孔体部分の表面に配置される誘電体層と、を備え、
前記陽極用電極体は、前記多孔体部分の細孔が開口する第１の主面、前記第１の主面の裏面である第２の主面、および、前記第１の主面と前記第２の主面とを連結する端面と、を備え、
前記多孔体部分において、前記端面から所定の距離以下の端面近傍領域での前記誘電体層の第１の膜厚が、前記第１の主面に平行な方向での中央部において前記第１の主面から離れた深部での前記誘電体層の第２の膜厚よりも大きく、
前記セパレータの端部が、絶縁層で被覆されている、
電解コンデンサ。

【請求項2】

前記端面近傍領域は、前記端面から少なくとも１μｍまでの領域を含む、
請求項１に記載の電解コンデンサ。

【請求項3】

前記誘電体層の前記第１の膜厚は、前記端面と前記誘電体層との距離が大きくなるに従って小さくなる、
請求項１または２に記載の電解コンデンサ。

【請求項4】

前記基材部は、前記多孔体部分と連続する多孔化されていない芯材部分を備え、
前記誘電体層は、前記芯材部分の前記端面にも形成されており、
前記芯材部分の前記端面での前記誘電体層の第３の膜厚が、前記第２の膜厚よりも大きい、
請求項１～３のいずれか１項に記載の電解コンデンサ。

【請求項5】

前記セパレータは、前記電極箔における前記基材部の前記第１の主面と対向する第３の主面を備え、
前記絶縁層が、前記第１の主面の前記第３の主面と対向する第１領域および前記第３の主面の前記第１の主面と対向する第２領域の少なくとも一方に配置されている、
請求項１～４のいずれか１項に記載の電解コンデンサ。

【請求項6】

多孔体部分を有する基材部を備える粗面化箔を準備する工程と、
前記基材部に第１誘電体層を形成する工程と、
前記粗面化箔を準備する工程の後に、前記粗面化箔を所定の位置で切断して、切断面において前記基材部が露出した陽極基材を形成する粗面化箔切断工程と、
前記陽極基材から陽極体を分離し、前記陽極体を含むコンデンサ素子を形成する工程と、
前記コンデンサ素子を形成する工程の後に、原子層堆積法によって、前記切断面に第２誘電体層を形成する工程と、を有し、
前記コンデンサ素子を形成する工程において、前記陽極体、セパレータ、陰極体がこの順で積層された積層体を形成し、
前記第２誘電体層で被覆する工程において、前記切断面に加えて、前記積層体の前記セパレータの端部に絶縁層を形成するとともに、前記セパレータの前記陽極体に対向する第１領域および前記陽極体の前記セパレータに対向する第２領域の少なくとも一方に前記絶縁層を形成する、
電解コンデンサの製造方法。

【請求項7】

前記第１誘電体層を形成する工程が、前記基材部に所定の第１電圧を印加して陽極酸化処理を行う工程であり、
前記陽極体に前記第１電圧よりも低い第２電圧を印加して陽極酸化処理を行い、前記切断面に第３誘電体層を形成する工程をさらに有する、
請求項６に記載の電解コンデンサの製造方法。

【請求項8】

前記第３誘電体層を形成する工程が、前記第２誘電体層を形成する工程の後に行われる、
請求項７に記載の電解コンデンサの製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、主として電解コンデンサの電極に関する。

【背景技術】

【0002】

電解コンデンサの陽極体には、弁作用金属を含む金属箔が用いられている。静電容量を増加させる観点から、金属素材の主面の少なくとも一部にエッチングなどの処理が施され、多孔体が形成される。その後、多孔体を化成処理して、多孔体の細孔もしくは凹凸の表面に、金属酸化物（誘電体）の層が形成される。

【0003】

化成処理により形成される金属酸化物層の特性（欠陥の数、ぬれ性など）は、製造後の電解コンデンサの容量、耐圧、および、漏れ電流に影響を与える。

【0004】

例えば、特許文献１では、静電容量を増加させるために、誘電体として、酸化アルミニウムとバルブ金属酸化物（酸化アルミニウムを除く。）との混合層である複合酸化皮膜を、バルブ金属酸化物前駆体溶液を用いて形成することを提案している。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【文献】特開２００３－２５７７９６号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

電解コンデンサの製造では、通常、大判の金属箔をエッチングし、化成処理を行った後、化成処理後の陽極箔を所定の形状および大きさに切断する。その後、陽極体、セパレータおよび陰極体の積層体をケースに収容し、電解コンデンサが組み立てられる。したがって、陽極箔の切断面には、金属酸化物層で被覆されていない金属層が露出し得る。金属層が露出すると、露出した金属層を介してリーク電流が流れることで、耐圧低下の一因となる。

【0007】

そこで、露出した金属層を介してリーク電流が流れるのを抑制するために、組立工程または組立後に再度の化成処理あるいはエージング処理を行い、切断部にも酸化被膜を形成することも行われている。

【0008】

しかしながら、切断部に形成された酸化被膜は、金属箔の化成とは異なる工程を経ているため、欠陥が多くなる。この結果、この切断部を介した耐圧の低下や漏れ電流の増加の抑制効果が不十分であった。

【課題を解決するための手段】

【0009】

以上に鑑み、本発明の第１の側面（以下において、適宜「第１の態様」という）に係る電解コンデンサ用電極箔は、多孔体部分を有する基材部を備える陽極用電極体と、前記多孔体部分の表面に配置される誘電体層と、を備え、前記陽極用電極体は、前記多孔体部分の細孔が開口する第１の主面、前記第１の主面の裏面である第２の主面、および、前記第１の主面と前記第２の主面とを連結する端面と、を備える。前記多孔体部分において、前記端面から所定の距離以下の端面近傍領域での前記誘電体層の第１の膜厚が、前記第１の主面に平行な方向での中央部において前記第１の主面から離れた深部での前記誘電体層の第２の膜厚よりも大きい。

【0010】

本発明の第２の側面（以下において、適宜「第２の態様」という）に係る電解コンデンサ用電極箔は、多孔体部分を有する基材部を備える陽極用電極体と、前記多孔体部分の表面に配置される誘電体層と、を備え、前記陽極用電極体は、前記多孔体部分の細孔が開口する第１の主面、前記第１の主面の裏面である第２の主面、および、前記第１の主面と前記第２の主面とを連結する端面と、を備える。前記誘電体層は、前記多孔体部分の前記表面に接触する第１誘電体層と、前記端面上および前記第１誘電体層上に配置される第２誘電体層とを有する。前記多孔体部分において、前記端面から所定の距離以下の端面近傍領域での前記第２誘電体層の第１の膜厚が、前記第１の主面に平行な方向での中央部において前記第１の主面から離れた深部での前記第２誘電体層の第２の膜厚よりも大きい。

【0011】

本発明の第３の側面（以下において、適宜「第３の態様」という）に係る電解コンデンサは、上記第１の態様または第２の態様の電解コンデンサ用電極箔を用いた陽極体を有する。

【0012】

本発明の第４の側面（以下において、適宜「第４の態様」という）に係る電解コンデンサは、上記第１の態様の電解コンデンサ用電極箔を用いた陽極体と、セパレータと、陰極体とをこの順で積層した積層体を備える。前記セパレータの端部が、絶縁層で被覆されている。

【0013】

本発明の第５の側面に係る電解コンデンサ用電極箔の製造方法は、以下の工程を備える。(a-i)多孔体部分を有する基材部を備える粗面化箔を準備する工程と、(a-ii)前記基材部に第１誘電体層を形成する工程と、(a-iii)前記粗面化箔を準備する工程の後に、前記粗面化箔を所定の位置で切断し、切断面において前記基材部が露出した陽極基材を形成する粗面化箔切断工程と、(a-iv)前記粗面化箔切断工程の後に、原子層堆積法によって、前記切断面に第２誘電体層を形成する工程。

【0014】

本発明の第６の側面に係る電解コンデンサの製造方法は、以下の工程を備える。(b-i)多孔体部分を有する基材部を備える粗面化箔を準備する工程と、(b-ii)前記基材部に第１誘電体層を形成する工程と、(b-iii)前記粗面化箔を準備する工程の後に、前記粗面化箔を所定の位置で切断し、切断面において前記基材部が露出した陽極基材を形成する粗面化箔切断工程と、(b-iv)前記陽極基材から陽極体を分離し、前記陽極体を含むコンデンサ素子を形成する工程と、(b-v)前記粗面化箔切断工程の後に、原子層堆積法によって、前記切断面に第２誘電体層を形成する工程。

【発明の効果】

【0015】

本発明によれば、電極箔の切断面においても欠陥が少ない酸化被膜を形成することができる。これにより、電解コンデンサの耐圧が向上し、またリーク電流の低減を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【0016】

【図1】本発明の第１実施形態に係る電解コンデンサ用電極箔の一例の断面模式図である。

【図2】 第１実施形態に係る電解コンデンサ用電極箔の端面近傍の領域の拡大断面模式図である。

【図3】本発明の第１実施形態の変形例に係る電解コンデンサ用電極箔の端面近傍の領域を拡大した断面模式図である。

【図4】本発明の第１実施形態の別の変形例に係る電解コンデンサ用電極箔の端面近傍の領域を拡大した断面模式図である。

【図5】本発明の第２実施形態に係る電解コンデンサ用電極箔の一例の端面近傍の領域を拡大した断面模式図である。

【図6】本発明の第３実施形態に係る電解コンデンサの一例の断面模式図である。

【図7】図６の電解コンデンサを製造するために用いられる陽極箔の構成を説明するための模式図である。

【図8】本発明の第４実施形態に係る電解コンデンサの一例の断面模式図である。

【図9】図８の電解コンデンサに含まれる捲回体の構成を説明するための概略図である。

【図10】 第４実施形態に係る捲回体の端部近傍の領域を拡大した断面模式図である。

【発明を実施するための形態】

【0017】

本発明の第１実施形態に係る電解コンデンサ用電極箔は、多孔体部分を有する基材部を備える陽極用電極体と、多孔体部分の表面に配置される誘電体層と、を備える。陽極用電極体は、多孔体部分の細孔が開口する第１の主面、第１の主面の裏面である第２の主面、および、第１の主面と第２の主面とを連結する端面と、を備える。そして、多孔体部分において、端面から所定の距離以下の端面近傍領域での誘電体層の第１の膜厚が、第１の主面に平行な方向での中央部において第１の主面から離れた深部での誘電体層の第２の膜厚よりも大きい。

【0018】

多孔体部分は、例えば、弁作用金属で形成された金属箔の一部をエッチングなどにより粗面化することで得られる。エッチング後に残存する陽極箔の基材部において、内側部分が芯材部分となり、エッチングにより多孔質化された外側部分が多孔体部分となる。多孔体部分の表面には、化成により金属酸化物層が形成されている。金属酸化物層は、誘電体層の少なくとも一部を構成する。第１の主面、および／または、第２の主面は、多孔体部分の外表面を構成する。

【0019】

誘電体層は、複数の金属酸化物層（後述する第１～第４誘電体層）の積層により構成され得る。以下において、単に「誘電体層の膜厚」という場合、積層された各金属酸化物層の膜厚の合計を意味する。金属酸化物層のそれぞれの膜厚、例えば、第１誘電体層の膜厚をいう場合には、「第１誘電体層の膜厚」とする。

【0020】

上記実施形態に係る電解コンデンサ用電極箔において、誘電体層は、電極箔の第１の主面と第２の主面を連結する端面にも形成されている。誘電体層の膜厚は、端面近傍領域での誘電体層の膜厚ＴＡが、第１の主面の中央部において多孔体部分の深部での誘電体層の膜厚Ｔ０よりも厚い、とする条件を満たしている。

【0021】

ここで、端面近傍領域とは、端面からの深さ（すなわち、端面からの最小距離）が所定の距離以下の多孔体部分が形成された領域であり、例えば、上記所定の距離は、１μｍ程度である。すなわち、端面近傍領域は、例えば、端面からの距離が少なくとも１μｍまで離れた領域を含む。

【0022】

このような誘電体層の膜厚の分布は、化成後の電極箔を切断後に、電極箔の切断面（端面）に例えば原子層堆積（ＡＬＤ）法などの気相法を用いて別の誘電体層を形成することで得られる。本実施形態では、端面近傍領域において、化成により多孔体部分に形成された金属酸化物層（化成層）がさらに別の誘電体層で被覆されている。以下において、このようにして形成した、化成層とは別の誘電体層を、被覆層と称する。
気相成長法では、被覆層を形成するための前駆体材料は、多孔体部分の細孔を通って、多孔体部分の外表面からある程度内部の領域にまで到達し得る。しかしながら、多孔体部分の外表面から離れるほど、前駆体材料が到達し難くなる。このため、多孔体部分において、被覆層の膜厚は、電極箔（多孔体部分）の外表面側で厚く、外表面から離れるほど薄くなる分布を有する。多孔体部分の任意の位置における被覆層の膜厚は、多孔体部分の細孔を介して外表面へ至る最短経路の長さに依存し、外表面までの最短距離に必ずしも依存するわけではないが、概ね、多孔体部分の外表面からの距離に依る。

【0023】

本実施形態において、例えば、化成後の電極箔を切断後に、端面近傍領域に被覆層を形成する場合、多孔体部分における被覆層の膜厚は、電極箔の切断面（端面）側で厚くなる。しかしながら、第１の主面の中央部であって多孔体部分の厚さ方向（第１の主面の法線方向）の深部では、電極箔の切断面から十分離れ、且つ、第１の主面からも十分離れているため、被覆層は略形成されない。したがって、上記深部における誘電体層の膜厚Ｔ０は、化成により形成された金属酸化物層（化成層）の膜厚に略等しい。一方で、端面近傍領域では、誘電体層の膜厚ＴＡは、化成による金属酸化物層（化成層）の膜厚と、被覆層の膜厚の和となる。化成後に被覆層を形成する場合、化成層の膜厚は多孔体部分の厚さ方向に依らず略一定であることから、誘電体層の膜厚ＴＡは、被覆層の膜厚の分だけＴ０よりも厚くなる。被覆層の膜厚（および、誘電体層の膜厚）は、少なくとも切断面（端面）の近傍の領域であって多孔体部分の厚さ方向の深部領域では、端面から遠ざかるに従って薄くなる分布を有している。

【0024】

なお、多孔体部分の厚さ方向の深部とは、端面から十分離れている限り、被覆層が実質的に形成されないといえる程度まで多孔体部分の厚さ方向において深い領域であり、例えば、第１の主面から陽極用電極体（多孔体部分）の内部に向かって２μｍ以上離れた箇所を意味する。

【0025】

気相成長法を用いて、端面から少なくとも１μｍ離れた領域に渡って、多孔体部分の表面を欠陥の少ない緻密な誘電体層で被覆することができる。端面、および端面近傍領域の多孔体部分に欠陥の少ない緻密な被覆層が形成されていることで、耐圧を高め、端面を介したリーク電流を低減することができる。また、電極箔の機械的強度を高められる。気相成長法のなかでも、ＡＬＤ法であれば、このような被覆層の形成が容易である。

【0026】

好ましくは、被覆層は、多孔体部分の露出端面から、少なくとも多孔体部分のピットもしくは細孔の５倍の深さに渡って形成されているとよい。例えば、ピットの径（最頻度径）が２００ｎｍであれば、端面から１μｍ程度離れた端面近傍領域の多孔体部分に、被覆層を形成することが好ましい。

【0027】

好ましくは、多孔体部分の細孔に沿って、多孔体部分を覆うように形成された誘電体層の膜厚ＴＡは、端面から遠ざかるに従って薄くなる分布を有しているとよい。端面側において厚い誘電体層を形成することで、電解コンデンサの耐圧が高められ、リーク電流を低減することができる。

【0028】

好ましくは、基材部は、多孔体部分と連続する多孔化されていない芯材部分を備え、芯材部分の端面にも誘電体層が形成されている。芯材部分の端面での誘電体層の膜厚ＴＢが、化成層の膜厚Ｔ０（化成による金属酸化物層の膜厚）よりも厚く構成されていることが好ましい。また、多孔体部分の端面にも誘電体層が形成されており、多孔体部分の端面での誘電体層の膜厚が、化成層の膜厚Ｔ０よりも厚く構成されていることが好ましい。

【0029】

化成後の電極箔を切断すると、金属が露出する基材部（芯材部分および多孔体部分）の切断面（端面）には自然酸化膜が形成され得る。したがって、端面側において基材部と被覆層との間に自然酸化膜が介在してもよい。
さらに、電解コンデンサの組立後に、芯材部分および多孔体部分の金属が露出する端面に酸化膜を成長させる端面化成工程が行われる場合がある。端面化成工程が行われた場合、端面側において、基材部と被覆層との間に端面化成層（後述の第３誘電体層に相当）が介在できる。

【0030】

一般に、端面化成は、多孔体部分の細孔表面に金属酸化物層を成長させる化成工程よりも低い電圧で行われるため、端面に形成される酸化膜の膜厚は、膜厚Ｔ０よりも薄い。また、化成工程よりも低い電圧で行われる端面化成において、多孔体の表面に形成された金属酸化物層（化成層）がより厚く成長することはないため、膜厚Ｔ０は、端面化成の前後で変化しない。
一方で、端面側の芯材部分における誘電体層の膜厚ＴＢは、被覆層の膜厚と、自然酸化膜および端面化成により形成される端面化成層（第３誘電体層）の膜厚との和となる。端面化成後に被覆層を形成する場合、端面側の芯材部分における誘電体層の膜厚ＴＢを、膜厚Ｔ０よりも厚くすることが可能である。

【0031】

また、端面化成前に被覆層を形成した場合であっても、端面化成電圧で形成されうる端面化成層の膜厚以上の厚みの被覆層を形成することにより、端面側の芯材部分における誘電体層の膜厚ＴＢを、膜厚Ｔ０よりも厚くすることが可能である。この場合、第３誘電体層は略形成されないが、被覆層形成で生じた誘電体層の欠陥を修復でき、より緻密な誘電体層を形成できる。

【0032】

これにより、端面側の誘電体層を厚膜化でき、電解コンデンサの耐圧を高めることができる。また、リーク電流を低減することができる。

【0033】

さらに、本発明の第２実施形態に係る電解コンデンサ用電極箔は、多孔体部分を有する基材部を備える陽極用電極体と、多孔体部分の表面に配置される誘電体層と、を備え、陽極用電極体は、多孔体部分の細孔が開口する第１の主面、前記第１の主面の裏面である第２の主面、および、第１の主面と前記第２の主面とを連結する端面と、を備える。そして、誘電体層は、多孔体部分の前記表面に接触する第１誘電体層と、端面上および第１誘電体層上に配置される第２誘電体層とを有する。多孔体部分において、前記端面から所定の距離以下の端面近傍領域での第２誘電体層の膜厚Ｔ２Ａが、第１の主面に平行な方向での中央部において第１の主面から離れた深部での第２誘電体層の膜厚Ｔ２０よりも大きい。

【0034】

第１誘電体層は、化成により多孔体部分の表面に形成された金属酸化物層を含み、多孔体部分の細孔に沿って形成される。一方、第２誘電体層は、被覆層を含む。第２誘電体層は、切断面（端面）を被覆するとともに、少なくとも端面近傍領域において、第１誘電体層（化成層）を被覆している。なお、陽極用電極体の端面において、基材部の芯材部分を被覆している第２誘電体層が、芯材部分と多孔体部分の境界を越えて連続的に延伸し、第１誘電体層を被覆している。

【0035】

端面近傍領域は、上述の通り、端面からの深さ（すなわち、端面からの最小距離）が所定の距離以下の多孔体部分が形成された領域である。好ましくは、端面近傍領域は、端面からの距離が少なくとも１μｍ以上離れた領域を含む。また、多孔体部分の厚さ方向の深部とは、上述の通り、多孔体部分内で被覆層が実質的に形成されない深さの領域であり、例えば、第１の主面から陽極用電極体の内部に向かって２μｍ以上離れた箇所を意味する。

【0036】

本実施形態においても、第１実施形態に係る電解コンデンサ用電極箔と同様、端面近傍領域において、欠陥の少ない緻密な被覆層が形成されている。これにより、耐圧を高め、端面を介したリーク電流を低減することができる。

【0037】

第１または第２実施形態に係る電解コンデンサ用電極箔を陽極体に用いることで、耐圧が高く、リーク電流が低減された電解コンデンサを実現できる。

【0038】

電解コンデンサが、陽極体と、セパレータと、陰極体とをこの順で積層した積層体を備えるものである場合、セパレータの端部が、第４誘電体層（絶縁層）で被覆されていてよい。第４誘電体層は、第２誘電体層と同様、気相法により形成され得る。

【0039】

セパレータの端部が第４誘電体層で被覆されていることにより、電解コンデンサの耐圧を高める効果およびリーク電流の低減効果をより一層高めることができる。

【0040】

なお、第２または第４誘電体層は、第１および第３誘電体層と同一の材料で構成されていてもよいし、異なる材料であってもよい。第１および第３誘電体層は、金属箔の化成により得られる金属酸化物層であり、アルミニウム、タンタル、ニオブなどの弁作用金属または弁作用金属を含む合金を好ましく用いることができる。

【0041】

［電解コンデンサ用電極箔の具体例］
図１および図２に、本発明の第１実施形態に係る電解コンデンサ用電極箔の一例の断面模式図を示す。図１は、後述する図９における陽極体２１の厚さ方向の断面図に相当する。図２は、図１の端面近傍の領域Ａの一部を拡大したものである。なお、図２および後述の図３～図５においては、多孔体部分１０２Ａの細孔１０３と誘電体層１０４（１０４Ａ～１０４Ｄ）とが強調して描かれており、図中における各構成要素の縮尺（特に、誘電体層の膜厚）は、実際の縮尺と一致しない。

【0042】

電解コンデンサ用電極箔１００（以下において、適宜「陽極箔１００」と称する）は、基材部１０２を備える陽極用電極体１０１と、誘電体層１０４（１０４Ａ，１０４Ｂ）とを備える。基材部１０２は、細孔１０３により形成された多孔体部分１０２Ａと、金属の芯材部分１０２Ｂを備える。誘電体層１０４（１０４Ａ，１０４Ｂ）は、多孔体部分１０２Ａの細孔１０３に沿って形成され、多孔体部分１０２Ａを被覆している。誘電体層１０４Ｂは、また、端面において芯材部分１０２Ｂおよび多孔体部分１０２Ａが露出する部分を被覆している。

【0043】

図１に示すように、陽極箔１００は、第１の主面１０５、第１の主面の裏面である第２の主面１０６、および、第１の主面１０５と第２の主面１０６とを連結する端面１０８を備える。第１の主面１０５および第２の主面１０６には、細孔１０３が開口しており、第１の主面１０５および第２の主面１０６からそれぞれ深さＤ０の領域に渡って、多孔体部分１０２Ａが形成されている。端面１０８は、多孔体部分１０２Ａが露出する端面１０８Ａと、芯材部分１０２Ｂが露出する端面１０８Ｂと、を有する。

【0044】

陽極箔１００における多孔体部分１０２Ａの厚さＤ０は、例えば、１０μｍ～６５μｍであり、芯材部分１０２Ｂの厚さは、例えば、１０μｍ～４０μｍである。

【0045】

図２は、図１の第１の主面１０５側で端面１０８近傍の領域Ａ周辺を拡大した模式的な断面図である。図２に示すように、誘電体層１０４は、第１誘電体層（化成層）１０４Ａと、第２誘電体層（被覆層）１０４Ｂと、を有する。第１誘電体層１０４Ａと第２誘電体層１０４Ｂとは、ともに細孔１０３に沿って形成され、多孔体部分１０２Ａを被覆している。

【0046】

第２誘電体層１０４Ｂは、また、端面１０８Ａおよび端面１０８Ｂを被覆している。芯材部分１０２Ｂの露出端面１０８Ｂ上に形成された第２誘電体層１０４Ｂは、多孔体部分１０２Ａの露出端面１０８Ａ上を連続して延伸し、端面１０８Ａを開口する細孔１０３に沿って形成された第１誘電体層１０４Ａを被覆している。

【0047】

なお、端面１０８Ａおよび端面１０８Ｂにおいて、自然酸化膜が形成され得るが、図２では記載を割愛している。自然酸化膜が形成されている場合、第２誘電体層１０４Ｂは、自然酸化膜上に形成されてもよい。

【0048】

第１誘電体層１０４Ａは、第１金属の酸化物を含み、通常は多孔体部分１０２Ａを化成することにより形成される酸化物皮膜である。第１金属としては、酸化物皮膜の形成に適した弁作用金属が選択される。細孔１０３は、第１金属で形成された骨格もしくは壁部（以下、金属骨格）により囲まれた空間であり、第１誘電体層１０４Ａは、金属骨格の表面の少なくとも一部を覆うように設けられる。多孔体部分を有する陽極用電極体１０１において、細孔１０３の径は非常に狭くなっている。例えば水銀ポロシメータで測定される細孔分布の最頻度孔径は、５０～２０００ｎｍである。このような微細なピットＰもしくは細孔を有する多孔体部分１０２Ａの比較的深部にまで第２誘電体層１０４Ｂを形成するには、特に限定されるものではないが、例えば原子層堆積法（Atomic Layer Deposition：
ＡＬＤ法）が適している。

【0049】

しかしながら、第１の主面の中央部（図１の領域Ｃ）であって、陽極箔の厚さ方向の深部では、端面１０８からも第１の主面１０５からも十分離れているため、第２誘電体層１０４Ｂは実質的に形成されない。したがって、領域Ｃの厚さ方向の深部における誘電体層１０４の総厚Ｔ０は、第１誘電体層１０４Ａの膜厚Ｔ１に略等しい。なお、厚さ方向の深部は、図１において、第１の主面１０５からの深さがＤ１以上Ｄ０未満の領域として示されている。深さＤ１は、例えば、２μｍ以上である。

【0050】

これに対し、端面１０８の近傍の領域（図１の領域Ａ）では、第２誘電体層１０４Ｂの膜厚が、端面１０８（１０８Ａ）までの距離に依存して形成される。端面近傍領域Ａは、端面１０８までの距離がＬ１以下の多孔体部分１０２Ａ内の領域を指す。Ｌ１は、例えば、１μｍ程度である。

【0051】

図２において、多孔体部分１０２Ａに形成される第１誘電体層１０４Ａの膜厚Ｔ１は、第１の主面１０５からの深さ、および、端面１０８Ａからの距離に依らず一定であり、領域Ｃの厚さ方向の深部における誘電体層１０４の総厚Ｔ０に略等しい。しかしながら、多孔体部分１０２Ａに形成される第２誘電体層１０４Ｂの膜厚Ｔ２Ａは、端面１０８（１０８Ａ）から遠ざかるほど薄くなり、端面１０８までの距離に依存した分布を有している。一方で、膜厚Ｔ２Ａの、第１の主面１０５までの距離に対する依存性は少ない。
したがって、端面近傍領域Ａにおける誘電体層１０４の総膜厚ＴＡ＝Ｔ１＋Ｔ２Ａは、領域Ｃの厚さ方向の深部における誘電体層１０４の総厚Ｔ０よりも、第２誘電体層の膜厚Ｔ２Ａの分だけ厚くなり、端面１０８から遠ざかるに従って薄くなる。

【0052】

図２に示す誘電体層１０４（１０４Ａ，１０４Ｂ）の膜厚の分布は、例えば、第１誘電体層１０４Ａのみを形成した広幅でフープ状に巻き取られた粗面化箔を所定の幅に切断することによりフープ状の陽極基材を形成した後、陽極基材の切断面を第２誘電体層１０４Ｂで被覆することにより得られる。

【0053】

このように、図２に示す例では、端面１０８側の芯材部分１０２Ｂおよび多孔体部分１０２Ａが露出する部分を第２誘電体層１０４Ｂで被覆することにより、端面１０８側において厚く、緻密な誘電体層を形成することができる。これにより、電解コンデンサの耐圧が高められ、リーク電流を低減することができる。

【0054】

図２の例では、第１の主面１０５上をセパレータなどの膜材料で塞いだ状態で第２誘電体層１０４Ｂの被覆を行うことによって、第１の主面１０５を経由した前駆体材料の細孔１０３内への侵入が抑制される。しかしながら、前駆体材料の一部は第１の主面１０５と膜材料との隙間に侵入することができる。端面１０８Ａの近傍領域では、第１の主面１０５を被覆する第２誘電体層１０４Ｂが形成され得る。また、第１の主面１０５上において、第２誘電体層１０４Ｂの膜厚は端面１０８Ａから遠ざかるほど薄くなる。

【0055】

図３は、図２に示す電解コンデンサ用電極箔の変形例を示しており、電解コンデンサ用電極箔１１１（以下において、適宜「陽極箔１１１」と称する）の端面近傍領域Ａを含む断面図を示している。図３に示す陽極箔１１１では、多孔体部分１０２Ａに形成される第２誘電体層１０４Ｂの膜厚Ｔ２Ａは、第１の主面１０５から遠ざかるほど薄く、且つ、端面１０８から遠ざかるほど薄くなっており、第１の主面１０５までの距離、および、端面１０８までの距離に依存した分布を有している。一方、第１の主面の中央部（図１の領域Ｃ）であって、陽極箔の厚さ方向の深部では、端面１０８からも第１の主面１０５からも十分離れているため、第２誘電体層１０４Ｂは実質的に形成されない。したがって、領域Ｃの厚さ方向の深部における誘電体層１０４の総厚Ｔ０は、第１誘電体層１０４Ａの膜厚Ｔ１に略等しい。
したがって、端面近傍領域Ａにおける誘電体層１０４の総膜厚ＴＡ＝Ｔ１＋Ｔ２Ａは、領域Ｃの厚さ方向の深部における誘電体層１０４の総厚Ｔ０よりも、第２誘電体層の膜厚Ｔ２Ａの分だけ厚くなり、第１の主面１０５から遠ざかるに従って、且つ、端面１０８から遠ざかるに従って薄くなる。

【0056】

図３に示す誘電体層１０４の膜厚の分布は、例えば、第１誘電体層１０４Ａのみを形成した広幅の粗面化箔を所定の幅に切断して帯状の陽極基材を形成した後、帯状の陽極基材の全面を第２誘電体層１０４Ｂで被覆することにより得られる。

【0057】

図４は、図２に示す電解コンデンサ用電極箔の図３とは別の変形例を示しており、電解コンデンサ用電極箔１１２（以下において、適宜「陽極箔１１２」と称する）の端面近傍領域Ａを含む断面図を示している。図４に示す陽極箔１１２では、図２に示す陽極箔１００と同様、多孔体部分１０２Ａに形成される第２誘電体層１０４Ｂの膜厚Ｔ２Ａが、端面１０８（１０８Ａ）から遠ざかるほど薄く、端面１０８までの距離に依存した分布を有している。

【0058】

さらに、陽極箔１１２では、端面１０８Ａおよび端面１０８Ｂにおいて、第３誘電体層１０４Ｃが形成されている。第３誘電体層１０４Ｃは、自然酸化膜を含むほか、陽極箔を切断後に再度の化成（端面化成処理）を行うことにより形成される酸化物皮膜であり得る。さらに、第３誘電体層１０４Ｃ上を、第２誘電体層１０４Ｂが被覆している。

【0059】

図４に示すように、露出端面１０８Ａ側の多孔体部分１０２Ａおよび露出端面１０８Ｂ側の芯材部分１０２Ｂには、第２誘電体層１０４Ｂおよび第３誘電体層１０４Ｃを含む誘電体層１０４が形成されている。露出端面１０８Ａ側の多孔体部分１０２Ａおよび露出端面１０８Ｂ側の芯材部分１０２Ｂに形成された誘電体層１０４の膜厚ＴＢは、端面１０８（１０８Ａ，１０８Ｂ）における第２誘電体層１０４Ｂの膜厚Ｔ２と第３誘電体層１０４Ｃの膜厚Ｔ３との和Ｔ２＋Ｔ３となる。

【0060】

端面化成処理は、通常、第１の主面１０５および／または第２の主面１０６の化成処理よりも低い電圧を印加して行われる。したがって、端面化成処理により、第１の主面１０５および／または第２の主面１０６上の第１誘電体層１０４Ａが更に成長し、厚膜化することはない。また、第３誘電体層１０４Ｃの膜厚Ｔ３は、領域Ｃの厚さ方向の深部における誘電体層１０４の膜厚Ｔ０よりも薄い。

【0061】

しかしながら、端面化成処理後に第２誘電体層１０４Ｂを形成することによって、端面１０８Ｂにおける誘電体層１０４の膜厚ＴＢを、領域Ｃの厚さ方向の深部における誘電体層１０４の総厚Ｔ０より厚くすることも可能である。

【0062】

図５は、本発明の第２実施形態に係る電解コンデンサ用電極箔の一例の端面近傍領域Ａを含む断面模式図を示している。図５において、電解コンデンサ用電極箔１１３（以下において、適宜「陽極箔１１３」と称する）は、図３に示す陽極箔１１１と同様、多孔体部分１０２Ａに形成される第２誘電体層１０４Ｂの膜厚Ｔ２Ａが第１の主面１０５から遠ざかるほど薄く、且つ、端面１０８から遠ざかるほど薄くなっており、第１の主面１０５までの距離、および、端面１０８までの距離に依存した分布を有している。また、図４に示す陽極箔１１２と同様、端面１０８Ａ側および端面１０８Ｂ側に第３誘電体層１０４Ｃが形成されている。

【0063】

しかしながら、図５において、端面近傍領域Ａにおける第１誘電体層１０４Ａの膜厚Ｔ１Ａは、第２誘電体層１０４Ｂとは逆に、第１の主面１０５から遠ざかるほど厚く、且つ、端面１０８から遠ざかるほど厚くなる分布を有している。結果、端面近傍領域Ａにおける誘電体層１０４の総膜厚ＴＡ＝Ｔ１＋Ｔ２Ａは、近傍領域内の位置に依らず略一定となるように分布し、露出端面１０８Ｂ側に形成された誘電体層１０４の膜厚ＴＢ＝Ｔ２＋Ｔ３と略等しい。

【0064】

一方、第１の主面の中央部（図１の領域Ｃ）であって、陽極箔の厚さ方向の深部では、図２に示す陽極箔１００と同様、第２誘電体層１０４Ｂは実質的に形成されない。領域Ｃの厚さ方向の深部では、第１誘電体層１０４Ａの膜厚Ｔ１０がＴ２＋Ｔ３と略等しく、第２誘電体層１０４Ｂの膜厚Ｔ２０は略ゼロである。
したがって、端面近傍領域Ａにおける第２誘電体層１０４Ｂの膜厚Ｔ２Ａは、領域Ｃの厚さ方向の深部における第２誘電体層１０４Ｂの膜厚Ｔ２０より厚い（Ｔ２Ａ＞Ｔ２０）。一方、第１の主面側に形成された第１誘電体層１０４Ａの膜厚Ｔ１は、領域Ｃの厚さ方向の深部における第１誘電体層１０４Ａの膜厚Ｔ１０より薄い（Ｔ１＜Ｔ１０）。同様に、第３誘電体層１０４Ｃの膜厚Ｔ３も、膜厚Ｔ１０よりも薄くなる（Ｔ３＜Ｔ１０）。

【0065】

図５に示す誘電体層１０４の膜厚の分布は、例えば、未化成の陽極箔を切断後、陽極箔の表面を第２誘電体層１０４Ｂで被覆し、第２誘電体層１０４Ｂで被覆した後に化成処理を行うことによって、第１の主面１０５および／または第２の主面１０６の化成処理と、端面１０８の化成処理とを同時に行うことにより得られる。

【0066】

第２誘電体層１０４Ｂの形成は、化成処理の後で行ってもよく、化成処理の前に行ってもよい。電極箔を切断後に、第２誘電体層１０４Ｂを形成し、その後、化成処理を行っても構わない。

【0067】

第２誘電体層１０４Ｂを形成後に化成を行う場合、化成処理において、第２誘電体層１０４Ｂの内表面から、内側に向かって第１誘電体層１０４Ａが成長する。第１誘電体層１０４Ａの膜厚は、化成処理で印加する電圧により決定される。しかしながら、第２誘電体層１０４Ｂで被覆した状態で化成を行う場合、第１誘電体層１０４Ａの膜厚は、第２誘電体層１０４Ｂで被覆されていない場合よりも薄くなる。
また、端面１０８側において、第２誘電体層１０４Ｂと芯材部分１０２Ｂとの間にも、第３誘電体層１０４Ｃ（化成層）が、第１誘電体層と一体に形成され得る。

【0068】

なお、電極箔の切断時において、露出した基材部の芯材部分に自然酸化膜が形成され得る。この場合、第３誘電体層は、化成処理により芯材部分に形成される金属酸化物層と、自然酸化膜とを含む。

【0069】

図３～図５に示す陽極箔１１１～１１３においても、端面１０８側の芯材部分１０２Ｂおよび多孔体部分１０２Ａが露出する部分を第２誘電体層１０４Ｂで被覆することによって、端面１０８側において緻密な誘電体層が形成されている。これにより、電解コンデンサの耐圧が高められ、リーク電流を低減することができる。

【0070】

さらに、図４および図５に示す陽極箔１１２，１１３では、端面１０８（１０８Ａ，１０８Ｂ）の側に第３誘電体層１０４Ｃが形成されていることにより、電解コンデンサの耐圧を一層高められ、リーク電流の低減効果を高めることができる。

【0071】

第２誘電体層１０４Ｂ（被覆層）を形成後に化成を行う実施形態（図５）では、端面側に形成される誘電体層１０４Ｃと、第１の主面側の多孔体部分に沿って形成された誘電体層１０４Ａとは、同一の化成工程で形成され得る。また、端面側に形成される誘電体層と、第１の主面側の多孔体部分に沿って形成された誘電体層の厚みを略等しくできる。これにより、電解コンデンサの静電容量の低下を抑制し、耐圧を高めることができ、リーク電流を低減することができる。

【0072】

また、第２誘電体層１０４Ｂ（および、第３誘電体層１０４Ｃ）で被覆される端面１０８は、１つの面に限られず、複数の端面が第２誘電体層で被覆されていてよい。陽極箔は、第１の端面と、第１の端面に垂直な第２および第３の端面を有し、３つの端面のそれぞれに第３誘電体層が形成されているものであってもよい。

【0073】

［電解コンデンサ］
図６は、本発明の第３実施形態に係る電解コンデンサの一例の断面模式図であり、図７０は、同電解コンデンサに含まれる陽極体を製造するための陽極箔の構造を示す概略図である。

【0074】

図６に示す電解コンデンサ４０は、複数のコンデンサ素子４５が積層された積層体４１ａを備える。コンデンサ素子４５は、表面に誘電体層（図示しない）が形成された、陽極引出部４３ａおよび陰極形成部４３ｂを有する陽極体と、陰極形成部４３ｂの表面に形成された誘電体層の少なくとも一部を覆う陰極体４４と、を有する。

【0075】

電解コンデンサ４０は、積層体４１ａを封止する外装体４９を備える。外装体４９は、ほぼ直方体の外形を有し、電解コンデンサ４０もほぼ直方体の外形を有する。

【0076】

複数の陽極引出部４３ａの端面４８が、それぞれ陽極側の外部電極５２と電気的に接続されている。陽極側の外部電極５２は、複数の端面４８と外装体４９の第１側面４９ａとを覆う第１電極層５２ａと、第１電極層５２ａの表面に形成された第２電極層５２ｂと、を有する。

【0077】

電解コンデンサ４０は、陰極体４４と電気的に接続された陰極側の外部電極５３を備える。具体的には、複数の陰極体４４は、外装体４９の第２側面４９ｂから露出する端面４４ａを有し、複数の陰極体４４の端面４４ａが、それぞれ陰極側の外部電極５３と接合されている。陰極側の外部電極５３は、複数の陰極体４４の端面４４ａとともに外装体４９の第２側面４９ｂを覆う陰極側の第１電極層５３ａと、陰極側の第１電極層５３ａの表面に形成された陰極側の第２電極層５３ｂとを有する。

【0078】

複数のコンデンサ素子４５において、積層方向で互いに隣り合う陰極体４４は、導電性を有する接着層（図示しない）を介して電気的に接続されている。

【0079】

図７に、図６に示す電解コンデンサ４０を製造するための電解コンデンサ用電極箔の構成の一例を示す。電解コンデンサ用電極箔２００（以下において、適宜「陽極箔２００」と称する）は、長尺状の帯状部と、帯状部の長手方向に沿う少なくとも一方の端部から突出するように一列に配置された複数の領域Ｒとを有する。複数の領域Ｒは、それぞれ、帯状部側から順に、陽極引出部４３ａと、陰極形成部４３ｂ（斜線部分）とを有する。陰極形成部４３ｂは、粗面化処理がされており、多孔体部分１０２Ａが形成されている。なお、図７は、陰極形成部４３ｂの上に陰極体４４を形成した状態の陽極箔２００を示している。

【0080】

第１誘電体層１０４Ａおよび第２誘電体層１０４Ｂを形成した後、陰極形成部４３ｂの少なくとも一部を陰極体４４で覆い、さらに、陰極体４４を形成した後の陽極箔を、例えば、図７の破線Ｃの方向に切断することによって、複数のコンデンサ素子４５が得られる。複数のコンデンサ素子４５を積層し、コンデンサ素子４５を外装体４９で覆い、図６に示す電解コンデンサが製造される。

【0081】

陽極箔２００は、所定の領域に粗面化加工を施した粗面化箔を図７に示す形状に打抜き加工することで形成され得る。打抜き加工は、粗面化箔に第１誘電体層を形成した後でもよいし、粗面化箔に第１誘電体層を形成する前でもよい。打抜き加工により、陰極形成部４３ｂの３つの端面（帯状部の長手方向に垂直な２つの端面と、領域Ｒの突出方向に垂直な一方の端面）において、切断面が形成される。

【0082】

第１誘電体層を形成した後の粗面化箔を打抜き加工する場合、切断面は第２誘電体層で被覆される。この際、陰極形成部４３ｂ全体が第２誘電体層で被覆されていてもよい。この場合、３つの端面近傍における誘電体層の断面構造は、図３に示す構造となる。
打抜き加工の後に、陰極形成部４３ｂに第２誘電体層を形成し、第２誘電体層の形成後に化成を行うことにより、第１誘電体層及び第３誘電体層を形成してもよい。この場合、３つの端面近傍における誘電体層の断面構造は、図５に示す構造となる。
本実施形態において、第２誘電体層は、第１誘電体層より誘電率が高いことが好ましく、これにより電解コンデンサの静電容量を大きくできる。例えば、第１誘電体層が酸化アルミニウムの場合、第２誘電体層は酸化チタン、酸化ニオブ、酸化タンタルなどが好ましく、中でも酸化タンタルが端面周辺においてリーク電流を低減でき、より好ましい。

【0083】

図８は、本発明の第４実施形態に係る電解コンデンサの断面模式図であり、図９は、同電解コンデンサに含まれる捲回体の一部を展開した概略図である。
電解コンデンサは、陽極体と、セパレータと、陰極体とをこの順で積層した積層体（図９の捲回体に相当）を備える。

【0084】

電解コンデンサは、例えば、コンデンサ素子１０と、コンデンサ素子１０を収容する有底ケース１１と、有底ケース１１の開口を塞ぐ封止部材１２と、封止部材１２を覆う座板１３と、封止部材１２から導出され、座板１３を貫通するリード線１４Ａ、１４Ｂと、リード線とコンデンサ素子１０の電極とを接続するリードタブ１５Ａ、１５Ｂと、液状成分（図示せず）とを備える。コンデンサ素子１０は、液状成分とともに、有底ケース１１に収容される。有底ケース１１の開口端近傍は、内側に絞り加工されており、開口端は封止部材１２にかしめるようにカール加工されている。

【0085】

コンデンサ素子１０は、図９に示すような捲回体から作製される。捲回体は、リードタブ１５Ａと接続された陽極体２１と、リードタブ１５Ｂと接続された陰極体２２と、セパレータ２３とを備える。セパレータ２３は、陽極体２１と陰極体２２の間に挟まれるように設けられている。

【0086】

セパレータ２３は、好ましくは、セルロース系の繊維により構成され、繊維内に電解液の含侵が可能な多孔質体である。セパレータ２３の材料は、例えば、天然セルロース、合成セルロース、ポリエチレンテレフタレート、ビニロン、アラミド繊維などを主成分とする不織布やフィルムを用いることができる。

【0087】

陽極体２１および陰極体２２は、セパレータ２３を介して捲回されている。捲回体の最外周は、巻止めテープ２４により固定される。なお、図９は、捲回体の最外周を止める前の、一部が展開された状態を示している。陽極体２１は、表面が凹凸を有するように粗面化された金属箔を具備し、凹凸を有する金属箔の主面に誘電体層が形成されている。

【0088】

コンデンサ素子１０は、更に固体電解質層を備えてもよい。誘電体層の表面の少なくとも一部に、導電性高分子を付着させることにより、固体電解質層が形成され得る。固体電解質層は、陰極体２２の表面および／またはセパレータ２３の表面の少なくとも一部を被覆していてもよい。コンデンサ素子１０は、電解液（図示しない）とともに、有底ケース１１に収容される。

【0089】

陽極体２１には、本発明の実施形態に係る電解コンデンサ用電極箔を用いてもよい。すなわち、捲回体を作製する前に、陽極体２１の幅方向（図９において、捲回軸に平行な方向）に垂直な両端面を、予め第２誘電体層１０４Ｂで被覆してもよい。または、陽極体２１、セパレータ２３、および、陰極体２２をこの順で積層し、捲回体を作製した後で、捲回体を被覆することによって第２誘電体層１０４Ｂによる被覆を行ってもよい。

【0090】

図１０に、捲回体を誘電体層で被覆した場合の陽極体２１、および、陽極体２１に対向するセパレータ２３の端面を含む捲回体の端部における断面構造を示す。陽極体２１の端面１０８近傍の構造については、図４と同様であり、説明を割愛する。

【0091】

図１０に示すように、セパレータ２３は、第３の主面１０７を有する。セパレータ２３は、また、第４の主面（不図示）を第３の主面１０７の裏面に有し、第３の主面と第４の主面は端面１０９を介して連結されている。第４誘電体層１０４Ｄは、セパレータの端部を被覆している。
図１０の例では、セパレータの端面１０９が陽極体の端面に対して突出している。このため、セパレータの端部において、第３の主面１０７は、大部分は陽極体２１の第１の主面１０５と対向するが、端面１０９側の一部に陽極体の第１の主面１０５と対向しない領域（非対向領域）を有している。第４誘電体層１０４Ｄは、非対向領域を被覆している。

【0092】

第４誘電体層１０４Ｄは、さらに、第１の主面１０５と、第１の主面１０５に対向するセパレータの主面（第３の主面）１０７との間の隙間にも侵入し、隙間を取り囲む第１の主面および／または第３の主面の外表面の少なくとも一部にも形成され得る。すなわち、第４誘電体層１０４Ｄは、非対向領域からの深さが所定の距離以下の第３の主面１０７上の領域（端部対向領域）、および／または、端部対向領域に対向する第１の主面１０５上の領域にも形成され得る。以下において、非対向領域および端部対向領域からなる第３の主面１０７上の領域を、端部領域Ｅと称する。
端部領域Ｅ、および／または端部対向領域に対向する第１の主面１０５上において、第４誘電体層１０４Ｄの膜厚は端面１０９から遠ざかるほど薄くなる。
なお、セパレータは多孔質体であるが、図１０において多孔質体の形状は不図示である。第４誘電体層１０４Ｄは、端部領域Ｅにおいて、セパレータの基材（例えば、繊維）に沿って形成されている。

【0093】

セパレータの端部領域Ｅが第４誘電体層１０４Ｄで被覆されていることで、電解コンデンサの耐圧を高める効果およびリーク電流の低減効果をより一層高めることができる。また、電解コンデンサの機械的強度が増し、耐衝撃性を高めることができる。

【0094】

第４誘電体層１０４Ｄは、セパレータにおいてセパレータの端面から陽極体の端面までの距離（すなわち、非対向領域の幅）と同程度の深さに渡って、第１の主面１０５と、第３の主面１０７との間の隙間に侵入して形成されることが好ましい。換言すると、端部対向領域の幅Ｌ２は、非対向領域の幅Ｌ３以上であることが好ましい。例えば、セパレータの端面から陽極体の端面までの距離が５００μｍの場合、陽極体の端面からの深さが５００μｍの位置まで、第４誘電体層１０４Ｄが第１の主面１０５と第３の主面１０７との間の隙間にも侵入して形成されていることが好ましい。これにより、陽極体の端部において誘電体層が修復される際に生じる発熱によるセパレータの劣化を抑制し、電解コンデンサの耐電圧を高めることができる。

【0095】

第４誘電体層１０４Ｄによる端部領域Ｅを含む領域の被覆は、陽極体２１の端面１０８（１０８Ａ，１０８Ｂ）の第２誘電体層１０４Ｂによる被覆と同時に行ってもよいし、第４誘電体層１０４Ｄによる被覆と第２誘電体層１０４Ｂによる被覆とを別々に行ってもよい。

【0096】

なお、図１０とは逆に、陽極体の端面がセパレータの端面１０９に対して突出している場合がある。この場合、セパレータの端部において、陽極体の第１の主面１０５がセパレータの第３の主面１０７と対向しない領域（非対向領域）を有する。この場合においても、第４誘電体層１０４Ｄは、非対向領域を被覆するとともに、第１の主面１０５と、第３の主面１０７との間の隙間に侵入して形成されることができ、電解コンデンサの耐圧を高める効果およびリーク電流の低減効果をより一層高めることができる。

【0097】

［電解コンデンサ用電極箔の製造方法］
次に、本実施形態に係る工程(a-i)～(a-iv)を具備する電解コンデンサ用電極箔の製造
方法について説明する。ただし、製造方法は、以下に限定されるものではない。

【0098】

工程(a-i)は、多孔体部分を有する基材部を備える粗面化箔を準備する工程である。

【0099】

工程(a-ii)は、基材部に少なくとも第１誘電体層を形成する工程である。

【0100】

工程(a-iii)は、粗面化箔を所定の位置で切断し、切断面において基材部が露出した陽
極基材を得る工程（粗面化箔切断工程）である。

【0101】

工程(a-iv)は、粗面化箔切断工程の後に、原子層堆積法によって、陽極基材の切断面を第２誘電体層で被覆する工程である。

【0102】

以下、工程毎に更に詳細に説明する。
(a-i)粗面化箔を準備する工程
例えば、第１金属により形成された金属素材を準備する。金属素材の形態は、特に限定されないが、金属箔が好ましく用いられる。以下、金属箔を用いる場合を想定して引き続き説明する。

【0103】

第１金属の種類は特に限定されないが、第１誘電体層の形成が容易である点から、アルミニウム（Ａｌ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）などの弁作用金属または弁作用金属を含む合金を用いることが好ましい。金属箔の厚みは特に限定されないが、例えば、５μｍ以上、３００μｍ以下である。

【0104】

次に、金属箔の一部（外側部分の少なくとも一部）を多孔質化もしくは粗面化することによって金属箔の外側部分に複数のピットもしくは細孔を形成する。このとき、多孔体部分１０２Ａを有する基材部１０２を備える粗面化箔が得られる。基材部１０２は、金属の芯材部分１０２Ｂと、芯材部分と連続して形成された多孔体部分１０２Ａを有する。多孔体部分１０２Ａは、粗面化箔の片面（第１の主面）だけに形成してもよく、両面（第１の主面および第２の主面）に形成してもよい。
多孔体部分１０２Ａの形成は、金属箔をエッチング処理することにより行うことが好ましい。エッチング処理は、例えば、直流電流による直流エッチングまたは交流電流による交流エッチングにより行われる。

【0105】

多孔体部分１０２Ａのピットもしくは細孔１０３の孔径は、特に限定されないが、多孔体部分１０２Ａの表面積を大きくできるとともに、第２誘電体層１０４Ｂがピットの深部にまで形成されやすい点で、５０～２０００ｎｍであることが好ましい。ピットの孔径とは、例えば水銀ポロシメータで測定される細孔分布の最頻度孔径である。

【0106】

ピットの深さも特に限定されず、金属箔の厚みに応じて適宜設定すればよい。多孔体部分１０２Ａの表面積を大きくできるとともに、電極箔の強度を保持しやすい点で、多孔体部分１０２Ａもしくはエッチング領域の厚みは、エッチングされる前の金属箔の厚みの１／１０以上、４／１０以下であることが好ましい。多孔体部分１０２Ａもしくはエッチング領域の厚みは、電極箔のＳＥＭ画像に観測される粗面化箔の断面の任意の１０点の厚みの平均値である。

【0107】

(a-ii)基材部に第１誘電体層を形成する工程
続いて、基材部１０２の少なくとも多孔体部分１０２Ａを化成して、多孔体部分１０２Ａに第１誘電体層１０４Ａを形成する。第１誘電体層は、好ましくは、第１金属の酸化物である。

【0108】

多孔体部分１０２Ａを化成する方法は特に限定されない。例えば、多孔体部分１０２Ａをアジピン酸アンモニウム溶液などの化成液に浸漬して、基材部１０２（多孔体部分１０２Ａ）に電圧を印加する陽極酸化により行うことができる。第２誘電体層を被覆する前の基材部に対して陽極酸化処理を行う場合、第１誘電体層１０４Ａの厚みは、多孔体部分１０２Ａの位置に依らず、陽極酸化の際の印加電圧に応じた一定の膜厚となる。陽極酸化処理において印加する電圧（第１電圧）は、例えば、１～２００Ｖであり、より好ましくは５～１６０Ｖである。

【0109】

なお、第１誘電体層１０４Ａおよび第２誘電体層１０４Ｂの厚みは、基材部１０２の多孔体部分１０２Ａの厚みＤ０に比べて非常に小さいため、細孔１０３もしくはエッチング領域の厚みは、多孔体部分１０２Ａの厚みとみなすことができる。

【0110】

第１誘電体層１０４Ａの形成は、粗面化箔切断工程（工程（a-iii））より前に行って
もよく、後で行ってもよい。粗面化箔切断工程（工程（a-iii））後に第１誘電体層１０
４Ａを形成する場合、多孔体部分１０２Ａに第１誘電体層１０４Ａを形成すると同時に、多孔体部分１０２Ａおよび芯材部分１０２Ｂの切断面に第３誘電体層１０４Ｃを形成できる。

【0111】

(a-iii)粗面化箔切断工程
続いて、粗面化箔を所定の位置で切断し、基材部が露出した陽極基材を得る。この工程は、粗面化箔を準備する工程（工程(a-i)）の後であれば、第１誘電体層を形成する工程
（工程(a-ii)）の前に行ってもよいし、第１誘電体層を形成する工程（工程(a-ii)）の後で行ってもよい。例えば、広幅のフープ状（捲回体）に巻き取られた粗面化箔を用いる場合は、電解コンデンサの特性に合わせた所定の位置で粗面化箔からフープ状の陽極基材を切断し、フープ状の陽極基材を形成してもよい。

【0112】

(a-iv)切断面を第２誘電体層で被覆する工程
次に、粗面化箔切断工程の後、陽極体の少なくとも切断面を第２誘電体層１０４Ｂで被覆する。例えば、陽極基材がフープ状（捲回体）に巻き取られている場合は、フープ状に巻き取られた状態で粗面化箔切断工程により形成された切断面を第２誘電体層で被覆すればよい。
第２誘電体層１０４Ｂは、切断面（端面１０８Ａ、１０８Ｂ）を被覆するほか、多孔体部分１０２Ａの細孔１０３表面に沿って形成され、多孔体部分１０２Ａを被覆する。第２誘電体層の厚みは特に限定されないが、例えば、０．５ｎｍ以上、２００ｎｍ以下である。第２誘電体層の厚みと第１誘電体層の厚みとの比は、特に限定されず、用途および所望の効果等に応じて適宜設定すればよい。第２誘電体層の厚みは、第１誘電体層の厚みＴ０に対して、１倍以上３倍以下が好ましく、１．１倍以上２倍以下が好ましい。また、第２誘電体層は、好ましくは、第２金属の酸化物である。

【0113】

第２誘電体層および第１誘電体層の厚みは、電極箔のＴＥＭ画像に観測される第２誘電体層１０４Ｂおよび第１誘電体層１０４Ａの断面の任意の１０点の厚みの平均値である。

【0114】

ＡＬＤ法は、対象物が配置された反応室に第２金属を含む原料ガスと酸化剤とを交互に供給して、対象物の表面に第２金属の酸化物を含む層（第２誘電体層）を形成する製膜法である。ＡＬＤ法では、自己停止（Self-limiting）作用が機能するため、第２金属は原
子層単位で対象物の表面に堆積する。そのため、（１）原料ガスの供給と、（２）原料ガスの排気（パージ）と、（３）酸化剤の供給と、（４）酸化剤の排気（パージ）と、を１サイクルとしたサイクル数により、第２誘電体層の厚みは制御される。つまり、ＡＬＤ法は、形成される層の厚みを制御しやすい点で好ましい方法である。さらに、４００～９００℃の温度条件で行われる化学気相成長法（ＣＶＤ）に対して、ＡＬＤ法は室温（２５℃）～４００℃の温度条件で行うことができる。つまり、ＡＬＤ法は、陽極基材および第１誘電体層への熱的ダメージを抑制することができる点でも好ましい。

【0115】

ＡＬＤ法では、ピットの最頻度径が例えば１０ｎｍ程度あれば、ピットの比較的深部の表面に薄膜を形成することができる。上記のとおり、多孔体部分１０２Ａに形成されるピットは、通常、５０ｎｍ以上の孔径を有する。そのため、ＡＬＤ法によれば、孔径が小さく深いピット、すなわち、アスペクト比の大きなピットの比較的深部の表面にも第２誘電体層を形成することができる。

【0116】

ＡＬＤ法によれば、図２に示されるように、少なくとも端面１０８の側において、ピットの深部にまで第２誘電体層１０４Ｂが形成された電極箔を容易に形成することができる。芯材部分１０２Ｂから０．２５Ｄ０離れた多孔体部分１０２Ａ内の位置よりも芯材部分１０２Ｂ側にまで第２金属を分布させることも容易であり、芯材部分１０２Ｂから０．０５Ｄ０の離れた位置にまで第２金属を分布させることも可能である。

【0117】

ＡＬＤ層（第２誘電体層）を構成する第２金属と、酸化物層（第１誘電体層）を構成する第１金属は、同じであってもよいし、異なっていてもよい。第１金属をＡｌとし、第２金属として第１金属と異なる金属を用いる場合、第２金属としては、Ｔａ、Ｎｂ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｗなどが好ましい。これらは、単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせてもよい。この場合、第２誘電体層には、Ｔａ₂Ｏ₅、Ｎｂ₂Ｏ₅、ＳｉＯ₂、ＴｉＯ₂、ＺｒＯ₂、ＨｆＯ₂、ＷＯ_３などが１種以上含まれ得る。第２誘電体層が、２種以上の第２金属の酸化物を含む場合、各酸化物は混在していてもよく、それぞれ層状に配置されて
いてもよい。中でも、電解コンデンサの容量を増加させやすい点で、第２金属の酸化物は、Ｔａ₂Ｏ_5、ＺｒＯ_2、Ｎｂ₂Ｏ₅、ＴｉＯ_２、ＨｆＯ_２などが好ましい。電解コンデンサ
の耐電圧を向上させる点では、Ｔａ₂Ｏ_5、ＺｒＯ_2、ＷＯ_３、ＳｉＯ₂が好ましい。

【0118】

ＡＬＤ法で用いる酸化剤としては、例えば、水、酸素、オゾンなどが挙げられる。酸化剤は、酸化剤を原料とするプラズマとして反応室に供給されてもよい。

【0119】

第２金属は、第２金属を含むプリカーサ（前駆体）をガス化して反応室に供給することにより、反応室内に配置された陽極基材の多孔体部分１０２Ａに形成された第１誘電体層１０４Ａ上に供給される。プリカーサは、第２金属を含む有機金属化合物であり、これにより、第２金属は対象物に化学吸着し易くなる。プリカーサとしては、従来、ＡＬＤ法で用いられている各種の有機金属化合物を使用することができる。

【0120】

Ｔｉを含むプリカーサとしては、例えば、ビス（ｔ－ブチルシクロペンタジエニル）チタン（ＩＶ）ジクロライド（Ｃ₁₈Ｈ₂₆Ｃ_l2Ｔｉ）、テトラキス（ジメチルアミノ）チタン（ＩＶ）（[（ＣＨ₃）₂Ｎ]₄Ｔｉ、ＴＤＭＡＴ）、テトラキス（ジエチルアミノ）チタン
（ＩＶ）（[（Ｃ₂Ｈ₅）₂Ｎ]₄Ｔｉ）、テトラキス（エチルメチルアミノ）チタン（ＩＶ）（Ｔｉ［Ｎ（Ｃ₂Ｈ₅）（ＣＨ₃）］₄）、チタン（ＩＶ）（ジイソプロポキサイドービス（２，２，６，６－テトラメチル－３，５－ヘプタンジオネート（Ｔｉ[ＯＣＣ（ＣＨ₃）₃
ＣＨＣＯＣ（ＣＨ₃）₃]₂（ＯＣ₃Ｈ₇）₂）、四塩化チタン（ＴｉＣｌ₄）、チタン（ＩＶ）イソプロポキシド（Ｔｉ［ＯＣＨ（ＣＨ₃）₂］₄）、チタン（ＩＶ）エトキシド（Ｔｉ［
Ｏ（Ｃ₂Ｈ₅）］₄）等が挙げられる。

【0121】

Ｚｒを含むプリカーサとしては、例えば、ビス（メチル－η⁵シクロペンタジエニル）
メトキシメチルジルコニウム（Ｚｒ（ＣＨ₃Ｃ₅Ｈ₄）₂ＣＨ₃ＯＣＨ₃）、テトラキス(ジメ
チルアミド)ジルコニウム（ＩＶ）（［（ＣＨ₃）₂Ｎ］₄Ｚｒ）、テトラキス（エチルメチルアミド）ジルコニウム（ＩＶ）（Ｚｒ（ＮＣＨ₃Ｃ₂Ｈ₅）₄）_、ジルコニウム（ＩＶ）ｔ－ブトキシド（Ｚｒ［ＯＣ（ＣＨ₃）₃］₄）等が挙げられる。

【0122】

Ｎｂを含むプリカーサとしては、例えば、ニオブ（Ｖ）エトキシド（Ｎｂ（ＯＣＨ₂Ｃ
Ｈ₃）₅、トリス（ジエチルアミド）（ｔ－ブチルイミド）ニオブ（Ｖ）（Ｃ₁₆Ｈ₃₉Ｎ₄Ｎ
ｂ）等が挙げられる。

【0123】

Ｓｉを含むプリカーサとしては、例えば、Ｎ－ｓｅｃ－ブチル（トリメチルシリル）アミン（Ｃ₇Ｈ₁₉ＮＳｉ）、１，３－ジエチル－１，１，３，３－テトラメチルジシラザン
（Ｃ₈Ｈ₂₃ＮＳｉ₂）、２，４，６，８，１０－ペンタメチルシクロペンタシロキサン（（ＣＨ₃ＳｉＨＯ）₅）、ペンタメチルジシラン（（ＣＨ₃）₃ＳｉＳｉ（ＣＨ₃）₂Ｈ）、トリス（イソプロポキシ）シラノール（［（Ｈ₃Ｃ）₂ＣＨＯ］₃ＳｉＯＨ）、クロロペンタン
メチルジシラン（（ＣＨ₃）₃ＳｉＳｉ（ＣＨ₃）₂Ｃｌ）、ジクロロシラン（ＳｉＨ₂Ｃｌ₂）、トリジメチルアミノシラン（Ｓｉ［Ｎ（ＣＨ₃）₂］₄）、テトラエチルシラン（Ｓｉ
（Ｃ₂Ｈ₅）₄）、テトラメチルシラン（Ｓｉ（ＣＨ₃）₄）、テトラエトキシシラン（Ｓｉ
（ＯＣ₂Ｈ₅）₄）、ドデカメチルシクロヘキサシラン（（Ｓｉ（ＣＨ₃）₂）₆）、四塩化ケイ素（ＳｉＣｌ₄）四臭化ケイ素（ＳｉＢｒ₄）等が挙げられる。

【0124】

Ｔａを含むプリカーサとしては、例えば、（ｔ－ブチルイミド）トリス（エチルメチルアミノ）タンタル（Ｖ）（Ｃ₁₃Ｈ₃₃Ｎ₄Ｔａ、ＴＢＴＥＭＴ）、タンタル（Ｖ）エトキシ
ド（Ｔａ（ＯＣ₂Ｈ₅）₅）、（ｔ－ブチルイミド）トリス（ジエチルアミノ）タンタル（
Ｖ）（（ＣＨ₃）₃ＣＮＴａ（Ｎ（Ｃ₂Ｈ₅）₂）₃）、ペンタキス（ジメチルアミノ）タンタル（Ｖ）（Ｔａ（Ｎ（ＣＨ₃）₂）₅）等が挙げられる。

【0125】

Ｈｆを含むプリカーサとしては、例えば、ハフニウムテトラクロライド（ＨｆＣｌ₄）
、テトラキスジメチルアミノハフニウム（Ｈｆ［Ｎ（ＣＨ₃）₂］₄）、テトラキスエチル
メチルアミノハフニウム（Ｈｆ［Ｎ（Ｃ₂Ｈ₅）（ＣＨ₃）］₄）、テトラキスジエチルアミノハフニウム（Ｈｆ［Ｎ（Ｃ₂Ｈ₅）₂］₄）、ハフニウム－ｔ－ブトキシド（Ｈｆ［ＯＣ（ＣＨ₃）₃］₄）等が挙げられる。

【0126】

第２誘電体層の被覆（工程(a-iv)）は、第１誘電体層の形成（工程(a-ii)）より前に行ってもよい。陽極基材に第２誘電体層を形成した後、第１誘電体層の形成（工程(a-ii)）を行うことにより、例えば図５に示す断面構造を有する電極箔を製造できる。

【0127】

ＡＬＤ法によれば、薄く、均一な第２金属の酸化物（第２誘電体層１０４Ｂ）が形成されるが、ピットの深部には、ピンホールなどの欠陥が形成され得る。しかしながら、ＡＬＤ層形成後に第１誘電体層１０４Ａを成長させる化成処理を行うことによって、化成処理では、イオン化した第１金属が第２金属の酸化物の内部にまで拡散して、第２誘電体層１０４Ｂ中の欠陥が修復される。このような方法で形成された第２誘電体層１０４Ｂには、第１金属と第２金属との複合酸化物が含まれ得る（第１金属と第２金属が異なる場合）。多孔体部分１０２Ａと第２誘電体層１０４Ｂとの間には、第１金属の酸化物を含む第１誘電体層１０４Ａが形成される。

【0128】

このように、ＡＬＤ層の被覆を化成処理の前に行うことで、欠陥が低減された誘電体層を細孔１０３に沿って形成できる。これにより、高耐圧で、リーク電流が低減された電解コンデンサを製造できる。

【0129】

一方で、第１誘電体層１０４Ａの厚みは、第２誘電体層１０４Ｂが形成されていない多孔体部分１０２Ａを同じ条件で化成した場合と比較して薄くなる。さらに、第２誘電体層１０４Ｂが厚く形成されるほど、第１誘電体層１０４Ａの厚みは薄くなる。これは、化成処理の際の第１金属の溶出が抑制されるとともに、第１金属によって修復されるべき第２金属の酸化物の欠陥が多くなるためである。そのため、第１金属の酸化物よりも高い比誘電率を有する第２金属の酸化物を用いて第２誘電体層１０４Ｂを形成しておき、その後、化成により第１誘電体層１０４Ａを形成する場合、電解コンデンサの容量をさらに増大させることができる。比誘電率の低い第１金属を含む第１誘電体層１０４Ａの膜厚が薄くなるためである。

【0130】

［電解コンデンサの製造方法］
次に、本実施形態に係る工程(b-i)～(b-v)を具備する電解コンデンサの製造方法について説明する。ただし、製造方法は、以下に限定されるものではない。

【0131】

工程(b-i)は、多孔体部分を有する基材部を備える粗面化箔を準備する工程である。

【0132】

工程(b-ii)は、基材部に少なくとも第１誘電体層を形成する工程である。

【0133】

工程(b-iii)は、粗面化箔を所定の位置で切断し、切断面において基材部が露出した陽
極基材を得る工程（粗面化箔切断工程）である。

【0134】

工程(b-iv)は、陽極基材から陽極体を分離し、陽極体を含むコンデンサ素子を形成する工程である。

【0135】

工程(b-v)は、粗面化箔切断工程の後に、原子層堆積法によって、陽極体の切断面を第
２誘電体層で被覆する工程である。

【0136】

本実施形態に係る電解コンデンサの製造方法は、第１誘電体層を形成する工程（工程(b-ii)）が、陽極基材に所定の第１電圧を印加して陽極酸化処理を行う工程であり、陽極体に第１電圧よりも低い第２電圧を印加して陽極酸化処理を行い、切断面に第３誘電体層を成長させる工程（工程(b-vi)）をさらに有していてもよい。

【0137】

工程(b-i)～工程(b-iii)、および、工程(b-v)は、それぞれ、電解コンデンサ用電極箔
の製造方法の工程(a-i)～工程(a-iv)に対応するため、詳細な説明を割愛する。
以下、工程(b-iv)について詳細に説明する。

【0138】

(b-iv)コンデンサ素子を形成する工程
工程(b-iii)の後、陽極基材から陽極体を分離し、コンデンサ素子を形成する。例えば
、陽極体、セパレータ、陰極体がこの順で積層された積層体を形成することによって、コンデンサ素子が形成される。その後、積層体をケースに収容し、陽極体の多孔体部分１０２Ａに電解液および固体電解質の少なくとも一方を含浸することにより、例えば図８に示す電解コンデンサを製造することができる。固体電解質を多孔体部分１０２Ａに含浸させて固体電解質層を形成した後、更に電解液を含浸させてもよい。
あるいは、陽極体、固体電解質層、陰極体をこの順で積層することによって、コンデンサ素子を形成してもよい。
なお、陽極基材とは、例えば、図７の帯状部を有する陽極箔２００や、フープ状の陽極箔を指し、コンデンサに搭載できる形状となったものを陽極体と呼ぶ。

【0139】

上記積層体を形成する場合、切断面の第２誘電体層による被覆（工程(b-v)）は、積層
体を形成する前に行ってもよいし、積層体を形成した後で行ってもよい。積層体の形成後に第２誘電体層１０４Ｂで被覆する場合には、切断面に加えてセパレータの露出する端部を第４誘電体層１０４Ｄで同時に被覆することができ、セパレータと陽極体との隙間を第４誘電体層で被覆することができる。これにより、図１０に示す積層体の断面構造を有する電解コンデンサが得られる。

【0140】

電解液としては、非水溶媒であってもよく、非水溶媒とこれに溶解させたイオン性物質（溶質、例えば有機塩）との混合物であってもよい。有機塩とは、アニオンおよびカチオンの少なくとも一方が有機物を含む塩である。非水溶媒は、有機溶媒でもよく、イオン性液体でもよい。非水溶媒としては、高沸点溶媒が好ましい。このような電解液は、極性が高いため、多孔体部分における水の動的接触角が低く、多孔体部分の水に対する濡れ性が高いほど、多孔体部分への電解液の含浸性が高くなり、静電容量が大きくなる。

【0141】

非水溶媒としては、例えば、エチレングリコール、プロピレングリコールなとの多価アルコール類、スルホランなどの環状スルホン類、γ－ブチロラクトンなどのラクトン類、Ｎ－メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ－メチル－２－ピロリドンなどのアミド類、酢酸メチルなどのエステル類、炭酸プロピレンなどのカーボネート化合物、１，４－ジオキサンなどのエーテル類、メチルエチルケトンなどのケトン類、ホルムアルデヒドなどを用いることができる。

【0142】

有機塩としては、例えば、マレイン酸トリメチルアミン、ボロジサリチル酸トリエチルアミン、フタル酸エチルジメチルアミン、フタル酸モノ１，２，３，４－テトラメチルイミダゾリニウム、フタル酸モノ１，３－ジメチル－２－エチルイミダゾリニウムなどを用いてもよい。

【0143】

固体電解質は、例えば、マンガン化合物や導電性高分子を含む。導電性高分子として、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアニリンおよびこれらの誘導体などを用いることができる。

【0144】

導電性高分子を含む固体電解質層は、例えば、原料モノマーを第２誘電体層上で化学重合および／または電解重合することにより形成することができる。重合反応は、水を含む液相中で行われるため、多孔体部分における水の動的接触角が低く、多孔体部分の水に対する濡れ性が高いほど、多孔体部分の深部への原料モノマーの含浸性が高くなり、深部でも導電性高分子が形成される。よって、静電容量が大きくなる。

【0145】

導電性高分子を含む固体電解質層は、導電性高分子が溶解した溶液または導電性高分子が分散した分散液を、第２誘電体層に含浸もしくは塗布することにより形成してもよい。このような溶液および分散液は水を含むため、多孔体部分における水の動的接触角が低く、多孔体部分の水に対する濡れ性が高いほど、多孔体部分の深部への導電性高分子の含浸性が高くなり、静電容量が大きくなる。

【0146】

(b-vi)切断面の陽極酸化処理工程
第１誘電体層１０４Ａの形成後、基材部１０２に対して再度の陽極酸化処理を行ってもよい。これにより、切断面に第３誘電体層１０４Ｃを成長させ、電解コンデンサの耐圧を一層高めることができる。

【0147】

このときの切断面に対する陽極酸化処理は、通常、第１誘電体層１０４Ａの形成時の電圧（第１電圧）よりも低い電圧（第２電圧）で行われる。切断面の陽極酸化処理において印加する電圧は、例えば、０．５～１８０Ｖであり、より好ましくは３～１４０Ｖである。
このため、陽極基材の主面（第１の主面１０５）上に形成されている第１誘電体層１０４Ａが更に成長し、厚膜化することはなく、切断面上において第３誘電体層１０４Ｃが成長する。第３誘電体層１０４Ｃの膜厚は、第１誘電体層１０４Ａよりも薄い。

【0148】

コンデンサ素子を形成する前の陽極基材に第２電圧を印加してもよいし、コンデンサ素子を形成後の積層体に対して、陽極体に第２電圧を印加してもよい。また、第２電圧の印加は、第２誘電体層の被覆（工程(b-iv)）より前に行っても、後で行ってもよい。

【0149】

切断面の化成工程(b-vi)の後で第２誘電体層の被覆（工程(b-v)）を行う場合には、切
断面に形成される誘電体層の膜厚は、第３誘電体層１０４Ｃの膜厚と、第２誘電体層１０４Ｂの膜厚の和となる。このため、切断面に形成される誘電体層の膜厚の合計を、第１誘電体層１０４Ａの膜厚よりも厚く形成することも可能である。これにより、図４に示す電極箔の断面構造を有する電解コンデンサを製造できる。また、第２誘電体層１０４Ｂの膜厚を、第１誘電体層１０４Ａの膜厚よりも厚く形成することも可能である。

【0150】

一方、第２誘電体層の被覆（工程(b-v)）後に切断面の化成工程(b-vi)を行う場合、第
２誘電体層の膜厚が切断面の化成電圧に対して十分厚ければ、第３誘電体層１０４Ｃは略形成されない。つまり、切断面の化成電圧に対して第２誘電体層の膜厚を十分厚くすることで、切断面に形成される誘電体層の膜厚を第１誘電体層１０４Ａの膜厚よりも厚く形成することも可能である。この場合においても、第１誘電体層１０４Ａおよび第２誘電体層１０４Ｂ内の欠陥が化成工程において修復され、より緻密な誘電体層が得られる。特に、コンデンサ素子の形成工程では、誘電体層の表面にクラックなどの欠陥が生じ易いが、コンデンサ素子の形成（工程(b-iv)）および第２誘電体層の被覆（工程(b-v)）の後に工程(b-vi)を行うことによって、コンデンサ素子の形成で生じた誘電体層の欠陥を修復できる
。

【0151】

上記の実施形態では、図８に示す捲回型の電解コンデンサの製造方法を例として説明したが、本発明の適用範囲は上記に限定されず、他の電解コンデンサ、例えば、図６に示すチップ型の電解コンデンサの製造にも適用することができる。

【産業上の利用可能性】

【0152】

本発明に係る電解コンデンサ用電極箔は、電解コンデンサの陽極として利用可能であり、特に、高耐圧が要求される電解コンデンサへの利用が可能である。

【符号の説明】

【0153】

１０：コンデンサ素子、１１：有底ケース１１、１２：封止部材１２、１３：座板１３、１４Ａ，１４Ｂ：リード線、１５Ａ，１５Ｂ：リードタブ、２１：陽極体、２２：陰極体２２、２３：セパレータ、２４：巻止めテープ、４０：電解コンデンサ、４１ａ：積層体、４３ａ：陽極引出部（陽極体）、４３ｂ：陰極形成部（陽極体）、４４：陰極体、４４ａ：陰極体の端面、４５：コンデンサ素子、４８：陽極引出部の端面、４９：外装体、４９ａ：外装体の第１側面、４９ｂ：外装体の第２側面、５２：陽極側の外部電極、５２ａ：陽極側の第１電極層、５２ｂ：陽極側の第２電極層、５３：陰極側の外部電極、５３ａ：陰極側の第１電極層、５３ｂ：陰極側の第２電極層、１００，１１１～１１３：電解コンデンサ用電極箔、１０１：陽極用電極体、１０２：基材部、１０２Ａ：多孔体部分、１０２Ｂ：芯材部分、１０３：細孔、１０４，１０４Ａ～１０４Ｄ：誘電体層、１０５：第１の主面、１０６：第２の主面、１０７：第３の主面（セパレータの主面）、１０８，１０８Ａ，１０８Ｂ：端面、１０９：セパレータの端面

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】