特許 7342157 画素アレイ及び表示装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2023-09-01

(45)【発行日】2023-09-11

(54)【発明の名称】画素アレイ及び表示装置

(51)【国際特許分類】

   G09F 9/302 20060101AFI20230904BHJP

   H10K 59/10 20230101ALI20230904BHJP

   G09F 9/30 20060101ALN20230904BHJP

【ＦＩ】

G09F9/302 C

H10K59/10

G09F9/30 365

【請求項の数】 32

(21)【出願番号】P 2021577081

(86)(22)【出願日】2020-09-29

(65)【公表番号】

(43)【公表日】2023-01-18

(86)【国際出願番号】 CN2020118991

(87)【国際公開番号】W WO2022052192

(87)【国際公開日】2022-03-17

【審査請求日】2022-05-11

(31)【優先権主張番号】PCT/CN2020/114619

(32)【優先日】2020-09-10

(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN

(73)【特許権者】

【識別番号】510280589

【氏名又は名称】京東方科技集團股▲ふん▼有限公司

【氏名又は名称原語表記】ＢＯＥ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ ＧＲＯＵＰ ＣＯ．，ＬＴＤ．

【住所又は居所原語表記】Ｎｏ．１０ Ｊｉｕｘｉａｎｑｉａｏ Ｒｄ．，Ｃｈａｏｙａｎｇ Ｄｉｓｔｒｉｃｔ，Ｂｅｉｊｉｎｇ １０００１５，ＣＨＩＮＡ

(73)【特許権者】

【識別番号】511121702

【氏名又は名称】成都京東方光電科技有限公司

【氏名又は名称原語表記】ＣＨＥＮＧＤＵ ＢＯＥ ＯＰＴＯＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ ＣＯ．，ＬＴＤ．

【住所又は居所原語表記】Ｎｏ．１１８８，Ｈｅｚｕｏ Ｒｄ．，（Ｗｅｓｔ Ｚｏｎｅ），Ｈｉ－ｔｅｃｈ Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ Ｚｏｎｅ，Ｃｈｅｎｇｄｕ，Ｓｉｃｈｕａｎ，６１１７３１，Ｐ．Ｒ．ＣＨＩＮＡ

(74)【代理人】

【識別番号】100108453

【弁理士】

【氏名又は名称】村山 靖彦

(74)【代理人】

【識別番号】100110364

【弁理士】

【氏名又は名称】実広 信哉

(72)【発明者】

【氏名】胡 明

(72)【発明者】

【氏名】黄 ▲ヤン▼

(72)【発明者】

【氏名】▲羅▼ 昶

(72)【発明者】

【氏名】▲呉▼ 建▲鵬▼

(72)【発明者】

【氏名】王 本▲蓮▼

(72)【発明者】

【氏名】徐 ▲鵬▼

(72)【発明者】

【氏名】▲張▼ ▲微▼

(72)【発明者】

【氏名】徐 ▲倩▼

【審査官】石本 努

(56)【参考文献】

【文献】米国特許出願公開第２０２０／０２７３９２４（ＵＳ，Ａ１）

【文献】米国特許出願公開第２０１９／０２５２４６９（ＵＳ，Ａ１）

【文献】米国特許出願公開第２０１８／００８８２６０（ＵＳ，Ａ１）

【文献】中国特許出願公開第１０９９９４５０３（ＣＮ，Ａ）

【文献】中国特許出願公開第１１１３４１８１７（ＣＮ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｇ０２Ｆ１／１３３５

１／１３３６３

１／１３４３－１／１３４５

１／１３５－１／１３６８

Ｇ０９Ｆ９／３０－９／４６

Ｈ０５Ｂ３３／００－３３／２８

４４／００

４５／６０

Ｈ１０Ｋ５０／００－９９／００

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１のサブ画素、第２のサブ画素及び第３のサブ画素を含む複数のサブ画素を含み、
前記第１のサブ画素と前記第３のサブ画素は行方向に沿って交互に設けられて複数の第１の画素行を形成し、前記複数の第１の画素行において同一列に位置する前記第１のサブ画素と前記第３のサブ画素は交互に設けられ、前記第２のサブ画素は行方向に沿って並置されて複数の第２の画素行を形成し、
アレイ状に配列された２つの前記第１のサブ画素と２つの前記第３のサブ画素の中心を順につなげて第１の仮想四角形を構成し、各前記第１の仮想四角形内に１つの前記第２のサブ画素が設けられた画素アレイであって、
前記第１の仮想四角形の少なくとも一部の内角は９０°に等しくなく、
前記第１のサブ画素、前記第２のサブ画素及び前記第３のサブ画素の形状には多角形が含まれ、前記第１のサブ画素、前記第２のサブ画素及び前記第３のサブ画素のうちの少なくとも１つの多角形形状であるサブ画素における少なくとも１つの頂角の２辺の延長線の交点から当該サブ画素の中心までの距離は、当該サブ画素のもう１つの頂角の２辺の延長線の交点から当該サブ画素の中心までの距離に等しくなく、
前記第１のサブ画素及び前記第３のサブ画素のうちの少なくとも１つの形状は１つの対称軸のみを含む、
画素アレイ。

【請求項2】

前記第１のサブ画素、前記第２のサブ画素及び前記第３のサブ画素のうちの少なくとも１つにおける少なくとも１つの頂角の２辺の延長線の交点から当該サブ画素の境界までの最近接距離は、当該サブ画素のもう１つの頂角の２辺の延長線の交点から当該サブ画素の境界までの最近接距離に等しくない
請求項１に記載の画素アレイ。

【請求項3】

前記第１のサブ画素の形状には多角形が含まれ、第１のサブ画素の頂角には対向して設けられた第１の角部と第２の角部、及び対向して設けられた第３の角部と第４の角部を含み、
前記第２の角部、前記第３の角部及び前記第４の角部の形状は略同一であり、前記第１のサブ画素の第１の角部の２辺の延長線の交点から当該サブ画素の中心までの距離は、第２の角部の２辺の延長線の交点から当該サブ画素の中心までの距離より大きい
請求項１に記載の画素アレイ。

【請求項4】

前記第３のサブ画素の形状には多角形が含まれ、第３のサブ画素の頂角には対向して設けられた第１の角部と第２の角部、及び対向して設けられた第３の角部と第４の角部を含み、
前記第２の角部、前記第３の角部及び前記第４の角部の形状は略同一であり、前記第３のサブ画素の第１の角部の２辺の延長線の交点から当該サブ画素の中心までの距離は、第２の角部の２辺の延長線の交点から当該サブ画素の中心までの距離より大きい
請求項１に記載の画素アレイ。

【請求項5】

前記第２のサブ画素の形状には多角形が含まれ、第２のサブ画素の頂角には対向して設けられた第１の角部と第２の角部、及び対向して設けられた第３の角部と第４の角部を含み、
前記第２の角部、前記第３の角部及び前記第４の角部の形状は略同一であり、前記第２のサブ画素の第１の角部の２辺の延長線の交点から当該サブ画素の中心までの距離は、第２の角部の２辺の延長線の交点から当該サブ画素の中心までの距離より大きい
請求項１に記載の画素アレイ。

【請求項6】

前記第１のサブ画素の第１の角部の２辺の延長線の交点からその第１の角部の頂点までの距離と、当該第１の角部の頂点からこれに対向する第２の角部の頂点までの距離の比は１／５～１／２であり、
前記第１の角部の頂点は、それに対応する頂角の２辺の延長線の交点から当該サブ画素の境界までの距離が最近接となる点である
請求項３から５のいずれか１項に記載の画素アレイ。

【請求項7】

前記第１の角部は面取り又は平面取りされている
請求項３から５のいずれか１項に記載の画素アレイ。

【請求項8】

前記第２の角部、前記第３の角部及び前記第４の角部の対応する頂角の２辺の延長線が交差して形成される仮想頂角の角度は略等しい
請求項３から５のいずれか１項に記載の画素アレイ。

【請求項9】

前記第２の角部、前記第３の角部及び前記第４の角部の対応する頂角の２辺の延長線が交差して形成される仮想頂角の角度は概ね８０°～１００°である
請求項８に記載の画素アレイ。

【請求項10】

前記第１の角部の頂角の２辺の延長線と第１の角部の境界の輪郭とによって囲まれた領域は第１の肉抜きエリアであり、前記第２の角部の頂角の２辺の延長線と第２の角部の境界の輪郭とによって囲まれた領域は第２の肉抜きエリアであり、前記第１の肉抜きエリアの面積は、第２の肉抜きエリアの面積より大きい
請求項３から５のいずれか１項に記載の画素アレイ。

【請求項11】

各前記第１の仮想四角形における第２のサブ画素の中心からこれに直接隣接する２つの第１のサブ画素の発光エリアの境界までの最近接距離は等しい
請求項１に記載の画素アレイ。

【請求項12】

前記第１の仮想四角形に対応するサブ画素において、２つの前記第１のサブ画素が２つの前記第３のサブ画素の中心をつなぐ線に対して対称に設けられており、２つの前記第３のサブ画素が２つの前記第１のサブ画素の中心をつなぐ線に対して対称に設けられている
請求項１に記載の画素アレイ。

【請求項13】

前記第１の仮想四角形の内角の少なくとも１つの内角の角度が７０°～１１０°である
請求項１に記載の画素アレイ。

【請求項14】

前記第１の仮想四角形における対向して設けられた一対の内角はいずれも９０°であり、対向して設けられたもう一対の内角のうちの一方は９０°より大きく、もう一方は９０°より小さい
請求項１に記載の画素アレイ。

【請求項15】

前記第１の仮想四角形における対向する一対の内角は等しく、対向して設けられたもう一対の内角のうちの一方は９０°である
請求項１に記載の画素アレイ。

【請求項16】

前記第１の仮想四角形における各内角はいずれも９０°に等しくなく、少なくとも一部の内角の角度は同一である
請求項１に記載の画素アレイ。

【請求項17】

前記第１の仮想四角形には仮想平行四角形又は仮想台形が含まれる
請求項１に記載の画素アレイ。

【請求項18】

アレイ状に配列された４つの前記第１の仮想四角形は、１つの第２の仮想多角形を構成し、前記第１のサブ画素及び前記第３のサブ画素は、第２の仮想多角形の頂角又は辺上に位置し、当該第２の仮想多角形の辺又は頂角の位置に時計回りに交互に分布している
請求項１から１７のいずれか１項に記載の画素アレイ。

【請求項19】

前記第２の仮想多角形には矩形が含まれる
請求項１８に記載の画素アレイ。

【請求項20】

第２の仮想多角形内において、同一行に位置する前記第３のサブ画素の中心が行方向に平行な一直線上に概ねあり、及び／又は、同一列に位置する第３のサブ画素の中心が列方向に平行な一直線上に概ねある
請求項１８に記載の画素アレイ。

【請求項21】

前記第２の仮想多角形内において、同一行に位置する前記第２のサブ画素の中心が行方向に平行な一直線上に概ねあり、及び／又は、同一列に位置する前記第２のサブ画素の中心が列方向に平行な一直線上に概ねある
請求項１８に記載の画素アレイ。

【請求項22】

前記第１の画素行において、隣接して設けられた１つの前記第１のサブ画素及び１つの前記第３のサブ画素は、列方向における第１の側の各々の中心から最も離れた端点をつなぐ延長線と、対向する第２の側の各々の中心から最も離れた端点をつなぐ延長線が交差し、挟角が３０°より小さい
請求項１から２１のいずれか１項に記載の画素アレイ。

【請求項23】

同一列に位置する隣接して設けられた１つの前記第１のサブ画素及び１つの前記第３のサブ画素は、行方向における第１の側の各々の中心から最も離れた端点をつなぐ延長線と、対向する第２の側の各々の中心から最も離れた端点をつなぐ延長線が交差し、挟角が３０°より小さい
請求項１から２１のいずれか１項に記載の画素アレイ。

【請求項24】

同一行において隣接する１つの第１のサブ画素の少なくとも１つの角部と１つの第３のサブ画素の少なくとも１つの角部は対向し、当該１つの第１のサブ画素の少なくとも１つの角部の２つの辺の延長線の交点と当該１つの第３のサブ画素の少なくとも１つの角部の２つの辺の延長線の交点は行方向に平行な一直線上に位置し、及び／又は、
同一列において隣接する１つの第１のサブ画素の少なくとも１つの角部と１つの第３のサブ画素の少なくとも１つの角部は対向し、当該１つの第１のサブ画素の少なくとも１つの角部の２つの辺の延長線の交点と当該１つの第３のサブ画素の少なくとも１つの角部の２つの辺の延長線の交点は列方向に平行な一直線上に位置する
請求項１に記載の画素アレイ。

【請求項25】

第１のサブ画素及び前記第３のサブ画素の少なくとも一方の中心を行方向又は列方向に沿って通る直線によって当該サブ画素を２つの部分に分割し、これら２つの部分の面積比は２：８～８：２である
請求項１から２１のいずれか１項に記載の画素アレイ。

【請求項26】

第１のサブ画素は赤色サブ画素であり、第２のサブ画素には緑色サブ画素が含まれ、第３のサブ画素には青色サブ画素が含まれる
請求項１から２１のいずれか１項に記載の画素アレイ。

【請求項27】

第１のサブ画素、第２のサブ画素及び第３のサブ画素を含む複数のサブ画素を含み、
前記第１のサブ画素と前記第３のサブ画素は行方向に沿って交互に設けられて複数の第１の画素行を形成し、前記複数の第１の画素行において同一列に位置する前記第１のサブ画素と前記第３のサブ画素は交互に設けられ、前記第２のサブ画素は行方向に沿って並置されて複数の第２の画素行を形成し、
アレイ状に配列された２つの前記第１のサブ画素と２つの前記第３のサブ画素の中心を順につなげて第１の仮想四角形を構成し、各前記第１の仮想四角形内に１つの前記第２のサブ画素が設けられた画素アレイであって、
前記第１の仮想四角形の少なくとも一部の内角は９０°に等しくなく、
前記第１のサブ画素、前記第２のサブ画素及び前記第３のサブ画素の形状には多角形が含まれ、前記第１のサブ画素、前記第２のサブ画素及び前記第３のサブ画素のうちの少なくとも１つの多角形形状であるサブ画素における少なくとも１つの頂角の２辺の延長線の交点から当該サブ画素の境界までの最近接距離は、当該サブ画素のもう１つの頂角の２辺の延長線の交点から当該サブ画素の境界までの最近接距離までの距離に等しくなく、
前記第１のサブ画素及び前記第３のサブ画素のうちの少なくとも１つの形状は１つの対称軸のみを含む、
画素アレイ。

【請求項28】

前記第１のサブ画素は軸対称な図形であり、前記第１のサブ画素の形状はいずれも同一であるが、少なくとも一部の第１のサブ画素の対称軸の方向が同一でないか、又は
前記第２のサブ画素は軸対称な図形であり、前記第２のサブ画素の形状はいずれも同一であるが、少なくとも一部の第２のサブ画素の対称軸の方向が同一でないか、又は
前記第３のサブ画素は軸対称な図形であり、前記第３のサブ画素の形状はいずれも同一であるが、少なくとも一部の第３のサブ画素の対称軸の方向が同一でない
請求項２７に記載の画素アレイ。

【請求項29】

前記第１のサブ画素及び前記第３のサブ画素は軸対称な図形であり、前記第１のサブ画素及び前記第３のサブ画素の少なくとも一部の対称軸の方向が同一でない
請求項２７に記載の画素アレイ。

【請求項30】

前記第２のサブ画素の形状は非軸対称な図形である
請求項２７に記載の画素アレイ。

【請求項31】

前記第１のサブ画素の形状の対称軸の数、前記第２のサブ画素の形状の対称軸の数及び前記第３のサブ画素の形状の対称軸の数のうち、少なくとも２つが異なる
請求項２７に記載の画素アレイ。

【請求項32】

請求項１から３１のいずれか１項に記載の画素アレイを含む
表示装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、表示技術分野に属し、具体的には画素アレイ及び表示装置に関する。

【背景技術】

【0002】

現在、有機エレクトロルミネッセンス（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ，ＯＬＥＤ）表示装置は、フラットパネルディスプレイの研究分野においてホットスポットの１つとなっている。液晶ディスプレイと比べ、ＯＬＥＤ表示装置には、消費電力が少なく、生産コストが低く、自発光し、視野角が広く、応答速度が速いといった利点があり、現在、携帯電話、タブレット、デジタルカメラ等のフラットパネルの表示分野において、従来の液晶ディスプレイ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ，ＬＣＤ）に取り代わり始めている。

【0003】

ＯＬＥＤ表示装置は、主に、基板と、基板上に形成されアレイ状に配列される画素とを含んで構成される。各画素においては、一般に、有機材料を用いて蒸着成膜技術によって高精細な金属マスク板を介し、アレイ基板上の対応する画素位置に有機電界発光素子が形成される。

【0004】

しかし、現在のＯＬＥＤ表示装置では、画素配列構造において画素同士の距離が比較的大きいため、同等の解像度条件において画素開口面積が比較的小さくなることから、表示の輝度要件を満たすためには駆動電流を増大させる必要がある。しかし、大きな駆動電流下でＯＬＥＤが動作すると、素子の劣化速度が加速しやすく、ＯＬＥＤ表示装置の寿命が短縮される。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

本発明は、従来技術における技術課題の１つを少なくとも解決することを目的とし、画素アレイ及び表示装置を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0006】

第１の態様において、本発明の実施例は、第１のサブ画素、第２のサブ画素及び第３のサブ画素を含む複数のサブ画素を含み、前記第１のサブ画素と前記第３のサブ画素は行方向に沿って交互に設けられて複数の第１の画素行を形成し、前記複数の第１の画素行において同一列に位置する前記第１のサブ画素と前記第３のサブ画素は交互に設けられ、前記第２のサブ画素は行方向に沿って並置されて複数の第２の画素行を形成し、アレイ状に配列された２つの前記第１のサブ画素と２つの前記第３のサブ画素の中心を順につなげて第１の仮想四角形を構成し、各前記第１の仮想四角形内に１つの前記第２のサブ画素が設けられた画素アレイであって、
前記第１の仮想四角形の少なくとも一部の内角は９０°に等しくなく、
前記第１のサブ画素、前記第２のサブ画素及び前記第３のサブ画素の形状には多角形が含まれ、前記第１のサブ画素、前記第２のサブ画素及び前記第３のサブ画素のうちの少なくとも１つの多角形形状であるサブ画素における少なくとも１つの頂角の２辺の延長線の交点から当該サブ画素の中心までの距離は、当該サブ画素のもう１つの頂角の２辺の延長線の交点から当該サブ画素の中心までの距離に等しくない、画素アレイを提供する。

【0007】

前記第１のサブ画素、前記第２のサブ画素及び前記第３のサブ画素のうちの少なくとも１つにおける少なくとも１つの頂角の２辺の延長線の交点から当該サブ画素の境界までの最近接距離は、当該サブ画素のもう１つの頂角の２辺の延長線の交点から当該サブ画素の境界までの最近接距離に等しくない。

【0008】

前記第１のサブ画素の形状には多角形が含まれ、第１のサブ画素の頂角には対向して設けられた第１の角部と第２の角部、及び対向して設けられた第３の角部と第４の角部を含み、前記第２の角部、前記第３の角部及び前記第４の角部の形状は略同一であり、前記第１のサブ画素の第１の角部の２辺の延長線の交点から当該サブ画素の中心までの距離は、第２の角部の２辺の延長線の交点から当該サブ画素の中心までの距離より大きい。

【0009】

前記第３のサブ画素の形状には多角形が含まれ、第３のサブ画素の頂角には対向して設けられた第１の角部と第２の角部、及び対向して設けられた第３の角部と第４の角部を含み、前記第２の角部、前記第３の角部及び前記第４の角部の形状は略同一であり、前記第３のサブ画素の第１の角部の２辺の延長線の交点から当該サブ画素の中心までの距離は、第２の角部の２辺の延長線の交点から当該サブ画素の中心までの距離より大きい。

【0010】

前記第２のサブ画素の形状には多角形が含まれ、第２のサブ画素の頂角には対向して設けられた第１の角部と第２の角部、及び対向して設けられた第３の角部と第４の角部を含み、前記第２の角部、前記第３の角部及び前記第４の角部の形状は略同一であり、前記第２のサブ画素の第１の角部の２辺の延長線の交点から当該サブ画素の中心までの距離は、第２の角部の２辺の延長線の交点から当該サブ画素の中心までの距離より大きい。

【0011】

前記第１のサブ画素の第１の角部の２辺の延長線の交点からその第１の角部の頂点までの距離と、当該第１の角部の頂点からこれに対向する第２の角部の頂点までの距離の比は１／５～１／２であり、前記第１の角部の頂点は、それに対応する頂角の２辺の延長線の交点から当該サブ画素の境界までの距離が最近接となる点である。

【0012】

前記第１の角部は面取り又は平面取りされている。

【0013】

前記第２の角部、前記第３の角部及び前記第４の角部の対応する頂角の２辺の延長線が交差して形成される仮想頂角の角度は略等しい。

【0014】

前記第２の角部、前記第３の角部及び前記第４の角部の対応する頂角の２辺の延長線が交差して形成される仮想頂角の角度は概ね８０°～１００°である。

【0015】

前記第１の角部の頂角の２辺の延長線と第１の角部の境界の輪郭とによって囲まれた領域は第１の肉抜きエリアであり、前記第２の角部の頂角の２辺の延長線と第２の角部の境界の輪郭とによって囲まれた領域は第２の肉抜きエリアであり、前記第１の肉抜きエリアの面積は、第２の肉抜きエリアの面積より大きい。

【0016】

各前記第１の仮想四角形における第２のサブ画素の中心からこれに直接隣接する２つの第１のサブ画素の発光エリアの境界までの最近接距離は等しい。

【0017】

前記第１の仮想四角形に対応するサブ画素において、２つの前記第１のサブ画素が２つの前記第３のサブ画素の中心をつなぐ線に対して対称に設けられており、２つの前記第３のサブ画素が２つの前記第１のサブ画素の中心をつなぐ線に対して対称に設けられている。

【0018】

前記第１の仮想四角形の内角の少なくとも１つの内角の角度が７０°～１１０°である。

【0019】

前記第１の仮想四角形における対向して設けられた一対の内角はいずれも９０°であり、対向して設けられたもう一対の内角のうちの一方は９０°より大きく、もう一方は９０°より小さい。

【0020】

前記第１の仮想四角形における対向する一対の内角は等しく、対向して設けられたもう一対の内角のうちの一方は９０°である。

【0021】

前記第１の仮想四角形における各内角はいずれも９０°に等しくなく、少なくとも一部の内角の角度は同一である。

【0022】

前記第１の仮想四角形には仮想平行四角形又は仮想台形が含まれる。

【0023】

アレイ状に配列された４つの前記第１の仮想四角形は、１つの第２の仮想多角形を構成し、前記第１のサブ画素及び前記第３のサブ画素は、第２の仮想多角形の頂角又は辺上に位置し、当該第２の仮想多角形の辺又は頂角の位置に時計回りに交互に分布している。

【0024】

前記第２の仮想多角形には矩形が含まれる。

【0025】

第２の仮想多角形内において、同一行に位置する前記第３のサブ画素の中心が行方向に平行な一直線上に概ねあり、及び／又は、同一列に位置する第３のサブ画素の中心が列方向に平行な一直線上に概ねある。

【0026】

前記第２の仮想多角形内において、同一行に位置する前記第２のサブ画素の中心が行方向に平行な一直線上に概ねあり、及び／又は、同一列に位置する前記第２のサブ画素の中心が列方向に平行な一直線上に概ねある。

【0027】

前記第１の画素行において、隣接して設けられた１つの前記第１のサブ画素及び１つの前記第３のサブ画素は、列方向における第１の側の各々の中心から最も離れた端点をつなぐ延長線と、対向する第２の側の各々の中心から最も離れた端点をつなぐ延長線が交差し、挟角が３０°より小さい。

【0028】

同一列に位置する隣接して設けられた１つの前記第１のサブ画素及び１つの前記第３のサブ画素は、行方向における第１の側の各々の中心から最も離れた端点をつなぐ延長線と、対向する第２の側の各々の中心から最も離れた端点をつなぐ延長線が交差し、挟角が３０°より小さい。

【0029】

同一行において隣接する１つの第１のサブ画素の少なくとも１つの角部と１つの第３のサブ画素の少なくとも１つの角部は対向し、当該１つの第１のサブ画素の少なくとも１つの角部の２つの辺の延長線の交点と当該１つの第３のサブ画素の少なくとも１つの角部の２つの辺の延長線の交点は行方向に平行な一直線上に位置し、及び／又は、
同一列において隣接する１つの第１のサブ画素の少なくとも１つの角部と１つの第３のサブ画素の少なくとも１つの角部は対向し、当該１つの第１のサブ画素の少なくとも１つの角部の２つの辺の延長線の交点と当該１つの第３のサブ画素の少なくとも１つの角部の２つの辺の延長線の交点は列方向に平行な一直線上に位置する。

【0030】

第１のサブ画素及び前記第３のサブ画素の少なくとも一方の中心を行方向又は列方向に沿って通る直線によって当該サブ画素を２つの部分に分割し、これら２つの部分の面積比は２：８～８：２である。

【0031】

第１のサブ画素は赤色サブ画素であり、第２のサブ画素には緑色サブ画素が含まれ、第３のサブ画素には青色サブ画素が含まれる。

【0032】

本発明の実施例は、第１のサブ画素、第２のサブ画素及び第３のサブ画素を含む複数のサブ画素を含み、前記第１のサブ画素と前記第３のサブ画素は行方向に沿って交互に設けられて複数の第１の画素行を形成し、前記複数の第１の画素行において同一列に位置する前記第１のサブ画素と前記第３のサブ画素は交互に設けられ、前記第２のサブ画素は行方向に沿って並置されて複数の第２の画素行を形成し、アレイ状に配列された２つの前記第１のサブ画素と２つの前記第３のサブ画素の中心を順につなげて第１の仮想四角形を構成し、各前記第１の仮想四角形内に１つの前記第２のサブ画素が設けられた画素アレイであって、
前記第１の仮想四角形の少なくとも一部の内角は９０°に等しくなく、
前記第１のサブ画素、前記第２のサブ画素及び前記第３のサブ画素の形状には多角形が含まれ、前記第１のサブ画素、前記第２のサブ画素及び前記第３のサブ画素のうちの少なくとも１つの多角形形状であるサブ画素における少なくとも１つの頂角の２辺の延長線の交点から当該サブ画素の境界までの最近接距離は、当該サブ画素のもう１つの頂角の２辺の延長線の交点から当該サブ画素の境界までの最近接距離までの距離に等しくない、画素アレイをさらに提供する。

【0033】

前記第１のサブ画素は軸対称な図形であり、前記第１のサブ画素の形状はいずれも同一であるが、少なくとも一部の第１のサブ画素の対称軸の方向が同一でないか、又は
前記第２のサブ画素は軸対称な図形であり、前記第２のサブ画素の形状はいずれも同一であるが、少なくとも一部の第２のサブ画素の対称軸の方向が同一でないか、又は
前記第３のサブ画素は軸対称な図形であり、前記第３のサブ画素の形状はいずれも同一であるが、少なくとも一部の第３のサブ画素の対称軸の方向が同一でない。
前記第１のサブ画素及び前記第３のサブ画素は軸対称な図形であり、前記第１のサブ画素及び前記第３のサブ画素の少なくとも一部の対称軸の方向が同一でない。

【0034】

前記第２のサブ画素の形状は非軸対称な図形である。

【0035】

前記第１のサブ画素及び前記第３のサブ画素のうちの少なくとも１つの形状は１つの対称軸のみを含む。

【0036】

前記第１のサブ画素の形状の対称軸の数、前記第２のサブ画素の形状の対称軸の数及び前記第３のサブ画素の形状の対称軸の数のうち、少なくとも２つが異なる。

【0037】

第２の態様において、本発明の実施例は、上述の画素アレイを含む表示装置を提供する。

【図面の簡単な説明】

【0038】

【図1】例示的な画素アレイの膜層の構造模式図である。

【図2】例示的な画素アレイの模式図である。

【図3a】四角形の模式図である。

【図3b】別の四角形の模式図である。

【図4】本発明の実施例（第１の例）の画素アレイの模式図である。

【図5】本発明の実施例の青色サブ画素の第１の角部が面取りされた直角に近い画素アレイの表示時における実際の輝度中心の分布模式図である。

【図6】本発明の実施例における青色サブ画素の模式図である。

【図7】本発明の実施例における青色サブ画素の模式図である。

【図8】本発明の実施例における、同一行に位置し、隣接して設けられた１つの赤色サブ画素と１つの青色サブ画素の模式図である。

【図9】本発明の実施例における、同一行に位置し、隣接して設けられた１つの赤色サブ画素と１つの青色サブ画素の模式図である。

【図10】図４に示す画素アレイの左上隅の１つ目の第２の仮想四角形における各サブ画素の分布模式図である。

【図11】本発明の実施例の第２の例の画素アレイの模式図である。

【図12】図１１に示す画素アレイの左上隅の１つ目の第２の仮想四角形における各サブ画素の分布模式図である。

【図13】本発明の実施例の第３の例の画素アレイの模式図である。

【図14】図１３に示す画素アレイの左上隅の１つ目の第２の仮想四角形における各サブ画素の分布模式図である。

【図15】本発明の実施例の第４の例の画素アレイの模式図である。

【図16】図１５に示す画素アレイの左上隅の１つ目の第２の仮想四角形における各サブ画素の分布模式図である。

【図17】本発明の実施例の第５の例の画素アレイの模式図である。

【図18】図１７に示す画素アレイの左上隅の１つ目の第２の仮想四角形における各サブ画素の分布模式図である。

【図19】本発明の実施例の青色サブ画素の第１の角部が平面取りされた画素アレイの模式図である。

【図20】図１９に示す画素アレイの左上隅の１つ目の第２の仮想四角形における各サブ画素の分布模式図である。

【図21】本発明の実施例の赤色サブ画素の第１の角部が平面取りされた画素アレイの模式図である。

【図22】本発明の実施例の赤色サブ画素の第１の角部が面取りされた直角に近い画素アレイの表示時における実際の輝度中心の分布模式図である。

【図23】本発明の実施例の緑色サブ画素の第１の角部が平面取りされた画素アレイの模式図である。

【図24】本発明の実施例の赤色サブ画素及び青色サブ画素の第１の角部が平面取りされた画素アレイの模式図である。

【発明を実施するための形態】

【0039】

本発明の技術案を当業者がよりよく理解できるように、以下では図面及び具体的な実施形態を参照しながら本発明について詳しく説明する。

【0040】

本発明で使用される技術用語又は科学用語は、別に定義しない限り、当業者が理解する通常の意味を有する。本発明で使用される「第１の」、「第２の」及び同様の用語は何らかの順序、数又は重要性を示すものではなく、異なる構成要素を区別するためのものにすぎない。同様に、「１つの」、「一」又は「当該」といった用語も数を制限するものではなく、少なくとも１つあることを表す。「含む」等の用語は、その用語の前にある素子又はアイテムが、その用語の後に記載される素子又はアイテム及びその均等物を網羅することを意味し、他の素子又はアイテムを排除しない。「接続された」又は「連続された」といった用語は、物理的又は機械的な接続に限定されず、直接又は間接を問わず、電気的接続を含んでもよい。「上」、「下」、「左」、「右」等は相対位置関係を示すためにのみ使用され、記述された対称の絶対位置が変化すると、当該相対位置関係も対応して変化する場合がある。

【0041】

なお、本発明の実施例における行方向、列方向は２つの異なる方向を表すにすぎず、両者が互いに垂直であると限定するものではなく、本発明の実施例の図面では行方向と列方向が垂直である場合のみを例として説明するが、これは本発明の実施例を限定しない。

【0042】

また、本発明の実施例における同一、等しいといった記載は、２つのアイテムの寸法が完全に等しく、形状が完全に同一であることを表すものではなく、一定の誤差範囲内で略同一であり、略等しい場合が許容される。

【0043】

本発明の実施例の画素アレイ、表示装置及び高精度マスクプレートについて記載する前に、以下に述べるサブ画素、第１のサブ画素、第２のサブ画素及び第３のサブ画素等の概念を説明する。本発明の実施例では、画素アレイとは、表示基板における色の異なる発光素子の配列構造をいい、各発光素子を駆動する画素回路の配列構造は限定しない。同様に、本発明の実施例においてサブ画素とは、発光素子の構造をいい、第１のサブ画素、第２のサブ画素及び第３のサブ画素は、３つの色の異なるサブ画素を表すことが理解されよう。本発明の実施例では、第１のサブ画素が赤色サブ画素であり、第２のサブ画素が緑色サブ画素であり、第３のサブ画素が青色サブ画素である場合を例として説明する。但し、第１のサブ画素が赤色サブ画素であり、第２のサブ画素が緑色サブ画素であり、第３のサブ画素が青色サブ画素であることは、本発明の実施例の保護範囲を限定するものではない。

【0044】

通常、各サブ画素の形状を決定するのは画素定義層における画素開口であり、発光層の少なくとも一部を画素開口に形成することにより、当該サブ画素の発光エリアの形状、即ち、本発明の実施例におけるサブ画素の形状を画定する。画素開口が四角形である場合、当該サブ画素は四角形である。

【0045】

また、本発明の実施例では、赤色サブ画素、緑色サブ画素、青色サブ画素のうちの少なくとも１つの形状が多角形であるものとし、赤色サブ画素、緑色サブ画素、青色サブ画素がいずれも多角形である場合を例として説明する。多角形はその形状に応じて角部を３つ以上含んでもよい。例えば、四角形又は四角形に近い形状は４つの頂角を含む。図３ａは多角形の模式図であり、図３ｂは別の多角形の模式図である。図３ａ及び３ｂに示すように、多角形はそれぞれ第１の角部、第２の角部、第３の角部及び第４の角部である４つの頂角を各々含み、第１の角部と第２の角部とが対向して設けられ、第３の角部と第４の角部とが対向して設けられる場合を例とする。もちろん、サブ画素が多角形である場合、その頂角の数はより多くてもよく、本発明の実施例ではこれを限定しないことが理解されよう。なお、本発明の実施例においていわゆる頂角とは、２本の線の間の挟角とは限らず、実際には、ある頂角の２本の辺のその頂点に向かって延び交わる部分を１つの円弧線線分又は直線線分として形成して、当該頂角を面取り又は平面取りしてもよい。図３ａ及び２ｂに示すように、本発明の実施例では、それぞれ青色サブ画素、赤色サブ画素及び緑色サブ画素のうちの少なくとも１つの第１の角部１１を面取り又は平面取りし、他の角部が直角に近い場合を例として説明するが、これは本発明の実施例を限定するものではない。第２の角部、第３の角部及び第４の角部は略同一であり、例えば、直角に近く、つまり、これら３つの角部は、丸みを帯びていてもよいが、対応する丸みの曲率半径は比較的小さく、第１の角部の曲率半径より小さい。なお、第２の角部、第３の角部及び第４の角部が略同一であるとは、例えば、これら３つの角度が同一であり、輪郭が同一であり、大きさが同一であり、丸みの曲率が同一であること等をいう。

【0046】

本発明の実施例の画素アレイにおける各サブ画素の構造を明らかにするため、以下では画素アレイの製造方法を参照しながら、本発明の実施例の画素アレイの膜層の構造について説明する。図１は、例示的な画素アレイの膜層の構造模式図である。図１に示すように、当該方法は、具体的に以下のステップを含んでもよい。

【0047】

（１）：ガラスキャリアプレート上に、ベース基板を作製する。

【0048】

いくつかの例示的な実施形態において、ベース基板１０はフレキシブルベース基板であってもよく、例えば、ガラスキャリアプレート上に積層された第１のフレキシブル材料層、第１の無機材料層、半導体層、第２のフレキシブル材料層及び第２の無機材料層を含む。第１のフレキシブル材料層、第２のフレキシブル材料層の材料には、ポリイミド（ＰＩ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）又は表面処理が施されたポリマーソフトフィルム等の材料を用いる。第１の無機材料層、第２の無機材料層の材料には、ベース基板の耐水・耐酸化性の向上を図るために、ケイ素窒化物（ＳｉＮｘ）又はケイ素酸化物（ＳｉＯｘ）等を用い、第１の無機材料層、第２の無機材料層は、バリア（Ｂａｒｒｉｅｒ）層とも呼ばれる。半導体層の材料には、アモルファスシリコン（ａ－ｓｉ）を用いる。いくつかの例示的な実施形態においては、積層構造ＰＩ１／Ｂａｒｒｉｅｒ１／ａ－ｓｉ／ＰＩ２／Ｂａｒｒｉｅｒ２を例とし、その作製工程は、まず、ガラスキャリアプレート１に一層のポリイミドを塗布し、硬化成膜させた後、第１のフレキシブル（ＰＩ１）層を形成することと、次に、第１のフレキシブル層に一層のバリア薄膜を堆積させて、第１のフレキシブル層を覆う第１のバリア（Ｂａｒｒｉｅｒ１）層を形成することと、そして、第１のバリア層に一層のアモルファスシリコン薄膜を堆積させて、第１のバリア層を覆うアモルファスシリコン（ａ－ｓｉ）層を形成することと、そして、アモルファスシリコン層に一層のポリイミドをさらに塗布して硬化成膜させた後、第２のフレキシブル（ＰＩ２）層を形成することと、そして、第２のフレキシブル層に一層のバリア薄膜を堆積させて、第２のフレキシブル層を覆う第２のバリア（Ｂａｒｒｉｅｒ２）層を形成し、図６に示すように、ベース基板１０の作製を完了することとを含む。

【0049】

（２）：ベース基板上に、駆動構造層を作製する。駆動構造層は複数の駆動回路を含み、各駆動回路は複数のトランジスタ及び少なくとも１つの蓄積コンデンサを含み、例えば、２Ｔ１Ｃ、３Ｔ１Ｃ又は７Ｔ１Ｃとして設計される。サブ画素が３つであり、各サブ画素の駆動回路が１つのトランジスタ及び１つの蓄積コンデンサのみを有する場合を例とする。

【0050】

いくつかの実施例において、駆動構造層の作製工程は以下の説明を参照してもよい。赤色サブ画素０１の駆動回路の作製工程を例として説明する。

【0051】

第１の絶縁薄膜及び活性層薄膜をベース基板１０上に順に堆積し、パターニング工程によって活性層薄膜のパターニングを行い、ベース基板０１０全体を覆う第１の絶縁層０１１と、第１の絶縁層０１１上に設けられ第１の活性層を少なくとも含む活性層のパターンとを形成する。

【0052】

次に、第２の絶縁薄膜及び第１の金属薄膜を順に堆積し、パターニング工程によって第１の金属薄膜のパターニングを行い、活性層のパターンを覆う第２の絶縁層０１２と、第２の絶縁層０１２上に設けられ第１のゲート電極及び第１の容量電極を少なくとも含む第１のゲート金属層のパターンとを形成する。

【0053】

次に、第３の絶縁薄膜及び第２の金属薄膜を順に堆積し、パターニング工程によって第２の金属薄膜のパターニングを行い、第１のゲート金属層を覆う第３の絶縁層０１３と、第３の絶縁層０１３上に設けられ第２の容量電極を少なくとも含む第２のゲート金属層のパターンとを形成し、第２の容量電極の位置は、第１の容量電極の位置に対応する。

【0054】

次に、第４の絶縁薄膜を堆積し、パターニング工程によって第４の絶縁薄膜のパターニングを行い、第２のゲート金属層を覆う第４の絶縁層０１４のパターンを形成し、第４の絶縁層０１４に、少なくとも２つの第１のビアを開口し、２つの第１のビア内の第４の絶縁層０１４、第３の絶縁層０１３及び第２の絶縁層０１２をエッチング除去して、第１の活性層の表面を露出させる。

【0055】

次に、第３の金属薄膜を堆積し、パターニング工程によって第３の金属薄膜のパターニングを行い、第４の絶縁層０１４上に、表示領域に位置する第１のソース電極及び第１のドレイン電極を少なくとも含むソースドレイン金属層のパターンを形成する。第１のソース電極及び第１のドレイン電極は、第１のビアを介して第１の活性層にそれぞれ接続されてもよい。

【0056】

表示領域の赤色サブ画素０１の駆動回路において、第１の活性層、第１のゲート電極、第１のソース電極及び第１のドレイン電極は第１のトランジスタ２１０を構成してもよく、第１の容量電極及び第２の容量電極は第１の蓄積コンデンサ２１２を構成してもよい。上述の作製工程において、緑色サブ画素０２の駆動回路及び青色サブ画素０３の駆動回路を同時に形成してもよい。

【0057】

いくつかの例示的な実施形態において、第１の絶縁層０１１、第２の絶縁層０１２、第３の絶縁層０１３及び第４の絶縁層０１４は、ケイ素酸化物（ＳｉＯｘ）、ケイ素窒化物（ＳｉＮｘ）及びケイ素酸化窒化物（ＳｉＯＮ）のうちの１つ又はそれ以上を用い、単層、多層又は複合層であってもよい。第１の絶縁層０１１は、バッファ（Ｂｕｆｆｅｒ）層と呼ばれ、ベース基板の耐水・耐酸化性を向上させるのに用いられ、第２の絶縁層０１２及び第３の絶縁層０１３は、ゲート絶縁（ＧＩ，Ｇａｔｅ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）層と呼ばれ、第４の絶縁層０１４は、層間絶縁（ＩＬＤ，Ｉｎｔｅｒｌａｙｅｒ Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ）層と呼ばれる。第１の金属薄膜、第２の金属薄膜及び第３の金属薄膜には、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタニウム（Ｔｉ）及びモリブデン（Ｍｏ）等のうちのいずれか１つ以上の金属材料、又はアルミニウムネオジム合金（ＡｌＮｄ）若しくはモリブデンタングステン合金（ＭｏＮｂ）等の上述の金属の合金材料を用い、単層構造であってもよいし、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ等の多層複合層であってもよい。活性層薄膜には、アモルファスインジウムガリウム亜鉛酸化物（ａ－ＩＧＺＯ）、酸窒化亜鉛（ＺｎＯＮ）、インジウム・亜鉛スズ酸化物（ＩＺＴＯ）、アモルファスシリコン（ａ－Ｓｉ）、多結晶シリコン（ｐ－Ｓｉ）、セクシチオフェン、ポリチオフェン等の１つ又は複数の材料を用いる。即ち、本発明は、酸化物（Ｏｘｉｄｅ）技術、シリコン技術及び有機物技術に基づき製造されるトランジスタに適用される。

【0058】

（３）：前述のパターンが形成されたベース基板上に、平坦層を形成する。

【0059】

いくつかの例示的な実施形態において、前述のパターンが形成されたベース基板０１０上に有機材料の平坦薄膜をコーティングし、ベース基板０１０全体を覆う平坦（ＰＬＮ，Ｐｌａｎａｒｉｚａｔｉｏｎ）層０１５を形成するとともに、表示領域の平坦層０１５に複数の第２のビアをマスキング、露光、現像工程によって形成する。複数の第２のビア内の平坦層０１５を現像除去して、赤色サブ画素０１の駆動回路の第１のトランジスタ２１０の第１のドレイン電極の表面、緑色サブ画素０２の駆動回路の第１のトランジスタの第１のドレイン電極の表面及び青色サブ画素０３の駆動回路の第１のトランジスタの第１のドレイン電極の表面をそれぞれ露出させる。

【0060】

（４）：前述のパターンが形成されたベース基板上に、第１の電極のパターンを形成する。いくつかの例において、第１の電極は反射アノードである。

【0061】

いくつかの例示的な実施形態において、前述のパターンが形成されたベース基板０１０上に導電薄膜を堆積し、パターニング工程によって導電薄膜のパターニングを行い、第１の電極のパターンを形成する。赤色サブ画素０１の第１のアノード２１３は、第２のビアを介して第１のトランジスタ２１０の第１のドレイン電極に接続され、緑色サブ画素０２２の第２のアノード２２３は、第２のビアを介して緑色サブ画素０２の第１のトランジスタの第１のドレイン電極に接続され、青色サブ画素２３の第３のアノード２３３は、第２のビアを介して青色サブ画素０３の第１のトランジスタの第１のドレイン電極に接続される。

【0062】

いくつかの例において、第１の電極は、マグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタニウム（Ｔｉ）及びモリブデン（Ｍｏ）等のうちのいずれか１つ以上の金属材料、又はアルミニウムネオジム合金（ＡｌＮｄ）若しくはモリブデンタングステン合金（ＭｏＮｂ）等の上述の金属の合金材料を用いてもよいし、単層であってもよいし、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ等の多層複合構造であってもよいし、ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯ、Ｍｏ／ＡｌＮｄ／ＩＴＯ等の反射性材料の金属及び透明導電材料からなるスタック構造であってもよい。

【0063】

（５）：前述のパターンが形成されたベース基板上に、画素定義（ＰＤＬ，Ｐｉｘｅｌ Ｄｅｆｉｎｉｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ）層のパターンを形成する。

【0064】

いくつかの例示的な実施形態において、前述のパターンが形成されたベース基板０１０上に画素定義薄膜をコーティングし、マスキング、露光、現像工程によって画素定義層のパターンを形成する。図１２に示すように、表示領域の画素定義層３０は複数のサブ画素定義部３０２を含み、隣接するサブ画素定義部３０２の間に複数の画素定義層開口３０１が形成され、複数の画素定義層開口３０１内の画素定義層３０を現像除去して、赤色サブ画素０１の第１のアノード２１３の表面の少なくとも一部、緑色サブ画素０２の第２のアノード２２３の表面の少なくとも一部及び青色サブ画素０３の第３のアノード２３３の表面の少なくとも一部をそれぞれ露出させる。

【0065】

いくつかの例において、画素定義層３０には、ポリイミド、アクリル又はポリエチレンテレフタレート等を用いてもよい。

【0066】

（６）：前述のパターンが形成されたベース基板上に、ポストスペーサー（ＰＳ，Ｐｏｓｔ Ｓｐａｃｅｒ）のパターンを形成する。

【0067】

いくつかの例示的な実施形態において、前述のパターンが形成されたベース基板０１０上に有機材料薄膜をコーティングし、マスキング、露光、現像工程によってポストスペーサー３４のパターンを形成する。ポストスペーサー３４は支持層として機能してもよく、蒸着中にＦＭＭを支持するように配置される。いくつかの例において、隣接する２つのポストスペーサー３４は繰り返し単位をサブ画素の行配列方向に沿って間に１つ隔てており、例えば、ポストスペーサー３４は隣接する赤色サブ画素０１と青色サブ画素０３との間に位置してもよい。

【0068】

（７）：前述のパターンが形成されたベース基板上に、有機機能層及び第２の電極を順に形成する。いくつかの例において、第２の電極は透明カソードである。発光素子は、透明カソードを介してベース基板０１０から離れた側から出光してトップエミッションを実現してもよい。いくつかの例において、発光素子の有機機能層は正孔注入層、正孔輸送層、発光層及び電子輸送層を含む。

【0069】

いくつかの例示的な実施形態において、前述のパターンが形成されたベース基板０１０上に、オープンマスク（Ｏｐｅｎ Ｍａｓｋ）を用いて正孔注入層２４１及び正孔輸送層２４２を順に蒸着形成し、次いでＦＭＭを用いて青色発光層２３６、緑色発光層２１６及び赤色発光層２２６を順に蒸着形成し、次いでオープンマスクを用いて電子輸送層２４３、カソード２４４及び光結合層２４５を順に蒸着形成する。正孔注入層２４１、正孔輸送層２４２、電子輸送層２４３及びカソード２４４はいずれも複数のサブ画素の共通層である。いくつかの例において、有機機能層は、正孔輸送層と発光層との間に位置するマイクロキャビティ調整層をさらに含んでもよい。例えば、正孔輸送層を形成した後、ＦＭＭを用いて、青色マイクロキャビティ調整層、青色発光層、緑色マイクロキャビティ調整層、緑色発光層、赤色マイクロキャビティ調整層及び赤色発光層を順に蒸着形成してもよい。

【0070】

いくつかの例示的な実施形態では、有機機能層をサブ画素領域内に形成して有機機能層とアノードの接続を実現する。カソードは画素定義層に形成され、有機機能層に接続される。

【0071】

いくつかの例示的な実施形態において、カソードは、マグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）のうちのいずれか１つ以上を用いてもよいし、上述の金属のうちのいずれか１つ又は複数からなる合金を用いてもよいし、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）等の透明導電材料を用いてもよいし、金属と透明導電材料の多層複合構造であってもよい。

【0072】

いくつかの例示的な実施形態において、カソード２４４のベース基板１０から離れた側に光結合層を形成してもよく、光結合層は複数のサブ画素の共通層であってもよい。光結合層は、透明カソードと協働して光出力を増大させる機能を果たしてもよい。例えば、光結合層の材料には半導体材料を用いてもよい。但し、本実施例はこれを限定しない。

【0073】

（８）：前述のパターンが形成されたベース基板上に、封止層を形成する。

【0074】

いくつかの例示的な実施形態において、前述のパターンが形成されたベース基板０１０上に封止層を形成し、封止層は、積層された第１の封止層４１、第２の封止層４２及び第３の封止層４３を含んでもよい。第１の封止層４１には無機材料を用い、表示領域においてカソード２４４を覆う。第２の封止層４２には有機材料を用いる。第３の封止層４３には無機材料を用い、第１の封止層４１及び第２の封止層４２を覆う。但し、本実施例はこれを限定しない。いくつかの例において、封止層には、無機／有機／無機／有機／無機の５層構造を用いてもよい。

【0075】

図２は、例示的な画素アレイの模式図を示したものである。図２に示すように、当該画素アレイは複数の第１の画素行１及び複数の第２の画素行２を含み、第１の画素行１及び第２の画素行２は交互に設けられている。第１の画素行１は赤色サブ画素０１と青色サブ画素０３とが交互に設けられて形成され、複数の第１の画素行１において同一列に位置する赤色サブ画素０１と青色サブ画素０３も同様に交互に設けられている。第２の画素行２は複数の緑色サブ画素０２が並置されて形成され、緑色サブ画素０２は隣接する行における赤色サブ画素０１及び青色サブ画素０３と交互に設けられている。このような画素配列については、当該画素アレイをアレイ状に配列された繰り返し単位に分割してもよく、各繰り返し単位は２行４列のサブ画素を含み、つまり、各繰り返し単位は１つの赤色サブ画素０１、１つの青色サブ画素０３及び２つの緑色サブ画素０２を含み、赤色サブ画素０１及び青色サブ画素０３は共通サブ画素であり、仮想アルゴリズムによって４つのサブ画素による２つの仮想画素単位の表示を実現してもよい。例えば、第１の行の２つ目の繰り返し単位における赤色サブ画素０１、第１の行の１つ目の繰り返し単位における青色サブ画素０３、及びこれらに最も近接する緑色サブ画素０２によって１つの仮想画素単位を形成するとともに、第１の行の２つ目の繰り返し単位における赤色サブ画素０１、当該繰り返し単位における青色サブ画素０３、及びこれらに最も近接する緑色サブ画素０２によって１つの仮想画素単位を形成する。また、第１の行の２つ目の繰り返し単位における青色サブ画素０３及び当該繰り返し単位における別の緑色サブ画素０２、及び第１の行の３つ目の繰り返し単位における最も近接する赤色サブ画素０１によって１つの仮想画素単位を形成する。これにより、当該画素アレイが応用される表示パネルの解像度を効果的に向上させることができる。

【0076】

しかし、発明者は、赤色サブ画素０１及び青色サブ画素０３が共通サブ画素であり、両者の発光スペクトルに応じてこれら両者の面積がいずれも緑色サブ画素０２の面積より大きくなり、特に、青色サブ画素０３の面積が赤色サブ画素０１よりさらに大きいため、表示パネルが表示するときに各仮想画素単位が形成する実際の輝度中心が均一でないことを見出し、そこで本発明の実施例は以下の技術案を提供する。

【0077】

第１の態様において、図４は本発明の実施例（第１の例）の画素アレイの模式図である。図４に示すように、本発明の実施例は、複数の第１の画素行１及び複数の第２の画素行２を含み、第１の画素行１と第２の画素行２とが交互に設けられている画素アレイを提供する。第１の画素行１は、赤色サブ画素０１と青色サブ画素０３とが交互に設けられて形成され、複数の第１の画素行１において同一列に位置する赤色サブ画素０１と青色サブ画素０３も同様に交互に設けられている。第２の画素行２は複数の緑色サブ画素０２が並置されて形成され、緑色サブ画素０２は隣接する行における赤色サブ画素０１及び青色サブ画素０３と交互に設けられている。アレイ状に配列された２つの赤色サブ画素０１と２つの青色サブ画素０３の中心を順につなげて第１の仮想四角形１０を構成し、各第１の仮想四角形１０内に１つの緑色サブ画素０２が設けられている。第１の仮想四角形１０の少なくとも一部の内角は９０°に等しくない。赤色サブ画素０１、緑色サブ画素０２及び青色サブ画素０３の形状にはいずれも多角形が含まれ、これら３つのうちの少なくとも１つの多角形形状であるサブ画素における少なくとも１つの頂角の２辺の延長線の交点から当該サブ画素の中心までの距離は、その対角の２辺の延長線の交点から当該サブ画素中心までの距離に等しくない。

【0078】

なお、本発明の実施例では、多角形には、丸みを帯びた多角形、凸多角形、凹変形が含まれるがこれらに限定されない。サブ画素中心は、例えば、当該サブ画素の幾何学中心であるか、又は当該サブ画素の各辺の垂直二等分線の交点であるか、又は当該サブ画素における、各辺までの垂直距離が略等しい点である。もちろん、サブ画素の中心には一定の誤差が許容される。例えば、サブ画素中心は、サブ画素の幾何学中心を円心とした半径３μｍ範囲内の任意の点である。

【0079】

本発明の実施例では、一部のサブ画素の形状を調整することにより、赤色サブ画素０１と青色サブ画素０３の中心をつなげて形成される第１の仮想四角形１０の少なくとも一部の内角が９０°に等しくないようにし、赤色サブ画素０１、緑色サブ画素０２及び青色サブ画素０３のうちの少なくとも１つにおける少なくとも１つの頂角の２辺の延長線の交点から当該サブ画素中心までの距離と、その対角の２辺の延長線の交点から当該サブ画素の中心までの距離を等しくないようにすることで、各仮想画素単位における実際の輝度中心を調整し、表示パネル全体における実際の輝度中心各々の分布を一層均一にする。

【0080】

いくつかの実施例において、青色サブ画素０３の第１の角部が面取り及び平面取りされている場合、青色サブ画素０３の第１の角部の頂点から発光層の境界までの距離は、他の頂角の頂点から発光層の境界までの距離に等しくない。例えば、青色サブ画素０３の第１の角部の頂点から境界までは一定の距離があり、他の頂角から当該画素の境界までの距離は概ね０である。つまり、青色サブ画素０３の第１の角部の頂点から境界までの距離は、他の頂角の頂点から青色サブ画素０３の境界までの距離より大きい。

【0081】

引き続き図４を参照すると、画素定義層に位置する発光層はサブ画素の有効発光エリアを画定し、赤色サブ画素０１、緑色サブ画素０２及び青色サブ画素０３を用いた有効発光エリアは、それぞれ第１の有効発光エリア、第２の有効発光エリア及び第３の有効発光エリアである。いくつかの実施例において、各第１の有効発光エリアは、対応する赤色サブ画素０１にあり、ベース基板と垂直な方向において、対向するアノードとカソードとの間に位置するとともに、発光を駆動する発光層によって画定される。例えば、各第２の有効発光エリアは、対応する緑色サブ画素２にあり、ベース基板と垂直な方向において、対向するアノードとカソードとの間に位置するとともに、発光を駆動する発光層によって画定される。いくつかの実施例において、各有効発光エリアは、対応する発光層、及び対応する発光層によってキャリア（正孔又は電子）を輸送する電極（アノード又はカソード）又は電極の一部によって画定される。いくつかの実施例において、各有効発光エリアはベース基板上の正投影が重なるカソードの少なくとも一部及びアノードの少なくとも一部によって画定され、当該カソードの少なくとも一部及びアノードの少なくとも一部は第１の絶縁層のベース基板上の正投影と重ならず、当該第１の絶縁層はベース基板と垂直な方向においてカソードとアノードとの間に位置する。例えば、当該第１の絶縁層は、画素定義層を含む。いくつかの実施例において、各赤色サブ画素０１、各緑色サブ画素０２及び各青色画素０３は、第１の電極と、第１の電極のベース基板から離れた側に位置する発光層と、発光層の第１の電極から離れた側に位置する第２の電極と、をそれぞれ含み、ベース基板と垂直な方向において、第１の電極と発光層との間に及び／又は第２の電極と発光層との間に、第２の絶縁層がさらに設けられており、当該第２の絶縁層のベース基板上の投影は、第１の電極又は第２の電極のベース基板上の投影と重なるとともに、第２の絶縁層は開口を有し、第２の絶縁層の発光層の一側に面する開口は、少なくとも一部の第１の電極又は第２の電極を露出させて、それを発光層又は発光を補助する機能層と接触させてもよい。各第１の有効発光エリア及び各第２の有効発光エリアは、前記第１の電極又は第２の電極における、発光層又は発光を補助する機能層と接触する部分によって画定される。いくつかの実施例において、前記第２の絶縁層は画素定義層を含む。いくつかの実施例において、前記発光を補助する機能層は、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、正孔バリア層、電子バリア層、電子注入層、発光を補助する層、界面改善層、反射防止層等のうちの任意の一層又は多層であってもよい。いくつかの実施例において、第１の電極はアノードであってもよく、第２の電極はカソードであってもよい。いくつかの実施例において、第１の電極は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、銀（Ａｇ）の少なくとも２層の積層を含んでもよく、例えば、ＩＴＯ、Ａｇ、ＩＴＯの３層積層であってもよい。いくつかの実施例において、第２の電極は、マグネシウム（Ｍｇ）、Ａｇ、ＩＴＯ、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）のうちの任意の１つ又は複数を含んでもよく、例えば、Ｍｇ及びＡｇの混合層又は合金層であってもよい。

【0082】

各サブ画素は発光層を含み、各赤色サブ画素０１は開口内及び画素定義層に位置する第１の色発光層を含み、各緑色サブ画素０２は開口内及び画素定義層に位置する第２の色発光層を含む。

【0083】

例えば、１つの赤色サブ画素０１を取り囲む上述の４つの緑色サブ画素０２の配列は表示エリア内部のような配列方式であってもよく、表示エリアのエッジの配列方式は表示エリア内部の配列方式と異なってもよい。例えば、表示エリアのエッジにおいて、赤色サブ画素０１が、第１の行若しくは第１の列のサブ画素か、又は最終行若しくは最終列のサブ画素である場合、２つの緑色サブ画素０２のみが赤色サブ画素０１を取り囲んでもよい。例えば、表示エリアのエッジの形状は丸みを帯びているか、又は表示エリアの形状は、例えば、円形表示エリア等の非矩形表示エリアである異形表示エリアか、又は矩形表示エリアの一方のエッジ近傍に孔を開けたエリアを有する。表示エリアのエッジにおいて、赤色サブ画素０１は、１つ、２つ又は３つの緑色サブ画素０２で囲まれていてもよい。

【0084】

いくつかの実施例において、赤色サブ画素の発光層１０１、緑色サブ画素の発光層１０２及び青色画素の発光層１０３の形状は、同一であってもよいし、略同一であってもよい。画素定義層内に位置する発光層に対し、サブ画素の有効発光エリアを画定する。本発明の実施例では、青色サブ画素０３の第１の角部が面取り及び平面取りされている場合、青色サブ画素０３の第１の角部の頂点から発光層の境界までの距離は、他の頂角の頂点から発光層の境界までの距離に等しくない。例えば、青色サブ画素０３の第１の角部の頂点から発光層の境界までの距離は、他の頂角の頂点から発光層の境界までの距離より大きい。

【0085】

いくつかの実施例において、第１の仮想四角形１０における緑色サブ画素０２の中心から直接隣接する２つの赤色サブ画素０１の発光エリアの境界までの最近接距離は等しい。また、緑色サブ画素０２の中心から直接隣接する２つの青色サブ画素０３の発光エリアの境界までの最近接距離は等しい。緑色サブ画素０２の中心から、直接隣接する赤色サブ画素０１の発光エリアの境界までの最近接距離と、直接隣接する青色サブ画素０３の発光エリアの境界までの最近接距離の比は０．８～１．２程度である。

【0086】

具体的には、図５は本発明の実施例の青色サブ画素０３の第１の角部が面取りされ及び直角に近い画素アレイにおける表示時の実際の輝度中心の分布模式図である。図５に示すように、画素アレイにおけるすべての青色サブ画素の第１の角部がいずれも右を向いている場合を例に挙げると、図５における青色サブ画素０３の第１の角部に位置する破線の角部は、青色サブ画素０３の第１の角部が直角に近い関連技術における画素アレイを表す。「×」は、関連技術における画素アレイが表示するときの実際の輝度中心を表し、「・」は、本発明の実施例における、画素アレイが表示するときの実際の輝度中心を表す。青色サブ画素の第１の角部が面取りされているとき、その実際の輝度中心の分布が一層均一になることが図５から分かる。

【0087】

いくつかの実施例において、第１の仮想四角形１０の各内角の範囲は７０°～１１０°程度であり、各内角の値は９０°に近いほど好ましい。但し、第１の仮想四角形１０の各内角が７０°～１１０°であることは本発明の実施例を限定するものではなく、第１の仮想四角形１０の各内角のすべてが９０°に等しくなければよい。

【0088】

いくつかの実施例において、第１の仮想四角形１０には仮想平行四角形又は仮想台形が含まれるがこれらに限定されない。例えば、第１の仮想四角形１０は菱形、等脚台形、直角台形のいずれかであってもよい。

【0089】

いくつかの実施例において、図６は、本発明の実施例における青色サブ画素の模式図である。図６に示すように、青色サブ画素０３の第１の角部は面取り又は平面取りされており、その第１の角部の２辺の延長線の交点から第１の角部の頂点までの距離はｄ１であり、第１の角部の頂点から第２の角部の頂点までの距離はｄ２であり、ｄ１：ｄ２は１／５～１／２程度である。青色サブ画素０３の第１の角部の頂点は、それに対応する頂角の２辺の延長線の交点から当該サブ画素の境界までの距離が最近接となる点である。同様に、赤色サブ画素０１及び緑色サブ画素０２の第１の角部が面取り又は平面取りされているとき、各々の第１の角部の２辺の延長線の交点から第１の角部の頂点までの距離、及び第１の角部の頂点から第２の角部の頂点までの距離も上述の寸法に従って設定してもよい。

【0090】

いくつかの実施例において、青色サブ画素０３の第２の角部、第３の角部及び第４の角部の対応する頂角の２辺の延長線が交差して形成される仮想頂角の角度は略等しいか、又は青色サブ画素０３の第２の角部、第３の角部及び第４の角部の対応する頂角の２辺の延長線が交差して形成される仮想頂角の角度は９０°程度であり、例えば、概ね８０°～１００°である。

【0091】

いくつかの実施例において、青色サブ画素０３の第１の角部の頂角の２辺の延長線と第１の角部の輪郭とによって囲まれた領域は第１の肉抜きエリアであり、青色サブ画素０３の第２の角部の頂角の２辺の延長線と第２の角部の境界の輪郭とによって囲まれた領域は第２の肉抜きエリアである。第１の肉抜きエリアの面積は、第２の肉抜きエリアの面積より大きい。

【0092】

また、青色サブ画素０３の第３の角部の頂角の２辺の延長線と第３の角部の境界の輪郭とによって囲まれた領域は第３の肉抜きエリアであり、青色サブ画素０３の第４の角部の頂角の２辺の延長線と第４の角部の境界の輪郭とによって囲まれた領域は第４の肉抜きエリアである。いくつかの実施例において、第２の肉抜きエリア、第３の肉抜きエリア及び第４の肉抜きエリアの面積は略等しい。例えば、第２の肉抜きエリア、第３の肉抜きエリア及び第４の肉抜きエリアの面積はいずれも４μｍ^２より小さく、第１の肉抜きエリアの面積は２μｍ^２より大きい。

【0093】

いくつかの実施例において、図７は本発明の実施例における青色サブ画素の模式図である。図７に示すように、青色サブ画素０３の第１の角部は面取り又は平面取りされており、当該青色サブ画素０３の中心を行方向に沿って通る直線によって当該青色サブ画素０３を面積がそれぞれＳ１：Ｓ２である２つの部分に分割するか、又は当該青色サブ画素０３の中心を列方向に沿って通る直線によって当該青色サブ画素０３を面積がそれぞれＳ１：Ｓ２である２つの部分に分割し、Ｓ１：Ｓ２は２：８～８：２程度である。同様に、赤色サブ画素０１及び緑色サブ画素０２の第１の角部が面取り又は平面取りされているとき、各々の中心を行方向及び列方向に沿って通る直線も各々の面積を上述の青色サブ画素０３と同様の割合に分割する。

【0094】

いくつかの実施例において、図６に示すように、青色サブ画素の第１の角部は面取り又は平面取りされており、その第１の角部の２辺の延長線が形成する仮想頂角の角度は概ね９０°程度であり、いくつかの実施例において当該仮想頂角の角度は８０°～１００°程度である。同様に、赤色サブ画素０１及び緑色サブ画素０２の第１の角部が面取り又は平面取りされているとき、各々の第１の角部の２辺の延長線の挟角の大きさは青色サブ画素０３の第１の角部の２辺の延長線の挟角と略同一であってもよい。

【0095】

いくつかの実施例において、同一行に位置する各赤色サブ画素０１及び青色サブ画素０３の行方向における対角線は、同一直線上に概ね位置するか、又は行方向との挟角が３０°程度である。また、いくつかの実施例において、図８は本発明の実施例における同一行に位置する隣接して設けられた１つの赤色サブ画素及び１つの青色サブ画素の模式図である。図８に示すように、第１の画素行１において、つまり、同一行に位置する隣接して設けられた１つの赤色サブ画素０１及び１つの青色サブ画素０３は、列方向における第１の側（左側）の各々の中心から最も離れた端点をつなぐ延長線と、対向する第２の側（右側）の各々の中心から最も離れた端点をつなぐ延長線が交差し、挟角が３０°より小さい。

【0096】

いくつかの実施例において、図９は本発明の実施例における同一行に位置する隣接して設けられた１つの赤色サブ画素及び１つの青色サブ画素の模式図である。図９に示すように、同一列に位置する隣接して設けられた１つの赤色サブ画素０１及び１つの青色サブ画素０３は、行方向における第１の側（上側）の各々の中心から最も離れた端点をつなぐ延長線と、対向する第２の側（下側）の各々の中心から最も離れた端点をつなぐ延長線が交差し、挟角が３０°より小さい。

【0097】

いくつかの実施例において、同一行において隣接する１つの赤色サブ画素０１の少なくとも１つの角部と１つの青色サブ画素０３の少なくとも１つの角部は対向し、当該１つの赤色サブ画素０１の少なくとも１つの角部の２つの辺の延長線の交点と当該１つの青色サブ画素０３の少なくとも１つの角部の２つの辺の延長線の交点は行方向に平行な一直線上に位置し、及び／又は、同一列において隣接する１つの赤色サブ画素０１の少なくとも１つの角部と１つの青色サブ画素０３の少なくとも１つの角部は対向し、当該１つの赤色サブ画素０１の少なくとも１つの角部の２つの辺の延長線の交点と当該１つの青色サブ画素０３の少なくとも１つの角部の２つの辺の延長線の交点は列方向に平行な一直線上に位置する。いくつかの実施例において、アレイ状に配列された４つの第１の仮想四角形１０は、１つの第２の仮想多角形を構成する。例えば、図１０に示すように、アレイ状に配列された４つの第１の仮想四角形１０が構成する第２の仮想多角形は１つの四角形構造であり、当該四角形は、例えば、矩形（正方形を含む）である。もちろん、第２の仮想多角形も四角形に限定されず、六角形等のそれ以上の多角形であってもよい。本発明の実施例では、第２の仮想多角形が四角形である場合を例として記載し、以下、第２の仮想四角形１００と呼ぶ。第２の仮想四角形１００における４つの緑色サブ画素０２は「Ｘ」字状に配列されている。言い換えれば、第２の仮想四角形１００における同一行に位置する緑色サブ画素０２は列方向に沿って対称に設けられ、同一列における緑色サブ画素０２は行方向に沿って対称に設けられている。いくつかの実施例において、第２の仮想四角形１００内の赤色サブ画素０１は第２の仮想四角形１００の中心及び頂角の位置に位置し、青色サブ画素０３は第２の仮想四角形１００の辺上に位置し、さらに、第２の仮想四角形１００の頂角及び辺上に位置する赤色サブ画素０１及び青色サブ画素０３は当該第２の仮想四角形１００の辺及び頂角の位置に時計回りに交互に分布している。

【0098】

いくつかの実施例において、第２の仮想四角形１００内において、同一行に位置する青色サブ画素０３の中心は行方向に平行な一直線上に概ねあり、及び／又は、同一列に位置する青色サブ画素０３の中心は行方向に平行な一直線上に概ねある。

【0099】

いくつかの実施例において、第２の仮想四角形１００内において、同一行に位置する緑色サブ画素０２の中心は行方向に平行な一直線上に概ねあり、及び／又は、同一列に位置する緑色サブ画素０３の中心は行方向に平行な一直線上に概ねある。

【0100】

いくつかの実施例において、画素アレイにおける各赤色サブ画素０１の形状は同一であり、緑色サブ画素０２の形状は同一であり、青色サブ画素０３の形状は同一である。もちろん、各色サブ画素の中には異なる形状の構造のものがあってもよく、異なる形状の構造は各色サブ画素に均一に分布し、例えば、赤色サブ画素０１の形状は１行おき又は１列おきに同一であってもよい。

【0101】

いくつかの実施例において、仮に青色サブ画素０３の第１の角部が面取り又は平面取りされている場合、画素アレイにおける各青色サブ画素０３の第１の角部の向きは同一であってもよいし、一部が同一であってもよく、例えば、同一行に位置する青色サブ画素０３の第１の角部の向きが同一であり、同一列に位置する青色サブ画素０３の第１の角部の向きが異なっていてもよい。同様に、緑色サブ画素０２及び赤色サブ画素０１の第１の角部が面取り又は平面取りされている場合も、青色サブ画素０３の第１の角部の向きのように配列してもよい。

【0102】

本発明の実施例は、上述の画素アレイと略同一である画素アレイをさらに提供する。当該画素アレイは、赤色サブ画素０１、緑色サブ画素０２及び青色サブ画素０３を含む複数のサブ画素を含み、赤色サブ画素０１と青色サブ画素０３は行方向に沿って交互に設けられて複数の第１の画素行１を形成し、複数の第１の画素行１において同一列に位置する赤色サブ画素０１と青色サブ画素０３は交互に設けられ、緑色サブ画素０２は行方向に沿って並置されて複数の第２の画素行２を形成している。アレイ状に配列された２つの赤色サブ画素０１と２つの青色サブ画素の中心を順につなげて第１の仮想四角形１０を構成し、各第１の仮想四角形１０内には１つの緑色サブ画素が設けられている。第１の仮想四角形１０の少なくとも一部の内角は９０°に等しくない。赤色サブ画素０１、緑色サブ画素０２及び青色サブ画素０３の形状には多角形が含まれ、赤色サブ画素０１、緑色サブ画素０２及び青色サブ画素０３のうちの少なくとも１つの多角形形状であるサブ画素における少なくとも１つの頂角の２辺の延長線の交点から当該サブ画素の境界までの最近接距離は当該サブ画素のもう１つの頂角の２辺の延長線の交点から当該サブ画素の境界までの最近接距離に等しくない。例えば、図６を参照すると、青色サブ画素０３の第１の角部は面取り又は平面取りされており、その第１の角部の２辺の延長線の交点から第１の角部の頂点までの距離はｄ１であり、第１の角部の頂点から第２の角部の頂点までの距離はｄ２であり、ｄ１：ｄ２は１／５～１／２程度である。青色サブ画素０３の第１の角部の頂点は、それに対応する頂角の２辺の延長線の交点から当該サブ画素の境界までの距離が最近接となる点である。

【0103】

いくつかの実施例において、赤色サブ画素０１は軸対称な図形であり、赤色サブ画素０１の形状はいずれも同一であるが、少なくとも一部の赤色サブ画素０１の対称軸の方向が同一でないか、又は緑色サブ画素０２は軸対称な図形であり、緑色サブ画素０２の形状はいずれも同一であるが、少なくとも一部の緑色サブ画素０２の対称軸の方向が同一でないか、又は青色サブ画素０３は軸対称な図形であり、青色サブ画素０３の形状はいずれも同一であるが、少なくとも一部の青色サブ画素０３の対称軸の方向が同一でない。例えば、青色サブ画素０３の第１の角部は面取り又は平面取りされており、画素アレイにおける各青色サブ画素０３の形状はいずれも同一であり、第１の角部の向きは異なる。第１の角部の一部は上を向いており、第１の角部の一部は左を向いており、第１の角部が上を向いている青色サブ画素０３の対称軸は、列方向と平行であるのに対し、第１の角部が左を向いている青色サブ画素０３の対称軸は行方向と平行であり、つまり、第１の角部の、上を向いている及び左を向いている青色サブ画素０３の対称軸は方向が同一である。

【0104】

いくつかの実施例において、赤色サブ画素０１及び青色サブ画素０３は軸対称な図形であり、赤色サブ画素０１と青色サブ画素０３の少なくとも一部の対称軸は方向が同一でない。例えば、赤色サブ画素０１及び青色サブ画素０３の第１の角部がいずれも面取り又は平面取りされており、赤色サブ画素０１における第１の角部の一部は上を向いており、その対称軸は列方向と平行であり、青色サブ画素０３における第１の角部の一部は左を向いており、その対称軸は行方向と平行である。つまり、第１の角部の向きが異なる赤色サブ画素０１と青色サブ画素０３の対称軸は方向が同一でない。

【0105】

いくつかの実施例において、緑色サブ画素０２の形状は、例えば、直角台形等の非対称図形であってもよい。

【0106】

いくつかの実施例において、赤色サブ画素０１及び青色サブ画素０３のうちの少なくとも１つの形状は１つの対称軸しか含まない。例えば、赤色サブ画素０１及び青色サブ画素０３のうちの少なくとも１つの形状の第１の角部は面取り又は平面取りされており、赤色サブ画素０１及び青色サブ画素０３の第２の角部、第３の角部及び第４の角部は略同一である。このとき、赤色サブ画素０１及び青色サブ画素０３のうちの少なくとも１つの形状は１つの対称軸しか含まない。

【0107】

いくつかの実施例において、赤色サブ画素０１の形状の対称軸の数、緑色サブ画素０２の形状の対称軸の数、及び青色サブ画素０３の形状の対称軸の数のうち、少なくとも２つは異なる。例えば、赤色サブ画素０１、緑色サブ画素０２及び青色サブ画素０３のうちの１つが軸対称な図形であり、他の２つがいずれも軸対称でない図形であってもよいし、そのうちの２つが軸対称な図形であり、３つ目が軸対称でない図形であってもよいし、３ついずれも軸対称な図形であるが、対称軸の数がいずれも異なり、例えば、これら３つが対称軸をそれぞれ１つ、２つ、４つ有してもよいし、３ついずれも軸対称な図形であるが、１つは対称軸の数が他の２つと異なり、例えば、２つは１つの対称軸を有し、もう１つは２つ又は４つの対称軸を有してもよい。以下、具体例を参照しながら本発明の実施例における画素アレイについて説明する。

【0108】

第１の例において、図１０は図４に示す画素アレイの左上隅の１つ目の第２の仮想四角形における各サブ画素の分布模式図である。図１０は、４つの第２の仮想四角形１００内のサブ画素の配列構造を例示したものにすぎない。図４及び７に示すように、各第２の仮想四角形１００は、４つの第１の仮想四角形１０を含み、隣接して設けられた第１の仮想四角形１０は辺を共有し、隣接して設けられた第２の仮想四角形１００は辺を共有する。各第１の仮想四角形１０は、アレイ状に配列された２つの赤色サブ画素０１と２つの青色サブ画素０３の中心を順につなげて形成され、つまり、各第１の仮想四角形１０の４つの頂角の位置に２つの赤色サブ画素０１及び２つの青色サブ画素０３がそれぞれ設けられており、２つの赤色サブ画素０１は第１の仮想四角形１０における対向して設けられた２つの頂角の位置に設けられ、２つの青色サブ画素０３は第１の仮想四角形１０における対向して設けられた他の２つの頂角の位置に設けられ、各第１の仮想四角形１０の中心位置には１つの緑色サブ画素０２が設けられている。各第２の仮想四角形１００内の各サブ画素の配列については、第２のサブ画素の中心及び４つの頂角の位置に赤色サブ画素０１が設けられ、行方向及び列方向において、２つの赤色サブ画素０１の間に１つの青色サブ画素０３が設けられている。

【0109】

図１０に示すように、青色サブ画素０３の第１の角部は面取りされており、第２の角部、第３の角部及び第４の角部はいずれも直角に近い。第２の仮想四角形１００の各々について、同一行に位置する２つの青色サブ画素は列方向に沿って対称に設けられ、同一列に位置する２つの青色サブ画素０３は行方向に沿って対称に設けられている。２つの隣接する第１の画素行１における一行における各青色サブ画素０３の第１の角部の向きは同一であり、他行における各青色サブ画素０３の第１の角部の向きは逆である。

【0110】

図１０に示すように、左上隅の１つ目の第１の仮想四角形１０は、１つの対角が等しく（９２°を図示）、もう１つの角が９０°であり、他の第１の仮想四角形１０は、少なくとも１つの角が９０°であり、当該９０°角の頂点は赤色サブ画素の中心に位置している。各赤色サブ画素０１の周りに対角に設けられた青色サブ画素０３は赤色サブ画素０１の中心に対して対称である。

【0111】

図１０に示すように、仮に同一列に位置する隣接して設けられた赤色サブ画素０１と青色サブ画素０３の中心をつなぐ線をＬとすると、第２の仮想四角形１００は１つの辺長が２Ｌである正方形であり、その中心位置は１つの赤色サブ画素０１であり、各第１の仮想四角形１０内の緑色サブ画素０２の中心は行方向又は列方向において隣接して設けられた赤色サブ画素０１と青色サブ画素０３の中心をつなぐ中心線上に位置する。また、図１０に示すように、各第１の仮想四角形１０内の緑色サブ画素０２の中心から赤色サブ画素０１及び青色サブ画素０３の発光エリアの境界までの垂直距離はそれぞれａ及びｂであり、ａ＝ｂである。

【0112】

第２の例において、図１３は本発明の実施例の第２の例の画素アレイの模式図である。図１３に示すように、このような画素アレイにおける各サブ画素の位置及び形状は第１の例の画素アレイにおける各サブ画素の位置及び形状といずれも同一であり、違いは、一部の青色サブ画素０３の第１の角部の向きが異なることだけである。このような画素アレイにおいて、同一行に位置する各青色サブ画素０３の第１の角部の向きはいずれも同一であり、同一列に位置する各青色サブ画素０３の第１の角部の向きもいずれも同一である。例えば、図１３において、第１の行に位置する各青色サブ画素０３の第１の角部はいずれも上を向いており、第１の列に位置する各青色サブ画素０３の第１の角部はいずれも左を向いている。

【0113】

図１０は図１３に示す画素アレイの左上隅の１つ目の第２の仮想四角形における各サブ画素の分布模式図である。図１０に示すように、第２の仮想四角形１００における左上隅の１つ目の第１の仮想四角形１０は、１つの対角が等しく（９２°を図示）、もう１つの角が９０°であり、他の第１の仮想四角形１０は、少なくとも１つの角が９０°であり、当該９０°角の頂点は赤色サブ画素の中心に位置している。各第１の仮想サブ四角形の２つの対角位置における青色サブ画素０３は、２つの赤色サブ画素０１の中心をつなぐ線に対して対称に設けられている。

【0114】

図１０に示すように、仮に同一列に位置する隣接して設けられた赤色サブ画素０１と青色サブ画素０３の中心をつなぐ線をＬとすると、第２の仮想四角形１００は１つの辺長が２Ｌである正方形であり、その中心位置は１つの赤色サブ画素０１であり、各第１の仮想四角形１０内の緑色サブ画素０２の中心は行方向又は列方向において隣接して設けられた赤色サブ画素０１と青色サブ画素０３の中心をつなぐ中心線上に位置する。また、図１０に示すように、各第１の仮想四角形１０内の緑色サブ画素０２の中心から赤色サブ画素０１及び青色サブ画素０３の発光エリアの境界までの垂直距離はそれぞれａ及びｂであり、ａ＝ｂである。第３の例において、図１３は本発明の実施例の第３の例の画素アレイの模式図である。図１３に示すように、このような画素アレイにおける各サブ画素の位置及び形状は上述の両例の画素アレイにおける各サブ画素の位置及び形状といずれも同一であり、違いは、一部の青色サブ画素０３の第１の角部の向きが異なることだけである。このような画素アレイにおいて、すべての青色サブ画素０３第１の角部の向きはいずれも同一である。例えば、図１３におけるすべての青色サブ画素０３の第１の角部はいずれも左を向いている。

【0115】

図１４は図１３に示す画素アレイの左上隅の１つ目の第２の仮想四角形における各サブ画素の分布模式図である。図１４に示すように、第２の仮想四角形１００における左上隅の１つ目の第１の仮想四角形１０は等脚台形であり、２つの角は９２°であり、他の２つの角は８８°である。

【0116】

図１４に示すように、仮に同一列に位置する隣接して設けられた赤色サブ画素０１と青色サブ画素０３の中心をつなぐ線をＬとすると、第２の仮想四角形１００は１つの辺長が２Ｌである正方形であり、その中心位置は１つの赤色サブ画素０１であり、各第１の仮想四角形１０内の緑色サブ画素０２の中心は行方向又は列方向において隣接して設けられた赤色サブ画素０１と青色サブ画素０３の中心をつなぐ中心線上に位置する。また、図１４に示すように、各第１の仮想四角形１０内の緑色サブ画素０２の中心から赤色サブ画素０１及び青色サブ画素０３の発光エリアの境界までの垂直距離はそれぞれａ及びｂであり、ａ＝ｂである。

【0117】

第４の例において、図１５は本発明の実施例の第４の例の画素アレイの模式図である。図１５に示すように、このような画素アレイにおける各サブ画素の位置及び形状は上述の３例の画素アレイにおける各サブ画素の位置及び形状といずれも同一であり、違いは、一部の青色サブ画素０３の第１の角部の向きが異なることだけである。このような画素アレイにおいて、同一行に位置する各青色サブ画素０３の第１の角部の向きはいずれも同一であり、奇数行である第１の画素行１に位置する青色サブ画素０３の第１の角部と、偶数行である第１の画素行１に位置する青色サブ画素０３の第１の角部の向きは逆である。例えば、１つ目の第１の画素行１における各青色サブ画素０３の第１の角部はいずれも右を向いており、２つ目の第１の画素行１における各青色サブ画素０３の第１の角部はいずれも左を向いている。

【0118】

図１６は図１５に示す画素アレイの左上隅の１つ目の第２の仮想四角形における各サブ画素の分布模式図である。図１６に示すように、第２の仮想四角形１００における左上隅の１つ目の第１の仮想四角形１０は、９２°の鈍角の対角をなし、もう１つの対角は８８°である。

【0119】

図１６に示すように、仮に同一列に位置する隣接して設けられた赤色サブ画素０１と青色サブ画素０３の中心をつなぐ線をＬとすると、第２の仮想四角形１００は１つの辺長が２Ｌである正方形であり、その中心位置は１つの赤色サブ画素０１であり、各第１の仮想四角形１０内の緑色サブ画素０２の中心は行方向又は列方向において隣接して設けられた赤色サブ画素０１と青色サブ画素０３の中心をつなぐ中心線上に位置する。また、図１６に示すように、各第１の仮想四角形１０内の緑色サブ画素０２の中心から赤色サブ画素０１及び青色サブ画素０３の発光エリアの境界までの垂直距離はそれぞれａ及びｂであり、ａ＝ｂである。

【0120】

第５の例において、図１７は本発明の実施例の第５の例の画素アレイの模式図である。図１７に示すように、このような画素アレイにおける各サブ画素の位置及び形状は上述の４例の画素アレイにおける各サブ画素の位置及び形状といずれも同一であり、違いは、一部の青色サブ画素０３の第１の角部の向きが異なることだけである。このような画素アレイにおいて、同一行に位置する各青色サブ画素０３の第１の角部の向きはいずれも同一であり、同一列に位置する各青色サブ画素０３の第１の角部の向きもいずれも同一である。例えば、図１７において、第１の行に位置する各青色サブ画素０３の第１の角部はいずれも上を向いており、第１の列に位置する各青色サブ画素０３の第１の角部はいずれも左を向いている。

【0121】

図１８は図１７に示す画素アレイの左上隅の１つ目の第２の仮想四角形における各サブ画素の分布模式図である。図１８に示すように、第２の仮想四角形１００における左上隅の１つ目の第１の仮想四角形１０は、等しく且つ９０°である対角を有し、もう一方の対角はそれぞれ９２°及び８８°である。

【0122】

図１８に示すように、仮に同一列に位置する隣接して設けられた赤色サブ画素０１と青色サブ画素０３の中心をつなぐ線をＬとすると、第２の仮想四角形１００は１つの辺長が２Ｌである正方形であり、その中心位置は１つの赤色サブ画素０１であり、各第１の仮想四角形１０内の緑色サブ画素０２の中心は行方向又は列方向において隣接して設けられた赤色サブ画素０１と青色サブ画素０３の中心をつなぐ中心線上に位置する。また、図１８に示すように、各第１の仮想四角形１０内の緑色サブ画素０２の中心から赤色サブ画素０１及び青色サブ画素０３の発光エリアの境界までの垂直距離はそれぞれａ及びｂであり、ａ＝ｂである。

【0123】

なお、以上の例は、本発明の実施例における各青色サブ画素０３の配列方式を限定するものではなく、任意の１つの青色サブ画素０３を、その行方向に沿って隣接する赤色サブ画素０１の中心をつなぐ線の中点に対して任意の角度回転して形成される画素アレイは、いずれも本発明の実施例の保護範囲内にある。

【0124】

いくつかの実施例において、青色サブ画素０３の第１の角部のみが面取り又は平面取りされており、当該第１の角部はいずれも上を向いているとき、同一行に位置する赤色サブ画素０１及び青色サブ画素０３の、行方向上の２つの対角（第３の角部及び第４の角部）の頂点をつなぐ線は同一直線上に概ねある。同一列に位置する赤色サブ画素０１の第１の角部及び第２の角部と青色サブ画素０３の第２の角部の頂点をつなぐ線は同一直線上に概ねある。

【0125】

以上の第１の例から第５の例のいずれにおいても、青色サブ画素０３における第１の角部が面取りである場合を例として説明した。いくつかの実施例において、図１９は本発明の実施例の青色サブ画素の第１の角部が平面取りされた画素アレイの模式図である。図１９に示すように、このような画素アレイにおける各サブ画素の位置、形状及び配列方式は上述の第４の例の画素アレイにおける各サブ画素の位置、形状及び配列方式といずれも同一である。このような画素アレイにおいて、同一行に位置する各青色サブ画素０３の第１の角部の向きはいずれも同一であり、奇数行である第１の画素行１に位置する青色サブ画素０３の第１の角部と、偶数行である第１の画素行１に位置する青色サブ画素０３の第１の角部の向きは逆である。例えば、１つ目の第１の画素行１における各青色サブ画素０３の第１の角部はいずれも右を向いており、２つ目の第１の画素行１における各青色サブ画素０３の第１の角部はいずれも左を向いている。

【0126】

図２０は図１９に示す画素アレイの左上隅の１つ目の第２の仮想四角形における各サブ画素の分布模式図である。図２０に示すように、第２の仮想四角形１００における左上隅の１つ目の第１の仮想四角形１０は、９１°の鈍角の対角をなし、もう１つの対角は８９°である。

【0127】

図２０に示すように、仮に同一列に位置する隣接して設けられた赤色サブ画素０１と青色サブ画素０３の中心をつなぐ線をＬとすると、第２の仮想四角形１００は１つの辺長が２Ｌである正方形であり、その中心位置は１つの赤色サブ画素０１であり、各第１の仮想四角形１０内の緑色サブ画素０２の中心は行方向又は列方向において隣接して設けられた赤色サブ画素０１と青色サブ画素０３の中心をつなぐ中心線上に位置する。また、図２０に示すように、各第１の仮想四角形１０内の緑色サブ画素０２の中心から赤色サブ画素０１及び青色サブ画素０３の発光エリアの境界までの垂直距離はそれぞれａ及びｂであり、ａ＝ｂである。

【0128】

また、以上の例のいずれにおいても青色サブ画素０３における第１の角部は他の３つの角部と異なり、つまり、青色サブ画素０３の第１の角部の頂点から当該サブ画素の中心までの距離は、他の３つの角部の頂点それぞれから当該サブ画素の中心までの距離より小さい。いくつかの実施例において、赤色サブ画素０１及び緑色サブ画素０２のうちの少なくとも一方の第１の角部の図形を上述の青色サブ画素０３の形状に設計してもよい。以下、具体例を参照しながら説明する。

【0129】

図２１は本発明の実施例の赤色サブ画素の第１の角部が平面取りされた画素アレイの模式図である。図２１に示すように、当該画素アレイにおける各赤色サブ画素０１の第１の角部はいずれも右を向いている。もちろん、赤色サブ画素０１の第１の角部を回転させて赤色サブ画素の第１の角部を任意の方向に向けることにより、赤色サブ画素０１の中心を変更してもよく、赤色サブ画素０１の第１の角部を回転させた後、上述の青色サブ画素０３と同様に配列させてもよい。図２２は本発明の実施例の赤色サブ画素の第１の角部が面取りされた直角に近い画素アレイの表示時における実際の輝度中心の分布模式図である。図２２に示すように、画素アレイにおけるすべての赤色サブ画素の第１の角部がいずれも右を向いている場合を例に挙げると、図２２における青色サブ画素０３の第１の角部の位置における破線の角部は、赤色サブ画素０１の第１の角部が直角に近い関連技術における画素アレイであることを表す。「×」は、関連技術における画素アレイが表示するときの実際の輝度中心を表し、「・」は、本発明の実施例における、画素アレイが表示するときの実際の輝度中心を表す。赤色サブ画素の第１の角部が面取りされているとき、その実際の輝度中心の分布が一層均一になることが図２２から分かる。

【0130】

図２３は本発明の実施例の緑色サブ画素の第１の角部が平面取りされた画素アレイの模式図である。図２３に示すように、当該画素アレイにおける各第２の仮想四角形１００における４つの緑色サブ画素０２の第１の角部の向きはいずれも異なり、同一列に位置する２つの緑色サブ画素０２は行方向に対して対称に設けられている。もちろん、緑色サブ画素０２の第１の角部を回転させて緑色サブ画素の第１の角部を任意の方向に向けることにより緑色サブ画素０２の中心を変更してもよく、緑色サブ画素０２の第１の角部を回転させた後、上述の青色サブ画素０３と同様に配列させてもよい。

【0131】

図２４は本発明の実施例の赤色サブ画素及び青色サブ画素の第１の角部が平面取りされた画素アレイの模式図である。図２２に示すように、同一行に位置する各赤色サブ画素０１の第１の角部の向きは同一であり、同一行に位置する各青色サブ画素０３の第１の角部の向きは同一であり、同一行に位置する赤色サブ画素０１及び青色サブ画素の第１の角部の向きは逆である。もちろん、赤色サブ画素０１及び青色サブ画素０３の第１の角部を回転させて赤色サブ画素０１及び青色サブ画素０３の第１の角部を任意の方向に向けることにより、赤色サブ画素０１及び青色サブ画素０３の中心を変更してもよく、赤色サブ画素０１及び青色サブ画素０３の第１の角部を回転させた後、上述の青色サブ画素０３と同様に配列させてもよい。第２の態様において、本発明の実施例は、本発明の実施例が提供する上述の表示パネルのいずれかを含む表示装置をさらに提供する。当該表示装置は、携帯電話、タブレット、テレビ、ディスプレイ、ノートパソコン、デジタルフォトフレーム、ナビゲーション装置等の表示機能を有する任意の製品又は部品であってもよい。

【0132】

以上の実施形態は本発明の原理を説明するために用いた例示的な実施形態にすぎず、本発明はこれらに限定されないことが理解できよう。当業者は、本発明の精神及び要旨を逸脱せずに、様々な変更及び改良を行うことができ、これらの変更及び改良も本発明の範囲にあるものとみなされる。

【符号の説明】

【0133】

０１ 赤色サブ画素
０２ 緑色サブ画素
０３ 青色サブ画素
０１０ ベース基板
０１１ 第１の絶縁層
０１２ 第２の絶縁層
０１３ 第３の絶縁層
０１４ 第４の絶縁層
０１５ 平坦層
１ 第１の画素行
２ 第２の画素行
１０ ベース基板
１１ 第１の角部
３０ 画素定義層
３４ ポストスペーサー
４１ 第１の封止層
４２ 第２の封止層
４３ 第３の封止層
１００ 第２の仮想四角形
１０１ 赤色サブ画素の発光層
１０２ 緑色サブ画素の発光層
１０３ 青色画素の発光層
２１０ 第１のトランジスタ
２１２ 第１の蓄積コンデンサ
２１３ 第１のアノード
２１６ 緑色発光層
２２３ 第２のアノード
２２６ 赤色発光層
２３３ 第３のアノード
２３６ 青色発光層
２４１ 正孔注入層
２４２ 正孔輸送層
２４３ 電子輸送層
２４４ カソード
３０１ 画素定義層開口
３０２ サブ画素定義部

【図1】

【図2】

【図3a】

【図3b】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】

【図22】

【図23】

【図24】