特許 7342270 異方導電性シート、異方導電性シートの製造方法、電気検査装置および電気検査方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2023-09-01

(45)【発行日】2023-09-11

(54)【発明の名称】異方導電性シート、異方導電性シートの製造方法、電気検査装置および電気検査方法

(51)【国際特許分類】

   H01R 11/01 20060101AFI20230904BHJP

   H01R 43/00 20060101ALI20230904BHJP

   H01B 5/16 20060101ALI20230904BHJP

   C08L 83/05 20060101ALI20230904BHJP

   C08L 83/07 20060101ALI20230904BHJP

   B32B 7/12 20060101ALI20230904BHJP

   B32B 27/00 20060101ALI20230904BHJP

【ＦＩ】

H01R11/01 501G

H01R43/00 H

H01B5/16

C08L83/05

C08L83/07

B32B7/12

B32B27/00 D

【請求項の数】 28

(21)【出願番号】P 2022535381

(86)(22)【出願日】2021-07-08

(86)【国際出願番号】 JP2021025714

(87)【国際公開番号】W WO2022009942

(87)【国際公開日】2022-01-13

【審査請求日】2022-11-08

(31)【優先権主張番号】P 2020119278

(32)【優先日】2020-07-10

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(73)【特許権者】

【識別番号】000005887

【氏名又は名称】三井化学株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110002952

【氏名又は名称】弁理士法人鷲田国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】西浦 克典

(72)【発明者】

【氏名】山田 大典

【審査官】井上 信

(56)【参考文献】

【文献】国際公開第２０２０／１０５６９３（ＷＯ，Ａ１）

【文献】国際公開第１９９８／００７２１６（ＷＯ，Ａ１）

【文献】国際公開第２０１０／０３２５２１（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特開平１０－２４７５３６（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１７－８２１２５（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｒ １１／０１

Ｈ０１Ｒ ４３／００

Ｈ０１Ｂ ５／１６

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

厚み方向の一方の側に位置する第１面と、他方の側に位置する第２面とを有する絶縁層と、
前記絶縁層内において前記厚み方向に延在するように配置され、かつ前記第１面と前記第２面の外部にそれぞれ露出している複数の導電路と、
少なくともその一部が前記複数の導電路と前記絶縁層との間に配置された複数の接着層と、を有し、
前記接着層は、ビニル基と加水分解性基とを有するシランカップリング剤を含むシランカップリング剤組成物またはその重縮合物を含み、
下記ａ）およびｂ）のいずれかを満たす、
異方導電性シート。
ａ）前記絶縁層は、ＳｉＨ基を有するオルガノポリシロキサンと、ビニル基を有するオルガノポリシロキサンと、付加反応触媒とを含むシリコーンゴム組成物の付加架橋物を含み、
前記接着層のビニル基の少なくとも一部は、前記絶縁層のＳｉＨ基と付加反応によって結合している。
ｂ）前記絶縁層は、ＳｉＣＨ_３基を有するオルガノポリシロキサンと、有機過酸化物硬化剤とを含むシリコーンゴム組成物の架橋物を含み、
前記接着層のビニル基の少なくとも一部は、前記絶縁層のＳｉＣＨ_３基とラジカル付加反応によって結合している。

【請求項2】

前記絶縁層は、ＳｉＨ基を有するオルガノポリシロキサンと、ビニル基を有するオルガノポリシロキサンと、付加反応触媒とを含むシリコーンゴム組成物の付加架橋物を含み、
前記接着層のビニル基の少なくとも一部は、前記絶縁層のＳｉＨ基の少なくとも一部と付加反応によって結合している、
請求項１に記載の異方導電性シート。

【請求項3】

前記加水分解性基の少なくとも一部は、前記導電路上の官能基と結合している、
請求項１または２に記載の異方導電性シート。

【請求項4】

前記加水分解性基は、アルコキシシリル基である、
請求項１～３のいずれか一項に記載の異方導電性シート。

【請求項5】

前記シランカップリング剤組成物は、前記シランカップリング剤を含む一以上のアルコキシシランを含み、
前記シランカップリング剤組成物に含まれる４官能のアルコキシシランの含有量は、前記シランカップリング剤組成物に含まれる１～４官能のアルコキシシランの合計量に対して３０質量％以下である、
請求項４に記載の異方導電性シート。

【請求項6】

前記複数の導電路は、ライン状に配置された複数の導電路を含む列を含み、
前記接着層は、
前記複数の導電路の列に沿って、前記複数の導電路の列に含まれる複数の導電路のそれぞれの一方の側の側面と接するように配置された第１接着層と、
前記第１接着層上に配置され、前記複数の導電路の列に沿って、前記複数の導電路の列に含まれる複数の導電路のそれぞれの他方の側の側面と接するように配置された第２接着層と
を含み、
前記第１接着層または前記第２接着層の少なくとも一方が、前記シランカップリング剤組成物またはその重縮合物を含む、
請求項１～５のいずれか一項に記載の異方導電性シート。

【請求項7】

前記第１接着層は、平面状である、
請求項６に記載の異方導電性シート。

【請求項8】

前記第１接着層および前記第２接着層の厚みは、それぞれ前記第１面側における前記導電路の端部の円相当径の１～４０％である、
請求項６または７に記載の異方導電性シート。

【請求項9】

前記第１接着層および前記第２接着層の厚みは、それぞれ０．０５～３μｍである、
請求項６または７に記載の異方導電性シート。

【請求項10】

前記導電路は、金、銀、銅およびそれらの合金からなる群より選ばれる一以上を含む、
請求項１～９のいずれか一項に記載の異方導電性シート。

【請求項11】

前記導電路は、銅またはそれらの合金を含む、
請求項１０に記載の異方導電性シート。

【請求項12】

前記導電路は、銅箔に由来する、
請求項１１に記載の異方導電性シート。

【請求項13】

前記導電路の延在方向は、前記絶縁層の厚み方向に対して斜めである、
請求項１～１２のいずれか一項に記載の異方導電性シート。

【請求項14】

前記第１面側における、前記複数の導電路の中心間距離は、５～５５μｍである、
請求項１～１３のいずれか一項に記載の異方導電性シート。

【請求項15】

検査対象物の電気検査に用いられる異方導電性シートであって、
前記検査対象物は、前記第１面上に配置される、
請求項１～１４のいずれか一項に記載の異方導電性シート。

【請求項16】

１）絶縁層と、前記絶縁層の表面上に配置された複数の導電線と、前記複数の導電線の周囲の少なくとも一部を覆うシランカップリング剤組成物および／またはその重縮合物を含む接着層とを有するユニットを複数準備する工程と、
２）前記複数のユニットを積層し、一体化させて、積層体を得る工程と、
３）前記積層体の積層方向に沿って、前記複数の導電線の延在方向と交差するように切断して、異方導電性シートを得る工程とを有し、
前記シランカップリング剤組成物は、ビニル基と加水分解性基とを有するシランカップリング剤を含み、
下記ａ）およびｂ）のいずれかを満たす、
異方導電性シートの製造方法。
ａ）前記絶縁層は、ＳｉＨ基を有するオルガノポリシロキサンと、ビニル基を有するオルガノポリシロキサンと、付加反応触媒とを含むシリコーンゴム組成物の付加架橋物を含み、
前記１）の工程では、接着層のビニル基の少なくとも一部を、前記絶縁層のＳｉＨ基と付加反応させる。
ｂ）前記絶縁層は、ＳｉＣＨ_３基を有するオルガノポリシロキサンと、有機過酸化物硬化剤とを含むシリコーンゴム組成物の架橋物を含み、
前記１）の工程では、前記接着層のビニル基の少なくとも一部を、前記絶縁層のＳｉＣＨ_３基とラジカル付加反応させる。

【請求項17】

前記絶縁層は、ＳｉＨ基を有するオルガノポリシロキサンと、ビニル基を有するオルガノポリシロキサンと、付加反応触媒とを含むシリコーンゴム組成物の付加架橋物を含み、
前記１）の工程では、前記接着層のビニル基の少なくとも一部を、前記絶縁層のＳｉＨ基と付加反応させる、
請求項１６に記載の異方導電性シートの製造方法。

【請求項18】

前記１）の工程では、
前記加水分解性基の少なくとも一部を、前記導電路上の官能基とさらに結合させる、
請求項１６または１７に記載の異方導電性シートの製造方法。

【請求項19】

前記加水分解性基は、アルコキシシリル基である、
請求項１６～１８のいずれか一項に記載の異方導電性シートの製造方法。

【請求項20】

前記シランカップリング剤組成物は、前記シランカップリング剤を含む一以上のアルコキシシランを含み、
前記シランカップリング剤組成物に含まれる４官能のアルコキシシランの含有量は、前記シランカップリング剤組成物に含まれる１～４官能のアルコキシシランの合計量に対して３０質量％以下である、
請求項１６～１９のいずれか一項に記載の異方導電性シートの製造方法。

【請求項21】

前記１）の工程では、
前記複数の導電線は、前記絶縁層上に配置された、金、銀、銅およびそれらの合金からなる群より選ばれる一以上の金属箔をエッチングして形成する、
請求項１６～２０のいずれか一項に記載の異方導電性シートの製造方法。

【請求項22】

前記金属箔は、銅箔である、
請求項２１に記載の異方導電性シートの製造方法。

【請求項23】

前記複数の導電線と前記絶縁層との間には第１接着層がさらに配置されており、
前記複数の導電線の周囲を覆うように第２接着層を形成する工程をさらに含み、
前記第１接着層および前記第２接着層の少なくとも一方が、シランカップリング剤組成物および／またはその重縮合物を含む、
請求項２１または２２に記載の異方導電性シートの製造方法。

【請求項24】

前記一体化は、熱プレスにより行う、
請求項１６～２３のいずれか一項に記載の異方導電性シートの製造方法。

【請求項25】

厚み方向の一方の側に位置する第１面と、他方の側に位置する第２面とを有する絶縁層と、
前記絶縁層内において前記厚み方向に延在するように配置され、かつ前記第１面と前記第２面の外部にそれぞれ露出している複数の導電路と、
少なくともその一部が前記複数の導電路と前記絶縁層との間に配置された複数の接着層と、を有し、
前記絶縁層は、ビニル基を有する、シリコーンゴム組成物の付加架橋物を含み、
前記接着層は、ＳｉＨ基と加水分解性基とを有するシランカップリング剤を含むシランカップリング剤組成物またはその重縮合物を含み、
前記接着層のＳｉＨ基の少なくとも一部は、前記絶縁層のビニル基の少なくとも一部と付加反応によって結合している、
異方導電性シート。

【請求項26】

１）ビニル基を有する、シリコーンゴム組成物の付加架橋物を含む絶縁層と、前記絶縁層の表面上に配置された複数の導電線と、前記複数の導電線の周囲の少なくとも一部を覆うシランカップリング剤組成物および／またはその重縮合物を含む接着層とを有するユニットを複数準備する工程と、
２）前記複数のユニットを積層し、一体化させて、積層体を得る工程と、
３）前記積層体の積層方向に沿って、前記複数の導電線の延在方向と交差するように切断して、異方導電性シートを得る工程とを有し、
前記１）の工程では、
前記シランカップリング剤組成物は、ＳｉＨ基と加水分解性基とを有するシランカップリング剤を含み、
前記ＳｉＨ基を、前記絶縁層のビニル基と付加反応させる、
異方導電性シートの製造方法。

【請求項27】

複数の電極を有する検査用基板と、
前記検査用基板の前記複数の電極が配置された面上に配置された、請求項１～１５のいずれか一項に記載の異方導電性シートと、を有する、
電気検査装置。

【請求項28】

複数の電極を有する検査用基板と、端子を有する検査対象物とを、請求項１～１５のいずれか一項に記載の異方導電性シートを介して積層して、前記検査用基板の前記電極と、前記検査対象物の前記端子とを、前記異方導電性シートを介して電気的に接続する工程を有する、
電気検査方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、異方導電性シート、異方導電性シートの製造方法、電気検査装置および電気検査方法に関する。

【背景技術】

【0002】

電子製品に搭載されるプリント配線板などの半導体デバイスは、通常、電気検査が行われる。電気検査は、通常、電気検査装置の（電極を有する）基板と、半導体デバイスなどの検査対象物となる端子とを電気的に接触させ、検査対象物の端子間に所定の電圧を印加したときの電流を読み取ることにより行われる。そして、電気検査装置の基板の電極と、検査対象物の端子との電気的接触を確実に行うために、電気検査装置の基板と検査対象物との間に、異方導電性シートが配置される。

【0003】

異方導電性シートは、厚み方向に導電性を有し、面方向に絶縁性を有するシートであり、電気検査におけるプローブ（接触子）として用いられる。このような異方導電性シートは、電気検査装置の基板と検査対象物との間の電気的接続を確実に行うために、押し込み荷重を加えて使用される。そのため、異方導電性シートは、厚み方向に弾性変形しやすいことが求められている。

【0004】

そのような異方導電性シートとしては、シリコーンゴムなどで構成される絶縁層と、その厚み方向に貫通するように配置された複数の金属線とを有する異方導電性シートが知られている（例えば特許文献１）。また、厚み方向に貫通する複数の貫通孔を有する弾性体（例えばシリコーンゴムシート）と、貫通孔の内壁面に接合された中空状の複数の導電部材とを有する電気コネクターが知られている（例えば特許文献２参照）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【文献】特開２０１６－２１３１８６号公報

【文献】国際公開第２０１８／２１２２７７号

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

近年、電気検査時における押し込み荷重のさらなる低減が求められており、金属線や導電部などの導電路の構成材料のさらなる低弾性率化が検討されている。しかしながら、導電路の構成材料を低弾性率化するほど、押し込み荷重による加圧と除圧の繰り返しによって、導電路が絶縁層から剥がれて、導通不良が発生しやすいという問題があった。特許文献１や２においても、同様の問題があった。

【0007】

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、弾性変形を繰り返しても、導電路の剥がれが少なく、良好な密着性を維持できる異方導電性シート、異方導電性シートの製造方法、電気検査装置および電気検査方法を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0008】

上記課題は、以下の構成によって解決することができる。

【0009】

本発明の第１の異方導電性シートは、厚み方向の一方の側に位置する第１面と、他方の側に位置する第２面とを有する絶縁層と、前記絶縁層内において前記厚み方向に延在するように配置され、かつ前記第１面と前記第２面の外部にそれぞれ露出している複数の導電路と、少なくともその一部が前記複数の導電路と前記絶縁層との間に配置された複数の接着層と、を有し、前記接着層は、ビニル基と加水分解性基とを有するシランカップリング剤を含むシランカップリング剤組成物またはその重縮合物を含み、下記ａ）およびｂ）のいずれかを満たす。
ａ）前記絶縁層は、ＳｉＨ基を有するオルガノポリシロキサンと、ビニル基を有するオルガノポリシロキサンと、付加反応触媒とを含むシリコーンゴム組成物の付加架橋物を含み、前記接着層のビニル基の少なくとも一部は、前記絶縁層のＳｉＨ基と付加反応によって結合している。
ｂ）前記絶縁層は、ＳｉＣＨ_３基を有するオルガノポリシロキサンと、有機過酸化物硬化剤とを含むシリコーンゴム組成物の架橋物を含み、前記接着層のビニル基の少なくとも一部は、前記絶縁層のＳｉＣＨ_３基とラジカル付加反応によって結合している。

【0010】

本発明の第１の異方導電性シートの製造方法は、１）絶縁層と、前記絶縁層の表面上に配置された複数の導電線と、前記複数の導電線の周囲の少なくとも一部を覆うシランカップリング剤組成物および／またはその重縮合物を含む接着層とを有するユニットを複数準備する工程と、２）前記複数のユニットを積層し、一体化させて、積層体を得る工程と、３）前記積層体の積層方向に沿って、前記複数の導電線の延在方向と交差するように切断して、異方導電性シートを得る工程とを有し、前記シランカップリング剤組成物は、ビニル基と加水分解性基とを有するシランカップリング剤を含み、下記ａ）およびｂ）のいずれかを満たす。
ａ）前記絶縁層は、ＳｉＨ基を有するオルガノポリシロキサンと、ビニル基を有するオルガノポリシロキサンと、付加反応触媒とを含むシリコーンゴム組成物の付加架橋物を含み、前記１）の工程では、接着層のビニル基の少なくとも一部を、前記絶縁層のＳｉＨ基と付加反応させる。
ｂ）前記絶縁層は、ＳｉＣＨ_３基を有するオルガノポリシロキサンと、有機過酸化物硬化剤とを含むシリコーンゴム組成物の架橋物を含み、前記１）の工程では、前記接着層のビニル基の少なくとも一部を、前記絶縁層のＳｉＣＨ_３基とラジカル付加反応させる。

【0011】

本発明の第２の異方導電性シートは、厚み方向の一方の側に位置する第１面と、他方の側に位置する第２面とを有する絶縁層と、前記絶縁層内において前記厚み方向に延在するように配置され、かつ前記第１面と前記第２面の外部にそれぞれ露出している複数の導電路と、少なくともその一部が前記複数の導電路と前記絶縁層との間に配置された複数の接着層と、を有し、前記絶縁層は、ビニル基を有する、シリコーンゴム組成物の付加架橋物を含み、前記接着層は、ＳｉＨ基と加水分解性基とを有するシランカップリング剤を含むシランカップリング剤組成物またはその重縮合物を含み、前記接着層のＳｉＨ基の少なくとも一部は、前記絶縁層のビニル基の少なくとも一部と付加反応によって結合している。

【0012】

本発明の第２の異方導電性シートの製造方法は、１）ビニル基を有する、シリコーンゴム組成物の付加架橋物を含む絶縁層と、前記絶縁層の表面上に配置された複数の導電線と、前記複数の導電線の周囲の少なくとも一部を覆うシランカップリング剤組成物および／またはその重縮合物を含む接着層とを有するユニットを複数準備する工程と、２）前記複数のユニットを積層し、一体化させて、積層体を得る工程と、３）前記積層体の積層方向に沿って、前記複数の導電線の延在方向と交差するように切断して、異方導電性シートを得る工程とを有し、前記１）の工程では、前記シランカップリング剤組成物は、ＳｉＨ基と加水分解性基とを有するシランカップリング剤を含み、前記ＳｉＨ基を、前記絶縁層のビニル基と付加反応させる。

【0013】

本発明の電気検査装置は、複数の電極を有する検査用基板と、前記検査用基板の前記複数の電極が配置された面上に配置された、本発明の異方導電性シートとを有する。

【0014】

本発明の電気検査方法は、複数の電極を有する検査用基板と、端子を有する検査対象物とを、本発明の異方導電性シートを介して積層して、前記検査用基板の前記電極と、前記検査対象物の前記端子とを、前記異方導電性シートを介して電気的に接続する工程を有する。

【発明の効果】

【0015】

本発明によれば、弾性変形を繰り返しても導電路の剥がれが少なく、良好な密着性を維持できる異方導電性シート、異方導電性シートの製造方法、電気検査装置および電気検査方法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0016】

【図1】図１Ａは、本実施の形態に係る異方導電性シートを示す部分拡大平面図であり、図１Ｂは、図１Ａの異方導電性シートの１Ｂ－１Ｂ線の部分拡大断面図である。

【図2】図２は、図１Ｂの拡大図である。

【図3】図３Ａ～Ｈは、本実施の形態に係る異方導電性シートの製造方法の一部の工程を示す断面模式図である。

【図4】図４Ａ～Ｃは、本実施の形態に係る異方導電性シートの製造方法の残りの工程を示す模式図である。

【図5】図５ＡおよびＢは、シランカップリング剤組成物による接着機構を示す模式図である。

【図6】図６は、本実施の形態に係る電気検査装置を示す断面図である。

【図7】図７Ａ～Ｇは、他の実施の形態に係る異方導電性シートの製造方法の一部の工程を示す断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0017】

１．異方導電性シート
図１Ａは、本実施の形態に係る異方導電性シート１０（第１の異方導電性シート）の部分拡大平面図であり、図１Ｂは、図１Ａの異方導電性シート１０の１Ｂ－１Ｂ線の拡大断面図である。図２は、図１Ｂの拡大図である。以下の図面は、いずれも模式図であって、縮尺などは実際のものとは異なる。

【0018】

異方導電性シート１０は、絶縁層１１と、当該絶縁層１１の内部においてその厚み方向に延在するように配置された複数の導電路１２と、少なくともその一部が複数の導電路１２と絶縁層１１との間に配置された複数の接着層１３とを有する。

【0019】

１－１．絶縁層１１
絶縁層１１は、厚み方向の一方の側に位置する第１面１１ａと、厚み方向の他方の側に位置する第２面１１ｂとを有する層である（図１ＡおよびＢ参照）。絶縁層１１は、複数の導電路１２同士の間を絶縁する。１つの絶縁層１１は、図１Ａに示されるように、接着層１３によって分けられていてもよい。本実施の形態では、絶縁層１１の第１面１１ａが異方導電性シート１０の一方の面、絶縁層１１の第２面１１ｂが異方導電性シート１０の他方の面をなし、かつ第１面１１ａ上に、検査対象物が配置されることが好ましい。

【0020】

絶縁層１１は、ａ）シリコーンゴム組成物の付加架橋物を含むか、または、ｂ）シリコーンゴム組成物の有機過酸化物架橋物を含む。本実施の形態では、ａ）シリコーンゴム組成物の付加架橋物を含む。

【0021】

ａ）のシリコーンゴム組成物の付加架橋物は、ビニル基を有するオルガノポリシロキサンと、ＳｉＨ基を有するオルガノポリシロキサン（オルガノ水素ポリシロキサン）と、付加反応触媒とを含むシリコーンゴム組成物の付加架橋物である。当該付加架橋物は、（シランカップリング剤のビニル基と結合する）ＳｉＨ基を有する。

【0022】

ビニル基を有するオルガノポリシロキサンは、シリコーンゴム組成物の主剤（ベースポリマー）であり、ケイ素原子に結合したビニル基またはビニル基を含有する基（例えばアリル基）を１分子中に少なくとも２つ有するオルガノポリシロキサンである。ビニル基またはビニル基を含有する基以外の有機基の例には、メチル基、エチル基、フェニル基などが含まれ、好ましくはメチル基である。

【0023】

ビニル基またはアリル基は、分子主鎖中にあってもよいし、分子末端にあってもよいし、その両方にあってもよいが、分子末端にあることが好ましい。そのようなビニル基を有するオルガノポリシロキサンの例には、両末端にビニル基を有するジメチルポリシロキサンが含まれる。

【0024】

ＳｉＨ基を有するオルガノポリシロキサンは、ケイ素原子に結合した水素原子（ＳｉＨ基）を１分子中に少なくとも２つ、好ましくは３つ以上有するオルガノハイドロジェンポリシロキサンである。ＳｉＨ基は、分子末端にあっても、分子主鎖にあっても、その両方にあってもよい。ＳｉＨ基を有するオルガノポリシロキサンは、硬化剤（架橋剤）として機能するものであり、そのＳｉＨ基が、ビニル基を有するオルガノポリシロキサン中のビニル基とヒドロシリル化付加反応により架橋して硬化する。

【0025】

ＳｉＨ基を有するオルガノポリシロキサンの例には、メチルハイドロジェンポリシロキサンや、そのメチル基の一部または全部を、他のアルキル基やフェニル基などに置換したものなどが含まれる。

【0026】

ＳｉＨ基を有するオルガノポリシロキサンの含有量は、得られる付加架橋物中において、未反応のＳｉＨ基が残るように設定される。

【0027】

付加反応触媒は、上記ビニル基を有するオルガノポリシロキサンと上記ＳｉＨ基を有するオルガノポリシロキサンのヒドロシリル化反応を促進させるために添加されうる。付加反応触媒は、ヒドロシリル化反応の触媒活性を有する公知の金属、金属化合物、金属錯体などを用いることができる。特に白金、白金化合物、それらの錯体を用いることが好ましい。

【0028】

絶縁層１１は、貯蔵弾性率を上記範囲に調整しやすくする観点から、多孔質に形成されてもよい。

【0029】

シリコーンゴム組成物の付加架橋物のＪＩＳ Ｋ６２５３ デュロメータ タイプＡによる硬度は、電気検査時の押し込み荷重により弾性変形しうる程度であればよく、特に制限されないが、例えば３０～９０度であることが好ましい。

【0030】

１－２．導電路１２
導電路１２は、絶縁層１１内において、その厚み方向に延在し、かつ第１面１１ａと第２面１１ｂとにそれぞれ露出するように配置されている（図１Ｂ参照）。

【0031】

導電路１２が、絶縁層１１の厚み方向に延在しているとは、具体的には、導電路１２の軸方向が、絶縁層１１の厚み方向に対して略平行（具体的には、絶縁層１１の厚み方向と導電路１２の軸方向とのなす角度のうち小さいほうの角度が１０°以下）であるか、または所定の範囲で傾斜していること（絶縁層１１の厚み方向と導電路１２の軸方向とのなす角度のうち小さいほうの角度が１０°超４５°以下）をいう。中でも、押し込み荷重をかけたときに、弾性変形しやすくし、電気的接続を容易にする観点では、導電路１２の軸方向は、絶縁層１１の厚み方向に対して傾斜していることが好ましい（図１Ｂ参照）。なお、軸方向とは、導電路１２の第１面１１ａ側の端部１２ａと、第２面１１ｂ側の端部１２ｂとを結ぶ方向をいう。すなわち、導電路１２は、端部１２ａが第１面１１ａ側に露出し、端部１２ｂが第２面１１ｂ側に露出するように配置されている（図１Ｂ参照）。

【0032】

導電路１２の形状は、特に制限されず、円柱状であってもよいし、角柱状であってもよい。本実施の形態では、導電路１２の形状は、四角柱状である（図１ＡおよびＢ参照）。

【0033】

第１面１１ａ側における導電路１２の端部１２ａの円相当径ｄは、第１面１１ａ側における、複数の導電路１２の端部１２ａの中心間距離ｐを後述する範囲に調整でき、かつ検査対象物の端子と導電層１５との導通を確保できる程度であればよく、例えば２～３０μｍであることが好ましい。第１面１１ａ側における、導電路１２の端部１２ａの円相当径ｄとは、第１面１１ａ側から絶縁層１１の厚み方向に沿って見たときの、導電路１２の端部１２ａの円相当径をいう。

【0034】

第１面１１ａ側における導電路１２の端部１２ａの円相当径と、第２面１１ａ側における端部１２ｂの円相当径とは、同じであってもよいし（図１Ｂ参照）、異なってもよい。

【0035】

第１面１１ａ側における複数の導電路１２の中心間距離（ピッチ）ｐは、特に制限されず、検査対象物の端子のピッチに対応して適宜設定されうる。検査対象物としてのＨＢＭ（Ｈｉｇｈ Ｂａｎｄｗｉｄｔｈ Ｍｅｍｏｒｙ）の端子のピッチは５５μｍであり、ＰｏＰ（Ｐａｃｋａｇｅ ｏｎ Ｐａｃｋａｇｅ）の端子のピッチは４００～６５０μｍであることなどから、これらの検査対象物に合わせる観点では、第１面１１ａ側における複数の導電路１２の端部１２ａの中心間距離ｐは、例えば５～６５０μｍでありうる。中でも、検査対象物の端子の位置合わせを不要とする（アライメントフリーにする）観点では、第１面１１ａ側における複数の導電路１２の中心間距離ｐは、５～５５μｍであることがより好ましい。複数の導電路１２の中心間距離ｐとは、複数の導電路１２の中心間距離のうち最小値をいう。

【0036】

第１面１１ａ側における複数の導電路１２の中心間距離ｐと、第２面１１ｂ側における複数の導電路１２の中心間距離とは、同じであってもよいし（図１Ｂ参照）、異なってもよい。

【0037】

複数の導電路１２は、ランダムに配置されてもよいし、マトリクス状に配置されてもよい。本実施の形態では、複数の導電路１２は、マトリクス状に配置されている。具体的には、複数の導電路１２は、複数の列Ｌで構成されており；複数の列Ｌのそれぞれは、ライン状に配置された複数の導電路１２を含む（図１Ａ参照）。

【0038】

導電路１２を構成する材料は、導電性を有する材料であればよく、特に制限されない。導電路１２を構成する材料の体積抵抗率は、十分な導通が得られる程度であればよく、特に制限されないが、例えば１．０×１０^－４Ω・ｍ以下であることが好ましく、１．０×１０^－６～１．０×１０^－９Ω・ｍであることがより好ましい。体積抵抗率は、ＡＳＴＭ Ｄ ９９１に記載の方法で測定することができる。

【0039】

導電路１２を構成する材料の２５℃における弾性率は、特に制限されないが、電気検査時の押し込み荷重を低減する観点では、５０～１００ＧＰａであることが好ましい。弾性率は、例えば、共振法（ＪＩＳ Ｚ２２８０に準拠）で測定することができる。

【0040】

導電路１２を構成する材料は、体積抵抗率が上記範囲を満たすものであればよく、特に制限されず、銅、金、白金、銀、ニッケル、錫、鉄およびこれらのうち１種の合金などの金属材料でありうる。中でも、良好な導電性と柔軟性を有し、電気検査時の押し込み荷重を低減しやすくする観点では、金、銀、銅およびそれらの合金からなる群より選ばれる一以上が好ましく、銅およびその合金がより好ましい。

【0041】

導電路１２の側面１２ｃは、平滑面であってもよいし、粗面であってもよい。異方導電性シート１０の高周波特性を損なわれにくくする観点では、平滑面であること、具体的には、表面積率が一定以下（例えば表面積率が１～１．５）であることが好ましい。表面積率は、表面積率＝表面積／面積で表される。

【0042】

表面積は、測定領域の奥行き（凹凸）を加味した三次元面積である。面積は、測定領域を法線方向から見たときに見える領域の二次元面積である。表面積率が１に近いほど表面の凹凸が少なく、表面積率が大きいほど表面の凹凸が多いことを意味する。表面積や面積は、レーザー顕微鏡により測定することができる。測定領域は、縦２５０μｍ×横２５０μｍとしうる。測定は、３回行い、それらの平均値として求めることができる。

【0043】

１－３．接着層
接着層１３は、複数の導電路１２と絶縁層１１との間の少なくとも一部に配置されている（図１Ｂ参照）。そして、接着層１３は、導電路１２と絶縁層１１との間の接着性を高めて、これらの境界面で剥がれにくくする。すなわち、接着層１３は、導電路１２と絶縁層１１との間の接着性を高めるための接合層またはプライマー層としても機能しうる。

【0044】

接着層１３は、導電路１２の側面１２ｃの一部に配置されていてもよいし、全部に配置されていてもよい。本実施の形態では、接着層１３は、導電路１２の側面１２ｃの全部に（側面１２ｃを取り囲むように）配置されている（図１Ａ参照）。

【0045】

接着層１３は、１つの層で構成されてもよいし、複数の層で構成されてもよい。

【0046】

本実施の形態では、接着層１３は、導電路１２の側面１２ｃを取り囲むように配置されており、かつ複数の層で構成されている。具体的には、接着層１３は、第１接着層１３Ａと、第２接着層１３Ｂとを含む。

【0047】

第１接着層１３Ａは、複数の導電路１２の列Ｌに沿って、当該列Ｌに含まれる複数の導電路１２のそれぞれの一方の側の側面１２ｃ（図１Ａでは側面１２ｃの下側）と接するように連続して配置されている。第１接着層１３Ａは、平面状（板状）であってもよいし（図１Ａ参照）、曲面状であってもよい。

【0048】

第２接着層１３Ｂは、第１接着層１３Ａ上であって、複数の導電路１２の列Ｌに沿って、当該列Ｌに含まれる複数の導電路１２のそれぞれの他方の側の側面１２ｃ（図１Ａでは側面１２ｃの上側）と接するように連続して配置されている。

【0049】

このように、接着層１３が、第１接着層１３Ａと第２接着層１３Ｂとを含むことで、絶縁層１１を構成する複数のユニット２５間の密着性（後述の図３および４参照）を高めることができる。特に、第１接着層１３Ａおよび第２接着層１３Ｂが、それぞれ上記シランカップリング剤組成物またはその重縮合物を含むことで、これらの層間でシリカ結合が形成されるため、高い密着性が得られやすい。

【0050】

第１接着層１３Ａおよび第２接着層１３Ｂは、同じ組成のものであってもよいし、異なる組成であってもよい。また、第１接着層１３Ａおよび第２接着層１３Ｂは、一体化して１つの層となっていてもよい。また、第１接着層１３Ａおよび第２接着層１３Ｂの一部は、導電路１２に接していなくてもよい（図１Ａ参照）。

【0051】

第１接着層１３Ａ（または第２接着層１３Ｂ）は、ビニル基と加水分解性基とを有するシランカップリング剤（以下、「ビニル系シランカップリング剤」ともいう）を含むシランカップリング剤組成物および／またはその重縮合物を含む。そして、シランカップリング剤組成物中のビニル系シランカップリング剤のビニル基の少なくとも一部は、絶縁層１１を構成するシリコーンゴム組成物の付加架橋物のＳｉＨ基と付加反応（ヒドロシリル化反応）して共有結合しており；加水分解性基（好ましくはアルコキシシリル基）の少なくとも一部は、加水分解されてシラノール基となり、導電路１２上の官能基（例えば、導電路１２の表面に形成された酸化膜中に存在するＳｉＯＨ基など）と反応（例えば脱水縮合）して結合している（後述の図５Ｂ参照）。それにより、導電路１２と絶縁層１１とは、シランカップリング剤組成物および／またはその重縮合物を含む第１接着層１３Ａ（または第２接着層１３Ｂ）を介して良好に接合される。

【0052】

（シランカップリング剤組成物）
ビニル系シランカップリング剤の１分子中のビニル基の数は、特に制限されず、１つであってもよいし、２以上であってもよいが、好ましくは１つである。

【0053】

加水分解性基は、加水分解により水酸基となり、導電路１２上の官能基と化学結合する反応基であり、好ましくはアルコキシシリル基である。すなわち、ビニル系シランカップリング剤は、ビニル基を有するアルコキシシランでありうる。ビニル系シランカップリング剤の１分子中のアルコキシシリル基の数は、特に制限されず、１つであってもよいし、２以上あってもよいが、好ましくは１である。

【0054】

ビニル系シランカップリング剤の例には、ビニルトリメトキシシラン（ＶＴＭＯＳ）、ジメトキシメチルビニルシラン（ＤＭＭＶＳ）、ジメチルエトキシビニルシラン、ジエトキシメチルビニルシラン、ビニルトリエトキシシラン、トリイソプロポキシビニルシラン、ビニルトリ（ジメトキシエトキシ）シラン、アリルトリメトキシシラン（ＡｌｙＴＭＯＳ）、アリルトリエトキシシランが含まれる。

【0055】

ビニル系シランカップリング剤の分子量は、特に制限されないが、第１接着層１３Ａ（または第２接着層１３Ｂ）の柔軟性を損なわないようにする観点では、適度に小さいことが好ましい。

【0056】

シランカップリング剤組成物に含まれるビニル系シランカップリング剤は、１種類であってもよいし、２種類以上であってもよい。

【0057】

シランカップリング剤組成物におけるビニル系シランカップリング剤の含有量は、導電路１２と絶縁層１１とを十分に接着させうる程度であればよく、特に制限されないが、例えばシランカップリング剤組成物中の全固形分に対して１０～１００質量％であることが好ましい。ビニル系シランカップリング剤の含有量が１０質量％以上であると、絶縁層１１および導電路１２との密着性を十分に高めうる。同様の観点から、ビニル系シランカップリング剤の含有量は、上記組成物中の全固形分に対して２０～１００質量％であることがより好ましい。

【0058】

シランカップリング剤組成物は、必要に応じて上記以外の他の成分をさらに含んでもよい。他の成分の例には、上記以外の他のシランカップリング剤や金属アルコキシドおよびその加水分解縮合物などが含まれる。

【0059】

他のシランカップリング剤は、ビニル基を有しないシランカップリング剤であり、その例には、アミノ基を有するシランカップリング剤（アミノプロピルトリメトキシシランなど）、エポキシ基を有するシランカップリング剤（グリシドキシプロピルトリメトキシシラン）、メルカプト基を有するシランカップリング剤（メルカプトプロピルトリメトキシシランなど）が含まれる。

【0060】

金属アルコキシドは、下記式で表される化合物でありうる。
（Ｒ_１）_ｘＭ（ＯＲ_２）_{（４－ｘ）}

【0061】

式中のＲ_１は、水素原子、アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基など）、アリール基（例えば、フェニル基、トリル基など）、炭素－炭素二重結合含有有機基（例えば、アクリロイル基、メタクリロイル基、ビニル基など）、ハロゲン含有基（例えば、クロロプロピル基、フルオロメチル基などのハロゲン化アルキル基など）を表す。複数のＲ_１は、同一でも異なっていてもよい。

【0062】

Ｒ_２は、炭素原子数１～６、好ましくは１～４の低級アルキル基を表す。複数のＯＲ_２は、同一でも異なっていてもよい。

【0063】

ｘは、２以下の整数を表し、ｙは（４－ｘ）の整数を表す。

【0064】

Ｍは、金属原子である。金属原子の例には、珪素原子、アルミニウム原子、ジルコニウム原子、チタニウム原子が含まれ、好ましくは珪素原子である。

【0065】

金属アルコキシドおよびその加水分解縮合物は、水および触媒の添加により、ゾルゲル反応することで、金属酸化物となる化合物であってもよい。このような化合物の例には、テトラメトキシシラン（ＴＭＯＳ）、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）、テトラプロポキシシラン、テトライソプロポキシシラン、テトラブトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリプロポキシシラン、メチルトリブトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、ｎ－プロピルトリメトキシシラン、ｎ－プロピルトリエトキシシラン、イソプロピルトリメトキシシラン、イソプロピルトリエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ｐ－スチリルトリメトキシシラン、３－クロロプロピルトリエトキシシラン、トリフルオロメチルトリメトキシシラン、トリフルオロメチルトリエトキシシランなどのアルコキシシラン類や、これらに対応するアルコキシアルミニウム、アルコキシジルコニウム、アルコキシチタンが含まれる。

【0066】

このように、シランカップリング剤組成物は、ビニル系シランカップリング剤としてビニル基を有するアルコキシシラン（１～３官能アルコキシシラン）を含みうるだけでなく、他のシランカップリング剤や金属アルコキシドとしてもアルコキシシラン（１～４官能アルコキシシラン）を含みうる。このような場合、得られる第１接着層１３Ａ（または第２接着層１３Ｂ）の柔軟性を高めて、導電路１２と絶縁層１１との間の接着性をより高める観点では、シランカップリング剤組成物中の４官能のアルコキシシランの量を、３官能以下のアルコキシシランの合計量よりも少なくすることが好ましい。

【0067】

具体的には、シランカップリング剤組成物に含まれる４官能のアルコキシシランの量は、シランカップリング剤組成物に含まれる１～４官能のアルコキシシランの合計量に対して５０質量％以下であることが好ましく、３０質量％以下であることがより好ましい。

【0068】

シランカップリング剤組成物は、必要に応じて溶剤や硬化促進剤などをさらに含んでもよい。

【0069】

溶剤は、上記成分を分散または溶解させうるものであればよく、特に制限されないが、例えばキシレン、トルエン、ベンゼン、ヘプタン、ヘキサン、トリクロロエチレン、パークロロエチレン、塩化メチレン、酢酸エチル、メチルイソブチルケトン、メチルエチルケトン、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、シクロヘキサノン、ジエチルエーテル、ゴム揮発油、シリコーン系溶剤などの有機溶剤が含まれる。硬化促進剤は、前述と同様の付加反応触媒（白金族金属系触媒など）を用いることができる。

【0070】

第１接着層１３Ａ（または第２接着層１３Ｂ）を構成するシランカップリング剤組成物またはその重縮合物の弾性率は、絶縁層１１を構成するＳｉＨ基を有するシリコーンゴム組成物の付加架橋物の弾性率よりも高く、導電路１２を構成する金属材料の弾性率と同程度またはそれ以下であることが好ましい。

【0071】

（第１接着層１３Ａ（または第２接着層１３Ｂ）の厚み）
第１接着層１３Ａ（または第２接着層１３Ｂ）の厚みは、絶縁層１１と導電路１２とを十分に接着させうる程度であればよく、特に制限されないが、例えば第１面１１ａ側における導電路１２の円相当径ｄに対して１～４０％でありうる。第１接着層１３Ａ（または第２接着層１３Ｂ）の厚みが導電路１２の円相当径ｄに対して１％以上であると、導電路１２と絶縁層１１との間で十分な密着性が得られやすく、４０％以下であると、導電路１２の柔軟性が損なわれにくい。同様の観点から、第１接着層１３Ａ（または第２接着層１３Ｂ）の厚みは、導電路１２の円相当径ｄに対して２～３０％であることがより好ましい。具体的には、第１接着層１３Ａ（または第２接着層１３Ｂ）の厚みは、０．０５～３μｍとしうる。なお、第１接着層１３Ａ（または第２接着層１３Ｂ）の厚みとは、絶縁層１１の厚み方向と直交する方向の厚み（ｔ）をいう（図２参照）。

【0072】

２．異方導電性シートの製造方法
本実施の形態に係る異方導電性シート１０は、任意の方法で製造することができる。例えば、本実施の形態に係る異方導電性シート１０は、１）絶縁層と、その表面上に配置された複数の導電線と、当該複数の導電線の周囲の少なくとも一部を覆う接着層とを有するユニットを複数準備する工程と、２）複数のユニットを積層し、一体化させて、積層体を得る工程と、３）積層体の積層方向に沿って切断して、異方導電性シートを得る工程とを経て製造することができる。

【0073】

１）の工程において、複数の導電線は、任意のものを用いることができ、既存の導電線をそのまま用いてもよいし、導電層（例えば金属箔など）をエッチングして得られるものであってもよい。以下、複数の導電線をエッチングにより形成する例で説明する。

【0074】

図３Ａ～Ｈは、本実施の形態に係る異方導電性シート１０の製造方法の一部の工程を示す断面模式図である。図４Ａ～Ｃは、本実施の形態に係る異方導電性シート１０の製造方法の残りの工程を示す模式図である。図５ＡおよびＢは、シランカップリング剤組成物２４による接着機構を示す模式図であり、図５Ａは、付加反応前の状態を示し、図５Ｂは、付加反応後の状態を示す。図４Ｃでは、接着層１３の図示は省略している。

【0075】

本実施の形態に係る異方導電性シート１０は、ｉ）金属箔２１と絶縁層２２とを有する絶縁層－金属箔積層体２０を準備する工程（図３Ａ～Ｃ参照）、ｉｉ）絶縁層－金属箔積層体２０の金属箔２１をエッチングして、複数の導電線２１’を得る工程（図３Ｄ～Ｆ参照）、ｉｉｉ）複数の導電線２１’上に、シランカップリング剤組成物２４を付与する工程（図３Ｇ参照）、ｉｖ）複数の導電線２１’をゴム組成物で封止して、ユニット２５を得る工程（図３Ｈ参照）、ｖ）得られたユニット２５を複数積層して、積層体２６を得る工程（図４ＡおよびＢ参照）、ｖｉ）得られた積層体２６を積層方向に沿って切断して、異方導電性シート１０を得る工程（図４Ｃ参照）を経て製造することができる。

【0076】

ｉ）の工程
まず、金属箔２１と、絶縁層２２とを有する絶縁層－金属箔積層体２０を準備する（図３Ａ～Ｃ参照）。

【0077】

絶縁層－金属箔積層体２０は、任意の方法で準備することができ、例えば金属箔２１上に、直接または接着層を介して前述のシリコーンゴム組成物を付与またはラミネートした後、付加架橋させて得ることができる。本実施の形態では、金属箔２１上に、シランカップリング剤組成物２４を付与して、第１接着層１３Ａを形成後、シリコーンゴム組成物をさらに付与して、絶縁層２２を形成する。それにより、金属箔２１、絶縁層２２およびそれらの間に配置された第１接着層１３Ａを有する絶縁層－金属箔積層体を得る（図３ＢおよびＣ参照）。

【0078】

金属箔２１は、前述の導電路１２の原料をなすものであり、良好な導電性と柔軟性を有し、電気検査時の押し込み荷重を低減しやすくする観点では、金、銀、銅およびそれらの合金からなる群より選ばれる一以上の金属で構成された金属箔であることが好ましく、銅箔（例えば圧延銅箔）であることがより好ましい。

【0079】

（第１接着層１３Ａとなる）シランカップリング剤組成物２４は、上記シランカップリング剤組成物でありうる。（第１接着層１３Ａとなる）シランカップリング剤組成物２４の組成は、後述する（第２接着層１３Ｂとなる）シランカップリング剤組成物２４の組成と同じであってもよいし、異なってもよいが、後述する第２接着層１３Ｂとの密着性を高める観点では、同じであることが好ましい。

【0080】

本実施の形態では、絶縁層２２は、ａ）シランカップリング剤組成物の付加架橋物を含む。当該付加架橋物は、ビニル基を有するオルガノポリシロキサンと、ＳｉＨ基を有するオルガノポリシロキサンとのヒドロシリル化反応に由来する架橋構造を有し、未反応のＳｉＨ基を有する（後述の図５Ａ参照）。そのような絶縁層２２は、シランカップリング剤組成物２４の塗膜上に、付加架橋型のシリコーンゴム組成物を付与した後、加熱乾燥させて得ることができる。付加架橋型のシリコーンゴム組成物は、通常、常温において液状である。

【0081】

ｉｉ）の工程
次いで、絶縁層－金属箔積層体２０の金属箔２１をエッチングして、複数の導電線２１’を形成する（図３Ｄ～Ｆ参照）。複数の導電線２１’は、図１Ａにおける複数の列Ｌに対応する。

【0082】

本実施の形態では、絶縁層－金属箔積層体２０の金属箔２１上に、パターン状にマスク２３を配置し、マスク２３で覆われていない金属箔２１の部分をエッチング除去する（図３ＤおよびＥ参照）。

【0083】

マスク２３は、例えば、所定のパターンに形成されたフォトレジストパターンでありうる。フォトレジストパターンをマスクとして、露出した金属箔２１をエッチングして、フォトレジストパターンと略相似形状の導電線２１’を形成する。

【0084】

エッチング方法は、特に制限されないが、化学エッチングで行うことができる。例えば、マスク２３が配置された金属箔２１を、エッチング液と接触させること（例えばエッチング液を噴霧すること）によって行うことができる。

【0085】

エッチング液としては、塩化第二銅水溶液や塩化第二鉄水溶液を用いることができる。エッチング液による処理は、例えば温度４０～５０℃、シャワー圧力０．１～０．７ＭＰａ、処理時間２０～１２０秒の条件で行うことができる。

【0086】

そして、エッチング後、マスク２３を除去して、複数の導電線２１’を得る（図３Ｆ参照）。フォトレジストパターンからなるマスク２３は、例えばアルカリ溶液などにより剥離除去することができる。本実施の形態では、平面視したときに、複数の導電線２１’の延在方向が、切断予定線に対して斜めになるように配置されている。

【0087】

ｉｉｉ）の工程
次いで、複数の導電線２１’上に、（第２接着層１３Ｂとなる）シランカップリング剤組成物２４を付与する（図３Ｇ参照）。

【0088】

シランカップリング剤組成物２４の付与は、任意の塗布方法、例えばベーカーアプリケータやスプレーなどにより行うことができる。

【0089】

次いで、付与したシランカップリング剤組成物を乾燥させて、第２接着層１３Ｂを得る。このとき、後述する絶縁層１１との接着をより強固に行いやすくする観点では、シランカップリング剤組成物２４の少なくとも一部を重縮合させておくことが好ましい。

【0090】

重縮合は、シランカップリング剤組成物中のビニル系シランカップリング剤（や金属アルコキシドなど）のアルコキシシリル基が加水分解してシラノール基となり、他のビニル系シランカップリング剤や金属アルコキシドが有するアルコキシシリル基またはシラノール基と縮合する反応でありうる。

【0091】

重縮合は、例えばシランカップリング剤組成物の塗膜を室温で乾燥させた後、加熱して行うことができる。具体的には、付与したシランカップリング剤組成物の塗膜を、室温で５秒以上乾燥させた後、５０℃以上で５秒～３０分焼付けして行うことができる。

【0092】

さらに、シランカップリング剤組成物２４に含まれるビニル系シランカップリング剤の加水分解性基の少なくとも一部は、加水分解されて、導電線１２上の官能基と結合しうる（後述の図５Ａ参照）。

【0093】

本実施の形態では、絶縁層２２上に第１接着層１３Ａを形成しておくことで、（第１接着層１３Ａを形成しない場合よりも）ハジキなどをさらに生じにくくし、第２接着層１３Ｂとなるシランカップリング剤組成物２４を均一に付与しやすく、また、得られる層間で高い密着性が得られやすい。特に、第１接着層１３Ａと第２接着層１３Ｂが、いずれもシランカップリング剤組成物２４から得られるものであると、シラノール基同士の縮合反応により、シリカ結合が形成されるため、高い密着性が得られやすい。

【0094】

さらに、第１接着層１３Ａを形成しておくことで、（第１接着層１３Ａを形成しない場合よりも）第２接着層１３Ｂとなるシランカップリング剤組成物２４に含まれる溶剤などが下の絶縁層１１に浸透しにくいため、それによる絶縁層２２の膨潤も抑制しやすく、絶縁層２２の変形をさらに抑制しやすい。

【0095】

ｉｖ）の工程
次いで、シランカップリング剤組成物２４を付与した複数の導電線を埋めこむように、シリコーンゴム組成物を充填する（図３Ｈ参照）。

【0096】

用いられるシリコーンゴム組成物は、上記ｉ）の工程で用いられるシリコーンゴム組成物と同様のものを用いることができ、同じ組成のものであってもよいし、異なる組成のものであってもよい。ユニット間を一体化させやすくする観点から、用いられるシリコーンゴム組成物は、上記ｉ）の工程で用いられるシリコーンゴム組成物と同じ組成のものであることが好ましい。

【0097】

次いで、充填したシリコーンゴム組成物を加熱して、付加架橋させる。それにより、シリコーンゴム組成物の付加架橋物を含む絶縁層２２が形成される。それにより、複数の導電線２１’が絶縁層２２中に埋め込まれたユニット２５を得る（図３Ｈ参照）。

【0098】

また、この加熱により、シランカップリング剤組成物２４中のビニル系シランカップリング剤のビニル基の少なくとも一部は、（絶縁層２２を構成する）シリコーンゴム組成物中の未反応のＳｉＨ基と付加反応して結合する（図５ＡおよびＢ参照）。それにより、シランカップリング剤組成物２４および／またはその重縮合物を含む接着層１３が形成されるとともに、当該接着層１３を介して、導電線１２と絶縁層２２とを良好に接合することができる。

【0099】

シリコーンゴム組成物の加熱は、シリコーンゴム組成物中の付加架橋反応とともに、シランカップリング剤組成物中のビニル系シランカップリング剤のビニル基と、シリコーンゴム組成物中のＳｉＨ基との付加反応（ヒドロシリル化反応）が進む条件下で行うことが好ましい。そのような観点では、加熱温度は、好ましくは８０℃以上、より好ましくは１２０℃以上でありうる。加熱時間は、加熱温度にもよるが、例えば１～１５０分間でありうる。

【0100】

ｖ）の工程
次いで、得られた複数のユニット２５を積層し、一体化させて、積層体２６を得る（図４ＡおよびＢ参照）。本実施の形態では、複数のユニット２５がそれぞれ同じ向きとなるように積層している（図４Ａ参照）。

【0101】

積層されるユニット２５の表面は、ユニット２５間の接着性を高める観点から、あらかじめコロナ処理、プラズマ処理、ＵＶ処理、イトロ処理などの表面処理を施してもよい。

【0102】

複数のユニット２５の一体化は、任意の方法で行うことができ、例えば熱圧着などで行うことができる。例えば、積層と一体化を順次繰り返して、ブロック状の積層体２６を得る（図４Ｂ参照）。

【0103】

ｖｉ）の工程
得られた積層体２６を、導電線２１’の軸方向に対して交差し（好ましくは直交し）、かつ積層方向に沿って、所定の間隔（Ｔ）に切断する（図４Ｂの点線）。それにより、所定の厚み（Ｔ）を有する異方導電性シート１０を得ることができる（図４Ｃ参照）。

【0104】

得られる異方導電性シート１０の絶縁層１１は絶縁層２２に由来し、複数の導電路１２は、複数の導電線２１’に由来する。

【0105】

得られた異方導電性シート１０は、好ましくは電気検査に用いることができる。

【0106】

３．電気検査装置および電気検査方法
（電気検査装置）
図６は、本実施の形態に係る電気検査装置１００の一例を示す断面図である。

【0107】

電気検査装置１００は、図１の異方導電性シート１０を用いたものであり、例えば検査対象物１３０の端子１３１間（測定点間）の電気的特性（導通など）を検査する装置である。なお、同図では、電気検査方法を説明する観点から、検査対象物１３０も併せて図示している。

【0108】

図６に示されるように、電気検査装置１００は、保持容器（ソケット）１１０と、検査用基板１２０と、異方導電性シート１０とを有する。

【0109】

保持容器（ソケット）１１０は、検査用基板１２０や異方導電性シート１０などを保持する容器である。

【0110】

検査用基板１２０は、保持容器１１０内に配置されており、検査対象物１３０に対向する面に、検査対象物１３０の各測定点に対向する複数の電極１２１を有する。

【0111】

異方導電性シート１０は、検査用基板１２０の電極１２１が配置された面上に、当該電極１２１と、異方導電性シート１０における第２面１１ｂ側の導電層１３とが接するように配置されている。

【0112】

検査対象物１３０は、特に制限されないが、例えばＨＢＭやＰｏＰなどの各種半導体装置（半導体パッケージ）または電子部品、プリント基板などが挙げられる。検査対象物１３０が半導体パッケージである場合、測定点は、バンプ（端子）でありうる。また、検査対象物１３０がプリント基板である場合、測定点は、導電パターンに設けられる測定用ランドや部品実装用のランドでありうる。

【0113】

（電気検査方法）
図６の電気検査装置１００を用いた電気検査方法について説明する。

【0114】

図６に示されるように、本実施の形態に係る電気検査方法は、電極１２１を有する検査用基板１２０と、検査対象物１３０とを、異方導電性シート１０を介して積層して、検査用基板１２０の電極１２１と、検査対象物１３０の端子１３１とを、異方導電性シート１０を介して電気的に接続させる工程を有する。

【0115】

上記工程を行う際、検査用基板１２０の電極１２１と検査対象物１３０の端子１３１とを、異方導電性シート１０を介して十分に導通させやすくする観点から、必要に応じて、検査対象物１３０を押圧して加圧したり、加熱雰囲気下で接触させたりしてもよい。

【0116】

（作用）
本実施の形態に係る異方導電性シート１０では、複数の導電路１２と絶縁層１１との間に配置された接着層１３（第１接着層１３Ａおよび第２接着層１３Ｂ）を有する。それにより、複数の導電路１２と絶縁層１１との間の接着性が高められているため、電気検査時に加圧と除圧を繰り返しても、異方導電性シート１０の導電路１２が絶縁層１１から剥がれるのを抑制することができる。

【0117】

特に、導電路１２を銅などの柔軟な金属材料で構成することで、押し込み荷重を低減することができるものの、加圧と除圧の繰り返しによる導電路１２の剥がれは生じやすくなる。本発明の異方導電性シート１０では、そのような場合でも、導電路１２を絶縁層１１から剥がれにくくしうる。それにより、正確な電気検査を行うことができる。

【0118】

（変形例）
なお、上記実施の形態では、異方導電性シート１０において、接着層１３が、導電路１２の側面１２ｃの全部を覆うように配置される例を示したが、これに限定されず、側面１２ｃの一部のみを覆うように配置されてもよい。例えば、上記実施の形態では、接着層１３が、第１接着層１３Ａと第２接着層１３Ｂとを含む例を示したが、これに限定されず、第１接着層１３Ａと第２接着層１３Ｂのいずれか一方のみ（例えば第２接着層１３Ｂのみ）で構成されてもよい。

【0119】

図７Ａ～Ｇは、他の実施の形態に係る異方導電性シート１０の製造方法の一部の工程を示す断面図である。図７Ａ～Ｇに示されるように、上記異方導電性シート１０は、例えばｉ）の工程において、金属箔２１上に、シランカップリング剤組成物２４を形成する工程（図３Ｂ参照）を行わない以外は上記実施の形態の異方導電性シート１０の製造方法と同様にして製造することができる（図７Ａ～Ｇ参照）。

【0120】

また、上記実施の形態では、異方導電性シート１０の製造方法のｉｖ）の工程において、（接着層１３を構成する）シランカップリング剤組成物のビニル系シランカップリング剤の付加反応と、（絶縁層２２を構成する）シリコーンゴム組成物の付加架橋反応とを同時に行う例を示したが、これに限定されず、逐次的に行ってもよい。例えば、ｉｖ）の工程において、シリコーンゴム組成物の付加架橋反応を行った後、シランカップリング剤の付加反応を行ってもよい。

【0121】

また、上記実施の形態では、複数のユニット２５の積層は、隣接する２つのユニット２５が同じ方向を向くように（隣接する一方のユニット２５の表面と他方のユニット２５の裏面とを貼り合わせるように）積層する例を示したが、これに限定されず、隣接する２つのユニット２５が向かい合うように（隣接する一方のユニット２５の表面と他方のユニット２５の表面とを貼り合わせるように）積層してもよい。この場合、導電線２１’の延在方向の向きは、適宜調整すればよい。例えば、一方のユニット２５と他方のユニット２５が向かい合うように積層したときに、一方のユニット２５の導電線２１’の延在方向と他方のユニット２５の導電線２１’の延在方向とが一致するような、２種類のユニット２５を用いてもよい。

【0122】

また、上記実施の形態では、異方導電性シート１０において、導電路１２の端部１２ａ（または１２ｂ）が、第１面１１ａ側（または第２面１１ｂ側）に突出していない例を示したが、これに限定されず、第１面１１ａ側（または第２面１１ｂ側）に突出していてもよい。第１面１１ａ側における導電路１２の突出高さ（または第２面１１ｂ側における導電路１２の突出高さ）は、特に制限されないが、例えば、絶縁層１１の厚み（Ｔ）に対して５～２０％程度としうる。

【0123】

また、上記実施の形態では、異方導電性シート１０の製造方法において、複数の導電線２１’を、絶縁層－金属箔積層体２０の金属箔２１をエッチングして形成する例を示したが、これに限定されず、絶縁シート上に、既存の導電線（金属線）を配置して形成してもよい。

【0124】

また、上記実施の形態では、異方導電性シート１０において、導電路１２が、絶縁層１１の厚み方向に対して傾斜している例を示したが、これに限定されず、絶縁層１１の厚み方向と略平行であってもよい。

【0125】

また、上記実施の形態では、絶縁層１１を構成するシリコーンゴム組成物が、上記ａ）の付加架橋タイプのものである例を示したが、これに限定されず、上記ｂ）の有機過酸化物架橋（ラジカル付加）タイプのものであってもよい。そして、接着層１３のビニル基の少なくとも一部は、絶縁層１１のＳｉＣＨ_３基（のメチル基）とラジカル付加反応により結合していてもよい。

【0126】

すなわち、絶縁層１１は、ＳｉＣＨ_３基を有するオルガノポリシロキサンと、有機過酸化物硬化剤とを含むシリコーンゴム組成物の架橋物を含んでもよい。

【0127】

ＳｉＣＨ_３基を有するオルガノポリシロキサンの例には、ジメチルポリシロキサン、メチルフェニルポリシロキサンなどが含まれる。これらの化合物において、メチル基の少なくとも一部を他のアルキル基などに置換したものなども含まれる。

【0128】

有機過酸化物硬化剤の例には、ベンゾイルパーオキサイド、２，４－ジクロロベンゾイルパーオキサイド、ｐ－メチルベンゾイルパーオキサイド、ｏ－メチルベンゾイルパーオキサイド、２，４－ジクミルパーオキサイド、２，５－ジメチル－２，５－ビス（ｔ－ブチルパーオキシ）ヘキサン、ジ－ｔ－ブチルパーオキサイド、ｔ－ブチルパーベンゾエート、１，６－ヘキサンジオール－ビス－ｔ－ブチルパーオキシカーボネートなどが挙げられる。

【0129】

そのようなシリコーンゴム組成物は、ミラブルタイプのものでありうる。ミラブルタイプのシリコーンゴム組成物は、室温において自己流動性がない非液状（固体状または高粘ちょうなペースト状）である。そのようなシリコーンゴム組成物の例には、粘土状シリコーンゴム（例えばＫＥ－１７４－Ｕ、信越化学工業社製）などが含まれる。

【0130】

そのような異方導電性シートは、上記ｉ）の工程において、シリコーンゴム組成物をラジカル付加反応（熱硬化）させて絶縁層２２を得ること、および、上記ｉｖ）の工程において、（絶縁層２２となる）シリコーンゴム組成物のラジカル付加反応を行うとともに、（接着層１３となる）シランカップリング剤組成物２４中のビニル系シランカップリング剤のビニル基と、（絶縁層２２となる）シリコーンゴム組成物中のＳｉＣＨ_３基とのラジカル付加反応が進む条件で行うこと以外は上記実施の形態と同様の方法で得ることができる。

【0131】

また、上記実施の形態では、絶縁層１１が、ＳｉＨ基を有するシリコーン系エラストマーを含み、接着層１３が、ビニル基を有するシランカップリング剤を含むシランカップリング剤組成物を含む異方導電性シート（第１の異方導電性シート）の例を示したが、これに限定されない。例えば、絶縁層１１が、ビニル基を有するシリコーン系エラストマーを含み、接着層１３が、ＳｉＨ基を有するシランカップリング剤を含むシランカップリング剤組成物を含む異方導電性シート（第２の異方導電性シート）であってもよい。

【0132】

この場合、絶縁層１１を構成するシリコーンゴム組成物は、得られる付加架橋物が一定量以上のビニル基を有するように調整された以外は上記実施の形態のシリコーンゴム組成物と同様としうる。

【0133】

接着層１３を構成するシランカップリング剤組成物は、ビニル基を有するシランカップリング剤に代えて、ＳｉＨ基を有するシランカップリング剤を含む以外は上記実施の形態と同様のシランカップリング剤組成物と同様としうる。ＳｉＨ基を有するシランカップリング剤は、ＳｉＨ基と、加水分解性基とを有する化合物であることが好ましく、下記のような構造を有する化合物が含まれる。

【化1】

【0134】

上記式において、Ｒｗ、Ｒｘは、それぞれ置換または非置換の炭化水素基である。炭化水素基は、炭素原子数１～１２、好ましくは１～８の炭化水素基であることが好ましく、アルキル基、アリール基、アラルキル基、アルケニル基などが含まれる。置換基の例には、アルコキシ基、アクリル基、メタクリル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、アミノ基、アルキルアミノ基などが含まれる。ｑは、１～５０、好ましくは１～２０の整数である。ｈは、０～５０、好ましくは１～１０の整数である。そのような化合物の例には、特開２０１０－２４８４３４号や特開平１０－１２１０２３号に記載のものが含まれる。

【0135】

そのような異方導電性シートは、絶縁層１１を、ビニル基を有するシリコーンゴム組成物の付加架橋物で構成し、かつ接着層１３を、ＳｉＨ基を有するシランカップリング剤を含むシランカップリング剤組成物で構成する以外は上記実施の形態と同様にして製造することができる。

【0136】

また、上記実施の形態では、異方導電性シート１０を電気検査に用いる例を示したが、これに限定されず、２つの電子部材間の電気的接続、例えばガラス基板とフレキシブルプリント基板との間の電気的接続や、基板とそれに実装される電子部品との間の電気的接続などに用いることもできる。

【実施例】

【0137】

以下において、実施例を参照して本発明を説明する。実施例によって、本発明の範囲は限定して解釈されない。

【0138】

１．サンプルの材料
（１）絶縁層の材料
（シリコーンゴム組成物の調製）
ＫＥ－２０６１－４０（信越シリコーン社製、液状シリコーンゴム）（ＳｉＨ基を有するジメチルポリシロキサンと、メチルハイドロジェンジメチルポリシロキサンと、付加反応触媒とを含むシリコーンゴム組成物）のＡ液とＢ液を重量比１：１で混合し、トルエンにて濃度８０％となるように希釈して、付加架橋型のシリコーンゴム組成物を得た。

【0139】

（２）導電路の材料
・Ｆ１－ＷＳ（古河電工社製、電解銅箔、厚み１２μｍの銅箔、粗面の表面積率１．３６、光沢面の表面積率１．０３）
・ＮＣ－ＷＳ（古河電工社製、電解銅箔、厚み１８μｍの銅箔、粗面の表面積率１．０２、光沢面の表面積率１．０１）
・ＧＨＹ５－ＨＡ－Ｖ２（ＪＸ金属社製、圧延銅箔、厚み９μｍ、粗面の表面積率１．０８、光沢面の表面積率０．５０）

【0140】

（表面積率）
準備した金属箔の各面について、測定領域：縦２５０μｍ×横２５０μｍの条件にて、レーザー顕微鏡（オリンパス社製ＯＬＳ５０００）により観察して、測定領域における表面積を測定した。また、測定領域の面積は、レーザー顕微鏡による測定値を用いた。そして、得られた値を、下記式（１）に当てはめて、表面積率を算出した。
式（１）：表面積率＝表面積／面積
なお、表面積および面積の測定は３回（ｎ＝３）ずつ行い、各測定ごとに表面積率を算出し、それらの平均値を「表面積率」とした。

【0141】

（３）接着層の材料
下記表１に示されるシランカップリング剤組成物１～１２を準備した。

【表1】

【0142】

２．サンプルの作製および評価
＜サンプル１～９の調製＞
表２に示される銅箔上に、表２のシランカップリング剤組成物をベーカーアプリケータにて塗布した後、イナートオーブンで加熱して、表２に示される条件で乾燥させて、表２記載の厚みの接着層を形成した。得られた接着層上に、上記調製したシリコーンゴム組成物をベーカーアプリケータにて塗布した後、イナートオーブンで、１００℃で１０分間加熱した後、１５０℃で１２０分間さらに加熱して、乾燥および硬化させた。それにより、シリコーンゴム組成物の付加架橋物（ＳｉＨ基を有するシリコーン系エラストマー）を含む、厚み２０μｍの絶縁層を形成した。それにより、銅箔／接着層／絶縁層の積層構造を有するサンプルを得た。

【0143】

＜評価＞
得られたサンプルの絶縁層と導電層との間の密着性を、以下の方法で評価した。

【0144】

（密着性）
マス数を１００マスとし、評価基準を後述のようにした以外は、クロスカットテープ剥離試験（ＪＩＳ Ｋ ５６００－５－６：１９９９（ＩＳＯ ２４０９：１９９２））に準じて密着性の評価を行った。
まず、サンプルの銅箔表面にカッターナイフにて２ｍｍ間隔で１００マス（１０×１０）の碁盤目状の切れ込みを、銅箔表層から絶縁層（シリコーンゴム組成物の付加架橋物を含む層）に達するまで入れた。次いで、碁盤目状の部分に、粘着テープ（ニチバン株式会社製、「セロテープ（登録商標）」）を押圧荷重０．１ＭＰａで貼着した。その後、粘着テープを急速に剥がし、（銅箔側の）最表層の剥離状態を観察し、以下の評価基準にて密着性を評価した。
○：１００マスのうち、１０マス未満で剥がれが発生した
△：１００マスのうち、１０マス以上５０マス未満で剥がれが発生した
×：１００マスのうち、５０マス以上で剥がれが発生した
△以上であれば良好と判断した。

【0145】

サンプル１～９の評価結果を、表２に示す。

【表2】

【0146】

表２に示されるように、ビニル基を有するシランカップリング剤を含むシランカップリング剤組成物を用いて得られるサンプル１～５は、テープ剥離試験およびアルカリ浸漬超音波試験のいずれにおいても良好な密着性を示すことがわかる。

【0147】

これに対して、接着層を形成しなかったサンプル６は、テープ剥離試験およびアルカリ浸漬超音波試験でも、密着性が得られないことがわかる。また、ビニル基を有しないシランカップリング剤（ＭｅｒＴＭＯＳ、ＭＴＭＯＳ、ＧＰＴＭＯＳ）を含むシランカップリング剤組成物を用いて得られるサンプル７～９も十分な密着性が得られないことがわかる。

【0148】

＜サンプル１０～１７の調製＞
シランカップリング剤組成物の種類および成膜条件を、表３に示されるように変更した以外はサンプル１と同様にして、銅箔／接着層／絶縁層の積層構造を有するサンプルを得た。

【0149】

＜評価＞
得られたサンプルの絶縁層と導電層との間の密着性を、上記と同様の方法で評価した。その結果を、表３に示す。

【表3】

【0150】

表３に示されるように、ビニル基を有するシランカップリング剤を含むシランカップリング剤組成物を用いて得られるサンプル１０～１７は、いずれもテープ剥離試験およびアルカリ浸漬超音波試験のいずれにおいても良好な密着性を示すことがわかる。

【0151】

本出願は、２０２０年７月１０日出願の特願２０２０－１１９２７８に基づく優先権を主張する。当該出願明細書に記載された内容は、すべて本願明細書に援用される。

【産業上の利用可能性】

【0152】

本発明によれば、弾性変形を繰り返しても導電路の剥がれが少なく、良好な密着性を維持できる異方導電性シートを提供することができる。

【符号の説明】

【0153】

１０ 異方導電性シート
１１ 絶縁層
１１ａ 第１面
１１ｂ 第２面
１２ 導電路
１２ａ、１２ｂ 端部
１２ｃ 側面
１３ 接着層
１３Ａ 第１接着層
１３Ｂ 第２接着層
２０ 絶縁層－金属箔積層体
２１ 金属箔
２１’ 導電線
２２ 絶縁層
２３ マスク
２４ シランカップリング剤組成物
２５ ユニット
２６ 積層体
１００ 電気検査装置
１１０ 保持容器
１２０ 検査用基板
１２１ 電極
１３０ 検査対象物
１３１ （検査対象物の）端子

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】