特許 7347989 マルチプレクサ

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2023-09-11

(45)【発行日】2023-09-20

(54)【発明の名称】マルチプレクサ

(51)【国際特許分類】

   H03H 9/72 20060101AFI20230912BHJP

   H03H 7/46 20060101ALI20230912BHJP

   H03H 9/17 20060101ALI20230912BHJP

   H03H 9/70 20060101ALI20230912BHJP

   H03H 9/54 20060101ALI20230912BHJP

   H03H 9/64 20060101ALI20230912BHJP

   H03H 9/25 20060101ALI20230912BHJP

【ＦＩ】

H03H9/72

H03H7/46 A

H03H9/17 F

H03H9/70

H03H9/54 Z

H03H9/64 Z

H03H9/25 A

H03H7/46 C

【請求項の数】 14

(21)【出願番号】P 2019148577

(22)【出願日】2019-08-13

(65)【公開番号】P2021034745

(43)【公開日】2021-03-01

【審査請求日】2022-07-27

(73)【特許権者】

【識別番号】000204284

【氏名又は名称】太陽誘電株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100087480

【弁理士】

【氏名又は名称】片山 修平

(72)【発明者】

【氏名】井坂 史章

【審査官】石田 昌敏

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１８－２０７０４５（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１７－２０４８２７（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１８－１５７５１０（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１７－２１２６２８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１７－１８８８０７（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０３Ｈ ９／００－ ９／７６

Ｈ０３Ｈ ５／００－ ７／５４

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１面を有する第１基板と、
前記第１面との間に空隙を挟み平面視において重なる第２面を有する第２基板と、
前記第１面に設けられ、共通端子から第１端子に至る第１直列経路に直列に接続された１または複数の第１直列共振器と、一端が前記第１直列経路に接続し他端がグランドに接続された１または複数の第１並列共振器と、を備える第１フィルタと、
前記第２面に設けられ、前記共通端子から第２端子に至る第２直列経路に直列に接続された１または複数の第２直列共振器と、一端が前記第２直列経路に接続し他端がグランドに接続された１または複数の第２並列共振器と、を備え、
前記１または複数の第２直列共振器と前記１または複数の第２並列共振器は、圧電膜と、前記圧電膜と前記第２基板との間に設けられた第１電極と、前記圧電膜と前記空隙との間に設けられ、前記圧電膜の少なくとも一部を挟み前記第１電極と平面視において重なる共振領域を形成する第２電極と、を各々備え、
前記１または複数の第２並列共振器のうち少なくとも１つの第２並列共振器において、前記第１電極は前記第２直列経路に接続され、前記第２電極は前記グランドに接続され、共振領域の少なくとも一部は、前記第１直列経路の少なくとも一部と平面視において重なる第２フィルタと、
を備えるマルチプレクサ。

【請求項2】

前記少なくとも１つの第２並列共振器において共振領域から引き出された第１電極の少なくとも一部と、前記少なくとも１つの第２並列共振器において共振領域から引き出された第２電極の少なくとも一部と、は前記第１直列経路の少なくとも一部と平面視において重なる請求項１に記載のマルチプレクサ。

【請求項3】

前記少なくとも１つの第２並列共振器において、共振領域の少なくとも一部は、前記１または複数の第１直列共振器の少なくとも１つの第１直列共振器の少なくとも一部と平面視において重なる請求項１または２に記載のマルチプレクサ。

【請求項4】

前記１または複数の第２並列共振器は複数の第２並列共振器であり、
前記少なくとも１つの第２並列共振器は、前記複数の第２並列共振器のうち前記共通端子に電気接続上最も近い第２並列共振器以外の第２並列共振器を含む請求項１から３のいずれか一項に記載のマルチプレクサ。

【請求項5】

前記１または複数の第２直列共振器および前記１または複数の第２並列共振器のうち、前記少なくとも１つの第２並列共振器のうち前記第２端子に電気接続上最も近い第２並列共振器より前記第２端子に電気接続上近い共振器は平面視において前記第１直列経路と重ならない請求項１から４のいずれか一項に記載のマルチプレクサ。

【請求項6】

前記少なくとも１つの第２並列共振器と前記少なくとも１つの第２並列共振器に電気接続上最も近い第２直列共振器とを接続する配線は、前記少なくとも１つの第２並列共振器において共振領域から引き出された第１電極と、前記少なくとも１つの第２並列共振器に電気接続上最も近い第２直列共振器において共振領域から引き出された第２電極と、を電気的に接続する接続配線を備える請求項１から５のいずれか一項に記載のマルチプレクサ。

【請求項7】

第１面を有する第１基板と、
前記第１面との間に空隙を挟み平面視において重なる第２面を有する第２基板と、
前記第１面に設けられ、共通端子から第１端子に至る第１直列経路に直列に接続された１または複数の第１直列共振器と、一端が前記第１直列経路に接続し他端がグランドに接続された１または複数の第１並列共振器と、を備える第１フィルタと、
前記第２面に設けられ、前記共通端子から第２端子に至る第２直列経路に直列に接続された１または複数の第２直列共振器と、一端が前記第２直列経路に接続し他端がグランドに接続された１または複数の第２並列共振器と、を備え、
前記１または複数の第２直列共振器と前記１または複数の第２並列共振器は、圧電膜と、前記圧電膜と前記第２基板との間に設けられた第１電極と、前記圧電膜と前記空隙との間に設けられ、前記圧電膜の少なくとも一部を挟み前記第１電極と平面視において重なる共振領域を形成する第２電極と、を各々備え、
前記１または複数の第２直列共振器のうち少なくとも１つの第２直列共振器において、前記第１電極は他の第２直列共振器を介しまたは介さずに前記第２端子に接続され、前記第２電極は他の第２直列共振器を介しまたは介さずに前記共通端子に接続され、共振領域の少なくとも一部は、前記第１直列経路の少なくとも一部と平面視において重なる第２フィルタと、
を備えるマルチプレクサ。

【請求項8】

前記少なくとも１つの第２直列共振器において共振領域から引き出された第１電極の少なくとも一部と、前記少なくとも１つの第２直列共振器において共振領域から引き出された第２電極の少なくとも一部と、は前記第１直列経路の少なくとも一部と平面視において重なる請求項７に記載のマルチプレクサ。

【請求項9】

前記少なくとも１つの第２直列共振器において、共振領域の少なくとも一部は、前記１または複数の第１直列共振器の少なくとも１つの第１直列共振器の少なくとも一部と平面視において重なる請求項７または８に記載のマルチプレクサ。

【請求項10】

前記１または複数の第２直列共振器は複数の第２直列共振器であり、
前記少なくとも１つの第２直列共振器は、前記複数の第２直列共振器のうち前記共通端子に電気接続上最も近い第２直列共振器以外の第２直列共振器を含む請求項７から９のいずれか一項に記載のマルチプレクサ。

【請求項11】

前記１または複数の第２直列共振器および前記１または複数の第２並列共振器のうち、前記少なくとも１つの第２直列共振器のうち前記第２端子に電気接続上最も近い第２直列共振器より前記第２端子に電気接続上近い共振器は平面視において前記第１直列経路と重ならない請求項７から１０のいずれか一項に記載のマルチプレクサ。

【請求項12】

前記１または複数の第２直列共振器は複数の第２直列共振器であり、
前記少なくとも１つの第２直列共振器と前記少なくとも１つの第２直列共振器に電気接続上最も近い第２直列共振器とを接続する配線は、前記少なくとも１つの第２直列共振器において共振領域から引き出された第１電極および第２電極の一方と、前記少なくとも１つの第２直列共振器に電気接続上最も近い第２直列共振器において共振領域から引き出された第１電極および第２電極の他方と、を電気的に接続する接続配線を備える請求項７から１１のいずれか一項に記載のマルチプレクサ。

【請求項13】

前記１または複数の第２直列共振器および前記１または複数の第２並列共振器は、前記第１直列経路に平面視において重ならない共振器を含む請求項１から１２のいずれか一項に記載のマルチプレクサ。

【請求項14】

前記第１フィルタの通過帯域と前記第２フィルタの通過帯域は重ならない請求項１から１３のいずれか一項に記載のマルチプレクサ。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、マルチプレクサに関し、例えば複数の基板にそれぞれ設けられたフィルタを有するマルチプレクサに関する。

【背景技術】

【0002】

フィルタが形成された２つの基板をフィルタが形成された面が空隙を挟み対向するように搭載することが知られている（例えば特許文献１）。特許文献１には、平面視において２つのフィルタが重なるように設けること、および平面視において２つのフィルタを重ならないように設けることが記載されている。２つの基板間にシールドパターンを設けることが知られている（例えば特許文献２）。最も共通端子に近い直列共振器同士を重ねることが記載されている（例えば特許文献３）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開２００７－６７６１７号公報

【文献】特開２０１７－２０４８２７号公報

【文献】特開２０１８－１５７５１０号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

２つのフィルタを重なるように設けると、フィルタ間が干渉し、アイソレーション特性が劣化する。特に高周波信号が伝送する配線同士を重ねるとアイソレーション特性が劣化する。

【0005】

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、アイソレーション特性を向上させることを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明は、第１面を有する第１基板と、前記第１面との間に空隙を挟み平面視において重なる第２面を有する第２基板と、前記第１面に設けられ、共通端子から第１端子に至る第１直列経路に直列に接続された１または複数の第１直列共振器と、一端が前記第１直列経路に接続し他端がグランドに接続された１または複数の第１並列共振器と、を備える第１フィルタと、前記第２面に設けられ、前記共通端子から第２端子に至る第２直列経路に直列に接続された１または複数の第２直列共振器と、一端が前記第２直列経路に接続し他端がグランドに接続された１または複数の第２並列共振器と、を備え、前記１または複数の第２直列共振器と前記１または複数の第２並列共振器は、圧電膜と、前記圧電膜と前記第２基板との間に設けられた第１電極と、前記圧電膜と前記空隙との間に設けられ、前記圧電膜の少なくとも一部を挟み前記第１電極と平面視において重なる共振領域を形成する第２電極と、を各々備え、前記１または複数の第２並列共振器のうち少なくとも１つの第２並列共振器において、前記第１電極は前記第２直列経路に接続され、前記第２電極は前記グランドに接続され、共振領域の少なくとも一部は、前記第１直列経路の少なくとも一部と平面視において重なる第２フィルタと、を備えるマルチプレクサ。

【0007】

上記構成において、前記少なくとも１つの第２並列共振器において共振領域から引き出された第１電極の少なくとも一部と、前記少なくとも１つの第２並列共振器において共振領域から引き出された第２電極の少なくとも一部と、は前記第１直列経路の少なくとも一部と平面視において重なる構成とすることができる。

【0008】

上記構成において、前記少なくとも１つの第２並列共振器において、共振領域の少なくとも一部は、前記１または複数の第１直列共振器の少なくとも１つの第１直列共振器の少なくとも一部と平面視において重なる構成とすることができる。

【0009】

上記構成において、前記１または複数の第２並列共振器は複数の第２並列共振器であり、前記少なくとも１つの第２並列共振器は、前記複数の第２並列共振器のうち前記共通端子に電気接続上最も近い第２並列共振器以外の第２並列共振器を含む構成とすることができる。

【0010】

上記構成において、前記１または複数の第２直列共振器および前記１または複数の第２並列共振器のうち、前記少なくとも１つの第２並列共振器のうち前記第２端子に電気接続上最も近い第２並列共振器より前記第２端子に電気接続上近い共振器は平面視において前記第１直列経路と重ならない構成とすることができる。

【0011】

上記構成において、前記少なくとも１つの第２並列共振器と前記少なくとも１つの第２並列共振器に電気接続上最も近い第２直列共振器とを接続する配線は、前記少なくとも１つの第２並列共振器において共振領域から引き出された第１電極と、前記少なくとも１つの第２並列共振器に電気接続上最も近い第２直列共振器において共振領域から引き出された第２電極と、を電気的に接続する接続配線を備える構成とすることができる。

【0012】

本発明は、第１面を有する第１基板と、前記第１面との間に空隙を挟み平面視において重なる第２面を有する第２基板と、前記第１面に設けられ、共通端子から第１端子に至る第１直列経路に直列に接続された１または複数の第１直列共振器と、一端が前記第１直列経路に接続し他端がグランドに接続された１または複数の第１並列共振器と、を備える第１フィルタと、前記第２面に設けられ、前記共通端子から第２端子に至る第２直列経路に直列に接続された１または複数の第２直列共振器と、一端が前記第２直列経路に接続し他端がグランドに接続された１または複数の第２並列共振器と、を備え、 前記１または複数の第２直列共振器と前記１または複数の第２並列共振器は、圧電膜と、前記圧電膜と前記第２基板との間に設けられた第１電極と、前記圧電膜と前記空隙との間に設けられ、前記圧電膜の少なくとも一部を挟み前記第１電極と平面視において重なる共振領域を形成する第２電極と、を各々備え、前記１または複数の第２直列共振器のうち少なくとも１つの第２直列共振器において、前記第１電極は他の第２直列共振器を介しまたは介さずに前記第２端子に接続され、前記第２電極は他の第２直列共振器を介しまたは介さずに前記共通端子に接続され、共振領域の少なくとも一部は、前記第１直列経路の少なくとも一部と平面視において重なる第２フィルタと、を備えるマルチプレクサである。

【0013】

上記構成において、前記少なくとも１つの第２直列共振器において共振領域から引き出された第１電極の少なくとも一部と、前記少なくとも１つの第２直列共振器において共振領域から引き出された第２電極の少なくとも一部と、は前記第１直列経路の少なくとも一部と平面視において重なる構成とすることができる。

【0014】

上記構成において、前記少なくとも１つの第２直列共振器において、共振領域の少なくとも一部は、前記１または複数の第１直列共振器の少なくとも１つの第１直列共振器の少なくとも一部と平面視において重なる構成とすることができる。

【0015】

上記構成において、前記１または複数の第２直列共振器は複数の第２直列共振器であり、前記少なくとも１つの第２直列共振器は、前記複数の第２直列共振器のうち前記共通端子に電気接続上最も近い第２直列共振器以外の第２直列共振器を含む構成とすることができる。

【0016】

上記構成において、前記１または複数の第２直列共振器および前記１または複数の第２並列共振器のうち、前記少なくとも１つの第２直列共振器のうち前記第２端子に電気接続上最も近い第２直列共振器より前記第２端子に電気接続上近い共振器は平面視において前記第１直列経路と重ならない構成とすることができる。

【0017】

上記構成において、前記１または複数の第２直列共振器は複数の第２直列共振器であり、前記少なくとも１つの第２直列共振器と前記少なくとも１つの第２直列共振器に電気接続上最も近い第２直列共振器とを接続する配線は、前記少なくとも１つの第２直列共振器において共振領域から引き出された第１電極および第２電極の一方と、前記少なくとも１つの第２直列共振器に電気接続上最も近い第２直列共振器において共振領域から引き出された第１電極および第２電極の他方と、を電気的に接続する接続配線を備える構成とすることができる。

【0018】

上記構成において、前記１または複数の第２直列共振器および前記１または複数の第２並列共振器は、前記第１直列経路に平面視において重ならない共振器を含む構成とすることができる。

【0019】

上記構成において、前記第１フィルタの通過帯域と前記第２フィルタの通過帯域は重ならない構成とすることができる。

【発明の効果】

【0020】

本発明によれば、アイソレーション特性を向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【0021】

【図1】図１は、実施例１におけるマルチプレクサの回路図である。

【図2】図２は、実施例１におけるマルチプレクサの断面図である。

【図3】図３（ａ）は、弾性波共振器１２の平面図であり、図３（ｂ）は、弾性波共振器２２の断面図である。

【図4】図４（ａ）および図４（ｂ）は、実験におけるそれぞれサンプルＡおよびＢの平面図である。

【図5】図５（ａ）および図５（ｂ）は、実験におけるそれぞれサンプルＡおよびＢの断面図である。

【図6】図６（ａ）は、実験のサンプルＡおよびＢにおける周波数に対するＳ３２を示す図、図６（ｂ）は、図６（ａ）における共振周波数付近の拡大図である。

【図7】図７（ａ）および図７（ｂ）は、それぞれサンプルＡおよびＢの等価回路である。

【図8】図８（ａ）は、マルチプレクサＡにおける基板１０の上面を示す平面図、図８（ｂ）は、基板２０の下面を示す平面図である。

【図9】図９（ａ）は、マルチプレクサＡにおける受信フィルタ５２を基板１０の上面に重ねた平面図、図９（ｂ）は、図９（ａ）における並列共振器Ｐ２２付近の拡大図である。

【図10】図１０（ａ）は、マルチプレクサＢにおける基板１０の上面を示す平面図、図１０（ｂ）は、基板２０の下面を示す平面図である。

【図11】図１１（ａ）は、マルチプレクサＢにおける受信フィルタ５２を基板１０の上面に重ねた平面図、図１１（ｂ）は、図１１（ａ）における並列共振器Ｐ２２付近の拡大図である。

【図12】図１２（ａ）はシミュレーションにおけるマルチプレクサＡおよびＢの周波数に対するアイソレーションを示す図、図１２（ｂ）は、図１２（ａ）における通過帯域付近の拡大図である。

【図13】図１３（ａ）は、実施例１の変形例１に係るマルチプレクサの基板２０の下面を示す平面図、図１３（ｂ）は、切り替え部の断面図である。

【図14】図１４（ａ）は、実施例１の変形例１のマルチプレクサにおける受信フィルタ５２を基板１０の上面に重ねた平面図、図１４（ｂ）は、図１４（ａ）における並列共振器Ｐ２２付近の拡大図である。

【図15】図１５（ａ）は、実施例１の変形例２における基板１０の上面を示す平面図、図１５（ｂ）は、基板２０の下面を示す平面図である。

【図16】図１６（ａ）は、実施例１の変形例２のマルチプレクサにおける受信フィルタ５２を基板１０の上面に重ねた平面図、図１６（ｂ）は、図１６（ａ）における並列共振器Ｐ２２付近の拡大図である。

【図17】図１７（ａ）および図１７（ｂ）は、思考実験におけるそれぞれサンプルＣおよびＤの平面図である。

【図18】図１８（ａ）および図１８（ｂ）は、思考実験におけるそれぞれサンプルＣおよびＤの断面図である。

【図19】図１９（ａ）および図１９（ｂ）は、それぞれサンプルＣおよびＤの等価回路である。

【図20】図２０（ａ）は、実施例２における基板１０の上面を示す平面図、図２０（ｂ）は、基板２０の下面を示す平面図である。

【図21】図２１（ａ）は、実施例２のマルチプレクサにおける受信フィルタ５２を基板１０の上面に重ねた平面図、図２１（ｂ）は、図２１（ａ）における直列共振器Ｓ２４付近の拡大図である。

【図22】図２２（ａ）および図２２（ｂ）は、それぞれ実施例２の変形例１および２に係るマルチプレクサにおいて受信フィルタ５２を基板１０の上面に重ねた平面図における直列共振器Ｓ２４付近の図である。

【発明を実施するための形態】

【0022】

以下、図面を参照し実施例について説明する。

【実施例1】

【0023】

図１は、実施例１におけるマルチプレクサの回路図である。図１に示すように、共通端子Ａｎｔと送信端子Ｔｘ（第１端子）との間に送信フィルタ５０（第１フィルタ）が接続されている。共通端子Ａｎｔと受信端子Ｒｘ（第２端子）との間に受信フィルタ５２（第２フィルタ）が接続されている。送信フィルタ５０の通過帯域と受信フィルタ５２の通過帯域とは重なっていない。送信フィルタ５０は、送信端子Ｔｘに入力した高周波信号のうち送信帯域の信号を共通端子Ａｎｔに出力し、他の周波数帯域の信号を抑圧する。受信フィルタ５２は、共通端子Ａｎｔに入力した高周波信号のうち受信帯域の信号を受信端子Ｒｘに出力し、他の周波数の信号を抑圧する。

【0024】

送信フィルタ５０はラダー型フィルタであり、直列共振器Ｓ１１からＳ１６（第１直列共振器）および並列共振器Ｐ１１からＰ１６（第１並列共振器）を有している。直列共振器Ｓ１１からＳ１６は、共通端子Ａｎｔから送信端子Ｔｘに至る直列経路５１（第１直列経路）に直列に接続されている。並列共振器Ｐ１１からＰ１６は、一端が直列経路５１に接続され他端がグランドに接続された並列経路５５に直列に接続されている。

【0025】

受信フィルタ５２はラダー型フィルタであり、直列共振器Ｓ２１からＳ２６（第２直列共振器）および並列共振器Ｐ２１からＰ２３（第２並列共振器）を有している。直列共振器Ｓ２１からＳ２６は、共通端子Ａｎｔから受信端子Ｒｘに至る直列経路５３（第２直列経路）に直列に接続されている。並列共振器Ｐ２１からＰ２３は、一端が直列経路５３に接続され他端がグランドに接続された並列経路５６に直列に接続されている。

【0026】

図２は、実施例１におけるマルチプレクサの断面図である。図２に示すように、基板１０上に基板２０が搭載されている。基板１０は支持基板１０ａと圧電基板１０ｂとを有する。支持基板１０ａは例えばサファイア基板、スピネル基板、アルミナ基板、水晶基板またはシリコン基板である。圧電基板１０ｂは、例えばタンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板である。圧電基板１０ｂは支持基板１０ａの上面に接合されている。圧電基板１０ｂと支持基板１０ａの接合面は平面であり平坦である。基板１０は圧電基板であり支持基板に接合されていなくてもよい。

【0027】

基板１０（第１基板）の上面（第１面）に弾性波共振器１２および配線１４を有する送信フィルタ５０が設けられている。基板１０の下面に端子１８が設けられている。端子１８は、弾性波共振器１２および２２を外部と接続するためのフットパッドである。基板１０を貫通するようにビア配線１６が設けられている。ビア配線１６は、配線１４と端子１８とを電気的に接続する。配線１４、ビア配線１６および端子１８は例えば銅層、アルミニウム層または金層等の金属層である。端子１８は、共通端子Ａｎｔ、送信端子Ｔｘ、受信端子Ｒｘおよびグランド端子を含む。

【0028】

基板２０（第２基板）の下面（第２面）に弾性波共振器２２および配線２４を有する受信フィルタ５２が設けられている。基板２０は、例えばサファイア基板、スピネル基板、アルミナ基板、ガラス基板、水晶基板またはシリコン基板である。配線２４は例えば銅層、アルミニウム層または金層等の金属層である。基板１０の配線１４と基板２０の配線２４はバンプ２６を介し接合されている。基板１０の上面と基板２０の下面とは空隙２８を介し平面視において重なる。

【0029】

基板１０の上面の周縁に環状金属層３２が設けられている。基板１０上に基板２０を囲むように封止部３０が設けられている。封止部３０は環状金属層３２に接合されている。封止部３０は、例えば半田等の金属または樹脂等の絶縁体である。基板２０および封止部３０の上面にリッド３４が設けられている。リッド３４は、例えばコバール等の金属板または絶縁体板である。封止部３０およびリッド３４を覆うように保護膜３６が設けられている。保護膜３６は例えばニッケル等の金属膜または絶縁膜である。

【0030】

図３（ａ）は、弾性波共振器１２の平面図であり、図３（ｂ）は、弾性波共振器２２の断面図である。図３（ａ）に示すように、弾性波共振器１２は弾性表面波共振器である。圧電基板である基板１０にＩＤＴ（Interdigital Transducer）４２と反射器４１が形成されている。ＩＤＴ４２は、互いに対向する１対の櫛型電極４２ｄを有する。櫛型電極４２ｄは、複数の電極指４２ａと複数の電極指４２ａを接続するバスバー４２ｃとを有する。反射器４１は、ＩＤＴ４２の両側に設けられている。ＩＤＴ４２が基板１０に弾性表面波を励振する。ＩＤＴ４２および反射器４１は例えばアルミニウム膜または銅膜により形成される。基板１０上にＩＤＴ４２および反射器４１を覆うように保護膜または温度補償膜が設けられていてもよい。

【0031】

図３（ｂ）に示すように、弾性波共振器２２は圧電薄膜共振器である。基板２０上に圧電膜４６が設けられている。圧電膜４６を挟むように下部電極４５（第１電極）および上部電極４７（第２電極）が設けられている。下部電極４５は、圧電膜４６と基板２０との間に設けられ、上部電極４７は圧電膜４６と空隙２８との間に設けられている。下部電極４５と基板２０との間に空隙４９が形成されている。下部電極４５と基板２０との間に空隙４９の代わりに弾性波を反射する音響反射膜を設けてもよい。圧電膜４６の少なくとも一部を挟み下部電極４５と上部電極４７とが平面視において重なる領域が共振領域４８である。共振領域４８内の下部電極４５および上部電極４７は圧電膜４６内に、厚み縦振動モードの弾性波を励振する。下部電極４５および上部電極４７は例えばルテニウム膜等の金属膜である。圧電膜４６は例えば窒化アルミニウム膜である。

【0032】

弾性波共振器１２および２２は、弾性波を励振する電極を含む。このため、弾性波の励振を阻害しないように、弾性波共振器１２および２２は図２で図示された空隙２８に覆われている。

【0033】

送信フィルタ５０は基板１０の上面に設けられている。直列共振器Ｓ１１からＳ１６および並列共振器Ｐ１１からＰ１６は弾性波共振器１２である。受信フィルタ５２は基板２０の下面に設けられている。直列共振器Ｓ２１からＳ２６および並列共振器Ｐ２１からＰ２３は弾性波共振器２２である。送信フィルタ５０のうち一部と、受信フィルタ５２のうち一部とが平面視において重なっている。例えば送信フィルタ５０の直列共振器Ｓ１３と送信フィルタ５０の並列共振器Ｐ２２が重なっている。これにより、直列共振器Ｓ１３と並列共振器Ｐ２２との間に寄生キャパシタンスＣ０が形成される。

【0034】

送信端子Ｔｘから入力した受信帯域の信号は送信フィルタ５０により抑圧される。送信フィルタ５０と受信フィルタ５２とが重なっていると、送信フィルタ５０から空隙２８（すなわち寄生キャパシタンスＣ０）を介し受信フィルタ５２に信号が漏れる。これにより、図１（ａ）の矢印５８のように、送信端子Ｔｘから受信端子Ｒｘに受信帯域の信号が漏れる。よって、アイソレーション特性が劣化する。送信フィルタ５０と受信フィルタ５２とを平面視において重ならないように設けることにより、アイソレーション特性を改善できる。しかしながら、マルチプレクサが大型化してしまう。送信フィルタ５０と受信フィルタ５２とを平面視において重なるように設けることにより、小型化できる。しかしながらアイソレーション特性が劣化してしまう。そこで、送信フィルタ５０の一部と受信フィルタ５２の一部が平面視において重なるようにする。これにより、アイソレーション特性を抑制しかつ小型化が可能となる。

【0035】

［実験］
送信フィルタ５０の一部と受信フィルタ５２の一部が平面視において重なった場合を想定し実験を行った。

【0036】

図４（ａ）および図４（ｂ）は、実験におけるそれぞれサンプルＡおよびＢの平面図である。図５（ａ）および図５（ｂ）は、実験におけるそれぞれサンプルＡおよびＢの断面図である。図５（ａ）および図５（ｂ）は、図５（ａ）および図５（ｂ）の線路Ｌ１に沿った断面である。サンプルＡは実施例１に対応し、サンプルＢは比較例１に対応する。

【0037】

図４（ａ）および図５（ａ）に示すように、サンプルＡでは、ポート１（Ｐｏｒｔ１）とポート３（Ｐｏｒｔ３）との間に線路Ｌ１が接続されている。線路Ｌ１は基板１０上の配線１４により形成されている。ポート１（Ｐｏｒｔ２）とポート４（Ｐｏｒｔ４）の間に直列共振器Ｓ１およびＳ２が直列接続されている。直列共振器Ｓ１とＳ２との間の配線Ｌ２は下部電極４５により形成されている。配線Ｌ２とグランドとの間に並列共振器Ｐ１が接続されている。並列共振器Ｐ１とグランドとの間の配線Ｌ３は上部電極４７により形成されている。ポート２およびポート４と直列共振器Ｓ１およびＳ２との間の配線は上部電極４７により形成されている。並列共振器Ｐ１の上部電極４７はグランドＧｎｄに接続され、下部電極４５は配線Ｌ２に接続されている。

【0038】

図４（ｂ）および図５（ｂ）に示すように、サンプルＢでは、配線Ｌ２は上部電極４７により形成されている。並列共振器Ｐ１とグランドとの間の配線Ｌ３は下部電極４５により形成されている。ポート２およびポート４と直列共振器Ｓ１およびＳ２との間の配線は下部電極４５により形成されている。並列共振器Ｐ１の上部電極４７は配線Ｌ２に接続され、下部電極４５はグランドＧｎｄに接続されている。その他の構成はサンプルＡと同じであり説明を省略する。

【0039】

サンプルＡおよびＢの各寸法および材料は以下である。
支持基板１０ａ：厚さが４００μｍのサファイア基板
圧電基板１０ｂ：厚さが２０μｍのタンタル酸リチウム基板
配線１４：基板１０側から厚さが０．０３μｍのチタン層、厚さが０．１μｍのアルミニウム層、厚さが０．２μｍのチタン層および厚さが１μｍの金層
線路Ｌ１の幅：２５μｍ
基板１０の大きさ：１９３０μｍ×１６３０μｍ
基板２０：厚さが１５０μｍのシリコン基板
下部電極４５：基板２０側から厚さが０．０７μｍのクロム層および厚さが０．１９μｍのルテニウム層
圧電膜４６：厚さが０．９４μｍの窒化アルミニウム層
上部電極４７：圧電膜４６側から厚さが０．１２μｍのルテニウム層および厚さが０．０５μｍのクロム層
基板２０の大きさ：９１０μｍ×７１０μｍ
基板１０と２０との距離：１０μｍ
線路Ｌ１と配線Ｌ２の重なる面積：２７２０μｍ^２
線路Ｌ１と配線Ｌ３の重なる面積：３３５０μｍ^２
直列共振器Ｓ１およびＳ２の共振周波数：２７６６ＭＨｚ
並列共振器Ｐ１の共振周波数：２５６８ＭＨｚ

【0040】

図６（ａ）は、実験のサンプルＡおよびＢにおける周波数に対するＳ３２を示す図、図６（ｂ）は、図６（ａ）における共振周波数付近の拡大図である。Ｓ３２は、ポート３からポート２へのアイソレーション特性に相当する。

【0041】

図６（ａ）および図６（ｂ）に示すように、サンプルＡはサンプルＢよりＳ３２が小さい。２６４０ＭＨｚでは、サンプルＡのＳ３２は－４２．３５３ｄＢであり、サンプルＢのＳ３２は－４０．００４ｄＢである。このように、サンプルＡのＳ３２はサンプルＢのＳ３２より最大で２．３ｄＢ小さい。

【0042】

図７（ａ）および図７（ｂ）は、それぞれサンプルＡおよびＢの等価回路である。図７（ａ）に示すように、ポート１と３との間の線路は線路Ｌ１である。並列共振器Ｐ１のポート２側の配線は配線Ｌ２であり、並列共振器Ｐ１のグランド側の配線は配線Ｌ３である。キャパシタンスＣ１、Ｃ２およびＣ３は、図５（ａ）のように、線路Ｌ１と配線Ｌ２との間の寄生キャパシタンス、線路Ｌ１と配線Ｌ３との間の寄生キャパシタンスおよび線路Ｌ１と共振領域４８との寄生キャパシタンスにそれぞれ対応する。線路Ｌ１と共振領域４８との寄生キャパシタンスは主に共振領域４８内の上部電極４７と線路Ｌ１との寄生キャパシタンスである。サンプルＡでは共振領域４８の上部電極４７がグランドに接続されているため、キャパシタンスＣ３は並列共振器Ｐ１よりグランド側に設けられている。

【0043】

図７（ｂ）における、キャパシタンスＣ１´、Ｃ２´およびＣ３´は、図５（ｂ）のように、線路Ｌ１と配線Ｌ２との間の寄生キャパシタンス、線路Ｌ１と配線Ｌ３との間の寄生キャパシタンスおよび線路Ｌ１と共振領域４８との寄生キャパシタンスにそれぞれ対応する。サンプルＢでは上部電極４７がポート２側に接続されているため、キャパシタンスＣ３は並列共振器Ｐ１よりポート２側に設けられている。

【0044】

さらに、サンプルＡではサンプルＢより線路Ｌ１と配線Ｌ２との距離が大きい。このため、Ｃ１＜Ｃ１´となる。サンプルＡではサンプルＢより線路Ｌ１と配線Ｌ３との距離が小さい。このため、Ｃ２＞Ｃ２´となる。線路Ｌ１と共振領域４８における上部電極４７との距離はサンプルＡとＢで同じため、Ｃ３＝Ｃ３´となる。

【0045】

Ｃ２＋Ｃ３＞Ｃ２´となるため、サンプルＡにおいて、並列共振器Ｐ１よりグランド側においてキャパシタンスＣ２＋Ｃ３を介し線路Ｌ１から配線Ｌ３および共振領域４８に漏洩する信号６０ａは、サンプルＢにおいてキャパシタンスＣ２´を介し線路Ｌ１から配線Ｌ３に漏洩する信号６０ｂより大きくなる。

【0046】

Ｃ１＜Ｃ１´＋Ｃ３´となるため、サンプルＡにおいて、並列共振器Ｐ１よりポート２側においてキャパシタンスＣ１を介し線路Ｌ１から配線Ｌ２に漏洩する信号６１ａは、サンプルＢにおいてキャパシタンスＣ１´＋Ｃ３´を介し線路Ｌ１から配線Ｌ２および共振領域４８の上部電極４７に漏洩する信号６１ｂより小さくなる。

【0047】

サンプルＡでは、ポート３からポート２に漏洩する信号は主に信号６０ａであり、信号６０ａは並列共振器Ｐ１を通過する。一方、サンプルＢでは、ポート３からポート２に漏洩する信号は主に信号６１ｂであり並列共振器Ｐ２を通過しない。サンプルＡでは並列共振器Ｐ１において信号６０ａを抑圧できるため、サンプルＢに比べアイソレーション特性が改善すると考えられる。

【0048】

［シミュレーション］
マルチプレクサＡおよびＢについてシミュレーションを行った。シミュレーション条件は、上記実験と同じである。マルチプレクサＡは実施例１に対応し、マルチプレクサは比較例１に対応する。マルチプレクサＡおよびＢは、バンド７（送信帯域：２５００ＭＨ～２５７０ＭＨｚ、受信帯域：２６２０ＭＨｚ～２６９０ＭＨｚ）用のマルチプレクサである。各共振器の共振周波数および反共振周波数はバンド７のマルチプレクサとして機能するように調整した。

【0049】

［マルチプレクサＡ］
図８（ａ）は、マルチプレクサＡにおける基板１０の上面を示す平面図、図８（ｂ）は、基板２０の下面を示す平面図である。図８（ｂ）は基板２０の下面を上方から透視した平面図である。

【0050】

図８（ａ）に示すように、基板１０の上面に弾性波共振器１２および配線１４が設けられている。平面に平行な方向をＸ方向およびＹ方向とする。弾性波共振器１２は、弾性表面波共振器である。基板１０の周縁に環状金属層３２が設けられている。配線１４にビア配線１６が接続されている。

【0051】

パッドＰａ１、Ｐｔ１、Ｐｒ１およびＰｇ１は、それぞれ共通端子Ａｎｔ、送信端子Ｔｘ、受信端子Ｒｘおよびグランド端子にビア配線１６を介し接続される。パッドＰａ１は基板１０の＋Ｙ側の周縁部に設けられ、パッドＰｔ１は基板１０の－Ｘ側かつ－Ｙ側の角部に設けられている。パッドＰａ１とＰｔ１との間に直列に直列共振器Ｓ１１からＳ１６、並列に並列共振器Ｐ１１からＰ１６が配線１４を介し接続されている。直列共振器Ｓ１１からＳ１６および並列共振器Ｐ１１からＰ１６は送信フィルタ５０を形成する。直列共振器Ｓ１１からＳ１６およびこれらを接続する配線１４は直列経路５１である。直列経路５１と並列共振器Ｐ１１からＰ１６を介しパッドＰｇ１に至る経路は並列経路５５（図１参照）である。

【0052】

図８（ｂ）に示すように、基板２０の下面に弾性波共振器２２および配線２４が設けられている。弾性波共振器２２は、圧電薄膜共振器である。配線２４は下部電極４５および上部電極４７により形成されている。下部電極４５により形成された配線２４と上部電極４７により形成された配線２４のクロスを変えて図示している。配線２４にはバンプ２６が接続されている。

【0053】

パッドＰａ２、Ｐｒ２およびＰｇ２は、それぞれ共通端子Ａｎｔ、受信端子Ｒｘおよびグランド端子にバンプ２６、配線１４およびビア配線１６を介し接続される。パッドＰａ２は基板２０の＋Ｙ側の周縁部に設けられ、パッドＰｒ２は基板１０の＋Ｘ側かつ－Ｙ側の角部に設けられている。パッドＰａ２とＰｒ２との間に直列に直列共振器Ｓ２１からＳ２６、並列に並列共振器Ｐ２１からＰ２３が配線２４を介し接続されている。直列共振器Ｓ２１からＳ２６および並列共振器Ｐ２１からＰ２３は受信フィルタ５２を形成する。直列共振器Ｓ２１からＳ２６およびこれらとほぼ同電位の配線２４は太点線で示す直列経路５３である。直列経路５３と並列共振器Ｐ２１からＰ２３を介しパッドＰｇ２に至る経路は並列経路５６（図１参照）である。

【0054】

図９（ａ）は、マルチプレクサＡにおける受信フィルタ５２を基板１０の上面に重ねた平面図、図９（ｂ）は、図９（ａ）における並列共振器Ｐ２２付近の拡大図である。基板１０に基板２０の弾性波共振器２２および配線２４を重ねて図示している。図９（ａ）および図９（ｂ）に示すように、並列共振器Ｐ２２の一部が直列共振器Ｓ１３の一部と重なっている。直列共振器Ｓ２３とＳ２４と並列共振器Ｐ２２との間の配線が配線Ｌ２に対応し、並列共振器Ｐ２２とグランドパッドＰｇ２との間の配線が配線Ｌ３に対応する。配線Ｌ２、Ｌ３および並列共振器Ｐ２２の共振領域と直列経路５１とが重なる領域をそれぞれ領域６４、６５および６６としてクロスで図示している。配線Ｌ２は下部電極４５により形成され、配線Ｌ３は上部電極４７により形成されている。これにより、領域６４では下部電極４５と配線１４が重なり、領域６５では上部電極４７と配線１４が重なる。並列共振器Ｐ２２の上部電極４７は配線Ｌ３に接続される。

【0055】

［マルチプレクサＢ］
図１０（ａ）は、マルチプレクサＢにおける基板１０の上面を示す平面図、図１０（ｂ）は、基板２０の下面を示す平面図である。図１０（ｂ）は基板２０の下面を上方から透視した平面図である。図１１（ａ）は、マルチプレクサＢにおける受信フィルタ５２を基板１０の上面に重ねた平面図、図１１（ｂ）は、図１１（ａ）における並列共振器Ｐ２２付近の拡大図である。

【0056】

図１０（ａ）から図１１（ｂ）に示すように、マルチプレクサＢでは、配線２４の下部電極４５と４７がマルチプレクサＡとは反対である。配線Ｌ２、Ｌ３および並列共振器Ｐ２２の共振領域と直列経路５１とが重なる領域をそれぞれ領域６４´、６５´および６６´としてクロスで図示している。配線Ｌ２は上部電極４７により形成され、配線Ｌ３は下部電極４５により形成されている。これにより、領域６４´では上部電極４７と配線１４が重なり、領域６５´では下部電極４５と配線１４が重なる。並列共振器Ｐ２２の上部電極４７は配線Ｌ２に接続される。その他の構成はマルチプレクサＡと同じである。

【0057】

図１２（ａ）はシミュレーションにおけるマルチプレクサＡおよびＢの周波数に対するアイソレーションを示す図、図１２（ｂ）は、図１２（ａ）における通過帯域付近の拡大図である。アイソレーションは送信端子Ｔｘから受信端子Ｒｘへの高周波信号の漏洩を示している。

【0058】

図１２（ａ）および図１２（ｂ）に示すように、マルチプレクサＡではマルチプレクサＢに比べアイソレーションが向上している。特に、図１２（ｂ）のように、受信帯域におけるマルチプレクサＡのアイソレーションはマルチプレクサＢより向上している。

【0059】

マルチプレクサＡおよびＢのように、並列共振器Ｐ２２として圧電薄膜共振器を用いる場合、グランドに接続される電極を上部電極４７とする場合と下部電極４５とする場合が考えられる。上記実験およびシミュレーションによれば、グランドに接続される電極を上部電極４７とすることにより、アイソレーションを抑制できる。

【0060】

実施例１によれば、１または複数の並列共振器Ｐ２１からＰ２３のうち少なくとも１つの並列共振器Ｐ２２において、下部電極４５は直列経路５３に接続され、上部電極４７はグランドに接続され、共振領域４８の少なくとも一部は、直列経路５１の少なくとも一部と平面視において重なる。これにより、直列経路５１から並列共振器Ｐ２２を介し直列経路５３に漏洩する信号が並列共振器Ｐ２２により抑圧されるため、アイソレーションを抑制できる。

【0061】

また、並列共振器Ｐ２２において、共振領域４８から引き出された下部電極４５の少なくとも一部と、共振領域４８から引き出された上部電極４７の少なくとも一部と、は直列経路５１の少なくとも一部と平面視において重なる。これにより、直列経路５１から並列共振器Ｐ２２、配線Ｌ２およびＬ３を介し直列経路５３に漏洩する信号が並列共振器Ｐ２２により抑圧されるため、アイソレーションを抑制できる。

【0062】

並列共振器Ｐ２２において、共振領域４８の少なくとも一部は、直列共振器Ｓ１１からＳ１６の少なくとも１つの直列共振器Ｓ１３の少なくとも一部と平面視において重なる。これにより、アイソレーションをより向上できる。

【0063】

複数の並列共振器Ｐ２１からＰ２３のうち共通端子Ａｎｔに近い並列共振器Ｐ２１を介して送信フィルタ５０から受信フィルタ５２に信号が漏洩した信号は受信端子Ｒｘ側の並列共振器Ｐ２２、Ｐ２３および直列共振器Ｓ２２からＳ２６により抑圧される。よって、並列共振器Ｐ２１の上部電極４７がグランドに接続されており、並列共振器Ｐ２１で信号を抑圧しても、その効果は大きくない。よって、直列経路５１と重なる並列共振器は、複数の並列共振器Ｐ２１からＰ２３のうち共通端子Ａｎｔに電気接続上最も近い並列共振器Ｐ２１以外であることが好ましい。

【0064】

直列共振器Ｓ２１からＳ２６および並列共振器Ｐ２１からＰ２３は、直列経路５１に平面視において重ならない共振器を含むことが好ましい。これにより、アイソレーションをより抑制できる。

【0065】

直列経路５１と重なる並列共振器のうち受信端子Ｒｘに電気接続上最も近い並列共振器Ｐ２２より受信端子Ｒｘに近い並列共振器Ｐ２３および直列共振器Ｓ２４からＳ２６が直列経路５１と重なると、送信端子Ｔｘから受信端子Ｒｘに漏洩する信号が大きくなる。よって、並列共振器Ｐ２３および直列共振器Ｓ２４からＳ２６は直列経路５１に平面視において重ならないことが好ましい。これにより、アイソレーションをより抑制できる。

【0066】

［実施例１の変形例１］
図１３（ａ）は、実施例１の変形例１に係るマルチプレクサの基板２０の下面を示す平面図、図１３（ｂ）は、切り替え部の断面図である。図１３（ａ）に示すように、実施例１の変形例１では、配線２４の途中に下部電極４５と上部電極４７とを切り替える切り替え部７０が設けられている。直列共振器Ｓ２３およびＳ２４の上部電極４７は配線Ｌ２に接続され、並列共振器Ｐ２２の下部電極４５は配線Ｌ２に接続されている（図１４（ｂ）参照）。配線Ｌ２内において上部電極４７と下部電極４５を切り替え部７０により切り替えている。並列共振器Ｐ２２の上部電極４７は配線Ｌ３に接続されている（図１４（ｂ）参照）。

【0067】

図１３（ｂ）に示すように、切り替え部７０では、圧電膜４６の側面に上部電極４７が形成されており、切り替え部７０において下部電極４５と上部電極４７とが電気的に接続されている。

【0068】

図１４（ａ）は、実施例１の変形例１のマルチプレクサにおける受信フィルタ５２を基板１０の上面に重ねた平面図、図１４（ｂ）は、図１４（ａ）における並列共振器Ｐ２２付近の拡大図である。図１４（ａ）および図１４（ｂ）に示すように、配線Ｌ２と直列経路５１との重なる領域６４には上部電極４７と直列経路５１とが重なる領域６４ａと下部電極４５と直列経路５１とが重なる領域６４ｂが存在する。領域６４ｂは並列共振器Ｐ２２と接している。その他の構成は実施例１のマルチプレクサＡと同じであり説明を省略する。

【0069】

実施例１の変形例１によれば、並列共振器Ｐ２２と並列共振器Ｐ２２に電気接続上最も近い直列共振器Ｓ２３およびＳ２４とを接続する配線Ｌ２は、並列共振器Ｐ２２において共振領域４８から引き出された下部電極４５と、直列共振器Ｓ２３およびＳ２４において共振領域４８から引き出された上部電極４７と、を電気的に接続する切り替え部７０（接続配線）を備える。これにより、並列共振器Ｐ２２の下部電極４５を配線Ｌ２に接続できる。切り替え部７０は、並列共振器Ｐ２２と直列共振器Ｓ２３との間と、並列共振器Ｐ２２と直列共振器Ｓ２４との間と、の少なくとも一方に設けられていればよい。切り替え部７０は、並列共振器Ｐ２２とグランドとの間に設けられていてもよい。

【0070】

［実施例１の変形例２］
図１５（ａ）は、実施例１の変形例２における基板１０の上面を示す平面図、図１５（ｂ）は、基板２０の下面を示す平面図である。図１５（ａ）に示すように、実施例１の変形例２の送信フィルタ５０では、弾性波共振器１２として圧電薄膜共振器が設けられている。パッドＰａ１とＰｔ２との間の直列に直列共振器Ｓ１１からＳ１６が接続され、並列に並列共振器Ｐ１１からＰ１３が接続されている。配線１４は、下部電極４５または上部電極４７により形成されている。

【0071】

図１６（ａ）は、実施例１の変形例２のマルチプレクサにおける受信フィルタ５２を基板１０の上面に重ねた平面図、図１６（ｂ）は、図１６（ａ）における並列共振器Ｐ２２付近の拡大図である。図１６（ａ）および図１６（ｂ）に示すように、配線Ｌ２と直列経路５１との重なる領域６４では下部電極４５同士が重なり、配線Ｌ３と直列経路５１とが重なる領域６５では上部電極４７同士が重なっている。その他の構成は実施例１のマルチプレクサＡと同じであり説明を省略する。

【0072】

実施例１の変形例２のように、送信フィルタ５０の弾性波共振器１２は、圧電薄膜共振器でもよい。並列共振器Ｐ２２と直列共振器Ｓ１３が重なる場合、並列共振器Ｐ２２から引き出された下部電極４５と直列共振器Ｓ１３から引き出された下部電極４５とが重なり、並列共振器Ｐ２２から引き出された上部電極４７と直列共振器Ｓ１３から引き出された上部電極４７とが重なることが好ましい。これにより、図７（ａ）のキャパシタンスＣ１はより小さくなり、キャパシタンスＣ２はより大きくなる。よって、アイソレーションをより抑制できる。

【実施例2】

【0073】

［思考実験］
図１７（ａ）および図１７（ｂ）は、思考実験におけるそれぞれサンプルＣおよびＤの平面図である。図１８（ａ）および図１８（ｂ）は、思考実験におけるそれぞれサンプルＣおよびＤの断面図である。図１８（ａ）および図１８（ｂ）は、図１７（ａ）および図１７（ｂ）の線路Ｌ１に沿った断面である。サンプルＣは実施例１に対応し、サンプルＤは比較例２に対応する。

【0074】

図１７（ａ）および図１８（ａ）に示すように、サンプルＣでは、線路Ｌ１は基板１０上の配線１４により形成されている。直列共振器Ｓ１は共通端子Ａｎｔと受信端子Ｒｘとの間に接続されている。直列共振器Ｓ１と共通端子Ａｎｔとの間の配線Ｌ４は上部電極４７により形成されている。直列共振器Ｓ１と受信端子Ｒｘとの間の配線Ｌ５は下部電極４５により形成されている。線路Ｌ１は平面視において配線Ｌ４、Ｌ５および直列共振器Ｓ１と重なっている。

【0075】

図１７（ｂ）および図１８（ｂ）に示すように、サンプルＤでは、配線Ｌ４は下部電極４５により形成されている。配線Ｌ５は上部電極４７により形成されている。その他の構成はサンプルＣと同じであり説明を省略する。

【0076】

図１９（ａ）および図１９（ｂ）は、それぞれサンプルＣおよびＤの等価回路である。図１９（ａ）に示すように、線路Ｌ１は送信端子Ｔｘと共通端子Ａｎｔとの間の直列経路５１である。キャパシタンスＣ１、Ｃ２およびＣ３は、図１８（ａ）のように、線路Ｌ１と配線Ｌ４との間の寄生キャパシタンス、線路Ｌ１と配線Ｌ５との間の寄生キャパシタンスおよび線路Ｌ１と共振領域４８との寄生キャパシタンス、にそれぞれ対応する。線路Ｌ１と共振領域４８との寄生キャパシタンスは主に共振領域４８内の上部電極４７と線路Ｌ１との寄生キャパシタンスである。サンプルＣでは共振領域４８の上部電極４７が配線Ｌ４に接続されているため、キャパシタンスＣ３は直列共振器Ｓ１より共通端子Ａｎｔ側に設けられている。

【0077】

図１９（ｂ）における、キャパシタンスＣ１´、Ｃ２´およびＣ３´は、図１８（ｂ）のように、線路Ｌ１と配線Ｌ４との間の寄生キャパシタンス、線路Ｌ１と配線Ｌ５との間の寄生キャパシタンスおよび線路Ｌ１と共振領域４８における下部電極４５との寄生キャパシタンス、にそれぞれ対応する。サンプルＤでは上部電極４７が受信端子Ｒｘ側に接続されているため、キャパシタンスＣ３´は直列共振器Ｓ１より受信端子Ｒｘ側に設けられている。

【0078】

さらに、サンプルＣではサンプルＤより線路Ｌ１と配線Ｌ４との距離が小さい。このため、Ｃ１＞Ｃ１´となる。サンプルＣではサンプルＤより線路Ｌ１と配線Ｌ５との距離が大きい。このため、Ｃ２＜Ｃ２´となる。線路Ｌ１と共振領域４８における上部電極４７との距離はサンプルＣとＤで同じため、Ｃ３＝Ｃ３´となる。

【0079】

Ｃ１＋Ｃ３＞Ｃ１´となるため、サンプルＣにおいて、送信端子ＴｘからキャパシタンスＣ１＋Ｃ３を介し線路Ｌ１から配線Ｌ４および共振領域４８に漏洩する信号６３ａは、サンプルＤにおいて送信端子ＴｘからキャパシタンスＣ１´を介し線路Ｌ１から配線Ｌ５に漏洩する信号６３ｂより大きくなる。

【0080】

Ｃ２＜Ｃ２´＋Ｃ３´となるため、サンプルＣにおいて、送信端子ＴｘからキャパシタンスＣ２を介し線路Ｌ１から配線Ｌ５に漏洩する信号６２ａは、サンプルＤにおいてキャパシタンスＣ１´＋Ｃ３´を介し線路Ｌ１から配線Ｌ５および共振領域４８の上部電極４７に漏洩する信号６２ｂより小さくなる。

【0081】

サンプルＣでは、送信端子Ｔｘから受信端子Ｒｘに漏洩する信号は主に信号６３ａであり、信号６３ａは直列共振器Ｓ１を通過する。一方、サンプルＤでは、送信端子Ｔｘから受信端子Ｒｘに漏洩する信号は主に信号６２ｂであり直列共振器Ｓ１を通過しない。サンプルＣで直列共振器Ｓ１において信号６３ａを抑圧できるため、サンプルＤに比べアイソレーション特性が改善すると考えられる。

【0082】

図２０（ａ）は、実施例２における基板１０の上面を示す平面図、図２０（ｂ）は、基板２０の下面を示す平面図である。図２１（ａ）は、実施例２のマルチプレクサにおける受信フィルタ５２を基板１０の上面に重ねた平面図、図２１（ｂ）は、図２１（ａ）における直列共振器Ｓ２４付近の拡大図である。図２０（ａ）から図２１（ｂ）に示すように、実施例２の送信フィルタ５０は、実施例１のマルチプレクサＡと同じである。直列共振器Ｓ２４の一部が直列経路５１の一部と重なっている。

【0083】

直列共振器Ｓ２３とＳ２４との間の配線が配線Ｌ４に対応し、直列共振器Ｓ２４とＳ２５との間の配線が配線Ｌ５に対応する（図２１（ｂ）参照）。配線Ｌ４、Ｌ５および直列共振器Ｓ２４の共振領域と直列経路５１とが重なる領域をそれぞれ領域６７、６８および６９としてクロスで図示している。配線Ｌ４は上部電極４７により形成され、配線Ｌ５は下部電極４５により形成されている。これにより、領域６７では上部電極４７と配線１４が重なり、領域６８では下部電極４５と配線１４が重なる。直列共振器Ｓ２４の上部電極４７は配線Ｌ４に接続される。

【0084】

実施例２によれば、１または複数の直列共振器Ｓ２１からＳ２６のうち少なくとも１つの直列共振器Ｓ２４において、下部電極４５は受信端子Ｒｘに接続され、上部電極４７は共通端子Ａｎｔに接続されている。共振領域４８の少なくとも一部は、直列経路５１の少なくとも一部と平面視において重なる。これにより、直列経路５１から直列共振器Ｓ２４を介し直列経路５３に漏洩する信号が直列共振器Ｓ２４により抑圧されるため、アイソレーションを抑制できる。

【0085】

また、直列共振器Ｓ２４において、共振領域４８から引き出された下部電極４５の少なくとも一部と、共振領域４８から引き出された上部電極４７の少なくとも一部と、は直列経路５１の少なくとも一部と平面視において重なる。これにより、直列経路５１から直列共振器Ｓ２４、配線Ｌ２およびＬ３を介し直列経路５３に漏洩する信号が直列共振器Ｓ２４により抑圧されるため、アイソレーションを抑制できる。

【0086】

複数の直列共振器Ｓ２１からＳ２６のうち共通端子Ａｎｔに近い直列共振器Ｓ２１を介して送信フィルタ５０から受信フィルタ５２に信号が漏洩した信号は受信端子Ｒｘ側の並列共振器Ｐ２１からＰ２３および直列共振器Ｓ２２からＳ２６により抑圧される。よって、直列共振器Ｓ２１の上部電極４７がグランドに接続されており、直列共振器Ｓ２１で信号を抑圧しても、その効果は大きくない。よって、直列経路５１と重なる直列共振器は、複数の直列共振器Ｓ２１からＳ２６のうち共通端子Ａｎｔに電気接続上最も近い直列共振器Ｓ２１以外であることが好ましい。

【0087】

直列共振器Ｓ２４より受信端子Ｒｘに近い並列共振器Ｐ２３、直列共振器Ｓ２５およびＳ２６が直列経路５１と重なると、送信端子Ｔｘから受信端子Ｒｘに漏洩する信号が大きくなる。よって、並列共振器Ｐ２３、直列共振器Ｓ２５およびＳ２６は直列経路５１に平面視において重ならないことが好ましい。これにより、アイソレーションをより抑制できる。

【0088】

［実施例２の変形例１］
図２２（ａ）は実施例２の変形例１に係るマルチプレクサにおいて受信フィルタ５２を基板１０の上面に重ねた平面図における直列共振器Ｓ２４付近の図である。図２２（ａ）に示すように、配線Ｌ４およびＬ５に各々切り替え部７０が設けられている。配線Ｌ４は直列共振器Ｓ２３の下部電極４５に接続されているが、切り替え部７０により配線Ｌ４は直列共振器Ｓ２４の上部電極４７に接続されている。配線Ｌ５は直列共振器Ｓ２５の上部電極４７に接続されているが、切り替え部７０により配線Ｌ５は直列共振器Ｓ２４の下部電極４５に接続されている。その他の構成は実施例２と同じであり説明を省略する。

【0089】

実施例２の変形例１によれば、直列共振器Ｓ２４と直列共振器Ｓ２４に電気接続上最も近い直列共振器Ｓ２３およびＳ２５とを接続する配線Ｌ４およびＬ５は、直列共振器Ｓ２４において共振領域４８から引き出された下部電極４５および上部電極４７の一方と、直列共振器Ｓ２３およびＳ２５において共振領域４８から引き出された下部電極４５および上部電極４７の他方と、を電気的に接続する切り替え部７０（接続配線）を備える。これにより、直列共振器Ｓ２４の下部電極４５および上部電極４７をそれぞれ配線Ｌ５およびＬ４に接続できる。切り替え部７０は、直列共振器Ｓ２４と直列共振器Ｓ２３との間と、直列共振器Ｓ２４と直列共振器Ｓ２５との間と、の少なくとも一方に設けられていればよい。

【0090】

［実施例２の変形例２］
図２２（ｂ）は実施例２の変形例２に係るマルチプレクサにおいて受信フィルタ５２を基板１０の上面に重ねた平面図の直列共振器Ｓ２４付近の図である。図２２（ｂ）に示すように弾性波共振器１２は圧電薄膜共振器である。配線Ｌ４と直列経路５１との重なる領域６７では上部電極４７同士が重なり、配線Ｌ５と直列経路５１とが重なる領域６８では下部電極４５同士が重なっている。その他の構成は実施例２と同じであり説明を省略する。

【0091】

実施例２の変形例２によれば、直列共振器Ｓ２４において、共振領域４８の少なくとも一部は、１または複数の直列共振器Ｓ１１からＳ１６の少なくとも１つの直列共振器Ｓ１３の少なくとも一部と平面視において重なる。これにより、アイソレーションをより向上できる。

【0092】

送信フィルタ５０の弾性波共振器１２は、圧電薄膜共振器でもよい。直列共振器Ｓ２４と直列共振器Ｓ１３が重なる場合、直列共振器Ｓ２４から引き出された下部電極４５と直列共振器Ｓ１３から引き出された下部電極４５とが重なり、直列共振器Ｓ２４から引き出された上部電極４７と直列共振器Ｓ１３から引き出された上部電極４７とが重なることが好ましい。これにより、図１９（ａ）のキャパシタンスＣ１はより大きくなり、キャパシタンスＣ２はより小さくなる。よって、アイソレーションをより抑制できる。

【0093】

実施例１、２およびその変形例において、弾性波共振器１２が弾性表面波共振器のとき、直列経路５１に直列共振器のＩＤＴ４２を含め反射器４１を含めない。弾性波共振器１２が圧電薄膜共振器のとき、直列経路５１に共振領域を含める。

【0094】

実施例１、２およびその変形例においては、第１フィルタを受信フィルタ５２および第２フィルタを送信フィルタ５０として説明したが、第１フィルタが送信フィルタ５０であり、第２フィルタが受信フィルタ５２でもよい。ラダー型フィルタを構成する直列共振器および並列共振器の個数は任意に設定することができる。基板２０を囲むように封止部３０が設けられている例を説明したが、封止部３０は設けられていなくてもよい。マルチプレクサとしてデュプレクサの例を説明したが、マルチプレクサは、トリプレクサまたはクワッドプレクサでもよい。第１フィルタおよび第２フィルタはマルチプレクサの少なくとも２つのフィルタであればよい。

【0095】

以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。

【符号の説明】

【0096】

１０、２０ 基板
１２、２２ 弾性波共振器
１４、２４ 配線
１６ ビア配線
１８ 端子
２６ バンプ
２８ 空隙
４５ 下部電極
４６ 圧電膜
４７ 上部電極
４８ 共振領域
５０ 送信フィルタ
５１、５３ 直列経路
５２ 受信フィルタ
５５、５６ 並列経路
７０ 切り替え部

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】

【図22】