特許 7349975 ＣＭＰ研磨装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2023-09-14

(45)【発行日】2023-09-25

(54)【発明の名称】ＣＭＰ研磨装置

(51)【国際特許分類】

   B24B 53/00 20060101AFI20230915BHJP

   B24B 53/017 20120101ALI20230915BHJP

   B24B 53/12 20060101ALI20230915BHJP

   B24B 37/00 20120101ALI20230915BHJP

   B24B 37/005 20120101ALI20230915BHJP

   B24B 37/24 20120101ALI20230915BHJP

   B24B 37/26 20120101ALI20230915BHJP

   B24B 49/12 20060101ALI20230915BHJP

   B24B 49/18 20060101ALI20230915BHJP

   H01L 21/304 20060101ALI20230915BHJP

【ＦＩ】

B24B53/00 A

B24B53/017 A

B24B53/12 Z

B24B37/00 K

B24B37/005 A

B24B37/24 B

B24B37/26

B24B49/12

B24B49/18

H01L21/304 621D

H01L21/304 622F

H01L21/304 622R

【請求項の数】 2

(21)【出願番号】P 2020207506

(22)【出願日】2020-12-15

(65)【公開番号】P2022094554

(43)【公開日】2022-06-27

【審査請求日】2022-08-10

(73)【特許権者】

【識別番号】000004293

【氏名又は名称】株式会社ノリタケカンパニーリミテド

(74)【代理人】

【識別番号】110001117

【氏名又は名称】弁理士法人ぱてな

(72)【発明者】

【氏名】高橋 洋祐

【審査官】須中 栄治

(56)【参考文献】

【文献】特開２００４－３３７９９２（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１９－０４０９１８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００５－３４７５６８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０００－２２３４４８（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２００５／０２８７９２７（ＵＳ，Ａ１）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｂ２４Ｂ３７／００－３７／３４

Ｂ２４Ｂ４１／００－５１／００

Ｂ２４Ｂ５３／００

Ｂ２４Ｂ５３／００７

Ｂ２４Ｂ５３／０１３

Ｂ２４Ｂ５３／０１７

Ｂ２４Ｂ５３／０９５

Ｂ２４Ｂ５３／１０

Ｈ０１Ｌ２１／３０４；２１／４６３

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

被研磨物が固定されたキャリヤと、前記被研磨物と対面するように研磨パッドが固定された定盤と、前記被研磨物と前記研磨パッドとの間に荷重を付加しつつ、前記キャリヤと前記定盤とを相対的な速度で移動させる駆動装置と、前記被研磨物と前記研磨パッドとの間に研磨液を介在させる研磨液供給装置と、少なくとも前記駆動装置及び前記研磨液供給装置を制御する制御装置とを備え、ＣＭＰ法によって前記被研磨物を研磨するＣＭＰ研磨装置において、
前記研磨パッドは、前記被研磨物と接触する研磨面と、前記研磨面から凹設された研磨溝とを有し、
前記研磨溝の底面を基準として前記研磨面の摩耗深さを非接触で測定する摩耗深さ測定手段と、前記研磨面をドレッシングするドレッサとをさらに備え、
前記研磨パッドは、樹脂からなり、複数の気泡が形成された母材と、前記母材内又は前記気泡内に保持された研磨粒子とを有し、
前記研磨液は液体のみであり、
前記制御装置は、前記摩耗深さが第１閾値を超えれば前記駆動装置及び／又は前記研磨液供給装置に制御信号を送信することにより、前記荷重、前記速度、研磨時間及び前記研磨液の供給量の少なくとも一つを変更し、前記摩耗深さが前記第１閾値よりも大きい第２閾値を超えれば前記被研磨物の研磨を中断して前記ドレッサを稼働させ、前記ドレッシングが行われた後に前記被研磨物の研磨を再開することを特徴とするＣＭＰ研磨装置。

【請求項2】

前記摩耗深さ測定手段は、レーザビームを用いた寸法測定装置である請求項１記載のＣＭＰ研磨装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明はＣＭＰ研磨装置に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１、２に従来のＣＭＰ研磨装置が開示されている。これらのＣＭＰ研磨装置は、キャリヤと、定盤と、駆動装置と、研磨液供給装置と、制御装置とを備えている。

【0003】

キャリヤには被研磨物が固定される。被研磨物は、Ｓｉ、ＳｉＣ等のウェハ、これらのウェハ上に絶縁膜、配線金属膜、露光用レジスト、保護膜等の膜を形成した膜付きウェハ等である。定盤は、被研磨物と対面するように研磨パッドが固定される。これらのＣＭＰ研磨装置では、不織布、発泡ポリウレタン等からなる研磨パッドを採用している。この研磨パッドは、被研磨物と接触する研磨面と、研磨面から凹設された同心円状又は格子状の研磨溝とを有している。

【0004】

駆動装置は、被研磨物と研磨パッドとの間に荷重を付加しつつ、キャリヤと定盤とを相対的な速度で移動させる。研磨液供給装置は、被研磨物と研磨パッドとの間に研磨液を介在させる。これらのＣＭＰ研磨装置では、研磨液は、ＮａＯＨ等の薬剤と、コロイダルシリカ等の研磨粒子とを含む。制御装置は、少なくとも駆動装置及び研磨液供給装置を制御する。

【0005】

また、これらのＣＭＰ研磨装置は、研磨パッドの厚みを検知したり、研磨パッドが有するインジケータをオペレータが目視したりすることにより、研磨面の摩耗深さを検知しようとしている。

【0006】

これらのＣＭＰ研磨装置では、研磨粒子による機械的研磨と同時に薬剤による化学的研磨を行うＣＭＰ（chemical mechanical polishing：化学的機械的研磨）法によって被研磨物を研磨可能である。この際、研磨溝を有する研磨パッドを採用し、研磨溝内に十分な量の研磨粒子を確保し、被研磨物の研磨効果を有効化している。また、これらのＣＭＰ研磨装置では、研磨面の摩耗深さを検知することにより、次回の研磨時間の最適化を行ったり、研磨パッドの寿命を予測したりする。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0007】

【文献】特開２００５－３４７５６８号公報

【文献】特開２０１９－１４５７７９号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0008】

しかし、上記従来のＣＭＰ研磨装置は、被研磨物の研磨の際に研磨粒子を含む研磨液を用いているため、研磨面や研磨溝に多くの研磨粒子が存在し、研磨面の摩耗の検出精度が不十分である。特に、これらのＣＭＰ研磨装置では、研磨パッドの厚みや目視によって研磨面の摩耗深さを検知しようとしているため、定盤と研磨パッドとの接着層の厚みの相違や個人差によって検出値がばらつくこととなり、その検出精度の信頼性に欠ける。

【0009】

本発明は、上記従来の実情に鑑みてなされたものであって、被研磨物の研磨効果を有効化しつつ、研磨面の摩耗の検出精度が高いＣＭＰ研磨装置を提供することを解決すべき課題としている。

【課題を解決するための手段】

【0010】

本発明のＣＭＰ研磨装置は、被研磨物が固定されたキャリヤと、前記被研磨物と対面するように研磨パッドが固定された定盤と、前記被研磨物と前記研磨パッドとの間に荷重を付加しつつ、前記キャリヤと前記定盤とを相対的な速度で移動させる駆動装置と、前記被研磨物と前記研磨パッドとの間に研磨液を介在させる研磨液供給装置と、少なくとも前記駆動装置及び前記研磨液供給装置を制御する制御装置とを備え、ＣＭＰ法によって前記被研磨物を研磨するＣＭＰ研磨装置において、
前記研磨パッドは、前記被研磨物と接触する研磨面と、前記研磨面から凹設された研磨溝とを有し、
前記研磨溝の底面を基準として前記研磨面の摩耗深さを非接触で測定する摩耗深さ測定手段と、前記研磨面をドレッシングするドレッサとをさらに備え、
前記研磨パッドは、樹脂からなり、複数の気泡が形成された母材と、前記母材内又は前記気泡内に保持された研磨粒子とを有し、
前記研磨液は液体のみであり、
前記制御装置は、前記摩耗深さが第１閾値を超えれば前記駆動装置及び／又は前記研磨液供給装置に制御信号を送信することにより、前記荷重、前記速度、研磨時間及び前記研磨液の供給量の少なくとも一つを変更し、前記摩耗深さが前記第１閾値よりも大きい第２閾値を超えれば前記被研磨物の研磨を中断して前記ドレッサを稼働させ、前記ドレッシングが行われた後に前記被研磨物の研磨を再開することを特徴とする。

【0011】

本発明のＣＭＰ研磨装置では、樹脂からなり、複数の気泡が形成された母材と、母材内又は気泡内に保持された研磨粒子とを有する研磨パッドを採用しており、研磨液が液体のみである。このため、研磨面や研磨溝には研磨粒子が存在し難い。

【0012】

また、このＣＭＰ研磨装置では、摩耗深さ測定手段が研磨溝の底面を基準として研磨面の摩耗深さを測定するため、例え定盤と研磨パッドとの接着層の厚みが異なっても、研磨面の摩耗深さを幾何的に測定することができる。その際に非接触で研磨面の摩耗深さを測定するため、接触による押圧力による誤差も生じない。

【0013】

さらに、このＣＭＰ研磨装置では、研磨溝を有する研磨パッドを採用しているため、研磨溝と対面する研磨面が保持する研磨粒子が被研磨物の研磨効果を有効化する。

【0014】

したがって、本発明のＣＭＰ研磨装置では、被研磨物の研磨効果を有効化しつつ、研磨面の摩耗の高い検出精度を発揮することができる。

【0015】

制御装置は、摩耗深さが第１閾値を超えれば制御信号を駆動装置及び／又は研磨液供給装置に送信する。このため、摩耗深さに応じて、研磨パッドの交換時期を知ることができる他、研磨条件を変更して被研磨物の品質を高めることができる。

【0016】

制御装置は、制御信号に応じて荷重、速度、研磨時間及び研磨液の供給量の少なくとも一つを変更する。このため、摩耗深さに応じて、研磨条件を変更して被研磨物の品質を高めることができる。

【0017】

ＣＭＰ研磨装置は、研磨面をドレッシングするドレッサをさらに備えている。そして、制御装置は、摩耗深さが第１閾値よりも大きい第２閾値を超えれば被研磨物の研磨を中断してドレッサを稼働させ、ドレッシングが行われた後に被研磨物の研磨を再開する。このため、摩耗深さに応じて、研磨パッドを再生することができる。

【0018】

摩耗深さ測定手段は、超音波や光によって研磨面の摩耗深さを非接触で測定することが可能であるが、レーザビームを用いた寸法測定装置であることが好ましい。発明者の確認によれば、この場合に±０．２～０．３μｍで精度よく摩耗深さを測定できる。例えば、株式会社キーエンス製三次元測定機「XM-2000」、株式会社リンクス製三次元センサ「Gocator（登録商標）」、株式会社ミツトヨ製非接触・高精度レーザ測長システム「レーザスキャンマイクロメータＬＳＭ」等を採用することができる。

【発明の効果】

【0019】

本発明のＣＭＰ研磨装置では、被研磨物の研磨効果を有効化しつつ、研磨面の摩耗の高い検出精度を発揮することができる。

【図面の簡単な説明】

【0020】

【図1】図１は、実施例のＣＭＰ研磨装置の主要部を示す模式断面図である。

【図2】図２は、実施例のＣＭＰ研磨装置の制御装置等のブロック構成図である。

【図3】図３は、実施例のＣＭＰ研磨装置に係り、研磨パッドの模式拡大断面図である。

【図4】図４は、実施例のＣＭＰ研磨装置に係り、制御装置が実行するプログラムのフローチャートである。

【図5】図５は、実施例のＣＭＰ研磨装置に係り、制御装置が実行するプログラムのフローチャートである。

【図6】図６は、比較例のＣＭＰ研磨装置に係り、研磨パッドの模式拡大断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0021】

以下、本発明を具体化した実施例を図面を参照しつつ説明する。実施例のＣＭＰ研磨装置は、図１に示すように、複数のキャリヤ１と、定盤３と、駆動装置５と、研磨液供給装置７と、ドレッサ９と、寸法測定装置１１と、図２に示すように、制御装置１３とを備えている。

【0022】

図１には単一のキャリヤ１だけを図示しているが、ＣＭＰ研磨装置は複数のキャリヤ１を有している。各キャリヤ１は水平な円板状をなしている。各キャリヤ１の下面には複数の凹部１ａが凹設されており、各凹部１ａにはそれぞれ被研磨物Ｗが固定されるようになっている。被研磨物Ｗは、Ｓｉ、ＳｉＣ等のウェハ、これらのウェハ上に絶縁膜、配線金属膜、露光用レジスト、保護膜等の膜を形成した膜付きウェハ等である。各キャリヤ１の上面にはキャリヤ回転軸１ｂが垂直に突設されている。被研磨物Ｗの被研磨面Ｗ１は下方を向いている。

【0023】

定盤３は、全てのキャリヤ１を内包する水平な円板状をなしている。定盤３の下面には定盤回転軸３ａが垂直に突設されている。定盤３の上面には、各被研磨物Ｗと対面するように円板状の研磨パッド１５が接着剤によって固定されている。研磨パッド１５は、図３に示すように、被研磨物Ｗと接触する研磨面１５ａと、研磨面１５ａから下方に凹設された同心円状又は格子状の研磨溝１５ｂとを有している。研磨溝１５ｂの形状、ピッチ、幅等は、被研磨物Ｗ等によってユーザ毎に選択されている。

【0024】

また、この研磨パッド１５は、樹脂からなり、複数の気泡１５１ａが形成された母材１５１と、母材１５１内又は気泡１５１ａ内に保持された研磨粒子１５２とを有している。

【0025】

母材１５１は、ポリエーテル、硬質発泡ポリウレタン、エポキシ樹脂、ポリエーテルサルホン（ＰＥＳ）樹脂の他、ポリフッ化ビニル、フッ化ビニル・ヘキサフルオロプロピレン共重合体、ポリフッ化ビニリデン、フッ化ビニリデン・ヘキサフルオロプロピレン共重合体等のフッ素系合成樹脂や、ポリエチレン樹脂、ポリメタクリル酸メチル等から、被研磨物Ｗ等によってユーザ毎に選択されている。

【0026】

研磨粒子１５２は、ダイヤモンド、ＣＢＮ（立方晶窒化ホウ素）、Ｂ₄Ｃ（炭化ホウ素）、ＣｅＯ₂、炭化ケイ素、シリカ、アルミナ、ジルコニア、チタニア、マンガン酸化物、炭酸バリウム、酸化クロム、酸化鉄等から、被研磨物Ｗ等によってユーザ毎に選択されている。

【0027】

図１に示すように、駆動装置５は、主駆動装置５ａと、副駆動装置５ｂと、加圧装置５ｃとを有している。主駆動装置５ａは定盤回転軸３ａを第１軸心Ｏ１周りで所定速度で回転駆動する。副駆動装置５ｂは各キャリヤ回転軸１ｂを第２軸心Ｏ２周りで所定速度で回転駆動する。加圧装置５ｃは各キャリヤ回転軸１ｂ及び副駆動装置５ｂを定盤３に向けて所定荷重で加圧する。

【0028】

研磨液供給装置７は定盤３の上方に設けられている。研磨液供給装置７は被研磨物Ｗと研磨パッド１５との間に研磨液７ａを介在させる。研磨液７ａは、ＮａＯＨ水溶液、過マンガン酸カリウム水溶液、アミン系水溶液等から、被研磨物Ｗ等によってユーザ毎に選択されている。研磨液７ａは、研磨粒子１５２を含んでおらず、液体である。

【0029】

ドレッサ９は定盤３の上方で第１軸心Ｏ１近くから研磨パッド１５の外周部分まで移動可能に設けられている。ドレッサ９は、研磨パッド１５の研磨面１５ａと当接し、研磨面１５ａをドレッシングする。

【0030】

寸法測定装置１１は定盤３の上方に設けられている。寸法測定装置１１はレーザビーム１１ａを用い研磨溝１５ｂの底面を基準として研磨面１１ａの摩耗深さを非接触で測定する。

【0031】

図２に示すように、制御装置１３は、マイコン、メモリ、インターフェース回路等を含む電子回路ユニットにより構成されており、寸法測定装置１１、主駆動装置５ａ、副駆動装置５ｂ、加圧装置５ｃ及び研磨液供給装置７と接続されている。制御装置１３のメモリにはこれらを制御するプログラムが格納されている。

【0032】

このＣＭＰ研磨装置において、ＣＭＰ法によって被研磨物Ｗを研磨する場合、各キャリヤ１の凹部１ａに被研磨物Ｗを固定した後、作動を開始する。これにより、制御装置１３は、図４及び図５に示すフローチャートに示す処理を行う。

【0033】

まず、図４に示すように、ステップＳ１では、加圧装置５ｃが各キャリヤ回転軸１ｂ及び副駆動装置５ｂを定盤３に向けて加圧する荷重Ｆと、主駆動装置５ａが定盤回転軸３ａを回転する第１速度Ｖ１と、副駆動装置５ｂが各キャリヤ回転軸１ｂを回転する第２速度Ｖ２と、研磨時間Ｔと、研磨液供給装置７が供給する研磨液７ａの供給量Ｑとが入力される。

【0034】

このため、被研磨物Ｗと研磨パッド１５との間に荷重Ｆを付加しつつ、各キャリヤ１と定盤３とが相対的な速度で研磨時間Ｔだけ移動する。この間、研磨液供給装置７が供給量Ｑの研磨液７ａを供給する。こうして、研磨が開始される。この際、研磨溝１５ｂを有する研磨パッド１５を採用しているため、研磨溝１５ｂと対面する研磨面１５ａが保持する研磨粒子１５２が被研磨物Ｗの研磨効果を有効化する。

【0035】

この後、ステップＳ２において、寸法測定装置１１によって研磨溝１５ｂまでの距離Ｌ１を測定し、ステップＳ３において、寸法測定装置１１によって研磨面１５ａまでの距離Ｌ２を測する。そして、ステップＳ４において、距離Ｌ１と距離Ｌ２との差を算出し、これを研磨面１５ａの摩耗深さＬｘとする。研磨の継続によって摩耗深さＬｘは徐々に増加する。

【0036】

ステップＳ５では、研磨時間Ｔ内であっても、摩耗深さＬｘが第１閾値Ｌａを超えるか否かを判断する。ステップＳ５において、摩耗深さＬｘが第１閾値Ｌａを超えれば、ステップＳ６に進み、摩耗深さＬｘが第１閾値Ｌａを超えなければ、ステップＳ３に戻る。

【0037】

ステップＳ６では、制御信号を主駆動装置５ａ、副駆動装置５ｂ及び／又は加圧装置５ｃに送信し、荷重Ｆ、第１速度Ｖ１、第２速度Ｖ２、研磨時間Ｔ及び研磨液７ａの供給量Ｑの少なくとも一つを変更する。これらのいずれを変更するかは、被研磨物Ｗ等によってユーザによって選択されている。こうして、このＣＭＰ研磨装置では、研磨条件を変更して被研磨物Ｗの品質を高めることができる。

【0038】

この後、ステップＳ７では、摩耗深さＬｘが第２閾値Ｌｂを超えるか否かを判断する。ステップＳ７において、摩耗深さＬｘが第２閾値Ｌｂを超えれば、ステップＳ８に進み、摩耗深さＬｘが第２閾値Ｌｂを超えなければ、ステップＳ７に戻る。こうして、摩耗深さＬｘが第１閾値Ｌａを超え、第２閾値Ｌｂになるまで、研磨条件を変更して被研磨物Ｗの品質を高める。

【0039】

ステップＳ８では、摩耗深さＬｘが第２閾値Ｌｂを超え、研磨パッド１５を再生すべきであることから、研磨が中断される。この際、第２速度Ｖ２が０とされるとともに各キャリヤ１が研磨パッド１５から離隔する。そして、続くステップＳ９において、ドレッサ９が稼働する。この際、第１速度Ｖ１は一定速度とされ、ドレッサ９は定盤３の上方で第１軸心Ｏ１近くから研磨パッド１５の外周部分まで移動する。これにより、研磨パッド１５は研磨面１５ａがドレッシングされる。

【0040】

この後、図５に示すように、ステップＳ１０に進み、研磨が再開される。そして、ステップＳ１１では、摩耗深さＬｘが第３閾値Ｌｃを超えるか否かを判断する。ステップＳ１１において、摩耗深さＬｘが第３閾値Ｌｃを超えれば、ステップＳ１２に進み、摩耗深さＬｘが第３閾値Ｌｃを超えなければ、ステップＳ３に戻る。

【0041】

ステップＳ１２では、摩耗深さＬｘが第３閾値Ｌｃを超え、研磨パッド１５の寿命が近いことが報知される。具体的には、制御装置１３に設けられた表示ランプが点灯する。こうして、このＣＭＰ研磨装置では、摩耗深さＬｘに応じて、研磨パッド１５の交換時期を知ることができる。

【0042】

続くステップＳ１３では、摩耗深さＬｘが第４閾値Ｌｄを超えるか否かを判断する。摩耗深さＬｘが第４閾値Ｌｄを超えるまで、ステップＳ１３が繰り返される。ステップＳ１３において、摩耗深さＬｘが第４閾値Ｌｄを超えれば、ステップＳ１４に進んで研磨が中止となる。

【0043】

こうして、このＣＭＰ研磨装置では、樹脂からなり、複数の気泡１５１ａが形成された母材１５１と、母材１５１内又は気泡１５１ａ内に保持された研磨粒子１５２とを有する研磨パッド１５を採用しており、研磨液７ａが液体のみである。このため、図３に示すように、研磨面１５ａや研磨溝１５ｂには研磨粒子１５２が存在し難い。

【0044】

また、このＣＭＰ研磨装置では、寸法測定装置１１が研磨溝１５ｂの底面を基準として研磨面１５ａの摩耗深さＬｘを測定するため、例え定盤３と研磨パッド１５との接着層の厚みが異なっても、研磨面１５ａの摩耗深さＬｘを幾何的に測定することができる。その際に非接触で研磨面１５ａの摩耗深さＬｘを測定するため、接触による押圧力による誤差も生じない。

【0045】

したがって、このＣＭＰ研磨装置では、被研磨物Ｗの研磨効果を有効化しつつ、研磨面１５ａの摩耗の高い検出精度を発揮することができる。

【0046】

他方、ＣＭＰ研磨装置において、図６に示すように、研磨粒子１５２を保持していない不織布等からなる研磨パッド１６を採用し、研磨粒子１５２を有する研磨液を採用している場合には、研磨面１５ａや研磨溝１５ｂには多くの研磨粒子１５２が存在する。このため、この場合には、たとえレーザビームを用いた寸法測定装置１１を用いた場合でも、研磨面１５ａの摩耗を低い精度でしか検出することができない。

【0047】

以上において、本発明を実施例に即して説明したが、本発明は上記実施例に制限されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更して適用できることはいうまでもない。

【0048】

例えば、本発明のＣＭＰ研磨装置は、被研磨物の上面及び下面を露出させるキャリヤと、キャリヤの下方に位置する第１定盤と、キャリヤの上方に位置する第２定盤とを有し、被研磨物の上面及び下面を同時に研磨するものであってもよい。

【0049】

また、寸法測定装置１１を定盤３の上方で第１軸心Ｏ１近くから研磨パッド１５の外周部分まで移動可能に設けてもよい。この場合、第１軸心Ｏ１近くから研磨パッド１５の外周部分まで存在する複数の研磨面１５ａの摩耗深さを非接触で測定できるため、制御装置１３において、摩耗深さの平均値を算出し、この平均値によって駆動装置５等を制御することができる。

【0050】

研磨深さＬｘの基準となる研磨溝１５ｂは、被研磨物Ｗを研磨する際に用いられない基準となるだけのものであってもよい。

【産業上の利用可能性】

【0051】

本発明は半導体製造装置に利用可能である。

【符号の説明】

【0052】

Ｗ…被研磨物
１…キャリヤ
１５…研磨パッド
３…定盤
５…駆動装置（５ａ…主駆動装置、５ｂ…副駆動装置、５ｃ…加圧装置）
７ａ…研磨液
７…研磨液供給装置
１３…制御装置
１５ａ…研磨面
１５ｂ…研磨溝
Ｌｘ…摩耗深さ
１１…摩耗深さ測定手段（寸法測定装置）
１５１ａ…気泡
１５１…母材
１５２…研磨粒子
Ｆ…荷重
Ｖ１、Ｖ２…速度（Ｖ１…第１速度、Ｖ２…第２速度）
Ｔ…研磨時間
Ｑ…供給量
９…ドレッサ

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】