特許 7355256 伝送線路及び電子機器

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2023-09-25

(45)【発行日】2023-10-03

(54)【発明の名称】伝送線路及び電子機器

(51)【国際特許分類】

   H01P 3/08 20060101AFI20230926BHJP

   H05K 1/02 20060101ALI20230926BHJP

【ＦＩ】

H01P3/08 101

H05K1/02 C

H05K1/02 N

【請求項の数】 11

(21)【出願番号】P 2022565249

(86)(22)【出願日】2021-11-16

(86)【国際出願番号】 JP2021042035

(87)【国際公開番号】W WO2022113818

(87)【国際公開日】2022-06-02

【審査請求日】2023-05-15

(31)【優先権主張番号】P 2020198385

(32)【優先日】2020-11-30

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(31)【優先権主張番号】P 2021033558

(32)【優先日】2021-03-03

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

【早期審査対象出願】

(73)【特許権者】

【識別番号】000006231

【氏名又は名称】株式会社村田製作所

(74)【代理人】

【識別番号】110000970

【氏名又は名称】弁理士法人 楓国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】池本 伸郎

(72)【発明者】

【氏名】奥田 哲聡

(72)【発明者】

【氏名】西尾 恒亮

(72)【発明者】

【氏名】岡本 真典

【審査官】佐藤 当秀

(56)【参考文献】

【文献】特開平１０－０４１７１０（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開昭６２－２６９４０１（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第２０１７／１３０７３１（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特開２０１７－１２３７４０（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２００２／００８４８７６（ＵＳ，Ａ１）

【文献】特開平０９－２４６８１３（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｐ ３／０８

Ｈ０５Ｋ １／０２

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

複数の絶縁体層が上下方向に積層された構造を有している積層体と、
前記積層体に設けられており、かつ、前記上下方向に直交する前後方向に延びている信号導体層と、
前記積層体に設けられており、かつ、前記上下方向に見て、前記信号導体層と重なるように、前記信号導体層の上に設けられている第１グランド導体層と、
を備えており、
複数の第１中空部及び複数の第２中空部が前記積層体に設けられており、
前記複数の第１中空部及び前記複数の第２中空部は、前記絶縁体層が存在しない空洞であり、
前記複数の第１中空部及び前記複数の第２中空部は、前記上下方向に見て、前記第１グランド導体層と重なっており、
前記前後方向に直交する方向を第１直交方向と定義し、及び、前記前後方向及び前記第１直交方向に直交する方向を第２直交方向と定義し、
前記第２直交方向は、第１方向及び前記第１方向の反対方向である第２方向を含んでおり、
前記第１直交方向に見て、前記複数の第１中空部は、前記信号導体層の前記第１方向において前記前後方向に並んでおり、
前記第１直交方向に見て、前記複数の第２中空部は、前記信号導体層の前記第２方向において前記前後方向に並んでおり、
前記前後方向に隣り合う２つの前記第１中空部の間に位置する領域のそれぞれを複数の第１領域と定義し、
前記前後方向に隣り合う２つの前記第２中空部の間に位置する領域のそれぞれを複数の第２領域と定義し、
前記複数の第１中空部のそれぞれは、前記第２直交方向に見て、前記複数の第２領域の対応する１つと重なっており、
前記複数の第２中空部のそれぞれは、前記第２直交方向に見て、前記複数の第１領域の対応する１つと重なっている、伝送線路。

【請求項2】

前記第１直交方向は、前記上下方向である、
請求項１に記載の伝送線路。

【請求項3】

前記第１直交方向は、左右方向である、
請求項１に記載の伝送線路。

【請求項4】

前記複数の絶縁体層は、接着層として機能する前記絶縁体層を含んでおり、
前記接着層は、前記絶縁体層のうちの、前記接着層の上に位置する１つの絶縁体層と前記絶縁体層のうちの、前記接着層の下に位置する１つの絶縁体層とを接合する、
請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の伝送線路。

【請求項5】

前記第１グランド導体層は、前記絶縁体層のうちの、前記接着層の上に位置する１つの絶縁体層に設けられており、
前記信号導体層は、前記接着層の下に位置する前記絶縁体層に設けられている、
請求項４に記載の伝送線路。

【請求項6】

前記複数の絶縁体層の材料は、熱可塑性樹脂である、
請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の伝送線路。

【請求項7】

前記複数の絶縁体層の内の１以上の前記絶縁体層の材料は多孔質材料である、
請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の伝送線路。

【請求項8】

前記複数の第１中空部それぞれは、同じ形状を有しており、
前記複数の第２中空部それぞれは、同じ形状を有している、
請求項１ないし請求項７のいずれかに記載の伝送線路。

【請求項9】

前記複数の第１中空部は、等間隔に並んでおり、
前記複数の第２中空部は、等間隔に並んでいる、
請求項１ないし請求項８のいずれかに記載の伝送線路。

【請求項10】

前記第１中空部のそれぞれの前端部は、前記第２直交方向に見て、前記第１中空部の前記第２方向に位置している前記第２領域のうちの１つの第２領域の前に位置する前記第２中空部のうちの１つの第２中空部と重なっており、
前記第１中空部のそれぞれの後端部は、前記第２直交方向に見て、前記第１中空部の前記第２方向に位置している前記第２領域のうちの１つの第２領域の後に位置する前記第２中空部のうちの１つの第２中空部と重なっており、
前記第２中空部のそれぞれの前端部は、前記第２直交方向に見て、前記第２中空部の前記第１方向に位置している前記第１領域のうちの１つの第２領域の前に位置する前記第１中空部のうちの１つの第２中空部と重なっており、
前記第２中空部のそれぞれの後端部は、前記第２直交方向に見て、前記第２中空部の前記第１方向に位置している前記第１領域のうちの１つの第２領域の後に位置する前記第１中空部のうちの１つの第２中空部と重なっている、
請求項１ないし請求項９のいずれかに記載の伝送線路。

【請求項11】

請求項１ないし請求項１０のいずれかに記載の伝送線路を、
備えている、
電子機器。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、高周波信号が伝送される伝送線路及び電子機器に関する。

【背景技術】

【0002】

従来の伝送線路に関する発明としては、例えば、特許文献１に記載のサスペンデッド線路が知られている。このサスペンデッド線路は、外導体、ストリップ導体及び誘電体基板を備えている。ストリップ導体は、誘電体基板の上主面に設けられている。ストリップ導体は、前後方向に延びている。外導体は、ストリップ導体と重なるように、ストリップ導体の上に設けられている。誘電体基板には複数の左貫通孔及び右貫通孔が設けられている。複数の左貫通孔は、ストリップ導体の左において前後方向に並んでいる。複数の右貫通孔は、ストリップ導体の右において前後方向に並んでいる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開昭６２－２６９４０１号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

ところで、特許文献１に記載のサスペンデッド線路では、ストリップ導体に発生する特性インピーダンスが大きく変化しやすい。より詳細には、複数の左貫通孔は、ストリップ導体の左に位置している。複数の右貫通孔は、ストリップ導体の右に位置している。そして、複数の左貫通孔の前後方向における位置は、複数の右貫通孔の前後方向における位置と一致している。そのため、ストリップ導体の左及び右に左貫通孔及び右貫通孔が存在する存在区間と、ストリップ導体の左及び右に左貫通孔及び右貫通孔が存在しない非存在区間とが形成される。存在区間では、ストリップ導体の周囲の誘電率が低くなる。一方、非存在区間では、ストリップ導体の周囲の誘電率が高くなる。その結果、存在区間においてストリップ導体に発生する特性インピーダンスと、非存在区間においてストリップ導体に発生する特性インピーダンスとの差が大きくなりやすい。以上より、特許文献１に記載のサスペンデッド線路では、ストリップ導体に発生する特性インピーダンスが大きく変化しやすい。

【0005】

そこで、本発明の目的は、信号導体層に発生している特性インピーダンスが大きく変化することを抑制できる伝送線路及び電子機器を提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明の一形態に係る伝送線路は、
複数の絶縁体層が上下方向に積層された構造を有している積層体と、
前記積層体に設けられており、かつ、前記上下方向に直交する前後方向に延びている信号導体層と、
前記積層体に設けられており、かつ、前記上下方向に見て、前記信号導体層と重なるように、前記信号導体層の上に設けられている第１グランド導体層と、
を備えており、
複数の第１中空部及び複数の第２中空部が前記積層体に設けられており、
前記複数の第１中空部及び前記複数の第２中空部は、前記絶縁体層が存在しない空洞であり、
前記複数の第１中空部及び前記複数の第２中空部は、前記上下方向に見て、前記第１グランド導体層と重なっており、
前記前後方向に直交する方向を第１直交方向と定義し、及び、前記前後方向及び前記第１直交方向に直交する方向を第２直交方向と定義し、
前記第２直交方向は、第１方向及び前記第１方向の反対方向である第２方向を含んでおり、
前記第１直交方向に見て、前記複数の第１中空部は、前記信号導体層の前記第１方向において前記前後方向に並んでおり、
前記第１直交方向に見て、前記複数の第２中空部は、前記信号導体層の前記第２方向において前記前後方向に並んでおり、
前記前後方向に隣り合う２つの前記第１中空部の間に位置する領域のそれぞれを複数の第１領域と定義し、
前記前後方向に隣り合う２つの前記第２中空部の間に位置する領域のそれぞれを複数の第２領域と定義し、
前記複数の第１中空部のそれぞれは、前記第２直交方向に見て、前記複数の第２領域の対応する１つと重なっており、
前記複数の第２中空部のそれぞれは、前記第２直交方向に見て、前記複数の第１領域の対応する１つと重なっている。

【発明の効果】

【0007】

本発明に係る伝送線路及び電子機器によれば、信号導体層に発生している特性インピーダンスが大きく変化することを抑制できる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】図１は、伝送線路１０の分解斜視図である。

【図2】図２は、図１の絶縁体層１６ｃの上面図である。

【図3】図３は、図２のＡ－Ａ，Ｂ－Ｂ，Ｃ－Ｃにおける断面図である。

【図4】図４は、伝送線路１０を備える電子機器１の内部構造の左面図である。

【図5】図５は、伝送線路１０ａの絶縁体層１６ｃの上面図である。

【図6】図６は、伝送線路１０ｂの絶縁体層１６ｃの上面図である。

【図7】図７は、伝送線路１０ｃの絶縁体層１６ｃの上面図である。

【図8】図８は、伝送線路１０ｄの絶縁体層１６ｃ，１８ａ，１８ｂの上面図である。

【図9】図９は、伝送線路１０ｅの絶縁体層１６ｃ，１８ａ，１８ｂの上面図である。

【図10】図１０は、伝送線路１０ｆの分解斜視図である。

【図11】図１１は、伝送線路１０ｇの分解斜視図である。

【図12】図１２は、伝送線路１０ｈの絶縁体層１６ｃの上面図である。

【図13】図１３は、伝送線路１０ｉの絶縁体層１６ｃの上面図である。

【図14】図１４は、伝送線路１０ｊの絶縁体層１６ｃの上面図である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

（実施形態）
［伝送線路の構造］
以下に、本発明の実施形態に係る伝送線路１０の構造について図面を参照しながら説明する。図１は、伝送線路１０の分解斜視図である。なお、図１では、複数の層間接続導体ｖ１及び複数の層間接続導体ｖ２の内の代表的な層間接続導体ｖ１，ｖ２にのみ参照符号を付した。図１では、複数の第１中空部Ｈ１及び複数の第２中空部Ｈ２の内の代表的な第１中空部Ｈ１及び第２中空部Ｈ２にのみ参照符号を付した。図２は、図１の絶縁体層１６ｃの上面図である。図３は、図２のＡ－Ａ，Ｂ－Ｂ，Ｃ－Ｃにおける断面図である。

【0010】

本明細書において、方向を以下のように定義する。伝送線路１０の積層体１２の積層方向を上下方向と定義する。また、伝送線路１０の信号導体層２２が延びている方向を前後方向と定義する。また、信号導体層２２の線幅方向を左右方向と定義する。上下方向は、前後方向に直交する。左右方向は、上下方向及び前後方向に直交する。また、本実施形態において、第１直交方向は、上下方向である。第２直交方向は、左右方向である。また、左右方向は、左方向及び左方向の反対方向である右方向を含んでいる。本実施形態において、第１方向は、左方向である。第２方向は、右方向である。

【0011】

以下では、Ｘは、伝送線路１０の部品又は部材である。本明細書において、特に断りのない場合には、Ｘの各部について以下のように定義する。Ｘの前部とは、Ｘの前半分を意味する。Ｘの後部とは、Ｘの後半分を意味する。Ｘの左部とは、Ｘの左半分を意味する。Ｘの右部とは、Ｘの右半分を意味する。Ｘの上部とは、Ｘの上半分を意味する。Ｘの下部とは、Ｘの下半分を意味する。Ｘの前端とは、Ｘの前方向の端を意味する。Ｘの後端とは、Ｘの後方向の端を意味する。Ｘの左端とは、Ｘの左方向の端を意味する。Ｘの右端とは、Ｘの右方向の端を意味する。Ｘの上端とは、Ｘの上方向の端を意味する。Ｘの下端とは、Ｘの下方向の端を意味する。Ｘの前端部とは、Ｘの前端及びその近傍を意味する。Ｘの後端部とは、Ｘの後端及びその近傍を意味する。Ｘの左端部とは、Ｘの左端及びその近傍を意味する。Ｘの右端部とは、Ｘの右端及びその近傍を意味する。Ｘの上端部とは、Ｘの上端及びその近傍を意味する。Ｘの下端部とは、Ｘの下端及びその近傍を意味する。

【0012】

まず、図１を参照しながら、伝送線路１０の構造について説明する。伝送線路１０は、高周波信号を伝送する。伝送線路１０は、スマートフォン等の電子機器において、２つの回路を電気的に接続するために用いられる。伝送線路１０は、図１に示すように、積層体１２、信号導体層２２、第１グランド導体層２４、第２グランド導体層２６、信号端子２８ａ，２８ｂ、グランド端子２９ａ，２９ｂ，３０ａ，３０ｂ、複数の層間接続導体ｖ１、複数の層間接続導体ｖ２及び層間接続導体ｖ３～ｖ８を備えている。

【0013】

積層体１２は、板形状を有している。従って、積層体１２は、上主面及び下主面を有している。積層体１２の上主面及び下主面は、前後方向に延びる長辺を有する長方形状を有している。従って、積層体１２の前後方向における長さは、積層体１２の左右方向における長さより長い。

【0014】

積層体１２は、図１に示すように、絶縁体層１６ａ～１６ｄ，１８ａ～１８ｃを含んでいる。積層体１２は、絶縁体層１６ａ～１６ｄ，１８ａ～１８ｃが上下方向に積層された構造を有している。絶縁体層１６ａ，１８ａ，１６ｂ，１８ｃ，１６ｃ，１８ｂ，１６ｄは、上から下へとこの順に並んでいる。絶縁体層１６ａ～１６ｄ，１８ａ～１８ｃは、上下方向に見て、積層体１２と同じ長方形状を有している。絶縁体層１６ａ～１６ｄは、可撓性を有する誘電体シートである。絶縁体層１６ａ～１６ｄの材料は、例えば、熱可塑性樹脂である。熱可塑性樹脂は、例えば、液晶ポリマー、ＰＴＦＥ（ポリテトラフロオロエチレン）等の熱可塑性樹脂である。絶縁体層１６ａ～１６ｄの材料は、ポリイミドであってもよい。

【0015】

絶縁体層１８ａ～１８ｃは、接着層として機能する絶縁体層である。従って、絶縁体層１８ａ（接着層）は、絶縁体層１８ａ（接着層）の上に位置する絶縁体層１６ａと絶縁体層１８ａ（接着層）の下に位置する絶縁体層１６ｂとを接合する。絶縁体層１８ｂ（接着層）は、絶縁体層１８ｂ（接着層）の上に位置する絶縁体層１６ｃと絶縁体層１８ｂ（接着層）の下に位置する絶縁体層１６ｄとを接合する。絶縁体層１８ｃは、絶縁体層１６ｂと絶縁体層１６ｃとを接合する。そのため、絶縁体層１８ａ～１８ｃの材料は、絶縁体層１６ａ～１６ｄの材料と異なる。絶縁体層１８ａ～１８ｃの材料は、例えば、エポキシ樹脂やフッ素樹脂やアクリル樹脂等である。

【0016】

信号導体層２２は、図１に示すように、積層体１２に設けられている。信号導体層２２は、絶縁体層１８ｃ（接着層）の下に位置する絶縁体層１６ｃに設けられている。本実施形態では、信号導体層２２は、絶縁体層１６ｃの上主面に設けられている。これにより、信号導体層２２は、積層体１２内に設けられている。信号導体層２２は、線形状を有している。信号導体層２２は、上下方向に直交する前後方向に延びている。信号導体層２２は、絶縁体層１６ｃの上主面の左右方向における中央に位置している。

【0017】

第１グランド導体層２４は、図１に示すように、積層体１２に設けられている。第１グランド導体層２４は、上下方向に見て、信号導体層２２と重なるように、信号導体層２２の上に設けられている。第１グランド導体層２４は、絶縁体層１８ａ（接着層）の上に位置する絶縁体層１６ａに設けられている。本実施形態では、第１グランド導体層２４は、絶縁体層１６ａの下主面に設けられている。また、第１グランド導体層２４は、絶縁体層１６ａの下主面の略全面を覆っている。

【0018】

第２グランド導体層２６は、図１に示すように、積層体１２に設けられている。第２グランド導体層２６は、上下方向に見て、信号導体層２２と重なるように、信号導体層２２の下に設けられている。本実施形態では、第２グランド導体層２６は、絶縁体層１６ｄの上主面に設けられている。また、第２グランド導体層２６は、絶縁体層１６ｄの上主面の略全面を覆っている。以上のような信号導体層２２、第１グランド導体層２４及び第２グランド導体層２６は、ストリップライン構造を有している。

【0019】

複数の層間接続導体ｖ１，ｖ２は、第１グランド導体層２４と第２グランド導体層２６とを電気的に接続している。より詳細には、複数の層間接続導体ｖ１，ｖ２は、絶縁体層１６ｂ，１６ｃ，１８ａ～１８ｃを上下方向に貫通している。複数の層間接続導体ｖ１，ｖ２の上端部は、第１グランド導体層２４に接続されている。複数の層間接続導体ｖ１，ｖ２の下端部は、第２グランド導体層２６に接続されている。複数の層間接続導体ｖ１は、信号導体層２２の左に設けられている。複数の層間接続導体ｖ１は、前後方向において等間隔に一列に並んでいる。複数の層間接続導体ｖ２は、信号導体層２２の右に設けられている。複数の層間接続導体ｖ２は、前後方向において等間隔に一列に並んでいる。

【0020】

信号端子２８ａは、積層体１２の上主面に設けられている。より詳細には、信号端子２８ａは、絶縁体層１６ａの上主面の前端部に設けられている。信号端子２８ａは、上下方向に見て、信号導体層２２の前端部と重なっている。信号端子２８ａは、上下方向に見て、長方形状を有している。

【0021】

層間接続導体ｖ３は、信号端子２８ａと信号導体層２２とを電気的に接続している。具体的には、層間接続導体ｖ３は、絶縁体層１６ａ，１６ｂ，１８ａ，１８ｃを上下方向に貫通している。層間接続導体ｖ３の上端は、信号端子２８ａに接続されている。層間接続導体ｖ３の下端は、信号導体層２２の前端部に接続されている。これにより、信号端子２８ａは、信号導体層２２と電気的に接続されている。また、層間接続導体ｖ３が第１グランド導体層２４と絶縁されるように、層間接続導体ｖ３の周囲には第１グランド導体層２４が設けられていない。高周波信号は、信号端子２８ａを介して、信号導体層２２に入出力する。

【0022】

なお、信号端子２８ｂ及び層間接続導体ｖ４は、信号端子２８ａ及び層間接続導体ｖ３と前後対称な構造を有する。従って、信号端子２８ｂ及び層間接続導体ｖ４の説明を省略する。

【0023】

グランド端子２９ａは、積層体１２の上主面に設けられている。より詳細には、グランド端子２９ａは、絶縁体層１６ａの上主面の前端部に設けられている。グランド端子２９ａは、信号端子２８ａの左に設けられている。グランド端子２９ａは、上下方向に見て、第１グランド導体層２４と重なっている。グランド端子２９ａは、上下方向に見て、長方形状を有している。

【0024】

層間接続導体ｖ５は、グランド端子２９ａと第１グランド導体層２４と第２グランド導体層２６とを電気的に接続している。具体的には、層間接続導体ｖ５は、絶縁体層１６ａ～１６ｃ，１８ａ～１８ｃを上下方向に貫通している。層間接続導体ｖ５の上端は、グランド端子２９ａに接続されている。層間接続導体ｖ５の中間部は、第１グランド導体層２４に接続されている。層間接続導体ｖ５の下端は、第２グランド導体層２６に接続されている。これにより、グランド端子２９ａは、第１グランド導体層２４及び第２グランド導体層２６に電気的に接続されている。第１グランド導体層２４及び第２グランド導体層２６は、グランド端子２９ａを介して、グランド電位に接続される。なお、グランド端子３０ａ及び層間接続導体ｖ６は、グランド端子２９ａ及び層間接続導体ｖ５の構造と左右対称な構造を有する。従って、グランド端子３０ａ及び層間接続導体ｖ６の説明を省略する。

【0025】

また、グランド端子２９ｂ，３０ｂ及び層間接続導体ｖ７，ｖ８は、グランド端子２９ａ，３０ａ及び層間接続導体ｖ５，ｖ６の構造と前後対称な構造を有する。従って、グランド端子２９ｂ，３０ｂ及び層間接続導体ｖ７，ｖ８の説明を省略する。

【0026】

以上のような信号導体層２２、第１グランド導体層２４、第２グランド導体層２６、信号端子２８ａ，２８ｂ及びグランド端子２９ａ，２９ｂ，３０ａ，３０ｂは、例えば、絶縁体層１６ａ～１６ｄの上主面又は下主面に設けられた金属箔にエッチングが施されることにより形成されている。金属箔は、例えば、銅箔である。また、層間接続導体ｖ１～ｖ８は、例えば、スルーホール導体である。スルーホール導体は、絶縁体層１６ａ～１６ｄ，１８ａ，１８ｂの一部又は全部を貫通する貫通孔を形成し、貫通孔にメッキを施すことにより作製される。なお、層間接続導体ｖ１～ｖ８は、ビアホール導体であってもよい。ビアホール導体は、絶縁体層１６ａ～１６ｄ，１８ａ，１８ｂに貫通孔を形成し、貫通孔に導電性ペーストを充填し、導電性ペーストを焼結させることにより作製される。

【0027】

次に、図１ないし図３を参照しながら第１中空部Ｈ１及び第２中空部Ｈ２について説明する。複数の第１中空部Ｈ１が積層体１２に設けられている。複数の第１中空部Ｈ１は、絶縁体層１６ｂ，１６ｃが存在しない空洞である。本明細書において、中空部には、絶縁体層にエッチングを施すことにより発生する樹脂残差が存在していてもよい。ただし、中空部は、樹脂が存在しない空間であるので、樹脂残差は、中空部の一部ではない。より詳細には、上下方向（第１直交方向）に見て、複数の第１中空部Ｈ１は、信号導体層２２の左（第１方向）において前後方向に並んでいる。複数の第１中空部Ｈ１は、一列に並んでいる。複数の第１中空部Ｈ１は、等間隔に並んでいる。また、複数の第１中空部Ｈ１のそれぞれは、同じ形状を有している。具体的には、複数の第１中空部Ｈ１は、絶縁体層１６ｂ，１６ｃを上下方向に貫通している。すなわち、複数の第１中空部Ｈ１は、信号導体層２２が設けられている絶縁体層１６ｃを上下方向に貫通している。これにより、左右方向に見て、複数の第１中空部Ｈ１は、信号導体層２２と重なっている。複数の第１中空部Ｈ１は、図２に示すように、上下方向に見て、長方形状を有している。複数の第１中空部Ｈ１の長辺は、前後方向に延びている。複数の第１中空部Ｈ１の短辺は、左右方向に延びている。以上のような複数の第１中空部Ｈ１は、上下方向に見て、第１グランド導体層２４と重なっている。

【0028】

また、図２に示すように、前後方向に隣り合う２つの第１中空部Ｈ１の間に位置する領域のそれぞれを第１領域Ａ１１と定義する。複数の第１領域Ａ１１は、前後方向に等間隔に並んでいる。なお、図２では、代表的な１つの第１領域Ａ１１にのみ参照符号を付した。

【0029】

複数の第２中空部Ｈ２が積層体１２に設けられている。複数の第２中空部Ｈ２は、絶縁体層１６ｂ，１６ｃが存在しない空洞である。複数の第２中空部Ｈ２は、複数の第１中空部Ｈ１と同じ形状を有している。より詳細には、上下方向（第１直交方向）に見て、複数の第２中空部Ｈ２は、信号導体層２２の右（第２方向）において前後方向に並んでいる。複数の第２中空部Ｈ２は、一列に並んでいる。複数の第２中空部Ｈ２は、等間隔に並んでいる。また、複数の第２中空部Ｈ２のそれぞれは、同じ形状を有している。具体的には、複数の第２中空部Ｈ２は、絶縁体層１６ｂ，１６ｃを上下方向に貫通している。すなわち、複数の第２中空部Ｈ２は、信号導体層２２が設けられている絶縁体層１６ｃを上下方向に貫通している。これにより、左右方向に見て、複数の第２中空部Ｈ２は、信号導体層２２と重なっている。複数の第２中空部Ｈ２は、図２に示すように、上下方向に見て、長方形状を有している。複数の第２中空部Ｈ２の長辺は、前後方向に延びている。複数の第２中空部Ｈ２の短辺は、左右方向に延びている。以上のような複数の第２中空部Ｈ２は、上下方向に見て、第１グランド導体層２４と重なっている。

【0030】

また、図２に示すように、前後方向に隣り合う２つの第２中空部Ｈ２の間に位置する領域のそれぞれを第２領域Ａ１２と定義する。複数の第２領域Ａ１２は、前後方向に等間隔に並んでいる。なお、図２では、代表的な１つの第２領域Ａ１２にのみ参照符号を付した。

【0031】

上記のように、複数の第１中空部Ｈ１及び複数の第２中空部Ｈ２のそれぞれは、周期的に並んでいる。複数の第１中空部Ｈ１の一周期の長さＬ１１は、複数の第２中空部Ｈ２の一周期の長さＬ１２と等しい。複数の第１中空部Ｈ１の一周期の長さＬ１１は、第１中空部Ｈ１の前後方向における長さａ１と第１領域Ａ１１の前後方向における長さａ２との合計の長さである。複数の第２中空部Ｈ２の一周期の長さＬ１２は、第２中空部Ｈ２の前後方向における長さｂ１と第２領域Ａ１２の前後方向における長さｂ２との合計の長さである。ただし、複数の第１中空部Ｈ１の前後方向における位置と複数の第２中空部Ｈ２の前後方向における位置とは、半周期の長さだけ前後にずれている。これにより、複数の第１中空部Ｈ１のそれぞれは、複数の第２領域Ａ１２の左（第１方向）に位置している。すなわち、複数の第１中空部Ｈ１のそれぞれは、左右方向（第２直交方向）に見て、複数の第２領域Ａ１２と重なっている。複数の第２中空部Ｈ２のそれぞれは、複数の第１領域Ａ１１の右（第２方向）に位置している。すなわち、複数の第２中空部Ｈ２のそれぞれは、左右方向（第２直交方向）に見て、複数の第１領域Ａ１１と重なっている。

【0032】

ただし、複数の第１中空部Ｈ１の前後方向における長さａ１は、複数の第１領域Ａ１１の前後方向における長さａ２より長い。複数の第２中空部Ｈ２の前後方向における長さｂ１は、複数の第２領域Ａ１２の前後方向における長さｂ２より長い。その結果、第１中空部Ｈ１の前端部は、左右方向（第２直交方向）に見て、第１中空部Ｈ１の右前に位置する第２中空部Ｈ２と重なっている。すなわち、第１中空部Ｈ１の前端部は、左右方向（第２直交方向）に見て、第１中空部Ｈ１の右（第２方向）に位置している第２領域Ａ１２の前に位置する第２中空部Ｈ２と重なっている。第１中空部Ｈ１の後端部は、左右方向（第２直交方向）に見て、第１中空部Ｈ１の右後に位置する第２中空部Ｈ２と重なっている。すなわち、第１中空部Ｈ１の後端部は、左右方向（第２直交方向）に見て、第１中空部Ｈ１の右（第２方向）に位置している第２領域Ａ１２の後に位置する第２中空部Ｈ２と重なっている。第２中空部Ｈ２の前端部は、左右方向（第２直交方向）に見て、第２中空部Ｈ２の左前に位置する第１中空部Ｈ１と重なっている。すなわち、第２中空部Ｈ２の前端部は、左右方向（第２直交方向）に見て、第２中空部Ｈ２の左（第１方向）に位置している第１領域Ａ１１の前に位置する第１中空部Ｈ１と重なっている。第２中空部Ｈ２の後端部は、左右方向（第２直交方向）に見て、第２中空部Ｈ２の左後に位置する第１中空部Ｈ１と重なっている。すなわち、第２中空部Ｈ２の後端部は、左右方向（第２直交方向）に見て、第２中空部Ｈ２の左（第１方向）に位置している第１領域Ａ１１の後に位置する第１中空部Ｈ１と重なっている。

【0033】

次に、図１及び図３を参照しながら第３中空部Ｈ３及び第４中空部Ｈ４について説明する。第３中空部Ｈ３が積層体１２に設けられている。第３中空部Ｈ３は、絶縁体層１８ａが存在しない空洞である。第３中空部Ｈ３は、絶縁体層１８ａを上下方向に貫通している。第３中空部Ｈ３は、上下方向に見て、長方形状を有している。第３中空部Ｈ３の長辺は、前後方向に延びている。第３中空部Ｈ３の短辺は、左右方向に延びている。第３中空部Ｈ３は、上下方向に見て、複数の第１中空部Ｈ１、複数の第２中空部Ｈ２及び信号導体層２２と重なっている。ただし、第３中空部Ｈ３は、上下方向に見て、信号導体層２２の両端部と重なっていない。これにより、第３中空部Ｈ３は、複数の第１中空部Ｈ１及び複数の第２中空部Ｈ２と繋がっている。

【0034】

次に、第４中空部Ｈ４が積層体１２に設けられている。第４中空部Ｈ４は、第３中空部Ｈ３と同じ形状を有している。第４中空部Ｈ４は、絶縁体層１８ｂが存在しない空洞である。第４中空部Ｈ４は、絶縁体層１８ｂを上下方向に貫通している。第４中空部Ｈ４は、上下方向に見て、長方形状を有している。第４中空部Ｈ４の長辺は、前後方向に延びている。第４中空部Ｈ４の短辺は、左右方向に延びている。第４中空部Ｈ４は、上下方向に見て、複数の第１中空部Ｈ１、複数の第２中空部Ｈ２及び信号導体層２２と重なっている。ただし、第４中空部Ｈ４は、上下方向に見て、信号導体層２２の両端と重なっていない。これにより、第４中空部Ｈ４は、複数の第１中空部Ｈ１及び複数の第２中空部Ｈ２と繋がっている。

【0035】

［電子機器の構造］
次に、伝送線路１０を備える電子機器１の構造について図面を参照しながら説明する。図４は、伝送線路１０を備える電子機器１の内部構造の左面図である。電子機器１は、例えば、携帯無線通信端末である。電子機器１は、例えば、スマートフォンである。

【0036】

伝送線路１０は、図４に示すように、折り曲げられる。「伝送線路１０が折り曲げられる」とは、伝送線路１０に外力が加えられることにより伝送線路１０が変形して曲がっていることを意味する。変形は、弾性変形でもよいし、塑性変形でもよいし、弾性変形及び塑性変形でもよい。以下では、伝送線路１０が折り曲げられる区間を曲げ区間Ａ２と呼ぶ。伝送線路１０が折り曲げられない区間を非曲げ区間Ａ１，Ａ３と呼ぶ。そして、電子機器１におけるｘ軸、ｙ軸及びｚ軸を以下の様に定義する。ｘ軸は、非曲げ区間Ａ１での前後方向である。ｙ軸は、非曲げ区間Ａ１での左右方向である。ｚ軸は、非曲げ区間Ａ１での上下方向である。非曲げ区間Ａ１、曲げ区間Ａ２及び非曲げ区間Ａ３は、ｘ軸の正方向に向かってこの順に並んでいる。

【0037】

図４に示すように、曲げ区間Ａ２はｚ軸方向に折り曲げられる。従って、上下方向及び前後方向は、図４に示すように、伝送線路１０の位置によって異なる。積層体１２が折り曲げられていない非曲げ区間Ａ１及び非曲げ区間Ａ３（例えば、（１）の位置）では、上下方向及び前後方向のそれぞれは、ｚ軸方向及びｘ軸方向と一致する。一方、積層体１２が折り曲げられている曲げ区間Ａ２（例えば、（２）の位置）では、上下方向及び前後方向のそれぞれは、ｚ軸方向及びｘ軸方向と一致しない。

【0038】

電子機器１は、図４に示すように、伝送線路１０、コネクタ３２ａ，３２ｂ，１０２ａ，１０２ｂ、回路基板１００，１１０を備えている。

【0039】

回路基板１００，１１０は、板形状を有している。回路基板１００は、主面Ｓ５，Ｓ６を有している。主面Ｓ５は、主面Ｓ６よりｚ軸の負方向側に位置する。回路基板１１０は、主面Ｓ１１，Ｓ１２を有している。主面Ｓ１１は、主面Ｓ１２よりｚ軸の負方向側に位置する。回路基板１００，１１０は、図示しない配線導体層やグランド導体層、電極等を含んでいる。

【0040】

コネクタ３２ａ，３２ｂのそれぞれは、非曲げ区間Ａ１及び非曲げ区間Ａ３のｚ軸の正方向側の主面（上主面）に実装されている。より詳細には、コネクタ３２ａは、信号端子２８ａ及びグランド端子２９ａ，３０ａに実装される。コネクタ３２ｂは、信号端子２８ｂ及びグランド端子２９ｂ，３０ｂに実装される。

【0041】

コネクタ１０２ａ，１０２ｂのそれぞれは、回路基板１００の主面Ｓ５及び回路基板１１０の主面Ｓ１１に実装されている。コネクタ１０２ａ，１０２ｂのそれぞれは、コネクタ３２ａ，３２ｂに接続されている。これにより、伝送線路１０は、回路基板１００と回路基板１１０とを電気的に接続している。

【0042】

［効果］
伝送線路１０によれば、信号導体層２２に発生している特性インピーダンスが大きく変化することを抑制できる。より詳細には、複数の第１中空部Ｈ１及び複数の第２中空部Ｈ２のそれぞれは、周期的に並んでいる。複数の第１中空部Ｈ１の一周期の長さＬ１１は、複数の第２中空部Ｈ２の一周期の長さＬ１２と等しい。ただし、複数の第１中空部Ｈ１の位置と複数の第２中空部Ｈ２の位置とは、半周期の長さだけ前後にずれている。これにより、複数の第１中空部Ｈ１のそれぞれは、左右方向に見て、複数の第２領域Ａ１２と重なっている。複数の第２中空部Ｈ２のそれぞれは、左右方向に見て、複数の第１領域Ａ１１と重なっている。これにより、信号導体層２２の左又は右の少なくとも一方に第１中空部Ｈ１又は第２中空部Ｈ２が存在するようになる。すなわち、信号導体層２２の左及び右の両方に第１中空部Ｈ１及び第２中空部Ｈ２のいずれもが存在しない区間が、信号導体層２２に発生しにくくなる。よって、第１領域Ａ１１と第２領域Ａ１２とが左右方向に並びにくくなる。その結果、信号導体層２２の周囲の誘電率が高くなりすぎることが抑制される。信号導体層２２に発生する特性インピーダンスが低くなりすぎることが抑制される。以上より、伝送線路１０によれば、信号導体層２２に発生している特性インピーダンスが大きく変化することを抑制できる。これにより、伝送線路１０において、高周波信号の反射が抑制される。

【0043】

伝送線路１０によれば、信号導体層２２に発生している特性インピーダンスの変化の一周期の長さを短くできる。より詳細には、特許文献１に記載のサスペンデッド線路は、複数の存在区間と複数の非存在区間とが交互に並ぶ構造を有している。存在区間は、ストリップ導体の左及び右に左貫通孔及び右貫通孔が存在する区間である。非存在区間は、ストリップ導体の左及び右に左貫通孔及び右貫通孔が存在しない区間である。存在区間では、ストリップ導体に発生する特性インピーダンスが高くなる。非存在区間では、ストリップ導体に発生する特性インピーダンスが低くなる。これにより、ストリップ導体に発生している特性インピーダンスは、周期的に変化する。ストリップ導体に発生している特性インピーダンスの変化の一周期の長さは、１つの存在区間の長さ及び１つの非存在区間の長さの合計の長さである。

【0044】

一方、伝送線路１０は、前後方向に隣り合う２つの層間接続導体ｖ１間において、図２のＡ－Ａ断面の構造、図２のＢ－Ｂ断面の構造及び図２のＣ－Ｃ断面の構造を有する。従って、前後方向に隣り合う２つの層間接続導体ｖ１間において、信号導体層２２に発生している特性インピーダンスは、高い特性インピーダンスから低い特性インピーダンスへと変化し、低い特性インピーダンスから高い特性インピーダンスへと変化する。よって、信号導体層２２に発生している特性インピーダンスは、周期的に変化する。信号導体層２２に発生している特性インピーダンスの変化の一周期の長さは、前後方向に隣り合う２つの層間接続導体ｖ１の距離Ｄ１（図２参照）の半分である。

【0045】

ここで、前後方向に隣り合う２つの層間接続導体ｖ１の距離Ｄ１は、第１中空部Ｈ１の前後方向における長さａ１及び第１領域Ａ１１の前後方向における長さａ２との合計の長さである。従って、前後方向に隣り合う２つの層間接続導体ｖ１の距離Ｄ１は、特許文献１に記載のサスペンデッド線路の存在区間の長さ及び非存在区間の長さの合計の長さに相当する。その結果、信号導体層２２に発生している特性インピーダンスの変化の一周期の長さは、ストリップ導体に発生している特性インピーダンスの変化の一周期の長さの半分である。以上より、伝送線路１０によれば、信号導体層２２に発生している特性インピーダンスの変化の一周期の長さを短くできる。これにより、信号導体層２２に発生しうる定常波の周波数が高くなる。そのため、信号導体層２２を伝送される高周波信号により定常波が発生しにくくなる。

【0046】

伝送線路１０によれば、複数の第１中空部Ｈ１及び複数の第２中空部Ｈ２が変形することが抑制される。より詳細には、複数の第１領域Ａ１１及び複数の第２領域Ａ１２が位置する区間では、伝送線路１０が変形しにくい。そこで、複数の第１領域Ａ１１と複数の第２領域Ａ１２とが設けられる位置が、伝送線路１０において多くなればよい。そこで、複数の第１中空部Ｈ１のそれぞれは、左右方向（第２直交方向）に見て、複数の第２領域Ａ１２と重なっている。複数の第２中空部Ｈ２のそれぞれは、左右方向（第２直交方向）に見て、複数の第１領域Ａ１１と重なっている。これにより、第２領域Ａ１２は、前後方向に隣り合う２つの第１領域Ａ１１の間に位置するようになる。また、第１領域Ａ１１は、前後方向に隣り合う２つの第２領域Ａ１２の間に位置するようになる。よって、複数の第１領域Ａ１１と複数の第２領域Ａ１２とが設けられる位置が、伝送線路１０において多くなる。その結果、伝送線路１０によれば、複数の第１中空部Ｈ１及び複数の第２中空部Ｈ２が変形することが抑制される。よって、複数の第１中空部Ｈ１及び複数の第２中空部Ｈ２の変形によって信号導体層２２に発生している特性インピーダンスが変化することが抑制される。

【0047】

（第１変形例）
以下に、第１変形例に係る伝送線路１０ａについて図面を参照しながら説明する。図５は、伝送線路１０ａの絶縁体層１６ｃの上面図である。

【0048】

伝送線路１０ａは、伝送線路１０と以下の点において相違する。曲げ区間Ａ２における複数の第１中空部Ｈ１の一周期の長さＬ１３及び複数の第２中空部Ｈ２の一周期の長さＬ１４は、非曲げ区間Ａ１，Ａ３における複数の第１中空部Ｈ１の一周期の長さＬ１１及び複数の第２中空部Ｈ２の一周期の長さＬ１２より短い。それに伴い、曲げ区間Ａ２における複数の第１中空部Ｈ１の前後方向における長さａ１１及び複数の第２中空部Ｈ２の前後方向における長さｂ１１は、非曲げ区間Ａ１，Ａ３における複数の第１中空部Ｈ１の前後方向における長さａ１及び複数の第２中空部Ｈ２の前後方向における長さｂ１より短い。伝送線路１０ａのその他の構造は、伝送線路１０と同じであるので説明を省略する。

【0049】

伝送線路１０ａによれば、伝送線路１０と同じ作用効果を奏する。また、伝送線路１０ａによれば、曲げ区間Ａ２において複数の第１中空部Ｈ１及び複数の第２中空部Ｈ２が変形することが抑制される。より詳細には、曲げ区間Ａ２には、積層体１２に応力が発生する。そのため、曲げ区間Ａ２における複数の第１中空部Ｈ１及び複数の第２中空部Ｈ２は、非曲げ区間Ａ１，Ａ３における複数の第１中空部Ｈ１及び複数の第２中空部Ｈ２より変形しやすい。そこで、曲げ区間Ａ２における複数の第１中空部Ｈ１及び複数の第２中空部Ｈ２の変形を抑制したい。

【0050】

そこで、曲げ区間Ａ２における複数の第１中空部Ｈ１の前後方向における長さａ１１及び複数の第２中空部Ｈ２の前後方向における長さｂ１１は、非曲げ区間Ａ１，Ａ３における複数の第１中空部Ｈ１の前後方向における長さａ１及び複数の第２中空部Ｈ２の前後方向における長さｂ１より短い。これにより、単位長さ当たりの曲げ区間Ａ２に出現する第１領域Ａ１１及び第２領域Ａ１２の数は、単位長さ当たりの非曲げ区間Ａ１，Ａ３に出現する第１領域Ａ１１及び第２領域Ａ１２より多くなる。複数の第１領域Ａ１１及び複数の第２領域Ａ１２が位置する区間では、伝送線路１０ａが変形しにくい。そのため、伝送線路１０ａでは、曲げ区間Ａ２において複数の第１中空部Ｈ１及び複数の第２中空部Ｈ２が変形することが抑制される。

【0051】

（第２変形例）
以下に、第２変形例に係る伝送線路１０ｂについて図面を参照しながら説明する。図６は、伝送線路１０ｂの絶縁体層１６ｃの上面図である。

【0052】

伝送線路１０ｂは、複数の第１中空部Ｈ１の一周期の長さＬ１１及び複数の第２中空部Ｈ２の一周期の長さＬ１２が短い点において、伝送線路１０と相違する。前後方向に隣り合う２つの層間接続導体ｖ１の間に、３つの第１中空部Ｈ１が設けられている。そして、複数の第１中空部Ｈ１の前後方向における長さａ１は、第１領域Ａ１１の前後方向における長さａ２より短い。前後方向に隣り合う２つの層間接続導体ｖ２の間に、３つの第２中空部Ｈ２が設けられている。そして、複数の第２中空部Ｈ２の前後方向における長さｂ１は、第２領域Ａ１２の前後方向における長さｂ２より短い。伝送線路１０ｂのその他の構造は、伝送線路１０と同じであるので説明を省略する。

【0053】

伝送線路１０ｂによれば、伝送線路１０と同じ作用効果を奏する。また、伝送線路１０ｂによれば、複数の第１中空部Ｈ１及び複数の第２中空部Ｈ２が変形することが抑制される。より詳細には、複数の第１中空部Ｈ１の前後方向における長さａ１及び複数の第２中空部Ｈ２の前後方向における長さｂ１が短い。これにより、単位長さ当たりの伝送線路１０ｂに出現する第１領域Ａ１１及び第２領域Ａ１２の数が多くなる。複数の第１領域Ａ１１及び複数の第２領域Ａ１２が位置する区間では、伝送線路１０ｂが変形しにくい。そのため、伝送線路１０ｂでは、複数の第１中空部Ｈ１及び複数の第２中空部Ｈ２が変形することが抑制される。

【0054】

（第３変形例）
以下に、第３変形例に係る伝送線路１０ｃについて図面を参照しながら説明する。図７は、伝送線路１０ｃの絶縁体層１６ｃの上面図である。

【0055】

伝送線路１０ｃは、複数の第１中空部Ｈ１の前後方向における長さａ１及び複数の第２中空部Ｈ２の前後方向における長さｂ１において、伝送線路１０と相違する。より詳細には、複数の第１中空部Ｈ１は、左右方向に見て、複数の第２中空部Ｈ２と重なっていない。第１中空部Ｈ１の前端の前後方向における位置は、第１中空部Ｈ１の右前に位置する第２中空部Ｈ２の後端の前後方向における位置と一致する。第１中空部Ｈ１の後端の前後方向における位置は、第１中空部Ｈ１の右後に位置する第２中空部Ｈ２の前端の前後方向における位置と一致する。伝送線路１０ｃのその他の構造は、伝送線路１０と同じであるので説明を省略する。

【0056】

伝送線路１０ｃによれば、伝送線路１０と同じ作用効果を奏する。また、伝送線路１０ｃによれば、信号導体層２２に発生している特性インピーダンスが変化することがより抑制される。より詳細には、伝送線路１０ｃでは、信号導体層２２の左又は右には、第１中空部Ｈ１又は第２中空部Ｈ２のいずれか一方が位置している。換言すれば、信号導体層２２の左及び右に、第１中空部Ｈ１及び第２中空部Ｈ２の両方が位置しない。これにより、信号導体層２２の周囲の誘電率が変化しにくくなる。よって、伝送線路１０ｃによれば、信号導体層２２に発生している特性インピーダンスが変化することがより抑制される。

【0057】

（第４変形例）
以下に、第４変形例に係る伝送線路１０ｄについて図面を参照しながら説明する。図８は、伝送線路１０ｄの絶縁体層１６ｃ，１８ａ，１８ｂの上面図である。

【0058】

伝送線路１０ｄでは、複数の第１中空部Ｈ１１が絶縁体層１８ａに設けられ、かつ、複数の第２中空部Ｈ１２が絶縁体層１８ｂに設けられている点において、伝送線路１０と相違する。伝送線路１０ｄでは、第１直交方向は、左右方向である。

【0059】

左右方向（第１直交方向）に見て、複数の第１中空部Ｈ１１は、信号導体層２２の上（第１方向）において前後方向に並んでいる。複数の第１中空部Ｈ１１は、上下方向に見て、第１グランド導体層２４と重なっている。また、前後方向に隣り合う２つの第１中空部Ｈ１１の間に位置する領域のそれぞれを第１領域Ａ２１と定義する。複数の第１領域Ａ２１は、前後方向に等間隔に並んでいる。

【0060】

左右方向（第１直交方向）に見て、複数の第２中空部Ｈ１２は、信号導体層２２の下（第２方向）において前後方向に並んでいる。また、前後方向に隣り合う２つの第２中空部Ｈ１２の間に位置する領域のそれぞれを第２領域Ａ２２と定義する。複数の第２領域Ａ２２は、前後方向に等間隔に並んでいる。

【0061】

複数の第１中空部Ｈ１１及び複数の第２中空部Ｈ１２のそれぞれは、周期的に並んでいる。複数の第１中空部Ｈ１１の一周期の長さＬ１１は、複数の第２中空部Ｈ１２の一周期の長さＬ１２と等しい。複数の第１中空部Ｈ１１の一周期の長さＬ１１は、第１中空部Ｈ１１の前後方向における長さと第１領域Ａ２１の前後方向における長さとの合計の長さである。複数の第２中空部Ｈ１２の一周期の長さＬ１２は、第２中空部Ｈ１２の前後方向における長さと第２領域Ａ２２の前後方向における長さとの合計の長さである。複数の第１中空部Ｈ１１の前後方向における長さは、複数の第２中空部Ｈ１２の前後方向における長さと等しい。複数の第１領域Ａ２１の前後方向における長さは、複数の第２領域Ａ２２の前後方向における長さと等しい。ただし、複数の第１中空部Ｈ１１の前後方向における位置と複数の第２中空部Ｈ１２の前後方向における位置とは、半周期の長さだけ前後にずれている。これにより、複数の第１中空部Ｈ１１のそれぞれは、複数の第２領域Ａ２２の上（第１方向）に位置している。すなわち、複数の第１中空部Ｈ１１のそれぞれは、上下方向（第２直交方向）に見て、複数の第２領域Ａ２２と重なっている。複数の第２中空部Ｈ１２のそれぞれは、複数の第１領域Ａ２１の下（第２方向）に位置している。すなわち、複数の第２中空部Ｈ１２のそれぞれは、上下方向（第２直交方向）に見て、複数の第１領域Ａ２１と重なっている。

【0062】

なお、絶縁体層１６ｂ，１６ｃには、第１中空部Ｈ１及び第２中空部Ｈ２が設けられていない。伝送線路１０ｄのその他の構造は、伝送線路１０と同じであるので説明を省略する。

【0063】

伝送線路１０ｄによれば、伝送線路１０と同じ作用効果を奏する。また、絶縁体層１６ｂ，１６ｃに第１中空部Ｈ１及び第２中空部Ｈ２が設けられていないので、伝送線路１０ｄの強度が高くなる。また、第１領域Ａ２１の左端が絶縁体層１８ａの左部に固定されていると共に、第１領域Ａ２１の右端が絶縁体層１８ａの右部に固定されている。これにより、第１領域Ａ２１が変形しにくくなる。その結果、第１中空部Ｈ１１が変形しにくくなる。第１領域Ａ２１と同じ理由により、第２領域Ａ２２が変形しにくくなる。その結果、第２中空部Ｈ１２が変形しにくくなる。

【0064】

（第５変形例）
以下に、第５変形例に係る伝送線路１０ｅについて図面を参照しながら説明する。図９は、伝送線路１０ｅの絶縁体層１６ｃ，１８ａ，１８ｂの上面図である。

【0065】

伝送線路１０ｅでは、第１領域Ａ１１の前後方向における位置と、第２領域Ａ１２の前後方向における位置と、第１領域Ａ２１の前後方向における位置と、第２領域Ａ２２の前後方向における位置とは、互いに異なっている。伝送線路１０ｅのその他の構造は、伝送線路１０と同じであるので説明を省略する。伝送線路１０ｅによれば、伝送線路１０ｄと同じ作用効果を奏する。

【0066】

（第６変形例）
以下に、第６変形例に係る伝送線路１０ｆについて図面を参照しながら説明する。図１０は、伝送線路１０ｆの分解斜視図である。

【0067】

伝送線路１０ｆは、以下の点において伝送線路１０と相違する。
・第３中空部Ｈ３及び第４中空部Ｈ４のそれぞれが絶縁体層１８ａ，１８ｂに設けられていない。
・第１中空部Ｈ１及び第２中空部Ｈ２のそれぞれが絶縁体層１８ａ，１８ｂに設けられている。

【0068】

伝送線路１０ｆのその他の構造は、伝送線路１０と同じであるので説明を省略する。伝送線路１０ｆは、伝送線路１０と同じ作用効果を奏する。伝送線路１０ｆによれば、絶縁体層１６ｂ，１６ｃ，１８ａ，１８ｂに同時に第１中空部Ｈ１及び第２中空部Ｈ２を形成することができる。

【0069】

（第７変形例）
以下に、第７変形例に係る伝送線路１０ｇについて図面を参照しながら説明する。図１１は、伝送線路１０ｇの分解斜視図である。

【0070】

伝送線路１０ｇは、第３中空部Ｈ３及び第４中空部Ｈ４のそれぞれが絶縁体層１８ａ，１８ｂに設けられていない点において伝送線路１０と相違する。伝送線路１０ｇのその他の構造は、伝送線路１０と同じであるので説明を省略する。伝送線路１０ｇによれば、伝送線路１０と同じ作用効果を奏する。また、伝送線路１０ｇによれば、第３中空部Ｈ３及び第４中空部Ｈ４の変形による信号導体層２２に発生している特性インピーダンスが変化することが抑制される。

【0071】

（第８変形例）
以下に、第８変形例に係る伝送線路１０ｈについて図面を参照しながら説明する。図１２は、伝送線路１０ｈの絶縁体層１６ｃの上面図である。

【0072】

伝送線路１０ｈは、信号導体層２２の形状において伝送線路１０と相違する。伝送線路１０ｈでは、信号導体層２２は、複数の太線部２２ａ及び複数の細線部２２ｂを含んでいる。太線部２２ａの左右方向における幅ｗ１は、細線部２２ｂの左右方向における幅ｗ２より大きい。複数の太線部２２ａと複数の細線部２２ｂとは、前後方向に交互に並んでいる。また、複数の細線部２２ｂは、左右方向に見て、複数の層間接続導体ｖ１，ｖ２と重なっている。なお、伝送線路１０ｈのその他の構造は、伝送線路１０と同じであるので説明を省略する。

【0073】

伝送線路１０ｈは、伝送線路１０と同じ作用効果を奏する。また、伝送線路１０ｈによれば、複数の層間接続導体ｖ１，ｖ２と複数の細線部２２ｂとの距離が大きくなる。そのため、複数の層間接続導体ｖ１，ｖ２と複数の細線部２２ｂとの間に容量が形成されにくくなる。これにより、信号導体層２２に発生する特性インピーダンスが高くなる。伝送線路１０では、信号導体層２２の線幅が均一であるため、信号導体層２２と層間接続導体ｖ１，ｖ２との間に形成される容量により、信号導体層２２に発生する特性インピーダンスが変化する。一方、伝送線路１０ｈでは、太線部２２ａ及び細線部２２ｂにより、信号導体層２２に発生する特性インピーダンスの変化が小さくなる。

【0074】

（第９変形例）
以下に、第９変形例に係る伝送線路１０ｉについて図面を参照しながら説明する。図１３は、伝送線路１０ｉの絶縁体層１６ｃの上面図である。

【0075】

伝送線路１０ｉは、複数の第１中空部Ｈ１と複数の層間接続導体ｖ１との位置関係、及び、複数の第２中空部Ｈ２と複数の層間接続導体ｖ２との位置関係において伝送線路１０と相違する。より詳細には、左右方向に見て、複数の第１中空部Ｈ１は、複数の層間接続導体ｖ１と重なっている。左右方向に見て、複数の第２中空部Ｈ２は、複数の層間接続導体ｖ２と重なっている。伝送線路１０ｉのその他の構造は、伝送線路１０と同じであるので説明を省略する。

【0076】

伝送線路１０ｉは、伝送線路１０と同じ作用効果を奏する。また、伝送線路１０ｉによれば、信号導体層２２に発生する特性インピーダンスが変化することを抑制できる。より詳細には、左右方向に見て、複数の第１中空部Ｈ１は、複数の層間接続導体ｖ１と重なっている。これにより、信号導体層２２と複数の層間接続導体ｖ１との間に容量が形成されることが抑制される。また、左右方向に見て、複数の第２中空部Ｈ２は、複数の層間接続導体ｖ２と重なっている。これにより、信号導体層２２と複数の層間接続導体ｖ２との間に容量が形成されることが抑制される。その結果、信号導体層２２に発生する特性インピーダンスが変化することが抑制される。また、信号導体層２２と複数の層間接続導体ｖ１，ｖ２との間に容量が形成されにくいので、信号導体層２２の線幅を大きくすることが可能となる。その結果、信号導体層２２の直流抵抗値が低減される。

【0077】

（第１０変形例）
以下に、第１０変形例に係る伝送線路１０ｊについて図面を参照しながら説明する。図１４は、伝送線路１０ｊの絶縁体層１６ｃの上面図である。

【0078】

伝送線路１０ｊは、曲がっている点において伝送線路１０と相違する。「伝送線路１０ｊが曲がっている」とは、伝送線路１０ｊに外力を加えない状態で曲がった形状を有していることを意味する。なお、この場合、前後方向は、信号導体層２２の位置によって異なる。

【0079】

伝送線路１０ｊでは、信号導体層２２より外周側に位置する第２中空部Ｈ２の前後方向における長さｂ１は、信号導体層２２より内周側に位置する第１中空部Ｈ１の前後方向における長さａ１より長い。伝送線路１０ｊのその他の構造は、伝送線路１０と同じであるので説明を省略する。伝送線路１０ｊは、伝送線路１０と同じ作用効果を奏する。

【0080】

（その他の実施形態）
本発明に係る伝送線路は、伝送線路１０，１０ａ～１０ｊに限らず、その要旨の範囲内において変更可能である。なお、伝送線路１０，１０ａ～１０ｊの構成を任意に組み合わせてもよい。

【0081】

なお、伝送線路１０，１０ａ～１０ｊは、複数本の信号導体層を備えていてもよい。この場合、複数本の信号導体層は、例えば、差動伝送線路を形成していてもよい。また、複数本の信号導体層は、同じ絶縁体層上に設けられていなくてもよい。

【0082】

なお、伝送線路１０，１０ａ～１０ｊにおいて、信号端子２８ａ，２８ｂ及びグランド端子２９ａ，２９ｂ，３０ａ，３０ｂは、積層体１２の下主面に設けられてもよい。

【0083】

なお、伝送線路１０，１０ａ～１０ｊは、ストリップライン線路に加えて、他の回路を更に備えていてもよい。

【0084】

なお、伝送線路１０，１０ａ～１０ｊには、コネクタ３２ａ，３２ｂ以外に電子部品が実装されてもよい。電子部品は、例えば、チップインダクタやチップコンデンサ等である。

【0085】

なお、第２グランド導体層２６は、必須の構成ではない。この場合、信号導体層２２及び第１グランド導体層２４は、マイクロストリップライン構造を構成する。

【0086】

なお、絶縁体層１６ａの上に保護層が設けられてもよい。

【0087】

なお、複数の絶縁体層１６ａ～１６ｄの内の１以上の絶縁体層の材料は多孔質材料であってもよい。多孔質構造とは、多孔質材料により作製された絶縁体層の全体に複数の小さな気泡が分散している構造である。多孔質材料により作製された絶縁体層は、複数の独立気泡を含んでいる。独立気泡は、気泡の全体が絶縁体層の材料により囲まれることにより、気泡内の気体が絶縁体層の外部に漏れることができない構造を有している。また、独立気泡では、隣り合う気泡同士がつながっていない。多孔質材料により作製された絶縁体層の空孔率は、例えば、３０％以上８０％以下である。空孔率は、多孔質材料により作製された絶縁体層の全体の体積に占める気泡の体積の割合である。このように、多孔質材料は、空気を含んでいるため、低い誘電率を有している。これにより、信号導体層２２の周囲の誘電率が低くなり、信号導体層２２を伝送される高周波信号に誘電損が発生しにくくなる。すなわち、伝送線路１０，１０ａ～１０ｊの高周波特性が向上する。

【0088】

なお、絶縁体層１８ａ，１８ｂの材料は、熱可塑性樹脂であってもよい。

【0089】

なお、複数の第１中空部Ｈ１の前後方向における長さａ１は、第１領域Ａ１１の前後方向における長さａ２と等しくてもいい。複数の第２中空部Ｈ２の前後方向における長さｂ１は、第２領域Ａ１２の前後方向における長さｂ２と等しくてもいい。

【0090】

なお、複数の第１中空部Ｈ１の形状は、均一でなくてもよい。複数の第２中空部Ｈ２の形状は、均一でなくてもよい。

【0091】

なお、第１領域Ａ１１の前後方向における長さは、均一でなくてもよい。第２領域Ａ１２の前後方向における長さは、均一でなくてもよい。

【0092】

なお、信号導体層２２が絶縁体層１６ｃの上主面に設けられ、信号導体層が絶縁体層１６ｃの下主面に設けられていてもよい。

【0093】

なお、層間接続導体ｖ１～ｖ８は、図１に示すように、絶縁体層１６ａ～１６ｄ，１８ａ，１８ｂの一部を上下方向に貫通していてもよいし、絶縁体層１６ａ～１６ｄ，１８ａ，１８ｂを上下方向に貫通していてもよい。

【0094】

なお、複数の第１中空部Ｈ１の前後方向における位置と複数の第２中空部Ｈ２の前後方向における位置とは半周期の長さだけ前後にずれている例を示した。しかしながら、ずれの量は、半周期でなくてもよい。

【0095】

なお、図３に示す伝送線路１０において、第１中空部Ｈ１は、第３中空部Ｈ３の左端と同じ位置又は第３中空部Ｈ３の左端より左に位置していてもよい。すなわち、第１中空部Ｈ１と信号導体層２２との左右方向の距離は、第３中空部Ｈ３の左端と信号導体層２２との左右方向の距離以上であってもよい。第２中空部Ｈ２は、第４中空部Ｈ４の右端と同じ位置又は第４中空部Ｈ４の右端より右に位置していてもよい。すなわち、第２中空部Ｈ２と信号導体層２２との左右方向の距離は、第４中空部Ｈ４の右端と信号導体層２２との左右方向の距離以上であってもよい。なお、第１中空部Ｈ１の体積及び第２中空部Ｈ２の体積が大きいことが好ましい。

【符号の説明】

【0096】

１：電子機器
１０，１０ａ～１０ｊ：伝送線路
１２：積層体
１６ａ～１６ｄ，１８ａ，１８ｂ：絶縁体層
２２：信号導体層
２２ａ：太線部
２２ｂ：細線部
２４：第１グランド導体層
２６：第２グランド導体層
Ａ１，Ａ３：非曲げ区間
Ａ１１，Ａ２１：第１領域
Ａ１２，Ａ２２：第２領域
Ａ２：曲げ区間
Ａ３：非曲げ区間
Ｈ１，Ｈ１１：第１中空部
Ｈ２，Ｈ１２：第２中空部
Ｈ３：第３中空部
Ｈ４：第４中空部
ｖ１～ｖ８：層間接続導体

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】