特許7356908IP Force 特許公報全文掲載

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インパルス電圧発生装置および電力用半導体スイッチの保護方法

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

最新ＩＥＣ規格の確証試験では、数ｋＶの電圧で、数ｋＨｚの繰り返しインパルス電源が必須となる。先行技術では、繰り返しインパルスを発生させるため、放電球ギャップが使用されていた。この球ギャップにおいては、故障はしにくいが、同じ波形を等時間間隔で、正確に発生させることが難しいという問題があった。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

上述の目的を達成するため、本発明に係るインパルス電圧発生装置は、試験対象に所定の印加周期で繰り返しインパルス電圧を印加するために出力端からインパルス電圧を出力するインパルス電圧発生装置において、直流電力を供給する入力用直流電源と、前記入力用直流電源の電圧より高い電圧の直流を発生する高電圧発生器と、前記高電圧発生器と並列に配されて高電圧状態にまで蓄電可能な容量素子と、前記高電圧発生器の出力側に、前・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明によれば、インパルス電圧発生装置において、パワー半導体スイッチが故障するに至る状態を回避することができる。

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 第１のインパルス電圧発生装置の構成を示すブロック図である。
【図2】 第１のインパルス電圧発生装置における過電流保護回路の構成を示すブロック図である。
【図3】 第１のインパルス電圧発生装置における過電流保護回路の入力整合部の構成を示す概念的な回路図である。
【図4】 第１のインパルス電圧発生装置の電力用半導体スイッチの保護方法の手順を示すフロー図である。
【図5】 第１のインパルス電圧発生装置の電力用半導体スイッチの保護方法を説明するタイムチャートである。
【図6】 第１のインパルス電圧発生装置の電力用半導体スイッチの保護方法における過電流検出時の各部の時間変化を説明するグラフである。
【図7】 第１のインパルス電圧発生装置の電力用半導体スイッチの保護方法における過電流検出時の各部の微小時間での時間変化を説明するために図６を時間軸方向に拡大したグラフである。
【図8】 第２のインパルス電圧発生装置における過電流保護回路の構成を示すブロック図である。
【図9】 第２のインパルス電圧発生装置の電力用半導体スイッチの保護方法の手順を示すフロー図である。
【図10】 第２のインパルス電圧発生装置の電力用半導体スイッチの保護方法における検出電流の発生の例を示すグラフである。

代表図 図1本件の代表的な図

１…アース、１０…高電圧発生器、２０…入力用直流電源、３０…制御用直流電源、４０…容量素子、５０…電力用半導体スイッチ、５１…入り切り部、５２…保護抵抗素子、６１…スイッチ用逆電圧保護ダイオード、６２…充電抵抗素子、６３…調整抵抗素子、６４…負荷側抵抗素子、６５…負荷用逆電圧保護ダイオード、６７、６８…出力端子、７０…関数発生器、８０…電流検出器、１００…過電流保護回路、１１０…入力整合部、１１１…電圧分圧回路、１１２…絶縁増幅器、１１３…インピーダンス変換回路、１２０…高速Ａ／Ｄ変換部、１３０…クロック、１４０…ロジック演算・判定部、１５０…設定部、１６０…トリガ信号遮断回路、１７０…記憶装置、２００…インパルス電圧発生装置

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