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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2023-10-04
(45)【発行日】2023-10-13
(54)【発明の名称】ダイヤフラムバルブ及び流量制御装置
(51)【国際特許分類】
   F16K 7/12 20060101AFI20231005BHJP
   F16K 1/32 20060101ALI20231005BHJP
   F16K 31/02 20060101ALN20231005BHJP
   G05D 7/06 20060101ALN20231005BHJP
【FI】
F16K7/12 Z
F16K1/32 B
F16K31/02 A
G05D7/06 Z
【請求項の数】 6
(21)【出願番号】P 2020548270
(86)(22)【出願日】2019-09-03
(86)【国際出願番号】 JP2019034554
(87)【国際公開番号】W WO2020066491
(87)【国際公開日】2020-04-02
【審査請求日】2022-08-22
(31)【優先権主張番号】P 2018186187
(32)【優先日】2018-09-29
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(73)【特許権者】
【識別番号】390033857
【氏名又は名称】株式会社フジキン
(74)【代理人】
【識別番号】110002893
【氏名又は名称】弁理士法人KEN知財総合事務所
(72)【発明者】
【氏名】執行 耕平
(72)【発明者】
【氏名】廣瀬 隆
【審査官】加藤 昌人
(56)【参考文献】
【文献】特開平11-154022(JP,A)
【文献】特開2003-042324(JP,A)
【文献】特表2014-504355(JP,A)
【文献】特開平06-066389(JP,A)
【文献】中国実用新案第204213431(CN,U)
【文献】国際公開第2013/046660(WO,A1)
【文献】国際公開第2017/033423(WO,A1)
【文献】国際公開第2012/147477(WO,A1)
(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
F16K 7/12- 7/17
F16K 1/00- 1/54
F16K 31/00-31/05
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
内部に流路を有し、面にダイヤフラム配置部を有するバルブボディと、前記ダイヤフラム配置部に配置され、弾性変形により前記流路の開閉及び開度の調節が可能なダイヤフラムと、前記ダイヤフラムを押圧して弾性変形させるステムと、該ステムを駆動するアクチュエータと、前記バルブボディに固定されて前記ステムと前記アクチュエータとを支持する支持機構と、を有するダイヤフラムバルブであって、
前記ステムと前記アクチュエータは、前記バルブボディの上面からこの順に、該上面に対して垂直方向に縦列に配置され、
前記アクチュエータは、下端部が前記支持機構の部材に当接して位置決めされて、上端部の垂直方向位置が変位するように構成され、
前記アクチュエータの上端部と前記ステムとは、前記アクチュエータを迂回して伸びる変位伝達部材によって接続されたダイヤフラムバルブにおいて、
前記ステムは、前記バルブボディに固定されたボンネットにより、樹脂製のスリーブを介して軸方向に変位可能に保持されていることを特徴とする、ダイヤフラムバルブ。
【請求項2】
前記樹脂製のスリーブは、ポリアセタール、超高分子量ポリエチレン、フッ素樹脂、フェノール樹脂のいずれかで形成されたものである、請求項1に記載のダイヤフラムバルブ。
【請求項3】
前記アクチュエータは、圧電アクチュエータである、請求項1又は2に記載のダイヤフラムバルブ。
【請求項4】
請求項1~3のいずれかに記載のダイヤフラムバルブを有する流量制御装置。
【請求項5】
複数の流体機器が配列された流体制御装置であって、
前記複数の流体機器は、請求項1~3のいずれかに記載のダイヤフラムバルブ又は請求項4に記載の流量制御装置を含む、流体制御装置。
【請求項6】
密閉されたチャンバ内においてプロセスガスによる処理工程を要する半導体の製造プロセスにおいて、前記プロセスガスの制御に請求項1~3のいずれかに記載のダイヤフラムバルブ又は請求項4に記載の流量制御装置を用いる、半導体製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、ダイヤフラムバルブ、流量制御装置、流体制御装置、及び半導体製造装置に関する。
【背景技術】
【0002】
半導体製造プロセス等に用いられるプロセスガスの流量制御には、質量流量制御装置(マスフローコントローラ)が広く用いられている。この質量流量制御装置は、例えば圧力式の質量流量制御装置の場合、流路に設けられたオリフィスの前後の圧力を用いて質量流量を測定し、この質量流量が目標値になるように制御バルブで調節している。このような制御バルブとして、ダイヤフラムバルブが広く用いられている。
【0003】
ダイヤフラムバルブは、金属の薄板等からなるダイヤフラムを、駆動部により押圧して弾性変形させ、流路の開閉及び開度の調節を行う構造になっている。この駆動部は、例えば、図5(特許文献1の図4)に示すように、ダイヤフラム(図1の符号17)を押圧するステム8と、これを駆動する圧電アクチュエータ(ピエゾアクチュエータ)2を含む。ステム8は、変位伝達機構(4,7,6,5,5b)を介して、圧電アクチュエータ2によりバルブを開く方向に駆動され、圧電アクチュエータ2の電圧非印加時には皿ばね9によりダイヤフラムバルブを閉じる方向に付勢されており、Oリング14を介してボンネット10の貫通孔10bによりガイドされている(特許文献1)。
【0004】
このOリング14は、ニトリルゴム、フッ素ゴム、シリコンゴム、クロロプレンゴム等のゴムで形成され、柔軟性を有する。圧電アクチュエータ2に駆動されたステム8の動作ストロークは数10μmと小さいので、摺動よりもOリング14の弾性変形によりステム8の軸方向変位を許容していると考えられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【文献】国際公開番号WO2017/033423A1
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
しかし、上記機構では、Oリングのガイドとしての接触面積が小さいため、保持力が十分とは言えず、ステムの軸ブレが起こる場合があった。その結果、ダイヤフラムの当接箇所が偏心すると、応力が高くなって、ダイヤフラムの寿命を縮める恐れがあった。特に、流量制御装置の小型化に伴って、ダイヤフラムが小型化されると、僅かな軸ブレでもダイヤフラムにとって相対的に大きな偏心になるので、より厳しい軸ブレの抑制が求められるようになった。
【0007】
本発明の目的は、上記課題を解決し、ステムの軸ブレを低減したダイヤフラムバルブを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0008】
本発明のダイヤフラムバルブは、内部に流路を有し、一面にダイヤフラム配置部を有するバルブボディと、前記ダイヤフラム配置部に配置され、弾性変形により前記流路の開閉及び開度の調節が可能なダイヤフラムと、前記ダイヤフラムを押圧して弾性変形させるステム及び該ステムを駆動するアクチュエータを有する駆動部と、を有するダイヤフラムバルブにおいて、前記ステムは、前記バルブボディ側に固定されたボンネットにより、樹脂製のスリーブを介して軸方向に変位可能に保持されていることを特徴とする。
【0009】
好適には、前記樹脂製のスリーブは、ポリアセタール、超高分子量ポリエチレン、フッ素樹脂、フェノール樹脂のいずれかで形成されたものである、構成を採用できる。
【0010】
好適には、前記アクチュエータは、圧電アクチュエータである。
【0011】
本発明の流量制御装置は、上記構成のダイヤフラムバルブを用いたものである。
【0012】
本発明の流体制御装置は、上流から下流に向かって複数の流体機器が配列された流体制御装置であって、
前記複数の流体機器は、上記構成のダイヤフラムバルブ又は流量制御装置を含むものである。
【0013】
本発明の半導体製造装置は、密閉されたチャンバ内においてプロセスガスによる処理工程を要する半導体装置の製造プロセスにおいて、前記プロセスガスの制御に上記構成のダイヤフラムバルブ又は流量制御装置を用いる。
【発明の効果】
【0014】
本発明によれば、ダイヤフラムを駆動するステムの軸方向の動きをガイドするガイド部分として、樹脂製のスリーブを用いたので、ステムとガイド部分との接触面積が広くなり、ガイド剛性を高めることができた。それにより、ステムの軸ブレを低減したダイヤフラムバルブが実現した。
【図面の簡単な説明】
【0015】
図1】本発明の一実施形態に係るダイヤフラムバルブの概略断面図。
図2】本発明の一実施形態に係る流量制御装置の概略断面図。
図3】本発明の一実施形態に係る流体制御装置の概略斜視図。
図4】本発明の一実施形態に係る半導体製造装置のブロック図。
図5】従来のダイヤフラムバルブのリニアアクチュエータ部分を示す縦断面図。
【発明を実施するための形態】
【0016】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。図1に本発明の一実施形態に係るダイヤフラムバルブ1の概略図を示す。
【0017】
図1に示すように、本実施形態のダイヤフラムバルブ1は、バルブボディ16と、ダイヤフラム17と、駆動部12とを含んで構成される。
【0018】
バルブボディ16は、略ブロック形状を成し、内部に上流側流路16aと下流側流路16bとを有する。上流側流路16aは、バルブボディ16の上面に形成された浅い座ぐり穴状の窪みであるダイヤフラム配置部16dの底面の中央部に開口し、この開口の周囲は環状に盛り上がってバルブシート16eを形成している。一方、下流側流路16bは、ダイヤフラム配置部16dの底面の周辺部に開口している。
【0019】
ダイヤフラム17は、本実施形態では、特殊ステンレス鋼等の金属製薄板やニッケル・コバルト合金薄板の中央部を上方へ膨出させた球殻状の部材で、バルブボディ16上面におけるダイヤフラム配置部16dに配置されている。ダイヤフラム17の外周縁部の上に円環状の抑えアダプタ18が配置され、その上からボンネット10の下端部が当接し、ボンネット10が支持プレート3とともに、ボルトによりバルブボディ16へ共締めされることで、ダイヤフラム17は固定され、ダイヤフラム配置部16dが気密に密封されている。
【0020】
ダイヤフラム17とバルブシート16eとの間には、所定量の隙間があり、上流側流路16aからこの隙間を通ってダイヤフラム17で封止されたダイヤフラム配置部16dに連通し、さらに下流側流路16bへ連通する流路が形成されている。ダイヤフラム17が駆動部12により押圧されてバルブシート16eに当接すると、流路16aと流路16bとの連通が遮断され、ダイヤフラム17がバルブシート16eから離隔することにより、流路16aと流路16bとが連通する。これにより、流路の開閉及び開度の調節が可能になっている。
【0021】
駆動部12は、ボンネット10と、支持プレート3と、圧電アクチュエータ2と、変位伝達機構(4,7,6,5,5b)と、ステム8と、皿ばね9とを有する。
【0022】
ボンネット10と、支持プレート3は、圧電アクチュエータ2と変位伝達機構(4,7,6,5,5b)とステム8を軸方向に変位可能に保持するもので、ボンネット10に支持プレート3を重ねて、2本のボルトで、バルブボディ16に共締めされている。ボンネット10は、上記のようにダイヤフラム17をバルブボディ16に固定する役割も果たしている。
【0023】
圧電アクチュエータ2は、円筒状のケース2cに図示しない積層された圧電素子を内蔵している。ケース2cは、ステンレス合金等の金属製で、半球状の先端部2a側の端面および基端部2b側の端面が閉塞している。ケース2cは、積層された圧電素子に電圧を印加して伸長させることで、ケース2cの先端部2a側の端面が弾性変形し、半球状の先端部2aが長手方向において変位する。すなわち、ケース2cは、積層された圧電素子に電圧を印可することで、先端部2aから基端部2bまでの全長が伸びる。
【0024】
圧電アクチュエータ2は、先端部2aが支持プレート3に当接するように垂直方向に配置されている。先端部2aの先端は半球状を成し、本実施形態では支持プレートの上面に形成された円錐状の窪みに落ち込むようになっている。圧電アクチュエータ2の基端部2bは、変位伝達機構(4,7,6,5,5b)の受け部である押圧部材4に嵌合保持されている。
【0025】
押圧部材4の上面は、上部連結部材6のねじ穴に螺合された調整ねじ7の先端に当接している。前記上部連結部材6は、有底円筒を伏せて両側をカットした略コの字型を有し、その内側に一対の変位伝達部材が、ねじで連結されている。
【0026】
一対の変位伝達部材5は、熱膨張係数の小さいインバー材等の金属材料で形成され、圧電アクチュエータ2の外周面に沿う円筒状部材を長手方向に沿って二つに分割した形態を呈している。これらの一対の変位伝達部材5は、それぞれの開口部5aに支持プレート3を挿通させてその下側に伸び、先端部に係止部5bが形成されている。
【0027】
一方、ステム8は、支持プレート3の下側に、ボンネット10のガイド孔10aを貫いて前記圧電アクチュエータ2と同軸に配置され、該ガイド孔10aにガイドされて軸方向に可動に設けられている。ステム8は、一対の変位伝達部材5の下端部に形成された各係止部5bがそれぞれ係合するアーム部8aを備えている。ステム8は、皿ばね9により下方向に付勢されている。圧電アクチュエータ2が伸長すると、ステム8も皿ばね9の付勢力に抗して一対の変位伝達部材5により上方向に引き上げられる。このように、圧電アクチュエータ2の長さの変位が、一連の変位伝達機構(4,7,6,5、5b)を通してステムに伝達され、ステムが軸方向に変位するようになっている。
ステム8の先端(下端)には、ダイヤフラム押え19が取り付けられてダイヤフラム17に当接している。
【0028】
ここで本発明では、ステム8とボンネット10のガイド孔10aとの摺動部分に、従来のOリング14(図5参照)の代わりに、樹脂製スリーブ15を用いている。すなわち、ボンネット10のガイド孔10aに外周が嵌合固定されたスリーブ15の内周により、ステム8がガイドされている。スリーブ15は、ポリアセタール、超高分子量ポリエチレン、フッ素樹脂、テフロン(登録商標)樹脂、フェノール樹脂などの自己潤滑性樹脂で形成されているので、ガイドされるステンレス鋼製のステム8との摩擦係数が小さい。また、ステム8の外周とスリーブ15の内周との組み合わせは、円筒状の接触面を有するので、接触面積が広く、高いガイド剛性が得られる。
【0029】
次に、このように構成された本実施形態のダイヤフラムバルブ1の動作について、図1を参照して説明する。
【0030】
まず、圧電アクチュエータ2への印加電圧がゼロである初期状態では、圧電アクチュエータ2の長さは初期長さであり、変位伝達機構(4,7,6,5,5b)とこれに係合させたステム8は、皿ばね9に押し下げられて最下位置にある。したがって、ダイヤフラム17はステム8に押圧されて、バルブシート16eに密着し、バルブは全閉状態になる。
【0031】
次に、圧電アクチュエータ2に電圧を印加すると、圧電アクチュエータ2の長さは大きくなるため、皿ばね9の付勢力に打ち勝って、変位伝達機構(4,7,6,5,5b)とステム8は押し上げられ、ダイヤフラム17とバルブシート16eの間に隙間ができて、バルブは開き、流体がダイヤフラムバルブ1を通過できるようになる。圧電アクチュエータ2への印可電圧を調節することにより、ダイヤフラム17とバルブシート16eとの隙間を調節でき、流体の流量を調節できる。
【0032】
この際、ステム8の外周は低摩擦係数の樹脂製スリーブ15によってガイドされているので、ステム8はスムーズに上下方向移動できる。また、樹脂製スリーブ15は高いガイド剛性を有するので、上下方向移動の際に軸ブレを起こすことなく、軸ブレによるダイヤフラム17の応力上昇を低減できるため、ダイヤフラム17の寿命の向上を図ることができる。
【0033】
尚、本実施形態では、ボンネット10のガイド孔10aに外周を嵌合させた樹脂製スリーブ15の内周に、ステム8の外周を摺動させているが、これに限定されず、ステム8の外周に内周を嵌合させた樹脂製スリーブ15の外周を、ボンネット10のガイド孔10aの内周に摺動させても良い。そのような構成でも、低摩擦係数と高ガイド剛性が得られる。
【0034】
次に、本発明の流量制御装置について説明する。
図2は、本発明の一実施形態に係る流量制御装置の概略断面図であり、上記したダイヤフラムバルブ1が組み込まれた圧力式の流量制御装置20を示す。
図2において、流量制御装置20の全体を覆うカバーやフィードバック制御用の基板が実際には存在するが、説明の便宜上図示していない。
流量制御装置20は、上記したダイヤフラムバルブ1の構成要素に加えて、下流側ブロック25、圧力検出器22、オリフィス21、圧力検出器26、流路25aを有する。
【0035】
バルブボディ16の内部において、ダイヤフラム17の下流側の流路内にオリフィス21(本実施形態では、ガスケット型オリフィス)が設けられている。オリフィス21の上流側の流路16bの途中には、圧力を検出する上流側の圧力検出器22が設けられている。
下流側ブロック25は、バルブボディ16にボルトにより連結され、バルブボディ16の下流側の流路16bに連通する下流側流路25aを有し、下流側流路25a内の圧力を検出する下流側の圧力検出器26が設けられている。
図示しない制御装置により、各圧力検出器22、26の検出値に基づいてダイヤフラムバルブ1がPID制御により開閉制御される。
【0036】
本流量制御装置では、本発明のダイヤフラムバルブを用いたので、ダイヤフラムバルブの長寿命化に伴う、流体制御装置の長寿命化が期待できる。
【0037】
次に、本発明の流体制御装置について説明する。
図3は、本発明の一実施形態に係る流体制御装置の概略斜視図である。
図3に示す流体制御装置には、幅方向W1、W2に沿って配列され長手方向G1、G2に延びる金属製のベースプレートBSが設けられている。なお、W1は正面側、W2は背面側、G1は上流側、G2は下流側の方向を示している。ベースプレートBSには、複数の流路ブロック992を介して各種流体機器991A~991Eが設置され、複数の流路ブロック992には、上流側G1から下流側G2に向かって流体が流通する図示しない流路がそれぞれ形成されている。
【0038】
ここで、「流体機器」とは、流体の流れを制御する流体制御装置に使用される機器であって、流体流路を画定するボディを備え、このボディの表面で開口する少なくとも2つの流路を有する機器である。具体的には、開閉弁(2方弁)991A、レギュレータ991B、プレッシャーゲージ991C、開閉弁(3方弁)991D、マスフローコントローラ991E等が含まれるが、これらに限定されるわけではない。なお、導入管993は、上記した図示しない流路の上流側の流路口に接続されている。
【0039】
本発明は、上記した開閉弁991A、991D、レギュレータ991B、マスフローコントローラ991E等の種々のダイヤフラムバルブに適用可能である。
【0040】
次に、本発明の半導体製造装置について説明する。
図4は、本発明の一実施形態に係る半導体製造装置のブロック図である。
図4に示す半導体製造装置980は、原子層堆積法(ALD:Atomic Layer Deposition法)による半導体製造プロセスを実行するための装置であり、981はプロセスガス供給源、982はガスボックス(流体制御装置)、983はタンク、984は開閉バルブ、985は制御部、986は処理チャンバ、987は排気ポンプを示している。
【0041】
本発明は、上記したガスボックス982およびガスボックス982を構成する流体機器、開閉バルブ984に適用可能である。
【0042】
なお、本発明は、上述した実施形態に限定されない。当業者であれば、本発明の範囲内で、種々の追加や変更等を行うことができる。例えば、上記適用例では、ALD法による半導体製造プロセスに用いる場合について例示したが、これに限定されるわけではなく、本発明は、例えば原子層エッチング法(ALE :Atomic Layer Etching法)等、精密な流量調整が必要なあらゆる対象に適用可能である。
【0043】
上記実施形態では、開閉バルブ984を流体制御装置としてのガスボックス982の外部に配置する構成としたが、開閉バルブ、レギュレータ、マスフローコントローラ等の各種の流体機器を集積化してボックスに収容した流体制御装置に上記実施形態のダイヤフラムバルブを含ませることも可能である。
【符号の説明】
【0044】
1 :ダイヤフラムバルブ
2 :圧電アクチュエータ
2a :先端部
2b :基端部
2c :ケース
3 :支持プレート
4 :押圧部材
5 :変位伝達部材
6 :上部連結部材
7 :調整ねじ
8 :ステム
8a :アーム部
9 :皿ばね
10 :ボンネット
10a :ガイド孔
10b :貫通孔
12 :駆動部
14 :Oリング
15 :スリーブ
16 :バルブボディ
16a :上流側流路
16b :下流側流路
16d :ダイヤフラム配置部
16e :バルブシート
17 :ダイヤフラム
18 :押えアダプタ
19 :ダイヤフラム押え
20 :流量制御装置
21 :オリフィス
22 :圧力検出器
25 :下流側ブロック
25a :下流側流路
26 :圧力検出器
980 :半導体製造装置
981 :プロセスガス供給源
982 :ガスボックス
983 :タンク
984 :開閉バルブ
985 :制御部
986 :処理チャンバ
987 :排気ポンプ
991A~991E :流体機器
992 :流路ブロック
993 :導入管
BS :ベースプレート
GI、G2:長手方向
W1、W2:幅方向
図1
図2
図3
図4
図5