特許 7365430 太陽電池の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2023-10-11

(45)【発行日】2023-10-19

(54)【発明の名称】太陽電池の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 31/18 20060101AFI20231012BHJP

   H01L 31/0747 20120101ALN20231012BHJP

【ＦＩ】

H01L31/04 420

H01L31/06 455

【請求項の数】 3

(21)【出願番号】P 2021565502

(86)(22)【出願日】2020-12-08

(86)【国際出願番号】 JP2020045730

(87)【国際公開番号】W WO2021124991

(87)【国際公開日】2021-06-24

【審査請求日】2022-06-14

(31)【優先権主張番号】P 2019229717

(32)【優先日】2019-12-19

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(73)【特許権者】

【識別番号】000000941

【氏名又は名称】株式会社カネカ

(74)【代理人】

【識別番号】100131705

【弁理士】

【氏名又は名称】新山 雄一

(74)【代理人】

【識別番号】100145713

【弁理士】

【氏名又は名称】加藤 竜太

(72)【発明者】

【氏名】渡邉 真悟

(72)【発明者】

【氏名】末崎 恭

【審査官】原 俊文

(56)【参考文献】

【文献】国際公開第２０１５／１８９８７８（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特表２０１３－５０９６９５（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１２－０８９８２９（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第２０１９／２１６３３９（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特開２０１３－２３９４７６（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２０１８／０１９８００２（ＵＳ，Ａ１）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ３１／０２－３１／０７８

Ｈ０１Ｌ ３１／１８－３１／２０

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

半導体基板と、前記半導体基板の一方主面側と反対側の他方主面側の一部である第１領域に順に積層された第１真性半導体層および第１導電型半導体層と、前記半導体基板の前記他方主面側の他の一部である第２領域に順に積層された第２真性半導体層および第２導電型半導体層と、前記半導体基板の前記一方主面側に積層された第３真性半導体層とを備えるバックコンタクト型の太陽電池の製造方法であって、
前記半導体基板の前記他方主面側に、前記第１真性半導体層の材料膜および前記第１導電型半導体層の材料膜を形成する第１半導体層材料膜形成工程と、
前記半導体基板の前記他方主面側の前記第１領域における前記第１導電型半導体層の材料膜の上にパターン印刷レジストを形成し、前記半導体基板の前記一方主面側にはパターン印刷レジストを形成しないレジスト形成工程と、
前記パターン印刷レジストを用いて、前記半導体基板の前記他方主面側の前記第２領域における前記第１導電型半導体層の材料膜および前記第１真性半導体層の材料膜を除去することにより、前記半導体基板の前記他方主面側の前記第１領域にパターン化された前記第１真性半導体層および前記第１導電型半導体層を形成する第１半導体層形成工程と、
前記パターン印刷レジストを除去するレジスト除去工程と、
前記半導体基板の前記一方主面側に前記第３真性半導体層を形成する第３半導体層形成工程と、
をこの順で含み、
前記レジスト形成工程の前に、前記半導体基板の前記一方主面側に仮の半導体層を形成する仮半導体層形成工程を更に含み、
前記仮の半導体層は、前記第１半導体層形成工程において除去される、
太陽電池の製造方法。

【請求項2】

半導体基板と、前記半導体基板の一方主面側と反対側の他方主面側の一部である第１領域に順に積層された第１真性半導体層および第１導電型半導体層と、前記半導体基板の前記他方主面側の他の一部である第２領域に順に積層された第２真性半導体層および第２導電型半導体層と、前記半導体基板の前記一方主面側に積層された第３真性半導体層とを備えるバックコンタクト型の太陽電池の製造方法であって、
前記半導体基板の前記他方主面側に、前記第１真性半導体層の材料膜および前記第１導電型半導体層の材料膜を形成する第１半導体層材料膜形成工程と、
前記半導体基板の前記他方主面側の前記第１領域における前記第１導電型半導体層の材料膜の上にパターン印刷レジストを形成し、前記半導体基板の前記一方主面側にはパターン印刷レジストを形成しないレジスト形成工程と、
前記パターン印刷レジストを用いて、前記半導体基板の前記他方主面側の前記第２領域における前記第１導電型半導体層の材料膜および前記第１真性半導体層の材料膜を除去することにより、前記半導体基板の前記他方主面側の前記第１領域にパターン化された前記第１真性半導体層および前記第１導電型半導体層を形成する第１半導体層形成工程と、
前記パターン印刷レジストを除去するレジスト除去工程と、
前記半導体基板の前記一方主面側に前記第３真性半導体層を形成する第３半導体層形成工程と、
をこの順で含み、
前記第１半導体層材料膜形成工程の後に、リフトオフ層形成工程を更に含み、
前記レジスト除去工程の後に、第２半導体層材料膜形成工程と第２半導体層形成工程とを更に含み、
前記リフトオフ層形成工程では、前記第１導電型半導体層の材料膜の上にリフトオフ層を形成し、
前記レジスト形成工程では、前記半導体基板の前記他方主面側の前記第１領域における前記リフトオフ層の上に前記パターン印刷レジストを形成し、
前記第１半導体層形成工程では、前記パターン印刷レジストを用いて、前記半導体基板の前記他方主面側の前記第２領域における前記リフトオフ層、前記第１導電型半導体層の材料膜および前記第１真性半導体層の材料膜を除去することにより、前記半導体基板の前記他方主面側の前記第１領域にパターン化された前記第１真性半導体層、前記第１導電型半導体層および前記リフトオフ層を形成し、
前記第２半導体層材料膜形成工程では、前記半導体基板の前記他方主面側の前記第１領域における前記リフトオフ層の上、および前記半導体基板の前記他方主面側の前記第２領域に、前記第２真性半導体層の材料膜および前記第２導電型半導体層の材料膜を形成し、
前記第２半導体層形成工程では、前記リフトオフ層を除去することにより、前記半導体基板の前記他方主面側の前記第１領域における前記第２真性半導体層の材料膜および前記第２導電型半導体層の材料膜を除去し、前記半導体基板の前記他方主面側の前記第２領域の上にパターン化された前記第２真性半導体層および前記第２導電型半導体層を形成し、
前記第３半導体層形成工程および前記第２半導体層形成工程の後に、前記第１導電型半導体層に対応する第１透明電極層および第１金属電極層と、前記第２導電型半導体層に対応する第２透明電極層および第２金属電極層とを形成する電極層形成工程を更に含み、
前記電極層形成工程は、
前記第１導電型半導体層および前記第２導電型半導体層の上にこれらに跨って透明電極層の材料膜を形成する透明電極層材料膜形成工程と、
前記透明電極層の材料膜を介して前記第１導電型半導体層の上に前記第１金属電極層を形成し、前記透明電極層の材料膜を介して前記第２導電型半導体層の上に前記第２金属電極層を形成する金属電極層形成工程と、
前記第１金属電極層および前記第２金属電極層をマスクとして用いて、前記透明電極層の材料膜をパターニングすることにより、互いに分離された前記第１透明電極層および前記第２透明電極層を形成する透明電極層形成工程と、
をこの順で含む、
太陽電池の製造方法。

【請求項3】

前記レジスト除去工程では、アルカリ溶液を用いて前記パターン印刷レジストを剥離する、請求項１または２に記載の太陽電池の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、裏面電極型（バックコンタクト型）の太陽電池の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、裏面電極型の太陽電池が開示されている。このような裏面電極型の太陽電池は、光電変換層として機能する半導体基板と、半導体基板の裏面側の一部に順に積層された第１真性半導体層、第１導電型半導体層および第１電極層と、半導体基板の裏面側の他の一部に順に積層された第２真性半導体層、第２導電型半導体層および第２電極層とを備える。また、この太陽電池は、半導体基板の受光面側に順に積層された第３真性半導体層および光学調整層を備える。

【0003】

一般に、第１導電型半導体層のパターニング（１回目のパターニング）および第２導電型半導体層のパターニング（２回目のパターニング）において、フォトリソグラフィ技術を用いたエッチング法が用いられる。しかし、フォトリソグラフィ技術を用いたエッチング法では、例えばスピンコート法によるフォトレジスト塗布、フォトレジスト乾燥、フォトレジスト露光、フォトレジスト現像、フォトレジストをマスクとして用いた半導体層のエッチング、およびフォトレジスト剥離のプロセスが必要であり、プロセスが複雑であった。

【0004】

この点に関し、特許文献１には、２回目のパターニングにおいて、リフトオフ層（犠牲層）を用いたリフトオフ法により、パターニングのプロセスの簡略化を図る技術が記載されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【文献】特開２０１４－７５５２６号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

本願発明者らは、１回目のパターニングにおいて、パターン印刷法によるパターン印刷レジストを用いることを考案している。これにより、スピンコート法によるフォトレジスト（フォトリソグラフィ法）を用いた場合と比較して、露光および現像の工程を削減することができ、パターニングのプロセスの更なる簡略化が可能となる。

【0007】

ところで、半導体基板の受光面側の第３真性半導体層は、第１導電型半導体層のパターニング（１回目のパターニング）の前に製膜される。そして、第１半導体層形成工程（１回目のパターニング）では、裏面側と同様に、半導体基板の受光面側にもパターン印刷レジストを形成し、エッチング溶液から第３真性半導体層を保護する。

【0008】

しかし、裏面側のパターン印刷レジストを印刷して焼成（乾燥）した後に、受光面側のパターン印刷レジストを印刷して焼成（乾燥）すると、裏面側のパターン印刷レジストの熱履歴が２回となり、裏面側のパターン印刷レジストが剥離し難くなってしまう。そのため、裏面側のパターン印刷レジストの剥離残りが発生してしまう。

【0009】

また、第１導電型半導体層のパターニング（１回目のパターニング）の前に、半導体基板の受光面側の第３真性半導体層を形成すると、その後の製造プロセスにおいて第３真性半導体層がダメージを受けてしまう。

【0010】

本発明は、パターン印刷レジストの剥離残りを低減し、製造プロセスにおける第３真性半導体層のダメージを低減する太陽電池の製造方法を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0011】

本発明に係る太陽電池の製造方法は、半導体基板と、前記半導体基板の一方主面側と反対側の他方主面側の一部である第１領域に順に積層された第１真性半導体層および第１導電型半導体層と、前記半導体基板の前記他方主面側の他の一部である第２領域に順に積層された第２真性半導体層および第２導電型半導体層と、前記半導体基板の前記一方主面側に積層された第３真性半導体層とを備えるバックコンタクト型の太陽電池の製造方法であって、前記半導体基板の前記他方主面側に、前記第１真性半導体層の材料膜および前記第１導電型半導体層の材料膜を形成する第１半導体層材料膜形成工程と、前記半導体基板の前記他方主面側の前記第１領域における前記第１導電型半導体層の材料膜の上にパターン印刷レジストを形成し、前記半導体基板の前記一方主面側にはパターン印刷レジストを形成しないレジスト形成工程と、前記パターン印刷レジストを用いて、前記半導体基板の前記他方主面側の前記第２領域における前記第１導電型半導体層の材料膜および前記第１真性半導体層の材料膜を除去することにより、前記半導体基板の前記他方主面側の前記第１領域にパターン化された前記第１真性半導体層および前記第１導電型半導体層を形成する第１半導体層形成工程と、前記パターン印刷レジストを除去するレジスト除去工程と、前記半導体基板の前記一方主面側に前記第３真性半導体層を形成する第３半導体層形成工程と、をこの順で含む。

【発明の効果】

【0012】

本発明によれば、太陽電池の製造方法において、パターン印刷レジストの剥離残りを低減することができ、製造プロセスにおける第３真性半導体層のダメージを低減することができる。

【図面の簡単な説明】

【0013】

【図1】本実施形態に係る太陽電池を背面側からみた図である。

【図2】図１の太陽電池におけるII－II線断面図である。

【図3A】本実施形態に係る太陽電池の製造方法における第１半導体層材料膜形成工程、仮半導体層形成工程およびリフトオフ層形成工程を示す図である。

【図3B】本実施形態に係る太陽電池の製造方法におけるレジスト形成工程を示す図である。

【図3C】本実施形態に係る太陽電池の製造方法における第１半導体層形成工程を示す図である。

【図3D】本実施形態に係る太陽電池の製造方法におけるレジスト除去工程を示す図である。

【図3E】本実施形態に係る太陽電池の製造方法における第２半導体層材料膜形成工程および第３半導体層形成工程を示す図である。

【図3F】本実施形態に係る太陽電池の製造方法における第２半導体層形成工程を示す図である。

【図3G】本実施形態に係る太陽電池の製造方法における光学調整層形成工程を示す図である。

【図3H】本実施形態に係る太陽電池の製造方法における電極層形成工程を示す図である。

【図3I】本実施形態に係る太陽電池の製造方法における電極層形成工程を示す図である。

【図4A】比較例の太陽電池の製造方法における第１半導体層材料膜形成工程、第３真性半導体層形成工程およびリフトオフ層形成工程を示す図である。

【図4B】比較例の太陽電池の製造方法におけるレジスト形成工程を示す図である。

【図4C】比較例の太陽電池の製造方法における第１半導体層形成工程を示す図である。

【図4D】比較例の太陽電池の製造方法におけるレジスト除去工程を示す図である。

【図4E】比較例の太陽電池の製造方法における第２半導体層材料膜形成工程を示す図である。

【図4F】比較例の太陽電池の製造方法における第２半導体層形成工程を示す図である。

【図4G】比較例の太陽電池の製造方法における光学調整層形成工程を示す図である。

【図4H】比較例の太陽電池の製造方法における電極層形成工程を示す図である。

【図4I】比較例の太陽電池の製造方法における電極層形成工程を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0014】

以下、添付の図面を参照して本発明の実施形態の一例について説明する。なお、各図面において同一または相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。また、便宜上、ハッチングや部材符号等を省略する場合もあるが、かかる場合、他の図面を参照するものとする。

【0015】

（太陽電池）
図１は、本実施形態に係る太陽電池を背面側からみた図である。図１に示す太陽電池１は、裏面電極型（バックコンタクト型、裏面接合型ともいう。）の太陽電池である。太陽電池１は、２つの主面を備えるｎ型（第２導電型）半導体基板１１を備え、半導体基板１１の主面において第１領域７と第２領域８とを有する。

【0016】

第１領域７は、いわゆる櫛型の形状をなし、櫛歯に相当する複数のフィンガー部７ｆと、櫛歯の支持部に相当するバスバー部７ｂとを有する。バスバー部７ｂは、半導体基板１１の一方の辺部に沿って第１方向（Ｘ方向）に延在し、フィンガー部７ｆは、バスバー部７ｂから、第１方向（Ｘ方向）に交差する第２方向（Ｙ方向）に延在する。

【0017】

同様に、第２領域８は、いわゆる櫛型の形状であり、櫛歯に相当する複数のフィンガー部８ｆと、櫛歯の支持部に相当するバスバー部８ｂとを有する。バスバー部８ｂは、半導体基板１１の一方の辺部に対向する他方の辺部に沿って第１方向（Ｘ方向）に延在し、フィンガー部８ｆは、バスバー部８ｂから、第２方向（Ｙ方向）に延在する。

【0018】

フィンガー部７ｆとフィンガー部８ｆとは、第１方向（Ｘ方向）に交互に設けられている。なお、第１領域７および第２領域８は、ストライプ状に形成されてもよい。

【0019】

図２は、図１の太陽電池におけるII－II線断面図である。図２に示すように、太陽電池１は、半導体基板１１の主面のうちの受光する側の一方の主面である受光面側に順に積層された真性半導体層（第３真性半導体層）１３および光学調整層１５を備える。また、太陽電池１は、半導体基板１１の主面のうちの受光面の反対側の他方の主面である裏面側の一部（主に、第１領域７）に順に積層された真性半導体層（第１真性半導体層）２３、ｐ型（第１導電型）半導体層２５および第１電極層２７を備える。また、太陽電池１は、半導体基板１１の裏面側の他の一部（主に、第２領域８）に順に積層された真性半導体層（第２真性半導体層）３３、ｎ型（第２導電型）半導体層３５および第２電極層３７を備える。

【0020】

半導体基板１１は、単結晶シリコンまたは多結晶シリコン等の結晶シリコン材料で形成される。半導体基板１１は、例えば結晶シリコン材料にｎ型ドーパントがドープされたｎ型の半導体基板である。ｎ型ドーパントとしては、例えばリン（Ｐ）が挙げられる。
半導体基板１１は、受光面側からの入射光を吸収して光キャリア（電子および正孔）を生成する光電変換基板として機能する。

【0021】

半導体基板１１の材料として結晶シリコンが用いられることにより、暗電流が比較的に小さく、入射光の強度が低い場合であっても比較的高出力（照度によらず安定した出力）が得られる。

【0022】

半導体基板１１は、裏面側に、テクスチャ構造と呼ばれるピラミッド型の微細な凹凸構造を有していてもよい。これにより、半導体基板１１に吸収されず通過してしまった光の回収効率が高まる。

【0023】

また、半導体基板１１は、受光面側に、テクスチャ構造と呼ばれるピラミッド型の微細な凹凸構造を有していてもよい。これにより、受光面において入射光の反射が低減し、半導体基板１１における光閉じ込め効果が向上する。

【0024】

真性半導体層１３は、半導体基板１１の受光面側に形成されている。真性半導体層２３は、半導体基板１１の裏面側の第１領域７に形成されている。真性半導体層３３は、半導体基板１１の裏面側の第２領域８に形成されている。真性半導体層１３，２３，３３は、例えば真性（ｉ型）アモルファスシリコンを主成分とする材料で形成される。
真性半導体層１３，２３，３３は、いわゆるパッシベーション層として機能し、半導体基板１１で生成されたキャリアの再結合を抑制し、キャリアの回収効率を高める。

【0025】

光学調整層１５は、半導体基板１１の受光面側の真性半導体層１３上に形成されている。光学調整層１５は、入射光の反射を防止する反射防止層として機能するとともに、半導体基板１１の受光面側および真性半導体層１３を保護する保護層として機能する。光学調整層１５は、例えば酸化珪素（ＳｉＯ）、窒化珪素（ＳｉＮ）、または酸窒化珪素（ＳｉＯＮ）のようなそれらの複合物等の絶縁体材料で形成される。

【0026】

ｐ型半導体層２５は、真性半導体層２３上に、すなわち半導体基板１１の裏面側の第１領域７に形成されている。ｐ型半導体層２５は、例えばアモルファスシリコン材料で形成される。ｐ型半導体層２５は、例えばアモルファスシリコン材料にｐ型ドーパントがドープされたｐ型の半導体層である。ｐ型ドーパントとしては、例えばホウ素（Ｂ）が挙げられる。

【0027】

ｎ型半導体層３５は、真性半導体層３３上に、すなわち半導体基板１１の裏面側の第２領域８に形成されている。ｎ型半導体層３５は、例えばアモルファスシリコン材料で形成される。ｎ型半導体層３５は、例えばアモルファスシリコン材料にｎ型ドーパント（例えば、上述したリン（Ｐ））がドープされたｎ型半導体層である。

【0028】

第１電極層２７は、ｐ型半導体層２５上に形成されており、第２電極層３７は、ｎ型半導体層３５上に形成されている。第１電極層２７は、ｐ型半導体層２５上に順に積層された透明電極層２８と金属電極層２９とを有する。第２電極層３７は、ｎ型半導体層３５上に順に積層された透明電極層３８と金属電極層３９とを有する。
透明電極層２８，３８は、透明な導電性材料で形成される。透明導電性材料としては、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide：酸化インジウムおよび酸化スズの複合酸化物）等が挙げられる。金属電極層２９，３９は、銀等の金属粉末を含有する導電性ペースト材料で形成される。

【0029】

（比較例の太陽電池の製造方法）
本願発明者らは、ｐ型半導体層のパターニング（１回目のパターニング）において、パターン印刷法によるパターン印刷レジストを用いることを考案している。これにより、スピンコート法によるフォトレジスト（フォトリソグラフィ法）を用いた場合と比較して、露光および現像の工程を削減することができ、太陽電池の製造プロセスの簡略化が可能となる。

【0030】

なお、パターン印刷とは、フォトリソグラフィ法のように、一度、パターン化前のレジスト膜（非パターンレジスト膜）を形成した後に、露光・現像のような工程を経る印刷ではなく、スクリーン印刷若しくはグラビア印刷のようなプレス印刷、または、インクジェット印刷のような吐出印刷のような、レジスト付着面に対して、直接、パターン化したレジスト(印刷材料）を付着させる印刷法を意味する。また、パターン印刷レジストとは、パターン印刷に使用される印刷材料（レジスト材料）を意味する。

【0031】

更に、本願発明者らは、ｐ型半導体層のパターニングにおいて、パターン印刷レジストを除去する溶液として安価なアルカリ溶液を採用することを考案している。これにより、太陽電池の低コスト化が可能となる。

【0032】

また、本願発明者らは、ｎ型半導体層のパターニング（２回目のパターニング）において、リフトオフ層（犠牲層）を用いたリフトオフ法を採用することを考案している。これにより、太陽電池の製造プロセスの簡略化が可能となる。

【0033】

更に、本願発明者らは、リフトオフ層を、以下に示すような酸性溶液に対する特性を有する下層と上層とを有する２層構造とすることを考案している。
下層のエッチング速度＞上層のエッチング速度
これによれば、エッチング速度が遅い上層により、ｐ型半導体層のパターニング（１回目のパターニング）後の基板洗浄工程において、リフトオフ層の剥離を抑制しつつ、エッチング速度が速い下層により、ｎ型半導体層のパターニング（２回目のパターニング）のリフトオフ工程において、リフトオフ性を高めることができる。

【0034】

また、本願発明者らは、透明電極層のパターニングにおいて、金属電極層をマスクとして用いることを考案している。これにより、フォトリソグラフィ法等によるレジストをマスクとして用いる必要がなく、太陽電池の製造プロセスの簡略化が可能となる。

【0035】

以下に、図４Ａ～図４Ｉを参照して、本願発明者らの考案に基づく比較例の太陽電池１Ｘの製造方法、およびその課題について説明する。図４Ａは、比較例の太陽電池の製造方法における第１半導体層材料膜形成工程、第３半導体層形成工程およびリフトオフ層形成工程を示す図であり、図４Ｂは、比較例の太陽電池の製造方法におけるレジスト形成工程を示す図である。また、図４Ｃは、比較例の太陽電池の製造方法における第１半導体層形成工程を示す図であり、図４Ｄは、比較例の太陽電池の製造方法におけるレジスト除去工程を示す図である。また、図４Ｅは、比較例の太陽電池の製造方法における第２半導体層材料膜形成工程を示す図であり、図４Ｆは、比較例の太陽電池の製造方法における第２半導体層形成工程を示す図である。また、図４Ｇは、比較例の太陽電池の製造方法における光学調整層形成工程を示す図であり、図４Ｈおよび図４Ｉは、比較例の太陽電池の製造方法における電極層形成工程を示す図である。

【0036】

まず、図４Ａに示すように、例えばＣＶＤ法（化学気相堆積法）を用いて、受光面側および／または裏面側に凹凸構造（テクスチャ構造）を有する半導体基板１１Ｘの裏面側の全面に、真性半導体層材料膜２３ＺＸおよびｐ型半導体層材料膜２５ＺＸを順に積層（製膜）する（第１半導体層材料膜形成工程）。

【0037】

また、例えばＣＶＤ法を用いて、半導体基板１１Ｘの受光面側の全面に、真性半導体層（第３真性半導体層）１３Ｘを積層（製膜）する（第３半導体層形成工程）。なお、真性半導体層材料膜２３ＺＸおよびｐ型半導体層材料膜２５ＺＸと、真性半導体層１３Ｘとの製膜の順序は限定されない。

【0038】

次に、例えばＣＶＤ法を用いて、半導体基板１１Ｘの裏面側の全面に、具体的にはｐ型半導体層材料膜２５ＺＸ上の全面に、リフトオフ層（犠牲層）４１Ｘを積層（製膜）する（リフトオフ層形成工程）。
リフトオフ層４１Ｘは、酸化珪素（ＳｉＯ）、窒化珪素（ＳｉＮ）、または酸窒化珪素（ＳｉＯＮ）のようなそれらの複合物等の材料で形成される。リフトオフ層４１Ｘの膜厚は、例えば１ｎｍ以上１μｍ以下であると好ましい。

【0039】

リフトオフ層４１Ｘは、半導体基板１１Ｘ側から下層と上層とを有する２層構造であってもよい。下層および上層は、以下に示すような酸性溶液に対する特性を有する。
下層のエッチング速度＞上層のエッチング速度
例えば、リフトオフ層４１Ｘが酸化珪素を主成分とする膜である場合、その主成分をＳｉＯｘと表したときのｘの値は、以下の関係式を満たす。
下層のｘ＞上層のｘ

【0040】

次に、図４Ｂ～図４Ｄに示すように、パターン印刷レジスト９０Ｘを用いて、半導体基板１１Ｘの裏面側において、第２領域８におけるリフトオフ層４１Ｘ、ｐ型半導体層材料膜２５ＺＸおよび真性半導体層材料膜２３ＺＸを除去することにより、第１領域７に、パターン化された真性半導体層（第１真性半導体層）２３Ｘ、ｐ型半導体層２５Ｘおよびリフトオフ層４１Ｘを形成する。

【0041】

具体的には、図４Ｂに示すように、半導体基板１１Ｘの裏面側において、第１領域７におけるｐ型半導体層材料膜２５ＺＸおよびリフトオフ層４１Ｘ上に、パターン印刷法を用いてパターン印刷レジスト９０Ｘを形成する（レジスト形成工程）。また、半導体基板１１Ｘの受光面側の全面に、パターン印刷法を用いてパターン印刷レジスト９０Ｘを形成する（レジスト形成工程）。パターン印刷レジストの膜厚は、例えば１μｍ以上５０μｍ以下である。パターン印刷法を用いたパターン印刷レジストによれば、従来のスピンコート法を用いたフォトレジスト（フォトリソグラフィ法）におけるレジストの露光および現像が不要となる（製造プロセスの簡略化）。このとき、第１の課題および第２の課題が生じる（詳細は後述する）。

【0042】

その後、図４Ｃに示すように、パターン印刷レジスト９０Ｘをマスクとして、半導体基板１１Ｘの裏面側において、第２領域８におけるリフトオフ層４１Ｘをエッチングすることにより、第１領域７に、パターン化されたリフトオフ層４１Ｘを形成する。リフトオフ層４１Ｘに対するエッチング溶液としては、例えばフッ酸等の酸性溶液が用いられる。
その後、パターン印刷レジスト９０Ｘをマスクとして、半導体基板１１Ｘの裏面側において、第２領域８におけるｐ型半導体層材料膜２５ＺＸおよび真性半導体層材料膜２３ＺＸをエッチングすることにより、第１領域７に、パターン化された真性半導体層２３Ｘおよびｐ型半導体層２５Ｘを形成する（第１半導体層形成工程）。ｐ型半導体層材料膜２５ＺＸおよび真性半導体層材料膜２３ＺＸに対するエッチング溶液としては、例えばオゾンをフッ酸に溶解させた混合液等の酸性溶液が用いられる。

【0043】

その後、図４Ｄに示すように、裏面側および受光面側のパターン印刷レジスト９０Ｘを除去する（レジスト除去工程）。パターン印刷レジスト９０Ｘに対するエッチング溶液としては、ＫＯＨ等の安価なアルカリ溶液が用いられる（低コスト化）。このとき、第２の課題が生じる（詳細は後述する）。

【0044】

次に、半導体基板１１Ｘの両面側をクリーニングする（第１洗浄工程）。第１洗浄工程では、例えばオゾン処理を行った後、フッ酸処理が行われる。フッ酸処理とは、フッ酸のみならず、フッ酸に他の種類の酸（第１洗浄工程では、例えば塩酸）を含めた混合物での処理も含むものとする。このとき、リフトオフ層４１Ｘにおけるエッチング速度が遅い上層により、リフトオフ層４１Ｘの剥離を抑制することができる。このとき、第２の課題が生じる（詳細は後述する）。

【0045】

次に、図４Ｅに示すように、例えばＣＶＤ法を用いて、半導体基板１１Ｘの裏面側の全面に、具体的には第１領域７におけるリフトオフ層４１Ｘ上および第２領域８に、真性半導体層材料膜３３ＺＸおよびｎ型半導体層材料膜３５ＺＸを順に積層（製膜）する（第２半導体層材料膜形成工程）。

【0046】

次に、図４Ｆに示すように、リフトオフ層（犠牲層）を用いたリフトオフ法を利用して、半導体基板１１Ｘの裏面側において、第１領域７における真性半導体層材料膜３３ＺＸおよびｎ型半導体層材料膜３５ＺＸを除去することにより、第２領域８に、パターン化された真性半導体層（第２真性半導体層）３３Ｘおよびｎ型半導体層３５Ｘを形成する（第２半導体層形成工程）。

【0047】

具体的には、リフトオフ層４１Ｘを除去することにより、リフトオフ層４１Ｘ上の真性半導体層材料膜３３ＺＸおよびｎ型半導体層材料膜３５ＺＸを除去し、第２領域８に真性半導体層３３Ｘおよびｎ型半導体層３５Ｘを形成する。リフトオフ層４１Ｘの除去溶液としては、例えばフッ酸等の酸性溶液が用いられる。このとき、リフトオフ層４１Ｘにおけるエッチング速度が速い下層により、リフトオフ性を高めることができる。

【0048】

次に、図４Ｇに示すように、半導体基板１１Ｘの受光面側の全面に、光学調整層１５Ｘを形成する（光学調整層形成工程）。

【0049】

次に、図４Ｈおよび図４Ｉに示すように、半導体基板１１Ｘの裏面側に、第１電極層２７Ｘおよび第２電極層３７Ｘを形成する（電極層形成工程）。
具体的には、例えばスパッタリング法等のＰＶＤ法（物理気相成長法）を用いて、半導体基板１１Ｘの裏面側において、第１導電型半導体層２５Ｘおよび第２導電型半導体層３５Ｘの上にこれらに跨って透明電極層材料膜２８ＺＸを積層（製膜）する（透明電極層材料膜形成工程）。

【0050】

その後、例えばパターン印刷法または塗布法を用いて、透明電極層材料膜２８ＺＸを介して第１導電型半導体層２５Ｘ上に金属電極層２９Ｘを形成し、透明電極層材料膜２８ＺＸを介して第２導電型半導体層３５Ｘ上に金属電極層３９Ｘを形成する（金属電極層形成工程）。

【0051】

その後、金属電極層２９Ｘおよび金属電極層３９Ｘをマスクとして用いて、透明電極層材料膜２８ＺＸをパターニングすることにより、互いに分離された第１透明電極層２８Ｘおよび第２透明電極層３８Ｘを形成する（透明電極層形成工程）。透明電極層材料膜２８ＺＸに対するエッチング溶液としては、例えば塩酸または塩化第二鉄水溶液が用いられる。

【0052】

ここで、従来の太陽電池の製造方法では、透明電極層材料膜の形成後であって金属電極層の形成前に、透明電極層の形成（パターニング）を行う。
透明電極層の形成（パターニング）では、例えばフォトリソグラフィ法を用いて透明電極層材料膜をパターニングすることにより、互いに分離された第１透明電極層および第２透明電極層を形成する。フォトリソグラフィ法では、
・透明電極層材料膜の上にレジストを塗布し、
・レジストを感光させることにより、レジストに開口を形成し、
・レジストをマスクとして開口において露出した透明電極層材料膜をエッチングすることにより、互いに分離された第１透明電極層および第２透明電極層を形成し、
・レジストを除去する。

【0053】

これに対し、比較例の太陽電池の製造方法によれば、透明電極層材料膜の形成後に、金属電極層の形成および透明電極層の形成（パターニング）をこの順で含み、透明電極層の形成（パターニング）では、第１金属電極層２９Ｘおよび第２金属電極層３９Ｘをマスクとして用いて、透明電極層材料膜２８ＺＸをパターニングすることにより、互いに分離された第１透明電極層２８Ｘおよび第２透明電極層３８Ｘを形成する。これにより、比較例の太陽電池の製造方法によれば、従来のように、マスクを用いたフォトリソグラフィ法等を用いる必要がなく、透明電極層の形成の簡略化および短縮化が可能である。

【0054】

以上の工程により、比較例の裏面電極型の太陽電池１Ｘが完成する。

【0055】

ここで、比較例の太陽電池の製造方法では、第１半導体層形成工程（１回目のパターニング）の前に、受光面側の真性半導体層（第３真性半導体層）１３Ｘを製膜する。そして、第１半導体層形成工程（１回目のパターニング）では、裏面側と同様に、受光面側にもパターン印刷レジストを形成し、エッチング溶液から真性半導体層１３Ｘを保護しつつ、真性半導体層１３Ｘを残していた。

【0056】

（第１の課題）
しかし、裏面側のパターン印刷レジストを印刷して焼成（乾燥）した後に、受光面側のパターン印刷レジストを印刷して焼成（乾燥）すると、裏面側のパターン印刷レジストの熱履歴が２回となり、裏面側のパターン印刷レジストが剥離し難くなってしまう。そのため、裏面側のパターン印刷レジストの剥離残りが発生してしまう。

【0057】

（第２の課題）
また、第１半導体層形成工程（１回目パターニング）の前に、受光面側の真性半導体層１３Ｘを形成すると、その後の製造プロセスにおいて真性半導体層１３Ｘがダメージを受けてしまう。
例えば、パターン印刷レジストとの接触により、レジスト剥離溶液（アルカリ溶液）との接触により、洗浄溶液（フッ酸）との接触により、受光面側の真性半導体層１３Ｘがダメージを受けてしまう。

【0058】

第１の課題および第２の課題に関し、本願発明者らは、第１半導体層形成工程（１回目のパターニング）に対するレジスト形成工程において受光面側にパターン印刷レジストを形成せず、第１半導体層形成工程（１回目のパターニング）においてこの段階で形成された受光面側の仮の真性半導体層を剥離する。そして、第２半導体層材料膜形成工程において、受光面側の真性半導体層を製膜し直すことを考案する。

【0059】

（本実施形態の太陽電池の製造方法）
以下、図３Ａ～図３Ｉを参照して、図１および図２に示す本実施形態の太陽電池１の製造方法について説明する。図３Ａは、本実施形態に係る太陽電池の製造方法における第１半導体層材料膜形成工程、仮半導体層形成工程およびリフトオフ層形成工程を示す図であり、図３Ｂは、本実施形態に係る太陽電池の製造方法におけるレジスト形成工程を示す図である。また、図３Ｃは、本実施形態に係る太陽電池の製造方法における第１半導体層形成工程を示す図であり、図３Ｄは、本実施形態に係る太陽電池の製造方法におけるレジスト除去工程を示す図である。また、図３Ｅは、本実施形態に係る太陽電池の製造方法における第２半導体層材料膜形成工程および第３半導体層形成工程を示す図であり、図３Ｆは、本実施形態に係る太陽電池の製造方法における第２半導体層形成工程を示す図である。また、図３Ｇは、本実施形態に係る太陽電池の製造方法における光学調整層形成工程を示す図であり、図３Ｈおよび図３Ｉは、本実施形態に係る太陽電池の製造方法における電極層形成工程を示す図である。

【0060】

まず、図３Ａに示すように、例えばＣＶＤ法を用いて、受光面側および／または裏面側に凹凸構造（テクスチャ構造）を有する半導体基板１１の裏面側の全面に、真性半導体層材料膜２３Ｚおよびｐ型半導体層材料膜２５Ｚを順に積層（製膜）する（第１半導体層材料膜形成工程）。

【0061】

また、例えばＣＶＤ法を用いて、半導体基板１１の受光面側の全面に、仮の半導体層１３Ｚを積層（製膜）してもよい（仮半導体層形成工程）。仮の半導体層１３Ｚは、例えば真性半導体層である。仮の半導体層１３Ｚを形成すると、後述するレジスト形成工程時などにおいて、半導体基板１１の受光面側に意図せず汚染源（有機物質等）が付着してしまうことを防ぐことができる。なお、受光面側の仮の半導体層１３Ｚは形成されなくてもよい。なお、真性半導体層材料膜２３Ｚおよびｐ型半導体層材料膜２５Ｚと、仮の半導体層１３Ｚとの製膜の順序は限定されない。

【0062】

次に、例えばＣＶＤ法を用いて、半導体基板１１の裏面側の全面に、具体的にはｐ型半導体層材料膜２５Ｚ上の全面に、リフトオフ層（犠牲層）４１を積層（製膜）する（リフトオフ層形成工程）。
リフトオフ層４１は、酸化珪素（ＳｉＯ）、窒化珪素（ＳｉＮ）、または酸窒化珪素（ＳｉＯＮ）のようなそれらの複合物等の材料で形成される。リフトオフ層４１の膜厚は、例えば１ｎｍ以上１μｍ以下であると好ましい。

【0063】

リフトオフ層４１は、半導体基板１１側から下層と上層とを有する２層構造であってもよい。下層および上層は、以下に示すような酸性溶液に対する特性を有する。
下層のエッチング速度＞上層のエッチング速度
例えば、リフトオフ層４１が酸化珪素を主成分とする膜である場合、その主成分をＳｉＯｘと表したときのｘの値は、以下の関係式を満たす。
下層のｘ＞上層のｘ

【0064】

次に、図３Ｂ～図３Ｄに示すように、パターン印刷レジスト９０を用いて、半導体基板１１の裏面側において、第２領域８におけるリフトオフ層４１、ｐ型半導体層材料膜２５Ｚおよび真性半導体層材料膜２３Ｚを除去することにより、第１領域７に、パターン化された真性半導体層（第１真性半導体層）２３、ｐ型半導体層２５およびリフトオフ層４１を形成する。

【0065】

具体的には、図３Ｂに示すように、半導体基板１１の裏面側において、第１領域７におけるｐ型半導体層材料膜２５Ｚおよびリフトオフ層４１上に、パターン印刷法を用いてパターン印刷レジスト９０を形成する（レジスト形成工程）。パターン印刷レジスト９０の膜厚は、例えば１μｍ以上５０μｍ以下である。パターン印刷法を用いたパターン印刷レジストによれば、従来のスピンコート法を用いたフォトレジスト（フォトリソグラフィ法）におけるレジストの露光および現像が不要となる（製造プロセスの簡略化）。

【0066】

一方、半導体基板１１の受光面側には、パターン印刷レジストを形成しない（レジスト形成工程）。これにより、裏面側のパターン印刷レジスト９０を印刷して焼成（乾燥）した後に、受光面側のパターン印刷レジストを印刷して焼成（乾燥）する必要がなく、裏面側のパターン印刷レジスト９０の熱履歴は１回となる。これにより、裏面側のパターン印刷レジスト９０の熱履歴を低減でき、後述するレジスト除去工程において、裏面側のパターン印刷レジスト９０の剥離し難さが低減され、裏面側のパターン印刷レジスト９０の剥離残りが低減される（第１の課題解決）。
また、受光面側にパターン印刷レジストを形成せず、後述するように受光面側の真性半導体層１３は形成されていないので、パターン印刷レジストとの接触による受光面側の真性半導体層１３のダメージが無い（第２の課題解決）。

【0067】

その後、図３Ｃに示すように、パターン印刷レジスト９０をマスクとして、半導体基板１１の裏面側において、第２領域８におけるリフトオフ層４１をエッチングすることにより、第１領域７に、パターン化されたリフトオフ層４１を形成する。リフトオフ層４１に対するエッチング溶液としては、例えばフッ酸等の酸性溶液が用いられる。
その後、パターン印刷レジスト９０をマスクとして、半導体基板１１の裏面側において、第２領域８におけるｐ型半導体層材料膜２５Ｚおよび真性半導体層材料膜２３Ｚをエッチングすることにより、第１領域７に、パターン化された真性半導体層（第１真性半導体層）２３、ｐ型半導体層２５を形成する（第１半導体層形成工程）。ｐ型半導体層材料膜２５Ｚおよび真性半導体層材料膜２３Ｚに対するエッチング溶液としては、例えばオゾンをフッ酸に溶解させた混合液等の酸性溶液が用いられる。
このとき、半導体基板１１の受光面側にパターン印刷レジストが形成されていないので、半導体基板１１の受光面側に形成された仮の半導体層１３Ｚが除去される。

【0068】

その後、図３Ｄに示すように、パターン印刷レジスト９０を除去する（レジスト除去工程）。パターン印刷レジスト９０に対するエッチング溶液としては、ＫＯＨ等の安価なアルカリ溶液が用いられる（低コスト化）。
このとき、後述するように受光面側の真性半導体層１３は形成されていないので、レジスト剥離溶液（アルカリ溶液）との接触による受光面側の真性半導体層１３のダメージが無い（第２の課題解決）。

【0069】

次に、半導体基板１１の両面側をクリーニングする（第１洗浄工程）。第１洗浄工程では、例えばオゾン処理を行った後、フッ酸処理が行われる。フッ酸処理とは、フッ酸のみならず、フッ酸に他の種類の酸（第１洗浄工程では、例えば塩酸）を含めた混合物での処理も含むものとする。このとき、リフトオフ層４１におけるエッチング速度が遅い上層により、リフトオフ層４１の剥離を抑制することができる。
また、このとき、後述するように受光面側の真性半導体層１３は形成されていないので、洗浄溶液（フッ酸）との接触による受光面側の真性半導体層１３のダメージがない（第２の課題解決）。

【0070】

次に、図３Ｅに示すように、例えばＣＶＤ法を用いて、半導体基板１１の受光面側の全面に、真性半導体層（第３真性半導体層）１３を積層（製膜）する（第３半導体層形成工程）。

【0071】

また、例えばＣＶＤ法を用いて、半導体基板１１の裏面側の全面に、具体的には第１領域７におけるリフトオフ層４１上および第２領域８に、真性半導体層材料膜３３Ｚおよびｎ型半導体層材料膜３５Ｚを順に積層（製膜）する（第２半導体層材料膜形成工程）。

【0072】

次に、図３Ｆに示すように、リフトオフ層（犠牲層）を用いたリフトオフ法を利用して、半導体基板１１の裏面側において、第１領域７における真性半導体層材料膜３３Ｚおよびｎ型半導体層材料膜３５Ｚを除去することにより、第２領域８に、パターン化された真性半導体層（第２真性半導体層）３３およびｎ型半導体層３５を形成する（第２半導体層形成工程）。

【0073】

具体的には、リフトオフ層４１を除去することにより、リフトオフ層４１上の真性半導体層材料膜３３Ｚおよびｎ型半導体層材料膜３５Ｚを除去し、第２領域８に真性半導体層３３およびｎ型半導体層３５を形成する。リフトオフ層４１の除去溶液としては、例えばフッ酸等の酸性溶液が用いられる。このとき、リフトオフ層４１におけるエッチング速度が速い下層により、リフトオフ性を高めることができる。

【0074】

次に、図３Ｇに示すように、半導体基板１１の受光面側の全面に、光学調整層１５を形成する（光学調整層形成工程）。

【0075】

次に、図３Ｈおよび図３Ｉに示すように、半導体基板１１の裏面側に、第１電極層２７および第２電極層３７を形成する（電極層形成工程）。
具体的には、例えばスパッタリング法等のＰＶＤ法を用いて、半導体基板１１の裏面側において、第１導電型半導体層２５および第２導電型半導体層３５の上にこれらに跨って透明電極層材料膜２８Ｚを積層（製膜）する（透明電極層材料膜形成工程）。

【0076】

その後、例えばパターン印刷法または塗布法を用いて、透明電極層材料膜２８Ｚを介して第１導電型半導体層２５上に金属電極層２９を形成し、透明電極層材料膜２８Ｚを介して第２導電型半導体層３５上に金属電極層３９を形成する（金属電極層形成工程）。

【0077】

その後、金属電極層２９および金属電極層３９をマスクとして用いて、透明電極層材料膜２８Ｚをパターニングすることにより、互いに分離された第１透明電極層２８および第２透明電極層３８を形成する（透明電極層形成工程）。透明電極層材料膜２８Ｚに対するエッチング溶液としては、例えば塩酸または塩化第二鉄水溶液が用いられる。これにより、上述したように、従来のようにマスクを用いたフォトリソグラフィ法等を用いる必要がなく、透明電極層の形成の簡略化および短縮化が可能である。

【0078】

以上の工程により、図１および図２に示す本実施形態の裏面電極型の太陽電池１が得られる。

【0079】

以上説明したように、本実施形態の太陽電池の製造方法によれば、第１半導体層形成工程（１回目のパターニング）において、受光面側にパターン印刷レジストを形成しないので、裏面側のパターン印刷レジスト９０を印刷して焼成（乾燥）した後に、受光面側のパターン印刷レジストを印刷して焼成（乾燥）する必要がなく、裏面側のパターン印刷レジスト９０の熱履歴は１回となる。これにより、裏面側のパターン印刷レジスト９０の熱履歴を低減でき、裏面側のパターン印刷レジスト９０の剥離し難さが低減される。そのため、裏面側のパターン印刷レジスト９０の剥離残りが低減される。なお、受光面側のパターン印刷レジストの剥離残りは無い。

【0080】

また、本実施形態の太陽電池の製造方法によれば、第１半導体層形成工程（１回目のパターニング）において受光面側にパターン印刷レジストを形成しないので、第１半導体層形成工程（１回目のパターニング）の前に形成された受光面側の仮の半導体層１３Ｚは除去される。そして、第２半導体層形成工程（２回目のパターニング）において、受光面側の真性半導体層（第３真性半導体層）１３を製膜し直す。これにより、製造プロセスにおいて受光面側の真性半導体層１３がダメージを受けることを抑制することができる。具体的には、パターン印刷レジストとの接触が無く、レジスト剥離溶液（アルカリ溶液）との接触が無く、洗浄溶液（フッ酸）との接触が無いので、受光面側の真性半導体層１３がダメージを受けることが抑制される。その結果、太陽電池の性能が向上する。

【0081】

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上述した実施形態に限定されることなく、種々の変更および変形が可能である。例えば、上述した実施形態では、第１導電型半導体層２５をｐ型半導体層、第２導電型半導体層３５をｎ型半導体層としたが、第１導電型半導体層２５をｎ型半導体層、第２導電型半導体層３５をｐ型半導体層に置き換えてもよい。

【0082】

また、上述した実施形態では、図２に示すようにヘテロ接合型の太陽電池１の製造方法を例示したが、本発明の特徴は、ヘテロ接合型の太陽電池に限らず、ホモ接合型の太陽電池等の種々の太陽電池の製造方法に適用可能である。

【0083】

また、上述した実施形態では、半導体基板１１としてｎ型半導体基板を例示したが、半導体基板１１は、結晶シリコン材料にｐ型ドーパント（例えば、上述したホウ素（Ｂ））がドープされたｐ型半導体基板であってもよい。

【0084】

また、上述した実施形態では、結晶シリコン基板を有する太陽電池を例示したが、これに限定されない。例えば、太陽電池は、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）基板を有していてもよい。

【符号の説明】

【0085】

１，１Ｘ 太陽電池
７ 第１領域
７ｂ，８ｂ バスバー部
７ｆ，８ｆ フィンガー部
８ 第２領域
１１，１１Ｘ 半導体基板
１３，１３Ｘ 真性半導体層（第３真性半導体層）
１３Ｚ 仮の半導体層
１５，１５Ｘ 光学調整層
２３，２３Ｘ 真性半導体層（第１真性半導体層）
２３Ｚ，２３ＺＸ 真性半導体層材料膜（第１真性半導体層材料膜）
２５，２５Ｘ ｐ型半導体層（第１導電型半導体層）
２５Ｚ，２５ＺＸ ｐ型半導体層材料膜（第１導電型半導体層材料膜）
２７，２７Ｘ 第１電極層
２８，２８Ｘ 第１透明電極層
２９，２９Ｘ 第１金属電極層
３３，３３Ｘ 真性半導体層（第２真性半導体層）
３３Ｚ，３３ＺＸ 真性半導体層材料膜（第２真性半導体層材料膜）
３５，３５Ｘ 第２導電型半導体層
３５Ｚ，３５ＺＸ 第２導電型半導体層材料膜
３７，３７Ｘ 第２電極層
３８，３８Ｘ 第２透明電極層
３９，３９Ｘ 第２金属電極層
４１，４１Ｘ リフトオフ層
９０，９０Ｘ パターン印刷レジスト

【図1】

【図2】

【図3A】

【図3B】

【図3C】

【図3D】

【図3E】

【図3F】

【図3G】

【図3H】

【図3I】

【図4A】

【図4B】

【図4C】

【図4D】

【図4E】

【図4F】

【図4G】

【図4H】

【図4I】