特許 7365871 半導体装置とその製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2023-10-12

(45)【発行日】2023-10-20

(54)【発明の名称】半導体装置とその製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 23/50 20060101AFI20231013BHJP

【ＦＩ】

H01L23/50 H

【請求項の数】 8

(21)【出願番号】P 2019212792

(22)【出願日】2019-11-26

(65)【公開番号】P2021086868

(43)【公開日】2021-06-03

【審査請求日】2022-10-11

(73)【特許権者】

【識別番号】715010864

【氏名又は名称】エイブリック株式会社

(72)【発明者】

【氏名】塚越 功二

【審査官】豊島 洋介

(56)【参考文献】

【文献】特開平１１－３０７６７５（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００９－０６００９３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０００－１００８６４（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ２３／２８－２３／３１

Ｈ０１Ｌ２３／４８

Ｈ０１Ｌ２３／５０

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

半導体チップと、
前記半導体チップの周囲に配置されたリードと、
前記半導体チップと前記リードを接続する接続部材と、
前記半導体チップと前記リードと前記接続部材を封止する封止樹脂と、を備え、
前記リードの底面は前記封止樹脂から露出し、前記リードの側面には前記リードの上面から前記リードの底面まで達するテーパー状の貫通溝が設けられており、
前記貫通溝の前記リードの上面に開口する面積が前記リードの底面に開口する面積よりも大きく、前記貫通溝の側面に螺旋溝を設けられていることを特徴とする半導体装置。

【請求項2】

半導体チップと、
前記半導体チップの周囲に配置されたリードと、
前記半導体チップと前記リードを接続する接続部材と、
前記半導体チップと前記リードと前記接続部材を封止する封止樹脂と、を備え、
前記リードの底面は前記封止樹脂から露出し、前記リードの側面には前記リードの上面から前記リードの底面まで達するテーパー状の貫通溝が設けられており、
前記貫通溝の前記リードの上面に開口する面積が前記リードの底面に開口する面積よりも小さく、前記貫通溝の側面に螺旋溝を設けられていることを特徴とする半導体装置。

【請求項3】

前記半導体チップはダイパッド上に搭載され、前記ダイパッドの底面は前記封止樹脂から露出し、前記ダイパッドの側面には前記ダイパッドの上面から前記ダイパッドの底面まで達するテーパー状の貫通溝が設けられていることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。

【請求項4】

前記半導体チップの底面の端縁に面取り部を有し、前記半導体チップの底面が前記封止樹脂から露出し、前記面取り部が前記封止樹脂で覆われていることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。

【請求項5】

前記半導体チップは前記リードにフリップチップ接続されていることを特徴とする請求項１及び２に記載の半導体装置。

【請求項6】

貫通溝を有するリードを備えるリードフレームを用意する工程と、
半導体ウェハをバックグラインドする工程と、
前記半導体ウェハの裏面からハーフカットダイシングする工程と、
前記半導体ウェハの裏面をダイシングテープに貼り付け、前記半導体ウェハの表面からフルカットダイシングする工程と、
前記ダイシングテープをエキスパンドして、個片化した半導体チップ間の寸法を前記リードフレームのピッチサイズと同じ寸法まで広げる工程と、
前記ダイシングテープと前記リードフレームを貼り合わせる工程と、
前記半導体チップと前記リードを接続部材で接続する工程と、
前記半導体チップと前記リードと前記接続部材を封止樹脂にて封止する工程と、
前記封止樹脂および前記リードを切断する工程と、
前記ダイシングテープを前記リードと前記半導体チップと前記封止樹脂から剥離する工程と、を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。

【請求項7】

前記貫通溝を有するリードを備えるリードフレームを用意する工程は、
金属平板に貫通孔を形成する工程と、
前記貫通孔の中心を横断して切断する打ち抜き工程と、を備えることを特徴とする請求項６記載の半導体装置の製造方法。

【請求項8】

前記ハーフカットダイシングする工程で用いる第１ブレードの先端は角錐形状であって、前記フルカットダイシングする工程で用いる第２ブレードの幅よりも幅広であることを特徴とする請求項６または７に記載の半導体装置の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、ノンリードタイプの半導体装置とその製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

携帯型機器やＩＣカードに搭載される半導体装置には小型化や薄型化が求められている。リード端子をパッケージ端面と等しい長さにしたノンリードタイプとすることにより、半導体装置の実装面積が減少することはよく知られている。

【0003】

図８には、ノンリードタイプの半導体パッケージの断面を示している。ダイパッド１２１とリード１２２を樹脂１３０で接合し、ダイパッド１２１上に搭載した半導体素子１７０と上面にメッキ膜１５０を形成したリード１２２とをボンディングワイヤ１７１を介して電気的に接続し、封止用樹脂１８０で封止し、リード１２２の外側面と封止用樹脂１８０の側面が同一面を成す構造となっている。

【0004】

図示するノンリードタイプの半導体パッケージでは、ダイパッド１２１を断面視的に六角形とし、ダイパッド１２１の厚み方向の中央部が膨らんだ形状である。また、リード１２２は、その断面においてボンディングワイヤ１７１を接続している上面の幅をダイパッド１２１方向に長くして、底面の幅を短くした構造としている。すなわち、リード１２２の上面には、ダイパッド１２１に向かい合う方向に凸型の庇部を有する構造である。以上の構造により、ダイパッド１２１とリード１２２は樹脂１３０や封止用樹脂１８０から容易に抜け落ちないようになっている（例えば、特許文献１参照）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【文献】特開２００３－３０９２４１号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

しかしながら、特許文献１記載のノンリードタイプの半導体パッケージでは、リード１２２に凸型の庇部を設けることで、リード１２２の上面の平面積が樹脂１３０から露出するリード１２２の底面の平面積よりも大きいものとなる。また、リード１２２の脱落防止のためには庇部を所定の厚さとする必要があり、それによってリード１２２自身も厚くなる。以上のようにリードに庇部を設けることは小型化や薄型化の阻害要因となっている。
本発明は、上記課題に鑑みなされたもので、封止樹脂からのリードの脱落防止をしつつ、小型で薄型の半導体装置を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0007】

上記課題を解決するために、本発明では以下の手段を用いた。
半導体チップと、
前記半導体チップの周囲に配置されたリードと、
前記半導体チップと前記リードを接続する接続部材と、
前記半導体チップと前記リードと前記接続部材を封止する封止樹脂と、を備え、
前記リードの底面は前記封止樹脂から露出し、前記リードの側面には前記リードの上面から前記リードの底面まで達するテーパー状の貫通溝が設けられていることを特徴とする半導体装置とした。

【0008】

また、貫通溝を有するリードを備えるリードフレームを用意する工程と、
半導体ウェハをバックグラインドする工程と、
前記半導体ウェハの裏面からハーフカットダイシングする工程と、
前記半導体ウェハの裏面をダイシングテープに貼り付け、前記半導体ウェハの表面からフルカットダイシングする工程と、
前記ダイシングテープをエキスパンドして、個片化した半導体チップ間の寸法を前記リードフレームのピッチサイズと同じ寸法まで広げる工程と、
前記ダイシングテープと前記リードフレームを貼り合わせる工程と、
前記半導体チップと前記リードを接続部材で接続する工程と、
前記半導体チップと前記リードと前記接続部材を封止樹脂にて封止する工程と、
前記封止樹脂および前記リードを切断する工程と、
前記ダイシングテープを前記リードと前記半導体チップと前記封止樹脂から剥離する工程と、を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法を用いた。

【発明の効果】

【0009】

上記手段を用いることで、リードとダイパッドの封止樹脂からの脱落を防止しつつ、小型かつ薄型の半導体装置を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【0010】

【図1】本発明の第１実施形態に係る半導体装置の断面図および底面図である。

【図2】本発明の第１実施形態に係る半導体装置の溝部の拡大断面図である。

【図3】本発明の第２実施形態に係る半導体装置の断面図および底面図である。

【図4】本発明の第３実施形態に係る半導体装置の断面図である。

【図5】本発明の第３実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す模式図である。

【図6】図５に続く、本発明の第３実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す模式図である。

【図7】本発明の第４実施形態に係る半導体装置の断面図である。

【図8】従来のノンリードタイプの半導体パッケージの断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0011】

以下、本発明の実施形態である半導体装置について図を用いて説明する。
（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態の半導体装置の断面図および底面図である。まず、断面図である図１（ａ）を参照して半導体装置１０の構成を説明する。ダイパッド５上にダイアタッチ層３を介して半導体チップ１が固着されている。ダイパッド５の周囲にはダイパッド５と離間してリード４が設けられている。そして、半導体チップ１の上面に設けられた電極パッド（図示せず）とリード４の上面とが接続部材であるボンディングワイヤ２を介して電気的に接続されている。ボンディングワイヤ２の材料としては金（Ａｕ）や銅（Ｃｕ）が用いられる。

【0012】

半導体チップ１とダイパッド５とボンディングワイヤ２の周囲は封止樹脂６によって被覆され、ダイパッド５の底面も半導体装置１０の薄型化を阻害しない程度の薄い封止樹脂６によって覆われている。半導体装置１０の薄型化を阻害するようであれば、ダイパッド５を薄型化する構造とすることでも良い。

【0013】

これに対し、リード４の場合は、リード４の上面、およびリード４がダイパッド５と対向する内側面４ｂが封止樹脂６によって覆われ、リード４がダイパッド５と対向しない側面である外側面４ａおよびリード４の底面は封止樹脂６から露出している。半導体装置１０は断面視的に矩形であって、半導体装置１０の外表面の殆どが封止樹脂６で覆われ、部分的にリード４が封止樹脂６から露出する構成である。リード４の底面と封止樹脂６の底面は同一面を形成し、リード４の外側面４ａと封止樹脂６の側面は同一面を成している。また、図示していないが、封止樹脂６から露出するリード４の底面と外側面４ａにはメッキ膜が被着され、実装時の半導体装置１０と配線基板との接合を良好なものとしている。

【0014】

リード４の紙面手前方向の側面には、断面視的にテーパー状の側面を有する貫通溝７が形成されている。貫通溝７はリード４の上面から底面まで達する溝であって、その中には封止樹脂６が充填されている。この貫通溝７に充填されている封止樹脂６はリード４の上面などの周囲を覆う封止樹脂６と強固に繋がっている。これにより、リード４が封止樹脂６から容易に抜け落ちず、リード４の脱落防止性が向上する構造となっている。

【0015】

図示する貫通溝７は順テーパー状の側面を有する半円錐台形状であって、リード４の上面における開口幅がリード４の底面における開口幅よりも小さい。すなわち、平面視的にはリード４の上面に開口する面積がリード４の底面に開口する面積よりも小さいという構造である。

【0016】

図１（ｂ）は、図１（ａ）に示した半導体装置を下方向から見た底面図である。４辺を有する封止樹脂６の一辺に４つのリード４が配置され、対向する辺に他の４つのリード４が配置されている。各々のリード４の外側面４ａと内側面４ｂの両側面と直交する側面４ｃには半円形の貫通溝７が設けられている。同心円状に図示されている貫通溝７の曲率半径の大きな半円がリード４の底面に開口する部分を示し、曲率半径の小さな半円がリード４の上面に開口する部分を示している。

【0017】

リード４の各々には２つの貫通溝７を設けているが、リード４の脱落防止性を向上させるために貫通溝７の個数を増やしても構わない。ボンディングワイヤ２が接合するリード４の上面は曲率半径の小さい半円の外側、すなわち、開口部分の外側であれば良く、曲率半径の小さい半円と曲率半径の大きな半円の間で規定された領域にボンディングワイヤ２が部分的に接合していても良い。なお、ダイパッド５の底面は薄い封止樹脂６で覆われているため、この底面図では図示されていない。

【0018】

半導体装置の小型化や薄型化のためには、リードの幅を小さく、厚さを薄くする必要がある。特に、半導体装置の厚さを２００μｍ以下にする場合、リードの厚さは５０μｍ以下になるが、図８に示すような凸型の庇部を有する構造では庇部の存在が小型化や薄型化の阻害要因となり、リードの厚さを５０μｍ以下とすることは困難である。

【0019】

これに対し、本発明の第１実施形態の半導体装置１０では、凸型の庇部が存在せず、リード４の側面に凹型の貫通溝７のようなリード抜け防止部を有する構造であるため、必要以上にリード４の幅を大きくする必要が無いため小型化が達成できる。また、庇部を有する構造では庇部が十分な脱落防止性を有するためには所定の厚さの庇部とする必要があり、その分リード自身も厚くなって薄型化を阻害していたが、本発明の第１実施形態の半導体装置１０では貫通溝７の縦方向の長さがリードの厚みと同等であるため、リード４を厚くしなくても脱落防止性を確保でき、薄型化も実現できる構造となっている。

【0020】

以上では、４辺を有する封止樹脂６の一辺と対向する辺にリードが配置される実施例について説明したが、４辺の全てにリードを配置する半導体装置に適用することも可能である。

【0021】

図２は、本発明の第１実施形態に係る半導体装置の溝部の拡大断面図である。図２（ａ）は、図１（ａ）に示した順テーパー状の側面を有する半円錐台形状の貫通溝７の拡大断面図であり、貫通溝７の内部には封止樹脂６が充填されている。図２（ｂ）には逆テーパー状の側面を有する逆半円錐台形状の貫通溝７を示している。リード４の上面における開口幅がリード４の底面における開口幅よりも大きい。すなわち、平面視的にはリード４の上面に開口する面積がリード４の底面に開口する面積よりも大きいという構造である。貫通溝７の中には封止樹脂６が充填されている。

【0022】

図２（ｃ）には、順テーパー状の側面を有する半円錐台形状の貫通溝７のテーパー状側面に段差部１１を設けた点で図２（ａ）に図示した構造と異なるリード４を示している。テーパー状側面の途中に段差部１１を設け、脱落防止性が一層向上する構造となっている。この構造を図２（ｂ）に適用して、逆テーパー状の側面を有する逆半円錐台形状の貫通溝７のテーパー状側面に段差部１１を設けるという構造としても良い。

【0023】

図２（ｄ）には、順テーパー状の側面を有する半円錐台形状の貫通溝７のテーパー状側面に螺旋溝１２を設けた点で図２（ａ）に図示した構造と異なるリード４を示している。テーパー状側面に斜めに沿う複数の螺旋溝１２を形成することで、螺旋溝１２の中に封止樹脂６が入り込み、脱落防止性が一層向上することになる。この構造を図２（ｂ）に適用して、逆テーパー状の側面を有する逆半円錐台形状の貫通溝７のテーパー状側面に螺旋溝１２を設けるという構造としても良い。

【0024】

（第２実施形態）
図３は、本発明の第２実施形態の半導体装置の断面図および底面図である。まず、断面図である図３（ａ）を参照して半導体装置１０の構成について説明する。ダイパッド５上にダイアタッチ層３を介して半導体チップ１が固着されている。ダイパッド５の周囲にはダイパッド５と離間してリード４が設けられている。そして、半導体チップ１の上面に設けられた電極パッド（図示せず）とリード４の上面とが接続部材であるボンディングワイヤ２を介して電気的に接続されている。ボンディングワイヤ２の材料としては金（Ａｕ）や銅（Ｃｕ）が用いられる。

【0025】

半導体チップ１とダイパッド５とボンディングワイヤ２の周囲は封止樹脂６によって被覆されるが、ダイパッド５の底面が封止樹脂６から露出している。ダイパッド５の紙面手前方向の側面には、断面視的にテーパー状の側面を有する貫通溝８が形成されている。貫通溝８はダイパッド５の上面から底面まで達する溝であって、その中には封止樹脂６が充填されている。この貫通溝８に充填されている封止樹脂６はダイパッド５の上面などの周囲を覆う封止樹脂６と強固に繋がっている。これにより、ダイパッド５が封止樹脂６から容易に抜け落ちず、ダイパッド５の脱落防止性が向上する構造となっている。

【0026】

リード４の場合は、リード４の上面およびリード４がダイパッド５と対向する内側面４ｂが封止樹脂６によって覆われ、リード４がダイパッド５と対向しない側面である外側面４ａおよびリード４の底面は封止樹脂６から露出している。半導体装置１０は断面視的に矩形であって、半導体装置１０の外表面の殆どが封止樹脂６で覆われ、部分的にリード４が封止樹脂６から露出する構成である。ダイパッド５の底面とリード４の底面と封止樹脂６の底面は同一面を形成し、リード４の外側面４ａと封止樹脂６の側面は同一面を成している。また、図示していないが、封止樹脂６から露出するダイパッド５の底面およびリード４の底面と外側面４ａにはメッキ膜が被着され、実装時の半導体装置１０と配線基板との接合を良好なものとしている。

【0027】

リード４の紙面手前方向の側面には、断面視的にテーパー状の側面を有する貫通溝７が形成されている。貫通溝７はリード４の上面から底面まで達する溝であって、その中には封止樹脂６が充填されている。この貫通溝７に充填されている封止樹脂６はリード４の上面などの周囲を覆う封止樹脂６と強固に繋がっている。これにより、リード４が封止樹脂６から容易に抜け落ちず、リード４の脱落防止性が向上する構造となっている。

【0028】

図示する貫通溝７は順テーパー状の側面を有する半円錐台形状であって、リード４の上面における開口幅がリード４の底面における開口幅よりも小さい。すなわち、平面視的にはリード４の上面に開口する面積がリード４の底面に開口する面積よりも小さいという構造である。

【0029】

図３（ｂ）は、図３（ａ）に示した断面図を下方向から見た底面図である。４辺を有する封止樹脂６の一辺に４つのリード４が配置され、対向する辺に他の４つのリード４が配置されている。各々のリード４の外側面４ａと内側面４ｂの両側面と直交する側面４ｃには半円形の貫通溝７が設けられている。同心円状に図示されている貫通溝７の曲率半径の大きな半円がリード４の底面に開口する部分を示し、曲率半径の小さな半円がリード４の上面に開口する部分を示している。

【0030】

リード４の各々には２つの貫通溝７を設けているが、リード４の脱落防止性を向上させるために、貫通溝７の個数を増やしても構わず、図示する２辺のほかに、リード４の内側面４ｂに貫通溝７を形成しても良い。ボンディングワイヤ２が接合するリード４の上面は曲率半径の小さい半円の外側、すなわち、開口部分の外側であれば良く、曲率半径の小さい半円と曲率半径の大きな半円の間で規定された領域にボンディングワイヤ２が部分的に接合していても良い。

【0031】

一方の辺に配置されたリード４と他方の辺に沿って配置されたリード４との間には、これらと離間してダイパッド５が配置されている。ダイパッド５を成す４辺のうち、対向する２辺の各々に貫通溝８が設けられている。ここで、ダイパッド５に設けられた貫通溝８はリード４に設けられた貫通溝７と互いに平行に配置されている。ダイパッド５の内側に点線で囲んだ領域は半導体チップ１を平面投影した領域であるが、貫通溝８はこの領域よりも外側に形成されている。これは、半導体チップ１をダイボンディングする際、余分なダイアタッチ材が漏れて貫通溝８に入り込むのを避けるためである。

【0032】

図ではダイパッド５の対向する２つの辺、すなわちダイパッド５の対向する２つの側面に計４つの貫通溝８を設けているが、ダイパッド５の脱落防止性を向上させるために貫通溝８の個数を増やしても構わず、ダイパッド５の４つの辺、すなわちダイパッド５の全ての側面に貫通溝８を形成しても良い。

【0033】

本発明の第２実施形態の半導体装置１０は、リード４の形状と配置は図１に示す第１実施形態の半導体装置１０と同じで、さらにダイパッド５も封止樹脂６から露出する構造としている。上記にて説明したように、ダイパッド５に対しても凹型の貫通溝８のようなリード抜け防止部を有する構造としているため、必要以上にダイパッド５の幅を大きくする必要が無いため小型化が達成できる。また、ダイパッド５に設けられた貫通溝８の縦方向の長さがダイパッド５の厚みと同等であるため、ダイパッド５を厚くしなくても脱落防止性を確保でき、薄型化も実現できる構造となっている。

【0034】

（第３実施形態）
図４は、本発明の第３実施形態の半導体装置の断面図である。
図３に示した半導体装置１０との違いは、ダイパッド５が無い構造としている点であり、半導体チップ１の底面が封止樹脂６の底面から直に露出している。ただし、半導体チップ１が封止樹脂６から抜け落ちないように半導体チップ１の底面の端縁に面取り部を有して逆メサ形状としている。このような形状とすることで、樹脂封止時に半導体チップ１の底面の端縁に封止樹脂６が入り込み、封止樹脂６内に半導体チップ１を保持できるようになり、半導体チップ１の脱落防止性が向上する。リード４の形状は前述の本発明の第２実施形態の半導体装置１０と同じである。半導体チップ１の底面とリード４の底面と封止樹脂６の底面は同一面を形成し、リード４の外側面４ａと封止樹脂６の側面は同一面を成している。また、図示していないが、封止樹脂６から露出する半導体チップ１の底面およびリード４の底面と外側面４ａにはメッキ膜が被着され、実装時の半導体装置１０と配線基板との接合を良好なものとしている。

【0035】

次に、本発明の第３実施形態の半導体装置の製造方法の一例について図５～６を参照して説明する。
まず、図５（ａ）に示すように、銅や銅合金からなる金属平板を準備し、打ち抜き加工により所定の位置にテーパー状の貫通孔を形成する。次の打ち抜き加工において貫通孔の中心を横断するように切断して貫通溝７を有するリード４を備えたリードフレーム２０が出来上がる。リード４はリードフレーム２０の枠体であるフレーム枠２１に接続されている。一つのフレーム枠２１内のリード４が一つの半導体装置の構成部品として利用される。したがって、フレーム枠２１の両側に隣接して設けられたリード４は異なる半導体装置の構成部品である（ＳＴＥＰ１）。

【0036】

次に、図５（ｂ）に示すように、バックグラインドテープ５１に半導体ウェハ３０を貼り付け、バックグラインドにて半導体ウェハ３０を所定の厚さにする。そして、バックグラインドテープ５１上に貼り付けられた半導体ウェハ３０の裏面からハーフカットダイシングを行う。その際に用いる第１ブレード４１は幅広で先端が広角の角錐形状であって、その角錐部分のみが半導体ウェハ３０に入り込んでダイシングする。第１ブレード４１の先端の切込み先端角Ａは８０～１００度の範囲であって、半導体ウェハ３０の裏面には断面視的に三角形の切削溝１３が形成される（ＳＴＥＰ２）。

【0037】

次に、図５（ｃ）に示すように、半導体ウェハ３０の裏面を耐熱性のダイシングテープ５２上に貼り付け、半導体ウェハ３０の表面から第２ブレード４２を用いてフルカットダイシングを行うことで逆メサ形状の半導体チップ１を得る。用いるダイシングテープ５２には後続の樹脂封止工程にてかかる温度（２００℃）でも分解しないという耐熱性が要求される。第２ブレード４２は第１ブレード４１に比べ幅狭である。第２ブレード４２によって形成された切削溝１４はストレート形状で、半導体ウェハ３０の表面から切削溝１３の上部まで達する。

【0038】

バックグラインド後の半導体ウェハ３０の厚さが１００μｍの場合、第１ブレード４１の厚さは５０～１００μｍの範囲である。また、第２ブレード４２の厚さは２０～４０μｍの範囲が好ましい。また、バックグラインド後の半導体ウェハ３０の厚さが１５０μｍの場合、第１ブレード４１の厚さは１００～１５０μｍの範囲、第２ブレード４２の厚さは２０～４０μｍの範囲が好ましい（ＳＴＥＰ３）。

【0039】

次に、図６（ａ）に示すように、フルカットダイシング後にダイシングテープ５２をエキスパンドして、個片化した半導体チップ１間の寸法をリードフレーム２０のピッチサイズと同じ寸法まで広げる。その後、予め用意したリードフレーム２０をエキスパンドしたダイシングテープ５２に貼り合わせる。これにより、リードフレーム２０の対向するリード４の間に半導体チップ１を配置することができる（ＳＴＥＰ４）。

【0040】

次に、図６（ｂ）に示すように、半導体チップ１の上面に設けられた電極パッドとリード４の上面とを接続部材であるボンディングワイヤ２にて電気的に接続し、次いで、ダイシングテープ５２上に半導体チップ１とリード４を貼り合わせた状態で樹脂封止を行う（ＳＴＥＰ５）。

【0041】

次に、図６（ｃ）に示すように、樹脂封止後に第３ブレード４３にて封止樹脂６およびリード４を連続して切断する。このとき、第３ブレードの厚さをフレーム枠２１の幅よりも厚くし、隣接するリード４を繋ぐフレーム枠２１が切削されて無くなるように切断する（ＳＴＥＰ６）。
最後に、図６（ｄ）に示すように、ダイシングテープ５２をリード４や半導体チップ１や封止樹脂６から剥がした後、封止樹脂６から露出するリード４の底面および外側面４ａ、そして半導体チップ１の底面にメッキ膜（図示せず）を形成して半導体装置１０が得られる（ＳＴＥＰ７）。

【0042】

次に、他の製造方法例について説明する。
まず、前例のＳＴＥＰ１～２に示した工程を行う。
次に、リードフレーム２０の裏面に耐熱性テープ５３を貼り付ける。
次に、前例のＳＴＥＰ３に示した工程を行う。
次に、フルカットダイシング後の半導体ウェハ３０を僅かにエキスパンドして、個片化した半導体チップ１をピックアップして、リードフレーム２０に貼り付けられた耐熱性テープ５３上の所定位置に搭載する。対向するリード４の間が半導体チップ１の所定位置である。

【0043】

次に前例のＳＴＥＰ５～７に示した工程を行う。
以上のような工程を実施することで、本発明の第３実施形態の半導体装置１０が得られる。本製造方法で得られた半導体装置１０は小型で薄型、さらに配線基板への実装性が良好なものである。

【0044】

（第４実施形態）
図７は、本発明の第４実施形態の半導体装置の断面図である。本実施形態の半導体装置１０はダイパッド５が無く、半導体チップ１をリード４にバンプ９を介してフリップチップ接続している。接続部材としてボンディングワイヤ２を利用する場合はボンディングワイヤ２のループ高さを半導体チップ１の上面より高い位置にする必要があるが、本実施形態の半導体装置１０のような接続部材としてバンプ９を用いるフリップチップ接続の場合は、ループ高さに相当する厚さを減じることができる。これにより薄型の半導体装置１０を実現することができる。

【0045】

また、半導体チップ１とリード４を重畳する構造であるため、半導体チップ１とリード４間の距離をワイヤ接続に比べて短縮でき、さらに小型の半導体装置１０を実現することができる。以上のように、本発明の第４実施形態の半導体装置１０では一層の小型化、薄型化が実現できる。

【産業上の利用可能性】

【0046】

本発明による半導体装置は、携帯玩具、ヘルスケア商品、ウェアラブル端末、携帯端末、カード端末、家電製品等に用いることができる。また、使用環境の厳しい車載用途、屋外用途への応用も可能である。

【符号の説明】

【0047】

１ 半導体チップ
２ ボンディングワイヤ
３ ダイアタッチ層
４ リード
４ａ 外側面
４ｂ 内側面
４ｃ 側面
５ ダイパッド
６ 封止樹脂
７、８ 貫通溝
９ バンプ
１０ 半導体装置
１１ 段差部
１２ 螺旋溝
１３、１４ 切削溝
２０ リードフレーム
２１ フレーム枠
３０ 半導体ウェハ
４１、４２、４３ ブレード
５１ バックグラインドテープ
５２ ダイシングテープ
５３ 耐熱性テープ
Ａ 切込み先端角

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】