特許7366118IP Force 特許公報全文掲載

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一般に、磁気抵抗素子に関し、より詳細には、巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）素子の下または上に配置されたトンネル磁気抵抗（ＴＭＲ）素子

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明は、同じ基板の上に堆積されたＧＭＲ素子およびＴＭＲ素子を提供する。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の態様を理解するのに有用な例によれば、磁気抵抗アセンブリは、基板と、基板の上に配置され、底面および上面を有する第１のＧＭＲ素子と、基板の上に配置された第１のＴＭＲ素子とを含むことができる。第１のＴＭＲ素子は、上面および底面を有することができる。第１のＴＭＲ素子の上面または底面と垂直に交差する線は、第１のＧＭＲ素子の上面または底面と交差する。第１のＧＭＲ素子および第１のＴＭＲ素子は、電気・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 ＧＭＲ素子の上に配置されたＴＭＲ素子からなる例示的な磁気抵抗アセンブリの側面図を示すブロック図であり、各々がそれぞれ複数の層を有している。
【図2】 ＧＭＲ素子の上に配置されたＴＭＲ素子からなる別の例示的な磁気抵抗アセンブリの側面図を示すブロック図であり、各々がそれぞれ複数の層を有し、３つの電気接点を有し、面内電流（ＣＩＰ）および面に垂直な電流（ＣＰＰ）を示している。
【図3】 単一ピン止め型のＧＭＲ素子の上に配置された単一ピン止め型のＴＭＲ素子からなる別の例示的な磁気抵抗アセンブリの側面図を示すブロック図であり、各々がそれぞれ複数の層を有する。
【図4】 二重ピン止め型のＧＭＲ素子の上に配置された単一ピン止め型のＴＭＲ素子からなる別の例示的な磁気抵抗アセンブリの側面図を示すブロック図であり、各々がそれぞれ複数の層を有する。
【図5】 二重ピン止め型のＧＭＲ素子の上に配置された二重ピン止め型のＴＭＲ素子からなる別の例示的な磁気抵抗アセンブリの側面図を示すブロック図であり、各々がそれぞれ複数の層を有する。
【図6】 単一ピン止め型のＧＭＲ素子の上に配置された二重ピン止め型のＴＭＲ素子からなる別の例示的な磁気抵抗アセンブリの側面図を示すブロック図であり、各々がそれぞれ複数の層を有する。
【図7】 ＧＭＲ素子の上に配置され、電気接点を有し、基板の上に配置された金属層への結合を有するＴＭＲ素子からなる別の例示的な磁気抵抗アセンブリの側面図を示すブロック図である。
【図8】 図７の磁気抵抗素子アセンブリの上面図を示すブロック図である。
【図9】 それぞれ電気接点を有し、基板の上に配置された金属層への結合を有する、第１および第２のＧＭＲ素子の上に配置された第１および第２のＴＭＲ素子からなる別の例示的な磁気抵抗アセンブリの側面図を示すブロック図である。
【図10】 図９の磁気抵抗素子アセンブリの上面図を示すブロック図である。
【図11】 ＧＭＲ素子の下に配置され、電気接点を有し、基板の上に配置された金属層への結合を有するＴＭＲ素子からなる別の例示的な磁気抵抗アセンブリの側面図を示すブロック図である。
【図12】 図１１の磁気抵抗素子アセンブリの上面図を示すブロック図である。

代表図 図1本件の代表的な図

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