▶ チャンシン メモリー テクノロジーズ インコーポレイテッドの特許一覧
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2023-10-12
(45)【発行日】2023-10-20
(54)【発明の名称】受信機、メモリ及び検証方法
(51)【国際特許分類】
G01R 19/165 20060101AFI20231013BHJP
G01R 31/28 20060101ALI20231013BHJP
【ＦＩ】
G01R19/165 A
G01R31/28 B
【請求項の数】
16
(21)【出願番号】P 2022546135
(86)(22)【出願日】2021-09-24
(65)【公表番号】
(43)【公表日】2023-09-04
(86)【国際出願番号】 CN2021120314
(87)【国際公開番号】W WO2023284119
(87)【国際公開日】2023-01-19
【審査請求日】2022-07-28
(31)【優先権主張番号】202110808712.6
(32)【優先日】2021-07-16
(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN
(73)【特許権者】
【識別番号】522246670
【氏名又は名称】チャンシン メモリー テクノロジーズ インコーポレイテッド
【氏名又は名称原語表記】ＣＨＡＮＧＸＩＮ ＭＥＭＯＲＹ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＩＥＳ，ＩＮＣ．
(74)【代理人】
【識別番号】100145403
【弁理士】
【氏名又は名称】山尾 憲人
(74)【代理人】
【識別番号】100135703
【弁理士】
【氏名又は名称】岡部 英隆
(72)【発明者】
【氏名】張 志強
【審査官】永井 皓喜
(56)【参考文献】
【文献】特開２００８－１７３００（ＪＰ，Ａ）
【文献】米国特許第６４１４４９６（ＵＳ，Ｂ１）
【文献】特表２０１７－５２９７９１（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００３－１５２５２３（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００７－２６７３６７（ＪＰ，Ａ）
【文献】特表２００５－５２８００９（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｇ０１Ｒ １９／００
Ｇ０１Ｒ ３１／２８
Ｈ０３Ｋ ５／２４
Ｈ０３Ｋ ５／１５３６
Ｇ０６Ｆ １１／００
Ｈ０３Ｋ １９／０１７５
Ｈ０３Ｄ ７／１４
Ｈ０４Ｂ １／００
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
受信機であって、第１ＭＯＳトランジスタと第２ＭＯＳトランジスタとを含む信号受信モジュールであって、前記第１ＭＯＳトランジスタのゲート電極は、基準信号を受信するためのものであり、前記第２ＭＯＳトランジスタのゲート電極は、データ信号を受信し、比較信号を出力するためのものであり、前記比較信号は、前記基準信号の電圧値と前記データ信号の電圧値との大小関係を表すためのものである、信号受信モジュールと、
第３ＭＯＳトランジスタを含む調整モジュールであって、前記第３ＭＯＳトランジスタのソース電極は、前記第１ＭＯＳトランジスタのソース電極に接続され、前記第３ＭＯＳトランジスタのドレイン電極は、前記第１ＭＯＳトランジスタのドレイン電極に接続され、前記第３ＭＯＳトランジスタのゲート電極は、調整信号を受信するためのものである、調整モジュールと、を備える、受信機。
【請求項2】
前記第１ＭＯＳトランジスタのアスペクト比と前記第３ＭＯＳトランジスタのアスペクト比との比値は、４よりも大きいことを特徴とする請求項１に記載の受信機。
【請求項3】
前記調整モジュールは、外部信号と調整コードを受信し、前記調整信号を出力するように構成される調整ユニットを更に含み、前記外部信号は、前記調整信号を生成するためのものであり、各前記調整コードは、前記調整信号の１つの電圧値に対応することを特徴とする
請求項１に記載の受信機。
【請求項4】
前記調整ユニットは、演算増幅器、複数の直列抵抗、及び可変抵抗ユニットを含み、前記演算増幅器は、正相入力端と、逆相入力端と、出力端とを有し、前記正相入力端は、前記外部信号を受信するためのものであり、前記逆相入力端と前記出力端との間に第１数量の抵抗が直列接続され、前記逆相入力端と接地端との間に第２数量の抵抗が直列接続され、
前記可変抵抗ユニットは、前記調整コードを受信し、前記調整コードに基づいて、前記第３ＭＯＳトランジスタのゲート電極を、前記第１数量の抵抗と前記第２数量の抵抗のうちの１つの抵抗の非接地側に接続するように制御するように構成されることを特徴とする
請求項３に記載の受信機。
【請求項5】
前記外部信号は、前記基準信号であることを特徴とする請求項３に記載の受信機。
【請求項6】
前記受信機は、前記調整ユニットのイネーブル端に接続され、第１コードと第２コードを受信し、イネーブル信号を出力するように構成される制御モジュールを更に含み、各前記第１コードは、前記基準信号の１つの電圧値に対応し、前記第２コードは、１つの所定電圧に対応し、前記イネーブル信号は、前記調整ユニットをオフにするか又はイネーブルするためのものであり、前記制御モジュールがイネーブル状態にあり、且つ前記第１コードに対応する電圧値が前記所定電圧よりも小さい場合、前記イネーブル信号は、前記調整ユニットをイネーブルすることを特徴とする
請求項３に記載の受信機。
【請求項7】
前記制御モジュールは更に、スイッチ信号を受信するように構成され、前記スイッチ信号は、前記制御モジュールをオフにするか又はイネーブルするためのものであることを特徴とする請求項６に記載の受信機。
【請求項8】
前記第３ＭＯＳトランジスタのゲート電極に接続され、前記イネーブル信号を受信するように構成される補助ユニットを更に備え、前記イネーブル信号が第１レベルであれば、前記イネーブル信号は、前記調整ユニットをイネーブルし、前記第３ＭＯＳトランジスタを導通し、前記イネーブル信号が第２レベルであれば、前記イネーブル信号は、前記調整ユニットをオフにし、前記第３ＭＯＳトランジスタを遮断することを特徴とする請求項６に記載の受信機。
【請求項9】
前記第１ＭＯＳトランジスタ、前記第２ＭＯＳトランジスタ及び前記第３ＭＯＳトランジスタは、ＮＭＯＳトランジスタであり、前記第１レベルは、低レベルであり、前記第２レベルは、高レベルであり、前記補助ユニットは、第４ＭＯＳトランジスタを含み、前記第４ＭＯＳトランジスタは、ＮＭＯＳトランジスタであり、前記第４ＭＯＳトランジスタのゲート電極は、前記イネーブル信号を受信するためのものであり、ドレイン電極は、前記第３ＭＯＳトランジスタのゲート電極に接続され、前記ソース電極は、接地することを特徴とする請求項８に記載の受信機。
【請求項10】
前記受信機は、前記第１コードを受信し、前記第１コードに基づいて、対応する電圧値を有する基準信号を生成するように構成される基準信号生成器を更に備えることを特徴とする
請求項６に記載の受信機。
【請求項11】
前記信号受信モジュールは、信号増幅ユニットとデータ比較ユニットとを含み、前記信号増幅ユニットは、前記第１ＭＯＳトランジスタと前記第２ＭＯＳトランジスタとを含み、且つ第１出力端と第２出力端とを有し、前記第１出力端は、基準増幅信号を出力するためのものであり、前記第２出力端は、データ増幅信号を出力するためのものであり、前記基準増幅信号と前記データ増幅信号の電圧値の差分値の絶対値は、前記基準信号と前記データ信号の電圧値の差分値の絶対値よりも大きく、
前記データ比較ユニットの第１入力端は、前記基準増幅信号を受信するためのものであり、前記データ比較ユニットの第２入力端は、前記データ増幅信号を受信するためのものであり、前記データ比較ユニットの出力端は、前記比較信号を出力するためのものであることを特徴とする
請求項１に記載の受信機。
【請求項12】
前記第１ＭＯＳトランジスタと前記第２ＭＯＳトランジスタのタイプとサイズは、同じであり、前記第１ＭＯＳトランジスタのドレイン電極は、第１負荷に接続するためのものであり、前記第２ＭＯＳトランジスタのドレイン電極は、第２負荷に接続するためのものであり、前記第１ＭＯＳトランジスタのソース電極と前記第２ＭＯＳトランジスタのソース電極は、同一の電流源に接続されることを特徴とする請求項１０に記載の受信機。
【請求項13】
メモリであって、請求項１から１２のいずれか１項に記載の受信機を備える、メモリ。
【請求項14】
検証方法であって、請求項１から１２のいずれか１項に記載の受信機を提供することと、
第３ＭＯＳトランジスタを、遮断するように制御することと、
信号受信モジュールにデータ信号を入力し、第１ステップサイズに従って、基準信号の電圧値を調整することによって、複数の比較信号を第１比較信号として取得し、前記比較信号で表される大小関係と、前記データ信号と前記基準信号との大小関係と、が同じである場合、前記比較信号を有効信号とすることと、
前記第１比較信号の中の全ての前記有効信号に対応する前記基準信号の電圧値範囲を第１電圧値範囲として取得し、前記第１電圧値範囲の中間値と極小値を取得し、前記極小値を第１極小値とすることと、
前記信号受信モジュールに前記データ信号を入力し、前記第１ステップサイズに従って前記基準信号の電圧値を調整し、且つ前記基準信号の電圧値が前記中間値以下である場合、調整信号を入力して前記第３ＭＯＳトランジスタを導通することによって、複数の比較信号を第２比較信号として取得することと、
前記第２比較信号の中の全ての前記有効信号に対応する前記基準信号の電圧値範囲を第２電圧値範囲として取得し、前記第２電圧値範囲の最小値を第２極小値として取得することと、を含む、検証方法。
【請求項15】
前記第２極小値と前記第１極小値との差分値が所定の閾値よりも小さい場合、第２ステップサイズに従って前記調整信号の電圧値を調整し、第Ｎ比較信号に対応する第Ｎ極小値と前記第１極小値との差分値が所定の閾値以上になるまで継続し、Ｎは、３以上の自然数であることを特徴とする請求項１４に記載の検証方法。
【請求項16】
前記第２極小値を取得した後、第２ステップサイズに従って前記調整信号の電圧値を調整することによって、前記比較信号を第３比較信号として取得し、前記第３比較信号の中の全ての前記有効信号に対応する前記基準信号の電圧値範囲を第３電圧値範囲として取得し、前記第３電圧値範囲の最小値を第３極小値として取得し、前記第３極小値が前記第２極小値以上である場合、前記調整信号の電圧値を記録して検証を終了し、前記第３極小値が前記第２極小値よりも小さい場合、前記第２ステップサイズに従って前記調整信号の電圧値を再び調整し、第Ｎ比較信号に対応する第Ｎ極小値が前記第Ｎ－１極小値以上になるまで継続し、Ｎは、４以上の自然数であることを特徴とする
請求項１４に記載の検証方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
（関連出願の相互参照）
本願は、２０２１年０７月１６日に中国特許局に提出された、出願番号が２０２１１０８０８７１２．６であり、出願名称が「受信機、メモリ及び検証方法」である中国特許出願に基づく優先権を主張し、その全内容が参照として本願に組み込まれる。
本願は、２０２１年０７月１６日に中国特許局に提出された、出願番号が２０２１１０８０８７１２．６であり、出願名称が「受信機、メモリ及び検証方法」である中国特許出願に基づく優先権を主張し、その全内容が参照として本願に組み込まれる。
【0002】
本願の実施例は、受信機、メモリ及び検証方法に関するが、それらに限らない。
【背景技術】
【0003】
一般的には、製品の設計プロセスにおいて、メモリに対して信号整合性シミュレーションと検証を行う必要があり、これは、信号品質と信号時系列の観点から検討と検証を行う。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
メモリ検証において、ＲＭＴ検証（Ｒａｎｋ Ｍａｒｇｉｎｉｎｇ Ｔｅｓｔ）が非常に重要なステップである。ＲＭＴ検証により取得されるパラメータは、ＴｘＶ－と、ＴｘＶ＋とを含み、これら２つのパラメータは、メモリのデータ受信機が電圧方向においてデータ信号を正しく識別することができる最大ウィンドウを表すためのものである。高速の場合、データ信号品質の劣化により、上記パラメータで表される最大ウィンドウは、縮小する。最大ウィンドウを拡大するために、一般的には、ＣＴＬＥ（Ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ Ｔｉｍｅ Ｌｉｎｅａｒ Ｅｑｕａｌｉｚｅｒ）等化器とＤＦＥ（Ｄｅｃｉｓｉｏｎ Ｆｅｅｄｂａｃｋ Ｅｑｕａｌｉｚａｔｉｏｎ）等化器を採用する。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本願の実施例は、受信機を提供する。前記受信機は、第１ＭＯＳトランジスタと第２ＭＯＳトランジスタとを含む信号受信モジュールであって、前記第１ＭＯＳトランジスタのゲート電極は、基準信号を受信するためのものであり、前記第２ＭＯＳトランジスタのゲート電極は、データ信号を受信し、比較信号を出力するためのものであり、前記比較信号は、前記基準信号の電圧値と前記データ信号の電圧値との大小関係を表すためのものである、信号受信モジュールと、第３ＭＯＳトランジスタを含む調整モジュールであって、前記第３ＭＯＳトランジスタのソース電極は、前記第１ＭＯＳトランジスタのソース電極に接続され、前記第３ＭＯＳトランジスタのドレイン電極は、前記第１ＭＯＳトランジスタのドレイン電極に接続され、前記第３ＭＯＳトランジスタのゲート電極は、調整信号を受信するためのものである、調整モジュールと、を備える。
【0006】
いくつかの実施例において、第１ＭＯＳトランジスタのアスペクト比と第３ＭＯＳトランジスタのアスペクト比との比値は、４よりも大きい。
【0007】
いくつかの実施例において、調整モジュールは、外部信号と調整コードを受信し、調整信号を出力するように構成される調整ユニットであって、外部信号は、調整信号を生成するためのものであり、各調整コードは、調整信号の１つの電圧値に対応する、調整ユニットを更に含む。
【0008】
いくつかの実施例において、調整ユニットは、演算増幅器と複数の直列抵抗であって、演算増幅器は、正相入力端と、逆相入力端と、出力端とを有し、正相入力端は、外部信号を受信するためのものであり、逆相入力端と出力端との間に第１数量の抵抗が直列接続され、逆相入力端と接地端との間に第２数量の抵抗が直列接続される、算増幅器と複数の直列抵抗と、調整コードを受信し、調整コードに基づいて、第３ＭＯＳトランジスタのゲート電極を、１つの抵抗の非接地側に接続するように制御するように構成される可変抵抗ユニットと、を含む。
【0009】
いくつかの実施例において、外部信号は、基準信号である。
【0010】
いくつかの実施例において、調整ユニットのイネーブル端に接続され、第１コードと第２コードを受信し、イネーブル信号を出力するように構成される制御モジュールであって、各第１コードは、基準信号の１つの電圧値に対応し、第２コードは、１つの所定電圧に対応し、イネーブル信号は、調整ユニットをオフにするか又はイネーブルするためのものであり、制御モジュールがイネーブル状態にあり、且つ第１コードに対応する電圧値が所定電圧よりも小さければ、イネーブル信号は、調整ユニットをイネーブルする、制御モジュールを更に備える。
【0011】
いくつかの実施例において、制御モジュールは更に、スイッチ信号を受信するように構成され、スイッチ信号は、制御モジュールをオフにするか又はイネーブルするためのものである。
【0012】
いくつかの実施例において、第３ＭＯＳトランジスタのゲート電極に接続され、イネーブル信号を受信するように構成される補助ユニットを更に備え、イネーブル信号が第１レベルであれば、イネーブル信号は、調整ユニットをイネーブルし、第３ＭＯＳトランジスタを導通し、イネーブル信号が第２レベルであれば、イネーブル信号は、調整ユニットをオフにし、第３ＭＯＳトランジスタを遮断する。
【0013】
いくつかの実施例において、第１ＭＯＳトランジスタ、第２ＭＯＳトランジスタ及び第３ＭＯＳトランジスタは、ＮＭＯＳトランジスタであり、第１レベルは、低レベルであり、第２レベルは、高レベルであり、補助ユニットは、第４ＭＯＳトランジスタを含み、第４ＭＯＳトランジスタは、ＮＭＯＳトランジスタであり、第４ＭＯＳトランジスタのゲート電極は、イネーブル信号を受信するためのものであり、ドレイン電極は、第３ＭＯＳトランジスタのゲート電極に接続され、ソース電極は、接地する。
【0014】
いくつかの実施例において、第１コードを受信し、第１コードに基づいて、対応する電圧値を有する基準信号を生成するように構成される基準信号生成器を更に備える。
【0015】
いくつかの実施例において、信号受信モジュールは、第１ＭＯＳトランジスタと第２ＭＯＳトランジスタとを含み、且つ第１出力端と第２出力端とを有する信号増幅ユニットであって、第１出力端は、基準増幅信号を出力するためのものであり、第２出力端は、データ増幅信号を出力するためのものであり、基準増幅信号とデータ増幅信号の電圧値の差分値の絶対値は、基準信号とデータ信号の電圧値の差分値の絶対値よりも大きい、信号増幅ユニットと、データ比較ユニットであって、データ比較ユニットの第１入力端は、基準増幅信号を受信するためのものであり、データ比較ユニットの第２入力端は、データ増幅信号を受信するためのものであり、データ比較ユニットの出力端は、比較信号を出力するためのものである、データ比較ユニットと、を含む。
【0016】
いくつかの実施例において、第１ＭＯＳトランジスタと第２ＭＯＳトランジスタのタイプとサイズは、同じであり、第１ＭＯＳトランジスタのドレイン電極は、第１負荷に接続するためのものであり、第２ＭＯＳトランジスタのドレイン電極は、第２負荷に接続するためのものであり、第１ＭＯＳトランジスタのソース電極と第２ＭＯＳトランジスタのソース電極は、同一の電流源に接続される。
【0017】
本願の実施例は、いずれか１つの受信機を備えるメモリを更に提供する。
【0018】
本願の実施例は、検証方法を更に提供する。前記方法は、上記いずれか１つの受信機を提供することと、第３ＭＯＳトランジスタを、遮断するように制御することと、信号受信モジュールにデータ信号を入力し、第１ステップサイズに従って、基準信号の電圧値を調整することによって、複数の比較信号を第１比較信号として取得し、前記比較信号で表される大小関係と、前記データ信号と前記基準信号との大小関係と、が同じである場合、前記比較信号を有効信号とすることと、前記第１比較信号の中の全ての前記有効信号に対応する前記基準信号の第１電圧値範囲を取得し、前記第１電圧値範囲の中間値と極小値を取得し、前記極小値を第１極小値とすることと、前記信号受信モジュールに前記データ信号を入力し、前記第１ステップサイズに従って前記基準信号の電圧値を調整し、且つ前記基準信号の電圧値が前記中間値以下である場合、調整信号を入力して前記第３ＭＯＳトランジスタを導通することによって、複数の比較信号を第２比較信号として取得することと、前記第２比較信号の中の全ての前記有効信号に対応する前記基準信号の第２電圧値範囲を取得し、前記第２電圧値範囲の最小値を第２極小値として取得することと、を含む。
【0019】
いくつかの実施例において、第２極小値と第１極小値との差分値が所定の閾値よりも小さい場合、第２ステップサイズに従って、調整信号の電圧値を調整し、第Ｎ比較信号に対応する第Ｎ極小値と第１極小値との差分値が所定の閾値以上になるまで継続し、Ｎは、３以上の自然数である。
【0020】
いくつかの実施例において、第２極小値を取得した後、第２ステップサイズに従って、調整信号の電圧値を調整し、比較信号を第３比較信号として取得し、第３比較信号の中の全ての有効信号に対応する基準信号の電圧値範囲を第３電圧値範囲として取得し、第３電圧値範囲の最小値を第３極小値として取得し、第３極小値が第２極小値以上である場合、調整信号の電圧値を記録して検証を終了し、第３極小値が第２極小値よりも小さい場合、第２ステップサイズに従って、調整信号の電圧値を再び調整し、第Ｎ比較信号に対応する第Ｎ極小値が第Ｎ－１極小値以上になるまで継続し、Ｎは、４以上の自然数である。
【図面の簡単な説明】
【0021】
【発明を実施するための形態】
【0022】
１つ又は複数の実施例は、それに対応する図面中のピクチャを通じて例示的に説明され、これらの例示的な説明は、実施例に対する限定を構成しない。図面中の同じ参照数字符号を持つ素子は、類似する素子で表され、特に説明がない限り、図面中のピクチャは、比例制限を構成しない。
【0023】
本願の実施形態の目的、技術案及び利点をより明確にするために、以下に添付図面を参照しながら本願の各実施例について詳細に説明する。しかしながら、当業者であれば、本願の各実施例では、読者が本願をよりよく理解するために多くの技術的詳細が提案されていることを理解することができる。しかしながら、これらの技術的詳細や以下の各実施例に基づく様々な変化や修正がなくても、本願で保護が要求される技術案を実現することができる。
【0024】
図１を参照すると、受信器は、第１ＭＯＳトランジスタＭ１と第２ＭＯＳトランジスタＭ２とを含む信号受信モジュール１０であって、第１ＭＯＳトランジスタＭ１のゲート電極は、基準信号１０ａを受信するためのものであり、第２ＭＯＳトランジスタＭ２のゲート電極は、データ信号１０ｂを受信し、比較信号１０ｃを出力するためのものであり、比較信号１０ｃは、基準信号１０ａの電圧値とデータ信号１０ｂの電圧値との大小関係を表すためのものである、信号受信モジュール１０と、第３ＭＯＳトランジスタＭ３を含む調整モジュール２０であって、第３ＭＯＳトランジスタＭ３のソース電極は、第１ＭＯＳトランジスタＭ１のソース電極に接続され、第３ＭＯＳトランジスタＭ３のドレイン電極は、第１ＭＯＳトランジスタＭ１のドレイン電極に接続され、第３ＭＯＳトランジスタＭ３のゲート電極は、調整信号２０ａを受信するためのものである、調整モジュール２０と、を備える。
【0025】
いくつかの実施例において、第１ＭＯＳトランジスタＭ１のアスペクト比と第３ＭＯＳトランジスタＭ３のアスペクト比との比値は、４よりも大きい。このように、第３ＭＯＳトランジスタＭ３が微調整の役割のみを果たすことに有利であり、第３ＭＯＳトランジスタＭ３の設置により、第１ＭＯＳトランジスタＭ１の機能を弱めるか又は部分的に無効化することを避け、それによって、第１ＭＯＳトランジスタＭ１に基準信号１０ａの電圧値の調整に対して主導的役割を果たさせる。
【0026】
いくつかの実施例において、調整モジュール２０は、外部信号２０ｂと調整コード２０ｃを受信し、調整信号２０ａを出力するように構成される調整ユニット２１を更に含み、外部信号２０ｂは、調整信号２０ａを生成するためのものであり、各調整コード２０ｃは、調整信号２０ａの１つの電圧値に対応する。第３ＭＯＳトランジスタＭ３のパラメータが既に決定されており、調整信号２０ａの電圧値が既に決定されている場合、第３ＭＯＳトランジスタＭ３の導通の度合いは、決定されているものである。第３ＭＯＳトランジスタＭ３に接続される回路構造が既に決定されている場合、第３ＭＯＳトランジスタＭ３の導通の度合いは、１つの導通電流に対応し、即ち、各調整コード２０ｃは、第３ＭＯＳトランジスタＭ３の１つの導通電流に対応する。
【0027】
具体的には、調整ユニット２１は、演算増幅器２１１、複数の直列抵抗（図示されず）、及び可変抵抗ユニット（図示されず）と、を含み、演算増幅器２１１は、正相入力端と、逆相入力端と、出力端とを有し、正相入力端は、外部信号２０ｂを受信するためのものであり、逆相入力端と出力端との間に第１抵抗ユニット２１２が直列接続され、第１抵抗ユニット２１２は、直列接続される第１数量の抵抗を含み、逆相入力端と接地端との間に第２抵抗ユニット２１３が直列接続され、第２抵抗ユニット２１３は、直列接続される第２数量の抵抗を含み、可変抵抗ユニットは、調整コード２０ｃを受信し、調整コード２０ｃに基づいて、第３ＭＯＳトランジスタＭ３のゲート電極を、１つの抵抗の非接地側に接続するように制御するように構成される。説明すべきこととして、各抵抗は、いずれも、接地側と、非接地側とを有し、抵抗に電流が流れる場合、非接地側の電圧は、接地側の電圧よりも大きい。また、第１数量と第２数量は、１以上の自然数である。説明すべきこととして、図１において、受信機における第３ＭＯＳトランジスタＭ３のゲート電極が第１抵抗ユニット２１２に接続されると示されているが、実際に、第３ＭＯＳトランジスタＭ３のゲート電極は、第１抵抗ユニット２１２と第２抵抗ユニット２１３におけるいずれか１つの抵抗の非接地側に接続してもよい。
【0028】
本実施例において、外部信号２０ｂは、基準信号１０ａである。このように、専用の外部信号２０ｂを別途に設ける必要がなく、基準信号１０ａを多重化することができ、回路面積の節約に有利である。それと同時に、演算増幅器２１１の逆相入力端の電圧が正相入力端の電圧に等しいため、基準信号１０ａを外部信号２０ｂとして設定すれば、調整信号２０ａの電圧値は、基準信号１０ａの電圧値を中心として調整され、調整信号２０ａの電圧値と基準信号１０ａの電圧値との差分値が小さく、第３ＭＯＳトランジスタＭ３のＶＧＳ調整の難しさが低い。このように、第１ＭＯＳトランジスタＭ１が導通されている場合、第３ＭＯＳトランジスタＭ３が導通可能であり、しかも第３ＭＯＳトランジスタＭ３の導通電流に対して微調整を行うことができることを確保することに有利である。
【0029】
いくつかの実施例において、受信機は、調整ユニット２１のイネーブル端に接続され、第１コード３０ａと第２コード３０ｂを受信し、イネーブル信号３０ｃを出力するように構成される制御モジュール３０を更に含み、各第１コード３０ａは、基準信号１０ａの１つの電圧値に対応し、第２コード３０ｂは、１つの所定電圧に対応し、イネーブル信号３０ｃは、調整ユニット２１をオフにするか又はイネーブルするためのものであり、制御モジュール３０がイネーブル状態にあり、且つ第１コード２０ａに対応する電圧値が所定電圧よりも小さい場合、イネーブル信号３０ｃは、調整ユニット２１をイネーブルする。
【0030】
いくつかの実施例において、制御モジュール３０は更に、スイッチ信号３０ｄを受信するように構成され、スイッチ信号３０ｄは、制御モジュール３０をオフにするか又はイネーブルするためのものである。スイッチ信号は、オンレベルと、オフレベルとを有する。スイッチ信号３０ｄがオンレベルであれば、制御モジュール３０をイネーブルし、スイッチ信号３０ｄがオフレベルであれば、制御モジュール３０をオフにする。ここで、オンレベルは、高レベル又は低レベルのうちの１つであってもよく、オフレベルは、高レベル又は低レベルのうちのもう１つであってもよい。本明細書において、オンレベルが高レベルであり、オフレベルが低レベルであることを例として説明する。
【0031】
いくつかの実施例において、受信機は、第３ＭＯＳトランジスタＭ３に接続され、イネーブル信号３０ｃを受信するように構成される補助ユニット４０を更に備え、イネーブル信号３０ｃが第１レベルであれば、イネーブル信号３０ｃは、調整ユニット２１をイネーブルし、第３ＭＯＳトランジスタＭ３を導通し、イネーブル信号３０ｃが第２レベルであれば、イネーブル信号３０ｃは、調整ユニット２１をオフにし、第３ＭＯＳトランジスタＭ３を遮断する。
【0032】
いくつかの実施例において、第１ＭＯＳトランジスタＭ１、第２ＭＯＳトランジスタＭ２及び第３ＭＯＳトランジスタＭ３は、ＮＭＯＳトランジスタであり、第１レベルは、低レベルであり、第２レベルは、高レベルであり、補助ユニット４０は、第４ＭＯＳトランジスタＭ４を含み、第４ＭＯＳトランジスタＭ４は、ＮＭＯＳトランジスタであり、第４ＭＯＳトランジスタＭ４のゲート電極は、イネーブル信号３０ｃを受信するためのものであり、ドレイン電極は、第３ＭＯＳトランジスタＭ３のゲート電極に接続され、ソース電極は、接地する。つまり、イネーブル信号３０ｃが低レベルである時、調整ユニット２１は、イネーブルされ、第４ＭＯＳトランジスタＭ４は、遮断され、第３ＭＯＳトランジスタＭ３のゲート電極は、調整信号２０ａにより制御される。イネーブル信号３０ｃが高レベルである時、調整ユニット２１は、オフにされ、第４ＭＯＳトランジスタＭ４は、導通され、第３ＭＯＳトランジスタＭ３のゲート電極の電圧が引き下げられることによって、第３ＭＯＳトランジスタＭ３は遮断される。
【0033】
いくつかの実施例において、受信機は、第１コード３０ａを受信し、第１コード３０ａに基づいて、対応する電圧値を有する基準信号１０ａを生成するように構成される基準信号生成器４０を更に備える。基準信号生成器４０によって生成される基準信号１０ａは、第１ＭＯＳトランジスタＭ１のゲート電極及び／又は演算増幅器２１１の正相入力端に入力されてもよい。
【0034】
いくつかの実施例において、信号受信モジュール１０は、信号増幅ユニット１１とデータ比較ユニット１２とを含み、信号増幅ユニット１１は、第１ＭＯＳトランジスタＭ１と第２ＭＯＳトランジスタＭ２とを含み、且つ第１出力端（図示されず）と第２出力端（図示されず）とを有し、第１出力端は、基準増幅信号１１ａを出力するためのものであり、第２出力端は、データ増幅信号１１ｂを出力するためのものであり、基準増幅信号１１ａとデータ増幅信号１１ｂの電圧値の差分値の絶対値は、基準信号１０ａとデータ信号１０ｂの電圧値の差分値の絶対値よりも大きく、データ比較ユニット１２の第１入力端は、基準増幅信号１１ａを受信するためのものであり、データ比較ユニット１２の第２入力端は、データ増幅信号１１ｂを受信するためのものであり、データ比較ユニット１２の出力端は、比較信号１０ｃを出力するためのものである。
【0035】
いくつかの実施例において、第１ＭＯＳトランジスタＭ１と第２ＭＯＳトランジスタＭ２のタイプとサイズは、同じであり、第１ＭＯＳトランジスタＭ１のドレイン電極は、第１負荷Ｒ１に接続するためのものであり、第２ＭＯＳトランジスタＭ２のドレイン電極は、第２負荷Ｒ２に接続するためのものであり、第１ＭＯＳトランジスタＭ１のソース電極と第２ＭＯＳトランジスタＭ２のソース電極は、同一の電流源に接続される。
【0036】
本実施例において、第３ＭＯＳトランジスタＭ３と第１ＭＯＳトランジスタＭ１は並列接続され、第３ＭＯＳトランジスタを流れる電流値は、調整信号の電圧値により制御される。第１ＭＯＳトランジスタＭ１が導通されている時、第３ＭＯＳトランジスタＭ３を、調整信号を受信するように制御し、その場合、基準信号１０ａに対応する導通電流は、第１ＭＯＳトランジスタＭ１自体の導通電流から第１ＭＯＳトランジスタＭ１の導通電流と第３ＭＯＳトランジスタＭ３の導通電流との和に変わり、換言すれば、元々、基準信号１０ａが大きい電圧値を有しなければ実現できない導通電流は、現在では、小さい電圧値を有する基準信号１０ａで実現可能になる。このように、受信機がデータ信号を正しく識別できる電圧ウィンドウの最小値を引き下げることに有利であり、それにより電圧ウィンドウを拡大する。
【0037】
対応的に、本願の実施例は、上記いずれか１つの受信機を備えるメモリを更に提供する。上記受信機を備えるメモリは、大きいデータ識別ウィンドウを有し、製品設計プロセスにおけるＲＭＴ試験に合格することに有利である。
【0038】
【0039】
ステップＳ１１において、上記いずれか１つの受信機を提供し、第３ＭＯＳトランジスタを、遮断するように制御する。
【0040】
第３ＭＯＳトランジスタを、遮断するように制御することで、信号受信モジュール１０の初期データ識別ウィンドウを検出することができる。データ識別ウィンドウは、データ信号１０ｂの波形が固定である場合、基準信号１０ａを走査することで得られた、データ信号１０ｂが正しく識別可能であることを表す状態を指す。一般的に、ｓｈｍｏｏ図を用いてデータ識別ウィンドウを表す。ここで、ＴｘＶ＋は、データ識別ウィンドウの最大電圧値を表し、ＴｘＶ－は、データ識別ウィンドウの最小電圧値を表す。
【0041】
また、基準信号１０ａを走査することは、特定のステップサイズに従って、小さい順又は大きい順で、基準信号１０ａの電圧値を調整することである。
【0042】
ステップＳ１２において、信号受信モジュールにデータ信号を入力し、第１ステップサイズに従って、基準信号の電圧値を調整し、比較信号を第１比較信号として取得する。
【0043】
各比較信号１０ｃは、いずれも、基準信号１０ａの１つの電圧値とデータ信号１０ｂの電圧値との大小関係を表すためのものである。基準信号１０ａを走査するプロセスにおいて、複数の比較信号１０ｃ、即ち、複数の第１比較信号を得ることができる。データ信号１０ｂの波形完全性と信号受信モジュールの解像度などの要因により、一部の比較信号１０ｃは、データ信号１０ｂと基準信号１０ａとの電圧値大小関係を正しく表すことができず、一部の比較信号１０ｃのみは正しく表すことができる。従って、本明細書において、比較信号１０ｃで表される大小関係と、データ信号１０ｂと基準信号１０ａとの大小関係と、が同じであれば、前記比較信号を有効信号とする。
【0044】
ステップＳ１３において、第１比較信号内の全ての有効信号に対応する基準信号の電圧値範囲を第１電圧値範囲として取得し、第１電圧値範囲の中間値と極小値を取得し、極小値を第１極小値とする。
【0045】
比較信号１０ｃは、基準信号１０ａとデータ信号１０ｂに基づいて生成される。各比較信号１０ｃは、対応する基準信号１０ａを有する。比較信号の中の有効信号に対応する基準信号１０ａの電圧値範囲は、ｓｈｍｏｏ図を構成する。第３ＭＯＳトランジスタＭ３を遮断して基準信号１０ａを走査する場合、取得したｓｈｍｏｏ図は、信号受信モジュール１０の初期データ識別ウィンドウを表す。図３の左図を参照すると、初期データ識別ウィンドウは、極大値、中間値Ｔｍｉｄ及び極小値を有し、最大値は、第１極大値ＴｘＶ＋１と記され、極小値は、第１極小値ＴｘＶ－１と記される。
【0046】
ステップＳ１４において、信号受信モジュールにデータ信号を入力し、第１ステップサイズに従って、基準信号の電圧値を調整し、且つ基準信号の電圧値が中間値以下である場合、調整信号を入力して第３ＭＯＳトランジスタを導通することによって、複数の比較信号を第２比較信号として取得する。
【0047】
第２比較信号を取得するプロセスにおいて、データ信号１０ｂの波形は固定であり、基準信号１０ａの電圧値が中間値Ｔｍｉｄ以下である場合のみ、第３ＭＯＳトランジスタＭ３の導通を制御することで、第３ＭＯＳトランジスタＭ３の設置により、データ識別ウィンドウの極大値と極小値、即ち第１極大値ＴｘＶ＋１と第１極小値ＴｘＶ－１が同時に引き下げられることを避け、第３ＭＯＳトランジスタＭ３の設置により、第１極小値ＴｘＶ－１のみを引き下げることで、データ識別ウィンドウの電圧範囲を拡大する。
【0048】
ステップＳ１５において、第２比較信号の中の全ての有効信号に対応する基準信号の電圧値範囲を第２電圧値範囲として取得し、第２電圧値範囲の最小値を第２極小値として取得する。
【0049】
本ステップの目的は、調整信号の設定により、データ識別ウィンドウにおける電圧極小値の引き下げを実現するかどうかを検証し、調整信号の電圧値の大小と引き下げる幅との関係を測定することである。図３における右図に示すように、データ識別ウィンドウの極小値が更に第２極小値ＴｘＶ－２に引き下げられる場合、データ識別ウィンドウにおける電圧極小値が更に引き下げられると判断する。また、引き下げる幅は、電圧差分値であってもよく、比例値であってもよい。電圧差分値は、第１極小値ＴｘＶ－１から第２極小値ＴｘＶ－２を減算することで得られてもよく、比例値は、第１極小値ＴｘＶ－１と第２極小値ＴｘＶ－２との差分値を第１極大値ＴｘＶ＋１と第１極小値ＴｘＶ－１との差分値で除算することで得られてもよく、本明細書において、引き下げる幅が電圧差分値であることを例として説明する。
【0050】
いくつかの実施例において、引き下げられた極小値と第１極小値ＴｘＶ－１との差分値を所定の閾値以上にするように、調整信号２０ａの電圧値を制御する必要がある。従って、第２極小値ＴｘＶ－２を得た後、以下のステップを更に含む。
【0051】
ステップＳ１６において、第２極小値ＴｘＶ－２と第１極小値ＴｘＶ－１との差分値が所定の閾値以上であるかどうかを判断する。
【0052】
差分値が所定の閾値以上である場合、調整信号２０ａの現在の電圧値が要求を満たすことを示し、調整信号２０ａの現在の電圧値を記録して検証プロセスを終了する。所定の閾値よりも小さい場合、調整信号２０ａの電圧値を調整し、データ識別ウィンドウの電圧極小値を更に引き下げる必要があり、即ち、ステップＳ１７を実行する。
【0053】
ステップＳ１７において、第２ステップサイズに従って、調整信号の電圧値を調整し、比較信号を第Ｎ比較信号として取得する。
【0054】
第２ステップサイズに従って、調整信号２０ａの電圧値を一回調整した後、信号受信モジュール１０にデータ信号１０ｂを入力し、第１ステップサイズに従って、基準信号１０ａの電圧値を調整し、対応する比較信号１０ｃを第Ｎ比較信号として取得し、ここで、Ｎは、３以上の自然数であり、Ｎの値は、調整信号２０ａの調整回数の増加に伴って増大する。つまり、第２ステップサイズに従って、調整信号２０ａの電圧値を一回調整するたびに、基準信号１０ａの電圧値を再走査する必要がある（データ信号１０ｂの波形が固定であり、且つ持続的に入力されると仮定する）。
【0055】
ここで、第２ステップサイズは、正の値であってもよく、負の値であってもよい。つまり、調整信号２０ａの電圧値は、降順で調整されてもよく、昇順で調整されてもよい。本願の実施例において、調整信号２０ａの電圧値は、昇順で調整される。このように、調整信号２０ａの電圧値が要求を満たす前に、第３ＭＯＳトランジスタＭ３の導通電流を、小さいものにし、第３ＭＯＳトランジスタＭ３が微調整の役割のみを果たすことを確保することができる。
【0056】
また、調整信号２０ａの電圧値の調整は、調整信号２０ａの入力時刻とは無関係である。基準信号１０ａの電圧値を走査するプロセスにおいて、調整信号２０ａは、常に、基準信号１０ａの電圧値が中間値Ｔｍｉｄ以下である場合に第３ＭＯＳトランジスタＭ３のゲート電極に入力される。具体的には、図１に示す受信機を例として、調整信号２０ａの電圧値が要求を満たさいと判断した後、演算増幅器２１１をオフにし、調整信号２０ａの出力を中止し、可変抵抗ユニットは、新たな調整コード２０ｃに基づいて、第３ＭＯＳトランジスタＭ３のゲート電極を、他の抵抗の非接地側に接続するように制御し、新たな調整コード２０ｃは、調整信号２０ａの、第２ステップサイズに従って調整された電圧値に対応する。第３ＭＯＳトランジスタＭ３の接続関係の調整を完了した後、基準信号１０ａの電圧値を再び走査し、且つ基準信号１０ａの電圧値が中間値Ｔｍｉｄ以下である時、演算増幅器２１１をイネーブルする。この時、調整ユニット２１は、新たな調整コード２０ｃに基づいて、新たな調整信号２０ａを出力し、比較信号１０ｃを取得する。
【0057】
ステップＳ１８において、第Ｎ比較信号の中の全ての有効信号に対応する基準信号の電圧値範囲を第Ｎ電圧値範囲として取得し、第Ｎ電圧値範囲の最小値を第Ｎ極小値として取得する。
【0058】
本ステップは、ステップＳ１６と類似しており、前のステップの電圧値調整が要求を満たすかどうかを検証するために用いられ、即ち、第１極小値ＴｘＶ－１と第Ｎ極小値との差分値が所定の閾値以上であるかどうかを検証するために用いられる。
【0059】
ステップＳ１９において、第１極小値と第Ｎ極小値との差分値が所定の閾値以上であるかどうかを判断する。
【0060】
所定の閾値以上であれば、第Ｎ比較信号に対応する調整信号２０ａの電圧値が要求を満たすことを示し、調整信号２０ａを現在の電圧値を記録し、検証を終了することができる。所定の閾値よりも小さい場合、ステップＳ１７とステップ１８を繰り返して実行し、即ち、第２ステップサイズに従って、調整信号２０ａの電圧値を繰り返して調整し、第Ｎ比較信号に対応する第Ｎ極小値と第１極小値ＴｘＶ－１との差分値が所定の閾値以上になるまで継続する。
【0061】
いくつかの実施例において、調整信号２０ａの電圧値を制御し、データ識別ウィンドウに最小の極小値を有させる。具体的には、調整信号２０ａの電圧値を調整した後、データ識別ウィンドウの極小値が１つ前の極小値以上であれば、１つ前の極小値がもう極限値になっており、更に引き下げることができないと見なす。それと同時に、理論的には、第２極小値ＴｘＶ－２が第１極小値ＴｘＶ－１よりも小さいが、検証の正確性を向上させるために、第２極小値ＴｘＶ－２の実際の電圧値に対して検証を行う必要がある。従って、第２極小値ＴｘＶ－２を取得した後、図４に示すように、以下のステップを更に実行する必要がある。
【0062】
ステップＳ２０において、第２極小値が第１極小値以上であるかどうかを判断する。
【0063】
第２極小値ＴｘＶ－２が第１極小値ＴｘＶ－１以上であれば、調整信号２０ａの設定は、役割を果たさないことを示し、この場合、検証を中止し、原因を調べる。第２極小値ＴｘＶ－２が第１極小値ＴｘＶ－１よりも小さければ、調整信号２０ａの設定は、正常な役割を果たすことを示す。この時、第２極小値ＴｘＶ－２がデータ識別ウィンドウの極小値の極限値であるかどうかを検出する必要がある。
【0064】
ステップＳ２１において、第２ステップサイズに従って、調整信号の電圧値を調整し、比較信号を第３比較信号として取得する。
【0065】
ステップＳ２２において、第３比較信号の中の全ての有効信号に対応する基準信号の電圧値範囲を取得し、電圧値範囲の最小値を第３極小値として取得する。
【0066】
ステップＳ２１とステップＳ２２は、第３極小値を取得するために用いられる。第３極小値と第２極小値ＴｘＶ－２との大小関係によって、第２極小値ＴｘＶ－２が極小値の極限値であるかどうかを判断することができる。
【0067】
ステップＳ２３において、第３極小値が第２極小値ＴｘＶ－２以上であるかどうかを判断する。
【0068】
第３極小値が第２極小値ＴｘＶ－２以上であれば、データ識別ウィンドウの極小値を更に引き下げることができなく、第２極小値ＴｘＶ－２が既に極小値の極限値であると見なす。第３極小値が第２極小値ＴｘＶ－２よりも小さければ、データ識別ウィンドウの極小値が更に引き下げることができることを示し、この時、第２ステップサイズに従って、調整信号２０ａの電圧値を再び調整し、第Ｎ比較信号に対応する第Ｎ極小値が第Ｎ－１極小値以上になるまで継続する必要があり、ここで、Ｎは、４以上の自然数である。
【0069】
具体的なステップは、以下のとおりである。ステップＳ２４において、第２ステップサイズに従って、調整信号の電圧値を再び調整し、比較信号を第Ｎ比較信号として取得する。ステップＳ２５において、Ｎ比較信号の中の全ての有効信号に対応する基準信号の電圧値範囲を取得し、電圧値範囲の最小値を第Ｎ極小値として取得する。Ｓ２６において、第Ｎ極小値が第Ｎ－１極小値以上であるかどうかを判断し、第Ｎ極小値が第Ｎ－１極小値以上であれば、第Ｎ－１極小値が既に極小値の極限値であることを示し、この時、調整信号２０ａの電圧値を記録し、検証を終了し、第Ｎ極小値が第Ｎ－１極小値よりも小さければ、データ識別ウィンドウの極小値が更に引き下げることが可能であることを示し、この時、ステップＳ２４からステップＳ２６を繰り返して実行し、第Ｎ極小値が第Ｎ－１極小値以上になるまで継続し、この時、第Ｎ－１極小値がデータ識別ウィンドウの極限極小値であると見なす。
【0070】
本実施例は、検証方法を提供する。この方法は、調整信号の設定でデータ識別ウィンドウに及ぼす影響を検証し、換言すれば、調整信号の設定により、データ識別ウィンドウの電圧値範囲が拡張できたかどうかを検証し、データ識別ウィンドウの電圧値範囲要求を満たす調整信号の電圧値を決定し、受信機が大きいデータ識別ウィンドウを有することを確保する。
【0071】
当業者であれば、上記の各実施形態は本願を実現する具体的な実施例であり、実際の応用においては、本開示の精神と範囲から逸脱することなく、形式と詳細の点において、様々な変更を行うことができることを理解することができる。いかなる当業者も、本願の精神と範囲を逸脱しない限り、それぞれの変更と修正を行うことができるため、本願の保護範囲は請求項に規定された範囲に準拠すべきである。
【産業上の利用可能性】
【0072】
本願の実施例において、受信機は、第１ＭＯＳトランジスタと第２ＭＯＳトランジスタとを含む信号受信モジュールであって、前記第１ＭＯＳトランジスタのゲート電極は、基準信号を受信するためのものであり、前記第２ＭＯＳトランジスタのゲート電極は、データ信号を受信し、比較信号を出力するためのものであり、前記比較信号は、前記基準信号の電圧値と前記データ信号の電圧値との大小関係を表すためのものである、信号受信モジュールと、第３ＭＯＳトランジスタを含む調整モジュールであって、前記第３ＭＯＳトランジスタのソース電極は、前記第１ＭＯＳトランジスタのソース電極に接続され、前記第３ＭＯＳトランジスタのドレイン電極は、前記第１ＭＯＳトランジスタのドレイン電極に接続され、前記第３ＭＯＳトランジスタのゲート電極は、調整信号を受信するためのものである、調整モジュールと、を備える。本願の実施例は、データ信号の有効識別ウィンドウの範囲の拡大に有利である。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】