特許 7368440 発光表示装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2023-10-16

(45)【発行日】2023-10-24

(54)【発明の名称】発光表示装置

(51)【国際特許分類】

   H10K 59/122 20230101AFI20231017BHJP

   G09F 9/30 20060101ALI20231017BHJP

   H10K 50/16 20230101ALI20231017BHJP

   H10K 50/17 20230101ALI20231017BHJP

   H10K 50/88 20230101ALI20231017BHJP

   H10K 59/124 20230101ALI20231017BHJP

   H10K 59/131 20230101ALI20231017BHJP

【ＦＩ】

H10K59/122

G09F9/30 309

G09F9/30 365

H10K50/16

H10K50/17

H10K50/88

H10K59/124

H10K59/131

【請求項の数】 20

(21)【出願番号】P 2021186472

(22)【出願日】2021-11-16

(65)【公開番号】P2022105269

(43)【公開日】2022-07-13

【審査請求日】2021-11-17

(31)【優先権主張番号】10-2020-0190050

(32)【優先日】2020-12-31

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(73)【特許権者】

【識別番号】501426046

【氏名又は名称】エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド

(74)【代理人】

【識別番号】110002077

【氏名又は名称】園田・小林弁理士法人

(72)【発明者】

【氏名】ハン， キュ イル

(72)【発明者】

【氏名】キム， ミ ソー

(72)【発明者】

【氏名】シン， ファ ヨン

(72)【発明者】

【氏名】リー， ジ ヒョン

【審査官】辻本 寛司

(56)【参考文献】

【文献】国際公開第２０１３／０６９０４２（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特開２００７－１５７３７４（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２０２０／０１９４５２０（ＵＳ，Ａ１）

【文献】米国特許出願公開第２０１７／０２７８９１０（ＵＳ，Ａ１）

【文献】国際公開第２０１３／０６９０４１（ＷＯ，Ａ１）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ１０Ｋ ５９／１２２

Ｇ０９Ｆ ９／３０

Ｈ１０Ｋ ５０／１６

Ｈ１０Ｋ ５０／１７

Ｈ１０Ｋ ５０／８８

Ｈ１０Ｋ ５９／１２４

Ｈ１０Ｋ ５９／１３１

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

表示領域及び前記表示領域を囲む非表示領域を有する基板であって、前記非表示領域は、前記表示領域と前記基板のエッジの間に位置する、基板と、
前記表示領域内のサブ画素に備えられた発光素子と、
前記基板の表示領域の縁部に沿って前記非表示領域内に備えられた電圧ラインと、
前記表示領域内の複数の第１ホールを通して前記発光素子の複数の発光部を露出させ、前記非表示領域内の第２ホールを通して前記電圧ラインを露出させるバンクと、
前記電圧ラインと前記バンクとの間に第１及び第２平坦化膜とを含み、
前記発光素子の電子注入層が前記表示領域全体に備えられ、前記非表示領域に延びて第２ホール内に備えられ、
前記電子注入層は、前記第１及び第２平坦化膜のエンドラインよりも外側に位置する、前記基板のエッジに近い前記バンクのエンドラインを覆う、発光表示装置。

【請求項2】

前記発光素子は、順に積層された、アノード、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、前記電子注入層及びカソードを含む、請求項１に記載の発光表示装置。

【請求項3】

前記カソードは前記非表示領域内で前記電子注入層上に備えられ、
前記第２ホール内で、前記電圧ラインは前記カソードと前記電子注入層を挟んで接続される、請求項２に記載の発光表示装置。

【請求項4】

前記第２ホールは、前記基板のパッド部を除いて、前記非表示領域において前記基板のエッジに沿って連続的に設けられている、請求項１に記載の発光表示装置。

【請求項5】

前記基板の少なくとも４個のコーナー部のエッジは屈曲を有し、隣接コーナー部の間のエッジは直線領域を有し、
前記第２ホールは前記基板の屈曲に平行な領域に第１幅を有し、前記基板の直線領域に平行な領域に前記第１幅より小さい第２幅を有し、前記バンクのエッジが前記基板のエッジより内側に位置する、請求項４に記載の発光表示装置。

【請求項6】

前記第１幅は１００μｍ以下である、請求項５に記載の発光表示装置。

【請求項7】

前記電子注入層は前記第２ホールを介して前記電圧ラインと接続され、前記非表示領域内で前記第２ホールの側部及び上部で前記バンクと接する、請求項１に記載の発光表示装置。

【請求項8】

前記非表示領域内で、前記電子注入層のエンドラインが前記第２ホールより外側に位置する、請求項１に記載の発光表示装置。

【請求項9】

前記電子注入層は金属又は金属化合物のみ含んでなり、前記電子注入層の厚さは９Å以上２０Å以下である、請求項１に記載の発光表示装置。

【請求項10】

前記電子注入層は、ＬｉＦ、Ｙｂ、Ａｇ及びＭｇのうち少なくとも１つを含む、請求項９に記載の発光表示装置。

【請求項11】

前記アノードと同じ層に、前記第２ホールと重畳して連結パターンをさらに含み、前記連結パターンは、下部で前記電圧ラインと接続され、上部で前記電子注入層と接続される、請求項２に記載の発光表示装置。

【請求項12】

前記第１及び第２平坦化膜は、前記第２ホールと重畳し、前記第２ホールの幅より小さい幅のトレンチホールを含む、請求項１１に記載の発光表示装置。

【請求項13】

前記第１平坦化膜と第２平坦化膜は異なる幅の第１及び第２トレンチホールをそれぞれ有し、前記第２ホールは、前記第１トレンチホール及び第２トレンチホールの少なくとも一つより前記表示領域から遠い位置で開いているように形成される、請求項１２に記載の発光表示装置。

【請求項14】

前記第１トレンチホールと前記第１平坦化膜上とで連続した連結金属パターンを含み、
前記連結金属パターンは下部で前記電圧ラインと電気的に接続され、前記第１トレンチホール内で前記連結金属パターン下部の前記電圧ラインと前記連結金属パターン上部の前記連結パターンとが積層した構造をなす、請求項１３に記載の発光表示装置。

【請求項15】

前記電子注入層のエンドラインと前記カソードのエンドラインとが同一である、請求項２に記載の発光表示装置。

【請求項16】

前記第２ホールは前記第１ホールから離隔する、請求項１に記載の発光表示装置。

【請求項17】

前記発光素子の電子注入層は前記第２ホールと重畳して前記第２ホールの内部を覆う、請求項１に記載の発光表示装置。

【請求項18】

前記発光素子は、前記電子注入層上に配置されたカソードを含み、前記電子注入層は前記カソードと同じ幅を有し、前記カソードより小さい厚さを有するように形成され、
前記カソードの下部に位置する前記電子注入層が前記バンクの第２ホールの側部で前記バンクと直接接触する、請求項１に記載の発光表示装置。

【請求項19】

前記第２ホールは前記連結パターンに対して対称であるように形成される、請求項１１に記載の発光表示装置。

【請求項20】

前記電圧ラインと前記バンクとの間に、前記電圧ラインに接続された連結金属パターンと、連結パターンとをさらに含み、
前記第１平坦化膜は第１トレンチホールを有し、前記第２平坦化膜は第２トレンチホールを有し、
前記第２トレンチホールは、前記第２平坦化膜の位置を介して形成され、前記第１トレンチホールと一部重畳して前記連結金属パターンを露出させ、
前記連結金属パターンは前記第２ホールと重畳しない部位で前記第２トレンチホールを介して前記連結パターンに電気的に連結される、請求項１に記載の発光表示装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は表示装置に関するもので、特に、表示領域の外郭構造の変更によって画素の収縮を防止し、装置の信頼性を改善した発光表示装置に関する。

【背景技術】

【0002】

最近、別途の光源を要求しなく、装置のコンパクト化及び鮮明なカラー表示のための自発光表示装置が競争力あるアプリケーション（ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ）として考慮されている。

【0003】

このような自発光表示装置は、各サブ画素別に独立的に駆動する発光素子を備える。発光素子に含まれた材料によって有機発光素子又は無機発光素子に区分されることができる。

【0004】

一方、有機発光素子を備えた表示装置は、内部有機層が水分などに弱くて透湿による信頼性が低下するか寿命が縮まる問題がある。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

本発明は水分などに弱い発光表示装置の特性を改善するためのものであり、表示領域の外郭領域でバンク構造及び素子内部構造を変更して、画素の収縮を防止し、信頼性を改善した発光表示装置を提供することをその目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明の発光表示装置は、カソードに電源電圧信号を印加するために電源電圧ラインに対応して備えられるバンクホールと、表示領域外部の発光素子の各層の延長部との構成を変更することにより、バンクホールを通じての水分浸透を防止することができる。

【0007】

本発明の発光表示装置は、表示領域及び非表示領域を有する基板と、前記表示領域の複数のサブ画素にそれぞれ備えられた発光素子と、前記基板の表示領域の縁部に沿って前記非表示領域に備えられた第１電圧ラインと、前記表示領域内の複数の第１ホールを通して前記発光素子のそれぞれの発光部を露出させ、前記非表示領域内の第２ホールを通して前記第１電圧ラインを露出させるバンクとを含み、前記発光素子のカソードは前記第２ホールを介して前記第１電圧ラインと接続されることができる。

【発明の効果】

【0008】

本発明の発光表示装置は次のような効果を有する。

【0009】

薄膜トランジスタアレイの形成の際に一緒に形成される電源電圧ラインと発光素子カソードを接続するために、基板の表示領域の外側に備えられるバンクホールの幅を一定値以下にして、バンクホールを通して水分が浸透することを防止することにより、基板のエッジに近くに位置するサブ画素の発光部が縮小する画素収縮（ｐｉｘｅｌ ｓｈｒｉｎｋａｇｅ）現象を防止することができる。

【0010】

発光素子の共通層の中でカソードとともに形成される電子注入層を金属成分を含む金属又は金属化合物から形成し、電子注入層がバンクホールと重畳して非表示領域に延びるように形成し、バンクホールで電子注入層が電源電圧ラインと接続されるようにする。これにより、金属成分の電子注入層がバンクホールの内側をカバーして水分に対するバリアとして作用することができ、非表示領域で有機物成分の側部露出を防止して装置の信頼性を改善することができる。

【0011】

非表示領域に備えられるバンクホールの幅は屈曲部と直線部で異なることができるが、相対的にバンクホールの幅が大きい屈曲部でも１００μｍ以下にして水分の伝達経路を減らし、バンクホールの内側及び下部有機膜の内側を電極及び金属成分がカバーするようにして、表示装置の熱及び水分に対する耐性を向上させて表示装置の信頼性を向上させる。

【図面の簡単な説明】

【0012】

【図1】本発明の発光表示装置を平面図である。

【図2】Ｉ～Ｉ’線についての断面図である。

【図3A-B】図２のＡ領域及びＢ領域を示す断面図である。

【図4A-B】本発明の発光表示装置の他の実施例による図２のＡ領域及びＢ領域を示す断面図である。

【図5】本発明の一実施例による発光表示装置の各サブ画素の回路図である。

【図6】図１の幅ｃを有する直線部の断面図である。

【図7】本発明の発光表示装置の変形例を示す断面図である。

【図8】本発明の発光表示装置の変形例を示す断面図である。

【図9】図１の第２ホールが第３幅を有する領域を横切る領域の一例の断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0013】

以下、添付図面に基づいて本発明の好適な実施例を説明する。明細書全般にわたって同じ参照番号は実質的に同一である構成要素を意味する。以下の説明で、本発明に関連した技術又は構成についての具体的な説明が本発明の要旨を不必要にあいまいにする可能性があると判断される場合、その詳細な説明を省略する。また、以下の説明で使われる構成要素の名称は容易な明細書作成を考慮して選択されたものであり、実際製品の部品の名称と異なることがある。

【0014】

本発明の多様な実施例を説明するための図面に開示された形状、サイズ、比率、角度、個数などは例示的なものなので、本発明が図面に示された事項に限定されるものではない。本明細書全般にわたって同じ図面符号は同じ構成要素を指称する。また、本発明の説明において、関連した公知技術についての具体的な説明が本発明の要旨を不必要にあいまいにする可能性があると判断される場合、その詳細な説明は省略する。本明細書上で言及する‘含む’、‘有する’、‘なる’などを使う場合、‘～のみ’を使わない限り、他の部分を付加することができる。構成要素を単数で表現する場合、特に明示的な記載事項がない限り、複数を含む場合を含む。

【0015】

本発明の多様な実施例に含まれる構成要素を解釈するに当たり、別途の明示的な記載がなくても誤差範囲を含むものに解釈する。

【0016】

本発明の多様な実施例を説明するに当たり、位置関係について説明する場合、例えば、‘～上に’、‘～の上部に’、‘～の下部に’、‘～のそばに’などによって二つの部分の位置関係を説明する場合、‘すぐ’又は‘直接’を使わない限り、二つの部分の間に一つ以上の他の部分が位置することもできる。

【0017】

本発明の多様な実施例を説明するに当たり、時間関係について説明する場合、例えば、‘～の後に’、‘～に引き続き’、‘～の次に’、’～の前に’などで時間的先後関係を説明する場合、‘すぐ’又は‘直接’を使わない限り、連続的ではない場合も含むことができる。

【0018】

本発明の多様な実施例を説明するに当たり、‘第１～’、‘第２～’などを多様な構成要素を敍述するために使うことができるが、このような用語は互いに同一乃至類似の構成要素を区別するために使うだけである。よって、本明細書で、‘第１～’で修飾する構成要素は別途の言及がない限り、本発明の技術的思想内で‘第２～’で修飾する構成要素と同一であることができる。

【0019】

本発明の多様な実施例のそれぞれの特徴が部分的に又は全体的に互いに結合又は組合せ可能であり、技術的に多様な連動及び駆動が可能であり、多様な実施例が互いに対して独立的に実施されることもでき、連関関係で一緒に実施されることもできる。

【0020】

以下、図面に基づいて本発明の発光表示装置を説明する。

【0021】

図１は本発明の発光表示装置の平面図、図２はＩ～Ｉ’線についての断面図である。図３Ａ及び図３Ｂは図２のＡ領域及びＢ領域を示す断面図である。

【0022】

図１～図２に示すように、本発明の発光表示装置１０００は、表示領域ＡＡ及び非表示領域ＮＡを有する基板１００と、前記表示領域ＡＡの複数サブ画素にそれぞれ備えられた発光素子ＯＬＥＤと、前記基板１００の表示領域の縁部に沿って前記非表示領域に備えられた第１電源電圧ライン１０６ｃと、前記表示領域ＡＡ内の複数の第１ホールＥＭＰを通して前記発光素子ＯＬＥＤのそれぞれの発光部を露出させ、前記非表示領域ＮＡ内の第２ホールＢＣＴを通して前記第１電源電圧ライン１０６ｃを露出させるバンク１２０とを含み、前記発光素子の電子注入層ＥＩＬは表示領域ＡＡから延びて少なくとも前記非表示領域ＮＡの前記第２ホールＢＣＴに備えられることができる。

【0023】

すなわち、前記電子注入層ＥＩＬがバンク１２０が第２ホールＢＣＴから除去されて露出されたバンク１２０の側部に直接接するように形成されることにより、外部からの水分又は冷却時の第２ホールＢＣＴに残った湿気がバンク１２０を通して透湿する現象を防止することができる。前記電子注入層ＥＩＬは第２ホールＢＣＴと重畳して形成されることにより、第２ホールＢＣＴ及び周辺領域を保護する。

【0024】

前記電子注入層ＥＩＬは前記第２ホールＢＣＴの側部だけではなく第２ホールＢＣＴの周辺のバンク１２０の上側にも形成されてバンク１２０の上部表面も保護することができる。例えば、電子注入層ＥＩＬは、非表示領域ＮＡで、バンク１２０の第２ホールＢＣＴの側部及びバンク１２０の上部と接することができる。

【0025】

前記電子注入層ＥＩＬは発光素子ＯＬＥＤのカソード（ＣＡＴ）２００と同じチャンバー及び／又はマスクによって形成されることができるものであり、電子注入層ＥＩＬの上部にはカソード２００が備えられる。

【0026】

実質的に前記第２ホールＢＣＴはカソード２００が前記第１電源電圧ライン１０６ｃと重畳して接続されるように備えられるものであり、第２ホールＢＣＴで前記第１電圧ライン１０６ｃは前記カソード２００と前記電子注入層ＥＩＬを挟んで接続されることができる。電気的接続のために、電子注入層ＥＩＬは無機物又は無機化合物成分を含む成分である。例えば、電子注入層ＥＩＬは、ＬｉＦ、Ｙｂ、Ａｇ及びＭｇの少なくとも１種を含むことができ、その他にもカソード２００の成分を一部含むこともできる。一方、前記電子注入層ＥＩＬはカソード２００から発光素子ＯＬＥＤの内部有機層ＯＳに電子が容易に注入されるようにする主機能を有するものであり、このために有機層ＯＳとの界面抵抗が低く仕事関数が小さい金属を含むことができる。また、電子注入層ＥＩＬはあまり厚くないように形成して、上部のカソード２００と下部の第１電源電圧ライン１０６ｃとの電気的接続抵抗を高めないようにする。

【0027】

本発明の発光表示装置において前記電子注入層ＥＩＬの機能を簡略に説明する。

【0028】

例えば、前記電子注入層ＥＩＬがイッテルビウム（Ｙｂ）を含んでなるとき、水分が第２ホールＢＣＴ側に流入すれば、式１のように、イッテルビウム（Ｙｂ）と水酸化基が反応し、水素分子を外部に放出し、水分による影響を防止することができる。

【0029】

また、前記電子注入層ＥＩＬがＬｉＦを含んでなるとき、リチウム（Ｌｉ）とフッ素（Ｆ）が分離され、リチウム（Ｌｉ）と水酸化基が反応し、フッ化水素（ＨＦ）を外部に放出することができ、水分による影響を防止することができる。

【0030】

［数１］
２Ｙｂ＋６Ｈ_２Ｏ→２Ｙｂ（ＯＨ）_３＋３Ｈ_２

【0031】

［数２］
ＬｉＦ＋Ｈ_２Ｏ→ＬｉＯＨ＋ＨＦ

【0032】

すなわち、本発明の発光表示装置で、第２ホールＢＣＴをカバーするように形成された電子注入層ＥＩＬは外部から透湿する湿気が冷却時に発生する水分と反応して水素又はフッ化水素などの成分として放出させることにより、水分による影響を防止し、水分が内部サブ画素の発光部を収縮させる現象を防止することができる。

【0033】

図１は発光表示装置のバンク１２０の形状を示す図である。バンク１２０は、図１に示すように、一体型に形成されることができ、内側領域に互いに離隔した第１ホールＥＭＰ及び第２ホールＢＣＴを有する。バンク１２０は絶縁性有機物質からなり、基板１００のエッジから一定幅だけ内側に入ってエンドラインＢＥＬを有する。前記バンク１２０のエンドラインが基板１００のエッジから離隔している理由は、有機物質からなるバンク１２０のエッジの側部が外気に直接接触することを防止し、水分浸透の原因になることを防止するためである。また、バンク１２０のパッド部ＰＡＤに対応しては第２ホールＢＣＴを有しない。パッド部ＰＡＤのパッド電極（図示せず）と駆動ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）又は駆動ＩＣを含むフレキシブルプリント基板（ＦＰＣ：Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）との接続のためにパッド部ＰＡＤを有しない他の辺より内側にエンドラインを有することもできる。この場合、パッド部ＰＡＤではバンクの除去された基板１００上のパッド電極と第１電源電圧ラインが接続されることができる。

【0034】

バンク１２０の第１ホールＥＭＰは表示領域ＡＡにある発光部に対応するものであり、第１ホールＥＭＰはそれぞれが離隔しており、表示領域ＡＡには第１ホールＥＭＰを除いた領域にバンク１２０が備えられ、発光素子ＯＬＥＤから光が第１ホールＥＭＰを通して出射される。バンク１２０が第１ホールＥＭＰを取り囲み、その高低差によって発光部と非発光部を区分することができる。第１ホールＥＭＰのサイズはサブ画素が発光しようとする色別に異なることができる。例えば、青色サブ画素が緑色サブ画素や赤色サブ画素に比べて第１ホールＥＭＰのサイズが大きいことができる。それぞれの発光素子ＯＬＥＤの発光効率、所要駆動電圧及び人間による認知感度を考慮して前記第１ホールＥＭＰのサイズはサブ画素別に調整されることができる。

【0035】

前記第２ホールＢＣＴは前記パッド部ＰＡＤを除いた前記非表示領域に一体型に備えられるものであり、第２ホールＢＣＴの下側に第１電源電圧ライン１０６ｃが配置され、第２ホールＢＣＴの上側に発光素子ＯＬＥＤのカソード２００が接続されて電気的接続関係を成す。前記第１電源電圧ライン１０６ｃはパッド部に延び、パッド部と連結される駆動部を介して信号を受けることができる。

【0036】

前記第１電源電圧ライン１０６ｃに印加される信号は接地電圧又は低電圧信号であり、カソード２００に接地信号を印加するか一定した低電圧信号を印加することによりカソード２００を一定電位に維持するものである。

【0037】

発光素子ＯＬＥＤはサブ画素別にパターニングされたアノード１１０と接続された薄膜トランジスタＴＦＴを介して電気的信号を受けて選択的に動作し、当該サブ画素を発光させる。

【0038】

一例として、薄膜トランジスタは、図２のように、ゲート電極１０２と、前記ゲート電極１０２と重畳する半導体層１０４と、前記半導体層１０４の両側と接続されたソース電極１０６ａ及びドレイン電極１０６ｂとを含む。

【0039】

前記ゲート電極１０２と半導体層１０４との間にはゲート絶縁膜１０３が備えられ、前記半導体層１０４のチャネル上部にはチャネル保護層１０５が備えられ、これは半導体層１０４とソース電極１０６ａ及びドレイン電極１０６ｂとの接続の際に半導体層１０４のチャネルを保護する。

【0040】

前記半導体層１０４は酸化物半導体層、ポリシリコン層及び非晶質シリコン層の少なくとも一つを含むことができ、場合によっては同じか異なる材料から二層以上備えて形成されることもできる。

【0041】

前記薄膜トランジスタＴＦＴを保護するように第１平坦化膜１０７が備えられることができる。前記第１平坦化膜１０７には第１コンタクトホールＣＴ１が備えられ、前記薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極１０６ａを露出させることができる。

【0042】

そして、前記第１コンタクトホールＣＴ１を介して前記ソース電極１０６ａと接続される第１連結金属パターン１０９が備えられることができる。

【0043】

また、前記第１連結金属パターン１０９を覆うように第２平坦化膜１０８がさらに備えられ、前記第２平坦化膜１０８を通して第１連結金属パターン１０９を露出させる第２コンタクトホールＣＴ２を有することができる。

【0044】

前記第２コンタクトホールＣＴ２及び第１コンタクトホールＣＴ１を介して前記第１連結金属パターン１０９と接続されたアノード１１０が備えられる。

【0045】

ここで、発光素子ＯＬＥＤ、すなわちアノード１１０の下側構成を全部含めて薄膜トランジスタアレイ基板５００と言う。薄膜トランジスタアレイ基板５００には、層状構成の薄膜トランジスタＴＦＴ、前記薄膜トランジスタＴＦＴの電極の間に備えられるゲート絶縁膜１０３、第１及び第２平坦化膜１０７、１０８及び第１連結金属パターン１０９を含むことができる。

【0046】

一方、前記薄膜トランジスタアレイ基板５００の形成の際、ゲート電極１０２及びソース／ドレイン電極１０６ａ、１０６ｂと同一層に信号ライン１０２ａ及び第１電源電圧ライン１０６ｃがさらに備えられることができる。

【0047】

図２には第１電源電圧ライン１０６ｃが一つとして示されているが、これは発明の特徴のうちカソード２００と接続されるラインを重点的に示すためのものであり、第１電源電圧ライン１０６ｃの他にも低電圧又は接地電圧と違う電圧として、例えば高電源電圧又は基準電圧を伝達する電源電圧ラインがさらに備えられることができる。

【0048】

第１電源電圧ライン１０６ｃは、図示のように、ソース／ドレイン電極１０６ａ、１０６ｂと同一層に備えられることもできるが、前記ゲート電極１０２と同一層に備えられることができる。

【0049】

信号ライン１０２ａは表示領域ＡＡに備えられたゲートラインと連結されるか表示領域ＡＡの両側に位置する非表示領域ＮＡに備えられるゲート駆動部ＧＩＰと連結されることもできる。

【0050】

前記薄膜トランジスタＴＦＴは発光素子ＯＬＥＤと接続されるもので、実質的に駆動薄膜トランジスタであり、駆動薄膜トランジスタの他にもスイッチング薄膜トランジスタなどの他の薄膜トランジスタがさらに形成されることができる。そして、駆動薄膜トランジスタとスイッチング薄膜トランジスタは互いに異なる機能性のために少なくとも一つの電極が他の層に位置することができる。例えば、第１平坦化膜１０７上に位置する第１連結金属パターン１０９と同一層に形成された金属パターンが駆動薄膜トランジスタと違う薄膜トランジスタの電極に用いられることもできる。場合によって、第１連結金属パターン１０９は省略され、アノード１１０は前記ソース電極１０６ａと直接的に接続されることができる。

【0051】

前記第１連結金属パターン１０９と同一層に前記第１電源電圧ライン１０６ｃと接続される第２連結金属パターン１０９ｃがさらに備えられることができる。第２連結金属パターン１０９ｃは、前記第１電源電圧ライン１０６ｃを露出させる第１トレンチホールＴＲＴ１を介して前記第１トレンチホールＴＲＴ１の側面及び底面と前記第１トレンチホールＴＲＴ１の周辺の第１平坦化膜１０７上に位置する。第２連結金属パターン１０９ｃは第１トレンチホールＴＲＴ１の内部と前記第１平坦化膜１０７上に連続的に形成されることができる。前記第１トレンチホールＴＲＴ１の内部で下部の第１電源電圧ライン１０６ｃ及び第２連結金属パターン１０９ｃは積層構造を有することができる。場合によって、前記第２連結金属パターン１０９ｃは省略され、連結パターン１１０ａが直接第１電源電圧ライン１０６ｃと接続されることができる。

【0052】

第２平坦化膜１０８には前記第１トレンチホールＴＲＴ１と重畳する部位に第２連結金属パターン１０９ｃを露出させる第２トレンチホールＴＲＴ２が備えられ、前記第２トレンチホールＴＲＴ２の側壁及び前記第１トレンチホールＴＲＴ１内の第２連結金属パターン１０９ｃ上に連結パターン１１０ａが備えられる。

【0053】

前記連結パターン１１０ａはアノード１１０及びアノードダミーパターン１１０ｂと同じ工程で形成されるものである。連結パターン１１０ａは第１電源電圧ライン１０６ｃとの電気的接続のために備えられ、アノードダミーパターン１１０ｂは表示領域ＡＡの周辺検査のためのパターンであるかその他の信号との接続のために備えられることができる。

【0054】

基板１００は、図１に示すように、少なくとも４個のコーナーを有することができる。コーナーは、図示のように、屈曲を有することもでき、又は２個の互いに交差する直線が互いに会う形状を有することもできる。屈曲を有するコーナーの間は直線部を有することができる。図１のように、基板１００のエッジがコーナーで屈曲を有するとき、内側構成も基板１００のエッジの屈曲を有することができる。

【0055】

一方、第２ホールＢＣＴはパッド部ＰＡＤを除いて一体型に形成されているが、その幅は、図１のように、領域別に異なることができる。すなわち、前記第２ホールＢＣＴは、パッド部ＰＡＤと対向する非表示領域では第１幅ａを有し、第１幅ａと連結される両側のコーナー部では第２幅ｂを有し、前記第２幅ｂと連結され、パッド部ＰＡＤを基準に基板１００の両辺に対応する非表示領域では第３幅ｃを有し、前記第３幅ｃと連結され、パッド部ＰＡＤに最も隣接したコーナー部では第４幅ｄを有する。

【0056】

コーナー部の第２幅ｂと第４幅ｄは直線部に位置する第１及び第３幅ａ、ｃより大きい幅を有する。これは、コーナー部でバンク１２０の第２ホールＢＣＴ及び第１及び第２トレンチホールＴＲＴ１、ＴＲＴ２と重畳して第１電源電圧ライン１０６ｃと連結パターン１１０ａの電気的接続を複数の有機膜１２０、１０８、１０７で貫通形状として直接的に有するためである。前記第１及び第２トレンチホールＴＲＴ１、ＴＲＴ２は互いに異なる幅を有し、それぞれ前記第２ホールＢＣＴより小さい幅を有することができる。また、前記コーナー部では、基板１００に内蔵されたゲート駆動部ＧＩＰに隣接して第１及び第２トレンチホールＴＲＴ１、ＴＲＴ２が第１及び第２平坦化膜１０７、１０８での水分放出通路として用いられることができ、水分放出通路として用いられた部位で第１及び第２トレンチホールＴＲＴ１、ＴＲＴ２の第２ホールＢＣＴの十分な重畳のために相対的に直線部の第２ホールＢＣＴよりコーナー部で第２ホールの幅が大きいものである。

【0057】

前記第２ホールＢＣＴの各幅の関係は、直線部でもａ＜ｃ、コーナー部でもｂ＜ｄの関係を有することができる。しかし、これに限られなく、直線部は互いに同じ幅を有することができ、コーナー部は互いに異なる幅を有することができる。

【0058】

また、本発明の発光表示装置では、前記第２ホールＢＣＴは最大幅（ｂ又はｄ）を有するコーナー部でも１００μｍを超えないので、基板１００のエッジに近くにある第２ホールＢＣＴを通して水分が浸透することを防止することができる。後述する実験に基づいて第２ホールＢＣＴが有する幅の意味について説明する。

【0059】

図３Ａのように、発光素子ＯＬＥＤは互いに対向するアノード１１０とカソード２００との間に有機層ＯＳを含む。有機層ＯＳには、正孔注入層ＨＩＬ、正孔輸送層ＨＴＬ、発光層ＥＭＬ及び電子輸送層ＥＴＬを含むことができる。

【0060】

カソード２００はその下側に無機物又は無機化合物の薄い電子注入層ＥＩＬを含む。すなわち、カソード２００は電子注入層ＥＩＬと同じチャンバーで形成されることができる。この場合、カソード２００を形成するマスクは表示領域全体と非表示領域に延び、少なくとも第２ホールＢＣＴを含む領域に開口部を有するものであり、この開口部を通して物質を供給して電子注入層ＥＩＬとカソード２００を形成する。この場合、カソード２００を形成するチャンバー内にカソード２００の金属物質供給部の他に電子注入物質を供給する供給部をさらに備え、電子注入物質供給部から電子注入物質を基板上に先に蒸着し、ついでカソード金属物質を蒸着して順に電子注入層ＥＩＬ及びカソード２００を形成する。

【0061】

カソード金属物質は、例えばＭｇ、Ｍｇ合金、Ａｇ又はＡｇ合金であり、アノード１１０との反射共振が可能であり、最適共振で透過可能な反射透過性金属であれば列挙した金属に制限されない。そして、電子注入物質は、例えばＬｉＦ、Ｙｂ、Ａｇ及びＭｇ又はこれらの中で１種以上含む化合物であることができる。紫外線遮断効果又は／及び電子注入効果を向上させるために、他の無機物をさらに含むことができる。

【0062】

本発明が電子注入層ＥＩＬはカソード２００と同じチャンバー及び同じマスクで形成されて同じエンドラインを有することができる。

【0063】

また、本発明の発光表示装置は、カソード２００と同じ幅の電子注入層ＥＩＬを有する。よって、図３Ｂのように、カソード２００とともに形成される電子注入層ＥＩＬを前記第２ホールＢＣＴを覆うように非表示領域ＮＡに延ばして形成することにより、電子注入層ＥＩＬが第２ホールＢＣＴの内部及びその下側の第１及び第２トレンチホールＴＲＴ１、ＴＲＴ２の側部構成を保護するようにする。

【0064】

一方、図３Ａの発光素子ＯＬＥＤの構成と比較して、図３Ｂの非表示領域ＮＡを見ると、第１電源電圧ライン１０６ｃと連結パターン１１０ａの接続の際に電気抵抗を防止するために共通層として用いられる正孔注入層ＨＩＬ、正孔輸送層ＨＴＬ及び電子輸送層ＥＴＬは第２ホールＢＣＴに対応して備えられない。

【0065】

電子注入層ＥＩＬは、５０Å～３００Åの厚さを有するように形成されるカソード２００に比べ、前段階で薄く形成されるものであり、およそカソード２００の下側に２０Å以下の厚さを有するように形成される。そして、電子注入層ＥＩＬはカソード２００と同じチャンバー及び同じマスクで形成されるから、同じ幅又は同じサイズを有する。よって、カソード２００の下側の電子注入層ＥＩＬは第２ホールＢＣＴの側部のバンク１２０に直接接し、バンク１２０の側部が第２ホールＢＣＴから露出されて水分浸透の原因になる現象を防止することができる。例えば、大きい幅を有する第２ホールに水分が浸透すれば、大きい幅を有する第２ホールに隣接した表示領域内のサブ画素の発光部が収縮し、これにより寿命が縮まる問題があるが、本発明の発光表示装置は、水分透湿の原因になることができる第２ホールＢＣＴの幅を一定幅以下にし、第２ホールＢＣＴにカソード下側の電子注入層が対応するようにすることにより、第２ホールＢＣＴの保護をはかることができる。

【0066】

一方、前記カソード２００の下側の電子注入層ＥＩＬは第２ホールＢＣＴの下側でも第２トレンチホールＴＲＴ２及び第１トレンチホールＴＲＴ１の側部に前記連結パターン１１０ａ及び第２連結金属パターン１０９ｃの上部にあり、第２ホールＢＣＴの下側の第１及び第２平坦化膜の露出を防止し、外部透湿から保護することができる。

【0067】

以下では、高温高湿加速実験（ＨＡＳＴ：Ｈｉｇｈ Ａｃｃｅｌｅｒａｔｉｏｎ Ｓｔｒｅｓｓ Ｔｅｓｔ）を参照して、第２ホールＢＣＴの幅と電子注入層ＥＩＬの厚さの意味を説明する。

【0068】

高温高湿加速条件実験は、発光表示装置を温度１１０℃、湿度８５％、気圧１．２ａｔｍの苛酷条件で一定時間積置するものであり、実験では４８時間及び９６時間で遂行した。

【0069】

【表1】

【0070】

表１のように、第２ホールＢＣＴの幅が１０２μｍ以上の場合、電子注入層ＥＩＬの厚さに関係なく、高温高湿加速条件（ＨＡＳＴ）４８時間で全部不良が発生したことが観測される。

【0071】

参考までに、表１は各条件で３０回の実験を遂行して不良有無を判断し、不良が現れた回数を記録したものである。

【0072】

そして、第２ホールＢＣＴの幅が８０μｍの場合、電子注入層ＥＩＬの厚さに関係なく、高温高湿加速条件（ＨＡＳＴ）４８時間でいずれも不良が発生しなかったし、高温高湿加速条件（ＨＡＳＴ）９６時間では、電子注入層ＥＩＬの厚さが９Å以下の場合には一部の不良が発生したが、電子注入層の厚さが９Åを超える場合、不良が観測されないことを確認することができる。

【0073】

一方、高温高湿加速条件の実験は、出荷後に発光表示装置が置かれる苛酷条件を想定して加速実験したものであり、製品別にＨＡＳＴ４８時間テストを満たす場合にも当該発光表示装置は適正の信頼性を有すると判断することもできる。

【0074】

前記表１の結果は、第２ホールＢＣＴのホールを減らすほど、かつ電子注入層ＥＩＬの厚さが９Åを超えるか一部同じ場合、高温高湿状況でも信頼性を有することが分かる。上述した結果によれば、第２ホールＢＣＴの幅が１０２μｍ以上の場合、高温高湿加速条件で正常に現れにくいことが分かる。

【0075】

以下では、第２ホールＢＣＴの幅を同一の１００μｍにし、表２のように、第１～第７実験例で電子注入層ＥＩＬの厚さのみを異にして高温高湿加速条件実験を遂行した結果を調べる。

【0076】

【表2】

【0077】

表２によれば、電子注入層ＥＩＬの厚さが９Å以上の第３実験例～第７実験例で、高温高湿加速実験（ＨＡＳＴ）４８時間及び９６時間実施の際、いずれも不良がないことを確認することができる。参考までに、表２は各条件で３０回の実験を遂行しながら不良有無を判断し、不良が現れた回数を記録したものである。

【0078】

第１及び第２実験例で電子注入層ＥＩＬの厚さを９Å未満にする場合、不良が発生する原因は次にようであると考慮される。

【0079】

すなわち、電子注入層ＥＩＬが９Å未満の厚さを有するとき、第２ホールＢＣＴの内側に電子注入層が正常に積層しにくい。この場合、外部湿気又は冷却時に発生した水分が前記第２ホールＢＣＴの側部を通して隣接したバンク１２０を経由して表示領域ＡＡの縁部の有機層ＯＳに損傷を与えて有機層ＯＳを劣化させ、これは発光部の収縮として観察される。

【0080】

上述した結果によれば、本発明の発光表示装置は、前記電子注入層ＥＩＬの厚さを９Å以上２０Å以下にすることができる。すなわち、本発明の発光表示装置は、バンク１２０が露出される第２ホールＢＣＴで電子注入層ＥＩＬの厚さを９Å以上にして高温高湿の状況でも信頼性を確保することができ、電子注入層ＥＩＬの厚さを２０Å以下にして、バンクの第２ホールＢＣＴで電子注入層ＥＩＬの上部カソード２００と第１電源電圧ライン１０６ｃの電気的接続において抵抗を大きく増やさないためである。

【0081】

一方、前記カソード２００の上部には発光素子保護及び光抽出の効果を向上させるためにキャッピング層をさらに含むことができる。

【0082】

そして、前記カソード２００の上部には内部発光素子ＯＥＬＤの保護のために封止構造３００をさらに含むことができる。

【0083】

前記封止構造３００は、一例として無機封止層３１０、３３０と有機封止層３２０が交互に備えられることができる。そして、無機封止層３１０、３３０は、相対的に側部水分の透湿を効果的に防止するために、有機封止層３２０よりは基板１００のエッジに近くに又はエッジまで形成されることができる。

【0084】

本発明の発光表示装置１０００は、電子注入層ＥＩＬを第１電源電圧ラインに対応して位置するバンクの第２ホールＢＣＴに入るようにすることにより、露出されたバンク１２０の表面を外部湿気から保護することができる。

【0085】

また、本発明の発光表示装置１０００は、薄膜トランジスタアレイの形成の際に一緒に形成される電源電圧ラインと発光素子カソードを接続するために、基板の表示領域の外側に備えられるバンクホールの幅を一定幅以下にして、バンクホールを通して水分が浸透することを防止することにより、基板のエッジに近くに位置するサブ画素の発光部が減る画素収縮（ｐｉｘｅｌ ｓｈｒｉｎｋａｇｅ）現象を防止することができる。

【0086】

また、本発明の発光表示装置１０００は、発光素子共通層のうちカソードとともに形成される電子注入層を金属成分を含む金属又は金属化合物で形成し、電子注入層がバンクホールと重畳して非表示領域に延びるように形成して、バンクホールで電子注入層が電源電圧ラインと接続されるようにする。これにより、金属成分の電子注入層がバンクホールの内側をカバーして水分に対するバリアとして作用することができ、非表示領域で有機物成分の側部露出を防止して装置の信頼性を改善することができる。

【0087】

また、本発明の発光表示装置１０００は、非表示領域に備えられるバンクホールＢＣＴの幅が屈曲部と直線部で異なることができるが、相対的にバンクホールの幅が大きい屈曲部でも１００μｍ以下にして水分の伝達経路を減らし、バンクホールの内側及び下部有機膜の内側を電極及び金属成分がカバーするようにして表示装置の熱及び水分に対する耐性を向上させて表示装置の信頼性を向上させる。

【0088】

一方、本発明の発光表示装置は発光素子を上述した単一スタック構造に限定せず、複数のスタックを備えて形成することができる。

【0089】

図４Ａ及び図４Ｂは本発明の発光表示装置の他の実施例による図２のＡ領域及びＢ領域を示す断面図である。

【0090】

図４Ａのように、本発明の他の実施例による発光表示装置において、サブ画素に備えられた発光素子ＯＬＥＤは２スタックＳ１、Ｓ２以上を各スタックの間に電荷生成層ＣＧＬを備えて形成することもできる。

【0091】

前記スタックＳ１、Ｓ２の中でアノード（Ａｎｏｄｅ）１１０に近い第１スタックＳ１は、正孔注入層ＨＩＬ、第１共通層ＣＭＬ１、第１発光層ＥＭＬ１及び第２共通層ＣＭＬ２を含むことができる。

【0092】

カソード２００に近い第２スタックＳ２は、第３共通層ＣＭＬ３、第２発光層ＥＭＬ２、第４共通層ＣＭＬ４及び電子注入層ＥＩＬを含むことができる。

【0093】

第１共通層ＣＭＬ１及び第３共通層ＣＭＬ３は正孔輸送に関与する層であり、正孔輸送層、電子阻止層などを一つ以上含むことができ、第２共通層ＣＭＬ２及び第４共通層ＣＭＬ４は電子輸送に関与する層であり、正孔阻止層、電子輸送層などを一つ以上含むことができる。

【0094】

場合によって、スタックは図４Ａに示したスタック以上で追加されることができ、例えば、スタックは、正孔輸送層、発光層及び電子輸送層の構成を含むことができる。スタックが２個以上備えられるとき、電極から遠いスタックに正孔及び電子を供給するためにスタックとスタックとの間に電荷生成層をさらに含むことができる。

【0095】

一方、図４Ｂのように、本発明の他の実施例による発光表示装置においても、有機物成分の他の構成Ｓ１、Ｓ２、ＣＧＬは第２ホールＢＣＴに備えない。第２ホールＢＣＴは無機物又は無機化合物成分の電子注入層ＥＩＬとカソード（Ｃａｔｈｏｄｅ）２００がアノード成分の第１連結パターン１１０ａ上にすぐ積層されている。よって、相対的に電気抵抗が高い正孔輸送層及び電子輸送層が第２ホールＢＣＴに備えられないので、第１電源電圧ライン１０６ａからカソード（Ｃａｔｈｏｄｅ）２００への電気信号の伝達が大きな抵抗を受けない。

【0096】

一方、表示領域ＡＡに備えられる発光素子ＯＬＥＤは、全体サブ画素に一体型の白色発光素子を形成し、出射側にカラーフィルターを形成することにより、サブ画素別に色表現を異にすることもでき、あるいはサブ画素別に異なる色を発光する発光層を備えてサブ画素別に区分して色表現を行うこともできる。

【0097】

以下では、各サブ画素の回路図を参照し、サブ画素の動作とカソード２００に印加される接地信号及び低電圧信号の意味を説明する。

【0098】

図５は本発明の一実施例による発光表示装置の各サブ画素の回路図である。

【0099】

本発明の発光表示装置の各サブ画素は、例えば、図５のように、発光素子ＯＬＥＤ、駆動薄膜トランジスタＤＲ－Ｔ、スイッチング薄膜トランジスタＳＷ－Ｔ、センシング薄膜トランジスタＳＳ－Ｔ、及びストレージキャパシタＣｓｔを含むことができる。

【0100】

構造的に、本発明の発光表示装置は、発光素子ＯＬＥＤの下部に駆動薄膜トランジスタＤＲ－Ｔ、スイッチング薄膜トランジスタＳＷ－Ｔ、センシング薄膜トランジスタＳＳ－Ｔ及びストレージキャパシタＣｓｔが位置する。

【0101】

発光素子ＯＬＥＤは駆動薄膜トランジスタＤＲ－Ｔを介して供給される電流によって発光する。発光素子ＯＬＥＤのアノードは第１電極（駆動薄膜トランジスタＤＲ－Ｔ（図２のＴＦＴ）のソース電極（図２の１０６ａ））に接続され、発光素子カソードは第１電源電圧が供給される第１電源電圧ラインＶＳＳＬに接続されることができる。第１電源電圧ラインＶＳＳＬは低電位電源電圧が供給される低電位電圧ライン又は接地電圧ラインであることができる。

【0102】

発光素子ＯＬＥＤは、アノード（図２の１１０）、有機層（図２のＯＳ）及びカソード（図２の２００）を含む。発光素子ＯＬＥＤは、アノードとカソードに電圧が印加されれば、正孔と電子がそれぞれ発光層に移動し、発光層で互いに結合して発光する。

【0103】

駆動薄膜トランジスタＤＲ－Ｔは第２電源電圧が供給される第２電源電圧ラインＶＤＤＬと発光素子ＯＬＥＤとの間に配置される。第２電極（駆動薄膜トランジスタのドレイン電極）が前記第２電源電圧ラインＶＤＤＬと接続されることができる。駆動薄膜トランジスタＤＲ－Ｔは、ゲート電極とソース電極との間の電圧差によって、第２電源電圧ラインＶＤＤＬから発光素子ＯＬＥＤに流れる電流を調整する。駆動薄膜トランジスタＤＲ－Ｔのゲート電極は第３電極（スイッチング薄膜トランジスタＳＷ－Ｔのソース電極）に接続され、第２電極（駆動薄膜トランジスタのドレイン電極）は第２電源電圧ラインＶＤＤＬに接続され、第１電極（駆動薄膜トランジスタのソース電極）は発光素子ＯＬＥＤのアノードに接続されることができる。第２電源電圧ラインＶＤＤＬは高電位電源電圧が供給される高電位電圧ラインであることができる。

【0104】

スイッチング薄膜トランジスタＳＷ－ＴはスイッチングラインＳＬのゲート信号に応じてターンオンされてデータラインＤＬの電圧を駆動薄膜トランジスタＤＲ－Ｔのゲート電極に供給する。スイッチング薄膜トランジスタＳＷ－Ｔのゲート電極はスイッチングラインＳＬに接続され、第３電極（スイッチング薄膜トランジスタのソース電極）は駆動薄膜トランジスタＤＲ－Ｔのゲート電極に接続され、第４電極（スイッチング薄膜トランジスタのドレイン電極）はデータラインＤＬに接続されることができる。

【0105】

センシング薄膜トランジスタＳＳ－ＴはセンシングラインＳＳＬの初期化信号に応じてターンオンされて基準電圧ラインＲＬを駆動薄膜トランジスタＤＲ－Ｔのドレイン電極に接続させる。センシング薄膜トランジスタＳＳ－Ｔのゲート電極はセンシングラインＳＳＬに接続され、第６電極（センシング薄膜トランジスタのドレイン電極）は基準電圧ラインＲＬに接続され、第５電極（センシング薄膜トランジスタのソース電極）は第１電極（駆動薄膜トランジスタＤＲ－Ｔのソース電極）に接続されることができる。

【0106】

ストレージキャパシタＣｓｔは駆動薄膜トランジスタＤＲ－Ｔのゲート電極とソース電極との間に形成される。ストレージキャパシタＣｓｔは駆動薄膜トランジスタＤＲ－Ｔのゲート電圧とソース電圧との間の差電圧を貯蔵する。

【0107】

ストレージキャパシタＣｓｔの一側電極は駆動薄膜トランジスタＤＲ－Ｔのゲート電極及び第３電極（スイッチング薄膜トランジスタＳＷ－Ｔのソース電極）に接続され、他側電極は第１電極（駆動薄膜トランジスタＤＲ－Ｔのソース電極）、第５電極（センシング薄膜トランジスタＳＳ－Ｔのソース電極）及び発光素子ＯＬＥＤのアノードに接続されることができる。

【0108】

サブ画素のそれぞれの駆動薄膜トランジスタＤＲ－Ｔ、スイッチング薄膜トランジスタＳＷ－Ｔ及びセンシング薄膜トランジスタＳＳ－Ｔは基板上に薄膜トランジスタ（ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）として形成されることができる。また、図３にはサブ画素のそれぞれの駆動薄膜トランジスタＤＲ－Ｔ、スイッチング薄膜トランジスタＳＷ－Ｔ及びセンシング薄膜トランジスタＳＳ－ＴがＮ型半導体特性を有するＮ型半導体トランジスタとして形成されたものを例示したが、本明細書の実施例はこれに限定されない。すなわち、画素のそれぞれの駆動薄膜トランジスタＤＲ－Ｔ、スイッチング薄膜トランジスタＳＷ－Ｔ及びセンシング薄膜トランジスタＳＳ－ＴはＰ型半導体特性を有するＰ型半導体トランジスタとして形成されることができる。Ｐ型半導体トランジスタの場合、Ｎ型半導体トランジスタとソース電極及びドレイン電極の方向が反対であることができる。例えば、駆動薄膜トランジスタＤＲ－Ｔのドレイン電極が発光素子ＯＬＥＤのドレイン電極に接続されることもできる。本発明の発光表示装置は、薄膜トランジスタがＮ型又はＰ型に制限されるものではない。

【0109】

本発明の発光表示装置において、各サブ画素は上述した図５の回路を含むことができ、場合によってセンシング薄膜トランジスタを省略した２Ｔ１Ｃ構造を適用することもでき、あるいは補償機能などを加えるようにトランジスタをさらに追加することもできる。本発明の発光表示装置は表示領域の外郭の構造を変更して画素の収縮を防止するのに効果があるものであり、画素の内部構造に制限されない。

【0110】

図６は図１の幅ｃを有する直線部の断面図である。

【0111】

図６のように、本発明の発光表示装置において、パッド部に対応しない表示領域の両側部は前記バンクの第２ホールＢＣＴが図１の幅ｃを有する直線部であり、小さい幅を有することができる。

【0112】

以下、本発明の発光表示装置の変形例を説明する。

【0113】

図７及び８は本発明の発光表示装置の変形例を示す断面図である。

【0114】

図７の変形例による本発明の発光表示装置は、バンクの第２ホールＢＣＴが前記連結パターン１１０ａに対して左右対称に形成されることもできる。この場合にも、カソード２００の下側に電子注入層ＥＩＬが備えられることにより、第２ホールＢＣＴの側壁に水分が浸透することを防止することができる。

【0115】

図８の変形例による本発明の発光表示装置は、基板１００のコーナー部に対応して、基板１００の直線部と同様に、前記第１電源電圧ライン１０６ａに対応するバンクの第２ホールＢＣＴの幅を減らしたものである。この場合、図１を基準にパッド部を除いた基板１００の各辺のバンクの第２ホールＢＣＴをいずれも１００μｍ以下にし、領域に区分なしにいずれも同一又は類似の幅を有するように第２ホールＢＣＴを備えることができる。この場合、第２ホールＢＣＴには電子注入層ＥＩＬがカソード２００の下部に位置して露出されたバンク１２０の側部及び上部を覆っているので、有機物であるバンク１２０が水分浸透の原因になることを防止することができる。

【0116】

図８は他の実施例による発光表示装置を示すもので、第２ホールＢＣＴがトレンチホールＴＲＴ１、ＴＲＴ２より表示領域から遠い側でもっとオープンするように形成されたものである。この場合にも、第２ホールＢＣＴの幅を１００μｍ以下にし、第２ホールＢＣＴの側壁及び領域を区分せずにいずれも同一又は類似の幅を有するように連結パターン１１０ａの上面に電子注入層ＥＩＬが位置するようにすることにより、バンク１２０を通しての水分浸透を防止し、表示領域ＡＡに水分が伝達されることを遮断することができる。

【0117】

図９は図１の第２ホールが第３幅を有する領域を横切る領域の一例の断面図である。

【0118】

一方、図９のように、第１電源電圧ライン１０６ａ及びこれと接続された第２連結金属パターン１０９ｃは、バンクホールＢＣＴの一部領域、例えばバンクホールＢＣＴの幅が小さい領域では電子注入層ＥＩＬ又はカソード２００との直接的な接続を有しないこともできる。この場合、第２連結金属パターン１０９ｃは、第２ホールＢＣＴと重畳しない部位で、第２平坦化膜１０８に備えられた第２トレンチホールを介して連結パターン１１０ａと電気的接続を有することができる。すなわち、バンクの第２ホールＢＣＴと第２トレンチホールは互いに重畳しないこともできる。

【0119】

図９の構造による発光表示装置にもカソード２００の下部には電子注入層ＥＩＬが備えられ、電子注入層ＥＩＬが第２ホールＢＣＴ及びその周辺によってバンク１２０の側部及び上部を保護し、外部の水分浸透を防止する機能を有することができる。

【0120】

図８及び図９の発光表示装置は、一例として、カソード２００の上部構造を示していない。図８及び図９の発光表示装置のカソード２００の上部に、図２のように、有無機封止膜が交互になった構造の封止構造をさらに適用することもでき、あるいは封止基板と封止基板との間にフェースシール又はエッジシールなどを適用して基板１００又は薄膜トランジスタアレイ基板５００と合着することもできる。

【0121】

このための本発明の発光表示装置は、表示領域及び非表示領域を有する基板と、前記表示領域内のサブ画素に備えられた発光素子と、前記基板の表示領域の縁部に沿って前記非表示領域に備えられた電圧ラインと、前記表示領域内の複数の第１ホールを通して前記発光素子の複数の発光部を露出し、前記非表示領域内の第２ホールを通して前記電圧ラインを露出させるバンクとを含み、前記発光素子の電子注入層は前記表示領域全体に備えられ、前記非表示領域から延びて第２ホールに備えられることができる。

【0122】

前記発光素子は、アノード、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、前記電子注入層及びカソードを順に含むことができる。

【0123】

前記カソードは、前記非表示領域で、前記電子注入層上に備えられ、前記第２ホールで、前記電圧ラインは前記カソードと前記電子注入層を挟んで接続されることができる。

【0124】

前記第２ホールは、前記パッド部を除いて前記非表示領域で一体型であることができる。

【0125】

前記基板の少なくとも４個のコーナー部のエッジは屈曲を有し、前記コーナー部の間のエッジは直線形であり、前記第２ホールは前記屈曲に平行に第１幅を有し、前記直線形に平行に前記第１幅より小さい第２幅を有し、前記バンクのエッジは前記基板のエッジより内側に位置することができる。

【0126】

前記第１幅は１００μｍ以下であってもよい。

【0127】

前記電子注入層は前記第２ホールを介して前記電圧ラインと接続され、前記非表示領域の前記第２ホールの側部及び上部で前記バンクと接することができる。

【0128】

前記非表示領域で、前記電子注入層のエンドラインは前記第２ホールより外側にあることができる。

【0129】

前記電子注入層は金属又は金属化合物のみ含んでなり、前記電子注入層の厚さは９Å以上２０Å以下であることができる。

【0130】

前記電子注入層は、ＬｉＦ、Ｙｂ、Ａｇ及びＭｇの少なくとも１種を含むことができる。

【0131】

前記アノードと同じ層に、前記第２ホールと重畳して連結パターンをさらに含み、
前記連結パターンは、下部が前記電圧ラインと接続され、上部が前記電子注入層と接続されることができる。

【0132】

前記電圧ラインと前記バンクとの間に第１及び第２平坦化膜をさらに含み、前記第１及び第２平坦化膜は前記第２ホールと重畳し、前記第２ホールの幅より小さい幅のトレンチホールをさらに含むことができる。

【0133】

前記第１平坦化膜と第２平坦化膜とはそれぞれ第１及び第２トレンチホールを有してもよく、前記第１トレンチホール及び第２トレンチホールは異なる幅を有してもよく、また、前記第２ホールは前記第１トレンチホール及び第２トレンチホールのうちの少なくとも一つより前記表示領域より遠い位置で開いているように形成されてもよい。

【0134】

前記第１トレンチホールと前記第１平坦化膜上で連続した連結金属パターンを含み、前記連結金属パターンは下部が前記電圧ラインと電気的に接続され、前記第１トレンチホールで前記電圧ラインと積層した構造を有することができる。

【0135】

前記電子注入層と前記カソードのエンドラインは同一であることができる。

【0136】

前記第２ホールは前記第１ホールから離隔することができる。

【0137】

一方、以上で説明した本発明は上述した実施例及び添付図面に限定されるものではなく、本発明の技術的思想を逸脱しない範疇内でさまざまな置換、変形及び変更が可能であるというのは本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に明らかであろう。

【符号の説明】

【0138】

１００: 基板
ＴＦＴ: 薄膜トランジスタ
１０２: ゲート電極
１０２ａ: 信号ライン
１０４: 半導体層
１０６ａ: ソース電極
１０６ｂ: ドレイン電極
１０７: 第１平坦化膜
１０８: 第２平坦化膜
１０９: 第１連結金属パターン
１０９ｃ: 第２連結金属パターン
１１０: アノード
１２０: バンク
２００: カソード
ＡＡ: 表示領域
ＮＡ: 非表示領域
ＯＳ: 有機層
ＨＩＬ: 正孔注入層
ＨＴＬ: 正孔輸送層
ＥＭＬ: 発光層
ＥＴＬ: 電子輸送層
ＥＩＬ: 電子注入層
ＥＭＰ: 第１ホール
ＢＣＴ: 第２ホール
ＣＴ１、ＣＴ２: コンタクトホール
ＴＲＴ１、ＴＲＴ２: トレンチホール

【図1】

【図2】

【図3A-B】

【図4A-B】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】