特許 7368693 インダクタ内蔵基板

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2023-10-17

(45)【発行日】2023-10-25

(54)【発明の名称】インダクタ内蔵基板

(51)【国際特許分類】

   H05K 1/16 20060101AFI20231018BHJP

   H05K 1/09 20060101ALI20231018BHJP

   H05K 3/46 20060101ALI20231018BHJP

【ＦＩ】

H05K1/16 B

H05K1/09 Z

H05K3/46 Q

【請求項の数】 2

(21)【出願番号】P 2019081007

(22)【出願日】2019-04-22

(65)【公開番号】P2020178096

(43)【公開日】2020-10-29

【審査請求日】2022-03-23

【前置審査】

(73)【特許権者】

【識別番号】000000158

【氏名又は名称】イビデン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100095795

【弁理士】

【氏名又は名称】田下 明人

(72)【発明者】

【氏名】児玉 博明

(72)【発明者】

【氏名】西脇 千朗

(72)【発明者】

【氏名】倉信 和彦

(72)【発明者】

【氏名】宇野 浩彰

【審査官】田中 晃洋

(56)【参考文献】

【文献】国際公開第２００７／１２９５２６（ＷＯ，Ａ１）

【文献】国際公開第２０１８／１９４０９９（ＷＯ，Ａ１）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０５Ｋ １／１６

Ｈ０５Ｋ １／０９

Ｈ０５Ｋ ３／４６

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

開口が形成されたコア基板と、
前記開口内に充填され、第１貫通孔を有する磁性体樹脂と、
前記第１貫通孔に形成された金属膜から成る第１スルーホール導体と、を有するインダクタ内蔵基板であって、
前記磁性体樹脂は６０重量％以上の酸化鉄フィラーを含有し、
前記第１貫通孔の表面に平均厚みが０．０１μｍ以上、１μｍ以下の樹脂残渣層が形成され、
さらに、前記コア基板に形成された第２貫通孔と、前記第２貫通孔に形成された金属膜から成る第２スルーホール導体を有し、
前記第２貫通孔の表面に樹脂残渣層が形成され、
前記第１貫通孔の前記樹脂残渣層の厚みは、前記第２貫通孔の前記樹脂残渣層の厚みよりも厚い。

【請求項2】

請求項１のインダクタ内蔵基板であって、
前記第１貫通孔の表面の前記樹脂残渣層の切れ目から露出する酸化鉄フィラーは、前記第１貫通孔に形成される金属膜と接している。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、インダクタを内蔵するインダクタ内蔵基板に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１は、配線基板に内蔵されるインダクタ部品の製造方法を開示している。特許文献１では、樹脂層内に磁性体を収容し、樹脂層内にスルーホール導体を設け、スルーホール導体と磁性体とが接触しないようにしている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開２０１６－１９７６２４

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

特許文献１では、樹脂層にスルーホール導体を配置するため、インダクタ部品の大きさに対して磁性体の割合が低くなり、インダクタンスを大きくすることが難しいと考えられる。一方、スルーホール導体と磁性体とを接触させた場合、スルーホール導体の信頼性が低下すると考えられる。

【0005】

本発明の目的は、スルーホール導体の信頼性の高いインダクタ内蔵基板を提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明に係るインダクタ内蔵基板は、開口が形成されたコア基板と、前記開口内に充填され、第１貫通孔を有する磁性体樹脂と、前記第１貫通孔に形成された金属膜から成る第１スルーホール導体と、を有する。前記磁性体樹脂は６０重量％以上の酸化鉄フィラーを含有し、前記第１貫通孔の表面に平均厚みが０．０１μｍ以上、１μｍ以下の樹脂残渣層が形成され、さらに、前記コア基板に形成された第２貫通孔と、前記第２貫通孔に形成された金属膜から成る第２スルーホール導体を有し、前記第２貫通孔の表面に樹脂残渣層が形成され、前記第１貫通孔の前記樹脂残渣層の厚みは、前記第２貫通孔の前記樹脂残渣層の厚みよりも厚い。

【発明の効果】

【0007】

本発明のインダクタ内蔵基板は、磁性体樹脂の第１貫通孔に直接金属膜からなる第１スルーホール導体を形成するため、インダクタ部品の磁性体樹脂の体積を大きくし、インダクタンスを大きくすることができる。磁性体樹脂は６０重量％以上の酸化鉄フィラーを含有するため、伝熱性が高く、インダクタ内蔵基板の放熱性が高まる。第１貫通孔の表面の樹脂残渣層は、平均厚みが０．０１μｍ以上、１μｍ以下であるため、第１貫通孔の表面から露出する酸化鉄フィラーが第１スルーホール導体を形成する金属膜と接し、第１スルーホール導体の信頼性が高くなる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】図１（Ａ）は実施形態のインダクタ内蔵基板の断面図であり、図１（Ｂ）はスルーホールランドの平面図であり、図１（Ｃ）はインダクタ内蔵基板のコア基板の拡大図である。

【図2】実施形態に係るインダクタ内蔵基板の製造方法を示す工程図。

【図3】実施形態に係るインダクタ内蔵基板の製造方法を示す工程図。

【図4】実施形態に係るインダクタ内蔵基板の製造方法を示す工程図。

【図5】実施形態に係るインダクタ内蔵基板の第１スルーホール導体の断面顕微鏡写真。

【図6】実施形態に係るインダクタ内蔵基板の第１スルーホール導体の中央部の断面顕微鏡写真。

【図7】参考例に係るインダクタ内蔵基板の第１スルーホール導体の断面顕微鏡写真。

【図8】参考例に係るインダクタ内蔵基板の第１スルーホール導体の中央部の断面顕微鏡写真。

【発明を実施するための形態】

【0009】

図１（Ａ）は、実施形態のインダクタを内蔵するインダクタ内蔵基板１０の断面図を示す。インダクタ内蔵基板１０は、第１面Ｆと第１面Ｆと反対側の第２面Ｓを有する絶縁性基材２０と、絶縁性基材２０の第１面Ｆ上の第１導体層（導体回路）５８Ｆと、絶縁性基材２０の第２面Ｓ上の第２導体層５８Ｓと、第１導体層５８Ｆと第２導体層５８Ｓを接続しているスルーホール導体３６とで形成されているコア基板３０を有する。コア基板３０は第１面Ｆと第１面Ｆと反対側の第２面Ｓを有する。コア基板３０の第１面Ｆと絶縁性基材２０の第１面Ｆは同じ面であり、コア基板３０の第２面Ｓと絶縁性基材２０の第２面Ｓは同じ面である。絶縁性基材２０は、エポキシなどの樹脂と補強用のガラスクロス等の芯材１４で形成されている。絶縁性基材２０は、さらに、シリカ等の無機粒子を有しても良い。

【0010】

インダクタ内蔵基板１０は、さらに、コア基板３０の第１面Ｆ上に上側のビルドアップ層４５０Ｆを有する。上側のビルドアップ層４５０Ｆはコア基板３０の第１面Ｆ上に形成されている絶縁層４５０Ａと絶縁層４５０Ａ上の導体層４５８Ａと絶縁層４５０Ａを貫通し第１導体層５８Ｆと導体層４５８Ａを接続しているビア導体４６０Ａとを有する。上側のビルドアップ層４５０Ｆはさらに絶縁層４５０Ａと導体層４５８Ａ上の絶縁層４５０Ｃと絶縁層４５０Ｃ上の導体層４５８Ｃと絶縁層４５０Ｃを貫通し導体層４５８Ａやビア導体４６０Ａと導体層４５８Ｃとを接続するビア導体４６０Ｃを有する。

【0011】

インダクタ内蔵基板１０は、さらに、コア基板３０の第２面Ｓ上に下側のビルドアップ層４５０Ｓを有する。下側のビルドアップ層４５０Ｓはコア基板３０の第２面Ｓ上に形成されている絶縁層４５０Ｂと絶縁層４５０Ｂ上の導体層４５８Ｂと絶縁層４５０Ｂを貫通し第２導体層５８Ｓと導体層４５８Ｂを接続しているビア導体４６０Ｂとを有する。下側のビルドアップ層４５０Ｓはさらに絶縁層４５０Ｂと導体層４５８Ｂ上の絶縁層４５０Ｄと絶縁層４５０Ｄ上の導体層４５８Ｄと絶縁層４５０Ｄを貫通し導体層４５８Ｂやビア導体４６０Ｂと導体層４５８Ｄとを接続するビア導体４６０Ｄを有する。

【0012】

実施形態のインダクタ内蔵基板は、さらに、上側のビルドアップ層４５０Ｆ上に開口４７１Ｆを有するソルダーレジスト層４７０Ｆと下側のビルドアップ層４５０Ｓ上に開口４７１Ｓを有するソルダーレジスト層４７０Ｓを有する。

【0013】

ソルダーレジスト層４７０Ｆ、４７０Ｓの開口４７１Ｆ、４７１Ｓにより露出している導体層４５８Ｃ、４５８Ｄやビア導体４６０Ｃ、４６０Ｄの上面はパッドとして機能する。パッド上に、Ｎｉ／ＡｕやＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ、Ｐｄ／Ａｕ、ＯＳＰから成る保護膜４７２が形成されている。その保護膜上に半田バンプ４７６Ｆ、４７６Ｓが形成されている。上側のビルドアップ層４５０Ｆ上に形成されている半田バンプ４７６Ｆを介して図示しないＩＣチップがインダクタ内蔵基板１０に搭載される。下側のビルドアップ層４５０Ｓ上に形成されている半田バンプ４７６Ｓを介してインダクタ内蔵基板１０はマザーボードに搭載される。

【0014】

図１（Ｃ）は図１（Ａ）中のコア基板３０の一部を拡大して示す。コア基板３０では、第１導体層５８Ｆと第２導体層５８Ｓとを接続するスルーホール導体３６は、コア基板３０を貫通する第２貫通孔２０ａに形成された第２スルーホール導体３６Ａと、コア基板３０の開口２０ｂ内に充填された磁性体樹脂１８の第１貫通孔１８ｂに形成された第１スルーホール導体３６Ｂとから成る。第２貫通孔２０ａの直径ｄａと第１貫通孔１８ｂの直径ｄｂとはほぼ等しい。第２スルーホール導体３６Ａ、第１スルーホール導体３６Ｂ内には樹脂充填剤１６が充填され、スルーホールランド５８ＦＲは蓋めっきから成る。スルーホールランド５８ＦＲは、第２スルーホール導体３６Ａに形成された第２スルーホールランド５８ＦＲＡと第１スルーホール導体３６Ｂに形成された第１スルーホールランド５８ＦＲＢとから成る。

【0015】

図１（Ｂ）は、第２スルーホール導体３６Ａに形成された第２スルーホールランド５８ＦＲＡと第１スルーホール導体３６Ｂに形成された第１スルーホールランド５８ＦＲＢとの平面図である。第２スルーホールランド５８ＦＲＡは、第２スルーホール導体３６Ａと同心円状に形成され、第１スルーホールランド５８ＦＲＢは、第１スルーホール導体３６Ｂと同心円状に形成されている。第２スルーホールランド５８ＦＲＡの直径Ｄａと第１スルーホールランド５８ＦＲＢの直径Ｄｂとはほぼ等しい。第２スルーホールランド５８ＦＲＡと第１スルーホールランド５８ＦＲＢとは第１導体層（回路パターン）５８Ｆにより接続されている。第１スルーホールランド５８ＦＲＢの直径Ｄｂは、磁性体樹脂１８の充填された開口２０ｂの直径ＤＢよりも小径に形成されている。即ち、第１スルーホールランド５８ＦＲＢは、磁性体樹脂１８上から絶縁性基材２０まで広がることが無い。

【0016】

磁性体樹脂１８は、酸化鉄フィラー（磁性粒子）とエポキシ等の樹脂を含む。磁性粒子として、酸化鉄（III）等の酸化鉄フィラーが挙げられる。磁性体樹脂中の酸化鉄フィラーの含有量は６０重量％～９０重量％であることが好ましい。酸化鉄フィラーの粒子径は均一で無い方が、重量％を高め、透磁率及び伝熱性を高くできるため望ましい。

【0017】

図１（Ｃ）に示されるように、コア基板３０を貫通する第２貫通孔２０ａに形成された第２スルーホール導体３６Ａは、第２貫通孔２０ａに接触する。第２スルーホール導体３６Ａは、第２貫通孔２０ａ上の第２無電解めっき膜３２と、該第２無電解めっき膜３２上の第２電解めっき膜３４とから成る。磁性体樹脂１８を貫通する第１貫通孔１８ｂに形成された第１スルーホール導体３６Ｂは、第１貫通孔１８ｂに接触する。第１スルーホール導体３６Ｂは、第１貫通孔１８ｂ上の第２無電解めっき膜３２と、該第２無電解めっき膜３２上の第２電解めっき膜３４とから成る。第２スルーホール導体３６Ａを構成する第２無電解めっき膜３２と第２電解めっき膜３４との厚みｔａは、第１スルーホール導体３６Ｂを構成する第２無電解めっき膜３２と第２電解めっき膜３４との厚みｔｂよりも厚い。伝熱性の低い絶縁性基材２０の第２貫通孔２０ａに形成された第２スルーホール導体３６Ａの厚みｔａは、熱伝導性の高い磁性体樹脂１８の第１貫通孔１８ｂに形成された第１スルーホール導体３６Ｂの厚みｔｂよりも厚くされることで、第２スルーホール導体３６Ａと第１スルーホール導体３６Ｂとの放熱バランスが調整されている。

【0018】

図５は、実施形態の第１スルーホール導体３６Ｂの断面顕微鏡写真である。
中央のＩ字状の部分が第１スルーホール導体３６Ｂ（第２無電解めっき膜３２、第２電解めっき膜３４）である。Ｉ字状の第１スルーホール導体３６Ｂの左側が、磁性体樹脂１８である。磁性体樹脂１８に設けられた第１貫通孔１８ｂ上に第１スルーホール導体３６Ｂが形成されている。Ｉ字状の第１スルーホール導体３６Ｂの右側が樹脂充填剤１６である。磁性体樹脂１８中の丸い粒子は酸化鉄フィラー１７である。樹脂充填剤１６中の丸い粒子は無機フィラー２１である。磁性体樹脂１８の左側が絶縁性基材２０で、磁性体樹脂１８と絶縁性基材２０との境が開口２０ｂである。

【0019】

図６は、図５中の矢印Ａで指示した第１スルーホール導体３６Ｂの中央部分の倍率を上げた断面顕微鏡写真である。第１スルーホール導体３６Ｂと磁性体樹脂１８との界面に存在する黒い部分が樹脂残渣層１９である。樹脂残渣層１９は、磁性体樹脂１８に第１貫通孔１８ｂをドリルで形成する際に、磁性体樹脂から分離した樹脂成分が、再度、磁性体樹脂側に付着した樹脂残渣である。一旦、分離して再付着しているため、磁性体樹脂から剥がれ易い。実施形態の第１スルーホール導体３６Ｂでは、第１貫通孔１８ｂの表面の樹脂残渣層１９は、平均厚みが０．０１μｍ以上、１μｍ以下である。樹脂残渣層１９は、平均厚みが１μｍ以下であるため、樹脂残渣層１９の切れ目が存在する。樹脂残渣層１９の切れ目において第１貫通孔１８ｂの表面から露出する酸化鉄フィラー１７が第１スルーホール導体３６Ｂを形成する金属膜と接し、第１スルーホール導体の信頼性が高くなる。なお、樹脂リッチ層の平均厚みが１μｍを超えると、樹脂リッチ層がほぼ切れ目無く第１貫通孔の全面を覆うことになる。第１スルーホール導体の信頼性が低くなる。

【0020】

図７は、参考例の第１スルーホール導体３６Ｂの断面顕微鏡写真である。
中央のＩ字状の部分が第１スルーホール導体３６Ｂである。Ｉ字状の第１スルーホール導体３６Ｂの右側が、磁性体樹脂１８である。磁性体樹脂１８に設けられた第１貫通孔１８ｂ上に第１スルーホール導体３６Ｂが形成されている。Ｉ字状の第１スルーホール導体３６Ｂの左側が樹脂充填剤１６である。磁性体樹脂１８中の丸い粒子は酸化鉄フィラー１７である。樹脂充填剤１６中の丸い粒子は無機フィラー２１である。磁性体樹脂１８の右側が絶縁性基材２０で、磁性体樹脂１８と絶縁性基材２０との境が開口２０ｂである。

【0021】

図８は、図７中の矢印Ｂで指示した第１スルーホール導体３６Ｂの中央部分の倍率を上げた断面顕微鏡写真である。第１スルーホール導体３６Ｂと磁性体樹脂１８との界面に存在する黒い部分が樹脂残渣層１９である。参考例の第１スルーホール導体３６Ｂでは、第１貫通孔１８ｂの表面の樹脂残渣層１９は、平均厚みが１μｍ以上である。樹脂残渣層１９は、平均厚みが１μｍ以上であるため、第１貫通孔１８ｂの表面から露出する酸化鉄フィラー１７と第１スルーホール導体３６Ｂを形成する金属膜との間に切れ目無く樹脂残渣層１９が介在する。参考例では、第１貫通孔１８ｂから露出する酸化鉄フィラー１７から樹脂残渣層１９と共に第１スルーホール導体３６Ｂを形成する金属膜が剥がれ易く、第１スルーホール導体の信頼性が低い。

【0022】

図１（Ｃ）に示されるように、第２スルーホールランド５８ＦＲＡ及び絶縁性基材２０上の第１導体層５８Ｆは、最下層の銅箔２２と、該銅箔２２上の第１無電解めっき膜２４ｍと、第１無電解めっき膜２４ｍ上の第１電解めっき膜２４ｄと、第１電解めっき膜２４ｄ上の第２無電解めっき膜３２と、第２無電解めっき膜３２上の第２電解めっき膜３４と、該第２電解めっき膜３４上の第３無電解めっき膜３５と、該第３無電解めっき膜３５上の第３電解めっき膜３７とから成る。第１スルーホールランド５８ＦＲＢ及び磁性体樹脂１８上の第１導体層５８Ｆは、最下層の第１無電解めっき膜２４ｍと、第１無電解めっき膜２４ｍ上の第１電解めっき膜２４ｄと、第１電解めっき膜２４ｄ上の第２無電解めっき膜３２と、第２無電解めっき膜３２上の第２電解めっき膜３４と、該第２電解めっき膜３４上の第３無電解めっき膜３５と、該第３無電解めっき膜３５上の第３電解めっき膜３７とから成る。第１無電解めっき膜２４ｍと第１電解めっき膜２４ｄとはシールド層２４を構成する。第２スルーホールランド５８ＦＲＡ及び絶縁性基材２０上の第１導体層５８Ｆの厚みｔＡは、第１スルーホールランド５８ＦＲＢ及び磁性体樹脂１８上の第１導体層５８Ｆの厚みｔＢよりも、銅箔２２の厚み分厚い。伝熱性の低い絶縁性基材２０上に形成された第２スルーホールランド５８ＦＲＡの厚みｔＡは、熱伝導性の高い磁性体樹脂１８上に形成された第１スルーホールランド５８ＦＲＢの厚みｔＢよりも熱伝導率の高い銅箔２２分厚くされることで、第２スルーホール導体３６Ａと第１スルーホール導体３６Ｂとの放熱バランスが調整されている。

【0023】

実施形態のコア基板３０は、図１（Ａ）中に示される磁性体樹脂１８に形成された第１スルーホール導体３６Ｂを介して接続される第１導体層５８Ｆ（接続パターン５８ＦＬ）、第２導体層５８Ｓ（接続パターン５８ＳＬ）とは、ヘリカル状（コア基板の表裏面に対して平行方向の軸線上に沿って螺旋状）に配置され、第１スルーホール導体３６Ｂと共にインダクタ５９を形成する。

【0024】

実施形態のインダクタ内蔵基板１０は、コア基板３０の表面に第１導体層５８Ｆと第２導体層５８Ｓとが形成され、第１導体層５８Ｆと第２導体層５８Ｓとを接続する第１スルーホール導体３６Ｂは、磁性体樹脂１８を貫通する第１貫通孔１８ｂに直接形成されている。このため、インダクタ内蔵基板１０中の磁性体の割合が大きくなり、インダクタンスを大きくすることができる。

【0025】

[実施形態のインダクタ内蔵基板の製造方法]
図２～図４に実施形態のインダクタ内蔵基板の製造方法が示される。
絶縁性基材２０の両面に銅箔２２の積層された銅張り積層板から成る基板２０ｚが準備される（図２（Ａ））。絶縁性基材２０に磁性体樹脂充填用の開口２０ｂが形成される（図２（Ｂ））。開口２０ｂ内に６０重量％～９０重量％の酸化鉄フィラー（磁性粒子）とエポキシ樹脂からなる樹脂ペーストが真空印刷される。樹脂ペーストが、樹脂ペーストの粘度が常温の２倍以下となる温度で仮硬化（半硬化）され仮硬化磁性体樹脂１８βが形成される（図２（Ｃ））。

【0026】

絶縁性基材２０の表面、開口２０ｂから露出する仮硬化磁性体樹脂１８βの表面に無電解めっき処理で第１無電解めっき膜２４ｍと、電解めっき処理で第１電解めっき膜２４ｄが形成される（図２（Ｄ））。第１無電解めっき膜２４ｍと第１電解めっき膜２４ｄとはシールド層２４を構成する。

【0027】

絶縁性基材２０にドリル加工で第２貫通孔２０ａが形成される（図２（Ｅ））。この後、薬液により第２貫通孔２０ａがデスミア処理され、第２貫通孔２０ａの側壁に付着した樹脂残渣から成る樹脂リッチ層が除去される。樹脂リッチ層の平均厚みが０．５μｍ以下にされる。デスミア処理の際に、第１無電解めっき膜２４ｍと第１電解めっき膜２４ｄとから成るシールド層２４で覆われた仮硬化磁性体樹脂１８βは、薬液の影響を受けない。仮硬化磁性体樹脂１８βの表面の酸化鉄フィラーは、デスミア処理の影響を受けない。

【0028】

仮硬化磁性体樹脂１８βにドリル加工で第１貫通孔１８ｂが形成される。ドリル加工には、絶縁性基材２０に第２貫通孔２０ａを形成した同じドリルが用いられる。ドリル回転数を下げることで、第１貫通孔１８ｂの表面に付着する樹脂リッチ層（樹脂残渣）の平均厚みが薄くされる。この実施形態では、６０重量％～９０重量％の酸化鉄フィラーを含むため、本硬化後の孔開けは容易ではないが、本硬化前に形成するため、貫通孔を容易に形成することができる。仮硬化状態の仮硬化磁性基材の磁性材層を加熱して含まれる樹脂を架橋させ、本硬化状態にして磁性体樹脂１８が形成される（図３（Ａ））。ここでは、１５０゜Ｃ～１９０゜Ｃで１時間加熱する。高圧水洗により、孔開け時の加工スミアが取り除かれる（図３（Ｂ））。通常、デスミアはアルカリ性薬剤で行われるが、アルカリ性薬剤は樹脂を膨潤・剥離する過程で磁性体樹脂１８に含まれる酸化鉄フィラーを脱落させる恐れがあるため、ここでは高圧水洗が行われる。更に、Ｏ2プラズマを用いるドライデスミアで、図６に示されたように第１貫通孔１８ｂの表面の樹脂残渣層１９は、平均厚み１μｍ以下にされる。ここで、ドライデスミアを用いても、樹脂残渣層１９の平均厚みを０．０１μｍ未満にすることはできない。第１貫通孔１８ｂの表面の樹脂残渣層１９の平均厚みは、薬液処理で樹脂リッチ層が除去される第２貫通孔２０ａの表面の樹脂リッチ層の平均厚みよりも厚い。絶縁性基材２０、磁性体樹脂１８の表面の第１電解めっき膜２４ｄ上、第２貫通孔２０ａ、第１貫通孔１８ｂの表面に、無電解めっき処理で第２無電解めっき膜３２と、電解めっき処理で第２電解めっき膜３４が形成される。第２無電解めっき膜３２と第２電解めっき膜３４とで、第２貫通孔２０ａに第２スルーホール導体３６Ａが、第１貫通孔１８ｂに第１スルーホール導体３６Ｂが形成される（図３（Ｃ））。

【0029】

第２貫通孔２０ａに形成された第２スルーホール導体３６Ａ内、第１貫通孔１８ｂに形成された第１スルーホール導体３６Ｂ内に樹脂充填剤１６が充填され、絶縁性基材２０の表面が研磨される（図３（Ｄ））。第２電解めっき膜３４上、及び、樹脂充填剤１６の露出面に無電解めっきにより第３無電解めっき膜３５が形成され、第３無電解めっき膜３５上に第３電解めっき膜３７が形成される（図４（Ａ））。第３電解めっき膜３７上に所定パターンのエッチングレジスト５４が形成される（図４（Ｂ））。

【0030】

エッチングレジスト５４から露出する第３電解めっき膜３７、第３無電解めっき膜３５、第２電解めっき膜３４、第２無電解めっき膜３２、第１電解めっき膜２４ｄ、第１無電解めっき膜２４ｍ、銅箔２２が除去された後、エッチングレジストが除去され、第１導体層５８Ｆ、第２導体層５８Ｓが形成され、コア基板３０が完成する（図４（Ｃ））。絶縁性基材２０上の第１導体層５８Ｆ、第２導体層５８Ｓ、第２スルーホール導体３６Ａの第１面Ｆ側の第２スルーホールランド５８ＦＲＡ及び第２面Ｓ側の第２スルーホールランド５８ＳＲＡは、最下層の銅箔２２と、該銅箔２２上の第１無電解めっき膜２４ｍと、第１無電解めっき膜２４ｍ上の第１電解めっき膜２４ｄと、第１電解めっき膜２４ｄ上の第２無電解めっき膜３２と、第２無電解めっき膜３２上の第２電解めっき膜３４と、該第２電解めっき膜３４上の第３無電解めっき膜３５と、該第３無電解めっき膜３５上の第３電解めっき膜３７とから成る。磁性体樹脂１８上の第１導体層５８Ｆ、第２導体層５８Ｓ、第１スルーホール導体３６Ｂの第１面Ｆ側の第１スルーホールランド５８ＦＲＢ及び第２面Ｓ側の第１スルーホールランド５８ＳＲＢは、第１無電解めっき膜２４ｍと、第１無電解めっき膜２４ｍ上の第１電解めっき膜２４ｄと、第１電解めっき膜２４ｄ上の第２無電解めっき膜３２と、第２無電解めっき膜３２上の第２電解めっき膜３４と、該第２電解めっき膜３４上の第３無電解めっき膜３５と、該第３無電解めっき膜３５上の第３電解めっき膜３７とから成る。

【0031】

コア基板３０上に公知の製造方法により、上側のビルドアップ層４５０Ｆ、下側のビルドアップ層４５０Ｓ、ソルダーレジスト層４７０Ｆ、４７０Ｓ、半田バンプ４７６Ｆ、４７６Ｓが形成される（図１（Ａ））。

【0032】

実施形態のインダクタ内蔵基板の製造方法では、磁性体樹脂１８の第１貫通孔１８ｂに第２無電解めっき膜３２、第２電解めっき膜３４からなる第１スルーホール導体３６Ｂを形成するため、インダクタ内蔵基板１０の磁性体樹脂１８の体積を大きくし、インダクタンスを大きくすることができる。磁性体樹脂１８上に第１スルーホール導体３６Ｂが直接設けられるが、樹脂リッチ層の平均厚みが１μｍ以下であるため、第１スルーホール導体の信頼性が低下しない。

【符号の説明】

【0033】

１０ インダクタ内蔵基板
１８ 磁性体樹脂
１８ｂ 第１貫通孔
１９ 樹脂残渣層
２０ コア基板
２０ａ 第１貫通孔
２０ａ 開口
２２ 銅箔
３０ コア基板
３６Ａ 第２スルーホール導体
３６Ｂ 第１スルーホール導体

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】