特許 7369280 表示装置および表示装置の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2023-10-17

(45)【発行日】2023-10-25

(54)【発明の名称】表示装置および表示装置の製造方法

(51)【国際特許分類】

   G09F 9/30 20060101AFI20231018BHJP

   H10K 59/00 20230101ALI20231018BHJP

   H01L 21/336 20060101ALI20231018BHJP

   H01L 29/786 20060101ALI20231018BHJP

   H01L 21/768 20060101ALI20231018BHJP

   H01L 23/532 20060101ALI20231018BHJP

   G09F 9/00 20060101ALI20231018BHJP

【ＦＩ】

G09F9/30 330

G09F9/30 349Z

H10K59/00

H01L29/78 626C

H01L29/78 612C

H01L21/90 S

H01L21/90 M

G09F9/00 338

【請求項の数】 6

(21)【出願番号】P 2022516485

(86)(22)【出願日】2020-04-20

(86)【国際出願番号】 JP2020017048

(87)【国際公開番号】W WO2021214829

(87)【国際公開日】2021-10-28

【審査請求日】2022-09-20

(73)【特許権者】

【識別番号】000005049

【氏名又は名称】シャープ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100147304

【弁理士】

【氏名又は名称】井上 知哉

(74)【代理人】

【識別番号】100148493

【弁理士】

【氏名又は名称】加藤 浩二

(72)【発明者】

【氏名】神崎 庸輔

(72)【発明者】

【氏名】斉藤 貴翁

(72)【発明者】

【氏名】三輪 昌彦

(72)【発明者】

【氏名】山中 雅貴

(72)【発明者】

【氏名】孫 屹

【審査官】村川 雄一

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１９－０６１００７（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１９－１０９５０６（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２０１９／０００６４４２（ＵＳ，Ａ１）

【文献】特開２０１１－９０１５３（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｇ０９Ｆ ９／００ ー ９／４６

Ｈ１０Ｋ ５９／１０

Ｈ０５Ｂ ３３／０６

Ｈ１０Ｋ ５０／１０

Ｈ０５Ｂ ３３／２２

Ｈ０５Ｂ ３３／１０

Ｈ０５Ｂ ３３／０２

Ｈ０１Ｌ ２１／３３６

Ｈ０１Ｌ ２９／７８６

Ｈ０１Ｌ ２１／７６８

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

薄膜トランジスタを含む表示領域と、前記表示領域を囲む額縁領域と、前記額縁領域に設けられた端子部と、
基材の上方に設けられる樹脂層と、
前記樹脂層の上に設けられ、開口部を有する無機絶縁層と、
前記開口部の上側の位置以外の位置であって前記無機絶縁層の上に設けられた、導電パターンと、
を備え、
前記表示領域と前記端子部との間に、
前記樹脂層、前記無機絶縁層および前記導電パターンが設けられる折り曲げ部を備え、
前記導電パターンが、前記端子部と前記薄膜トランジスタとを電気的に接続する、表示装置。

【請求項2】

前記基材と前記樹脂層との間に前記薄膜トランジスタが設けられており、
前記導電パターンが、前記薄膜トランジスタのドレイン電極に電気的に接続される、請求項１に記載の表示装置。

【請求項3】

前記無機絶縁層において、前記導電パターンの下側の位置以外の全ての位置に前記開口部が設けられている、請求項１に記載の表示装置。

【請求項4】

前記無機絶縁層の縁が、平面視において、前記導電パターンの縁を囲んでいる、請求項１に記載の表示装置。

【請求項5】

基材の上方に、樹脂層を形成し、
前記樹脂層の上に、無機絶縁層を形成し、
前記無機絶縁層の上に導電パターンを形成し、
前記無機絶縁層に開口部を形成し、
前記無機絶縁層の上に前記導電パターンを形成するときに、前記導電パターンをパターニングするためのレジストパターンを残し、
前記レジストパターンを残した状態で、前記無機絶縁層をエッチングして前記開口部を形成する、表示装置の製造方法。

【請求項6】

薄膜トランジスタを含む表示領域と、前記表示領域を囲む額縁領域と、前記額縁領域に設けられた端子部と、
基材の上方に設けられる樹脂層と、
前記樹脂層の上に設けられ、開口部を有する無機絶縁層と、
前記開口部の上側の位置以外の位置であって前記無機絶縁層の上に設けられた、導電パターンと、
を備え、
前記無機絶縁層において、前記導電パターンの下側の位置以外の全ての位置に前記開口部が設けられている、表示装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は表示装置および表示装置の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

従来から、可撓性を有する基材を用いて、フレキシブルな表示装置が開発されている。例えば、特許文献１には、フレキシブルプリント基板および駆動回路などの部品が実装された部品実装領域において、基材に配線が形成された部分を表示領域の裏側へ折り返した表示装置が開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開２０１８－７８０５７号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

上記の表示装置の表示領域および部品実装領域には、配線の高さを調整したり、配線同士を絶縁したりするための複数の絶縁層が積層されている。それら絶縁層には樹脂材料で形成された樹脂層が含まれている。樹脂層を加熱して硬化させるときに、樹脂層からガスが発生することがある。また、樹脂層が硬化した後でも熱が加わると、樹脂層はガスを発生することがある。そのため、樹脂層をガスが透過し難い材料で覆った場合、樹脂層から発生したガスが樹脂層とそれを覆った材料（例えば、無機材料で形成された無機絶縁層）との間に溜まってしまう。その結果、溜まったガスによって、樹脂層とそれを覆った材料とが剥離するおそれがある。

【0005】

本開示は、上記の問題に鑑みてなされたものである。本開示の一態様は、樹脂層とそれを覆った材料とが剥離することを抑制することができる表示装置および表示装置の製造方法を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本開示の表示装置は、薄膜トランジスタを含む表示領域と、前記表示領域を囲む額縁領域と、前記額縁領域に設けられた端子部と、基材の上方に設けられる樹脂層と、前記樹脂層の上に設けられ、開口部を有する無機絶縁層と、前記開口部の上側の位置以外の位置であって前記無機絶縁層の上に設けられた、導電パターンと、を有する。

【0007】

本開示の表示装置の製造方法は、基材の上方に、樹脂層を形成し、前記樹脂層の上に、無機絶縁層を形成し、前記無機絶縁層の上に導電パターンを形成し、前記無機絶縁層に開口部を形成する。

【発明の効果】

【0008】

本開示の一態様は、樹脂層とそれを覆った材料とが剥離することを抑制することができる表示装置および表示装置の製造方法を提供する。

【図面の簡単な説明】

【0009】

【図1】実施形態１の表示装置を示す概略平面図である。

【図2】図１のＩＩ－ＩＩ線断面図である。

【図3】比較例を示す断面図である。

【図4】実施形態１の折り曲げ部の部分平面図である。

【図5】図４のＶ－Ｖ線断面図である。

【図6】図４のＶＩ－ＶＩ線断面図である。

【図7】図４のＶＩＩ－ＶＩＩ線断面図である。

【図8】実施形態２の折り曲げ部の部分平面図である。

【図9】図８のＩＸ－ＩＸ線断面図である。

【図10】実施形態３の折り曲げ部の部分平面図である。

【図11】図１０のＸＩ－ＸＩ線断面図である。

【図12】本開示の表示装置の製造方法での製造フローに含まれる第１工程における半製品の構造を示す断面図である。

【図13】本開示の表示装置の製造方法での製造フローに含まれる第２工程における半製品の構造を示す断面図である。

【図14】本開示の表示装置の製造方法での製造フローに含まれる第３工程における半製品の構造を示す断面図である。

【図15】本開示の表示装置の製造方法での製造フローに含まれる第４工程における半製品の構造を示す断面図である。

【図16】本開示の製造方法での製造フローに含まれる第５工程における半製品の構造を示す断面図である。

【図17】本開示の製造方法での製造フローに含まれる第６工程における半製品の構造を示す断面図である。

【図18】本開示の表示装置の製造方法の第１工程～第６工程のフロー図である。

【発明を実施するための形態】

【0010】

以下、本開示の実施形態について図面を参照しつつ説明する。図面において、同一または同等の要素には同じ符号を付す。各実施形態における同一または同等の構成については説明を繰り返さない。

【0011】

＜実施形態１＞
図１は実施形態１の表示装置１を示す概略平面図である。表示装置１は、表示領域２と当該表示領域２を囲む額縁領域Ｆとを有する。額縁領域Ｆは折り曲げ部Ｂおよび端子部Ｔを含む。額縁領域Ｆにおいて、表示領域２と端子部Ｔとの間に折り曲げ部Ｂが設けられている。

【0012】

図１に示すように、表示領域２には、複数の画素２１が、例えば、マトリクス状に並べられる。複数の画素２１のそれぞれには、薄膜トランジスタ３（以下、「ＴＦＴ（Thin Film Transistor）」と称する）が設けられている。端子部Ｔには、図示はしないが、複数の端子が設けられ、当該複数の端子には、端子部Ｔに設置された電気回路および制御回路が電気的に接続されている。図１において、Ｘ方向が第１方向であり、Ｙ方向が第１方向と交差する第２方向である。Ｘ方向とＹ方向とは平面内において直交している。Ｘ方向およびＹ方向は、長方形の輪郭を有する表示装置１の横方向と縦方向とに相当する。表示領域２、折り曲げ部Ｂおよび端子部Ｔは、第１方向に沿って配列されている。

【0013】

第１方向はＸ方向のみに限定されず、表示領域２から端子部Ｔまで至る方向であれば、いかなる方向であってもよい。例えば、第１方向はＸ方向に対して傾斜した方向であってもよい。

【0014】

図１において、Ｙ方向に沿った仮想線を曲げ線として、折り曲げ部Ｂを曲げることによって、端子部Ｔを表示領域２の裏側に折り返す。それによって、端子部Ｔの裏側面と表示領域２の裏側面とが対向するように配置される。つまり、平面視において、額縁領域Ｆの一部が表示領域２と重なる。そのため、額縁領域Ｆの占有面積を小さくすることができ、狭額縁の表示装置１を実現できる。

【0015】

図２は、図１のＩＩ－ＩＩ線断面図である。図２は、表示領域２の主にＴＦＴ３近傍のＸ方向に沿って切った表示領域２の部分断面構造を示している。図２では、Ｘ方向に直交した表示装置１の上下方向をＺ方向として示す。本明細書において、上記したＸ方向、Ｙ方向、およびＺ方向は、それぞれ、直交座標系の３軸に沿った方向である。

【0016】

図２から分かるように、複数の画素２１は、それぞれ、液晶または有機ＥＬ（Electro-Luminescence）などの発光素子２３０と発光素子２３０を制御するためのＴＦＴ３とを含む。

【0017】

基材７は、例えば、可撓性を有する樹脂材料で形成される。

【0018】

ベースコート膜２４は、基材７の上に設けられた層である。

【0019】

ベースコート膜２４の上には、ＴＦＴ３が形成される。ＴＦＴ３は、チャネル部、ソース領域およびドレイン領域を含む半導体層３４と、ゲート絶縁膜３５と、ゲート電極３３と、ドレイン電極３１と、ソース電極３２と、第１層間膜３６と、第２層間膜３７とを含む。

【0020】

また、複数の画素２１のそれぞれには、ゲート配線３８、高電圧電源線４０および容量配線３９なども含まれる。図示していないが、表示領域２には、発光制御線、初期化電源線およびソース線などが含まれる。第２層間膜３７の上に延びるように、ソース電極３２の一部、ドレイン電極３１の一部、および高電圧電源線４０が、形成されている。

【0021】

図２から分かるように、ＴＦＴ３の上には樹脂層８および無機絶縁層９が積層される。樹脂層８は、平坦化膜と呼ばれる場合もある。樹脂層８および無機絶縁層９には、それぞれ、ドレイン電極３１まで延びるコンタクトホール８ａおよびコンタクトホール９ａが形成されている。コンタクトホール８ａおよびコンタクトホール９ａの周辺を除いて無機絶縁層９が除去され、開口部１０が形成されている。

【0022】

樹脂層８上には、無機絶縁層９、中継電極１１１、および保護層２２が積層される。表示領域２においては、無機絶縁層９の一部を覆うとともに、コンタクトホール９ａを埋めるように中継電極１１１が形成されている。中継電極１１１は、ドレイン電極３１に電気的に接続されている。ここで、中継電極１１１は、後述の導電パターン１１の一種である。図２は、中継電極１１１がＴＦＴ３のドレイン電極３１に接続される形態を示す。発光素子２３０とＴＦＴ３とが中継電極１１１を介して電気的に接続される。詳しくは後述するが、中継電極１１１は、ＴＦＴ３のドレイン電極３１に電気的に接続され、ＴＦＴ３のソース電極３２は、ソース線（図示せず）に電気的に接続され、ソース線（図示せず）の端部が第１額縁配線２０（図４および図５参照）の一方の端部に電気的に接続され、第１額縁配線２０（図４および図５参照）の他方の端部が、第１額縁配線２０（図４および図５参照）の他方の端部上の第１層間膜３６、第２層間膜３７、樹脂層８、及び、無機絶縁層９（図５参照）に設けられたコンタクトホール９１（図４および図５参照）を介して、後述される折り曲げ部Ｂに設けられた導電パターン１１（図４および図５参照）の一方の端部に電気的に接続される。導電パターン１１（図４および図５参照）の他方の端部は、第２額縁配線５１（図４および図５参照）の一方の端部上の第１層間膜３６、第２層間膜３７、樹脂層８、及び、無機絶縁層９（図５参照）に設けられたコンタクトホール９１（図４および図５参照）を介して、第２額縁配線５１（図４および図５参照）の一方の端部と電気的に接続される。第２額縁配線５１（図４および図５参照）の他方の端部は、端子部Ｔの端子（図示せず）と電気的に接続される。中継電極１１１は、後述される導電パターン１１（図４および図５参照）と同一材料で形成されており、導電パターン１１（図４および図５参照）が形成された層と同一層上に形成されている。

【0023】

中継電極１１１の一部および樹脂層８を覆うように保護層２２が形成されている。保護層２２は、可撓性を有する材料で形成される。保護層２２は、例えば、有機樹脂材料で形成される。なお、基材７から保護層２２までの積層体をＴＦＴ層３００と称する。ＴＦＴ層３００は、図示しないが電力供給用配線および信号伝送用配線なども含む。

【0024】

樹脂層８は、表示装置１の製造プロセスに含まれる加熱工程および表示装置１を使用する際の温度上昇によって、ガスを発生することがある。しかしながら、無機絶縁層９に開口部１０が設けられているため、無機絶縁層９の下に位置する樹脂層８から発生したガスを開口部１０から上側へ逃がすことができる。その結果、樹脂層８と無機絶縁層９との間にガス溜まりが生じることを抑制できる。したがって、樹脂層８と無機絶縁層９とが剥離することが抑制される。

【0025】

樹脂層８上に無機絶縁層９が必要な理由について説明する。図３に、比較例として、樹脂層８の上に無機絶縁層９を設けない場合の断面図を示す。図３は、樹脂層８の全面に積層された導電層をドライエッチングで部分的に除去することで配線層１１２を形成した状態を示している。図３から分かるように、配線層１１２がある部分以外では樹脂層８が露出する。よって、ドライエッチングの際に露出した樹脂層８の表面がダメージを受ける。それによって、樹脂層８の表面からダストが発生し、そのダストによってエッチング不良による膜残りなどの配線形成不良が発生する。よって、樹脂層８上に無機絶縁層９を設けて、ドライエッチングの際に樹脂層８が露出しないようにする必要がある。しかしながら、樹脂層８の全面が無機絶縁層９で被覆されていると、前述したように樹脂層８から発生したガスの逃げ場がなくなる。よって、ガスを逃がすための開口部１０を設ける必要があった。

【0026】

図２から分かるように、無機絶縁層９の縁が、中継電極１１１の縁を囲んでいる。すなわち、中継電極１１１よりも無機絶縁層９のサイズが大きい。よって、すべての中継電極１１１が無機絶縁層９の上に載っている。それによって、中継電極１１１を形成するエッチングが樹脂層８へと与えるダメージを低減することができる。すなわち、本開示のエッチングによるダメージの低減の手法は、後述する折り曲げ部Ｂに設けられる導電パターン１１と同層上に設けられる導電体であって、折り曲げ部Ｂ以外にも設けられる導電体にも適用でき、例えば、中継電極１１１にも適用できる。

【0027】

ＴＦＴ層３００上には、第１電極２３１、発光層２３、第２電極２３３が順に積層された発光素子２３０と、エッジカバー２３２とを含む発光素子層２３４が形成される。発光素子層２３４上には、第１無機膜２３５と、有機膜２３６と、第２無機膜２３７が順に積層された封止膜２３８が形成される。

【0028】

図４は、実施形態１の表示装置１において、図１における、表示領域２の端部周辺および額縁領域Ｆを示す概略平面図である。図４では簡単のために保護層２２の図示を省略し、導電パターン１１より下方の平面図としている。図１および図４から分かるように、額縁領域Ｆには折り曲げ部Ｂが設けられている。

【0029】

図４から分かるように、導電パターン１１は、Ｘ方向に沿って延びている。導電パターン１１の一端は第１額縁配線２０に接続され、導電パターン１１の他端は第２額縁配線５１に電気的に接続される。図示しないが、導電パターン１１に接続された第１額縁配線２０は、表示領域２のＴＦＴ３のソース電極３２に電気的に接続される。また、図示しないが、導電パターン１１に接続された第２額縁配線５１は、端子部Ｔの端子に電気的に接続される。

【0030】

図４に示されるように、折り曲げ部Ｂには、導電パターン１１に沿って延びる配線６２が設置されている。後で詳細に説明される図５に示されるように、配線６２は、充填層６１と樹脂層８との間に設けられている。配線６２の一端は第１額縁配線２０に接続され、配線６２の他端は第２額縁配線５１に電気的に接続される。図示しないが、配線６２は、第１額縁配線２０および第２額縁配線５１を介して、導電パターン１１が接続される回路と同じ回路とＴＦＴ３とを電気的に接続している。配線６２は導電性の材料で形成される。

【0031】

配線６２および導電パターン１１のそれぞれによって、画素２１内のＴＦＴ３と端子とが電気的に接続される。それによって、端子部Ｔに接続された不図示の制御回路が、複数の画素２１内の、それぞれの発光素子２３０およびＴＦＴ３を制御することで、表示領域２に画像が表示される。

【0032】

図５は、図４のＶ－Ｖ線断面図である。図６は、図４のＶＩ－ＶＩ線断面図である。図４に示すように、折り曲げ部Ｂには、基材７の上方に、充填層６１、配線６２、樹脂層８および無機絶縁層９が設けられている。図４および図６から分かるように、無機絶縁層９には複数の開口部１０が設けられている。

【0033】

充填層６１は、第２層間膜３７の上面の高さと折り曲げ部Ｂにおける基材７の上面の高さとの差を低減するための層である。充填層６１は、上述の高さに起因する配線６２の亀裂の発生および断線を抑制する。充填層６１は可撓性を有する材料で形成される。充填層６１は、例えば、有機樹脂材料で形成される。

【0034】

樹脂層８は、一般的には平坦化膜であり、表示領域２における表面の段差を低減するための層である。樹脂層８は、折り曲げ部Ｂにおいては、基材７の上方に配置される。樹脂層８は、可撓性を有する材料で形成される。樹脂層８は、例えば、有機樹脂材料で形成される。

【0035】

無機絶縁層９は、樹脂層８を覆って保護するための層である。無機絶縁層９は、折り曲げ部Ｂが折り曲げ難くならないよう、可能な限り薄いことが好ましい。無機絶縁層９の厚さは、例えば、１００ｎｍ～４００ｎｍである。

【0036】

図４および図５を用いて示した構成から分かるように、導電パターン１１は、開口部１０の上側の位置以外の位置で、無機絶縁層９の上に設けられる。すなわち、導電パターン１１は、上述した図２に示される中継電極１１１が設けられている層と同一層上に設けられるので、中継電極１１１と同一材料で形成することができる。中継電極１１１は表示領域２にのみ設けられ、導電パターン１１は折り曲げ部Ｂのみに設けられる。図５に示すように、折り曲げ部Ｂに形成された導電パターン１１の一方の端部は、第１額縁配線２０の一方の端部上の第１層間膜３６、第２層間膜３７、樹脂層８、及び、無機絶縁層９に設けたコンタクトホール９１を介して、第１額縁配線２０の一方の端部と電気的に接続される。また、図示しないが、第１額縁配線２０の他方の端部が、第１額縁配線２０の他方の端部上の第１層間膜３６、第２層間膜３７、樹脂層８、及び、無機絶縁層９に設けたコンタクトホール９１を介して、表示領域２のソース線（図示せず）の端部に電気的に接続されている。さらに、図示しないソース線は、図２のＴＦＴ３のソース電極３２に電気的に接続される。図２に示されるように、ＴＦＴ３のドレイン電極３１は、ドレイン電極３１上の無機絶縁層９に設けたコンタクトホール９ａと、樹脂層８に設けたコンタクトホール８ａを介して表示領域２の中継電極１１１と電気的に接続される。

【0037】

図４および図６から分かるように、複数の導電パターン１１は、Ｙ方向において並んでいる。それら複数の導電パターン１１の間の位置において、例えば、３つの開口部１０が、Ｘ方向に沿って、それぞれ間隔を空けて設けられている。しかしながら、開口部１０の数はいかなるものであってもよい。また、開口部１０を設ける位置もいかなるものであってもよい。さらに、各開口部１０の大きさおよび形状もいかなるものであってもよい。加えて、開口部１０の平面視における輪郭の形状は、図４に例示した長方形状に限らず、円状、楕円状、正方形状など、いかなるものであってもよい。つまり、導電パターン１１に形成された開口部１０は、樹脂層８が発したガスを保護層２２まで通過させるものであれば、いかなるものであってもよい。

【0038】

図７は、図４のＶＩＩ－ＶＩＩ線断面図である。図７から分かるように、樹脂層８で発生したガスは、開口部１０内の保護層２２を経由して無機絶縁層９の上方へ流れることができる。つまり、樹脂層８の上に無機絶縁層９が配置されない部分を設けることで、樹脂層８から発生したガスが無機絶縁層９の上方へ移動することができる経路が形成される。それによって、樹脂層８で発生したガスが無機絶縁層９と樹脂層８との間に溜まり難くなる。したがって、無機絶縁層９と樹脂層８とが剥がれたり無機絶縁層９の亀裂が発生したりすることを抑制することができる。

【0039】

＜実施形態２＞
以下、本開示の実施形態２について説明する。実施形態２は、開口部１０の形状において実施形態１と相違する。上述した実施形態１と共通の事項については適宜説明を省略する。図８は、実施形態２の表示装置１において、表示領域２の端部周辺と額縁領域Ｆを示す概略平面図である。図８では簡単のために保護層２２の図示を省略し、導電パターン１１より下方の平面図としている。

【0040】

なお、図８において、Ｘ方向に延びる導電パターン１１に沿った断面構造は、実施形態１の図５に示される断面構造と同じになる。よって、図８において、Ｘ方向に延びる導電パターン１１に沿った断面の位置をＶ－Ｖ線として示している。以下、実施形態２の説明において、図８のＶ－Ｖ線断面については図５を参照する。

【0041】

実施形態２では、図８に示すように、開口部１０は、折り曲げ部Ｂの全長にわたって、Ｘ方向に沿って延びている。また、開口部１０は、導電パターン１１に沿って延びている。つまり、開口部１０と導電パターン１１とが、ほぼ平行に延びている。

【0042】

図８から分かるように、Ｙ方向において、無機絶縁層９の幅が、平面視で重畳する導電パターン１１の幅よりも大きい。それによって、無機絶縁層９の縁が、平面視において、導電パターン１１の縁に沿って延びている。それによって、導電パターン１１を形成するエッチングのときに、樹脂層８が受けるダメージを低減できる。

【0043】

図９は、図８のＩＸ－ＩＸ線断面図である。図６と図９とを比較して分かるように、実施形態１の開口部１０と比較して、実施形態２の開口部１０は占有領域が大きくなる。それによって、樹脂層８が発したガスをより効率的に無機絶縁層９の上方へ導くことができる。

【0044】

図５および図８から分かるように、導電パターン１１は、開口部１０の上側の位置以外の位置で、無機絶縁層９の上に設けられる。すなわち、導電パターン１１は、上述した図２に示される中継電極１１１が設けられている層と同一層上に設けられるので、中継電極１１１と同一材料で形成することができる。中継電極１１１は表示領域２にのみ設けられ、導電パターン１１は折り曲げ部Ｂのみに設けられる。図５に示すように、折り曲げ部Ｂに形成された導電パターン１１の一方の端部は、第１額縁配線２０の一方の端部上の第１層間膜３６、第２層間膜３７、樹脂層８、及び、無機絶縁層９に設けたコンタクトホール９１を介して、第１額縁配線２０の一方の端部と電気的に接続される。また、図示しないが、第１額縁配線２０の他方の端部が、第１額縁配線２０の他方の端部上の第１層間膜３６、第２層間膜３７、樹脂層８、及び、無機絶縁層９に設けたコンタクトホール９１を介して、表示領域２のソース線（図示せず）の端部に電気的に接続されている。さらに、図示しないソース線は、図２のＴＦＴ３のソース電極３２に電気的に接続される。図２に示されるように、ＴＦＴ３のドレイン電極３１は、ドレイン電極３１上の無機絶縁層９に設けたコンタクトホール９ａと、樹脂層８に設けたコンタクトホール８ａを介して表示領域２の中継電極１１１と電気的に接続される。

【0045】

＜実施形態３＞
以下、本開示の実施形態３について説明する。本実施形態は、開口部１０の形状において実施形態１および実施形態２と相違する。本実施形態の説明においては、上述した実施形態１および実施形態２と共通の事項については適宜説明を省略する。図１０は、実施形態３の表示装置１において、表示領域２の端部周辺および額縁領域Ｆを示す平面図である。図１１は、図１０のＸＩ－ＸＩ線断面図である。図１０では簡単のために保護層２２の図示を省略し、導電パターン１１より下方の平面図としている。

【0046】

なお、図１０において、Ｘ方向に延びる導電パターン１１に沿った断面構造は、実施形態１の図５に示される断面構造と同じになる。よって、図１０において、Ｘ方向に延びる導電パターン１１に沿った断面の位置をＶ－Ｖ線として示している。以下、実施形態２の説明において、図８のＶ－Ｖ線断面については図５を参照する。

【0047】

なお、図１０において、Ｘ方向に延びる配線６２に沿った断面構造は、実施形態２の図９に示される断面構造と同じになる。よって、図１０において、Ｘ方向に延びる配線６２に沿った断面の位置をＩＸ－ＩＸ線として示している。以下、実施形態３の説明において、図１０のＩＸ－ＩＸ線断面については図９を参照する。

【0048】

図９、図１０および図１１から分かるように、無機絶縁層９において、導電パターン１１の下側の位置以外の全ての位置に開口部１０が設けられている。すなわち、折り曲げ部Ｂにおいて、平面視で導電パターン１１と重畳している位置以外では、図１１に示されるように、無機絶縁層９が除去されている。

【0049】

図１０および図１１から分かるように、Ｙ方向において、無機絶縁層９の幅が、平面視で重畳する導電パターン１１の幅とほぼ同じにされている。それによって、開口部１０の領域がさらに大きくなり、さらに効率的に樹脂層８が発したガスを無機絶縁層９の上方へ逃がすことができる。

【0050】

図５および図１０から分かるように、導電パターン１１は、開口部１０の上側の位置以外の位置で、無機絶縁層９の上に設けられる。すなわち、導電パターン１１は、上述した図２に示される中継電極１１１が設けられている層と同一層上に設けられるので、中継電極１１１と同一材料で形成することができる。中継電極１１１は表示領域２にのみ設けられ、導電パターン１１は折り曲げ部Ｂのみに設けられる。図５に示すように、折り曲げ部Ｂに形成された導電パターン１１の一方の端部は、第１額縁配線２０の一方の端部上の第１層間膜３６、第２層間膜３７、樹脂層８、及び、無機絶縁層９に設けたコンタクトホール９１を介して、第１額縁配線２０の一方の端部と電気的に接続される。また、図示しないが、第１額縁配線２０の他方の端部が、第１額縁配線２０の他方の端部上の第１層間膜３６、第２層間膜３７、樹脂層８、及び、無機絶縁層９に設けたコンタクトホール９１を介して、表示領域２のソース線（図示せず）の端部に電気的に接続されている。さらに、図示しないソース線は、図２のＴＦＴ３のソース電極３２に電気的に接続される。図２に示されるように、ＴＦＴ３のドレイン電極３１は、ドレイン電極３１上の無機絶縁層９に設けたコンタクトホール９ａと、樹脂層８に設けたコンタクトホール８ａを介して表示領域２の中継電極１１１と電気的に接続される。

【0051】

＜本開示の表示装置の製造方法＞
図１２～図１７は、本開示の表示装置１の製造方法における、製造フローに含まれる第１工程～第６工程での構造を示す断面図である。図１２～図１７では、上述した実施形態３において説明された、折り曲げ部Ｂにおける構造を製造する方法を例示するが、実施形態１および実施形態２において説明された構造を製造する方法または各実施形態における表示領域２における構造を製造する方法においても、本開示の表示装置１の製造方法を適用することができる。

【0052】

図１８は、本開示の表示装置１の製造方法の第１工程～第６工程のフロー図である。第１工程Ｓ１～第６工程Ｓ６は順次処理される。図１２～図１７は、第１工程Ｓ１～第６工程Ｓ６の各工程の処理を行った直後での断面図を示している。

【0053】

第１工程Ｓ１では、図１２に示されるように、基材７の上に充填層６１が形成され、充填層６１の上にパターニングされた配線６２が形成された状態から、配線６２を覆うように樹脂層８を形成する。

【0054】

次に、第２工程Ｓ２では、図１３に示されるように、樹脂層８の上に無機絶縁層９となる絶縁層９０が形成される。その後、無機絶縁層９となる絶縁層９０の上にスパッタリング法により導電パターン１１となる導電層１１０を形成する。

【0055】

次に、第３工程Ｓ３では、図１４に示されるように、導電層１１０をパターニングするために、導電層１１０の上にレジストを塗布する。このレジストをリソグラフィ工程などによってパターニングする。その結果、図１４に示されるように、レジストパターン６３が形成される。

【0056】

次に、第４工程Ｓ４では、図１５に示されるように、レジストパターン６３をエッチングマスクとして、導電層１１０をエッチングにより除去する。その結果、図１４に示されるように、レジストパターン６３の下側に導電パターン１１が残存する。つまり、レジストパターン６３で覆われた部分以外の導電層１１０がエッチングで除去されて、導電パターン１１が無機絶縁層９の上に形成される。

【0057】

次に、第５工程Ｓ５では、図１６に示されるように、レジストパターン６３をエッチングマスクとして、絶縁層９０をエッチングする。その結果、レジストパターン６３および導電パターン１１の下側に無機絶縁層９が残存し、図１６に示される構造が形成される。レジストパターン６３の下方以外の絶縁層９０が除去された部分が、開口部１０となる。実施形態４では、導電パターン１１の下方以外の絶縁層９０を除去する場合を例示する。この場合、フォトリソグラフィ工程を増やさずに開口部１０を設けることができる。

【0058】

次に、第６工程Ｓ６では、図１７に示されるように、導電パターン１１上のレジストパターン６３をアッシングおよびレジスト剥離により除去する。図１７に示された構造が形成された後において、加熱処理を行ったときに樹脂層８から発生するガスを開口部１０から上方へ逃がすことができる。

【0059】

本開示の表示装置１の製造方法では、導電パターン１１の下方以外の絶縁層９０を除去する場合を例示する。しかしながら、上述した実施形態において、図４および図８から分かるように、例えば、導電パターン１１の下方以外の部分にも無機絶縁層９を残すように開口部１０を設けてもよい。この場合は、第４工程Ｓ４を行った後、図１５に示される構造からレジストパターン６３を一旦除去する。その後、あらためて、絶縁層９０をパターニングするためのフォトリソグラフィ工程を行って、開口部１０を設ける。

【0060】

また、上述の本開示の表示装置１の製造方法において、導電パターン１１を中継電極１１１に置き換えることで、表示領域２においても、同様の製造方法を適用することができる。

【符号の説明】

【0061】

１ 表示装置
２ 表示領域
３ 薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
Ｆ 額縁領域
Ｔ 端子部
Ｂ 折り曲げ部
７ 基材
８ 樹脂層
９ 無機絶縁層
１０ 開口部
１１ 導電パターン
３１ ドレイン電極
３２ ソース電極
６３ レジストパターン

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】