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特許7370222金属-セラミックス接合基板およびその製造方法
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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2023-10-19
(45)【発行日】2023-10-27
(54)【発明の名称】金属-セラミックス接合基板およびその製造方法
(51)【国際特許分類】
   C04B 37/02 20060101AFI20231020BHJP
   H01L 23/12 20060101ALI20231020BHJP
   B23K 35/30 20060101ALI20231020BHJP
   C22C 9/00 20060101ALI20231020BHJP
   B23K 1/19 20060101ALI20231020BHJP
   B23K 1/00 20060101ALI20231020BHJP
   B23K 31/02 20060101ALI20231020BHJP
   H05K 3/38 20060101ALI20231020BHJP
【FI】
C04B37/02 B
H01L23/12 D
B23K35/30 310C
C22C9/00
B23K1/19 B
B23K1/00 330E
B23K1/00 K
B23K31/02 310C
H05K3/38 D
【請求項の数】 11
(21)【出願番号】P 2019200684
(22)【出願日】2019-11-05
(65)【公開番号】P2021075402
(43)【公開日】2021-05-20
【審査請求日】2022-09-05
(73)【特許権者】
【識別番号】506365131
【氏名又は名称】DOWAメタルテック株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100107548
【弁理士】
【氏名又は名称】大川 浩一
(72)【発明者】
【氏名】寺本 祐基
(72)【発明者】
【氏名】小林 幸司
【審査官】神▲崎▼ 賢一
(56)【参考文献】
【文献】特開2015-065423(JP,A)
【文献】特開2015-043393(JP,A)
【文献】特開平04-349175(JP,A)
【文献】特開2005-072036(JP,A)
【文献】特開2015-057847(JP,A)
【文献】特開2015-166304(JP,A)
【文献】特開2015-177045(JP,A)
(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
C04B 37/02
H01L 23/12
B23K 35/30
C22C 9/00
B23K 1/19
B23K 1/00
B23K 31/02
H05K 3/38
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
金属成分として活性金属のみを含む活性金属材と、金属成分として活性金属以外の金属としてのCuを含み且つPを含むろう材を用意し、活性金属材の金属成分とろう材の金属成分およびPとの合計の質量に対する活性金属材の金属成分の質量の割合を5質量%以下として、セラミックス基板の一方の面に活性金属材を配置するとともに、銅板の一方の面にろう材を配置し、セラミックス基板と銅板とを、活性金属材とろう材が当接するように配置した後、セラミックス基板と銅板との間に0.005~0.5kgf/cmの荷重を加えながら780~890℃で加熱してセラミックス基板に銅板を接合することを特徴とする、金属-セラミックス接合基板の製造方法。
【請求項2】
前記活性金属がTi、ZrおよびHfからなる群から選ばれる少なくとも1種であることを特徴とする、請求項に記載の金属-セラミックス接合基板の製造方法。
【請求項3】
前記ろう材がペーストからなることを特徴とする、請求項1または2に記載の金属-セラミックス接合基板の製造方法。
【請求項4】
前記活性金属材が板材またはペーストからなることを特徴とする、請求項1乃至のいずれかに記載の金属-セラミックス接合基板の製造方法。
【請求項5】
前記活性金属材の厚さが10μm以下であることを特徴とする、請求項1乃至のいずれかに記載の金属-セラミックス接合基板の製造方法。
【請求項6】
前記セラミックス基板と銅板との接合が4.0×10-2Pa以下の真空中において行われることを特徴とする、請求項1乃至のいずれかに記載の金属-セラミックス接合基板の製造方法。
【請求項7】
前記セラミックス基板に銅板を接合する際の加熱の時間が30分間以上であることを特徴とする、請求項1乃至のいずれかに記載の金属-セラミックス接合基板の製造方法。
【請求項8】
活性金属と活性金属以外の金属としてのCuと、Pとを含む接合層を介してセラミックス基板と銅板が接合された金属-セラミックス接合基板において、前記接合層が、活性金属とPとの化合物および活性金属と活性金属以外の金属とPとの化合物の少なくとも一方の化合物からなる相と、金属成分として活性金属以外の金属のみを含む相とからなり、前記活性金属とPとの化合物および活性金属と活性金属以外の金属とPとの化合物の少なくとも一方の化合物からなる相の一部が、前記セラミックス基板と前記接合層との間の界面に当接して存在し、前記活性金属とPとの化合物および活性金属と活性金属以外の金属とPとの化合物の少なくとも一方の化合物からなる相の他の部分と前記セラミックス基板との間に、前記金属成分として活性金属以外の金属のみを含む相が存在することを特徴とする、金属-セラミックス接合基板。
【請求項9】
前記金属成分として活性金属以外の金属のみを含む相がPを含むことを特徴とする、請求項に記載の金属-セラミックス接合基板。
【請求項10】
前記金属成分として活性金属以外の金属のみを含む相が80質量%以上のCuを含むことを特徴とする、請求項8または9に記載の金属-セラミックス接合基板。
【請求項11】
前記活性金属がTi、ZrおよびHfからなる群から選ばれる少なくとも1種からなることを特徴とする、請求項乃至10のいずれかに記載の金属-セラミックス接合基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、金属-セラミックス接合基板およびその製造方法に関し、特に、ろう材を介してセラミックス基板の少なくとも一方の面に金属板が接合した金属-セラミックス接合基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
従来、電気自動車、電車、工作機械などの大電力を制御するために、パワーモジュールが使用されている。このようなパワーモジュール用の絶縁基板として、ろう材を介して金属板がセラミックス基板に接合された金属-セラミックス接合基板が使用されている。
【0003】
このような金属-セラミックス接合基板の製造方法として、Ti、ZrおよびHfからなる群から選ばれる活性金属の一種とAgとCuとを混合したろう材を用いて金属板をセラミックス基板に接合する方法(例えば、特許文献1参照)や、活性金属とBi系ガラスとCuとAgを含む粉体をビヒクルに添加して混練したろう材を用いて金属板をセラミックス基板に接合する方法(例えば、特許文献2参照)が提案されている。
【0004】
しかし、特許文献1~2の方法では、ろう材中のAgのマイグレーションにより、金属-セラミックス接合基板の耐電圧の低下や部分放電などの電気特性が悪化するおそれがある。
【0005】
また、Agを含まないろう材を用いて金属板をセラミックス基板に接合する方法として、Cu-P系ろう材と活性金属材を介してCuまたはCu合金からなるCu部材をセラミックス部材に接合する方法(例えば、特許文献3参照)や、Cu-P-Sn系ろう材とTi材を介してCuまたはCu合金からなるCu部材をセラミックス部材に接合する方法(例えば、特許文献4参照)が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
【文献】特開平8-97554号公報(段落番号0011)
【文献】特開2010-241627号公報(段落番号0009)
【文献】特開2015-43393号公報(段落番号0007)
【文献】特開2015-65423号公報(段落番号0008)
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
しかし、特許文献3~4の方法では、Cu部材とセラミックス部材との間に1~35kgf/cmの高い荷重を加えながら比較的高温(900~1050℃)で加熱する必要があるので、そのような高い荷重を加える装置を設ける必要があり、加熱温度も高いため、製造コストが増加するという問題がある。また、そのような高い荷重を加える装置を接合炉内に入れる必要があるため、生産性に劣るという問題もある。
【0008】
したがって、本発明は、このような従来の問題点に鑑み、従来よりも低い荷重を加えながら低い温度で加熱しても、銅板をセラミックス基板に良好に接合することができる、金属-セラミックス接合基板およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0009】
本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意研究した結果、金属成分として活性金属のみを含む活性金属材と、金属成分として活性金属以外の金属のみを含み且つPを含むろう材を用意し、活性金属材の金属成分とろう材の金属成分およびPとの合計の質量に対する活性金属材の金属成分の質量の割合を5質量%以下として、セラミックス基板の一方の面に活性金属材を配置するとともに、銅板の一方の面にろう材を配置し、セラミックス基板と銅板とを、活性金属材とろう材が当接するように配置した後、セラミックス基板と銅板との間に0.005~0.5kgf/cmの荷重を加えながら780~890℃で加熱してセラミックス基板に銅板を接合することにより、従来よりも低い荷重を加えながら低い温度で加熱しても、銅板をセラミックス基板に良好に接合することができることを見出し、本発明を完成するに至った。
【0010】
すなわち、本発明による金属-セラミックス接合基板の製造方法は、金属成分として活性金属のみを含む活性金属材と、金属成分として活性金属以外の金属のみを含み且つPを含むろう材を用意し、活性金属材の金属成分とろう材の金属成分およびPとの合計の質量に対する活性金属材の金属成分の質量の割合を5質量%以下として、セラミックス基板の一方の面に活性金属材を配置するとともに、銅板の一方の面にろう材を配置し、セラミックス基板と銅板とを、活性金属材とろう材が当接するように配置した後、セラミックス基板と銅板との間に0.005~0.5kgf/cmの荷重を加えながら780~890℃で加熱してセラミックス基板に銅板を接合することを特徴とする。
【0011】
この金属-セラミックス接合基板の製造方法において、活性金属以外の金属がCuであるのが好ましく、活性金属がTi、ZrおよびHfからなる群から選ばれる少なくとも1種であるのが好ましい。また、ろう材がペーストからなるのが好ましく、活性金属材が板材またはペーストからなるのが好ましく、活性金属材の厚さが10μm以下であるのが好ましい。また、セラミックス基板と銅板との接合が4.0×10-2Pa以下の真空中において行われるのが好ましく、セラミックス基板に銅板を接合する際の加熱の時間が30分間以上であるのが好ましい。
【0012】
また、本発明による金属-セラミックス接合基板は、活性金属と活性金属以外の金属とPとを含む接合層を介してセラミックス基板と銅板が接合された金属-セラミックス接合基板において、接合層が、活性金属とPとの化合物および活性金属と活性金属以外の金属とPとの化合物の少なくとも一方の化合物からなる相と、金属成分として活性金属以外の金属のみを含む相とからなり、活性金属とPとの化合物および活性金属と活性金属以外の金属とPとの化合物の少なくとも一方の化合物からなる相の一部が、セラミックス基板と接合層との間の界面に当接して存在し、活性金属とPとの化合物および活性金属と活性金属以外の金属とPとの化合物の少なくとも一方の化合物からなる相の他の部分とセラミックス基板との間に、金属成分として活性金属以外の金属のみを含む相が存在することを特徴とする。
【0013】
この金属-セラミックス接合基板において、活性金属以外の金属がCuであるのが好ましい。また、金属成分として活性金属以外の金属のみを含む相が、Pを含むのが好ましく、80質量%以上のCuを含むのが好ましい。また、活性金属がTi、ZrおよびHfからなる群から選ばれる少なくとも1種からなるのが好ましい。
【発明の効果】
【0014】
本発明によれば、従来よりも低い荷重を加えながら低い温度で加熱しても、銅板をセラミックス基板に良好に接合することができる、金属-セラミックス接合基板およびその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0015】
図1】本発明による金属-セラミックス接合基板の製造方法の実施の形態により得られた銅板とセラミックス基板の積層体を概略的に示す断面図である。
図2】本発明による金属-セラミックス接合基板の製造方法の実施の形態において、図1の積層体に加圧する工程を説明する断面図である。
図3】本発明による金属-セラミックス接合基板の実施の形態を説明する断面図である。
図4】実施例1の金属-セラミックス接合基板の断面の走査電子顕微鏡写真(SEM像)である。
図5図4の金属-セラミックス接合基板の断面を模式的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0016】
本発明による金属-セラミックス接合基板の製造方法の実施の形態では、図1に示すように、(窒化アルミニウムなどからなる)セラミックス基板10の少なくとも一方の面(図示した実施の形態では両面)に(金属成分として活性金属のみを含む)活性金属材12を配置するとともに、銅板16の一方の面(図示した実施の形態では2枚の銅板の各々の一方の面)に(金属成分として活性金属以外の金属を含み且つリン(P)を含む)ろう材14を(活性金属材の金属成分とろう材の金属成分およびPとの合計の質量に対する活性金属材の金属成分の質量の割合を5質量%以下(好ましくは1.0~4.5質量%、さらに好ましくは1.5~3.5質量%)として)配置した後、セラミックス基板10と銅板16とを、活性金属材12とろう材14を当接させて鉛直方向に積層されるように配置する。この積層体を、図2に示すように、一対のスペーサ18の一方のスペーサ(下側スペーサ)18上に載置し、この積層体の上に他方のスペーサ(上側スペーサ)18を載置した後、この上側スペーサ18の上に重り20を載せてセラミックス基板と銅板との間に0.005~0.5kgf/cm(好ましくは0.01~0.2kgf/cm)の荷重を加えながら780~890℃(好ましくは800~850℃)で加熱してセラミックス基板10に銅板16を接合する。
【0017】
活性金属材の活性金属は、Ti、ZrおよびHfからなる群から選ばれる少なくとも1種であるのが好ましい。また、活性金属材は、厚さ10μm以下(好ましくは1~8μm、さらに好ましくは1~5μm)の活性金属板(または活性金属箔)であるのが好ましく、活性金属のペーストを厚さ10μm以下(好ましくは1~8μm、さらに好ましくは1~5μm)に塗布してもよい。
【0018】
ろう材の活性金属以外の金属は、Cuであるのが好ましく、ろう材がCuとPを含むCu-P系ろう材であるのが好ましい。また、ろう材の金属成分およびPと活性金属材の活性金属との合計の質量に対するろう材のCuの質量の割合は、86質量%以上であるのが好ましく、93質量%以下であるのが好ましい。また、ろう材は、ビヒクル(バインダや溶剤などの有機物成分)を含むペーストからなるろう材ペーストであるのが好ましいが、ろう材箔でもよい。
【0019】
また、ろう材と活性金属材は、活性金属材の金属成分とろう材の金属成分およびPとの合計の質量に対する活性金属材の金属成分の質量の割合を5質量%以下(好ましくは1.0~4.5質量%、さらに好ましくは1.5~3.5質量%)になるように配置する。また、ろう材がCuとPを含むCu-P系ろう材であり、活性金属材の活性金属がTiである場合には、Pの質量に対するTiの質量の割合(Ti×100/P)が10~60であるのが好ましく、セラミックス基板と銅板との接合状態をさらに向上させるためには、20~40であるのがさらに好ましい。
【0020】
セラミックス基板と銅板との接合は、4.0×10-2Pa以下の真空中において行われるのが好ましく、セラミックス基板に銅板を接合する際の加熱の時間は、30分間以上であるのが好ましい。
【0021】
また、本発明による金属-セラミックス接合基板の実施の形態は、図3に示すように、活性金属と活性金属以外の金属とPとを含む接合層22を介してセラミックス基板10と銅板16が接合された金属-セラミックス接合基板において、接合層22が、活性金属とPとの化合物および活性金属と活性金属以外の金属とPとの化合物の少なくとも一方の化合物からなる相22aと、金属成分として活性金属以外の金属のみを含む相22bとからなり、活性金属とPとの化合物および活性金属と活性金属以外の金属とPとの化合物の少なくとも一方の化合物からなる相22aの一部が、セラミックス基板10と接合層22との間の界面に当接して存在し、活性金属とPとの化合物および活性金属と活性金属以外の金属とPとの化合物の少なくとも一方のからなる相22aの他の部分とセラミックス基板10との間に、金属成分として活性金属以外の金属のみを含む相22bが存在する。
【0022】
この金属-セラミックス接合基板の実施の形態において、活性金属以外の金属がCuであるのが好ましい。また、金属成分として活性金属以外の金属のみを含む相22bが、Pを含むのが好ましく、80質量%以上のCuを含むのが好ましい。また、活性金属がTi、ZrおよびHfからなる群から選ばれる少なくとも1種からなるのが好ましい。
【実施例
【0023】
以下、本発明による金属-セラミックス接合基板およびその製造方法の実施例について詳細に説明する。
【0024】
[実施例1]
68mm×68mm×0.635mmの大きさの窒化アルミニウムからなるセラミックス基板(TDパワーマテリアル株式会社製)の両面の各々の面の面積3cmの領域に、(金属成分として活性金属のみを含む)活性金属材として厚さ2μmのTi箔(単位面積当たりの活性金属の重量0.0009g/cm)を配置するとともに、70mm×70mm×0.25mmの大きさの2枚の(無酸素銅からなる)銅板の各々の一方の面の面積11.01cmの領域に、(金属成分として活性金属以外の金属を含み且つPを含む)ろう材として(91.78質量%のCuと8.22質量%のPを含む)Cu-P合金粉からなるろう材100重量部と(アクリル系バインダと溶剤からなる)ビヒクル16.7重量部とを混練して得られたろう材ペースト0.445g(単位面積当たりのろう材の重量0.0404g/cm)をスクリーン印刷により塗布(活性金属材の金属成分とろう材の金属成分およびPとの合計の質量100質量%に対するCuとPとTiのそれぞれの質量は89.5質量%、8.0質量%、2.5質量%)し、2枚の銅板とセラミックス基板とを、ろう材と活性金属材を当接させて鉛直方向に積層されるように配置した。
【0025】
この積層体を90mm×75mm×0.6mmの大きさのアルミナ板からなる一対のスペーサの一方のスペーサ(下側スペーサ)上に載置し、この積層体の上に他方のスペーサ(上側スペーサ)を載置した後、この上側スペーサの上に495gの重りを載せた状態で、4.0×10-2Pa以下の真空中において830~850℃で45分間加熱して銅板とセラミックス基板を接合した。
【0026】
このようにして製造した金属-セラミックス接合基板について、セラミックス基板と銅板との接合部を超音波探傷装置(SAT)(日立建機ファインテック株式会社製のFS100II)により観察したところ、セラミックス基板と銅板との間の接合層にボイドなどの欠陥は確認されず、接合率(接合部の全面(Ti箔を配置した領域)の面積に対する接合している領域の面積の割合)は99面積%以上であり、非常に良好に接合していた。
【0027】
また、本実施例で製造した金属-セラミックス接合基板の断面の1000倍の走査電子顕微鏡写真(SEM像)を図4に示し、その断面を図5に模式的に示す。図5に示すように、本実施例で製造した金属-セラミックス接合基板は、活性金属(Ti)と活性金属以外の金属(Cu)とPとを含む接合層22を介してセラミックス基板10と銅板16が接合された金属-セラミックス接合基板において、接合層22が、活性金属(Ti)とPとの化合物および活性金属(Ti)と活性金属以外の金属(Cu)とPとの化合物の少なくとも一方の化合物からなる相22aと、金属成分として活性金属以外の金属(Cu)のみを含む相22bとからなり、活性金属(Ti)とPとの化合物および活性金属(Ti)と活性金属以外の金属(Cu)とPとの化合物の少なくとも一方の化合物からなる相22aの一部が、セラミックス基板10と接合層22との間の界面に当接して存在し、活性金属(Ti)とPとの化合物および活性金属(Ti)と活性金属以外の金属(Cu)とPとの化合物の少なくとも一方の化合物からなる相22aの他の部分とセラミックス基板10との間に、金属成分として活性金属以外の金属(Cu)のみを含む相22bが存在するのがわかる。なお、走査電子顕微鏡(SEM)に取り付けられたエネルギー分散形X線分析装置(EDS)による特性X線像と組成分析から、活性金属(Ti)とPとの化合物および活性金属(Ti)と活性金属以外の金属(Cu)とPとの化合物の少なくとも一方の化合物からなる相22aが、TiとPの化合物層と、TiとPとCuの化合物層とを含むことがわかった。また、金属成分として活性金属以外の金属(Cu)のみを含む相22bが、Cu相とCu-P相を含み、80質量%以上のCuを含むことがわかった。
【0028】
[実施例2]
実施例1と同様のセラミックス基板の両面の各々の面の面積44.90cmの領域に、(金属成分として活性金属のみを含む)活性金属材として厚さ3μmのTi箔(単位面積当たりの活性金属の重量0.0014g/cm)を配置するとともに、実施例1と同様の2枚の銅板の各々の一方の面の面積44.04cmの領域に、(金属成分として活性金属以外の金属を含み且つPを含む)ろう材として(91.78質量%のCuと8.22質量%のPを含む)Cu-P合金粉からなるろう材100重量部と(実施例1と同様の)ビヒクル16.7重量部とを混練して得られたろう材ペースト2.510g(単位面積当たりのろう材の重量0.0570g/cm)をスクリーン印刷により塗布(活性金属材の金属成分とろう材の金属成分およびPとの合計の質量100質量%に対するCuとPとTiのそれぞれの質量は89.3質量%、8.0質量%、2.7質量%)し、2枚の銅板とセラミックス基板とを、ろう材と活性金属材を当接させて鉛直方向に積層されるように配置し、この積層体を実施例1と同様の一対のスペーサの一方のスペーサ(下側スペーサ)上に載置し、この積層体の上に他方のスペーサ(上側スペーサ)を載置した後、この上側スペーサの上に477gの重りを載せた状態で、4.0×10-2Pa以下の真空中において830~850℃で45分間加熱して銅板とセラミックス基板を接合した。
【0029】
このようにして製造した金属-セラミックス接合基板について、実施例1と同様の方法により観察したところ、セラミックス基板と銅板との間の接合層にボイドなどの欠陥は確認されず、接合率は99面積%以上であり、非常に良好に接合していた。
【0030】
[実施例3]
実施例1と同様のセラミックス基板の両面の各々の面の面積44.90cmの領域に、(金属成分として活性金属のみを含む)活性金属材として厚さ3μmのTi箔(単位面積当たりの活性金属の重量0.0014g/cm)を配置するとともに、実施例1と同様の2枚の銅板の各々の一方の面の面積44.04cmの領域に、(金属成分として活性金属以外の金属を含み且つPを含む)ろう材として(91.78質量%のCuと8.22質量%のPを含む)Cu-P合金粉からなるろう材100重量部と(実施例1と同様の)ビヒクル16.7重量部とを混練して得られたろう材ペースト1.621g(単位面積当たりのろう材の重量0.0368g/cm)をスクリーン印刷により塗布(活性金属材の金属成分とろう材の金属成分およびPとの合計の質量100質量%に対するCuとPとTiのそれぞれの質量は88.0質量%、7.9質量%、4.1質量%)し、2枚の銅板とセラミックス基板とを、ろう材と活性金属材を当接させて鉛直方向に積層されるように配置し、この積層体を実施例1と同様の一対のスペーサの一方のスペーサ(下側スペーサ)上に載置し、この積層体の上に他方のスペーサ(上側スペーサ)を載置した後、この上側スペーサの上に1959gの重りを載せた状態で、4.0×10-2Pa以下の真空中において830~850℃で45分間加熱して銅板とセラミックス基板を接合した。
【0031】
このようにして製造した金属-セラミックス接合基板について、実施例1と同様の方法により観察したところ、接合率は90面積%~99面積%未満であり、良好に接合していた。
【0032】
[実施例4]
実施例1と同様のセラミックス基板の両面の各々の面の面積44.90cmの領域に、(金属成分として活性金属のみを含む)活性金属材として厚さ3μmのTi箔(単位面積当たりの活性金属の重量0.0014g/cm)を配置するとともに、実施例1と同様の2枚の銅板の各々の一方の面の面積44.04cmの領域に、(金属成分として活性金属以外の金属を含み且つPを含む)ろう材として(91.78質量%のCuと8.22質量%のPを含む)Cu-P合金粉からなるろう材100重量部と(実施例1と同様の)ビヒクル16.7重量部とを混練して得られたろう材ペースト1.832g(単位面積当たりのろう材の重量0.0416g/cm)をスクリーン印刷により塗布(活性金属材の金属成分とろう材の金属成分およびPとの合計の質量100質量%に対するCuとPとTiのそれぞれの質量は88.4質量%、7.9質量%、3.7質量%)し、2枚の銅板とセラミックス基板とを、ろう材と活性金属材を当接させて鉛直方向に積層されるように配置し、この積層体を実施例1と同様の一対のスペーサの一方のスペーサ(下側スペーサ)上に載置し、この積層体の上に他方のスペーサ(上側スペーサ)を載置した後、この上側スペーサの上に496gの重りを載せた状態で、4.0×10-2Pa以下の真空中において830~850℃で45分間加熱して銅板とセラミックス基板を接合した。
【0033】
このようにして製造した金属-セラミックス接合基板について、実施例1と同様の方法により観察したところ、接合率は75面積%~90面積%未満であり、ほぼ良好に接合していた。
【0034】
[実施例5]
実施例1と同様のセラミックス基板の両面の各々の面の面積44.90cmの領域に、(金属成分として活性金属のみを含む)活性金属材として厚さ3μmのTi箔(単位面積当たりの活性金属の重量0.0014g/cm)を配置するとともに、実施例1と同様の2枚の銅板の各々の一方の面の面積44.04cmの領域に、(金属成分として活性金属以外の金属を含み且つPを含む)ろう材として(91.78質量%のCuと8.22質量%のPを含む)Cu-P合金粉からなるろう材100重量部と(実施例1と同様の)ビヒクル16.7重量部とを混練して得られたろう材ペースト1.621g(単位面積当たりのろう材の重量0.0368g/cm)をスクリーン印刷により塗布(活性金属材の金属成分とろう材の金属成分およびPとの合計の質量100質量%に対するCuとPとTiのそれぞれの質量は88.0質量%、7.9質量%、4.1質量%)し、2枚の銅板とセラミックス基板とを、ろう材と活性金属材を当接させて鉛直方向に積層されるように配置し、この積層体を実施例1と同様の一対のスペーサの一方のスペーサ(下側スペーサ)上に載置し、この積層体の上に他方のスペーサ(上側スペーサ)を載置した後、この上側スペーサの上に494gの重りを載せた状態で、4.0×10-2Pa以下の真空中において830~850℃で45分間加熱して銅板とセラミックス基板を接合した。
【0035】
このようにして製造した金属-セラミックス接合基板について、実施例1と同様の方法により観察したところ、接合率は75面積%~90面積%未満であり、ほぼ良好に接合していた。
【0036】
[実施例6]
実施例1と同様のセラミックス基板の両面の各々の面の面積11.56cmの領域に、(金属成分として活性金属のみを含む)活性金属材として厚さ3μmのTi箔(単位面積当たりの活性金属の重量0.0014g/cm)を配置するとともに、実施例1と同様の2枚の銅板の各々の一方の面の面積11.01cmの領域に、(金属成分として活性金属以外の金属を含み且つPを含む)ろう材として(91.78質量%のCuと8.22質量%のPを含む)Cu-P合金粉からなるろう材100重量部と(実施例1と同様の)ビヒクル16.7重量部とを混練して得られたろう材ペースト0.405g(単位面積当たりのろう材の重量0.0368g/cm)をスクリーン印刷により塗布(活性金属材の金属成分とろう材の金属成分およびPとの合計の質量100質量%に対するCuとPとTiのそれぞれの質量は88.0質量%、7.9質量%、4.1質量%)し、2枚の銅板とセラミックス基板とを、ろう材と活性金属材を当接させて鉛直方向に積層されるように配置し、この積層体を実施例1と同様の一対のスペーサの一方のスペーサ(下側スペーサ)上に載置し、この積層体の上に他方のスペーサ(上側スペーサ)を載置した後、この上側スペーサの上に495gの重りを載せた状態で、4.0×10-2Pa以下の真空中において830~850℃で45分間加熱して銅板とセラミックス基板を接合した。
【0037】
このようにして製造した金属-セラミックス接合基板について、実施例1と同様の方法により観察したところ、接合率は75面積%~90面積%未満であり、ほぼ良好に接合していた。
【0038】
[実施例7]
実施例1と同様のセラミックス基板の両面の各々の面の面積44.04cmの領域に、(金属成分として活性金属のみを含む)活性金属材としてTi粉100重量部と(実施例1と同様の)ビヒクル16.7重量部とを混練して得られた活性金属ペースト(Tiペースト)を厚さ約1.5μm(単位面積当たりの活性金属の重量0.0007g/cm)になるようにスクリーン印刷により塗布するとともに、実施例1と同様の2枚の銅板の各々の一方の面の面積44.04cmの領域に、(金属成分として活性金属以外の金属を含み且つPを含む)ろう材として(91.78質量%のCuと8.22質量%のPを含む)Cu-P合金粉からなるろう材100重量部と(実施例1と同様の)ビヒクル16.7重量部とを混練して得られたろう材ペースト2.995g(単位面積当たりのろう材の重量0.0680g/cm)をスクリーン印刷により塗布(活性金属材の金属成分とろう材の金属成分およびPとの合計の質量100質量%に対するCuとPとTiのそれぞれの質量は90.7質量%、8.1質量%、1.2質量%)し、2枚の銅板とセラミックス基板とを、ろう材と活性金属材を当接させて鉛直方向に積層されるように配置し、この積層体を実施例1と同様の一対のスペーサの一方のスペーサ(下側スペーサ)上に載置し、この積層体の上に他方のスペーサ(上側スペーサ)を載置した後、この上側スペーサの上に497gの重りを載せた状態で、4.0×10-2Pa以下の真空中において830~850℃で45分間加熱して銅板とセラミックス基板を接合した。
【0039】
このようにして製造した金属-セラミックス接合基板について、実施例1と同様の方法により観察したところ、接合率は90面積%~99面積%未満であり、良好に接合していた。
【0040】
[比較例1]
実施例1と同様のセラミックス基板の両面の各々の面の面積3cmの領域に、(金属成分として活性金属のみを含む)活性金属材として厚さ10μmのTi箔(単位面積当たりの活性金属の重量0.0045g/cm)を配置するとともに、実施例1と同様の2枚の銅板の各々の一方の面の面積11.01cmの領域に、(金属成分として活性金属以外の金属を含み且つPを含む)ろう材として(91.78質量%のCuと8.22質量%のPを含む)Cu-P合金粉からなるろう材100重量部と(実施例1と同様の)ビヒクル16.7重量部とを混練して得られたろう材ペースト0.460g(単位面積当たりのろう材の重量0.0418g/cm)をスクリーン印刷により塗布(活性金属材の金属成分とろう材の金属成分およびPとの合計の質量100質量%に対するCuとPとTiのそれぞれの質量は81.5質量%、7.3質量%、11.2質量%)し、2枚の銅板とセラミックス基板とを、ろう材と活性金属材を当接させて鉛直方向に積層されるように配置し、この積層体を実施例1と同様の一対のスペーサの一方のスペーサ(下側スペーサ)上に載置し、この積層体の上に他方のスペーサ(上側スペーサ)を載置した後、この上側スペーサの上に490gの重りを載せた状態で、4.0×10-2Pa以下の真空中において830~850℃で45分間加熱して銅板とセラミックス基板を接合した。
【0041】
このようにして製造した金属-セラミックス接合基板について、実施例1と同様の方法により観察したところ、接合率は50面積%未満であり、良好に接合していなかった。
【0042】
[比較例2]
重りの重量を1962gとした以外は、比較例1と同様の方法により、銅板とセラミックス基板を接合した。
【0043】
このようにして製造した金属-セラミックス接合基板について、実施例1と同様の方法により観察したところ、接合率は50面積%未満であり、良好に接合していなかった。
【0044】
[比較例3]
実施例1と同様のセラミックス基板の両面の各々の面の面積44.04cmの領域に、(金属成分として活性金属のみを含む)活性金属材として実施例7と同様の活性金属ペースト(Tiペースト)を厚さ約11.4μm(単位面積当たりの活性金属の重量0.0051g/cm)になるようにスクリーン印刷により塗布するとともに、実施例1と同様の2枚の銅板の各々の一方の面の面積44.04cmの領域に、(金属成分として活性金属以外の金属を含み且つPを含む)ろう材として(91.78質量%のCuと8.22質量%のPを含む)Cu-P合金粉からなるろう材100重量部と(実施例1と同様の)ビヒクル16.7重量部とを混練して得られたろう材ペースト2.995g(単位面積当たりのろう材の重量0.0680g/cm)をスクリーン印刷により塗布(活性金属材の金属成分とろう材の金属成分およびPとの合計の質量100質量%に対するCuとPとTiのそれぞれの質量は84.3質量%、7.6質量%、8.1質量%)し、2枚の銅板とセラミックス基板とを、ろう材と活性金属材を当接させて鉛直方向に積層されるように配置し、この積層体を実施例1と同様の一対のスペーサの一方のスペーサ(下側スペーサ)上に載置し、この積層体の上に他方のスペーサ(上側スペーサ)を載置した後、この上側スペーサの上に493gの重りを載せた状態で、4.0×10-2Pa以下の真空中において830~850℃で45分間加熱して銅板とセラミックス基板を接合した。
【0045】
このようにして製造した金属-セラミックス接合基板について、実施例1と同様の方法により観察したところ、接合率は50面積%未満であり、良好に接合していなかった。
【0046】
[比較例4]
実施例1と同様のセラミックス基板の両面の各々の面の面積44.04cmの領域に、(金属成分として活性金属のみを含む)活性金属材として実施例7と同様の活性金属ペースト(Tiペースト)を厚さ約2μm(単位面積当たりの活性金属の重量0.0009g/cm)になるようにスクリーン印刷により塗布するとともに、実施例1と同様の2枚の銅板の各々の一方の面の面積44.04cmの領域に、(金属成分として活性金属以外の金属を含み且つPを含む)ろう材として(91.78質量%のCuと8.22質量%のPを含む)Cu-P合金粉からなるろう材100重量部と(実施例1と同様の)ビヒクル16.7重量部とを混練して得られたろう材ペースト3.039g(単位面積当たりのろう材の重量0.0690g/cm)をスクリーン印刷により塗布(活性金属材の金属成分とろう材の金属成分およびPとの合計の質量100質量%に対するCuとPとTiのそれぞれの質量は90.4質量%、8.1質量%、1.5質量%)し、2枚の銅板とセラミックス基板とを、ろう材と活性金属材を当接させて鉛直方向に積層されるように配置し、この積層体を実施例1と同様の一対のスペーサの一方のスペーサ(下側スペーサ)上に載置し、この積層体の上に他方のスペーサ(上側スペーサ)を載置した後、この上側スペーサの上に497gの重りを載せた状態で、4.0×10-2Pa以下の真空中において750℃で45分間加熱して銅板とセラミックス基板を接合した。
【0047】
このようにして製造した金属-セラミックス接合基板について、実施例1と同様の方法により観察したところ、接合率は50面積%未満であり、良好に接合していなかった。
【0048】
[比較例5]
実施例1と同様の2枚の銅板の各々の一方の面の面積44.9cmの領域に、(金属成分として活性金属のみを含む)活性金属材として厚さ3μmのTi箔(単位面積当たりの活性金属の重量0.0014g/cm)を配置するとともに、実施例1と同様のセラミックス基板の両面の各々の面の面積44.04cmの領域に、(金属成分として活性金属以外の金属を含み且つPを含む)ろう材として(91.78質量%のCuと8.22質量%のPを含む)Cu-P合金粉からなるろう材100重量部と(実施例1と同様の)ビヒクル16.7重量部とを混練して得られたろう材ペースト2.519g(単位面積当たりのろう材の重量0.0572g/cm)をスクリーン印刷により塗布(活性金属材の金属成分とろう材の金属成分およびPとの合計の質量100質量%に対するCuとPとTiのそれぞれの質量は89.3質量%、8.0質量%、2.7質量%)し、2枚の銅板とセラミックス基板とを、ろう材と活性金属材を当接させて鉛直方向に積層されるように配置し、この積層体を実施例1と同様の一対のスペーサの一方のスペーサ(下側スペーサ)上に載置し、この積層体の上に他方のスペーサ(上側スペーサ)を載置した後、この上側スペーサの上に494gの重りを載せた状態で、4.0×10-2Pa以下の真空中において830~850℃で45分間加熱して銅板とセラミックス基板を接合した。
【0049】
このようにして製造した金属-セラミックス接合基板について、実施例1と同様の方法により観察したところ、接合率は50面積%未満であり、良好に接合していなかった。
【0050】
これらの実施例および比較例の金属-セラミックス接合基板の製造条件および特性を表1~表4に示す。なお、表4において、接合状態が非常に良好な場合を◎、良好な場合を○、ほぼ良好な場合を△、良好でない場合を×で示している。
【0051】
【表1】
【0052】
【表2】
【0053】
【表3】
【0054】
【表4】
【符号の説明】
【0055】
10 セラミックス基板
12 活性金属材
14 ろう材
16 銅板
18 スペーサ
20 重り
22 接合層
22a 化合物相
22b 金属成分として活性金属以外の金属のみを含む相
図1
図2
図3
図4
図5