特許7370406IP Force 特許公報全文掲載

技術分野

不揮発性の半導体記憶装置に係り、データを保持するメモリセルの構成

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

ところで、不揮発性メモリは、データの書き込み時に記憶素子に印加される電圧の絶対値 が、20V前後と、揮発性メモリに比べて一般的に大きい傾向にある。データの書き換え を繰り返し行うことができるフラッシュメモリの場合は、データの書き込み時のみならず 、データの消去時にも、記憶素子として用いるトランジスタに大きい電圧を印加する必要 がある。よって、データの書き込み、消去などの、フラッシュメモリの動作時において消 費される電力は高く、そのことが、フラッシュメモリを記憶装置として用いる電子機器の 低消費電力化を阻む一因となっている。特に、カメラや携帯電話などの携帯型の電子機器 にフラッシュメモリを用いる場合、消費電力の高さは、連続使用時間の短縮化というデメ リットに繋がる。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の一態様に係る記憶装置は、記憶素子と、記憶素子における電荷の供給、保持 、放出を制御するためのスイッチング素子として機能するトランジスタと、を有する。上 記記憶装置では、絶縁膜に囲まれたフローティングゲートに高電圧で電荷を注入するので はなく、オフ電流の極めて低いトランジスタを介して記憶素子の電荷量を制御することで 、データの記憶を行う。

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

オフ電流の低いトランジスタを、記憶素子に蓄積された電荷を保持するためのスイッ
チング素子として用いることで、記憶素子からの電荷のリークを防ぐことができる。よっ
て、長期間に渡るデータの保持が可能な記憶装置、当該記憶装置を用いた半導体装置を提
供することができる。

また、記憶素子へのデータの書き込み及び読み出しに必要な電圧は、スイッチング素子と
して機能するトランジスタの動作電圧によりほぼ決まる。よって、従来のフラッシュメモ
リに比べて動作電圧を格段に低くすることができ、消費電力を抑えられる記憶装置、当該
記憶装置を用いた半導体装置を提供することができる。

また、トンネル電流によるゲート絶縁膜の劣化を、従来のフラッシュメモリに比べて抑え
ることができるので、データの書き換え回数を増やすことができる記憶装置、当該記憶装
置を用いた半導体装置を提供することができる。

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 メモリセルの回路図と、トランジスタの断面図。
【図2】 トランジスタの回路図と、ゲート電圧Vgsに対するドレイン電流Idの値を示す図。
【図3】 セルアレイの回路図。
【図4】 セルアレイのタイミングチャート。
【図5】 セルアレイのタイミングチャート。
【図6】 セルアレイの回路図。
【図7】 第2ワード線駆動回路の構成を示す図。
【図8】 メモリセルの回路図。
【図9】 記憶装置の作製方法を示す図。
【図10】 記憶装置の作製方法を示す図。
【図11】 記憶装置の作製方法を示す図。
【図12】 記憶装置の作製方法を示す図。
【図13】 メモリセルの断面図。
【図14】 記憶装置のブロック図。
【図15】 読み出し回路の回路図。
【図16】 RFタグのブロック図。
【図17】 記憶媒体の構成を示す図。
【図18】 電子機器の図。

代表図 図1本件の代表的な図

100 メモリセル 101 トランジスタ 102 容量素子 103 トランジスタ 104 トランジスタ 110 基板 111 ゲート電極 112 絶縁膜 113 酸化物半導体膜 114 ソース電極 115 ドレイン電極 116 絶縁膜 117 ゲート電極 118 絶縁膜 120 線 121 線 150 第2ワード線駆動回路 151 トランジスタ 152 容量素子 200 セルアレイ 260 トランジスタ 261 トランジスタ 262 オペアンプ 300 セルアレイ 550 RFタグ 551 アンテナ回路 552 集積回路 553 電源回路 554 復調回路 555 変調回路 556 レギュレータ 557 演算回路 558 記憶装置 559 昇圧回路 700 基板 701 絶縁膜 702 半導体膜 703 ゲート絶縁膜 704 不純物領域 705 マスク 706 開口部 707 ゲート電極 708 導電膜 709 不純物領域 710 チャネル形成領域 711 不純物領域 712 絶縁膜 713 絶縁膜 714 ゲート電極 715 ゲート絶縁膜 716 酸化物半導体膜 717 開口部 718 開口部 719 導電膜 720 導電膜 721 ゲート絶縁膜 722 ゲート電極 723 導電膜 724 絶縁膜 725 開口部 726 配線 727 絶縁膜 751 記憶装置 752 コネクタ 753 インターフェース 754 発光ダイオード 755 コントローラ 756 プリント配線基板 757 カバー材 800 記憶装置 801 セルアレイ 802 駆動回路 803 回路 804 第1ワード線駆動回路 805 ビット線駆動回路 806 制御回路 807 デコーダ 808 レベルシフタ 809 バッファ 810 デコーダ 811 レベルシフタ 812 セレクタ 820 第2ワード線駆動回路 7031 筐体 7032 筐体 7033 表示部 7034 表示部 7035 マイクロホン 7036 スピーカー 7037 操作キー 7038 スタイラス 7041 筐体 7042 表示部 7043 音声入力部 7044 音声出力部 7045 操作キー 7046 受光部 7051 筐体 7052 表示部 7053 操作キー

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