特許 7370819 センサチップ

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2023-10-20

(45)【発行日】2023-10-30

(54)【発明の名称】センサチップ

(51)【国際特許分類】

   G01L 9/00 20060101AFI20231023BHJP

   H01L 29/84 20060101ALI20231023BHJP

【ＦＩ】

G01L9/00 303D

G01L9/00 303M

H01L29/84 B

【請求項の数】 4

(21)【出願番号】P 2019200117

(22)【出願日】2019-11-01

(65)【公開番号】P2021071452

(43)【公開日】2021-05-06

【審査請求日】2022-08-24

(73)【特許権者】

【識別番号】000116633

【氏名又は名称】愛知時計電機株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110000110

【氏名又は名称】弁理士法人 快友国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】西田 将志

【審査官】松山 紗希

(56)【参考文献】

【文献】特開平１０－０３８７３１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００５－２２７２８３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００９－２６５０１２（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｇ０１Ｌ ９／００

Ｈ０１Ｌ ２９／８４

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

圧力検出用のセンサチップであって、
圧力が作用する薄肉なダイヤフラム部と、
前記ダイヤフラム部に配置されているピエゾ抵抗部と、
前記ダイヤフラム部の外周端部に固定されている支持部であって、前記ダイヤフラム部よりも厚肉な前記支持部と、
一端部が前記ピエゾ抵抗部に接続されている配線と、を備えており、
前記支持部は、
前記ダイヤフラム部の上面と直交する方向に視たときに前記ダイヤフラム部の前記外周端部に沿って並んで配置されている複数の溝部であって、前記ダイヤフラム部の前記外周端部に沿って延びている複数の前記溝部と、
前記ダイヤフラム部の前記外周端部に沿って隣り合っている前記溝部と前記溝部の間に位置している通路部と、を備えており、
前記通路部は、前記ダイヤフラム部の上面と直交する方向に視たときに、第１方向に延びている第１部分と、前記第１部分から屈曲して前記第１方向と異なる第２方向に延びている第２部分と、を備えており、
前記配線は、前記通路部を通過しており、前記通路部の前記第１部分に配置されている第１配線部と、前記第１配線部から屈曲して前記通路部の前記第２部分に配置されている第２配線部と、を備えている、センサチップ。

【請求項2】

前記支持部における前記溝部よりも外側の部分に配置されている電極パッドであって、前記配線の他端部が接続されている前記電極パッドを更に備えている、請求項１に記載のセンサチップ。

【請求項3】

前記第１部分は、その延長線が前記ダイヤフラム部の中心部を通過せずに前記ダイヤフラム部の中心部から外れた位置を通過するように延びている、請求項１又は２に記載のセンサチップ。

【請求項4】

前記通路部は、前記ダイヤフラム部の上面と直交する方向に視たときに、前記ダイヤフラム部の中心部と前記ピエゾ抵抗部とを結んだ直線が前記通路部を通過せずに前記通路部から外れた位置を通過するように構成されている、請求項１から３のいずれか一項に記載のセンサチップ。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本明細書に開示する技術は、センサチップに関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１に圧力検出用のセンサチップが開示されている。特許文献１のセンサチップは、圧力が作用する薄肉なダイヤフラム部と、ダイヤフラム部に配置されているピエゾ抵抗部と、ダイヤフラム部の外周端部に固定されている支持部であって、ダイヤフラム部よりも厚肉な支持部とを備えている。また、特許文献１のセンサチップは、ピエゾ抵抗部の周りに形成されている溝部を備えている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開２００６－３０１５９号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

特許文献１のセンサチップとは異なる位置に溝部が形成されることがある。例えば、ダイヤフラム部の周りの支持部で生じる応力がダイヤフラム部に影響することを抑制するために、ダイヤフラム部の周りに溝部が形成されることがある。この構成では、ダイヤフラム部の周りに形成される溝部の存在によって、ダイヤフラム部に配置されているピエゾ抵抗部と外部の電極パッドとを接続するための配線を配置することが難しくなる。そのため、ピエゾ抵抗部から電気信号を取得することが難しくなる。

【0005】

本明細書は、ダイヤフラム部の周りに溝部が形成されている構成において、ダイヤフラム部に配置されているピエゾ抵抗部から電気信号を取得するための配線を容易に配置することができる技術を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本明細書に開示するセンサチップは、圧力検出用のセンサチップである。センサチップは、圧力が作用する薄肉なダイヤフラム部と、前記ダイヤフラム部に配置されているピエゾ抵抗部と、前記ダイヤフラム部の外周端部に固定されている支持部であって、前記ダイヤフラム部よりも厚肉な前記支持部と、を備えていてもよい。前記支持部は、前記ダイヤフラム部の上面と直交する方向に視たときに前記ダイヤフラム部の前記外周端部に沿って並んで配置されている複数の溝部であって、前記ダイヤフラム部の前記外周端部に沿って延びている複数の前記溝部を備えていてもよい。前記支持部は、前記ダイヤフラム部の前記外周端部に沿って隣り合っている前記溝部と前記溝部の間に位置している通路部を備えていてもよい。

【0007】

この構成によれば、溝部と溝部の間の通路部に配線を配置することができる。通路部に配置される配線によって、ダイヤフラム部に配置されているピエゾ抵抗部と例えば外部の電極パッドとを接続することができ、ピエゾ抵抗部から電気信号を取得することができる。上記の構成によれば、ダイヤフラム部の周りに溝部が形成されている構成において、通路部を備えていることによって、ダイヤフラム部に配置されているピエゾ抵抗部から電気信号を取得するための配線を容易に配置することができる。

【0008】

上記のセンサチップは、前記通路部を通過している配線であって、その一端部が前記ピエゾ抵抗部に接続されている前記配線を更に備えていてもよい。この構成によれば、ピエゾ抵抗部から電気信号を取得することができる。

【0009】

上記のセンサチップは、前記支持部における前記溝部よりも外側の部分に配置されている電極パッドであって、前記配線の他端部が接続されている前記電極パッドを更に備えていてもよい。この構成によれば、支持部に配置されている電極パッドを介してピエゾ抵抗部から電気信号を取得することができる。

【0010】

前記通路部は、前記ダイヤフラム部の上面と直交する方向に視たときに、第１方向に延びている第１部分を備えていてもよい。前記第１部分は、その延長線が前記ダイヤフラム部の中心部を通過せずに前記ダイヤフラム部の中心部から外れた位置を通過するように延びていてもよい。この構成によれば、支持部に生じる応力が支持部から通路部を介してダイヤフラム部に伝わることを抑制することができる。

【0011】

前記通路部は、前記ダイヤフラム部の上面と直交する方向に視たときに、前記第１方向と異なる第２方向に延びている第２部分を更に備えていてもよい。この構成によれば、支持部に生じる応力が支持部から通路部を介してダイヤフラム部に伝わることを抑制することができる。

【0012】

前記通路部は、前記ダイヤフラム部の上面と直交する方向に視たときに、前記ダイヤフラム部の中心部と前記ピエゾ抵抗部とを結んだ直線が前記通路部を通過せずに前記通路部から外れた位置を通過するように構成されていいてもよい。この構成によれば、支持部に生じる応力が支持部から通路部を介してピエゾ抵抗部に伝わることを抑制することができる。

【図面の簡単な説明】

【0013】

【図1】実施例に係るセンサチップの上面図である（ダイヤフラム部の上面と直交する方向に視た図である。）。

【図2】実施例に係るセンサチップの断面図である（図１のII－II断面図である）。

【図3】図１の部分IIIの拡大図である。

【図4】他の実施例に係るセンサチップの図３に対応する図である。

【図5】他の実施例に係るセンサチップの断面図である。

【図6】他の実施例に係るセンサチップの断面図である。

【図7】他の実施例に係るセンサチップの断面図である。

【図8】他の実施例に係るセンサチップの上面図である。

【発明を実施するための形態】

【0014】

実施例に係るセンサチップ１について図面を参照して説明する。図１及び図２に示すように、実施例に係るセンサチップ１は、ダイヤフラム部１０と、複数（本実施例では４個）のピエゾ抵抗部２０と、支持部３０とを備えている。また、センサチップ１は、複数（本実施例では４個）の溝部４０と、複数（本実施例では４個）の通路部６０とを備えている。更に、センサチップ１は、複数（本実施例では４個）の電極パッド５０と、複数（本実施例では４個）の配線５２とを備えている。

【0015】

図１及び図２に示すセンサチップ１は、例えば、半導体であるＳｉ基板から作製されている。センサチップ１は、例えば、基板２００に固定されている。センサチップ１は、流体（液体及び／又は気体）の圧力を検出するために用いられる。圧力検出の対象である流体は、例えば水である。

【0016】

センサチップ１のダイヤフラム部１０は、半導体（例えば、Ｓｉ）からなる薄肉の膜状の構成である。ダイヤフラム部１０は、センサチップ１の上面に沿う方向においてセンサチップ１の中央部に形成されている。ダイヤフラム部１０は、例えば、Ｓｉ基板をエッチングすることによって形成される。ダイヤフラム部１０は、流体の圧力を受圧する受圧面１４を備えている。流体の圧力が受圧面１４に作用する。受圧面１４は、ダイヤフラム部１０の上面に形成されている。他の例では、受圧面１４がダイヤフラム部１０の下面に形成されていてもよい。ダイヤフラム部１０は、受圧面１４が流体の圧力を受圧すると下側に撓むように変形する。受圧面１４は、例えば、シリコーン樹脂やエポキシ樹脂からなる絶縁性の保護膜（不図示）で被覆されていてもよい。ダイヤフラム部１０は、受圧面１４と直交する方向から視たときに円形状に形成されている（図１参照）。他の実施例では、ダイヤフラム部１０は四角形状に形成されていてもよい。ダイヤフラム部１０の形状は限定されるものではない。

【0017】

複数のピエゾ抵抗部２０は、ダイヤフラム部１０の上部に配置されている。複数のピエゾ抵抗部２０は、互いに間隔をあけて配置されている。各ピエゾ抵抗部２０は、例えば、ダイヤフラム部１０を構成する半導体（例えば、Ｓｉ）にイオン注入をすることによって形成される。各ピエゾ抵抗部２０は、流体の圧力によってダイヤフラム部１０が変形したときに、それに応じて歪む。各ピエゾ抵抗部２０に歪みが生じると、各ピエゾ抵抗部２０の抵抗値が変化する。

【0018】

複数のピエゾ抵抗部２０は、ダイヤフラム部１０の応力を検出するためのブリッジ回路（不図示）の一部を構成している。各ピエゾ抵抗部２０は、ブリッジ回路における各抵抗要素に相当する。各ピエゾ抵抗部２０には、ブリッジ回路の配線が接続されている。ブリッジ回路に基づいてダイヤフラム部１０の応力を検出することによって、ダイヤフラム部１０の受圧面１４に作用する流体の圧力を検出することができる。ブリッジ回路に基づいて応力を検出する方法についてはよく知られているので詳細な説明を省略する。

【0019】

センサチップ１の支持部３０は、ダイヤフラム部１０の周りに配置されている。支持部３０よりも内側にダイヤフラム部１０が配置されている。支持部３０は、ダイヤフラム部１０の外周端部１２に固定されている。支持部３０は、ダイヤフラム部１０の外周端部１２を支持している。支持部３０は、半導体（例えば、Ｓｉ）から形成されている。支持部３０は、ダイヤフラム部１０と一体的に形成されている。支持部３０は、ダイヤフラム部１０よりも厚肉の構成である。上下方向における支持部３０の厚みは、ダイヤフラム部１０の厚みよりも厚い。支持部３０は、厚いブロック状の構成である。支持部３０は、ダイヤフラム部１０の外周端部１２の全周を囲んでいる。支持部３０は、ダイヤフラム部１０の外周端部１２に沿って連続して一周している。

【0020】

支持部３０は、基板２００に固定される固定面３２を備えている。固定面３２は、支持部３０の下面に設けられている。固定面３２は、ダイヤフラム部１０の受圧面１４と反対側（下側）を向いている。固定面３２は、受圧面１４よりも下側に位置している。固定面３２は、基板２００の上面に接着剤９０によって接着されている。接着剤９０は、例えばシリコーンである。固定面３２は、支持部３０の厚み方向（Ｚ方向）と直交する方向において、後述する溝部４０よりも外側に位置している。基板２００に固定されるセンサチップ１では、基板２００に固定される支持部３０の固定面３２に応力が生じることがある。例えば、支持部３０の熱膨張率と基板２００の熱膨張率との差に起因して固定面３２に熱応力が生じることがある。

【0021】

支持部３０には複数の溝部４０が形成されている。図１に示すように、複数の溝部４０は、ダイヤフラム部１０の外周端部１２の周りに形成されている。複数の溝部４０は、ダイヤフラム部１０の外周端部１２を囲むように形成されている。複数の溝部４０は、ダイヤフラム部１０の外周端部１２に沿って並んで配置されている。複数の溝部４０は、間隔をあけて配置されている。複数の溝部４０は、ダイヤフラム部１０の外周端部１２に沿って延びている。複数の溝部４０の幅は、同じであっても異なっていてもよい。複数の溝部４０の長さは、同じであっても異なっていてもよい。

【0022】

図２に示すように、各溝部４０は、支持部３０の上面３１から下方に延びている。各溝部４０は、支持部３０の厚み方向（Ｚ方向）に延びている。各溝部４０は、支持部３０の上面３１で開口している。各溝部４０は、例えば、Ｓｉ基板をエッチングすることによって形成される。各溝部４０の底面４２は、ダイヤフラム部１０の下面よりも下側に位置している。各溝部４０は、支持部３０の厚み方向（Ｚ方向）と直交する方向において、支持部３０の固定面３２よりも内側に形成されている。

【0023】

図１に示すように、支持部３０には複数の通路部６０が形成されている。各通路部６０は、ダイヤフラム部１０の外周端部１２に沿って隣り合って並んでいる溝部４０と溝部４０の間に位置している。各通路部６０は、ダイヤフラム部１０の周方向において溝部４０と溝部４０に挟まれている。各通路部６０は、支持部３０における溝部４０よりも内側（ダイヤフラム部１０側）の部分と、溝部４０よりも外側（ダイヤフラム部１０と反対側）の部分とを繋いでいる。各通路部６０は、溝部４０の幅方向の一端部から他端部まで延びている。各通路部６０は、ダイヤフラム部１０の中心部Ｃとピエゾ抵抗部２０とを結んだ直線Ｍが各通路部６０を通過せずに各通路部６０から外れた位置を通過するように配置されている。なお、図１では、代表として、上下のピエゾ抵抗部２０、２０とダイヤフラム部１０の中心部Ｃとを結んだ直線Ｍが示されているが、左右のピエゾ抵抗部２０、２０とダイヤフラム部１０の中心部Ｃとを結んだ直線（不図示）についても同様である。

【0024】

次に、複数の通路部６０のうちの１つの通路部６０ａに着目して説明する。図３は図１の部分IIIの拡大図である。図３に示すように、通路部６０ａは、その途中で屈曲している。通路部６０ａは、第１部分６１と第２部分６２を備えている。第１部分６１と第２部分６２は、異なる方向に延びている。第１部分６１は第１方向（図３の紙面左右方向）に延びており、第２部分６２は第１方向と異なる第２方向（図３の紙面上下方向）に延びている。第１部分６１は、その延長線Ｌ１がダイヤフラム部１０の中心部Ｃを通過せずに、延長線Ｌ１がダイヤフラム部１０の中心部Ｃから外れた位置を通過するように延びている（図１参照）。第２部分６２も、その延長線Ｌ２がダイヤフラム部１０の中心部Ｃを通過せずに、延長線Ｌ２がダイヤフラム部１０の中心部Ｃから外れた位置を通過するように延びている（図１参照）。通路部６０ａの幅ｗ６０は、溝部４０の幅ｗ４０よりも狭い。例えば、通路部６０ａの幅ｗ６０は、溝部４０の幅ｗ４０の１／２以下である。

【0025】

図１に示すように、支持部３０の上面３１には複数の電極パッド５０が配置されている。複数の電極パッド５０は、支持部３０における溝部４０よりも外側（ダイヤフラム部１０と反対側）の部分に配置されている。複数の電極パッド５０とダイヤフラム部１０の間に溝部４０が形成されている。各電極パッド５０は、例えば銅（Ｃｕ）やアルミニウム（Ａｌ）等の金属から構成されている。各電極パッド５０は膜状に形成されている。各電極パッド５０には各配線５２が接続されている。

【0026】

複数の配線５２は、支持部３０の上面３１及びダイヤフラム部１０の上面（受圧面１４）に配置されている。各配線５２の外側の端部５２２は、支持部３０に配置されている各電極パッド５０に接続されている。各配線５２の内側の端部５２１は、ダイヤフラム部１０に配置されている各ピエゾ抵抗部２０に接続されている。各電極パッド５０と各ピエゾ抵抗部２０とが、各配線５２を介して電気的に接続される。各電極パッド５０から各配線５２を通じて各ピエゾ抵抗部２０に電流が流れる。各配線５２は、その途中で複数回屈曲している。図３に示すように、各配線５２は、各通路部６０を通過している。各配線５２は、各通路部６０の上面に配置されている。

【0027】

上記のセンサチップ１では、流体の圧力がダイヤフラム部１０の受圧面１４に作用すると、ダイヤフラム部１０が下側に撓むように変形する。ダイヤフラム部１０が変形すると、ダイヤフラム部１０に配置されている複数のピエゾ抵抗部２０に歪みが生じる。各ピエゾ抵抗部２０に歪みが生じると、各ピエゾ抵抗部２０の抵抗値が変化する。複数のピエゾ抵抗部２０の抵抗値を利用して、ブリッジ回路に基づいてダイヤフラム部１０の応力が検出される。各ピエゾ抵抗部２０に接続されている各配線５２を通じて各ピエゾ抵抗部２０から電気信号を取得することによって、ダイヤフラム部１０の応力を検出することができる。

【0028】

以上、実施例に係るセンサチップ１について説明した。上記の説明から明らかなように、上記のセンサチップ１では、支持部３０が、ダイヤフラム部１０の上面（受圧面１４）と直交する方向（Ｚ方向）に視たときにダイヤフラム部１０の外周端部１２に沿って並んで配置されている複数の溝部４０を備えている。複数の溝部４０はダイヤフラム部１０の外周端部１２に沿って延びている。また、支持部３０は、ダイヤフラム部１０の外周端部１２に沿って隣り合っている溝部４０と溝部４０の間に位置している通路部６０を備えている。上記のセンサチップ１は、通路部６０を通過している配線５２を備えている。配線５２の内側の端部５２１がピエゾ抵抗部２０に接続されている。

【0029】

この構成によれば、ダイヤフラム部１０の周りに溝部４０が形成されている構成において、通路部６０を備えていることによって、ダイヤフラム部１０に配置されているピエゾ抵抗部２０から電気信号を取得するための配線５２を容易に配置することができる。配線５２を通じてピエゾ抵抗部２０から電気信号を取得することができる。

【0030】

上記のセンサチップ１は、支持部３０における溝部４０よりも外側の部分に配置されている電極パッド５０を備えている。配線５２の外側の端部５２２が電極パッド５０に接続されている。この構成によれば、支持部３０に配置されている電極パッド５０を介してピエゾ抵抗部２０から電気信号を取得することができる。

【0031】

上記の通路部６０は、第１方向に延びている第１部分６１を備えている。第１部分６１は、その延長線Ｌ１がダイヤフラム部１０の中心部Ｃを通過せずに中心部Ｃから外れた位置を通過するように延びている。この構成によれば、例えば、支持部３０の熱膨張率と基板２００の熱膨張率との差に起因して支持部３０に熱応力が生じることがあったとしても、その応力が通路部６０を介してダイヤフラム部１０に伝わることを抑制することができる。

【0032】

上記の通路部６０は、第１方向と異なる第２方向に延びている第２部分６２を備えている。即ち、通路部６０が屈曲している。この構成によれば、屈曲部分がバネのように機能するので、支持部３０に生じる応力が通路部６０を介してダイヤフラム部１０に伝わることを抑制することができる。

【0033】

上記の通路部６０は、ダイヤフラム部１０の中心部Ｃとピエゾ抵抗部２０とを結んだ直線Ｍが通路部６０を通過せずに通路部６０から外れた位置を通過するように構成されている。この構成によれば、支持部３０に生じる応力が通路部６０を介してピエゾ抵抗部２０に伝わることを抑制することができる。

【0034】

以上、一実施例について説明したが、具体的な態様は上記実施例に限定されるものではない。以下の説明において、上記の説明における構成と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。

【0035】

（１）他の実施例では、図４に示すように、通路部６０が複数回屈曲していてもよい。

【0036】

（２）他の実施例では、図５に示すように、センサチップ１が絶縁膜１６０を備えていてもよい。絶縁膜１６０は、例えばＳｉＯ_２膜である。絶縁膜１６０は、ダイヤフラム部１０の下に配置されている。絶縁膜１６０は、ダイヤフラム部１０の下面の全体を覆っている。絶縁膜１６０は、ダイヤフラム部１０の下面に沿う方向に延びている。絶縁膜１６０は、ダイヤフラム部１０の下面に沿う方向においてダイヤフラム部１０の外周端部１２よりも外側まで延びている。更に、絶縁膜１６０は、ダイヤフラム部１０から支持部３０にわたって延びている。絶縁膜１６０は、支持部３０の内部に配置されている。

【0037】

（３）また、図５に示すように、センサチップ１が第２溝部１５０を備えていてもよい。第２溝部１５０は、支持部３０に形成されている。第２溝部１５０は、支持部３０の下面から上方に延びている。第２溝部１５０は、支持部３０の厚み方向（Ｚ方向）に延びている。第２溝部１５０は、支持部３０の下面で開口している。第２溝部１５０は、例えば、Ｓｉ基板をエッチングすることによって形成される。第２溝部１５０の底面１５２は、ダイヤフラム部１０の下面よりも下側に位置している。第２溝部１５０の底面１５２は、溝部４０の底面４２よりも上側に位置している。第２溝部１５０は、溝部４０の周りに形成されている。第２溝部１５０は、支持部３０の厚み方向（Ｚ方向）と直交する方向において、溝部４０よりも外側に形成されている。第２溝部１５０は、支持部３０の厚み方向（Ｚ方向）と直交する方向において、支持部３０の固定面３２よりも内側に形成されている。第２溝部１５０は、支持部３０の厚み方向と直交する方向において溝部４０と重なる重複部１５３を備えている。支持部３０の厚み方向と直交する方向に支持部３０を視たときに、溝部４０と第２溝部１５０とが重なる部分が存在する。重複部１５３は、第２溝部１５０の上部に形成されている。重複部１５３は、溝部４０の下部と重なる。第２溝部１５０の上部と溝部４０の下部とがオーバーラップしている。

【0038】

（４）また、他の実施例では、図６に示すように、固定面３２が、センサチップ１の上面に設けられていてもよい。固定面３２は、ダイヤフラム部１０の受圧面１４側（上側）を向いている。固定面３２は、基板２００の下面に接着剤９０によって接着されている。固定面３２は、支持部３０の厚み方向（Ｚ方向）と直交する方向において、溝部４０よりも外側に位置している。

【0039】

（５）上記の実施例では、センサチップ１の支持部３０が基板２００に固定されていたが、この構成に限定されるものではない。他の実施例では、図７に示すように、センサチップ１の支持部３０がガラス部材１３０に固定されていてもよい。支持部３０は、接着剤を介さずにガラス部材１３０に固定されていてもよい。ガラス部材１３０は、支持部３０の下面に固定されている。ガラス部材１３０は、支持部３０を支持している。ガラス部材１３０は、開口部１３２を備えている。ガラス部材１３０は、その開口部１３２がダイヤフラム部１０と向かい合うように配置されている。他の例では、ガラス部材１３０が開口部１３２を備えていなくてもよい。ガラス部材１３０は、基板２００に固定されている。

【0040】

（６）上記の実施例では、センサチップ１の支持部３０が基板２００に固定されていたが、この構成に限定されるものではない。他の実施例では、センサチップ１の支持部３０が管又は容器に固定されていてもよい（不図示）。更に、センサチップ１の支持部３０が管又は容器の内面に固定されていてもよい。この場合は、センサチップ１が管又は容器の内部に配置される。この構成によれば、容器又は管の内部の流体の圧力がセンサチップ１に作用したときに、センサチップ１が容器又は管の内面に押し付けられるので、センサチップ１を容器又は管に強固に固定することができる。

【0041】

（７）上記の実施例では、センサチップ１が接着剤９０によって基板２００に固定されていたが、この構成に限定されるものではない。他の実施例では、接着剤９０に代えて、はんだや低融点ガラスが用いられてもよい。

【0042】

（８）他の実施例では、図８に示すように、センサチップ１が、複数（本実施例では４個）の外側溝部２４０と、複数（本実施例では４個）の外側通路部２６０とを更に備えていてもよい。複数の外側溝部２４０は、複数の溝部４０を囲んでいる。各外側溝部２４０は、各溝部４０よりも外側に配置されている。外側溝部２４０の構成は、溝部４０の構成と同様である。よって、外側溝部２４０の構成については詳細な説明を省略する。センサチップ１の支持部３０には、内側から外側に向かう方向において複数の溝部が並んで形成されていてもよい。

【0043】

複数の外側通路部２６０は、複数の通路部６０を囲んでいる。各外側通路部２６０は、各通路部６０よりも外側に配置されている。各配線５２が各外側通路部２６０を通過している。各外側通路部２６０は、ダイヤフラム部１０の中心部Ｃとピエゾ抵抗部２０とを結んだ直線Ｍが各外側通路部２６０を通過せずに各外側通路部２６０から外れた位置を通過するように配置されている。外側通路部２６０の構成は、通路部６０の構成と同様である。よって、外側通路部２６０の構成については詳細な説明を省略する。センサチップ１の支持部３０には、内側から外側に向かう方向において複数の通路部が並んで配置されていてもよい。また、外側通路部２６０は、ダイヤフラム部１０の中心部Ｃと内側の通路部６０とを結んだ直線Ｚが外側通路部２６０を通過せずに外側通路部２６０から外れた位置を通過するように配置されている。この構成によれば、外力の影響がピエゾ抵抗部２０に及ぶことを抑制することができる。なお、図８では、代表として、右斜め上の通路部６０とダイヤフラム部１０の中心部Ｃとを結んだ直線Ｚが示されているが、他の通路部６０とダイヤフラム部１０の中心部Ｃとを結んだ直線（不図示）についても同様である。

【0044】

（９）他の実施例では、複数の電極パッド５０の外側に溝部（不図示）が更に形成されていてもよい。当該溝部は、複数の電極パッド５０を囲んでいてもよい。当該溝部は、複数の電極パッド５０の周りを一周していてもよい。

【0045】

以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。

【符号の説明】

【0046】

１：センサチップ、１０：ダイヤフラム部、１２：外周端部、１４：受圧面、２０：ピエゾ抵抗部、３０：支持部、３１：上面、３２：固定面、４０：溝部、５０：電極パッド、５２：配線、６０：通路部、６１：第１部分、６２：第２部分、２００：基板、５２１：端部、５２２：端部

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】