特許 7371078 レーザーダイオードテストシステム及びレーザーダイオードテスト方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2023-10-20

(45)【発行日】2023-10-30

(54)【発明の名称】レーザーダイオードテストシステム及びレーザーダイオードテスト方法

(51)【国際特許分類】

   G01R 31/26 20200101AFI20231023BHJP

【ＦＩ】

G01R31/26 C

G01R31/26 Z

【請求項の数】 10

【外国語出願】

(21)【出願番号】P 2021211086

(22)【出願日】2021-12-24

(65)【公開番号】P2022105301

(43)【公開日】2022-07-13

【審査請求日】2022-02-17

(31)【優先権主張番号】109147126

(32)【優先日】2020-12-31

(33)【優先権主張国・地域又は機関】TW

(73)【特許権者】

【識別番号】505441638

【氏名又は名称】致茂電子股▲分▼有限公司

【氏名又は名称原語表記】Ｃｈｒｏｍａ Ａｔｅ Ｉｎｃ．

(74)【代理人】

【識別番号】110003708

【氏名又は名称】弁理士法人鈴榮特許綜合事務所

(74)【代理人】

【識別番号】100108855

【弁理士】

【氏名又は名称】蔵田 昌俊

(74)【代理人】

【識別番号】100179062

【弁理士】

【氏名又は名称】井上 正

(74)【代理人】

【識別番号】100199565

【弁理士】

【氏名又は名称】飯野 茂

(74)【代理人】

【識別番号】100219542

【弁理士】

【氏名又は名称】大宅 郁治

(74)【代理人】

【識別番号】100153051

【弁理士】

【氏名又は名称】河野 直樹

(74)【代理人】

【識別番号】100162570

【弁理士】

【氏名又は名称】金子 早苗

(72)【発明者】

【氏名】王勝弘

(72)【発明者】

【氏名】張博翔

【審査官】島▲崎▼ 純一

(56)【参考文献】

【文献】特開平０８－２３６５９４（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１３－０２４８２９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０００－０２８６８１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開平０８－１５０５８３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１１－２２０７０４（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００２－０４０１０１（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２０１０／０１３４１３５（ＵＳ，Ａ１）

【文献】特開昭６２－０５２９４１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００４－２５７９４３（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｇ０１Ｒ ３１／２６

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

各レーザーダイオードが少なくとも１つのコンタクトを含む、複数のレーザーダイオードをテストするためのレーザーダイオードテストシステムであって、前記レーザーダイオードテストシステムは、
電磁スライドに結合され、少なくとも１つの永久磁石を含み、前記電磁スライドが前記電磁スライドの長手方向に配置された複数の磁界励磁ユニットを含み、前記複数のレーザーダイオードが載置されている第１の移送デバイスと、
第１の測定デバイスと、第１のプローブモジュールと、を含む第１のテストステーションと、
前記電磁スライドの前記複数の磁界励磁ユニットと、前記第１の測定デバイスと、前記第１のプローブモジュールとに電気的に接続されている主制御装置と、
を備え、
前記主制御装置の制御下にある前記電磁スライドの前記複数の磁界励磁ユニットのうちの少なくとも１つによって磁界が生成され、前記第１の移送デバイスの前記少なくとも１つの永久磁石によって生成される磁界と相互作用し、これにより、前記第１の移送デバイスは、前記複数のレーザーダイオードを前記第１のテストステーションへ、又は前記第１のテストステーションから離れるように移送するように駆動され、
前記第１の移送デバイスが前記第１のテストステーションに位置するとき、前記主制御装置の制御により、前記第１の移送デバイスは前記複数のレーザーダイオードを前記複数のレーザーダイオードが前記第１の移送デバイスに載置されている状態で一体的に移送することで、前記第１のプローブモジュールは、各レーザーダイオードの前記少なくとも１つのコンタクトと順次に電気的に接触させられ、前記第１の測定デバイスは、前記主制御装置によって制御され、前記第１のプローブモジュールによって電気的に接触されている各レーザーダイオードの電気的特性及び光学的特性のうちの少なくとも１つを順次に測定する、レーザーダイオードテストシステム。

【請求項2】

第２のテストステーションと、第２の移送デバイスと、ピックアンドプレースデバイスと、を更に備え、前記第２のテストステーションは、第２の測定デバイスと、第２のプローブモジュールと、を含み、前記第２の移送デバイスは、前記電磁スライドに結合されており、前記ピックアンドプレースデバイスは、前記第１のテストステーションと前記第２のテストステーションとの間に配設されており、前記第２の測定デバイス、前記第２のプローブモジュール、及び前記ピックアンドプレースデバイスは、前記主制御装置に電気的に接続されており、前記第１のテストステーションの前記第１の測定デバイスが、前記複数のレーザーダイオードの前記電気的特性及び前記光学的特性のうちの少なくとも１つを測定すると、前記第１の移送デバイスは、前記主制御装置によって駆動され、前記複数のレーザーダイオードを前記第１のテストステーションから離れるように移送し、前記ピックアンドプレースデバイスは、前記主制御装置によって制御され、前記複数のレーザーダイオードを前記第２の移送デバイスに移送し、前記第２の移送デバイスは、前記主制御装置によって駆動され、前記複数のレーザーダイオードを前記第２のテストステーションに移送し、前記主制御装置の制御により、前記第２の移送デバイスは前記複数のレーザーダイオードを前記複数のレーザーダイオードが前記第２の移送デバイスに載置されている状態で一体的に移送することで、前記第２のプローブモジュールは、各レーザーダイオードの前記少なくとも１つのコンタクトと順次に電気的に接触させられ、前記第２の測定デバイスは、前記主制御装置によって制御され、前記第２のプローブモジュールによって電気的に接触されている前記複数のレーザーダイオードの前記電気的特性及び前記光学的特性のうちの少なくとも１つを測定する、請求項１に記載のレーザーダイオードテストシステム。

【請求項3】

前記電磁スライドと平行に配置されたガイドレールを更に備え、前記第１の移送デバイスは、前記ガイドレールに結合され且つ前記ガイドレール上で摺動可能な摺動フレームを更に含む、請求項１に記載のレーザーダイオードテストシステム。

【請求項4】

前記摺動フレームは、温度制御ユニットと、ホルダアセンブリと、を更に含み、前記温度制御ユニットは、前記ホルダアセンブリに結合され、前記ホルダアセンブリを加熱又は冷却するために設けられており、前記ホルダアセンブリは、前記複数のレーザーダイオードを保持するために設けられている、請求項３に記載のレーザーダイオードテストシステム。

【請求項5】

前記ホルダアセンブリは、本体と、着脱式ホルダと、を含み、前記本体は、負圧チャネルを含み、前記着脱式ホルダは、その上面に少なくとも１つの吸着孔が設けられており、前記負圧チャネルの一端は、負圧源と連通しており、前記負圧チャネルの他端は、前記少なくとも１つの吸着孔と連通している、請求項４に記載のレーザーダイオードテストシステム。

【請求項6】

前記着脱式ホルダは、担持面と、垂直面と、傾斜面と、を含み、前記担持面は、前記複数のレーザーダイオードの幅に等しい幅を有し、且つ前記複数のレーザーダイオードを担持するために設けられており、前記少なくとも１つの吸着孔は、前記担持面上に形成されており、前記垂直面は、前記担持面の一方の側縁部に連結されており、一方、前記傾斜面は、前記担持面の他方の側縁部に連結されており、前記傾斜面と前記担持面は、３０度～９０度の範囲内で挟角θを形成している、請求項５に記載のレーザーダイオードテストシステム。

【請求項7】

前記第１の移送デバイス及び前記電磁スライドのうちの少なくとも１つは、前記主制御装置に電気的に接続され且つ前記第１の移送デバイスのリアルタイム位置を検出することによってリアルタイム位置信号を生成し、前記リアルタイム位置信号を前記主制御装置に送るために設けられている位置信号生成ユニットを更に含む、請求項１に記載のレーザーダイオードテストシステム。

【請求項8】

各レーザーダイオードが少なくとも１つのコンタクトを含む、複数のレーザーダイオードをテストするためのレーザーダイオードテスト方法であって、前記方法は、
（Ａ）第１の移送デバイスによって、前記複数のレーザーダイオードを、第１の測定デバイスと、第１のプローブモジュールと、を含む第１のテストステーションに移動させるステップと、
（Ｂ）前記第１のプローブモジュールが各レーザーダイオードの前記少なくとも１つのコンタクトに順次に電気的に接触するように、主制御装置の制御により、前記第１の移送デバイスは前記複数のレーザーダイオードを前記複数のレーザーダイオードが前記第１の移送デバイスに載置されている状態で一体的に移送し、前記第１のプローブモジュールによって電気的に接触されている各レーザーダイオードの電気的特性及び光学的特性のうちの少なくとも１つを順次に測定するように、前記第１の測定デバイスを前記主制御装置により制御するステップと、
（Ｃ）前記第１の移送デバイスによって、前記複数のレーザーダイオードを前記第１のテストステーションから出ていくように移動させるステップと、
を備え、
前記第１の移送デバイスは、電磁スライドに結合されており、前記第１の移送デバイスは、少なくとも１つの永久磁石を含み、前記電磁スライドは、前記電磁スライドの長手方向に配置された複数の磁界励磁ユニットを含み、前記ステップ（Ａ）及び前記ステップ（Ｃ）において、前記主制御装置の制御下にある前記電磁スライドの前記複数の磁界励磁ユニットのうちの少なくとも１つによって磁界が生成され、前記第１の移送デバイスの前記少なくとも１つの永久磁石によって生成される磁界と相互作用し、これにより、前記第１の移送デバイスは、前記複数のレーザーダイオードを前記第１のテストステーションへ、又は前記第１のテストステーションから出ていくように移送するように駆動される、方法。

【請求項9】

前記ステップ（Ｃ）の後に、
（Ｄ）ピックアンドプレースデバイスによって、前記複数のレーザーダイオードを前記第１の移送デバイスから、前記電磁スライドに結合されている第２の移送デバイスに移動させるステップと、
（Ｅ）前記第２の移送デバイスによって、前記複数のレーザーダイオードを、第２の測定デバイスと、第２のプローブモジュールと、を含む第２のテストステーションに移動させるステップと、
（Ｆ）前記第２のプローブモジュールが各レーザーダイオードの前記少なくとも１つのコンタクトに順次に電気的に接触するように、前記主制御装置の制御により、前記第２の移送デバイスは前記複数のレーザーダイオードを前記複数のレーザーダイオードが前記第２の移送デバイスに載置されている状態で一体的に移送し、前記第２のプローブモジュールによって電気的に接触されている前記複数のレーザーダイオードの前記電気的特性及び前記光学的特性のうちの少なくとも１つを順次に測定するように、前記第２の測定デバイスを前記主制御装置により制御するステップと、
（Ｇ）前記第２の移送デバイスによって、前記複数のレーザーダイオードを前記第２のテストステーションから出ていくように移動させるステップと、
を更に備える、請求項８に記載の方法。

【請求項10】

前記ステップ（Ｂ）の前に、
（Ｂ０）前記第１の移送デバイスの温度制御ユニットによって、前記複数のレーザーダイオードを加熱又は冷却するステップ、
を更に備える、請求項８に記載の方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、レーザーダイオードテストシステム及びレーザーダイオードテスト方法に関し、特に、端面発光レーザー（ＥＥＬ：edge emitting laser）ダイオードの電気的及び光学的特性をテストするためのレーザーダイオードテストシステム及びレーザーダイオードテスト方法に関する。

【背景技術】

【0002】

レーザーダイオードは、光通信、材料加工、医療、センシング、印刷、ディスプレイ、光記憶装置及び照明において、幅広く用いられている。しかしながら、レーザーダイオード製造プロセスの継続的な進歩により、レーザーダイオードの体積が低減され、レーザーダイオードの精度が向上し、レーザーダイオードの特性を測定する際の難しさが増した。

【0003】

典型的に、既存のテスト技術では、所定の温度での単一機能のテスト専用の１つのステーションが使用される。具体的には、独立したテストステーションにおいて、単一のレーザーダイオードバー又は個々のレーザーダイオード（以下、被試験デバイスと呼ぶ）が、一定の温度に加熱又は冷却され、被試験デバイスの単一の特性又は機能がテストされる。しかしながら、現在のテスト要件によると、様々な光電テスト及び光学的特性テストは、通常、３つの異なるテスト温度（即ち、低温、室温、及び高温）で行われなければならない。

【0004】

換言すれば、４つのテスト項目を上述した３つの異なる温度でテストするには、１０個以上の独立したテストステーションが必要となる。これにはコストがかかるだけでなく、大きい工場スペースと、冷源及び熱源、空気圧源及び油圧源、並びに電源を含む他の補助設備とを必要とする。更に、被試験デバイスを異なるテストステーションへ、又は異なるテストステーションから移送し、被試験デバイスを別の場所に移すことは、建設費、保守運用時間は言うまでもなく、リスク要因の増大をもたらす。

【0005】

以上からわかるように、単一のフローラインで多温度及び多機能テストを達成し得るレーザーダイオードテストシステム及びレーザーダイオードテスト方法が、本産業においてまさに大いに期待されている。

【発明の概要】

【0006】

本発明の主な目的は、複数のテストステーションを単一のフローライン上に統合し得、且つテストステーションの数を柔軟に増減し得るか、テストステーションの順序を調整し得るか、又はテストステーション間の距離を調整し得る、レーザーダイオードテストシステム及びレーザーダイオードテスト方法を提供することである。したがって、テスト効率は、大幅に改善され得、設備建設費が低減され得、設備によって占有されるスペースが低減され得る。

【0007】

上記目的を達成するために、各レーザーダイオードが少なくとも１つのコンタクトを含む、複数のレーザーダイオードをテストするためのレーザーダイオードテストシステムが、第１の移送デバイスと、第１のテストステーションと、主制御装置と、を備える。第１の移送デバイスは、電磁スライドに結合されており、第１の移送デバイスは、少なくとも１つの永久磁石を含み、電磁スライドは、電磁スライドの長手方向に配置された複数の磁界励磁ユニットを含む。複数のレーザーダイオードは、第１の移送デバイス上に載置される。第１のテストステーションは、第１の測定デバイスと、第１のプローブモジュールと、を含む。主制御装置は、電磁スライドの複数の磁界励磁ユニットと、第１の測定デバイスと、第１のプローブモジュールとに電気的に接続されている。主制御装置の制御下にある電磁スライドの複数の磁界励磁ユニットのうちの少なくとも１つによって磁界が生成され、第１の移送デバイスの少なくとも１つの永久磁石によって生成される磁界と相互作用し、これにより、第１の移送デバイスは、複数のレーザーダイオードを第１のテストステーションへ、又は第１のテストステーションから離れるように移送するように駆動される。第１の移送デバイスが第１のテストステーションに位置するとき、第１のプローブモジュールは、主制御装置によって制御され、各レーザーダイオードの少なくとも１つのコンタクトと順次に電気的に接触させられ、第１の測定デバイスは、主制御装置によって制御され、第１のプローブモジュールによって電気的に接触されている各レーザーダイオードの電気的特性及び光学的特性のうちの少なくとも１つを順次に測定する。

【0008】

以上からわかるように、本発明は、第１の移送デバイスを磁気浮上方式で駆動するために、電磁スライド上の磁界励磁ユニットを使用する。したがって、第１の移送デバイスは、いかなる配線もなしに、複数のレーザーダイオードを移送し得、各移送デバイスは、独立に制御され得る。移送速度又は移送距離は、容易に調整され得、移送精度は高く、較正が容易である。このようにして、各テストステーションは、本発明に従ってモジュール化され得、したがって、複数のテストステーションが単一のフローラインに統合され得、テストステーションの数が実際のニーズに従って容易に増減され得、テストステーション間の距離が柔軟に調整され得、テストステーションの順序が変更され得、それによって、テスト効率を改善し、設備建設費を低減させ、設備によって占有されるスペースを低減させる。

【0009】

好ましくは、本発明のレーザーダイオードテストシステムは、第２のテストステーションと、第２の移送デバイスと、ピックアンドプレースデバイスと、を更に備え得る。第２のテストステーションは、第２の測定デバイスと、第２のプローブモジュールと、を含み、第２の移送デバイスは、電磁スライドに結合されており、ピックアンドプレースデバイスは、第１のテストステーションと第２のテストステーションとの間に配設されている。第２の測定デバイス、第２のプローブモジュール、及びピックアンドプレースデバイスは、主制御装置に電気的に接続されている。第１のテストステーションの第１の測定デバイスが、複数のレーザーダイオードの電気的特性及び光学的特性のうちの少なくとも１つを測定した後、第１の移送デバイスは、主制御装置によって駆動され、複数のレーザーダイオードを第１のテストステーションから離れるように移送し、ピックアンドプレースデバイスは、主制御装置によって制御され、複数のレーザーダイオードを第２の移送デバイス上へと移送し、第２の移送デバイスは、主制御装置によって駆動され、複数のレーザーダイオードを第２のテストステーションに移送し、第２のプローブモジュールは、主制御装置によって制御され、各レーザーダイオードの少なくとも１つのコンタクトと順番に電気的に接触させられ、第２の測定デバイスは、主制御装置によって制御され、第２のプローブモジュールによって電気的に接触されている複数のレーザーダイオードの電気的特性及び光学的特性のうちの少なくとも１つを測定する。

【0010】

換言すれば、前の段落で説明されたように、本発明の各テストステーションは、移送デバイスを装備し得、２つのテストステーションの移送デバイス間で複数のレーザーダイオードを移すことを担うピックアンドプレースデバイスが、全ての２つのテストステーションの間に配置され得る。したがって、各テストステーションの移送デバイスは、それ自体のテストステーションに独立に出入りし得、各テストステーションは、レーザーダイオードを独立にテストし得、他のテストステーションと干渉することがない。各テストステーションが、同じ移送経路を有する単一の移送デバイスにのみ対応するので、移送精度は高く、較正が容易である。

【0011】

更に、本発明のレーザーダイオードテストシステムは、電磁スライドと平行に配置されたガイドレールを備え得、第１の移送デバイスは、ガイドレールに結合され且つガイドレール上で摺動可能な摺動フレームを更に含み得る。また、摺動フレームは、温度制御ユニットと、ホルダアセンブリと、を更に含み得る。温度制御ユニットは、ホルダアセンブリに結合され、ホルダを加熱又は冷却するために設けられており、ホルダアセンブリは、複数のレーザーダイオードを保持するために設けられている。換言すれば、ガイドレールの配置によって、ガイドレールに結合された摺動フレーム及び摺動フレーム上に配置されたホルダアセンブリは、第１の移送デバイスと共に移動され、その結果、第１の移送デバイスの荷重（load）が低減され得るとともに、被試験デバイスの構造及び移送の安定性が増大され得、それによって、移送精度を更に改善している。本発明では、ホルダアセンブリの温度は、温度制御ユニットによって調整され得、これにより、複数のレーザーダイオードのための特定の高温又は低温テスト環境が提供され得る。

【0012】

本発明のホルダアセンブリは、本体と、着脱式ホルダと、を含み得る。本体は、負圧チャネルを含み、着脱式ホルダは、その上面に少なくとも１つの吸着孔が設けられている。負圧チャネルの一端は、負圧源と連通しており、負圧チャネルの他端は、少なくとも１つの吸着孔と連通している。一方、本発明の着脱式ホルダは、担持面と、垂直面と、傾斜面と、を含む。担持面は、複数のレーザーダイオードの幅に等しい幅を有し、且つ複数のレーザーダイオードを担持するために設けられている。少なくとも１つの吸着孔は、担持面上に形成されている。垂直面は、担持面の一方の側縁部に連結されており、一方、傾斜面は、担持面の他方の側縁部に連結されており、傾斜面と担持面は、３０度～９０度の範囲内で挟角θを形成している。上記構成により、本発明の着脱式ホルダは、被試験デバイス（レーザーダイオード）の仕様に従って取り替えられ得、複数のレーザーダイオードは、レーザーダイオードが損傷を受けることを防止するために、負圧吸着によって保持される。本発明の着脱式ホルダの傾斜面の角度は、レーザーダイオードの発光した光が着脱式ホルダによって遮られることを防止するために、レーザーダイオードの発散角（divergence angle）に従って設定され、これにより、テスト精度に影響が及ばないようにする。

【0013】

加えて、本発明の第１の移送デバイス及び電磁スライドのうちの少なくとも１つは、位置信号生成ユニットを更に含み得、これは、主制御装置に電気的に接続されており、第１の移送デバイスのリアルタイム位置を検出することによって、リアルタイム位置信号を生成し、リアルタイム位置信号を主制御装置に送るために設けられている。したがって、本発明の第１の移送デバイスは、位置信号生成ユニットを用いて、正確に位置決めされ得る。

【0014】

前述の目的を達成するために、各レーザーダイオードが少なくとも１つのコンタクトを含む、本発明のレーザーダイオードテスト方法は、次のステップを備える：（Ａ）第１の移送デバイスによって、複数のレーザーダイオードを、第１の測定デバイスと、第１のプローブモジュールと、を含む第１のテストステーションに移動させるステップと、（Ｂ）各レーザーダイオードの少なくとも１つのコンタクトに順次に電気的に接触するように、第１のプローブモジュールを制御し、第１のプローブモジュールによって電気的に接触されている各レーザーダイオードの電気的特性及び光学的特性のうちの少なくとも１つを順次に測定するように、第１の測定デバイスを制御するステップと、（Ｃ）第１の移送デバイスによって、複数のレーザーダイオードを第１のテストステーションから出ていくように移動させるステップ、ここで、第１の移送デバイスは、電磁スライドに結合されており、第１の移送デバイスは、少なくとも１つの永久磁石を含み、電磁スライドは、電磁スライドの長手方向に配置された複数の磁界励磁ユニットを含み、ステップ（Ａ）及びステップ（Ｃ）において、主制御装置の制御下にある電磁スライドの複数の磁界励磁ユニットのうちの少なくとも１つによって磁界が生成され、第１の移送デバイスの少なくとも１つの永久磁石によって生成される磁界と相互作用し、これにより、第１の移送デバイスは、複数のレーザーダイオードを第１のテストステーションへ、又は第１のテストステーションから出ていくように移送するように駆動される。

【0015】

したがって、上記で説明されたように、本発明によって提供される方法では、第１の移送デバイスは、磁気浮上方式で独立に駆動され、各テストステーションはモジュール化され、これにより、複数のステーションが単一のフローラインに統合され得る。結果として、テストステーションの数を柔軟に増減すること、テストステーション間の距離を調整すること、及びテストステーションの順序を変更すること等が可能になる。これは、従来のレーザーダイオードテスト方法が大きく変わることを可能にし、効率及びコストが大幅に改善される。

【図面の簡単な説明】

【0016】

【図1】図１は、レーザーバーの斜視図である。

【図2A】図２Ａは、本発明のレーザーダイオードテストシステムの好ましい実施形態の各テストステーションの構成及び移送プロセスを示す概略図である。

【図2B】図２Ｂは、本発明のレーザーダイオードテストシステムの第１のテストセクションにおける各デバイスの構成を示す概略図である。

【図3】図３は、本発明のレーザーダイオードテストシステムの第１のテストステーションの斜視図である。

【図4】図４は、プローブモジュールと位置較正モジュールが取り外された状態での、本発明のレーザーダイオードテストシステムの第１のテストステーションの別の斜視図である。

【図5】図５は、本発明の被試験デバイスのための移送モジュールの斜視図である。

【図6A】図６Ａは、本発明の温度制御ユニット及びホルダアセンブリの斜視図である。

【図6B】図６Ｂは、本発明のホルダアセンブリの分解図である。

【図6C】図６Ｃは、本発明のホルダアセンブリの部分拡大断面図である。

【図7】図７は、本発明のホルダアセンブリの別の実施形態の部分拡大断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0017】

本発明のレーザーダイオードテストシステム及びレーザーダイオードテスト方法が実施形態において詳細に説明される前に、以下の説明では、同様の構成要素が、同じ参照番号によって示されることに特に留意されたい。本発明の図面は、単に例示的であり、それらは、必ずしも一定の縮尺で描かれておらず、全ての詳細が必ずしも図面に提示されている訳ではない。

【0018】

この実施形態の被試験デバイス（ＤＵＴ：device under test）であるレーザーバーの斜視図である図１を参照する。この実施形態では、被試験デバイスは、端面発光レーザー（ＥＥＬ：edge emitting laser）ダイオード、即ち、図１に示されるレーザーバーＢであり、これは、多数のレーザーダイオードＬで構成された細長いバーである。各レーザーダイオードＬは、２つのコンタクトＬｃと、２つの発光点Ｌｅと、を含む。しかしながら、１つのコンタクトＬｃ及び１つの発光点Ｌｅのみが、図１に示されている。２つの発光点Ｌｅは、それぞれレーザーダイオードＬの２つの対向する側面に位置し、即ち、光は、これら両側から発せられる。以下の実施形態での被試験デバイスは、レーザーバーＢであるが、本発明は、レーザーバーＢのテストだけでなく、後述される複数の独立したレーザーダイオードのテストにも適用可能であることに特に留意されたい。

【0019】

本発明のレーザーダイオードテストシステムの好ましい実施形態の各テストステーションの構成及び移送プロセスを示す概略図である図２Ａを参照する。図に示されるように、この実施形態のレーザーダイオードテストシステムは、主に、第１のテストセクションＺ１と、第２のテストセクションＺ２と、第３のテストセクションＺ３と、温度変更セクションＺｔと、を備える。高温又は低温テストが、例えば、室温よりもはるかに高い又ははるかに低い温度において、第１のテストセクションＺ１において行われる。室温テストが、温度を変更した後に、第２のテストセクションＺ２において行われる。第１のテストセクションＺ１及び第２のテストセクションＺ２の各々は、それぞれ光電テスト及び光学的特性テストを行うための３つのテストステーションを含む。第３のテストセクションＺ３では、外観欠陥テストが行われる。

【0020】

この実施形態における各テストステーションの構成及び移送プロセスが、最初に簡潔に説明される。図２Ａに示されるように、ローディングシャトルＳｉｎが、テストされるべきレーザーバーＢを第１のピックアンドプレースデバイス５１に移送し、第１のピックアンドプレースデバイス５１は、レーザーバーＢを第１の移送デバイス４１上へと移す。次いで、第１の移送デバイス４１は、レーザーバーＢを光電テストが行われる第１のテストステーションＳ１に移送する。光電テストが完了した後、第１の移送デバイス４１は、レーザーバーＢを第２のピックアンドプレースデバイス５２に移送し、第２のピックアンドプレースデバイス５２は、レーザーバーＢを第２の移送デバイス４２上へと移す。次いで、第２の移送デバイス４２は、レーザーバーＢを光学的特性テストが行われる第２のテストステーションＳ２に移送する。光学的特性テストが完了した後、第２の移送デバイス４２は、レーザーバーＢを第３のピックアンドプレースデバイス５３に移送し、第３のピックアンドプレースデバイス５３は、レーザーバーＢを第３の移送デバイス４３上へと移す。次いで、第３の移送デバイス４３は、レーザーバーＢを別の光学的特性テストが行われる第３のテストステーションＳ３に移送する。

【0021】

第３のテストステーションＳ３において別の光学的特性テストが完了した後、第３の移送デバイス４３は、レーザーバーＢを第４のピックアンドプレースデバイス５４に移送し、第４のピックアンドプレースデバイス５４は、レーザーバーＢを第４の移送デバイス４４上へと移す。第４の移送デバイス４４は、温度変更ステップが第１のテストセクションＺ１において高温テストが行われる温度を、第２のテストセクションＺ２において室温テストが行われることになる室温に低下させるように調節するために行われる、温度変更セクションＺｔに位置することに特に留意されたい。第２のテストセクションＺ２のテスト手順及び移送方法が、第１のテストセクションＺ１のものと同じであるので、第２のテストセクションＺ２の説明は省略される。レーザーバーＢについての第２のテストセクションＺ２における全てのテストが完了した後、第５の移送デバイス４５が、レーザーバーＢを表面外観欠陥テストが行われる第３のテストセクションＺ３に移送する。テストが完了すると、レーザーバーＢは、アンローディングシャトルＳｏｕｔによって、外部へ移送される。

【0022】

本発明のレーザーダイオードテストシステムの第１のテストセクションにおける各デバイスの構成を示す概略図である図２Ｂを参照する。この実施形態に関する以下の説明は、主に、第１のテストセクションＺ１に基づいている。図２Ｂに示されるように、この実施形態の第１のテストセクションＺ１は、主に、第１のテストステーションＳ１と、第２のテストステーションＳ２と、第３のテストステーションＳ３と、第１の移送デバイス４１と、第２の移送デバイス４２と、第３の移送デバイス４３と、第２のピックアンドプレースデバイス５２と、第３のピックアンドプレースデバイス５３と、主制御装置６と、２つの位置較正モジュール７と、を含む。主制御装置６は、例示を目的として第１のテストセクションＺ１において記載されていることに留意されたい。しかしながら、主制御装置６は、テストシステム全体に属すべきであり、即ち、主制御装置６は、全てのテストセクションにおける全ての構成要素と、テストセクション間のピックアンドプレースデバイスと、テストシステムにおけるアンローディングシャトル及びローディングシャトルとを制御する。

【0023】

図３、図４及び図５を参照する。図３は、本発明のレーザーダイオードテストシステムの第１のテストステーションの斜視図であり、図４は、プローブモジュールと位置較正モジュールが取り外された状態での、本発明のレーザーダイオードテストシステムの第１のテストステーションの別の斜視図であり、図５は、本発明の被試験デバイス移送モジュールの斜視図である。これら図に示されるように、この実施形態では、各テストステーションには、移送デバイスが設けられており、ピックアンドプレースデバイス及び位置較正モジュール７が、２つの隣接するテストステーションの間に配置されている。この実施形態の位置較正モジュール７は、主にカメラデバイスに基づく較正モジュールである。カメラデバイスは、レーザーバーＢの向きを較正する、即ち、位置の繰返し精度（position repeatability）を較正するために、ピックアンドプレースデバイスのピックアンドプレース動作の前後で画像をキャプチャするために使用される。

【0024】

第１の移送デバイス４１は、電磁スライド４０に結合されている。第１の移送デバイス４１は、Ｕ字型フレーム４１３と、６つのローラー４１２と、複数の永久磁石Ｍと、を含む。ローラー４１２及び永久磁石Ｍは、Ｕ字型フレーム４１３の内側に配置されており、電磁スライド４０の２つの対向する側面に結合されている。ローラー４１２は、Ｕ字型フレーム４１３が電磁スライド４０と直接接触すること防止するため、及びＵ字型フレーム４１３と電磁スライド４０との間の摩擦を低減して、Ｕ字型フレーム４１３が電磁スライド４０に対して摺動することを容易にするために、Ｕ字型フレーム４１３と電磁スライド４０との間に位置する。

【0025】

図５に示されるように、この実施形態のＤＵＴ移送モジュール４が、レーザーバーＢをテストステーションとピックアンドプレースデバイスとの間で移送するために設けられている。図に示されるように、電磁スライド４０は、主に、レールを含み、複数の磁界励磁ユニット４１１が、レールの２つの側壁上で長手方向に等距離を隔てて配置されている。各電磁生成ユニット４１１は、主に、コイル巻線で構成されている。一方、第１の移送デバイス４１の永久磁石Ｍは、電磁スライド４０の磁界励磁ユニット４１１に対応している。したがって、励磁電流が電磁生成ユニット４１１に印加されると、電磁生成ユニット４１１のコイル巻線は、第１の移送デバイス４１を電磁スライド４０上で移動するように付勢するために、第１の移送デバイス４１の永久磁石Ｍの磁界と相互作用する磁界を生成する。第１の移送デバイス４１についての付勢力は、励磁電流の大きさを調整することによって決定され得る。

【0026】

更に、図３～図５に示されるように、この実施形態のＤＵＴ移送モジュール４は、ガイドレール６１を更に含み、これは、電磁スライド４０と平行に配置されている。摺動フレーム６２が、ガイドレール６１上で摺動するように配置されており、レーザーバーＢを保持するためのホルダアセンブリ６２２が、摺動フレーム６２に取り付けられている。換言すれば、摺動フレーム６２及びガイドレール６１が、実際に、被試験デバイスを移送し、荷重を支えるために使用されており、第１の移送デバイス４１は、ドライバであり、これは、摺動フレーム６２を駆動するために設けられている。したがって、この設計は、第１の移送デバイス４１の荷重が低減され得、その結果、構造の安定性、したがって、移送精度が改善されるという点で有利である。

【0027】

第１の移送デバイス４１は、位置信号生成ユニットＥを含み、これは、光学定規（optical ruler）とも呼ばれ得るエンコーダスケールであり、主制御装置６に電気的に接続され、主制御装置６へのリアルタイム位置信号を生成するために、第１の移送デバイス４１のリアルタイム位置を検出するために設けられている。つまり、位置信号生成ユニットＥは、第１の移送デバイス４１を位置決めするために、非接触検知方式で第１の移送デバイス４１の絶対位置を主制御装置６に提供し、それによって、高精度の移送動作を可能にする。

【0028】

更に、図２Ｂ、図３、及び図４に示されるように、各テストステーションは、測定デバイスと、プローブモジュールと、を含む。第１のテストステーションＳ１では、第１の測定デバイス２１が、各レーザーダイオードのＤＣ特性及び光パワーが測定される光電テストを行うために設けられている。第１のプローブモジュール３１が、電流を印加するために、レーザーダイオードのコンタクトに電気的に接触するために設けられている。

【0029】

同様に、第２のテストステーションＳ２は、第２の測定デバイス２２と、第２のプローブモジュール３２と、を含み、第３のテストステーションＳ３はまた、第３の測定デバイス２３と、第３のプローブモジュール３３と、を含む。この実施形態では、第２の測定デバイス２２及び第３の測定デバイス２３は、光学的特性テストを行うために設けられている。

【0030】

図５、図６Ａ、図６Ｂ、及び図６Ｃを参照する。図６Ａは、本発明の温度制御ユニット及びホルダアセンブリの斜視図であり、図６Ｂは、本発明のホルダアセンブリの分解図であり、図６Ｃは、本発明のホルダアセンブリの部分拡大断面図である。この実施形態のホルダアセンブリ６２２及びその関連する構成要素が、詳細に説明される。図５に示されるように、この実施形態のホルダアセンブリ６２２は、摺動フレーム６２上に組み立てられており、２つの干渉防止シート（anti-interference sheets）６５、温度制御ユニット６２１、及び放熱ユニット６６が、この順序でホルダアセンブリ６２２の下に配置されるとともに、熱伝導シート６４が、前述の２つの隣接する構成要素の間に置かれている。

【0031】

この実施形態の温度制御ユニット６２１は、熱電冷却器（ＴＥＣ：thermal electric cooler）であり、これは、ホルダアセンブリ６２２上のレーザーバーＢが加熱又は冷却され得るように、干渉防止シート６５及び熱伝導シート６４を通じてホルダアセンブリ６２２の温度を調節することが可能である。更に、放熱ユニット６６は、温度制御ユニット６２１の下に設けられており、温度が変更されなければならない場合の急速な放熱のために使用され得る。好ましくは、放熱ファンが、放熱ユニット６６のフィンの下に配置され得る。

【0032】

図６Ｂ及び図６Ｃに示されるように、この実施形態のホルダアセンブリ６２２は、本体６２３と、着脱式ホルダ６２４と、を含む。本体６２３は、負圧チャネルＣＨを含み、着脱式ホルダ６２４は、その上面に２つの吸着孔６２５が設けられている。２つの吸着孔６２５の配置は、レーザーバーＢの形状に対応し、即ち、２つの吸着孔６２５は、レーザーロッド本体Ｂが、レーザーロッド本体Ｂの長さ方向におけるその両端部において吸着されるように設けられている。負圧チャネルＣＨの一端は、負圧源（図示せず）と連通しており、負圧チャネルＣＨの他端は、２つの吸着孔６２５と連通している。換言すれば、着脱式ホルダ６２４は、２つの吸着孔６２５によって、レーザーバーＢを吸着及び保持し得る。この実施形態の着脱式ホルダ６２４が、被試験デバイス（レーザーバーＢ）の仕様に応じて、別の好適な着脱式ホルダといつでも取り替えられ得ることがより重要である。

【0033】

図６Ｃに示されるように、この実施形態の着脱式ホルダ６２４は、担持面６３１と、垂直面６３２と、傾斜面６３３と、を含む。担持面６３１の幅は、レーザーバーＢの幅に等しく、レーザーバーＢを担持するために設けられている。２つの吸着孔は、担持面６３１上に形成されている。垂直面６３２は、担持面の一方の側縁部に連結されており、一方、傾斜面６３３は、担持面の他方の側縁部に連結されている。傾斜面６３３と担持面６３１は、３０度～９０度の範囲内で挟角θを形成している。したがって、この設計は、端面発光レーザー（ＥＥＬ）ダイオードである被試験デバイスにとって特に好適であり、これは、その発光面が、その本体の２つの対応する側面であるからである。傾斜面６３３は、端面発光レーザーダイオードの発光した光がホルダ本体によって遮られることを防止するように設計されている。換言すれば、レーザーバーＢの発光した光は、テスト精度に影響が及ばないように、遮られることを防止される。

【0034】

図２Ｂを参照する。この実施形態における第１のテストセクションＺ１の動作が以下で詳細に説明される。最初に、第１の移送デバイス４１は、テストされるべきレーザーバーＢを第１のテストステーションＳ１に移動させる。このステップでは、温度制御ユニット６２１（図６Ａを参照）は、ホルダアセンブリ６２２を高温に予熱する。レーザーバーＢは、ホルダアセンブリ６２２上に載置されているので、レーザーバーＢの温度は急速に上昇し得る。次いで、主制御装置６は、レーザーバーＢの各レーザーダイオードＬのコンタクトＬｃと順次に電気的に接触するように、第１のプローブモジュール３１を制御し、第１のプローブモジュール３１によって電気的に接触されているレーザーダイオードＬのＤＣ特性及び光パワーを順次に測定するように、第１の測定デバイス２１を制御する。レーザーバーＢの各レーザーダイオードＬがテストされるとき、第１の移送デバイス４１は、第１の測定デバイス２１が、測定されるべき各レーザーダイオードＬの発光点Ｌｅと位置合わせされ、第１のプローブモジュール３１が、各レーザーダイオードＬのコンタクトＬｃと位置合わせされるように、依然としてレーザーバーＢを移動させることを担うことに特に留意されたく、ここで、第１のプローブモジュール３１は、単純に上げ下げされる。

【0035】

第１のテストステーションＳ１の光電テストが完了した後、第１の移送デバイス４１は、レーザーバーＢを第１のテストステーションＳ１から出ていくように移動させ、それを第２のピックアンドプレースデバイス５２の真下の位置に移送し、第２のピックアンドプレースデバイス５２は、レーザーバーＢを第１の移送デバイス４１から取り出す。被試験デバイスを積載していない第１の移送デバイス４１は、第２のピックアンドプレースデバイス５２の真下の位置から離れるように移動される。被試験デバイスを積載していない第２の移送デバイス４２は、第２のピックアンドプレースデバイス５２の真下の位置に移動され、第２のピックアンドプレースデバイス５２は、吸着したレーザーバーＢを第２の移送デバイス４２上に載置する。第２の移送デバイス４２は、レーザーバーＢを第２のテストステーションＳ２に移動させ、主制御装置６は、レーザーバーＢの各レーザーダイオードＬのコンタクトＬｃと順次に電気的に接触するように、第２のプローブモジュール３２を制御し、第２のプローブモジュール３２によって電気的に接触されているレーザーダイオードＬの光学的特性を順次に測定するように、第２の測定デバイス２２を制御する。

【0036】

第２のテストステーションＳ２の光学的測定が完了した後、第２の移送デバイス４２は、レーザーバーＢを第２のテストステーションＳ２から出ていくように移動させ、それを第３のピックアンドプレースデバイス５３の真下の位置に移送する。第３のピックアンドプレースデバイス５３は、レーザーバーＢを第２の移送デバイス４２から取り出し、被試験デバイスを積載していない第２の移送デバイス４２は、第３のピックアンドプレースデバイス５３の真下の位置から離れるように移動される。被試験デバイスを積載していない第３の移送デバイス４３は、第３のピックアンドプレースデバイス５３の真下の位置に移動され、第３のピックアンドプレースデバイス５３は、吸着したレーザーバーＢを第３の移送デバイス４３上に載置する。次いで、第３の移送デバイス４３は、レーザーバーＢを第３のテストステーションＳ３に移動させ、主制御装置６は、レーザーバーＢの各レーザーダイオードＬのコンタクトＬｃと順次に電気的に接触するように、第３のプローブモジュール３３を制御し、第３のプローブモジュール３３によって電気的に接触されているレーザーダイオードＬの別の光学的特性を順次に測定するように、第３の測定デバイス２３を制御する。

【0037】

本発明のホルダアセンブリの別の実施形態の部分拡大断面図である図７を参照する。この実施形態は、主に、本発明が、ホルダアセンブリ６２２のタイプが変更された場合に、複数の独立したレーザーダイオードのテストにも適用され得ることを例示するために使用される。具体的には、図７に示されるように、この実施形態のホルダアセンブリ６２２の本体６２３は、着脱式ホルダ６２４において形成された８つの吸着孔６２５に対応する８つの負圧チャネルＣＨを含む。各吸着孔６２５は、レーザーダイオード（図示せず）を吸着及び保持し得る。したがって、この実施形態のホルダアセンブリ６２２は、８つのレーザーダイオードを積載し得る。各負圧チャネルＣＨは、各レーザーダイオードが独立に保持又は開放され得るように、独立に制御され得る。

【0038】

要約すると、各テストステーションは、本発明においてモジュール化され得、移送デバイスを装備され、ピックアンドプレースデバイスが、全ての２つのテストステーションの間に配置されている。したがって、ユーザは、実際のニーズに従ってテストステーションの数を任意に増減し、テストステーションを任意に変更し得、また、ユーザは、テストステーション間の距離を容易に調整し得る。本発明の移送デバイスは、磁気浮上移送モジュールを採用している。各移送デバイスは、独立に制御及び動作され、それぞれのテストステーションにおいて移動し得る。動作の繰返し精度は、非常に高く、誤差形成の確率（probability of error formation）は低く、それはまた、較正が容易であり、したがって、移送精度は極めて高い。より重要なことは、移動体（移送デバイス）が、いかなる配線も有しておらず、単純化されていることである。本発明は、レーザーバーのテストのみならず、ホルダアセンブリが変更された場合に、単一の独立したレーザーダイオードのテストにも適用可能である。

【0039】

本発明の好ましい実施形態は、例示的であるにすぎず、請求項に記載の発明は、図面及び明細書に開示された詳細に限定されない。したがって、それは、以下の特許請求の範囲の文言によって許可される全範囲を有するように意図される。
以下に、出願当初の特許請求の範囲に記載の事項を、そのまま、付記しておく。
［Ｃ１］
各レーザーダイオードが少なくとも１つのコンタクトを含む、複数のレーザーダイオードをテストするためのレーザーダイオードテストシステムであって、前記レーザーダイオードテストシステムは、
電磁スライドに結合され、少なくとも１つの永久磁石を含み、前記電磁スライドが前記電磁スライドの長手方向に配置された複数の磁界励磁ユニットを含み、前記複数のレーザーダイオードが載置されている第１の移送デバイスと、
第１の測定デバイスと、第１のプローブモジュールと、を含む第１のテストステーションと、
前記電磁スライドの前記複数の磁界励磁ユニットと、前記第１の測定デバイスと、前記第１のプローブモジュールとに電気的に接続されている主制御装置と、
を備え、
前記主制御装置の制御下にある前記電磁スライドの前記複数の磁界励磁ユニットのうちの少なくとも１つによって磁界が生成され、前記第１の移送デバイスの前記少なくとも１つの永久磁石によって生成される磁界と相互作用し、これにより、前記第１の移送デバイスは、前記複数のレーザーダイオードを前記第１のテストステーションへ、又は前記第１のテストステーションから離れるように移送するように駆動され、
前記第１の移送デバイスが前記第１のテストステーションに位置するとき、前記第１のプローブモジュールは、前記主制御装置によって制御され、各レーザーダイオードの前記少なくとも１つのコンタクトと順次に電気的に接触させられ、前記第１の測定デバイスは、前記主制御装置によって制御され、前記第１のプローブモジュールによって電気的に接触されている各レーザーダイオードの電気的特性及び光学的特性のうちの少なくとも１つを順次に測定する、レーザーダイオードテストシステム。
［Ｃ２］
第２のテストステーションと、第２の移送デバイスと、ピックアンドプレースデバイスと、を更に備え、前記第２のテストステーションは、第２の測定デバイスと、第２のプローブモジュールと、を含み、前記第２の移送デバイスは、前記電磁スライドに結合されており、前記ピックアンドプレースデバイスは、前記第１のテストステーションと前記第２のテストステーションとの間に配設されており、前記第２の測定デバイス、前記第２のプローブモジュール、及び前記ピックアンドプレースデバイスは、前記主制御装置に電気的に接続されており、前記第１のテストステーションの前記第１の測定デバイスが、前記複数のレーザーダイオードの前記電気的特性及び前記光学的特性のうちの少なくとも１つを測定すると、前記第１の移送デバイスは、前記主制御装置によって駆動され、前記複数のレーザーダイオードを前記第１のテストステーションから離れるように移送し、前記ピックアンドプレースデバイスは、前記主制御装置によって制御され、前記複数のレーザーダイオードを前記第２の移送デバイスに移送し、前記第２の移送デバイスは、前記主制御装置によって駆動され、前記複数のレーザーダイオードを前記第２のテストステーションに移送し、前記第２のプローブモジュールは、前記主制御装置によって制御され、各レーザーダイオードの前記少なくとも１つのコンタクトと順次に電気的に接触させられ、前記第２の測定デバイスは、前記主制御装置によって制御され、前記第２のプローブモジュールによって電気的に接触されている前記複数のレーザーダイオードの前記電気的特性及び前記光学的特性のうちの少なくとも１つを測定する、Ｃ１に記載のレーザーダイオードテストシステム。
［Ｃ３］
前記電磁スライドと平行に配置されたガイドレールを更に備え、前記第１の移送デバイスは、前記ガイドレールに結合され且つ前記ガイドレール上で摺動可能な摺動フレームを更に含む、Ｃ１に記載のレーザーダイオードテストシステム。
［Ｃ４］
前記摺動フレームは、温度制御ユニットと、ホルダアセンブリと、を更に含み、前記温度制御ユニットは、前記ホルダアセンブリに結合され、前記ホルダを加熱又は冷却するために設けられており、前記ホルダアセンブリは、前記複数のレーザーダイオードを保持するために設けられている、Ｃ３に記載のレーザーダイオードテストシステム。
［Ｃ５］
前記ホルダアセンブリは、本体と、着脱式ホルダと、を含み、前記本体は、負圧チャネルを含み、前記着脱式ホルダは、その上面に少なくとも１つの吸着孔が設けられており、前記負圧チャネルの一端は、負圧源と連通しており、前記負圧チャネルの他端は、前記少なくとも１つの吸着孔と連通している、Ｃ４に記載のレーザーダイオードテストシステム。
［Ｃ６］
前記着脱式ホルダは、担持面と、垂直面と、傾斜面と、を含み、前記担持面は、前記複数のレーザーダイオードの幅に等しい幅を有し、且つ前記複数のレーザーダイオードを担持するために設けられており、前記少なくとも１つの吸着孔は、前記担持面上に形成されており、前記垂直面は、前記担持面の一方の側縁部に連結されており、一方、前記傾斜面は、前記担持面の他方の側縁部に連結されており、前記傾斜面と前記担持面は、３０度～９０度の範囲内で挟角θを形成している、Ｃ５に記載のレーザーダイオードテストシステム。
［Ｃ７］
前記第１の移送デバイス及び前記電磁スライドのうちの少なくとも１つは、前記主制御装置に電気的に接続され且つ前記第１の移送デバイスのリアルタイム位置を検出することによってリアルタイム位置信号を生成し、前記リアルタイム位置信号を前記主制御装置に送るために設けられている位置信号生成ユニットを更に含む、Ｃ１に記載のレーザーダイオードテストシステム。
［Ｃ８］
各レーザーダイオードが少なくとも１つのコンタクトを含む、複数のレーザーダイオードをテストするためのレーザーダイオードテスト方法であって、前記方法は、
（Ａ）第１の移送デバイスによって、前記複数のレーザーダイオードを、第１の測定デバイスと、第１のプローブモジュールと、を含む第１のテストステーションに移動させるステップと、
（Ｂ）各レーザーダイオードの前記少なくとも１つのコンタクトに順次に電気的に接触するように、前記第１のプローブモジュールを制御し、前記第１のプローブモジュールによって電気的に接触されている各レーザーダイオードの電気的特性及び光学的特性のうちの少なくとも１つを順次に測定するように、前記第１の測定デバイスを制御するステップと、
（Ｃ）前記第１の移送デバイスによって、前記複数のレーザーダイオードを前記第１のテストステーションから出ていくように移動させるステップと、
を備え、
前記第１の移送デバイスは、電磁スライドに結合されており、前記第１の移送デバイスは、少なくとも１つの永久磁石を含み、前記電磁スライドは、前記電磁スライドの長手方向に配置された複数の磁界励磁ユニットを含み、前記ステップ（Ａ）及び前記ステップ（Ｃ）において、前記主制御装置の制御下にある前記電磁スライドの前記複数の磁界励磁ユニットのうちの少なくとも１つによって磁界が生成され、前記第１の移送デバイスの前記少なくとも１つの永久磁石によって生成される磁界と相互作用し、これにより、前記第１の移送デバイスは、前記複数のレーザーダイオードを前記第１のテストステーションへ、又は前記第１のテストステーションから出ていくように移送するように駆動される、方法。
［Ｃ９］
前記ステップ（Ｃ）の後に、
（Ｄ）ピックアンドプレースデバイスによって、前記複数のレーザーダイオードを前記第１の移送デバイスから、前記電磁スライドに結合されている第２の移送デバイスに移動させるステップと、
（Ｅ）前記第２の移送デバイスによって、前記複数のレーザーダイオードを、第２の測定デバイスと、第２のプローブモジュールと、を含む第２のテストステーションに移動させるステップと、
（Ｆ）各レーザーダイオードの前記少なくとも１つのコンタクトに順次に電気的に接触するように、前記主制御装置によって前記第２のプローブモジュールを制御し、前記第２のプローブモジュールによって電気的に接触されている前記複数のレーザーダイオードの前記電気的特性及び前記光学的特性のうちの少なくとも１つを順次に測定するように、前記第２の測定デバイスを制御するステップと、
（Ｇ）前記第２の移送デバイスによって、前記複数のレーザーダイオードを前記第２のテストステーションから出ていくように移動させるステップと、
を更に備える、Ｃ８に記載の方法。
［Ｃ１０］
前記ステップ（Ｂ）の前に、
（Ｂ０）前記第１の移送デバイスの温度制御ユニットによって、前記複数のレーザーダイオードを加熱又は冷却するステップ、
を更に備える、Ｃ８に記載の方法。

【図1】

【図2A】

【図2B】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6A】

【図6B】

【図6C】

【図7】