特許 7372079 加熱部材の清浄方法および基板処理装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2023-10-23

(45)【発行日】2023-10-31

(54)【発明の名称】加熱部材の清浄方法および基板処理装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/304 20060101AFI20231024BHJP

【ＦＩ】

H01L21/304 643Z

H01L21/304 651B

H01L21/304 651M

H01L21/304 651L

H01L21/304 643A

【請求項の数】 13

(21)【出願番号】P 2019151245

(22)【出願日】2019-08-21

(65)【公開番号】P2021034475

(43)【公開日】2021-03-01

【審査請求日】2022-06-17

(73)【特許権者】

【識別番号】000207551

【氏名又は名称】株式会社ＳＣＲＥＥＮホールディングス

(74)【代理人】

【識別番号】100168583

【弁理士】

【氏名又は名称】前井 宏之

(72)【発明者】

【氏名】阿部 博史

(72)【発明者】

【氏名】奥谷 学

(72)【発明者】

【氏名】石津 岳明

【審査官】堀江 義隆

(56)【参考文献】

【文献】国際公開第２０１３／１４０９５５（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特開２００４－２５９７３４（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開平１０－１９９８５２（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２１／３０４

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板処理装置の加熱部材の清浄方法であって、
前記加熱部材の上面にリンス液を供給する工程と、
前記加熱部材の前記上面において前記リンス液と混ざるように、前記加熱部材の前記上面の外周部に薬液を選択的に供給する工程と、
前記加熱部材の前記上面から前記薬液を排出する工程と
を包含する、加熱部材の清浄方法。

【請求項2】

前記リンス液を供給した後、前記薬液を選択的に供給する前に、前記加熱部材の前記上面にガスを供給する工程をさらに包含する、請求項１に記載の加熱部材の清浄方法。

【請求項3】

前記ガスを供給する工程において、前記加熱部材の前記上面の中央に前記ガスを供給する、請求項２に記載の加熱部材の清浄方法。

【請求項4】

前記ガスを供給する工程は、前記加熱部材の前記上面の前記外周部において前記リンス液をリング状に形成する工程を含む、請求項２または３に記載の加熱部材の清浄方法。

【請求項5】

前記薬液を選択的に供給する工程は、前記加熱部材の前記上面の外周部において前記薬液をリング状に形成する工程を含む、請求項１から４のいずれかに記載の加熱部材の清浄方法。

【請求項6】

前記薬液を排出する工程は、前記薬液を前記加熱部材の前記上面の端部に移動させて前記加熱部材の前記上面の端部から前記薬液を排出する工程を含む、請求項１から５のいずれかに記載の加熱部材の清浄方法。

【請求項7】

前記薬液を排出する工程は、前記加熱部材の前記上面の中央にガスを供給する工程を含む、請求項１から６のいずれかに記載の加熱部材の清浄方法。

【請求項8】

前記薬液を排出する工程は、前記加熱部材を回転する工程を含む、請求項１から６のいずれかに記載の加熱部材の清浄方法。

【請求項9】

基板を保持するための基板保持部と、
前記基板保持部に保持された前記基板の裏面に対向する加熱部材と、
リンス液供給部と、
薬液供給部と、
前記加熱部材、前記薬液供給部および前記リンス液供給部を制御する制御部と
を備え、
前記制御部は、前記加熱部材の上面にリンス液を供給した後、前記加熱部材の前記上面の外周部に薬液を選択的に供給して前記加熱部材の前記上面において前記薬液が前記リンス液と混ざるように前記リンス液供給部および前記薬液供給部を制御する、基板処理装置。

【請求項10】

ガス供給部をさらに備え、
前記制御部は、前記加熱部材の前記上面の前記外周部に前記薬液を選択的に供給する前であって、前記加熱部材の前記上面に前記リンス液を供給した後に、前記加熱部材の前記上面にガスを供給するように前記ガス供給部を制御する、請求項９に記載の基板処理装置。

【請求項11】

前記制御部は、前記加熱部材の前記上面に前記ガスを供給することによって前記リンス液をリング状に形成するように前記ガス供給部を制御する、請求項１０に記載の基板処理装置。

【請求項12】

前記制御部は、前記加熱部材の前記上面の前記外周部に前記薬液を選択的に供給した後に、前記加熱部材の中央に前記ガスを供給するように前記ガス供給部を制御する、請求項１０または１１に記載の基板処理装置。

【請求項13】

前記加熱部材は、回転可能に構成されており、
前記制御部は、前記加熱部材の前記上面の前記外周部に前記薬液を選択的に供給した後に、前記加熱部材を回転するように前記加熱部材を制御する、請求項９から１２のいずれかに記載の基板処理装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、加熱部材の清浄方法および基板処理装置に関する。

【背景技術】

【0002】

基板を処理する基板処理装置が知られている。例えば、基板処理装置は半導体基板またはガラス基板の製造に用いられる。近年、半導体の高集積化および微細化が進められているが、その際に、基板に形成されたパターンが倒壊することが問題となっている。

【0003】

そのため、基板内のパターンの倒壊を抑止するために、基板の処理に用いた純水をイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）に置換して乾燥させることが検討されている。ＩＰＡの乾燥時には、加熱部材を用いて基板からＩＰＡを乾燥させる（例えば、特許文献１参照）。特許文献１の基板処理装置では、基板の近傍にランプを備えた照射部を配置することで基板からＩＰＡの乾燥を促進している。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【文献】特開２０１５－２９０４１号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

しかしながら、基板の近傍に照射部を配置する場合、基板を処理した処理液が照射部に付着することがある。照射部に付着した付着物は、基板周囲の雰囲気を悪化させるとともに、付着物が基板に再付着して基板の特性を低下させるおそれがある。

【0006】

本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、基板処理装置の加熱部材を効率的に清浄可能な加熱部材の清浄方法および基板処理装置を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本発明の一局面によれば、基板処理装置の加熱部材の清浄方法は、前記加熱部材の上面にリンス液を供給する工程と、前記加熱部材の前記上面において前記リンス液と混ざるように、前記加熱部材の前記上面の外周部に薬液を選択的に供給する工程と、前記加熱部材の前記上面から前記薬液を排出する工程とを包含する。

【0008】

ある実施形態において、前記加熱部材の清浄方法は、前記リンス液を供給した後、前記薬液を選択的に供給する前に、前記加熱部材の前記上面にガスを供給する工程をさらに包含する。

【0009】

ある実施形態では、前記ガスを供給する工程において、前記加熱部材の前記上面の中央に前記ガスを供給する。

【0010】

ある実施形態において、前記ガスを供給する工程は、前記加熱部材の前記上面の前記外周部において前記リンス液をリング状に形成する工程を含む、請求項２または３に記載の加熱部材の清浄方法。

【0011】

ある実施形態において、前記薬液を選択的に供給する工程は、前記加熱部材の前記上面の外周部において前記薬液をリング状に形成する工程を含む。

【0012】

ある実施形態において、前記薬液を排出する工程は、前記薬液を前記加熱部材の前記上面の端部に移動させて前記加熱部材の前記上面の端部から前記薬液を排出する工程を含む。

【0013】

ある実施形態において、前記薬液を排出する工程は、前記加熱部材の前記上面の中央にガスを供給する工程を含む。

【0014】

ある実施形態において、前記薬液を排出する工程は、前記加熱部材を回転する工程を含む。

【0015】

本発明の別の局面によれば、基板処理装置は、基板保持部と、加熱部材と、リンス液供給部と、薬液供給部と、制御部とを備える。前記基板保持部は、基板を保持するために用いられる。前記加熱部材は、前記基板保持部に保持された前記基板の裏面に対向する。前記制御部は、前記加熱部材、前記薬液供給部および前記リンス液供給部を制御する。前記制御部は、前記加熱部材の上面にリンス液を供給した後、前記加熱部材の前記上面の外周部に薬液を選択的に供給して前記加熱部材の前記上面において前記薬液が前記リンス液と混ざるように前記リンス液供給部および前記薬液供給部を制御する。

【0016】

ある実施形態において、前記基板処理装置は、ガス供給部をさらに備え、前記制御部は、前記加熱部材の前記上面の前記外周部に前記薬液を選択的に供給する前であって、前記加熱部材の前記上面に前記リンス液を供給した後に、前記加熱部材の前記上面にガスを供給するように前記ガス供給部を制御する。

【0017】

ある実施形態において、前記制御部は、前記加熱部材の前記上面に前記ガスを供給することによって前記リンス液をリング状に形成するように前記ガス供給部を制御する。

【0018】

ある実施形態において、前記制御部は、前記加熱部材の前記上面の前記外周部に前記薬液を選択的に供給した後に、前記加熱部材の中央に前記ガスを供給するように前記ガス供給部を制御する。

【0019】

ある実施形態において、前記加熱部材は、回転可能に構成されており、前記制御部は、前記加熱部材の前記上面の前記外周部に前記薬液を選択的に供給した後に、前記加熱部材を回転するように前記加熱部材を制御する。

【発明の効果】

【0020】

本発明によれば、基板処理装置の加熱部材を効率的に清浄にできる。

【図面の簡単な説明】

【0021】

【図1】本実施形態の基板処理装置の模式図である。

【図2】本実施形態の基板処理装置の模式図である。

【図3】本実施形態の基板処理装置のブロック図である。

【図4】（ａ）～（ｆ）は、本実施形態の加熱部材の清浄方法を説明するための模式図である。

【図5】（ａ）～（ｅ）は、本実施形態の加熱部材の清浄方法を説明するための模式図である。

【図6】本実施形態の基板処理装置による基板処理方法を説明するためのフロー図である。

【図7】本実施形態の基板処理装置の模式図である。

【図8】本実施形態の基板処理装置の模式図である。

【図9】本実施形態の加熱部材の清浄方法を説明するためのフロー図である。

【図10】本実施形態の基板処理装置の模式図である。

【図11】本実施形態の基板処理装置の模式図である。

【図12】本実施形態の基板処理装置の模式図である。

【図13】本実施形態の基板処理装置による基板処理方法を説明するためのフローチャートである。

【図14】本実施形態の基板処理装置の模式図である。

【図15】本実施形態の基板処理装置の模式図である。

【発明を実施するための形態】

【0022】

以下、図面を参照して、本発明による基板処理装置および加熱部材の清浄方法の実施形態を説明する。なお、図中、同一または相当部分については同一の参照符号を付して説明を繰り返さない。なお、本願明細書では、発明の理解を容易にするため、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を記載することがある。典型的には、Ｘ軸およびＹ軸は水平方向に平行であり、Ｚ軸は鉛直方向に平行である。

【0023】

まず、図１を参照して、本発明による基板処理装置１００の実施形態を説明する。図１は、本実施形態の基板処理装置１００の模式的な平面図である。

【0024】

基板処理装置１００は、基板Ｗを処理する。基板処理装置１００は、基板Ｗに対して、エッチング、表面処理、特性付与、処理膜形成、膜の少なくとも一部の除去および洗浄のうちの少なくとも１つを行うように基板Ｗを処理する。

【0025】

基板Ｗは、例えば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、電界放出ディスプレイ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ：ＦＥＤ）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板および太陽電池用基板を含む。例えば、基板Ｗは略円板状である。ここでは、基板処理装置１００は、基板Ｗを一枚ずつ処理する。

【0026】

図１に示すように、基板処理装置１００は、複数のチャンバー１１０と、流体キャビネット１００Ａと、流体ボックス１００Ｂと、複数のロードポートＬＰと、インデクサーロボットＩＲと、センターロボットＣＲと、制御装置１０１とを備える。制御装置１０１は、ロードポートＬＰ、インデクサーロボットＩＲおよびセンターロボットＣＲを制御する。制御装置１０１は、制御部１０２および記憶部１０４を含む。

【0027】

ロードポートＬＰの各々は、複数枚の基板Ｗを積層して収容する。インデクサーロボットＩＲは、ロードポートＬＰとセンターロボットＣＲとの間で基板Ｗを搬送する。センターロボットＣＲは、インデクサーロボットＩＲとチャンバー１１０との間で基板Ｗを搬送する。チャンバー１１０の各々は、基板Ｗに処理液を吐出して、基板Ｗを処理する。処理液は、薬液、リンス液および／または有機溶剤を含む。流体キャビネット１００Ａは、処理液およびガスを収容する。

【0028】

具体的には、複数のチャンバー１１０は、平面視においてセンターロボットＣＲを取り囲むように配置された複数のタワーＴＷ（図１では４つのタワーＴＷ）を形成している。各タワーＴＷは、上下に積層された複数のチャンバー１１０（図１では３つのチャンバー１１０）を含む。流体ボックス１００Ｂは、それぞれ、複数のタワーＴＷに対応している。流体キャビネット１００Ａ内の処理液は、いずれかの流体ボックス１００Ｂを介して、流体ボックス１００Ｂに対応するタワーＴＷに含まれる全てのチャンバー１１０に供給される。また、流体キャビネット１００Ａ内のガスは、いずれかの流体ボックス１００Ｂを介して、流体ボックス１００Ｂに対応するタワーＴＷに含まれる全てのチャンバー１１０に供給される。

【0029】

基板処理装置１００は、制御装置１０１をさらに備える。制御装置１０１は、基板処理装置１００の各種動作を制御する。

【0030】

制御装置１０１は、制御部１０２および記憶部１０４を含む。制御部１０２は、プロセッサーを有する。制御部１０２は、例えば、中央処理演算機（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ：ＣＰＵ）を有する。または、制御部１０２は、汎用演算機を有してもよい。

【0031】

記憶部１０４は、データおよびコンピュータプログラムを記憶する。データは、レシピデータを含む。レシピデータは、複数のレシピを示す情報を含む。複数のレシピの各々は、基板Ｗの処理内容および処理手順を規定する。

【0032】

記憶部１０４は、主記憶装置と、補助記憶装置とを含む。主記憶装置は、例えば、半導体メモリーである。補助記憶装置は、例えば、半導体メモリーおよび／またはハードディスクドライブである。記憶部１０４はリムーバブルメディアを含んでいてもよい。制御部１０２は、記憶部１０４の記憶しているコンピュータプログラムを実行して、基板処理動作を実行する。

【0033】

次に、図２を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図２は、基板処理装置１００の模式図である。

【0034】

基板処理装置１００は、チャンバー１１０と、基板保持部１２０と、薬液供給部１３２と、リンス液供給部１３４と、有機溶剤供給部１３６と、ガス供給部１４０と、加熱部材１５０とを備える。チャンバー１１０は、基板Ｗを収容する。基板保持部１２０は、基板Ｗを保持する。リンス液供給部１３４は、基板Ｗにリンス液を供給する。有機溶剤供給部１３６は、基板Ｗに有機溶剤を供給する。なお、本明細書において、薬液供給部１３２、リンス液供給部１３４および有機溶剤供給部１３６を総称して処理液供給部１３０と記載することがある。ガス供給部１４０は、基板Ｗにガスを供給する。加熱部材１５０は、基板Ｗを加熱する。

【0035】

チャンバー１１０は、内部空間を有する略箱形状である。チャンバー１１０は、基板Ｗを収容する。ここでは、基板処理装置１００は基板Ｗを１枚ずつ処理する枚葉型であり、チャンバー１１０には基板Ｗが１枚ずつ収容される。基板Ｗは、チャンバー１１０内に収容され、チャンバー１１０内で処理される。チャンバー１１０には、基板保持部１２０、薬液供給部１３２、リンス液供給部１３４、有機溶剤供給部１３６および加熱部材１５０のそれぞれの少なくとも一部が収容される。

【0036】

基板保持部１２０は、基板Ｗを保持する。基板保持部１２０は、基板Ｗの上面（表面）Ｗａを上方に向け、基板Ｗの裏面（下面）Ｗｂを鉛直下方に向くように基板Ｗを水平に保持する。また、基板保持部１２０は、基板Ｗを保持した状態で基板Ｗを回転させる。

【0037】

例えば、基板保持部１２０は、基板Ｗの端部を挟持する挟持式であってもよい。あるいは、基板保持部１２０は、基板Ｗを裏面Ｗｂから保持する任意の機構を有してもよい。例えば、基板保持部１２０は、バキューム式であってもよい。この場合、基板保持部１２０は、非デバイス形成面である基板Ｗの裏面Ｗｂの中央部を上面に吸着させることにより基板Ｗを水平に保持する。あるいは、基板保持部１２０は、複数のチャックピンを基板Ｗの周端面に接触させる挟持式とバキューム式とを組み合わせてもよい。

【0038】

例えば、基板保持部１２０は、スピンベース１２１と、チャック部材１２２と、シャフト１２３と、電動モーター１２４と、ハウジング１２５とを含む。チャック部材１２２は、スピンベース１２１に設けられる。チャック部材１２２は、基板Ｗをチャックする。典型的には、スピンベース１２１には、複数のチャック部材１２２が設けられる。

【0039】

シャフト１２３は、中空軸である。シャフト１２３は、回転軸Ａｘに沿って鉛直方向に延びている。シャフト１２３の上端には、スピンベース１２１が結合されている。基板Ｗは、スピンベース１２１の上方に載置される。

【0040】

スピンベース１２１は、円板状であり、基板Ｗを水平に支持する。シャフト１２３は、スピンベース１２１の中央部から下方に延びる。電動モーター１２４は、シャフト１２３に回転力を与える。電動モーター１２４は、シャフト１２３を回転方向に回転させることにより、回転軸Ａｘを中心に基板Ｗおよびスピンベース１２１を回転させる。ハウジング１２５は、シャフト１２３および電動モーター１２４を取り囲んでいる。

【0041】

薬液供給部１３２は、基板Ｗの上面Ｗａに薬液を供給する。薬液を用いた薬液処理により、基板Ｗの上面Ｗａを処理できる。薬液処理により、基板Ｗに対して、エッチング、表面処理、特性付与、処理膜形成および膜の少なくとも一部の除去のいずれかを行うことが可能である。典型的には、薬液は、基板Ｗのエッチング処理に用いられるエッチング液である。

【0042】

薬液は、フッ酸を含む。例えば、フッ酸は、４０℃以上７０℃以下に加熱されてもよく、５０℃以上６０℃以下に加熱されてもよい。ただし、フッ酸は、加熱されなくてもよい。なお、薬液は、過酸化水素水をさらに含んでもよい。また、薬液は、ＳＣ１（アンモニア過酸化水素水混合液）、ＳＣ２（塩酸過酸化水素水混合液）または王水（濃塩酸と濃硝酸との混合物）を含んでもよい。

【0043】

薬液供給部１３２は、配管１３２ａと、バルブ１３２ｂと、ノズル１３２ｎとを含む。ノズル１３２ｎは基板Ｗの上面Ｗａに薬液を吐出する。ノズル１３２ｎは、配管１３２ａに接続される。配管１３２ａには、供給源から薬液が供給される。バルブ１３２ｂは、配管１３２ａ内の流路を開閉する。ノズル１３２ｎは、基板Ｗに対して移動可能に構成されていることが好ましい。

【0044】

リンス液供給部１３４は、基板Ｗの上面Ｗａにリンス液を供給する。リンス液を用いたリンス処理により、基板Ｗの上面Ｗａに付着した薬液および不純物等を洗い流すことができる。リンス液供給部１３４から供給されるリンス液は、脱イオン水（Ｄｅｉｏｎｉｚｅｄ Ｗａｔｅｒ：ＤＩＷ）、炭酸水、電解イオン水、オゾン水、アンモニア水、希釈濃度（例えば、１０ｐｐｍ～１００ｐｐｍ程度）の塩酸水、または、還元水（水素水）のいずれかを含んでもよい。

【0045】

リンス液供給部１３４は、配管１３４ａと、バルブ１３４ｂと、ノズル１３４ｎとを含む。ノズル１３４ｎは、基板Ｗの上面Ｗａにリンス液を吐出する。ノズル１３４ｎは、配管１３４ａに接続される。配管１３４ａには、供給源からリンス液が供給される。バルブ１３４ｂは、配管１３４ａ内の流路を開閉する。

【0046】

有機溶剤供給部１３６は、基板Ｗの上面Ｗａに有機溶剤を供給する。有機溶剤を用いた有機溶剤処理により、基板Ｗの上面Ｗａのリンス液を有機溶剤に置換できる。典型的には、有機溶剤の揮発性は、リンス液の揮発性よりも高い。

【0047】

有機溶剤供給部１３６から供給される有機溶剤は、イソプロピルアルコール（ｉｓｏｐｒｏｐｙｌ ａｌｃｏｈｏｌ：ＩＰＡ）を含んでもよい。あるいは、有機溶剤は、メタノール、エタノール、アセトン、ハイドロフルオロエーテル（ｈｙｄｒｏｆｌｕｏｒｏ ｅｔｈｅｒ：ＨＦＥ）、プロピレングリコールモノエチルエーテル（ｐｒｏｐｙｌｅｎｅ ｇｌｙｃｏｌ ｅｔｈｙｌ ｅｔｈｅｒ：ＰＧＥＥ）、または、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ｐｒｏｐｙｌｅｎｅｇｌｙｃｏｌ ｍｏｎｏｍｅｔｈｙｌ ｅｔｈｅｒ ａｃｅｔａｔｅ：ＰＧＭＥＡ）を含んでもよい。

【0048】

有機溶剤供給部１３６は、配管１３６ａと、バルブ１３６ｂと、ノズル１３６ｎとを含む。ノズル１３６ｎは基板Ｗの上面Ｗａに有機溶剤を吐出する。ノズル１３６ｎは、配管１３６ａに接続される。配管１３６ａには、供給源から有機溶剤が供給される。バルブ１３６ｂは、配管１３６ａ内の流路を開閉する。

【0049】

ガス供給部１４０は、基板Ｗにガスを供給する。例えば、ガス供給部１４０は、基板Ｗの上面Ｗａにガスを供給する。ガス供給部１４０から供給されるガスは、例えば不活性ガスである。一例では、ガスは、窒素ガスを含む。

【0050】

ガス供給部１４０は、配管１４０ａと、バルブ１４０ｂと、ノズル１４０ｎとを含む。バルブ１４０ｂは、配管１４０ａに配置される。配管１４０ａは、ガスをチャンバー１１０内に導く。バルブ１４０ｂは、配管１４０ａ内の流路を開閉する。

【0051】

加熱部材１５０は、基板保持部１２０に保持された基板Ｗを加熱する。加熱部材１５０は、薄板の円板形状を有している。加熱部材１５０は、ホットプレートとも呼ばれる。加熱部材１５０は、基板Ｗと基板保持部１２０との間に配置される。詳細には、加熱部材１５０は、スピンベース１２１の上方に配置される。

【0052】

加熱部材１５０は、基板Ｗと接触してもよく、基板Ｗと接触しなくてもよい。また、加熱部材１５０は、基板保持部１２０に保持された基板Ｗに対して移動可能であってもよい。加熱部材１５０が移動可能である場合、基板Ｗと加熱部材１５０との間の距離が短くなるように移動した状態で加熱部材１５０が基板Ｗの加熱を開始することが好ましい。

【0053】

加熱部材１５０は、上面１５０ａと、裏面１５０ｂと、側面１５０ｃとを有する。側面１５０ｃは、上面１５０ａと裏面１５０ｂとを連絡する。加熱部材１５０の上面１５０ａは、基板Ｗの裏面Ｗｂと対向する。また、加熱部材１５０の裏面１５０ｂは、スピンベース１２１と対向する。さらに、加熱部材１５０の側面１５０ｃは、チャック部材１２２と対向する。なお、ここでは、加熱部材１５０は、回転しないが、加熱部材１５０は、回転するように構成されてもよい。

【0054】

加熱部材１５０は、本体部１５２と、ヒーター１５４と、支持部１５５と、通電ユニット１５６とを含む。例えば、本体部１５２は、セラミックまたは炭化ケイ素（ＳｉＣ）を用いて形成される。本体部１５２の表面は、疎水化されていてもよい。ヒーター１５４は、本体部１５２に内蔵されている。ヒーター１５４は、抵抗体であってもよい。

【0055】

本体部１５２は、水平方向に延びた円板形状を有する。本体部１５２は、鉛直方向に延びた支持部１５５に取り付けられる。支持部１５５は、本体部１５２を支持する。支持部１５５は、シャフト１２３の内孔に配置される。

【0056】

通電ユニット１５６は、給電線１５４Ｌを介してヒーター１５４と電気的に接続する。給電線１５４Ｌは、シャフト１２３の内孔を介してヒーター１５４と通電ユニット１５６とを連絡する。支持部１５５は、中空筒形状であってもよく、給電線１５４Ｌは、支持部１５５の内孔を通過してもよい。または、支持部１５５は、柱形状であってもよく、給電線１５４Ｌは、支持部１５５に埋没されていてもよい。

【0057】

通電ユニット１５６は、ヒーター１５４に電流を供給する。ヒーター１５４が抵抗体である場合、ヒーター１５４は、熱抵抗によって加熱する。通電ユニット１５６がヒーター１５４に通電することによって、加熱部材１５０の上面１５０ａの温度が室温よりも上昇する。例えば、加熱部材１５０の上面１５０ａの温度は、上面１５０ａは面内で均一である。このようにして、加熱部材１５０は、基板Ｗを加熱する。

【0058】

基板処理装置１００は、カップ１８０および昇降ユニット１８２をさらに備える。カップ１８０は、基板Ｗから飛散した液体を回収する。昇降ユニット１８２は、カップ１８０を昇降する。昇降ユニット１８２により、カップ１８０は、基板Ｗの側方にまで鉛直上方に上昇する。この場合、カップ１８０は、基板Ｗの回転によって基板Ｗから飛散する処理液を回収する。また、昇降ユニット１８２により、カップ１８０は、基板Ｗの側方から鉛直下方に下降する。

【0059】

上述したように、制御装置１０１は、制御部１０２および記憶部１０４を含む。制御部１０２は、基板保持部１２０、薬液供給部１３２、リンス液供給部１３４、有機溶剤供給部１３６、加熱部材１５０および／またはカップ１８０を制御する。一例では、制御部１０２は、電動モーター１２４、バルブ１３２ｂ、１３４ｂ、１３６ｂ、１４０ｂ、通電ユニット１５６および／または昇降ユニット１８２を制御する。

【0060】

本実施形態の基板処理装置１００は、半導体の設けられた半導体基板の処理に好適に用いられる。典型的には、半導体基板には、基材の上に導電層および絶縁層が積層されている。基板処理装置１００は、半導体基板の製造時に、導電層および／または絶縁層の洗浄および／または加工（例えば、エッチング、特性変化等）に好適に用いられる。

【0061】

本実施形態の基板処理装置１００は、基板Ｗをウエットエッチング処理する際に好適に用いられる。基板Ｗをウエットエッチング処理すると、基板Ｗの材料が部分的に溶解するため、溶解した成分が基板処理装置１００内に付着することがある。この場合、付着物が基板Ｗに付着すると、基板Ｗの特性が低下してしまう。しかしながら、本実施形態によれば、基板処理装置１００の加熱部材１５０を好適に清浄にでき、基板処理装置１００によって処理される基板Ｗに悪影響が生じることを抑制できる。

【0062】

次に、図１から図３を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図３は、基板処理装置１００のブロック図である。

【0063】

図３に示すように、制御装置１０１は、基板処理装置１００の各種動作を制御する。制御装置１０１は、インデクサーロボットＩＲ、センターロボットＣＲ、基板保持部１２０と、処理液供給部１３０、ガス供給部１４０と、通電ユニット１５６と、昇降ユニット１８２とを制御する。具体的には、制御装置１０１は、インデクサーロボットＩＲ、センターロボットＣＲ、基板保持部１２０と、処理液供給部１３０、ガス供給部１４０、通電ユニット１５６、昇降ユニット１８２とに制御信号を送信することによって、インデクサーロボットＩＲ、センターロボットＣＲ、基板保持部１２０と、処理液供給部１３０、ガス供給部１４０と、昇降ユニット１８２とを制御する。

【0064】

具体的には、制御部１０２は、インデクサーロボットＩＲを制御して、インデクサーロボットＩＲによって基板Ｗを受け渡しする。

【0065】

制御部１０２は、センターロボットＣＲを制御して、センターロボットＣＲによって基板Ｗを受け渡しする。例えば、センターロボットＣＲは、未処理の基板Ｗを受け取って、複数のチャンバー１１０のうちのいずれかに基板Ｗを搬入する。また、センターロボットＣＲは、処理された基板Ｗをチャンバー１１０から受け取って、基板Ｗを搬出する。

【0066】

制御部１０２は、処理液供給部１３０のバルブ１３２ｂ、１３４ｂ、１３６ｂをそれぞれ別個に制御して、バルブ１３２ｂ、１３４ｂ、１３６ｂの状態を開状態と閉状態とに切り替えることができる。具体的には、制御部１０２は、処理液供給部１３０のバルブ１３２ｂ、１３４ｂ、１３６ｂを制御して、バルブ１３２ｂ、１３４ｂ、１３６ｂを開状態にすることによって、ノズル１３２ｎ、１３４ｎ、１３６ｎに向かって配管１３２ａ、１３４ａ、１３６ａ内を流れる薬液、リンス液および有機溶剤を通過させることができる。また、制御部１０２は、処理液供給部１３０のバルブ１３２ｂ、１３４ｂ、１３６ｂを制御して、バルブ１３２ｂ、１３４ｂ、１３６ｂを閉状態にすることによって、ノズル１３２ｎ、１３４ｎ、１３６ｎに向かって配管１３２ａ、１３４ａ、１３６ａ内を流れる薬液、リンス液および有機溶剤の供給をそれぞれ停止させることができる。

【0067】

制御部１０２は、ガス供給部１４０のバルブ１４０ｂを制御して、バルブ１４０ｂの状態を開状態と閉状態とに切り替えることができる。具体的には、制御部１０２は、ガス供給部１４０のバルブ１４０ｂを制御して、バルブ１４０ｂを開状態にすることによって、ノズル１４０ｎに向かって配管１４０ａ内を流れるガスを通過させることができる。また、制御部１０２は、ガス供給部１４０のバルブ１４０ｂを制御して、バルブ１４０ｂを閉状態にすることによって、ノズル１４０ｎに向かって配管１４０ａ内を流れるガスの供給を停止させることができる。

【0068】

制御部１０２は、通電ユニット１５６を制御して、加熱部材１５０の加熱を制御できる。具体的には、制御部１０２は、通電ユニット１５６を制御して、加熱部材１５０のヒーター１５４に電流を供給することによって、加熱部材１５０の加熱を開始できる。一方、制御部１０２は、通電ユニット１５６を制御して、加熱部材１５０のヒーター１５４に電流の供給を停止することによって、加熱部材１５０の加熱を停止できる。

【0069】

制御部１０２は、昇降ユニット１８２を制御して、カップ１８０を移動できる。具体的には、制御部１０２は、昇降ユニット１８２を制御して、カップ１８０を鉛直方向に上昇させることによって、カップ１８０の位置を基板保持部１２０の側方に移動できる。一方、制御部１０２は、昇降ユニット１８２を制御して、カップ１８０を鉛直方向に下降させることによって、カップ１８０の位置を退避位置に移動することができる。

【0070】

次に、図１～図４を参照して、本実施形態による加熱部材１５０の清浄処理を説明する。図４（ａ）～図４（ｆ）は、加熱部材１５０の清浄処理を説明するための模式図である。なお、加熱部材１５０の清浄処理は、基板Ｗを処理する前に行われてもよい。あるいは、加熱部材１５０の清浄処理は、基板Ｗを処理した後に行われてもよい。

【0071】

図４（ａ）に示すように、加熱部材１５０の上方には、基板Ｗは配置されない。加熱部材１５０は、基板Ｗを処理する際に基板Ｗを加熱するために用いられる。このため、加熱部材１５０の上方には、基板Ｗを設置可能であるが、ここでは、基板Ｗは、加熱部材１５０の上方に配置されない。

【0072】

図４（ｂ）に示すように、リンス液供給部１３４は、加熱部材１５０の上面１５０ａにリンス液Ｒを供給する。例えば、リンス液供給部１３４は、加熱部材１５０の上面１５０ａのうちの中心１５０ｄ近傍にリンス液Ｒを供給する。一例では、リンス液供給部１３４のノズル１３４ｎは、リンス液Ｒを吐出しながら、加熱部材１５０に対して、加熱部材１５０の上面１５０ａのうちの中心１５０ｄをまたぐように移動する。あるいは、リンス液供給部１３４は、加熱部材１５０の上面１５０ａの外周部にリンス液Ｒを供給する。なお、リンス液供給部１３４は、基板Ｗの処理に用いるためのものであるが、ここでは、加熱部材１５０を清浄にするために用いられる。

【0073】

図４（ｃ）に示すように、薬液供給部１３２は、加熱部材１５０の上面１５０ａの外周部に薬液Ｃｓを選択的に供給する。例えば、薬液供給部１３２は、加熱部材１５０の上面１５０ａのうちの中心１５０ｄと端部との間の中間位置よりも外側の位置に薬液Ｃｓを選択的に供給する。これにより、加熱部材１５０の上面１５０ａにおいて、薬液Ｃｓはリンス液Ｒと混ざりあってリンス液Ｒ内を拡散する。なお、薬液供給部１３２は、基板Ｗの処理に用いるためのものであるが、ここでは、加熱部材１５０を清浄にするために用いられる。なお、薬液Ｃｓは、薬液供給部１３２のノズル１３２ｎから加熱部材１５０の上面１５０ａの中心から離れた位置に向けて吐出される。

【0074】

なお、薬液Ｃｓが供給される前に、リンス液Ｒは、加熱部材１５０の上面１５０ａのうちの中心１５０ｄと端部との間の中間位置よりも外側に位置する。例えば、リンス液Ｒは、加熱部材１５０の上面１５０ａの外周部に位置する。リンス液Ｒは、ガス供給部１４０のガスが供給されることによって加熱部材１５０の上面１５０ａを移動して加熱部材１５０の上面１５０ａの外周部に位置してもよい。あるいは、リンス液供給部１３４のノズル１３４ｎは、加熱部材１５０の上面１５０ａの外周部にリンス液Ｒを吐出するように移動してもよい。

【0075】

加熱部材１５０の上面１５０ａの外周部において、リンス液Ｒは、リング状に形成される。なお、図４（ｃ）では、薬液Ｃｓの供給前に、リンス液Ｒは、加熱部材１５０の上面１５０ａの中心１５０ｄを覆わないが、リンス液Ｒは、加熱部材１５０の上面１５０ａの中心１５０ｄを覆ってもよい。

【0076】

図４（ｄ）に示すように、加熱部材１５０の上面１５０ａの外周部において、薬液Ｃｓは、リング状に形成される。薬液Ｃｓは、加熱部材１５０の上面１５０ａの中心１５０ｄを覆うことなく、加熱部材１５０の中心１５０ｄと上面１５０ａの端部との間の領域においてリング状に配置される。

【0077】

図４（ｅ）に示すように、加熱部材１５０の上面１５０ａにおいて、薬液Ｃｓを、上面１５０ａの端部に向かって移動させる。この場合、薬液Ｃｓは、加熱部材１５０の上面１５０ａにおいて、薬液Ｃｓのリングが広がるように移動する。薬液Ｃｓの移動に伴い、加熱部材１５０の上面１５０ａは清浄にされる。例えば、薬液Ｃｓは、ガスによって移動してもよい。あるいは、薬液Ｃｓは、加熱部材１５０の回転による遠心力に伴って移動してもよい。

【0078】

その後、図４（ｆ）に示すように、薬液Ｃｓは、加熱部材１５０の上面１５０ａから外部に排出される。以上のようにして、薬液Ｃｓにより、加熱部材１５０の上面１５０ａを清浄にできる。

【0079】

例えば、基板Ｗを処理する際に、基板Ｗの処理に用いた薬液、リンス液および有機溶剤のいずれかが基板Ｗから垂れて加熱部材に付着することがある。これらの処理液が加熱部材に付着すると、加熱部材の上面の外周部に不純物が付着する。特に、薬液として基板Ｗをエッチングするエッチング液を用いる場合、エッチング処理によって基板Ｗから除去された成分が加熱部材の上面の外周部に付着して、加熱部材の上面の外周部に付着物が形成されやすい。さらに、加熱部材は、温度変化を伴うため、付着物が固化することもある。その後、基板Ｗの処理中に、加熱部材の付着物の成分が加熱部材から基板Ｗに付着すると、基板Ｗの特性が変化してしまう。例えば、付着物は、金属を含むことがある。一例として、金属は、チタン（Ｔｉ）、コバルト（Ｃｏ）、タングステン（Ｗ）およびガリウム（Ｇａ）のいずれかを含む。

【0080】

本実施形態の基板処理装置１００によれば、加熱部材１５０の上面１５０ａの外周部に選択的に供給された薬液により、加熱部材１５０の上面１５０ａの外周部を効率的に清浄にできる。このため、加熱部材１５０の付着物の成分が基板Ｗに付着して基板Ｗの特性が低下することを抑制できる。

【0081】

なお、付着物に含有される金属の種類に応じて、異なる薬液を用いることが好ましい。付着物がチタン（Ｔｉ）を含む場合、典型的には、付着物は、酸化チタンおよび／または窒化チタンを含む。この場合、薬液としてフッ酸を用いることが好ましい。あるいは、薬液として、フッ酸および過酸化水素水を用いることが好ましい。特に、薬液として、フッ酸および過酸化水素水を交互に用いることが好ましい。過酸化水素水により、付着物の金属を酸化させることができる。また、フッ酸により、酸化物を除去できる。

【0082】

付着物がコバルト（Ｃｏ）を含む場合、薬液としてＳＣ２（塩酸過酸化水素水混合液）を用いることが好ましい。また、付着物がタングステン（Ｗ）を含む場合、薬液としてＳＣ１（アンモニア過酸化水素水混合液）を用いることが好ましい。あるいは、付着物がタングステン（Ｗ）を含む場合でも、薬液としてＳＣ２を用いてもよい。また、付着物がガリウム（Ｇａ）を含む場合、薬液として王水（濃塩酸と濃硝酸との混合物）を用いてもよい。

【0083】

なお、付着物は、金属を含有しなくてもよい。例えば、付着物は、エッチングの残渣であってもよい。または、付着物は、シリコンの残渣であってもよい。あるいは、付着物は、ドライエッチング後のポリマーの残渣であってもよい。

【0084】

薬液供給部１３２は、一方向にのみ移動可能であってもよい。例えば、薬液供給部１３２のノズル１３２ｎは、Ｘ方向に沿って移動可能であり、薬液供給部１３２は、基板Ｗの中心１５０ｄを通る直線上に移動可能であってもよい。また、薬液は、リンス液およびガスによって、加熱部材１５０の上面１５０ａにおいてリング状に形成されてもよい。

【0085】

次に、図１～図５を参照して、本実施形態による加熱部材１５０の清浄処理を説明する。図５（ａ）～図５（ｅ）は、加熱部材１５０の清浄処理を説明するための模式図である。

【0086】

図５（ａ）に示すように、加熱部材１５０にリンス液Ｒを供給する。詳細には、リンス液供給部１３４は、加熱部材１５０の上面１５０ａの中央にリンス液Ｒを供給する。リンス液Ｒは、加熱部材１５０の上面１５０ａの中心１５０ｄを覆う。なお、リンス液供給部１３４は、基板Ｗの処理に用いるためのものであるが、ここでは、加熱部材１５０を清浄にするために用いられる。

【0087】

図５（ｂ）に示すように、ガス供給部１４０は、加熱部材１５０の上面１５０ａの中央付近にガスＧを供給する。ガス供給部１４０からのガスＧにより、リンス液Ｒは、加熱部材１５０の上面１５０ａの中央から周囲に広がる。ここでは、リンス液Ｒは、加熱部材１５０の上面１５０ａの中心１５０ｄを覆うことなく、リング状に形成される。

【0088】

図５（ｃ）に示すように、薬液Ｃｓが、加熱部材１５０の上面１５０ａの外周部に選択的に供給される。詳細には、薬液供給部１３２は、加熱部材１５０の上面１５０ａのうちのリンス液Ｒに向けて薬液Ｃｓを供給する。ここでは、薬液供給部１３２は、加熱部材１５０の上面１５０ａの第１位置に薬液Ｃｓを吐出する。薬液Ｃｓは、リンス液Ｒと混ざりあってリンス液Ｒとともにリング状に沿って広がるように移動する。なお、加熱部材１５０の上面１５０ａには先にリンス液Ｒが吐出されているため、薬液Ｃｓは、加熱部材１５０の上面１５０ａにおいてリンス液Ｒに拡散して混合液となる一方で、薬液Ｃｓは、加熱部材１５０の上面１５０ａのうちのリンス液Ｒのない領域にはほとんど拡散しない。

【0089】

図５（ｄ）に示すように、薬液Ｃｓは、加熱部材１５０の上面１５０ａの外周部に選択的に供給される。詳細には、薬液供給部１３２は、加熱部材１５０の上面１５０ａのリンス液Ｒのある位置に向けて薬液Ｃｓを供給する。ここでは、薬液供給部１３２のノズル１３２ｎは、Ｘ方向に沿って、第１位置から第２位置に移動した後で、薬液Ｃｓを吐出する。薬液Ｃｓは、リング状のリンス液Ｒと薬液Ｃｓとの混合液に沿って広がるように移動する。

【0090】

図５（ｅ）に示すように、ガス供給部１４０は、加熱部材１５０の上面１５０ａにガスＧを供給する。ガス供給部１４０は、加熱部材１５０の上面１５０ａの中央付近にガスＧを供給する。ガス供給部１４０から供給されたガスＧにより、リンス液Ｒおよび薬液Ｃｓの混合液は、加熱部材１５０の上面１５０ａの端部に移動して加熱部材１５０の上面１５０ａの端部から外部に排出される。以上のようにして、薬液Ｃｓにより、加熱部材１５０の上面１５０ａを清浄できる。

【0091】

なお、上述した説明では、図５（ｂ）において、ガスＧを供給して、リンス液Ｒをリング状に形成したが、本実施形態はこれに限定されない。図５（ｂ）では、リンス液Ｒは、リング状に形成されなくてもよい。また、上述した説明では、図５（ｃ）において、薬液Ｃｓを吐出することにより、リンス液Ｒおよび薬液Ｃｓの混合液は、リング状に形成されたが、本実施形態はこれに限定されない。図５（ｃ）では、リンス液Ｒおよび薬液Ｃｓの混合液は、リング状に形成されなくてもよい。ただし、図５（ｄ）に示すように、排出のためのガスＧを供給する前には、リンス液Ｒと薬液Ｃｓとの混合液は、リング状に形成されることが好ましい。これにより、薬液Ｃｓが加熱部材１５０の上面１５０ａの外周部を効率的に清浄にできる。

【0092】

なお、図５を参照した上述の説明では、薬液供給部１３２は、Ｘ方向に沿って基板Ｗに対して移動したが、薬液供給部１３２は、Ｘ方向およびＹ方向に沿って基板Ｗに対して移動可能であってもよい。この場合、薬液供給部１３２は、リング状のリンス液Ｒに沿うように薬液を供給してもよい。

【0093】

また、図５を参照した上述の説明では、薬液供給部１３２は、加熱部材１５０の上面１５０ａの２つの位置に薬液Ｃｓを供給したが、本実施形態はこれに限定されない。薬液供給部１３２は、加熱部材１５０の上面１５０ａに対して１つの位置に薬液Ｃｓを供給してもよい。あるいは、薬液供給部１３２は、リンス液Ｒに対して３つ以上の位置に薬液Ｃｓを供給してもよい。

【0094】

上述したように、基板Ｗを処理する際に、加熱部材１５０に付着物が付着することがある。このため、加熱部材１５０は、基板Ｗの処理後に清浄にしてもよい。

【0095】

次に、図１～図６を参照して本実施形態の基板処理装置による基板処理方法を説明する。図６は、本実施形態の基板処理装置による基板処理方法を説明するためのフロー図である。

【0096】

ステップＳａ１に示すように、チャンバー１１０に基板Ｗを搬入する。例えば、センターロボットＣＲがチャンバー１１０内に未処理の基板Ｗを搬入する。基板保持部１２０は、搬入された基板Ｗを保持する。典型的には、基板Ｗには、シリコンウエハの表面に微細パターンが形成されている。次に、処理は、ステップＳａ２に進む。

【0097】

ステップＳａ２に示すように、基板Ｗを薬液で処理する。薬液供給部１３２は、基板Ｗに薬液を供給する。薬液供給部１３２は、バルブ１３２ｂを開いて、ノズル１３２ｎから薬液を吐出する。このとき、基板保持部１２０は、基板Ｗを回転する。基板Ｗの上面Ｗａの中心部付近に供給された薬液は、基板Ｗの回転による遠心力を受けて、基板Ｗの上面Ｗａ上を基板Ｗの周縁部に向けて流れる。これにより、基板Ｗの上面Ｗａの全域に薬液が行きわたり、基板Ｗの上面Ｗａが薬液で処理される。

【0098】

この場合、カップ１８０は、基板Ｗの側方に位置するまで上昇しており、基板Ｗから飛び散る薬液を回収する。その後、薬液供給部１３２は、薬液の供給を停止する。次に、処理は、ステップＳａ３に進む。

【0099】

ステップＳａ３に示すように、基板Ｗをリンス液でリンスする。リンス液供給部１３４は、基板Ｗにリンス液を供給する。リンス液供給部１３４は、バルブ１３４ｂを開いて、ノズル１３４ｎからリンス液を吐出する。このとき、基板保持部１２０は、基板Ｗを保持して回転する。基板Ｗの上面Ｗａの中心部付近に供給されたリンス液は、基板Ｗの回転による遠心力を受けて、基板Ｗの上面Ｗａ上を基板Ｗの周縁部に向けて流れる。これにより、基板Ｗの上面Ｗａの全域にリンス液が行きわたり、基板Ｗの上面Ｗａがリンス液でリンスされる。その後、リンス液供給部１３４は、リンス液の供給を停止する。次に、処理は、ステップＳａ４に進む。

【0100】

ステップＳａ４に示すように、基板Ｗを有機溶剤で処理する。有機溶剤供給部１３６は、基板Ｗに有機溶剤を供給する。有機溶剤供給部１３６は、バルブ１３６ｂを開いて、ノズル１３６ｎから有機溶剤を吐出する。このとき、基板保持部１２０は、基板Ｗを保持して回転する。基板Ｗの上面Ｗａの中心部付近に供給された有機溶剤は、基板Ｗの回転による遠心力を受けて、基板Ｗの上面Ｗａ上を基板Ｗの周縁部に向けて流れる。これにより、基板Ｗの上面Ｗａの全域に有機溶剤が行きわたり、基板Ｗの上面Ｗａのリンス液が有機溶剤に置換される。その後、有機溶剤供給部１３６は、有機溶剤の供給を停止する。次に、処理は、ステップＳａ５に進む。

【0101】

ステップＳａ５に示すように、加熱部材１５０は、基板Ｗを加熱する。基板Ｗの裏面Ｗｂは、加熱部材１５０からの熱輻射または基板Ｗの裏面Ｗｂと加熱部材１５０の上面１５０ａとの間の空間内流体熱伝導により加熱される。加熱部材１５０は、加熱部材１５０の上面１５０ａと基板Ｗの裏面Ｗｂとが平行になるように配置される。このため、加熱部材１５０から基板Ｗに与えられる単位面積当たりの熱量は、基板Ｗの全域においてほぼ均一となる。このとき、基板Ｗの回転を停止するか、基板Ｗは低速で回転する。

【0102】

加熱部材１５０が基板Ｗの裏面Ｗｂを加熱することにより、基板Ｗの上面Ｗａの全面の温度が、予め定める加熱時上面温度まで上昇する。加熱時の上面温度は、有機溶剤の沸点よりも１０～５０℃高い範囲の所定の温度である。基板Ｗの上面Ｗａの全面がこの加熱時上面温度まで上昇するように、加熱部材１５０の単位面積当たりの熱量および、基板Ｗの裏面Ｗｂと加熱部材１５０の上面１５０ａとの間隔が所定の大きさに設定されている。

【0103】

ステップＳａ６に示すように、有機溶剤を除去する。まず、基板Ｗの上面Ｗａの温度が加熱時上面温度に到達して所定時間が経過すると、基板Ｗの上面Ｗａの有機溶剤の一部が蒸発して気化しに基板Ｗの上面Ｗａの上方空間に蒸気膜が形成される。これにより、基板Ｗの上面Ｗａから有機溶剤が浮上する。

【0104】

その後、基板Ｗを低速で回転するとともに、基板Ｗの上面Ｗａにガスを供給する。例えば、基板保持部１２０は、基板Ｗを回転速度１０ｒｐｍ～５００ｒｐｍで回転するともにガス供給部１４０のバルブ１４０ｂが開く。これにより、基板Ｗの上面Ｗａの中心の有機溶剤が外側に押し出されて部分的に除去されて小径円形状の乾燥領域が形成される。

【0105】

有機溶剤は、蒸気膜を介して、基板Ｗの上面Ｗａから分離されており、基板Ｗの上面Ｗａに沿って移動し易い状態にある。このため、基板Ｗの回転およびガスの供給に伴って乾燥領域は基板Ｗの上面Ｗａの中心から外側に向かって拡大する。乾燥領域が基板Ｗの上面Ｗａの全域に広がることにより、基板Ｗの上面Ｗａから有機溶剤をその液塊状態を維持したままで除去できる。次に、処理は、ステップＳａ７に進む。

【0106】

ステップＳａ７に示すように、基板Ｗを乾燥する。例えば、基板保持部１２０は、基板Ｗを高速に回転する。例えば、基板Ｗの回転速度は、２５００ｒｐｍまで増加する。これにより、基板Ｗの上面Ｗａから有機溶剤が振り切られて基板Ｗを乾燥できる。次に、処理は、ステップＳａ８に進む。

【0107】

ステップＳａ８に示すように、チャンバー１１０から基板Ｗを搬出する。例えば、センターロボットＣＲがチャンバー１１０内の処理された基板Ｗを搬出する。以上のように、ステップＳａ１～Ｓａ８によって基板Ｗを処理できる。図６において、基板処理工程Ｓａは、ステップＳａ１～Ｓａ８を含む。ここでは、基板処理工程Ｓａの後に、処理は、ステップＳ１２に進む。

【0108】

ステップＳ１２に示すように、加熱部材１５０にリンス液を供給する。例えば、リンス液供給部１３４は、加熱部材１５０の上面１５０ａにリンス液を供給する。典型的には、リンス液供給部１３４は、加熱部材１５０の上面１５０ａの中央にリンス液を供給する。次に、処理は、ステップＳ１４に進む。

【0109】

ステップＳ１４に示すように、ガス供給部１４０は、加熱部材１５０にガスを供給する。例えば、ガス供給部１４０は、加熱部材１５０の上面１５０ａの中央にガスを供給する。ガスは、例えば不活性ガスである。一例では、ガスは、窒素ガスを含む。ガスの供給により、リンス液は、加熱部材１５０の上面１５０ａにおいてリング状に広がる。このとき、カップ１８０は、加熱部材１５０の側方を覆う位置に配置されていることが好ましい。次に、処理は、ステップＳ１６に進む。

【0110】

ステップＳ１６に示すように、加熱部材１５０に薬液を供給する。例えば、薬液供給部１３２は、加熱部材１５０の上面１５０ａのリンス液に向けて薬液を供給する。これにより、薬液は、加熱部材１５０の上面１５０ａのリンス液と混合して、リング状のリンス液内を拡散する。次に、処理は、ステップＳ１８に進む。

【0111】

ステップＳ１８に示すように、ガス供給部１４０は、加熱部材１５０にガスを供給する。例えば、ガス供給部１４０は、加熱部材１５０の上面１５０ａの中央にガスを供給する。これにより、加熱部材１５０の上面１５０ａのリンス液および薬液は排出される。カップ１８０は、加熱部材１５０の側方を覆う位置に配置されていることが好ましい。

【0112】

ステップＳ１２～Ｓ１８によって加熱部材１５０を清浄処理する。図６において、清浄工程Ｓｐは、ステップＳ１２～ステップＳ１８を含む。以上により、基板Ｗを処理するとともに加熱部材１５０を清浄にできる。本実施形態によれば、基板処理工程Ｓａにおいて加熱部材１５０に付着物が付着しても、清浄工程Ｓｐにおいて加熱部材１５０を速やかに清浄にできる。

【0113】

なお、図６を参照した上述の説明では、１枚の基板Ｗを処理した後で、加熱部材１５０の上面１５０ａの清浄処理を行ったが、本実施形態はこれに限定されない。所定枚数の基板Ｗの処理が完了した後に、加熱部材１５０の清浄処理を行ってもよい。例えば、加熱部材１５０の清浄処理は、基板Ｗが１０枚処理された毎に行われてもよい。あるいは、加熱部材１５０の清浄処理は、基板Ｗの処理を開始してから所定時間経過後に処理した基板Ｗを排出した後、行われてもよい。例えば、基板Ｗの処理を開始してから５時間経過後に処理した基板Ｗを排出した後、加熱部材１５０の清浄処理を開始してもよい。

【0114】

あるいは、基板処理装置１００の駆動を停止した停止期間が所定時間経過した場合、次に、基板処理装置１００の駆動を開始する際に、加熱部材１５０の清浄処理を行ってもよい。あるいは、基板処理装置１００の駆動を停止する直前に、基板Ｗを搬出した後に加熱部材１５０の清浄処理を行ってもよい。

【0115】

なお、図６を参照した上述の説明では、加熱部材１５０は、基板Ｗを処理した後に加熱部材１５０の清浄処理を行ったが、本実施形態はこれに限定されない。加熱部材１５０は、基板Ｗを処理する前に清浄処理されてもよい。特に、基板処理装置１００が所定期間駆動しなかった場合、加熱部材１５０は、基板Ｗを処理する前に清浄処理されることが好ましい。

【0116】

また、図１～図６を参照した上述の説明では、ノズル１３２ｎ、１３４ｎ、１３６ｎおよび１４０ｎはそれぞれ別個に設けられたが、本実施形態はこれに限定されない。ノズル１３２ｎ、１３４ｎ、１３６ｎおよび１４０ｎの少なくとも一部は、一体化されてもよい。また、図１～図６を参照した上述の説明では、基板Ｗの上面Ｗａにのみ液体およびガスが供給されたが、本実施形態はこれに限定されない。基板Ｗの裏面Ｗｂに、液体およびガスの少なくとも一方が供給されてもよい。

【0117】

次に、図７を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図７は、本実施形態の基板処理装置１００の模式図である。図７に示した基板処理装置１００は、ノズル１３２ｎおよびノズル１３４ｎが一体に移動可能である点、ノズル１３６ｎおよびノズル１４０ｎが一体化されている点、加熱部材１５０が基板Ｗに対して昇降可能である点、および、基板Ｗの裏面Ｗｂにガスが供給される点を除いて、図１を参照して上述した基板処理装置１００と同様の構成を有しており、冗長を避けるために重複する記載を省略する。

【0118】

本実施形態の基板処理装置１００は、薬液供給部１３２のノズル１３２ｎおよびリンス液供給部１３４のノズル１３４ｎが取り付けられたアーム部材Ａ１をさらに備える。アーム部材Ａ１には、移動ユニットＴａが取り付けられる。移動ユニットＴａは、アーム部材Ａ１を移動させる。

【0119】

移動ユニットＴａは、吐出位置と退避位置との間でアーム部材Ａ１を移動する。アーム部材Ａ１が吐出位置にある場合、アーム部材Ａ１は、基板Ｗの上方に位置する。アーム部材Ａ１が吐出位置にある場合、アーム部材Ａ１は、基板Ｗの上面Ｗａに向けて薬液およびリンス液を吐出する。アーム部材Ａ１が退避位置にある場合、アーム部材Ａ１は、基板Ｗよりも基板Ｗの径方向外側に位置する。

【0120】

基板処理装置１００は、また、有機溶剤供給部１３６のノズル１３６ｎおよびガス供給部１４０のノズル１４０ｎが一体化したノズルＮ１をさらに備える。ノズルＮ１には、移動ユニットＴｎが取り付けられる。移動ユニットＴｎは、ノズルＮ１を移動させる。

【0121】

移動ユニットＴｎは、吐出位置と退避位置との間でノズルＮ１を移動する。ノズルＮ１が吐出位置にある場合、ノズルＮ１は、基板Ｗの上方に位置する。ノズルＮ１が吐出位置にある場合、ノズルＮ１は、基板Ｗの上面Ｗａに向けて有機溶剤およびガスを吐出する。ノズルＮ１が退避位置にある場合、ノズルＮ１は、基板Ｗよりも基板Ｗの径方向外側に位置する。

【0122】

また、図７に示した基板処理装置１００は、ガス供給部１４０Ａをさらに備える。ガス供給部１４０Ａは、基板Ｗにガスを供給する。例えば、ガス供給部１４０Ａは、基板Ｗの裏面Ｗｂにガスを供給する。ガス供給部１４０Ａから供給されるガスは、例えば不活性ガスである。一例では、ガスは、窒素ガスを含む。

【0123】

ガス供給部１４０Ａは、配管１４０ｃと、バルブ１４０ｄと、ノズル１４０ｍとを含む。バルブ１４０ｄは、配管１４０ｃに配置される。配管１４０ｃは、ガスをチャンバー１１０内に導く。バルブ１４０ｄは、配管１４０ｃを開閉する。

【0124】

配管１４０ｃは、シャフト１２３の内孔および加熱部材１５０を貫通する。例えば、配管１４０ｃは、支持部１５５の内孔を貫通してもよい。典型的には、配管１４０ｃは、加熱部材１５０の上面１５０ａの中心を貫通する。このため、ノズル１４０ｍは、加熱部材１５０の上面１５０ａの中心に位置する。加熱部材１５０の上面１５０ａの中心から、基板Ｗの裏面Ｗｂに向けてガスが供給される。

【0125】

また、基板処理装置１００は、加熱部材１５０を昇降する昇降ユニット１５８をさらに備える。昇降ユニット１５８は、加熱部材１５０を基板保持部１２０に対して上下に相対移動させる。加熱部材１５０が基板Ｗを加熱する場合、昇降ユニット１５８は加熱部材１５０が基板Ｗに近づくように加熱部材１５０を上昇させる。

【0126】

例えば、昇降ユニット１５８は、加熱部材１５０が基板Ｗに近接する位置（近接位置）まで加熱部材１５０を上昇できる。また、昇降ユニット１５８は、加熱部材１５０が上昇位置に対して基板Ｗから離れた位置（離間位置）まで加熱部材１５０を下降できる。

【0127】

加熱部材１５０が近接位置まで上昇すると、加熱部材１５０の上面１５０ａは基板Ｗの裏面Ｗｂから特定の間隔（典型的には０．５～３ｍｍ）まで近接する。加熱部材１５０が近接位置に到達することにより、基板Ｗの裏面Ｗｂは、加熱部材１５０からの熱輻射または基板Ｗの裏面Ｗｂと加熱部材１５０の上面１５０ａとの間の空間内流体熱伝導により加熱される。加熱部材１５０は、近接位置で、加熱部材１５０の上面１５０ａと基板Ｗの裏面Ｗｂとが平行になるように配置されることが好ましい。

【0128】

なお、ここでは、加熱部材１５０が基板Ｗに近接する位置まで加熱部材１５０を上昇したが、加熱部材１５０は、基板Ｗに接触する位置まで加熱部材１５０を上昇してもよい。

【0129】

本実施形態の基板処理装置１００では、ノズル１３２ｎとノズル１３４ｎとがアーム部材Ａ１に取り付けられている。薬液およびリンス液は連続して使用することが多いため、ノズルの移動に要する時間を短縮できる。また、基板処理装置１００では、ノズル１３６ｎとノズル１４０ｎとが一体化されたノズルＮ１が設けられている。有機溶剤およびガスは連続して使用することが多いため、ノズルの移動に要する時間を短縮できる。

【0130】

本実施形態の基板処理装置１００では、ガス供給部１４０Ａにより、基板Ｗの裏面Ｗｂにガスを供給できる。このため、基板Ｗの裏面Ｗｂおよび／または加熱部材１５０に付着物が付着することを抑制できる。

【0131】

また、本実施形態の基板処理装置１００では、昇降ユニット１５８は、加熱部材１５０と基板Ｗとの距離を短くできる。このため、加熱部材１５０は、より少ない電力で基板Ｗを効率的に加熱できる。

【0132】

なお、図１～図７を参照した上述の説明では、薬液供給部１３２は、一種類の薬液を供給したが、本実施形態はこれに限定されない。薬液供給部１３２は、複数の薬液を別個に供給してもよい。

【0133】

次に、図８を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図８は、本実施形態の基板処理装置１００の模式図である。図８に示した基板処理装置１００は、薬液供給部１３２が第１薬液供給部１３２Ａおよび第２薬液供給部１３２Ｂを含む点を除いて、図１を参照して上述した基板処理装置１００と同様の構成を有しており、冗長を避けるために重複する記載を省略する。

【0134】

本実施形態の基板処理装置１００において、薬液供給部１３２は、第１薬液供給部１３２Ａおよび第２薬液供給部１３２Ｂを含む。第１薬液供給部１３２Ａは、第１薬液を供給する。第２薬液供給部１３２Ｂは、第１薬液とは異なる第２薬液を供給する。

【0135】

第１薬液供給部１３２Ａは、配管１３２ｃと、バルブ１３２ｄと、ノズル１３２ｐとを含む。ノズル１３２ｐは、基板Ｗの上面Ｗａに薬液を吐出する。ノズル１３２ｐは、配管１３２ｃに接続される。配管１３２ｃには、供給源から第１薬液が供給される。バルブ１３２ｄは、配管１３２ｃ内の流路を開閉する。

【0136】

第２薬液供給部１３２Ｂは、配管１３２ｅと、バルブ１３２ｆと、ノズル１３２ｑとを含む。ノズル１３２ｑは、基板Ｗの上面Ｗａに薬液を吐出する。ノズル１３２ｑは、配管１３２ｅに接続される。配管１３２ｅには、供給源から第２薬液が供給される。バルブ１３２ｆは、配管１３２ｅ内の流路を開閉する。

【0137】

ここでは、ノズル１３２ｐおよびノズル１３２ｑは、ノズル１３４ｎとともにアーム部材Ａ１に取り付けられている。アーム部材Ａ１は、移動ユニットＴａによって移動可能である。

【0138】

第１薬液供給部１３２Ａおよび第２薬液供給部１３２Ｂは、加熱部材１５０の清浄処理に好適に用いられる。例えば、第１薬液および第２薬液の一方は、付着物の組成を変化させる液であり、第１薬液および第２薬液の他方は、組成の変化した付着物を剥離するための液である。例えば、付着物がチタン（Ｔｉ）を含む場合、第１薬液として過酸化水素水を用いて、第２薬液としてフッ酸を用いてもよい。この場合、第１薬液および第２薬液は、同時に吐出されず、異なるタイミングで吐出してもよい。

【0139】

ただし、第１薬液および第２薬液は、同時に吐出されてもよい。例えば、付着物がコバルト（Ｃｏ）を含む場合、第１薬液として過酸化水素水を用いて、第２薬液として塩酸を用いてもよい。また、付着物がタングステン（Ｗ）を含む場合も、第１薬液として過酸化水素水を用いて、第２薬液として塩酸を用いてもよい。あるいは、付着物がタングステン（Ｗ）を含む場合、第１薬液として過酸化水素水を用いて、第２薬液としてアンモニア水を用いてもよい。さらには、付着物がガリウム（Ｇａ）を含む場合、第１薬液として濃塩酸を用いて、第２薬液として濃硝酸を用いてもよい。

【0140】

なお、第１薬液および第２薬液のそれぞれが単独で付着物に対して異なる影響を及ぼす場合、第１薬液および第２薬液は、異なるタイミングで供給されることが好ましい。

【0141】

次に、図８および図９を参照して本実施形態の加熱部材１５０の清浄方法を説明する。図９は、加熱部材１５０の清浄方法を説明するためのフロー図である。

【0142】

ステップＳ４２に示すように、加熱部材１５０にリンス液を供給する。例えば、リンス液供給部１３４は、加熱部材１５０の上面１５０ａにリンス液を供給する。典型的には、リンス液供給部１３４は、加熱部材１５０の上面１５０ａの中央にリンス液を供給する。次に、処理は、ステップＳ４４に進む。

【0143】

ステップＳ４４に示すように、ガス供給部１４０は、加熱部材１５０にガスを供給する。例えば、ガス供給部１４０は、加熱部材１５０の上面１５０ａの中央にガスを供給する。ガスの供給により、リンス液は、加熱部材１５０の上面１５０ａにおいてリング状に広がる。このとき、カップ１８０は、加熱部材１５０の側方を覆う位置に配置されていることが好ましい。次に、処理は、ステップＳ４６に進む。

【0144】

ステップＳ４６に示すように、加熱部材１５０の第１位置に第１薬液を供給する。第１薬液は、過酸化水素水を含む。例えば、第１薬液供給部１３２Ａは、加熱部材１５０の上面１５０ａのリンス液に向けて第１薬液を供給する。これにより、第１薬液は、加熱部材１５０の上面１５０ａのリンス液と混合して、リング状のリンス液内を拡散する。次に、処理は、ステップＳ４８に進む。

【0145】

ステップＳ４８に示すように、加熱部材１５０の第２位置に第１薬液を供給する。例えば、第１薬液供給部１３２Ａは、加熱部材１５０の上面１５０ａのリンス液に向けて第１薬液を供給する。これにより、第１薬液は、加熱部材１５０の上面１５０ａのリンス液と混合して、リング状のリンス液内を拡散する。次に、処理は、ステップＳ５０に進む。

【0146】

ステップＳ５０に示すように、ガス供給部１４０は、加熱部材１５０にガスを供給する。例えば、ガス供給部１４０は、加熱部材１５０の上面１５０ａの中央にガスを供給する。これにより、加熱部材１５０の上面１５０ａのリンス液および第１薬液は排出される。次に、処理は、ステップＳ５２に進む。

【0147】

ステップＳ５２に示すように、加熱部材１５０にリンス液を供給する。例えば、リンス液供給部１３４は、加熱部材１５０の上面１５０ａにリンス液を供給する。典型的には、リンス液供給部１３４は、加熱部材１５０の上面１５０ａの中央にリンス液を供給する。次に、処理は、ステップＳ５４に進む。

【0148】

ステップＳ５４に示すように、ガス供給部１４０は、加熱部材１５０にガスを供給する。例えば、ガス供給部１４０は、加熱部材１５０の上面１５０ａの中央にガスを供給する。ガスの供給により、リンス液は、加熱部材１５０の上面１５０ａにおいてリング状に広がる。このとき、カップ１８０は、加熱部材１５０の側方を覆う位置に配置されていることが好ましい。次に、処理は、ステップＳ５６に進む。

【0149】

ステップＳ５６に示すように、加熱部材１５０の第１位置に第２薬液を供給する。第２薬液は、フッ酸を含む。例えば、第２薬液供給部１３２Ｂは、加熱部材１５０の上面１５０ａのリンス液に向けて第２薬液を供給する。これにより、第２薬液は、加熱部材１５０の上面１５０ａのリンス液と混合して、リング状のリンス液内を拡散する。次に、処理は、ステップＳ５８に進む。

【0150】

ステップＳ５８に示すように、加熱部材１５０の第２位置に第２薬液を供給する。例えば、第２薬液供給部１３２Ｂは、加熱部材１５０の上面１５０ａのリンス液に向けて第２薬液を供給する。これにより、第２薬液は、加熱部材１５０の上面１５０ａのリンス液と混合して、リング状のリンス液内を拡散する。次に、処理は、ステップＳ６０に進む。

【0151】

ステップＳ６０に示すように、ガス供給部１４０は、加熱部材１５０にガスを供給する。例えば、ガス供給部１４０は、加熱部材１５０の上面１５０ａの中央にガスを供給する。これにより、加熱部材１５０の上面１５０ａのリンス液および第２薬液は排出される。以上により、加熱部材１５０の上面を清浄にできる。

【0152】

なお、図９を参照した説明では、過酸化水素水を含む第１薬液を用いた後で、フッ酸を含む第２薬液を用いたが、本実施形態はこれに限定されない。先にフッ酸を含む第２薬液を用いた後で、過酸化水素水を含む第１薬液を用いてもよい。例えば、不純物の表面において金属が露出している場合、過酸化水素水を含む第１薬液を用いた後で、フッ酸を含む第２薬液を用いることが好ましい。一方、不純物の表面において金属酸化物が露出している場合、フッ酸を含む第２薬液を用いた後で、過酸化水素水を含む第１薬液を用いることが好ましい。

【0153】

次に、図１０を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図１０は、本実施形態の基板処理装置１００の模式図である。図１０に示した基板処理装置１００は、支持部およびリフトピンを備えるとともにチャック部材１２２の一部が回動可能である点を除いて、図１を参照して上述した基板処理装置１００と同様の構成を有しており、冗長を避けるために重複する記載を省略する。

【0154】

本実施形態の基板処理装置１００において、基板保持部１２０は、支持軸１２６と、支持軸１２６に連結されたリフトピン１２７とをさらに備える。支持軸１２６は、鉛直方向に延びた円筒形状であり、支持軸１２６は、シャフト１２３の内孔に配置される。支持軸１２６の内孔には、支持部１５５が配置される。支持軸１２６から、少なくとも３本のリフトピン１２７が伸びている。リフトピン１２７は、支持軸１２６の上方において径方向外側に延び、その先端において鉛直上方に延びている。

【0155】

加熱部材１５０には、少なくとも３か所の貫通孔１５０ｈが設けられている。貫通孔１５０ｈは、加熱部材１５０の上面１５０ａと裏面１５０ｂとを連絡する。貫通孔１５０ｈの位置、大きさおよび数は、リフトピン１２７の位置、大きさおよび数に対応し手設けられており、貫通孔１５０ｈは、リフトピン１２７を通過可能なように構成される。

【0156】

本実施形態の基板処理装置１００は、支持軸１２６を昇降可能な昇降ユニット１５８Ａをさらに備える。昇降ユニット１５８Ａが支持軸１２６を移動させることにより、リフトピン１２７は、加熱部材１５０を貫通する。昇降ユニット１５８Ａが支持軸１２６を下降する場合、リフトピン１２７が加熱部材１５０の上面１５０ａから突出しない。一方、昇降ユニット１５８Ａが支持軸１２６を上昇する場合、リフトピン１２７が加熱部材１５０の上面１５０ａから突出する。この場合、リフトピン１２７の上端は、チャック部材１２２の上端よりも鉛直上方に位置する。

【0157】

リフトピン１２７の上端は、チャック部材１２２の上端よりも鉛直上方に位置できる。このため、センターロボットＣＲが基板Ｗをチャンバー１１０に対して搬入および／または搬出する場合、センターロボットＣＲは、基板Ｗをリフトピン１２７に支持されるように渡すことができる。

【0158】

チャック部材１２２は、本体部１２２ａと、複数の回動部１２２ｂとを有する。本体部１２２ａは、スピンベース１２１に対して鉛直上方に延びている。回動部１２２ｂは、本体部１２２ａの鉛直上方の先端に設けられる。回動部１２２ｂは、本体部１２２ａに対して基板Ｗの円周方向に回動可能である。このため、複数の回動部１２２ｂが、内側を向いた場合、基板Ｗは、回動部１２２ｂによって支持される。また、複数の回動部１２２ｂが外側を向いた場合、基板Ｗは、回動部１２２ｂによって支持されない。したがって、複数の回動部１２２ｂが外側を向いた状態で、昇降ユニット１５８Ａが基板Ｗを保持するリフトピン１２７を下降すると、基板Ｗを加熱部材１５０の上面１５０ａに載置できる。これにより、加熱部材１５０の熱を基板Ｗに充分に伝達できる。

【0159】

なお、図３～図１０を参照した上述の説明では、加熱部材１５０のヒーター１５４は、抵抗体であったが、本実施形態はこれに限定されない。加熱部材１５０は、加熱時に光を照射してもよい。

【0160】

次に、図１１を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図１２は、本実施形態の基板処理装置１００の模式図である。図１１に示した基板処理装置１００は、加熱部材１５０が加熱時に光を照射する点を除いて、図１を参照して上述した基板処理装置１００と同様の構成を有しており、冗長を避けるために重複する記載を省略する。

【0161】

図１１に示すように、加熱部材１５０は、基板保持部１２０に保持された基板Ｗの下方に配置される。加熱部材１５０は、複数のランプ１５０Ｌを有しており、基板保持部１２０の上方に設けられる。各ランプ１５０Ｌが点灯することにより、基板保持部１２０によって保持される基板Ｗの裏面Ｗｂは、ランプ１５０Ｌからの光によって照射される。

【0162】

ここで、加熱部材１５０は、例えば、直管タイプのランプ１５０Ｌを複数本並列に設けたものであってもよい。あるいは、加熱部材１５０は、電球タイプのランプ１５０Ｌを複数個アレイ状に設けたものであってもよい。また、ランプ１５０Ｌとしては、例えば、ハロゲンランプまたはキセノンフラッシュランプを用いることが可能である。

【0163】

加熱部材１５０としては、基板保持部１２０上の基板Ｗに対して電磁波を照射する各種の照射部材を用いることが可能である。例えば、光を照射するランプ１５０Ｌ以外にも、例えば、基板保持部１２０上の基板Ｗに対して、遠赤外線を照射する遠赤ヒーターまたはマイクロ波を照射するマイクロ波ヒーターを用いてもよい。

【0164】

なお、基板処理装置１００は、加熱部材１５０の上面１５０ａにおける付着物に応じて加熱部材１５０の清浄処理を開始してもよい。例えば、基板処理装置１００は、加熱部材１５０の上面１５０ａを撮像して加熱部材１５０の上面１５０ａの清浄処理を開始してもよい。

【0165】

次に、図１２を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図１２は、本実施形態の基板処理装置１００の模式図である。図１２に示した基板処理装置１００は、撮像部１９０をさらに備える点を除いて、図１を参照して上述した基板処理装置１００と同様の構成を有しており、冗長を避けるために重複する記載を省略する。

【0166】

撮像部１９０は、チャンバー１１０内に配置される。撮像部１９０は、加熱部材１５０の上面１５０ａを撮像して画像データを生成する。制御装置１０１は、撮像部１９０の撮像結果に応じて加熱部材１５０の清浄処理を開始する。例えば、制御装置１０１は、撮像部１９０によって生成された画像データから、加熱部材１５０の上面１５０ａに付着物が付着しているか否か判定し、加熱部材１５０の上面１５０ａに付着物が付着している場合、加熱部材１５０の清浄処理を開始する。

【0167】

次に、図１２および図１３を参照して本実施形態の基板処理装置による基板処理方法を説明する。図１３は、本実施形態の基板処理装置による基板処理方法を説明するためのフローチャートである。

【0168】

ステップＳｂ１において、撮像部１９０は、加熱部材１５０の上面１５０ａを撮像する。その後、処理は、ステップＳｂ２に進む。

【0169】

ステップＳｂ２において、制御部１０２は、撮像部１９０の撮像結果に基づいて加熱部材１５０を清浄にするか否かを判定する。例えば、制御部１０２は、撮像部１９０によって生成された画像データを解析して、加熱部材１５０に付着物が付着しているか否か判定する。画像データに示された加熱部材１５０の上面１５０ａの色が、当初の加熱部材１５０の色と異なる色である場合、制御部１０２は、加熱部材１５０に付着物が付着していると判定する。あるいは、画像データに示された加熱部材１５０の形状が、当初の加熱部材１５０の形状と異なる場合、制御部１０２は、加熱部材１５０に付着物が付着していると判定する。

【0170】

加熱部材１５０を清浄にすると判定される場合（ステップＳｂ２においてＹｅｓ）、処理はステップＳｐ１に進む。加熱部材１５０を清浄にしないと判定される場合（ステップＳｂ２においてＮｏ）、処理は基板処理工程Ｓａに進む。

【0171】

ステップＳｐ１において、加熱部材１５０を清浄にする。例えば、制御部１０２は、図６のステップＳ１２～Ｓ１８を実行して加熱部材１５０を清浄にする。その後、処理は、基板処理工程Ｓａに進む。

【0172】

基板処理工程Ｓａにおいて、基板Ｗを処理する。制御部１０２は、図６のステップＳａ１～Ｓａ８を実行して基板Ｗを処理する。その後、処理は、ステップＳｂ３に進む。

【0173】

ステップＳｂ３において、撮像部１９０は、加熱部材１５０の上面１５０ａを撮像する。その後、処理は、ステップＳｂ４に進む。

【0174】

ステップＳｂ４において、制御部１０２は、撮像部１９０の撮像結果に基づいて加熱部材１５０を清浄にするか否かを判定する。例えば、制御部１０２は、撮像部１９０によって生成された画像データを解析して、加熱部材１５０に付着物が付着しているか否か判定する。加熱部材１５０を清浄にすると判定される場合（ステップＳｂ４においてＹｅｓ）、処理はステップＳｐ２に進む。加熱部材１５０を清浄にしないと判定される場合（ステップＳｂ４においてＮｏ）、処理はステップＳｂ５に進む。

【0175】

ステップＳｐ２において、加熱部材１５０を清浄にする。例えば、制御部１０２は、図６のステップＳ１２～Ｓ１８を実行して加熱部材１５０を清浄にする。その後、処理は、ステップＳｂ５に進む。

【0176】

ステップＳｂ５において、制御部１０２は、処理すべき他の基板Ｗがあるかを判定する。例えば、処理すべき基板Ｗがあると判定される場合（ステップＳｂ５においてＹｅｓ）、処理は基板処理工程Ｓａに戻る。処理すべき基板Ｗがないと判定される場合（ステップＳｂ５においてＮｏ）、処理は終了する。以上のようにして、基板処理および加熱部材１５０の清浄処理を実行できる。本実施形態によれば、撮像部１９０によって撮像した結果に基づいて加熱部材１５０の清浄処理を行うか否かを判定するため、必要性に応じて加熱部材１５０を清浄にできる。

【0177】

なお、図１～図１３を参照した上述の説明では、基板Ｗは回転する一方で、加熱部材１５０は、回転しなかったが、本実施形態はこれに限定されない。加熱部材１５０は回転してもよい。

【0178】

次に、図１４を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図１４は、本実施形態の基板処理装置１００の模式図である。図１４に示した基板処理装置１００は、加熱部材１５０が回転する点を除いて、図１を参照して上述した基板処理装置１００と同様の構成を有しており、冗長を避けるために重複する記載を省略する。

【0179】

基板処理装置１００は、加熱部材１５０を回転させるための電動モーター１５９をさらに備える。電動モーター１５９は、支持部１５５に連結されている。電動モーター１５９により、加熱部材１５０は回転される。制御部１０２は、電動モーター１５９を制御することにより、加熱部材１５０を回転する。

【0180】

本実施形態の基板処理装置１００では、電動モーター１５９によって加熱部材１５０が回転可能であるため、加熱部材１５０の清浄工程において、加熱部材１５０の上面１５０ａにガスを供給しなくてもよい。詳細には、加熱部材１５０の上面１５０ａの外周部に薬液を供給した後、加熱部材１５０が回転することにより、加熱部材１５０の上面１５０ａにガスを供給しなくても、加熱部材１５０の上面１５０ａから薬液を排出できる。

【0181】

なお、図１～図１４を参照した上述の説明では、加熱部材１５０は、薬液によって清浄にしたが、本実施形態は、これに限定されない。加熱部材１５０は、薬液に加えて摩耗によって清浄にされてもよい。加熱部材１５０を摩耗する場合、加熱部材１５０は、回転した状態で摩耗されることが好ましい。

【0182】

次に、図１５を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図１５に示した基板処理装置１００は、スクラブ部材１９２をさらに備える点を除いて、図１６を参照して上述した基板処理装置１００と同様の構成を有しており、冗長を避けるために重複する記載を省略する。

【0183】

基板処理装置１００は、スクラブ部材１９２をさらに備える。スクラブ部材１９２は、清浄工程において薬液を用いて加熱部材１５０の上面１５０ａをスクラブする。スクラブ部材１９２のヘッドは、スポンジ、不織布、発泡ポリウレタンなどの軟質材料または研磨テープから構成される。スクラブ部材１９２が加熱部材１５０の上面１５０ａと接触することにより、スクラブ部材１９２は、薬液を用いて加熱部材１５０の上面１５０ａの付着物を除去できる。

【0184】

スクラブ部材１９２は、加熱部材１５０に対して相対的に移動することが好ましい。例えば、スクラブ部材１９２は、Ｘ方向および／またはＹ方向に沿って加熱部材１５０の上面１５０ａに対して移動してもよい。あるいは、スクラブ部材１９２は加熱部材１５０の上面１５０ａに接触した状態で維持される一方で、加熱部材１５０が回転してもよい。また、スクラブ部材１９２は、加熱部材１５０の清浄工程に用いられるだけでなく、基板Ｗの処理工程に用いられてもよい。

【0185】

以上、図面を参照して本発明の実施形態を説明した。ただし、本発明は、上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施することが可能である。また、上記の実施形態に開示される複数の構成要素を適宜組み合わせることによって、種々の発明の形成が可能である。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。図面は、理解しやすくするために、それぞれの構成要素を主体に模式的に示しており、図示された各構成要素の厚み、長さ、個数、間隔等は、図面作成の都合上から実際とは異なる場合もある。また、上記の実施形態で示す各構成要素の材質、形状、寸法等は一例であって、特に限定されるものではなく、本発明の効果から実質的に逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。

【産業上の利用可能性】

【0186】

本発明は、基板を加熱するための加熱部材を清浄にするために好適に用いられる。

【符号の説明】

【0187】

１００ 基板処理装置
１１０ チャンバー
１２０ 基板保持部
１３２ 薬液供給部
１３４ リンス液供給部
１３６ 有機溶剤供給部
１４０ ガス供給部
Ｗ 基板

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】