特許 7372271 半導体製造装置用部材及びその製法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2023-10-23

(45)【発行日】2023-10-31

(54)【発明の名称】半導体製造装置用部材及びその製法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/683 20060101AFI20231024BHJP

   H01L 21/3065 20060101ALN20231024BHJP

【ＦＩ】

H01L21/68 R

H01L21/302 101G

【請求項の数】 4

(21)【出願番号】P 2021001017

(22)【出願日】2021-01-06

(65)【公開番号】P2022106181

(43)【公開日】2022-07-19

【審査請求日】2022-10-18

(73)【特許権者】

【識別番号】000004064

【氏名又は名称】日本碍子株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110000017

【氏名又は名称】弁理士法人アイテック国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】石川 征樹

(72)【発明者】

【氏名】赤塚 祐司

(72)【発明者】

【氏名】米本 憲司

【審査官】内田 正和

(56)【参考文献】

【文献】特開２０２０－０５７７８６（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１３－２３２６４１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１９－２１２９１０（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１８－１０１７７３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０２０－１４５２８１（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２１／６８３

Ｈ０１Ｌ ２１／３０６５

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

ウエハ載置面を有し、電極を内蔵するセラミックプレートと、
前記セラミックプレートの前記ウエハ載置面とは反対側の面に設けられたプラグ挿入穴と、
前記セラミックプレートのうち前記プラグ挿入穴の底壁を厚み方向に貫通するガス放出孔と、
前記プラグ挿入穴に挿入されたプラグと、
前記プラグの内部に設けられ、前記ガス放出孔と連通し、前記プラグの厚み方向のガスの流通を許容するガス流路と、
を備え、
前記プラグの側面又は前記プラグ挿入穴の内面には段差が設けられ、前記段差よりも深い領域で前記プラグ挿入穴と前記プラグとは当接し、前記段差よりも浅い領域では、前記プラグ挿入穴と前記プラグとの間に隙間が形成され、前記隙間には接着材料製のプラグ支持部材が形成されており、
前記プラグは、前記プラグ挿入穴の開口部に向かって徐々に径が狭まる第１テーパ部を有している、
半導体製造装置用部材。

【請求項2】

前記プラグは、前記プラグ挿入穴の底面に向かって徐々に径が狭まる第２テーパ部を有し、
前記第２テーパ部の外面は、前記プラグ挿入穴の内面と当接し、
前記電極は、前記セラミックプレートの内部のうち前記第２テーパ部と交差する面に設けられ、前記プラグを貫通させるための貫通穴を有している、
請求項１に記載の半導体製造装置用部材。

【請求項3】

前記プラグは、緻密質セラミック製であり、
前記ガス流路は、螺旋状に形成されている、
請求項１又は２に記載の半導体製造装置用部材。

【請求項4】

請求項１～３のいずれか１項に記載の半導体製造装置用部材を製造する方法であって、（ａ）前記セラミックプレート及び前記プラグを準備する工程と、
（ｂ）前記プラグを前記プラグ挿入穴に挿入することにより、前記プラグの側面又は前記プラグ挿入穴の内面に設けられた段差よりも深い領域で前記プラグ挿入穴と前記プラグとが当接し、前記段差よりも浅い領域では、前記プラグ挿入穴と前記プラグとの間に隙間が形成されるようにする工程と、
（ｃ）前記隙間に接着剤を注入し、その後前記接着剤を硬化させることにより、前記プラグ支持部材を形成する工程と、
を含む半導体製造装置用部材の製法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、半導体製造装置用部材及びその製法に関する。

【背景技術】

【0002】

従来、半導体製造装置用部材としては、上面にウエハ載置面を有する静電チャックを備えたものが知られている。例えば、特許文献１の半導体製造装置用部材は、静電チャックの下面に中間プレートを介して冷却プレートが配置されたものである。冷却プレートは、ガス供給孔を有している。静電チャックは、下面からウエハ載置面まで貫通するガス放出孔を有している。中間プレートは、冷却プレートとともに、ガス供給孔及びガス放出孔と連通する空所を形成していて、この空所に緻密質プラグが配置されている。緻密質プラグは、上面側と下面側とを屈曲しながら貫通するガス流路を有している。この半導体製造装置用部材はチャンバー内でウエハ載置面にウエハを載置し、チャンバー内に原料ガスを導入すると共に冷却プレートにプラズマを立てるためのＲＦ電圧を印加することにより、プラズマを発生させてウエハの処理を行う。このとき、ガス供給孔には、ヘリウム等のバックサイドガスが導入される。バックサイドガスは、ガス供給孔から緻密質プラグのガス流路を経てガス放出孔を通ってウエハの裏面に供給される。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】米国特許出願公開第２０１７／０２４３７２６号明細書

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

しかしながら、特許文献１では、空所に緻密質プラグを配置するだけであるため、緻密質プラグと空所の内面との間に隙間が生じることがあった。こうした隙間も絶縁破壊の一因となるため好ましくない。また、仮に空所に緻密質プラグを樹脂製の接着剤を介して接着して隙間が生じるのを抑制しようとしても、接着剤がガス放出孔に流れ込んでガス放出孔を塞ぐおそれがあった。

【0005】

本発明はこのような課題を解決するためになされたものであり、プラグを支持する接着材料によってガス放出孔が塞がれないようにすることを主目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明の半導体製造装置用部材は、
ウエハ載置面を有し、電極を内蔵するセラミックプレートと、
前記セラミックプレートの前記ウエハ載置面とは反対側の面に設けられたプラグ挿入穴と、
前記セラミックプレートのうち前記プラグ挿入穴の底壁を厚み方向に貫通するガス放出孔と、
前記プラグ挿入穴に挿入されたプラグと、
前記プラグの内部に設けられ、前記ガス放出孔と連通し、前記プラグの厚み方向のガスの流通を許容するガス流路と、
を備え、
前記プラグの側面又は前記プラグ挿入穴の内面には段差が設けられ、前記段差よりも深い領域で前記プラグ挿入穴と前記プラグとは当接し、前記段差よりも浅い領域では、前記プラグ挿入穴と前記プラグとの間に隙間が形成され、前記隙間には接着材料製のプラグ支持部材が形成されている、
ものである。

【0007】

この半導体製造装置用部材では、プラグの側面又はプラグ挿入穴の内面に設けられた段差よりも深い領域でプラグ挿入穴とプラグとは当接し、段差よりも浅い領域では、プラグ挿入穴とプラグとの間に隙間が形成され、その隙間には接着材料製のプラグ支持部材が形成されている。この半導体製造装置用部材を製造する際に、プラグとプラグ挿入穴との隙間に接着剤を注入したとしても、接着剤は段差よりも奥に流れ込むことが抑制され、ひいては接着剤がガス放出孔に入り込むことが抑制される。したがって、プラグを支持する接着材料すなわちプラグ支持部材によってガス放出孔が塞がれることがない。

【0008】

本発明の半導体製造装置用部材において、前記プラグは、前記プラグ挿入穴の開口部に向かって徐々に径が狭まる第１テーパ部を有していてもよい。こうすれば、プラグ支持部材はプラグの第１テーパ部を下から受ける形状になるため、プラグがプラグ挿入穴から抜け落ちるのを防止することができる。

【0009】

本発明の半導体製造装置用部材において、前記プラグは、前記プラグ挿入穴の底面に向かって徐々に径が狭まる第２テーパ部を有していてもよく、前記第２テーパ部の外面は、前記プラグ挿入穴の内面と当接し、前記電極は、前記セラミックプレートの内部のうち前記第２テーパ部と交差する面に設けられ、前記プラグを貫通させるための貫通穴を有していてもよい。こうすれば、プラグは第２テーパ部を有しているため、第２テーパ部を有さない場合に比べて貫通穴の直径を小さくすることができる。

【0010】

本発明の半導体製造装置用部材において、前記プラグは、緻密質セラミック製であってもよく、前記ガス流路は、螺旋状に形成されていてもよい。こうすれば、ガス流路を経由してプラズマが放電するのを防止することができる。

【0011】

本発明の半導体製造装置用部材の製法は、
上述したいずれかの半導体製造装置用部材を製造する方法であって、
（ａ）前記セラミックプレート及び前記プラグを準備する工程と、
（ｂ）前記プラグを前記プラグ挿入穴に挿入することにより、前記プラグの側面又は前記プラグ挿入穴の内面に設けられた段差よりも深い領域で前記プラグ挿入穴と前記プラグとが当接し、前記段差よりも浅い領域では、前記プラグ挿入穴と前記プラグとの間に隙間が形成されるようにする工程と、
（ｃ）前記隙間に接着剤を注入し、その後前記接着剤を硬化させることにより、前記プラグ支持部材を形成する工程と、
を含むものである。

【0012】

この半導体製造装置用部材の製法によれば、隙間に接着剤を充填する際、接着剤は段差よりも奥に流れ込むことがない。そのため、接着剤がガス放出孔に入り込むことがない。したがって、プラグを支持する接着材料すなわちプラグ支持部材によってガス放出孔が塞がれることがない。

【図面の簡単な説明】

【0013】

【図1】半導体製造装置用部材１０の縦断面図。

【図2】セラミックプレート２０の平面図。

【図3】図１の部分拡大図。

【図4】プラグ４０の斜視図。

【図5】プラグ挿入穴３０にプラグ４０を取り付ける工程の説明図。

【図6】プラグ挿入穴３０にプラグ４０を取り付ける工程の説明図。

【図7】プラグ挿入穴３０にプラグ４０を取り付ける工程の説明図。

【図8】半導体製造装置用部材１１０の縦断面の部分拡大図。

【図9】半導体製造装置用部材２１０の縦断面の部分拡大図。

【発明を実施するための形態】

【0014】

次に、本発明の好適な実施形態について、図面を用いて説明する。図１は半導体製造装置用部材１０の縦断面図、図２はセラミックプレート２０の平面図、図３は図１の部分拡大図、図４はプラグ４０の斜視図である。

【0015】

半導体製造装置用部材１０は、セラミックプレート２０と、プラグ挿入穴３０と、ガス放出孔２８と、プラグ４０と、ガス流路４６と、冷却プレート６０とを備えている。

【0016】

セラミックプレート２０は、アルミナ焼結体や窒化アルミニウム焼結体などのセラミック製の円板（例えば直径３００ｍｍ、厚さ５ｍｍ）である。セラミックプレート２０の一方の面は、ウエハ載置面２０ａとなっている。セラミックプレート２０は、電極２２を内蔵している。セラミックプレート２０のウエハ載置面２０ａには、図２に示すように、外縁に沿ってシールバンド２１ａが形成され、全面に複数の円形突起２１ｂが形成されている。シールバンド２１ａ及び円形突起２１ｂは同じ高さであり、その高さは例えば数μｍ～数１０μｍである。電極２２は、静電電極として用いられる平面状のメッシュ電極であり、直流電圧を印加可能となっている。この電極２２に直流電圧が印加されるとウエハＷは静電吸着力によりウエハ載置面２０ａに吸着固定され、直流電圧の印加を解除するとウエハＷのウエハ載置面２０ａへの吸着固定が解除される。この電極２２は、ＲＦ電極としても用いられる。具体的には、ウエハ載置面２０ａの上方には上部電極（図示せず）が配置され、その平板電極とセラミックプレート２０に内蔵された電極２２とからなる平行平板電極間に高周波電力を印加するとプラズマが発生する。電極２２にはプラグ４０を挿通するための貫通穴２２ａ（図３参照）が設けられており、電極２２の貫通穴２２ａとプラグ４０との間は、所定の絶縁距離が確保されている。

【0017】

プラグ挿入穴３０は、セラミックプレート２０のウエハ載置面２０ａとは反対側の面２０ｂの複数箇所（例えば周方向に沿って等間隔に設けられた１２箇所とか２４箇所）に設けられた有底筒状の穴である。プラグ挿入穴３０は、略円筒形（例えば開口径８ｍｍ、全長４ｍｍ）であるが、図３に示すように、底面３１と側面３２との境界は傾斜面３３となっている。

【0018】

ガス放出孔２８は、セラミックプレート２０のうちプラグ挿入穴３０の底壁に相当する部分を厚み方向に貫通するように設けられた小径（例えば直径０．１ｍｍ）の穴である。ガス放出孔２８は、一つのプラグ挿入穴３０に対して複数設けられている。

【0019】

プラグ４０は、緻密質セラミック製の部材（例えば最大外径８ｍｍ、全長４ｍｍ）であり、プラグ挿入穴３０に挿入されている。プラグ４０は、セラミックプレート２０と同種のセラミックで形成されていることが好ましい。プラグ４０の側面には、プラグ４０の周方向に沿って段差４４が設けられている。プラグ挿入穴３０のうち、プラグ４０の段差４４よりも深くガス放出孔２８と対向する位置に設けられた円形凹部４８に至る手前までの領域でプラグ挿入穴３０とプラグ４０とは当接している。プラグ挿入穴３０のうち、段差４４よりも浅い領域では、プラグ挿入穴３０とプラグ４０との間に隙間Ｇが形成されている。この隙間Ｇには接着材料製のプラグ支持部材５０が形成されている。接着材料としては、例えばシリコーン樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂などが挙げられるが、シリコーン樹脂が好ましい。プラグ４０は、プラグ挿入穴３０の開口部３０ａに向かって徐々に径が狭まる第１テーパ部４１を有している。そのため、第１テーパ部４１とプラグ挿入穴３０との隙間Ｇは、プラグ挿入穴３０の開口部３０ａに向かって徐々に広くなっている。プラグ支持部材５０は、プラグ４０の第１テーパ部４１を下から受ける形状になっている。プラグ４０は、プラグ挿入穴３０の底面３１に向かって徐々に径が狭まる第２テーパ部４２を有している。第２テーパ部４２はプラグ挿入穴３０の傾斜面３３と当接している。プラグ４０は、内部にガス流路４６を有している。

【0020】

ガス流路４６は、ガス放出孔２８と連通し、プラグ４０の厚さ方向のガスの流通を許容する。本実施形態では、ガス流路４６は、プラグ４０を厚さ方向に貫通する螺旋状に形成されている。プラグ４０のうちプラグ挿入穴３０の底面３１に対向する面には、円形凹部４８が設けられている。円形凹部４８は、ガス流路４６と複数のガス放出孔２８とを連通する役割を果たす。

【0021】

プラグ４０は、例えば、３Ｄプリンターを用いて成形した成形体を焼成して製造してもよいし、モールドキャスト成形した成形体を焼成して製造してもよい。モールドキャスト成形の詳細は、例えば特許第５４５８０５０号公報などに開示されている。モールドキャスト成形では、成形型の成形空間に、セラミック粉体、溶媒、分散剤及びゲル化剤を含むセラミックスラリーを注入し、ゲル化剤を化学反応させてセラミックスラリーをゲル化させることにより、成形型内に成形体を形成する。モールドキャスト成形では、ワックスなどの融点の低い材料で形成された外型及び中子（ガス流路４６と同形状の型）を成形型として用いて成形型内に成形体を形成し、その後、成形型の融点以上の温度に加熱して成形型を溶融除去又は消失させて、成形体を製造してもよい。

【0022】

冷却プレート６０は、金属アルミニウムやアルミニウム合金などの金属製の円板（セラミックプレート２０と同じ直径かそれよりも大きな直径の円板）である。冷却プレート６０の内部には、冷媒が循環する冷媒流路６２やバックサイドガスをプラグ４０へ供給するガス供給通路６４が形成されている。ガス供給通路６４は、平面視で冷却プレート６０と同心円の環状のガス集合部６４ａと、冷却プレート６０の裏面からガス集合部６４ａへガスを導入するガス導入部６４ｂと、ガス集合部６４ａから各プラグ４０へガスを分配するガス分配部６４ｃとを備える。冷却プレート６０とセラミックプレート２０とは、樹脂製のボンディングシート７０を介して接着されている。ボンディングシート７０には、プラグ挿入穴３０と対向する位置に、プラグ挿入穴３０の開口径と同じかやや大きい径の穴７２が設けられている。なお、冷却プレート６０とセラミックプレート２０とは、ボンディングシート７０ではなくろう材を介して接合されていてもよい。

【0023】

次に、こうして構成された半導体製造装置用部材１０の使用例について説明する。まず、図示しないチャンバー内に半導体製造装置用部材１０を設置した状態で、ウエハＷをウエハ載置面に載置する。そして、チャンバー内を真空ポンプにより減圧して所定の真空度になるように調整し、セラミックプレート２０の電極２２に直流電圧をかけて静電吸着力を発生させ、ウエハＷをウエハ載置面に吸着固定する。次に、チャンバー内を所定圧力（例えば数１０～数１００Ｐａ）の反応ガス雰囲気とし、この状態で、チャンバー内の天井部分に設けた図示しない上部電極と半導体製造装置用部材１０の電極２２との間に高周波電圧を印加させてプラズマを発生させる。なお、上部電極と電極２２との間に高周波電圧を印加する代わりに、上部電極と冷却プレート６０との間に高周波電圧を印加してもよい。ウエハＷの表面は、発生したプラズマによってエッチングされる。もしプラグ４０の内部に厚み方向に直線的に貫通するガス流路が設けられていたならば、発生したプラズマは、そのガス流路を介してウエハＷと冷却プレート６０との間で放電を起こすことがある。しかし、本実施形態では、プラグ４０のガス流路４６は螺旋状のため、そのような放電が起きるのを防止することができる。冷却プレート６０の冷媒流路６２には、冷媒が循環される。ガス供給通路６４には、図示しないガスボンベからヘリウム等のバックサイドガスが導入される。バックサイドガスは、ガス供給通路６４、ガス流路４６及びガス放出孔２８を通って、ウエハＷの裏面とウエハ載置面２０ａのうちシールバンド２１ａや円形突起２１ｂが設けられていない部分との間の空間に放出され封入される。このバックサイドガスの存在により、ウエハＷとセラミックプレート２０との熱伝導が効率よく行われる。

【0024】

次に、半導体製造装置用部材１０の製造例について説明する。図５～図７は、半導体製造装置用部材１０の製造工程のうち、セラミックプレート２０のプラグ挿入穴３０にプラグ４０を取り付ける工程の説明図である。

【0025】

まず、セラミックプレート２０及びプラグ４０を準備する（工程（ａ））。セラミックプレート２０及びプラグ４０は既に説明した通りのものである。

【0026】

次に、プラグ４０をセラミックプレート２０のプラグ挿入穴３０に挿入する（工程（ｂ）、図５参照）。具体的には、セラミックプレート２０を、プラグ挿入穴３０の開口部３０ａが上を向くように配置する。そして、プラグ４０を、円形凹部４８が下を向くような姿勢で掴み、プラグ挿入穴３０に挿入する。すると、図６に示すように、プラグ挿入穴３０のうちプラグ４０の段差４４よりも深くガス放出孔２８に至る手前（円形凹部４８の手前）までの領域でプラグ挿入穴３０とプラグ４０とが当接する。このとき、プラグ４０の円形凹部４８が設けられた面がプラグ挿入穴３０の底面３１に位置し、第２テーパ部４２が傾斜面３３と当接する。また、プラグ挿入穴３０のうちプラグ４０の段差４４よりも浅い領域では、プラグ挿入穴３０とプラグ４０との間に隙間Ｇが形成される。

【0027】

次に、この隙間Ｇに接着剤８０をディスペンサ８２を使用して注入し、その後、その接着剤を硬化させる（工程（ｃ）、図６及び図７参照）。接着剤８０としては、シリコーン系、エポキシ系、アクリル系などが挙げられるが、シリコーン系が好ましい。接着剤８０は、段差４４で堰き止められる。そのため、接着剤８０をプラグ挿入穴３０の開口部３０ａまで注入することにより、定量の接着剤８０を注入することができる。また、接着剤８０は、段差４４を超えてガス放出孔２８や円形凹部４８に到達することを抑制できる。更に、隙間Ｇはプラグ挿入穴３０の開口部３０ａに近いほど広くなっているため、接着剤８０を注入しやすい。接着剤８０が硬化するとプラグ支持部材５０になる。その後、セラミックプレート２０のうちウエハ載置面２０ａとは反対側の面２０ｂと冷却プレート６０のうちガス分配部６４ｃが開口している面とをボンディングシート７０を介して接合する。これにより、半導体製造装置用部材１０が得られる。

【0028】

なお、プラグ４０の側面に段差が形成されていない場合、接着剤８０をプラグ４０の側面に塗布してからプラグ挿入穴３０に挿入する方法が考えられるが、そうすると、挿入時に接着剤８０がプラグ挿入穴３０の側面と接触することによりはぎとられることがある。これに対して、上述したように隙間Ｇに接着剤８０を注入する方法では、接着剤８０がはぎ取られることがないため、確実に接着層を設けることができる。このため、プラグ４０の周りに空隙が発生することがなく、接着層の耐久性が向上する。

【0029】

以上詳述した半導体製造装置用部材１０では、プラグ４０の側面に設けられた段差４４よりも深い領域でプラグ挿入穴３０とプラグ４０とは当接し、段差４４よりも浅い領域では、プラグ挿入穴３０とプラグ４０との間に隙間Ｇが形成され、その隙間Ｇには接着材料製のプラグ支持部材５０が形成されている。この半導体製造装置用部材１０を製造する際に、プラグ挿入穴３０とプラグ４０との隙間Ｇに接着剤８０を注入したとしても、接着剤８０は段差４４よりも奥に流れ込むことが抑制され、ひいては接着剤８０がガス放出孔２８に入り込むことが抑制される。したがって、プラグ４０を支持する接着材料すなわちプラグ支持部材５０によってガス放出孔２８が塞がれることがない。

【0030】

このように段差４４を設けることにより隙間Ｇがプラグ４０の周りで途切れることなく形成されるため、接着剤８０によりプラグ４０の周りを確実に接着することができ、プラズマの回り込みを抑制することができる。さらに、段差４４を設けることによりプラズマが接着層であるプラグ支持部材５０に与える影響を低減することができる。

【0031】

更に、プラグ４０は、第１テーパ部４１を有している。そのため、プラグ支持部材５０は、プラグ４０の第１テーパ部４１を下から受ける形状になり、プラグ４０がプラグ挿入穴３０から抜け落ちるのを防止することができる。

【0032】

更にまた、プラグ４０は、第２テーパ部４２を有し、第２テーパ部４２の外面は、プラグ挿入穴３０の傾斜面３３と当接し、電極２２は、セラミックプレート２０の内部のうち第２テーパ部４２と交差する面に設けられ、プラグ４０を貫通するための貫通穴２２ａを有している。このように、プラグ４０は第２テーパ部４２を有しているため、第２テーパ部４２を有さない場合（後述する図８参照）に比べて、貫通穴２２ａの直径Ｄ１（図３参照）を小さくすることができる。また、プラグ４０を貫通穴２２ａに合わせて全長にわたり細くする場合に比べてプラグ４０の内部に設けられた螺旋状のガス流路４６を長くすることができる。

【0033】

そしてまた、プラグ４０は、緻密質セラミック製であり、ガス流路４６は、螺旋状に形成されているため、ガス流路４６を経由してプラズマが放電するのを防止することができる。

【0034】

なお、本発明は上述した実施形態に何ら限定されることはなく、本発明の技術的範囲に属する限り種々の態様で実施し得ることはいうまでもない。

【0035】

例えば、上述した実施形態において、緻密質セラミック製のプラグ４０の代わりに、プラグ４０と外観形状が同じである多孔質プラグを用いてもよい。多孔質プラグは、内部に細孔を有しているため、バックサイドガスが厚み方向に流れるのを許容する。そのため、多孔質プラグの内部に螺旋状のガス流路４６を設ける必要はない。こうした多孔質プラグを用いる場合、外面を緻密質セラミックでコーティングするのが好ましい。こうすれば、接着剤が多孔質プラグの内部に浸透するのを防止することができる。

【0036】

上述した実施形態において、セラミックプレート２０の内部に抵抗発熱体を埋設してもよい。こうすれば、ウエハＷの温度をより精度よく制御することができる。

【0037】

上述した実施形態では、プラグ４０の内部のガス流路４６を螺旋状としたが、特にこれに限定されない。例えばガス流路を折り返し部の多い形状（ジグザグ形状など）としてもよい。このようにしても、ガス流路を介して放電が起きるのを効果的に防止することができる。

【0038】

上述した実施形態において、プラグ４０に第１テーパ部４１を設けなくてもよい。その場合、隙間Ｇ及びプラグ支持部材５０は一様な幅（厚み）を持つようになる。

【0039】

上述した実施形態では、プラグ４０に第２テーパ部４２を設け、プラグ挿入穴３０に傾斜面３３を設けたが、図８に示した半導体製造装置用部材１１０のように、第２テーパ部４２や傾斜面３３を設けなくてもよい。図８では、上述した実施形態と同じ構成要素については同じ符号を付した。この場合、電極２２の貫通穴２２ａとプラグ４０とは所定の絶縁距離だけ離す必要があるため、電極２２の貫通穴２２ａの直径Ｄ２は上述した実施形態の直径Ｄ１よりも大きくなる。

【0040】

上述した実施形態では、プラグ４０の側面に段差４４を設けたが、図９に示した半導体製造装置用部材２１０のように、プラグ４０の側面に段差４４を設ける代わりに、プラグ挿入穴３０の側面３２に段差３４を設けてもよい。図９では、上述した実施形態と同じ構成要素については同じ符号を付した。半導体製造装置用部材２１０では、プラグ挿入穴３０のうち段差３４よりも深くガス放出孔２８に至る手前までの領域でプラグ挿入穴３０とプラグ４０とは当接している。また、プラグ挿入穴３０のうち段差３４よりも浅い領域では、プラグ挿入穴３０とプラグ４０との間に隙間Ｇが形成され、その隙間Ｇにはプラグ支持部材５０が形成されている。この半導体製造装置用部材２１０を製造する際に、プラグ挿入穴３０とプラグ４０との隙間Ｇに接着剤を注入したとしても、接着剤は段差３４よりも奥に流れ込むことが抑制され、ひいては接着剤がガス放出孔２８に入り込むことが抑制される。したがって、プラグ４０を支持する接着材料すなわちプラグ支持部材５０によってガス放出孔２８が塞がれることがない。

【符号の説明】

【0041】

１０，１１０，２１０ 半導体製造装置用部材、２０ セラミックプレート、２０ａ ウエハ載置面、２１ａ シールバンド、２１ｂ 円形突起、２２ 電極、２２ａ 貫通穴、２８ ガス放出孔、３０ プラグ挿入穴、３０ａ 開口部、３１ 底面、３２ 側面、３３ 傾斜面、３４ 段差、４０ プラグ、４１ 第１テーパ部、４２ 第２テーパ部、４４ 段差、４６ ガス流路、４８ 円形凹部、５０ プラグ支持部材、６０ 冷却プレート、６２ 冷媒流路、６４ ガス供給通路、６４ａ ガス集合部、６４ｂ ガス導入部、６４ｃ ガス分配部、７０ ボンディングシート、７２ 穴、８０ 接着剤、８２ ディスペンサ、Ｇ 隙間、Ｗ ウエハ。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】