特許 7372435 パッケージング構造および電力増幅器

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2023-10-23

(45)【発行日】2023-10-31

(54)【発明の名称】パッケージング構造および電力増幅器

(51)【国際特許分類】

   H01L 23/36 20060101AFI20231024BHJP

【ＦＩ】

H01L23/36 C

【請求項の数】 15

(21)【出願番号】P 2022500995

(86)(22)【出願日】2020-07-09

(65)【公表番号】

(43)【公表日】2022-09-14

(86)【国際出願番号】 CN2020100971

(87)【国際公開番号】W WO2021004493

(87)【国際公開日】2021-01-14

【審査請求日】2022-02-16

(31)【優先権主張番号】201910615283.3

(32)【優先日】2019-07-09

(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN

(73)【特許権者】

【識別番号】503433420

【氏名又は名称】華為技術有限公司

【氏名又は名称原語表記】ＨＵＡＷＥＩ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＩＥＳ ＣＯ．，ＬＴＤ．

【住所又は居所原語表記】Ｈｕａｗｅｉ Ａｄｍｉｎｉｓｔｒａｔｉｏｎ Ｂｕｉｌｄｉｎｇ， Ｂａｎｔｉａｎ， Ｌｏｎｇｇａｎｇ Ｄｉｓｔｒｉｃｔ， Ｓｈｅｎｚｈｅｎ， Ｇｕａｎｇｄｏｎｇ ５１８１２９， Ｐ．Ｒ． Ｃｈｉｎａ

(74)【代理人】

【識別番号】100132481

【弁理士】

【氏名又は名称】赤澤 克豪

(74)【代理人】

【識別番号】100115635

【弁理士】

【氏名又は名称】窪田 郁大

(72)【発明者】

【氏名】▲張▼ 小敏

(72)【発明者】

【氏名】黄 明利

(72)【発明者】

【氏名】蒋 然

【審査官】高橋 優斗

(56)【参考文献】

【文献】国際公開第２００３／０７７３１７（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特開平１１－１７６９８７（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００３－２３４４４２（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０００－１５０６９２（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００１－２１０７８６（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００４－２４１４１６（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ２３／１２－２３／１５

Ｈ０１Ｌ２３／２９

Ｈ０１Ｌ２３／３４－２３／４７３

Ｈ０１Ｌ２５／００－２５／１８

Ｈ０３Ｆ１／００－３／７２

Ｈ０３Ｆ７／００－７／０６

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１のコンポーネント、第２のコンポーネント、プリント回路基板、および金属板を備えるパッケージング構造であって、
前記金属板は、エッチングされたパターンを有し、
前記プリント回路基板は前記金属板上に配置されており、前記プリント回路基板は開放スロットを有し、
前記第１のコンポーネントは前記開放スロットに配置され、前記第１のコンポーネントは前記金属板上に配置され、
前記第１のコンポーネントは前記プリント回路基板に接続され、
前記第２のコンポーネントは前記プリント回路基板上に配置され、前記第２のコンポーネントは前記プリント回路基板に接続され、
前記金属板が前記エッチングされたパターンを有することは、
前記金属板はパッドを有し、
前記プリント回路基板は前記金属板上の前記パッドに接続されること
を含み、
前記エッチングされたパターンは第１のマイクロストリップ回路をさらに含み、前記パッケージング構造は第３のコンポーネントをさらに含み、前記第３のコンポーネントは前記第１のマイクロストリップ回路上に配置され、前記第３のコンポーネントは前記第１のマイクロストリップ回路に接続され、
前記プリント回路基板は第２のマイクロストリップ回路を含み、
前記第１のコンポーネントは、前記プリント回路基板上の前記第２のマイクロストリップ回路を使用することによって前記金属板上のパッドに接続され、
前記第１のコンポーネントは、前記プリント回路基板上の前記第２のマイクロストリップ回路を使用することによって、前記プリント回路基板上に配置された前記第２のコンポーネントに接続される、パッケージング構造。

【請求項2】

前記金属板の厚さは０．０７ｍｍから０．５ｍｍである、請求項１に記載のパッケージング構造。

【請求項3】

前記金属板の厚さは０．０３５ｍｍから１ｍｍである、請求項１に記載のパッケージング構造。

【請求項4】

前記第１のコンポーネントは、ボンドワイヤまたはリボンを使用することによって前記プリント回路基板に接続されている、請求項１に記載のパッケージング構造。

【請求項5】

前記第３のコンポーネントは、前記金属板上の前記第１のマイクロストリップ回路を使用することによって、前記プリント回路基板上の前記第２のマイクロストリップ回路に接続された前記第２のコンポーネントに結合される、請求項１に記載のパッケージング構造。

【請求項6】

前記パッケージング構造は、リッドまたはモールドをさらに含み、
前記リッドまたは前記モールドは前記プリント回路基板上に配置され、
前記第１のコンポーネント、前記第２のコンポーネント、およびボンドワイヤまたはリボンは、前記リッドまたは前記モールドと前記プリント回路基板との間に含まれる、請求項５に記載のパッケージング構造。

【請求項7】

前記第１のコンポーネントは１つまたは複数の半導体ダイであり、または
前記第１のコンポーネントは、１つまたは複数のセラミックコンデンサである、請求項１から６のいずれか一項に記載のパッケージング構造。

【請求項8】

前記第１のコンポーネントはコンデンサである、請求項１から６のいずれか一項に記載のパッケージング構造。

【請求項9】

前記第２のコンポーネントは１つまたは複数の表面実装デバイスである、請求項１から６のいずれか一項に記載のパッケージング構造。

【請求項10】

前記プリント回路基板は、積層プリント回路基板の１つまたは複数の層を含む、請求項１から９のいずれか一項に記載のパッケージング構造。

【請求項11】

前記プリント回路基板は、シリコン基板、ガラス基板、または有機基板である、請求項１０に記載のパッケージング構造。

【請求項12】

前記金属板は、銅またはアルミニウムなどの高熱伝導率を有する金属材料である、請求項１から６のいずれか一項に記載のパッケージング構造。

【請求項13】

請求項１から６のいずれか一項に記載のパッケージング構造を備える、電力増幅器。

【請求項14】

前記電力増幅器は、第１のインダクタを備え、
前記第１のインダクタはボンドワイヤまたはリボンである、請求項１３に記載の電力増幅器。

【請求項15】

前記第１のインダクタのインダクタンス値は、前記ボンドワイヤとプリント回路基板との間の高さの差、前記ボンドワイヤの全長、ボンドワイヤの数量、または前記ボンドワイヤ間の距離によって決定され、あるいは、
前記第１のインダクタのインダクタンス値は、前記リボンとプリント回路基板との間の高さの差、前記リボンの全長、リボンの数量、または前記リボン間の距離によって決定される、請求項１４に記載の電力増幅器。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本出願は、集積回路技術の分野、特にパッケージング構造および電力増幅器に関する。

【背景技術】

【0003】

無線基地局は、さまざまな移動体通信分野で広く利用されている。基地局のカバレッジエリアを拡大するには、高出力の無線基地局が必要である。しかしながら、出力電力が高いと、電力増幅器（ＰＡ）の温度が比較的高くなる。したがって、電力増幅器は優れた放熱性能を有することが重要である。さらに、マーケット志向の大規模生産は、製造コストや製造技術の簡素化の要求も引き起こす。

【0004】

電力増幅器では、クアッドフラットノーリードパッケージ（ｑｕａｄ ｆｌａｔ ｎｏ－ｌｅａｄ ｐａｃｋａｇｅ、ＱＦＮ）またはデュアルフラットノーリードパッケージ（ＤＦＮ）が使用される 。具体的な構造は、半導体ダイ（ｄｉｅ）の底部を金属板に接続し、その金属板を放熱に使用し、半導体ダイはボンドワイヤ（ｂｏｎｄ ｗｉｒｅ）を使用してパッド（ｐａｄ）に接続され、半導体ダイはパッドを使用して信号を入力または出力する、というものである。

【0005】

上記のパッケージングモードでは、コンポーネントは、半導体ダイアタッチ技術を使用してのみ金属板に接続でき、表面実装技術（ｓｕｒｆａｃｅ ｍｏｕｎｔｉｎｇ ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ、ＳＭＴ）を使用する表面実装デバイス（ｓｕｒｆａｃｅ ｍｏｕｎｔｉｎｇ ｄｅｖｉｃｅｓ、ＳＭＤ）などの電力増幅器の一部の特殊コンポーネントは、金属板に接続できない。したがって、これらのコンポーネントは独立して配置する必要があり、その結果、電力増幅器全体の集積度が低くなる。

【0006】

したがって、放熱性能を確保することを前提として、パッケージング構造の全体的な集積度を改善するためのパッケージング構造が必要である。

【発明の概要】

【0007】

本出願の実施形態は、パッケージング構造および電力増幅器を提供し、電力増幅器はパッケージング構造を有する。消費電力の大きい第１のコンポーネントは放熱を促進するために金属板上に配置され、第２のコンポーネントは導体損失を効果的に回避するためにプリント回路基板上に配置される。第１のコンポーネントの放熱および第２のコンポーネントの電力効率を確保することを前提として、パッケージング構造全体の集積度が改善される。

【0008】

本出願の第１の態様は、第１のコンポーネント、第２のコンポーネント、プリント回路基板、および金属板を含むパッケージング構造を提供する。金属板はエッチングされたパターンを有し、金属板は銅またはアルミニウムなどの熱伝導率の高い金属材料である。プリント回路基板は金属板上に配置されており、プリント回路基板は開放スロットを有する。プリント回路基板は、積層プリント回路基板（ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ ｂｏａｒｄ、ＰＣＢ）の１つまたは複数の層であり得、プリント回路基板は、シリコン基板、ガラス基板、または有機基板である。第１のコンポーネントは開放スロットに配置され、第１のコンポーネントは金属板上に配置される。第１のコンポーネントは、１つまたは複数のトランジスタであり得、第１のコンポーネントは、代替としてセラミックコンデンサであり得る。第１のコンポーネントはプリント回路基板に接続されている。第２のコンポーネントはプリント回路基板上に配置され、第２のコンポーネントはプリント回路基板に接続されている。第２のコンポーネントは、１つまたは複数の表面実装デバイス（ｓｕｒｆａｃｅ ｍｏｕｎｔｉｎｇ ｄｅｖｉｃｅｓ、ＳＭＤ）であり得る。

【0009】

本出願のこの実施形態では、消費電力の大きい第１のコンポーネントは放熱を促進するために金属板上に配置され、第２のコンポーネントは導体損失を効果的に回避するためにプリント回路基板上に配置される。第１のコンポーネントの放熱および第２のコンポーネントの電力効率を確保することを前提として、パッケージング構造全体の集積度が改善される。

【0010】

第１の態様に関して、第１の可能な実装において、金属板の厚さは、０．０７ｍｍから０．５ｍｍである。

【0011】

本出願のこの実施形態では、金属板のエッチングを容易にするために、金属板の厚さは０．０７ｍｍから０．５ｍｍであり、その結果、金属板はエッチングされたパターンを有する。

【0012】

別の可能な実装では、金属板１０５の厚さは、０．０３５ｍｍから１ｍｍであり得る。

【0013】

第１の態様および第１の態様の第１の可能な実装に関して、第１の態様の第２の可能な実装において、第１のコンポーネントは、ボンドワイヤまたはリボンを使用してプリント回路基板に接続される。ボンドワイヤは、ボンドワイヤ（ｂｏｎｄ ｗｉｒｅ）またはリボン（ｒｉｂｂｏｎ）であり得、ボンドワイヤは、第１のコンポーネントとプリント回路基板とを接続するために使用される。具体的には、第１のコンポーネントの入力ポートまたは出力ポートは、ボンドワイヤを使用してプリント回路基板上のマイクロストリップに接続される。

【0014】

第１の態様の第２の可能な実装に関して、第１の態様の第３の可能な実装において、金属板がエッチングされたパターンを有することは、金属板がパッド（ｐａｄ）を有し、プリント回路基板は、金属板上のパッドに接続されることを含む。

【0015】

本出願のこの実施形態では、金属板上にエッチングされたパターンがパッドである場合、金属板上に配置された第１のコンポーネントおよびプリント回路基板上に配置された第２のコンポーネントは、パッドを使用して信号を入力または出力し得る。

【0016】

第１の態様の第３の可能な実装に関して、第１の態様の第４の可能な実装において、金属板がエッチングされたパターンを有することは、エッチングされたパターンが第１のマイクロストリップ回路を含む場合、パッケージング構造は、第３のコンポーネントをさらに含み、第３のコンポーネントは、第１のマイクロストリップ回路上に配置され、第２のコンポーネントは第３のコンポーネントに結合される。

【0017】

本出願のこの実施形態では、金属板上にエッチングされたパターンは、代替として、第１のマイクロストリップ回路であり得る。金属板上にエッチングされたパターンが第１のマイクロストリップ回路である場合、パッケージング構造は第３のコンポーネントをさらに含み得、第３のコンポーネントはＳＭＤであり得、第３のコンポーネントは第１のマイクロストリップ回路上に配置される。第３のコンポーネントは、第２のコンポーネントに結合され得る。

【0018】

第１の態様の第４の可能な実装に関して、第１の態様の第５の可能な実装において、プリント回路基板は、マイクロストリップ回路を含む。第１のコンポーネントは、プリント回路基板上のマイクロストリップ回路を使用して金属板上のパッドに接続され、第１のコンポーネントは、プリント回路基板上のマイクロストリップ回路を使用して、プリント回路基板上に配置された第２のコンポーネントに接続される。

【0019】

第１の態様の第５の可能な実装に関して、第１の態様の第６の可能な実装において、パッケージング構造は、リッドまたはモールドをさらに含む。リッドまたはモールドはプリント回路基板上に配置される。第１のコンポーネント、第２のコンポーネント、およびボンドワイヤまたはリボンは、リッドまたはモールドとプリント回路基板との間に含まれ、リッドまたはモールドは、パッケージング構造を保護するように構成される。

【0020】

本出願のこの実施形態では、金属板およびプリント回路基板が効果的に保護され得るように、かつ金属板およびプリント回路基板上に配置されている第１のコンポーネント、第２のコンポーネント、およびボンドワイヤなどのコンポーネントが効果的に保護され得るように、リッドまたはモールドがプリント回路基板上に配置される。

【0021】

本出願の第２の態様は、電力増幅器を提供する。電力増幅器は、第１の態様または第１の態様の可能な実装のいずれか１つによるパッケージング構造を含む。

【0022】

本出願の第２の態様に関し、本出願の第２の態様の第１の可能な実装において、電力増幅器は第１のインダクタを含み、第１のインダクタはボンドワイヤまたはリボンである。第１のインダクタのインダクタンス値は、ボンドワイヤとプリント回路基板との間の距離、またはリボンとプリント回路基板との間の距離によって決定される。

【0023】

本出願のこの実施形態では、電力増幅器は、インダクタとしてボンドワイヤを使用する。ボンドワイヤは高いＱ値を有し、ボンドワイヤをインダクタとして使用した場合の損失は比較的小さい。したがって、電力増幅器の効率が改善される。Ｑ値はインダクタの品質係数であり、インダクタを測定するための主要なパラメータである。Ｑ値は、インダクタが特定の周波数の交流電圧の下で動作するときのインダクタの等価損失抵抗に対するインダクタの誘導性リアクタンスの比率である。インダクタのＱ値が高いほど、損失がより低くなり、インダクタの効率がより高くなる。

【0024】

上記の技術的解決策から、本出願の実施形態は、消費電力の高い第１のコンポーネントが金属板上に配置されて熱放散を容易にし、第２のコンポーネントがプリント回路基板上に配置されて導体の損失を効果的に回避する、という利点を有することが理解され得る。第１のコンポーネントの放熱および第２のコンポーネントの電力効率を確保することを前提として、パッケージング構造全体の集積度が改善される。

【図面の簡単な説明】

【0025】

本願の実施形態または背景の技術的解決策をより明快に説明するために、以下で、本願の実施形態または背景を説明するための添付の図面について簡単に説明する。

【図1】本出願の一実施形態によるパッケージング構造の概略構造図である。

【図2】本出願の一実施形態による別のパッケージング構造の概略構造図である。

【図3】本出願の一実施形態による別のパッケージング構造の概略構造図である。

【図4】本出願の一実施形態による別のパッケージング構造の概略構造図である。

【図5】本出願の一実施形態による別のパッケージング構造の概略構造図である。

【図6】本出願の一実施形態による別のパッケージング構造の概略構造図である。

【図7】本出願の一実施形態による概略回路図である。

【図8】本出願の一実施形態による別の概略回路図である。

【図9】本出願の一実施形態による電力増幅器の概略構造図である。

【発明を実施するための形態】

【0026】

本出願の実施形態は、放熱性能を確保することを前提として、パッケージング構造の集積度を改善するためのパッケージング構造を提供する。

【0027】

以下では、添付の図面を参照して、本出願の実施形態を説明する。図１は、本出願の一実施形態によるパッケージング構造の概略構造図である。本出願で提案されるパッケージング構造は、第１のコンポーネント１０１、第２のコンポーネント１０２、プリント回路基板１０３、開放スロット１０４、金属板１０５、およびボンドワイヤ１０６を含む。

【0028】

第１のコンポーネント１０１は、１つまたは複数の半導体ダイであり得、半導体ダイ（ｄｉｅ）は、トランジスタであり得る。パッケージング構造が電力増幅器に適用可能である場合、第１のコンポーネント１０１は、ピークトランジスタおよび／または平均トランジスタとして使用され得る。

【0029】

あるいは、第１のコンポーネント１０１は、１つまたは複数のコンデンサであり得、コンデンサは、具体的にはセラミックコンデンサであり得る。セラミックコンデンサは損失が小さいなどの特徴を有する。セラミックコンデンサは、具体的には、多層セラミックコンデンサ（ｍｕｌｔｉｌａｙｅｒ ｃｅｒａｍｉｃ ｃａｐａｃｉｔｏｒ、ＭＬＣＣ）であり得る。第１のコンポーネント１０１は、ダイアタッチ（ｄｉｅ ａｔｔａｃｈ）技術を使用して金属板１０５に接続されるか、または第１のコンポーネント１０１は、溶接方式で金属板１０５に接続される。第１のコンポーネント１０１は、ボンドワイヤ１０６を使用してプリント回路基板１０３に接続されている。具体的には、第１のコンポーネント１０１は、ボンドワイヤ１０６を使用することによって、プリント回路基板１０３上のマイクロストリップに接続される。第１のコンポーネント１０１は、ボンドワイヤ１０６を使用することによって第２のコンポーネント１０２にさらに接続され得る。

【0030】

第１のコンポーネント１０１は、開放スロット１０４に配置され、開放スロット１０４は、プリント回路基板１０３上に配置され、開放スロット１０４の底部は、金属板１０５である。１つまたは複数の開放スロット１０４がプリント回路基板１０３上に配置されてよく、１つまたは複数の第１のコンポーネント１０１が開放スロット１０４に配置されることに留意されたい。

【0031】

第１のコンポーネント１０１と金属板１０５との間に熱伝導性接着剤がさらに加えられ得る。熱伝導性接着剤は、金属板１０５のものである表面に塗布され、第１のコンポーネント１０１と接触して、第１のコンポーネント１０１を金属板１０５に取り付けるものである。

【0032】

第２のコンポーネントは、１つまたは複数の表面実装デバイス（ｓｕｒｆａｃｅ ｍｏｕｎｔｉｎｇ ｄｅｖｉｃｅｓ、ＳＭＤ）であり得る。表面実装デバイスは、具体的には、コンデンサ、抵抗器、インダクタ、またはダイであり得る。第２のコンポーネント１０２が表面実装デバイスである場合、第２のコンポーネント１０２は、表面実装技術（ｓｕｒｆａｃｅ ｍｏｕｎｔｉｎｇ ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ、ＳＭＴ）を使用して、プリント回路基板１０３上に配置される。第２のコンポーネント１０２は、プリント回路基板１０３上のマイクロストリップを使用して接続される。マイクロストリップは、誘電体基板上の金属伝導帯と底面の導体接地板を含むマイクロ波集積回路伝送線路である。

【0033】

プリント回路基板１０３は、積層プリント回路基板（ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ ｂｏａｒｄ、ＰＣＢ）またはラミネート（ｌａｍｉｎａｔｅｓ）の１つまたは複数の層であり得る。マイクロストリップまたは銅線が、プリント回路基板１０３上に配置されている。プリント回路基板１０３は、接着剤を使用して金属板１０５に貼り付けられる。プリント回路基板１０３の材料は、シリコン基板、ガラス基板、または有機基板であり得る。

【0034】

金属板１０５は、銅またはアルミニウムなどの熱伝導率の高い金属材料である。金属板１０５は、エッチングされたパターンを有する。特定のエッチングされたパターンは、パッド（ｐａｄ）または別のパターンであり得るが、これは本明細書において限定されない。一例では、パターンエッチングを容易にするために、金属板１０５の厚さは、０．０７ｍｍから０．５ｍｍであり得る。金属板１０５の厚さは、本明細書において限定されない。別の任意選択の実装解決策では、金属板１０５の厚さは、０．０３５ｍｍから１ｍｍである。

【0035】

金属板１０５およびプリント回路基板１０３は、密着方式で接続してよく、または溶接方式、バックル接続方式、ねじ接続方式等で接続してよい。

【0036】

ボンドワイヤ１０６は、ボンドワイヤ（ｂｏｎｄ ｗｉｒｅ）またはリボン（ｒｉｂｂｏｎ）であり得、ボンドワイヤ１０６は、第１のコンポーネント１０１とプリント回路基板１０３とを接続するために使用される。具体的には、第１のコンポーネント１０１の入力ポートまたは出力ポートは、ボンドワイヤ１０６を使用して、プリント回路基板１０３上のマイクロストリップに接続される。

【0037】

ボンディング（ｂｏｎｄ）は、ダイ製造技術におけるワイヤシーティング方式である。パッケージングの前に、ボンディングは概して、金またはアルミニウムのワイヤを使用して、ダイの内部回路をパッケージピンまたは回路基板の金メッキされた銅箔に接続するために使用される。超音波発生器（ＵＳＧ）からの超音波（通常４０ｋＨｚ～１４０ｋＨｚ）は、トランスデューサで高周波振動を発生させ、ＵＳＧボンディングヘッドを使用してキャピラリに伝達される。キャピラリがリード線や溶接物に接触すると、溶接される金属表面が圧力と振動の作用で互いに擦れ合い、酸化膜が破壊され、塑性変形が発生する。これにより、２つの純金属表面が密接に接触し、原子間距離での結合が実現し、最終的に強固な機械的接続が形成される。

【0038】

この実施形態では、金属板１０５はエッチングされたパターンを有する。プリント回路基板１０３は金属板１０５上に配置され、プリント回路基板１０３は開放スロット１０４を有する。第１のコンポーネント１０１は、開放スロット１０４に配置され、第１のコンポーネント１０１は、金属板１０５上に配置される。第１のコンポーネント１０１は、プリント回路基板１０３に接続されている。第２のコンポーネント１０２は、プリント回路基板１０３上に配置され、第２のコンポーネント１０２は、プリント回路基板１０３に接続されている。

【0039】

本出願のこの実施形態では、消費電力の高い第１のコンポーネントが放熱を容易にするために金属板上に配置され、別のコンポーネント（第２のコンポーネント）がプリント回路基板上に配置される。第２のコンポーネントは、導体の損失を効果的に回避するためにプリント回路基板上に配置される。第１のコンポーネントは、ボンドワイヤを使用してプリント回路基板に接続され、第１のコンポーネントは、ボンドワイヤおよびプリント回路基板を使用して外部に接続され得る。第２のコンポーネントの電力効率を確保することを前提として、パッケージング構造全体の集積度が改善される。

【0040】

さらに、金属板１０５はエッチングされたパターンを有するため、エッチングされたパターンが具体的にはパッド（ｐａｄ）である場合、パッケージング構造の特定の構造については図２を参照されたい。図２は、本出願の一実施形態による別のパッケージング構造の概略構造図である。図１に対応する実施形態に基づいて、本出願のこの実施形態で提案される別のパッケージング構造は、パッド１０５１をさらに含む。

【0041】

エッチング（ｅｔｃｈｉｎｇ）は、光化学エッチング（ｐｈｏｔｏｃｈｅｍｉｃａｌ ｅｔｃｈｉｎｇ）とも呼ばれ、露光および現像後にエッチングされる領域の保護膜を除去して、エッチング中にエッチングされる領域が化学溶液と接触し、溶解と腐食を達成し、それによって凹凸効果またはくり抜き効果を形成することを言う。一般に、エッチングには露光法またはシルクスクリーン印刷法を使用し得、特定のエッチング方法は本明細書において限定されない。

【0042】

この実施形態では、金属板１０５は、エッチングされた後にエッチングされたパターンを有し、エッチングされたパターンは、１つまたは複数のパッド１０５１であり得る。図２は、金属板１０５が１つのパッド１０５１を含む場合の概略構造図である。パッド１０５１は、プリント回路基板１０３上のマイクロストリップまたは銅線に接続され得る。第１のコンポーネント１０１は、ボンドワイヤ１０６、プリント回路基板１０３上のマイクロストリップまたは銅線、およびパッド１０５１を使用して信号を入力または出力する。第２のコンポーネント１０２は、プリント回路基板１０３およびパッド１０５１上のマイクロストリップまたは銅線を使用して信号を入力または出力する。

【0043】

可能な実装において、金属板１０５の厚さは、０．０７ｍｍから０．５ｍｍである。したがって、金属板１０５は、エッチングが比較的容易である。

【0044】

本出願のこの実施形態では、エッチングされたパターンは、エッチングによって金属板上に形成され、エッチングされたパターンがパッドである場合、第１のコンポーネントは、パッドを使用して信号を入力または出力し得る。この経路は、第１のコンポーネントと外部とを接続するための最短経路であり得、それにより、第１のコンポーネントの電力効率を改善する。さらに、金属板の厚みを０．０７ｍｍと０．５ｍｍとの間に制御することで、確実に金属板が変形しにくくし、金属板のエッチングの利便性を改善する。

【0045】

さらに、金属板１０５はエッチングされたパターンを有するため、エッチングされたパターンが別のパターンである場合、パッケージング構造の特定の構造については図３を参照されたい。図３は、本出願の一実施形態による別のパッケージング構造の概略構造図である。図２に対応する実施形態に基づいて、本出願のこの実施形態で提案される別のパッケージング構造は、第１のマイクロストリップ回路１０５２、第２のマイクロストリップ回路１０３１、および第３のコンポーネント１０７をさらに含む。

【0046】

この実施形態では、金属板１０５は、エッチングされた後にエッチングされたパターンを有する。エッチングされたパターンが１つまたは複数の第１のマイクロストリップ回路１０５２であり得る場合、第１のマイクロストリップ回路１０５２の形状は任意の形状であり得、１つまたは複数の表面実装デバイス（ｓｕｒｆａｃｅ ｍｏｕｎｔｉｎｇ ｄｅｖｉｃｅｓ、ＳＭＤ）は、第１のマイクロストリップ回路１０５２の底面上に取り付けられ得る。ＳＭＤが第１のマイクロストリップ回路の底面上に取り付けられる場合、第３のコンポーネント１０７は、第１のマイクロストリップ回路の底面上に特に取り付けられる。第３のコンポーネント１０７はＳＭＤであってよく、第３のコンポーネント１０７の数量は本明細書において限定されない。

【0047】

可能な実装において、金属板１０５上のエッチングされたパターンが第１のマイクロストリップ回路１０５２を含み、垂直方向に第１のマイクロストリップ回路と重なる第２のマイクロストリップ回路１０３１がプリント回路基板１０３上に存在する場合、第３のコンポーネント１０７は、第１のマイクロストリップ回路１０５２上に配置され、第２のマイクロストリップ回路１０３１は、第２のコンポーネント１０２に接続されている。この場合、第２のコンポーネント１０２は第２のマイクロストリップ回路１０３１に接続され、第３のコンポーネント１０７は第１のマイクロストリップ回路１０５２に接続され、第１のマイクロストリップ回路１０５２は第２のマイクロストリップ回路１０３１に結合される。したがって、第２のコンポーネント１０２は、第２のマイクロストリップ回路１０３１および第１のマイクロストリップ回路１０５２を使用することによって、第３のコンポーネント１０７に結合される。

【0048】

具体的には、第２のコンポーネント１０２、プリント回路基板１０３、第２のマイクロストリップ回路１０３１、第１のマイクロストリップ回路１０５２、および第３のコンポーネント１０７の間の垂直方向の位置関係に関して図４を参照されたい。図４は、本出願の一実施形態による別のパッケージング構造の概略構造図である。第２のコンポーネント１０２、第２のマイクロストリップ回路１０３１、第１のマイクロストリップ回路１０５２、および第３のコンポーネント１０７は、同じ垂直線上に配置されている。

【0049】

本出願のこの実施形態では、金属板上のエッチングされたパターンは、代わりに第１のマイクロストリップ回路であり得、第３のコンポーネントは、第１のマイクロストリップ回路の底部にさらに取り付けられ得、それにより、本出願の実装の柔軟性を改善する。

【0050】

さらに、プリント回路基板１０３の表面上のボンドワイヤ１０６および第２のコンポーネント１０２は比較的壊れやすいので、コンポーネントを保護するために、リッド（ｌｉｄ）をプリント回路基板１０３上にさらに配置し得る。特に、図５は、本出願の一実施形態による別のパッケージング構造の概略構造図である。図３に対応する実施形態に基づいて、本出願のこの実施形態で提案される別のパッケージング構造は、リッド１０８をさらに含む。

【0051】

この実施形態では、リッド１０８は、プリント回路基板１０３上に配置されている。第１のコンポーネント１０１、第２のコンポーネント１０２、およびボンドワイヤ１０６は、リッド１０８とプリント回路基板１０３との間に含まれる。リッド１０８は、パッケージング構造を保護するように構成される。リッド１０８は、代替としてモールド（ｍｏｌｄ）であり得るが、これは本明細書において限定されない。

【0052】

本出願のこの実施形態では、コンポーネントを効果的に保護するために、リッドがプリント回路基板上に配置され、それにより、パッケージング構造の安全性が向上する。

【0053】

さらに、前述の実施形態に基づいて、プリント回路基板が複数の層を有する場合に関する図６を参照されたい。図６は、本出願の一実施形態による別のパッケージング構造の概略構造図である。本出願のこの実施形態で提案される別のパッケージング構造では、プリント回路基板１０３は３層構造であり得る。プリント回路基板のＰＣＢ層の数量は、本明細書では限定されないことに留意されたい。具体的には、本出願の本実施形態で提案するパッケージング構造では、プリント回路基板の層の数量は２、４、６、８、１０、１２、１４等であり得る。

【0054】

本出願のこの実施形態では、プリント回路基板がより多くの層を有する場合、電子回路はより大きなケーブルスペースを得ることができる。したがって、細くてタイトなケーブルラインは最適なレイアウトになり、それによって電磁干渉やその他の不安定要因を効果的に低減する。さらに、プリント回路基板のＰＣＢ層の数量が増加するため、パッケージング構造の通常のパフォーマンスを確保することを前提として、パッケージング構造の全体積が低減され、パッケージング構造のコストが低減される。

【0055】

図１から図６に対応する実施形態に基づいて、本出願はさらに電力増幅器を提案し、電力増幅器は前述の実施形態のパッケージング構造を使用する。電力増幅器の平均トランジスタおよびピークトランジスタは、前述の実施形態において、第１のコンポーネント１０１、第２のコンポーネント１０２、第３のコンポーネント１０７などを使用することによって実装され得る。

【0056】

任意選択の実装では、電力増幅器の４分の１波長伝送ラインは、図７または図８に示される回路を使用することによって実装され得る。具体的には、図７は、本出願の一実施形態による概略回路図である。図８は、本出願の一実施形態による別の概略回路図である。

【0057】

図７において、電力増幅器は、第１のインダクタ、第１のコンデンサ、および第２のコンデンサをさらに含む。第１のインダクタは第１のコンデンサに接続され、第１のインダクタは第２のコンデンサに接続され、回路のこの部分は電力増幅器の１／４波長伝送ラインとして使用される。第１のコンデンサおよび第２のコンデンサは、前述のパッケージング構造の第１のコンポーネント、第２のコンポーネント、または第３のコンポーネントを使用することによって実装され得る。第１のインダクタは、前述のパッケージング構造でボンドワイヤを使用して実装され得、または前述のパッケージング構造でリボンを使用して実装され得る。これは本明細書において限定されない。

【0058】

図８において、電力増幅器は、第１のインダクタおよび第１のコンデンサをさらに含む。第１のインダクタは第１のコンデンサに接続され、この部分回路は電力増幅器の１／４波長伝送ラインとして使用される。第１のコンデンサは、前述のパッケージング構造の第１のコンポーネント、第２のコンポーネント、または第３のコンポーネントを使用することによって実装され得る。第１のインダクタは、前述のパッケージング構造でボンドワイヤを使用して実装され得、または前述のパッケージング構造でリボンを使用して実装され得る。これは本明細書において限定されない。

【0059】

具体的には、第１のインダクタのインダクタンス値は、ボンドワイヤとプリント回路基板との間の高さの差、ボンドワイヤの全長、ボンドワイヤの数量、またはボンドワイヤ間の距離によって決定される。あるいは、第１のインダクタのインダクタンス値は、リボンとプリント回路基板との間の高さの差、リボンの全長、リボンの数量、またはリボン間の距離によって決定される。図９は、本出願の一実施形態による電力増幅器の概略構造図である。ボンドワイヤまたはリボンとプリント回路基板との高さの差は、ボンドワイヤまたはリボンの上部とプリント回路基板との間の垂直距離である。ボンドワイヤまたはリボンの全長は、ボンドワイヤまたはリボンの２つの端部間の距離である。

【0060】

本出願のこの実施形態では、電力増幅器は、インダクタとしてボンドワイヤを使用する。ボンドワイヤは高いＱ値を有する、すなわち、ボンドワイヤをインダクタとして使用した場合の損失は比較的小さい。したがって、電力増幅器の効率が改善される。Ｑ値はインダクタの品質係数であり、インダクタを測定するための主要なパラメータである。Ｑ値は、インダクタが特定の周波数の交流電圧の下で動作するときのインダクタの等価損失抵抗に対するインダクタの誘導性リアクタンスの比率である。インダクタのＱ値が高いほど、損失がより低くなり、インダクタの効率がより高くなる。

【0061】

本出願のこの実施形態におけるパッケージング構造および電力増幅器は、上記で詳細に説明されている。本出願の原理と実装は、本明細書の特定の例を通して本明細書に記載されている。本出願の実施形態に関する説明は、本出願および核心となるアイデアを理解するのを助けるために提供されているにすぎない。さらに、当業者は、本出願のアイデアによる特定の実装および出願の範囲の観点から、本出願に変更および修正を行うことができる。したがって、明細書の内容は、本出願を限定するものと解釈されるべきではない。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】