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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2023-10-30
(45)【発行日】2023-11-08
(54)【発明の名称】磁気記録媒体
(51)【国際特許分類】
G11B 5/70 20060101AFI20231031BHJP
G11B 5/714 20060101ALI20231031BHJP
G11B 5/78 20060101ALI20231031BHJP
G11B 5/706 20060101ALI20231031BHJP
G11B 5/73 20060101ALI20231031BHJP
G11B 5/738 20060101ALI20231031BHJP
G11B 5/735 20060101ALI20231031BHJP
G11B 23/30 20060101ALI20231031BHJP
【ＦＩ】
G11B5/70
G11B5/714
G11B5/78
G11B5/706
G11B5/73
G11B5/738
G11B5/735
G11B23/30 E
【請求項の数】
20
(21)【出願番号】P 2020130422
(22)【出願日】2020-07-31
(62)【分割の表示】P 2020006553の分割
【原出願日】2020-01-20
(65)【公開番号】P2021114352
(43)【公開日】2021-08-05
【審査請求日】2022-12-15
(73)【特許権者】
【識別番号】000002185
【氏名又は名称】ソニーグループ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100112874
【弁理士】
【氏名又は名称】渡邊 薫
(72)【発明者】
【氏名】潟口 嵩
(72)【発明者】
【氏名】市瀬 奈津貴
(72)【発明者】
【氏名】高橋 健
【審査官】中野 和彦
(56)【参考文献】
【文献】特開２０１４－１７０６０４（ＪＰ，Ａ）
【文献】特許第６６１０８２８（ＪＰ，Ｂ１）
【文献】特許第６６３５２２４（ＪＰ，Ｂ１）
【文献】特許第６６４５６１３（ＪＰ，Ｂ１）
【文献】特許第６６３５２２０（ＪＰ，Ｂ１）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｇ１１Ｂ ５／７０
Ｇ１１Ｂ ５／７１４
Ｇ１１Ｂ ５／７８
Ｇ１１Ｂ ５／７０６
Ｇ１１Ｂ ５／７３
Ｇ１１Ｂ ５／７３８
Ｇ１１Ｂ ５／７３５
Ｇ１１Ｂ ２３／３０
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
基体と、前記基体上に設けられ、磁性粉を含む磁性層と
を備えており、
前記磁性粉は六方晶フェライト粒子を含み、
前記磁性粉の平均粒子体積Ｖが１５００ｎｍ 3 以下であり、
磁気記録媒体の熱安定性ＫuＶ act ／ｋBＴが６０以上であり、
パルス磁界を用いて測定した前記磁気記録媒体の残留保磁力Ｈｒｐと前記磁気記録媒体の垂直方向における保磁力Ｈｃ１との比Ｈｒｐ／Ｈｃ１が、２．１０以下である、
テープ状の磁気記録媒体。
【請求項2】
前記基体はポリエステルを含む、請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項3】
磁気記録媒体の平均厚みｔ
Ｔ
は５．３μｍ以下である、請求項１又は２に記載の磁気記録媒体。
【請求項4】
磁気記録媒体の平均厚みｔ
Ｔ
は５．０μｍ以下である、請求項１又は２に記載の磁気記録媒体。
【請求項5】
前記熱安定性ＫuＶact／ｋBＴが６３以上である、請求項１～４のいずれか一項に記載の磁気記録媒体。
【請求項6】
前記熱安定性ＫuＶact／ｋBＴが６５以上である、請求項１～４のいずれか一項に記載の磁気記録媒体。
【請求項7】
前記比Ｈｒｐ／Ｈｃ１が、２．０５以下である、請求項１～６のいずれか一項に記載の磁気記録媒体。
【請求項8】
前記比Ｈｒｐ／Ｈｃ１が、２．００以下である、請求項１～６のいずれか一項に記載の磁気記録媒体。
【請求項9】
前記六方晶フェライトが、Ｂａ、Ｓｒ、およびＣａのうちの少なくとも１種を含む、請求項１～８のいずれか一項に記載の磁気記録媒体。
【請求項10】
前記六方晶フェライトがストロンチウムフェライトを含む、請求項１～８のいずれか一項に記載の磁気記録媒体。
【請求項11】
前記磁性粉のアスペクト比が１．０以上３．０以下である、請求項１～１０のいずれか一項に記載の磁気記録媒体。
【請求項12】
前記磁気記録媒体の記録後１００秒経過時における信号減衰量ＳＤが、－０．３０ｄＢ≦ＳＤである、請求項１～１１のいずれか一項に記載の磁気記録媒体。
【請求項13】
前記磁気記録媒体の記録後１００秒経過時における信号減衰量ＳＤが、－０．２５ｄＢ≦ＳＤである、請求項１～１１のいずれか一項に記載の磁気記録媒体。
【請求項14】
前記磁性層の平均厚みｔｍが、３０ｎｍ≦ｔｍ≦９０ｎｍである、請求項１～１３のいずれか一項に記載の磁気記録媒体。
【請求項15】
前記保磁力Ｈｃ１が５００Ｏｅ以上である、請求項１～１４のいずれか一項に記載の磁気記録媒体。
【請求項16】
前記基体の平均厚みが４．２μｍ以下である、請求項１～１５のいずれか一項に記載の磁気記録媒体。
【請求項17】
前記磁性層と前記基体との間に下地層が設けられており、前記下地層の平均厚みが２．０μｍ以下である、
請求項１～１６のいずれか一項に記載の磁気記録媒体。
【請求項18】
前記基体の２つの面のうち、前記磁性層が設けられている側の面と反対側の面に、バック層が設けられており、前記バック層の平均厚みが０．６μｍ以下である、
請求項１～１７のいずれか一項に記載の磁気記録媒体。
【請求項19】
前記磁性粉の平均粒子サイズが５０ｎｍ以下である、請求項１～１８のいずれか一項に記載の磁気記録媒体。
【請求項20】
請求項１～１９のいずれか一項に記載のテープ状の磁気記録媒体と、記録再生装置と通信を行う通信部と、
記憶部と、
通信部を介して記録再生装置から受信した情報を記憶部に記憶し、かつ、記録再生装置の要求に応じて、記憶部から情報を読み出し、通信部を介して記録再生装置に送信する制御部と、を備え、
前記情報は、磁気記録媒体の長手方向にかかるテンションを調整するための調整情報を含む
テープカートリッジ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、磁気記録媒体に関する。
【背景技術】
【0002】
例えばＩｏＴ、ビッグデータ、及び人工知能などの発展に伴い、収集及び保存されるデータの量が大幅に増加している。大量のデータを記録するための媒体として、しばしば磁気記録媒体が用いられる。
【0003】
磁気記録媒体に関して、これまでに種々の技術が提案されている。例えば磁気記録媒体に含まれる磁性粉に関する技術として、下記特許文献１には、少なくとも、非磁性支持体上に、強磁性粉末と結合剤とを含有する磁性塗料を塗布することによって形成された磁性層を有する磁気記録媒体であって、上記磁性層中に、カルボキシル基と、少なくとも１以上のヒドロキシル基とを分子中に有し、芳香環が２個以上の場合には縮合環である芳香族化合物を、上記強磁性粉末１００〔重量部〕に対し、０．４〔重量部〕～１０〔重量部〕含有してなることを特徴とする磁気記録媒体が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【文献】特開２００２－３７３４１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
磁気記録媒体の記録密度を高めるために、磁気記録媒体に含まれる磁性粉の粒子体積をより小さくすることが考えられる。しかしながら、磁性粉の粒子体積がより小さくなるにつれて、磁気記録媒体の保存安定性が低下し、当該保存安定性の低下は、特には長期間にわたって磁気記録媒体が保存される場合に問題となりうる。
そこで、本開示は、磁性粉の粒子体積が小さい場合であっても保存安定性に優れている磁気記録媒体を提供することを主目的とする。
そこで、本開示は、磁性粉の粒子体積が小さい場合であっても保存安定性に優れている磁気記録媒体を提供することを主目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本開示は、基体と、
前記基体上に設けられ、磁性粉を含む磁性層と
を備えており、
前記磁性粉は六方晶フェライト粒子を含み、
前記磁性粉の平均粒子体積Ｖが１５００ｎｍ 3 以下であり、
磁気記録媒体の熱安定性ＫuＶact／ｋBＴが６０以上であり、
パルス磁界を用いて測定した前記磁気記録媒体の残留保磁力Ｈｒｐと前記磁気記録媒体の垂直方向における保磁力Ｈｃ１との比Ｈｒｐ／Ｈｃ１が、２．１０以下である、
テープ状の磁気記録媒体を提供する。
前記基体はポリエステルを含みうる。
磁気記録媒体の平均厚みｔ Ｔ は５．３μｍ以下でありうる。
磁気記録媒体の平均厚みｔ Ｔ は５．０μｍ以下でありうる。
前記熱安定性ＫuＶact／ｋBＴが６３以上でありうる。
前記熱安定性ＫuＶact／ｋBＴが６５以上でありうる。
前記比Ｈｒｐ／Ｈｃ１は、２．０５以下でありうる。
前記比Ｈｒｐ／Ｈｃ１は、２．００以下でありうる。
前記磁性粉は六方晶フェライトを含みうる。
前記六方晶フェライトが、ＢａおよびＳｒのうちの少なくとも１種を含みうる。
前記六方晶フェライトがストロンチウムフェライトを含みうる。
前記磁性粉のアスペクト比が１．０以上３．０以下でありうる。
前記磁気記録媒体の記録後１００秒経過時における信号減衰量ＳＤは、－０．３０ｄＢ≦ＳＤでありうる。
前記磁気記録媒体の記録後１００秒経過時における信号減衰量ＳＤは、－０．２５ｄＢ≦ＳＤでありうる。
前記磁性層の厚みｔｍは、３０ｎｍ≦ｔｍ≦９０ｎｍでありうる。
前記保磁力Ｈｃ１は５００Ｏｅ以上でありうる。
前記基体の平均厚みは４．２μｍ以下でありうる。
前記磁性層と前記基体との間に下地層が設けられていてよく、
前記下地層の平均厚みが２．０μｍ以下でありうる。
前記基体の２つの面のうち、前記磁性層が設けられている側の面と反対側の面に、バック層が設けられていてよく、
前記バック層の平均厚みが０．６μｍ以下でありうる。
前記磁性粉の平均粒子サイズが５０ｎｍ以下でありうる。
本開示は、前記磁気記録媒体と、
記録再生装置と通信を行う通信部と、
記憶部と、
通信部を介して記録再生装置から受信した情報を記憶部に記憶し、かつ、記録再生装置の要求に応じて、記憶部から情報を読み出し、通信部を介して記録再生装置に送信する制御部と、を備え、
前記情報は、磁気記録媒体の長手方向にかかるテンションを調整するための調整情報を含む
テープカートリッジも提供する。
前記基体上に設けられ、磁性粉を含む磁性層と
を備えており、
前記磁性粉は六方晶フェライト粒子を含み、
前記磁性粉の平均粒子体積Ｖが１５００ｎｍ 3 以下であり、
磁気記録媒体の熱安定性ＫuＶact／ｋBＴが６０以上であり、
パルス磁界を用いて測定した前記磁気記録媒体の残留保磁力Ｈｒｐと前記磁気記録媒体の垂直方向における保磁力Ｈｃ１との比Ｈｒｐ／Ｈｃ１が、２．１０以下である、
テープ状の磁気記録媒体を提供する。
前記基体はポリエステルを含みうる。
磁気記録媒体の平均厚みｔ Ｔ は５．３μｍ以下でありうる。
磁気記録媒体の平均厚みｔ Ｔ は５．０μｍ以下でありうる。
前記熱安定性ＫuＶact／ｋBＴが６３以上でありうる。
前記熱安定性ＫuＶact／ｋBＴが６５以上でありうる。
前記比Ｈｒｐ／Ｈｃ１は、２．０５以下でありうる。
前記比Ｈｒｐ／Ｈｃ１は、２．００以下でありうる。
前記磁性粉は六方晶フェライトを含みうる。
前記六方晶フェライトが、ＢａおよびＳｒのうちの少なくとも１種を含みうる。
前記六方晶フェライトがストロンチウムフェライトを含みうる。
前記磁性粉のアスペクト比が１．０以上３．０以下でありうる。
前記磁気記録媒体の記録後１００秒経過時における信号減衰量ＳＤは、－０．３０ｄＢ≦ＳＤでありうる。
前記磁気記録媒体の記録後１００秒経過時における信号減衰量ＳＤは、－０．２５ｄＢ≦ＳＤでありうる。
前記磁性層の厚みｔｍは、３０ｎｍ≦ｔｍ≦９０ｎｍでありうる。
前記保磁力Ｈｃ１は５００Ｏｅ以上でありうる。
前記基体の平均厚みは４．２μｍ以下でありうる。
前記磁性層と前記基体との間に下地層が設けられていてよく、
前記下地層の平均厚みが２．０μｍ以下でありうる。
前記基体の２つの面のうち、前記磁性層が設けられている側の面と反対側の面に、バック層が設けられていてよく、
前記バック層の平均厚みが０．６μｍ以下でありうる。
前記磁性粉の平均粒子サイズが５０ｎｍ以下でありうる。
本開示は、前記磁気記録媒体と、
記録再生装置と通信を行う通信部と、
記憶部と、
通信部を介して記録再生装置から受信した情報を記憶部に記憶し、かつ、記録再生装置の要求に応じて、記憶部から情報を読み出し、通信部を介して記録再生装置に送信する制御部と、を備え、
前記情報は、磁気記録媒体の長手方向にかかるテンションを調整するための調整情報を含む
テープカートリッジも提供する。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【図1】磁化曲線及び残留磁化曲線の例を示す図である。
【図2】本開示の一実施形態に係る磁気記録媒体の断面図である。
【図4】磁性層のＴＥＭ写真の例である。
【図5】磁性粒子の構成を示す断面図である。
【図6】変形例における磁性粒子の構成を示す断面図である。
【図7】Ｍ－Ｈループの一例を示すグラフである。
【図8】残留磁化曲線の一例である。
【図9】記録再生装置の概略図である。
【図10】カートリッジの構成の一例を示す分解斜視図である。
【図11】カートリッジメモリの構成の一例を示すブロック図である。
【図12】変形例の磁気記録媒体の断面の模式図である。
【発明を実施するための形態】
【0008】
以下、本開示を実施するための好適な形態について説明する。なお、以下に説明する実施形態は、本開示の代表的な実施形態を示したものであり、本開示の範囲がこれらの実施形態のみに限定されることはない。
【0009】
本開示について、以下の順序で説明を行う。
１．本開示の説明
２．実施形態（塗布型の磁気記録媒体の例）
（１）磁気記録媒体の構成
（２）磁気記録媒体の製造方法
（３）記録再生装置
（４）カートリッジ
（５）効果
（６）変形例
３．実施例
１．本開示の説明
２．実施形態（塗布型の磁気記録媒体の例）
（１）磁気記録媒体の構成
（２）磁気記録媒体の製造方法
（３）記録再生装置
（４）カートリッジ
（５）効果
（６）変形例
３．実施例
【0010】
１．本開示の説明
【0011】
本開示の磁気記録媒体は、特定の粒子体積を有する磁性粉を含む磁性層を有し、平均厚み及び熱安定性ＫuＶact／ｋBＴが特定の数値範囲内にあり、且つ、パルス磁界を用いて測定した前記磁気記録媒体の残留保磁力Ｈｒｐと前記磁気記録媒体の垂直方向における保磁力Ｈｃ１との比Ｈｒｐ／Ｈｃ１が特定の数値範囲内にある。これによって、本開示の磁気記録媒体は、磁性粉の粒子体積が小さいにも関わらず、保存安定性に優れている。さらに、本開示の磁気記録媒体は電磁変換特性にも優れている。熱安定性ＫuＶact／ｋBＴ及び残留保磁力Ｈｒｐについて、以下でより詳細に説明する。
【0012】
磁気記録媒体に含まれる磁性粉の粒子体積がより小さくなるにつれて、記録密度がより高くなり、さらには、電磁変換特性も向上しうる。しかしながら、前記粒子体積がより小さくなることによって、磁気記録媒体（具体的には磁性層）に記録された磁化が、熱エネルギーによって失われやすくなり、これは、データ信号の減衰をもたらしうる。このように、磁気記録媒体に含まれる磁性粉の粒子体積がより小さくなるにつれて、磁気記録媒体の熱に対する安定性（熱安定性ともいう）が低下し、磁気記録媒体の保存安定性が低下しうる。また、熱安定性を維持しようとすると、情報の容易な書き直しが困難になる。このように、磁性粉の粒子体積の低下は、記録密度の向上及び電磁変化特性の向上をもたらす一方で、保存安定性の低下をもたらし、さらには情報の書き直しを困難にすることもある。
【0013】
磁気記録媒体の熱安定性と保磁力との関係は、以下に示されるＢｅａｎ’ｓ方程式により表すことができる。
この方程式において、Ｖact＝磁気記録媒体に含まれる磁性粉の活性化体積、Ｈc=保磁力、Ｋu＝結晶磁気異方性、Ｍ=磁化量、ｋB=ボルツマン定数、且つ、Ｔ=温度である。
この方程式に含まれるパラメータから構成されるＫuＶact／ｋBＴが熱安定性の指標値として知られており、この値が高いほど熱安定性が高い。熱安定性ＫuＶact／ｋBＴから分かるとおり、磁性粉を微細化すること、すなわち磁性粉の粒子体積を小さくすることは、熱安定性の低下をもたらす。熱安定性の低下は磁気記録媒体の保存安定性の低下をもたらし、これは、磁気記録媒体が長期間にわたって保存される場合に特に問題となる。
【数1】
この方程式に含まれるパラメータから構成されるＫuＶact／ｋBＴが熱安定性の指標値として知られており、この値が高いほど熱安定性が高い。熱安定性ＫuＶact／ｋBＴから分かるとおり、磁性粉を微細化すること、すなわち磁性粉の粒子体積を小さくすることは、熱安定性の低下をもたらす。熱安定性の低下は磁気記録媒体の保存安定性の低下をもたらし、これは、磁気記録媒体が長期間にわたって保存される場合に特に問題となる。
【0014】
本開示の磁気記録媒体は、熱安定性ＫuＶact／ｋBＴが６０以上であり、好ましくは６３以上、より好ましくは６５以上であり、更に好ましくは７０以上である。本開示の磁気記録媒体は、その熱安定性ＫuＶact／ｋBＴが上記数値範囲内にあることによって、熱安定性に優れており、これにより保存安定性に優れており、長期保存における安定性にも優れている。さらに、当該磁気記録媒体は、出力信号の観点からも優れている。
【0015】
また、前記残留保磁力Ｈｒｐ、特には前記残留保磁力Ｈｒｐと磁気記録媒体の垂直方向における保磁力Ｈｃ１との比Ｈｒｐ／Ｈｃ１も、磁性粉の平均粒子体積が小さい磁気記録媒体の保存安定性の向上に貢献する。
【0016】
残留保磁力Ｈｒｐについて、図１を参照しながら以下に説明する。
垂直方向における保磁力Ｈｃ１は、従来から用いられている指標であり、これを測定するために、例えば磁力計による測定結果に基づきＭ－Ｈループ（磁化曲線）が作成される。Ｍ－Ｈループの例が図１に示されている。図１に示されるとおり、当該Ｍ－ＨループがＸ軸（磁界）を横切る位置での磁界が前記保磁力Ｈｃ１である。当該測定のために用いられる磁界掃引速度は遅い。
残留保磁力Ｈｒｐは、前記保磁力Ｈｃ１の測定と異なり、パルス状の磁界を用いて測定される。すなわち、当該測定は、速い磁界掃引速度を用いて行われる。当該測定では、当該パルス状の磁界を用いて得られた磁化量に基づき磁化曲線を作成する。当該磁化曲線を残留磁化曲線と呼ぶ。残留磁化曲線の例も、図１に示されている。この残留磁化曲線がＸ軸（磁界）を横切る位置での磁界が、図１において「Ｈｒｐ」で示されており、当該磁界が残留保磁力である。
本発明者らは、前記保磁力Ｈｃ１と残留保磁力Ｈｒｐとの差が小さいことによって、より具体的には残留保磁力Ｈｒｐと前記保磁力Ｈｃ１との比Ｈｒｐ／Ｈｃ１が特定の数値範囲内にあることによって、磁気記録媒体の熱安定性が向上されることを見出した。
なお、残留保磁力Ｈｒｐの測定は、上記のとおり速い磁界掃引速度を用いて行われる。この速い磁界掃引速度は、前記保持力Ｈｃ１の測定において用いられる遅い磁界掃引速度と比べて、磁気記録媒体の記録において印可される磁界により近い。この観点からも、残留保磁力Ｈｒｐは有用な指標であると考えられる。
垂直方向における保磁力Ｈｃ１は、従来から用いられている指標であり、これを測定するために、例えば磁力計による測定結果に基づきＭ－Ｈループ（磁化曲線）が作成される。Ｍ－Ｈループの例が図１に示されている。図１に示されるとおり、当該Ｍ－ＨループがＸ軸（磁界）を横切る位置での磁界が前記保磁力Ｈｃ１である。当該測定のために用いられる磁界掃引速度は遅い。
残留保磁力Ｈｒｐは、前記保磁力Ｈｃ１の測定と異なり、パルス状の磁界を用いて測定される。すなわち、当該測定は、速い磁界掃引速度を用いて行われる。当該測定では、当該パルス状の磁界を用いて得られた磁化量に基づき磁化曲線を作成する。当該磁化曲線を残留磁化曲線と呼ぶ。残留磁化曲線の例も、図１に示されている。この残留磁化曲線がＸ軸（磁界）を横切る位置での磁界が、図１において「Ｈｒｐ」で示されており、当該磁界が残留保磁力である。
本発明者らは、前記保磁力Ｈｃ１と残留保磁力Ｈｒｐとの差が小さいことによって、より具体的には残留保磁力Ｈｒｐと前記保磁力Ｈｃ１との比Ｈｒｐ／Ｈｃ１が特定の数値範囲内にあることによって、磁気記録媒体の熱安定性が向上されることを見出した。
なお、残留保磁力Ｈｒｐの測定は、上記のとおり速い磁界掃引速度を用いて行われる。この速い磁界掃引速度は、前記保持力Ｈｃ１の測定において用いられる遅い磁界掃引速度と比べて、磁気記録媒体の記録において印可される磁界により近い。この観点からも、残留保磁力Ｈｒｐは有用な指標であると考えられる。
【0017】
本開示の磁気記録媒体の、前記残留保磁力Ｈｒｐと前記保磁力Ｈｃ１との比率Ｈｒｐ／Ｈｃ１は、２．１０以下であり、好ましくは２．０５以下であり、より好ましくは２．００以下であり、さらにより好ましくは１．９５以下、１．９０以下、又は１．８５以下であってもよい。前記比率Ｈｒｐ／Ｈｃ１が上記数値範囲内にあることによって、本開示の磁気記録媒体は優れた保存安定性を有し、これにより例えば長期保存時の信号減衰を防ぐことができる。さらに、前記比率Ｈｒｐ／Ｈｃ１が上記数値範囲内にあることによって、磁気記録媒体に含まれる磁性粉の平均粒子体積が小さい場合であっても、安定して記録再生を行うことができる。
【0018】
さらに、本開示の磁気記録媒体に含まれる磁性粉の平均粒子体積Ｖは２０００ｎｍ3以下であり、好ましくは１９００ｎｍ3以下であり、より好ましくは１８００ｎｍ3以下であり、さらにより好ましくは１７００ｎｍ3以下、１６００ｎｍ3以下、又は１５００ｎｍ3以下であってもよい。当該平均粒子体積が上記数値範囲内にあることによって、電磁変換特性が向上される。本開示の磁気記録媒体に含まれる磁性粉の平均粒子体積はこのように非常に小さいにもかかわらず、本開示の磁気記録媒体は上記のとおり保存安定性に優れている。電磁変換特性及び保存安定性の両立は難しいところ、本開示によって電磁変換特性及び保存安定性の両方を向上させることができる。
【0019】
本開示の磁気記録媒体の記録後１００秒経過時における信号減衰量ＳＤは、好ましくは－０．３０ｄＢ≦ＳＤであり、より好ましくは－０．２５ｄＢ≦ＳＤであり、さらにより好ましくは－０．２０ｄＢ≦ＳＤ、－０．１５ｄＢ≦ＳＤ、又は－０．１０ｄＢ≦ＳＤであってもよい。本開示の磁気記録媒体のデータ記録後１００秒経過時における信号減衰量ＳＤは、上記のとおり小さいものでありうる。そのため、本開示の磁気記録媒体は、データ保存安定性に優れており、長期間にわたるデータ保存安定性にも優れている。当該信号減衰量ＳＤの測定方法は、本明細書内以下で説明されている。信号減衰量ＳＤが長期保存安定性の指標となることは、当該説明において記載されるとおり、信号減衰量算出時に対数プロットにして外挿されていることから分かる。
本開示の磁気記録媒体の記録後１００秒経過時における信号減衰量ＳＤは、例えばＳＤ≦０であってよい。
本開示の磁気記録媒体の記録後１００秒経過時における信号減衰量ＳＤは、例えばＳＤ≦０であってよい。
【0020】
本開示の磁気記録媒体の平均厚みｔＴは、好ましくは５．３μｍ以下であり、より好ましくは５．２μｍ以下であり、さらにより好ましくは５．１μｍ以下、５．０μｍ以下、４．８μｍ以下、又は４．６μｍ以下でありうる。本開示の磁気記録媒体はこのように全厚が薄いものであってよい。本開示の磁気記録媒体の全厚をこのように薄くすることによって、例えば１つの磁気記録カートリッジ中に巻き取られるテープ長をより長くすることができ、これにより１つの磁気記録カートリッジ当たりの記録容量を高めることができる。すなわち、本開示によって、電磁変換特性及び保存安定性の向上に加えて、記録容量も向上することができる。
本開示に従う磁気記録媒体の幅は、例えば５ｍｍ～３０ｍｍであり、特には７ｍｍ～２５ｍｍであり、より特には１０ｍｍ～２０ｍｍ、さらにより特には１１ｍｍ～１９ｍｍでありうる。本開示に従うテープ状磁気記録媒体の長さは、例えば５００ｍ～１５００ｍでありうる。例えばＬＴＯ８規格に従うテープ幅は１２．６５ｍｍであり、長さは９６０ｍである。
本開示に従う磁気記録媒体の幅は、例えば５ｍｍ～３０ｍｍであり、特には７ｍｍ～２５ｍｍであり、より特には１０ｍｍ～２０ｍｍ、さらにより特には１１ｍｍ～１９ｍｍでありうる。本開示に従うテープ状磁気記録媒体の長さは、例えば５００ｍ～１５００ｍでありうる。例えばＬＴＯ８規格に従うテープ幅は１２．６５ｍｍであり、長さは９６０ｍである。
【0021】
本開示に従う磁気記録媒体はテープ状であり、例えば長尺状の磁気記録テープでありうる。本開示に従うテープ状磁気記録媒体は、例えば磁気記録カートリッジ内に収容されていてよい。より具体的には、当該磁気記録カートリッジ内のリールに巻き付けられた状態で、当該カートリッジ内に収容されていてよい。
【0022】
本開示の一つの好ましい実施態様において、本開示の磁気記録媒体は、磁性層、下地層、基体（ベース層ともいう）、及びバック層を備えていてよい。これら４層は、この順に積層されていてよい。本開示に従う磁気記録媒体は、これらの層に加えて、他の層を含んでいてもよい。当該他の層は、磁気記録媒体の種類に応じて適宜選択されてよい。本開示に従う磁気記録媒体は、例えば塗布型の磁気記録媒体でありうる。前記塗布型の磁気記録媒体について、以下２．においてより詳細に説明する。
【0023】
２．実施形態（塗布型の磁気記録媒体の例）
【0024】
（１）磁気記録媒体の構成
【0025】
まず、図２を参照して、一実施形態に係る磁気記録媒体１０の構成について説明する。磁気記録媒体１０は、長尺状の基体１１と、基体１１の一方の主面上に設けられた下地層１２と、下地層１２上に設けられた磁性層１３と、基体１１の他方の主面上に設けられたバック層１４とを備える。なお、下地層１２およびバック層１４は、必要に応じて備えられるものであり、無くてもよい。
【0026】
磁気記録媒体１０は長尺のテープ状を有し、記録再生の際には長手方向に走行される。なお、磁性層１３の表面が、磁気ヘッドが走行される表面となる。磁気記録媒体１０は、記録用ヘッドとしてリング型ヘッドを備える記録再生装置で用いられることが好ましい。なお、本明細書において、“垂直方向”とは、磁気記録媒体１０の表面に対して垂直な方向（磁気記録媒体１０の厚み方向）を意味し、“長手方向”とは、磁気記録媒体１０の長手方向（走行方向）を意味する。
【0027】
（基体）
基体１１は、下地層１２および磁性層１３を支持する非磁性支持体である。基体１１は、長尺のフィルム状を有する。基体１１の平均厚みは、好ましくは４．２μｍ以下、より好ましくは３．８μｍ以下、さらにより好ましくは３．４μｍ以下である。基体１１の平均厚みが４．２μｍ以下であると、一つのデータカートリッジに記録できる記録容量を一般的な磁気記録媒体よりも高めることができる。基体１１の平均厚みは、好ましくは３μｍ以上、より好ましくは３．２μｍ以上である。基体１１の平均厚みが３μｍ以上であると、基体１１の強度低下を抑制することができる。
基体１１は、下地層１２および磁性層１３を支持する非磁性支持体である。基体１１は、長尺のフィルム状を有する。基体１１の平均厚みは、好ましくは４．２μｍ以下、より好ましくは３．８μｍ以下、さらにより好ましくは３．４μｍ以下である。基体１１の平均厚みが４．２μｍ以下であると、一つのデータカートリッジに記録できる記録容量を一般的な磁気記録媒体よりも高めることができる。基体１１の平均厚みは、好ましくは３μｍ以上、より好ましくは３．２μｍ以上である。基体１１の平均厚みが３μｍ以上であると、基体１１の強度低下を抑制することができる。
【0028】
基体１１の平均厚みは以下のようにして求められる。まず、１／２インチ幅の磁気記録媒体１０を準備し、それを２５０ｍｍの長さに切り出し、サンプルを作製する。続いて、サンプルの基体１１以外の層（すなわち下地層１２、磁性層１３及びバック層１４）をＭＥＫ（メチルエチルケトン）または希塩酸等の溶剤で除去する。次に、測定装置としてMitutoyo社製レーザーホロゲージ（LGH-110C）を用いて、サンプル（基体１１）の厚みを５点以上の位置で測定し、それらの測定値を単純に平均（算術平均）して、基体１１の平均厚みを算出する。なお、測定位置は、サンプルから無作為に選ばれるものとする。
【0029】
基体１１は、例えば、ポリエステル類、ポリオレフィン類、セルロース誘導体、ビニル系樹脂、およびその他の高分子樹脂のうちの少なくとも１種を含む。基体１１が上記材料のうちの２種以上を含む場合、それらの２種以上の材料は混合されていてもよいし、共重合されていてもよいし、積層されていてもよい。
【0030】
ポリエステル類は、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）、ＰＢＮ（ポリブチレンナフタレート）、ＰＣＴ（ポリシクロヘキシレンジメチレンテレフタレート）、ＰＥＢ（ポリエチレン－ｐ－オキシベンゾエート）およびポリエチレンビスフェノキシカルボキシレートのうちの少なくとも１種を含む。
【0031】
ポリオレフィン類は、例えば、ＰＥ（ポリエチレン）およびＰＰ（ポリプロピレン）のうちの少なくとも１種を含む。セルロース誘導体は、例えば、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、ＣＡＢ（セルロースアセテートブチレート）およびＣＡＰ（セルロースアセテートプロピオネート）のうちの少なくとも１種を含む。ビニル系樹脂は、例えば、ＰＶＣ（ポリ塩化ビニル）およびＰＶＤＣ（ポリ塩化ビニリデン）のうちの少なくとも１種を含む。
【0032】
その他の高分子樹脂は、例えば、ＰＡ（ポリアミド、ナイロン）、芳香族ＰＡ（芳香族ポリアミド、アラミド）、ＰＩ（ポリイミド）、芳香族ＰＩ（芳香族ポリイミド）、ＰＡＩ（ポリアミドイミド）、芳香族ＰＡＩ（芳香族ポリアミドイミド）、ＰＢＯ（ポリベンゾオキサゾール、例えばザイロン（登録商標））、ポリエーテル、ＰＥＫ（ポリエーテルケトン）、ポリエーテルエステル、ＰＥＳ（ポリエーテルサルフォン）、ＰＥＩ（ポリエーテルイミド）、ＰＳＦ（ポリスルフォン）、ＰＰＳ（ポリフェニレンスルフィド）、ＰＣ（ポリカーボネート）、ＰＡＲ（ポリアリレート）およびＰＵ（ポリウレタン）のうちの少なくとも１種を含む。
【0033】
基体１１は、例えば、ポリエステルを主たる成分として含む。前記ポリエステルは、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）、ＰＢＮ（ポリブチレンナフタレート）、ＰＣＴ（ポリシクロヘキシレンジメチレンテレフタレート）、ＰＥＢ（ポリエチレン－ｐ－オキシベンゾエート）、及びポリエチレンビスフェノキシカルボキシレートのうちの１種又は２種以上の混合物であってよい。本明細書内において、「主たる成分」とは、基体を構成する成分のうち最も含有割合が高い成分であることを意味する。例えば基体１１の主たる成分がポリエステルであることは、基体１１中のポリエステルの含有割合が例えばベース層１１の質量に対して５０質量％以上、６０質量％以上、７０質量％以上、８０質量％以上、９０質量％以上、９５質量％以上、若しくは９８質量％以上であることを意味してよく、又は、ベース層１１がポリエステルのみから構成されることを意味してもよい。
この実施態様において、基体１１は、ポリエステルに加えて、以下で述べるポリエステル以外の樹脂を含んでもよい。
本技術の好ましい実施態様に従い、基体１１は、ＰＥＴ又はＰＥＮから形成されてよい。
この実施態様において、基体１１は、ポリエステルに加えて、以下で述べるポリエステル以外の樹脂を含んでもよい。
本技術の好ましい実施態様に従い、基体１１は、ＰＥＴ又はＰＥＮから形成されてよい。
【0034】
（磁性層）
磁性層１３は、信号を記録するための記録層である。磁性層１３は、例えば、磁性粉および結着剤を含む。磁性層１３が、必要に応じて、潤滑剤、帯電防止剤、研磨剤、硬化剤、防錆剤および非磁性補強粒子等のうちの少なくとも１種の添加剤をさらに含んでいてもよい。
磁性層１３は、信号を記録するための記録層である。磁性層１３は、例えば、磁性粉および結着剤を含む。磁性層１３が、必要に応じて、潤滑剤、帯電防止剤、研磨剤、硬化剤、防錆剤および非磁性補強粒子等のうちの少なくとも１種の添加剤をさらに含んでいてもよい。
【0035】
磁性層１３は、図３Ａに示すように、複数のサーボバンドＳＢと複数のデータバンドＤＢとを予め有していることが好ましい。複数のサーボバンドＳＢは、磁気記録媒体１０の幅方向に等間隔で設けられている。隣り合うサーボバンドＳＢの間には、データバンドＤＢが設けられている。サーボバンドＳＢには、磁気ヘッドのトラッキング制御をするためのサーボ信号が予め書き込まれている。データバンドＤＢには、ユーザデータが記録される。
【0036】
磁性層１３の表面の面積Ｓに対するサーボバンドＳＢの総面積ＳSBの割合ＲS（＝（ＳSB／Ｓ）×１００）は、高記録容量を確保する観点から、好ましくは４．０％以下、より好ましくは３．０％以下、さらにより好ましくは２．０％以下である。一方、磁性層１３の表面の面積Ｓに対するサーボバンドＳＢの総面積ＳSBの割合ＲSは、５以上のサーボトラックを確保する観点から、好ましくは０．８％以上である。
【0037】
磁性層１３の表面全体の面積Ｓに対するサーボバンドＳＢの総面積ＳSBの比率ＲSは、以下のようにして求められる。例えば、磁気記録媒体１０を、フェリコロイド現像液（株式会社シグマハイケミカル製、シグマーカーＱ）を用いて現像し、その後、現像した磁気記録媒体１０を光学顕微鏡で観察し、サーボバンド幅ＷSBおよびサーボバンドＳＢの本数を測定する。次に、以下の式から割合ＲSを求める。
割合ＲS［％］＝（（（サーボバンド幅ＷSB）×（サーボバンド本数））／（磁気記録媒体１０の幅））×１００
割合ＲS［％］＝（（（サーボバンド幅ＷSB）×（サーボバンド本数））／（磁気記録媒体１０の幅））×１００
【0038】
サーボバンドＳＢの数は、好ましくは５以上、より好ましくは５＋４ｎ（但し、ｎは正の整数である。）以上、さらにより好ましくは９＋４ｎ以上である。サーボバンドＳＢの数が５以上であると、磁気記録媒体１０の幅方向の寸法変化によるサーボ信号への影響を抑制し、よりオフトラックが少ない安定した記録再生特性を確保できる。サーボバンドＳＢの数は、特に限定されるものではないが、例えば３３以下である。
【0039】
サーボバンドＳＢの数は以下のようにして確認可能である。まず、磁性層１３の表面を磁気力顕微鏡（ＭＦＭ）を用いて観察し、ＭＦＭ像を取得する。次に、ＭＦＭ像を用いてサーボバンドＳＢの数をカウントする。
【0040】
サーボバンド幅ＷSBは、高記録容量を確保する観点から、好ましくは９５μｍ以下、より好ましくは６０μｍ以下、さらにより好ましくは３０μｍ以下である。サーボバンド幅ＷSBは、好ましくは１０μｍ以上である。１０μｍ未満のサーボバンド幅ＷSBのサーボ信号を読み取り可能な記録ヘッドの製造は、困難を伴いうる。
【0041】
サーボバンド幅ＷSBの幅は以下のようにして求められる。まず、磁性層１３の表面を、磁気力顕微鏡（ＭＦＭ）を用いて観察し、ＭＦＭ像を取得する。次に、ＭＦＭ像を用いてサーボバンド幅ＷSBの幅を測定する。
【0042】
磁性層１３は、図３Ｂに示すように、データバンドＤＢに複数のデータトラックＴｋを形成可能に構成されている。データトラック幅Ｗは、高記録容量を確保する観点から、好ましくは２．０μｍ以下、より好ましくは１．５μｍ以下、さらにより好ましくは１．０μｍ以下である。データトラック幅Ｗは、好ましくは０．０２μｍ以上である。
【0043】
データトラック幅Ｗは以下のようにして求められる。例えば、データが全面に記録された磁性層１３のデータバンド部分のデータ記録パターンを磁気力顕微鏡（Magnetic Force Microscope：ＭＦＭ）を用いて観察し、ＭＦＭ像を得る。ＭＦＭとしてはDigital Instruments社製Dimension3100とその解析ソフトが用いられる。当該ＭＦＭ像の測定領域は１０μｍ×１０μｍとし、当該１０μｍ×１０μｍの測定領域は５１２×５１２（＝２６２，１４４）個の測定点に分割される。場所の異なる３つの１０μｍ×１０μｍ測定領域についてＭＦＭによる測定が行われ、すなわち３つのＭＦＭ像が得られる。得られた３つのＭＦＭ像から、Dimension3100に付属の解析ソフトを用いて、トラック幅を１０ヶ所測定し平均値（単純平均である）をとる。当該平均値が、データトラック幅Ｗである。なお、前記ＭＦＭの測定条件は掃引速度：１Ｈｚ、使用チップ：ＭＦＭＲ－２０、リフトハイト：２０ｎｍ、補正：Flatten order 3である。
【0044】
磁性層１３は、磁化反転間距離の最小値Ｌとデータトラック幅Ｗが好ましくはＷ／Ｌ≦２００、より好ましくはＷ／Ｌ≦６０、さらにより好ましくはＷ／Ｌ≦４５、特に好ましくはＷ／Ｌ≦３０となるように、データを記録可能に構成されている。磁化反転間距離の最小値Ｌが一定値であり、磁化反転間距離の最小値Ｌとトラック幅ＷがＷ／Ｌ＞２００であると（すなわちトラック幅Ｗが大きいと）、トラック記録密度が上がらないため、記録容量を十分に確保できなくなる虞がある。また、トラック幅Ｗが一定値であり、磁化反転間距離の最小値Ｌとトラック幅ＷがＷ／Ｌ＞２００であると（すなわち磁化反転間距離の最小値Ｌが小さいと）、ビット長さが小さくなり、線記録密度が上がるが、スペーシングロスの影響により、ＳＮＲが著しく悪化してしまう虞がある。したがって、記録容量を確保しながら、ＳＮＲの悪化を抑えるためには、上記のようにＷ／ＬがＷ／Ｌ≦６０の範囲にあることが好ましい。但し、Ｗ／Ｌは上記範囲に限定されるものではなく、Ｗ／Ｌ≦２３またはＷ／Ｌ≦１３であってもよい。Ｗ／Ｌの下限値は特に限定されるものではないが、例えば１≦Ｗ／Ｌである。
【0045】
磁性層１３は、高記録容量を確保する観点から、磁化反転間距離の最小値Ｌが好ましくは５５ｎｍ以下、より好ましくは５３ｎｍ以下、さらにより好ましくは５２ｎｍ以下、５０ｎｍ以下、４８ｎｍ以下、又は４４ｎｍ以下、特に好ましくは４０ｎｍ以下となるように、データを記録可能に構成されている。磁化反転間距離の最小値Ｌの下限値は、磁性粒子サイズを考慮すると、好ましくは２０ｎｍ以上である。磁化反転間距離の最小値Ｌは、磁性粒子サイズによって考慮される。
【0046】
磁化反転間距離の最小値Ｌは以下のようにして求められる。例えば、データが全面に記録された磁性層１３のデータバンド部分のデータ記録パターンを磁気力顕微鏡（Magnetic Force Microscope：ＭＦＭ）を用いて観察し、ＭＦＭ像を得る。ＭＦＭとしてはDigital Instruments社製Dimension3100とその解析ソフトが用いられる。当該ＭＦＭ像の測定領域は２μｍ×２μｍとし、当該２μｍ×２μｍの測定領域は５１２×５１２（＝２６２，１４４）個の測定点に分割される。場所の異なる３つの２μｍ×２μｍ測定領域についてＭＦＭによる測定が行われ、すなわち３つのＭＦＭ像が得られる。得られたＭＦＭ像の記録パターンの二次元の凹凸チャートからビット間距離を５０個測定する。当該ビット間距離の測定は、Dimension3100に付属の解析ソフトを用いて行われる。測定された５０個のビット間距離のおよそ最大公約数となる値を磁化反転間距離の最小値Ｌとする。なお、測定条件は掃引速度：１Ｈｚ、使用チップ：ＭＦＭＲ－２０、リフトハイト：２０ｎｍ、補正：Flatten order 3である。
【0047】
磁性層１３の平均厚みｔｍは、好ましくは９０ｎｍ以下、特に好ましくは８０ｎｍ以下、より好ましくは７０ｎｍ以下、さらにより好ましくは５０ｎｍ以下である。磁性層１３の平均厚みが９０ｎｍ以下であると、記録ヘッドとしてリング型ヘッドを用いた場合に、磁性層１３の厚み方向に均一に磁化を記録できるため、電磁変換特性（例えばＳＮＲ（Signal-to-Noise Ratio））を向上することができる。
磁性層１３の平均厚みｔｍは、好ましくは３０ｎｍ以上、より好ましくは３５ｎｍ以上である。磁性層１３の平均厚みが３０ｎｍ以上であると、再生ヘッドとしてはＭＲ型ヘッドを用いた場合に、出力を確保できるため、電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を向上することができる。
磁性層１３の平均厚みの数値範囲は、上記上限値のいずれかと上記下限値のいずれかとにより規定されてよく、好ましくは３０ｎｍ≦ｔｍ≦９０ｎｍであり、３５ｎｍ≦ｔｍ≦８０ｎｍであり、又は３５ｎｍ≦ｔｍ≦７０ｎｍであってよい。
磁性層１３の平均厚みｔｍは、好ましくは３０ｎｍ以上、より好ましくは３５ｎｍ以上である。磁性層１３の平均厚みが３０ｎｍ以上であると、再生ヘッドとしてはＭＲ型ヘッドを用いた場合に、出力を確保できるため、電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を向上することができる。
磁性層１３の平均厚みの数値範囲は、上記上限値のいずれかと上記下限値のいずれかとにより規定されてよく、好ましくは３０ｎｍ≦ｔｍ≦９０ｎｍであり、３５ｎｍ≦ｔｍ≦８０ｎｍであり、又は３５ｎｍ≦ｔｍ≦７０ｎｍであってよい。
【0048】
磁性層１３の平均厚みは、例えば、以下のようにして求められる。
磁気記録媒体１０をＦＩＢ（Focused Ion Beam）法等により加工して薄片化を行う。ＦＩＢ法を使用する場合には、後述の断面のＴＥＭ像を観察する前処理として、保護膜としてカーボン膜及びタングステン薄膜を形成する。当該カーボン膜は蒸着法により磁気記録媒体１０の磁性層側表面及びバック層側表面に形成され、そして、当該タングステン薄膜は蒸着法又はスパッタリング法により磁性層側表面にさらに形成される。当該薄片化は磁気記録媒体１０の長さ方向（長手方向）に沿って行われる。すなわち、当該薄片化によって、磁気記録媒体１０の長手方向及び厚み方向の両方に平行な断面が形成される。
得られた薄片化サンプルの前記断面を、透過型電子顕微鏡（Transmission Electron Microscope：ＴＥＭ）により、下記の条件で観察し、ＴＥＭ像を得る。なお、装置の種類に応じて、倍率及び加速電圧は適宜調整されてよい。
装置：ＴＥＭ（日立製作所製Ｈ９０００ＮＡＲ）
加速電圧：３００ｋＶ
倍率：１００，０００倍
次に、得られたＴＥＭ像を用い、磁気記録媒体１０の長手方向の少なくとも１０点以上の位置で磁性層１３の厚みを測定する。得られた測定値を単純に平均（算術平均）して得られた平均値を磁性層１３の平均厚み［ｎｍ］とする。なお、前記測定が行われる位置は、試験片から無作為に選ばれるものとする。
磁気記録媒体１０をＦＩＢ（Focused Ion Beam）法等により加工して薄片化を行う。ＦＩＢ法を使用する場合には、後述の断面のＴＥＭ像を観察する前処理として、保護膜としてカーボン膜及びタングステン薄膜を形成する。当該カーボン膜は蒸着法により磁気記録媒体１０の磁性層側表面及びバック層側表面に形成され、そして、当該タングステン薄膜は蒸着法又はスパッタリング法により磁性層側表面にさらに形成される。当該薄片化は磁気記録媒体１０の長さ方向（長手方向）に沿って行われる。すなわち、当該薄片化によって、磁気記録媒体１０の長手方向及び厚み方向の両方に平行な断面が形成される。
得られた薄片化サンプルの前記断面を、透過型電子顕微鏡（Transmission Electron Microscope：ＴＥＭ）により、下記の条件で観察し、ＴＥＭ像を得る。なお、装置の種類に応じて、倍率及び加速電圧は適宜調整されてよい。
装置：ＴＥＭ（日立製作所製Ｈ９０００ＮＡＲ）
加速電圧：３００ｋＶ
倍率：１００，０００倍
次に、得られたＴＥＭ像を用い、磁気記録媒体１０の長手方向の少なくとも１０点以上の位置で磁性層１３の厚みを測定する。得られた測定値を単純に平均（算術平均）して得られた平均値を磁性層１３の平均厚み［ｎｍ］とする。なお、前記測定が行われる位置は、試験片から無作為に選ばれるものとする。
【0049】
（磁性粉）
【0050】
磁性層１３に含まれる磁性粉をなす磁性粒子として、例えば六方晶フェライト、イプシロン型酸化鉄（ε酸化鉄）、Ｃｏ含有スピネルフェライト、ガンマヘマタイト、マグネタイト、二酸化クロム、コバルト被着酸化鉄、及びメタル（金属）などを挙げることができるが、これらに限定されない。前記磁性粉は、これらのうちの１種であってよく、又は、２種以上の組合せであってもよい。好ましくは、前記磁性粉は、六方晶フェライト、ε酸化鉄、又はＣｏ含有スピネルフェライトを含みうる。特に好ましくは、前記磁性粉は、六方晶フェライトである。前記六方晶フェライトは、特に好ましくはＢａ及びＳｒのうちの少なくとも１種を含みうる。前記ε酸化鉄は、特に好ましくはＡｌ及びＧａのうちの少なくとも１種を含みうる。これらの磁性粒子については、例えば磁性層１３の製造方法、テープの規格、及びテープの機能などの要因に基づいて当業者により適宜選択されてよい。
【0051】
磁性粒子の形状は、磁性粒子の結晶構造に依拠している。例えば、バリウムフェライト（ＢａＦｅ）及びストロンチウムフェライトは六角板状でありうる。ε酸化鉄は球状でありうる。コバルトフェライトは立方状でありうる。メタルは紡錘状でありうる。磁気記録媒体１０の製造工程においてこれらの磁性粒子が配向される。
磁性粉の平均粒子サイズは、好ましくは５０ｎｍ以下、より好ましくは４０ｎｍ以下、さらにより好ましくは３０ｎｍ以下、２５ｎｍ以下、２２ｎｍ以下、２１ｎｍ以下、又は２０ｎｍ以下でありうる。前記平均粒子サイズは、例えば１０ｎｍ以上、好ましくは１２ｎｍ以上でありうる。
磁性粉の平均アスペクト比は、例えば１．０以上３．０以下であってよく、１．０以上２．９以下であってもよい。
磁性粉の平均粒子サイズは、好ましくは５０ｎｍ以下、より好ましくは４０ｎｍ以下、さらにより好ましくは３０ｎｍ以下、２５ｎｍ以下、２２ｎｍ以下、２１ｎｍ以下、又は２０ｎｍ以下でありうる。前記平均粒子サイズは、例えば１０ｎｍ以上、好ましくは１２ｎｍ以上でありうる。
磁性粉の平均アスペクト比は、例えば１．０以上３．０以下であってよく、１．０以上２．９以下であってもよい。
【0052】
（磁性粉が六方晶フェライトを含む実施態様）
【0053】
本開示の好ましい実施態様に従い、磁性粉は六方晶フェライトを含み、より特には六方晶フェライトを含有するナノ粒子（以下「六方晶フェライト粒子」という。）の粉末を含みうる。六方晶フェライトは、好ましくはＭ型構造を有する六方晶フェライトである。六方晶フェライトは、例えば、六角板状又はほぼ六角板状を有する。六方晶フェライトは、好ましくはＢａ、Ｓｒ、Ｐｂ、及びＣａのうちの少なくとも１種、より好ましくはＢａ、Ｓｒ、およびＣａのうちの少なくとも１種を含みうる。六方晶フェライトは、具体的には例えばバリウムフェライト、ストロンチウムフェライト、及びカルシウムフェライトから選ばれる１つ又は２以上の組合せであってよく、特に好ましくはバリウムフェライト又はストロンチウムフェライトである。バリウムフェライトは、Ｂａ以外に、Ｓｒ、Ｐｂ、及びＣａのうちの少なくとも１種をさらに含んでいてもよい。ストロンチウムフェライトは、Ｓｒ以外に、Ｂａ、Ｐｂ、及びＣａのうちの少なくとも１種をさらに含んでいてもよい。
【0054】
より具体的には、六方晶フェライトは、一般式ＭＦｅ１２Ｏ１９で表される平均組成を有しうる。ここで、Ｍは、例えばＢａ、Ｓｒ、Ｐｂ、及びＣａのうちの少なくとも１種の金属、好ましくはＢａ及びＳｒのうちの少なくとも１種の金属である。Ｍが、Ｂａと、Ｓｒ、Ｐｂ、及びＣａからなる群より選ばれる１種以上の金属との組み合わせであってもよい。また、Ｍが、Ｓｒと、Ｂａ、Ｐｂ、及びＣａからなる群より選ばれる１種以上の金属との組み合わせであってもよい。上記一般式においてＦｅの一部が他の金属元素で置換されていてもよい。
【0055】
磁性粉が六方晶フェライト粒子の粉末を含む場合、磁性粉の平均粒子サイズは、好ましくは５０ｎｍ以下、より好ましくは４０ｎｍ以下、さらにより好ましくは３０ｎｍ以下、２５ｎｍ以下、２２ｎｍ以下、２１ｎｍ以下、又は２０ｎｍ以下でありうる。前記平均粒子サイズは、例えば１０ｎｍ以上、好ましくは１２ｎｍ以上、より好ましくは１５ｎｍ以上でありうる。例えば、前記磁性粉の平均粒子サイズは、１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下、１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下、１２ｎｍ以上３０ｎｍ以下、１２ｎｍ以上２５ｎｍ以下、又は１５ｎｍ以上２２ｎｍ以下でありうる。磁性粉の平均粒子サイズが上記上限値以下である場合（例えば５０ｎｍ以下、特には３０ｎｍ以下である場合）、高記録密度の磁気記録媒体１０において、良好な電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。磁性粉の平均粒子サイズが上記下限値以上である場合（例えば１０ｎｍ以上、好ましくは１２ｎｍ以上である場合）、磁性粉の分散性がより向上し、より優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。
【0056】
磁性粉が六方晶フェライト粒子の粉末を含む場合、磁性粉の平均アスペクト比は、好ましくは１．０以上３．０以下、より好ましくは１．０以上２．９以下、さらにより好ましくは２．０以上２．９以下でありうる。磁性粉の平均アスペクト比が上記数値範囲内にあることによって、磁性粉の凝集を抑制することができ、さらに、磁性層１３の形成工程において磁性粉を垂直配向させる際に、磁性粉に加わる抵抗を抑制することができる。これは、磁性粉の垂直配向性の向上をもたらしうる。
【0057】
磁性粉が六方晶フェライト粒子の粉末を含む場合、磁性粉の平均粒子サイズおよび平均アスペクト比は以下のようにして求められる。
まず、測定対象となる磁気記録媒体１０をＦＩＢ（Focused Ion Beam）法等により加工して薄片化を行う。ＦＩＢ法を使用する場合には、後述の断面のＴＥＭ像を観察する前処理として、保護膜としてカーボン膜及びタングステン薄膜を形成する。当該カーボン膜は蒸着法により磁気記録媒体１０の磁性層側表面及びバック層側表面に形成され、そして、当該タングステン薄膜は蒸着法又はスパッタリング法により磁性層側表面にさらに形成される。当該薄片化は磁気記録媒体１０の長さ方向（長手方向）に沿って行われる。すなわち、当該薄片化によって、磁気記録媒体１０の長手方向及び厚み方向の両方に平行な断面が形成される。
得られた薄片サンプルの前記断面を、透過電子顕微鏡（日立ハイテクノロジーズ社製 H-9500）を用いて、加速電圧：200kV、総合倍率500,000倍で磁性層１３の厚み方向に対して磁性層１３全体が含まれるように断面観察を行い、ＴＥＭ写真を撮影する。
次に、撮影したＴＥＭ写真から、観察面の方向に側面を向けており且つ粒子の厚みが明らかに確認できる粒子を５０個選び出す。例えば、図４にＴＥＭ写真の例を示す。図４において、例えばａ及びｄで示される粒子が、その厚みを明らかに確認できるので、選択される。選択された５０個の粒子それぞれの最大板厚ＤＡを測定する。このようにして求めた最大板厚ＤＡを単純に平均（算術平均）して平均最大板厚ＤＡａｖｅを求める。
続いて、各磁性粉の板径ＤＢを測定する。粒子の板径ＤＢを測定するために、撮影したＴＥＭ写真から、粒子の板径が明らかに確認できる粒子を５０個選び出す。例えば、図４において、例えばｂ及びｃで示される粒子が、その板径を明らかに確認できるので、選択される。選択された５０個の粒子それぞれの板径ＤＢを測定する。このようにして求めた板径ＤＢを単純平均（算術平均）して平均板径ＤＢａｖｅを求める。平均板径ＤＢａｖｅが、平均粒子サイズである。
そして、平均最大板厚ＤＡａｖｅ及び平均板径ＤＢａｖｅから粒子の平均アスペクト比（ＤＢａｖｅ／ＤＡａｖｅ）を求める。
まず、測定対象となる磁気記録媒体１０をＦＩＢ（Focused Ion Beam）法等により加工して薄片化を行う。ＦＩＢ法を使用する場合には、後述の断面のＴＥＭ像を観察する前処理として、保護膜としてカーボン膜及びタングステン薄膜を形成する。当該カーボン膜は蒸着法により磁気記録媒体１０の磁性層側表面及びバック層側表面に形成され、そして、当該タングステン薄膜は蒸着法又はスパッタリング法により磁性層側表面にさらに形成される。当該薄片化は磁気記録媒体１０の長さ方向（長手方向）に沿って行われる。すなわち、当該薄片化によって、磁気記録媒体１０の長手方向及び厚み方向の両方に平行な断面が形成される。
得られた薄片サンプルの前記断面を、透過電子顕微鏡（日立ハイテクノロジーズ社製 H-9500）を用いて、加速電圧：200kV、総合倍率500,000倍で磁性層１３の厚み方向に対して磁性層１３全体が含まれるように断面観察を行い、ＴＥＭ写真を撮影する。
次に、撮影したＴＥＭ写真から、観察面の方向に側面を向けており且つ粒子の厚みが明らかに確認できる粒子を５０個選び出す。例えば、図４にＴＥＭ写真の例を示す。図４において、例えばａ及びｄで示される粒子が、その厚みを明らかに確認できるので、選択される。選択された５０個の粒子それぞれの最大板厚ＤＡを測定する。このようにして求めた最大板厚ＤＡを単純に平均（算術平均）して平均最大板厚ＤＡａｖｅを求める。
続いて、各磁性粉の板径ＤＢを測定する。粒子の板径ＤＢを測定するために、撮影したＴＥＭ写真から、粒子の板径が明らかに確認できる粒子を５０個選び出す。例えば、図４において、例えばｂ及びｃで示される粒子が、その板径を明らかに確認できるので、選択される。選択された５０個の粒子それぞれの板径ＤＢを測定する。このようにして求めた板径ＤＢを単純平均（算術平均）して平均板径ＤＢａｖｅを求める。平均板径ＤＢａｖｅが、平均粒子サイズである。
そして、平均最大板厚ＤＡａｖｅ及び平均板径ＤＢａｖｅから粒子の平均アスペクト比（ＤＢａｖｅ／ＤＡａｖｅ）を求める。
【0058】
磁性粉が六方晶フェライト粒子の粉末を含む場合、磁性粉の平均粒子体積は、好ましくは２０００ｎｍ3以下であり、好ましくは１９００ｎｍ3以下であり、より好ましくは１８００ｎｍ3以下であり、さらにより好ましくは１７００ｎｍ3以下、１６００ｎｍ3以下、又は１５００ｎｍ3以下であってもよい。磁性粉の平均粒子体積は、好ましくは５００ｎｍ3以上、より好ましくは７００ｎｍ3以上でありうる。
磁性粉の平均粒子体積が上記上限値以下である場合（例えば２０００ｎｍ3以下である場合）、高記録密度の磁気記録媒体１０において、良好な電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。磁性粉の平均粒子体積が上記下限値以上である場合（例えば５００ｎｍ3以上である場合）、磁性粉の分散性がより向上し、より優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。
磁性粉の平均粒子体積が上記上限値以下である場合（例えば２０００ｎｍ3以下である場合）、高記録密度の磁気記録媒体１０において、良好な電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。磁性粉の平均粒子体積が上記下限値以上である場合（例えば５００ｎｍ3以上である場合）、磁性粉の分散性がより向上し、より優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。
【0059】
磁性粉の平均粒子体積は以下のようにして求められる。まず、上記の磁性粉の平均粒子サイズの算出方法に関して述べたとおり、平均最大板厚ＤＡａｖｅおよび平均板径ＤＢａｖｅを求める。次に、以下の式により、磁性粉の平均粒子体積Ｖを求める。
【0060】
【数2】
【0061】
本開示の特に好ましい実施態様に従い、前記磁性粉は、バリウムフェライト磁性粉又はストロンチウムフェライト磁性粉であり、より好ましくはバリウムフェライト磁性粉でありうる。バリウムフェライト磁性粉は、バリウムフェライトを主相とする鉄酸化物の磁性粒子（以下「バリウムフェライト粒子」という。）を含む。バリウムフェライト磁性粉は、例えば高温多湿環境でも抗磁力が落ちないなど、データ記録の信頼性が高い。このような観点から、バリウムフェライト磁性粉は、前記磁性粉として好ましい。
【0062】
バリウムフェライト磁性粉の平均粒子サイズは、５０ｎｍ以下、より好ましくは１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下、さらにより好ましくは１２ｎｍ以上２５ｎｍ以下である。
【0063】
磁性層１３が磁性粉としてバリウムフェライト磁性粉を含む場合、磁性層１３の平均厚みｔｍ［ｎｍ］が、好ましくは９０ｎｍ以下であり、より好ましくは８０ｎｍ以下である。例えば磁性層１３の平均厚みｔｍは、３５ｎｍ≦ｔｍ≦９０ｎｍであってよい。
また、磁気記録媒体１０の厚み方向（垂直方向）に測定した保磁力Ｈｃ１が、好ましくは２０１０［Ｏｅ］以上３５２０［Ｏｅ］以下、より好ましくは２０７０［Ｏｅ］以上３４６０［Ｏｅ］以下、更により好ましくは２１４０［Ｏｅ］以上３３９０［Ｏｅ］以下である。
また、磁気記録媒体１０の厚み方向（垂直方向）に測定した保磁力Ｈｃ１が、好ましくは２０１０［Ｏｅ］以上３５２０［Ｏｅ］以下、より好ましくは２０７０［Ｏｅ］以上３４６０［Ｏｅ］以下、更により好ましくは２１４０［Ｏｅ］以上３３９０［Ｏｅ］以下である。
【0064】
（磁性粉がε酸化鉄を含む実施態様）
【0065】
本開示の他の好ましい実施態様に従い、前記磁性粉は、好ましくはε酸化鉄を含むナノ粒子（以下「ε酸化鉄粒子」という。）の粉末を含みうる。ε酸化鉄粒子は微粒子でも高保磁力を得ることができる。ε酸化鉄粒子に含まれるε酸化鉄は、磁気記録媒体１０の厚み方向（垂直方向）に優先的に結晶配向していることが好ましい。
【0066】
ε酸化鉄粒子は、球状若しくはほぼ球状を有しているか、又は、立方体状若しくはほぼ立方体状を有している。ε酸化鉄粒子が上記のような形状を有しているため、磁性粒子としてε酸化鉄粒子を用いた場合、磁性粒子として六角板状のバリウムフェライト粒子を用いた場合に比べて、媒体の厚み方向における粒子同士の接触面積を低減し、粒子同士の凝集を抑制できる。したがって、磁性粉の分散性を高め、より良好なＳＮＲ（Signal-to-Noise Ratio）を得ることができる。
【0067】
ε酸化鉄粒子は、コアシェル型構造を有していてもよい。具体的には、ε酸化鉄粒子は、図５に示すように、コア部２１と、このコア部２１の周囲に設けられた２層構造のシェル部２２とを備える。２層構造のシェル部２２は、コア部２１上に設けられた第１シェル部２２ａと、第１シェル部２２ａ上に設けられた第２シェル部２２ｂとを備える。
【0068】
コア部２１は、ε酸化鉄を含む。コア部２１に含まれるε酸化鉄は、ε－Ｆｅ２Ｏ３結晶を主相とするものが好ましく、単相のε－Ｆｅ２Ｏ３からなるものがより好ましい。
【0069】
第１シェル部２２ａは、コア部２１の周囲のうちの少なくとも一部を覆っている。具体的には、第１シェル部２２ａは、コア部２１の周囲を部分的に覆っていてもよいし、コア部２１の周囲全体を覆っていてもよい。コア部２１と第１シェル部２２ａの交換結合を十分なものとし、磁気特性を向上する観点からすると、コア部２１の表面全体を覆っていることが好ましい。
【0070】
第１シェル部２２ａは、いわゆる軟磁性層であり、例えば、α－Ｆｅ、Ｎｉ－Ｆｅ合金又はＦｅ－Ｓｉ－Ａｌ合金などの軟磁性体を含みうる。α－Ｆｅは、コア部２１に含まれるε酸化鉄を還元することにより得られるものであってもよい。
【0071】
第２シェル部２２ｂは、酸化防止層としての酸化被膜である。第２シェル部２２ｂは、α酸化鉄、酸化アルミニウム、又は酸化ケイ素を含みうる。α酸化鉄は、例えばＦｅ３Ｏ４、Ｆｅ２Ｏ３、及びＦｅＯのうちの少なくとも１種の酸化鉄を含みうる。第１シェル部２２ａがα－Ｆｅ（軟磁性体）を含む場合には、α酸化鉄は、第１シェル部２２ａに含まれるα－Ｆｅを酸化することにより得られるものであってもよい。
【0072】
ε酸化鉄粒子が、上述のように第１シェル部２２ａを有することで、熱安定性を確保することができ、これによりコア部２１単体の保磁力Ｈｃを大きな値に保ちつつ且つ／又はε酸化鉄粒子（コアシェル粒子）全体としての保磁力Ｈｃを記録に適した保磁力Ｈｃに調整できる。また、ε酸化鉄粒子が、上述のように第２シェル部２２ｂを有することで、磁気記録媒体１０の製造工程及びその工程前において、ε酸化鉄粒子が空気中に暴露されて、粒子表面に錆びなどが発生することにより、ε酸化鉄粒子の特性が低下することを抑制することができる。したがって、磁気記録媒体１０の特性劣化を抑制することができる。
【0073】
ε酸化鉄粒子は、図６に示されるとおり、単層構造のシェル部２３を有していてもよい。この場合、シェル部２３は、第１シェル部２２ａと同様の構成を有する。但し、ε酸化鉄粒子の特性劣化を抑制する観点からすると、ε酸化鉄粒子が２層構造のシェル部２２を有していることがより好ましい。
【0074】
ε酸化鉄粒子は、コアシェル構造に代えて添加剤を含んでいてもよく、又は、コアシェル構造を有すると共に添加剤を含んでいてもよい。これらの場合、ε酸化鉄粒子のＦｅの一部が添加剤で置換される。ε酸化鉄粒子が添加剤を含むことによっても、ε酸化鉄粒子全体の保磁力Ｈｃを記録に適した保磁力Ｈｃに調整できるため、記録容易性を向上することができる。添加剤は、鉄以外の金属元素、好ましくは３価の金属元素、より好ましくはアルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、及びインジウム（Ｉｎ）からなる群より選ばれる１種以上である。
具体的には、添加剤を含むε酸化鉄は、ε－Ｆｅ２－ｘＭｘＯ３結晶（ここで、Ｍは鉄以外の金属元素、好ましくは３価の金属元素、より好ましくは、Ａｌ、Ｇａ、及びＩｎからなる群より選ばれる１種以上である。ｘは、例えば０＜ｘ＜１である。）である。
具体的には、添加剤を含むε酸化鉄は、ε－Ｆｅ２－ｘＭｘＯ３結晶（ここで、Ｍは鉄以外の金属元素、好ましくは３価の金属元素、より好ましくは、Ａｌ、Ｇａ、及びＩｎからなる群より選ばれる１種以上である。ｘは、例えば０＜ｘ＜１である。）である。
【0075】
磁性粉の平均粒子サイズ（平均最大粒子サイズ）は、好ましくは２２ｎｍ以下、より好ましくは８ｎｍ以上２２ｎｍ以下、さらにより好ましくは１２ｎｍ以上２２ｎｍ以下である。磁気記録媒体１０では、記録波長の１／２のサイズの領域が実際の磁化領域となる。このため、磁性粉の平均粒子サイズを最短記録波長の半分以下に設定することで、良好なＳＮＲを得ることができる。したがって、磁性粉の平均粒子サイズが２２ｎｍ以下であると、高記録密度の磁気記録媒体１０（例えば４４ｎｍ以下の最短記録波長で信号を記録可能に構成された磁気記録媒体１０）において、良好な電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。一方、磁性粉の平均粒子サイズが８ｎｍ以上であると、磁性粉の分散性がより向上し、より優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。
【0076】
磁性粉の平均アスペクト比が、好ましくは１．０以上３．０以下、より好ましくは１．０以上２．９以下、さらにより好ましくは１．０以上２．５以下である。磁性粉の平均アスペクト比が上記数値範囲にあると、磁性粉の凝集を抑制することができると共に、磁性層１３の形成工程において磁性粉を垂直配向させる際に、磁性粉に加わる抵抗を抑制することができる。したがって、磁性粉の垂直配向性を向上することができる。
【0077】
磁性粉がε酸化鉄粒子を含む場合、磁性粉の平均粒子サイズおよび平均アスペクト比は、以下のようにして求められる。
まず、測定対象となる磁気記録媒体１０をＦＩＢ（Focused Ion Beam）法等により加工して薄片化を行う。ＦＩＢ法を使用する場合には、後述の断面のＴＥＭ像を観察する前処理として、保護膜としてカーボン膜及びタングステン薄膜を形成する。当該カーボン膜は蒸着法により磁気記録媒体１０の磁性層側表面及びバック層側表面に形成され、そして、当該タングステン薄膜は蒸着法又はスパッタリング法により磁性層側表面にさらに形成される。薄片化は磁気記録媒体１０の長さ方向（長手方向）に沿うかたちで行って行われる。すなわち、当該薄片化によって、磁気記録媒体１０の長手方向及び厚み方向の両方に平行な断面が形成される。
得られた薄片サンプルの前記断面を、透過電子顕微鏡（日立ハイテクノロジーズ社製 H-9500）を用いて、加速電圧：200kV、総合倍率500,000倍で磁性層１３の厚み方向に対して磁性層１３全体が含まれるように断面観察を行い、ＴＥＭ写真を撮影する。
次に、撮影したＴＥＭ写真から、粒子の形状を明らかに確認することができる５０個の粒子を選び出し、各粒子の長軸長ＤＬと短軸長ＤＳを測定する。ここで、長軸長ＤＬとは、各粒子の輪郭に接するように、あらゆる角度から引いた２本の平行線間の距離のうち最大のもの（いわゆる最大フェレ径）を意味する。一方、短軸長ＤＳとは、粒子の長軸（ＤＬ）と直交する方向における粒子の長さのうち最大のものを意味する。
続いて、測定した５０個の粒子の長軸長ＤＬを単純に平均（算術平均）して平均長軸長ＤＬaveを求める。このようにして求めた平均長軸長ＤＬaveを磁性粉の平均粒子サイズとする。また、測定した５０個の粒子の短軸長ＤＳを単純に平均（算術平均）して平均短軸長ＤＳaveを求める。そして、平均長軸長ＤＬaveおよび平均短軸長ＤＳaveから粒子の平均アスペクト比（ＤＬave／ＤＳave）を求める。
まず、測定対象となる磁気記録媒体１０をＦＩＢ（Focused Ion Beam）法等により加工して薄片化を行う。ＦＩＢ法を使用する場合には、後述の断面のＴＥＭ像を観察する前処理として、保護膜としてカーボン膜及びタングステン薄膜を形成する。当該カーボン膜は蒸着法により磁気記録媒体１０の磁性層側表面及びバック層側表面に形成され、そして、当該タングステン薄膜は蒸着法又はスパッタリング法により磁性層側表面にさらに形成される。薄片化は磁気記録媒体１０の長さ方向（長手方向）に沿うかたちで行って行われる。すなわち、当該薄片化によって、磁気記録媒体１０の長手方向及び厚み方向の両方に平行な断面が形成される。
得られた薄片サンプルの前記断面を、透過電子顕微鏡（日立ハイテクノロジーズ社製 H-9500）を用いて、加速電圧：200kV、総合倍率500,000倍で磁性層１３の厚み方向に対して磁性層１３全体が含まれるように断面観察を行い、ＴＥＭ写真を撮影する。
次に、撮影したＴＥＭ写真から、粒子の形状を明らかに確認することができる５０個の粒子を選び出し、各粒子の長軸長ＤＬと短軸長ＤＳを測定する。ここで、長軸長ＤＬとは、各粒子の輪郭に接するように、あらゆる角度から引いた２本の平行線間の距離のうち最大のもの（いわゆる最大フェレ径）を意味する。一方、短軸長ＤＳとは、粒子の長軸（ＤＬ）と直交する方向における粒子の長さのうち最大のものを意味する。
続いて、測定した５０個の粒子の長軸長ＤＬを単純に平均（算術平均）して平均長軸長ＤＬaveを求める。このようにして求めた平均長軸長ＤＬaveを磁性粉の平均粒子サイズとする。また、測定した５０個の粒子の短軸長ＤＳを単純に平均（算術平均）して平均短軸長ＤＳaveを求める。そして、平均長軸長ＤＬaveおよび平均短軸長ＤＳaveから粒子の平均アスペクト比（ＤＬave／ＤＳave）を求める。
【0078】
磁性粉の平均粒子体積は、好ましくは２０００ｎｍ3以下であり、好ましくは１９００ｎｍ3以下であり、より好ましくは１８００ｎｍ3以下であり、さらにより好ましくは１７００ｎｍ3以下、１６００ｎｍ3以下、又は１５００ｎｍ3以下であってもよい。磁性粉の平均粒子体積は、好ましくは５００ｎｍ3以上、より好ましくは７００ｎｍ3以上でありうる。
磁性粉の平均粒子体積が上記上限値以下である場合（例えば２０００ｎｍ3以下である場合）、高記録密度の磁気記録媒体１０において、良好な電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。磁性粉の平均粒子体積が上記下限値以上である場合（例えば５００ｎｍ3以上である場合）、磁性粉の分散性がより向上し、より優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。
磁性粉の平均粒子体積が上記上限値以下である場合（例えば２０００ｎｍ3以下である場合）、高記録密度の磁気記録媒体１０において、良好な電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。磁性粉の平均粒子体積が上記下限値以上である場合（例えば５００ｎｍ3以上である場合）、磁性粉の分散性がより向上し、より優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。
【0079】
ε酸化鉄粒子が球状またはほぼ球状を有している場合には、磁性粉の平均粒子体積は以下のようにして求められる。まず、上記の磁性粉の平均粒子サイズの算出方法と同様にして、平均長軸長ＤＬaveを求める。次に、以下の式により、磁性粉の平均粒子体積Ｖを求める。
Ｖ＝（π/６）×ＤＬave 3
Ｖ＝（π/６）×ＤＬave 3
【0080】
ε酸化鉄粒子が立方体状の形状を有している場合、磁性粉の平均粒子体積は以下のようにして求められる。
磁気記録媒体１０をＦＩＢ（Focused Ion Beam）法等により加工して薄片化を行う。ＦＩＢ法を使用する場合には、後述の断面のＴＥＭ像を観察する前処理として、保護膜としてカーボン膜及びタングステン薄膜を形成する。当該カーボン膜は蒸着法により磁気記録媒体１０の磁性層側表面及びバック層側表面に形成され、そして、当該タングステン薄膜は蒸着法又はスパッタリング法により磁性層側表面にさらに形成される。当該薄片化は磁気記録媒体１０の長さ方向（長手方向）に沿って行われる。すなわち、当該薄片化によって、磁気記録媒体１０の長手方向及び厚み方向の両方に平行な断面が形成される。
得られた薄片サンプルを透過電子顕微鏡（日立ハイテクノロジーズ社製 H-9500）を用いて、加速電圧：200kV、総合倍率500,000倍で磁性層１３の厚み方向に対して磁性層１３全体が含まれるように断面観察を行い、ＴＥＭ写真を得る。なお、装置の種類に応じて、倍率及び加速電圧は適宜調整されてよい。
次に、撮影したＴＥＭ写真から粒子の形状が明らかである５０個の粒子を選び出し、各粒子の辺の長さＤＣを測定する。続いて、測定した５０個の粒子の辺の長さＤＣを単純に平均（算術平均）して平均辺長ＤＣaveを求める。次に、平均辺長ＤＣaveを用いて以下の式から磁性粉の平均粒子体積Ｖave（粒子体積）を求める。
Ｖave＝ＤＣave 3
ε酸化鉄粒子の保磁力Ｈｃは、好ましくは２５００Ｏｅ以上、より好ましくは２８００Ｏｅ以上４２００ｅ以下である。
磁気記録媒体１０をＦＩＢ（Focused Ion Beam）法等により加工して薄片化を行う。ＦＩＢ法を使用する場合には、後述の断面のＴＥＭ像を観察する前処理として、保護膜としてカーボン膜及びタングステン薄膜を形成する。当該カーボン膜は蒸着法により磁気記録媒体１０の磁性層側表面及びバック層側表面に形成され、そして、当該タングステン薄膜は蒸着法又はスパッタリング法により磁性層側表面にさらに形成される。当該薄片化は磁気記録媒体１０の長さ方向（長手方向）に沿って行われる。すなわち、当該薄片化によって、磁気記録媒体１０の長手方向及び厚み方向の両方に平行な断面が形成される。
得られた薄片サンプルを透過電子顕微鏡（日立ハイテクノロジーズ社製 H-9500）を用いて、加速電圧：200kV、総合倍率500,000倍で磁性層１３の厚み方向に対して磁性層１３全体が含まれるように断面観察を行い、ＴＥＭ写真を得る。なお、装置の種類に応じて、倍率及び加速電圧は適宜調整されてよい。
次に、撮影したＴＥＭ写真から粒子の形状が明らかである５０個の粒子を選び出し、各粒子の辺の長さＤＣを測定する。続いて、測定した５０個の粒子の辺の長さＤＣを単純に平均（算術平均）して平均辺長ＤＣaveを求める。次に、平均辺長ＤＣaveを用いて以下の式から磁性粉の平均粒子体積Ｖave（粒子体積）を求める。
Ｖave＝ＤＣave 3
ε酸化鉄粒子の保磁力Ｈｃは、好ましくは２５００Ｏｅ以上、より好ましくは２８００Ｏｅ以上４２００ｅ以下である。
【0081】
（磁性粉がＣｏ含有スピネルフェライトを含む実施態様）
【0082】
本開示のさらに他の好ましい実施態様に従い、磁性粉は、Ｃｏ含有スピネルフェライトを含有するナノ粒子（以下「コバルトフェライト粒子」ともいう）の粉末を含みうる。すなわち、当該磁性粉は、コバルトフェライト磁性粉でありうる。コバルトフェライト粒子は、一軸結晶異方性を有することが好ましい。コバルトフェライト磁性粒子は、例えば、立方体状又はほぼ立方体状を有している。Ｃｏ含有スピネルフェライトは、Ｃｏ以外にＮｉ、Ｍｎ、Ａｌ、Ｃｕ、及びＺｎからなる群より選ばれる１種以上をさらに含んでいてもよい。
【0083】
コバルトフェライトは、例えば以下の式（１）で表される平均組成を有する。
ＣｏｘＭｙＦｅ２Ｏｚ・・・（１）
（但し、式（１）中、Ｍは、例えば、Ｎｉ、Ｍｎ、Ａｌ、Ｃｕ、及びＺｎからなる群より選ばれる１種以上の金属である。ｘは、０．４≦ｘ≦１．０の範囲内の値である。ｙは、０≦ｙ≦０．３の範囲内の値である。但し、ｘ及びｙは（ｘ＋ｙ）≦１．０の関係を満たす。ｚは３≦ｚ≦４の範囲内の値である。Ｆｅの一部が他の金属元素で置換されていてもよい。）
ＣｏｘＭｙＦｅ２Ｏｚ・・・（１）
（但し、式（１）中、Ｍは、例えば、Ｎｉ、Ｍｎ、Ａｌ、Ｃｕ、及びＺｎからなる群より選ばれる１種以上の金属である。ｘは、０．４≦ｘ≦１．０の範囲内の値である。ｙは、０≦ｙ≦０．３の範囲内の値である。但し、ｘ及びｙは（ｘ＋ｙ）≦１．０の関係を満たす。ｚは３≦ｚ≦４の範囲内の値である。Ｆｅの一部が他の金属元素で置換されていてもよい。）
【0084】
コバルトフェライト磁性粉の平均粒子サイズは、好ましくは２５ｎｍ以下、より好ましくは２３ｎｍ以下である。コバルトフェライト磁性粉の保磁力Ｈｃは、好ましくは２５００Ｏｅ以上、より好ましくは２６００Ｏｅ以上３５００Ｏｅ以下である。
【0085】
磁性粉がコバルトフェライト粒子の粉末を含む場合、磁性粉の平均粒子サイズは、好ましくは２５ｎｍ以下、より好ましくは１０ｎｍ以上２３ｎｍ以下である。磁性粉の平均粒子サイズが２５ｎｍ以下であると、高記録密度の磁気記録媒体１０において、良好な電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。一方、磁性粉の平均粒子サイズが１０ｎｍ以上であると、磁性粉の分散性がより向上し、より優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。磁性粉がコバルトフェライト粒子の粉末を含む場合、磁性粉の平均アスペクト比及び平均粒子サイズは、磁性粉がε酸化鉄粒子を含む場合と同じ方法で求められる。
【0086】
磁性粉の平均粒子体積は、好ましくは２０００ｎｍ3以下であり、好ましくは１９００ｎｍ3以下であり、より好ましくは１８００ｎｍ3以下であり、さらにより好ましくは１７００ｎｍ3以下、１６００ｎｍ3以下、又は１５００ｎｍ3以下であってもよい。磁性粉の平均粒子体積は、好ましくは５００ｎｍ3以上、より好ましくは７００ｎｍ3以上でありうる。
磁性粉の平均粒子体積が上記上限値以下である場合（例えば２０００ｎｍ3以下である場合）、高記録密度の磁気記録媒体１０において、良好な電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。磁性粉の平均粒子体積が上記下限値以上である場合（例えば５００ｎｍ3以上である場合）、磁性粉の分散性がより向上し、より優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。
磁性粉の平均粒子体積が上記上限値以下である場合（例えば２０００ｎｍ3以下である場合）、高記録密度の磁気記録媒体１０において、良好な電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。磁性粉の平均粒子体積が上記下限値以上である場合（例えば５００ｎｍ3以上である場合）、磁性粉の分散性がより向上し、より優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。
【0087】
（結着剤）
【0088】
結着剤としては、ポリウレタン系樹脂又は塩化ビニル系樹脂などに架橋反応が行われた構造を有する樹脂が好ましい。しかしながら結着剤はこれらに限定されるものではなく、磁気記録媒体１０に対して要求される物性などに応じて、その他の樹脂を適宜配合してもよい。配合する樹脂としては、通常、塗布型の磁気記録媒体１０において一般的に用いられる樹脂であれば、特に限定されない。
【0089】
前記結着剤として、例えば、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、塩化ビニル－酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル－塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル－アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル－アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル－塩化ビニル－塩化ビニリデン共重合体、アクリル酸エステル－塩化ビニリデン共重合体、メタクリル酸エステル－塩化ビニリデン共重合体、メタクリル酸エステル－塩化ビニル共重合体、メタクリル酸エステル－エチレン共重合体、ポリ弗化ビニル、塩化ビニリデン－アクリロニトリル共重合体、アクリロニトリル－ブタジエン共重合体、ポリアミド樹脂、ポリビニルブチラール、セルロース誘導体（セルロースアセテートブチレート、セルロースダイアセテート、セルローストリアセテート、セルロースプロピオネート、ニトロセルロース）、スチレンブタジエン共重合体、ポリエステル樹脂、アミノ樹脂、及び合成ゴムから選ばれる１つ又は２つ以上の組み合わせが用いられうる。
【0090】
また、前記結着剤として、熱硬化性樹脂又は反応型樹脂が用いられてもよい。熱硬化性樹脂又は反応型樹脂の例としては、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、アルキッド樹脂、シリコーン樹脂、ポリアミン樹脂、及び尿素ホルムアルデヒド樹脂などが挙げられる。
【0091】
また、上述した各結着剤には、磁性粉の分散性を向上させる目的で、－ＳＯ３Ｍ、－ＯＳＯ３Ｍ、－ＣＯＯＭ、Ｐ＝Ｏ（ＯＭ）２などの極性官能基が導入されていてもよい。ここで、式中Ｍは、水素原子、又は、例えばリチウム、カリウム、及びナトリウムなどのアルカリ金属である。
【0092】
更に、極性官能基としては、－ＮＲ１Ｒ２、－ＮＲ１Ｒ２Ｒ３＋Ｘ－の末端基を有する側鎖型のもの、及び、＞ＮＲ１Ｒ２＋Ｘ－の主鎖型のものが挙げられる。ここで、式中Ｒ１、Ｒ２、及びＲ３は、互いに独立に水素原子又は炭化水素基であり、Ｘ－は、例えば弗素、塩素、臭素、若しくはヨウ素などのハロゲン元素イオン、又は、無機若しくは有機イオンである。また、極性官能基としては、－ＯＨ、－ＳＨ、－ＣＮ、及びエポキシ基なども挙げられる。これら極性官能基の結着剤への導入量は、１０-1～１０-8モル／ｇであるのが好ましく、１０-2～１０-6モル／ｇであるのがより好ましい。
【0093】
（潤滑剤）
【0094】
前記磁性層は、潤滑剤を含みうる。前記潤滑剤は、例えば脂肪酸及び／又は脂肪酸エステルから選ばれる１種又は２以上であってよく、好ましくは脂肪酸及び脂肪酸エステルの両方を含みうる。前記脂肪酸は、好ましくは下記の一般式（１）又は（２）により示される化合物であってよい。例えば、前記脂肪酸として下記の一般式（１）により示される化合物及び一般式（２）により示される化合物の一方が含まれていてよく又は両方が含まれていてもよい。
また、前記脂肪酸エステルは、好ましくは下記一般式（３）又は（４）により示される化合物であってよい。例えば、前記脂肪酸エステルとして下記の一般式（３）により示される化合物及び一般式（４）により示される化合物の一方が含まれていてよく又は両方が含まれていてもよい。
前記潤滑剤が、一般式（１）に示される化合物及び一般式（２）に示される化合物のいずれか一方若しくは両方と、一般式（３）に示される化合物及び一般式（４）に示される化合物のいずれか一方若しくは両方と、を含むことによって、磁気記録媒体を繰り返しの記録又は再生による動摩擦係数の増加を抑制することができる。
ＣＨ3（ＣＨ2）kＣＯＯＨ ・・・（１）
（但し、一般式（１）において、ｋは１４以上２２以下の範囲、より好ましくは１４以上１８以下の範囲から選ばれる整数である。）
ＣＨ3（ＣＨ2）nＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ2）mＣＯＯＨ ・・・（２）
（但し、前記一般式（２）において、ｎとｍとの和は１２以上２０以下の範囲、より好ましくは１４以上１８以下の範囲から選ばれる整数である。）
ＣＨ3（ＣＨ2）pＣＯＯ（ＣＨ2）qＣＨ3 ・・・（３）
（但し、一般式（３）において、ｐは１４以上２２以下、より好ましくは１４以上１８以下の範囲から選ばれる整数であり、且つ、ｑは２以上５以下の範囲、より好ましくは２以上４以下の範囲から選ばれる整数である。）
ＣＨ3（ＣＨ2）rＣＯＯ－（ＣＨ2）sＣＨ（ＣＨ3）2・・・（４）
（但し、前記一般式（４）において、ｒは１４以上２２以下の範囲から選ばれる整数であり、ｓは１以上３以下の範囲から選ばれる整数である。）
また、前記脂肪酸エステルは、好ましくは下記一般式（３）又は（４）により示される化合物であってよい。例えば、前記脂肪酸エステルとして下記の一般式（３）により示される化合物及び一般式（４）により示される化合物の一方が含まれていてよく又は両方が含まれていてもよい。
前記潤滑剤が、一般式（１）に示される化合物及び一般式（２）に示される化合物のいずれか一方若しくは両方と、一般式（３）に示される化合物及び一般式（４）に示される化合物のいずれか一方若しくは両方と、を含むことによって、磁気記録媒体を繰り返しの記録又は再生による動摩擦係数の増加を抑制することができる。
ＣＨ3（ＣＨ2）kＣＯＯＨ ・・・（１）
（但し、一般式（１）において、ｋは１４以上２２以下の範囲、より好ましくは１４以上１８以下の範囲から選ばれる整数である。）
ＣＨ3（ＣＨ2）nＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ2）mＣＯＯＨ ・・・（２）
（但し、前記一般式（２）において、ｎとｍとの和は１２以上２０以下の範囲、より好ましくは１４以上１８以下の範囲から選ばれる整数である。）
ＣＨ3（ＣＨ2）pＣＯＯ（ＣＨ2）qＣＨ3 ・・・（３）
（但し、一般式（３）において、ｐは１４以上２２以下、より好ましくは１４以上１８以下の範囲から選ばれる整数であり、且つ、ｑは２以上５以下の範囲、より好ましくは２以上４以下の範囲から選ばれる整数である。）
ＣＨ3（ＣＨ2）rＣＯＯ－（ＣＨ2）sＣＨ（ＣＨ3）2・・・（４）
（但し、前記一般式（４）において、ｒは１４以上２２以下の範囲から選ばれる整数であり、ｓは１以上３以下の範囲から選ばれる整数である。）
【0095】
前記潤滑剤として、例えば、炭素数１０～２４の一塩基性脂肪酸と、炭素数２～１２の１価～６価アルコールのいずれかとのエステル、これらの混合エステル、ジ脂肪酸エステル、トリ脂肪酸エステル等が挙げられる。前記潤滑剤の具体例としては、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、ベヘン酸、オレイン酸、リノール酸、リノレン酸、エライジン酸、ステアリン酸ブチル、ステアリン酸ペンチル、ステアリン酸ヘプチル、ステアリン酸オクチル、ステアリン酸イソオクチル、ミリスチン酸オクチル等が挙げられる。
【0096】
（帯電防止剤）
帯電防止剤としては、例えば、カーボンブラック、天然界面活性剤、ノニオン性界面活性剤、カチオン性界面活性剤等が挙げられる。
帯電防止剤としては、例えば、カーボンブラック、天然界面活性剤、ノニオン性界面活性剤、カチオン性界面活性剤等が挙げられる。
【0097】
（研磨剤）
研磨剤としては、例えば、α化率９０％以上のα－アルミナ、β－アルミナ、γ－アルミナ、炭化ケイ素、酸化クロム、酸化セリウム、α－酸化鉄、コランダム、窒化珪素、チタンカーバイト、酸化チタン、二酸化珪素、酸化スズ、酸化マグネシウム、酸化タングステン、酸化ジルコニウム、窒化ホウ素、酸化亜鉛、炭酸カルシウム、硫酸カルシウム、硫酸バリウム、２硫化モリブデン、磁性酸化鉄の原料を脱水、アニール処理した針状α酸化鉄、必要によりそれらをアルミおよび／またはシリカで表面処理したもの等が挙げられる。
研磨剤としては、例えば、α化率９０％以上のα－アルミナ、β－アルミナ、γ－アルミナ、炭化ケイ素、酸化クロム、酸化セリウム、α－酸化鉄、コランダム、窒化珪素、チタンカーバイト、酸化チタン、二酸化珪素、酸化スズ、酸化マグネシウム、酸化タングステン、酸化ジルコニウム、窒化ホウ素、酸化亜鉛、炭酸カルシウム、硫酸カルシウム、硫酸バリウム、２硫化モリブデン、磁性酸化鉄の原料を脱水、アニール処理した針状α酸化鉄、必要によりそれらをアルミおよび／またはシリカで表面処理したもの等が挙げられる。
【0098】
（硬化剤）
硬化剤としては、例えば、ポリイソシアネート等が挙げられる。ポリイソシアネートとしては、例えば、トリレンジイソシアネート（ＴＤＩ）と活性水素化合物との付加体等の芳香族ポリイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート（ＨＭＤＩ）と活性水素化合物との付加体等の脂肪族ポリイソシアネート等が挙げられる。これらポリイソシアネートの重量平均分子量は、１００～４５００の範囲であることが望ましい。
硬化剤としては、例えば、ポリイソシアネート等が挙げられる。ポリイソシアネートとしては、例えば、トリレンジイソシアネート（ＴＤＩ）と活性水素化合物との付加体等の芳香族ポリイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート（ＨＭＤＩ）と活性水素化合物との付加体等の脂肪族ポリイソシアネート等が挙げられる。これらポリイソシアネートの重量平均分子量は、１００～４５００の範囲であることが望ましい。
【0099】
（防錆剤）
防錆剤としては、例えばフェノール類、ナフトール類、キノン類、窒素原子を含む複素環化合物、酸素原子を含む複素環化合物、硫黄原子を含む複素環化合物等が挙げられる。
防錆剤としては、例えばフェノール類、ナフトール類、キノン類、窒素原子を含む複素環化合物、酸素原子を含む複素環化合物、硫黄原子を含む複素環化合物等が挙げられる。
【0100】
（非磁性補強粒子）
非磁性補強粒子として、例えば、酸化アルミニウム（α、βまたはγアルミナ）、酸化クロム、酸化珪素、ダイヤモンド、ガーネット、エメリー、窒化ホウ素、チタンカーバイト、炭化珪素、炭化チタン、酸化チタン（ルチル型またはアナターゼ型の酸化チタン）等が挙げられる。
非磁性補強粒子として、例えば、酸化アルミニウム（α、βまたはγアルミナ）、酸化クロム、酸化珪素、ダイヤモンド、ガーネット、エメリー、窒化ホウ素、チタンカーバイト、炭化珪素、炭化チタン、酸化チタン（ルチル型またはアナターゼ型の酸化チタン）等が挙げられる。
【0101】
（下地層）
下地層１２は、非磁性粉および結着剤を含む非磁性層である。下地層１２が、必要に応じて、潤滑剤、帯電防止剤、硬化剤および防錆剤等のうちの少なくとも１種の添加剤をさらに含んでいてもよい。
下地層１２は、非磁性粉および結着剤を含む非磁性層である。下地層１２が、必要に応じて、潤滑剤、帯電防止剤、硬化剤および防錆剤等のうちの少なくとも１種の添加剤をさらに含んでいてもよい。
【0102】
下地層１２の平均厚みは、好ましくは０．６μｍ以上２．０μｍ以下、より好ましくは０．６μｍ以上１．４μｍ以下である。なお、下地層１２の平均厚みは、磁性層１３の平均厚みと同様にして求められる。但し、ＴＥＭ像の倍率は、下地層１２の厚みに応じて適宜調整される。
本開示の好ましい実施態様において、磁性層１３と基体１１との間に下地層１２が設けられており、下地層１２の平均厚みが２．０μｍ以下であってよい。
本開示の好ましい実施態様において、磁性層１３と基体１１との間に下地層１２が設けられており、下地層１２の平均厚みが２．０μｍ以下であってよい。
【0103】
（非磁性粉）
非磁性粉は、例えば無機粒子粉または有機粒子粉の少なくとも１種を含む。また、非磁性粉は、カーボンブラック等の炭素粉を含んでいてもよい。なお、１種の非磁性粉を単独で用いてもよいし、２種以上の非磁性粉を組み合わせて用いてもよい。無機粒子は、例えば、金属、金属酸化物、金属炭酸塩、金属硫酸塩、金属窒化物、金属炭化物または金属硫化物等を含む。非磁性粉の形状としては、例えば、針状、球状、立方体状、板状等の各種形状が挙げられるが、これらの形状に限定されるものではない。
非磁性粉は、例えば無機粒子粉または有機粒子粉の少なくとも１種を含む。また、非磁性粉は、カーボンブラック等の炭素粉を含んでいてもよい。なお、１種の非磁性粉を単独で用いてもよいし、２種以上の非磁性粉を組み合わせて用いてもよい。無機粒子は、例えば、金属、金属酸化物、金属炭酸塩、金属硫酸塩、金属窒化物、金属炭化物または金属硫化物等を含む。非磁性粉の形状としては、例えば、針状、球状、立方体状、板状等の各種形状が挙げられるが、これらの形状に限定されるものではない。
【0104】
（結着剤）
上述の磁性層１３に含まれる結着剤に関する説明が、下地層に含まれる結着剤についても当てはまる。
上述の磁性層１３に含まれる結着剤に関する説明が、下地層に含まれる結着剤についても当てはまる。
【0105】
（添加剤）
上述の磁性層１３に含まれる潤滑剤、帯電防止剤、硬化剤および防錆剤に関する説明が、下地層に含まれる潤滑剤、帯電防止剤、硬化剤および防錆剤についても当てはまる。
上述の磁性層１３に含まれる潤滑剤、帯電防止剤、硬化剤および防錆剤に関する説明が、下地層に含まれる潤滑剤、帯電防止剤、硬化剤および防錆剤についても当てはまる。
【0106】
（バック層）
バック層１４は、結着剤および非磁性粉を含みうる。バック層１４が、必要に応じて潤滑剤、硬化剤および帯電防止剤等のうちの少なくとも１種の添加剤をさらに含んでいてもよい。上述の下地層１２に含まれる結着剤および非磁性粉に関する説明が、バック層に含まれる結着剤および非磁性粉についても当てはまる。
バック層１４は、結着剤および非磁性粉を含みうる。バック層１４が、必要に応じて潤滑剤、硬化剤および帯電防止剤等のうちの少なくとも１種の添加剤をさらに含んでいてもよい。上述の下地層１２に含まれる結着剤および非磁性粉に関する説明が、バック層に含まれる結着剤および非磁性粉についても当てはまる。
【0107】
非磁性粉の平均粒子サイズは、好ましくは１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下、より好ましくは１５ｎｍ以上１１０ｎｍ以下である。非磁性粉の平均粒子サイズは、上記の磁性粉の平均粒子サイズと同様にして求められる。非磁性粉が、２以上の粒度分布を有する非磁性粉を含んでいてもよい。
【0108】
バック層１４の平均厚み（本明細書内において「平均厚みｔｂ」又は「ｔｂ」ともいう）は０．６μｍ以下であることが好ましい。バック層１４の平均厚みｔｂが上記範囲内にあることで、磁気記録媒体１０の平均厚みが５．３μｍ以下であっても、下地層１２及び基体１１の厚みを厚く保つことが出来、これにより磁気記録媒体１０の記録再生装置内での走行安定性を保つことが出来る。バック層１４の平均厚みｔｂの下限値は特に限定されるものではないが、例えば０．２μｍ以上である。
本開示の好ましい実施態様において、基体１１の２つの面のうち、磁性層１３が設けられている側の面と反対側の面に、バック層１４が設けられており、バック層１４の平均厚みが０．６μｍ以下であってよい。
本開示の好ましい実施態様において、基体１１の２つの面のうち、磁性層１３が設けられている側の面と反対側の面に、バック層１４が設けられており、バック層１４の平均厚みが０．６μｍ以下であってよい。
【0109】
バック層１４の平均厚みｔｂは以下のようにして求められる。まず、磁気記録媒体１０の平均厚みｔＴを測定する。平均厚みｔＴの測定方法は本明細書内以下に記載されているとおりである。続いて、サンプルのバック層１４をＭＥＫ（メチルエチルケトン）または希塩酸等の溶剤で除去する。次に、Mitutoyo社製レーザーホロゲージ（LGH-110C）を用いて、サンプルの厚みを５点以上の位置で測定し、それらの測定値を単純に平均（算術平均）して、平均値ｔＢ［μｍ］を算出する。その後、以下の式よりバック層１４の平均厚みｔｂ［μｍ］を求める。なお、測定位置は、サンプルから無作為に選ばれるものとする。ｔｂ［μｍ］＝ｔＴ［μｍ］－ｔＢ［μｍ］
【0110】
（磁気記録媒体の平均厚みｔＴ）
【0111】
磁気記録媒体１０の平均厚み（本明細書内において「平均厚みｔＴ」又は「ｔＴ」ともいうは、好ましくは５．３μｍ以下であり、より好ましくは５．２μｍ以下であり、さらにより好ましくは５．１μｍ以下、５．０μｍ以下、４．８μｍ以下、又は４．６μｍ以下でありうる。磁気記録媒体１０の平均厚みｔＴが上記数値範囲内にあることによって（例えばｔＴ≦５．６μｍであることによって）、１データカートリッジ内に記録できる記録容量を従来よりも高めることができる。磁気記録媒体１０の平均厚みｔＴの下限値は特に限定されるものではないが、例えば、３．５μｍ≦ｔＴである。
【0112】
磁気記録媒体１０の平均厚みｔＴは以下のようにして求められる。まず、１／２インチ幅の磁気記録媒体１０を準備し、それを２５０ｍｍの長さに切り出し、サンプルを作製する。次に、測定装置としてMitutoyo社製レーザーホロゲージ（LGH-110C）を用いて、サンプルの厚みを５点以上の位置で測定し、それらの測定値を単純に平均（算術平均）して、平均値ｔＴ［μｍ］を算出する。なお、測定位置は、サンプルから無作為に選ばれるものとする。
【0113】
（垂直方向における保磁力Ｈｃ１）
【0114】
垂直方向における保磁力Ｈｃ１は、４５００Ｏｅ以下であり、より好ましくは３５００Ｏｅ以下であり、さらにより好ましくは３０００Ｏｅ以下、２９００Ｏｅ以下、又は２８５０Ｏｅ以下であってもよい。保磁力Ｈｃ１が大きいことは、熱擾乱および反磁界の影響を受けにくくなり好ましいが、保磁力Ｈｃ１が４５００Ｏｅを超えると、記録ヘッドでの飽和記録が困難となる虞があり、それによって記録できない部分が存在しノイズが増加し、結果として電磁変換特性（例えばＳＮＲ）が悪化してしまう。
【0115】
垂直方向における保磁力Ｈｃ１は、好ましくは５００Ｏｅ以上であり、より好ましくは１０００Ｏｅ以上であり、さらに好ましくは１５００Ｏｅ以上、２０００Ｏｅ以上、２１００Ｏｅ以上、２２００Ｏｅ以上、２３００Ｏｅ以上、又は２４００Ｏｅ以上でありうる。保磁力Ｈｃ１が上記下限値以上であると、熱擾乱の影響および反磁界の影響による、高温環境下における電磁変換特性（例えばＳＮＲ）の低下を抑制することができる。
【0116】
垂直方向の保磁力Ｈｃ１は以下のようにして求められる。まず、磁気記録媒体１０が両面テープで３枚重ね合わされた後、φ６．３９ｍｍのパンチで打ち抜かれて、測定サンプルが作製される。この際に、磁気記録媒体の長手方向(走行方向)が認識できるように、磁性を持たない任意のインクでマーキングを行う。そして、振動試料型磁力計（Vibrating Sample Magnetometer：ＶＳＭ）を用いて磁気記録媒体１０の垂直方向（（磁気記録媒体１０の厚み方向）に対応する測定サンプル（磁気記録媒体１０全体）のＭ－Ｈループが測定される。次に、アセトンまたはエタノール等が用いられて塗膜（下地層１２、磁性層１３およびバック層１４等）が払拭され、基体１１のみが残される。そして、得られた基体１１が両面テープで３枚重ね合わされた後、φ６．３９ｍｍのパンチで打ち抜かれて、バックグラウンド補正用のサンプル（以下、単に補正用サンプル）とされる。その後、ＶＳＭが用いられて基体１１の垂直方向（磁気記録媒体１０の厚み方向）に対応する補正用サンプル（基体１１）のＭ－Ｈループが測定される。
【0117】
測定サンプル（磁気記録媒体１０全体）のＭ－Ｈループ、補正用サンプル（基体１１）のＭ－Ｈループの測定においては、東英工業製の高感度振動試料型磁力計「ＶＳＭ－Ｐ７－１５型」が用いられる。測定条件は、測定モード：フルループ、最大磁界：１５ｋＯｅ、磁界ステップ：４０ｂｉｔ、Time constant of Locking amp：０．３ｓｅｃ、Waiting time：１ｓｅｃ、ＭＨ平均数：２０とされる。
【0118】
２つのＭ－Ｈループが得られた後、測定サンプル（磁気記録媒体１０全体）のＭ－Ｈループから補正用サンプル（基体１１）のＭ－Ｈループが差し引かれることで、バックグラウンド補正が行われ、バックグラウンド補正後のＭ－Ｈループが得られる。このバックグラウンド補正の計算には、「ＶＳＭＰ７－１５型」に付属されている測定・解析プログラムが用いられる。
【0119】
得られたバックグラウンド補正後のＭ－Ｈループから垂直方向の保磁力Ｈｃ１が求められる。なお、この計算には、「ＶＳＭ－Ｐ７－１５型」に付属されている測定・解析プログラムが用いられる。なお、上記のＭ－Ｈループの測定はいずれも、２５℃にて行われるものとする。また、Ｍ－Ｈループを磁気記録媒体１０の垂直方向に測定する際の"反磁界補正"は行わないものとする。
【0120】
（長手方向における保磁力Ｈｃ２）
【0121】
長手方向における保磁力Ｈｃ２は、好ましくは２０００Ｏｅ以下、より好ましくは１９００Ｏｅ以下、さらにより好ましくは１８００Ｏｅ以下である。長手方向における保磁力Ｈｃ２が２０００Ｏｅ以下であると、記録ヘッドからの垂直方向の磁界により感度良く磁化が反応するため、良好な記録パターンを形成することができる。
【0122】
長手方向における保磁力Ｈｃ２は、好ましくは１０００Ｏｅ以上である。長手方向における保磁力Ｈｃ２が１０００Ｏｅ以上であると、記録ヘッドからの漏れ磁束による減磁を抑制することができる。
【0123】
上記の保磁力Ｈｃ２は以下のようにして求められる。
まず、磁気記録媒体１０が両面テープで３枚重ね合わされた後、φ６．３９ｍｍのパンチで打ち抜かれて、測定サンプルが作製される。この際に、磁気記録媒体１０の長手方向（走行方向）が認識できるように、磁性を持たない任意のインクでマーキングを行う。そして、振動試料型磁力計（Vibrating Sample Magnetometer：ＶＳＭ）を用いて磁気記録媒体１０の長手方向（走行方向）に対応する測定サンプル（磁気記録媒体１０全体）のＭ－Ｈループが測定される。次に、アセトン又はエタノールなどが用いられて塗膜（下地層１２、磁性層１３及びバック層１４など）が払拭され、基体１１のみが残される。そして、得られた基体１１が両面テープで３枚重ね合わされた後、φ６．３９ｍｍのパンチで打ち抜かれて、バックグラウンド補正用のサンプル（以下、単に「補正用サンプル」）が作製される。その後、ＶＳＭを用いて基体１１の長手方向（磁気記録媒体１０の長手方向）に対応する補正用サンプル（基体１１）のＭ－Ｈループが測定される。
測定サンプル（磁気記録媒体１０の全体）のＭ－Ｈループ、補正用サンプル（基体１１）のＭ－Ｈループの測定においては、東英工業社製の高感度振動試料型磁力計「ＶＳＭ－Ｐ７－１５型」が用いられる。測定条件は、測定モード：フルループ、最大磁界：１５ｋＯｅ、磁界ステップ：４０ｂｉｔ、Time constant of Locking amp：０．３ｓｅｃ、Waiting time：１ｓｅｃ、ＭＨ平均数：２０とされる。
測定サンプル（磁気記録媒体１０の全体）のＭ－Ｈループ及び補正用サンプル（基体１１）のＭ－Ｈループが得られた後、測定サンプル（磁気記録媒体１０の全体）のＭ－Ｈループから補正用サンプル（基体１１）のＭ－Ｈループが差し引かれることで、バックグラウンド補正が行われ、バックグラウンド補正後のＭ－Ｈループが得られる。このバックグラウンド補正の計算には、「ＶＳＭ－Ｐ７－１５型」に付属されている測定・解析プログラムが用いられる。
得られたバックグラウンド補正後のＭ－Ｈループから保磁力Ｈｃ２が求められる。なお、この計算には、「ＶＳＭ－Ｐ７－１５型」に付属されている測定・解析プログラムが用いられる。なお、上記のＭ－Ｈループの測定はいずれも、２５℃にて行われるものとする。また、Ｍ－Ｈループを磁気記録媒体１０の長手方向に測定する際の“反磁界補正”は行わないものとする。
まず、磁気記録媒体１０が両面テープで３枚重ね合わされた後、φ６．３９ｍｍのパンチで打ち抜かれて、測定サンプルが作製される。この際に、磁気記録媒体１０の長手方向（走行方向）が認識できるように、磁性を持たない任意のインクでマーキングを行う。そして、振動試料型磁力計（Vibrating Sample Magnetometer：ＶＳＭ）を用いて磁気記録媒体１０の長手方向（走行方向）に対応する測定サンプル（磁気記録媒体１０全体）のＭ－Ｈループが測定される。次に、アセトン又はエタノールなどが用いられて塗膜（下地層１２、磁性層１３及びバック層１４など）が払拭され、基体１１のみが残される。そして、得られた基体１１が両面テープで３枚重ね合わされた後、φ６．３９ｍｍのパンチで打ち抜かれて、バックグラウンド補正用のサンプル（以下、単に「補正用サンプル」）が作製される。その後、ＶＳＭを用いて基体１１の長手方向（磁気記録媒体１０の長手方向）に対応する補正用サンプル（基体１１）のＭ－Ｈループが測定される。
測定サンプル（磁気記録媒体１０の全体）のＭ－Ｈループ、補正用サンプル（基体１１）のＭ－Ｈループの測定においては、東英工業社製の高感度振動試料型磁力計「ＶＳＭ－Ｐ７－１５型」が用いられる。測定条件は、測定モード：フルループ、最大磁界：１５ｋＯｅ、磁界ステップ：４０ｂｉｔ、Time constant of Locking amp：０．３ｓｅｃ、Waiting time：１ｓｅｃ、ＭＨ平均数：２０とされる。
測定サンプル（磁気記録媒体１０の全体）のＭ－Ｈループ及び補正用サンプル（基体１１）のＭ－Ｈループが得られた後、測定サンプル（磁気記録媒体１０の全体）のＭ－Ｈループから補正用サンプル（基体１１）のＭ－Ｈループが差し引かれることで、バックグラウンド補正が行われ、バックグラウンド補正後のＭ－Ｈループが得られる。このバックグラウンド補正の計算には、「ＶＳＭ－Ｐ７－１５型」に付属されている測定・解析プログラムが用いられる。
得られたバックグラウンド補正後のＭ－Ｈループから保磁力Ｈｃ２が求められる。なお、この計算には、「ＶＳＭ－Ｐ７－１５型」に付属されている測定・解析プログラムが用いられる。なお、上記のＭ－Ｈループの測定はいずれも、２５℃にて行われるものとする。また、Ｍ－Ｈループを磁気記録媒体１０の長手方向に測定する際の“反磁界補正”は行わないものとする。
【0124】
（Ｈｃ２／Ｈｃ１）
長手方向における保磁力Ｈｃ２と垂直方向における保磁力Ｈｃ１との比Ｈｃ２／Ｈｃ１が、例えばＨｃ２／Ｈｃ１≦０．８、好ましくはＨｃ２／Ｈｃ１≦０．７５、より好ましくはＨｃ２／Ｈｃ１≦０．７、さらにより好ましくはＨｃ２／Ｈｃ１≦０．６５、特に好ましくはＨｃ２／Ｈｃ１≦０．６の関係を満たす。保磁力Ｈｃ１及びＨｃ２が上記関係を満たすことで、磁性粉の垂直配向度を高めることができる。したがって、磁化遷移幅を低減し、かつ信号再生時に高出力の信号を得ることができるので、電磁変換特性（例えばＣ／Ｎ）を向上することができる。なお、上述したように、Ｈｃ２が小さいと、記録ヘッドからの垂直方向の磁界により感度良く磁化が反応するため、良好な記録パターンを形成することができる。
長手方向における保磁力Ｈｃ２と垂直方向における保磁力Ｈｃ１との比Ｈｃ２／Ｈｃ１が、例えばＨｃ２／Ｈｃ１≦０．８、好ましくはＨｃ２／Ｈｃ１≦０．７５、より好ましくはＨｃ２／Ｈｃ１≦０．７、さらにより好ましくはＨｃ２／Ｈｃ１≦０．６５、特に好ましくはＨｃ２／Ｈｃ１≦０．６の関係を満たす。保磁力Ｈｃ１及びＨｃ２が上記関係を満たすことで、磁性粉の垂直配向度を高めることができる。したがって、磁化遷移幅を低減し、かつ信号再生時に高出力の信号を得ることができるので、電磁変換特性（例えばＣ／Ｎ）を向上することができる。なお、上述したように、Ｈｃ２が小さいと、記録ヘッドからの垂直方向の磁界により感度良く磁化が反応するため、良好な記録パターンを形成することができる。
【0125】
比Ｈｃ２／Ｈｃ１がＨｃ２／Ｈｃ１≦０．８である場合、磁性層１３の平均厚みが９０ｎｍ以下であることが特に有効である。磁性層１３の平均厚みが９０ｎｍを超えると、記録ヘッドとしてリング型ヘッドを用いた場合に、磁性層１３の下部領域（下地層１２側の領域）が長手方向に磁化されてしまい、磁性層１３を厚み方向に均一に磁化することができなくなる虞がある。したがって、比Ｈｃ２／Ｈｃ１をＨｃ２／Ｈｃ１≦０．８としても（すなわち、磁性粉の垂直配向度を高めても）、電磁変換特性（例えばＣ／Ｎ）を向上することができなくなる虞がある。
【0126】
Ｈｃ２／Ｈｃ１の下限値は特に限定されるものではないが、例えば０．５≦Ｈｃ２／Ｈｃ１である。
【0127】
なお、Ｈｃ２／Ｈｃ１は磁性粉の垂直配向度を表しており、Ｈｃ２／Ｈｃ１が小さいほど磁性粉の垂直配向度が高くなる。以下に、本実施形態において、磁性粉の垂直配向度を示す指標としてＨｃ２／Ｈｃ１を用いる理由について説明する。
【0128】
従来、一般的には磁性粉の垂直配向度を示す指標（パラメータ）としては、角形比ＳＱ（＝（Ｍｒ／Ｍｓ）×１００、但し、Ｍｒ（ｅｍｕ）：残留磁化、Ｍｓ（ｅｍｕ）：飽和磁化）が用いられてきた。しかしながら、角形比ＳＱという指標は、以下の理由により磁性粉の垂直配向度を示す指標としては、Ｈｃ２／Ｈｃ１よりも適当でない。
（１）角形比ＳＱは、磁性粉の保磁力Ｈｃの値により変動してしまう。例えば、図７に示すように、磁性粉の保磁力Ｈｃが大きくなると、見かけ上、角形比ＳＱも大きい値となる。
（２）角形比ＳＱは、過分散によるＭ－Ｈループの歪みの影響を受ける。
（１）角形比ＳＱは、磁性粉の保磁力Ｈｃの値により変動してしまう。例えば、図７に示すように、磁性粉の保磁力Ｈｃが大きくなると、見かけ上、角形比ＳＱも大きい値となる。
（２）角形比ＳＱは、過分散によるＭ－Ｈループの歪みの影響を受ける。
【0129】
そこで、本実施形態においては、より適切に磁性粉の配向度を示す指標として、Ｈｃ２／Ｈｃ１を用いられうる。保磁力Ｈｃ１、Ｈｃ２は磁性粉の配向方向によって単純に変化するため、Ｈｃ２／Ｈｃ１が磁性粉の配向度を示す指標としてより適切である。
【0130】
（残留保磁力Ｈｒｐ及び比Ｈｒｐ／Ｈｃ１）
【0131】
本開示の磁気記録媒体において、パルス磁界を用いて測定した前記磁気記録媒体の残留保磁力Ｈｒｐと前記磁気記録媒体の垂直方向における保磁力Ｈｃ１との比Ｈｒｐ／Ｈｃ１が２．１０以下であり、好ましくは２．０５以下であり、より好ましくは２．００以下であり、さらにより好ましくは１．９５以下、１．９０以下、又は１．８５以下であってもよい。本開示の磁気記録媒体は、上記数値範囲内の比Ｈｒｐ／Ｈｃ１を有することによって、磁性粉の平均粒子体積が小さいにもかかわらず、保存安定性に優れている。
前記比Ｈｒｐ／Ｈｃ１は、例えば０以上、０．５０以上、又は１．００以上であってよい。
前記比Ｈｒｐ／Ｈｃ１は、例えば０以上、０．５０以上、又は１．００以上であってよい。
【0132】
前記比Ｈｒｐ／Ｈｃ１の算出のために用いられるＨｃ１は、上記で述べたとおりに測定される。
前記比Ｈｒｐ／Ｈｃ１の算出のために用いられるＨｒｐは以下のように求められる。
測定サンプルとして、前記保磁力Ｈｃ１の算出に使用したサンプルと同様のサンプルを準備し、ハヤマ社製高速応答特性評価装置ＨＲ－ＰＶＳＭ２０を用いて膜面に対して垂直方向に残留磁化曲線を、以下のようにして得る。
まず、測定サンプルに約－３９８０ｋＡ／ｍ（－５０ｋＯｅ）の垂直方向の磁界を印加し、磁界をゼロに戻し残留磁化状態とする。その後、反対方向に約４０．２ｋＡ／ｍ（約５０５Ｏｅ）の磁界を印加し再びゼロに戻し残留磁化量を測定する。この際の印加磁界はパルス幅が１０－８sec台のパルス磁界である。その後も同様に、先ほどの印加磁界よりもさらに約４０．２ｋＡ／ｍ大きい磁界を印加しゼロに戻す測定を繰り返し行い、印加磁界に対して残留磁化量をプロットしＤＣＤ曲線を作成する。測定磁界は約２０ｋＯｅまでとする。なお、バックグラウンド補正及び反磁界補正は行わない。
測定条件を以下に示す。
初期着磁電圧：２２０Ｖ（－３９８０ｋＡ／ｍに相当）
測定開始電圧：０Ｖ（０Ｏｅに相当）
ステップ電圧：１７．５Ｖ（約５０５Ｏｅに相当）
最大電圧：３５０Ｖ（２０ｋＯｅに相当）
ロックインアンプの待ち時間：１０秒
以上のとおりの測定によって得られるデータから、例えば図８に示されるような残留磁化曲線が得られる。当該データから当該残留磁化曲線を得るために、必要に応じて位相補正が行われる。当該位相補正については後述する。得られた残留磁化曲線を形成する点のうち、Ｘ軸を挟む２点（Ｘ軸に最も近い２点）を直線で結び、当該直線がＸ軸と交わる点をＨｒｐとして算出する。
前記比Ｈｒｐ／Ｈｃ１の算出のために用いられるＨｒｐは以下のように求められる。
測定サンプルとして、前記保磁力Ｈｃ１の算出に使用したサンプルと同様のサンプルを準備し、ハヤマ社製高速応答特性評価装置ＨＲ－ＰＶＳＭ２０を用いて膜面に対して垂直方向に残留磁化曲線を、以下のようにして得る。
まず、測定サンプルに約－３９８０ｋＡ／ｍ（－５０ｋＯｅ）の垂直方向の磁界を印加し、磁界をゼロに戻し残留磁化状態とする。その後、反対方向に約４０．２ｋＡ／ｍ（約５０５Ｏｅ）の磁界を印加し再びゼロに戻し残留磁化量を測定する。この際の印加磁界はパルス幅が１０－８sec台のパルス磁界である。その後も同様に、先ほどの印加磁界よりもさらに約４０．２ｋＡ／ｍ大きい磁界を印加しゼロに戻す測定を繰り返し行い、印加磁界に対して残留磁化量をプロットしＤＣＤ曲線を作成する。測定磁界は約２０ｋＯｅまでとする。なお、バックグラウンド補正及び反磁界補正は行わない。
測定条件を以下に示す。
初期着磁電圧：２２０Ｖ（－３９８０ｋＡ／ｍに相当）
測定開始電圧：０Ｖ（０Ｏｅに相当）
ステップ電圧：１７．５Ｖ（約５０５Ｏｅに相当）
最大電圧：３５０Ｖ（２０ｋＯｅに相当）
ロックインアンプの待ち時間：１０秒
以上のとおりの測定によって得られるデータから、例えば図８に示されるような残留磁化曲線が得られる。当該データから当該残留磁化曲線を得るために、必要に応じて位相補正が行われる。当該位相補正については後述する。得られた残留磁化曲線を形成する点のうち、Ｘ軸を挟む２点（Ｘ軸に最も近い２点）を直線で結び、当該直線がＸ軸と交わる点をＨｒｐとして算出する。
【0133】
前記位相補正に関して、以下でより詳細に説明する。
磁化量の単位は本来はｅｍｕであるが、前記高速応答特性評価装置に関しては、各印可磁界での磁化量は電圧Ｖとして出力され、且つ、当該各印可磁界での磁化量（電圧Ｖ）は、正又は負のいずれの値も正の値として出力される。そのため、各印可磁界での位相に応じた補正が必要である。当該補正のために、前記高速応答特性評価装置による出力結果に含まれる位相情報データが用いられる。位相情報データも、各印可磁界での磁化量（電圧Ｖ）と一緒に、各印可磁界について出力される。
或る磁界について測定された磁化量（電圧Ｖ）の位相情報データが負の値である場合は、当該測定された磁化量（電圧Ｖ）に「－１」を乗じる必要があり、当該測定された磁化量（電圧Ｖ）に「－１」を乗じて得られた値が、前記残留磁化曲線を得るために用いられる。当該「－１」を乗じる処理が、前記位相補正である。
他方で、或る磁界について測定された磁化量（電圧Ｖ）の位相情報データが正の値である場合は、当該測定された磁化量（電圧Ｖ）に「－１」を乗じる必要はなく、測定された磁化量（電圧Ｖ）がそのまま、前記残留磁化曲線を得るために用いられる。
以上の通りにして得られた位相補正後の磁化量（「－１」が乗じられたもの）及び測定された磁化量（「－１」が乗じられていないもの）を、磁界に対してプロットすることによって、図８に示されるような残留磁化曲線が得られる。
磁化量の単位は本来はｅｍｕであるが、前記高速応答特性評価装置に関しては、各印可磁界での磁化量は電圧Ｖとして出力され、且つ、当該各印可磁界での磁化量（電圧Ｖ）は、正又は負のいずれの値も正の値として出力される。そのため、各印可磁界での位相に応じた補正が必要である。当該補正のために、前記高速応答特性評価装置による出力結果に含まれる位相情報データが用いられる。位相情報データも、各印可磁界での磁化量（電圧Ｖ）と一緒に、各印可磁界について出力される。
或る磁界について測定された磁化量（電圧Ｖ）の位相情報データが負の値である場合は、当該測定された磁化量（電圧Ｖ）に「－１」を乗じる必要があり、当該測定された磁化量（電圧Ｖ）に「－１」を乗じて得られた値が、前記残留磁化曲線を得るために用いられる。当該「－１」を乗じる処理が、前記位相補正である。
他方で、或る磁界について測定された磁化量（電圧Ｖ）の位相情報データが正の値である場合は、当該測定された磁化量（電圧Ｖ）に「－１」を乗じる必要はなく、測定された磁化量（電圧Ｖ）がそのまま、前記残留磁化曲線を得るために用いられる。
以上の通りにして得られた位相補正後の磁化量（「－１」が乗じられたもの）及び測定された磁化量（「－１」が乗じられていないもの）を、磁界に対してプロットすることによって、図８に示されるような残留磁化曲線が得られる。
【0134】
（熱安定性）
【0135】
本開示の磁気記録媒体の熱安定性ＫuＶact／ｋBＴは、例えば６０以上であり、好ましくは６３以上であり、より好ましくは６５以上であり、さらにより好ましくは６７以上、７０以上、７３以上、又は７５以上でありうる。本開示の磁気記録媒体は、平均粒子体積が小さい磁性粉を含むにもかかわらず、このような高い熱安定性を有し、これにより保存安定性に優れている。
本開示の磁気記録媒体の熱安定性ＫuＶact／ｋBＴは、例えば１５０以下、又は１００以下であってよい。
本開示の磁気記録媒体の熱安定性ＫuＶact／ｋBＴは、例えば１５０以下、又は１００以下であってよい。
【0136】
磁気記録媒体の熱安定性ＫuＶact／ｋBＴは、例えば磁性粉の合成工程時において、ガラス溶解後の材料状態を安定化させることにより達成することができる。例えばガラス溶解時に溶解温度を任意に設定するが、この時の溶解温度を高温にすることによってガラス溶解後の材料のアモルファス状態をより均一化させ、これにより材料状態を安定化することができる。また、熱安定性ＫuＶact／ｋBＴは、垂直配向度を向上させることによっても、調整することができる。
【0137】
磁気記録媒体の熱安定性ＫuＶact／ｋBＴ(Ｋu：磁性粉の結晶磁気異方性定数、Ｖact：磁性粉の活性化体積、ｋB：ボルツマン定数、Ｔ：絶対温度）は、以下に示すシャーロックの式を用いて算出される（参考文献：IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS, VOL. 50, NO.11, NOVEMBER 2014、及び、J. Flanders and M. P.Sharrock: J. Appl. Phys., 62, 2918 (1987)）。
Ｈr（ｔ’）＝Ｈ0［１－｛ｋBＴ／（ＫuＶact）ｌｎ（ｆ0ｔ’／０．６９３）n｝］
（但し、Ｈr：残留磁場、ｔ’：磁化減衰量、Ｈ0：磁場変化量、ｋB：ボルツマン定数、Ｔ：絶対温度、Ｋu：結晶磁気異方性定数、Ｖact：磁性粉の活性化体積、ｆ0：周波数因子、ｎ：係数）
Ｈr（ｔ’）＝Ｈ0［１－｛ｋBＴ／（ＫuＶact）ｌｎ（ｆ0ｔ’／０．６９３）n｝］
（但し、Ｈr：残留磁場、ｔ’：磁化減衰量、Ｈ0：磁場変化量、ｋB：ボルツマン定数、Ｔ：絶対温度、Ｋu：結晶磁気異方性定数、Ｖact：磁性粉の活性化体積、ｆ0：周波数因子、ｎ：係数）
【0138】
なお、（ａ）残留磁場Ｈr、（ｂ）磁化減衰量ｔ’および（ｃ）磁場変化量Ｈ0は以下のようにして求められる。また、（ｄ）周波数因子ｆ0および（ｅ）係数ｎは以下の数値が用いられる。また、絶対温度Ｔは２５℃である。
（ａ）残留磁場Ｈrは、Hayama製パルスＶＳＭ「HR-PVSM20」により測定できる。測定には上述の保磁力Ｈｃ１の測定方法と同様の作製方法により得られたサンプルを用いる。測定を開始する前にサンプルに６３５８［Ｏｅ］の磁場を印加しサンプルを一方向に磁気的に配向させる。その後、０～２０２３０［Ｏｅ］まで５０５．７５［Ｏｅ］ごとに磁場を断続的に印加し、その際の磁化量を測定し印加磁場をＸ軸、磁化量をＹ軸とし値をプロットする。得られたグラフでＹ＝０となる際のＸが残留磁場Ｈrである。
（ｂ）磁化減衰量ｔ’は次のようにして求められる。すなわち、測定する磁気記録媒体の保磁力Ｈｃの近傍の外部磁場を３条件で印加し、上述の保磁力Ｈｃ１の測定方法と同様の作製方法により得られたサンプルを用い、上述の保磁力Ｈｃ１の測定方法と同様のＶＳＭにより磁化減衰量を測定する。そして、その磁化減衰量から下記参考文献に記載のフランダースの式を用いて磁化減衰量ｔ’を算出する（参考文献：I. P. J. Flanders and M. P. Sharrock, “An analysis of time-dependent magnetization and coercivity and of their relationship to print-through in recording tapes,” J. Appl. Phys., vol. 62, pp. 2918-2928, 1987.）。
ここで、「保磁力Ｈｃ」とは、磁性粉の配向方向における保磁力Ｈｃを意味する。すなわち、磁性粉が垂直方向に配向されている場合、「保磁力Ｈｃ」とは、垂直方向における保磁力Ｈｃ１を意味する。一方、磁性粉が長手方向に配向されている場合、「保磁力Ｈｃ」とは、長手方向における保磁力Ｈｃ２を意味する。磁性粉が配向されていない場合つまり無配向の場合、垂直方向における保磁力Ｈｃ１として用いる。
また、「３条件の外部磁場」とは、保磁力Ｈｃ以上の磁場（正の磁化が得られる磁場）、保磁力Ｈｃ近傍の磁場（０に近い磁化が得られる磁場）、および保磁力Ｈｃ未満の磁場（負の磁化が得られる磁場）を意味する。具体例を挙げると、垂直配向テープＨｃ＝2600［Ｏｅ］の場合「３条件の外部磁場」は正の磁化が得られる磁場＝2400［Ｏｅ］、保磁力Ｈｃ近傍の磁場＝2600［Ｏｅ］、負の磁化が得られる磁場＝2800［Ｏｅ］として算出する。ただし、この具体例として挙げた数値は実際の測定に際し数値範囲を限定するものではない。
（ｃ）磁場変化量Ｈ0は、（ｂ）で測定した際の測定磁場と磁化減衰量をシャーロックの式に代入し算出した定数である。
（ｄ）周波数因子ｆ0は一定値であり、ｆ0＝５．０×１０9Ｈｚとする。
（ｅ）係数ｎは、磁性粉の結晶磁気異方性に応じた値に設定される。磁性粉が一軸結晶磁気異方性を有し、且つ磁気テープを垂直配向した場合、n=0.5に設定される。一方、磁性粉が多軸結晶磁気異方性（３軸結晶磁気異方性）を有する場合、もしくは磁性粉が一軸結晶磁気異方性だが磁気テープが無配向の場合、n=0.77に設定される。
（ａ）残留磁場Ｈrは、Hayama製パルスＶＳＭ「HR-PVSM20」により測定できる。測定には上述の保磁力Ｈｃ１の測定方法と同様の作製方法により得られたサンプルを用いる。測定を開始する前にサンプルに６３５８［Ｏｅ］の磁場を印加しサンプルを一方向に磁気的に配向させる。その後、０～２０２３０［Ｏｅ］まで５０５．７５［Ｏｅ］ごとに磁場を断続的に印加し、その際の磁化量を測定し印加磁場をＸ軸、磁化量をＹ軸とし値をプロットする。得られたグラフでＹ＝０となる際のＸが残留磁場Ｈrである。
（ｂ）磁化減衰量ｔ’は次のようにして求められる。すなわち、測定する磁気記録媒体の保磁力Ｈｃの近傍の外部磁場を３条件で印加し、上述の保磁力Ｈｃ１の測定方法と同様の作製方法により得られたサンプルを用い、上述の保磁力Ｈｃ１の測定方法と同様のＶＳＭにより磁化減衰量を測定する。そして、その磁化減衰量から下記参考文献に記載のフランダースの式を用いて磁化減衰量ｔ’を算出する（参考文献：I. P. J. Flanders and M. P. Sharrock, “An analysis of time-dependent magnetization and coercivity and of their relationship to print-through in recording tapes,” J. Appl. Phys., vol. 62, pp. 2918-2928, 1987.）。
ここで、「保磁力Ｈｃ」とは、磁性粉の配向方向における保磁力Ｈｃを意味する。すなわち、磁性粉が垂直方向に配向されている場合、「保磁力Ｈｃ」とは、垂直方向における保磁力Ｈｃ１を意味する。一方、磁性粉が長手方向に配向されている場合、「保磁力Ｈｃ」とは、長手方向における保磁力Ｈｃ２を意味する。磁性粉が配向されていない場合つまり無配向の場合、垂直方向における保磁力Ｈｃ１として用いる。
また、「３条件の外部磁場」とは、保磁力Ｈｃ以上の磁場（正の磁化が得られる磁場）、保磁力Ｈｃ近傍の磁場（０に近い磁化が得られる磁場）、および保磁力Ｈｃ未満の磁場（負の磁化が得られる磁場）を意味する。具体例を挙げると、垂直配向テープＨｃ＝2600［Ｏｅ］の場合「３条件の外部磁場」は正の磁化が得られる磁場＝2400［Ｏｅ］、保磁力Ｈｃ近傍の磁場＝2600［Ｏｅ］、負の磁化が得られる磁場＝2800［Ｏｅ］として算出する。ただし、この具体例として挙げた数値は実際の測定に際し数値範囲を限定するものではない。
（ｃ）磁場変化量Ｈ0は、（ｂ）で測定した際の測定磁場と磁化減衰量をシャーロックの式に代入し算出した定数である。
（ｄ）周波数因子ｆ0は一定値であり、ｆ0＝５．０×１０9Ｈｚとする。
（ｅ）係数ｎは、磁性粉の結晶磁気異方性に応じた値に設定される。磁性粉が一軸結晶磁気異方性を有し、且つ磁気テープを垂直配向した場合、n=0.5に設定される。一方、磁性粉が多軸結晶磁気異方性（３軸結晶磁気異方性）を有する場合、もしくは磁性粉が一軸結晶磁気異方性だが磁気テープが無配向の場合、n=0.77に設定される。
【0139】
（２）磁気記録媒体の製造方法
【0140】
次に、上述の構成を有する磁気記録媒体１０の製造方法について説明する。まず、非磁性粉および結着剤等を溶剤に混練、分散させることにより、下地層形成用塗料を調製する。次に、磁性粉および結着剤等を溶剤に混練、分散させることにより、磁性層形成用塗料を調製する。磁性層形成用塗料および下地層形成用塗料の調製には、例えば、以下の溶剤、分散装置および混練装置を用いることができる。
【0141】
上述の塗料調製に用いられる溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、メタノール、エタノール、プロパノール等のアルコール系溶媒、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸プロピル、乳酸エチル、エチレングリコールアセテート等のエステル系溶媒、ジエチレングリコールジメチルエーテル、２－エトキシエタノール、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、メチレンクロライド、エチレンクロライド、四塩化炭素、クロロホルム、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素系溶媒等が挙げられる。これらは単独で用いてもよく、適宜混合して用いてもよい。
【0142】
上述の塗料調製に用いられる混練装置としては、例えば、連続二軸混練機、多段階で希釈可能な連続二軸混練機、ニーダー、加圧ニーダー、ロールニーダー等の混練装置を用いることができるが、特にこれらの装置に限定されるものではない。また、上述の塗料調製に用いられる分散装置としては、例えば、ロールミル、ボールミル、横型サンドミル、縦型サンドミル、スパイクミル、ピンミル、タワーミル、パールミル（例えばアイリッヒ社製「ＤＣＰミル」等）、ホモジナイザー、超音波分散機等の分散装置を用いることができるが、特にこれらの装置に限定されるものではない。
【0143】
次に、下地層形成用塗料を基体１１の一方の主面に塗布して乾燥させることにより、下地層１２を形成する。続いて、この下地層１２上に磁性層形成用塗料を塗布して乾燥させることにより、磁性層１３を下地層１２上に形成する。なお、乾燥の際に、例えばソレノイドコイルにより、磁性粉を基体１１の厚み方向に磁場配向させる。また、乾燥の際に、例えばソレノイドコイルにより、磁性粉を基体１１の走行方向（長手方向）に磁場配向させたのちに、基体１１の厚み方向に磁場配向させるようにしてもよい。このような磁場配向処理をすることで、比Ｈｃ２／Ｈｃ１を低くすることができる。したがって、磁性粉の垂直配向度を向上することができる。磁性層１３の形成後、基体１１の他方の主面にバック層１４を形成する。これにより、磁気記録媒体１０が得られる。
【0144】
比Ｈｃ２／Ｈｃ１は、例えば、磁性層形成用塗料の塗膜に印加される磁場の強度、磁性層形成用塗料中における固形分の濃度、磁性層形成用塗料の塗膜の乾燥条件（乾燥温度および乾燥時間）を調整することにより所望の値に設定される。塗膜に印加される磁場の強度は、磁性粉の保磁力の２倍以上３倍以下であることが好ましい。比Ｈｃ２／Ｈｃ１をさらに高めるためには、磁性層形成用塗料中における磁性粉の分散状態を向上させることが好ましい。また、比Ｈｃ２／Ｈｃ１をさらに高めるためには、磁性粉を磁場配向させるための配向装置に磁性層形成用塗料が入る前の段階で、磁性粉を磁化させておくことも有効である。なお、上記の比Ｈｃ２／Ｈｃ１の調整方法は単独で使用されてもよいし、２以上組み合わされて使用されてもよい。
【0145】
比Ｈｒｐ／Ｈｃ１は、例えば前記磁場配向処理における配向条件を調整すること及び／又は磁性粉の保持力を調整することによって制御することができる。また、磁性粉の種類又は磁性粉の平均粒子体積、平均アスペクト比、若しくは平均粒子サイズの変更によって、比Ｈｒｐ／Ｈｃ１を調整することもできる。
【0146】
その後、得られた磁気記録媒体１０を大径コアに巻き直し、硬化処理を行う。最後に、磁気記録媒体１０に対してカレンダー処理を行った後、所定の幅（例えば１／２インチ幅）に裁断する。以上により、目的とする細長い長尺状の磁気記録媒体１０が得られる。
【0147】
（３）記録再生装置
【0148】
［記録再生装置の構成］
【0149】
次に、図９を参照して、上述の構成を有する磁気記録媒体１０の記録及び再生を行う記録再生装置３０の構成の一例について説明する。
【0150】
記録再生装置３０は、磁気記録媒体１０の長手方向に加わるテンションを調整可能な構成を有している。また、記録再生装置３０は、磁気記録カートリッジ１０Ａを装填可能な構成を有している。ここでは、説明を容易とするために、記録再生装置３０が、１つの磁気記録カートリッジ１０Ａを装填可能な構成を有している場合について説明するが、記録再生装置３０が、複数の磁気記録カートリッジ１０Ａを装填可能な構成を有していてもよい。
【0151】
記録再生装置３０は、ネットワーク４３を介してサーバ４１及びパーソナルコンピュータ（以下「ＰＣ」という。）４２等の情報処理装置に接続されており、これらの情報処理装置から供給されたデータを磁気記録カートリッジ１０Ａに記録可能に構成されている。記録再生装置３０の最短記録波長は、好ましくは１００ｎｍ以下、より好ましくは７５ｎｍ以下、更により好ましくは６０ｎｍ以下、特に好ましくは５０ｎｍ以下である。
【0152】
記録再生装置３０は、図９に示すように、スピンドル３１と、記録再生装置側のリール３２と、スピンドル駆動装置３３と、リール駆動装置３４と、複数のガイドローラ３５と、ヘッドユニット３６と、通信インターフェース（以下、Ｉ／Ｆ）３７と、制御装置３８とを備えている。
【0153】
スピンドル３１は、磁気記録カートリッジ１０Ａを装着可能に構成されている。磁気記録カートリッジ１０Ａは、ＬＴＯ（Linear Tape Open）規格に準拠しており、カートリッジケース１０Ｂに磁気記録１０を巻装した単一のリール１０Ｃを回転可能に収容している。磁気記録媒体１０には、サーボ信号としてハの字状のサーボパターンが予め記録されている。リール３２は、磁気記録カートリッジ１０Ａから引き出された磁気記録媒体１０の先端を固定可能に構成されている。
【0154】
スピンドル駆動装置３３は、スピンドル３１を回転駆動させる装置である。リール駆動装置３４は、リール３２を回転駆動させる装置である。磁気記録媒体１０に対してデータの記録又は再生を行う際には、スピンドル駆動装置３３とリール駆動装置３４とが、スピンドル３１とリール３２とを回転駆動させることによって、磁気記録媒体１０を走行させる。ガイドローラ３５は、磁気記録媒体１０の走行をガイドするためのローラである。
【0155】
ヘッドユニット３６は、磁気記録媒体１０にデータ信号を記録するための複数の記録ヘッドと、磁気記録媒体１０に記録されているデータ信号を再生するための複数の再生ヘッドと、磁気記録媒体１０に記録されているサーボ信号を再生するための複数のサーボヘッドとを備える。記録ヘッドとしては例えばリング型ヘッドを用いることができるが、記録ヘッドの種類はこれに限定されるものではない。
【0156】
通信Ｉ／Ｆ３７は、サーバ４１及びＰＣ４２等の情報処理装置と通信するためのものであり、ネットワーク４３に対して接続される。
【0157】
制御装置３８は、記録再生装置３０の全体を制御する。例えば、制御装置３８は、サーバ４１及びＰＣ４２等の情報処理装置の要求に応じて、情報処理装置から供給されるデータ信号をヘッドユニット３６により磁気記録媒体１０に記録する。また、制御装置３８は、サーバ４１及びＰＣ４２等の情報処理装置の要求に応じて、ヘッドユニット３６により、磁気記録媒体１０に記録されたデータ信号を再生し、情報処理装置に供給する。
【0158】
［記録再生装置の動作］
【0159】
次に、上記構成を有する記録再生装置３０の動作について説明する。
【0160】
まず、磁気記録カートリッジ１０Ａを記録再生装置３０に装着し、磁気記録媒体１０の先端を引き出して、複数のガイドローラ３５及びヘッドユニット３６を介してリール３２まで移送し、磁気記録媒体１０の先端をリール３２に取り付ける。
【0161】
次に、図示しない操作部を操作すると、スピンドル駆動装置３３とリール駆動装置３４とが制御装置３８の制御により駆動され、リール１０Ｃからリール３２へ向けて磁気記録媒体１０が走行されるように、スピンドル３１とリール３２とが同方向に回転される。これにより、磁気記録媒体１０がリール３２に巻き取られつつ、ヘッドユニット３６によって、磁気記録媒体１０への情報の記録または磁気記録媒体１０に記録された情報の再生が行われる。
【0162】
また、リール１０Ｃに磁気記録媒体１０を巻き戻す場合は、上記とは逆方向に、スピンドル３１とリール３２とが回転駆動されることにより、磁気記録媒体１０がリール３２からリール１０Ｃに走行される。この巻き戻しの際にも、ヘッドユニット３６による、磁気記録媒体１０への情報の記録または磁気記録媒体１０に記録された情報の再生が行われる。
【0163】
（４）カートリッジ
【0164】
［カートリッジの構成］
【0165】
本開示は、本開示に従う磁気記録媒体を含む磁気記録カートリッジ（テープカートリッジともいう）も提供する。当該磁気記録カートリッジ内において、前記磁気記録媒体は、例えばリールに巻き付けられていてよい。当該磁気記録カートリッジは、例えば 記録再生装置と通信を行う通信部と、記憶部と、前記通信部を介して前記記録再生装置から受信した情報を記憶部に記憶し、かつ、前記記録再生装置の要求に応じて、前記記憶部から情報を読み出し、通信部を介して記録再生装置に送信する制御部と、を備えていてよい。前記情報は、磁気記録媒体の長手方向にかかるテンションを調整するための調整情報を含みうる。前記調整情報は、例えば、前記磁気記録媒体の長手方向の複数位置での幅方向の寸法情報を含みうる。当該幅方向の寸法情報は、以下［カートリッジメモリの構成］において述べる磁気記録媒体の製造時（製造後の初期）の寸法情報、及び／又は、当該磁気記録媒体の記録及び／又は再生処理において取得される寸法情報であってよい。
【0166】
図１０を参照して、上述の構成を有する磁気記録媒体１０を備えるカートリッジ１０Ａの構成の一例について説明する。
【0167】
図１０は、カートリッジ１０Ａの構成の一例を示す分解斜視図である。カートリッジ１０Ａは、ＬＴＯ（Linear Tape-Open）規格に準拠した磁気記録媒体カートリッジであり、下シェル２１２Ａと上シェル２１２Ｂとで構成されるカートリッジケース１０Ｂの内部に、磁気テープ（テープ状の磁気記録媒体）１０が巻かれたリール１０Ｃと、リール１０Ｃの回転をロックするためのリールロック２１４およびリールスプリング２１５と、リール１０Ｃのロック状態を解除するためのスパイダ２１６と、下シェル２１２Ａと上シェル２１２Ｂに跨ってカートリッジケース１０Ｂに設けられたテープ引出口２１２Ｃを開閉するスライドドア２１７と、スライドドア２１７をテープ引出口２１２Ｃの閉位置に付勢するドアスプリング２１８と、誤消去を防止するためのライトプロテクト２１９と、カートリッジメモリ２１１とを備える。リール１０Ｃは、中心部に開口を有する略円盤状であって、プラスチック等の硬質の材料からなるリールハブ２１３Ａとフランジ２１３Ｂとにより構成される。磁気テープ１０の一端部には、リーダーピン２２０が設けられている。
【0168】
カートリッジメモリ２１１は、カートリッジ１０Ａの１つの角部の近傍に設けられている。カートリッジ１０Ａが記録再生装置３０にロードされた状態において、カートリッジメモリ２１１は、記録再生装置３０のリーダライタ（図示せず）と対向するようになっている。カートリッジメモリ２１１は、ＬＴＯ規格に準拠した無線通信規格で記録再生装置３０、具体的にはリーダライタ（図示せず）と通信を行う。
【0169】
［カートリッジメモリの構成］
【0170】
図１１を参照して、カートリッジメモリ２１１の構成の一例について説明する。
【0171】
図１１は、カートリッジメモリ２１１の構成の一例を示すブロック図である。カートリッジメモリ２１１は、規定の通信規格でリーダライタ（図示せず）と通信を行うアンテナコイル（通信部）３３１と、アンテナコイル３３１により受信した電波から、誘導起電力を用いて発電、整流して電源を生成する整流・電源回路３３２と、アンテナコイル３３１により受信した電波から、同じく誘導起電力を用いてクロックを生成するクロック回路３３３と、アンテナコイル３３１により受信した電波の検波およびアンテナコイル３３１により送信する信号の変調を行う検波・変調回路３３４と、検波・変調回路３３４から抽出されるデジタル信号から、コマンドおよびデータを判別し、これを処理するための論理回路等で構成されるコントローラ（制御部）３３５と、情報を記憶するメモリ（記憶部）３３６とを備える。また、カートリッジメモリ２１１は、アンテナコイル３３１に対して並列に接続されたキャパシタ３３７を備え、アンテナコイル３３１とキャパシタ３３７により共振回路が構成される。
【0172】
メモリ３３６は、カートリッジ１０Ａに関連する情報等を記憶する。メモリ３３６は、不揮発性メモリ（Non Volatile Memory：ＮＶＭ）である。メモリ３３６の記憶容量は、好ましくは約３２ＫＢ以上である。例えば、カートリッジ１０ＡがＬＴＯ－９規格またはＬＴＯ－１０規格に準拠したものである場合には、メモリ３３６は、約３２ＫＢの記憶容量を有する。
【0173】
メモリ３３６は、第１の記憶領域３３６Ａと第２の記憶領域３３６Ｂとを有する。第１の記憶領域３３６Ａは、ＬＴＯ８以前のＬＴＯ規格のカートリッジメモリ（以下「従来のカートリッジメモリ」という。）の記憶領域に対応しており、ＬＴＯ８以前のＬＴＯ規格に準拠した情報を記憶するための領域である。ＬＴＯ８以前のＬＴＯ規格に準拠した情報は、例えば製造情報（例えばカートリッジ１０Ａの固有番号等）、使用履歴（例えばテープ引出回数（Thread Count）等）等である。
【0174】
第２の記憶領域３３６Ｂは、従来のカートリッジメモリの記憶領域に対する拡張記憶領域に相当する。第２の記憶領域３３６Ｂは、付加情報を記憶するための領域である。ここで、付加情報とは、ＬＴＯ８以前のＬＴＯ規格で規定されていない、カートリッジ１０Ａに関連する情報を意味する。付加情報の例としては、テンション調整情報、管理台帳データ、Index情報、または磁気テープ１０に記憶された動画のサムネイル情報等が挙げられるが、これらのデータに限定されるものではない。テンション調整情報は、磁気テープ１０に対するデータ記録時における、隣接するサーボバンド間の距離（隣接するサーボバンドに記録されたサーボパターン間の距離）を含む。隣接するサーボバンド間の距離は、磁気テープ１０の幅に関連する幅関連情報の一例である。サーボバンド間の距離の詳細については後述する。以下の説明において、第１の記憶領域３３６Ａに記憶される情報を「第１の情報」といい、第２の記憶領域３３６Ｂに記憶される情報を「第２の情報」ということがある。
【0175】
メモリ３３６は、複数のバンクを有していてもよい。この場合、複数のバンクのうちの一部のバンクにより第１の記憶領域３３６Ａが構成され、残りのバンクにより第２の記憶領域３３６Ｂが構成されてもよい。具体的には、例えば、カートリッジ１０ＡがＬＴＯ－９規格またはＬＴＯ－１０規格に準拠したものである場合には、メモリ３３６は約１６ＫＢの記憶容量を有する２つのバンクを有し、２つのバンクのうちの一方のバンクにより第１の記憶領域３３６Ａが構成され、他のバンクにより第２の記憶領域３３６Ｂが構成されてもよい。
【0176】
アンテナコイル３３１は、電磁誘導により誘起電圧を誘起する。コントローラ３３５は、アンテナコイル３３１を介して、規定の通信規格で記録再生装置３０と通信を行う。具体的には、例えば、相互認証、コマンドの送受信またはデータのやり取り等を行う。
【0177】
コントローラ３３５は、アンテナコイル３３１を介して記録再生装置３０から受信した情報をメモリ３３６に記憶する。コントローラ３３５は、記録再生装置３０の要求に応じて、メモリ３３６から情報を読み出し、アンテナコイル３３１を介して記録再生装置３０に送信する。
【0178】
（５）効果
【0179】
磁気記録媒体１０は、磁性層１３に含まれる磁性粉の平均粒子体積Ｖが２０００ｎｍ3以下であり、磁気記録媒体１０の平均厚みｔＴが５．３μｍ以下であり、磁気記録媒体１０の熱安定性ＫuＶact／ｋBＴが６０以上であり、且つ、パルス磁界を用いて測定した磁気記録媒体１０の残留保磁力Ｈｒｐと磁気記録媒体１０の垂直方向における保磁力Ｈｃ１との比Ｈｒｐ／Ｈｃ１が、２．１０以下である。これにより、磁気記録媒体１０は、記録密度が高く、且つ、保存安定性に優れている。さらに、磁気記録媒体１０は、電磁変換特性にも優れている。
【0180】
（６）変形例
【0181】
（変形例１）
【0182】
磁気記録媒体１０が、図１２に示すように、基体１１の少なくとも一方の表面に設けられたバリア層１５をさらに備えるようにしてもよい。バリア層１５は、基体１１が有する環境に応じた寸法変化を抑制するための層である。例えば、その寸法変化を及ぼす原因の一例として、基体１１の吸湿性があるが、バリア層１５を設けることにより基体１１への水分の侵入速度を低減することができる。バリア層１５は、例えば、金属または金属酸化物を含む。金属としては、例えば、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｂａ、Ｐｔ、ＡｕおよびＴａのうちの少なくとも１種を用いることができる。金属酸化物としては、例えば、上記金属を１種または２種以上含む金属酸化物を用いることができる。より具体的には例えば、Ａｌ2Ｏ3、ＣｕＯ、ＣｏＯ、ＳｉＯ2、Ｃｒ2Ｏ3、ＴｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5およびＺｒＯ2のうちの少なくとも１種を用いることができる。また、バリア層１５が、ダイヤモンド状炭素（Diamond-Like Carbon：ＤＬＣ）またはダイヤモンド等を含むようにしてもよい。
【0183】
バリア層１５の平均厚みは、好ましくは２０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下、より好ましくは５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である。バリア層１５の平均厚みは、磁性層１３の平均厚みと同様にして求められる。但し、ＴＥＭ像の倍率は、バリア層１５の厚みに応じて適宜調整される。
【0184】
（変形例２）
【0185】
磁気記録媒体１０は、ライブラリ装置に組み込まれてもよい。すなわち、本開示は、少なくとも一つの磁気記録媒体１０を備えているライブラリ装置も提供する。当該ライブラリ装置は、磁気記録媒体１０の長手方向に加わるテンションを調整可能な構成を有しており、上記で述べた記録再生装置３０を複数備えるものであってもよい。
【0186】
３．実施例
【0187】
以下、実施例により本開示を具体的に説明するが、本開示はこれらの実施例のみに限定されるものではない。
【0188】
本実施例において、ベースフィルム（基体）の平均厚み、磁性層の平均厚み、下地層の平均厚み、バック層の平均厚み、磁気テープ（磁気記録媒体）の平均厚み、磁性粉の平均アスペクト比、磁性粉の平均粒子サイズ、磁性粉の平均粒子体積、垂直方向におけるテープ状磁気記録媒体（「磁気テープ」ともいう）の保磁力Ｈｃ１、残留保磁力Ｈｒｐ、及び熱安定性ＫuＶact／ｋBＴ（測定温度は２５℃）は、上述の一実施形態にて説明した測定方法により求められたものである。
【0189】
［実施例１］
（磁性層形成用塗料の調製工程）
磁性層形成用塗料を以下のようにして調製した。まず、下記配合の第１組成物をエクストルーダで混練した。次に、ディスパーを備えた攪拌タンクに、混練した第１組成物と、下記配合の第２組成物を加えて予備混合を行った。続いて、さらにサンドミル混合を行い、フィルター処理を行い、磁性層形成用塗料を調製した。
（磁性層形成用塗料の調製工程）
磁性層形成用塗料を以下のようにして調製した。まず、下記配合の第１組成物をエクストルーダで混練した。次に、ディスパーを備えた攪拌タンクに、混練した第１組成物と、下記配合の第２組成物を加えて予備混合を行った。続いて、さらにサンドミル混合を行い、フィルター処理を行い、磁性層形成用塗料を調製した。
【0190】
（第１組成物）
磁性粉（Ｍ型構造を有する六方晶フェライト、組成：Ba-Ferrite、平均粒子体積：１６００ｎｍ３）：１００質量部
塩化ビニル系樹脂（シクロヘキサノン溶液３０質量％）：６０質量部
（重合度３００、Ｍｎ＝１００００、極性基としてＯＳＯ3Ｋ＝０．０７ｍｍｏｌ／ｇ、２級ＯＨ＝０．３ｍｍｏｌ／ｇを含有する。）
酸化アルミニウム粉末：５質量部
（α－Ａｌ2Ｏ3、平均粒径０．２μｍ）
カーボンブラック：２質量部
（東海カーボン社製、商品名：シーストＴＡ）
磁性粉（Ｍ型構造を有する六方晶フェライト、組成：Ba-Ferrite、平均粒子体積：１６００ｎｍ３）：１００質量部
塩化ビニル系樹脂（シクロヘキサノン溶液３０質量％）：６０質量部
（重合度３００、Ｍｎ＝１００００、極性基としてＯＳＯ3Ｋ＝０．０７ｍｍｏｌ／ｇ、２級ＯＨ＝０．３ｍｍｏｌ／ｇを含有する。）
酸化アルミニウム粉末：５質量部
（α－Ａｌ2Ｏ3、平均粒径０．２μｍ）
カーボンブラック：２質量部
（東海カーボン社製、商品名：シーストＴＡ）
【0191】
（第２組成物）
塩化ビニル系樹脂：１．１質量部
（樹脂溶液：樹脂分３０質量％、シクロヘキサノン７０質量％）
ｎ－ブチルステアレート：２質量部
メチルエチルケトン：１２１．３質量部
トルエン：１２１．３質量部
シクロヘキサノン：６０．７質量部
塩化ビニル系樹脂：１．１質量部
（樹脂溶液：樹脂分３０質量％、シクロヘキサノン７０質量％）
ｎ－ブチルステアレート：２質量部
メチルエチルケトン：１２１．３質量部
トルエン：１２１．３質量部
シクロヘキサノン：６０．７質量部
【0192】
最後に、上述のようにして調製した磁性層形成用塗料に、硬化剤として、ポリイソシアネート（商品名：コロネートＬ、日本ポリウレタン社製）：２質量部と、ミリスチン酸：２質量部とを添加した。
【0193】
（下地層形成用塗料の調製工程）
下地層形成用塗料を以下のようにして調製した。まず、下記配合の第３組成物をエクストルーダで混練した。次に、ディスパーを備えた攪拌タンクに、混練した第３組成物と、下記配合の第４組成物を加えて予備混合を行った。続いて、さらにサンドミル混合を行い、フィルター処理を行い、下地層形成用塗料を調製した。
下地層形成用塗料を以下のようにして調製した。まず、下記配合の第３組成物をエクストルーダで混練した。次に、ディスパーを備えた攪拌タンクに、混練した第３組成物と、下記配合の第４組成物を加えて予備混合を行った。続いて、さらにサンドミル混合を行い、フィルター処理を行い、下地層形成用塗料を調製した。
【0194】
（第３組成物）
針状酸化鉄粉末：１００質量部
（α－Ｆｅ2Ｏ3、平均長軸長０．１５μｍ）
塩化ビニル系樹脂：５５．６質量部
（樹脂溶液：樹脂分３０質量％、シクロヘキサノン７０質量％）
カーボンブラック：１０質量部
（平均粒径２０ｎｍ）
針状酸化鉄粉末：１００質量部
（α－Ｆｅ2Ｏ3、平均長軸長０．１５μｍ）
塩化ビニル系樹脂：５５．６質量部
（樹脂溶液：樹脂分３０質量％、シクロヘキサノン７０質量％）
カーボンブラック：１０質量部
（平均粒径２０ｎｍ）
【0195】
（第４組成物）
ポリウレタン系樹脂ＵＲ８２００（東洋紡績製）：１８．５質量部
ｎ－ブチルステアレート：２質量部
メチルエチルケトン：１０８．２質量部
トルエン：１０８．２質量部
シクロヘキサノン：１８．５質量部
ポリウレタン系樹脂ＵＲ８２００（東洋紡績製）：１８．５質量部
ｎ－ブチルステアレート：２質量部
メチルエチルケトン：１０８．２質量部
トルエン：１０８．２質量部
シクロヘキサノン：１８．５質量部
【0196】
最後に、上述のようにして調製した下地層形成用塗料に、硬化剤として、ポリイソシアネート（商品名：コロネートＬ、東ソー株式会社製）：２質量部と、ミリスチン酸：２質量部とを添加した。
【0197】
（バック層形成用塗料の調製工程）
バック層形成用塗料を以下のようにして調製した。下記原料を、ディスパーを備えた攪拌タンクで混合を行い、フィルター処理を行うことで、バック層形成用塗料を調製した。
カーボンブラック（旭社製、商品名：＃８０）：１００質量部
ポリエステルポリウレタン：１００質量部
（日本ポリウレタン社製、商品名：Ｎ－２３０４）
メチルエチルケトン：５００質量部
トルエン：４００質量部
シクロヘキサノン：１００質量部
ポリイソシアネート（商品名：コロネートＬ、東ソー株式会社製）：１０質量部
バック層形成用塗料を以下のようにして調製した。下記原料を、ディスパーを備えた攪拌タンクで混合を行い、フィルター処理を行うことで、バック層形成用塗料を調製した。
カーボンブラック（旭社製、商品名：＃８０）：１００質量部
ポリエステルポリウレタン：１００質量部
（日本ポリウレタン社製、商品名：Ｎ－２３０４）
メチルエチルケトン：５００質量部
トルエン：４００質量部
シクロヘキサノン：１００質量部
ポリイソシアネート（商品名：コロネートＬ、東ソー株式会社製）：１０質量部
【0198】
（成膜工程）
上述のようにして作製した塗料を用いて、下記表１に示されるとおりの媒体構成の磁気テープを以下に説明するとおりにして作製した。
上述のようにして作製した塗料を用いて、下記表１に示されるとおりの媒体構成の磁気テープを以下に説明するとおりにして作製した。
【0199】
【表1】
【0200】
まず、支持体として、長尺状を有する、平均厚み４．０μｍのＰＥＮフィルム（ベースフィルム）を準備した。次に、ＰＥＮフィルムの一方の主面上に下地層形成用塗料を塗布し、乾燥させることにより、ＰＥＮフィルムの一方の主面上に平均厚み０．９μｍの下地層を形成した。次に、下地層上に磁性層形成用塗料を塗布し、乾燥させることにより、下地層上に平均厚み８０ｎｍの磁性層を形成した。なお、磁性層形成用塗料の乾燥の際に、ソレノイドコイルにより、磁性粉をＰＥＮフィルムの厚み方向に磁場配向させた。具体的には、ソレノイドコイルにより、磁性粉をＰＥＮフィルムの走行方向（長手方向）に一旦磁場配向させたのちに、ＰＥＮフィルムの厚み方向に磁場配向させた。また、磁性層形成用塗料の乾燥条件（乾燥温度および乾燥時間）を調整し、垂直方向における保磁力Ｈｃ１を、表２に示されるとおりに設定した。
【0201】
続いて、下地層及び磁性層が形成されたＰＥＮフィルムの他方の主面上にバック層形成用塗料を塗布し、乾燥させることにより、平均厚み０．３μｍのバック層を形成した。そして、下地層、磁性層、およびバック層が形成されたＰＥＮフィルムに対して硬化処理を行った。その後、カレンダー処理を行い、磁性層表面を平滑化した。
【0202】
（裁断の工程）
上述のようにして得られた磁気テープを１／２インチ（１２．６５ｍｍ）幅に裁断した。これにより、長尺状を有する、平均厚み５．３μｍの磁気テープが得られた。表２に示されるとおり、得られた磁気テープに関して、熱安定性ＫuＶact／ｋBＴは７７であり、且つ、残留保磁力Ｈｒｐと磁気記録媒体の垂直方向における保磁力Ｈｃ１との比Ｈｒｐ／Ｈｃ１が１．７８であった。
上述のようにして得られた磁気テープを１／２インチ（１２．６５ｍｍ）幅に裁断した。これにより、長尺状を有する、平均厚み５．３μｍの磁気テープが得られた。表２に示されるとおり、得られた磁気テープに関して、熱安定性ＫuＶact／ｋBＴは７７であり、且つ、残留保磁力Ｈｒｐと磁気記録媒体の垂直方向における保磁力Ｈｃ１との比Ｈｒｐ／Ｈｃ１が１．７８であった。
【0203】
（サーボ信号およびデータ信号の書き込み）
上述のようにして得られた長尺状の磁気テープにサーボ信号およびデータ信号を以下のようにして書き込んだ。まず、サーボライタを用いて、磁気テープにサーボ信号を書き込むことにより、サーボバンド幅ＷSBが９６μｍである５本のサーボバンドを形成した。なお、サーボ信号の書き込みにより、各サーボバンドには、ハの字の磁気パターンの列が形成された。
上述のようにして得られた長尺状の磁気テープにサーボ信号およびデータ信号を以下のようにして書き込んだ。まず、サーボライタを用いて、磁気テープにサーボ信号を書き込むことにより、サーボバンド幅ＷSBが９６μｍである５本のサーボバンドを形成した。なお、サーボ信号の書き込みにより、各サーボバンドには、ハの字の磁気パターンの列が形成された。
【0204】
次に、記録再生装置を用いて、サーボバンド間のデータバンドにデータ信号を書き込んだ。この際、記録トラック幅Ｗが２．９μｍ、記録波長λが０．２０８μｍの単一記録波長となるように記録再生装置を制御した。なお、データ信号の記録波長λ［ｎｍ］は、最短記録波長で記録された際の磁化反転間距離の最小値Ｌ［ｎｍ］（＝０．０５２μｍ）の４倍（すなわち、最短記録波長Ｌ’＝２×Ｌであり、記録波長λ＝（Ｌ’の２倍長））とした。記録ヘッドにはギャップ長０．２μｍのリングヘッドを用いた。
【0205】
ここで、記録波長λを最短記録波長Ｌ’の２倍にしているのは、以下の理由による。すなわち、短波長を用いた記録再生系では、ＳＮＲとしては一般的に最短記録波長の２倍の記録波長で記録再生した際の出力／ノイズの比を用いることが多い。また、２倍の記録波長でのＳＮＲは、最短記録波長でのＳＮＲよりもエラーレートとの相関性が高い。更に、最短記録波長でＳＮＲ計測を行った場合、記録再生系の波長特性によっては、テープノイズが記録再生系のシステムノイズに隠れてしまい、メディアのノイズ特性が正しく反映されない場合もある。特に高線記録密度記録の場合、メディアのノイズ特性が正しく反映されない場合が多い。
【0206】
磁化反転間距離の最小値Ｌとデータトラック幅Ｗは、以下のようにして求められた。まず、磁性層１３の表面を磁気力顕微鏡（ＭＦＭ）を用いて観察し、ＭＦＭ像を取得した。図１３中のＡ及びＢに、ＭＦＭ像の一例を示す。次に、取得したＭＦＭ像から、磁気テープの幅方向における磁化パターン列の寸法を測定し、トラック幅Ｗ［ｎｍ］とした。また、磁気テープの長手方向における明部と明部の距離または暗部と暗部の距離をλ［ｎｍ］とした。その後、λ［ｎｍ］の半分の値をＬ’［ｎｍ］とし、更にＬ’［ｎｍ］の半分をＬ［ｎｍ］とした。
【0207】
［実施例２］
無配向で磁気テープを製造したこと（すなわち、上記ソレノイドコイルによる磁場配向を行わなかったこと。以下同様。）以外は、実施例１と同じ方法で磁気テープを得た。得られた磁気テープは、表２に示されるとおりの保磁力Ｈｃ１、残留保磁力Ｈｒｐ、及び熱安定性ＫuＶact／ｋBＴを有した。
無配向で磁気テープを製造したこと（すなわち、上記ソレノイドコイルによる磁場配向を行わなかったこと。以下同様。）以外は、実施例１と同じ方法で磁気テープを得た。得られた磁気テープは、表２に示されるとおりの保磁力Ｈｃ１、残留保磁力Ｈｒｐ、及び熱安定性ＫuＶact／ｋBＴを有した。
【0208】
［実施例３］
磁性粉の平均粒子体積を１２００ｎｍ３へとさらに微粒子化したこと及び無配向で磁気テープを製造したこと以外は、実施例１と同じ方法で磁気テープを得た。得られた磁気テープは、表２に示されるとおりの保磁力Ｈｃ１、残留保磁力Ｈｒｐ、及び熱安定性ＫuＶact／ｋBＴを有した。
磁性粉の平均粒子体積を１２００ｎｍ３へとさらに微粒子化したこと及び無配向で磁気テープを製造したこと以外は、実施例１と同じ方法で磁気テープを得た。得られた磁気テープは、表２に示されるとおりの保磁力Ｈｃ１、残留保磁力Ｈｒｐ、及び熱安定性ＫuＶact／ｋBＴを有した。
【0209】
［実施例４］
実施例３で用いた磁性粉を使用したこと以外は、実施例１と同じ方法で磁気テープを得た。得られた磁気テープは、表２に示されるとおりの保磁力Ｈｃ１、残留保磁力Ｈｒｐ、及び熱安定性ＫuＶact／ｋBＴを有した。
実施例３で用いた磁性粉を使用したこと以外は、実施例１と同じ方法で磁気テープを得た。得られた磁気テープは、表２に示されるとおりの保磁力Ｈｃ１、残留保磁力Ｈｒｐ、及び熱安定性ＫuＶact／ｋBＴを有した。
【0210】
［比較例１］
平均粒子体積が２５００ｎｍ３である磁性粉を用いたこと及び無配向で磁気テープを製造したこと以外は、実施例１と同じ方法で磁気テープを得た。得られた磁気テープは、表２に示されるとおりの保磁力Ｈｃ１、残留保磁力Ｈｒｐ、及び熱安定性ＫuＶact／ｋBＴを有した。
平均粒子体積が２５００ｎｍ３である磁性粉を用いたこと及び無配向で磁気テープを製造したこと以外は、実施例１と同じ方法で磁気テープを得た。得られた磁気テープは、表２に示されるとおりの保磁力Ｈｃ１、残留保磁力Ｈｒｐ、及び熱安定性ＫuＶact／ｋBＴを有した。
【0211】
［比較例２］
Ｈｃ１がより低い磁性粉を使用したこと及び無配向で磁気テープを製造したこと以外は、実施例１と同じ方法で磁気テープを得た。得られた磁気テープは、表２に示されるとおりの保磁力Ｈｃ１、残留保磁力Ｈｒｐ、及び熱安定性ＫuＶact／ｋBＴを有した。
Ｈｃ１がより低い磁性粉を使用したこと及び無配向で磁気テープを製造したこと以外は、実施例１と同じ方法で磁気テープを得た。得られた磁気テープは、表２に示されるとおりの保磁力Ｈｃ１、残留保磁力Ｈｒｐ、及び熱安定性ＫuＶact／ｋBＴを有した。
【0212】
以上のとおりにして得られた実施例１～４及び比較例１～２の磁気テープについて、信号減衰量ＳＤ及び電磁変換特性（ＳＮＲ）を評価した。これらの評価方法を以下に記載する。
【0213】
（100s経過後の信号減衰量ＳＤ）
【0214】
各実施例および各比較例のサンプルについて、以下のようにして100s経過後の信号減衰量ＳＤを求めた。具体的には、Micro Physics社製「Tape Head Tester (以下THTとする)」を用いた。記録再生ヘッドにはIBM社製テープドライブ「TS1140」に搭載されているものをそのまま使用した。測定に際して磁気記録媒体としての磁気テープを９０ｃｍの長さに切り取り、磁気テープの記録層が裏になるようにリング状にした後、磁気テープ両端同士を磁気テープ裏面において粘着テープにより接合した。また、その接合部に隣接して、テープ周回位置を検出するための銀テープを貼った。リング状の磁気テープはTHTに取り付けた後、２ｍ／ｓｅｃの速度で周回させた。
【0215】
次に、Tektronix社製信号発生機「ARBITRARY WAVEFORM GENERATOR AWG2021」を用いて発生させた１０MHzの信号を、磁気テープに最適記録電流を用いて、テープ全長一周分だけ記録した。記録に続いて、次の周回からは、テープに記録された信号を連続して再生させ、再生出力を Hewlett Packard社製スペクトラムアナライザ「8591E」にて計測した。尚、この際のスペクトラムアナライザの設定はRBW：１MHz、VBW：１MHz、SWP：５００msec、point : 400、ゼロスパンモードとした。計測は、十分な記録が行われていない「テープ接合部近傍」を除いた「記録部」のみの間の０．４ｓｅｃ間だけ行い、この間の再生出力の平均値Ｙを計算した。計測はテープ一周毎に行い、其々の周回における再生出力の平均値Ｙを、信号記録終了時（ｔ＝０）からの経過時間における再生出力平均値Ｙ（ｔ）とした。計測は、ｔ＝１００ｓｅｃまで行い、接続したパソコンへと適時送信し、記録させた。
上述の測定フローを、同一の磁気テープを用いて４度行い、各測定により得られたＹ（ｔ）値を、同じ経過時間ｔ毎に平均化してＹａｖｅ（ｔ）の数列とした。得られたＹａｖｅ（ｔ）をＹ軸、経過時間ｔをＸ軸にとりグラフにプロットし、このグラフから対数近似を用いて近似曲線を作成した。得られた近似曲線を用いて100s後の信号減衰量ＳＤを算出した。算出結果が、以下表２に示されている。
上述の測定フローを、同一の磁気テープを用いて４度行い、各測定により得られたＹ（ｔ）値を、同じ経過時間ｔ毎に平均化してＹａｖｅ（ｔ）の数列とした。得られたＹａｖｅ（ｔ）をＹ軸、経過時間ｔをＸ軸にとりグラフにプロットし、このグラフから対数近似を用いて近似曲線を作成した。得られた近似曲線を用いて100s後の信号減衰量ＳＤを算出した。算出結果が、以下表２に示されている。
【0216】
（２５℃環境におけるＳＮＲ）
記録／再生ヘッドおよび記録／再生アンプを取り付けた１／２インチテープ走行装置（Mountain Engineering II社製MTS Transport）を用いて、２５℃環境における磁気テープのＳＮＲ（電磁変換特性）を測定した。記録ヘッドにはギャップ長０．２μｍのリングヘッドを用い、再生ヘッドにはシールド間距離０．１μｍのＧＭＲヘッドを用いた。相対速度は６ｍ／ｓ、記録クロック周波数は１６０ＭＨｚとした。
また、ＳＮＲは、下記の文献に記載の方法（スペクトラムアナライザを使用する測定方法）に基づき算出した。その結果を、比較例１のＳＮＲを０ｄＢとする相対値で以下表２に示した。
Y.Okazaki: ”An Error Rate Emulation System.”,IEEE Trans. Man., 31,pp.3093-3095(1995)
記録／再生ヘッドおよび記録／再生アンプを取り付けた１／２インチテープ走行装置（Mountain Engineering II社製MTS Transport）を用いて、２５℃環境における磁気テープのＳＮＲ（電磁変換特性）を測定した。記録ヘッドにはギャップ長０．２μｍのリングヘッドを用い、再生ヘッドにはシールド間距離０．１μｍのＧＭＲヘッドを用いた。相対速度は６ｍ／ｓ、記録クロック周波数は１６０ＭＨｚとした。
また、ＳＮＲは、下記の文献に記載の方法（スペクトラムアナライザを使用する測定方法）に基づき算出した。その結果を、比較例１のＳＮＲを０ｄＢとする相対値で以下表２に示した。
Y.Okazaki: ”An Error Rate Emulation System.”,IEEE Trans. Man., 31,pp.3093-3095(1995)
【0217】
以下表２に、実施例１～４及び比較例１～２の磁気テープの評価結果が示されている。
【0218】
【表2】
【0219】
表２から、以下のことが分かる。
【0220】
実施例１～４の磁気テープはいずれも、磁性粉の平均粒子体積が２０００ｎｍ３以下であるにもかかわらず、１００秒経過後の信号減衰量ＳＤが－０．３０ｄＢよりも小さかった。そのため、実施例１～４の磁気テープはいずれも、磁性粉の平均粒子体積が小さいにもかかわらず、保存安定性に優れていた。さらに、実施例１～４の磁気テープはいずれも、ＳＮＲが０．５ｄＢ以上であり、電磁変換特性に優れていた。これらの結果より、本開示の磁気記録媒体は、磁性粉の平均粒子体積が小さいにもかかわらず、保存安定性に優れており、さらには電磁変換特性にも優れていることが分かる。
【0221】
実施例３及び４の磁気テープは、実施例１及び２の磁気テープよりも平均粒子体積が小さい磁性粉を含むにもかかわらず、保存安定性に優れており且つ電磁変換特性にも優れている。さらに、実施例４の磁気テープは、実施例３の磁気テープよりもさらに保存安定性に優れており且つ電磁変換特性に優れている。そのため、本開示による効果は、実施例３及び４におけるような小さい平均粒子体積（例えば１５００ｎｍ３以下）の磁性粉を含む場合においても奏されることが分かる。従って、本開示によって、保存安定性及び電磁変換特性の向上に加え、記録密度の向上も可能となる。
【0222】
比較例１及び２の対比から、磁性粉の平均粒子体積が小さくなることに伴い、信号減衰量ＳＤが大きくなることが分かる。そして、比較例２と実施例１及び２との対比から、磁性粉の平均粒子体積が同様に小さい場合であっても、Ｈｒｐ／Ｈｃ１を例えば２．１０以下、特には２．０５以下、より特には２．００以下とすることによって、信号減衰量ＳＤを小さくすることができることが分かる。さらに、熱安定性ＫuＶact／ｋBＴが６０以上であることも、信号減衰量ＳＤを小さくすることに貢献していると考えられる。
【0223】
また、比較例２と実施例１及び２との対比から、Ｈｒｐ／Ｈｃ１を例えば２．１０以下、特には２．０５以下、より特には２．００以下とすることによって、ＳＮＲが改善されることも分かる。また、熱安定性ＫuＶact／ｋBＴが６０以上であることも、ＳＮＲの改善に貢献していると考えられる。この改善は、実施例３及び４の結果から分かるとおり、磁性粉の平均粒子体積より小さい値（例えば１５００ｎｍ３以下）とした場合においても確認できる。
【0224】
実施例１～４から、磁性粉の平均粒子体積をより小さい値（例えば１５００ｎｍ３以下）とした場合であっても、Ｈｒｐ／Ｈｃ１を例えば２．１０以下、特には２．０５以下、より特には２．００以下とすることによって、信号減衰量ＳＤを小さくすることができることが分かる。さらに、熱安定性ＫuＶact／ｋBＴが６０以上であることも、信号減衰量ＳＤを小さくすることに貢献していると考えられる。
【0225】
以上、本開示の実施形態及び実施例について具体的に説明したが、本開示は、上述の実施形態及び実施例に限定されるものではなく、本開示の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
【0226】
例えば、上述の実施形態及び実施例において挙げた構成、方法、工程、形状、材料、及び数値等はあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、工程、形状、材料、及び数値等を用いてもよい。また、化合物等の化学式は代表的なものであって、同じ化合物の一般名称であれば、記載された価数等に限定されない。
【0227】
また、上述の実施形態及び実施例の構成、方法、工程、形状、材料、及び数値等は、本開示の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。
【0228】
また、本明細書において、「～」を用いて示された数値範囲は、「～」の前後に記載される数値をそれぞれ最小値及び最大値として含む範囲を示す。本明細書に段階的に記載されている数値範囲において、ある段階の数値範囲の上限値または下限値は、他の段階の数値範囲の上限値または下限値に置き換えてもよい。本明細書に例示する材料は、特に断らない限り、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。
【0229】
なお、本開示は、以下のような構成をとることもできる。
〔１〕
基体と、
前記基体上に設けられ、磁性粉を含む磁性層と
を備えており、
前記磁性粉の平均粒子体積Ｖが２０００ｎｍ3以下であり、
磁気記録媒体の平均厚みｔＴが５．３μｍ以下である、
前記磁気記録媒体の熱安定性ＫuＶact／ｋBＴが６０以上であり、
パルス磁界を用いて測定した前記磁気記録媒体の残留保磁力Ｈｒｐと前記磁気記録媒体の垂直方向における保磁力Ｈｃ１との比Ｈｒｐ／Ｈｃ１が、２．１０以下である、
テープ状の磁気記録媒体。
〔２〕
前記磁性粉の平均粒子体積Ｖが１８００ｎｍ3以下である、〔１〕に記載の磁気記録媒体。
〔３〕
前記磁性粉の平均粒子体積Ｖが１６００ｎｍ3以下である、〔１〕に記載の磁気記録媒体。
〔４〕
前記熱安定性ＫuＶact／ｋBＴが６３以上である、〔１〕～〔３〕のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
〔５〕
前記熱安定性ＫuＶact／ｋBＴが６５以上である、〔１〕～〔３〕のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
〔６〕
前記比Ｈｒｐ／Ｈｃ１が、２．０５以下である、〔１〕～〔５〕のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
〔７〕
前記比Ｈｒｐ／Ｈｃ１が、２．００以下である、〔１〕～〔５〕のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
〔８〕
前記磁性粉が六方晶フェライトを含む、〔１〕～〔７〕のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
〔９〕
前記六方晶フェライトが、Ｂａ、Ｓｒ、およびＣａのうちの少なくとも１種を含む、〔８〕に記載の磁気記録媒体。
〔１０〕
前記磁気記録媒体の記録後１００秒経過時における信号減衰量ＳＤが、－０．３０ｄＢ≦ＳＤである、〔１〕～〔９〕のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
〔１１〕
前記磁気記録媒体の記録後１００秒経過時における信号減衰量ＳＤが、－０．２５ｄＢ≦ＳＤである、〔１〕～〔９〕のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
〔１２〕
前記磁性層の厚みｔｍが、３０ｎｍ≦ｔｍ≦９０ｎｍである、〔１〕～〔１１〕のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
〔１３〕
前記保磁力Ｈｃ１が５００Ｏｅ以上である、〔１〕～〔１２〕のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
〔１４〕
前記基体の平均厚みが４．２μｍ以下である、〔１〕～〔１３〕のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
〔１５〕
前記磁性層と前記基体との間に下地層が設けられており、
前記下地層の平均厚みが２．０μｍ以下である、
〔１〕～〔１４〕のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
〔１６〕
前記基体の２つの面のうち、前記磁性層が設けられている側の面と反対側の面に、バック層が設けられており、
前記バック層の平均厚みが０．６μｍ以下である、
〔１〕～〔１５〕のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
〔１７〕
前記磁性粉の平均粒子サイズが５０ｎｍ以下である、〔１〕～〔１６〕のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
〔１８〕
〔１〕～〔１７〕のいずれか一つに記載のテープ状の磁気記録媒体と、
記録再生装置と通信を行う通信部と、
記憶部と、
通信部を介して記録再生装置から受信した情報を記憶部に記憶し、かつ、記録再生装置の要求に応じて、記憶部から情報を読み出し、通信部を介して記録再生装置に送信する制御部と、を備え、
前記情報は、磁気記録媒体の長手方向にかかるテンションを調整するための調整情報を含む
テープカートリッジ。
〔１〕
基体と、
前記基体上に設けられ、磁性粉を含む磁性層と
を備えており、
前記磁性粉の平均粒子体積Ｖが２０００ｎｍ3以下であり、
磁気記録媒体の平均厚みｔＴが５．３μｍ以下である、
前記磁気記録媒体の熱安定性ＫuＶact／ｋBＴが６０以上であり、
パルス磁界を用いて測定した前記磁気記録媒体の残留保磁力Ｈｒｐと前記磁気記録媒体の垂直方向における保磁力Ｈｃ１との比Ｈｒｐ／Ｈｃ１が、２．１０以下である、
テープ状の磁気記録媒体。
〔２〕
前記磁性粉の平均粒子体積Ｖが１８００ｎｍ3以下である、〔１〕に記載の磁気記録媒体。
〔３〕
前記磁性粉の平均粒子体積Ｖが１６００ｎｍ3以下である、〔１〕に記載の磁気記録媒体。
〔４〕
前記熱安定性ＫuＶact／ｋBＴが６３以上である、〔１〕～〔３〕のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
〔５〕
前記熱安定性ＫuＶact／ｋBＴが６５以上である、〔１〕～〔３〕のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
〔６〕
前記比Ｈｒｐ／Ｈｃ１が、２．０５以下である、〔１〕～〔５〕のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
〔７〕
前記比Ｈｒｐ／Ｈｃ１が、２．００以下である、〔１〕～〔５〕のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
〔８〕
前記磁性粉が六方晶フェライトを含む、〔１〕～〔７〕のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
〔９〕
前記六方晶フェライトが、Ｂａ、Ｓｒ、およびＣａのうちの少なくとも１種を含む、〔８〕に記載の磁気記録媒体。
〔１０〕
前記磁気記録媒体の記録後１００秒経過時における信号減衰量ＳＤが、－０．３０ｄＢ≦ＳＤである、〔１〕～〔９〕のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
〔１１〕
前記磁気記録媒体の記録後１００秒経過時における信号減衰量ＳＤが、－０．２５ｄＢ≦ＳＤである、〔１〕～〔９〕のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
〔１２〕
前記磁性層の厚みｔｍが、３０ｎｍ≦ｔｍ≦９０ｎｍである、〔１〕～〔１１〕のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
〔１３〕
前記保磁力Ｈｃ１が５００Ｏｅ以上である、〔１〕～〔１２〕のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
〔１４〕
前記基体の平均厚みが４．２μｍ以下である、〔１〕～〔１３〕のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
〔１５〕
前記磁性層と前記基体との間に下地層が設けられており、
前記下地層の平均厚みが２．０μｍ以下である、
〔１〕～〔１４〕のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
〔１６〕
前記基体の２つの面のうち、前記磁性層が設けられている側の面と反対側の面に、バック層が設けられており、
前記バック層の平均厚みが０．６μｍ以下である、
〔１〕～〔１５〕のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
〔１７〕
前記磁性粉の平均粒子サイズが５０ｎｍ以下である、〔１〕～〔１６〕のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
〔１８〕
〔１〕～〔１７〕のいずれか一つに記載のテープ状の磁気記録媒体と、
記録再生装置と通信を行う通信部と、
記憶部と、
通信部を介して記録再生装置から受信した情報を記憶部に記憶し、かつ、記録再生装置の要求に応じて、記憶部から情報を読み出し、通信部を介して記録再生装置に送信する制御部と、を備え、
前記情報は、磁気記録媒体の長手方向にかかるテンションを調整するための調整情報を含む
テープカートリッジ。
【符号の説明】
【0230】
１０ 磁気記録媒体
１１ 基体（ベース層）
１２ 下地層
１３ 磁性層
１４ バック層
１１ 基体（ベース層）
１２ 下地層
１３ 磁性層
１４ バック層
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
