特許 7376215 シリコンインゴット切断廃棄物をリサイクルするための処理方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2023-10-30

(45)【発行日】2023-11-08

(54)【発明の名称】シリコンインゴット切断廃棄物をリサイクルするための処理方法

(51)【国際特許分類】

   C01B 33/037 20060101AFI20231031BHJP

   B09B 3/00 20220101ALI20231031BHJP

   B09B 3/70 20220101ALI20231031BHJP

【ＦＩ】

C01B33/037

B09B3/00 ZAB

B09B3/70

【請求項の数】 12

(21)【出願番号】P 2020569750

(86)(22)【出願日】2019-06-13

(65)【公表番号】

(43)【公表日】2021-10-11

(86)【国際出願番号】 FR2019051422

(87)【国際公開番号】W WO2019239067

(87)【国際公開日】2019-12-19

【審査請求日】2022-04-06

(31)【優先権主張番号】1855202

(32)【優先日】2018-06-14

(33)【優先権主張国・地域又は機関】FR

(73)【特許権者】

【識別番号】520223860

【氏名又は名称】ロシ

【氏名又は名称原語表記】ＲＯＳＩ

(74)【代理人】

【識別番号】100107456

【弁理士】

【氏名又は名称】池田 成人

(74)【代理人】

【識別番号】100162352

【弁理士】

【氏名又は名称】酒巻 順一郎

(74)【代理人】

【識別番号】100123995

【弁理士】

【氏名又は名称】野田 雅一

(72)【発明者】

【氏名】ルオ， ユン

【審査官】磯部 香

(56)【参考文献】

【文献】特表２０１１－５２７２７９（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第２００９／０８１７２５（ＷＯ，Ａ１）

【文献】米国特許出願公開第２０１１／００８１２８９（ＵＳ，Ａ１）

【文献】特開２０１５－１９９６１９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１３－１８９３１８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開平０５－０３３０７０（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第２０１６／１７１０１８（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特表２０１２－５１４３４９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１４－０１９６０３（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｃ０１Ｂ ３３／０３７

Ｂ０９Ｂ ３／００

Ｂ０９Ｂ ３／７０

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

ダイヤモンドワイヤによる研磨剤を使わないインゴットの切断から生じた廃棄物に含有されるシリコン微粒子を精製するための処理方法であって、
ａ）前記シリコン微粒子と、有機種と、金属混入物とを含む水性混合物によって形成された、前記廃棄物から生じた汚染スラリーを用意するステップと；
ｂ）前記汚染スラリーに過酸化水素水溶液を加えて、前記汚染スラリーと、過酸化水素と、水とのみからなる第１混合物を形成し、及び、前記第１混合物を撹拌するステップと；
ｃ）前記第１混合物の固体／液体分離を実施して、一方で第１精製スラリーを、他方で有機種と金属混入物とが富化された第１液体を得るステップと
を含む、方法。

【請求項2】

ステップａ）において、前記汚染スラリーが、沈殿、遠心分離、サイクロン分離又はろ過から選択される固体／液体分離技術によって前記廃棄物から得られ、前記汚染スラリーが、重量パーセントで５０％±１０％の固形物と５０％±１０％の液状物とを含有する、請求項１に記載の方法。

【請求項3】

ステップｂ）において、前記過酸化水素水溶液が、１％～３５％の間の質量濃度を有する、請求項１又は２に記載の方法。

【請求項4】

ステップｂ）は、前記第１混合物が重量パーセントで５～１０％の間の固形物を含むように、純水を前記第１混合物に加えるステップを含む、請求項１～３のいずれか一項に記載の方法。

【請求項5】

ステップｂ）が、１０分～５時間の範囲の期間において、２０℃～９５℃の間の温度で実施される、請求項１～４のいずれか一項に記載の方法。

【請求項6】

ステップｃ）の前記固体／液体分離が、ろ過、沈殿、遠心分離又はサイクロン分離から選択される技術によって実施され、前記第１精製スラリーが、重量パーセントで、少なくとも４０％の固形物を含む、請求項１～５のいずれか一項に記載の方法。

【請求項7】

ステップｃ）の後に、ステップｃ’）を含み、ステップｃ’）中に、
前記第１精製スラリーに純水を加えて第２混合物を形成すること、
前記第２混合物の固体／液体分離を実施して、一方で第２精製スラリーを、他方で有機種と金属混入物とを含有する第２液体を得ること
が実施される、請求項１～６のいずれか一項に記載の方法。

【請求項8】

ステップｃ’）が１～５回繰り返される、請求項７に記載の方法。

【請求項9】

ステップｃ）の後に、ステップｃ’’）を含み、ステップｃ’’）中に、
前記第１精製スラリーを用意し、ろ過ケーキの形態で維持すること、
重量パーセントで０．１％～１％の間の希釈フッ化水素酸溶液を、前記ろ過ケーキを通して循環させること；
前記ろ過ケーキを通して純水を循環させて、前記ケーキのすすぎ処理及びフッ化水素酸の排除を可能にすること；
第３精製スラリーを得ること
が実施される、請求項１～６のいずれか一項に記載の方法。

【請求項10】

ｄ）不活性雰囲気下において前記第１精製スラリーを乾燥させて、精製されたシリコン微粒子を得るステップを含む、請求項１～６のいずれか一項に記載の方法。

【請求項11】

ｄ）不活性雰囲気下において前記第２精製スラリーを乾燥させて、精製されたシリコン微粒子を得るステップを含む、請求項７又は８に記載の方法。

【請求項12】

ｄ）不活性雰囲気下において前記第３精製スラリーを乾燥させて、精製されたシリコン微粒子を得るステップを含む、請求項９に記載の方法。

【発明の詳細な説明】

【発明の詳細な説明】

【0001】

［発明の分野］
本発明は、太陽電池産業のためのシリコン生産ラインに関する。本発明は、特に、シリコンインゴットの切断から生じる廃棄物（「カーフ（ｋｅｒｆ）」）をリサイクルするための処理方法に関する。

【0002】

［発明の技術背景］
今日、半導体又は太陽電池産業向けのシリコンウェハは、本質的にダイヤモンドワイヤ切断法を使用して、シリコンインゴットから作製される。これらの方法は、徐々に、スラリーソーイング法に取って代わったが、その理由は、それらが、より低い生産コストでより良好な品質のウェハを提供するためである。

【0003】

ダイヤモンドワイヤの幅は、切断されるウェハの厚さと同じ桁であるが、それでも、これらのソーイング法は、インゴットの総質量の最大で４０～５０％のかなりの量のシリコン廃棄物を生じる。この廃棄物は、液体添加物、金属混入物（ｍｅｔａｌ ｃｏｎｔａｍｉｎａｎｔ）、及び有機種若しくは無機種の混ざった、非常に微細な粉末（表面が酸化されたシリコン微粒子）の形態を取る。

【0004】

この混合物から適切に抽出され精製されたシリコン粉末は、太陽電池、エネルギー貯蔵、セラミック合成などの様々な産業における再使用にとって、非常に価値があり得る。このシリコン粉末の効率的な精製は、特に、以下の３つの目標を満たさなければならない。

【0005】

有機種の減少：
これらの種は、ソーイング法において使用される有機（液体）添加剤に由来するか、又は、例えば、ダイヤモンドワイヤ若しくはソー（ｓａｗ）に含有される高分子化合物に由来する。シリコン粉末中における有機種の残留物の存在は、それらの再使用の可能性を低下させ、実際に、ほとんどの場合において、シリコンは、高温処理を受けなければならず、その際に、有機種は、ＳｉＣ粒子を生じる傾向を有し、それは、大半の用途にとって好ましくない。

【0006】

金属混入物の減少：
これらの混入物は、主に金属性のダイヤモンドワイヤに由来する。それらは、イオン形態、原子形態、微粒子という様々な形態で存在し得、また、混合物中に分散されているか又はシリコン微粒子の表面に結合して認められる。シリコン粉末中の金属混入物の残留物の存在は、開発されたデバイス、特に半導体及び太陽電池用途において、性能に悪影響を及ぼす。

【0007】

酸化ケイ素の減少：
シリコン微粒子の表面は、場合によってその再使用を妨げ得る酸化ケイ素の層を含む。

【0008】

切断廃棄物（「カーフ」）から得られたシリコン微粒子を抽出及び精製するためのいくつかの方法が、現状技術水準において提案されており、特に、文献国際公開第２０１２１２５９４２号、国際公開第２０１０００３４５６号、中国特許出願公開第１０３３７３７３１号に記載されている。

【0009】

文献国際公開第２０１０１２５９４２号では、有機種を除去するためにオゾンを、金属混入物を溶解させるために塩化水素酸を、及び酸化ケイ素層を除去するためにフッ化水素酸を使用する方法が提案されている。この方法の主な欠点は、水に対するその低溶解度に起因するオゾンの限定的な効率及び濃酸の使用に存する。

【0010】

さらに、文献国際公開第２０１０００３４５６号は、環境を汚染し高プロセスコストの原因となる傾向のある濃酸も使用する。

【0011】

文献中国特許出願公開第１０３３７３７３１号では、強酸化剤によるシリコン粉末の酸化と、その後の有機溶媒による酸化粉末の抽出とに基づく方法が提案されている。この方法の欠点は、環境を汚染する化学物質、例えば、有機溶媒及びシリコン粉末を脱酸素するための酸の使用に存する。方法中のシリコンの一部の損失（その酸化に起因する）も著しい。

【0012】

他の方法は、シリコンを清浄化するために慣習的に実践される方法（ＲＣＡクリーン）に従って、強塩基及び強酸による一連の連続処理を提示している。残念ながら、シリコンウェハに対して非常に効果的であるこれらの清浄化方法は、混合水性混合物中に分散されたシリコン微粒子の場合に必要とされる精製のレベルを達成することを可能にしない。

【0013】

［発明の主題］
本発明は、先述の欠点の全て又はいくつかを克服することを目指すものである。本発明は、研磨剤を用いずに、ダイヤモンドワイヤでソーイングすることによるシリコンインゴット切断廃棄物（「カーフ」）をリサイクルするための処理方法に関する。

【0014】

［発明の簡単な説明］
本発明は、研磨剤を用いずに、ダイヤモンドワイヤによるインゴットの切断から生じた廃棄物に含有されるシリコン微粒子を精製する処理方法であって、
ａ）シリコン微粒子と、有機種と、金属混入物とを含む水性混合物によって形成された、前記廃棄物から得られる汚染スラリー（ｃｏｎｔａｍｉｎａｔｅｄ ｓｌｕｒｒｙ）を用意するステップと；
ｂ）汚染スラリーに希釈過酸化水素溶液を加えて、汚染スラリーと、過酸化水素と、水とからなる第１混合物を形成し、第１混合物を撹拌するステップと；
ｃ）第１混合物の固体／液体分離を実施して、一方で第１精製スラリーを、他方で有機種と金属混入物とが富化された第１液体を得るステップと
を含む方法に関する。

【0015】

本発明の他の有利な非限定的特徴によれば、以下の事項が、単独で、又は任意の技術的に実現可能な組合せで採用される。

【0016】

・ステップａ）において、沈殿、遠心分離、サイクロン分離又はろ過から選択される固体／液体分離技術によって、廃棄物から汚染スラリーが得られ、汚染スラリーが、重量パーセントで約５０％の固形物と約５０％の液状物とを含有する。

【0017】

・ステップｂ）において、希釈過酸化水素溶液は、１％～３５％の間の質量濃度を有する。

【0018】

・ステップｂ）は、前記第１混合物が重量パーセントで５～１０％の間の固形物を含むように純水を第１混合物に加えることを含む。

【0019】

・ステップｂ）は、１０分～５時間の範囲の期間において、２０℃～９５℃の間の温度で実施される。

【0020】

・ステップｃ）の固体／液体分離は、ろ過、沈殿、遠心分離、又はサイクロン分離から選択される技術によって実施され、第１精製スラリーは、重量パーセントで、少なくとも４０％の固形物を含む。

【0021】

・処理方法は、ステップｃ）の後に、ステップｃ’）を含み、ステップｃ’）中に以下を実施する。
○第１精製スラリーに純水を加えて第２混合物を形成すること、
○第２混合物の固体／液体分離を実施して、一方で第２精製スラリーを、他方で有機種と金属混入物とを含有する第２液体を得ること。

【0022】

・撹拌ステップが、第２混合物に対して適用される。

【0023】

・ステップｃ’）が１～５回繰り返される。

【0024】

・処理方法は、ステップｃ）の後に、ステップｃ’’）を含み、ステップｃ’’）中に以下を実施する。
○第１精製スラリーを用意し、ろ過ケーキの形態で維持すること、
○重量パーセントで０．１％～１％の間の希釈フッ化水素酸溶液を、ろ過ケーキを通して循環させること、
○ろ過ケーキを通して純水を循環させることにより、前記ケーキのすすぎ処理及びフッ化水素酸の排除を可能にすること、
○第３精製スラリーを得ること。、

【0025】

・処理方法は、ステップｃ’）の後に、ステップｃ’’）を含み、ステップｃ’’）中に以下を実施する。
○第２精製スラリーを用意し、ろ過ケーキの形態で維持すること、
○重量パーセントで０．１％～１％の間の希釈フッ化水素酸溶液を、ろ過ケーキを通して循環させること、
○ろ過ケーキを通して純水を循環させて、前記ケーキのすすぎ処理及びフッ化水素酸の排除を可能にすること、
○第３精製スラリーを得ること。

【0026】

・処理方法は、ｄ）不活性雰囲気下において精製スラリーを乾燥させて、精製されたシリコン微粒子を得るステップを含む。

【図面の簡単な説明】

【0027】

本発明の他の特徴及び利点は、添付の図面を参照する以下の詳細な説明から明らかとなる。

【図1】図１は、本発明による処理方法のステップを示す。

【図2】図２ａ、２ｂ、及び、２ｃは、本発明による、シリコン微粒子の精製のための処理方法の説明図を提示する。

【図3】図３ａ、３ｂ、３ｃ、及び、３ｄは、本発明による処理方法の一連のステップ中のろ過ケーキの断面図を示す。

【0028】

［発明の詳細な説明］
本発明は、研磨剤を用いない、ダイヤモンドワイヤによるインゴットの切断から生じた廃棄物中に含有されるシリコン微粒子を精製するための処理方法に関する（図１）。先に述べたように、この廃棄物中のシリコンは、液体添加物、金属混入物、及び有機種又は無機種が混ざった、非常に微細な粉末の形態（表面が少なくとも部分的に酸化されているシリコン微粒子）を取る。この廃棄物は、液状物を本質的に含有し、シリコン（固形物の大部分を構成する）の重量パーセントは、２％～５％の間である。

【0029】

本発明による処理方法は、水性混合物中における、シリコン微粒子と、有機種と、金属混入物とによって形成された、ソーイング廃棄物から得られる汚染スラリーを用意することで構成されるステップａ）を含む。概して、シリコン微粒子は、約１０ｎｍ～５マイクロメートルの間の、典型的には１ミクロンを中央とする、粒度分布を有する。

【0030】

本開示のこれ以降において、本発明者らは、用語「スラリー」を、水性溶液中に混合された、４０％超（重量パーセント）の固形物（主にシリコン微粒子からなる）を含む物質を特定するために使用する。本開示におけるスラリーに関する全ての割合は、重量パーセントで与えられる。

【0031】

有利には、ステップａ）において、汚染スラリーは、およそ５０％の固形物とおよそ５０％の液状物とを含む。ここで、用語「およそ」は、重量パーセントの値が、±１０％（絶対値：つまり、およそ５０％の重量パーセントは、４０％～６０％の間で変わり得る）、又はさらには±５％（絶対値）であることを意味する。汚染スラリーは、ろ過（例えば、吸引ろ過）若しくは接線ろ過、沈殿、遠心分離又はサイクロン分離から選択される固体／液体分離の公知の方法によって、切断廃棄物（本質的に液状物で構成され、シリコンの重量パーセントは２％～５％の間である）から得ることができる。したがって、得られた汚染スラリーは、４０％超の固形物（重量パーセント）を有する。

【0032】

次いで、本発明による処理方法は、希釈過酸化水素溶液（Ｈ_２Ｏ_２）が汚染スラリーに加えられ、その結果、第１混合物を形成する、ステップｂ）を含む。「希釈溶液」は、過酸化水素と水とからなる溶液を意味する。希釈過酸化水素溶液は、１％～３５％の間の過酸化水素の質量濃度を有し得、残りのパーセントは水である。第１混合物を形成するために他の酸性又は塩基性物質は加えてられていないことに留意されたい。したがって、第１混合物は、汚染スラリー、過酸化水素及び水からなる。

【0033】

第１混合物中における希釈溶液及び汚染スラリーのそれぞれの割合は、Ｈ_２Ｏ_２濃度に依存することになる。一例として、Ｈ_２Ｏ_２濃度３５％の場合、第１混合物は、好ましくは、汚染スラリーの体積に対して同体積の希釈Ｈ_２Ｏ_２を含み、Ｈ_２Ｏ_２濃度１０％の場合、第１混合物は、好ましくは、汚染スラリーの１体積量に対して３体積量の希釈溶液を含む。

【0034】

ステップｂ）は、シリコンの微粒子１と他の有機種３又は金属混入物４の間において希釈Ｈ_２Ｏ_２溶液の分布を均一にするために、この第１混合物を撹拌するステップも含む。

【0035】

汚染スラリーから得られるシリコン微粒子１は、その表面上に、主に、酸化ケイ素の層２を含み、その上、それらは、有機種３の長鎖によって形成された層によって完全に又は部分的に「覆われている」（図２ａ）。過酸化水素は、有機種３の酸化反応によって、有機長鎖３のセグメント化を引き起こし、それは、シリコン微粒子１の表面からの有機長鎖３の脱離を促進する。結果として、有機層３を介してシリコン微粒子１に結合していた金属混入物４も、脱離されることになる（図２ｂ）。この酸化反応は、ガス形態の二酸化炭素（ＣＯ_２）も生じることに留意されたい。

【0036】

有利には、第１混合物は、およそ５％～１０％の固形物と残りのパーセントの液状物（重量パーセント）を含み、この液体の濃度は、第１混合物中でのシリコン微粒子１及び他の有機種３又は金属混入物４の懸濁を促進する。用語「およそ」は、先に述べられた通りに定義されることに留意されたい。

【0037】

第１混合物のそのような濃度は、低濃度のＨ_２Ｏ_２の溶液が汚染スラリーと混合される場合に、直接的に実現される。より高いＨ_２Ｏ_２濃度（例えば、１０～３５％の間）を有する溶液の場合、加えられる希釈Ｈ_２Ｏ_２溶液の体積は、第１混合物における固形物の５％～１０％に達するには十分ではなく、前記第１混合物における所望の濃度を達成するために、純水が加えられる。「純水」は、脱イオン水又は超純水を意味し、それぞれ、数百ｋΩ・ｃｍの抵抗率及び１８．２ＭΩ・ｃｍ超の抵抗率を有する。

【0038】

次いで、第１混合物の撹拌は、第１混合物中に懸濁しているシリコン微粒子１及び他の有機種３又は金属混入物４の分布を均一にすることを可能にし、撹拌は、有機鎖３をセグメント化する酸化反応の効率を増加させることも可能にする。

【0039】

ステップｂ）は、１０分～５時間の範囲の期間において、２０℃～９５℃の間の温度で実施することができる。

【0040】

ステップｂ）の終了時に、第１水性混合物は、均一な懸濁液中に粒子を含み、これは、シリコン微粒子１と、主にセグメント化された鎖の形態の有機種３と、金属混入物４とを含む。

【0041】

次いで、本発明による処理方法は、第１混合物の固体／液体分離を実践して、一方で第１精製スラリーを、他方で有機種及び金属混入物の富化された第１液体を得るステップｃ）を含む。第１精製スラリーは、少なくとも４０％の固形物で構成される（図２ｃ）。第１液体は、排出され、液体排出物として処理することができる。

【0042】

有機鎖のセグメント化により、有機層の断片が、シリコン微粒子から脱離され（ステップｂ））、ステップｃ）において、それらの小さくなったサイズ及び／又はそれらの水への溶解により、液体部分（第１液体）と共に排出され、結果として、固体材料（第１精製スラリー）から分離される。

【0043】

本出願人は、固体／液体分離のためのステップｃ）の後に、汚染スラリー中に最初に存在していた有機種の少なくとも９０％が第１液体へと排出されることを観察することができた。汚染スラリー中に約１％～３％（重量パーセント）で最初に存在していた金属混入物（全てまとめて）も、特に有機種とのそれらの初期結合により、このステップｃ）の後に著しく減少する。

【0044】

ステップｃ）の固体／液体分離技術は、沈殿、遠心分離、サイクロン分離、ろ過、又は他の好適な既知の技術から選択することができる。

【0045】

有利には、処理方法は、すすぎ処理ステップｃ’）を含み、ステップｃ’）中に、第２混合物を形成するために、純水が第１精製スラリーに加えられる（図１）。第２混合物は、好ましくは、第１スラリーの１体積量に対して少なくとも１０体積量の水を含む。第２混合物を均一にするために、撹拌が行われる。

【0046】

次いで、ステップｃ’）は、一方で第２精製スラリーを、他方で残留する有機種及び金属混入物を含有する第２液体を得るための、第２混合物の固体／液体分離を含む。第２精製スラリーは、少なくとも４０％の固形物で構成される。第１液体と同様に、第２液体は、排出し、液体排出物として処理することができる。

【0047】

この第２精製スラリーは、第１スラリーと比較してさらなる時間、すすぎ処理される。したがって、第２精製スラリーは、より高いレベルの純度を有し、汚染スラリー中に最初に存在していた有機種の少なくとも９５％は、このステップｃ’）の後に排除される。金属混入物のレベルも、このステップｃ’）の後に改善される。

【0048】

有利には、ステップｃ’）は、最適なレベルの純度（典型的には、初期汚染スラリーと比較して少なくとも１００倍の、有機種及び金属混入物の減少）を達成するために、１～５回繰り返され、その一方で、（ステップｃ’）の繰り返しによって発生する）コストは妥当に保たれる。

【0049】

本発明による処理方法は、有利には、精製されたシリコン微粒子を得るために、精製されたスラリー（第１及び第２）を不活性雰囲気下において乾燥させるステップｄ）を含む。

【0050】

好ましくは、乾燥ステップは、真空下、５０℃～８０℃の間の温度において、撹拌しながら実施される。例えば、機械式撹拌機を取り付けられたフィルター乾燥タイプの設備を使用することができる。

【0051】

処理方法の終了時に、シリコン微粒子の非常に良好なレベルの精製（有機及び金属）、典型的には：
０．３％（重量ベース）未満の炭素；
１００ｐｐｍ（重量ベース）未満の金属混入物（全てまとめて）
が達成される。

【0052】

そしてこれは、非常に汚染性の製品、例えば、現状技術水準の方法において使用される塩基及び濃酸などを使用しない。

【0053】

それでもなお、シリコン微粒子は、それらの表面上に酸化物層を保持する。

【0054】

１つの変形例によれば、本発明による処理方法は、シリコン微粒子上に存在する酸化物の全て又は一部を除去することを意図するステップｃ’’）を含む。ステップｃ’’）は、ステップｃ）の後、又はステップｃ’）の後に実施することができる（図１）。

【0055】

ステップｃ’’）は、まず、ろ過ケーキ１０の形態に維持された第１精製スラリー１１（又は第２精製スラリー１２）を用意することを含む（図３ａ）。ろ過ケーキ１０は、特に、加圧下でのろ過後に得ることができ（「フィルタープレスケーキ」）、したがって、第１精製スラリー１１（又は第２精製スラリー１２）は、ケーキ１０の形態を想定した２つの多孔質膜２０の間において加圧状態に維持される。

【0056】

次いで、ステップｃ’’）は、０．１％～１％（重量パーセント）の希釈フッ化水素酸（ＨＦ）溶液３０を、ろ過ケーキ１０を通して循環させることを含む（図３ｂ）。したがって、ＨＦ溶液３０は、ケーキ１０のシリコン微粒子と接触し、それらを囲む酸化物層を、全て２つの膜２０の間のその経路に沿って、侵食することになる。一例として、ケーキ１０の１体積量に対して、２体積量の０．５％ＨＦ溶液３０が循環される。より低いＨＦ濃度の場合、ケーキ１０を通過させるために、より多い体積量の溶液３０が使用されることになる。

【0057】

次いで、ステップｃ’’）は、ろ過ケーキ１０を通して純水４０を循環させ、前記ケーキ１０のすすぎ処理及びフッ化水素酸の排除を可能にすることを含む（図３ｃ）。実際に、純水４０は、ＨＦ溶液３０とおおむね同じ経路及び隙間を採用することによってケーキ１０を通って循環することになり、結果として、前記ケーキ１０の効果的なすすぎ処理を確実とする。例えば、ケーキ１体積量に対して、１０体積量の純水４０が、ケーキ１０を通して循環される。吐水口膜でのｐＨ測定は、すすぎ処理の有効性をチェックすることを可能にし、完全なすすぎ処理のために、７のｐＨ値が目標とされる。

【0058】

ステップｃ’’）は、４０％超の固形物で構成される第３精製スラリー１３を得ることで終了する（図３ｄ）。第３精製スラリー１３は、表面酸化物層を主に欠いたシリコン微粒子で形成される。

【0059】

この変形例によれば、処理方法は、有利には、第３精製スラリーを不活性雰囲気下において乾燥させて、精製されたシリコン微粒子上に酸化層が形成されるのを防ぐ乾燥ステップｄ）を含む。

【0060】

乾燥シリコン粉末を不活性非酸化雰囲気下に維持するために、このステップの後にコンディショニングも実施される。

【0061】

この変形例による処理方法の終了時に、低い酸化ケイ素含有量の精製されたシリコン微粒子が得られ、それらは、以下の特徴を有し得る：
１％（重量ベース）未満の酸素、
０．３％（重量ベース）未満の炭素、
５０ｐｐｍ（重量ベース）未満の金属混入物（全てまとめて）；酸化物を除去するためのステップｃ’’）は、金属混入物のレベルを下げることを可能にするが、その理由は、後者が、多くの場合、シリコン微粒子を覆う表面酸化物中に統合されているため、この層を排除することは、金属粒子の排除に助力するためであることに留意されたい。

【0062】

そのような特徴は、シリコン粉末を、大半の用途、特に太陽電池産業、に適合させる。

【0063】

本発明による処理方法は、ソーイング廃棄物中に微粒子の形態で含有されるシリコンの９５％超のリサイクルを可能にする。

【0064】

当然のことながら、本発明は、説明した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって定義される本発明の範囲から逸脱することなく、変更を加えることが可能である。

【図1】

【図2】

【図3】