特許7376369IP Force 特許公報全文掲載

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半導体素子の機能、または、半導体素子内の被検出物を検査する半導体素子の検査装置、及び半導体素子の機能、または、半導体素子内の被検出物を検査する半導体素子の検査方法

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明は状況に鑑みてなされたもので、半導体素子の中の被検出物の状態を３次元 的に検出することができる半導体素子の検査装置を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

目的を達成するための請求項１に係る本発明の半導体素子の検査装置は、レーザ光を集光して試料である半導体素子に照射するレーザ光照射手段と、前記試料に電圧を印加する電圧印加手段と、前記電圧印加手段で電圧が印加され、前記レーザ光照射手段でレーザ光が照射された前記試料の光起電流を検出する電気信号検出手段と、前記レーザ光照射手段でレーザ光が照射された前記試料からの発光を検出する光検出手段と、前記レー・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の半導体素子の検査装置は、試料である半導体素子の中の被検出物の状態を３次元的に検出することが可能になる。具体的には、半導体素子の中の空乏層の振る舞いを３次元的に可視化することが可能になり、更に、半導体素子の中に存在する被検出物の３次元形状、及び、導電性を認識することが可能になる。

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 本発明の一実施例に係る半導体素子の検査方法を実施するための半導体素子の検査装置（半導体素子の空乏層の可視化と空乏層内の結晶欠陥の検出、及び、その電気的性質の識別を行う装置）の概念図である。
【図2】 本発明の一実施例に係る半導体素子の検査装置（半導体素子の空乏層の可視化と空乏層内の結晶欠陥の検出、及び、その電気的性質の識別を行う装置）の制御ブロックの概念図である。
【図3】 空乏層を有する半導体素子の外観図である。
【図4】 半導体素子に対するレーザ光の照射状況を説明する概念図である。
【図5】 複数のＺ軸位置でのＸＹ平面の状況を説明する試料（半導体素子）の概念図である。
【図6】 複数のＺ軸位置毎でのＸＹ平面の状況を説明する試料（半導体素子）の平面図である。
【図7】 結晶欠陥を有する半導体素子の外観図である。
【図8】 半導体素子に対するレーザ光の照射状況を説明する概念図である。
【図9】 複数のＺ軸位置でのＸＹ平面の状況を説明する試料（半導体素子）の概念図である。
【図10】 複数のＺ軸位置毎でのＸＹ平面の状況を説明する試料（半導体素子）の平面図である。

代表図 図1本件の代表的な図

１ 検査装置 ２ 半導体素子 ３ レーザ光照射手段 ４ テーブル ５ 対物レンズ ７ 分光ミラー ８ フィルター ９ 集光レンズ １０ 検出器 １１ ヘッド部 １２ ＸＹ軸走査手段 １３ Ｚ軸調整手段 １４ 電圧源 １５ 電流計 １６ 制御手段 １７ 表示手段 ２０ 半導体 ２１ ＸＹ軸制御機能 ２２ Ｚ軸制御機能 ２３ ＸＹ平面記憶機能 ３１ 空乏層

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