特許 7377026 基板処理方法および基板処理装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2023-10-31

(45)【発行日】2023-11-09

(54)【発明の名称】基板処理方法および基板処理装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/304 20060101AFI20231101BHJP

   H01L 21/027 20060101ALI20231101BHJP

   B08B 3/10 20060101ALI20231101BHJP

【ＦＩ】

H01L21/304 648G

H01L21/304 647Z

H01L21/304 643A

H01L21/30 572B

B08B3/10 Z

【請求項の数】 16

(21)【出願番号】P 2019156360

(22)【出願日】2019-08-29

(65)【公開番号】P2021034672

(43)【公開日】2021-03-01

【審査請求日】2022-06-17

(73)【特許権者】

【識別番号】000207551

【氏名又は名称】株式会社ＳＣＲＥＥＮホールディングス

(74)【代理人】

【識別番号】100088672

【弁理士】

【氏名又は名称】吉竹 英俊

(74)【代理人】

【識別番号】100088845

【弁理士】

【氏名又は名称】有田 貴弘

(72)【発明者】

【氏名】鰍場 真樹

(72)【発明者】

【氏名】村元 僚

(72)【発明者】

【氏名】宗徳 皓太

(72)【発明者】

【氏名】難波 敏光

(72)【発明者】

【氏名】吉原 直彦

【審査官】植木 隆和

(56)【参考文献】

【文献】特開２００１－０７７０６９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００２－２６１０６８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００６－０９３４７３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００６－３０３１４３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１７－１７５０４１（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２１／０２７

Ｇ０３Ｆ ７／４２

Ｈ０１Ｌ ２１／３０４

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１の面と前記第１の面と反対の第２の面とを有する基板を保持する工程と、
前記基板の前記第２の面上に、加圧されているオゾン水を配置する工程と、
前記基板の処理のためのユースポイントで前記オゾン水を加熱する工程と、
前記基板の前記第２の面の少なくとも一部に間隔を空けて対向する対向面を有する圧力保持部を配置する工程と、
を備え、
前記オゾン水を配置する工程は、前記基板の前記第２の面の少なくとも一部と前記圧力保持部の前記対向面との間に前記オゾン水を供給する工程を含み、
前記圧力保持部は、
前記基板の前記第２の面に間隔を空けて対向する主部と、
前記主部の縁に配置され、前記主部から前記基板の前記第２の面へ向かって延び、前記基板の前記第２の面に対向するウイング部と、
を含む、基板処理方法。

【請求項2】

前記ウイング部は、前記基板の前記第２の面にギャップ長ＨＧを空けて対向しており、かつ内周長ＬＩの筒形状を有しており、
前記圧力保持部は、前記基板の前記第２の面と前記主部との間へ前記オゾン水を供給し断面積ＳＣを有する供給部を含み、
ＳＣ ＞ ＬＩ・ＨＧ
が満たされている、請求項１に記載の基板処理方法。

【請求項3】

前記圧力保持部は、前記オゾン水を受け入れるための複数の導入路を有しており、
前記オゾン水を配置する工程は、前記圧力保持部の前記複数の導入路へ前記オゾン水を導入する工程を含む、請求項１または２に記載の基板処理方法。

【請求項4】

第１の面と前記第１の面と反対の第２の面とを有する基板を保持する工程と、
前記基板の前記第２の面上に、加圧されているオゾン水を配置する工程と、
前記基板の処理のためのユースポイントで前記オゾン水を加熱する工程と、
前記基板の前記第２の面の少なくとも一部に間隔を空けて対向する対向面を有する圧力保持部を配置する工程と、
を備え、
前記オゾン水を配置する工程は、前記基板の前記第２の面の少なくとも一部と前記圧力保持部の前記対向面との間に前記オゾン水を供給する工程を含み、
前記圧力保持部は、前記オゾン水を受け入れるための複数の導入路を有しており、
前記オゾン水を配置する工程は、前記圧力保持部の前記複数の導入路へ前記オゾン水を導入する工程を含む、基板処理方法。

【請求項5】

前記オゾン水を加熱する工程は、
前記基板を加熱する工程と、
前記基板からの熱を前記オゾン水へ伝導させる工程と、
を含む、請求項１から４のいずれか１項に記載の基板処理方法。

【請求項6】

前記基板を加熱する工程は、前記基板を前記第２の面から加熱する工程を含む、請求項５に記載の基板処理方法。

【請求項7】

前記基板を加熱する工程は、前記基板を前記第１の面から加熱する工程を含む、請求項５に記載の基板処理方法。

【請求項8】

前記オゾン水を加熱する工程は、第１の温度を有する前記オゾン水に、前記第１の温度よりも高い第２の温度を有する温水を混合する工程を含む、請求項１から４のいずれか１項に記載の基板処理方法。

【請求項9】

前記圧力保持部は、前記オゾン水を通すためのオゾン水経路と、前記温水を通すための温水経路とを有しており、前記オゾン水経路は前記圧力保持部内で前記温水経路に合流しており、前記オゾン水経路の断面積は、前記温水経路から離れた部分に比して、前記温水経路につながる部分において小さい、請求項８に記載の基板処理方法。

【請求項10】

前記オゾン水を配置する工程は、前記基板の前記第２の面上に配置された前記オゾン水の圧力を制御する工程を含む、請求項１から９のいずれか１項に記載の基板処理方法。

【請求項11】

前記圧力保持部の前記複数の導入路へ前記オゾン水を導入する工程は、前記複数の導入路の各々の断面積よりも大きな断面積を有する配管から前記複数の導入路へ前記オゾン水を分岐させる工程を含む、請求項１０に記載の基板処理方法。

【請求項12】

第１の面と前記第１の面と反対の第２の面とを有する基板を保持する工程と、
前記基板の前記第２の面上に、加圧されているオゾン水を配置する工程と、
を備え、前記オゾン水を配置する工程は、前記基板の前記第２の面上に配置された前記オゾン水の圧力を制御する工程を含み、
前記基板の前記第２の面の少なくとも一部に間隔を空けて対向する対向面を有する圧力保持部を配置する工程をさらに備え、
前記オゾン水を配置する工程は、前記基板の前記第２の面の少なくとも一部と前記圧力保持部の前記対向面との間に前記オゾン水を供給する工程を含み、
前記圧力保持部は、
前記基板の前記第２の面に間隔を空けて対向する主部と、
前記主部の縁に配置され、前記主部から前記基板の前記第２の面へ向かって延び、前記基板の前記第２の面に対向するウイング部と、
を含む、基板処理方法。

【請求項13】

第１の面と前記第１の面と反対の第２の面とを有する基板を保持する工程と、
前記基板の前記第２の面上に、加圧されているオゾン水を配置する工程と、
を備え、前記オゾン水を配置する工程は、前記基板の前記第２の面上に配置された前記オゾン水の圧力を制御する工程を含み、
前記基板の前記第２の面の少なくとも一部に間隔を空けて対向する対向面を有する圧力保持部を配置する工程をさらに備え、
前記オゾン水を配置する工程は、前記基板の前記第２の面の少なくとも一部と前記圧力保持部の前記対向面との間に前記オゾン水を供給する工程を含み、
前記圧力保持部は、前記オゾン水を受け入れるための複数の導入路を有しており、
前記オゾン水を配置する工程は、前記圧力保持部の前記複数の導入路へ前記オゾン水を導入する工程を含む、基板処理方法。

【請求項14】

第１の面と前記第１の面と反対の第２の面とを有する基板を処理するための基板処理装置であって、
前記基板を保持する基板保持部と、
前記基板の前記第２の面上に、加圧されているオゾン水を配置する圧力保持部と、
前記加圧されているオゾン水の圧力を制御する圧力制御部と、
を備え、
前記圧力保持部は、前記基板の前記第２の面の少なくとも一部に間隔を空けて対向する対向面を有しており、前記基板の前記第２の面の少なくとも一部と前記圧力保持部の前記対向面との間に前記オゾン水が供給され、
前記圧力保持部は、
前記基板の前記第２の面に間隔を空けて対向する主部と、
前記主部の縁に配置され、前記主部から前記基板の前記第２の面へ向かって延び、前記基板の前記第２の面に対向するウイング部と、
を含む、基板処理装置。

【請求項15】

第１の面と前記第１の面と反対の第２の面とを有する基板を処理するための基板処理装置であって、
前記基板を保持する基板保持部と、
前記基板の前記第２の面上に、加圧されているオゾン水を配置する圧力保持部と、
前記加圧されているオゾン水の圧力を制御する圧力制御部と、
を備え、
前記圧力保持部は、前記基板の前記第２の面の少なくとも一部に間隔を空けて対向する対向面を有しており、
前記基板の前記第２の面の少なくとも一部と前記圧力保持部の前記対向面との間に前記オゾン水を供給するために前記オゾン水が導入されるように、前記圧力保持部は、前記オゾン水を受け入れるための複数の導入路を有している、基板処理装置。

【請求項16】

前記基板の処理のためのユースポイントで前記オゾン水を加熱する加熱部をさらに備える、請求項１４または１５に記載の基板処理装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、基板処理方法および基板処理装置に関し、特に、オゾン水を用いた基板処理方法と、そのために用いられる基板処理装置とに関するものである。

【背景技術】

【0002】

ウエハ（基板）上でレジスト膜を用いた工程が行われた後、多くの場合、基板からこのレジスト膜が除去される。特に、イオン注入工程用の注入マスクとして用いられたレジスト膜は除去されにくいことから、一般に、強い作用を有する洗浄液が用いられる。強い作用を有する洗浄液としては、硫酸・過酸化水素水・混合液（sulfuric acid／hydrogen peroxide mixture：ＳＰＭ）が、従来から広く知られている。しかしながら、廃液処理の負担が大きいことなどから、近年、ＳＰＭを用いない基板処理方法が求められている。

【0003】

特開２００８－３１１５９１号公報は、硫酸などの環境負荷の大きい薬剤を使用せずに、基板の表面に残留している残留有機物を、オゾン水中に基板を浸漬させて除去する基板処理方法を開示している。この方法は、基板に付着する残留有機物の除去処理の効率を向上させることを意図している。具体的には、加熱手段において予め加熱されたオゾン水が、密閉された基板処理槽へ供給され、大気圧よりも高い高圧状態とされる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【文献】特開２００８－３１１５９１号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

上記公報に記載の技術によれば、基板処理槽内においてオゾン水が基板に触れる位置が、オゾン水のユースポイント(ＰＯＵ：Point of Use)である。この技術によれば、オゾン水は、ユースポイントに達する前に、加熱手段において予め加熱される。よってオゾン水は、ユースポイントに位置するときだけでなく、加熱手段からユースポイントに達するまでの期間も高温状態にある。本発明者らの検討によれば、この場合、オゾン水がユースポイントに達する前にオゾン水のオゾン濃度が低下しやすい。その結果、オゾンによる処理効果が弱くなってしまう。

【0006】

本発明は以上のような課題を解決するためになされたものであり、その目的は、基板へのオゾンの作用を強めることができる基板処理方法を提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0007】

第１の態様は、基板処理方法であって、第１の面と第１の面と反対の第２の面とを有する基板を保持する工程と、基板の第２の面上に、加圧されているオゾン水を配置する工程と、基板の処理のためのユースポイントでオゾン水を加熱する工程と、を備える。

【0008】

第２の態様は、第１の態様の基板処理方法であって、オゾン水を加熱する工程は、基板を加熱する工程と、基板からの熱をオゾン水へ伝導させる工程と、を含む。

【0009】

第３の態様は、第２の態様の基板処理方法であって、基板を加熱する工程は、基板を第２の面から加熱する工程を含む。

【0010】

第４の態様は、第２の態様の基板処理方法であって、基板を加熱する工程は、基板を第１の面から加熱する工程を含む。

【0011】

第５の態様は、第１の態様の基板処理方法であって、オゾン水を加熱する工程は、第１の温度を有するオゾン水に、第１の温度よりも高い第２の温度を有する温水を混合する工程を含む。

【0012】

第６の態様は、第１から第５の態様の基板処理方法であって、オゾン水を配置する工程は、基板の第２の面上に配置されたオゾン水の圧力を制御する工程を含む。

【0013】

第７の態様は、第１から第６の態様の基板処理方法であって、基板の第２の面の少なくとも一部に間隔を空けて対向する対向面を有する圧力保持部を配置する工程をさらに備え、オゾン水を配置する工程は、基板の第２の面の少なくとも一部と圧力保持部の対向面との間にオゾン水を供給する工程を含む。

【0014】

第８の態様は、第７の態様の基板処理方法であって、圧力保持部は、基板の第２の面に間隔を空けて対向する主部と、主部の縁に配置され、主部から基板の第２の面へ向かって延び、基板の第２の面に対向するウイング部と、を含む。

【0015】

第９の態様は、第８の態様の基板処理方法であって、ウイング部は、基板の第２の面にギャップ長ＨＧを空けて対向しており、かつ内周長ＬＩの筒形状を有しており、圧力保持部は、基板の第２の面と主部との間へオゾン水を供給し断面積ＳＣを有する供給部を含み、ＳＣ＞ＬＩ・ＨＧが満たされている。

【0016】

第１０の態様は、第７から第９の態様の基板処理方法であって、圧力保持部は、オゾン水を受け入れるための複数の導入路を有しており、オゾン水を配置する工程は、圧力保持部の複数の導入路へオゾン水を導入する工程を含む。

【0017】

第１１の態様は、第１０の態様の基板処理方法であって、圧力保持部の複数の導入路へオゾン水を導入する工程は、複数の導入路の各々の断面積よりも大きな断面積を有する配管から複数の導入路へオゾン水を分岐させる工程を含む。

【0018】

第１２の態様は、基板処理方法であって、第１の面と第１の面と反対の第２の面とを有する基板を保持する工程と、基板の第２の面上に、加圧されているオゾン水を配置する工程と、を備える。オゾン水を配置する工程は、基板の第２の面上に配置されたオゾン水の圧力を制御する工程を含む。

【0019】

第１３の態様は、第１の面と第１の面と反対の第２の面とを有する基板を処理するための基板処理装置であって、基板を保持する基板保持部と、基板の第２の面上に、加圧されているオゾン水を配置する圧力保持部と、基板の処理のためのユースポイントでオゾン水を加熱する加熱部と、を備える。

【0020】

第１４の態様は、第１の面と第１の面と反対の第２の面とを有する基板を処理するための基板処理装置であって、基板を保持する基板保持部と、基板の第２の面上に、加圧されているオゾン水を配置する圧力保持部と、加圧されているオゾン水の圧力を制御する圧力制御部と、を備える。

【発明の効果】

【0021】

第１の態様によれば、基板の第２の面上に加圧されているオゾン水を配置することによって、基板の第２の面上に加圧されていないオゾン水を配置する場合に比して、基板の第２の面上でのオゾン水中のオゾン濃度を高く維持しやすくなる。さらに、オゾン水をユースポイントで加熱することによって、オゾン水をユースポイントより前で加熱する場合に比して、オゾン水中のオゾン濃度がユースポイントに至る前に低下してしまうことが避けられる。以上から、基板の第２の面上のユースポイントへ高温かつ高濃度のオゾン水を供することができる。これにより、ユースポイントでのオゾン水の化学反応を促進することができる。よって、基板へのオゾンの作用を強めることができる。

【0022】

第２の態様によれば、オゾン水は、基板からの熱をオゾン水へ伝導させることによって加熱される。これにより、オゾン水をユースポイントで加熱することができる。

【0023】

第３の態様によれば、基板を加熱する工程は、基板を第２の面から加熱する工程を含む。これにより、第１の面および第２の面のうち処理される面である第２の面を優先的に加熱することができる。

【0024】

第４の態様によれば、基板を加熱する工程は、基板を第１の面から加熱する工程を含む。これにより、加熱の悪影響が第２の面上に及びにくくなる。

【0025】

第５の態様によれば、オゾン水を、温水と混合することによって加熱することができる。

【0026】

第６の態様によれば、オゾン水を配置する工程は、基板の第２の面上に配置されたオゾン水の圧力を制御する工程を含む。これにより、オゾン水による基板の処理を安定的に行うことができる。

【0027】

第７の態様によれば、基板の第２の面の少なくとも一部と圧力保持部の対向面との間にオゾン水を供給する工程を含む。これにより、基板の第２の面の少なくとも一部と圧力保持部の対向面との間でオゾン水へ圧力をかけやすくなる。

【0028】

第８の態様によれば、圧力保持部は、主部の縁に配置されたウイング部を有している。これにより、圧力保持部内の圧力が高めやすくなる。

【0029】

第９の態様によれば、ＳＣ＞ＬＩ・ＨＧが満たされている。これにより、圧力保持部内の圧力が、より高めやすくなる。

【0030】

第１０の態様によれば、オゾン水が圧力保持部の複数の導入路へ導入される。これにより、新鮮なオゾン水が導入される位置のむらが抑えられる。よって、オゾン水の失活に起因しての処理むらを抑えることができる。

【0031】

第１１の態様によれば、圧力保持部の複数の導入路の各々の断面積よりも大きな断面積を有する配管から複数の導入路へオゾン水が分岐される。これにより、導入路内のオゾン水の圧力が維持しやすくなる。よって、導入路内のオゾン水のオゾン濃度が維持しやすくなる。

【0032】

第１２の態様によれば、加圧されているオゾン水の圧力が制御される。これにより、基板処理を安定的に行うことができる。

【0033】

第１３の態様によれば、基板の第２の面上に加圧されているオゾン水を配置することによって、基板の第２の面上に加圧されていないオゾン水を配置する場合に比して、基板の第２の面上でのオゾン水中のオゾン濃度を高く維持しやすくなる。さらに、オゾン水をユースポイントで加熱することによって、オゾン水をユースポイントより前で加熱する場合に比して、オゾン水中のオゾン濃度がユースポイントに至る前に低下してしまうことが避けられる。以上から、基板の第２の面上のユースポイントへ高温かつ高濃度のオゾン水を供することができる。これにより、ユースポイントでのオゾン水の化学反応を促進することができる。よって、基板へのオゾンの作用を強めることができる。

【0034】

第１４の態様によれば、加圧されているオゾン水の圧力が制御される。これにより、基板処理を安定的に行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【0035】

【図1】本発明の実施の形態１における基板処理システムの構成の例を概略的に示す平面図である。

【図2】図１の基板処理システムに含まれる制御部の構成を概略的に示すブロック図である。

【図3】本発明の実施の形態１における基板処理装置の構成を概略的に示す側面図である。

【図4】本発明の実施の形態１における基板処理装置の構成を概略的に示す部分断面図である。

【図5】本発明の実施の形態１における基板処理方法を概略的に示すフロー図である。

【図6】本発明の実施の形態２における基板処理装置の構成を概略的に示す断面図である。

【図7】本発明の実施の形態３における基板処理装置の構成を概略的に示す部分断面図である。

【図8】本発明の実施の形態４における基板処理装置の構成を概略的に示す断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0036】

以下、図面に基づいて本発明の実施の形態について説明する。なお、以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照番号を付しその説明は繰返さない。

【0037】

＜実施の形態１＞
図１は、本実施の形態１における基板処理システム１００の構成の例を概略的に示す平面図である。基板処理システム１００は、ロードポートＬＰと、インデクサロボットＩＲと、センターロボットＣＲと、制御部９０と、少なくとも１つの処理ユニットＤＰ（図１においては４つの処理ユニット）とを含む。複数の処理ユニットＤＰは、ウエハＷＦ（基板）を処理するためのものであり、そのうちの少なくとも１つが、基板処理装置１０１に対応する。基板処理装置１０１は、ウエハＷＦに付着した有機物を除去する処理に用いることができる枚葉式の装置である。この有機物は、典型的には、使用済のレジスト膜である。このレジスト膜は、例えば、イオン注入工程用の注入マスクとして用いられたものである。

【0038】

制御部９０は、基板処理システム１００に備えられた各部の動作を制御することができる。キャリアＣの各々は、ウエハＷＦを収容する収容器である。ロードポートＬＰは、複数のキャリアＣを保持する収容器保持機構である。インデクサロボットＩＲは、ロードポートＬＰと基板載置部ＰＳとの間でウエハＷＦを搬送することができる。センターロボットＣＲは、基板載置部ＰＳおよび少なくとも１つの処理ユニットＤＰのいずれかひとつから他のひとつへとウエハＷＦを搬送することができる。以上の構成により、インデクサロボットＩＲ、基板載置部ＰＳおよびセンターロボットＣＲは、処理ユニットＤＰの各々とロードポートＬＰとの間でウエハＷＦを搬送する搬送機構として機能する。

【0039】

未処理のウエハＷＦはキャリアＣからインデクサロボットＩＲによって取り出され、基板載置部ＰＳを介してセンターロボットＣＲに受け渡される。センターロボットＣＲはこの未処理のウエハＷＦを処理ユニットＤＰに搬入する。処理ユニットＤＰはウエハＷＦに対して処理を行う。処理済みのウエハＷＦはセンターロボットＣＲによって処理ユニットＤＰから取り出され、必要に応じて他の処理ユニットＤＰを経由した後、基板載置部ＰＳを介してインデクサロボットＩＲに受け渡される。インデクサロボットＩＲは処理済みのウエハＷＦをキャリアＣに搬入する。以上により、ウエハＷＦに対する処理が行われる。

【0040】

図２は、制御部９０（図１）の構成を概略的に示すブロック図である。制御部９０は、電気回路を有する一般的なコンピュータによって構成されていてよい。具体的には、制御部９０は、ＣＰＵ(Central Processing Unit)９１、ＲＯＭ(Read Only Memory)９２、ＲＡＭ(Random Access Memory)９３、記憶装置９４、入力部９６、表示部９７および通信部９８と、これらを相互接続するバスライン９５とを有している。

【0041】

ＲＯＭ９２は基本プログラムを格納している。ＲＡＭ９３は、ＣＰＵ９１が所定の処理を行う際の作業領域として供される。記憶装置９４は、フラッシュメモリまたはハードディスク装置等の不揮発性記憶装置によって構成されている。入力部９６は、各種スイッチまたはタッチパネル等により構成されており、オペレータから処理レシピ等の入力設定指示を受ける。表示部９７は、例えば液晶表示装置およびランプ等により構成されており、ＣＰＵ９１による制御の下、各種の情報を表示する。通信部９８は、ＬＡＮ(Local Area Network)等を介してのデータ通信機能を有している。記憶装置９４には、基板処理システム（図１）を構成する各装置の制御についての複数のモードが予め設定されている。ＣＰＵ９１が処理プログラム９４Ｐを実行することによって、上記複数のモードのうちの１つのモードが選択され、該モードによって各装置が制御される。また、処理プログラム９４Ｐは、記録媒体に記憶されていてもよい。この記録媒体を用いれば、制御部９０に処理プログラム９４Ｐをインストールすることができる。また制御部９０が実行する機能の一部または全部は、必ずしもソフトウェアによって実現される必要は無く、専用の論理回路などのハードウェアによって実現されてもよい。

【0042】

図３および図４のそれぞれは、本実施の形態１における基板処理装置の構成を概略的に示す側面図および部分断面図である。基板処理装置１０１はウエハＷＦを処理するためのものである。ウエハＷＦは、裏面Ｓ１（第１の面）と、処理面Ｓ２（第１の面と反対の第２の面）とを有しており、少なくとも処理面Ｓ２が基板処理装置１０１によって処理される。基板処理装置１０１は、基板保持機構Ｍ１と、圧力印加機構Ｍ２と、加熱機構Ｍ３（加熱部）とを有している。

【0043】

基板保持機構Ｍ１は、ウエハＷＦを保持する機能を有している。また基板保持機構Ｍ１は、ウエハＷＦを回転させる機能を有していてよい。圧力印加機構Ｍ２は、ウエハＷＦの処理面Ｓ２上に、大気圧に比して加圧されているオゾン水ＬＱを配置する圧力保持機能を有している。また圧力印加機構Ｍ２は、加圧されているオゾン水ＬＱの圧力を制御する圧力制御機能を有していてよい。加熱機構Ｍ３は、ウエハＷＦの処理のためのユースポイントでオゾン水ＬＱを加熱する加熱機能を有している。本実施の形態においては、加熱機構Ｍ３は、ウエハＷＦを加熱する加熱機能を有しており、オゾン水ＬＱは主に、加熱されたウエハＷＦからの熱伝導によって加熱される。

【0044】

基板保持機構Ｍ１（図３）は、排気路１２を有する真空チャック１１（基板保持部）と、真空ポンプ１３と、回転軸１４と、回転モータ１５とを有している。真空ポンプ１３が排気路１２を排気することによってウエハＷＦの裏面Ｓ１が真空チャック１１上に吸着される。これにより真空チャック１１はウエハＷＦを保持する。回転軸１４は真空チャック１１を支持している。回転モータ１５が矢印ＲＣに示すように回転軸１４を回転させることによって、真空チャック１１が回転する。これにより、真空チャック１１に保持されたウエハＷＦが回転する。

【0045】

圧力印加機構Ｍ２（図３）は、圧力ノズル３１（圧力保持部）と、オゾン水源４１と、圧力調整器４２（圧力制御部）と、圧力計５０と、アーム６１と、軸６２と、角度調整器６３と、高さ調整器６４とを有している。オゾン水源４１は、純水中にオゾンガスを溶解させることによってオゾン水を生成する。生成されたオゾン水は、圧力調整器４２を介して圧力ノズル３１に供給される。圧力調整器４２は、ポンプなどの昇圧装置、または、減圧弁などの減圧装置である。

【0046】

圧力ノズル３１は、ウエハＷＦの処理面Ｓ２上に、加圧されているオゾン水ＬＱを配置することができる。加圧されているオゾン水ＬＱの圧力は、圧力調整器４２によって制御されてよい。圧力の制御は、圧力調整器４２が圧力ノズル３１へオゾン水を吐出する圧力を調整することによって行われ得る。この調整は、圧力計５０によって検出される圧力ノズル３１内の圧力を参照して行われてよい。オゾン水源は、圧力調整器４２を介して圧力ノズル３１へオゾン水を供給する。

【0047】

圧力ノズル３１は、アーム６１の一方端に支持されている。アーム６１の他方端は軸６２に支持されている。軸６２は、高さ方向に沿って延在している。軸６２は回転することができ、その回転角度は、矢印ＲＮ（図３）に示すように、アクチュエータである角度調整器６３によって調整される。これにより、軸６２からアーム６１が延びる方向が調整される。これにより、矢印ＳＮ（図３）に示すように、圧力ノズル３１の位置がウエハＷＦの処理面Ｓ２上でスキャンされる。また軸６２は高さ方向において変位することができ、その高さ位置は、アクチュエータである高さ調整器６４によって調整される。これにより、矢印ＨＮ（図３）に示すようにアーム６１の高さが調整される。これにより、圧力ノズル３１とウエハＷＦの処理面Ｓ２との間のギャップ長ＨＧが調整される。これにより圧力ノズル３１内のオゾン水ＬＱの圧力を調整することができるので、高さ調整器６４は、一種の圧力制御部である。

【0048】

圧力ノズル３１は、ウイング部３１Ａと、主部３１Ｂと、供給部３１Ｃとを有している。主部３１Ｂは、ウエハＷＦの処理面Ｓ２に間隔を空けて対向する。ウイング部３１Ａは、主部３１Ｂの縁に配置され、主部３１ＢからウエハＷＦの処理面Ｓ２へ向かって延び、ウエハＷＦの処理面Ｓ２に対向する。本実施の形態においては、ウイング部３１Ａは筒形状を有している。供給部３１Ｃは、ウエハＷＦの処理面Ｓ２と主部３１Ｂとの間へオゾン水ＬＱを供給する。

【0049】

加熱機構Ｍ３は、ウエハＷＦの処理のためのユースポイントでオゾン水ＬＱを加熱することができる。本実施の形態においては、加熱機構Ｍ３はウエハＷＦを加熱する。そして、加熱されたウエハＷＦからの熱がオゾン水ＬＱへ伝導することによって、オゾン水ＬＱが加熱される。ウエハＷＦの加熱は、処理面Ｓ２および裏面Ｓ１の少なくともいずれかへ行われればよい。また加熱方法は、例えば、光照射または熱伝導を用いて行われてよい。光照射の場合、光ＬＴ（図４）のエネルギーを吸収することによってウエハＷＦの温度が上昇する。熱伝導の場合、ウエハＷＦへの熱伝導によってウエハＷＦの温度が上昇する。本実施の形態においては、加熱機構Ｍ３は、ランプヒータ８１および伝導ヒータ８２の少なくともいずれかを有している。

【0050】

ランプヒータ８１は、光ＬＴ（図４）をウエハＷＦの処理面Ｓ２へ照射する。ランプヒータ８１は、光ＬＴを発する発光ダイオード（ＬＥＤ：Light Emitting Diode）を有することが好ましい。光ＬＴの波長は、ウエハＷＦによって吸収されやすいものであることが好ましい。この観点で、ウエハＷＦがシリコンウエハの場合、光ＬＴは、波長４５０ｎｍ程度および５５０ｎｍ程度にピーク強度を有することが好ましい。ランプヒータ８１は、圧力ノズル３１の外側の主部３１Ｂ上に取り付けられていてよい。これにより、圧力ノズル３１のスキャン（図３：矢印ＳＮ）に同期してランプヒータ８１をスキャンさせることができる。この場合、光ＬＴがウエハＷＦに主部３１Ｂを介して達するので、主部３１Ｂは光ＬＴを透過する材料からなる必要があり、例えば、石英ガラスのような透明材料からなる。

【0051】

次に、本実施の形態１におけるウエハ（基板）処理方法について、以下に説明する。

【0052】

ステップＳ１０（図５）にて、インデクサロボットＩＲおよびセンターロボットＣＲ（図１）が、ウエハＷＦをロードポートＬＰから基板処理装置１０１へ搬送する。

【0053】

ステップＳ３０（図５）にて、基板保持機構Ｍ１（図３）がウエハＷＦを保持する。具体的には、真空ポンプ１３による排気によって真空チャック１１がウエハＷＦの裏面Ｓ１を吸着する。次に、回転モータ１５が回転軸１４を回転させることによって（矢印ＲＣ）、ウエハＷＦが回転させられる。

【0054】

ステップＳ４０（図５）にて、圧力印加機構Ｍ２（図３）がウエハＷＦの処理面Ｓ２上に、加圧されているオゾン水ＬＱを配置する。具体的には、まず圧力ノズル３１（図４）が配置される。このように配置された圧力ノズル３１は、ウエハＷＦの処理面Ｓ２の一部に間隔を空けて対向する対向面（下面）を有する。この対向面とウエハＷＦの処理面Ｓ２の一部との間にオゾン水ＬＱが供給される。このとき、ウエハＷＦが回転され（図３：矢印ＲＣ参照）、かつ、圧力ノズル３１がスキャンされる（図３：矢印ＳＮ参照）。これにより、処理面Ｓ２の全体へ、加圧されたオゾン水を作用させることができる。またスキャンがなされることによって、未だあまり失活が進んでいない新鮮なオゾン水ＬＱが配置される位置が均一化される。

【0055】

オゾン水ＬＱが供給される際、圧力ノズル３１のウイング部３１Ａ（図４）は、ウエハＷＦの処理面Ｓ２に、ゼロよりも大きなギャップ長ＨＧを空けて対向している。ウイング部３１Ａの筒形状が内周長ＬＩを有し、かつ供給部３１Ｃの内部が断面積ＳＣを有する場合、ＳＣ＞ＬＩ・ＨＧが満たされていることが好ましい。なお、供給部３１Ｃは円筒形状を有することが好ましく、その場合、断面積ＳＣは、円筒形状の内側直径Ｄ１（図４）を用いて、ＳＣ＝π・（Ｄ１／２）^２によって算出される。またウイング部３１Ａは円筒形状であることが好ましく、その場合、内周長ＬＩは円筒形状の内側直径Ｄ２を用いて、ＬＩ＝π・Ｄ２によって算出される。

【0056】

上記のように圧力ノズル３１内においてウエハＷＦの処理面Ｓ２上にオゾン水ＬＱが配置される際に、オゾン水ＬＱが単に加圧されるというだけでなく、オゾン水ＬＱの圧力が制御されることが好ましい。この制御は、圧力調整器４２が圧力ノズル３１へオゾン水を吐出する圧力を調整することによって行われ得る。これに代わって、あるいはこれと共に、ギャップ長ＨＧが調整されてもよい。圧力の制御は、圧力計５０を参照して行われることが好ましい。

【0057】

ギャップ長ＨＧ（図４）がゼロよりも大きいことから、供給されたオゾン水ＬＱは、矢印ＥＶ（図４）に示すようにウエハＷＦの処理面Ｓ２上において圧力ノズル３１の外部へと漏れ出す。よって本実施の形態においては、圧力ノズル３１内のオゾン水ＬＱは、オゾン水源４１から供給される新鮮なものへと置換され続ける。なお、漏れ出したオゾン水ＬＱは、矢印ＦＬ（図３）に示すように処理面Ｓ２上から流れ落ちる。

【0058】

ステップＳ５０（図５）にて、加熱機構Ｍ３（図４）がウエハＷＦの処理のためのユースポイントでオゾン水ＬＱを加熱する。ユースポイントは、圧力ノズル３１の内部であり、より具体的には、圧力ノズル３１の内部のオゾン水ＬＱのうち処理面Ｓ２に接する部分である。本実施の形態においては、加熱機構Ｍ３は、まずウエハＷＦを加熱する。ウエハＷＦは、処理面Ｓ２から加熱されてよく、それに代わってあるいはそれと共に、裏面Ｓ１から加熱されてもよい。加熱されたウエハＷＦからの熱は、温度差に起因して、オゾン水ＬＱに伝導させられる。その結果、オゾン水ＬＱはユースポイントで加熱される。オゾン水ＬＱは、オゾン水源４１と圧力ノズル３１との間では加熱されないことが好ましい。上記のようにユースポイントで加熱されたオゾン水が処理面Ｓ２に作用することによって、ウエハＷＦの処理が行われる。具体的には、ウエハＷＦの洗浄、例えばレジスト除去、が行われる。

【0059】

ステップＳ６０（図５）にて、上記処理の後、ウエハＷＦのリンス工程が行われる。リンス工程は、基板処理装置１０１がリンス機能も有している場合、基板処理装置１０１によって行われてよく、あるいは他の処理ユニットＤＰ（図１）によって行われてもよい。

【0060】

ステップＳ８０（図５）にて、インデクサロボットＩＲおよびセンターロボットＣＲ（図１）が、リンスされたウエハＷＦを処理ユニットＤＰからロードポートＬＰへ搬送する。

【0061】

以上により、ウエハＷＦへの処理が完了する。なお、オゾン水ＬＱには、オゾンに加えて他の物質が溶解されていてもよく、例えば、アンモニアおよび過酸化水素の少なくともいずれかが溶解されていてよい。またオゾン水ＬＱには気泡が混入されていてもよく、例えばオゾン気泡が混入されていてよい。

【0062】

本実施の形態によれば、ウエハＷＦの処理面Ｓ２上に加圧されているオゾン水ＬＱを配置することによって、ウエハＷＦの処理面Ｓ２上に加圧されていないオゾン水ＬＱを配置する場合に比して、ウエハＷＦの処理面Ｓ２上でのオゾン水ＬＱ中のオゾン濃度を高く維持しやすくなる。一般に、大気圧よりも十分に高い圧力下では２００～３００ｐｐｍ程度の高濃度オゾン水を準備することができるが、これが大気圧下の環境へ開放されると、オゾン濃度は６０ｐｐｍ程度にまで急速に低下してしまう。また本実施の形態によれば、オゾン水ＬＱをユースポイントで加熱することによって、オゾン水ＬＱをユースポイントより前で加熱する場合に比して、オゾン水ＬＱ中のオゾン濃度がユースポイントに至る前に低下してしまうことが避けられる。以上から、ウエハＷＦの処理面Ｓ２上のユースポイントへ高温かつ高濃度のオゾン水ＬＱを供することができる。これにより、ユースポイントでのオゾン水ＬＱの化学反応を促進することができる。よって、ウエハＷＦの処理面Ｓ２へのオゾンの作用を強めることができる。

【0063】

オゾン水ＬＱは、ウエハＷＦからの熱をオゾン水ＬＱへ伝導させることによって加熱される。これにより、オゾン水ＬＱをユースポイントで加熱することができる。

【0064】

ウエハＷＦは処理面Ｓ２から加熱されてよい。この場合、裏面Ｓ１および処理面Ｓ２のうち処理される面である処理面Ｓ２を優先的に加熱することができる。あるいはウエハＷＦは裏面Ｓ１から加熱されてよい。この場合、加熱の悪影響が処理面Ｓ２上に及びにくくなる。

【0065】

ウエハＷＦの処理面Ｓ２上に配置されたオゾン水ＬＱの圧力は制御されることが好ましい。これにより、オゾン水ＬＱによるウエハＷＦの処理を安定的に行うことができる。

【0066】

オゾン水ＬＱは、ウエハＷＦの処理面Ｓ２の一部と圧力ノズル３１の対向面との間に供給される。これにより、ウエハＷＦの処理面Ｓ２の一部と圧力ノズル３１の対向面との間でオゾン水ＬＱへ圧力をかけやすくなる。

【0067】

圧力ノズル３１は、主部３１Ｂの縁に配置されたウイング部３１Ａを有している。これにより、圧力ノズル３１内の圧力が高めやすくなる。特に、前述したように式ＳＣ＞ＬＩ・ＨＧが満たされている場合、圧力ノズル３１内の圧力が、より高めやすくなる。

【0068】

基板保持部として真空チャック１１が用いられることによって、ウエハＷＦの裏面Ｓ１を、おおよそ均一に支持することができる。これにより、オゾン水ＬＱの圧力に起因してのウエハＷＦの反りを防止することができる。なお基板保持部は真空チャックに限定されるわけではなく、メカニカルチャックであってもよい。

【0069】

（実施の形態２）
図６は、本実施の形態２における基板処理装置１０２の構成を概略的に示す断面図である。以下、主に基板処理装置１０１（図３および図４：実施の形態１）との相違について説明する。

【0070】

基板保持機構Ｍ１は、実施の形態１の場合と同様であってよい。ただし本実施の形態においては、ウエハＷＦは必ずしも回転させられる必要はない。よって回転軸１４および回転モータ１５は省略されてもよい。

【0071】

圧力印加機構Ｍ２は、ウイング部３１Ａと主部３１Ｂと供給部３１Ｃとを有する圧力ノズル３１（図４：実施の形態１）に代わって、ウイング部３２Ａと主部３２Ｂと供給部３２Ｃとを有する圧力カップ３２（圧力保持部）を含む。主部３２Ｂは、ウエハＷＦの処理面Ｓ２の全体に間隔を空けて対向する対向面（図中、下面）を有している。これにより、加圧されたオゾン水ＬＱを、圧力カップ３２の対向面とウエハＷＦの処理面Ｓ２の全体との間に供給することができる。

【0072】

本実施の形態においては、圧力カップ３２のウイング部３２Ａと、真空チャック１１との間に挟まれることになるように、シール材５１が設けられている。シール材５１は、真空チャック１１と圧力カップ３２のウイング部３２Ａとの一方に固定されていてよく、真空チャック１１と圧力カップ３２のウイング部３２Ａとが接近した際に、真空チャック１１と圧力カップ３２のウイング部３２Ａとの間を封止する。シール材５１による封止能力は、真空チャック１１へ圧力カップ３２のウイング部３２Ａが押し付けられる荷重ＬＤに依存する。この荷重は荷重調整器４９によって調整されてよい。封止能力の調整によって、加圧されているオゾン水ＬＱの圧力を制御することができるので、荷重調整器４９は、一種の圧力制御部である。封止能力を超えて圧力カップ３２内に圧力が加わると、シール材５１でのオゾン水ＬＱの漏洩（矢印ＥＶ１）が生じる。さらに、圧力カップ３２に、必要に応じて排圧を行うための逆止弁５２（圧力制御部）が取り付けられていてもよい。逆止弁５２の設定圧力を超えて圧力カップ３２内に圧力が加わると、逆止弁５２でのオゾン水ＬＱの漏洩（矢印ＥＶ２）が生じる。これによって、加圧されているオゾン水ＬＱの圧力を制御することができる。

【0073】

なお、図示された構成においては、真空チャック１１と圧力カップ３２のウイング部３２Ａとが鉛直方向に対向する箇所でシール材５１による封止が行われるが、変形例として、真空チャックとウイング部とが水平方向に対向する箇所でシール材による封止が行われてもよい。

【0074】

基板保持機構Ｍ１が回転軸１４および回転モータ１５を有する場合、真空チャック１１の回転に同期して圧力カップ３２を矢印ＲＳに示すように回転可能とするための機構が設けられる。例えば、圧力カップ３２を回転させる回転モータ４８が設けられる。

【0075】

圧力印加機構Ｍ２は、オゾンガス源４３および圧力調整器４４を有していてよい。オゾンガス源４３はオゾンガスを生成する。生成されたオゾンガスは圧力調整器４４を介して圧力カップ３２に供給される。圧力調整器４４は、ポンプなどの昇圧装置、または、減圧弁などの減圧装置である。圧力印加機構Ｍ２がこれらの構成を有する場合、オゾン水ＬＱを圧力カップ３２中に貯留した後、加圧されているオゾンガスを圧力カップ３２中に導入することによって、圧力カップ３２内の圧力を高めることができる。この場合、オゾン水源４１に接続された圧力調整器４２は省略されてよい。

【0076】

本実施の形態によっても、実施の形態１とほぼ同様の効果が得られる。また基板保持部として真空チャック１１が用いられることによって、基板保持部と圧力カップ３２との間を満たすのに必要なオゾン水ＬＱの体積を抑えることができる。なお、この体積の増大が許容されるのであれば、基板保持部はメカニカルチャックであってよい。

【0077】

さらに本実施の形態によれば、実施の形態１と異なり、スキャン（図３：矢印ＳＮ）のための機構が不要である。また実施の形態１と異なり、ウエハＷＦの回転のための機構も省略することができる。ただし、装置の複雑化が許容されるのであれば、本実施の形態においてもウエハＷＦが回転されることが好ましい。この回転により、ウエハＷＦの処理面Ｓ２上へ付着した気泡が振り払われる。よって、気泡が局所的に付着していることに起因しての処理むらの発生を防止することができる。

【0078】

（実施の形態３）
図７は、本実施の形態３における基板処理装置１０３の構成を概略的に示す断面図である。以下、主に基板処理装置１０１（図３および図４：実施の形態１）との相違について説明する。

【0079】

本実施の形態においては、圧力印加機構Ｍ２は、圧力ノズル３１（図３および図４：実施の形態１）に代わって圧力ノズル３３を有している。圧力ノズル３３は、圧力ノズル３１と同様、ウエハＷＦの処理面Ｓ２上で、ギャップ長ＨＧを保ちつつ、スキャンされる（図３：矢印ＳＮ参照）。ギャップ長ＨＧは、例えば０．５ｍｍ程度である。スキャンの実施およびギャップ長ＨＧの制御のための機構は、実施の形態１のものと同様であってよい。圧力ノズル３３は、オゾンに対して耐性のある材料からなる必要があり、例えば、石英またはテフロン（登録商標）からなる。

【0080】

圧力ノズル３３は、オゾン水経路３３ｏと、温水経路３３ｈとを有している。オゾン水経路３３ｏの入口と、温水経路３３ｈの入口とは、互いに独立している。温水経路３３ｈは、圧力ノズル３３を貫通して、処理面Ｓ２に対向する対向面（図中、圧力ノズル３３の下面）に達している。この対向面は平坦であってよい。またこの対向面の外縁は、円形であってよく、その直径は、例えば６０ｍｍ程度である。オゾン水経路３３ｏは圧力ノズル３３内で温水経路３３ｈに合流している。

【0081】

オゾン水経路３３ｏの断面積は、温水経路３３ｈから離れた部分に比して、温水経路３３ｈにつながる部分において、小さいことが好ましい。言い換えれば、温水経路３３ｈから離れた部分の断面積Ｃ６に比して、温水経路３３ｈにつながる部分の断面積Ｃ７は小さい。この構成によって、オゾン水の圧力を、温水と混合される直前まで、より高く保つことができる。よって、オゾン水源４１からのオゾン水のオゾン濃度を、温水と混合される直前まで、高く維持しやすくなる。なお、ここでいう断面積は、経路の延在方向に垂直な面における面積である。

【0082】

また本実施の形態においては、加熱機構Ｍ３は、圧力ノズル３３の温水経路３３ｈの入口に接続された温水源８３を有している。温水源８３は、オゾン水源４１からのオゾン水の温度（第１の温度）よりも高い温度（第２の温度）を有する温水を生成する。この第２の温度は、４０℃以上であり、好ましくは７０℃以上である。

【0083】

上記構成により、圧力ノズル３３内において、第１の温度を有するオゾン水に、第１の温度よりも高い第２の温度を有する温水が混合される。これにより、加熱されたオゾン水ＬＱを得ることができる。例えば、処理面Ｓ２上へ、温度７５℃かつ濃度４０ｐｐｍのオゾン水を配置することができる。

【0084】

（実施の形態４）
図８は、本実施の形態４における基板処理装置１０４の構成を概略的に示す断面図である。以下、主に基板処理装置１０３（図７：実施の形態３）との相違について説明する。

【0085】

本実施の形態においては、圧力印加機構Ｍ２は、圧力ノズル３３（図７：実施の形態３）に代わって圧力ノズル３４を有している。

【0086】

圧力ノズル３４は、温水を通すために、温水経路３３ｈ（図７：実施の形態３）と同様の温水経路３４ｈを有している。また圧力ノズル３４は、オゾン水源４１からのオゾン水を受け入れるための複数の導入路３４ｏを有している。導入路３４ｏは、処理面Ｓ２に対向する対向面（図中、圧力ノズル３４の下面）に達する少なくとも１つの導入路３４ｏ１を含んでよく、好ましくは、図示されているように複数の導入路３４ｏ１を含む。また導入路３４ｏは、圧力ノズル３４内で温水経路３４ｈに合流する導入路３４ｏ２を含んでよい。本実施の形態においては、ウエハＷＦの処理面Ｓ２上にオゾン水ＬＱを配置するために、オゾン水が複数の導入路３４ｏへ導入される。この構成によって、新鮮なオゾン水が導入される位置のむらが抑えられる。よって、オゾン水の失活に起因しての処理むらを抑えることができる。

【0087】

オゾン水を圧力ノズル３４の複数の導入路３４ｏへ導入する際、オゾン水ＬＱは配管４５から複数の導入路３４ｏへ分岐させられる。ここで、配管４５の断面積Ｃ８は、複数の導入路３４ｏの各々の断面積Ｃ９よりも大きいことが好ましい。この構成によって、オゾン水の圧力を、温水と混合される直前まで、より高く維持しやすくなる。よって、オゾン水源４１からのオゾン水のオゾン濃度を、温水と混合される直前まで、高く維持しやすくなる。なお、ここでいう断面積は、配管４５または導入路３４ｏの延在方向に垂直な面における面積である。

【0088】

配管４５と、複数の導入路３４ｏのそれぞれとの間には、バルブ４７が挿入されていることが好ましい。個々のバルブ４７の開閉を制御することによって、ウエハＷＦの処理面Ｓ２における処理むらを低減することができる。

【0089】

例えば、圧力ノズル３４は、円形の外縁を有する対向面（図中、下面）を有しており、その中心に温水経路３４ｈの出口が配置され、径方向（図中、横方向）に沿って複数の導入路３４ｏ１の出口が配列される。この構成により、径方向における処理むらを抑えることができる。また、上述したようにバルブ４７の制御がなされる場合、径方向における処理むらをさらに抑えることができる。なお変形例として、導入路３４ｏ１が省略されて導入路３４ｏ２のみが設けられてもよく、これにより構成を単純化することができる。ただしこの変形例においては、圧力ノズル３４の対向面（図中、下面）の中心にのみ新鮮なオゾン水が供給されるので、中心から離れるほど、より失活の進んだオゾン水しか供給されなくなる。よって処理むらが生じやすくなる。

【0090】

なお圧力ノズル３４の上記以外の特徴については、前述した圧力ノズル３３（図７：実施の形態３）とほぼ同様であるため、その説明を省略する。

【0091】

この発明は詳細に説明されたが、上記の説明は、すべての局面において、例示であって、この発明がそれに限定されるものではない。例示されていない無数の変形例が、この発明の範囲から外れることなく想定され得るものと解される。上記各実施形態および各変形例で説明した各構成は、相互に矛盾しない限り適宜組み合わせたり、省略したりすることができる。

【符号の説明】

【0092】

１１：真空チャック（基板保持部）
１２：排気路
１３：真空ポンプ
１４：回転軸
１５，４８：回転モータ
３１，３３，３４：圧力ノズル（圧力保持部）
３１Ａ，３２Ａ：ウイング部
３１Ｂ，３２Ｂ：主部
３１Ｃ，３２Ｃ：供給部
３２：圧力カップ（圧力保持部）
３３ｈ：温水経路
３３ｏ：オゾン水経路
３４ｈ：温水経路
３４ｏ，３４ｏ１，３４ｏ２：導入路
４１：オゾン水源
４２，４４：圧力調整器
４３：オゾンガス源
４５：配管
４７：バルブ
４９：荷重調整器
５０：圧力計
５１：シール材
５２：逆止弁
６１：アーム
６２：軸
６３：角度調整器
６４：高さ調整器
８１：ランプヒータ
８２：伝導ヒータ
８３：温水源
１０１～１０４：基板処理装置
ＬＱ：オゾン水
Ｍ１：基板保持機構
Ｍ２：圧力印加機構
Ｍ３：加熱機構
Ｓ１：裏面（第１の面）
Ｓ２：処理面（第２の面）
ＷＦ：ウエハ（基板）

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】