(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2023-10-31
(45)【発行日】2023-11-09
(54)【発明の名称】電源装置
(51)【国際特許分類】
H02M 7/48 20070101AFI20231101BHJP
H02M 7/493 20070101ALI20231101BHJP
【ＦＩ】
H02M7/48 Z
H02M7/493
【請求項の数】
10
(21)【出願番号】P 2020130439
(22)【出願日】2020-07-31
(65)【公開番号】P2022026811
(43)【公開日】2022-02-10
【審査請求日】2023-03-07
(73)【特許権者】
【識別番号】390029089
【氏名又は名称】高周波熱錬株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100108062
【弁理士】
【氏名又は名称】日向寺 雅彦
(74)【代理人】
【識別番号】100168332
【弁理士】
【氏名又は名称】小崎 純一
(74)【代理人】
【識別番号】100146592
【弁理士】
【氏名又は名称】市川 浩
(74)【代理人】
【氏名又は名称】白井 達哲
(74)【代理人】
【識別番号】100172188
【弁理士】
【氏名又は名称】内田 敬人
(74)【代理人】
【識別番号】100197538
【弁理士】
【氏名又は名称】竹内 功
(74)【代理人】
【識別番号】100176751
【弁理士】
【氏名又は名称】星野 耕平
(72)【発明者】
【氏名】金井 隆彦
(72)【発明者】
【氏名】吉田 春樹
【審査官】佐藤 匡
(56)【参考文献】
【文献】特開２０１７－１１８６９３（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開平１１－２３５０５６（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００３－２５７５１６（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１８－１３３８６４（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０２Ｍ ７／４８
Ｈ０２Ｍ ７／４９３
Ｈ０２Ｍ ３／００
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１の交流電流を出力する第１の出力部と、第２の交流電流を出力する第２の出力部と、
前記第１の交流電流と前記第２の交流電流を合成する電流合成部と、
を備え、
前記電流合成部は、
第１のブスバーと、
第２のブスバーと、
前記第１のブスバーの第１面に溶接され、前記第１の出力部に接続された第１の導電部材と、
前記第１のブスバーの第２面に溶接され、前記第２のブスバーを貫通し、前記第２の出力部に接続された第２の導電部材と、
前記第２のブスバーの第１面に溶接され、前記第２の出力部に接続された第３の導電部材と、
前記第２のブスバーの第２面に溶接され、前記第１のブスバーを貫通し、前記第１の出力部に接続された第４の導電部材と、
を有し、
前記第１のブスバーの第２面は前記第２のブスバーの第２面に対向している電源装置。
【請求項2】
前記第１のブスバー及び前記第２のブスバーが積層された方向から見て、前記第１の導電部材は前記第２の導電部材と重なり、前記第３の導電部材は前記第４の導電部材と重なる請求項１に記載の電源装置。
【請求項3】
前記電流合成部は、第１の絶縁部材と、
第２の絶縁部材と、
をさらに有し、
前記第１のブスバーには第１の孔が形成されており、
前記第１の絶縁部材は前記第１の孔内に配置されており、
前記第１の絶縁部材には第２の孔が形成されており、
前記第２のブスバーには第３の孔が形成されており、
前記第２の絶縁部材は前記第３の孔内に配置されており、
前記第２の絶縁部材には第４の孔が形成されており、
前記第２の導電部材は前記第４の孔を貫通しており、
前記第４の導電部材は前記第２の孔を貫通している請求項１または２に記載の電源装置。
【請求項4】
第１の交流電流を出力する第１の出力部と、第２の交流電流を出力する第２の出力部と、
前記第１の交流電流と前記第２の交流電流を合成する電流合成部と、
を備え、
前記電流合成部は、
第１のブスバーと、
第２のブスバーと、
前記第１のブスバー及び前記第２のブスバーを貫通し、前記第１のブスバー、前記第１の出力部及び前記第２の出力部に接続された第１の導電部材と、
前記第１のブスバー及び前記第２のブスバーを貫通し、前記第２のブスバー、前記第１の出力部及び前記第２の出力部に接続された第２の導電部材と、
を有した電源装置。
【請求項5】
前記電流合成部は、第１の絶縁部材と、
第２の絶縁部材と、
をさらに有し、
前記第１のブスバーには第１の孔及び第２の孔が形成されており、
前記第１の絶縁部材は前記第１の孔内に配置されており、
前記第１の絶縁部材には第３の孔が形成されており、
前記第２のブスバーには第４の孔及び第５の孔が形成されており、
前記第２の絶縁部材は前記第４の孔内に配置されており、
前記第２の絶縁部材には第６の孔が形成されており、
前記第１の導電部材は前記第２の孔及び前記第３の孔を貫通しており、
前記第２の導電部材は前記第５の孔及び前記第６の孔を貫通している請求項４に記載の電源装置。
【請求項6】
前記電流合成部は、前記第１のブスバーと前記第１の出力部との間の電流経路、及び、前記第２のブスバーと前記第１の出力部との間の電流経路にインダクタンスを付加する第１のインダクタンス調整部と、
前記第１のブスバーと前記第２の出力部との間の電流経路、及び、前記第２のブスバーと前記第２の出力部との間の電流経路にインダクタンスを付加する第２のインダクタンス調整部と、
をさらに有した請求項１～５のいずれか１つに記載の電源装置。
【請求項7】
前記第１のブスバー及び前記第２のブスバーが積層された方向において、前記第１のブスバー及び前記第２のブスバーは、前記第１の出力部と前記第２の出力部との間に配置されている請求項１～６のいずれか１つに記載の電源装置。
【請求項8】
前記第１のブスバー及び前記第２のブスバーが積層された方向から見て、前記第１の出力部は前記第２の出力部と重なる請求項１～７のいずれか１つに記載の電源装置。
【請求項9】
第３の交流電流を出力する第３の出力部と、第４の交流電流を出力する第４の出力部と、
をさらに備え、
前記電流合成部は、前記第３の交流電流及び前記第４の交流電流を前記第１の交流電流及び前記第２の交流電流に合成し、
前記第１のブスバー及び前記第２のブスバーが積層された方向から見て、前記第３の出力部は前記第４の出力部と重なり、
前記第１のブスバー及び前記第２のブスバーが延びる方向から見て、前記第１の出力部は前記第３の出力部と重なり、前記第２の出力部は前記第４の出力部と重なる請求項８に記載の電源装置。
【請求項10】
前記第１のブスバー及び前記第２のブスバーは、誘導加熱装置の整合部に接続される請求項１～９のいずれか１つに記載の電源装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明の実施形態は、電源装置に関する。
【背景技術】
【0002】
誘導加熱装置には、大電流の高周波電力を供給する電源装置が必要とされる。電源装置がより大きな電流を出力するためには、複数のパワー半導体を使用した複数の出力回路を並列に接続することが有効である。一方、高周波の大電流を流す導体は、インダクタンスを低減しようとすると、配置が制約される。このため、出力回路を複数設けると、電源装置が大型化するという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【文献】特許第６２５１８３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本発明の実施形態の目的は、小型化が可能な電源装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本発明の実施形態に係る電源装置は、第１の交流電流を出力する第１の出力部と、第２の交流電流を出力する第２の出力部と、前記第１の交流電流と前記第２の交流電流を合成する電流合成部と、を備える。前記電流合成部は、第１のブスバーと、第２のブスバーと、第１の導電部材と、第２の導電部材と、第３の導電部材と、第４の導電部材と、を有する。前記第１の導電部材は、前記第１のブスバーの第１面に溶接され、前記第１の出力部に接続されている。前記第２の導電部材は、前記第１のブスバーの第２面に溶接され、前記第２のブスバーを貫通し、前記第２の出力部に接続されている。前記第３の導電部材は、前記第２のブスバーの第１面に溶接され、前記第２の出力部に接続されている。前記第４の導電部材は、前記第２のブスバーの第２面に溶接され、前記第１のブスバーを貫通し、前記第１の出力部に接続されている。前記第１のブスバーの第２面は前記第２のブスバーの第２面に対向している。
【発明の効果】
【0006】
本発明の実施形態によれば、小型化が可能な電源装置を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【図1】第１の実施形態に係る電源装置を示すブロック図である。
【図2】第１の実施形態における１つの出力部を示す回路図である。
【図3】第１の実施形態に係る電源装置のインバータ部及び電流合成部の各構成要素の位置関係を示す図である。
【図4】第１の実施形態における導体部の一部を示す斜視図である。
【図5】第１の実施形態における導体部の一部を示す断面図である。
【図6】（ａ）及び（ｂ）は、第１の実施形態におけるインダクタンス調整部を示す断面図である。
【図7】第２の実施形態に係る電源装置のインバータ部及び電流合成部の各構成要素の位置関係を示す図である。
【図8】第２の実施形態における導体部の一部を示す斜視図である。
【図9】第２の実施形態における導体部の一部を示す断面図である。
【図10】第２の実施形態における導体部の一部を示す斜視分解図である。
【発明を実施するための形態】
【0008】
＜第１の実施形態＞
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施形態について説明する。
図１は、本実施形態に係る電源装置を示すブロック図である。
本実施形態に係る電源装置１は、例えば、誘導加熱装置の電源である。
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施形態について説明する。
図１は、本実施形態に係る電源装置を示すブロック図である。
本実施形態に係る電源装置１は、例えば、誘導加熱装置の電源である。
【0009】
図１に示すように、本実施形態に係る電源装置１においては、コンバータ部１０、インバータ部２０、及び、電流合成部３０が設けられている。コンバータ部１０は、外部電源、例えば、商用の交流電源１００に接続される。電流合成部３０は、外部負荷２００に接続される。電源装置１が誘導加熱装置の電源として使用される場合は、外部負荷２００は誘導加熱装置の整合部である。なお、本明細書において、「接続」とは電気的な接続を意味する。
【0010】
コンバータ部１０は、交流電源１００から供給された交流電流を直流電流に変換して、インバータ部２０に出力する。コンバータ部１０には、例えば、交流電流を整流するサイリスタ又はダイオードと、整流された電流を平滑化するコンデンサが設けられている。
【0011】
インバータ部２０は、コンバータ部１０から供給された直流電流を任意の周波数の交流電流に変換して、電流合成部３０に出力する。インバータ部２０においては、例えば４つの出力部２１～２４が設けられており、相互に並列に接続されている。但し、出力部の数は４には限定されない。出力部２１～２４の構成は、相互に同じである。以下、出力部２１を例に挙げて、その構成を説明する。
【0012】
図２は、本実施形態における１つの出力部を示す回路図である。
図２に示すように、出力部２１においては、４つのパワー半導体素子Ｑ１～Ｑ４が設けられている。パワー半導体素子Ｑ１～Ｑ４は、２水準の電位が入力され、外部から入力される制御信号に基づいて、出力電位を切り替えることができるスイッチング素子であり、例えば、ＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor：金属酸化物半導体電界効果トランジスタ）又はＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor：絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）である。パワー半導体素子Ｑ１～Ｑ４のそれぞれには、還流ダイオードＤが並列に接続されている。
図２に示すように、出力部２１においては、４つのパワー半導体素子Ｑ１～Ｑ４が設けられている。パワー半導体素子Ｑ１～Ｑ４は、２水準の電位が入力され、外部から入力される制御信号に基づいて、出力電位を切り替えることができるスイッチング素子であり、例えば、ＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor：金属酸化物半導体電界効果トランジスタ）又はＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor：絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）である。パワー半導体素子Ｑ１～Ｑ４のそれぞれには、還流ダイオードＤが並列に接続されている。
【0013】
出力部２１において、パワー半導体素子Ｑ１～Ｑ４はフルブリッジ回路を構成している。すなわち、出力部２１には、コンバータ部１０から直流電流が入力される高電位側端子２１Ｈ及び低電位側端子２１Ｌと、電流合成部３０に対して交流電流を出力するＵ端子２１Ｕ及びＶ端子２１Ｖが設けられている。そして、パワー半導体素子Ｑ１及びＱ２は高電位側端子２１Ｈと低電位側端子２１Ｌとの間に直列に接続されており、パワー半導体素子Ｑ３及びＱ４も高電位側端子２１Ｈと低電位側端子２１Ｌとの間に直列に接続されている。
【0014】
パワー半導体素子Ｑ１とパワー半導体素子Ｑ２とのノードＮ１はＵ端子２１Ｕに接続されており、パワー半導体素子Ｑ３とパワー半導体素子Ｑ４とのノードＮ２はＶ端子２１Ｖに接続されている。パワー半導体素子Ｑ１～Ｑ４のゲートには、外部から制御信号が入力される。これにより、パワー半導体素子Ｑ１及びＱ４がオンとなり、パワー半導体素子Ｑ２及びＱ３がオフとなる状態と、パワー半導体素子Ｑ２及びＱ３がオンとなり、パワー半導体素子Ｑ１及びＱ４がオフとなる状態とを交互に繰り返すことにより、Ｕ端子２１Ｕ及びＶ端子２１Ｖから交流電流が出力される。
【0015】
電流合成部３０は、インバータ部２０の出力部２１～２４（以下、総称して単に「出力部」ともいう）からそれぞれ出力された交流電流を合成する。図１に示すように、電流合成部３０においては、インダクタンス調整部３１～３４と、導体部３５が設けられている。導体部３５は、出力部２１のＵ端子２１Ｕ及びＶ端子２１Ｖに接続されており、出力部２１から出力された交流電流が入力される。同様に、導体部３５には、出力部２２、２３、２４からそれぞれ出力された交流電流が入力される。
【0016】
インダクタンス調整部３１は、出力部２１と導体部３５との間の電流経路ＣＰ２１に介在している。インダクタンス調整部３２は、出力部２２と導体部３５との間の電流経路ＣＰ２２に介在している。インダクタンス調整部３３は、出力部２３と導体部３５との間の電流経路ＣＰ２３に介在している。インダクタンス調整部３４は、出力部２４と導体部３５との間の電流経路ＣＰ２４に介在している。
【0017】
図３は、本実施形態に係る電源装置のインバータ部及び電流合成部の各構成要素の位置関係を示す図である。
図４は、本実施形態における導体部の一部を示す斜視図である。
図５は、本実施形態における導体部の一部を示す断面図である。
図４は、本実施形態における導体部の一部を示す斜視図である。
図５は、本実施形態における導体部の一部を示す断面図である。
【0018】
図３～図５に示すように、導体部３５においては、一対のブスバー３６Ｕ及び３６Ｖが設けられている。ブスバー３６Ｕ及び３６Ｖ（以下、総称して単に「ブスバー」ともいう）は、銅等の高導電率の金属材料からなり、その形状は帯状である。ブスバー３６Ｕ及び３６Ｖの厚さは例えば３ｍｍ前後、幅は例えば２００ｍｍ前後であり、一方向、例えば、鉛直（長さ）方向に延びている。長さは例えば２０００ｍｍ前後である。ブスバー３６Ｕの主面は、第１面３６Ｕ１及び第２面３６Ｕ２である。ブスバー３６Ｖの主面は、第１面３６Ｖ１及び第２面３６Ｖ２である。ブスバー３６Ｕの第２面３６Ｕ２はブスバー３６Ｖの第２面３６Ｖ２に対向している。ブスバー３６Ｕ及び３６Ｖは、外部負荷２００、例えば、誘導加熱装置の整合部に接続される。
【0019】
一対のブスバー３６Ｕ及び３６Ｖは、絶縁シート５０の両面に積層されている。すなわち、絶縁シート５０は、ブスバー３６Ｕとブスバー３６Ｖの間に配置されており、ブスバー３６Ｕの第２面３６Ｕ２及びブスバー３６Ｖの第２面３６Ｖ２に接している。これにより、ブスバー３６Ｕとブスバー３６Ｖは、一定の距離を隔てて相互に絶縁されつつ、十分に近い位置に配置されることにより、インダクタンスの発生が抑制される。絶縁シート５０は、例えば、エポキシガラス又はテフロン（登録商標、ポリテトラフルオロエチレン）等の絶縁性材料により形成されている。絶縁シート５０の幅及び長さは、ブスバー３６Ｕ及び３６Ｖの幅及び長さよりも広く、絶縁シート５０の幅方向及び長さ方向の両側部は、ブスバー３６Ｕ及び３６Ｖの幅方向及び長さ方向の両端縁からはみ出している。これにより、ブスバー３６Ｕとブスバー３６Ｖとの間の沿面距離が長くなり、ブスバー３６Ｕとブスバー３６Ｖとが確実に絶縁される。絶縁シート５０の厚さは例えば２ｍｍ前後である。
【0020】
また、導体部３５においては、導電部材として、４対の導電部材３７Ｕ１及び３７Ｕ２、３７Ｖ１及び３７Ｖ２、３８Ｕ１及び３８Ｕ２、３８Ｖ１及び３８Ｖ２が設けられている。ブスバー３６Ｕ及び３６Ｖの積層方向から見て、導電部材３７Ｕ１は導電部材３７Ｕ２と重なり、導電部材３７Ｖ１は導電部材３７Ｖ２と重なり、導電部材３８Ｕ１は導電部材３８Ｕ２と重なり、導電部材３８Ｖ１は導電部材３８Ｖ２と重なっている。導電部材３７Ｕ１及び３７Ｕ２、３７Ｖ１及び３７Ｖ２、３８Ｕ１及び３８Ｕ２、３８Ｖ１及び３８Ｖ２（以下、総称して単に「導電部材」ともいう）は、例えば銅により形成されている。
【0021】
導電部材３７Ｕ１の一方の端部は、ブスバー３６Ｕの第１面３６Ｕ１に溶接されている。導電部材３７Ｕ２の一方の端部は、ブスバー３６Ｕの第２面３６Ｕ２に溶接されている。導電部材３７Ｖ１の一方の端部は、ブスバー３６Ｖの第２面３６Ｖ２に溶接されている。導電部材３７Ｖ２の一方の端部は、ブスバー３６Ｖの第１面３６Ｖ１に溶接されている。これにより、各ブスバーと各導電部材との接触部分の少なくとも一部には、溶接部Ｗが形成されている。
【0022】
更に、導体部３５においては、４対の枝ブスバー４１Ｕ及び４１Ｖ、４２Ｕ及び４２Ｖ、４３Ｕ及び４３Ｖ、４４Ｕ及び４４Ｖが設けられている。枝ブスバー４１Ｕ及び４１Ｖ、４２Ｕ及び４２Ｖ、４３Ｕ及び４３Ｖ、４４Ｕ及び４４Ｖ（以下、総称して単に「枝ブスバー」ともいう）の形状は、例えば、一端部がＬ字形に屈曲した帯状である。
【0023】
枝ブスバー４１Ｕは導電部材３７Ｕ１の他方の端部に連結されている。これにより、枝ブスバー４１Ｕは導電部材３７Ｕ１を介してブスバー３６Ｕに接続されている。枝ブスバー４１Ｖは導電部材３７Ｖ１の他方の端部に連結されている。これにより、枝ブスバー４１Ｖは導電部材３７Ｖ１を介してブスバー３６Ｖに接続されている。枝ブスバー４２Ｕは導電部材３７Ｕ２の他方の端部に連結されている。これにより、枝ブスバー４２Ｕは導電部材３７Ｕ２を介してブスバー３６Ｕに接続されている。枝ブスバー４２Ｖは導電部材３７Ｖ２の他方の端部に連結されている。これにより、枝ブスバー４２Ｖは導電部材３７Ｖ２を介してブスバー３６Ｖに接続されている。
【0024】
同様に、枝ブスバー４３Ｕは導電部材３８Ｕ１を介してブスバー３６Ｕに接続されている。枝ブスバー４３Ｖは導電部材３８Ｖ１を介してブスバー３６Ｖに接続されている。枝ブスバー４４Ｕは導電部材３８Ｕ２を介してブスバー３６Ｕに接続されている。枝ブスバー４４Ｖは導電部材３８Ｖ２を介してブスバー３６Ｖに接続されている。各枝ブスバーと各導電部材は、ネジ６０によって連結されていてもよく、溶接されていてもよく、それ以外の手段によって連結されていてもよい。
【0025】
対をなす枝ブスバー４１Ｕと枝ブスバー４１Ｖとの間には、絶縁シート５１が設けられている。枝ブスバー４１Ｕと枝ブスバー４１Ｖは、絶縁シート５１の両側に積層されており、これにより、一定の距離を維持しつつ相互に絶縁されている。絶縁シート５１の幅及び長さは、枝ブスバー４１Ｕ及び４１Ｖの幅及び長さよりも広く、絶縁シート５１の幅方向及び長さ方向の両側部は、枝ブスバー４１Ｕ及び４１Ｖの幅方向及び長さ方向の両端縁からはみ出している。これにより、枝ブスバー４１Ｕと枝ブスバー４１Ｖとの間の沿面距離を増加させ、枝ブスバー４１Ｕと枝ブスバー４１Ｖとを確実に絶縁している。絶縁シート５１の厚さは例えば２ｍｍ前後である。
【0026】
同様に、対をなす枝ブスバー４２Ｕと枝ブスバー４２Ｖとの間には、絶縁シート５２が設けられており、対をなす枝ブスバー４３Ｕと枝ブスバー４３Ｖとの間には、絶縁シート５３（図６（ｂ）参照）が設けられており、対をなす枝ブスバー４４Ｕと枝ブスバー４４Ｖとの間には、絶縁シート（図示せず）が設けられている。これらの絶縁シートも、絶縁シート５０と同様に、例えば、エポキシガラス又はテフロン（登録商標）等の絶縁性材料により形成されている。
【0027】
以下、ブスバー３６Ｕ及び３６Ｖと、枝ブスバー４１Ｕ及び４１Ｖ、４２Ｕ及び４２Ｖとの接続部分の機械的な構成について説明する。ブスバー３６Ｕ及び３６Ｖと、枝ブスバー４３Ｕ及び４３Ｖ、４４Ｕ及び４４Ｖとの接続部分の機械的な構成についても、以下の説明と同様である。
【0028】
絶縁シート５０には、孔５０ａ及び孔５０ｂが形成されている。孔５０ａ及び５０ｂは円形であり、絶縁シート５０を厚さ方向に貫通している。絶縁シート５０の孔５０ａ及び５０ｂの直径は、導電部材の外径よりも僅かに大きい。
【0029】
ブスバー３６Ｕには、孔３６Ｕａが形成されている。孔３６Ｕａは円形であり、ブスバー３６Ｕを厚さ方向に貫通している。孔３６Ｕａの直径は、導電部材の外径よりも大きい。ブスバー３６Ｖには、孔３６Ｖａが形成されている。孔３６Ｖａは円形であり、ブスバー３６Ｖを厚さ方向に貫通している。孔３６Ｖａの直径は、導電部材の外径よりも大きい。ブスバー３６Ｕの孔３６Ｕａの直径は、ブスバー３６Ｖの孔３６Ｖａの直径と略等しい。
【0030】
ブスバー３６Ｕの孔３６Ｕａ内には、絶縁部材として、環状の絶縁ワッシャー５６が設けられている。絶縁ワッシャー５６の中央部には、孔５６ａが形成されている。導電部材３７Ｖ１は、絶縁シート５０の孔５０ａ及び絶縁ワッシャー５６の孔５６ａを貫通している。これにより、導電部材３７Ｖ１はブスバー３６Ｕから絶縁されている。
【0031】
ブスバー３６Ｖの孔３６Ｖａ内には、絶縁部材として、環状の絶縁ワッシャー５７が設けられている。絶縁ワッシャー５７の中央部には、孔５７ａが形成されている。導電部材３７Ｕ２は、絶縁シート５０の孔５０ｂ及び絶縁ワッシャー５７の孔５７ａを貫通している。これにより、導電部材３７Ｕ２はブスバー３６Ｖから絶縁されている。絶縁ワッシャー５６及び５７は、例えば、エポキシガラス又はテフロン（登録商標）等の絶縁性材料により形成されている。
【0032】
このようにして、ブスバー３６Ｕは、枝ブスバー４１Ｕ及び枝ブスバー４２Ｕに接続されている。一方、ブスバー３６Ｕは、絶縁シート５０によってブスバー３６Ｖから絶縁されており、絶縁ワッシャー５６によって導電部材３７Ｖ１から絶縁されている。また、ブスバー３６Ｖは、枝ブスバー４２Ｖ及び枝ブスバー４１Ｖに接続されている。一方、ブスバー３６Ｖは、絶縁シート５０によってブスバー３６Ｕから絶縁されており、絶縁ワッシャー５７によって導電部材３７Ｕ２から絶縁されている。
【0033】
この結果、導電部材３７Ｕ１及び３７Ｕ２を介して、ブスバー３６Ｕ及び３６Ｖの積層方向の両側にＵ端子を取り出すことができると共に、導電部材３７Ｖ１及び３７Ｖ２を介して、ブスバー３６Ｕ及び３６Ｖの積層方向の両側にＶ端子を取り出すことができる。この結果、ブスバー３６Ｕ及び３６Ｖの積層方向の両側に出力部２１及び出力部２２を配置することができる。このとき、ブスバー３６Ｕ及び３６Ｖの積層方向において、ブスバー３６Ｕ及び３６Ｖは、出力部２１と出力部２２との間に配置される。
【0034】
例えば、出力部２１と出力部２２は、ブスバー３６Ｕ及び３６Ｖを挟み、絶縁シート５０に関して対称な位置に配置することができる。この場合、出力部２１から外部負荷２００（例えば、誘導加熱装置の整合部）までの電流経路ＣＰ２１の長さと、出力部２２から外部負荷２００までの電流経路ＣＰ２２の長さを等しくし、電流経路ＣＰ２１のインダクタンスと電流経路ＣＰ２２のインダクタンスを略等しくすることができる。
【0035】
同様な構成により、導電部材３８Ｕ１及び３８Ｕ２を介して、ブスバー３６Ｕ及び３６Ｖの積層方向の両側にＵ端子を取り出すことができると共に、導電部材３８Ｖ１及び３８Ｖ２を介して、ブスバー３６Ｕ及び３６Ｖの積層方向の両側にＶ端子を取り出すことができる。この結果、ブスバー３６Ｕ及び３６Ｖの積層方向の両側に出力部２３及び出力部２４を配置することができる。このとき、ブスバー３６Ｕ及び３６Ｖの積層方向において、ブスバー３６Ｕ及び３６Ｖは、出力部２３と出力部２４との間に配置される。
【0036】
例えば、出力部２３と出力部２４は、ブスバー３６Ｕ及び３６Ｖを挟み、絶縁シート５０に関して対称な位置に配置することができる。この場合、出力部２３から外部負荷２００までの電流経路ＣＰ２３の長さと、出力部２４から外部負荷２００までの電流経路ＣＰ２４の長さを等しくし、電流経路ＣＰ２３のインダクタンスと電流経路ＣＰ２４のインダクタンスを略等しくすることができる。
【0037】
例えば、出力部２１～２４は、ブスバー３６Ｕの幅方向から見て、２行２列のマトリクス状に配置することができる。この場合、ブスバー３６Ｕ及び３６Ｖの積層方向から見て、出力部２１は出力部２２と重なり、出力部２３は出力部２４と重なる。また、ブスバー３６Ｕ及び３６Ｖが延びる方向、例えば、鉛直方向から見て、出力部２１は出力部２３と重なり、出力部２２は出力部２４と重なる。
【0038】
上述の如く、本実施形態においては、出力部２１から外部負荷２００までの電流経路ＣＰ２１の長さと、出力部２２から外部負荷２００までの電流経路ＣＰ２２の長さを、実質的に等しくすることができる。これにより、これらの電流経路のインダクタンスを実質的に等しくすることができる。また、出力部２３から外部負荷２００までの電流経路ＣＰ２３の長さと、出力部２４から外部負荷２００までの電流経路ＣＰ２４の長さを、実質的に等しくすることができる。これにより、これらの電流経路のインダクタンスを実質的に等しくすることができる。但し、図３に示すように、出力部２３から外部負荷２００までの電流経路ＣＰ２３は、出力部２１から外部負荷２００までの電流経路ＣＰ２１に対して、距離Ｌだけ長く、その分、インダクタンスが大きい。
【0039】
このため、本実施形態においては、各出力部から外部負荷２００までの電流経路のインダクタンスを揃えるために、出力部２１～２４とブスバー３６Ｕ及び３６Ｖとの間に、インダクタンス調整部３１～３４をそれぞれ設けている。例えば、電流経路ＣＰ２１及び電流経路ＣＰ２２に、距離Ｌに相当するインダクタンスを付加して、これらの電流経路のインダクタンスを、電流経路ＣＰ２３のインダクタンス及び電流経路ＣＰ２４のインダクタンスと略等しくする。これにより、各出力部に流れる電流を均等にし、各出力部の負担を均等にする。この結果、各出力部の発熱量も均一化し、特定の出力部の寿命が著しく短くなることを回避できる。また、電流経路ＣＰ２１～ＣＰ２４のインダクタンスを相互に等しくすることにより、各出力部から出力される高周波電流の位相を揃え、損失を抑制することができる。
【0040】
図６（ａ）及び（ｂ）は、本実施形態におけるインダクタンス調整部を示す断面図である。
図６（ａ）に示すように、インダクタンス調整部３１においては、枝ブスバー４１Ｕ、絶縁シート５１及び枝ブスバー４１Ｖからなる積層体６６が設けられている。枝ブスバー４１Ｕと枝ブスバー４１Ｖとは、絶縁シート５１の厚さｔ１だけ離れている。インダクタンス調整部３２の構成は、インダクタンス調整部３１の構成と同様である。
図６（ｂ）に示すように、インダクタンス調整部３３においては、枝ブスバー４３Ｕ、絶縁シート５３及び枝ブスバー４３Ｖからなる積層体６７が設けられている。枝ブスバー４３Ｕと枝ブスバー４３Ｖとは、絶縁シート５３の厚さｔ２だけ離れている。厚さｔ２は厚さｔ１よりも小さい。インダクタンス調整部３４の構成は、インダクタンス調整部３３の構成と同様である。
図６（ａ）に示すように、インダクタンス調整部３１においては、枝ブスバー４１Ｕ、絶縁シート５１及び枝ブスバー４１Ｖからなる積層体６６が設けられている。枝ブスバー４１Ｕと枝ブスバー４１Ｖとは、絶縁シート５１の厚さｔ１だけ離れている。インダクタンス調整部３２の構成は、インダクタンス調整部３１の構成と同様である。
図６（ｂ）に示すように、インダクタンス調整部３３においては、枝ブスバー４３Ｕ、絶縁シート５３及び枝ブスバー４３Ｖからなる積層体６７が設けられている。枝ブスバー４３Ｕと枝ブスバー４３Ｖとは、絶縁シート５３の厚さｔ２だけ離れている。厚さｔ２は厚さｔ１よりも小さい。インダクタンス調整部３４の構成は、インダクタンス調整部３３の構成と同様である。
【0041】
絶縁シートが厚いほど、その両側に配置した枝ブスバーに印加されるインダクタンスが大きくなる。このため、インダクタンス調整部３１が枝ブスバー４１Ｕ及び４１Ｖに付加するインダクタンスは、インダクタンス調整部３３が枝ブスバー４３Ｕ及び４３Ｖに付加するインダクタンスよりも大きい。したがって、インダクタンス調整部３１が電流経路ＣＰ２１に付加するインダクタンス、及び、インダクタンス調整部３２が電流経路ＣＰ２２に付加するインダクタンスは、インダクタンス調整部３３が電流経路ＣＰ２３に付加するインダクタンス、及び、インダクタンス調整部３４が電流経路ＣＰ２４に付加するインダクタンスよりも大きい。このようにして、インダクタンス調整部３１～３４により、電流経路の長さの違いを補償し、電流経路ＣＰ２１～ＣＰ２４のインダクタンスを均等化することができる。
【0042】
また、積層体６６の周囲には、一対のコア部材６８ａ及び６８ｂが設けられており、積層体６７の周囲にも、一対のコア部材６８ａ及び６８ｂが設けられている。コア部材６８ａ及び６８ｂは、例えば、磁性体により形成されており、その形状は半環状である。積層体６６の周囲に配置されたコア部材６８ａとコア部材６８ｂは、距離Ｌ１だけ離れている。積層体６７の周囲に配置されたコア部材６８ａとコア部材６８ｂは、距離Ｌ２だけ離れている。距離Ｌ２は距離Ｌ１よりも短い。コア部材６８ａ及び６８ｂを設けることにより、対をなす枝ブスバー４１Ｕと枝ブスバー４１Ｖとの間の電流のばらつき、及び、対をなす枝ブスバー４３Ｕと４３Ｖとの間の電流のばらつきを抑制することができる。なお、コア部材６８ａとコア部材６８ｂとを繋ぐコア部材を設けてもよい。
【0043】
次に、本実施形態の効果について説明する。
本実施形態に係る電源装置１においては、各ブスバーの両面に導電部材を溶接することにより、一対のブスバー３６Ｕ及び３６Ｖから、ブスバー３６Ｕ及び３６Ｖの積層方向の両側にＵ端子及びＶ端子を取り出すことができる。この結果、ブスバー３６Ｕ及び３６Ｖの積層方向の両側に一対の出力部２１及び２２を配置し、単純な電流経路により、これらの一対の出力部２１及び２２をブスバー３６Ｕ及び３６Ｖの双方に接続することができる。このため、複数の出力部を設けても、電源装置１の小型化が可能である。
本実施形態に係る電源装置１においては、各ブスバーの両面に導電部材を溶接することにより、一対のブスバー３６Ｕ及び３６Ｖから、ブスバー３６Ｕ及び３６Ｖの積層方向の両側にＵ端子及びＶ端子を取り出すことができる。この結果、ブスバー３６Ｕ及び３６Ｖの積層方向の両側に一対の出力部２１及び２２を配置し、単純な電流経路により、これらの一対の出力部２１及び２２をブスバー３６Ｕ及び３６Ｖの双方に接続することができる。このため、複数の出力部を設けても、電源装置１の小型化が可能である。
【0044】
図３に示すように、電源装置１においては、４つの出力部２１～２４を設け、ブスバー３６Ｕ及び３６Ｖの積層方向の両側に２つずつ配置すると共に、鉛直方向に２段に配置することができる。これにより、電源装置１の設置面積を抑制しつつ、電源装置１の高さも抑制することができる。電源装置１を誘導加熱装置の電源として工場内に設置する場合は、設置面積が制約される場合が多く、また、高さも制限されることがある。本実施形態に係る電源装置１は、このような場合でも、特段の処置を講じることなく、設置が可能である。
【0045】
これに対して、ブスバーの両側に端子を取り出せないと、ブスバー３６Ｕからはブスバー３６Ｖの反対側にＵ端子を取り出し、ブスバー３６Ｖからはブスバー３６Ｕの反対側にＶ端子を取り出すことになる。この場合は、Ｕ端子とＶ端子が相互に逆方向に取り出されるため、電流経路の構成が複雑になる。高周波の大電流を流すためには、電流経路の全長にわたって断面積を一定値以上に維持する必要があるため、ブスバーを繋げて電流経路を構成する。また、ブスバー間のインダクタンスを抑制するために、Ｕ相のブスバーとＶ相のブスバーは相互に絶縁しつつも可及的に近い位置に配置する必要がある。さらに、高周波電流の損失を抑制するために、電流経路の屈曲は少ない方が好ましい。以上の要件を満たすように電流経路を構成しようとすると、出力部の配置が制約されてしまい、電源装置内にデッドスペースが発生し、小型化が困難になる。
【0046】
また、電源装置１においては、出力部２１から外部負荷２００までの電流経路ＣＰ２１の長さと、出力部２２から外部負荷２００までの電流経路ＣＰ２２の長さが、略同じであるため、インダクタンス調整部３１の構成とインダクタンス調整部３２の構成を同じにすることができる。また、出力部２３から外部負荷２００までの電流経路ＣＰ２３の長さと、出力部２４から外部負荷２００までの電流経路ＣＰ２４の長さが、略同じであるため、インダクタンス調整部３３の構成とインダクタンス調整部３４の構成を同じにすることができる。これにより、インダクタンス調整部の部品を共通化し、コストを低減できる。これに対して、各出力部から外部負荷までの電流経路の長さが相互に異なっていると、インダクタンス調整部が付加するインダクタンスを相互に異ならせる必要があるため、部品の共通化が困難である。
【0047】
＜第２の実施形態＞
次に、第２の実施形態について説明する。
図７は、本実施形態に係る電源装置のインバータ部及び電流合成部の各構成要素の位置関係を示す図である。
図８は、本実施形態における導体部の一部を示す斜視図である。
図９は、本実施形態における導体部の一部を示す断面図である。
図１０は、本実施形態における導体部の一部を示す斜視分解図である。
次に、第２の実施形態について説明する。
図７は、本実施形態に係る電源装置のインバータ部及び電流合成部の各構成要素の位置関係を示す図である。
図８は、本実施形態における導体部の一部を示す斜視図である。
図９は、本実施形態における導体部の一部を示す断面図である。
図１０は、本実施形態における導体部の一部を示す斜視分解図である。
【0048】
図７～図１０に示すように、本実施形態に係る電源装置２は、第１の実施形態に係る電源装置１（図１～図６参照）と比較して、電流合成部３０の導体部３５の機械的な構成が異なっている。本実施形態における各ブスバーと各枝ブスバーとの電気的な接続関係は、第１の実施形態と同様である。
【0049】
電源装置２の導体部３５においては、２対の導電部材３７Ｕ及び３７Ｖ、３８Ｕ及び３８Ｖ（以下、総称して単に「導電部材」ともいう）が設けられている。また、導体部３５においては、第１の実施形態と同様に、４対の枝ブスバー４１Ｕ及び４１Ｖ、４２Ｕ及び４２Ｖ、４３Ｕ及び４３Ｖ、４４Ｕ及び４４Ｖが設けられている。なお、図１０においては、枝ブスバーは図示を省略している。
【0050】
枝ブスバー４１Ｕは、ブスバー３６Ｕに接続されている。枝ブスバー４１Ｖは、導電部材３７Ｖを介してブスバー３６Ｖに接続されている。枝ブスバー４２Ｕは、導電部材３７Ｕを介してブスバー３６Ｕに接続されている。枝ブスバー４２Ｖは、ブスバー３６Ｖに接続されている。枝ブスバー４３Ｕは、ブスバー３６Ｕに接続されている。枝ブスバー４３Ｖは、導電部材３８Ｖを介してブスバー３６Ｖに接続されている。枝ブスバー４４Ｕは、導電部材３８Ｕを介してブスバー３６Ｕに接続されている。枝ブスバー４４Ｖは、ブスバー３６Ｖに接続されている。
【0051】
本実施形態においては、４つの出力部２１～２４に対して、２対の導電部材３７Ｕ及び３７Ｖ、３８Ｕ及び３８Ｖと、４対の枝ブスバー４１Ｕ及び４１Ｖ、４２Ｕ及び４２Ｖ、４３Ｕ及び４３Ｖ、４４Ｕ及び４４Ｖが設けられている。より一般的に表現すると、出力部の数がｎ（ｎは２以上の偶数）であるとき、導電部材は（ｎ／２）対設けられており、枝ブスバーはｎ対設けられている。また、出力部の数がｍ（ｍは３以上の奇数）であるとき、導電部材は｛（ｍ＋１）／２｝対設けられており、枝ブスバーはｍ対設けられている。
【0052】
以下、ブスバー３６Ｕ及び３６Ｖと、枝ブスバー４１Ｕ及び４１Ｖ、４２Ｕ及び４２Ｖとの接続部分の機械的な構成について説明する。ブスバー３６Ｕ及び３６Ｖと、枝ブスバー４３Ｕ及び４３Ｖ、４４Ｕ及び４４Ｖとの接続部分の機械的な構成についても、以下の説明と同様である。
【0053】
ブスバー３６Ｕには、孔３６Ｕａ及び孔３６Ｕｂが形成されている。孔３６Ｕａ及び孔３６Ｕｂは円形であり、ブスバー３６Ｕを厚さ方向に貫通している。孔３６Ｕａの直径は、孔３６Ｕｂの直径よりも大きい。ブスバー３６Ｖには、孔３６Ｖａ及び孔３６Ｖｂが形成されている。孔３６Ｖａ及び孔３６Ｖｂは円形であり、ブスバー３６Ｖを厚さ方向に貫通している。孔３６Ｖａの直径は、孔３６Ｖｂの直径よりも大きい。ブスバー３６Ｕの孔３６Ｕａの直径は、ブスバー３６Ｖの孔３６Ｖａの直径と略等しい。ブスバー３６Ｕの孔３６Ｕｂの直径は、ブスバー３６Ｖの孔３６Ｖｂの直径と略等しい。
【0054】
絶縁シート５０には、孔５０ａ及び孔５０ｂが形成されている。孔５０ａ及び５０ｂは円形であり、絶縁シート５０を厚さ方向に貫通している。絶縁シート５０の孔５０ａ及び５０ｂの直径は、ブスバー３６Ｕの孔３６Ｕｂの直径及びブスバー３６Ｖの孔３６Ｖｂの直径と略等しく、導電部材の外径よりも僅かに大きい。
【0055】
ブスバー３６Ｕの孔３６Ｕａ内には、絶縁部材として、環状の絶縁ワッシャー５６が設けられている。絶縁ワッシャー５６の中央部には、孔５６ａが形成されている。ブスバー３６Ｖの孔３６Ｖａ内には、絶縁部材として、環状の絶縁ワッシャー５７が設けられている。絶縁ワッシャー５７の中央部には、孔５７ａが形成されている。孔５６ａ及び孔５７ａの直径は、絶縁シート５０の孔５０ａ及び５０ｂの直径と略等しく、したがって、導電部材の外径よりも僅かに大きい。
【0056】
ブスバー３６Ｕと枝ブスバー４１Ｖとの間には、絶縁シート５８が設けられており、枝ブスバー４１Ｖをブスバー３６Ｕから絶縁している。絶縁シート５８には、孔５８ａが形成されている。ブスバー３６Ｖと枝ブスバー４２Ｕとの間には、絶縁シート５９が設けられており、枝ブスバー４２Ｕをブスバー３６Ｖから絶縁している。絶縁シート５９には、孔５９ａが形成されている。孔５８ａ及び孔５９ａの直径は、絶縁シート５０の孔５０ａ及び５０ｂの直径と略等しく、したがって、導電部材の外径よりも僅かに大きい。絶縁ワッシャー５６及び５７、絶縁シート５８及び５９も、例えば、エポキシガラス又はテフロン（登録商標）等の絶縁性材料により形成されている。
【0057】
また、枝ブスバー４１Ｕには孔４１Ｕａが形成されており、枝ブスバー４１Ｖには孔４１Ｖａが形成されており、枝ブスバー４２Ｕには孔４２Ｕａが形成されており、枝ブスバー４２Ｖには孔４２Ｖａが形成されている。孔４１Ｕａ、孔４１Ｖａ、孔４２Ｕａ、孔４２Ｖａの形状は円形であり、その直径は、導電部材の外径よりも僅かに大きい。
【0058】
ブスバー３６Ｕ及び３６Ｖの積層方向から見て、枝ブスバー４１Ｖの孔４１Ｖａ、絶縁シート５８の孔５８ａ、絶縁ワッシャー５６の孔５６ａ、絶縁シート５０の孔５０ａ、ブスバー３６Ｖの孔３６Ｖｂ、枝ブスバー４２Ｖの孔４２Ｖａは、相互に同じ位置に配置されており、これらの孔を導電部材３７Ｖが貫通している。導電部材３７Ｖの両端部は、一対のナット６１ａ及び６１ｂによってネジ止めされている。一対のナット６１ａ及び６１ｂにより、枝ブスバー４１Ｖと枝ブスバー４２Ｖとは、相互に近づく方向に付勢されている。なお、図１０においては、ナット６１ａは図示を省略されている。
【0059】
これにより、ブスバー３６Ｖは、枝ブスバー４２Ｖの屈曲した端部と接し、枝ブスバー４２Ｖに接続されている。また、ブスバー３６Ｖは、孔３６Ｖｂの内面、枝ブスバー４２Ｖの孔４２Ｖａの内面、及び、ナット６１ｂを介して、導電部材３７Ｖに接続されている。導電部材３７Ｖは、ブスバー３６Ｖに溶接されていてもよい。導電部材３７Ｖは、枝ブスバー４１Ｖの孔４１Ｖａの内面、及び、ナット６１ａを介して、枝ブスバー４１Ｖに接続されている。この結果、ブスバー３６Ｖは、枝ブスバー４２Ｖ及び枝ブスバー４１Ｖに接続されている。
【0060】
一方、ブスバー３６Ｕは、絶縁シート５０によってブスバー３６Ｖから絶縁されており、絶縁ワッシャー５６によって導電部材３７Ｖから絶縁されており、絶縁シート５８によって枝ブスバー４１Ｖから絶縁されている。このため、ブスバー３６Ｕは枝ブスバー４１Ｖ及び４２Ｖから絶縁されている。
【0061】
ブスバー３６Ｕ及び３６Ｖの積層方向から見て、枝ブスバー４２Ｕの孔４２Ｕａ、絶縁シート５９の孔５９ａ、絶縁ワッシャー５７の孔５７ａ、絶縁シート５０の孔５０ｂ、ブスバー３６Ｕの孔３６Ｕｂ、枝ブスバー４１Ｕの孔４１Ｕａは、相互に同じ位置に配置されており、これらの孔を導電部材３７Ｕが貫通している。導電部材３７Ｕの両端部は、一対のナット６２ａ及び６２ｂによってネジ止めされている。一対のナット６２ａ及び６２ｂにより、枝ブスバー４１Ｕと枝ブスバー４２Ｕとは、相互に近づく方向に付勢されている。なお、図１０においては、ナット６２ａは図示を省略されている。
【0062】
これにより、ブスバー３６Ｕは、枝ブスバー４１Ｕの屈曲した端部と接し、枝ブスバー４１Ｕに接続されている。また、ブスバー３６Ｕは、孔３６Ｕｂの内面、枝ブスバー４１Ｕの孔４１Ｕａの内面、及び、ナット６２ａを介して、導電部材３７Ｕに接続されている。導電部材３７Ｕは、ブスバー３６Ｕに溶接されていてもよい。導電部材３７Ｕは、枝ブスバー４２Ｕの孔４２Ｕａの内面、及び、ナット６２ｂを介して、枝ブスバー４２Ｕに接続されている。この結果、ブスバー３６Ｕは、枝ブスバー４１Ｕ及び枝ブスバー４２Ｕに接続されている。
【0063】
一方、ブスバー３６Ｖは、絶縁シート５０によってブスバー３６Ｕから絶縁されており、絶縁ワッシャー５７によって導電部材３７Ｕから絶縁されており、絶縁シート５９によって枝ブスバー４２Ｕから絶縁されている。このため、ブスバー３６Ｕは枝ブスバー４１Ｕ及び４２Ｕから絶縁されている。
【0064】
このようにして、導電部材３７Ｕを介して、ブスバー３６Ｕ及び３６Ｖの積層方向の両側にＵ端子を取り出すことができると共に、導電部材３７Ｖを介して、ブスバー３６Ｕ及び３６Ｖの積層方向の両側にＶ端子を取り出すことができる。この結果、ブスバー３６Ｕ及び３６Ｖの積層方向の両側に出力部２１及び出力部２２を配置することができる。このとき、ブスバー３６Ｕ及び３６Ｖの積層方向において、ブスバー３６Ｕ及び３６Ｖは、出力部２１と出力部２２との間に配置される。
【0065】
同様な構成により、導電部材３８Ｕを介して、ブスバー３６Ｕ及び３６Ｖの積層方向の両側にＵ端子を取り出すことができると共に、導電部材３８Ｖを介して、ブスバー３６Ｕ及び３６Ｖの積層方向の両側にＶ端子を取り出すことができる。この結果、ブスバー３６Ｕ及び３６Ｖの積層方向の両側に出力部２３及び出力部２４を配置することができる。このとき、ブスバー３６Ｕ及び３６Ｖの積層方向において、ブスバー３６Ｕ及び３６Ｖは、出力部２３と出力部２４との間に配置される。
【0066】
本実施形態における上記以外の構成、動作及び効果は、前述の第１の実施形態と同様である。
【0067】
前述の各実施形態は、本発明を具現化した例であり、本発明はこれらの実施形態には限定されない。例えば、前述の各実施形態において、いくつかの構成要素を追加、削除又は変更したものも本発明に含まれる。例えば、電源装置１又は２が高周波電力を供給する外部負荷は誘導加熱装置の整合部には限定されない。また、前述の各実施形態においては、導電部材が丸棒材である例を図示したが、導電部材の形状はこれには限定されない。導電部材は、例えば、両端部にネジが形成されたスタッドボルトであってもよく、他の形状であってもよい。更に、絶縁部材は絶縁ワッシャーには限定されない。更にまた、枝ブスバーの形状は上述の例には限定されない。枝ブスバーと出力部との間に、他の導電部材が接続されていてもよい。
【0068】
本発明は、例えば、高周波の大電流を供給する電源装置に利用可能であり、例えば、誘導加熱装置の電源装置に利用することができる。
【符号の説明】
【0069】
１、２：電源装置
１０：コンバータ部
２０：インバータ部
２１、２２、２３、２４：出力部
２１Ｈ：高電位側端子
２１Ｌ：低電位側端子
２１Ｕ：Ｕ端子
２１Ｖ：Ｖ端子
３０：電流合成部
３１、３２、３３、３４：インダクタンス調整部
３５：導体部
３６Ｕ、３６Ｖ：ブスバー
３６Ｕａ、３６Ｕｂ、３６Ｖａ、３６Ｖｂ：孔
３７Ｕ、３７Ｕ１、３７Ｕ２、３７Ｖ、３７Ｖ１、３７Ｖ２、３８Ｕ、３８Ｕ１、３８Ｕ２、３８Ｖ、３８Ｖ１、３８Ｖ２：導電部材
４１Ｕ、４１Ｖ、４２Ｕ、４２Ｖ、４３Ｕ、４３Ｖ、４４Ｕ、４４Ｖ：枝ブスバー
４１Ｕａ、４１Ｖａ、４２Ｕａ、４２Ｖａ：孔
５０、５１、５２、５３、５４：絶縁シート
５０ａ、５０ｂ：孔
５６、５７：絶縁ワッシャー
５６ａ、５７ａ：孔
５８、５９：絶縁シート
５８ａ、５９ａ：孔
６０：ネジ
６１ａ、６１ｂ、６２ａ、６２ｂ：ナット
６６、６７：積層体
６８ａ、６８ｂ：コア部材
１００：交流電源
２００：外部負荷
ＣＰ２１、ＣＰ２２、ＣＰ２３、ＣＰ２４：電流経路
Ｄ：還流ダイオード
Ｌ、Ｌ１、Ｌ２：距離
Ｎ１、Ｎ２：ノード
Ｑ１、Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４：パワー半導体素子
ｔ１、ｔ２：厚さ
Ｗ：溶接部
１０：コンバータ部
２０：インバータ部
２１、２２、２３、２４：出力部
２１Ｈ：高電位側端子
２１Ｌ：低電位側端子
２１Ｕ：Ｕ端子
２１Ｖ：Ｖ端子
３０：電流合成部
３１、３２、３３、３４：インダクタンス調整部
３５：導体部
３６Ｕ、３６Ｖ：ブスバー
３６Ｕａ、３６Ｕｂ、３６Ｖａ、３６Ｖｂ：孔
３７Ｕ、３７Ｕ１、３７Ｕ２、３７Ｖ、３７Ｖ１、３７Ｖ２、３８Ｕ、３８Ｕ１、３８Ｕ２、３８Ｖ、３８Ｖ１、３８Ｖ２：導電部材
４１Ｕ、４１Ｖ、４２Ｕ、４２Ｖ、４３Ｕ、４３Ｖ、４４Ｕ、４４Ｖ：枝ブスバー
４１Ｕａ、４１Ｖａ、４２Ｕａ、４２Ｖａ：孔
５０、５１、５２、５３、５４：絶縁シート
５０ａ、５０ｂ：孔
５６、５７：絶縁ワッシャー
５６ａ、５７ａ：孔
５８、５９：絶縁シート
５８ａ、５９ａ：孔
６０：ネジ
６１ａ、６１ｂ、６２ａ、６２ｂ：ナット
６６、６７：積層体
６８ａ、６８ｂ：コア部材
１００：交流電源
２００：外部負荷
ＣＰ２１、ＣＰ２２、ＣＰ２３、ＣＰ２４：電流経路
Ｄ：還流ダイオード
Ｌ、Ｌ１、Ｌ２：距離
Ｎ１、Ｎ２：ノード
Ｑ１、Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４：パワー半導体素子
ｔ１、ｔ２：厚さ
Ｗ：溶接部
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】