特許 7378247 プリント配線板およびその製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2023-11-02

(45)【発行日】2023-11-13

(54)【発明の名称】プリント配線板およびその製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/60 20060101AFI20231106BHJP

   H01L 23/12 20060101ALI20231106BHJP

【ＦＩ】

H01L21/92 602C

H01L21/92 604B

H01L23/12 F

【請求項の数】 13

(21)【出願番号】P 2019161927

(22)【出願日】2019-09-05

(65)【公開番号】P2021040090

(43)【公開日】2021-03-11

【審査請求日】2022-06-21

(73)【特許権者】

【識別番号】000000158

【氏名又は名称】イビデン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110001542

【氏名又は名称】弁理士法人銀座マロニエ特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】寺内 伊久哉

【審査官】平野 崇

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１３－１４９９４８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１７－１１８０６７（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００１－３０８１２９（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２１／６０

Ｈ０１Ｌ ２３／１２

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

プリント配線板であって、
基部絶縁層と、
前記基部絶縁層上に形成された導体層と、
前記基部絶縁層上および前記導体層上に形成され、かつ、前記導体層の一部を第１の導体パッドとして露出させる第１の開口、および該第１の開口よりも径が小さく前記導体層の他の一部を第２の導体パッドとして露出させる第２の開口を有するソルダーレジスト層と、
前記第１の導体パッド上に形成された第１のバンプと、
前記第２の導体パッド上に形成された、前記第１のバンプよりも小径の第２のバンプと、を備え、
前記第１のバンプは、前記第１の開口内に形成された第１のベースめっき層およびその上に第１のベースめっき層と同じ金属で一体に形成された第１のポストからなる第１のめっきポストと、該第１のめっきポスト上に形成された略半球状の第１のトップめっき層とを有し、
前記第２のバンプは、前記第２の開口内に形成された第２のベースめっき層およびその上に第２のベースめっき層と同じ金属で一体に形成された第２のポストからなる第２のめっきポストと、該第２のめっきポスト上に形成された略半球状の第２のトップめっき層とを有し、
前記第１のめっきポストと前記第１の導体パッドとの間、および前記第２のめっきポストと前記第２の導体パッドとの間に、順次積層されたニッケル層、パラジウム層および金層からなる下地層をそれぞれ有し、
前記第１のめっきポストと前記第２のめっきポストとは、上面が平坦で互いに高さが揃っており、かつ、
前記第１のバンプと前記第２のバンプとは、互いに高さが揃っている。

【請求項2】

請求項１に記載のプリント配線板であって、前記第１のトップめっき層および前記第２のトップめっき層の厚みは、２０μｍ～４０μｍである。

【請求項3】

請求項１に記載のプリント配線板であって、前記第１のめっきポストおよび前記第２のめっきポストは、銅を主成分とする金属からそれぞれ形成されている。

【請求項4】

請求項１に記載のプリント配線板であって、前記第１のトップめっき層は前記第１のめっきポスト上に第１の中間層を介して形成され、前記第２のトップめっき層は前記第２のめっきポスト上に第２の中間層を介して形成され、
前記第１の中間層および前記第２の中間層は、順次積層されたニッケル層、パラジウム層および金層からなる。

【請求項5】

請求項１に記載のプリント配線板であって、前記第１のトップめっき層は前記第１のめっきポスト上に第１の中間層を介して形成され、前記第２のトップめっき層は前記第２のめっきポスト上に第２の中間層を介して形成され、
前記第１の中間層および前記第２の中間層は、ニッケルを主成分とする金属からそれぞれ形成されている。

【請求項6】

請求項１に記載のプリント配線板であって、前記第１のトップめっき層および前記第２のトップめっき層は、スズを主成分とする金属からそれぞれ形成されている。

【請求項7】

プリント配線板の製造方法であって、
基部絶縁層を形成することと、
前記基部絶縁層上に導体層を形成することと、
前記基部絶縁層上および前記導体層上にソルダーレジスト層を形成することと、
前記ソルダーレジスト層に、前記導体層の一部を第１の導体パッドとして露出させる第１の開口を形成することと、
前記ソルダーレジスト層に、前記第１の開口よりも径が小さく前記導体層の他の一部を第２の導体パッドとして露出させる第２の開口を形成することと、
前記第１の導体パッド上に第１のバンプを形成することと、
前記第２の導体パッド上に、前記第１のバンプよりも小径の第２のバンプを形成することと、を含み、
前記第１のバンプを形成することは、前記第１の開口内に第１のベースめっき層を形成するとともに前記第１のベースめっき層上に第１のベースめっき層と同じ金属で一体に第１のポストを形成して第１のめっきポストを形成することと、前記第１のめっきポスト上に第１のトップめっき層を形成することと、第１のトップめっき層をリフローして略半球状の第１のトップめっき層を形成することと、を含み、
前記第２のバンプを形成することは、前記第２の開口内に第２のベースめっき層を形成するとともに前記第２のベースめっき層上に第２のベースめっき層と同じ金属で一体に第２のポストを形成して第２のめっきポストを形成することと、前記第２のめっきポスト上に第２のトップめっき層を形成することと、第２のトップめっき層をリフローして略半球状の第２のトップめっき層を形成することと、を含み、
前記第１のめっきポストと前記第１の導体パッドとの間、および前記第２のめっきポストと前記第２の導体パッドとの間に、順次積層されたニッケル層、パラジウム層および金層からなる下地層をそれぞれ形成することを含み、
前記第１のめっきポストと前記第２のめっきポストとを形成することは、それら第１のめっきポストと第２のめっきポストとの高さを研磨によって互いに揃えることを含み、かつ、
前記第１のトップめっき層と前記第２のトップめっき層とを形成することは、それら第１のトップめっき層と第２のトップめっき層との高さを第１のトップめっき層と第２のトップめっき層を形成するにあたってのレジストの開口径を調整することによって互いに揃えることを含む。

【請求項8】

請求項７に記載のプリント配線板の製造方法であって、前記レジストの開口径を調整することは、前記第１のめっきポストの上面とレジストとの重なり部分の幅を前記第２のめっきポストの上面とレジストとの重なり部分の幅より大きくすることを含む。

【請求項9】

請求項７に記載のプリント配線板の製造方法であって、前記リフロー後の前記略半球状の第１のトップめっき層および前記略半球状の第２のトップめっき層の厚みは、２０μｍ～４０μｍである。

【請求項10】

請求項７に記載のプリント配線板の製造方法であって、前記第１のめっきポストおよび前記第２のめっきポストは、銅を主成分とする金属からそれぞれ形成されている。

【請求項11】

請求項７に記載のプリント配線板の製造方法であって、前記第１のめっきポスト上に第１の中間層を介して前記第１のトップめっき層を形成することと、前記第２のめっきポスト上に第２の中間層を介して前記第２のトップめっき層を形成することとを含み、
前記第１の中間層および前記第２の中間層は、順次積層されたニッケル層、パラジウム層および金層からなる。

【請求項12】

請求項７に記載のプリント配線板の製造方法であって、前記第１のめっきポスト上に第１の中間層を介して前記第１のトップめっき層を形成することと、前記第２のめっきポスト上に第２の中間層を介して前記第２のトップめっき層を形成することとを含み、
前記第１の中間層および前記第２の中間層は、ニッケルを主成分とする金属からそれぞれ形成されている。

【請求項13】

請求項７に記載のプリント配線板の製造方法であって、前記第１のトップめっき層および前記第２のトップめっき層は、スズを主成分とする金属からそれぞれ形成されている。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、めっきバンプを有するプリント配線板およびその製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１は、めっき法を用いたバンプ形成を開示している。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開２０１０－１２９９９６号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

しかしながら、図４に示すように、ソルダーレジスト層１６’に形成された大きさの異なる開口１６ａ’，１６ｂ’内の導体パッド１４ａ’，１４ｂ’上にベースめっき層２４’，３０’を形成し、該ベースめっき層２４’，３０’上に、中間層２６’，３１’を介してトップめっき層２８’，３２’を形成して、大きさの異なるめっきバンプ２０’，２２’を形成した場合、めっきバンプ２０’とめっきバンプ２２’との間に高さのバラつきＶが発生することがありうる。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本発明に係るプリント配線板は、基部絶縁層と、前記基部絶縁層上に形成された導体層と、前記基部絶縁層上および前記導体層上に形成され、かつ、前記導体層の一部を第１の導体パッドとして露出させる第１の開口、および該第１の開口よりも径が小さく前記導体層の他の一部を第２の導体パッドとして露出させる第２の開口を有するソルダーレジスト層と、前記第１の導体パッド上に形成された第１のバンプと、前記第２の導体パッド上に形成された、前記第１のバンプよりも小径の第２のバンプと、を備え、
前記第１のバンプは、前記第１の開口内に形成された第１のベースめっき層およびその上に第１のベースめっき層と同じ金属で一体に形成された第１のポストからなる第１のめっきポストと、該第１のめっきポスト上に形成された略半球状の第１のトップめっき層とを有し、
前記第２のバンプは、前記第２の開口内に形成された第２のベースめっき層およびその上に第２のベースめっき層と同じ金属で一体に形成された第２のポストからなる第２のめっきポストと、該第２のめっきポスト上に形成された略半球状の第２のトップめっき層とを有し、
前記第１のめっきポストと前記第１の導体パッドとの間、および前記第２のめっきポストと前記第２の導体パッドとの間に、順次積層されたニッケル層、パラジウム層および金層からなる下地層をそれぞれ有し、
前記第１のめっきポストと前記第２のめっきポストとは、上面が平坦で互いに高さが揃っており、かつ、
前記第１のバンプと前記第２のバンプとは、互いに高さが揃っている。

【0006】

また、本発明に係るプリント配線板の製造方法は、基部絶縁層を形成することと、前記基部絶縁層上に導体層を形成することと、前記基部絶縁層上および前記導体層上にソルダーレジスト層を形成することと、前記ソルダーレジスト層に、前記導体層の一部を第１の導体パッドとして露出させる第１の開口を形成することと、前記ソルダーレジスト層に、前記第１の開口よりも径が小さく前記導体層の他の一部を第２の導体パッドとして露出させる第２の開口を形成することと、前記第１の導体パッド上に第１のバンプを形成することと、前記第２の導体パッド上に、前記第１のバンプよりも小径の第２のバンプを形成することと、を含み、
前記第１のバンプを形成することは、前記第１の開口内に第１のベースめっき層を形成するとともに前記第１のベースめっき層上に第１のベースめっき層と同じ金属で一体に第１のポストを形成して第１のめっきポストを形成することと、前記第１のめっきポスト上に第１のトップめっき層を形成することと、第１のトップめっき層をリフローして略半球状の第１のトップめっき層を形成することと、を含み、
前記第２のバンプを形成することは、前記第２の開口内に第２のベースめっき層を形成するとともに前記第２のベースめっき層上に第２のベースめっき層と同じ金属で一体に第２のポストを形成して第２のめっきポストを形成することと、前記第２のめっきポスト上に第２のトップめっき層を形成することと、第２のトップめっき層をリフローして略半球状の第２のトップめっき層を形成することと、を含み、
前記第１のめっきポストと前記第１の導体パッドとの間、および前記第２のめっきポストと前記第２の導体パッドとの間に、順次積層されたニッケル層、パラジウム層および金層からなる下地層をそれぞれ形成することを含み、
前記第１のめっきポストと前記第２のめっきポストとを形成することは、それら第１のめっきポストと第２のめっきポストとの高さを研磨によって互いに揃えることを含み、かつ、
前記第１のトップめっき層と前記第２のトップめっき層とを形成することは、それら第１のトップめっき層と第２のトップめっき層との高さを第１のトップめっき層と第２のトップめっき層を形成するにあたってのレジストの開口径を調整することによって互いに揃えることを含む。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】本発明の一実施形態のプリント配線板を示す断面図である。

【図2A】本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す断面図である。

【図2B】上記実施形態のプリント配線板の製造方法を示す断面図である。

【図2C】上記実施形態のプリント配線板の製造方法を示す断面図である。

【図2D】上記実施形態のプリント配線板の製造方法を示す断面図である。

【図2E】上記実施形態のプリント配線板の製造方法を示す断面図である。

【図2F】上記実施形態のプリント配線板の製造方法を示す断面図である。

【図2G】上記実施形態のプリント配線板の製造方法を示す断面図である。

【図2H】上記実施形態のプリント配線板の製造方法を示す断面図である。

【図2I】上記実施形態のプリント配線板の製造方法を示す断面図である。

【図2J】上記実施形態のプリント配線板の製造方法を示す断面図である。

【図2K】上記実施形態のプリント配線板の製造方法を示す断面図である。

【図3A】本発明の他の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す断面図である。

【図3B】上記他の実施形態のプリント配線板の製造方法を示す断面図である。

【図3C】上記他の実施形態のプリント配線板の製造方法を示す断面図である。

【図3D】上記他の実施形態のプリント配線板の製造方法を示す断面図である。

【図4】従来技術に従うプリント配線板において高さのバラつきが発生する様子を説明するための断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0008】

＜本発明のプリント配線板について＞
本発明のプリント配線板の一実施形態が、図面を参照して説明される。図１には、実施形態のプリント配線板１０の一部が拡大して示されている。プリント配線板１０は、コア基板（図示せず）の片面または両面に所定の回路パターンを有する導体層と樹脂絶縁層とを交互に積層してなるコア付き基板であってよい。コア基板の両面に導体層を形成する場合には、コア基板を介して対向する導体層同士は、スルーホール導体（図示せず）を介して接続されていてもよい。あるいは、プリント配線板１０は、コア基板の代わりに支持板（図示せず）上で導体層と樹脂絶縁層とを交互に積層した後、支持板を除去してなるコアレス基板であってもよい。いずれにせよ、プリント配線板１０は、図１に示すように、少なくとも１層の樹脂絶縁層のうち最外に配置されたものである基部絶縁層１２と、基部絶縁層１２上に形成された、所定の回路パターンを有する導体層１４と、基部絶縁層１２および導体層１４上に形成されたソルダーレジスト層１６とを備えている。基部絶縁層１２の下層には他の複数の導体層および樹脂絶縁層が交互に設けられている場合が多いが、図では省略されている。しかし、プリント配線板１０は、１層の基部絶縁層１２と１層の導体層１４とからなるものでもよい。

【0009】

基部絶縁層１２は、例えばシリカやアルミナ等の無機フィラーとエポキシ系樹脂とを含む樹脂組成物等で構成することができる。導体層１４は導電性金属、例えば銅を主成分とする金属で形成される。

【0010】

ソルダーレジスト層１６は、導体層１４の一部を第１の導体パッド１４ａとして露出させる第１の開口１６ａと、第１の開口１６ａよりも径が小さく導体層１４の他の一部を第２の導体パッド１４ｂとして露出させる第２の開口１６ｂとを有している。第１の開口１６ａのアスペクト比、つまり底部の口径に対する深さの比は０．５以下とすることができる。第２の開口１６ｂのアスペクト比、つまり底部の口径に対する深さの比０．６以上とすることができる。

【0011】

プリント配線板１０はさらに、第１の導体パッド１４ａ上に形成された第１のバンプ２０と、第２の導体パッド１４ｂ上に形成され、第１のバンプ２０よりも小径の第２のバンプ２２とを備えている。第１および第２のバンプ２０、２２は、第１および第２の導体パッド１４ａ、１４ｂ上に直接形成することができる。第１のバンプ２０は電源もしくはグランド線との接続に用いることができる。第１のバンプ２０よりも径の小さい第２のバンプ２２は信号線との接続に用いることができる。

【0012】

第１および第２の導体パッド１４ａ、１４ｂと第１および第２のバンプ２０，２２との間には下地層を設ける。下地層は、第１および第２の導体パッド１４ａ、１４ｂの表面に形成されたニッケル層とニッケル層上に形成されたパラジウム層とパラジウム層上に形成された金層とからなる。その他、ニッケル層とニッケル層上に形成された金層とからなるものを参考として例示することができる。

【0013】

第１のバンプ２０は、第１の開口１６ａ内に形成された第１のベースめっき層およびその第１のベースめっき層と一体の略円柱状の第１のポストからなる第１のめっきポスト２４と、第１のめっきポスト２４上に例えばニッケルを主成分とするかまたはニッケル層とニッケル層上に形成されたパラジウム層とパラジウム層上に形成された金層とからなる第１の中間層２６を介して形成された略半球状の第１のトップめっき層２８とを有する。第１の中間層２６の厚みは７μｍ以下とすることが好ましい。

【0014】

第１のめっきポスト２４を形成する第１のベースめっき層は、導電性金属、好ましくは銅を主成分とする金属から形成されている。これも第１のめっきポスト２４を形成する第１のポストは、第１のベースめっき層と同じ金属すなわち、好ましくは銅を主成分とする金属から形成されている。第１のめっきポスト２４を形成する第１のベースめっき層と第１のポストとは順次に形成されて互いに一体化されている。第１のめっきポスト２４は、ソルダーレジスト層１６の表面（基部絶縁層１２とは反対側の面）を充分に超える高さまで形成する。これにより第１のバンプ２０が第１の開口１６ａ内に安定して保持される。ソルダーレジスト層１６の表面から第１のめっきポスト２４の上端面２４ａまでの高さＢ１は３μｍ～１５μｍの範囲内とすることが好ましい。

【0015】

第１のトップめっき層２８は、第１のめっきポスト２４よりも融点が低く、リフロー処理により溶融して図１示すような略半球状に整形される金属、例えばスズを主成分とする金属からなる。第１のトップめっき層２８の厚み（第１のバンプ２０の外周面において第１のトップめっき層２８の下端から第１のトップめっき層の頂部までの垂直方向の距離）Ａ１は２０μｍ～４０μｍの範囲とすることが好ましい。第１のトップめっき層２８の厚みＡ１をこの範囲とすることで、第１のバンプ２０と、プリント配線板１０に実装される半導体チップやメモリなど電子部品の接続パッド（図示せず）との間で良好な接続信頼性が得られる。

【0016】

第２のバンプ２２は、第２の開口１６ｂ内に形成された第２のベースめっき層およびその第２のベースめっき層と一体の略円柱状の第２のポストからなる第２のめっきポスト３０と、第２のめっきポスト３０上に例えばニッケルを主成分とするかまたはニッケル層とニッケル層上に形成されたパラジウム層とパラジウム層上に形成された金層とからなる第２の中間層３２を介して形成された略半球状の第２のトップめっき層３４とを有する。第２の中間層３２の厚みは７μｍ以下とすることが好ましい。

【0017】

第２のめっきポスト３０を形成する第２のベースめっき層は、導電性金属、好ましくは銅を主成分とする金属から形成されている。これも第２のめっきポスト３０を形成する第２のポストは、第２のベースめっき層と同じ金属すなわち、好ましくは銅を主成分とする金属から形成されている。第２のめっきポスト３０を形成する第２のベースめっき層と第２のポストとは順次に形成されて互いに一体化されている。第２のめっきポスト３０は、ソルダーレジスト層１６の表面（基部絶縁層１２とは反対側の面）を充分に超える高さまで形成する。これにより第２のバンプ２２が第２の開口１６ｂ内に安定して保持される。ソルダーレジスト層１６の表面から第２のめっきポスト３０の上端面３０ａまでの高さＢ２は３μｍ～１５μｍの範囲内とすることが好ましい。

【0018】

第２のトップめっき層３４は、第２のめっきポスト３０よりも融点が低く、リフロー処理により溶融して図１に示すような略半球状に整形される金属、例えばスズを主成分とする金属からなる。第２のトップめっき層３４の厚み（第２のバンプ２２の外周面において第２のトップめっき層３４の下端から第２のトップめっき層３４の頂部までの垂直方向の距離）Ａ２は２０μｍ～４０μｍの範囲とすることが好ましい。第２のトップめっき層３４の厚みＡ２をこの範囲とすることで、第２のバンプ２２と、プリント配線板１０に実装される半導体チップやメモリなど電子部品の接続パッド（図示せず）との間で良好な接続信頼性が得られる。

【0019】

図１に示す実施形態のプリント配線板１０では、第１のめっきポスト２４の上端面２４ａと第２のめっきポスト３０の上端面３０ａとは一緒に研磨されて、平坦かつ互いに同一の高さ（Ｂ１＝Ｂ２）にされている。また、第１の中間層２６と第２の中間層３２とは一緒に形成されて、互いに同一の厚み（高さ）にされている。

【0020】

そして、第１のトップめっき層２８と第２のトップめっき層３４とは一緒に形成されるとともにそれぞれ金属めっき量を調節されて、リフロー処理による溶融後の厚み（高さ）が互いに同一（Ａ１＝Ａ２）にされている。

【0021】

これにより、図１に示す実施形態のプリント配線板１０は大きさの異なるバンプ２０，２２を備えていても、バンプ２０とバンプ２２との間に高さのバラつき（相違）がほとんどもしくは実質上全くない。

【0022】

＜本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法について＞
以下、図１に示すプリント配線板１０を製造するための、本発明の一実施形態に係るプリント配線板の製造方法を、図２Ａ～図２Ｋを参照して説明する。

【0023】

図２Ａには、公知の方法を用いて、基部絶縁層１２上に所定の回路パターンを有する導体層１４およびソルダーレジスト層１６が形成された中間体が示されている。基部絶縁層１２の下層には他の複数の導体層および樹脂絶縁層が交互に形成されている場合が多いが、図では省略されている。複数の導体層および樹脂絶縁層はコア基板上もしくは後に除去可能な支持板上で積層することができる。しかし、プリント配線板１０は、基部絶縁層１２としての１層の樹脂絶縁層と１層の導体層１４とからなるものでもよく、この場合この樹脂絶縁層が基部絶縁層１２に相当する。

【0024】

基部絶縁層１２には、シリカやアルミナ等の無機フィラーとエポキシ系樹脂とを含むビルドアップ用絶縁樹脂フィルムを用いることができる。ソルダーレジスト層１６には、例えば炭酸ガスレーザまたはＵＶ－ＹＡＧレーザ等により、導体層１４の一部を第１の導体パッド１４ａとして露出させる第１の開口１６ａと導体層１４の他の一部を第２の導体パッド１４ｂとして露出させる第２の開口１６ｂとが形成される。第１の開口１６ａのアスペクト比は０．５以下とし、第２の開口１６ｂのアスペクト比は０．６以上とするのが好ましい。第１および第２の導体パッド１４ａ，１４ｂ上には、めっきにより下地層が形成される。下地層は、第１および第２の導体パッド１４ａ、１４ｂの表面に形成されたニッケル層とニッケル層上に形成されたパラジウム層とパラジウム層上に形成された金層とからなる。その他、ニッケル層とニッケル層上に形成された金層とを参考として例示することができる。

【0025】

図２Ｂに示されるように、例えば、無電解銅めっき処理等の無電解めっき処理が行われ、中間体の表面（ソルダーレジスト層１６の表面および第１および第２の開口１６ａ，１６ｂの側面）上と導体パッド１４ａ，１４ｂ上の図示しない下地層上とにシード層３６が形成される。

【0026】

図２Ｃに示されるように、シード層３６上に、第１および第２のバンプ２０，２２（図１）の形成予定部位に開口３８ａ，３８ｂを有する所定パターンのめっきレジスト３８が形成される。

【0027】

図２Ｄに示されるように、電解めっき処理が行われ、シード層３６の、めっきレジスト３８の開口３８ａ，３８ｂ内に露出する部分のうち、ソルダーレジスト層１６の第１および第２の開口１６ａ，１６ｂ内の部分の上に、例えば銅を主成分とする第１のベースめっき層および第２のベースめっき層が形成され、続いてそれら第１のベースめっき層および第２のベースめっき層上および、シード層３６の、めっきレジスト３８の開口３８ａ，３８ｂ内に露出する部分のうち残りの部分上に一体的に、第１のベースめっき層および第２のベースめっき層と同じ金属、例えば銅を主成分とする第１のポストおよび第２のポストが形成されて、第１のベースめっき層とその上の第１のポストとが第１のめっきポスト２４とされ、第２のベースめっき層とその上の第２のポストとが第２のめっきポスト３０とされる。

【0028】

図２Ｅに示されるように、第１および第２のめっきポスト２４，３０を形成する際には、ソルダーレジスト層１６の表面からの第１および第２のめっきポスト２４，３０の上端面２４ａ，３０ａの高さが５μｍ～１７μｍの範囲内で互いに揃うように、第１および第２のめっきポスト２４，３０の上端部がめっきレジスト３８の上端部と一緒に研磨機で水平に研磨され、研磨前よりも好ましくは５μｍ程度低くされる。

【0029】

図２Ｆに示されるように、エッチング処理が行われ、第１および第２のめっきポスト２４，３０の上端面２４ａ，３０ａの高さが、好ましくは２μｍ程度、めっきレジスト３８の上端面より低くされ、互いに実質上同一とされる。

【0030】

図２Ｇに示されるように、例えば電解めっき処理が行われ、めっきレジスト３８の開口３８ａ内で第１および第２のめっきポスト２４，３０の上端面２４ａ，３０ａ上に、例えばニッケル層とニッケル層上に形成されたパラジウム層とパラジウム層上に形成された金層とからなる第１および第２の中間層２６，３２が形成される。第１および第２の中間層２６，３２の厚みは、好ましくは７μｍ以下とされ、互いに実質上同一とされる。

【0031】

図２Ｈに示されるように、めっきレジスト３８上に、例えばドライフィルムレジストからなり、第１および第２のバンプ２０，２２（図１）の形成予定部位の中央部に開口４０ａ，４０ｂを有する所定パターンのめっきレジスト４０が形成される。めっきレジスト４０の厚みと開口４０ａ，４０ｂの直径は、開口４０ａ，４０ｂ内に形成される後述の第１および第２のトップめっき層２８，３４の高さが互いに揃うように調整される。

【0032】

図２Ｉに示されるように、電解めっき処理が行われ、めっきポスト２４，３０の上端面２４ａ，３０ａ上に第１および第２の中間層２６，３２を介在させて第１および第２のトップめっき層２８，３４が形成される。第１および第２のトップめっき層２８，３４は、第１および第２のめっきポスト２４，３０よりも融点が低くリフロー処理により溶融して略半球状に整形される金属、例えばスズを主成分とする金属からなる。第１および第２のトップめっき層２８，３２の厚みは、好ましくは２０μｍ～４０μｍの範囲内で、互いに実質上同一とされる。

【0033】

図２Ｊに示されるように、めっきレジスト３８，４０が剥離される。また、めっきレジスト３８，４０の除去により露出したシード層３６の部分がエッチングにより除去される。

【0034】

図２Ｋに示されるように、リフロー処理が行われ、第１のトップめっき層２８および第２のトップめっき層３４が略半球状に整形される。

【0035】

このリフロー処理により、第１および第２の導体パッド１４ａ、１４ｂに近い側から、ニッケル層、パラジウム層および金層が積層された下地層と、例えば銅のめっきポストと、例えばニッケル層、パラジウム層および金層が積層された中間層と、スズのトップめっき層とからなる第１のバンプ２０および第２のバンプ２２が形成される。

【0036】

また、リフロー処理により略半球状に整形された第１のトップめっき層２８の、ソルダーレジスト層１６の表面からの高さＨ１は、リフロー処理により略半球状に整形された第２のトップめっき層３４の、ソルダーレジスト層１６の表面からの高さＨ２と実質的に同一にされ、第１および第２のバンプ２０，２２の高さが揃えられて、第１および第２のバンプ２０，２２の高さのばらつきがほとんどもしくは実質上全くなくなる。

【0037】

＜本発明の他の一実施形態のプリント配線板の製造方法について＞
以下、図１に示すプリント配線板１０を製造するための、本発明の他の一実施形態に係るプリント配線板の製造方法を、図３Ａ～図３Ｄを参照して説明する。

【0038】

図３Ａには、図２Ｆに示されたものと同じ状態まで先の実施形態と同様にして形成された中間体が示されている。第１のめっきポスト２４と第２のめっきポスト３０は、めっきレジスト３８の上端部と一緒に水平に研磨されて互いに高さを揃えられた後、エッチングされてそれらの高さを、好ましくは２μｍ程度、めっきレジスト３８の上端面より低くされて、互いに実質上同一とされている。

【0039】

図３Ｂに示されるように、めっきレジスト３８上に、例えばドライフィルムレジストからなり、第１および第２のバンプ２０，２２（図１）の形成予定部位の中央部に開口４０ａ，４０ｂを有する所定パターンのめっきレジスト４０が形成される。めっきレジスト４０の厚みと開口４０ａ，４０ｂの直径は、開口４０ａ，４０ｂ内に形成される後述の第１および第２のトップめっき層２８，３４の高さが互いに揃うように調整される。

【0040】

図３Ｃに示されるように、例えば電解めっき処理が行われ、めっきレジスト３８の開口３８ａ，３８ｂ内で第１および第２のめっきポスト２４，３０の上端面２４ａ，３０ａ上に、例えばニッケルを主成分とする第１および第２の中間層２６，３２が形成される。第１および第２の中間層２６，３２の厚みは、好ましくは７μｍ以下で、互いに実質上同一とされる。

【0041】

図３Ｄに示されるように、電解めっき処理が行われ、めっきポスト２４，３０の上端面２４ａ，３０ａ上に第１および第２の中間層２６，３２を介在させて第１および第２のトップめっき層２８，３４が形成される。第１および第２のトップめっき層２８，３４は、第１および第２のめっきポスト２４，３０よりも融点が低くリフロー処理により溶融して略半球状に整形される金属、例えばスズを主成分とする金属からなる。第１および第２のトップめっき層２８，３２の厚みは、好ましくは２０μｍ～４０μｍの範囲内で、互いに実質上同一とされる。

【0042】

先の実施形態の図２Ｊ～図２Ｋに示される手順と同様にして、めっきレジスト３８，４０が剥離され、めっきレジスト３８，４０の除去により露出したシード層３６の部分がエッチングにより除去され、その後、リフロー処理が行われて、第１のトップめっき層２８および第２のトップめっき層３４が略半球状に整形される。

【0043】

このリフロー処理により、第１および第２の導体パッド１４ａ、１４ｂに近い側から、ニッケル層、パラジウム層および金層が積層された下地層と、例えば銅のめっきポストと、例えばニッケルを主とした中間層と、スズのトップめっき層とからなる第１のバンプ２０および第２のバンプ２２が形成される。

【0044】

また、リフロー処理により略半球状に整形される第１のトップめっき層２８の、ソルダーレジスト層１６の表面からの高さＨ１は、リフロー処理により略半球状に整形される第２のトップめっき層３４の、ソルダーレジスト層１６の表面からの高さＨ２と実質的に同一にされ、第１および第２のバンプ２０，２２の高さが揃えられて、第１および第２のバンプ２０，２２の高さのばらつきがほとんどもしくは実質上全くなくなる。

【符号の説明】

【0045】

１０ プリント配線板
１２ 基部絶縁層
１４ 導体層
１４ａ 第１の導体パッド
１４ｂ 第２の導体パッド
１６ ソルダーレジスト層
１６ａ 第１の開口
１６ｂ 第２の開口
２０ 第１のバンプ
２２ 第２のバンプ
２４ 第１のめっきポスト
２４ａ，３０ａ 上端面
２６ 第１の中間層
２８ 第１のトップめっき層
３０ 第２のめっきポスト
３２ 第２の中間層
３４ 第２のトップめっき層
３６ シード層
３８，４０ めっきレジスト
３８ａ，３８ｂ，４０ａ，４０ｂ 開口

【図1】

【図2A】

【図2B】

【図2C】

【図2D】

【図2E】

【図2F】

【図2G】

【図2H】

【図2I】

【図2J】

【図2K】

【図3A】

【図3B】

【図3C】

【図3D】

【図4】